KR100918633B1 - Process and device for upgrading current emission - Google Patents

Process and device for upgrading current emission Download PDF

Info

Publication number
KR100918633B1
KR100918633B1 KR1020020082316A KR20020082316A KR100918633B1 KR 100918633 B1 KR100918633 B1 KR 100918633B1 KR 1020020082316 A KR1020020082316 A KR 1020020082316A KR 20020082316 A KR20020082316 A KR 20020082316A KR 100918633 B1 KR100918633 B1 KR 100918633B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
current
carbon
delete delete
emission
nanotubes
Prior art date
Application number
KR1020020082316A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20040055875A (en
Inventor
황쿼츄
쿵솅친
Original Assignee
내셔널 칭화 유니버시티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 내셔널 칭화 유니버시티 filed Critical 내셔널 칭화 유니버시티
Priority to KR1020020082316A priority Critical patent/KR100918633B1/en
Publication of KR20040055875A publication Critical patent/KR20040055875A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100918633B1 publication Critical patent/KR100918633B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304Field-emissive cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes

Abstract

본 발명은 표시 화면, 특히 이동 장치 또는 소형 장치 상의 디스플레이, 또는 저전압 레벨 또는 저용량으로 제한된 전원을 갖는 장치 상의 표시 화면에 양호하게 작용할 수 있는, 탄소를 포함하는 물질로 구성된 전류 방출 장치에 적용되는 프로세스를 제공하는 것이다.

Figure R1020020082316

표시 화면, 디스플레이, 저전압 레벨, 저용량, 전원, 전류 방출 장치

The invention is a process applied to a current-emitting device consisting of a material comprising carbon, which can work well on a display screen, in particular a display on a mobile device or a small device, or on a device with a power supply limited to a low voltage level or low capacity. To provide.

Figure R1020020082316

Display screen, display, low voltage level, low capacity, power, current dissipation device

Description

전류 방출을 증가시키는 프로세스 및 장치 {PROCESS AND DEVICE FOR UPGRADING CURRENT EMISSION}PROCESS AND DEVICE FOR UPGRADING CURRENT EMISSION

도 1은 투과형 전자 현미경(transmission electron microscope: TEM}으로 찍은 두 개의 탄소 나노튜브의 이미지를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an image of two carbon nanotubes taken with a transmission electron microscope (TEM).

도 2는 본 발명에 따라 산화된, 투과형 전자 현미경으로 찍은 산화 탄소 나노튜브의 이미지를 나타내는 도면이다. 2 shows an image of carbon oxide nanotubes taken with a transmission electron microscope, oxidized according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따라 산화된, 투과형 전자 현미경으로 찍은 산화 탄소 나노튜브의 다른 이미지를 나타내는 도면이다.3 shows another image of carbon oxide nanotubes taken with a transmission electron microscope, oxidized according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따라 산화된, 투과형 전자 현미경으로 찍은 산화 탄소 나노튜브의 또 다른 이미지를 나타내는 도면이다.4 shows another image of carbon oxide nanotubes taken with a transmission electron microscope, oxidized according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따라 산화된, 본래의 탄소 나노튜브 어레이의 (방출 전류-방출 전압) 관계를 나타내는 도면이다.5 is a diagram showing the (emission current-emission voltage) relationship of the original carbon nanotube array oxidized according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따라 산화된, 본래의 탄소 나노튜브 어레이에 대하여, 파울러-노르드하임 전계 방출 이론에 따른 In(J/E2) 대 I/E의 관계를 나타내는 도면이다.FIG. 6 shows the relationship of In (J / E 2 ) to I / E according to the Fowler-Nordheim field emission theory for the original carbon nanotube array oxidized according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따라 O3 및 BR2에 의하여 산화된, 본래의 탄소 나노튜브 어 레이의 (방출 전류-방출 전압) 관계를 나타내는 도면이다.FIG. 7 is a diagram showing the (emission current-emission voltage) relationship of the original carbon nanotube arrays oxidized by O 3 and BR 2 according to the present invention.

본 발명은 일반적으로 전류 방출 장치(current emitting device), 보다 구체적으로는 전자 방출에 사용되는 탄소 나노튜브(carbon nanotube) 및 방출 프로세스에 관한 것이다.The present invention relates generally to current emitting devices, more specifically to carbon nanotubes and emission processes used for electron emission.

전자를 방출시켜 표시 화면 또는 다른 장치를 구동시키는 새로운 방안을 탐구 또는 발견하기 위하여 여러 사람들이 상당한 노력을 기울여 왔다. 이는 디스플레이를 이동 장치에 응용하는 것이 일반화되고 디스플레이를 포함하는 장치의 치수 소형화에 대한 기대가 높아질 때 특히 중요하다. 상기 목적을 위하여 탐구 또는 발견된 새로운 방안 중에서 가장 중요한 한 가지 방안은, 전압원 용량을 최소로 하기 위하여 높은 개시 방출 전압 또는 낮은 개시 방출 전압도 필요없이 전류 방출 장치를 치수는 소형이면서 전자를 방출하여 표시 화면을 구동시킬 수 있도록 용이하게 제조하려는 것이다. 소형의 전류 방출 장치, 및 저용량 및/또는 저전압 레벨의 전압원 양자 모두는 표시 화면을 포함하는 장치의 치수 소형화에 상당한 영향을 미친다는 점이 명백하다. 낮은 작동 전압(전자를 방출하여 표시 화면을 구동시키는 낮은 개시 방출 전압으로 인함)을 필요로 하는 장치는 에너지를 덜 소모하게 되므로 동일 배터리 용량을 기준으로 장기간 작동될 수 있다. 이는 디스플레이를 구비한 이동 장치에 특히 중요하다. A great deal of effort has been made by various people to explore or discover new ways of emitting electrons to drive display screens or other devices. This is particularly important when the application of a display to a mobile device is generalized and expectations for miniaturization of the device including the display are high. One of the most important new approaches explored or discovered for this purpose is to present a compact, electron-emitting display of the current-emitting device without the need for a high onset or low onset emission voltage to minimize voltage source capacity. You want to make it easy to drive the screen. It is evident that both small current dissipating devices and voltage sources of low capacitance and / or low voltage levels have a significant effect on the dimensional miniaturization of devices including display screens. Devices requiring a low operating voltage (due to a low starting emission voltage that emits electrons to drive the display screen) consume less energy and can therefore be operated for a long time based on the same battery capacity. This is particularly important for mobile devices with displays.                         

