KR100908243B1 - Dye-Sensitized Solar Cell Including Electron Recombination Blocking Layer and Manufacturing Method Thereof - Google Patents

Dye-Sensitized Solar Cell Including Electron Recombination Blocking Layer and Manufacturing Method Thereof Download PDF

Info

Publication number
KR100908243B1
KR100908243B1 KR1020070084469A KR20070084469A KR100908243B1 KR 100908243 B1 KR100908243 B1 KR 100908243B1 KR 1020070084469 A KR1020070084469 A KR 1020070084469A KR 20070084469 A KR20070084469 A KR 20070084469A KR 100908243 B1 KR100908243 B1 KR 100908243B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
dye
conductive substrate
metal oxide
solar cell
Prior art date
Application number
KR1020070084469A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090020058A (en
Inventor
전용석
윤호경
강만구
김종대
이승엽
박종혁
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020070084469A priority Critical patent/KR100908243B1/en
Publication of KR20090020058A publication Critical patent/KR20090020058A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100908243B1 publication Critical patent/KR100908243B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

반도체 전극에 전자 재결합 차단층이 포함되어 있는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 반도체 전극은 제1 전도성 기판과, 제1 전도성 기판의 표면이 전해질층에 노출되지 않도록 제1 전도성 기판을 완전히 덮고 있는 전자 재결합 차단층과, 전자 재결합 차단층 위에 형성되어 있는 다공성 금속 산화물 반도체층과, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층의 표면에 흡착되어 있는 염료분자층을 포함한다. 전자 재결합 차단층이 포함되어 있는 반도체 전극을 형성하기 위하여, 제1 전도성 기판 위에 금속층을 형성한다. 금속층을 산화시켜 금속 산화막을 형성한다. 금속 산화막 위에 다공성 금속 산화물 반도체층을 형성한다. 다공성 금속 산화물층의 표면에 염료분자층을 형성한다. A dye-sensitized solar cell including an electron recombination blocking layer in a semiconductor electrode and a method of manufacturing the same are disclosed. The semiconductor electrode of the dye-sensitized solar cell according to the present invention comprises a first conductive substrate, an electron recombination blocking layer completely covering the first conductive substrate so that the surface of the first conductive substrate is not exposed to the electrolyte layer, and an electron recombination blocking layer. The formed porous metal oxide semiconductor layer and the dye molecule layer adsorb | sucked on the surface of the said porous metal oxide semiconductor layer are included. In order to form the semiconductor electrode including the electron recombination blocking layer, a metal layer is formed on the first conductive substrate. The metal layer is oxidized to form a metal oxide film. A porous metal oxide semiconductor layer is formed on the metal oxide film. A dye molecule layer is formed on the surface of the porous metal oxide layer.

염료감응 태양전지, 반도체 전극, 전자 재결합 차단층, 금속 산화막 Dye-Sensitized Solar Cell, Semiconductor Electrode, Electron Recombination Block, Metal Oxide

Description

전자 재결합 차단층을 포함하는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법 {Dye-sensitized solar cells having electron recombination protection layer and method for manufacturing the same} Dye-sensitized solar cell having electron recombination barrier layer and method for manufacturing same {Dye-sensitized solar cells having electron recombination protection layer and method for manufacturing the same}

본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 염료 분자가 흡착된 금속 산화물로 이루어지는 반도체 전극을 구비하는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 정보통신부의 IT신성장동력핵심기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다 [과제관리번호: 2006-S-006-02, 과제명: 유비쿼터스 단말용 부품/모듈].TECHNICAL FIELD The present invention relates to a solar cell and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a dye-sensitized solar cell having a semiconductor electrode made of a metal oxide adsorbed with dye molecules and a method for producing the same. The present invention is derived from a study conducted as part of the IT new growth engine core technology development project of the Ministry of Information and Communication [Task management number: 2006-S-006-02, Task name: Ubiquitous terminal parts / modules].

염료감응 태양전지는 기존의 p-n 접합에 의한 실리콘 태양전지와는 달리, 가시광선의 빛을 흡수하여 전자-홀 쌍(electron-hole pair)을 생성할 수 있는 감광성 염료 분자와, 생성된 전자를 전달하는 전이금속 산화물을 주된 구성 재료로 하는 광전기화학적 태양전지이다. 지금까지 알려진 염료감응 태양전지 중 대표적인 예로서 스위스의 그라첼(Gratzel) 등에 의하여 발표된 것이 있다 (미국 특허공보 제4,927,721호 및 동 제5,350,644호). 그라첼 등에 의해 제안된 염료감응 태양전지는 염료 분자가 흡착된 나노입자 이산화티탄(TiO2)으로 이루어지는 반도체 전극과, 백금 또는 탄소가 코팅된 상대 전극과, 이들 전극 사이에 채워진 전해질 용액으로 구성되어 있다. 이 광화학적 전지는 기존의 실리콘 태양전지에 비하여 전력당 제조 원가가 저렴하여 주목받아 왔다. Dye-sensitized solar cells, unlike conventional silicon solar cells by pn junctions, are capable of absorbing visible light to produce electron-hole pairs and photosensitive dye molecules that deliver the generated electrons. It is a photoelectrochemical solar cell using a transition metal oxide as a main constituent material. Representative examples of dye-sensitized solar cells known to date have been published by Gratzel et al., Switzerland (US Pat. Nos. 4,927,721 and 5,350,644). The dye-sensitized solar cell proposed by Gratzel et al. Consists of a semiconductor electrode composed of nanoparticle titanium dioxide (TiO 2 ) on which dye molecules are adsorbed, a counter electrode coated with platinum or carbon, and an electrolyte solution filled between these electrodes. have. This photochemical cell has been attracting attention due to the low manufacturing cost per power compared to the conventional silicon solar cell.

염료감응 태양전지의 작동원리를 설명하면 다음과 같다. 태양빛에 의해 들뜬 염료들이 전자를 나노입자 이산화티탄의 전도대에 주입한다. 그 주입된 전자들은 나노입자 이산화티탄을 통과하여 전도성 기판에 도달하고 외부회로로 전달된다. 외부 회로에서 전기적 일을 하고 돌아온 전자는 상대 전극을 통하여 산화/환원 전해질의 전자 전달 역할에 의하여 전자를 이산화티탄에 주입하여 전자가 부족한 염료를 환원시켜 염료감응 태양전지의 작동은 완성된다. 여기서, 염료로부터 주입된 전자가 외부 회로에 전달되기 전에, 나노입자 이산화티탄층과 전도성 기판을 통과하는 과정에서, 상기 주입된 전자가 나노입자 이산화티탄의 표면에 비어있는 표면 에너지 준위에 머물게 될 수 있다. 그런데, 상기 반도체 전극을 구성하는 기판 표면에서 상기 나노입자 이산화티탄과 접촉되지 않아 전해질 용액에 노출되어 있는 부분이 있는 경우에는, 상기 표면 에너지 준위에 있는 전자가 산화/환원 전해질과 반응하여, 회로를 따라 돌지 않고 비효율적으로 사라지게 된다. The operation principle of the dye-sensitized solar cell is as follows. The dyes excited by sunlight inject electrons into the conduction band of nanoparticle titanium dioxide. The injected electrons pass through nanoparticle titanium dioxide to reach the conductive substrate and are transferred to the external circuit. The electrons returned after working in the external circuit are injected into the titanium dioxide by the electron transfer role of the oxidation / reduction electrolyte through the counter electrode to reduce dyes that lack electrons, thereby completing the operation of the dye-sensitized solar cell. Here, before the electrons injected from the dye are transferred to the external circuit, the injected electrons may stay at an empty surface energy level on the surface of the nanoparticle titanium dioxide in the process of passing through the nanoparticle titanium dioxide layer and the conductive substrate. have. However, when there is a portion of the surface of the substrate constituting the semiconductor electrode that is not in contact with the nanoparticle titanium dioxide and exposed to the electrolyte solution, electrons at the surface energy level react with the oxidation / reduction electrolyte to form a circuit. It does not turn around and disappears inefficiently.

