KR100906965B1 - Thin film transistor substrate - Google Patents

Thin film transistor substrate Download PDF

Info

Publication number
KR100906965B1
KR100906965B1 KR1020020087013A KR20020087013A KR100906965B1 KR 100906965 B1 KR100906965 B1 KR 100906965B1 KR 1020020087013 A KR1020020087013 A KR 1020020087013A KR 20020087013 A KR20020087013 A KR 20020087013A KR 100906965 B1 KR100906965 B1 KR 100906965B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
substrate
thin film
film transistor
liquid crystal
Prior art date
Application number
KR1020020087013A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20040061209A (en
Inventor
나형돈
윤영남
박문기
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020020087013A priority Critical patent/KR100906965B1/en
Publication of KR20040061209A publication Critical patent/KR20040061209A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100906965B1 publication Critical patent/KR100906965B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
    • G02F1/136281—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon having a transmissive semiconductor substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

광 이용 효율을 향상시킬 수 있는 박막 트랜지스터 기판을 개시한다. 투과 영역과 반사 영역이 구비된 박막 트랜지스터 기판의 저면에 금속으로 이루어지고, 투과 영역에 대응하는 투과창을 갖는 반사막을 형성한다. 이로써, 반사막을 통하여 박막 트랜지스터 기판의 하측으로부터 제공되는 광을 가이드하여 투과창으로 집광함으로써 광 이용 효율을 향상시킬 수 있다.

Figure R1020020087013

A thin film transistor substrate capable of improving light utilization efficiency is disclosed. A reflective film made of a metal and having a transmission window corresponding to the transmission region is formed on the bottom of the thin film transistor substrate provided with the transmission region and the reflection region. Thereby, the light utilization efficiency can be improved by guiding light provided from the lower side of the thin film transistor substrate through the reflective film and condensing it into the transmission window.

Figure R1020020087013

Description

박막 트랜지스터 기판{THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE}Thin Film Transistor Boards {THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 액정표시패널의 저면도이다.FIG. 2 is a bottom view of the liquid crystal display panel shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 액정표시장치의 작용 원리를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining the principle of operation of the liquid crystal display shown in FIG.

도 4a 내지 도 4e는 도 1에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.4A to 4E are diagrams for describing a method of manufacturing the thin film transistor substrate illustrated in FIG. 1.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5에 도시된 제2 집광수단을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a view for explaining the second light collecting means shown in FIG. 5.

도 7은 도 5에 도시된 A 영역의 확대도이다.FIG. 7 is an enlarged view of region A illustrated in FIG. 5.

도 8은 도 5에 도시된 액정표시장치의 작용 원리를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining the principle of operation of the liquid crystal display shown in FIG.

도 9a 내지 도 9e는 도 5에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.9A to 9E are diagrams for describing a method of manufacturing the thin film transistor substrate illustrated in FIG. 5.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 액정표시장치 200 : 백라이트 어셈블리100: liquid crystal display 200: backlight assembly

300 : 액정표시패널 400 : 박막 트랜지스터 기판300: liquid crystal display panel 400: thin film transistor substrate

455 : 제1 투과창 460 : 제1 집광수단455: first transmission window 460: first condensing means

465 : 제2 집광수단 470 : 제1 반사막 465: second light collecting means 470: first reflective film                 

471 : 제2 투과창 475 : 집광용 절연막471: second transmission window 475: light insulating film

476 : 제3 투과창 480 : 제1 보호막476: third transmission window 480: first protective film

485 : 제2 반사막 495 : 제2 보호막485: second reflective film 495: second protective film

본 발명은 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 이용 효율을 향상시킬 수 있는 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor substrate, and more particularly, to a thin film transistor substrate capable of improving light utilization efficiency.

일반적으로 액정표시장치는 사용하는 광원에 따라 투과형(transmission type)과 반사형(reflection type)으로 나눌 수 있으며, 투과형 액정표시장치는 내부에 구비된 광발생 수단으로부터 인위적인 내부광을 제공받아 영상을 표시하며, 반사형 액정표시장치는 외부광을 제공받아 영상을 표시한다.In general, a liquid crystal display device may be classified into a transmission type and a reflection type according to a light source used, and a liquid crystal display device displays an image by receiving artificial internal light from a light generating means provided therein. The reflective liquid crystal display receives an external light and displays an image.

상기 반사형 액정표시장치는 소비 전력이 적다는 장점을 가지고 있으며, 상기 투과형 액정표시장치는 외부광이 없는 곳에서도 영상을 표시할 수 있는 장점을 갖는다.The reflective liquid crystal display device has an advantage of low power consumption, and the transmissive liquid crystal display device has an advantage of displaying an image even in the absence of external light.

따라서, 상기 반사형 및 투과형 액정표시장치의 장점을 모두 갖춘 반사-투과형 액정 표시 장치가 제안되었다.Accordingly, a reflection-transmissive liquid crystal display device having both the advantages of the reflective and transmissive liquid crystal display devices has been proposed.

일반적인 반사-투과형 액정표시장치는 크게 광을 제공하는 백라이트 어셈블리, 상기 백라이트 어셈블리로부터 광을 제공받아 영상을 표시하는 액정표시패널을 포함한다. A general reflection-transmissive liquid crystal display device includes a backlight assembly that provides light largely and a liquid crystal display panel that receives light from the backlight assembly and displays an image.                         

상기 백라이트 어셈블리는 광을 발생시키기 위한 램프, 상기 램프로부터 발생된 광을 상기 액정표시패널로 가이드하기 위한 도광판 및 상기 도광판으로부터 출사된 광을 상기 액정표시패널 측으로 반사시키는 반사판을 포함하여 이루어진다.The backlight assembly may include a lamp for generating light, a light guide plate for guiding light generated from the lamp to the liquid crystal display panel, and a reflecting plate for reflecting light emitted from the light guide plate toward the liquid crystal display panel.

한편, 상기 액정표시패널은 박막 트랜지스터가 매트릭스 형태로 형성된 박막 트랜지스터 기판, 상기 박막 트랜지스터 기판과 대향하고 R, G, B 색화소가 구비된 컬러 필터 기판 및 이들 사이에 봉입된 액정층을 포함한다.The liquid crystal display panel includes a thin film transistor substrate having thin film transistors formed in a matrix, a color filter substrate facing R, G, and B pixels, and a liquid crystal layer enclosed therebetween.

여기서, 상기 박막 트랜지스터는 복수개의 게이트 라인 및 데이터 라인으로부터 분기된 전극들로 이루어진다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 내부광을 투과시키기 위한 투과 전극 및 상기 투과전극의 일부 영역을 노출시키며 상기 외부광을 반사시키기 위한 반사 전극과 전기적으로 연결되어 있다.The thin film transistor may include electrodes branched from a plurality of gate lines and data lines. In addition, the thin film transistor is electrically connected to a transmissive electrode for transmitting the internal light and a reflective electrode for reflecting the external light while exposing a portion of the transmissive electrode.

이와 같은 액정표시장치에 있어서, 상기 백라이트 어셈블리로부터 제공되는 상기 내부광은 상기 액정표시패널로 입사된다. 그러나, 상기 박막 트랜지스터 기판에는 금속으로 이루어진 복수개의 게이트 라인, 데이터 라인 및 반사 전극이 구비되어 있어, 상기 내부광이 상기 게이트 라인, 데이터 라인 및 반사 전극에 때문에 상기 액정표시패널을 투과하지 못하고 차광되어 광 손실이 발생한다.In such a liquid crystal display device, the internal light provided from the backlight assembly is incident on the liquid crystal display panel. However, the thin film transistor substrate is provided with a plurality of gate lines, data lines, and reflective electrodes made of metal, and thus the internal light is blocked by the gate lines, data lines, and reflective electrodes so as not to pass through the liquid crystal display panel. Light loss occurs.

따라서, 본 발명의 목적은 광 이용 효율을 향상시키기 위한 박막 트랜지스터 기판을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a thin film transistor substrate for improving light utilization efficiency.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 액정표시장치 는, 기판; 상기 기판의 상면에 형성된 스위칭 소자; 상기 스위칭 소자를 덮도록 상기 기판 상에 형성된 제1 절연막; 상기 제1 절연막 상에 구비되어 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되는 투과 전극; 상기 투과 전극 상에 구비되어 반사영역을 정의하고, 상기 투과 전극을 노출시켜 투과영역을 정의하는 제1 투과창이 형성된 반사 전극; 및 상기 기판의 하면에 형성되고, 상기 제1 투과창에 대응하는 제2 투과창이 형성되어, 소정의 광원으로부터 발생된 광을 집광하여 상기 제2 투과창을 통해 출사시키는 집광부재를 포함하여 이루어진다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a substrate; A switching element formed on an upper surface of the substrate; A first insulating film formed on the substrate to cover the switching element; A transmissive electrode provided on the first insulating film and electrically connected to the switching element; A reflective electrode provided on the transmissive electrode to define a reflective region and exposing the transmissive electrode to form a first transmissive window; And a light collecting member formed on a lower surface of the substrate and having a second transmission window corresponding to the first transmission window to collect light generated from a predetermined light source and output the light through the second transmission window.

이러한 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 상기 박막 트랜지스터 기판의 하측으로 제공되는 광을 상기 집광부재를 이용하여 상기 제2 투과창으로 집광시켜 상기 박막 트랜지스터 기판에 제공함으로써 광 이용 효율을 향상시킬 수 있다.According to such a thin film transistor substrate, the light utilization efficiency can be improved by condensing the light provided to the lower side of the thin film transistor substrate to the second transmission window using the light collecting member.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in more detail the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 액정표시패널의 저면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a reflection-transmissive liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a bottom view of the liquid crystal display panel shown in FIG. 1.

도 1과 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치(100)는 크게 백라이트 어셈블리(200) 및 액정표시패널(300)을 포함하여 이루어진다.1 and 2, the reflective-transmissive liquid crystal display 100 according to the exemplary embodiment of the present invention includes a backlight assembly 200 and a liquid crystal display panel 300.

상기 백라이트 어셈블리(200)는 상기 액정표시패널(300)의 하측에 구비되어 상기 액정표시패널(300)에 광을 제공한다. 이를 위하여 상기 백라이트 어셈블리(200)는 광을 발생하는 광원(미도시), 상기 광원으로부터 발생된 광을 입사받아 이를 상기 액정표시패널(300) 측으로 가이드하는 도광판(미도시) 및 상기 도광판으로부터 누설된 광을 상기 액정표시패널 측으로 반사시키는 반사판(미도시)을 포함한다. The backlight assembly 200 is provided below the liquid crystal display panel 300 to provide light to the liquid crystal display panel 300. To this end, the backlight assembly 200 includes a light source (not shown) that generates light, a light guide plate (not shown) that receives light generated from the light source and guides the light generated from the light source to the liquid crystal display panel 300, and leaks from the light guide plate. And a reflector (not shown) for reflecting light toward the liquid crystal display panel.

한편, 상기 액정표시패널(300)은 박막 트랜지스터 기판(400), 컬러 필터 기판(500) 및 이들 사이에 개재된 액정층(600)을 포함하여 이루어진다.The liquid crystal display panel 300 includes a thin film transistor substrate 400, a color filter substrate 500, and a liquid crystal layer 600 interposed therebetween.

상기 박막 트랜지스터 기판(400)은 투명한 제1 기판(410), 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(420), 유기 절연막(430), 화소전극 및 제1 집광수단(460)을 포함한다.The thin film transistor substrate 400 includes a transparent first substrate 410, a thin film transistor 420 that is a switching element, an organic insulating layer 430, a pixel electrode, and a first light collecting means 460.

상기 박막 트랜지스터(420)는 상기 제1 기판(410) 상에 제1 방향을 가지고 형성된 게이트 라인(미도시)으로부터 분기된 게이트 전극(421), 상기 게이트 전극(421)을 보호하기 위하여 제1 기판(410) 전면에 적층된 게이트 절연막(422), 상기 게이트 절연막(422) 상에 구비된 반도체층(423) 그리고 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 가지고 형성된 데이터 라인(미도시)으로부터 분기된 소오스 전극(424) 및 드레인 전극(425)으로 이루어진다.The thin film transistor 420 may include a gate electrode 421 branched from a gate line (not shown) having a first direction on the first substrate 410, and a first substrate to protect the gate electrode 421. 410 branches from the gate insulating layer 422 stacked on the entire surface, the semiconductor layer 423 provided on the gate insulating layer 422, and a data line (not shown) having a second direction perpendicular to the first direction And a source electrode 424 and a drain electrode 425.

상기 박막 트랜지스터(420)가 구비된 상기 제1 기판(410) 상에는 상기 드레인 전극(425)을 노출시키는 콘택홀(435)이 형성된 상기 유기 절연막(430)이 구비되며, 상기 유기 절연막(430)의 상면에는 엠보싱 패턴이 형성되어 있다.The organic insulating layer 430 having a contact hole 435 exposing the drain electrode 425 is provided on the first substrate 410 provided with the thin film transistor 420. An embossed pattern is formed on the upper surface.

한편, 상기 유기 절연막(430) 상에는 상기 콘택홀(435)을 통해 상기 드레인 전극(425)과 전기적으로 연결되는 상기 화소 전극이 구비된다.Meanwhile, the pixel electrode electrically connected to the drain electrode 425 through the contact hole 435 is provided on the organic insulating layer 430.

상기 화소 전극은 상기 백라이트 어셈블리(200)로부터 발생된 내부광을 투과시켜 영상을 표시하기 위한 투과 전극(440)과, 상기 액정표시장치(100)의 외부로부 터 입사되는 외부광을 반사시켜 영상을 표시하는 반사 전극(450)으로 이루어진다.The pixel electrode transmits the internal light generated from the backlight assembly 200 to reflect the transparent electrode 440 to display an image, and reflects external light incident from the outside of the liquid crystal display 100 to the image. It is made of a reflective electrode 450 to display.

여기서, 상기 투과 전극(440)은 투명 도전물질인 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어진다.The transmissive electrode 440 is formed of indium tin oxide or indium zinc oxide, which is a transparent conductive material.

상기 반사 전극(450)은 상기 투과 전극(440) 상에 구비되고, 상기 투과 전극(440)의 일정 영역을 노출시켜 상기 내부광이 투과되도록 하는 제1 투과창(455)이 형성되어 있다.The reflective electrode 450 is provided on the transmission electrode 440, and a first transmission window 455 is formed to expose a predetermined region of the transmission electrode 440 to transmit the internal light.

한편, 상기 제1 기판(410)의 저면에는 상기 제1 집광수단(460)이 구비되어 있다.Meanwhile, the first light collecting means 460 is provided on the bottom of the first substrate 410.

상기 제1 집광수단(460)은 제1 반사막(470)과 상기 제1 반사막(470)을 보호하기 위한 제1 보호막(480)으로 이루어진다.The first light collecting means 460 includes a first reflective film 470 and a first protective film 480 for protecting the first reflective film 470.

상기 제1 반사막(470)은 상기 제1 기판(410)의 저면에 균일한 두께를 갖는 금속막이고, 상기 제1 반사막(470)에는 상기 제1 투과창(455)에 대응하여 상기 제1 기판(410)의 저면을 일정 영역 노출시키는 제2 투과창(471)이 형성되어 있다. The first reflective film 470 is a metal film having a uniform thickness on a bottom surface of the first substrate 410, and the first reflective film 470 corresponds to the first transmission window 455 on the first substrate. A second transmission window 471 is formed to expose the bottom surface of the 410 in a predetermined area.

반면, 상기 컬러 필터 기판(500)은 크게 제2 기판(510), 컬러 필터층(520) 및 공통 전극(530)을 포함한다.On the other hand, the color filter substrate 500 largely includes a second substrate 510, a color filter layer 520, and a common electrode 530.

상기 컬러 필터층(520)은 상기 제2 기판(510) 상에 구비되며, 일정하게 배열된 R, G, B 색화소로 이루어지고, 상기 공통 전극(530)은 상기 박막 트랜지스터 기판(400)의 화소 전극 즉, 상기 투과 및 반사 전극(440, 450)에 대응하도록 상기 컬러 필터층(520) 상에 구비된다.The color filter layer 520 is provided on the second substrate 510, and is made of R, G, and B color pixels that are arranged regularly, and the common electrode 530 is a pixel of the thin film transistor substrate 400. The electrode is provided on the color filter layer 520 to correspond to the transmission and reflection electrodes 440 and 450.

이로써, 상기 액정표시장치(100)는 상기 제1 집광수단(460)을 통하여 상기 백라이트 어셈블리(200)로부터 제공되는 상기 내부광을 집광하여 상기 제2 투과창(471)으로 투과시킴으로써 상기 내부광의 이용 효율을 향상시킬 수 있다.Thus, the liquid crystal display 100 collects the internal light provided from the backlight assembly 200 through the first light collecting means 460 and transmits the internal light to the second transmission window 471 to use the internal light. The efficiency can be improved.

도 3은 도 1에 도시된 액정표시장치의 작용 원리를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining the principle of operation of the liquid crystal display shown in FIG.

도 3을 참조하면, 상기 액정표시장치(100)는 백라이트 어셈블리(200)로부터 제공되는 내부광을 제1 집광수단(460)을 이용하여 상기 액정표시패널(300)로 제공한다.Referring to FIG. 3, the liquid crystal display device 100 provides the internal light provided from the backlight assembly 200 to the liquid crystal display panel 300 using the first light collecting means 460.

이하에서, 상기 백라이트 어셈블리(200)로부터 제공되는 내부광이 상기 액정표시패널(300)로 집광되는 과정을 보다 상세하게 살펴본다.Hereinafter, the process of collecting the internal light provided from the backlight assembly 200 to the liquid crystal display panel 300 will be described in detail.

먼저, 상기 백라이트 어셈블리(200)로부터 소정의 내부광이 제공된다. 상기 내부광은 상기 액정표시패널(300) 측으로 입사된다. 여기서, 제2 투과창(471)으로 직접 입사되는 광을 제1 광(L1)이라 하고, 상기 제2 투과창(471) 이외의 영역 즉, 제1 반사막(470)에 의해 반사되어 입사되는 광을 제2 광(L2)이라 한다.First, predetermined internal light is provided from the backlight assembly 200. The internal light is incident to the liquid crystal display panel 300. Here, the light directly incident on the second transmission window 471 is referred to as the first light L1, and is a region other than the second transmission window 471, that is, light reflected by the first reflective film 470 and incident. Is referred to as the second light L2.

상기 제1 광(L1)은 상기 제2 투과창(471)을 경유하여 상기 액정표시패널(300)로 입사된다. 이후, 상기 제1 광(L1)은 제1 투과창(455)을 통하여 상기 액정표시패널(300)을 투과한다.The first light L1 is incident to the liquid crystal display panel 300 via the second transmission window 471. Thereafter, the first light L1 passes through the liquid crystal display panel 300 through the first transmission window 455.

한편, 상기 제2 광(L2)은 상기 백라이트 어셈블리(200)로부터 출사되어 상기 제1 집광수단(460)으로 입사된다. 상기 제1 집광수단(460)의 제1 반사막(470)은 반사율이 우수한 금속막으로 이루어지기 때문에, 상기 제1 집광수단(460)으로 입사되는 상기 제2 광(L2)은 상기 제1 반사막(470)에 의해 상기 백라이트 어셈블리(200) 측으로 반사된다. Meanwhile, the second light L2 is emitted from the backlight assembly 200 and is incident to the first light collecting means 460. Since the first reflecting film 470 of the first light collecting means 460 is made of a metal film having excellent reflectance, the second light L2 incident to the first light collecting means 460 is the first reflecting film ( 470 is reflected toward the backlight assembly 200.                     

이후, 상기 제2 광(L2)은 상기 백라이트 어셈블리(200)에 구비된 반사수단(미도시)에 의해 반사되어 다시 상기 제1 반사막(470)으로 입사된다.Subsequently, the second light L2 is reflected by the reflecting means (not shown) provided in the backlight assembly 200 and is incident to the first reflecting film 470 again.

이와 같은 반복적인 반사 과정에 의하여 상기 제2 광(L2)은 결국 상기 제2 투과창(471)을 통해 상기 액정표시패널(300)로 입사된다.As a result of the repeated reflection process, the second light L2 is incident to the liquid crystal display panel 300 through the second transmission window 471.

도 4a 내지 도 4e는 도 1에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.4A to 4E are diagrams for describing a method of manufacturing the thin film transistor substrate illustrated in FIG. 1.

먼저 도 4a를 참조하면, 투명한 제1 기판(410) 상에 게이트 라인(미도시) 및 상기 게이트 라인으로부터 분기된 게이트 전극(421)을 형성한다. 이후, 상기 게이트 라인 및 상기 게이트 전극(421)을 덮도록 게이트 절연막(422)을 형성하고, 상기 게이트 전극(421)에 대응하도록 상기 게이트 절연막(422) 상에 반도체층(423)을 형성한다.First, referring to FIG. 4A, a gate line (not shown) and a gate electrode 421 branched from the gate line are formed on the transparent first substrate 410. Thereafter, a gate insulating layer 422 is formed to cover the gate line and the gate electrode 421, and a semiconductor layer 423 is formed on the gate insulating layer 422 to correspond to the gate electrode 421.

상기 반도체층(423)이 형성된 상기 제1 기판(410) 상에 데이터 라인(미도시) 및 상기 데이터 라인으로부터 분기된 소오스(424) 및 드레인 전극(425)을 형성한다. 이로써, 상기 제1 기판(410) 상에 박막 트랜지스터(420)를 완성한다.A data line (not shown), a source 424 and a drain electrode 425 branching from the data line are formed on the first substrate 410 on which the semiconductor layer 423 is formed. Thus, the thin film transistor 420 is completed on the first substrate 410.

도 4b를 참조하면, 상기 박막 트랜지스터(420)가 형성된 상기 제1 기판(410) 전면에 제1 감광성 포토레지스트(photoresist)를 소정 두께로 형성하고, 사진 공정(photolithography)을 통하여 상기 제1 감광성 포토레지스트를 패터닝한다.Referring to FIG. 4B, a first photosensitive photoresist is formed to a predetermined thickness on the entire surface of the first substrate 410 on which the thin film transistor 420 is formed, and the first photosensitive photo is formed through photolithography. Pattern the resist.

이로써, 상기 박막 트랜지스터(420)의 드레인 전극(425)을 일정 영역 노출시키는 콘택홀(435)과 상면에 엠보싱 패턴이 형성된 유기 절연막(430)을 형성한다.As a result, a contact hole 435 exposing a region of the drain electrode 425 of the thin film transistor 420 and an organic insulating layer 430 having an embossed pattern formed thereon are formed.

도 4c를 참조하면, 상기 유기 절연막(430) 상에 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어진 투명 도전물질을 형성한다. 이때, 상기 투명 도전물질은 상기 콘택홀(435)을 통하여 상기 드레인 전극(425)과 전기적으로 연결된다. 이후, 상기 투명 도전물질을 패터닝하여 투과 전극(440)을 형성한다.Referring to FIG. 4C, a transparent conductive material made of indium tin oxide or indium zinc oxide is formed on the organic insulating layer 430. In this case, the transparent conductive material is electrically connected to the drain electrode 425 through the contact hole 435. Thereafter, the transparent conductive material is patterned to form a transmission electrode 440.

도 4d와 도 4e를 참조하면, 상기 투과 전극(440) 상에 반사율이 우수한 은(Ag), 크롬(Cr), 알루미늄(Al)과 같은 금속으로 제1 금속막(450a)을 형성한다. 이후, 상기 제1 기판(410)의 저면에 상기 제1 금속막(450a)과 동일한 물질로 동일한 스퍼터링(sputtering) 공정을 통하여 제2 금속막(472)을 형성한다.4D and 4E, a first metal film 450a is formed on the transmissive electrode 440 with metals such as silver (Ag), chromium (Cr), and aluminum (Al) having excellent reflectance. Thereafter, the second metal layer 472 is formed on the bottom surface of the first substrate 410 through the same sputtering process with the same material as the first metal layer 450a.

여기서, 상기 제1 금속막(450a)과 상기 제2 금속막(472)은 별개의 스퍼터링 공정을 통하여 형성될 수 있을 뿐 아니라, 경우에 따라 양면 스퍼터링 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있다.Here, the first metal film 450a and the second metal film 472 may be formed not only through separate sputtering processes but also simultaneously formed through a double-sided sputtering process.

이후, 상기 제1 금속막(450a)을 패터닝하여 상기 투과 전극(440)을 노출시키는 제1 투과창(455)을 갖는 반사 전극(450)을 형성하고, 상기 제2 금속막(472)을 패터닝하여 상기 제1 투과창(455)에 대응하여 상기 제1 기판(410)의 저면을 일정 영역 노출시키는 제2 투과창(471)을 갖는 제1 반사막(470)을 형성한다.Thereafter, the first metal film 450a is patterned to form a reflective electrode 450 having a first transmission window 455 exposing the transmission electrode 440, and the second metal film 472 is patterned. Accordingly, the first reflective film 470 having the second transmission window 471 exposing the bottom surface of the first substrate 410 by a predetermined area is formed corresponding to the first transmission window 455.

상기 제1 반사막(470)을 형성한 후, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 제1 반사막(470) 상에 제1 보호막(480)을 형성하여 박막 트랜지스터 기판(400)을 완성한다.After forming the first reflective film 470, a first passivation film 480 is formed on the first reflective film 470 to complete the thin film transistor substrate 400 as illustrated in FIG. 1.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치(100)는 크게 백라이트 어셈블리(200)와 액정표시패널(300)을 포함하여 이루어진다. Referring to FIG. 5, the liquid crystal display device 100 according to another exemplary embodiment of the present invention includes the backlight assembly 200 and the liquid crystal display panel 300.                     

상기 백라이트 어셈블리(200)는 상기 액정표시패널(300)의 하측에 구비되어 상기 액정표시패널(300)에 광을 제공하며, 광을 발생하는 광원(미도시), 상기 광을 상기 액정표시패널(300)로 가이드하는 도광판(미도시) 및 상기 도광판으로부터 출사된 광을 상기 액정표시패널(300) 측으로 반사시키는 반사수단(미도시)을 포함한다.The backlight assembly 200 is provided below the liquid crystal display panel 300 to provide light to the liquid crystal display panel 300, and generates a light source (not shown) for generating light, and the light to the liquid crystal display panel ( A light guide plate (not shown) for guiding to 300 and reflecting means (not shown) for reflecting light emitted from the light guide plate toward the liquid crystal display panel 300.

한편, 상기 액정표시패널(300)은 박막 트랜지스터 기판(400), 컬러 필터 기판(500) 및 이들 사이에 개재된 액정층(600)을 포함하여 이루어진다.The liquid crystal display panel 300 includes a thin film transistor substrate 400, a color filter substrate 500, and a liquid crystal layer 600 interposed therebetween.

상기 박막 트랜지스터 기판(400)은 투명한 제1 기판(410), 박막 트랜지스터(420), 유기 절연막(430), 화소 전극 및 제2 집광수단(465)을 포함한다.The thin film transistor substrate 400 includes a transparent first substrate 410, a thin film transistor 420, an organic insulating layer 430, a pixel electrode, and a second light collecting means 465.

상기 박막 트랜지스터(420)는 게이트 전극(421), 소오스 전극(424) 및 드레인 전극(425)을 포함하여 이루어지고, 상기 박막 트랜지스터(420)가 구비된 상기 제1 기판(410) 상에는 상기 드레인 전극(425)의 일부 영역을 노출시키는 콘택홀(435)이 형성된 유기 절연막(430)이 구비된다.The thin film transistor 420 includes a gate electrode 421, a source electrode 424, and a drain electrode 425, and the drain electrode is disposed on the first substrate 410 provided with the thin film transistor 420. An organic insulating layer 430 having a contact hole 435 exposing a portion of the region 425 is provided.

상기 유기 절연막(430) 상에는 투과 전극(440) 및 반사 전극(450)으로 이루어지는 상기 화소 전극이 구비된다. 즉, 상기 유기 절연막(430) 상에 상기 투과 전극(440)이 구비되고, 상기 투과 전극(440) 상에는 상기 투과 전극(440)의 일정 영역을 노출시키는 제1 투과창(455)이 형성된 반사 전극(450)이 구비된다. 상기 투과 전극(440) 및 상기 반사 전극(450)은 상기 콘택홀(435)을 통하여 상기 드레인 전극(425)과 전기적으로 연결된다.The pixel electrode including the transmission electrode 440 and the reflection electrode 450 is provided on the organic insulating layer 430. That is, the transparent electrode 440 is provided on the organic insulating layer 430, and the reflective electrode on which the first transmission window 455 is formed to expose a predetermined region of the transmission electrode 440. 450 is provided. The transmission electrode 440 and the reflection electrode 450 are electrically connected to the drain electrode 425 through the contact hole 435.

한편, 상기 제1 기판(410)의 저면에는 집광용 절연막(475), 제2 반사막(485) 및 상기 제2 반사막(485)을 보호하기 위하여 상기 제2 반사막(485) 상에 구비되는 제2 보호막(495)으로 이루어지는 상기 제2 집광수단(465)이 구비된다.The second surface of the first substrate 410 is provided on the second reflective film 485 to protect the light collecting insulating film 475, the second reflective film 485, and the second reflective film 485. The second light collecting means 465 formed of the protective film 495 is provided.

상기 집광용 절연막(475)에는 소정 높이로 돌출된 반사 패턴이 형성되어 있고, 상기 제2 반사막(485)은 반사율이 우수한 금속막으로 이루어지며 상기 집광용 절연막(475) 상에 형성된 상기 반사 패턴을 덮도록 구비된다.A reflective pattern protruding to a predetermined height is formed on the light collecting insulating layer 475, and the second reflecting film 485 is formed of a metal film having excellent reflectance, and reflects the reflective pattern formed on the light insulating insulating film 475. It is provided to cover.

상기 제2 집광수단(465)에는 상기 제1 투과창(455)에 대응하는 제3 투과창(476)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 제3 투과창(476)은 상기 집광용 절연막(475)과 상기 제2 반사막(485)의 일정 영역이 상기 제1 투과창(455)에 대응하여 제거됨으로써 형성된다.A third transmission window 476 corresponding to the first transmission window 455 is formed in the second light collecting means 465. Here, the third transmission window 476 is formed by removing a predetermined region of the light collecting insulating film 475 and the second reflection film 485 corresponding to the first transmission window 455.

한편, 상기 컬러 필터 기판(500)은 크게 제2 기판(510), 컬러 필터층(520) 및 공통 전극(530)을 포함하여 이루어진다.The color filter substrate 500 includes a second substrate 510, a color filter layer 520, and a common electrode 530.

이로써, 상기 액정표시장치(100)는 상기 제2 집광수단(465)을 통하여 상기 백라이트 어셈블리(200)로부터 제공되는 내부광을 상기 제3 투과창(476) 측으로 집광하여 상기 백라이트 어셈블리(200)로 제공함으로써 상기 내부광의 이용 효율을 향상시킬 수 있다.As a result, the liquid crystal display 100 condenses the internal light provided from the backlight assembly 200 through the second condensing means 465 toward the third transmission window 476 to the backlight assembly 200. By providing it, the utilization efficiency of the said internal light can be improved.

도 6은 도 5에 도시된 제2 집광수단을 설명하기 위한 도면이고, 도 7은 도 5에 도시된 A 영역의 확대도이다.FIG. 6 is a view for explaining the second light collecting means shown in FIG. 5, and FIG. 7 is an enlarged view of region A shown in FIG. 5.

먼저 도 6을 참조하면, 제3 투과창(476)이 형성된 상기 제2 집광수단(465)이 도시되어 있다.First, referring to FIG. 6, the second light collecting means 465 in which the third transmission window 476 is formed is illustrated.

상기 제2 집광수단(465)은 제1 기판(410)의 저면에 소정 높이로 돌출된 반사 패턴(477)을 가지고 구비되며, 상기 제1 기판(410)의 일정 영역을 노출시키는 상기 제3 투광창(476)이 형성되어 있다.The second light collecting means 465 is provided with a reflective pattern 477 protruding at a predetermined height on a bottom surface of the first substrate 410, and the third light projection exposes a predetermined region of the first substrate 410. Window 476 is formed.

상기 제2 집광수단(465)에 형성된 상기 반사 패턴(477)은 상기 제3 투과창(476)을 향하여 구비되는 제1 경사면(477a)과, 상기 제1 경사면(477a)과 접하여 능선을 형성하는 제2 경사면(477b)으로 이루어진다.The reflective pattern 477 formed on the second light collecting means 465 forms a ridge line in contact with the first inclined surface 477a provided toward the third transmission window 476 and the first inclined surface 477a. It consists of the 2nd inclined surface 477b.

상기 제1 경사면(477a)은 상기 제3 투과창(476)을 향하도록 구비된다. 즉, 상기 제1 경사면(477a)이 상기 제3 투과창(476)의 가장자리를 따라 구비된다. 따라서, 제3 투과창이 도 6에 도시된 형상을 갖지 않고 다른 형상을 갖더라도, 상기 제1 경사면(477a)은 상기 제3 투과창의 가장자리를 따라 구비되어 상기 제3 투과창을 향한다.The first inclined surface 477a is provided to face the third transmission window 476. That is, the first inclined surface 477a is provided along the edge of the third transmission window 476. Therefore, even if the third transmission window does not have the shape shown in FIG. 6 but has another shape, the first inclined surface 477a is provided along the edge of the third transmission window to face the third transmission window.

또한, 상기 제2 집광수단(465)에는 광을 집광하기 위하여 제1 경사면(477a)과 제2 경사면(477b)으로 이루어지는 반사 패턴(477)이 형성되어 있으나, 상기 반사 패턴(477) 이외에도 상기 제1 기판(410)의 저면에 오목부 및 볼록부로 이루어지며, 상기 볼록부의 주된 반사면이 상기 제3 투과창(476)을 향하도록 상기 볼록부의 피크(peak)가 상기 제3 투과창의 반대편 측으로 치우진 이방성 엠보싱 패턴을 형성할 수 있다.In addition, the second light collecting means 465 is formed with a reflective pattern 477 including a first inclined surface 477a and a second inclined surface 477b to condense light, but in addition to the reflective pattern 477 The bottom surface of the substrate 410 is formed with a concave portion and a convex portion, and the peak of the convex portion is set toward the opposite side of the third transmission window so that the main reflective surface of the convex portion faces the third transmission window 476. A true anisotropic embossing pattern can be formed.

도 7을 참조하면, 상기 반사 패턴(477)의 상기 제1 경사면(477a)은 상기 제1 기판(410)의 저면과 제1 각(θ1)을 이루고, 상기 제2 경사면(477b)은 상기 제1 기판(410)의 저면과 제2 각(θ2)을 이룬다. 여기서, 상기 제1 각(θ1)은 상기 제1 기판(410)의 저면과 상기 제1 경사면(477a)이 이루는 평균 경사각이고, 상기 제2 각( θ2)은 상기 제1 기판(410)의 저면과 상기 제2 경사면(477b)이 이루는 평균 경사각이다.Referring to FIG. 7, the first inclined surface 477a of the reflective pattern 477 forms a first angle θ1 with a bottom surface of the first substrate 410, and the second inclined surface 477b is formed of the first inclined surface 477b. A first angle θ2 is formed with the bottom surface of the first substrate 410. Here, the first angle θ1 is an average inclination angle formed by the bottom surface of the first substrate 410 and the first inclined surface 477a, and the second angle θ2 is a bottom surface of the first substrate 410. And the second inclined surface 477b.

상기 제1 경사면(477a)은 상기 제2 경사면(477b) 보다 작은 기울기를 갖는다. 즉, 상기 제1 각(θ1)이 상기 제2 각(θ2)보다 작도록 상기 제1 경사면(477a)과 상기 제2 경사면(477b)이 구비된다.The first inclined surface 477a has a smaller slope than the second inclined surface 477b. That is, the first inclined surface 477a and the second inclined surface 477b are provided such that the first angle θ1 is smaller than the second angle θ2.

따라서, 제1 경사면(477a)이 상기 제3 투과창(476)을 향하여 완만하게 기울어지고, 상기 제2 경사면(477b)은 상기 제1 기판(410)의 저면과 거의 수직을 이루도록 형성된다.Accordingly, the first inclined surface 477a is gently inclined toward the third transmission window 476, and the second inclined surface 477b is formed to be substantially perpendicular to the bottom surface of the first substrate 410.

이로써, 상기 백라이트 어셈블리(200)로부터 소정의 광이 제공되는 경우 상기 제2 집광수단(465), 특히 제1 경사면(477a)을 통하여 상기 광을 상기 제3 투과창(476)으로 집광시킬 수 있다.Thus, when a predetermined light is provided from the backlight assembly 200, the light may be focused on the third transmission window 476 through the second light collecting means 465, particularly, the first inclined surface 477a. .

도 8은 도 5에 도시된 액정표시장치의 작용 원리를 설명하기 위한 도면이다. 8 is a view for explaining the principle of operation of the liquid crystal display shown in FIG.

도 8을 참조하면, 백라이트 어셈블리(200)로부터 소정의 광이 제공된다. 상기 광은 상기 액정표시패널(300) 측으로 입사되며, 제3 투과창(476)을 통하여 상기 액정표시패널(300)에 직접 입사되는 광을 제3 광(L3)이라 하고, 상기 제2 투과창(476) 이외의 영역 즉, 상기 제2 집광수단(465)으로 입사되는 광을 제4 광(L4)이라 한다.Referring to FIG. 8, predetermined light is provided from the backlight assembly 200. The light is incident on the liquid crystal display panel 300, and the light directly incident on the liquid crystal display panel 300 through the third transmission window 476 is called third light L3, and the second transmission window A region other than 476, that is, light incident on the second light collecting means 465 is called fourth light L4.

상기 제3 광(L3)은 상기 제3 투과창(476)을 경유하여 상기 액정표시패널(300)로 입사되며, 상기 제1 투과창(455)을 통하여 상기 액정표시패널(300)을 투과한다. The third light L3 is incident to the liquid crystal display panel 300 via the third transmission window 476, and passes through the liquid crystal display panel 300 through the first transmission window 455. .                     

한편, 상기 제4 광(L4)은 상기 백라이트 어셈블리(200)로부터 출사되어 상기 제2 집광수단(465)으로 입사된다. 상기 제2 집광수단(465)에는 반사율이 우수한 금속막으로 이루어진 제2 반사막(485)이 구비되어 있으며, 상기 백라이트 어셈블리(200)로부터 상기 제2 집광수단(465)으로 입사되는 광을 반사시킨다.Meanwhile, the fourth light L4 is emitted from the backlight assembly 200 and is incident to the second light collecting means 465. The second light collecting means 465 is provided with a second reflecting film 485 made of a metal film having excellent reflectance, and reflects light incident from the backlight assembly 200 to the second light collecting means 465.

상기 제2 집광수단(465)은 상기 제3 투과창(476)을 향하는 제1 경사면(477a)과, 상기 제1 경사면(477a)과 접하는 제2 경사면(477b)이 구비되어 있다.The second light collecting means 465 is provided with a first inclined surface 477a facing the third transmission window 476 and a second inclined surface 477b in contact with the first inclined surface 477a.

상기 제1 경사면(477a)과 상기 제2 경사면(477b)은 도 7을 참조하여 살펴본 바와 같이 상기 제1 경사면(477a)은 상기 제3 투과창(476)을 향하여 완만한 경사를 가지는 반면 상기 제2 경사면(477b)은 제1 기판(410)의 저면에 대해 거의 수직을 이루고 있다. As described above with reference to FIG. 7, the first inclined surface 477a and the second inclined surface 477a have a gentle inclination toward the third transmission window 476 while the first inclined surface 477a and the second inclined surface 477a are formed. The two inclined surfaces 477b are substantially perpendicular to the bottom surface of the first substrate 410.

따라서, 상기 백라이트 어셈블리(200)로부터 상기 제4 광(L4)이 출사되는 경우, 상기 제4 광(L4)의 대부분은 상기 제1 경사면(477a)에 입사되고, 상기 제1 경사면(477a)에 입사된 상기 제4 광(L4)은 상기 백라이트 어셈블리(200) 측으로 반사된다.Therefore, when the fourth light L4 is emitted from the backlight assembly 200, most of the fourth light L4 is incident on the first inclined surface 477a and is incident on the first inclined surface 477a. The incident fourth light L4 is reflected toward the backlight assembly 200.

상기 백라이트 어셈블리(200)에는 반사수단(미도시)이 구비되어 있으며, 상기 반사수단에 의하여 상기 제4 광(L4)은 상기 제2 집광수단(465) 또는 상기 액정표시패널(300) 측으로 입사된다. Reflecting means (not shown) is provided in the backlight assembly 200, and the fourth light L4 is incident to the second light collecting means 465 or the liquid crystal display panel 300 by the reflecting means. .

이와 같은 반복적인 반사 과정에 의하여 상기 제4 광(L4)은 결국 상기 제3 투과창(476)을 통해 상기 액정표시패널(300)로 입사되며, 상기 제1 투과창(455)을 경유하여 상기 액정표시패널(300)을 투과한다. As a result of the repetitive reflection process, the fourth light L4 is incident to the liquid crystal display panel 300 through the third transmission window 476 and passes through the first transmission window 455. The liquid crystal display panel 300 penetrates through the liquid crystal display panel 300.                     

도 9a 내지 도 9e는 도 5에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.9A to 9E are diagrams for describing a method of manufacturing the thin film transistor substrate illustrated in FIG. 5.

먼저 도 9a를 참조하면, 투명한 제1 기판(410) 상에 박막 트랜지스터(420)를 형성한다. 상기 박막 트랜지스터(420)를 형성하는 방법은 도 4a를 참조하여 살펴본 바와 동일하므로 이하에서 설명을 생략한다. 상기 박막 트랜지스터(420)가 형성된 상기 제1 기판(410) 상에 제1 감광성 포토레지스트(436)를 형성하고, 상기 제1 기판(410)의 저면에 제2 감광성 포토레지스트(478)를 형성한다. First, referring to FIG. 9A, a thin film transistor 420 is formed on a transparent first substrate 410. Since the method of forming the thin film transistor 420 is the same as described with reference to FIG. 4A, a description thereof will be omitted below. A first photosensitive photoresist 436 is formed on the first substrate 410 on which the thin film transistor 420 is formed, and a second photosensitive photoresist 478 is formed on the bottom surface of the first substrate 410. .

도 9b를 참조하면, 상기 제1 감광성 포토레지스트(436)를 패터닝하여 상기 박막 트랜지스터(420)의 드레인 전극(425)을 노출시키는 콘택홀(435)과 상면에 엠보싱 패턴이 형성된 유기 절연막(430)을 형성하고, 상기 제2 감광성 포토레지스트(478)를 패터닝하여 제3 투과창(476) 및 반사 패턴이 형성된 집광용 절연막(475)을 형성한다.Referring to FIG. 9B, the first photosensitive photoresist 436 may be patterned to expose the drain electrode 425 of the thin film transistor 420, and an organic insulating layer 430 having an embossed pattern formed on the upper surface thereof. The second photosensitive photoresist 478 is patterned to form a light collecting insulating layer 475 having a third transmission window 476 and a reflection pattern formed thereon.

상기 제3 투과창(476)은 상기 집광용 절연막(475)의 소정 영역이 제거되어 상기 제1 기판(410)의 일정 영역을 노출시킨다.The third transmission window 476 removes a predetermined region of the light collecting insulating layer 475 to expose a predetermined region of the first substrate 410.

여기서, 상기 제1 감광성 포토레지스트(436)와 상기 제2 감광성 포토레지스트(478)는 각각 별개의 노광 공정을 거치나, 현상 공정은 현상액을 이용하여 동시에 진행한다.In this case, the first photosensitive photoresist 436 and the second photosensitive photoresist 478 respectively undergo a separate exposure process, but the developing process proceeds simultaneously using a developer.

도 9c를 참조하면, 상기 유기 절연막(430) 상에 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어진 투명 도전물질을 형성하고 이를 패터닝하여 투과 전극(440)을 형성한다. 상기 투과 전극(440) 은 상기 콘택홀(435)을 통하여 상기 드레인 전극(425)과 전기적으로 연결된다.Referring to FIG. 9C, a transparent conductive material made of indium tin oxide or indium zinc oxide is formed on the organic insulating layer 430, and then patterned to form a transparent electrode 440. . The transmission electrode 440 is electrically connected to the drain electrode 425 through the contact hole 435.

도 9d를 참조하면, 상기 투과 전극(440) 상에 반사율이 우수한 은(Ag), 크롬(Cr), 알루미늄(Al)과 같은 금속으로 제1 금속막(450a)을 형성한다. 이후, 상기 제1 기판(410)의 저면에 상기 제1 금속막(450a)과 동일한 물질로 동일한 스퍼터링(sputtering) 공정을 통하여 제3 금속막(486)을 형성한다.Referring to FIG. 9D, the first metal film 450a is formed of a metal such as silver (Ag), chromium (Cr), and aluminum (Al) having excellent reflectance on the transmission electrode 440. Thereafter, a third metal layer 486 is formed on the bottom surface of the first substrate 410 through the same sputtering process with the same material as the first metal layer 450a.

여기서, 상기 제1 금속막(450a)과 상기 제3 금속막(486)은 별개의 공정을 통하여 형성되나, 경우에 따라 양면 스퍼터링(sputtering) 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있다.Here, the first metal film 450a and the third metal film 486 are formed through separate processes, but may be simultaneously formed through a double-sided sputtering process in some cases.

이후, 도 9e를 참조하면, 상기 제1 금속막(450a)을 패터닝하여 상기 투과 전극(440)을 노출시키는 제1 투과창(455)을 갖는 반사 전극(450)을 형성하고, 상기 제3 금속막(486)을 패터닝하여 상기 제3 투과창(476) 영역이 오픈된 제2 반사막(485)을 형성한다.Subsequently, referring to FIG. 9E, the first metal film 450a is patterned to form a reflective electrode 450 having a first transmission window 455 exposing the transmission electrode 440, and the third metal. The film 486 is patterned to form a second reflective film 485 in which the third transmission window 476 is open.

상기 제2 반사막(485)을 형성한 후, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 제2 반사막(485) 상에 제2 보호막(495)을 형성하여 박막 트랜지스터 기판(400)을 완성한다.After forming the second reflective film 485, a second passivation film 495 is formed on the second reflective film 485 to complete the thin film transistor substrate 400 as shown in FIG. 5.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 반사 영역과 투과 영역이 구비된 액정표시패널과, 상기 액정표시패널의 하측에 상기 액정표시패널에 광을 공급하는 백라이트 어셈블리를 구비한다. As described above, according to the present invention, there is provided a liquid crystal display panel having a reflection area and a transmission area, and a backlight assembly for supplying light to the liquid crystal display panel under the liquid crystal display panel.

상기 액정표시패널의 하측, 즉 박막 트랜지스터 기판의 저면에 금속막으로 이루어지고, 사기 투과 영역에 대응하는 투과창이 형성된 집광수단을 구비한다. And a light collecting means formed of a metal film on a lower side of the liquid crystal display panel, that is, a bottom surface of the thin film transistor substrate, and having a transmission window corresponding to a fraudulent transmission region.                     

이로써, 상기 백라이트 어셈블리로부터 상기 액정표시패널 측으로 입사되는 광을 상기 집광수단을 이용하여 집광하여 상기 액정표시패널의 투과 영역에 공급함으로써 광 이용 효율을 향상시킬 수 있다.As a result, the light utilization efficiency may be improved by condensing the light incident from the backlight assembly toward the liquid crystal display panel using the light collecting means and supplying the light to the transmission region of the liquid crystal display panel.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand.

Claims (6)

기판;Board; 상기 기판의 상면에 형성된 스위칭 소자;A switching element formed on an upper surface of the substrate; 상기 스위칭 소자를 덮도록 상기 기판 상에 형성된 제1 절연막;A first insulating film formed on the substrate to cover the switching element; 상기 제1 절연막 상에 구비되어 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되는 투과 전극;A transmissive electrode provided on the first insulating film and electrically connected to the switching element; 상기 투과 전극 상에 구비되어 반사영역을 정의하고, 상기 투과 전극을 노출시켜 투과영역을 정의하는 제1 투과창이 형성된 반사 전극; 및A reflective electrode provided on the transmissive electrode to define a reflective region and exposing the transmissive electrode to form a first transmissive window; And 상기 기판의 하부에 형성되고, 상기 제1 투과창에 대응하는 제2 투과창이 형성되어, 소정의 광원으로부터 발생된 광을 집광하여 상기 제2 투과창을 통해 출사시키는 집광부재를 포함하는 박막 트랜지스터 기판.A thin film transistor substrate formed under the substrate, the second transmission window corresponding to the first transmission window being formed to collect light generated from a predetermined light source and exit through the second transmission window; . 제1항에 있어서, 상기 집광부재는 금속막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.The thin film transistor substrate of claim 1, wherein the light collecting member comprises a metal film. 제2항에 있어서, 상기 금속막은 상기 반사 전극과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.The thin film transistor substrate of claim 2, wherein the metal film is made of the same material as the reflective electrode. 제1항에 있어서, 상기 집광부재는 제2 절연막 및 상기 제2 절연막 상에 적층 된 금속막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.The thin film transistor substrate of claim 1, wherein the light collecting member comprises a second insulating film and a metal film stacked on the second insulating film. 제4항에 있어서, 상기 제2 절연막은 상기 제1 절연막과 동일한 물질로 이루어지고, 상기 금속막은 상기 반사 전극과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.The thin film transistor substrate of claim 4, wherein the second insulating film is made of the same material as the first insulating film, and the metal film is made of the same material as the reflective electrode. 제4항에 있어서, 상기 제2 절연막에는 상기 광을 상기 제2 투과창 측으로 가이드하기 위하여 상기 기판과 접하는 면의 반대편 면으로부터 돌출된 반사 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.The thin film transistor substrate of claim 4, wherein the second insulating layer has a reflective pattern protruding from a surface opposite to a surface in contact with the substrate to guide the light toward the second transmission window.
KR1020020087013A 2002-12-30 2002-12-30 Thin film transistor substrate KR100906965B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020087013A KR100906965B1 (en) 2002-12-30 2002-12-30 Thin film transistor substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020087013A KR100906965B1 (en) 2002-12-30 2002-12-30 Thin film transistor substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040061209A KR20040061209A (en) 2004-07-07
KR100906965B1 true KR100906965B1 (en) 2009-07-08

Family

ID=37352769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020087013A KR100906965B1 (en) 2002-12-30 2002-12-30 Thin film transistor substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100906965B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010025955A (en) * 1999-09-02 2001-04-06 윤종용 TFT LCD of merged reflection- transmission type
KR20010087658A (en) * 2000-03-08 2001-09-21 윤종용 A reflective-transmissive complex type TFT LCD and A Method of forming it

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010025955A (en) * 1999-09-02 2001-04-06 윤종용 TFT LCD of merged reflection- transmission type
KR20010087658A (en) * 2000-03-08 2001-09-21 윤종용 A reflective-transmissive complex type TFT LCD and A Method of forming it

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040061209A (en) 2004-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8294855B2 (en) Method of fabricating a liquid crystal display device
US8072565B2 (en) Transflective liquid crystal display device
US8264778B2 (en) Display substrate, method of manufacturing the same and electrowetting display panel having the display substrate
US7423712B2 (en) Transflective type liquid crystal display fabrication method with first half-tone mask for selectively removing insulating interlayer/transparent conductive layer and second half-tone mask for selectively removing insulating layer for uneven surface
US7817231B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating same
JP2006259745A (en) Transflective liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
US8115893B2 (en) Liquid crystal display device with reflection and transmission regions
US8064024B2 (en) Transflective thin film transistor substrate of liquid crystal display device having a contact electrode connecting a data link to a data line
KR100491258B1 (en) method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same
KR20070042615A (en) Array substrate and method of manufacturing the same
KR100906965B1 (en) Thin film transistor substrate
KR101213823B1 (en) liquid crystal display device and the fabrication method the same
JP4061923B2 (en) Transflective liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR20070037014A (en) Transflective liquid crystal display device and the fabrication method
JP2005300564A (en) Manufacturing method of array substrate for liquid crystal display
KR100641630B1 (en) Transflective liquid crystal display device
KR100796759B1 (en) Semitransparent type liquid crystal display
KR100916021B1 (en) Method of manufacturing array substrate of semitransmission type liquid crystal display
KR101296898B1 (en) Thin Film Transistor Substrate And Method for Fabricating The Same
KR20070002555A (en) An array substrate for trans-flective liquid crystal display device and fabrication method of the same
KR20060123915A (en) Method of manufacturing display substrate and display substrate using the same and display panel having the same
KR100993819B1 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR100989166B1 (en) Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same
KR100883092B1 (en) Reflection-transmission type liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR20040071856A (en) Method of manufacturing thin film transistor substrate and thin film transistor substrate manufactured by the method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee