KR100916916B1 - 데이터 라인 오픈 리페어 패턴이 구비된 액정표시장치 및 형성방법 - Google Patents

데이터 라인 오픈 리페어 패턴이 구비된 액정표시장치 및 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 의한 데이터 오픈 리페어 패턴이 구비된 액정표시장치는, 기판 상에 배열된 다수의 게이트 라인과, 게이트 절연막의 개재하에 상기 게이트 라인과 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 라인과, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 위치한 박막트랜지스터와, 상기 화소영역에 각각 배치된 화소전극으로 이루어진 액정표시장치에 있어서,
상기 데이터 라인의 하부에 형성되며, 상기 게이트 절연막에 의해 상기 데이터 라인과 절연되는 더미 게이트 패턴이 구비되고, 상기 더미 게이트 패턴의 양 끝단이 뾰족한 형태로 이루어짐을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 데이터 오픈 리페어 패턴의 양 끝단을 뾰족하게 형성하여 리페어 지점 즉, 레이저 용접 지점을 보다 수월히 찾고 보다 안정적인 용접을 행하게 하며, 이에 따라 리페어 성공률을 극대화시키고 액정표시장치의 생산 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

데이터 라인 오픈 리페어 패턴이 구비된 액정표시장치 및 형성방법{LCD with data line open repair pattern and method for forming the same}
도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 도시한 분해 사시도.
도 2는 종래의 데이터 오픈 리페어 패턴이 형성된 어레이 기판을 도시한 평면도.
도 3a 내지 도 3b은 오픈이 발생된 데이터 라인과 더미 게이트 패턴과의 용접 상태를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명에 의한 데이터 오픈 리페어 패턴이 형성된 어레이 기판을 도시한 평면도.
도 5a 내지 도 5b는 본 발명에 의한 데이터 오픈 리페어 패턴을 이용한 리페어 방법을 설명하기 위한 단면도 및 사시도.
도 6은 오픈이 발생된 데이터 라인과 더미 게이트 패턴과의 용접 상태를 나타내는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
13 : 게이트 라인 15 : 데이터 라인
20, 20' : 더미 게이트 패턴 24, 24' : 용접 포인트
32 : 게이트 절연막
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 데이터 라인 오픈 리페어 패턴이 구비된 액정표시장치에 관한 것이다.
액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하는 것으로, 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 갖고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 전술한 바 있는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬액정 표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목 받고 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 액정표시장치(11)는 블랙매트릭스(6)와 서브 칼러필터(7)를 포함하는 칼라필터 상에 투명한 공통전극(18)이 형성된 상부기판(5)과, 화소영역(P) 및 화소영역 상에 형성된 화소전극(17)과 스위칭 소자(T)로서의 박막트랜지스터 및 데이터 라인(15), 게이트 라인(13)이 형성된 하부기판으로 구성되며, 상기 상부기판(5)과 하부기판(22) 사이에는 액정(14)이 충진되어 있다.
상기 하부기판(22)을 어레이 기판이라고도 하며, 상기 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터를 교차하여 지나가는 게이트 라인(13)과 데이터 라인(15)이 형성되며, 또한 상기 게이트 라인(13)과 데이터 라인(15)이 교차하여 정의되는 영역이 상기 화소영역(P)이 되는 것이다.
여기서 상기 게이트 라인(13)은 상기 박막트랜지스터(T)의 게이트전극을 구동하는 펄스정압을 전달하며, 상기 데이터 라인(15)은 상기 박막트랜지스터(T)의 소스전극을 구동하는 신호전압을 전달하는 수단이다. 이 때, 상기 게이트전극의 신호에 의해 임의의 소스전극에 액정을 구동할 수 있는 전압이 인가되고, 나머지에는 액정 구동전압보다 작은 전압이 인가된다면, 액정 구동전압이 인가된 화소만 동작을 할 것이다.
이와 같이 다수개의 화소전극을 각각 독립적으로 구동하기 위해 전체 표시면적에 게이트 라인 및 데이터 라인이 매트릭스 형태로 배치되어 있으며, 이러한 게이트 라인 및 데이터 라인은 스위칭 소자인 박막트랜지스터를 구동하기 위해 사용된다.
그러나, 상기 어레이 기판 상에 형성되는 상기와 같은 구성요소에는 제작공정 중 여러가지 원인에 의해 불량이 나타날 수 있다. 이러한 결함은 형태에 따라 점 결함(dot defect), 선 결함(line defect) 또는 표시얼룩으로 나눌 수 있으며, 점 결함은 박막트랜지스터 소자 또는 화소전극 등의 불량으로 발생되고, 선 결함은 라인의 오픈, 단락 및 정전기에 의한 박막트랜지스터 등의 파괴에 기인한다.
이러한 결함들은 이미지 소자의 표시면적이 대면적화 됨에 따라 더욱 중요한 문제로 대두되고 있으며, 특히 선 결함의 경우 하나라도 발생하게 되면 제품으로서의 가치가 없어지게 되므로, 이와 같은 수율 저하를 방지하기 위해 상기 선 결함에 대한 리페어는 반드시 필요한 것이다.
예를 들면, 상기 데이터 라인 또는 게이트 라인 중 한 라인이 오픈되었다고 가정하면 오픈된 라인과 연결되어 있는 모든 박막트랜지스터의 동작이 불가능하게 될 것이고, 이러한 어레이 기판에서의 결함은 액정표시소자에서 치명적인 결함이 되는 것이다.
또한, 상기와 같은 어레이 기판을 제작함에 있어서는 데이터 라인용 물질 자체 특성과, 이물질에 의한 영향 및 ITO 에천트에 의한 영향으로 인하여 데이터 라인의 오픈 불량이 발생되어 결국 액정표시장치의 제조 수율이 저하되는 문제점이 있다.
한편, 종래에는 상기한 데이터 라인의 오픈 불량을 감소시키기 위하여, 화소 구조를 변경하거나, 또는, ITO 재질의 리던던시 라인(redundancy line)을 형성시키고는 있으나, 이러한 노력에도 불구하고, 데이터 라인의 오픈 불량이 여전히 존재하는 문제점이 있다.
도 2는 종래의 데이터 오픈 리페어 패턴이 형성된 어레이 기판을 도시한 평면도이다.
도 2를 참조하면, 이는 앞서 설명한 바와 같은 데이터 라인(15)의 오픈(open) 불량이 발생된 경우 이를 리페어 하기 위한 패턴을 도시한 것으로 상기 데이터 라인(15)의 하부에 더미 게이트 패턴(20)을 형성시킴으로써, 상기 데이터 라인(15)의 오픈이 발생되더라도 상기 더미 게이트 패턴(20)을 이용하여 오픈된 데이터 라인(15)의 리페어를 수행하여 상기 문제를 해결하고 하는 것이다. 여기서, 상기 더미 게이트 패턴(20)은 상기 데이터 오픈 리페어 패턴을 의미하는 것이다.
좀 더 상세히 설명하면, 상기 어레이 기판은 다수의 게이트 라인(13)과 데이터 라인(15)이 서로 교차하게 배열되고, 단위 화소영역(P)이 상기 게이트 라인(13) 및 데이터 라인(15)에 의해 한정되어 매트릭스 형태로 배열된다. 또한, 상기 데이터 라인(15)의 하부에는 더미 게이트 패턴(20)이 배치된다.
상기 더미 게이트 패턴(20)은 상기 게이트 라인(13)의 형성시에 함께 형성된 것으로 게이트 절연막(미도시)에 의해 상기 데이터 라인(15)과 전기적으로 절연된다.
또한, 상기 더미 게이트 패턴(20)은 상기 게이트 라인(13)과 이격되어 배치되며, 특히 상기 데이터 라인(15)과 같거나 넓은 폭을 가지도록 형성된다.
한편, 상기 게이트 라인(13)과 데이터 라인(15)의 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 배치되며, 각 단위 화소영역(P) 내에는 상기 박막트랜지스터(T)의 일부분 예컨데, 드레인 전극(35)과 콘택되는 ITO 재질의 화소전극(17)이 배치된다. 이 때, 상기 박막트랜지스터(T)는 게이트 전극(31), 소스/ 드레인 전극(33, 35) 및 소스/ 드레인 전극(33, 35) 사이에 형성된 액티브 층(37)으로 구성된다.
이와 같은 구조에서 상기 데이터 라인(15)이 물질 자체의 특성 및 공정 상의 결함 등으로 인하여 오픈이 발생되더라도 레이저 리페어 공정을 이용하여 데이터 라인과 상기 더미 게이트 패턴(20)을 전기적으로 쇼트(short) 시킴으로써, 상기 데이터 라인의 오픈 불량을 방지할 수 있다.
그러나, 상기와 같은 종래의 데이터 오픈 리페어 패턴 즉, 더미 게이트 패턴(20)은 양 끝단이 평평한 구조로 형성되어 있다.
이 경우 상기 데이터 라인(15)이 오픈되어 이를 리페어 할 때 상기 액정 셀의 후면에서 상기 더미 게이트 패턴(20)과 데이터 라인(15)을 레이저로 용접하는 공정을 거쳐야 하는데, 상기 더미 게이트 패턴(20)의 양 끝단이 평평하고 또한 상기 데이터 라인(15)이 상기 더미 게이트 패턴(20)에 가려지게 되어 상기 레이저 용접시 정확한 레이저 리페어 지점을 찾기 어려운 단점이 있다.
도 3a 내지 도 3b은 오픈이 발생된 데이터 라인과 더미 게이트 패턴과의 용접 상태를 나타내는 도면이다.
도 3a는 상기 데이터 라인(15)과 더미 게이트 패턴(20) 간의 용접 포인트(24)가 올바르게 형성된 것을 도시한 것으로, 이는 상기 더미 게이트 패턴(20)의 양 끝단의 중앙부와 상기 데이터 라인(15)에 상기 용접 포인트(24)가 반 정도씩 포함되게 형성된 것이다. 이와 같이 상기 용접 포인트(24)가 형성된 경우 가장 안정적으로 상기 데이터 라인(15)과 더미 게이트 패턴(20)이 연결되는 것이다.
도 3b는 상기 데이터 라인(15)과 더미 게이트 패턴(20) 간의 용접 포인트(24)가 불량하게 형성된 것을 도시한 것으로, 이는 상기 더미 게이트 패턴(20)의 사이드(side)와 상기 데이터 라인(15)에 상기 용접 포인트(24)가 형성되거나, 또는 상기 용접 포인트(24)가 상기 더미 게이트 패턴(20) 또는 데이터 라인(15)의 한쪽으로 치우쳐 형성된 경우이다. 일반적인 더미 게이트 패턴(20) 및 데이터 라인(15)의 폭은 수㎛ 이며, 용접 포인트(24)의 크기는 상기 더미 게이트 패턴(20) 및 데이터 라인(15)의 폭과 유사하여 도 3b와 같이 용접 포인트(24)의 위치 불량이 발생할 수 있다.
이와 같이 용접 포인트(24)가 형성된 경우에는 상기 용접 포인트(24) 부근에 크랙(crack)이 발생되기 쉬우며, 이에 따라 상기 더미 게이트 패턴(20)과 데이터 라인(15) 간의 연결이 다시 끊어지게 될 수도 있는 것이다.
결국 종래의 데이터 오픈 리페어 패턴을 적용할 경우에는 그 리페어 수율면에서 불안한 단점이 있는 것이다.
본 발명은 데이터 오픈 리페어 패턴의 양 끝단을 뾰족하게 형성함으로써, 리페어 지점 즉, 레이저 용접 지점을 보다 수월히 찾고 보다 안정적인 용접을 행하게 하는 데이터 라인 오픈 리페어 패턴이 구비된 액정표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 데이터 오픈 리페어 패턴이 구비된 액정표시장치는, 기판 상에 배열된 다수의 게이트 라인과, 게이트 절연막의 개재하에 상기 게이트 라인과 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 라인과, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 위치한 박막트랜지스터와, 상기 화소영역에 각각 배치된 화소전극으로 이루어진 액정표시장치에 있어서,
상기 데이터 라인의 하부에 형성되며, 상기 게이트 절연막에 의해 상기 데이 터 라인과 절연되는 더미 게이트 패턴이 구비되고, 상기 더미 게이트 패턴의 양 끝단이 뾰족한 형태로 이루어짐을 특징으로 한다.
또한, 상기 더미 게이트 패턴은 상기 게이트 라인과 동시에 형성되며, 그 재료가 동일함을 특징으로 한다.
또한, 상기 더미 게이트 패턴은 상기 게이트 라인과 이격되며, 상기 데이터 라인의 연장 방향을 따라 배치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 데이터 오픈 리페어 패턴 형성방법은, 기판 상에 다수의 게이트 라인 및 양 끝단이 뾰족한 형태로 이루어진 더미 게이트 패턴이 형성되는 단계와, 상기 게이트 라인 및 더미 게이트 패턴이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 상기 더미 게이트 패턴과 중첩되도록 데이터 라인이 형성되는 단계가 포함되며, 상기 더미 게이트 패턴은 상기 게이트 라인과 이격되고, 상기 데이터 라인의 연장 방향을 따라 상기 데이터 라인의 하부에 배치되는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 데이터 오픈 리페어 패턴의 양 끝단을 뾰족하게 형성하여 리페어 지점 즉, 레이저 용접 지점을 보다 수월히 찾고 보다 안정적인 용접을 행하게 하며, 이에 따라 리페어 성공률을 극대화시키고 액정표시장치의 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명에 의한 데이터 오픈 리페어 패턴이 형성된 어레이 기판을 도 시한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 의한 데이터 오픈 리페어 패턴이 형성된 어레이 기판은 다수의 게이트 라인(13)과 데이터 라인(15)이 서로 교차하게 배열되고, 단위 화소영역(P)이 상기 게이트 라인(13) 및 데이터 라인(15)에 의해 한정되어 매트릭스 형태로 배열되며, 상기 데이터 라인(15)의 하부에는 더미 게이트 패턴(20')이 배치된다.
여기서, 상기 더미 게이트 패턴(20')은 상기 게이트 라인(13)의 형성시에 함께 형성된 것으로 게이트 절연막(미도시)에 의해 상기 데이터 라인(15)과 전기적으로 절연된다.
또한, 상기 더미 게이트 패턴(20')은 상기 게이트 라인(13)과 그 재료가 동일하며, 그 양 끝단이 뾰족한 형태로 이루어짐을 특징으로 한다.
또한, 상기 더미 게이트 패턴(20')은 상기 게이트 라인(13)과 이격되어 배치되어 동일한 평면상에 형성되어도 서로 중첩되지 않으며, 상기 데이터 라인(15)의 연장 방향을 따라 배치되고, 특히 상기 데이터 라인(15)과 같거나 넓은 폭을 가지도록 형성된다.
한편, 상기 게이트 라인(13)과 데이터 라인(15)의 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 배치되며, 각 단위 화소영역(P) 내에는 상기 박막트랜지스터(T)의 일부분 예컨데, 드레인 전극(35)과 콘택되는 ITO 재질의 화소전극(17)이 배치된다. 이 때, 상기 박막트랜지스터(T)는 게이트 전극(31), 소스/ 드레인 전극(33, 35) 및 소스/ 드레인 전극(33, 35) 사이에 형성된 액티브 층(37) 으로 구성된다.
이와 같은 구조에서 상기 데이터 라인(15)이 물질 자체의 특성 및 공정 상의 결함 등으로 인하여 오픈이 발생되더라도 레이저 리페어 공정을 이용하여 상기 데이터 라인(15)과 상기 더미 게이트 패턴(20')을 전기적으로 쇼트(short) 즉, 레이저로 용접(welding)시킴으로써 상기 데이터 라인(15)의 오픈 불량을 방지할 수 있다. 즉, 데이터 라인(15)의 오픈에 의해 신호가 전달되지 못하는 현상을 상기와 같은 리페어 처리에 의해 해결할 수 있게 되는 것이다.
특히 상기와 같은 본 발명에 의한 데이터 오픈 리페어 패턴 구조 즉, 더미 게이트 패턴(20')의 구조는 양 끝단이 뾰족한 구조로 형성되어 있어 리페어 지점 즉, 레이저 용접 지점을 쉽게 찾을 수 있도록 하고 있다.
좀 더 상세히 설명하면 상기 데이터 라인(15)이 오픈되어 이를 리페어 할 때 상기 액정 셀의 후면에서 상기 더미 게이트 패턴(20')과 데이터 라인(15)을 레이저로 용접하는 공정을 거쳐야 하는데, 상기 더미 게이트 패턴(20')의 양 끝단이 뾰족함으로써 상기 데이터 라인(15)이 상기 더미 게이트 패턴(20 )에 가려지게 되더라도 상기 레이저 용접시 정확한 레이저 리페어 지점을 찾을 수 있는 것이다.
도 5a 내지 도 5b는 본 발명에 의한 데이터 오픈 리페어 패턴을 이용한 리페어 방법을 설명하기 위한 단면도 및 사시도이다. 단, 도 5는 도 4의 특정 영역(I)에 대한 단면도 및 사시도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, C 영역에서 데이터 라인(15)의 오픈이 발생된 경우 상기 오픈 영역이 포함된 데이터 라인(15) 하부에 형성된 더미 게이트 패턴(20')의 양 끝단을 찾아 상기 더미 게이트 패턴(20')의 양 끝단과 그 위에 형성된 상기 데이터 라인(15)을 레이저로 용접하게 된다. 이를 통해 오픈이 일어나지 않은 데이터 라인(15) 부분과 더미 게이트 패턴(20')간을 전기적으로 쇼트(short)시킨다. 이 때, 상기 레이저의 용접 포인트(24')는 상기 더미 게이트 패턴(20')의 뾰족한 양 끝단이 포함되는 영역이 되는 것이며, 상기 더미 게이트 패턴(20')와 상기 데이터 라인(15)의 사이에는 게이트 절연막(32)이 개재되어 있다.
이에 따라 상기 데이터 라인(15)에 실려진 데이터 신호는 오픈이 발생된 영역에서 상기 데이터 라인(15)과 상기 용접 포인트(24')에 의해 전기적으로 쇼트된 더미 게이트 패턴(20')으로 전달되고, 다시 상기 더미 게이트 패턴(20')을 통해 오픈이 일어나지 않은 데이터 라인(15) 부분으로 전달된다. 따라서, 데이터 라인(15)의 오픈이 리페어되어 상기 데이터 신호의 전달이 정상적으로 이루어진다.
이를 통해 데이터 라인(15)의 오픈이 발생되더라도 상기 데이터 라인(15)의 오픈을 용이하게 리페어 할 수 있는 것에 기인하여 데이터 신호의 정상적인 전달이 가능하게 되고, 결과적으로는 상기 데이터 라인(15)의 오픈 불량에 기인된 액정표시장치의 제조 수율의 저하를 방지할 수 있게 된다.
도 6은 오픈이 발생된 데이터 라인과 더미 게이트 패턴과의 용접 상태를 나타내는 도면이다.
상기 더미 게이트 패턴(20')의 양 끝단부는 종래의 경우와 같이 평평하게 형성되어 있지 않고 뾰족하게 형성되어 있어 상기 액정 셀의 후면에서 상기 더미 게이트 패턴(20')과 데이터 라인(15)을 레이저로 용접하는 경우에 상기 데이터 라인(15)이 상기 더미 게이트 패턴(20')에 가려지게 되더라도 정확한 레이저 리페어 지점 즉, 정확한 용접 포인트(24')을 찾을 수 있다. 즉, 본 발명은 용접 포인트(24')의 미세한 위치 오차가 발생하더라도 더미 게이트 패턴(20')의 양끝단이 뾰족하게 이루어져 리페어 용접시에 데이터 라인(15)과 최소한의 사이드 접촉 면적을 확보할 수 있다.
또한, 도 6을 참조하면 상기 더미 게이트 패턴(20')의 뾰족한 부분을 레이저 용접 지점으로 하여 리페어 하는 경우, 종래의 경우보다 안정적으로 상기 데이터 라인(15)과 더미 게이트 패턴(20')이 상기 용접 포인트(24')에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
이는 상기 용접 포인트(24')에 크랙(crack)이 발생되지 않아 상기 더미 게이트 패턴(20')과 데이터 라인(15) 간의 연결이 다시 끊어지지 않기 때문이다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 데이터 오픈 리페어 패턴이 구비된 액정표시장치에 의하면, 데이터 오픈 리페어 패턴의 양 끝단을 뾰족하게 형성하여 리페어 지점 즉, 레이저 용접 지점을 보다 수월히 찾고 보다 안정적인 용접을 행하게 하며, 이에 따라 리페어 성공률을 극대화시키고 액정표시장치의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

Claims (5)

  1. 기판 상에 배열된 다수의 게이트 라인과, 게이트 절연막의 개재하에 상기 게이트 라인과 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 라인과, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 위치한 박막트랜지스터와, 상기 화소영역에 각각 배치된 화소전극으로 이루어진 액정표시장치에 있어서,
    상기 데이터 라인의 하부에 형성되며, 상기 게이트 절연막에 의해 상기 데이터 라인과 절연되는 더미 게이트 패턴이 구비되고,
    상기 더미 게이트 패턴의 양 끝단은 상기 데이터 라인의 사이드 접촉 면적을 확보할 수 있도록 뾰족한 형태로 이루어짐을 특징으로 하는 데이터 라인 오픈 리페어 패턴이 구비된 액정표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 더미 게이트 패턴은 상기 게이트 라인과 동시에 형성되며, 그 재료가 동일함을 특징으로 하는 데이터 라인 오픈 리페어 패턴이 구비된 액정표시장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 더미 게이트 패턴은 상기 게이트 라인과 이격되며, 상기 데이터 라인의 연장 방향을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 데이터 라인 오픈 리페어 패턴이 구비된 액정표시장치.
  4. 기판 상에 다수의 게이트 라인 및 양 끝단이 뾰족한 형태로 이루어진 더미 게이트 패턴이 형성되는 단계와,
    상기 게이트 라인 및 더미 게이트 패턴이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 상기 더미 게이트 패턴과 중첩되도록 데이터 라인이 형성되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 데이터 라인 오픈 리페어 패턴 형성방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 더미 게이트 패턴은 상기 게이트 라인과 이격되며, 상기 데이터 라인의 연장 방향을 따라 상기 데이터 라인의 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 데이터 라인 오픈 리페어 패턴 형성방법.
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