전류 방출 장치에 전술한 특징을 구비하도록 하기 위하여, 여러 종류의 수단을 시도하였는 바, 그 중에서 탄소 나노튜브 어레이 또는 필름(예를 들면, 복수의 탄소 나노튜브로 구성된 어레이, 또는 복수의 탄소 나노튜브를 포함하는 필름)이 현저하게 주목을 받았다. 그러나, 탄소 나노튜브를 전류 방출 장치로서 사용하는 것은 바람직하지만, 실현가능한 개시 방출 전압으로 표시 화면을 구동시키기 위하여 충분한 전자를 방출할 수 없다는 문제가 있다. 따라서, 표시 화면을 구동시키는 전류 방출 장치로서 사용될 탄소 나노튜브에 있어서, 실현가능한 개시 방출 전압으로 표시 화면을 구동시키기 위하여 충분한 전자를 방출할 수 있느냐 하는 점이 중요한 조건임을 이해할 수 있을 것이다.In order to have the above-mentioned features in the current dissipating device, various kinds of means have been tried, among which a carbon nanotube array or film (for example, an array consisting of a plurality of carbon nanotubes, or a plurality of carbon nanotubes) Film containing) was noticeably noticed. However, it is preferable to use carbon nanotubes as a current emitting device, but there is a problem that it is not possible to emit enough electrons to drive the display screen with a feasible starting emission voltage. Accordingly, it will be appreciated that for carbon nanotubes to be used as a current emitting device for driving a display screen, it is an important condition that it is possible to emit enough electrons to drive the display screen with a feasible starting emission voltage.

현재까지는 탄소 나노튜브가 표시 화면(특히 디스플레이가 가능한 한 소형이거나, 또는 용량 및/또는 전원의 전압-레벨이 한정되는 경우)을 구동시키는 가장 유력한 전류 방출 장치로서 간주되고 있기 때문에, 많은 과학자들은 나노튜브가 보다 실현가능한 개시 방출 전압으로 더 많은 전자를 방출할 수 있도록 하기 위한 시도를 하고 있다. 이들 시도 중에서 탄소 나노튜브 어레이를 철/실리카 기판 상에 성장시킨 다음, 이를 벗겨 내고 저면(원래 기판과 접촉하는 면)이 상측 방향으로 향하도록 반전시키면 말단부가 개방된 탄소 나노튜브로 되어 0.6-1.0 V/㎛의 매우 낮은 턴-온 전압(CVD법에 의하여 형성된 수직 정렬 탄소 나노튜브의 종래의 개시 방출 전압은 4-0.9 V/㎛ 범위인 것으로 알려져 있음)에 이르는 것이 강한 인상을 주었다. 상기 시도에서는 낮은 개시 방출 전압은 달성되지만, 나노튜브 어레이 또는 필름을 벗겨 내고 반전시키는 프로세스가 필요하게 되어 숙련 기술이 요구되며, 특히 제품을 상품화하고자 할 때는 이 프로세스를 실행하는 것이 곤란하다. 이것이 경제적으로 실현가능한 개시 방출 전압으로 표시 화면을 구동하기 위하여 충분한 전자를 방출하도록 용이하게 생산될 수 있는 전류 방출 장치를 달성하고자 수많은 시도를 진행하고 있는 이유이다. 상기 시도 중에서, 용이하게 형성되고 실제의 제품에 잘 적용될 수 있는 탄소 나노튜브를 갖는다는 것이 가장 바람직하다. To date, many scientists believe that carbon nanotubes are considered the most potent current-emitting devices that drive display screens (especially where the display is as small as possible, or where the voltage-level of the capacity and / or power supply is limited). Attempts have been made to allow the tube to emit more electrons at a more feasible starting emission voltage. Among these trials, a carbon nanotube array was grown on an iron / silica substrate, then peeled off and inverted so that the bottom (the side in contact with the original substrate) faced upwards, resulting in open carbon nanotubes with 0.6-1.0 It was a strong impression that reaching a very low turn-on voltage of V / μm (a conventional starting emission voltage of vertically aligned carbon nanotubes formed by the CVD method is known to be in the range of 4-0.9 V / μm). While the low onset emission voltage is achieved in this approach, the process of stripping and inverting the nanotube array or film is required, requiring skill in the art, and it is difficult to implement this process, especially when trying to commercialize a product. This is the reason why numerous attempts have been made to achieve a current emitting device that can be easily produced to emit sufficient electrons to drive a display screen at an economically feasible starting emission voltage. Of these attempts, it is most desirable to have carbon nanotubes that are easily formed and can be well adapted to actual products.

따라서, 본 발명의 목적은 표시 화면, 특히 이동 장치 또는 소형 장치 상의 디스플레이, 또는 저전압 레벨 또는 저용량으로 제한된 전원을 갖는 장치 상의 표시 화면에 양호하게 작용할 수 있는, 탄소를 포함하는 물질로 구성된 전류 방출 장치에 적용되는 프로세스를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a current dissipating device consisting of a material comprising carbon, which can work well on display screens, in particular on displays on mobile devices or small devices, or on devices with power supplies limited to low voltage levels or low capacities. To provide a process that applies to.

따라서, 본 발명의 다른 목적은 디스플레이에 양호하게 작용하는, 탄소를 포함하는 물질로 구성된 대상물에 적용되는 프로세스를 제공하는 것이다.Accordingly, another object of the present invention is to provide a process applied to an object made of a material comprising carbon, which works well for a display.

따라서, 본 발명의 다른 목적은 전자를 보다 많이 방출(즉, 전류 방출성의 상승)할 수 있고, 또는 낮은 개시 방출 전압(즉, 보다 적게 인가된 전계)으로 전자를 방출할 수 있는, 탄소를 포함하는 물질로 구성된 대상물에 적용되는 프로세스를 제공하는 것이다.Accordingly, another object of the present invention includes carbon, which can emit more electrons (i.e., increase current dissipation), or can emit electrons at lower onset emission voltages (i.e., less applied electric fields). It is to provide a process that is applied to an object composed of a material.

본 발명의 또 다른 목적은 디스플레이, 특히 이동 장치 또는 소형 장치 상의 디스플레이, 또는 저전압 레벨 또는 저용량으로 제한된 전원을 갖는 장치 상의 디스플레이에 양호하게 작용할 수 있도록 용이하게 제조되는 전류 방출 장치를 제공하는 것이다. It is a further object of the present invention to provide a current dissipating device which is readily manufactured to work well on a display, in particular on a mobile device or a small device, or on a device with a power supply limited to a low voltage level or low capacity.                         

다른 특징, 장점, 및 목적은 첨부 도면을 참조하여 후술하는 상세한 설명으로부터 명백하게 이해할 것이다.Other features, advantages, and objects will be apparent from the following detailed description with reference to the accompanying drawings.

본 명세서에 있어서, "전류 방출용 개시 방출 전압"이란 전류 방출에 필요한 전계를 의미하고, "턴-온 전압"이란 임의의 전류 방출용 최소의 전계를 의미한다.In the present specification, "start emission voltage for current discharge" means an electric field required for current discharge, and "turn-on voltage" means a minimum electric field for any current discharge.

본 발명의 일 양태는, 말단부를 가지며 탄소를 포함하는 물질로 구성되며, 대상물로부터 전자 전류의 방출이 요구되는 디스플레이 또는 임의의 장치에 양호하게 작용하는 전류 방출 장치에 적용되는 프로세스로 나타낼 수 있다. 상기 프로세스는 적어도 말단부 중 일부분의 형상이 변할 때까지 주위 온도보다 더 높은 작동 온도에서 전류 방출 장치를 산화시키는 단계를 포함한다. 여기서 전류 방출 장치는 튜브 또는 나노튜브 혹은 치수가 작은 볼(구형 볼이나 타원형 볼 등) 형상이거나, 또는 반타원형 형상일 수 있고, 기판 또는 캐리어로부터 신장(또는 성장)되어 기판(또는 캐리어) 외측에 말단부를 가질 수 있다. 예를 들면, 말단부는 전류 방출 장치로부터 방출된 전자가 구동(즉, 충돌)되는 표시 화면과 대면하는 면일 수 있다. 전류 방출 장치는 기판(또는 캐리어) 상에 다른 말단부를 갖거나 또는 이들을 연결하는 것으로 간주할 수 있거나, 또는 기판으로부터 성장되는 것으로 간주할 수 있다.One aspect of the present invention may be represented by a process applied to a current dissipation device that is composed of a material having a distal end and comprising a carbon, and that works well for a display or any device in which emission of electronic current from an object is desired. The process includes oxidizing the current dissipating device at an operating temperature higher than ambient temperature until at least the shape of a portion of the distal end is changed. The current dissipating device here may be in the form of tubes or nanotubes or small-sized balls (such as spherical balls or elliptical balls), or semi-elliptical, extending (or growing) from the substrate or carrier and extending out of the substrate (or carrier). It may have a distal end. For example, the distal end may be a surface facing the display screen on which electrons emitted from the current emitting device are driven (ie, collided). The current dissipation device may be considered to have other ends on or connect them to the substrate (or carrier), or may be considered to be grown from the substrate.

본 발명의 다른 양태는, 탄소를 포함하는 물질로 구성되며, 전자 전류의 방출이 요구되는 디스플레이 또는 임의의 장치에 양호하게 작용하는 전류 방출 장치에 적용되는 프로세스이다. 여기서, 전류 방출 장치는 말단부로 간주되는 부분을 갖지 않는다. 예를 들면, 전류 방출 장치는 볼 형상, 또는 볼과 유사한 형상, 또 는 기판이나 캐리어 상으로 편평한 면을 가진 하프 볼 형상일 수 있다. 전류 방출 장치가 전자를 방출하는 방향은 특정한 방향이나 또는 특정한 영역으로 제한될 필요가 없고, 전자는 장치의 말단부로부터 방출될 필요도 없다.Another aspect of the invention is a process that is applied to a current dissipation device, comprised of a material comprising carbon, that works well for a display or any device in which emission of electronic current is desired. Here, the current dissipating device does not have a portion that is considered as a distal end. For example, the current dissipating device may be ball-shaped, or ball-like, or half-ball shaped with a flat surface on a substrate or carrier. The direction in which the current emitting device emits electrons need not be limited to a particular direction or to a specific area, and electrons need not be emitted from the distal end of the device.

탄소를 포함하는 물질로 구성된 전류 방출 장치가 O3를 포함하는 유체에 의하여 산화되는 경우, 표시 화면에 양호하게 작용할 수 있는 전류 방출 장치를 얻기 위한 산화(또는 고밀도 전류 방출)에 필요한 작동 온도는 단지 실제 세상에서의 임의의 온도인 - 50℃(영하 50℃) 정도로 낮을 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 양태는 전류 방출 장치를 O3를 포함하는 유체를 사용하여 실제 세상에서의 임의의 온도로 산화시켜 동일하거나 또는 더 낮은 개시 방출 전압으로 고밀도의 전류를 방출시킬 수 있는 전류 방출 장치를 얻는 프로세스이다.When a current dissipating device composed of a material containing carbon is oxidized by a fluid containing O 3 , the operating temperature required for oxidation (or high density current dissipation) to obtain a current dissipating device that can work well on the display screen is only It can be as low as minus 50 degrees Celsius, minus 50 degrees Celsius in the real world. Accordingly, another aspect of the present invention provides a current release that can oxidize the current release device to any temperature in the real world using a fluid comprising O 3 to release high density currents at the same or lower onset release voltage. The process of obtaining a device.

본 발명에 따라 산화된 후, 탄소를 포함하는 물질로 구성된 전류 방출 장치는 항상 카르복실산기(-COOH), 및/또는 수산기(-OH), 및/또는 케톤기(>C=O)를 표면 중 적어도 일부분 상에 갖는다. 따라서, 본 발명의 또 다른 양태는 표면 중 적어도 일부분 상에 카르복실산기(-COOH), 및/또는 수산기(-OH), 및/또는 케톤기(>C=O)를 갖는, 탄소를 포함하는 물질로 구성되는 전류 방출 장치를 제공하는 것이다.After being oxidized in accordance with the present invention, current-emitting devices composed of carbon-containing materials always surface carboxylic acid groups (-COOH), and / or hydroxyl groups (-OH), and / or ketone groups (> C = O). On at least a portion of the. Thus, another aspect of the present invention includes carbon, having a carboxylic acid group (-COOH), and / or a hydroxyl group (-OH), and / or a ketone group (> C = O) on at least a portion of the surface. It is to provide a current dissipation device composed of a material.

탄소를 포함하는 물질로 구성된 전류 방출 장치에 있어서, 동일하거나 또는 더 낮은 개시 방출 온도로 고밀도의 전자를 방출할 수 있도록 형상이 변하는 원인은 그 내부의 탄소 중 일부 C = C 이중 결합이 분열된다는 것이다. 본 발명에 따 른 프로세스는 탄소를 포함하는 물질로 구성되고, 디스플레이에 양호하게 작용하며, 또는 동일하거나 또는 더 낮은 개시 방출 전압으로 많은 전류를 방출할 수 있는 전류 방출 장치 내의 C = C 이중 결합을 분열시킨다는 점이 독특한 기술이다. 따라서, 본 발명의 또 다른 양태는 전류 방출 장치의 C = C 이중 결합을 분열시킴으로써 전류 방출 장치의 전류 방출성이 향상, 즉 전류 방출 장치가 동일하거나 또는 더 낮은 개시 방출 전압으로 고밀도의 전류를 방출시킬 수 있는, 탄소를 포함하는 물질로 구성된 전류 방출 장치에 적용되는 프로세스를 제공하는 것이다.In current-emitting devices composed of carbon-containing materials, the cause of the shape change to release high-density electrons at the same or lower onset emission temperatures is that some C = C double bonds in the carbon therein break up. . The process according to the invention comprises C = C double bonds in a current dissipating device which consists of a material comprising carbon and which works well on a display or which is capable of dissipating many currents at the same or lower onset emission voltage. Splitting is a unique technique. Thus, another aspect of the present invention improves the current dissipation of the current dissipating device by breaking the C = C double bond of the current dissipating device, i.e., the current dissipating device emits a high density of current at the same or lower starting discharge voltage. To provide a process that can be applied to the current-emitting device consisting of a material containing carbon that can be.

분명한 것은, 본 발명에 따라 처리된 전류 방출 장치가 반드시 디스플레이에만 한정적으로 사용되는 것은 아니다. 실제로 상기 장치는 대상물로부터 방출된 전류가 역할을 하는 어느 경우에나 사용될 수 있다.Obviously, the current dissipation device treated according to the invention is not necessarily used exclusively for displays. In practice the device can be used in any case where the current emitted from the object plays a role.

본 발명은 첨부 도면을 참조하여 개시된 다음의 상세한 설명을 통하여 충분히 이해할 수 있을 것이다. The present invention will be fully understood from the following detailed description disclosed with reference to the accompanying drawings.

도 1에 있어서, 탄소 나노튜브(11)는 말단부(12)를 가지며, 전자를 방출하는 전류 방출 장치로서 사용될 수 있다. 예를 들면, 탄소 나노튜브(11) 어레이는 표시 화면(도시되지 않음)을 구동하는 전자를 방출시키는데 사용될 수 있고, 즉 방출된 전자가 표시 화면에 충돌하여 표시 화면 상에 화상을 형성한다. 탄소 나노튜브(11)는 기판 또는 캐리어(도시되지 않음) 상이나 또는 이들과 연결되는 다른 말단부(13)를 갖는 것으로 간주되거나, 또는 기판으로부터 성장되는 것으로 간주될 수 있다. 1, the carbon nanotube 11 has a distal end 12 and can be used as a current emitting device for emitting electrons. For example, an array of carbon nanotubes 11 can be used to emit electrons driving a display screen (not shown), ie the emitted electrons collide with the display screen to form an image on the display screen. The carbon nanotubes 11 may be considered to have other end portions 13 on or in connection with or on a substrate or carrier (not shown), or may be considered to be grown from a substrate.                     

도 2는 본 발명에 따라 산화되어 자신의 말단부(22) 형상이 변화된 탄소 나노튜브(21)의 도면이다. 예를 들면, 말단부(22) 중 적어도 일부분(23)은 함몰되고, 말단부 중 적어도 일부분(24)은 팁 형상이나 또는 팁 형상과 유사하게 변경됨으로써, 탄소 나노튜브의 전류 방출성은 향상되고 개시 방출 전압은 하강하게 된다.2 is a view of the carbon nanotubes 21 oxidized in accordance with the present invention to change their distal end 22 shape. For example, at least a portion 23 of the distal end 22 is recessed and at least a portion 24 of the distal end is modified in tip shape or similar to the tip shape, thereby improving the current dissipation of the carbon nanotubes and initiating emission voltage. Will descend.

도 3은 본 발명에 따라 산화되어 자신의 말단부(32) 형상이 변경된 탄소 나노튜브(31)의 도면이다. 예를 들면, 말단부(32) 중 적어도 일부분(33)은 함몰되고, 말단부 중 적어도 일부분(34, 35)은 팁 형상이나 또는 팁 형상과 유사하게 변경됨으로써, 탄소 나노튜브의 전류 방출성은 향상되고 개시 방출 전압은 하강하게 된다.3 is a view of carbon nanotubes 31 that have been oxidized in accordance with the present invention to change their distal end 32 shapes. For example, at least a portion 33 of the distal end 32 is recessed and at least a portion 34, 35 of the distal end is modified in tip shape or similar to the tip shape, thereby improving and initiating current dissipation of the carbon nanotubes. The emission voltage goes down.

도 4는 본 발명에 따라 산화되어 적어도 일부분(3개의 백색 화살표(43)로 표기됨)을 함몰시킴으로써 탄소 나노튜브의 전류 방출성은 향상되고 개시 방출 전압은 하강하게 되는 탄소 나노튜브(41)의 도면이다.FIG. 4 is a view of the carbon nanotubes 41 in which the current emission of the carbon nanotubes is improved and the starting emission voltage is lowered by oxidizing according to the present invention and recessing at least a portion (denoted by three white arrows 43). to be.

도 5는 본래의 탄소 나노튜브 어레이와 산소를 포함하는 기체 유체를 사용하여 본 발명에 따라 산화된 탄소 나노튜브 간의 (방출 전류-방출 전압) 관계를 나타내는 도면이다. Y축은 방출 전류 밀도(J)(단위: ㎂/cm2)를 나타내고, X축은 인가된 전계(E)(단위: V/㎛)를 나타낸다. 개방된 원 ○으로 나타낸 곡선은 본래의 탄소 나노튜브(본 발명에 따라 산화된 나노튜브가 아님) 어레이에 대한 것이다. 폐쇄된 삼각형 ▲으로 나타낸 곡선은 산소를 포함하는 기체 유체를 사용하여 작동 온도 400℃에서 10분간 산화시키거나, 또는 산소를 포함하는 기체 유체를 사용하여 10분간 산화시키며 작동 온도가 400℃인 탄소 나노튜브 어레이에 대한 것이다. 개방된 삼각형 △으로 나타낸 곡선은 산소를 포함하는 기체 유체를 사용하여 작동 온도 400℃에서 20분간 산화시키거나, 또는 산소를 포함하는 기체 유체를 사용하여 20분간 산화시키며 작동 온도가 400℃인 탄소 나노튜브 어레이에 대한 것이다. 개방된 별 ☆로 나타낸 곡선은 산소를 포함하는 기체 유체를 사용하여 작동 온도 400℃에서 25분간 산화시키거나, 또는 산소를 포함하는 기체 유체를 사용하여 25분간 산화시키며 작동 온도가 400℃인 탄소 나노튜브 어레이에 대한 것이다.FIG. 5 is a diagram showing the (emission current-emission voltage) relationship between carbon nanotubes oxidized according to the present invention using an original carbon nanotube array and a gaseous fluid comprising oxygen. The Y axis represents the emission current density J (unit: dB / cm 2 ), and the X axis represents the applied electric field E (unit: V / µm). The curves shown as open circles ○ are for the original carbon nanotubes (not nanotubes oxidized according to the invention). The closed triangle ▲ curve shows carbon nanoparticles that oxidize for 10 minutes at 400 ° C. using a gaseous fluid containing oxygen, or oxidize for 10 minutes using a gaseous fluid containing oxygen and have a temperature of 400 ° C. For tube arrays. The curves shown as open triangles Δ are carbon nanoparticles oxidized for 20 minutes at 400 ° C. using a gaseous fluid containing oxygen, or carbon nanoparticles for 20 minutes using a gaseous fluid containing oxygen and 400 ° C. For tube arrays. The open star curves are carbon nanoparticles that oxidize for 25 minutes at 400 ° C. using a gaseous fluid containing oxygen or oxidize for 25 minutes using a gaseous fluid containing oxygen and have a temperature of 400 ° C. For tube arrays.

도 5를 참조하면, 나노튜브의 전류 방출성 면에 있어서 나노튜브를 산소를 포함하는 기체 유체를 사용하여 작동 온도 400℃에서 10분간 산화시키게 되면 본래의 나노튜브와 크게 차이가 나지 않지만(▲ 및 ○으로 각각 나타낸 2개의 곡선을 비교), 나노튜브를 산소를 포함하는 기체 유체를 사용하여 작동 온도 400℃에서 20분 내지 25분간 산화시키게 되면 본래의 나노튜브와 상당한 차이가 난다(△, ☆, 및 ○으로 각각 나타낸 3개의 곡선을 비교)는 점을 알 수 있을 것이다. 조건 E(인가된 전계) = 4.5 V/㎛에 대하여, 본래의 나노튜브(○으로 나타낸 곡선 참조)의 J(방출된 전류 밀도)는 약 9 ㎂/cm2인 반면, 산소를 포함하는 기체 유체를 사용하여 작동 온도 400℃에서 25분 이상 산화시킨 나노튜브의 J는 본래의 나노튜브 양의 8배인 72 ㎂/cm2에 도달할 수 있다. 파울러-노르드하임 전계 방출 이론에 따른 도 6의 ln(J/E2) 대 l/E의 관계로부터 알 수 있는 바와 같이, 전계 방출(또는 전류 방 출)을 위한 턴-온 전압은 0.8 V/㎛에서 0.5 V/㎛으로 감소된다. 상기 탄소 나노튜브는 p-Si 기판 상에서 성장될 수 있다.Referring to FIG. 5, when the nanotubes are oxidized for 10 minutes at 400 ° C. using a gaseous fluid containing oxygen, the nanotubes are not significantly different from the original nanotubes in terms of current emission. Comparing the two curves indicated by o), the nanotubes were oxidized for 20 to 25 minutes at an operating temperature of 400 ° C. using a gaseous fluid containing oxygen (△, ☆, And three curves, each denoted by (circle) and o). For condition E (applied electric field) = 4.5 V / μm, the J (emitted current density) of the original nanotubes (see the curves indicated by ○) is about 9 mA / cm 2 , whereas the gaseous fluid containing oxygen J of the nanotubes oxidized for 25 minutes or more at an operating temperature of 400 ° C. can reach 72 μs / cm 2 , which is eight times the original amount of nanotubes. As can be seen from the relationship of ln (J / E 2 ) to l / E in FIG. 6 according to the Fowler-Nordheim field emission theory, the turn-on voltage for field emission (or current emission) is 0.8 V. / M to 0.5 V / m. The carbon nanotubes can be grown on a p-Si substrate.

도 6은 파울러-노르드하임 전계 방출 이론에 따른 ln(J/E2) 대 l/E의 관계를 나타내는 도면이다. 도 6에서, Y축은 ln(J/E2)을 나타내고 X축은 l/E를 나타내며, 여기서 J는 방출된 전류 밀도(단위: ㎂/cm2)이고 E는 인가된 전계(단위: V/㎛)이다. 도 6에 ○, ▲, △, 및 ☆로 나타낸 곡선(실제로는 선)이 무엇을 의미하는 가는 도 5의 기호에 대한 의미와 유사하다. 화살표(7)는 전계 방출(또는 전류 방출)의 턴-온 전압 영역을 나타낸다. 본래의 나노튜브의 전계 방출의 턴-온 전압(○으로 나타낸 선 참조)은 약 0.8 V/㎛인 반면, 산소를 포함하는 기체 유체를 사용하여 작동 온도 400℃에서 25분간 이상 산화시킨 나노튜브의 전계 방출(또는 전류 방출)의 턴-온 전압(△ 및 ☆로 나타낸 선 참조)은 0.5 V/㎛ 정도로 낮을 수 있다는 점을 알 수 있을 것이다. 표시 화면을 구동(즉, 화면 상에 화상이 표시되도록 화면과 충돌하는 전자를 방출)시키기 위하여 나노튜브를 사용하고, 화면과 나노튜브의 방출부 사이의 스페이서 두께가 200 ㎛인 경우, 전계 방출(또는 전류 방출)의 턴-온 전압이 0.8 V/㎛으로부터 0.5 V/㎛으로 감소된다는 것은 필요한 전계 60V가 감소된다는 의미로서, 이것은 특히 이동 장치 상의 디스플레이나 또는 전원의 용량 및/또는 전압 레벨이 한정되거나, 고전압 레벨을 수용하는 편의성이 한정된 임의의 장치에 나노튜브를 사용할 때 매우 중요하다.FIG. 6 shows the relationship between ln (J / E 2 ) versus l / E according to the Fowler-Nordheim field emission theory. In FIG. 6, the Y axis represents ln (J / E 2 ) and the X axis represents l / E, where J is the emitted current density in ㎂ / cm 2 and E is the applied electric field in V / μm. )to be. What is meant by the curves (actually lines) represented by o, o, o, and ☆ in FIG. 6 is similar to the meaning for the symbol in FIG. Arrow 7 represents the turn-on voltage region of the field emission (or current emission). The turn-on voltage of the field emission of the original nanotubes (see line marked ○) is about 0.8 V / μm, whereas the nanotubes oxidized for at least 25 minutes at 400 ° C using a gaseous fluid containing oxygen It will be appreciated that the turn-on voltage of the field emission (or current emission) (see lines denoted by Δ and ☆) can be as low as 0.5 V / μm. If nanotubes are used to drive the display screen (i.e., emit electrons colliding with the screen to display an image on the screen), and the spacer thickness between the screen and the emitter of the nanotube is 200 μm, field emission ( Or a decrease in the turn-on voltage of the current release from 0.8 V / μm to 0.5 V / μm means that the required 60 V field is reduced, which in particular limits the capacity and / or voltage level of the display or power supply on the mobile device. Or use of nanotubes in any device where the convenience of accommodating high voltage levels is limited.

도 5 및 도 6의 곡선은 작동 온도 400℃에서 실험하였지만, 본 발명의 목적 을 달성하기 위하여 실제로는 주위 온도보다 높은 임의의 온도, 바람직하기로는 70℃ 이상에서 적당한 시간 동안 산화시킬 수 있다.Although the curves of FIGS. 5 and 6 were tested at an operating temperature of 400 ° C., in order to achieve the object of the present invention, it can actually be oxidized for a suitable time at any temperature above ambient temperature, preferably at 70 ° C. or higher.

도 7은 본래의 탄소 나노튜브 어레이와 오존(O3) 또는 브롬(Br2)을 포함하는 기체 유체를 사용하여 본 발명에 따라 산화된 나노튜브 간의 (방출 전류-방출 전압) 관계를 나타내는 도면이다. Y축은 방출 전류 밀도(J)(단위: ㎂/cm2)를 나타내고, X축은 인가된 전계(E)(단위: V/㎛)를 나타낸다. 개방된 원 ○으로 나타낸 곡선은 본래의 탄소 나노튜브 어레이(본 발명에 따라 산화되지 않은)에 대한 것이다. 기호 ×로 나타낸 곡선은 브롬을 포함하는 기체 유체를 사용하여 실온에서 20분간 산화시킨 탄소 나노튜브 어레이 대한 것이다. 기호 ▽으로 나타낸 곡선은 오존을 포함하는 기체 유체를 사용하여 실온에서 1분간 산화시킨 탄소 나노튜브 어레이에 대한 것이다. 기호 □로 나타낸 곡선은 오존을 포함하는 기체 유체를 사용하여 실온에서 3분간 산화시킨 탄소 나노튜브 어레이에 대한 것이다. 기호 △으로 나타낸 곡선은 오존을 포함하는 기체 유체를 사용하여 실온에서 5분간 산화시킨 탄소 나노튜브 어레이에 대한 것이다. 기호 ★로 나타낸 곡선은 오존을 포함하는 기체 유체를 사용하여 실온에서 7분간 산화시킨 탄소 나노튜브 어레이에 대한 것이다. 기호 +로 나타낸 곡선은 오존을 포함하는 기체 유체를 사용하여 실온에서 9분간 산화시킨 탄소 나노튜브 어레이에 대한 것이다.FIG. 7 is a diagram showing the (emission current-emission voltage) relationship between an original carbon nanotube array and nanotubes oxidized according to the present invention using a gaseous fluid comprising ozone (O 3 ) or bromine (Br 2 ). . The Y axis represents the emission current density J (unit: dB / cm 2 ), and the X axis represents the applied electric field E (unit: V / µm). The curves shown as open circles ○ are for the original carbon nanotube arrays (not oxidized according to the invention). The curve denoted by the symbol x is for a carbon nanotube array oxidized for 20 minutes at room temperature using a gaseous fluid containing bromine. The curve denoted by the symbol ▽ is for a carbon nanotube array oxidized for one minute at room temperature using a gaseous fluid containing ozone. The curve denoted by the symbol □ is for a carbon nanotube array oxidized for 3 minutes at room temperature using a gaseous fluid containing ozone. The curve represented by the symbol Δ is for an array of carbon nanotubes oxidized for 5 minutes at room temperature using a gaseous fluid containing ozone. The curve marked with the symbol ★ is for a carbon nanotube array oxidized for 7 minutes at room temperature using a gaseous fluid containing ozone. The curve represented by the symbol + is for an array of carbon nanotubes oxidized for 9 minutes at room temperature using a gaseous fluid containing ozone.

도 7을 참조하면, 탄소 나노튜브의 전류 방출성 면에 있어서 탄소 나노튜브를 오존을 포함하는 기체 유체를 사용하여 실온에서 1분간 산화시키거나 또는 브롬 을 포함하는 기체 유체를 사용하여 실온에서 20분간 산화시키게 되면 본래의 나노튜브와 크게 차이가 나지 않지만(▽, ×, 및 ○으로 각각 나타낸 3개의 곡선을 비교), 나노튜브를 오존을 포함하는 기체 유체를 사용하여 실온에서 3분간 산화시키게 되면 본래의 나노튜브와 상당한 차이가 난다(□, △, ★, +, 및 ○으로 각각 나타낸 5개의 곡선을 비교)는 점을 알 수 있을 것이다. 오존을 포함하는 기체 유체를 사용하여 실온에서 장시간 나노튜브를 산화시키면 전자 방출성이 항상 필연적으로 양호해지는 것은 아니라는 점에 유의해야 한다. 예를 들면, 오존을 포함하는 기체 유체를 실온에서 3분, 5분, 7분 및 9분간 각각 탄소 나노튜브를 산화시키는 중에서, □, △, ★, 및 +로 나타낸 4개의 곡선으로부터 알 수 있는 바와 같이, 탄소 나노튜브가 산화되는 시간이 짧으면 짧을수록 탄소 나노튜브는 전자를 더 양호하게 방출한다. 탄소 나노튜브를 오존을 사용하여 실온에서 장시간 산화시키면 나노튜브의 벽을 따라 산화로 인한 손상이 발생되어 전류 방출이 감소된다.Referring to FIG. 7, the carbon nanotubes are oxidized for 1 minute at room temperature using a gaseous fluid containing ozone or 20 minutes at room temperature using a gaseous fluid containing bromine in terms of current emission of the carbon nanotubes. Oxidation does not differ significantly from the original nanotubes (compare three curves, respectively, denoted by ▽, ×, and ○), but if the nanotubes are oxidized for three minutes at room temperature using a gaseous fluid containing ozone, It can be seen that there is a significant difference from the nanotubes of (compare the five curves, respectively, indicated by?,?, ★, +, and?). It should be noted that oxidizing nanotubes at room temperature using a gaseous fluid containing ozone does not necessarily result in good electron emission. For example, the gaseous fluid containing ozone can be known from four curves represented by □, Δ, ★, and + while oxidizing carbon nanotubes at room temperature for 3 minutes, 5 minutes, 7 minutes, and 9 minutes, respectively. As can be seen, the shorter the time the carbon nanotubes are oxidized, the better the carbon nanotubes emit electrons. Oxidation of carbon nanotubes at room temperature with ozone for extended periods of time causes oxidation damage along the walls of the nanotubes, thus reducing current dissipation.

실험에서 보면, 주위 온도가 영하 50℃(즉 -50℃) 이상인 경우, 탄소 나노튜브 어레이는 동일하거나 또는 더 낮은 개시 방출 전압으로 자신의 전자 전류 방출성이 상당히 향상되도록(즉, 고밀도의 전자 전류를 방출할 수 있도록) 오존을 사용하여 산화될 수 있다는 점을 알 수 있다.In experiments, when the ambient temperature is above 50 ° C. (ie −50 ° C.), the carbon nanotube arrays have significantly improved their electron current emission (i.e., high density electron current) with the same or lower onset emission voltage. It can be seen that it can be oxidized using ozone.

탄소 나노튜브가 동일하거나 또는 더 낮은 개시 방출 전압으로 고밀도의 전자를 방출할 수 있도록 그 형상이 변하는 것은(기존의 팁은 더 예리해지고, 또는 예를 들면 새로운 팁 또는 함몰부가 형성됨) 탄소 나노튜브 내 탄소의 일부 C = C 이중 결합이 분열되기 때문이며, 여기서 C는 탄소를 나타낸다. 본 발명에 따른 프 로세스는 탄소 나노튜브 내 C = C 이중 결합의 분열로 인하여 탄소 나노튜브가 디스플레이에 더 양호하게 작용하고, 또는 동일하거나 또는 더 낮은 개시 방출 전압으로 고밀도의 전류를 방출할 수 있다는 점에서 현재로서는 독특한 기술이다.Changing shape so that the carbon nanotubes can emit high density electrons at the same or lower onset emission voltage (existing tips become sharper, or new tips or depressions are formed, for example) in the carbon nanotubes This is because some C = C double bonds in carbon are cleaved, where C represents carbon. The process according to the invention allows the carbon nanotubes to behave better in displays due to the cleavage of C = C double bonds in the carbon nanotubes, or they can emit high density currents at the same or lower onset emission voltage. This is a unique technology at this point.

도 5 및 도 7의 곡선에 대한 실험은 주로 산소 및 오존의 산화물에 따른 것이지만, 본 발명에 따른 프로세스는 산소 및 오존을 산화물로서 반드시 사용하도록 한정하는 것은 아니며, 실제로는 O2, O3, CO2, NO2, S0 2 및 SO3 중에서 선택된 산화물, 또는 이들 중 적어도 두 가지의 혼합물을 사용할 수 있고, 어느 것이든 탄소 나노튜브 내 탄소의 일부 C = C 이중 결합을 분열시킬 수 있으며, 여기서 O, C, N, S는 산소, 탄소. 질소, 및 유황을 각각 나타낸다. Although the experiments on the curves of FIGS. 5 and 7 are mainly based on the oxides of oxygen and ozone, the process according to the invention is not necessarily limited to the use of oxygen and ozone as oxides, in practice O 2 , O 3 , CO Oxides selected from 2 , NO 2 , SO 2 and SO 3 , or mixtures of at least two of them can be used, and either can cleave some C = C double bonds of carbon in the carbon nanotubes, where O , C, N, S is oxygen, carbon. Nitrogen and sulfur are respectively shown.

탄소 나노튜브의 팁이 예리하면 할수록, 상기 나노튜브로부터 방출될 전류에 대한 개시 방출 전압은 더 낮아지고 나노튜브로부터 더 많은 전류가 방출될 수 있다는 점을 실험을 통해 알 수 있다.Experiments have shown that the sharper the tip of the carbon nanotube, the lower the starting emission voltage for the current to be emitted from the nanotube and more current can be released from the nanotube.

액체 유체 형태의 산화물이 본 발명에 따른 산화에 사용될 수 있지만, 기체 산화물이 바람직하다.Oxides in liquid fluid form can be used for the oxidation according to the invention, but gas oxides are preferred.

분명한 것은, 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 탄소 나노튜브 전체를 본 발명에 따른 프로세스에서 산화물에 노출시킬 필요는 없다. 예를 들면, 단지 탄소 나노튜브의 말단부에서 전자 전류를 방출하는 경우, 상기 말단부만 산화물에 노출시키면 된다.Obviously, to achieve the object of the present invention, it is not necessary to expose the entire carbon nanotube to the oxide in the process according to the present invention. For example, when only electron terminals emit electron current, the terminal portions need only be exposed to oxides.

나노튜브 어레이를 산화물(또는 산화물을 포함하는 유체)에 의하여 주위 온 도보다 더 높은 작동 온도로 산화시키는 프로세스는, 상기 산화물(또는 유체)이 작동 온도에 도달할 때까지 산화물(또는 유체)을 가열시키는 단계, 및 상기 나노튜브의 적어도 일부분의 형상이 변할 때까지 나노튜브의 적어도 일부분(예를 들면, 말단부)을 상기 산화물(또는 유체)에 노출시키는 단계를 포함할 수 있다는 점을 이해할 수 있을 것이다.The process of oxidizing a nanotube array by an oxide (or a fluid comprising an oxide) to an operating temperature higher than ambient temperature, heats the oxide (or fluid) until the oxide (or fluid) reaches the operating temperature. It will be appreciated that the method may comprise the steps of exposing and exposing at least a portion (eg, a distal end) of the nanotube to the oxide (or fluid) until the shape of at least a portion of the nanotube changes. .

본 발명은 가장 실질적이고 바람직한 실시예를 들어 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에만 한정되는 것은 아니라는 점을 이해할 것이다. 이에 반하여, 임의의 변형이나 또는 유사한 장치는 본 발명의 취지에 포함되는 것으로 생각한다. While the invention has been described with reference to the most practical and preferred embodiments, it will be understood that the invention is not limited to the above embodiments. On the contrary, any modification or similar device is considered to be included in the spirit of the present invention.

본 발명에 따른 프로세스는 탄소 나노튜브 내 C = C 이중 결합의 분열로 인하여 탄소 나노튜브가 디스플레이에 더 양호하게 작용하고, 또는 동일하거나 또는 더 낮은 개시 방출 전압으로 고밀도의 전류를 방출할 수 있다.The process according to the invention allows the carbon nanotubes to function better in the display due to the cleavage of C = C double bonds in the carbon nanotubes, or to emit high density currents at the same or lower onset emission voltage.

Claims (35)

말단부를 가지며, 탄소를 포함하는 물질로 구성되는 전류 방출 장치에 적용되는 프로세스에 있어서,In a process applied to a current dissipating device having a distal end and composed of a material comprising carbon, 상기 말단부의 적어도 일부분이 팁(tip) 형상으로 되거나 또는 함몰될 때까지 70℃ 이상 400℃ 이하인 작동 온도에서 상기 전류 방출 장치를 산화시키는 단계Oxidizing the current dissipating device at an operating temperature of at least 70 ° C. and at most 400 ° C. until at least a portion of the distal end is tip shaped or recessed. 를 포함하는 프로세스.Process comprising. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전류 방출 장치가 탄소 나노튜브(carbon nanotube)인 것을 특징으로 하는 프로세스.And wherein said current dissipating device is a carbon nanotube. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 말단부의 적어도 일부분은 산소를 포함하는 물질로 구성된 유체(fluid)에 노출되는 것을 특징으로 하는 프로세스.At least a portion of said distal end is exposed to a fluid comprised of a material comprising oxygen. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 유체는 기체 물질인 것을 특징으로 하는 프로세스.Said fluid is a gaseous substance. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 탄소를 포함하는 물질로 구성된 전류 방출 장치에 적용되는 프로세스에 있어서,In a process applied to a current dissipating device composed of a material comprising carbon, 상기 전류 방출 장치의 적어도 일부분이 팁(tip) 형상으로 되거나 또는 함몰될 때까지 70℃ 이상 400℃ 이하인 작동 온도에서 상기 전류 방출 장치를 산화시키는 단계Oxidizing the current discharging device at an operating temperature of at least 70 ° C. and no more than 400 ° C. until at least a portion of the current discharging device is tip-shaped or recessed. 를 포함하는 프로세스. Process comprising. 삭제delete 삭제delete 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 전류 방출 장치가 탄소 나노튜브인 것을 특징으로 하는 프로세스.And the current dissipating device is carbon nanotubes. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 탄소를 포함하는 물질로 구성된 전류 방출 장치에 적용되는 프로세스에 있어서,In a process applied to a current dissipating device composed of a material comprising carbon, 상기 전류 방출 장치의 적어도 일부분이 팁 형상으로 되거나 또는 함몰될 때까지 상기 전류 방출 장치를 O3를 포함하는 유체로 산화시키는 단계Oxidizing the current discharging device with a fluid comprising O 3 until at least a portion of the current discharging device is tip-shaped or recessed. 를 포함하는 프로세스. Process comprising. 삭제delete 삭제delete 제24항에 있어서,The method of claim 24, 상기 전류 방출 장치는 적어도 영하 50℃의 온도에서 산화되는 것을 특징으로 하는 프로세스.Wherein said current dissipating device is oxidized at a temperature of at least minus 50 degrees Celsius. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 카르복실기(-COOH), 수산기(-OH), 및 케톤기(>C=O) 중 적어도 한 가지를 자신의 상측에 구비한 표면, 및A surface having at least one of a carboxyl group (-COOH), a hydroxyl group (-OH), and a ketone group (> C = O) on its upper side, and 상기 표면으로 둘러 싸이고, 탄소를 포함하는 물질로 구성되는 몸체부A body portion enclosed by the surface and composed of a material comprising carbon 를 포함하는 전류 방출 장치. Current discharge device comprising a. 제31항에 있어서,The method of claim 31, wherein 상기 표면은 적어도 그 일부분이 팁 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전류 방출 장치.And the surface has a tip shape at least a portion thereof. 제31항에 있어서,The method of claim 31, wherein 상기 표면은 적어도 그 일부분이 함몰된 것을 특징으로 하는 전류 방출 장치.And the surface is recessed at least a portion thereof. 탄소를 포함하는 물질로 구성된 전류 방출 장치에 적용되는 프로세스에 있어서,In a process applied to a current dissipating device composed of a material comprising carbon, 상기 전류 방출 장치의 적어도 일부분이 팁 형상으로 되거나 또는 함몰될 때까지 전류 방출 장치 내의 탄소 중 일부 C = C 이중 결합을 분리시키는 단계Separating some C = C double bonds of carbon in the current-emitting device until at least a portion of the current-emitting device is tip-shaped or recessed 를 포함하는 프로세스.Process comprising. 제34항에 있어서,The method of claim 34, wherein 상기 전류 방출 장치가 나노튜브로 구성된 것을 특징으로 하는 프로세스.And wherein said current dissipating device is comprised of nanotubes.
KR1020020082316A 2002-12-23 2002-12-23 Process and device for upgrading current emission KR100918633B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020082316A KR100918633B1 (en) 2002-12-23 2002-12-23 Process and device for upgrading current emission

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020082316A KR100918633B1 (en) 2002-12-23 2002-12-23 Process and device for upgrading current emission

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040055875A KR20040055875A (en) 2004-06-30
KR100918633B1 true KR100918633B1 (en) 2009-09-25

Family

ID=37348312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020082316A KR100918633B1 (en) 2002-12-23 2002-12-23 Process and device for upgrading current emission

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100918633B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020040644A (en) * 2000-11-24 2002-05-30 김동철 Multi-walled carbon nanotube and a manufacturing method thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020040644A (en) * 2000-11-24 2002-05-30 김동철 Multi-walled carbon nanotube and a manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040055875A (en) 2004-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6869581B2 (en) Hollow graphene sheet structure, electrode structure, process for the production thereof, and device thus produced
US20060057388A1 (en) Aligned and open-ended nanotube structure and method for making the same
KR20030059291A (en) Pattern forming method for carbon nanotube, and field emission cold cathode and method of manufacturing the cold cathode
JP2001180920A (en) Method of machining nano tube and method of producing field emission-type cold cathode and indicator
JP2000036243A (en) Manufacture of electron emitting source
KR100918633B1 (en) Process and device for upgrading current emission
JP2004228064A (en) Electron emission element and light emission element
JP3502804B2 (en) Method for growing carbon nanotubes and method for manufacturing electron gun and probe using the same
JPH07122198A (en) Carbon nanotube transistor
JP2004241161A (en) Electron emitting source and its manufacturing method and its display device
KR100312510B1 (en) Field Emission Device Using Carbon Nanotube
JP2003303539A (en) Electron emission source and its manufacturing method
US20040109813A1 (en) Process and device for upgrading current emission
JP2004292216A (en) Method for producing carbon fiber, and electron emission element and image forming device using it
JP2004207239A (en) Field emission device and its manufacturing method
JP2006210162A (en) Electron beam source
JP2002255527A (en) Carbon nanotube and method of processing for generating carbon nanotube
US20070041889A1 (en) Process and device for upgrading current emission
JP3829128B2 (en) Electron emitter
JP2000340100A (en) Manufacture of electron emission source, electron emission source and fluorescent light emission type indicator
US20070097567A1 (en) Method for reducing leakage current in a vacuum field emission display
WO2004079767A1 (en) Device and its manufacturing method, device group, electron-emitting source, and display
JP2005259600A (en) Efficient electronic emitter and its manufacturing method
KR101084082B1 (en) Electron Emission Device and Manufacturing Method Thereof
JP2008021522A (en) Electron emission element, manufacturing method of electron emission element, and display device having electron emission element

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130618

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140708

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee