KR100925354B1 - 반도체용 가스 보틀 캐비넷 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 공정에 사용되는 공정가스가 내장 보관된 가스 보틀의 외면에 결로 현상에 의해 생성되는 물방울이 전자저울을 안치하기 위한 요입부내로 고여질 때, 이 요입부내로 고여진 물을 신속하게 배수공을 통해 배수되도록 함과 아울러 물의 배수 완료후에는 배수공을 막아 가스 보틀로부터 누설되는 가스가 캐비넷의 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있도록 한 반도체용 가스 보틀 캐비넷을 제공하는 것을 목적으로 하며,
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 좌우 측면판(11)(12)과 상면판(13)과 바닥면판(14)과 후면판(15)으로 이루어지되 전방부가 개방되어 있고, 개방된 전방부에는 도어가 탈부착 가능하게 설치되어 내부 공간이 밀폐되며, 상기 바닥면판(14)에 요입부(19)가 형성되며, 상기 요입부(19)내에 전자저울(16)이 안치되며, 상기 내부 공간에는 상기 전자저울(16)위에 반도체 공정 가스가 내장된 가스 보틀(17)이 배치되고, 좌우 측면판(11)(12)과 상면판(13)과 후면판(15)중 어느 하나에 연장되게 누설 가스 배출덕트(13a)가 형성되며, 상기 누설 가스 배출덕트(13a)내에 배기팬(13b)이 설치되어 구성된 반도체용 가스 보틀 캐비넷에 있어서,
상기 요입부(19)는 상기 바닥면판(14)에 대해 단차지게 절곡되는 절곡부(19a)와, 상기 절곡부(19a)를 연결하는 연결부(19b)로 이루어지고,
상기 절곡부(19a)에는 물 배수공(19c)이 관통 형성되며,
상기 요입부(19)내에 물이 고여지면 상기 물 배수공(19c)을 개방하고, 물의 배출이 완료된 후에 자중에 의해 상기 물 배수공(19c)을 폐쇄하는 플렉시블한 재질의 개폐판(18)이 상기 절곡부(19a)의 외면에 부착 설치된 것을 특징으로 한다.
반도체, 가스, 보틀, 캐비넷, 물, 결로, 배수
Description
본 발명은 반도체용 가스 보틀 캐비넷에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조 공정에 사용되는 공정가스가 내장 보관된 가스 보틀의 외면에 결로 현상에 의해 생성되는 물방울이 전자저울을 안치하기 위한 요입부내로 고여질 때, 이 요입부내로 고여진 물을 신속하게 배수공을 통해 배수되도록 함과 아울러 물의 배수 완료후에는 배수공을 막아 가스 보틀로부터 누설되는 가스가 캐비넷의 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있도록 한 반도체용 가스 보틀 캐비넷에 관한 것이다.
일반적으로 식각(Etching) 또는 증착(CVD) 등의 반도체 제조공정에서는 공정에 필요한 공정가스를 사용하게 되는데, 일례로 증착 공정에 사용되는 공정가스로는 NH3 가스가 , 에칭 공정에 사용되는 공정가스로는 CL2 가스가 사용된다. 이러한 공정가스는 별도의 가스 보틀(Gas-Bottle)이라는 용기속에 내장된 상태에서, 가스 보틀의 배출구에 연결된 가스 이송라인을 통해 에칭 공정 또는 증착 공정이 진행되는 반도체 공정챔버로 공급되게 된다.
그런데, 전술한 공정 가스는 가스 보틀의 배출구와 가스 이송라인의 접속 부분을 통해 외부로 누설되는 경우가 종종 발생하게 되는데, 이러한 누설 가스는 인 체에 유해한 성분이 많기 때문에 반도체 공장 내부로 확산되지 않도록 가스 보틀을 별도의 캐비넷의 내부에 배치하는 것이 일반적이다.
도 1은 종래 기술에 의한 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 내부가 보이는 상태로 도시한 외관 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 바닥부가 보이도록 도시한 사시도이다.
도시된 바와 같이, 반도체용 가스 보틀 캐비넷(10)은 대략 직육면체의 박스 형상으로 형성되는 것으로, 그 구성은 좌우 측면판(11)(12)과 상면판(13)과 바닥면판(14)과 후면판(15)으로 이루어지되 전방부가 개방되어 있다.
반도체용 가스 보틀 캐비넷(10)의 개방된 전방부에는 별도의 도어(미도시)가 탈부착 가능하게 설치됨으로써 캐비넷(10)의 내부 공간은 밀폐 상태가 된다.
그리고, 후면판(15)의 전면에는 가스 보틀(17)이 수직으로 세워진 상태에서 지지되도록 가스 보틀 지지부(15a)가 돌출되게 설치되어 있으며, 바닥면판(14)에는 대략 사각 형상의 요입부(14a)가 형성되어 있다.
이 요입부(14a)의 중앙에는 전자 저울(16)이 안치되어 있다
이와 같은 상태에서 가스 보틀(17)을 수직으로 세워 요입부(14a)내에 안치된 전자 저울(16)위에 올려놓아 배치함과 아울러 가스 보틀 지지부(15a)에 접촉된 상태에서 지지되도록 한다. 이때, 가스 보틀 지지부(15a)에 지지된 가스 보틀(17)이 전복되지 않도록 고정 체인(미도시)의 한쪽을 가스 보틀 지지부(15a)의 한쪽에 연결한 상태에서 가스 보틀 지지부(15a)에 접촉되는 부분을 제외한 나머지 가스 보틀을 감싸도록 한 후, 고정 체인의 다른쪽을 가스 보틀 지지부(15a)의 다른쪽에 연결 한다.
여기서, 전자 저울(16)은 가스 보틀(17)내에 내장된 가스의 소모량을 체크하기 위한 역할을 한다.
한편, 가스 보틀(17)의 배출구와 가스 이송라인간의 접속 부분(미도시)은 캐비넷(10)의 내부에 위치하도록 설치되는 것으로, 이 접속 부분을 통해 NH3 가스, CL2 가스가 누설되는 경우에 누설된 가스가 반도체 공장 내부로 확산되지 않도록 하기 위해 캐비넷(10)의 상면판(13)에 누설가스 배출덕트(13a)를 연장 형성하여 가스 정화장치(미도시)에 연결되도록 하고, 이 누설가스 배출덕트(13a)내에 배기팬(13b)을 형성한다.
이렇게 함으로써, 캐비넷(10)의 내부 공간에 가스가 누설되는 경우 배기팬(13b)의 강제 배기로 인해, 누설 가스를 가스 정화장치로 이송시킬 수 있게 되는 것이다.
한편, 전술한 증착 공정 또는 에칭 공정을 위해 NH3 가스 또는 CL2 가스를 사용하는 경우에 가스 보틀의 표면에 결로 현상에 의한 물방울이 생기게 되고, 시간이 경과함에 따라 물방울이 흘러 내려 바닥면판(14)에 형성된 요입부(14a)내에 저장된다.
상기 가스 보틀의 표면에 결로 현상이 생기는 과정을 좀더 구체적으로 설명하면, NH3 가스 또는 CL2 가스는 상온에서 액화 상태로 가스 보틀내부에 존재하게 되고, 증착 공정 또는 에칭 공정을 진행하기 위해 가스 보틀의 배출될 때에는 자연 기화되어 기체 상태로 반도체 공정챔버로 공급되게 된다.
따라서, 전술한 바와 같이 NH3 가스 또는 CL2 가스는 기화 작용에 의해 가스 보틀의 내부 온도가 캐비넷의 내부 온도보다 낮게 되고, 그 온도 차이가 결로가 생기는 조건을 만족하면, 가스 보틀의 외면에 결로 현상에 의한 물방울이 생기게 되는 것이다.
그러나, 종래 기술에 의한 반도체용 가스 보틀 캐비넷에서는 다음과 같은 문제점이 발생하게 된다.
즉, 가스 보틀의 표면에 결로 현상에 의한 물방울이 생기게 되고, 시간이 경과함에 따라 물방울이 흘러 내려 바닥면판(14)에 형성된 요입부(14a)내에 가득 고여지게 되는데, 이렇게 되면, 요입부(14a)내에 안치된 전자저울(16)의 고장을 발생되는 문제점이 있었다. 그 이유는 전자저울(16)이 방수가 되지 않는 상태로 제작되어 있기 때문에 요입부(14a)내에 물이 가득 고여 있는 상태인 경우에는 전자저울(16)의 내부로 침투하여 전자 부품을 전기적으로 쇼트시키게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창출된 것으로. 반도체 제조 공정에 사용되는 공정가스가 내장 보관된 가스 보틀의 외면에 결로 현상에 의해 생성되는 물방울이 전자저울을 안치하기 위한 요입부내로 고여질 때, 이 요입부내로 고여진 물을 신속하게 배수공을 통해 배수되도록 함과 아울러 물의 배수 완료후에는 배수공을 막아 가스 보틀로부터 누설되는 가스가 캐비넷의 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있도록 한 반도체용 가스 보틀 캐비넷을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 좌우 측면판과 상면판과 바닥면판과 후면판으로 이루어지되 전방부가 개방되어 있고, 개방된 전방부에는 도어가 탈부착 가능하게 설치되어 내부 공간이 밀폐되며, 상기 바닥면판에 요입부가 형성되며, 상기 요입부내에 전자저울이 안치되며, 상기 내부 공간에는 상기 전자저울위에 반도체 공정 가스가 내장된 가스 보틀이 배치되고, 좌우 측면판과 상면판과 후면판중 어느 하나에 연장되게 누설 가스 배출덕트가 형성되며, 상기 누설 가스 배출덕트(13a)내에 배기팬(13b)이 설치되어 구성된 반도체용 가스 보틀 캐비넷에 있어서, 상기 요입부는 상기 바닥면판에 대해 단차지게 절곡되는 절곡부와, 상기 절곡부를 연결하는 연결부로 이루어지고, 상기 절곡부에는 물 배수공이 관통 형성되며, 상기 요입부내에 물이 고여지면 상기 물 배수공을 개방하고, 물의 배출이 완료된 후에 자중에 의해 상기 물 배수공을 폐쇄하는 플렉시블한 재질의 개폐판이 상기 절곡부의 외면에 부착 설치된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 효과는 다음과 같다.
즉, 반도체 제조 공정에 사용되는 공정가스가 내장 보관된 가스 보틀의 외면에 결로 현상에 의해 생성되는 물방울이 전자저울을 안치하기 위한 요입부내로 고여질 때, 이 요입부내로 고여진 물을 신속하게 배수공을 통해 배수되도록 함과 아울러 물의 배수 완료후에는 배수공을 막아 가스 보틀로부터 누설되는 가스가 캐비넷의 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있게 된다.
이하, 본 발명에 의한 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 의한 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 내부가 보이는 상태로 도시한 외관 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 바닥부가 보이도록 도시한 사시도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명은 좌우 측면판(11)(12)과 상면판(13)과 바닥면판(14)과 후면판(15)으로 이루어지되 전방부가 개방되어 있고, 개방된 전방부에는 도어가 탈부착 가능하게 설치되어 내부 공간이 밀폐되며, 바닥면판(14)에 요입부(19)가 형성되며, 요입부(19)내에 전자저울(16)이 안치되며, 상기 내부 공간에는 전자저울(16)위에 반도체 공정 가스가 내장된 가스 보틀(17)이 배치되고, 좌우 측면판(11)(12)과 상면판(13)과 후면판(15)중 어느 하나에 연장되게 누설 가스 배출 덕트(13a)가 형성되어 구성된 반도체용 가스 보틀 캐비넷(10)에 적용된다.
여기서, 상기 누설 가스 배출덕트(13a)내에 배기팬(13b)을 설치하여 캐비넷(10)의 누설 가스를 가스 정화장치(미도시)측으로 이동되도록 할 수 있다.
그리고, 다른 실시예로, 가스 정화장치의 내부에 배기팬(미도시)을 설치하여 누설 가스 배출덕트(13a)를 통해 캐비넷(10)내의 가스를 강흡 흡입할 수 있다.
즉, 누설 가스 배출덕트(13a)는 상기 가스 정화장치와 별도의 이송 파이프드의 라인을 통해 연결되어 있기 때문이다.
이하 설명에서는 배기팬을 누설 가스 배출덕트(13a)내에 설치한 것을 예로 들어 설명하기로 한다.
한편, 본 발명의 요입부(19)는 바닥면판(14)에 대해 단차지게 절곡되는 절곡부(19a)와, 이 절곡부(19a)의 단부와 일체로 연결되는 연결부(19b)로 이루어진다.
그리고, 절곡부(19a)에는 물 배수공(19c)이 관통 형성된다.
그리고, 요입부(19)내에 물이 고여지면 물 배수공(19c)을 개방하고, 물의 배출이 완료된 후에 자중에 의해 물 배수공(19c)을 폐쇄하는 플렉시블한 재질의 개폐판(18)이 절곡부(19a)의 외면에 부착 설치된다.(도 3 및 도 4 참조)
여기서, 상기 개폐판(18)은 두께가 아주 얇은 비닐 또는 필름 재질로 이루어진다.
그리고, 가스 보틀(17)내에 내장되는 공정 가스는 증착 공정에 사용되는 NH3 가스와 에칭 공정에 사용되는 CL2 가스중 어느 하나가 사용된다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.
상기 누설 가스 배출덕트(13a)는 종래와 마찬가지로 가스 정화장치(미도시)에 연결되어 가스 보틀(17)의 배출구(미도시)와 가스 이송라인(미도시)간의 접속 부분(미도시)으로부터 캐비넷(10)의 내부로 누설되는 가스를 신속하게 배기하여 상기 가스 정화장치로 강제 이송함으로써, 누설된 가스가 반도체 공장 내부로 확산되지 않도록 한다.
이때, 내부 공간이 밀폐 상태로 된 캐비넷(10)의 내부에는 배기팬(13b)의 가스 배기 작용에 의해 감압되는 상태가 된다. 즉, 캐비넷(10)의 외부보다 압력이 낮게 된다. 이로 인해 개폐판(18)은 항상 요입부(19)를 구성하는 절곡부(19a)의 외면에 밀착되어 물 배수공(19c)을 막아주는 상태를 유지하게 된다.
한편, 가스 보틀(17)의 표면에는 결로 현상에 의해 물방울이 생기게 되는데, 이 물방울이 생기는 과정은 종래에서 설명한 것 마찬가지로, 공정가스로 사용되는 NH3 가스 또는 CL2 가스는 상온에서 액화 상태로 가스 보틀내부에 존재하게 되고, 증착 공정 또는 에칭 공정을 진행하기 위해 가스 보틀의 배출될 때에는 자연 기화되어 기체 상태로 반도체 공정챔버로 공급되게 된다.
따라서, 전술한 바와 같이 NH3 가스 또는 CL2 가스는 기화 작용에 의해 가스 보틀(17)의 내부 온도가 캐비넷(10)의 내부 온도보다 낮게 되고, 그 온도 차이가 결로가 생기는 조건을 만족하면, 가스 보틀(17)의 외면에 결로 현상에 의한 물방울이 생기게 되는 것이다.
즉, 가스 보틀(17)의 표면에 결로 현상에 의한 물방울이 생기게 되고, 시간 이 경과함에 따라 물방울이 흘러 내려 바닥면판(14)에 형성된 요입부(19)내에 점차적으로 고여지게 된다.
이후, 요입부(19)내에 고여진 물은 물 배수공(19c)을 통해 배수되는데, 이 물 배수공(19c)을 통해 배수되는 물의 배수 압력에 의해 개폐판(18)이 도 3의 (b)그림에서와 같이 휘어지면서 물 배수공(19c)을 완전히 개방하게 된다.
이로써, 요입부(19)내에는 물이 존재하지 않기 때문에 전자저울(16)의 고장이 나는 것을 방지할 수 있게 된다.
그리고, 물 배수공(19c)을 통해 물이 배수되어 요입부(19)내에 물이 존재하지 않게 되면, 개폐판(18)에 가해진 물의 배수 압력이 존재하지 않기 때문에 개폐판(18)은 도 3의 (a) 그림에서와 같이 원상태로 복귀되어 물 배수공(19c)을 막아주게 된다.
이때, 전술한 바와 같이 배기팬(13b)의 작동으로 인한 캐비넷(10)의 내부가 외부보다 압력이 낮은 감압 상태가 유지되기 때문에 캐비넷(10)의 외부에 물 배수공(19c)을 통해 빠른 속도로 공기가 흡입될 때 발생되는 흡입력에 의해서도 개폐판(18)이 물 배수공(19c)을 막아주는 상태로 용이하게 원상 복귀된다.
도 1은 종래 기술에 의한 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 내부가 보이는 상태로 도시한 외관 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 바닥부가 보이도록 도시한 사시도.
도 3은 본 발명에 의한 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 내부가 보이는 상태로 도시한 외관 사시도.
도 4는 도 3에 도시된 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 바닥부가 보이도록 도시한 사시도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11,12 : 좌우 측면판 13 : 상면판
13a : 누설 가스 배출덕트 13b : 배기팬
14 : 바닥면판 15 : 후면판
16 : 전자저울 17 : 가스 보틀
18 : 개폐판 19 : 요입부
19a : 절곡부 19b : 연결부
19c : 물 배수공
Claims (2)
- 좌우 측면판(11)(12)과 상면판(13)과 바닥면판(14)과 후면판(15)으로 이루어지되 전방부가 개방되어 있고, 개방된 전방부에는 도어가 탈부착 가능하게 설치되어 내부 공간이 밀폐되며, 상기 바닥면판(14)에 요입부(19)가 형성되며, 상기 요입부(19)내에 전자저울(16)이 안치되며, 상기 내부 공간에는 상기 전자저울(16)위에 반도체 공정 가스가 내장된 가스 보틀(17)이 배치되고, 좌우 측면판(11)(12)과 상면판(13)과 후면판(15)중 어느 하나에 연장되게 누설 가스 배출덕트(13a)가 형성되며, 상기 누설 가스 배출덕트(13a)내에 배기팬(13b)이 설치되어 구성된 반도체용 가스 보틀 캐비넷에 있어서,상기 요입부(19)는 상기 바닥면판(14)에 대해 단차지게 절곡되는 절곡부(19a)와, 상기 절곡부(19a)를 연결하는 연결부(19b)로 이루어지고,상기 절곡부(19a)에는 물 배수공(19c)이 관통 형성되며,상기 요입부(19)내에 물이 고여지면 상기 물 배수공(19c)을 개방하고, 물의 배출이 완료된 후에 자중에 의해 상기 물 배수공(19c)을 폐쇄하는 플렉시블한 재질의 개폐판(18)이 상기 절곡부(19a)의 외면에 부착 설치된 것을 특징으로 하는 반도체용 가스 보틀 캐비넷.
- 제 1 항에 있어서,상기 가스 보틀(17)내에 내장되는 공정 가스는 NH3 가스와 CL2 가스중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체용 가스 보틀 캐비넷.
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Families Citing this family (2)
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| KR102359275B1 (ko) * | 2019-09-11 | 2022-02-07 | 김영준 | 액화가스 봄베 가열장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970059563A (ko) * | 1996-01-19 | 1997-08-12 | 김광호 | 교체 대기중인 신규 가스용기의 임시 보관장치 |
| KR20030001622A (ko) * | 2001-06-25 | 2003-01-08 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 제조용 가스저장용기 |
| KR20070019114A (ko) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | 주식회사 케이씨텍 | 가스 공급 시스템의 가스 공급 제어장치 및 방법 |
-
2007
- 2007-10-25 KR KR1020070107543A patent/KR100925354B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970059563A (ko) * | 1996-01-19 | 1997-08-12 | 김광호 | 교체 대기중인 신규 가스용기의 임시 보관장치 |
| KR20030001622A (ko) * | 2001-06-25 | 2003-01-08 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 제조용 가스저장용기 |
| KR20070019114A (ko) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | 주식회사 케이씨텍 | 가스 공급 시스템의 가스 공급 제어장치 및 방법 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102452347B1 (ko) | 2022-05-04 | 2022-10-11 | 주식회사 아이이씨티 | 인덕션 히터 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090041837A (ko) | 2009-04-29 |
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