KR100925122B1 - Manufacturing method of ceramic thick film substrate and the module using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 세라믹 후막기판의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for producing a ceramic thick film substrate.

본 발명에 의하면, 세라믹 후막기판은 세라믹스 분체에 열경화성 수지를 함침시킨 후 이를 경화시켜 복합체를 형성함으로써 별도의 소성없이 제조될 수 있다. 이때, 상기 수지의 양은 15 내지 65 vol%로 됨이 바람직하다. 따라서, 소성을 위한 열처리 공정이 생략되고 무수축을 달성할 수 있어 고집적 적층모듈을 제조하기 위한 미세회로 구현 및 소자 내장화를 위한 이종소재 접합에 매우 적합하다. 또한, 이러한 후막 기판은 일종의 복합체의 형태로 되어 세라믹스 고유의 유전특성을 그대로 유지할 뿐만 아니라 그 고유의 취성이 줄어들어 충격에 강한 우수한 특성을 지닌다. 또한, 열처리 공정이 배제되므로 고집적 적층모듈의 제조비용이 저감된다.According to the present invention, the ceramic thick film substrate may be manufactured without additional firing by impregnating the thermosetting resin in the ceramic powder and curing the same to form a composite. At this time, the amount of the resin is preferably 15 to 65 vol%. Therefore, the heat treatment process for sintering can be omitted and non-shrinkage can be achieved, which is very suitable for the implementation of microcircuits for fabricating highly integrated multilayer modules and for dissimilar material bonding for device incorporation. In addition, such a thick film substrate is in the form of a kind of composite to maintain the intrinsic dielectric properties of ceramics as well as its inherent brittleness is excellent in impact resistance. In addition, since the heat treatment process is excluded, the manufacturing cost of the highly integrated laminated module is reduced.

무소성세라믹스, 수지, 복합체, LTCC, 스크린인쇄법, 잉크젯 Plastic-free ceramics, resins, composites, LTCCs, screen printing, inkjet

Description

세라믹 후막기판의 제조방법 및 이를 이용한 모듈 {MANUFACTURING METHOD OF CERAMIC THICK FILM SUBSTRATE AND THE MODULE USING THE SAME}Manufacturing Method of Ceramic Thick Substrate and Module Using Them {MANUFACTURING METHOD OF CERAMIC THICK FILM SUBSTRATE AND THE MODULE USING THE SAME}

본 발명은 세라믹 후막기판의 제조방법에 관한 것으로, 특히 세라믹스 분체에 수지를 함침시켜 후막 기판을 제조함으로써 소성을 위한 열처리 공정이 생략되어 무수축을 달성할 수 있는 세라믹 후막기판의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기와 같이 제조된 복수의 무소성 세라믹 후막기판에 각각 전극회로 인쇄 및 비아를 형성하고 이종소재 기판을 적층한 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic thick film substrate, and more particularly, to a method for manufacturing a ceramic thick film substrate which can achieve non-shrinkage by omitting a heat treatment process for baking by impregnating resin into ceramic powder to produce a thick film substrate. . The present invention also relates to a module in which electrode circuit printing and vias are formed on a plurality of non-plastic ceramic thick film substrates prepared as described above, and laminated heterogeneous material substrates.

일반적으로 고온동시소성 세라믹(High Temperature Cofired Ceramic: HTCC)로 분류되는 종래 알루미나(Al2O3) 기판은 전자부품 모듈, 패키지, 기판용 소재 등 후막형 세라믹스 기판 및 모듈로서 주로 사용된다.Conventionally, alumina (Al 2 O 3 ) substrates, which are generally classified as High Temperature Cofired Ceramics (HTCC), are mainly used as thick film-type ceramic substrates and modules such as electronic component modules, packages, and substrate materials.

그러나, 통상 복수의 후막 기판으로 적층되는 이러한 알루미나 기판은 그 소결이 고온에서나 가능하므로, 상기 적층된 기판상에 인쇄되는 전극의 재료가 상기와 같은 고온에서는 용융되어버리는 금속물질들이 대부분임에도 불구하고, 적층된 알루미나 기판과 각 기판상에 인쇄된 전극을 동시에 소성하기 위해서는 결국 텅스 텐 등의 고온소성용 전극만을 사용하여야 했다. 뿐만 아니라, 상기 전극의 산화를 방지하기 위해서 환원 분위기로 1500℃ 이상의 고온에서 소결되어야 한다. However, such alumina substrates, which are usually laminated with a plurality of thick film substrates, are capable of sintering only at high temperatures, so that despite the fact that the materials of electrodes printed on the laminated substrates are mostly metal materials that melt at such high temperatures, In order to simultaneously fire the laminated alumina substrates and the electrodes printed on each substrate, only high temperature baking electrodes such as tungsten had to be used. In addition, in order to prevent oxidation of the electrode, it must be sintered at a high temperature of 1500 ° C. or higher in a reducing atmosphere.

따라서, 이러한 HTCC는 전자부품의 고주파 응용 분야의 발전과 더불어 상기 텅스텐 전극의 저항이 중요한 단점으로 대두되었고, 또한 고온 분위기 소성의 공정 단가도 중요한 해결 과제 중의 하나로 되었다. 그리하여, 최근에는 이를 해결하기 위한 후막 적층형 모듈화 기술로서 저온동시소성 세라믹(Low Temperature Cofired Ceramic: LTCC)이 개발되고 있다.Therefore, the development of the high frequency applications of electronic components, such as the HTCC has emerged as a significant disadvantage of the resistance of the tungsten electrode, and also the process cost of high temperature atmosphere firing has become one of the important challenges. Therefore, recently, a low temperature cofired ceramic (LTCC) has been developed as a thick film layered modularization technology to solve this problem.

이러한 LTCC는 그 소결온도가 비교적 저온이므로, 저온소성용 Cu와 Ag를 내부 전극으로 사용하여 이들과 함께 동시 소성이 가능하다. 즉, Ag 전극을 사용하는 경우에는 900℃ 이하 공기 분위기에서 소성이 가능하고, Cu 전극을 사용하는 경우에는 950℃ 부근에서 환원분위기로 소성이 가능하다. 이와 같이 내부전극과 저온동시소성이 가능한 LTCC 기술은 세라믹스 전자부품과 패키지 등 후막기술을 이용한 부품의 집적화, 복합화, 소형화 및 모듈화에 주로 사용된다.Since the LTCC has a relatively low sintering temperature, simultaneous firing is possible using low-temperature firing Cu and Ag as internal electrodes. That is, when Ag electrode is used, firing is possible in an air atmosphere of 900 ° C. or lower, and when Cu electrode is used, firing is possible at a reducing atmosphere near 950 ° C. As such, LTCC technology capable of simultaneously burning internal electrodes and low temperature is mainly used for integration, complexation, miniaturization, and modularization of components using thick film technologies such as ceramic electronic components and packages.

그러나, 복수의 후막 기판을 적층하여 모듈로 제작되는 LTCC는 최근 기기의 박층 소형화가 급격히 진행됨에 따라 요구되는 인쇄회로 선폭이 매우 작아지고 있으며 또한 층간의 회로연결을 목적으로 하는 비아(via)의 요구되는 개수도 크게 늘어나고 있다. 따라서, 이러한 미세회로를 구현하기 위해서는 회로인쇄공정 및 얼라인(align) 공정의 정밀화와, 소성 시 기판 수축의 균일화 등이 동시에 충족되어야 한다. 특히, 소성 시 기판의 균일한 수축은 세라믹스 분야에서의 필수적인 기술임에도 불구하고 그 제어에는 한계가 있는 것이 현실이며, 또한 비아 개수의 증가에 따른 고집적 모듈의 응력 증가와 강도 약화로 인하여 제품의 품질 문제가 발생하고 있다.However, LTCC, which is manufactured by stacking a plurality of thick film substrates as a module, has recently undergone rapid miniaturization of a thin layer of a device, and thus requires a very small printed circuit line width and requires a via for the purpose of connecting circuits between layers. The number is also increasing. Therefore, in order to realize such a microcircuit, precision of a circuit printing process and an alignment process, uniformity of substrate shrinkage during firing, and the like must be satisfied at the same time. In particular, although the uniform shrinkage of the substrate during firing is an essential technology in the ceramics field, its control is limited, and the quality problem of the product due to the increase in the number of vias and the increase in the stress of the highly integrated module due to the weakening of the strength. Is occurring.

이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 본 발명의 목적은 세라믹스 분체에 수지를 함침시켜 후막 기판을 제조함으로써 소성을 위한 열처리 공정이 생략되고 무수축 및 이종소재 접합을 달성할 수 있는 세라믹 후막기판의 제조방법을 제공하며 또한 이러한 방법을 이용하여 제조되는 모듈을 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention was devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to produce a thick film substrate by impregnating a resin in ceramic powder, thereby eliminating the heat treatment process for sintering and achieving non-shrinkage and dissimilar material bonding. The present invention also provides a method for manufacturing a ceramic thick film substrate, and also provides a module manufactured by using the method.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 관점에 의한 세라믹 후막기판의 제조방법으로서 세라믹 후막기판은 세라믹스 분체에 수지를 함침시킨 후 이를 경화시켜 소성없이 제조될 수 있다. 이때, 상기 수지의 양은 15 내지 65 vol%로 됨이 바람직하다. 또한, 상기 수지는 열경화성 수지로 되며, 예를 들어 폴리아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지(PPE), 폴리페닐렌설파이드계 수지, 시아네이트 에스테르 수지 및 벤조사이클로부텐(BCB) 중의 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 상기 세라믹스 분체는 그 입자 크기가 20 내지 1000 nm로 됨이 바람직하며, 예를 들어 Al2O3, SiO2, BaTiO3계 세라믹스, SrTiO3계 세라믹스, PbTiO3계 세라믹스, 페라이트 및 Pb(Zr, Ti)O3계 세라믹스 중의 어느 하나 이상으로 될 수 있다. 또한, 상기 세라믹스 분체는 세라믹 기판, 반도체 기판, Cu 포일 및 폴리머 필름 중의 어느 하나 이상의 상부에 충진될 수 있다.In order to achieve the above object, as a method of manufacturing a ceramic thick film substrate according to an aspect of the present invention, a ceramic thick film substrate may be manufactured without firing by impregnating a resin in ceramic powder and curing it. At this time, the amount of the resin is preferably 15 to 65 vol%. In addition, the resin is a thermosetting resin, for example, polyacrylic resin, epoxy resin, phenol resin, polyamide resin, polyimide resin, unsaturated polyester resin, polyphenylene resin (PPE), polyphenylene It may include any one or more of sulfide-based resin, cyanate ester resin and benzocyclobutene (BCB). Further, the ceramic powder and the particle size being preferably from 20 to 1000 nm, for example, Al 2 O 3, SiO 2, BaTiO 3 based ceramics, SrTiO 3 based ceramics, PbTiO 3 based ceramics, ferrite, and Pb ( Zr, Ti) O 3 -based ceramics may be any one or more. In addition, the ceramic powder may be filled on at least one of a ceramic substrate, a semiconductor substrate, a Cu foil, and a polymer film.

또한, 본 발명의 다른 일 관점에 의한 세라믹 후막기판의 제조방법에 있어서, 무소성 세라믹스 기판의 제조방법은 세라믹스 분체로 되는 슬러리 또는 페이스트를 제조하고 이를 캐스팅하여 세라믹스 시트를 제조하는 단계와, 열경화성 수지를 솔벤트에 용해시켜 수지용액을 제조하고 이를 상기 세라믹스 시트 상부에 캐스팅하여 함침시키는 단계와, 상기 함침된 수지를 열처리하여 경화시켜 복합체를 형성함으로써 상기 세라믹 후막기판을 완성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 제조방법은 소성단계를 포함하지 않는다.In addition, in the method for manufacturing a ceramic thick film substrate according to another aspect of the present invention, the method for producing an unfired ceramic substrate includes the steps of preparing a slurry or paste of ceramic powder and casting the same to prepare a ceramic sheet, and a thermosetting resin. And dissolving in a solvent to prepare a resin solution and casting it on top of the ceramic sheet to impregnate, and to complete the ceramic thick film substrate by forming a composite by heat-treating the impregnated resin and , The manufacturing method does not include a firing step.

또한, 본 발명의 또 다른 일 관점에 의한 세라믹 후막기판의 제조방법에 있어서, 무소성 세라믹스 기판의 제조방법은 세라믹스 분체를 솔벤트에 분산하여 세라믹 잉크를 제조하는 단계와, 상기 세라믹 잉크를 잉크젯으로 분사하여 세라믹 막을 형성하는 단계와, 열경화성 수지를 솔벤트에 용해시켜 수지용액을 제조하고 이를 잉크젯으로 상기 세라믹 막 상부에 분사하여 함침시키는 단계와, 상기 함침된 수지를 열처리하여 경화시켜 복합체를 형성함으로써 상기 세라믹 후막기판을 완성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 제조방법은 소성단계를 포함하지 않는다.
또한, 본 발명의 또 다른 일 관점에 의한 세라믹 후막기판을 이용한 모듈은 내부에 하나 이상의 전극과 유전체를 포함하는 하나 이상의 상기 무소성 세라믹 후막기판을 적층하여 제공될 수 있다.
In addition, in the method for manufacturing a ceramic thick film substrate according to another aspect of the present invention, the method for manufacturing an unfired ceramic substrate includes dispersing ceramic powder in a solvent to prepare a ceramic ink, and spraying the ceramic ink with an ink jet. Forming a ceramic film, preparing a resin solution by dissolving a thermosetting resin in a solvent, and impregnating it by spraying it on an upper portion of the ceramic film with an inkjet, and curing the impregnated resin to form a composite by heat treating the impregnated resin. It may comprise a step of completing a thick film substrate, the manufacturing method does not include a firing step.
In addition, a module using a ceramic thick film substrate according to another aspect of the present invention may be provided by stacking one or more non-plastic ceramic thick film substrates including one or more electrodes and a dielectric therein.

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이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 세라믹스 분체에 수지를 함침시켜 후막 기판을 제조함으로써 소성을 위한 열처리 공정이 생략되고 무수축을 달성할 수 있어 고집적 적층모듈을 제조하기 위한 미세회로 구현에 매우 적합하다. 또한, 이러한 후막 기판은 일종의 복합체의 형태로 되어 세라믹스 고유의 유전특성을 그대로 유지할 뿐만 아니라 그 고유의 취성이 줄어들어 충격에 강한 우수한 특성을 지닌다. 또한, 열처리 공정이 배제되므로 고집적 적층모듈의 제조비용이 저감된다.As described above, according to the present invention, by manufacturing the thick film substrate by impregnating the resin in the ceramic powder, the heat treatment process for firing can be omitted and non-shrinkage can be achieved, which is very useful for implementing a microcircuit for manufacturing a highly integrated laminated module. Suitable. In addition, such a thick film substrate is in the form of a kind of composite to maintain the intrinsic dielectric properties of ceramics as well as its inherent brittleness is excellent in impact resistance. In addition, since the heat treatment process is excluded, the manufacturing cost of the highly integrated laminated module is reduced.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 바람직한 일 구현예에 의하면, 고밀도 충전된 세라믹스 분체를 형성하고 이에 수지(resin)를 함침시킨 후, 상기 수지를 경화시킴으로써 세라믹 후막 기판이 제조될 수 있다. 이로써, 상기 세라믹스의 소성을 위한 고온 열처리가 그 제조공정에서 완전히 배제되어 상기 열처리에 따른 세라믹 기판의 수축이 수반되지 아니한다. 도 1은 본 발명에 의한 세라믹 후막기판의 제조방법을 설명하기 위한 개략도이다.According to a preferred embodiment of the present invention, a ceramic thick film substrate may be prepared by forming a high-density-filled ceramic powder, impregnating the resin, and curing the resin. As a result, the high temperature heat treatment for firing the ceramics is completely excluded from the manufacturing process so that the shrinkage of the ceramic substrate due to the heat treatment is not accompanied. 1 is a schematic view for explaining a method for manufacturing a ceramic thick film substrate according to the present invention.

도 1에 도시되는 바와 같이, 수지(3)를 고밀도로 충전된 상태로 유지되는 세라믹스 분체(1)에 함침시키면, 상기 수지(3)는 상기 세라믹스 분체(1) 내부에 형성되어 있는 기공들(2)을 채우게 되며, 이후 상기 함침된 수지(3)의 경화에 의해 세라믹 후막 기판이 제조된다. 이렇게 제조되는 세라믹스는 일종의 복합체(composite)의 형태로 되어 세라믹스 고유의 유전특성(예를 들어, 낮은 유전손 실)을 그대로 유지할 뿐만 아니라 그 고유의 취성이 줄어들어 충격에 강해진다.As shown in FIG. 1, when the resin 3 is impregnated in the ceramic powder 1 maintained in a densely packed state, the resin 3 is formed by pores formed inside the ceramic powder 1 ( 2), and then ceramic thick film substrate is manufactured by curing the impregnated resin (3). The ceramics thus manufactured are in the form of a composite, which not only retains the dielectric properties (for example, low dielectric loss) inherent in the ceramics, but also reduces its inherent brittleness, thereby making it more resistant to impact.

이때, 상기 수지는 세라믹스 분체 내부 기공의 분포를 최소한으로 억제하면서도 세라믹스 분율을 높게 유지하여야 하므로, 15-65vol%로 됨이 바람직하며, 30-50vol%로 됨이 더욱 바람직하다.At this time, the resin should be kept at a high ceramic fraction while minimizing the distribution of pores in the ceramic powder to a minimum, preferably 15-65vol%, more preferably 30-50vol%.

또한, 상기 수지는 열경화성 수지로 되며, 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(polyphenylene ether resin: PPE), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin), 시아네이트 에스테르 수지(cyanate Ester resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene: BCB)에서 하나 이상으로 선택되어 사용될 수 있으며, 또한 이에 한정되지 아니하고 이외에도 통상의 열경화성 수지라면 모두 본 발명에서 사용될 수 있다.In addition, the resin is a thermosetting resin, polyacrylates (epoxy resin), epoxy resin (phenolic resin), phenolic resin (polyphenolic resin), polyamides resin (polyamides resin), polyimides resin (polyimides rein), Unsaturated polyesters resin, polyphenylene ether resin (PPE), polyphenylenesulfides resin, cyanate ester resin and benzocyclobutene: One or more selected from BCB) may be used, and not limited thereto, but any other conventional thermosetting resin may be used in the present invention.

따라서, 상기 열경화 수지는 세라믹스 분체에 함침된 후, 소정의 온도로 열처리되어 경화된다. 이때, 상기 열처리 온도는 수지 물질특성에 따르며, 이는 통상 특정되는 온도범위에서 결정될 수 있다. 예를 들어, BCB 수지의 경우에는 대략 300℃, PPE 수지의 경우에는 대략 140-200℃, 시아네이트 에스테르 수지의 경우에는 대략 140-200℃, 에폭시 수지의 경우에는 대략 140-180℃로 열처리되어 경화된다.Therefore, after the thermosetting resin is impregnated into the ceramic powder, it is heat-treated to a predetermined temperature and cured. In this case, the heat treatment temperature depends on the resin material properties, which can be determined in a specific temperature range. For example, heat treatment is performed at about 300 ° C. for BCB resin, about 140-200 ° C. for PPE resin, about 140-200 ° C. for cyanate ester resin, and about 140-180 ° C. for epoxy resin. Cures.

또한, 상기 세라믹스 분체는 입자 크기가 20-1000nm, 바람직하게는 100-700nm, 매우 바람직하게는 300-500nm로 된다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서, 상 기 세라믹스 분체의 조성은 기판 조성으로 적합한 Al2O3, SiO2의 어느 하나 이상으로 될 수 있으며, 다른 일 실시예에서는 상기 세라믹스 분체의 조성은 기능성을 부여하기 위하여 BaTiO3계 세라믹스, SrTiO3계 세라믹스, PbTiO3계 세라믹스, 페라이트(ferrite) 세라믹스, Pb(Zr, Ti)O3계 세라믹스 등의 고유전율 조성으로 될 수 있다. 또한, 본 발명은 여기에 한정되지 아니하고 의도되는 특성에 적합한 모든 유전체 조성을 포함할 수 있다.In addition, the ceramic powder has a particle size of 20-1000 nm, preferably 100-700 nm, very preferably 300-500 nm. In addition, in one embodiment of the present invention, the composition of the ceramic powder may be any one or more of Al 2 O 3 , SiO 2 suitable as a substrate composition, in another embodiment the composition of the ceramic powder is functional In order to impart it, it may be of a high dielectric constant composition such as BaTiO 3 -based ceramics, SrTiO 3 -based ceramics, PbTiO 3 -based ceramics, ferrite ceramics, and Pb (Zr, Ti) O 3 -based ceramics. In addition, the present invention is not limited thereto and may include any dielectric composition suitable for the intended properties.

또한, 상기 세라믹스 분체는 통상적으로 사용되는 세라믹 기판상에, Si 등 반도체 기판상에, Cu 포일상에, 또는 분리되어 제거가능한 PET 필름 등의 폴리머 필름상에 형성될 수도 있다.In addition, the ceramic powder may be formed on a ceramic substrate commonly used, on a semiconductor substrate such as Si, on a Cu foil, or on a polymer film such as a PET film that can be separated and removed.

또한, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 상기 세라믹스 분체로 되는 시트(sheet)를 형성하고 이의 상부에 수지를 함침시키는 공정은 통상의 스크린 인쇄법(screen printing)을 이용하여 수행될 수 있다. 이때, 상기 스크린 인쇄법은 슬러리의 웨트코팅법(wet coating), 테이프 캐스팅법(tape casting) 등 통상의 고 충전의 후막을 형성하는 방법으로 적용되는 것을 모두 포함하며, 이에 제한되지 아니한다. 도 2는 본 실시예에서의 스크린 인쇄법을 이용한 무소성 세라믹 기판의 제조방법을 설명하기 위한 개략도이다.In addition, according to a preferred embodiment of the present invention, the step of forming a sheet (ceramic) of the ceramic powder and impregnating a resin thereon may be carried out using a conventional screen printing (screen printing). In this case, the screen printing method includes all of the methods applied to form a conventional high-fill thick film, such as wet coating of a slurry, tape casting, and the like, but is not limited thereto. 2 is a schematic view for explaining a method for producing an unfired ceramic substrate using the screen printing method in this embodiment.

도 2를 참조하며 설명하면, 먼저 세라믹스 분체로 되는 슬러리(slurry) 또는 페이스트(paste)를 제조하고 이를 스크린 인쇄법을 이용하여 캐스팅한 후 건조한다(S201-S202). 이때, 상기 슬러리 및/또는 페이스트는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄, 폴리에스터 수지의 어느 하나 이상의 바인더를 포함할 수 있다. 또한, 상기 슬러리 및/또는 페이스트는 비이온 계면활성제, 양이온 계면활성제, 음이온 계면활성제, 알킬 암모늄염계 공중합체, 알킬올 암모늄염 공중합체, 에스테르 비이온계, 어유(Fish oil), 폴리아크릴레이트의 어느 하나 이상으로 되는 분산제를 포함할 수 있다.Referring to Figure 2, first, to prepare a slurry (slurry) or paste (paste) to be a ceramic powder and cast it using a screen printing method and dried (S201-S202). In this case, the slurry and / or paste may include any one or more binders of an epoxy resin, an acrylic resin, a polyurethane, and a polyester resin. In addition, the slurry and / or paste may be any of a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, an alkyl ammonium salt copolymer, an alkylol ammonium salt copolymer, an ester nonionic, fish oil, and a polyacrylate. One or more dispersants may be included.

그리고, 소정의 성분으로 되는 수지를 솔벤트에 용해시켜 용액을 제조하고 이를 상기 캐스팅된 세라믹스 분체 시트의 상부에 캐스팅하여 함침시키고 건조한 후(S203-S204), 상기 수지 특성에 적합한 온도로 열처리하여 경화시키면 후막 기판이 제조된다(S205-S206). And, by dissolving a resin of a predetermined component in a solvent to prepare a solution and casting it on top of the cast ceramic powder sheet to be impregnated and dried (S203-S204), and then heat-treated at a temperature suitable for the resin properties to cure A thick film substrate is produced (S205-S206).

또한, 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 의하면, 상기 세라믹스 분체로 되는 시트를 형성하고 이의 상부에 수지를 함침시키는 공정은 통상의 잉크젯(ink jet)을 이용하여 수행될 수 있다. 도 3은 본 실시예에서의 잉크젯을 이용한 무소성 세라믹 기판의 제조방법을 설명하기 위한 개략도이다. In addition, according to another preferred embodiment of the present invention, the step of forming a sheet of the ceramic powder and impregnating the resin thereon may be performed using a conventional ink jet (ink jet). 3 is a schematic view for explaining a method for producing an unfired ceramic substrate using an inkjet in this embodiment.

도 3을 참조하며 설명하면, 먼저 세라믹 분체 입자를 용매에 분산하여 세라믹 잉크(ceramic ink) 조성물을 제조한다(S301). 이때, 상기 세라믹 잉크의 모용매는 디에틸렌글리콜(DiethyleneGlycol: DEG), 포름아미드(Formamide: FA)의 어느 하나 이상으로 되는 건조제어제 수용액으로 될 수 있다. 또한, 상기 세라믹 잉크의 표면장력 제어를 위하여 비이온 계면활성제, 양이온 계면활성제, 음이온 계면활성제, 옥틸알콜(octyl alcohol), 아크릴계 고분자의 어느 하나 이상으로 되는 분산제가 첨가될 수 있다. 또한, 상기 세라믹 잉크는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리우 레탄, 폴리에스터 수지의 어느 하나 이상의 바인더를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 세라믹 입자는 0.1-0.7㎛의 범위가 바람직하고, 상기 입자의 농도는 10-15wt%의 범위가 바람직하며 분산제의 농도는 0-2wt%가 바람직하다.Referring to FIG. 3, first, ceramic powder particles are dispersed in a solvent to prepare a ceramic ink composition (S301). In this case, the mother solvent of the ceramic ink may be an aqueous solution of a drying control agent which is at least one of diethylene glycol (DEG) and formamide (FA). In addition, in order to control the surface tension of the ceramic ink, a dispersing agent of any one or more of a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, octyl alcohol, and an acrylic polymer may be added. In addition, the ceramic ink may further include any one or more binders of an epoxy resin, an acrylic resin, polyurethane, and a polyester resin. In addition, the ceramic particles are preferably in the range of 0.1-0.7 μm, the concentration of the particles is preferably in the range of 10-15 wt%, and the concentration of the dispersant is preferably 0-2 wt%.

그리고, 상기 세라믹 잉크를 잉크젯으로 분사하여 균일막을 형성한다(S302).Then, the ceramic ink is sprayed with an ink jet to form a uniform film (S302).

그리고, 소정 성분으로 되는 수지를 솔벤트에 용해시켜 용액을 제조하고 이 용액으로 되는 수지 잉크를 잉크젯으로 상기 균일막 상부에 분사하여 함침시키고 이를 건조시킨다(S303-S304). Then, a resin is prepared by dissolving a resin, which is a predetermined component, in a solvent, and the resin ink, which is a solution, is sprayed onto the uniform film by inkjet to be impregnated and dried (S303-S304).

이후, 상기 수지 특성에 적합한 온도로 열처리하여 경화시키면 후막 기판이 제조된다(S305-S306).Subsequently, when the substrate is cured by heat treatment at a temperature suitable for the resin properties, a thick film substrate is manufactured (S305-S306).

또한, 본 발명의 바람직한 일 구현예에 의하면, 이상 상술한 바와 같이 제조된 무소성 세라믹 기판은 통상의 고집적 모듈을 제조하는데 사용될 수 있다. 즉, 복수의 무소성 세라믹 기판들 각각에 스크린 인쇄법 또는 잉크젯 방법을 이용하여 전극회로, 기능 열전도성층 등을 인쇄하고 전기적 연결을 위한 비아(via)를 형성한 후, 이들 복수의 무소성 세라믹 기판들을 적층함으로써 모듈이 제조될 수 있다. 또한, 일 실시예에 있어서 상기 모듈은 통상적으로 사용되는 세라믹 기판상에, Si 등 반도체 기판상에, Cu 포일상에, 또는 분리되어 제거가능한 PET 필름 등의 폴리머 필름상에 형성될 수도 있다.In addition, according to a preferred embodiment of the present invention, the non-fired ceramic substrate prepared as described above can be used to manufacture a conventional highly integrated module. That is, after the electrode circuit, the functional thermal conductive layer, etc. are printed on each of the plurality of non-fired ceramic substrates by using a screen printing method or an inkjet method, and vias are formed for electrical connection, the plurality of non-fired ceramic substrates are formed. Modules can be manufactured by stacking them. Further, in one embodiment, the module may be formed on a commonly used ceramic substrate, on a semiconductor substrate such as Si, on a Cu foil, or on a polymer film such as a detachable PET film.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부한 도면을 참조하며 상세히 설명한다. 다만, 본 발명이 하술하는 실시예들은 본 발명의 전반적인 이해를 돕기 위하여 제공되는 것이며, 본 발명은 하기 실시예들로만 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. However, the embodiments described below are provided to help the overall understanding of the present invention, and the present invention is not limited to the following examples.

실시예Example 1 ( One ( 무소성No firing 알루미나  Alumina 후막의Thick 제조) Produce)

본 실시예에서는 Al2O3 분말(AES-11)와 폴리머의 함량비를 99:1의 부피비로 하여 알루미나 슬러리를 제조하였다. 이를 위하여, 솔벤트에 에폭시를 Al2O3 대비 부피비 1%로 넣고, 솔벤트 내에 에폭시가 완전히 용해될 때까지 혼합하였다. 그리고, 이 혼합액에 부피비 99%인 Al2O3 분말을 넣은 후, 24시간 동안 볼밀(ball mill)을 이용하여 혼합하였다. 솔벤트로서 아세톤과 에탄올의 8:2 혼합액을 사용하였으며, 분말과의 질량비는 1:1의 비율로 혼합하였다. In the present embodiment, the alumina slurry was prepared using a volume ratio of Al 2 O 3 powder (AES-11) and a polymer in a volume ratio of 99: 1. To this end, the epoxy was added to the solvent in a volume ratio of 1% to Al 2 O 3 and mixed until the epoxy was completely dissolved in the solvent. In addition, Al 2 O 3 powder having a volume ratio of 99% was added to the mixed solution, and mixed using a ball mill for 24 hours. As a solvent, an 8: 2 mixture of acetone and ethanol was used, and the mass ratio with the powder was mixed at a ratio of 1: 1.

제조된 알루미나 슬러리는 Cu 포일의 매트(matte) 면 상에 캐스팅하였다. 캐스팅 두께는 130-200㎛로 변화시키며 실시하였고, 캐스팅 후 90℃ 오븐에서 약 5분간 건조하였다. The prepared alumina slurry was cast on the matte side of the Cu foil. The casting thickness was carried out varying from 130-200 μm and dried for about 5 minutes in an oven at 90 ° C. after casting.

그리고, 캐스팅된 알루미나 시트 상에 에폭시를 더블 캐스팅하였다. 솔벤트 대비 20-60wt% 농도로 변화시킨 에폭시 용액을 사용하였으며, 캐스팅된 알루미나 시트보다 200㎛의 블레이드(blade) 간격을 주어 에폭시를 캐스팅하였다. 더블 캐스팅 후, 90℃의 오븐에서 10분간 건조시키고, 170℃의 오븐에서 30분간 경화시켰다. 경화된 샘플의 특성은 주파수 1MHz에서 유전율 4.7, Df 0.009를 나타내었다. 본 실시예에서의 샘플의 형상은 도 4에 나타낸다. 또한, 특히 경화시간이 170℃에서 1시간인 경우(이때, 알루미나 유전층 두께는 대략 50㎛), 유전층 샘플 단면의 전자현미경 사진을 도 5에 나타낸다. 이를 보면, 알루미나 분말 사이에 에폭시 수지가 충분히 함침되어 균일한 복합체를 이루고 있음을 확인할 수 있다.Then, the epoxy was double cast on the cast alumina sheet. The epoxy solution was changed to 20-60wt% concentration with respect to the solvent, and the epoxy was cast with a blade spacing of 200 μm than the cast alumina sheet. After the double casting, it was dried in an oven at 90 ° C. for 10 minutes and cured in an oven at 170 ° C. for 30 minutes. The cured samples exhibited a dielectric constant of 4.7 and Df 0.009 at a frequency of 1 MHz. The shape of the sample in this example is shown in FIG. Moreover, especially when the hardening time is 1 hour at 170 degreeC (at this time, an alumina dielectric layer thickness is about 50 micrometers), the electron microscope photograph of the cross section of a dielectric layer sample is shown in FIG. Looking at this, it can be seen that the epoxy resin is sufficiently impregnated between the alumina powder to form a uniform composite.

실시예Example 2 ( 2 ( 무소성No firing 알루미나  Alumina 후막의Thick 제조) Produce)

본 실시예에서는 Al2O3 분말(AES-11)과 폴리머의 함량비를 부피비 99:1로 하여 알루미나 슬러리를 제조하였다. 솔벤트에 에폭시를 Al2O3 대비 부피비 1%로 하여 넣은 후, 솔벤트 내에 에폭시가 완전히 용해될 때까지 혼합하였다. 이 혼합액에 부피비 99%인 Al2O3 분말을 넣은 후, 24시간 동안 볼밀을 이용하여 혼합하였다. 아세톤과 에탄올 비 8:2 비율의 솔벤트를 사용하였으며, 분말과의 질량비는 1:1의 비율로 혼합하였다. In the present embodiment, the alumina slurry was prepared using an Al 2 O 3 powder (AES-11) and a polymer content ratio of 99: 1 in volume ratio. Epoxy was added to the solvent at a volume ratio of 1% to Al 2 O 3 , and then mixed until the epoxy was completely dissolved in the solvent. Al 2 O 3 powder having a volume ratio of 99% was added to the mixed solution, and mixed with a ball mill for 24 hours. Acetone and ethanol ratio of 8: 2 solvent was used, the mass ratio of the powder was mixed in a ratio of 1: 1.

그리고, 제조된 알루미나 슬러리를 Cu 포일 상에 캐스팅하였다. 캐스팅 두께는 130-200㎛로 변화시키며 실시하였고, 캐스팅 후 90℃의 오븐에서 약 5분간 건조하였다. Then, the prepared alumina slurry was cast on Cu foil. The casting thickness was carried out varying from 130-200 μm and dried for about 5 minutes in an oven at 90 ° C. after casting.

그리고, 캐스팅된 알루미나 시트 상에 BCB 수지(Cyclotene 3022-46)를 더블 캐스팅하였다. 캐스팅된 알루미나 시트보다 120㎛의 블레이드 간격을 주어 에폭시의 캐스팅을 진행하였다. 더블 캐스팅 후, 90℃의 오븐에서 30분간 건조시키고, 300℃의 오븐에서 30분간 경화시켰다. 경화된 샘플에서 Cu 포일을 제거하고 그 양면에 상온 Ag전극을 도포하여 샘플 특성을 측정한 결과 1MHz에서 유전율 3.5, Df 0.0009였다. And, BCB resin (Cyclotene 3022-46) was double cast on the cast alumina sheet. The epoxy was cast by giving a blade spacing of 120 μm over the cast alumina sheet. After the double casting, it was dried in an oven at 90 ° C. for 30 minutes and cured in an oven at 300 ° C. for 30 minutes. The Cu foil was removed from the cured sample, and room temperature Ag electrodes were coated on both surfaces thereof, and the sample properties were measured. The dielectric constant was 3.5 and Df 0.0009 at 1 MHz.

실시예Example 3-5 ( 3-5 ( 무소성No firing 알루미나  Alumina 후막의Thick 제조) Produce)

본 실시예들에 있어서 Al2O3 분말을 이용한 페이스트의 제작은 아래 표 1의 조성으로 진행하였다. Al 2 O 3 in the present embodiments Preparation of the paste using the powder was carried out in the composition of Table 1 below.

표 1Table 1

실시예Example Al2O3 분말(g)Al 2 O 3 Powder (g) PVB 바인더(g)PVB Binder (g) 분산제(g) (BYK-111)Dispersant (g) (BYK-111) 솔벤트(g) (γ-부티로락톤(Butyrolactone))Solvent (g) (γ-Butyrolactone) 33 83.1583.15 0.220.22 0.830.83 15.8015.80 44 80.4180.41 1.101.10 0.800.80 17.6917.69 55 75.8175.81 2.202.20 0.760.76 21.2321.23

본 실시예들 조성에서 만들어진 Al2O3 페이스트는 Cu 포일 상에 400mesh 스크린을 이용하여 인쇄한 결과, 실시예 4 및 5가 양호한 인쇄 특성을 나타내었다. 이에 따라, 실시예 4의 조건으로 인쇄된 Al2O3 층을 90℃의 오븐에서 30분간 건조하였다. 그리고, 솔벤트 대비 60-80wt% 농도로 변화시킨 에폭시 용액을 제조하고 이를 상기 Al2O3 층 상부에 400mesh 스크린을 이용하여 인쇄하였다. 인쇄된 샘플은 90℃의 오븐에서 10분간 건조시킨 후, 170℃의 오븐에서 30분간 경화시켰다. 이렇게 형성된 후막의 전자현미경 사진을 도 6에 나타낸다. 상기 샘플의 상부 에폭시 잔여분을 연마공정으로 제거하고 상부 전극을 형성하여 유전특성을 측정한 결과, 1MHz에서 유전율 5.4, Df 0.007를 나타내었다. The Al 2 O 3 paste made from the present example compositions was printed using a 400mesh screen on Cu foil, and Examples 4 and 5 showed good printing characteristics. Accordingly, the Al 2 O 3 layer printed under the conditions of Example 4 was dried for 30 minutes in an oven at 90 ℃. In addition, an epoxy solution prepared at a concentration of 60-80 wt% based on the solvent was prepared and printed on the Al 2 O 3 layer by using a 400 mesh screen. The printed sample was dried in an oven at 90 ° C. for 10 minutes and then cured in an oven at 170 ° C. for 30 minutes. An electron micrograph of the thick film thus formed is shown in FIG. 6. The upper epoxy residue of the sample was removed by a polishing process, and the upper electrode was formed to measure dielectric properties. As a result, dielectric constant of 5.4 and Df of 0.007 were displayed at 1 MHz.

실시예Example 6 ( 6 ( 무소성No firing 알루미나  Alumina 후막의Thick 제조) Produce)

본 실시예에서는 Al2O3 입자(AKP-015)를 FA/H2O 용매에 분산 후 밀링을 통하여 잉크 조성물을 제조하였다. 즉, FA 25ml 및 H2O 75ml를 혼합한 건조 제어제 FA/H2O 100ml 에 10-15g 의 Al2O3 입자를 분산한 후, 지르코니아 볼(φ1mm) 200g을 첨가하여 thicky mixer(AR-250) 2000rpm으로 6분간 밀링하였다. 최종 얻어진 조성물은 흰색의 현탁액이었다. 이 잉크 조성물을 잉크젯을 이용하여 이베퍼레이션 방 식으로 Au 하부전극이 형성된 실리콘 와이퍼에 분사한 후, 균일한 막의 형성되었음을 확인하였다. 형성된 Al2O3층 상에 20wt% 에폭시 용액을 제조하여 이를 잉크젯 장비를 이용하여 분사하였고 90℃의 오븐에서 10분간 건조시킨 후, 170℃의 오븐에서 30분간 경화시켰다. 그리고, 에폭시가 함침된 복합체 후막이 형성됨을 확인하였다. 형성된 후막 상에 Ag 페이스트 전극을 형성한 후, 유전특성을 측정한 결과 1MHz에서 유전율 5.7, Df 0.005를 나타내었다. In this embodiment Al 2 O 3 Particles (AKP-015) were dispersed in FA / H 2 O solvent and ink compositions were prepared by milling. That is, FA and 25ml H 2 O and then disperse the Al 2 O 3 particles in a dry 10-15g agent FA / H 2 O mixed with 100ml 75ml, by the addition of zirconia balls (φ1mm) 200g thicky mixer (AR- 250) Milling at 2000 rpm for 6 minutes. The final composition obtained was a white suspension. The ink composition was sprayed onto the silicon wiper on which the Au lower electrode was formed in an evaporation method using an inkjet, and then it was confirmed that a uniform film was formed. A 20 wt% epoxy solution was prepared on the formed Al 2 O 3 layer and sprayed using an inkjet equipment, dried for 10 minutes in an oven at 90 ° C., and then cured for 30 minutes in an oven at 170 ° C. And it was confirmed that the composite thick film impregnated with epoxy was formed. After the Ag paste electrode was formed on the formed thick film, dielectric properties were measured, and the dielectric constant was 5.7 and Df was 0.005 at 1 MHz.

실시예Example 7 ( 7 ( 무소성No firing 알루미나  Alumina 후막의Thick 제조) Produce)

본 실시예에서는 Al2O3 입자를 FA/H2O 용매에 분산시킨 후 밀링을 통하여 제조하였다. 즉, DEG 25ml 및 H2O 75ml를 혼합한 건조 제어제 DEG/H2O 100ml에 10-15 g의 Al2O3 입자를 분산시킨 후, 지르코니아 볼(φ1mm) 200g을 첨가하여 thicky mixer (AR-250) 2000rpm으로 6분간 밀링하였다. 최종 얻어진 조성물은 흰색의 현탁액이 었다. 이 잉크 조성물을 잉크젯을 이용하여 실리콘 와이퍼에 분사한 후, 막이 형성됨을 확인하였다. 상기 막 상부에 실시예 6과 동일한 방법으로 에폭시를 함침시키고 경화시켰다.In this embodiment, Al 2 O 3 particles were prepared by milling after dispersing in a FA / H 2 O solvent. That is, the DEG and 10-15 g in 25ml H 2 O and dry mixing 75ml agent DEG / 100ml H 2 O Al 2 O 3 After the particles were dispersed, 200 g of zirconia balls (φ1 mm) were added and milled for 6 minutes at 2000 rpm with a thicky mixer (AR-250). The final composition obtained was a white suspension. After spraying this ink composition to a silicon wiper using an inkjet, it was confirmed that a film was formed. The epoxy was impregnated and cured in the same manner as in Example 6 above the membrane.

실시예Example 8 ( 8 ( 무소성No firing 알루미나  Alumina 후막의Thick 제조) Produce)

본 실시예에서는 상기 실시예 6의 Al2O3 잉크 조성물의 보다 효율적인 잉크 분사를 위하여 분사제를 첨가하였다. 즉, FA 25ml 및 H2O 75ml를 혼합한 건조 제어제 FA/H2O 100ml에 BYK-111 0.0, 0.5, 1.0, 1.5, 2.0 wt%를 첨가한 후, 10g의 Al2O3 입자를 분산하였고 이에 지르코니아 볼(φ1mm) 200g을 첨가하여 thicky mixer(AR-250) 2000rpm으로 6분간 밀링하였다. 최종 얻어진 조성물은 흰색의 현탁액이었다. 이 잉크 조성물을 잉크젯을 이용하여 실리콘 와이퍼에 분사한 후, 막이 형성되었음을 확인하였다. 상기 막 상부에 실시예 4와 같은 방법으로 에폭시를 함침시키고 경화시켰다.In this embodiment, Al 2 O 3 of Example 6 Propellant was added for more efficient ink jet of the ink composition. That is, FA 25ml and H 2 O after a drying agent FA / 100ml H 2 O mixture was added to a 75ml BYK-111 0.0, 0.5, 1.0 , 1.5, 2.0 wt%, of 10g Al 2 O 3 The particles were dispersed and milled for 6 minutes using a thicky mixer (AR-250) 2000 rpm with 200 g of zirconia balls (φ1 mm) added thereto. The final composition obtained was a white suspension. After spraying this ink composition to the silicon wiper using the inkjet, it confirmed that a film was formed. The epoxy was impregnated and cured in the same manner as in Example 4 above the membrane.

실시예Example 9 ( 9 ( 무소성No firing 알루미나  Alumina 후막의Thick 제조 및 이를 이용한 모듈의 제조) Manufacture and manufacture of modules using the same)

본 실시예에서는 Al2O3 분말을 이용하여 하기 표 2와 같은 조건으로 페이스트를 제조하고 Cu 포일 상에 400mesh 스크린을 이용하여 Al2O3 후막층을 인쇄하였다. In this example, a paste was prepared using Al 2 O 3 powder under the conditions shown in Table 2 below, and an Al 2 O 3 thick film layer was printed on a Cu foil using a 400 mesh screen.

표 2TABLE 2

실시예Example Al2O3 분말(g)Al 2 O 3 Powder (g) PVB 바인더(g)PVB Binder (g) 분산제(g) (BYK-111)Dispersant (g) (BYK-111) 솔벤트(g) (γ-부티로락톤(Butyrolactone))Solvent (g) (γ-Butyrolactone) 99 80.4180.41 1.101.10 0.800.80 17.6917.69

그리고, 그 상부에 솔벤트 대비 70wt% 농도의 에폭시 용액을 재인쇄하고, 90℃의 오븐에서 10분간 건조시킨 후, 170℃의 오븐에서 30분간 경화하여 제1층 유전층을 형성하였다. 이때 형성된 유전층은 25-30㎛의 두께였다.Then, the epoxy solution having a concentration of 70wt% relative to the solvent was reprinted, dried for 10 minutes in an oven at 90 ° C, and cured for 30 minutes in an oven at 170 ° C to form a first layer dielectric layer. The dielectric layer formed at this time was 25-30 μm thick.

그리고, 상기 유전층에 레이져 펀칭기를 이용하여 지름 약 100-300㎛의 비아를 형성하였다. 형성된 비아는 비아용 잉크를 이용하여 잉크젯 방식으로 전극을 형성하였다. 비아용 잉크는 20-80nm 크기의 은 나노 입자를 이용하여 제조된 것을 구입하여 사용하였고 제팅(jetting) 장비를 이용하여 비아 위치에 고정하고 장비의 기판을 60℃로 가열건조하면서 반복적으로 잉크를 분사하여 형성하였다. 비아가 형성된 표면에 시험용 패턴을 은 나노 전극 형성용 잉크를 이용하여 형성하였다. 이들을 상온 건조하였고 200℃에서 비아와 전극 패턴을 소결하여 전극이 완전히 형성되게 하였다. 형성된 전극 상에 상기 제1층 유전층과 동일한 방법을 반복하여 제2층 유전층을 형성함으로써 3차원 적층 모듈을 형성하였다. Then, vias of about 100-300 μm in diameter were formed in the dielectric layer using a laser punching machine. The formed vias formed electrodes in an inkjet method using via ink. Via ink was purchased using silver nano-particles of 20-80nm size, and was used. The ink was fixed at the via position by jetting equipment, and the ink was repeatedly sprayed while heating and drying the substrate of the equipment at 60 ° C. It was formed by. A test pattern was formed on the surface on which the via was formed by using the silver nanoelectrode forming ink. They were dried at room temperature and sintered vias and electrode patterns at 200 ° C. to form electrodes completely. The 3D stacked module was formed by repeating the same method as the first layer dielectric layer on the formed electrode to form a second layer dielectric layer.

실시예Example 10 ( 10 ( 무소성No firing 알루미나  Alumina 후막의Thick 제조 및 이를 이용한 모듈의 제조) Manufacture and manufacture of modules using the same)

본 실시예에서는 실시예 9의 방법으로 형성된 유전층에 200-300㎛의 비교적 큰 직경의 비아에는 은 나노 페이스트를 이용하여 비아 전극을 형성하였고, 비아용 전극은 PCB 일괄적층용 전극(다쯔다사, 일본)을 구입하여 사용하였다. 전극은 비아와 동일한 위치에 패턴이 형성된 SUS 재질의 금속 스크린을 이용하여 스크린 인쇄법으로 진행하였다. 그리고, 비아를 형성한 후, 일반 스크린 인쇄법으로 표면 전극을 인쇄하였다. 이때 사용된 전극은 상용의 비아용 전극(다쯔다사, 일본)에 용제를 혼합하여 점도를 조정한 후 사용하였다. 전극이 형성된 후, 80℃에서 10분간 건조하고 200℃에서 비아와 전극 패턴을 소결하여 전극이 완전히 형성되게 하였다. 형성된 전극 위에 제1층 유전층과 동일한 방법을 반복하여 제2층 유전층을 형성하였다. 상술한 바와 동일한 방법으로 제2층 유전층에 비아와 패턴 전극을 은 나노 전극 페이스트를 이용하여 형성하였고 하부 기판과 제2층 유전층을 형성한 상부 패턴과의 회로 및 전극 연결이 이루어짐을 확인하였다. In the present embodiment, via electrodes were formed using silver nano paste on vias having a relatively large diameter of 200-300 μm in the dielectric layer formed by the method of Example 9, and the via electrodes were PCB electrode stacked electrodes (Tatsuda, Japan). ) Was purchased and used. The electrode was screen printed using a metal screen made of SUS material having a pattern formed at the same position as the via. After the vias were formed, the surface electrodes were printed by a general screen printing method. The electrode used at this time was used after adjusting a viscosity by mixing a solvent with the electrode for commercial vias (Tatsuda Co., Japan). After the electrodes were formed, they were dried at 80 ° C. for 10 minutes and sintered vias and electrode patterns at 200 ° C. to form electrodes completely. The same method as the first layer dielectric layer was repeated on the formed electrode to form the second layer dielectric layer. In the same manner as described above, the via and pattern electrodes were formed on the second dielectric layer using silver nano electrode paste, and the circuit and the electrode connection between the lower substrate and the upper pattern on which the second dielectric layer was formed were confirmed.

실시예Example 11 ( 11 ( 무소성No firing 알루미나  Alumina 후막의Thick 제조 및 이를 이용한 모듈의 제조) Manufacture and manufacture of modules using the same)

LTCC 기판상에 표면전극을 형성하고 실시예 9의 방법으로 유전층을 형성한 결과, 유전층의 형성이 원활히 이루어짐을 확인하였다. 170℃에서의 유전층의 경화 공정 이후에도 기판과의 접착성이 확보되었다. PET 필름 상에 실시예 9과 같은 방법으로 유전층을 반복 형성하고 상기 형성된 유전층의 두께가 1mm 이상에 도달하고 충분히 경화가 일어난 후, PET 필름의 분리가 가능함을 확인하였다. As a result of forming a surface electrode on the LTCC substrate and forming a dielectric layer by the method of Example 9, it was confirmed that the dielectric layer was smoothly formed. Adhesion with the substrate was ensured even after the curing process of the dielectric layer at 170 ° C. After repeating the formation of the dielectric layer on the PET film in the same manner as in Example 9, the thickness of the formed dielectric layer reached 1mm or more and fully cured, it was confirmed that the separation of the PET film is possible.

이상 기술한 본 발명의 바람직한 실시예들의 특성은 조성분말의 평균입도, 분포 및 비표면적과 같은 분말특성과, 원료의 순도, 불순물 첨가량 및 소결 조건에 따라 통상적인 오차범위 내에서 다소 변동이 있을 수 있음은 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 지극히 당연하다.The characteristics of the preferred embodiments of the present invention described above may vary somewhat within the usual error range depending on the powder characteristics such as the average particle size, distribution and specific surface area of the composition powder, the purity of the raw material, the amount of impurity added and the sintering conditions. It is only natural for those with ordinary knowledge in the field.

또한, 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이고, 이러한 수정, 변경, 부가 등은 특허청구 범위에 속하는 것으로 보아야 한다.In addition, preferred embodiments of the present invention are disclosed for the purpose of illustration, anyone of ordinary skill in the art will be possible to various modifications, changes, additions, etc. within the spirit and scope of the present invention, such modifications, changes And additions should be regarded as within the scope of the claims.

도 1은 본 발명에 의한 무소성 세라믹 후막기판의 제조방법을 설명하기 위한 개략도.1 is a schematic view for explaining a method for producing an unfired ceramic thick film substrate according to the present invention.

도 2는 본 실시예에서의 스크린 인쇄법을 이용한 무소성 세라믹 후막기판의 제조방법을 설명하기 위한 개략도.2 is a schematic view for explaining a method for producing an unfired ceramic thick film substrate using the screen printing method in the present embodiment.

도 3은 본 실시예에서의 잉크젯을 이용한 무소성 세라믹 후막기판의 제조방법을 설명하기 위한 개략도.3 is a schematic view for explaining a method for producing an unfired ceramic thick film substrate using an inkjet in this embodiment.

도 4는 실시예 1에서 제조된 후막 샘플의 사진.4 is a photograph of a thick film sample prepared in Example 1. FIG.

도 5는 실시예 1에서 제조된 유전층 후막 샘플 단면의 전자현미경 사진.FIG. 5 is an electron micrograph of a cross section of a dielectric thick film sample prepared in Example 1. FIG.

도 6은 실시예 5에서 제조된 후막의 전자현미경 사진.6 is an electron micrograph of the thick film prepared in Example 5.

Claims (23)

세라믹 후막기판의 제조방법에 있어서,In the method of manufacturing a ceramic thick film substrate, 상기 세라믹 후막기판은 세라믹스 분체에 수지를 함침시킨 후 이를 경화시켜 소성없이 제조되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The ceramic thick film substrate is a ceramic thick film substrate manufacturing method characterized in that the impregnated resin in the ceramic powder and then hardened it to be manufactured without firing. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수지의 양은 15 내지 65 vol%로 되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The amount of the resin is a manufacturing method of a ceramic thick film substrate, characterized in that 15 to 65 vol%. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 수지는 열경화성 수지로 되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The resin is a manufacturing method of a ceramic thick film substrate, characterized in that the thermosetting resin. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 수지는 폴리아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지(PPE), 폴리페닐렌설파이드계 수지, 시아네이트 에스테르 수지 및 벤조사이클로부텐(BCB) 중의 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The resin may be polyacrylic resin, epoxy resin, phenol resin, polyamide resin, polyimide resin, unsaturated polyester resin, polyphenylene resin (PPE), polyphenylene sulfide resin, cyanate ester resin and benzo A method for producing a ceramic thick film substrate, characterized in that at least one of cyclobutene (BCB). 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 세라믹스 분체의 입자 크기는 20 내지 1000 nm로 되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The particle size of the ceramic powder is 20 to 1000 nm manufacturing method of a ceramic thick film substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 세라믹스 분체는 Al2O3, SiO2, BaTiO3계 세라믹스, SrTiO3계 세라믹스, PbTiO3계 세라믹스, 페라이트 및 Pb(Zr, Ti)O3계 세라믹스 중의 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The ceramic powder is a ceramic characterized in that the Al 2 O 3, SiO 2, BaTiO 3 based ceramics, SrTiO 3 based ceramics, PbTiO 3 based ceramics, ferrite, and Pb at least any one of (Zr, Ti) O 3 ceramics Method of manufacturing a thick film substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 세라믹스 분체는 세라믹 기판, 반도체 기판, Cu 포일 및 폴리머 필름 중의 어느 하나 이상의 상부에 충진되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The ceramic powder is filled on top of any one or more of a ceramic substrate, a semiconductor substrate, a Cu foil and a polymer film. 세라믹 후막기판의 제조방법에 있어서,In the method of manufacturing a ceramic thick film substrate, 세라믹스 분체로 되는 슬러리 또는 페이스트를 제조하고 이를 캐스팅하여 세라믹스 시트를 제조하는 단계와;Preparing a slurry or paste made of ceramic powder and casting the ceramic sheet; 열경화성 수지를 솔벤트에 용해시켜 수지용액을 제조하고 이를 상기 세라믹스 시트 상부에 캐스팅하여 함침하는 단계와;Dissolving a thermosetting resin in a solvent to prepare a resin solution and casting the same on the ceramic sheet to impregnate the resin solution; 상기 함침된 수지를 경화시켜 복합체를 형성함으로써 상기 세라믹 후막기판을 완성하는 단계를 포함하고, 상기 제조방법은 소성단계를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.And curing the impregnated resin to form a composite, thereby completing the ceramic thick film substrate, and the manufacturing method does not include a firing step. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 복합체에서 수지의 양은 15 내지 65 vol%로 되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The amount of the resin in the composite is a method of manufacturing a ceramic thick film substrate, characterized in that 15 to 65 vol%. 제8항 또는 제9항에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 슬러리 또는 페이스트는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지 및 폴리에스터 수지 중의 어느 하나 이상으로 되는 바인더를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The slurry or paste is a method for producing a ceramic thick film substrate, characterized in that it comprises a binder made of any one or more of an epoxy resin, an acrylic resin, a polyurethane resin and a polyester resin. 제8항 또는 제9항에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 슬러리 또는 페이스트는 비이온 계면활성제, 양이온 계면활성제, 음이온 계면활성제, 알킬 암모늄염계 공중합체, 알킬올 암모늄염 공중합체, 에스테르 비이온계, 어유 및 폴리아크릴레이트 중의 어느 하나 이상으로 되는 분산제를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The slurry or paste comprises a dispersant comprising any one or more of a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, an alkyl ammonium salt copolymer, an alkylol ammonium salt copolymer, an ester nonionic, fish oil and a polyacrylate. Method for producing a ceramic thick film substrate, characterized in that. 제8항 또는 제9항에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 세라믹스 시트는 세라믹 기판, 반도체 기판, Cu 포일 및 폴리머 필름 중의 어느 하나 이상의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The ceramic sheet is formed on top of any one or more of a ceramic substrate, a semiconductor substrate, a Cu foil and a polymer film. 세라믹 후막기판의 제조방법에 있어서,In the method of manufacturing a ceramic thick film substrate, 세라믹스 분체를 솔벤트에 분산하여 세라믹 잉크를 제조하는 단계와;Dispersing the ceramic powder in a solvent to produce a ceramic ink; 상기 세라믹 잉크를 잉크젯으로 분사하여 세라믹 막을 형성하는 단계와;Spraying the ceramic ink with an inkjet to form a ceramic film; 열경화성 수지를 솔벤트에 용해시켜 수지용액을 제조하고 이를 잉크젯으로 상기 세라믹 막 상부에 분사하여 함침하는 단계와;Preparing a resin solution by dissolving a thermosetting resin in a solvent, and impregnating by spraying the thermosetting resin on the ceramic film by inkjet; 상기 함침된 수지를 경화시켜 복합체를 형성함으로써 상기 세라믹 후막기판을 완성하는 단계를 포함하고, 상기 제조방법은 소성단계를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.And curing the impregnated resin to form a composite, thereby completing the ceramic thick film substrate, and the manufacturing method does not include a firing step. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 복합체에서 상기 수지의 양은 15 내지 65 vol%로 되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The amount of the resin in the composite is a method of manufacturing a ceramic thick film substrate, characterized in that 15 to 65 vol%. 제13항 또는 제14항에 있어서,The method according to claim 13 or 14, 상기 세라믹 잉크는 디에틸렌글리콜(DEG) 및 포름아미드(FA) 중의 어느 하나 이상으로 되는 건조제어제 수용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판 의 제조방법.The ceramic ink is a manufacturing method of a ceramic thick film substrate, characterized in that it comprises an aqueous drying control agent of at least one of diethylene glycol (DEG) and formamide (FA). 제13항 또는 제14항에 있어서,The method according to claim 13 or 14, 상기 세라믹 잉크는 비이온 계면활성제, 양이온 계면활성제, 음이온 계면활성제, 옥틸알콜 및 아크릴계 고분자 중의 어느 하나 이상으로 되는 분산제를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The ceramic ink is a manufacturing method of a ceramic thick film substrate, characterized in that it comprises a dispersing agent of any one or more of a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, octyl alcohol and an acrylic polymer. 제16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 분산제의 농도는 0보다 크고 2wt% 이하로 되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.And the concentration of the dispersant is greater than 0 and less than or equal to 2 wt%. 제13항 또는 제14항에 있어서,The method according to claim 13 or 14, 상기 세라믹 잉크는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지 및 폴리에스터 수지 중의 어느 하나 이상의 바인더를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The ceramic ink is a method for producing a ceramic thick film substrate, characterized in that it comprises any one or more binders of an epoxy resin, an acrylic resin, a polyurethane resin and a polyester resin. 제13항 또는 제14항에 있어서,The method according to claim 13 or 14, 상기 세라믹 잉크의 세라믹 입자 농도는 10 내지 15 wt%로 되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The ceramic thick film substrate manufacturing method, characterized in that the ceramic particle concentration of the ceramic ink is 10 to 15 wt%. 제13항 또는 제14항에 있어서,The method according to claim 13 or 14, 상기 세라믹스 분체의 입자 크기는 0.1 내지 0.7㎛로 되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.The particle size of the ceramic powder is 0.1 to 0.7㎛ manufacturing method of a ceramic thick film substrate. 제13항 또는 제14항에 있어서,The method according to claim 13 or 14, 상기 세라믹 막은 세라믹 기판, 반도체 기판, Cu 포일 및 폴리머 필름 중의 어느 하나 이상의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막기판의 제조방법.Wherein the ceramic film is formed on at least one of a ceramic substrate, a semiconductor substrate, a Cu foil, and a polymer film. 내부에 하나 이상의 전극과 유전체를 포함한 하나 이상의 세라믹 후막기판이 적층되는 모듈에 있어서,A module in which at least one ceramic thick film substrate including at least one electrode and a dielectric is stacked therein, 상기 세라믹 후막기판은 제1항, 제2항, 제8항, 제9항, 제13항 및 제14항 중의 어느 한 항에 의해 제조된 세라믹 후막기판으로 되는 것을 특징으로 하는 모듈.The ceramic thick film substrate is a module according to claim 1, 2, 8, 9, 13, and 14 made of a ceramic thick film substrate. 제22항에 있어서,The method of claim 22, 상기 모듈은 세라믹 기판, 반도체 기판, Cu 포일 및 폴리머 필름 중의 어느 하나 이상의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 모듈.The module is formed on top of any one or more of a ceramic substrate, a semiconductor substrate, a Cu foil and a polymer film.
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