지금까지 제안된 종래 기술에 따른 염료감응 태양전지에서는 반도체 전극을 구성하는 이산화티탄의 입자 형태가 구형(球形), 타원형, 또는 그와 유사한 입자 형태를 가지므로 이산화티탄과 전도성 기판과의 사이의 접촉 면적을 확보하는 데 제한이 있다. 그 결과, 반도체 전극의 전도성 기판에서 전해질에 노출된 표면을 통한 전자 손실로 인하여 원하는 에너지 변환 효율을 확보하는 데 한계가 있었다. In the dye-sensitized solar cell according to the related art proposed so far, the particle form of the titanium dioxide constituting the semiconductor electrode has a spherical shape, an ellipse shape, or a similar particle shape, so that contact between the titanium dioxide and the conductive substrate is performed. There is a limit to securing the area. As a result, there is a limit in securing desired energy conversion efficiency due to electron loss through the surface exposed to the electrolyte in the conductive substrate of the semiconductor electrode.

본 발명은 상기한 종래 기술에서의 문제점을 해결하고자 하는 것으로, 반도체 전극의 전도성 기판을 통한 전자 손실을 방지함으로써 에너지 변환 효율을 극대화할 수 있는 염료감응 태양전지를 제공하는 것이다. The present invention is to solve the above problems in the prior art, to provide a dye-sensitized solar cell that can maximize the energy conversion efficiency by preventing electron loss through the conductive substrate of the semiconductor electrode.

본 발명의 다른 목적은 전도성 기판을 통한 전자 손실을 방지할 수 있는 구조를 가지는 반도체 전극을 간단한 공정 및 낮은 공정 단가에 의해 구현할 수 있는 염료감응 태양전지의 제조 방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a dye-sensitized solar cell that can implement a semiconductor electrode having a structure capable of preventing electron loss through a conductive substrate by a simple process and a low process cost.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 반도체 전극과, 상대 전극과, 상기 반도체 전극과 상대 전극과의 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함한다. 상기 반도체 전극은 제1 전도성 기판과, 상기 전해질층과 상기 제1 전도성 기판과의 사이에서 상기 제1 전도성 기판의 표면이 상기 전해질층에 노출되지 않도록 상기 제1 전도성 기판을 완전히 덮고 있는 전자 재결합 차단층과, 상기 전자 재결합 차단층 위에 형성되어 있는 다공성 금속 산화물 반도체층과, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층의 표면에 흡착되어 있는 염료분자층을 포함한다. In order to achieve the above object, the dye-sensitized solar cell according to the present invention includes a semiconductor electrode, a counter electrode, and an electrolyte layer interposed between the semiconductor electrode and the counter electrode. The semiconductor electrode may block an electron recombination completely covering the first conductive substrate such that the surface of the first conductive substrate is not exposed to the electrolyte layer between the first conductive substrate and the electrolyte layer and the first conductive substrate. A layer, a porous metal oxide semiconductor layer formed on the electron recombination blocking layer, and a dye molecule layer adsorbed on the surface of the porous metal oxide semiconductor layer.

상기 전자 재결합 차단층은 금속 또는 금속 산화물로 이루어질 수 있다. The electron recombination blocking layer may be made of metal or metal oxide.

상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법에서는 제1 전도성 기판 위에 상기 제1 전도성 기판의 상면을 완전히 덮는 금속층을 형성한다. 상기 금속층 위에 다공성 금속 산화물이 분산되어 있는 유기 용매로 이루어지는 페이스트 코팅층을 형성한다. 상기 페이스트 코팅층을 열처리하여 상기 페이스트 코팅층으로부터 상기 유기 용매를 제거하여 다공성 금속 산화물 반도체층을 형성한다. 상기 다공성 금속 산화물층의 표면에 염료분자층을 형성한다. In order to achieve the above another object, the method of manufacturing a dye-sensitized solar cell according to the present invention forms a metal layer completely covering the upper surface of the first conductive substrate on the first conductive substrate. A paste coating layer made of an organic solvent in which a porous metal oxide is dispersed is formed on the metal layer. The paste coating layer is heat-treated to remove the organic solvent from the paste coating layer to form a porous metal oxide semiconductor layer. A dye molecule layer is formed on the surface of the porous metal oxide layer.

본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법에서, 상기 금속층 위에 다공성 금속 산화물 반도체층을 형성하기 전에 상기 금속층을 산화시켜 금속 산화막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 금속 산화막을 형성하기 위하여 상기 금속층을 산소 함유 분위기 또는 대기중에서 소정 시간 동안 열처리할 수 있다. In the method of manufacturing a dye-sensitized solar cell according to the present invention, the method may further include oxidizing the metal layer to form a metal oxide film before forming the porous metal oxide semiconductor layer on the metal layer. In this case, the metal layer may be heat-treated for a predetermined time in an oxygen-containing atmosphere or air to form the metal oxide film.

본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법에서, 상기 페이스트 코팅층의 열처리에 의해 상기 페이스트 코팅층으로부터 상기 유기 용매가 제거되어 상기 다공성 금속 산화물 반도체층이 형성되는 동시에 상기 금속층이 산화되어 금속 산화막이 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 페이스트 코팅층의 열처리는 산소 함유 분위기 또는 대기중에서 행해진다. In the method of manufacturing a dye-sensitized solar cell according to the present invention, the organic solvent is removed from the paste coating layer by heat treatment of the paste coating layer to form the porous metal oxide semiconductor layer and at the same time the metal layer is oxidized to form a metal oxide film. It may be. In this case, the heat treatment of the paste coating layer is performed in an oxygen-containing atmosphere or in the atmosphere.

본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법에서, 상기 금속층 위에 다공성 금속 산화물 반도체층을 형성하기 전에 상기 금속층을 무산소 분위기하에서 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. In the method of manufacturing a dye-sensitized solar cell according to the present invention, the method may further include heat-treating the metal layer under an oxygen-free atmosphere before forming the porous metal oxide semiconductor layer on the metal layer.

본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 반도체 전극에서 제1 전도성 기판과 염료 분자가 흡착된 다공성 금속 산화물층과의 사이에는 금속막을 산화시켜 얻어진 전자 재결합 차단층이 형성되어 있다. 상기 전자 재결합 차단층은 매우 치밀한 구조를 가지는 금속 산화물 반도체층으로 구성된다. 따라서, 상기 전자 재결합 차단층에 의해 상기 제1 전도성 기판이 보호되어 상기 제1 전도성 기판이 산화/환원 전해질과 접촉되는 것을 방지함으로써 빛에 의하여 염료 분자로부터 다공성 금속 산화물층에 주입된 전자의 손실 경로를 제거할 수 있다. 또한, 상기 전자 재결합 차단층에 의해 상기 제1 전도성 기판과 상기 전자 재결합 차단층과의 접착력이 향상되고 이들 사이의 접촉 면적이 증가되어 빛에 의하여 염료 분자로부터 다공성 금속 산화물층에 주입된 전자가 제1 전도성 기판으로 이동할 수 있는 기회가 증가된다. 그리고, 상기 제1 전도성 기판이 금속으로 이루어지는 경우, 상기 전자 재결합 차단층이 금속 기판의 산화를 막아주는 역할을 함으로써 기판의 전도성을 유지시킬 수 있고 그에 따라 전지의 효율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면 에너지 변환 효율이 현저히 향상된 염료감응 태양전지를 제공할 수 있다. In the semiconductor electrode of the dye-sensitized solar cell according to the present invention, an electron recombination blocking layer obtained by oxidizing a metal film is formed between the first conductive substrate and the porous metal oxide layer on which the dye molecules are adsorbed. The electron recombination blocking layer is composed of a metal oxide semiconductor layer having a very dense structure. Thus, the loss path of electrons injected from the dye molecules into the porous metal oxide layer by light by protecting the first conductive substrate by the electron recombination blocking layer to prevent the first conductive substrate from contacting the oxidation / reduction electrolyte. Can be removed. In addition, the adhesion between the first conductive substrate and the electron recombination blocking layer is improved by the electron recombination blocking layer, and the contact area therebetween is increased, so that electrons injected from the dye molecules into the porous metal oxide layer by light are removed. 1 The opportunity to move to the conductive substrate is increased. In addition, when the first conductive substrate is made of metal, the electron recombination blocking layer may serve to prevent oxidation of the metal substrate, thereby maintaining conductivity of the substrate and thus improving battery efficiency. Accordingly, the present invention can provide a dye-sensitized solar cell with remarkably improved energy conversion efficiency.

다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Next, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 본 명세서에서 어떤 막이 다른 막 또는 기판의 "위"에 있다라고 기재된 경우, 상기 어떤 막이 상기 다른 막 또는 기판의 위에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 다 른 막이 개재될 수도 있다. 첨부 도면에서, 막들 및 영역들의 두께 및 크기는 명세서의 명확성을 위해 과장되어진 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부 도면에 도시된 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다. 첨부 도면에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Embodiments of the invention may be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more fully illustrate the present invention. Where a film is described herein as being "on" another film or substrate, the film may be directly on top of the other film or substrate, with a third, intervening film interposed therebetween. In the accompanying drawings, the thicknesses and sizes of the films and regions are exaggerated for clarity. Accordingly, the invention is not limited by the relative size or spacing shown in the accompanying drawings. Like reference numerals in the accompanying drawings refer to like elements.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 염료감응 태양전지(100)의 요부 구성을 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing the main components of the dye-sensitized solar cell 100 according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지(100)는 상호 대향하고 있는 반도체 전극(102)과 상대 전극(104)을 포함한다. 상기 반도체 전극(102)과 상대 전극(104)과의 사이에는 전해질층(106)이 개재되어 있다. Referring to FIG. 1, the dye-sensitized solar cell 100 according to the present invention includes a semiconductor electrode 102 and a counter electrode 104 facing each other. An electrolyte layer 106 is interposed between the semiconductor electrode 102 and the counter electrode 104.

도 2는 도 1의 반도체 전극(102)의 일부를 도시한 확대 단면도이다. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view illustrating a portion of the semiconductor electrode 102 of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 반도체 전극(102)은 제1 전도성 기판(110)과, 상기 제1 전도성 기판(110)의 상면을 덮고 있는 전자 재결합 차단층(112)과, 상기 전자 재결합 차단층(112) 위에 형성되어 있는 다공성 금속 산화물 반도체층(114)과, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)의 표면 및 상기 전자 재결합 차단층(112)의 상면에 각각 흡착되어 있는 염료분자층(116)을 포함한다. 1 and 2, the semiconductor electrode 102 includes a first conductive substrate 110, an electron recombination blocking layer 112 covering an upper surface of the first conductive substrate 110, and the electron recombination. The dye metal layer adsorbed on the porous metal oxide semiconductor layer 114 formed on the blocking layer 112, the surface of the porous metal oxide semiconductor layer 114 and the upper surface of the electron recombination blocking layer 112, respectively. 116).

상기 반도체 전극(102)의 전자 재결합 차단층(112)은 상기 전해질층(106)과 상기 제1 전도성 기판(110)과의 사이에서 상기 제1 전도성 기판(110)의 표면이 상기 전해질층(106)에 노출되지 않도록 상기 제1 전도성 기판을 완전히 덮고 있다. 상기 전자 재결합 차단층(112)은 금속층 또는 금속 산화물 반도체층으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 전자 재결합 차단층(112)은 Ti와 같은 금속층으로 이루 어질 수 있다. 또는, 상기 전자 재결합 차단층(112)은 Ti 산화물, Zn 산화물, Cr 산화물, W 산화물, Nb 산화물 등과 같은 금속 산화물 반도체층으로 이루어질 수 있다. The electron recombination blocking layer 112 of the semiconductor electrode 102 has a surface of the first conductive substrate 110 between the electrolyte layer 106 and the first conductive substrate 110. The first conductive substrate is completely covered so as not to be exposed. The electron recombination blocking layer 112 may be formed of a metal layer or a metal oxide semiconductor layer. For example, the electron recombination blocking layer 112 may be formed of a metal layer such as Ti. Alternatively, the electron recombination blocking layer 112 may be formed of a metal oxide semiconductor layer such as Ti oxide, Zn oxide, Cr oxide, W oxide, Nb oxide, or the like.

상기 반도체 전극(102)의 전자 재결합 차단층(112)은 필요에 따라 평탄화된 상면을 가질 수 있다. 또는, 상기 반도체 전극(102)의 전자 재결합 차단층(112)은 그 상면에서 원하는 표면적을 제공하기 위하여 평탄한 표면 보다 더 큰 거칠기를 가지는 상면을 가질 수 있다.The electron recombination blocking layer 112 of the semiconductor electrode 102 may have a planarized top surface as necessary. Alternatively, the electron recombination blocking layer 112 of the semiconductor electrode 102 may have a top surface having a larger roughness than the flat surface to provide a desired surface area on the top surface.

상기 전자 재결합 차단층(112)은 약 5 Å ∼ 1000 nm의 두께를 가질 수 있다. The electron recombination blocking layer 112 may have a thickness of about 5 μm to 1000 nm.

상기 반도체 전극(102)의 다공성 금속 산화물 반도체층(114)은 포어 사이즈가 약 20 ∼ 2000 nm이고 공극율이 약 40 ∼ 60 %인 결정질 금속 산화물층으로 이루어질 수 있다. 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)을 구성하는 복수의 금속 산화물 입자(114a)는 각각 약 15 ∼ 25 nm의 입경 (particle diameter) 사이즈를 가지며, 구형(球形), 타원형, 또는 그와 유사한 입자 형태를 가진다. 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)을 구성하는 복수의 금속 산화물 입자(114a) 사이에 소정의 체적을 가지는 공극((114b)이 존재한다. 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)은 예를 들면, 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 및 산화아연(ZnO)으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)은 약 5 ∼ 10 ㎛의 두께로 형성될 수 있다. The porous metal oxide semiconductor layer 114 of the semiconductor electrode 102 may be formed of a crystalline metal oxide layer having a pore size of about 20 to 2000 nm and a porosity of about 40 to 60%. The plurality of metal oxide particles 114a constituting the porous metal oxide semiconductor layer 114 each have a particle diameter size of about 15 to 25 nm, and have a spherical shape, an ellipse shape, or a similar particle shape. Has A gap 114b having a predetermined volume exists between the plurality of metal oxide particles 114a constituting the porous metal oxide semiconductor layer 114. The porous metal oxide semiconductor layer 114 may be, for example, It may be made of any one material selected from the group consisting of titanium dioxide (TiO 2 ), tin dioxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO) The porous metal oxide semiconductor layer 114 is about 5 ~ 10 ㎛ It may be formed to a thickness of.

상기 염료분자층(116)은 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)의 복수의 금속 산화물 입자(114a)의 표면 및 상기 전자 재결합 차단층(112)의 상면에 각각 흡착되어 있다. 상기 염료분자층(116)은 루테늄 착체로 이루어질 수 있다. The dye molecule layer 116 is adsorbed onto the surface of the plurality of metal oxide particles 114a of the porous metal oxide semiconductor layer 114 and the top surface of the electron recombination blocking layer 112, respectively. The dye molecule layer 116 may be made of a ruthenium complex.

다시 도 1을 참조하면, 상기 상대 전극(104)은 제2 전도성 기판(160)과, 상기 제2 전도성 기판(160) 위에 형성된 도전층(170)을 포함한다. 상기 도전층(170)은 카본블랙, 탄소 나노튜브와 같은 탄소 재료, 또는 백금으로 이루어질 수 있다. Referring back to FIG. 1, the counter electrode 104 includes a second conductive substrate 160 and a conductive layer 170 formed on the second conductive substrate 160. The conductive layer 170 may be made of carbon material such as carbon black, carbon nanotubes, or platinum.

상기 전해질층(106)은 상기 제1 전도성 기판(110) 및 제2 전도성 기판(160)과의 사이에 개재되어 있는 격벽(108)에 의해 밀봉되어 있다. 상기 격벽(108)은 예를 들면 썰린(Surlyn)과 같은 열가소성 고분자막으로 이루어질 수 있으며, 약 30 ∼ 50 ㎛의 두께 및 약 1 ∼ 4 mm의 폭을 가질 수 있다. The electrolyte layer 106 is sealed by a partition 108 interposed between the first conductive substrate 110 and the second conductive substrate 160. The partition 108 may be made of, for example, a thermoplastic polymer film such as Surlyn, and may have a thickness of about 30 to 50 μm and a width of about 1 to 4 mm.

상기 제1 전도성 기판(110) 및 제2 전도성 기판(160)은 각각 도전층(도시 생략)이 코팅된 투명 기판으로 이루어질 수 있다. 상기 투명 기판은 유리 또는 고분자로 이루어질 수 있고, 상기 투명 기판에 코팅된 도전층(도시 생략)은 ITO (indium tin oxide), FTO (fluorine-doped tin oxide), 또는 SnO2로 이루어질 수 있다. 또는, 상기 제1 전도성 기판(110) 및 제2 전도성 기판(160)은 각각 도전성 고분자 등으로 이루어지는 도전성 투명 기판, 또는 금속 기판으로 이루어질 수 있다. Each of the first conductive substrate 110 and the second conductive substrate 160 may be formed of a transparent substrate coated with a conductive layer (not shown). The transparent substrate may be made of glass or a polymer, and a conductive layer (not shown) coated on the transparent substrate may be made of indium tin oxide (ITO), fluorine-doped tin oxide (FTO), or SnO 2 . Alternatively, the first conductive substrate 110 and the second conductive substrate 160 may each be formed of a conductive transparent substrate made of a conductive polymer, or a metal substrate.

상기 전해질층(106)은 요오드계 산화-환원 액체 전해질, 예를 들면 1-비닐-3-헥실-이미다졸륨 아이오다이드 (1-vinyl-3-hexyl-immidazolium iodide)와, 0.1 M의 LiI와, 40 mM의 I2 (iodine)를 아세토니트릴/발레로니트릴 (acetonitril/valeronitril) 혼합 용액에 용해시킨 I3 -/I-의 전해질 용액으로 이루어질 수 있다. The electrolyte layer 106 is an iodine-based redox liquid electrolyte, such as 1-vinyl-3-hexyl-imidazolium iodide (1-vinyl-3-hexyl-immidazolium iodide) and LiI of 0.1 M may be made of an electrolytic solution of the - and I 3 which was dissolved in acetonitrile to I 2 (iodine) in 40 mM in acetonitrile / ballet (acetonitril / valeronitril) mixed solution - / I.

상기 반도체 전극(102)에서, 상기 제1 전도성 기판(110)과 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)과의 사이에 상기 제1 전도성 기판(110)의 상면을 덮는 상기 전자 재결합 차단층(112)이 형성되어 있으므로, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)의 공극(114b)을 통해 상기 제1 전도성 기판(110)에 인접한 영역까지 유입되어 있는 전해질층(106)의 전해질 용액이 상기 제1 전도성 기판(110)에 접촉되는 것을 상기 전자 재결합 차단층(112)에 의해 방지할 수 있다. In the semiconductor electrode 102, the electron recombination blocking layer 112 covering the top surface of the first conductive substrate 110 between the first conductive substrate 110 and the porous metal oxide semiconductor layer 114. Is formed, the electrolyte solution of the electrolyte layer 106 flowing into the region adjacent to the first conductive substrate 110 through the pores 114b of the porous metal oxide semiconductor layer 114 is the first conductive substrate. Contact with 110 may be prevented by the electron recombination blocking layer 112.

다음에, 도 1에 예시된 본 발명에 따른 염료감응 태양전지(100)에서의 예시적인 작동 과정을 설명하면 다음과 같다. Next, an exemplary operation process in the dye-sensitized solar cell 100 according to the present invention illustrated in FIG. 1 will be described.

외부로부터 반도체 전극(102)의 투명한 제1 전도성 기판(110)을 투과한 태양 빛이 상기 반도체 전극(102)의 다공성 금속 산화물 반도체층(114)의 금속 산화물 입자(114a)의 표면에 흡착되어 있는 염료분자층(116)의 염료에 의해 흡수된다. 이 때, 상기 전자 재결합 차단층(112)의 상면에 각각 흡착되어 있는 염료분자층(116)에서도 빛이 흡수될 수 있다. 빛을 흡수한 상기 염료분자층(116)의 각 염료 분자들은 여기되어 전자를 다공성 금속 산화물 반도체층(114)의 전도대로 주입하게 된다. 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)으로 주입된 전자는 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114) 내의 입자간 계면을 통해 상기 전자 재결합 차단층(112) 및 제1 전도성 기판(110)에 전달되고, 외부 전선(미도시)을 통하여 전기적 작업을 수행한 후 상대 전극(104)으로 이동된다. 상기 상대 전극(104)에 도달된 전자는 제2 전도성 기판(160) 및 도전층(170)을 통과하여, 상기 전해질층(106)에 있는 요오드계 전해질의 산화 환원 작용 (3I- → I3 - + 2e-)에 의하여 다공성 금속 산화물 반도체층(114)에 전자가 주입된다. 상기 반도체 전극(102)에서 전자 전이의 결과로 산화된 염료분자층(116)에 있는 각 염료 분자들은 상기 전해질층(106)에서의 산화 환원 작용에 의해 제공되는 전자를 받아 다시 환원되며, 산화된 요오드 이온(I3 -)은 상대 전극(104)에 도달한 전자에 의해 다시 환원되어 염료감응 태양전지(100)의 작동 과정이 완성된다. 이 과정에 있어서, 상기 반도체 전극(102)에서 상기 제1 전도성 기판(110)과 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)과의 사이에 상기 전자 재결합 차단층(112)이 형성되어 있으므로, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)의 공극(114b)을 통해 상기 제1 전도성 기판(110)에 인접한 영역까지 유입되어 있는 전해질층(106)의 전해질 용액이 상기 제1 전도성 기판(110)에 접촉되는 것이 상기 전자 재결합 차단층(112)에 의해 방지되어, 상기 제1 전도성 기판(110) 표면에서의 전자 손실이 차단됨으로써 에너지 변환 효율이 향상될 수 있다. Solar light transmitted from the outside through the transparent first conductive substrate 110 of the semiconductor electrode 102 is adsorbed on the surface of the metal oxide particles 114a of the porous metal oxide semiconductor layer 114 of the semiconductor electrode 102. It is absorbed by the dye of the dye molecule layer 116. At this time, light may be absorbed from the dye molecule layer 116 which is respectively adsorbed on the upper surface of the electron recombination blocking layer 112. Each dye molecule in the dye molecule layer 116 that absorbs light is excited to inject electrons into the conduction band of the porous metal oxide semiconductor layer 114. Electrons injected into the porous metal oxide semiconductor layer 114 are transferred to the electron recombination blocking layer 112 and the first conductive substrate 110 through an interparticle interface in the porous metal oxide semiconductor layer 114, and externally. After performing an electrical operation through a wire (not shown) is moved to the counter electrode (104). Oxidation-reduction action of the iodine-based electrolyte in by the electronic reaches the counter electrode 104 through the second conductive substrate 160 and conductive layer 170, the electrolyte layer (106) (3I - → I 3 - Electrons are injected into the porous metal oxide semiconductor layer 114 by + 2e − ). Each dye molecule in the dye molecule layer 116 oxidized as a result of the electron transition in the semiconductor electrode 102 is reduced again by receiving electrons provided by the redox action in the electrolyte layer 106. Iodine ions I 3 - are reduced again by the electrons reaching the counter electrode 104 to complete the operation of the dye-sensitized solar cell 100. In this process, since the electron recombination blocking layer 112 is formed between the first conductive substrate 110 and the porous metal oxide semiconductor layer 114 in the semiconductor electrode 102, the porous metal The electrolyte solution of the electrolyte layer 106 flowing into the region adjacent to the first conductive substrate 110 through the pores 114b of the oxide semiconductor layer 114 is in contact with the first conductive substrate 110. It is prevented by the electron recombination blocking layer 112, the electron loss on the surface of the first conductive substrate 110 is blocked, thereby improving energy conversion efficiency.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제1 실시에에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다. 3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a dye-sensitized solar cell according to a first embodiment of the present invention, according to a process sequence.

도 3a 내지 도 3d에 예시된 실시예에 있어서, 도 1 및 도 2에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타낸다. 따라서, 본 예에서는 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다. In the embodiment illustrated in Figs. 3A to 3D, the same reference numerals as in Figs. 1 and 2 denote the same members. Therefore, detailed description thereof is omitted in this example.

도 3a를 참조하면, 제1 전도성 기판(110) 위에 약 5 Å ∼ 1000 nm의 두께를 가지는 금속층(111)을 형성한다. Referring to FIG. 3A, a metal layer 111 having a thickness of about 5 μm to 1000 nm is formed on the first conductive substrate 110.

예를 들면, 상기 금속층(111)을 형성하기 위하여, 예를 들면 열증착 (thermal evaporation), e-빔 증착 (e-beam evaporation), 전착 (electrodeposition), 금속 페이스트 증착, 또는 플라즈마 방식을 이용한 증착 공정을 이용할 수 있다. For example, to form the metal layer 111, for example, thermal evaporation, e-beam evaporation, electrodeposition, metal paste deposition, or plasma deposition. The process can be used.

상기 금속층(111)은 산화되었을 때 반도체를 형성하는 금속으로 이루어진다. 예를 들면, 상기 금속층(111)은 Ti, Zn, Cr, W 또는 Nb로 이루어질 수 있다. The metal layer 111 is formed of a metal that forms a semiconductor when oxidized. For example, the metal layer 111 may be made of Ti, Zn, Cr, W, or Nb.

도시하지는 않았으나, 상기 금속층(111)이 형성된 후, 상기 금속층(111)의 상면에서 원하는 표면적을 확보하기 위하여 황산, 암모니아수 및 과산화수소수의 혼합물, 불산 등과 같은 식각액을 이용하여 상기 금속층(111)의 표면을 식각하여 표면 거칠기를 변화시키거나 평탄화시키는 공정을 행할 수 있다. Although not shown, after the metal layer 111 is formed, in order to secure a desired surface area on the upper surface of the metal layer 111, a surface of the metal layer 111 is used by using an etchant such as a mixture of sulfuric acid, aqueous ammonia and hydrogen peroxide, and hydrofluoric acid. May be etched to change or planarize the surface roughness.

도 3b를 참조하면, 상기 금속층(111)을 열처리(130)에 의해 산화시켜 전자 재결합 차단층(112)을 형성한다. 상기 열처리(130)는 예를 들면 약 400 ∼ 600 ℃의 온도 및 대기 분위기하에서 약 20 ∼ 60 분 동안 행할 수 있다. 상기 열처리(130)는 산소 함유 분위기하에서 행하거나 대기중에서 행할 수 있다. 또는, 상기 열처리(130)는 무산소 분위기하에서 행해질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층(111)이 Ti로 이루어진 경우, 상기 금속층(111)을 산화시키지 않아도 상기 전자 재결합 차단층(112)을 구성할 수 있다. 따라서, 상기 전자 재결합 차단층(112)을 형성하기 위하여 상기 금속층(111)을 구성하는 금속의 종류에 따라 상기 열처리(130)를 생략할 수도 있고, 상기 열처리(130)를 무산소 분위기하에서 행할 수도 있다. Referring to FIG. 3B, the metal layer 111 is oxidized by the heat treatment 130 to form the electron recombination blocking layer 112. The heat treatment 130 may be performed for about 20 to 60 minutes at, for example, a temperature of about 400 to 600 ° C. and an air atmosphere. The heat treatment 130 may be performed in an oxygen-containing atmosphere or in the atmosphere. Alternatively, the heat treatment 130 may be performed in an oxygen free atmosphere. For example, when the metal layer 111 is made of Ti, the electron recombination blocking layer 112 may be configured without oxidizing the metal layer 111. Accordingly, in order to form the electron recombination blocking layer 112, the heat treatment 130 may be omitted or the heat treatment 130 may be performed under an oxygen-free atmosphere, depending on the type of metal constituting the metal layer 111. .

상기 열처리(130)에 의해 금속 산화물로 이루어지는 전자 재결합 차단층(112)이 형성되는 경우, 상기 전자 재결합 차단층(112)은 예를 들면 Ti 산화물, Zn 산화물, Cr 산화물, W 산화물, Nb 산화물 등과 같은 금속 산화물 반도체층으로 이루어질 수 있다. When the electron recombination blocking layer 112 made of a metal oxide is formed by the heat treatment 130, the electron recombination blocking layer 112 may be formed of, for example, Ti oxide, Zn oxide, Cr oxide, W oxide, Nb oxide, or the like. It may be made of the same metal oxide semiconductor layer.

산화되지 않은 금속으로 이루어지는 전자 재결합 차단층(112)이 형성되는 경우, 상기 전자 재결합 차단층(112)은 예를 들면 Ti로 이루어질 수 있다. When the electron recombination blocking layer 112 formed of an unoxidized metal is formed, the electron recombination blocking layer 112 may be formed of Ti, for example.

도 3c를 참조하면, 상기 전자 재결합 차단층(112) 위에 약 5 ∼ 15 ㎛의 두께를 가지는 다공성 금속 산화물 반도체층(114)을 형성한다. Referring to FIG. 3C, a porous metal oxide semiconductor layer 114 having a thickness of about 5 to 15 μm is formed on the electron recombination blocking layer 112.

상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 및 산화아연(ZnO)으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다. The porous metal oxide semiconductor layer 114 may be made of any one material selected from the group consisting of titanium dioxide (TiO 2 ), tin dioxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO).

상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)이 이산화티탄(TiO2)으로 이루어지는 경우, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)을 형성하기 위한 예시적인 방법에서는 먼저 이산화티탄 입자들 및 고분자 바인더(binder)가 유기 용액 내에 분산되어 있는 이산화티탄 코팅층을 상기 제1 전도성 기판(110) 위에 형성할 수 있다. 상기 이산화티탄 입자들은 약 15 ∼ 30 nm의 입경을 가지는 나노입자들로 이루어질 수 있다. 상기 고분자 바인더는 예를 들면 에틸 셀룰로오스와 테르피네올(terpineol)로 이루어질 수 있다. 상기 이산화티탄 코팅층을 370 ∼ 550 ℃의 범위 내에서 선택되는 온도로 열처리하여 상기 이산화티탄 코팅층으로부터 유기물을 제거하여 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)을 형성한다. 상기 열처리는 산소 함유 분위기, 대기중, 또는 무산소 분위기하에서 행해질 수 있다. 도 3b를 참조하여 설명한 열처리(130) 과정을 생략한 경우, 상기 금속층(111)을 구성하는 금속의 종류와 상기 이산화티탄 코팅층으로부터 유기물을 제거하기 위한 열처리 온도에 따라 상기 이산화티탄 코팅층으로부터 유기물을 제거하기 위한 열처리중에 상기 금속층(111)이 산화될 수도 있다. 이에 대한 보다 상세한 사항은 도 4a 및 도 4b를 참조하여 후술한다. When the porous metal oxide semiconductor layer 114 is made of titanium dioxide (TiO 2 ), in the exemplary method for forming the porous metal oxide semiconductor layer 114, the titanium dioxide particles and the polymer binder are first organic. The titanium dioxide coating layer dispersed in the solution may be formed on the first conductive substrate 110. The titanium dioxide particles may be composed of nanoparticles having a particle diameter of about 15 to 30 nm. The polymer binder may be made of, for example, ethyl cellulose and terpineol. The titanium dioxide coating layer is heat-treated at a temperature selected within the range of 370 to 550 ° C. to remove organic materials from the titanium dioxide coating layer to form the porous metal oxide semiconductor layer 114. The heat treatment may be performed in an oxygen containing atmosphere, in the atmosphere, or in an oxygen free atmosphere. When the heat treatment process 130 described above is omitted, the organic material is removed from the titanium dioxide coating layer according to the type of metal constituting the metal layer 111 and the heat treatment temperature for removing the organic material from the titanium dioxide coating layer. The metal layer 111 may be oxidized during heat treatment. More details on this will be described later with reference to FIGS. 4A and 4B.

도 3d를 참조하면, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)이 형성된 결과물의 온도를 약 100 ∼ 140 ℃의 온도까지 낮춘 후, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)을 구성하는 복수의 금속 산화물 입자(114a)의 표면 및 상기 전자 재결합 차단층(112)의 표면에 염료 분자를 흡착시켜 염료 분자층(116)을 형성한다. 이 때, 상기 전자 재결합 차단층(112)은 금속 또는 금속 산화물로 이루어지는 매우 치밀한 구조를 가지므로 상기 전자 재결합 차단층(112)의 상면중 상기 복수의 금속 산화물 입자(114a) 사이에서 노출되는 표면에만 상기 염료분자층(116)이 형성된다. Referring to FIG. 3D, after lowering the temperature of the resultant in which the porous metal oxide semiconductor layer 114 is formed to a temperature of about 100 to 140 ° C., a plurality of metal oxide particles constituting the porous metal oxide semiconductor layer 114 ( The dye molecule layer 116 is formed by adsorbing dye molecules on the surface of 114a) and the surface of the electron recombination blocking layer 112. In this case, since the electron recombination blocking layer 112 has a very dense structure made of a metal or a metal oxide, only the surface exposed between the plurality of metal oxide particles 114a on the upper surface of the electron recombination blocking layer 112. The dye molecule layer 116 is formed.

상기 염료분자층(116)을 형성하기 전에 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)이 형성된 결과물의 온도를 약 100 ∼ 140 ℃의 비교적 높은 온도까지만 낮추는 이유는 상기 전자 재결합 차단층(112)의 표면 및 상기 다공성 금속 산화물 반 도체층(114)의 표면이 물로 오염되지 않도록 하기 위한 것이다. 물의 존재를 최대한 억제하는 조건 하에서 상기 염료분자층(116) 형성 공정을 행함으로써 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)을 구성하는 금속 산화물의 결정성을 향상시킬 수 있으며, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)을 구성하는 나노 입자들간의 접촉 특성이 좋아져서 전자들의 이동이 원활하게 이루어질 수 있다. The reason for lowering the temperature of the resultant material in which the porous metal oxide semiconductor layer 114 is formed to only a relatively high temperature of about 100 to 140 ° C. before forming the dye molecule layer 116 is based on the surface of the electron recombination blocking layer 112 and The surface of the porous metal oxide semiconductor layer 114 is intended to prevent contamination with water. By performing the process of forming the dye molecule layer 116 under the condition of suppressing the presence of water as much as possible, the crystallinity of the metal oxide constituting the porous metal oxide semiconductor layer 114 may be improved, and the porous metal oxide semiconductor layer ( The contact characteristics between the nanoparticles constituting the 114 is improved, and thus the electrons can be smoothly moved.

상기 염료분자층(116)이 형성된 후, 제2 전도성 기판(160)과 상기 제2 전도성 기판(160) 위에 형성된 도전층(170)으로 이루어지는 상대 전극(104)을 준비한다. 그리고, 상기 제1 전도성 기판(110)과 제2 전도성 기판(160)과의 사이에 격벽(108)이 재개된 상태에서 상기 반도체 전극(102)과 상기 상대 전극(104)이 소정 공간을 사이에 두고 상호 대향하도록 상기 제1 전도성 기판(110)과 제2 전도성 기판(160)을 정렬한다. 그 후, 상기 반도체 전극(102)과 상대 전극(104)과의 사이의 소정 공간에 액체 전해질을 주입하여 전해질층(106)을 형성하여 도 1에 예시된 바와 같은 염료감응 태양전지(100)를 완성한다. After the dye molecule layer 116 is formed, the counter electrode 104 including the second conductive substrate 160 and the conductive layer 170 formed on the second conductive substrate 160 is prepared. The semiconductor electrode 102 and the counter electrode 104 intersect a predetermined space between the first conductive substrate 110 and the second conductive substrate 160 in a state where the partition 108 is resumed. The first conductive substrate 110 and the second conductive substrate 160 are aligned to face each other. Thereafter, a liquid electrolyte is injected into a predetermined space between the semiconductor electrode 102 and the counter electrode 104 to form an electrolyte layer 106 to form a dye-sensitized solar cell 100 as illustrated in FIG. Complete

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제2 실시에에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다. 4A and 4B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a dye-sensitized solar cell according to a second embodiment of the present invention, according to a process sequence.

도 4a 및 도 4b에서 예시하는 실시예에 있어서, 도 1, 도 2, 및 도 3a 내지 도 3d에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타낸다. 따라서, 본 예에서는 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다. In the embodiment illustrated in Figs. 4A and 4B, the same reference numerals as in Figs. 1, 2, and 3A to 3D denote the same members. Therefore, detailed description thereof is omitted in this example.

도 4a를 참조하면, 도 3a를 참조하여 설명한 바와 같은 방법으로 제1 전도성 기판(110) 위에 금속층(111)을 형성한다. 그 후, 도 3c를 참조하여 설명한 바와 같 은 방법으로 상기 금속층(111) 위에 다공성 금속 산화물 반도체층(114)을 형성한다. Referring to FIG. 4A, the metal layer 111 is formed on the first conductive substrate 110 by the method described with reference to FIG. 3A. Thereafter, the porous metal oxide semiconductor layer 114 is formed on the metal layer 111 in the same manner as described with reference to FIG. 3C.

도 4b를 참조하면, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)이 형성된 결과물을 열처리(430)하여 상기 금속층(111)을 산화시켜 금속 산화물로 이루어지는 전자 재결합 차단층(412)을 형성한다. 여기서, 상기 열처리(430)는 산소 함유 분위기 또는 대기중에서 행해진다. Referring to FIG. 4B, the resultant in which the porous metal oxide semiconductor layer 114 is formed is heat-treated 430 to oxidize the metal layer 111 to form an electron recombination blocking layer 412 made of metal oxide. Here, the heat treatment 430 is performed in an oxygen-containing atmosphere or in the atmosphere.

상기 전자 재결합 차단층(412)을 형성하기 위한 열처리(430) 공정은 도 3c를 참조하여 설명한 바와 같은 이산화티탄 코팅층으로부터 유기물을 제거하기 위한 열처리 공정과 동시에 이루어질 수도 있다. 즉, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114)을 형성하는 과정에서 이산화티탄 코팅층으로부터 유기물을 제거하기 위한 열처리 공정을 이용하여 상기 금속층(11)을 산화시킬 수 있다. The heat treatment 430 process for forming the electron recombination blocking layer 412 may be performed simultaneously with the heat treatment process for removing organic matter from the titanium dioxide coating layer as described with reference to FIG. 3C. That is, in the process of forming the porous metal oxide semiconductor layer 114, the metal layer 11 may be oxidized by using a heat treatment process for removing organic matter from the titanium dioxide coating layer.

상기 다공성 금속 산화물 반도체층(114) 및 전자 재결합 차단층(412)이 형성된 후, 도 3d를 참조하여 설명한 바와 같은 과정을 통해 도 1에 예시된 바와 같은 염료감응 태양전지(100)를 완성한다. After the porous metal oxide semiconductor layer 114 and the electron recombination blocking layer 412 are formed, the dye-sensitized solar cell 100 as illustrated in FIG. 1 is completed through the process as described with reference to FIG. 3D.

도 5a는 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 반도체 전극을 형성하기 위하여 제1 전도성 기판(110)으로 사용될 FTO 기판의 표면을 보여주는 SEM (scanning electron microscopy) 이미지이다. 5A is a scanning electron microscopy (SEM) image showing the surface of an FTO substrate to be used as the first conductive substrate 110 to form a semiconductor electrode of a dye-sensitized solar cell according to the present invention.

도 5b는 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 반도체 전극을 형성하기 위하여 제1 전도성 기판(110)으로 사용될 FTO 기판 위에 Ti막을 형성한 후 산화시켜 얻어진 Ti 산화막의 표면을 보여주는 SEM 이미지이다. 5B is a SEM image showing the surface of the Ti oxide film obtained by forming a Ti film on the FTO substrate to be used as the first conductive substrate 110 and then oxidizing the semiconductor electrode of the dye-sensitized solar cell according to the present invention.

상기 Ti 산화막을 형성하기 위하여, 먼저 도 5a의 FTO 기판 위에 Ti를 1 × 10-6 토르(torr)의 압력하에서 0.1 Å/sec의 증착 속도로 증착하여 약 20 nm의 Ti막을 형성한 후, 산소 분위기하에서 500 ℃의 온도로 30 분 동안 열처리하였다. In order to form the Ti oxide film, first, Ti was deposited on the FTO substrate of FIG. 5A at a deposition rate of 0.1 kW / sec at a pressure of 1 × 10 −6 torr to form a Ti film of about 20 nm, followed by oxygen Heat treatment was carried out for 30 minutes at a temperature of 500 ℃ in the atmosphere.

도 5b에서 확인할 수 있는 바와 같이, FTO 기판상에 Ti 산화막이 균일한 두께로 치밀하게 형성되어 있다. 상기 Ti 산화막을 전자 재결합 차단층으로 사용하여 본 발명에 따른 염료감응 태양전지를 형성함으로써, 종래의 염료감응 태양전지에서의 주된 전자 손실 경로인 산화/환원 전해질과 반도체 전극의 제1 전도성 기판 사이의 전자 손실 경로가 상기 전자 재결합 차단층에 의해 차단될 수 있다. As can be seen in FIG. 5B, the Ti oxide film is densely formed in a uniform thickness on the FTO substrate. By forming the dye-sensitized solar cell according to the present invention by using the Ti oxide film as an electron recombination blocking layer, the oxidation / reduction electrolyte, which is the main electron loss path in the conventional dye-sensitized solar cell, and the first conductive substrate of the semiconductor electrode An electron loss path can be blocked by the electron recombination blocking layer.

도 6은 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 전류 전압 특성을 평가한 결과를 대조예의 결과와 함께 나타낸 그래프이다. Figure 6 is a graph showing the results of evaluating the current voltage characteristics of the dye-sensitized solar cell according to the present invention with the results of the control example.

본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 전류 전압 특성을 평가하기 위하여, FTO 기판 위에 20 nm 두께의 Ti층을 형성한 후, 이를 산화시켜 Ti 산화막으로 이루어지는 전자 재결합 차단층을 형성하였다. 그 후, 상기 Ti 산화막 위에 TiO2 페이스트를 바르고 열처리하여 약 12 마이크론(micron) 두께의 다공성 금속 산화물 반도체층을 형성하고, 여기에 염료 분자를 흡착시킨 후, 이를 반도체 전극으로 하는 염료감응 태양전지를 완성하였다. 여기서, 상대 전극에는 Pt로 이루어지는 도전층을 형성하였다. In order to evaluate the current voltage characteristics of the dye-sensitized solar cell according to the present invention, a 20 nm thick Ti layer was formed on the FTO substrate, and then oxidized to form an electron recombination blocking layer made of a Ti oxide film. Subsequently, a TiO 2 paste is applied on the Ti oxide layer, followed by heat treatment to form a porous metal oxide semiconductor layer having a thickness of about 12 microns. Completed. Here, a conductive layer made of Pt was formed on the counter electrode.

대조예의 염료감응 태양전지는 상기 Ti 산화막을 형성하지 않고 FTO 기판상의 바로 위에 TiO2 페이스트를 바르고 열처리하여 다공성 금속 산화물 반도체층을 형성한 것을 제외하고, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 제조 공정과 동일한 공정으로 제조되었다. The dye-sensitized solar cell of Comparative Example is a process for producing a dye-sensitized solar cell according to the present invention, except that a TiO 2 paste is directly applied on the FTO substrate without heat treatment to form a porous metal oxide semiconductor layer. Made in the same process.

도 6의 그래프에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 경우, 전자 재결합 차단층을 포함함으로써 광전류가 증가되어 효율이 향상된 것을 확인할 수 있다. As can be seen in the graph of Figure 6, in the case of the dye-sensitized solar cell according to the present invention, by including an electron recombination blocking layer it can be seen that the light current is increased to improve the efficiency.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다. In the above, the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and changes by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention. This is possible.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 요부 구성을 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing the main configuration of the dye-sensitized solar cell according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 염료감응 태양전지에 포함된 반도체 전극의 일부를 도시한 확대 단면도이다. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a part of a semiconductor electrode included in a dye-sensitized solar cell according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제1 실시에에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다. 3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a dye-sensitized solar cell according to a first embodiment of the present invention, according to a process sequence.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제2 실시에에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다. 4A and 4B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a dye-sensitized solar cell according to a second embodiment of the present invention, according to a process sequence.

도 5a는 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 반도체 전극을 구성하는 제1 전도성 기판의 표면을 보여주는 SEM (scanning electron microscopy) 이미지이다. 5A is a scanning electron microscopy (SEM) image showing the surface of a first conductive substrate constituting the semiconductor electrode of the dye-sensitized solar cell according to the present invention.

도 5b는 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 반도체 전극을 구성하는 제1 전도성 기판 위에 Ti막을 형성한 후 산화시켜 얻어진 Ti 산화막의 표면을 보여주는 SEM 이미지이다. FIG. 5B is a SEM image showing the surface of the Ti oxide film obtained by forming and oxidizing a Ti film on the first conductive substrate constituting the semiconductor electrode of the dye-sensitized solar cell according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 전류 전압 특성을 평가한 결과를 대조예의 결과와 함께 나타낸 그래프이다. Figure 6 is a graph showing the results of evaluating the current voltage characteristics of the dye-sensitized solar cell according to the present invention with the results of the control example.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 염료감응 태양전지, 102: 반도체 전극, 104: 상대 전극, 106: 전해질층, 108: 격벽, 110: 제1 전도성 기판, 111: 금속층, 112: 전자 재결합 차단층, 114: 다공성 금속 산화물 반도체층, 114a: 금속 산화물 입자, 114b: 공극, 116: 염료분자층, 130: 열처리, 160: 제2 전도성 기판, 170: 도전층, 412: 전자 재결합 차단층, 430: 열처리. 100: dye-sensitized solar cell, 102: semiconductor electrode, 104: counter electrode, 106: electrolyte layer, 108: partition, 110: first conductive substrate, 111: metal layer, 112: electron recombination blocking layer, 114: porous metal oxide semiconductor Layer, 114a: metal oxide particles, 114b: voids, 116: dye molecule layer, 130: heat treatment, 160: second conductive substrate, 170: conductive layer, 412: electron recombination blocking layer, 430: heat treatment.

Claims (20)

반도체 전극과, 상대 전극과, 상기 반도체 전극과 상대 전극과의 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함하고, A semiconductor electrode, a counter electrode, and an electrolyte layer interposed between the semiconductor electrode and the counter electrode, 상기 반도체 전극은 The semiconductor electrode 제1 전도성 기판과, A first conductive substrate, 상기 전해질층과 상기 제1 전도성 기판과의 사이에서 상기 제1 전도성 기판의 표면이 상기 전해질층에 노출되지 않도록 상기 제1 전도성 기판을 완전히 덮고 있는 금속 산화물로 이루어지는 전자 재결합 차단층과, An electron recombination blocking layer made of a metal oxide completely covering the first conductive substrate such that the surface of the first conductive substrate is not exposed to the electrolyte layer between the electrolyte layer and the first conductive substrate; 상기 금속 산화물과 접촉하도록 상기 전자 재결합 차단층 위에 형성되어 있는 다공성 금속 산화물 반도체층과, A porous metal oxide semiconductor layer formed on the electron recombination blocking layer in contact with the metal oxide; 상기 다공성 금속 산화물 반도체층의 표면과 상기 전자 재결합 차단층의 표면에 각각 흡착되어 있는 염료분자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. Dye-sensitized solar cell comprising a dye molecule layer is respectively adsorbed on the surface of the porous metal oxide semiconductor layer and the surface of the electron recombination blocking layer. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전자 재결합 차단층은 Ti 산화물, Zn 산화물, Cr 산화물, W 산화물, 또는 Nb 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.The electron recombination blocking layer is a dye-sensitized solar cell, characterized in that consisting of Ti oxide, Zn oxide, Cr oxide, W oxide, or Nb oxide. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전자 재결합 차단층은 5 Å ∼ 1000 nm의 두께를 가지는 것를 특징으로 하는 염료감응 태양전지. The electron recombination blocking layer is a dye-sensitized solar cell, characterized in that having a thickness of 5 ~ 1000nm. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 또는 산화아연(ZnO)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. The porous metal oxide semiconductor layer is a dye-sensitized solar cell, characterized in that made of titanium dioxide (TiO 2 ), tin dioxide (SnO 2 ), or zinc oxide (ZnO). 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 전도성 기판은 도전층이 코팅된 투명 기판, 도전성 고분자, 또는 금속 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. The first conductive substrate is a dye-sensitized solar cell, characterized in that consisting of a transparent substrate coated with a conductive layer, a conductive polymer, or a metal substrate. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 상대 전극은 제2 전도성 기판과, 상기 제2 전도성 기판 위에 형성된 제1 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. The counter electrode comprises a second conductive substrate and a first conductive layer formed on the second conductive substrate. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제2 전도성 기판은 제2 도전층이 코팅된 투명 기판, 도전성 고분자, 또는 금속 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. The second conductive substrate is a dye-sensitized solar cell, characterized in that consisting of a transparent substrate, a conductive polymer, or a metal substrate coated with a second conductive layer. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제1 도전층은 Pt 또는 탄소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. The first conductive layer is a dye-sensitized solar cell, characterized in that made of Pt or carbon. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전해질층은 요오드계 산화-환원 액체 전해질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. The electrolyte layer is a dye-sensitized solar cell, characterized in that consisting of iodine-based redox liquid electrolyte. 제1 전도성 기판 위에 상기 제1 전도성 기판의 상면을 완전히 덮는 금속 산화물로 이루어지는 전자 재결합 차단층을 형성하는 단계와, Forming an electron recombination blocking layer made of a metal oxide completely covering the top surface of the first conductive substrate on the first conductive substrate; 상기 금속 산화물과 접촉하는 다공성 금속 산화물 반도체층을 상기 전자 재결합 차단층 위에 형성하는 단계와, Forming a porous metal oxide semiconductor layer in contact with the metal oxide on the electron recombination blocking layer; 상기 다공성 금속 산화물층의 표면과 상기 전자 재결합 차단층의 표면에 각각 염료분자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법. And forming a dye molecule layer on the surface of the porous metal oxide layer and the surface of the electron recombination blocking layer, respectively. 제11항에 있어서, The method of claim 11, 상기 전자 재결합 차단층은 Ti 산화물, Zn 산화물, Cr 산화물, W 산화물, 또는 Nb 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법. The electron recombination blocking layer is made of Ti oxide, Zn oxide, Cr oxide, W oxide, or Nb oxide manufacturing method of a dye-sensitized solar cell, characterized in that. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제11항에 있어서, The method of claim 11, 제2 전도성 기판 위에 도전층을 형성하여 상대 전극을 형성하는 단계와, Forming a counter electrode by forming a conductive layer on the second conductive substrate, 상기 제1 전도성 기판상의 상기 염료 분자층과 상기 제2 전도성 기판상의 도 전층이 상호 대향하도록 상기 제1 전도성 기판 및 제2 전도성 기판을 정렬하는 단계와, Aligning the first conductive substrate and the second conductive substrate such that the dye molecular layer on the first conductive substrate and the conductive layer on the second conductive substrate face each other; 상기 제1 전도성 기판과 상기 제2 전도성 기판상과의 사이에 액체 전해질을 주입하여 전해질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법. Injecting a liquid electrolyte between the first conductive substrate and the second conductive substrate to form an electrolyte layer further comprising the step of manufacturing a dye-sensitized solar cell.
KR1020070084469A 2007-08-22 2007-08-22 Dye-Sensitized Solar Cell Including Electron Recombination Blocking Layer and Manufacturing Method Thereof KR100908243B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070084469A KR100908243B1 (en) 2007-08-22 2007-08-22 Dye-Sensitized Solar Cell Including Electron Recombination Blocking Layer and Manufacturing Method Thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070084469A KR100908243B1 (en) 2007-08-22 2007-08-22 Dye-Sensitized Solar Cell Including Electron Recombination Blocking Layer and Manufacturing Method Thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090020058A KR20090020058A (en) 2009-02-26
KR100908243B1 true KR100908243B1 (en) 2009-07-20

Family

ID=40687581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070084469A KR100908243B1 (en) 2007-08-22 2007-08-22 Dye-Sensitized Solar Cell Including Electron Recombination Blocking Layer and Manufacturing Method Thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100908243B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101325403B1 (en) * 2012-03-21 2013-11-04 현대하이스코 주식회사 Dye-sensitized solar cells using metal substrate with excellent effect of preventing electron recombination and method for manufacturing the same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012102526A2 (en) * 2011-01-24 2012-08-02 주식회사 동진쎄미켐 Fine particle-type blocking layer for dye-sensitized solar cell, and preparation method thereof
KR101490806B1 (en) * 2013-01-29 2015-02-06 포항공과대학교 산학협력단 Dye-sensitized solar cells and manufacturing methods thereof
SE540184C2 (en) * 2016-07-29 2018-04-24 Exeger Operations Ab A light absorbing layer and a photovoltaic device including a light absorbing layer
KR20190081906A (en) * 2017-12-29 2019-07-09 주식회사 동진쎄미켐 Buffer layer for dye sensitized photovoltaic cell and dye sensitized photovoltaic cell having the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040064306A (en) * 2001-12-21 2004-07-16 소니 인터내셔널(유로파) 게엠베하 A polymer gel hybrid solar cell
JP2006073488A (en) 2004-09-06 2006-03-16 Erekuseru Kk Dye-sensitized solar cell and manufacturing method thereof
JP2007048594A (en) * 2005-08-10 2007-02-22 Enplas Corp Dye sensitized-solar cell, its photoelectrode substrate, and manufacturing method of its photoelectrode substrate
JP2007073346A (en) 2005-09-07 2007-03-22 Yokohama Rubber Co Ltd:The Dye-sensitized solar cell

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040064306A (en) * 2001-12-21 2004-07-16 소니 인터내셔널(유로파) 게엠베하 A polymer gel hybrid solar cell
JP2006073488A (en) 2004-09-06 2006-03-16 Erekuseru Kk Dye-sensitized solar cell and manufacturing method thereof
JP2007048594A (en) * 2005-08-10 2007-02-22 Enplas Corp Dye sensitized-solar cell, its photoelectrode substrate, and manufacturing method of its photoelectrode substrate
JP2007073346A (en) 2005-09-07 2007-03-22 Yokohama Rubber Co Ltd:The Dye-sensitized solar cell

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101325403B1 (en) * 2012-03-21 2013-11-04 현대하이스코 주식회사 Dye-sensitized solar cells using metal substrate with excellent effect of preventing electron recombination and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090020058A (en) 2009-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tang et al. A microporous platinum counter electrode used in dye-sensitized solar cells
KR100947371B1 (en) Dye-sensitized solar cells using wide wavelength range absorption nanostructure and method for preparing the same
JP5150818B2 (en) Dye-sensitized solar cell and method for producing the same
KR100825731B1 (en) Die-sensitized solar cells and method for manufacturing the same
Xia et al. Importance of blocking layers at conducting glass/TiO2 interfaces in dye-sensitized ionic-liquid solar cells
JP2015119102A (en) Hybrid solar cell
JP2004146425A (en) Electrode substrate, photoelectric converter, and dye-sensitized solar cell
CN102754273A (en) Dye-sensitized solar cell and method for manufacturing the same
KR100964182B1 (en) Dye-sensitized solar cells and method of manufacturing the same
KR100932901B1 (en) Dye-Sensitized Solar Cell and Manufacturing Method Thereof
JP5550540B2 (en) Dye-sensitized solar cell module and manufacturing method thereof
KR20090038631A (en) Dye sensitized solar cell and method of fabricating the same
KR20090065175A (en) Dye-sensitized solar cells and method of manufacturing the same
KR100908243B1 (en) Dye-Sensitized Solar Cell Including Electron Recombination Blocking Layer and Manufacturing Method Thereof
US20110174368A1 (en) Composite electrolyte and the preparation method thereof, and dye-sensitized solar cell using the same
Jang et al. Improved electrochemical performance of dye-sensitized solar cell via surface modifications of the working electrode by electrodeposition
JP2005109033A (en) Photosensitive solar cell and its manufacturing method
KR20080052082A (en) Dye-sensitized solar cells having electron recombination protection layer and method for manufacturing the same
US8110740B2 (en) Photoelectrode substrate of dye sensitizing solar cell, and method for producing same
KR101140784B1 (en) Preparation method of dye-sensitized solar cell module including scattering layers
JP4836473B2 (en) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND PHOTOVOLTAIC POWER
KR20090052696A (en) Dye-sensitized solar cells having substrate including p-n junction diode
JP2009009936A (en) Photoelectric conversion device
JP4892186B2 (en) Dye-sensitized solar cell and dye-sensitized solar cell module
JP2006073488A (en) Dye-sensitized solar cell and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee