KR20070037014A - Transflective liquid crystal display device and the fabrication method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치(liquid crystal display device)에 관한 것으로, 특히, 반사모드(reflect mode)와 투과모드(transmit mode)를 선택적으로 사용할 수 있는 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a reflective liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, which can selectively use a reflection mode and a transmission mode.

본 발명은 반사투과형 액정 표시 장치에서 요철 패턴의 절연막 형성시 현상 공정에서 발생되는 불량을 방지하고 포토 마스크 쉬프트 시에 발생되는 불량을 방지할 수 있는 반사투과형 액정 표시 장치를 제공한다.The present invention provides a reflection type liquid crystal display device which can prevent a defect generated in a developing process when forming an insulating film of an uneven pattern in a reflection type liquid crystal display device and prevent a defect generated when a photo mask is shifted.

또한, 본 발명은 하프 톤 마스크를 사용하여 반사부의 요철 패턴과 콘택홀과 투과부 홀을 동시에 형성할 수 있어 마스크 수를 저감할 수도 있다.In addition, the present invention can form the uneven pattern of the reflecting portion, the contact hole and the transmissive portion hole at the same time by using a halftone mask, thereby reducing the number of masks.

반사투과형, 반사부, 투과부, 유기 절연막 패턴 Reflective type, Reflective part, Transmissive part, Organic insulating film pattern

Description

반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법{transflective Liquid Crystal Display device and the fabrication method}Reflective liquid crystal display device and its manufacturing method {transflective Liquid Crystal Display device and the fabrication method}

도 1 은 일반적인 반사투과형 액정표시장치를 도시한 분해 사시도.1 is an exploded perspective view showing a general reflective transmissive liquid crystal display device.

도 2는 일반적인 반사투과형 액정표시장치를 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing a general reflective transmissive liquid crystal display device.

도 3은 종래의 반사투과형 액정 표시 장치의 어레이기판 일부분을 보여주는 단면도.3 is a cross-sectional view illustrating a portion of an array substrate of a conventional reflective transmissive liquid crystal display device;

도 4는 도 3에서 'A'영역을 확대하여 종래 기술의 문제점을 극명하게 보여주는 도면.4 is a view showing the problem of the prior art by expanding the area 'A' in FIG.

도 5는 본 발명에 따른 반사 투과형 어레이기판의 일부를 구체적으로 도시한 확대 평면도.5 is an enlarged plan view specifically showing a part of a reflective transmissive array substrate according to the present invention;

도 6은 도 5에서 도시한 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치용 어레이 기판의 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 절단하여 보여주는 단면도.FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the array substrate for a transflective liquid crystal display device shown in FIG. 5. FIG.

도 7a 내지 도 7g는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 따라 도시한 공정 단면도.7A to 7G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate for a transflective liquid crystal display device according to the present invention;

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawings>

121 : 기판 123 : 게이트 전극 121: substrate 123: gate electrode

125 : 게이트배선 127 : 게이트 패드전극 125: gate wiring 127: gate pad electrode

131 : 액티브층 135 : 소스 전극131 active layer 135 source electrode

137 : 드레인 전극 139 : 데이터배선 137: drain electrode 139: data wiring

141 : 상기 데이터 패드전극 143 : 소스-드레인 금속층 141: the data pad electrode 143: a source-drain metal layer

145 : 보호막 147 : 유기 절연막 145: protective film 147: organic insulating film

147a : 요철형 패턴 147b : 엠보싱 패턴147a: Uneven pattern 147b: Embossed pattern

147c : 유기 절연막 패턴 149 : 반사전극147c an organic insulating film pattern 149 a reflective electrode

161 : 투과 전극 163 : 게이트 패드 단자전극161: transmission electrode 163: gate pad terminal electrode

165 : 데이터 패드 단자전극165: data pad terminal electrode

본 발명은 액정표시장치(liquid crystal display device)에 관한 것으로, 특히, 반사모드(reflect mode)와 투과모드(transmit mode)를 선택적으로 사용할 수 있는 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a reflective liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, which can selectively use a reflection mode and a transmission mode.

일반적으로, 액정표시장치는 백라이트를 광원으로 이용하는 투과형 액정표시장치와, 백라이트를 광원으로 이용하지 않고 자연광 및 인조광을 이용하는 반사형 액정표시장치로 분류할 수 있다.In general, a liquid crystal display device may be classified into a transmissive liquid crystal display device using a backlight as a light source and a reflective liquid crystal display device using natural light and artificial light without using the backlight as a light source.

이때 투과형 액정표시장치는 백라이트를 광원으로 이용하여 어두운 외부환경에서도 밝은 화상을 구현한다. 하지만, 밝은 곳에서는 사용이 불가하고, 전력소모가 크다는 문제점이 있다.In this case, the transmissive liquid crystal display uses a backlight as a light source to realize a bright image even in a dark external environment. However, there is a problem that can not be used in bright places, the power consumption is large.

반면, 반사형 액정표시장치는 백라이트를 사용하지 않기 때문에 소비전력은 줄일 수 있지만 외부 자연광이 어두울 때에는 사용이 불가능하다는 한계가 있다.On the other hand, since the reflective liquid crystal display does not use a backlight, power consumption can be reduced, but there is a limitation that it cannot be used when the external natural light is dark.

이러한 한계들을 극복하기 위한 대안으로서 나온 것이 반사투과형 액정표시장치이다.As an alternative to overcome these limitations, a reflective liquid crystal display device is provided.

이와 같은 반사투과형 액정표시장치는 단위 화소영역내에 반사부와 투과부를 동시에 구비하여 투과형 액정표시장치와 반사형 액정표시장치의 기능을 동시에 지닌 것으로, 백라이트(backlight)의 빛과 외부의 자연광원 또는 인조광원을 모두 이용할 수 있음으로 주변환경에 제약을 받지 않고, 전력소비(power consumption)를 줄일 수 있는 장점이 있다.Such a transflective liquid crystal display device has a function of a transmissive liquid crystal display device and a reflective liquid crystal display device by simultaneously providing a reflection unit and a transmissive unit in a unit pixel area, and includes backlight light and external natural light or artificial light. Since all light sources can be used, there is an advantage in that power consumption is reduced without being restricted by the surrounding environment.

도 1 은 일반적인 반사투과형 컬러액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view illustrating a general reflective transmissive color liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 일반적인 반사투과형 액정표시장치(11)는 블랙매트릭스(16)와 서브 컬러필터(17)상에 투명한 공통전극(13)이 형성된 상부기판(15)과, 화소영역(P)으로 구성되며, 스위칭소자(T)와 어레이배선(25,39)이 형성된 하부기판(21)으로 구성된다.As shown in the drawing, a general reflective transmissive liquid crystal display device 11 includes an upper substrate 15 having a transparent common electrode 13 formed on a black matrix 16 and a sub color filter 17 and a pixel region P. As shown in FIG. And a lower substrate 21 having a switching element T and array wirings 25 and 39 formed thereon.

상기 화소영역은 상기 투과홀(A)을 포함하는 반사전극(도 2의 49)과 투명전극(도 2의 61)을 구성되어 투과부(B)와 반사부(D)로 정의된다.The pixel area includes a reflective electrode (49 in FIG. 2) and a transparent electrode (61 in FIG. 2) including the transmission hole A, and is defined as a transmission part B and a reflection part D.

또한, 상기 상부기판(15)과 하부기판(21) 사이에는 액정(14)이 충진되어 있다.In addition, the liquid crystal 14 is filled between the upper substrate 15 and the lower substrate 21.

도 2는 일반적인 반사투과형 액정표시장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a general reflective transmissive liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 반사투과형 액정표시장치(11)는 공통전극(13)이 형성된 상부기판(15)과, 투과홀(A)을 포함한 반사전극(49)과 투명전극(61)으로 구성된 화소전극이 형성된 하부기판(21)과, 상기 상부기판(15)과 하부기판(21)의 사이에 충진된 액정(14)과, 상기 하부기판(21)의 하부에 위치한 백라이트(41)로 구성된다.As shown, the reflective liquid crystal display 11 includes a pixel electrode including an upper substrate 15 having a common electrode 13 formed thereon, a reflective electrode 49 including a transmission hole A, and a transparent electrode 61. The lower substrate 21 includes a liquid crystal 14 filled between the upper substrate 15 and the lower substrate 21, and a backlight 41 positioned below the lower substrate 21.

이러한 구성을 갖는 반사투과형 액정표시장치(11)를 반사모드(reflective mode)로 사용할 경우에는 빛의 대부분을 외부의 자연광원 또는 인조광원을 사용하게 된다.When the reflective liquid crystal display device 11 having such a configuration is used in a reflective mode, most of the light is used as an external natural light or an artificial light source.

전술한 구성을 참조로 반사모드일 때와 투과모드일 때의 액정표시장치의 동작을 설명한다.The operation of the liquid crystal display device in the reflection mode and the transmission mode will be described with reference to the above-described configuration.

반사모드일 경우, 액정표시장치는 외부의 자연광원 또는 인조광원을 사용하게 되며, 상기 액정표시장치의 상부기판(15)으로 입사된 빛(F2)은 상기 반사전극(49)에 반사되어 상기 반사전극과 상기 공통전극(13)의 전계에 의해 배열된 액정(14)을 통과하게 되고, 상기 액정(14)의 배열에 따라 액정을 통과하는 빛(F2)의 양이 조절되어 이미지(Image)를 구현하게 된다.In the reflective mode, the liquid crystal display uses an external natural or artificial light source, and the light F2 incident on the upper substrate 15 of the liquid crystal display is reflected on the reflective electrode 49 to reflect the reflection. Passes through the liquid crystal 14 arranged by the electric field of the electrode and the common electrode 13, the amount of light (F2) passing through the liquid crystal is adjusted according to the arrangement of the liquid crystal 14 to display the image (Image) Will be implemented.

반대로, 투과모드(Transmission mode)로 동작할 경우에는, 광원을 상기 하부 기판(21)의 하부에 위치한 백라이트(41)의 빛(F1)을 사용하게 된다. 상기 백라이트(41)로부터 출사한 빛은 상기 투명전극(61)을 통해 상기 액정(14)에 입사하게 되며, 상기 투과홀 하부의 투명전극(61)과 상기 공통전극(13)의 전계에 의해 배열된 액정(14)에 의해 상기 하부 백라이트(41)로부터 입사한 빛의 양을 조절하여 이미지를 구현하게 된다.On the contrary, when operating in the transmission mode, the light source uses the light F1 of the backlight 41 positioned under the lower substrate 21. Light emitted from the backlight 41 is incident on the liquid crystal 14 through the transparent electrode 61, and is arranged by an electric field of the transparent electrode 61 and the common electrode 13 below the transmission hole. By adjusting the amount of light incident from the lower backlight 41 by the liquid crystal 14, an image is realized.

도 3은 종래의 반사투과형 액정 표시 장치의 어레이기판 일부분을 보여주는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a portion of an array substrate of a conventional reflective transmissive liquid crystal display device.

종래 반사투과형 액정 표시 장치의 어레이 기판에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막 트랜지스터(T)를 교차하는 게이트 배선(25)과 데이터배선(39)이 형성된다.A thin film transistor T, which is a switching element, is disposed in a matrix type on an array substrate of a conventional reflective transmissive liquid crystal display, and the gate wiring 25 and the data wiring 39 intersecting the plurality of thin film transistors T are provided. Is formed.

상기 게이트 배선(25), 차광 패턴(30)이 형성된 기판(21)의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막(29)을 형성한다.A gate insulating layer 29, which is a first insulating layer, is formed on the entire surface of the substrate 21 on which the gate wiring 25 and the light blocking pattern 30 are formed.

상기 차광 패턴(30)은 상기 데이터 배선(39) 인근 하부에서 빛샘을 방지하는 역할을 하며, 상기 차광 패턴(30)으로 공통 신호가 인가되어 캐패시턴스(capacitance)를 보상하는 역할도 수행할 수 있다.The light blocking pattern 30 may serve to prevent light leakage in the lower portion of the data line 39, and may also serve to compensate for capacitance by applying a common signal to the light blocking pattern 30.

상기 게이트전극(23) 상부의 게이트 절연막(29)상에 아일랜드 형태로 액티브층(31)(active layer)과 오믹 콘택층(33)(ohmic contact layer)을 형성한다.An active layer 31 and an ohmic contact layer 33 are formed on the gate insulating layer 29 on the gate electrode 23 in an island form.

상기 오믹 콘택층(33)은 소스 영역과 드레인 영역으로 분리되어 서로 소정 간격 이격되어 있다.The ohmic contact layer 33 is separated into a source region and a drain region and spaced apart from each other by a predetermined interval.

다음으로, 상기 오믹 콘택층(33)과 접촉하는 소스 전극(35)과 드레인 전극(37)이 형성되어 있으며, 상기 소스 전극(35)은 상기 데이터 배선(39)과 연결되어 있으며, 상기 소스 전극(35)과 드레인 전극(37)은 서로 소정 간격 이격되어 있다.Next, a source electrode 35 and a drain electrode 37 contacting the ohmic contact layer 33 are formed, and the source electrode 35 is connected to the data line 39, and the source electrode The 35 and the drain electrode 37 are spaced apart from each other by a predetermined interval.

상기 데이터 배선(39)이 형성된 기판(21)상에 절연 물질을 증착하여, 제 2 절연막인 보호막(45)을 형성한다.An insulating material is deposited on the substrate 21 on which the data line 39 is formed, thereby forming a passivation layer 45 that is a second insulating layer.

상기 보호막(45)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiO2)을 증착하여 형성된 무기 절연막이다.The passivation layer 45 is an inorganic insulating layer formed by depositing silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2 ).

상기 보호막(45)의 상부에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함한 투명한 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포하여 제 3 절연막인 유기절연막(47)을 형성한다.One selected from the group of transparent organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin (resin) is applied on the passivation layer 45 to form an organic insulating layer 47 as a third insulating layer.

상기 유기절연막(47) 상부의 반사부에는 요철형 패턴(47b)이 형성되어 있다.An uneven pattern 47b is formed in the reflecting portion above the organic insulating layer 47.

상기 화소영역(P)의 일부에는 게이트 절연막, 보호막, 유기절연막(29,45,47)을 식각하여 식각홈(48)을 형성한다.An etching groove 48 is formed in a portion of the pixel region P by etching the gate insulating layer, the protective layer, and the organic insulating layers 29, 45, and 47.

상기 식각홈(48)은 이후 공정에서 형성하는 반사 전극의 투과홀에 대응하는 투과부(T)이다.The etching groove 48 is a transmission part T corresponding to the transmission hole of the reflective electrode formed in a subsequent process.

그리고, 상기 기판(21)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 화소영역(P)에 구성되는 투명 화소전극(61)을 형성한다.In addition, a selected one of a transparent conductive metal group including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) is deposited and patterned on the entire surface of the substrate 21 to form the pixel region P. The transparent pixel electrode 61 is formed.

상기 화소 전극(61)은 상기 반사부(R)에서 유기절연막(47)의 요철형 패턴(47b)을 따라 요철 구조로 형성되며, 상기 드레인 전극(37)과 드레인 콘택홀(53)을 통해서 서로 접속한다.The pixel electrode 61 is formed in a concave-convex structure along the concave-convex pattern 47b of the organic insulating layer 47 in the reflector R, and is formed through the drain electrode 37 and the drain contact hole 53. Connect.

그리고, 상기 식각홈(48)이 형성된 기판(21)의 전면에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금과 같이 반사율이 뛰어난 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 식각홈(48)에 대응하는 부분에 투과홀을 구성한 반사 전극(49)을 형성한다.In addition, a metal having excellent reflectivity, such as aluminum (Al) or an aluminum alloy, is deposited and patterned on the entire surface of the substrate 21 on which the etching grooves 48 are formed, and through holes are formed in portions corresponding to the etching grooves 48. The configured reflective electrode 49 is formed.

이때, 상기 반사 전극(49)은 상기 반사부(R)에서 상기 유기 절연막(47)과 화소 전극(61)의 요철 구조를 따라 요철을 이룬다.In this case, the reflective electrode 49 forms irregularities in the reflective part R along the uneven structure of the organic insulating layer 47 and the pixel electrode 61.

전술한 바와 같은 방법으로 종래의 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판을 제작할 수 있다.As described above, a conventional array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device can be manufactured.

그러나, 상기 화소영역(P)의 일부에 게이트 절연막, 보호막, 유기절연막(29,45,47)을 식각하여 식각홈(48)을 형성하기 위한 포토 공정에서 포토 마스크가 오정렬되어 제 위치에서 벗어나 쉬프트(shift)하게 될 경우 상기 식각홈(48)의 위치도 쉬프트(shift)되어 변경된다.However, in the photo process for etching the gate insulating film, the protective film, and the organic insulating films 29, 45, and 47 to form the etching grooves 48 in the pixel region P, the photo mask is misaligned and shifted out of position. In the case of shifting, the position of the etching groove 48 is shifted and changed.

도 4는 도 3에서 'A'영역을 확대하여 종래 기술의 문제점을 극명하게 보여주는 도면이다.4 is a view showing the problem of the prior art by expanding the 'A' region in FIG.

도 4의 도면은 도 3에 도시된 식각홈이 쉬프트되어 형성될 때 발생되는 문제점을 보여준다.4 illustrates a problem that occurs when the etch groove illustrated in FIG. 3 is shifted and formed.

도 4에 도시된 바와 같이, 종래 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판에서 상기 게이트 절연막, 보호막, 유기절연막(29, 45, 47)을 식각하여 식각홈(48)을 형성하기 위한 포토 공정에서 포토 마스크(photo mask)가 쉬프트하여 진행될 경우 공통 신호가 인가되는 차광 패턴(30)이 노출되는 현상이 발생될 수 있다.As shown in FIG. 4, a photo mask in a photo process for forming an etching groove 48 by etching the gate insulating film, the protective film, and the organic insulating films 29, 45, and 47 in an array substrate for a conventional transflective liquid crystal display device. When the photo mask is shifted and shifted, the light blocking pattern 30 to which the common signal is applied may be exposed.

그리고, 상기 식각홈(48) 형성 후에 화소 전극(61)과 반사 전극(49)이 순차적으로 형성되므로, 종래 기술에 따르면 상기 노출된 차광 패턴(30)과 상기 화소 전극(61)간에 쇼트(short)가 발생되어 포인트 디펙트(point defect)를 일으키는 문제점이 있다.In addition, since the pixel electrode 61 and the reflective electrode 49 are sequentially formed after the etching groove 48 is formed, a short between the exposed light blocking pattern 30 and the pixel electrode 61 according to the related art. ) Is generated to cause a point defect.

또한, 상기 식각홈(48) 형성을 위하여 상기 유기절연막(47)을 식각하는 포토 공정에서 포토 레지스트 패턴의 현상시 현상액이 상기 유기절연막(47)과 보호막 (45) 사이에 침투하여 상기 유기절연막이 유실되는 문제점도 발생한다.In addition, a developer penetrates between the organic insulating layer 47 and the passivation layer 45 when the photoresist pattern is developed in a photo process of etching the organic insulating layer 47 to form the etching groove 48. There is also a problem of being lost.

본 발명은 반사투과형 액정 표시 장치에서 요철 패턴의 절연막 형성시 현상 공정에서 발생되는 불량을 방지하고 포토 마스크 쉬프트 시에 발생되는 불량을 방지할 수 있는 반사투과형 액정 표시 장치를 제공하는 데 제 1 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a reflective liquid crystal display device which can prevent a defect caused in a developing process when forming an insulating film having an uneven pattern in a reflective liquid crystal display device, and prevent a defect that occurs during a photo mask shift. have.

또한, 본 발명은 하프 톤 마스크를 사용하여 반사부의 요철 패턴과 콘택홀과 투과부 홀을 동시에 형성할 수 있어 마스크 수를 저감하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데 제 2 목적이 있다.In addition, a second object of the present invention is to provide a method of manufacturing a reflection-transmissive liquid crystal display device in which a concave-convex pattern, a contact hole, and a transmission hole may be simultaneously formed using a halftone mask to reduce the number of masks.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치는, 화소 영역에 반사부와 투과부가 정의된 기판과; 상기 기판 상에 교차 배치되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차점에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 반사부에 요철형 패턴을 이루고 상기 투과부에 소정 두께의 잔막을 형성하는 유기 절연막과; 상기 반사부에 형성된 반사 전극과 상기 투과부에 형성된 투과 전극으로 이루어진 화소 전극;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a reflective transmissive liquid crystal display device comprising: a substrate having a reflective portion and a transmissive portion defined in a pixel area; Gate wiring and data wiring intersecting on said substrate to define a pixel region; A thin film transistor formed at an intersection point of the gate line and the data line; An organic insulating layer forming a concave-convex pattern on the reflecting portion and forming a residual film having a predetermined thickness on the transmitting portion; And a pixel electrode formed of a reflective electrode formed on the reflective portion and a transmissive electrode formed on the transmissive portion.

상기 유기 절연막은 감광성 유기 절연막으로 이루어진 것을 특징으로 한다.The organic insulating film is formed of a photosensitive organic insulating film.

상기 데이터 배선 인근 하부에는 차광 패턴을 형성한 것을 특징으로 한다.A light shielding pattern is formed below the data line.

또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법은, 화소 영역에 반사부와 투과부를 정의하는 기판을 준비하는 단 계와; 상기 기판 상에 게이트 전극 및 이와 연결된 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 및 게이트 배선이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상부의 상기 제 1 절연막 상에 액티브층과 오믹콘택층을 형성하는 단계와; 상기 오믹 콘택층과 접촉하는 소스 및 드레인 전극과 상기 소스 전극과 연결되며 상기 게이트 배선과 교차하여 상기 화소 영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 기판 전면에 제 3 절연막을 도포하는 단계와; 상기 제 3 절연막 상에 하프 톤 마스크를 배치시키는 단계와; 상기 하프 톤 마스크를 통과한 노광량에 따라 상기 제 3 절연막은 상기 반사부에 요철형 패턴을 형성하고, 상기 투과부에 잔막을 형성하는 단계와; 상기 반사부에 형성된 반사 전극과 상기 투과부에 형성된 투과 전극으로 이루어지며 상기 드레인 전극과 접속하는 화소 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In addition, in order to achieve the above object, a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to the present invention comprises the steps of preparing a substrate defining a reflecting portion and a transmission portion in the pixel region; Forming a gate electrode and a gate wiring connected to the substrate on the substrate; Forming a first insulating film on an entire surface of the substrate on which the gate electrode and the gate wiring are formed; Forming an active layer and an ohmic contact layer on the first insulating layer on the gate electrode; Forming a source and drain electrode in contact with the ohmic contact layer and a data line connected to the source electrode and crossing the gate line to define the pixel area; Applying a third insulating film to the entire surface of the substrate; Disposing a halftone mask on the third insulating film; Forming a concave-convex pattern on the reflecting portion and forming a residual film on the transmitting portion according to the exposure amount passing through the halftone mask; And forming a pixel electrode formed of the reflective electrode formed on the reflective part and the transmission electrode formed on the transmissive part and connected to the drain electrode.

상기 하프 톤 마스크는 차광영역과 투과영역과 부분 투과영역으로 나뉘어 지는 것을 특징으로 한다.The halftone mask may be divided into a light blocking area, a transmission area, and a partial transmission area.

상기 요철형 패턴은 용융 및 경화처리되어 엠보싱 형상을 가지는 것을 특징으로 한다.The uneven pattern may be melted and cured to have an embossed shape.

상기 투과부에 형성된 제 3 절연막의 잔막은 건식 식각되어 제거될 수 있는 것을 특징으로 한다.The remaining film of the third insulating film formed on the transmission part may be removed by dry etching.

이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치에 대해서 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a reflective liquid crystal display according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명에 따른 반사 투과형 어레이기판의 일부를 구체적으로 도시한 확대 평면도이고, 도 6은 도 5에서 도시한 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치용 어레이 기판의 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 절단하여 보여주는 단면도이다.FIG. 5 is an enlarged plan view specifically showing a part of the reflective transmissive array substrate according to the present invention, and FIG. 6 is a cut along the line II ′ of the array transparent substrate for the transmissive liquid crystal display device illustrated in FIG. 5. This is a cross-sectional view.

도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반사 투과형 액정 표시 장치용 어레이 기판은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터(T)는 다수의 게이트배선(125)과 데이터 배선(139)이 교차되는 지점에 형성된다.5 and 6, in the array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to the present invention, a thin film transistor T, which is a switching element, is positioned in a matrix type, and a plurality of such thin film transistors T are formed. Is formed at a point where the plurality of gate lines 125 and the data lines 139 intersect.

이때, 상기 게이트 배선(125)과 데이터 배선(139)이 교차하여 정의되는 영역을 화소영역(P)이라 정의한다. 그리고, 상기 화소영역(P)은 투과부(T)와 반사부(R)로 정의된다.In this case, an area defined by the intersection of the gate line 125 and the data line 139 is defined as a pixel area P. The pixel area P is defined as a transmission part T and a reflection part R.

상기 게이트 배선(125)과 동일한 물질로 상기 데이터 배선(139)의 인근 하부에 빛샘 방지를 위한 차광 패턴(130)이 형성될 수도 있으며, 상기 차광 패턴(130)은 공통 배선(140)과 연결되어 캐패시턴스(capacitance)를 보상하는 역할도 할 수 있다.A light shielding pattern 130 may be formed on the lower portion of the data line 139 to prevent light leakage, and the light shielding pattern 130 may be connected to the common wire 140. It may also serve to compensate for capacitance.

상기 게이트배선(125)의 일 끝단에는 게이트 패드전극(127) 형성되어 있고, 상기 게이트 패드전극(127)은 게이트배선(125)에 비해 큰 폭을 가지도록 구성된다.A gate pad electrode 127 is formed at one end of the gate wiring 125, and the gate pad electrode 127 is configured to have a larger width than the gate wiring 125.

상기 게이트 배선(125), 차광 패턴(130)이 형성된 기판(121)의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막(129)을 형성한다.A gate insulating layer 129, which is a first insulating layer, is formed on the entire surface of the substrate 121 on which the gate wiring 125 and the light blocking pattern 130 are formed.

상기 데이터배선(139)의 일 끝단에는 데이터 패드전극(141)이 형성되어 있고, 상기 데이터 패드전극(141) 또한 데이터배선(139)에 비해 큰 폭을 가지도록 형성된다.A data pad electrode 141 is formed at one end of the data line 139, and the data pad electrode 141 is also formed to have a larger width than that of the data line 139.

상기 게이트 패드전극(127)과 데이터 패드전극(141)은 각각 외부의 신호를 직접 인가 받는 수단인 투명한 게이트 패드 단자전극(163)과 데이터 패드 단자전극(165)과 접촉하여 구성된다.The gate pad electrode 127 and the data pad electrode 141 are configured to contact the transparent gate pad terminal electrode 163 and the data pad terminal electrode 165, which are means for directly receiving external signals.

상기 게이트배선(125)의 일부 상부에 스토리지 캐패시터(C)가 구성되고, 상기 화소 영역에 구성된 투명한 화소전극(161)과 회로적으로 병렬로 연결된다.A storage capacitor C is formed on a portion of the gate line 125 and is connected in parallel with the transparent pixel electrode 161 formed in the pixel area.

상기 박막트랜지스터(T)는 게이트 전극(123)과 소스 전극(135)및 드레인 전극(137)과 상기 게이트 전극(123) 상부에 구성된 액티브층(31)으로 이루어진다.The thin film transistor T includes a gate electrode 123, a source electrode 135, a drain electrode 137, and an active layer 31 formed on the gate electrode 123.

즉, 상기 게이트전극(123) 상부의 게이트 절연막(129)상에 아일랜드 형태로 액티브층(131)(active layer)과 오믹 콘택층(133)(ohmic contact layer)을 형성한다.That is, an active layer 131 and an ohmic contact layer 133 are formed on the gate insulating layer 129 on the gate electrode 123 in an island form.

상기 오믹 콘택층(133)은 소스 영역과 드레인 영역으로 분리되어 서로 소정 간격 이격되어 있다.The ohmic contact layer 133 is separated into a source region and a drain region and spaced apart from each other by a predetermined interval.

다음으로, 상기 오믹 콘택층(133)과 접촉하는 소스 전극(135)과 드레인 전극(137)이 형성되어 있으며, 상기 소스 전극(135)은 상기 데이터 배선(139)과 연결되어 있으며, 상기 소스 전극(135)과 드레인 전극(137)은 서로 소정 간격 이격되어 있다.Next, a source electrode 135 and a drain electrode 137 are formed in contact with the ohmic contact layer 133, and the source electrode 135 is connected to the data line 139 and the source electrode The 135 and the drain electrode 137 are spaced apart from each other by a predetermined interval.

그리고, 상기 데이터 배선(139)이 형성된 기판(121)상에 절연 물질을 증착하여, 제 2 절연막인 보호막(145)을 형성한다.In addition, an insulating material is deposited on the substrate 121 on which the data line 139 is formed to form a passivation layer 145 as a second insulating layer.

상기 보호막(145)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiO2)을 증착하여 형성된 무기 절연막이다.The passivation layer 145 is an inorganic insulating layer formed by depositing silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2 ).

상기 보호막(145)의 상부에 벤조사이클로부텐(BCB)과 포토아크릴(photoacryl)계 수지(resin)를 포함한 투명한 감광성 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포하여 제 3 절연막인 유기절연막(147)을 형성한다.An organic insulating layer 147 as a third insulating layer is formed by coating one selected from a group of transparent photosensitive organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and photoacryl resin (resin) on the passivation layer 145. do.

상기 유기절연막(147)의 반사부(R)에는 엠보싱 패턴(147b)이 형성되어 있으며, 상기 엠보싱 패턴(147b)은 광 반사 효율을 향상시키는 역할을 수행한다.An embossing pattern 147b is formed in the reflecting portion R of the organic insulating layer 147, and the embossing pattern 147b serves to improve light reflection efficiency.

그리고, 상기 화소영역의 투과부(T)에는 상기 유기절연막(129,145,147)을 식각하여 식각홈(148)을 형성한다.The organic insulating layers 129, 145, and 147 are etched in the transmission portion T of the pixel region to form an etching groove 148.

상기 식각홈(148)은 이후 공정에서 형성하는 반사 전극의 투과홀(A)에 대응하는 투과부(T)로서, 상기 식각홈(148)에는 상기 유기 절연막(147) 패턴이 소정 두께로 남아 있을 수 있다.The etching groove 148 is a transmission part T corresponding to the transmission hole A of the reflective electrode formed in a subsequent process, and the organic insulating layer 147 pattern may remain in the etching groove 148 at a predetermined thickness. have.

이때, 상기 투과부(T)에 형성된 유기 절연막 패턴(147c)은 상기 반사부(R)에 형성된 유기 절연막(147)과 연결되어 있으므로 이는 포토 공정시 투과부(T) 모서리와 같이 현상액 등에 취약 부분에서 다른 절연막 및 보호막들을 보호할 수 있는 효과가 있다. In this case, the organic insulating layer pattern 147c formed on the transmission part T is connected to the organic insulating layer 147 formed on the reflection part R, which is different from a weak part such as the edge of the transmission part T during the photo process. There is an effect that can protect the insulating film and the protective films.

그리고, 상기 기판(121)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 화소영역(P)에 구성되는 투명 화소전극(161)을 형성한다.In addition, a selected one of a transparent conductive metal group including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) is deposited and patterned on the entire surface of the substrate 121 to form the pixel region P. The transparent pixel electrode 161 is formed.

상기 화소 전극(161)은 상기 반사부(R)에서 유기절연막(147)의 엠보싱 패턴(147b)을 따라 요철 구조로 형성되며, 상기 드레인 전극(37)과 드레인 콘택홀(53) 을 통해서 서로 접속한다.The pixel electrode 161 is formed in the concave-convex structure along the embossing pattern 147b of the organic insulating film 147 in the reflecting portion R, and is connected to each other through the drain electrode 37 and the drain contact hole 53. do.

그리고, 상기 식각홈(148)이 형성된 기판(121)의 전면에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금과 같이 반사율이 뛰어난 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 식각홈(148)에 대응하는 부분에 투과홀(A)을 구성한 반사 전극(149)을 형성한다.In addition, a metal having excellent reflectivity, such as aluminum (Al) or an aluminum alloy, is deposited and patterned on the entire surface of the substrate 121 on which the etching grooves 148 are formed, and a through hole is formed in a portion corresponding to the etching grooves 148. The reflective electrode 149 which constitutes A) is formed.

이때, 상기 반사 전극(149)은 상기 반사부(R)에서 상기 유기 절연막(147)과 화소 전극(161)의 요철 구조를 따라 요철을 이룬다.In this case, the reflective electrode 149 forms irregularities in the reflective part R along the uneven structure of the organic insulating layer 147 and the pixel electrode 161.

전술한 구성에서, 상기 스토리지 캐패시터(C)는 게이트 배선(125)의 일부를 제 1 캐패시터 전극으로 하고, 상기 게이트 배선의 일부 상부에 위치하고 상기 드레인 전극(137)과 동일층 동일물질로 형성한 소스-드레인 금속층(143)을 제 2 캐패시터 전극으로 한다.In the above-described configuration, the storage capacitor C is a source having a portion of the gate wiring 125 as the first capacitor electrode and positioned above the portion of the gate wiring and formed of the same material as the drain electrode 137. The drain metal layer 143 is used as the second capacitor electrode.

상기 제 2 캐패시터 전극(143)은 콘택홀(155)을 통해 상기 화소 전극(161)과 연결할 수도 있고, 상기 드레인 전극(137)에 상기 반사 전극(149)의 하부를 통해 상기 게이트 배선(125)의 상부로 연장하여 형성할 수 있다. 이러할 경우에는 상기 콘택홀(155)은 필요치 않다.The second capacitor electrode 143 may be connected to the pixel electrode 161 through the contact hole 155, and may be connected to the gate electrode 125 through the lower portion of the reflective electrode 149 to the drain electrode 137. It can be formed extending to the top of. In this case, the contact hole 155 is not necessary.

이하, 도 7a 내지 도 7g를 참조하여 본 발명에 따른 어레이 기판 제조공정을 설명한다.Hereinafter, an array substrate manufacturing process according to the present invention will be described with reference to FIGS. 7A to 7G.

도 7a 내지 도 7g는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 따라 도시한 공정 단면도이다.7A to 7G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate for a transflective liquid crystal display device according to the present invention.

먼저, 도 7a를 참조하여 설명하면, 기판(121)상에 게이트 전극(123)과, 게이트 배선(125)과, 차광 패턴(130)을 형성한다.First, referring to FIG. 7A, the gate electrode 123, the gate wiring 125, and the light blocking pattern 130 are formed on the substrate 121.

상기 차광 패턴(130)은 추후 형성될 데이터 배선(139)의 인근 하부에 형성되며 빛샘을 방지하거나 캐패시턴스를 보상하는 역할을 할 수 있다.The light blocking pattern 130 is formed at a lower portion near the data line 139 to be formed later, and may serve to prevent light leakage or to compensate for capacitance.

그리고, 상기 게이트 배선(125)등이 형성된 기판(121)의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막(129)을 형성한다.The gate insulating layer 129, which is the first insulating layer, is formed on the entire surface of the substrate 121 on which the gate wiring 125 and the like are formed.

상기 게이트 절연막(129)은 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 형성한다.The gate insulating layer 129 is formed by depositing one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiO 2 ).

다음으로, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(123)상부의 게이트 절연막(129)상에 아일랜드 형태로 액티브층(131)(active layer)과 오믹콘택층(133)(ohmic contact layer)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7B, an active layer 131 and an ohmic contact layer 133 are formed in an island form on the gate insulating layer 129 on the gate electrode 123. To form.

상기 액티브층(131)은 일반적으로 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성하 고, 상기 오믹 콘택층(133)은 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H )으로 형성한다.The active layer 131 is generally formed of pure amorphous silicon (a-Si: H), and the ohmic contact layer 133 is formed of amorphous silicon (n + a-Si: H) containing impurities. .

다음으로, 상기 오믹 콘택층(133)이 형성된 기판(121)의 전면에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 오믹 콘택층(133)과 접촉하는 소스전극(135)과 드레인전극(137), 상기 소스전극(135)과 연결되어 상기 게이트 배선과 교차하는 데이터배선(139)을 형성한다.Next, a conductive material including chromium (Cr), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), aluminum (Al), and an aluminum alloy on the entire surface of the substrate 121 on which the ohmic contact layer 133 is formed. Selected one of the metal group is deposited and patterned to connect the source electrode 135 and the drain electrode 137 and the source electrode 135 in contact with the ohmic contact layer 133 to cross the gate line. Form 139.

이때, 상기 액티브층(131)과 오믹 콘택층(133) 및 소스 및 드레인 전극(135, 137)은 연속 증착하여 하나의 마스크 공정으로 형성할 수도 있다. In this case, the active layer 131, the ohmic contact layer 133, and the source and drain electrodes 135 and 137 may be continuously deposited and formed in one mask process.

다음으로, 도 7c에 도시한 바와 같이, 기판(121) 전면에 제 2 절연막인 보호막(145)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7C, a protective film 145, which is a second insulating film, is formed over the entire surface of the substrate 121.

상기 보호막(145)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiO2)을 증착하여 형성한 실리콘 절연막이다.The protective layer 145 is a silicon insulating layer formed by depositing silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2 ).

상기 실리콘 절연막은 상기 액티브층(131)과의 계면 특성이 우수하기 때문에, 계면에 전자를 트랩하는 트랩 준위가 존재하지 않도록 한다.Since the silicon insulating film has excellent interface characteristics with the active layer 131, there is no trap level trapping electrons at the interface.

따라서, 상기 액티브층(131)을 흐르는 캐리어(carrier)의 이동도를 개선할 수 있다.Therefore, mobility of carriers flowing through the active layer 131 may be improved.

이어서, 상기 보호막(145)의 상부에 벤조사이클로부텐(BCB)과 포토아크릴(photoacryl)계 수지(resin)를 포함한 투명한 감광성 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포하여 제 3 절연막인 유기 절연막(147)을 형성한다.Subsequently, one of a group of transparent photosensitive organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and photoacryl resin is coated on the passivation layer 145 to form an organic insulating layer 147 as a third insulating layer. To form.

그리고, 도 7d에 도시된 바와 같이, 상기 유기 절연막(147) 상부에 하프 톤 마스크(half-tone-mask)(190)를 간격을 두고 배치시켜서 하프 톤 노광 공정 및 현상 공정을 수행한다.As shown in FIG. 7D, half-tone masks 190 are disposed on the organic insulating layer 147 at intervals to perform the half-tone exposure process and the development process.

상기 하프 톤 노광 공정에 대해서 간단히 설명하면, 광 흡수도가 위치에 따라 다르게 형성된 광 흡수 마스크를 이용하여 상기 하프 톤 마스크(190)를 통과하는 자외선 광량을 조절함으로써 두께가 다른 포토 레지스트 패턴, 여기서는 감광성 유기 절연막(147)을 형성하는 것이다.The half-tone exposure process will be described briefly. A photoresist pattern having a different thickness by adjusting the amount of ultraviolet light passing through the half-tone mask 190 by using a light absorption mask having a different light absorbance according to a position, in this case, photosensitive. The organic insulating film 147 is formed.

따라서, 상기 하프 톤 마스크(190)는 차광영역(A)과 투과영역(B)과 부분 투 과영역(C)의 3영역으로 나뉘어 지며, 상기 부분 투과 영역은 경우에 따라 다양한 광투과도를 가지도록 여러가지 부분 투과 영역(C, C')을 형성할 수 있다. Accordingly, the halftone mask 190 is divided into three areas, a light blocking area A, a transmission area B, and a partial transmission area C, and the partial transmission area may have various light transmittances in some cases. Various partial transmissive regions C, C 'can be formed.

상기 하프 톤 마스크(190)의 차광 영역(A)은 감광성 유기 절연막(147)이 전혀 현상되지 않으며, 상기 투과 영역(C)은 투과된 광에 의해 현상되어 감광성 유기절연막이 제거되어 콘택홀(153)을 형성한다. 또한, 상기 부분 투과 영역(C, C')에 의해서 감광성 유기 절연막(147)의 요철형 패턴(147a)의 요홈부와 투과부(T)의 식각홈(148)이 형성된다.In the light blocking region A of the halftone mask 190, the photosensitive organic insulating layer 147 is not developed at all, and the transmissive region C is developed by the transmitted light so that the photosensitive organic insulating layer is removed so that the contact hole 153 is removed. ). In addition, the grooves 148 of the uneven pattern 147a of the photosensitive organic insulating layer 147 and the etch grooves 148 of the transmission part T are formed by the partial transmission regions C and C ′.

이때, 상기 감광성 유기 절연막(147)의 요철형 패턴(147a)의 요홈부의 깊이와 상기 투과부(T)의 식각홈(148)의 깊이는 서로 다를 수 있으며, 이는 상기 하프 톤 마스크(190)의 부분 투과 영역(C, C')의 광 투과도를 조절함으로써 구현될 수 있다.In this case, the depth of the recessed portion of the uneven pattern 147a of the photosensitive organic insulating layer 147 and the depth of the etching groove 148 of the transmissive portion T may be different from each other, which is part of the halftone mask 190. It can be implemented by adjusting the light transmittance of the transmission region (C, C ').

여기서, 상기 투과부(T)의 유기 절연막(147)의 식각홈(148)에 의해 상기 보호막(145) 또는 게이트 절연막(129)이 노출되지 않도록 소정 두께의 유기 절연막 패턴(147c)이 상기 투과부(T)에 잔여되도록 한다.Here, the organic insulating pattern 147c having a predetermined thickness does not expose the passivation layer 145 or the gate insulating layer 129 by the etching groove 148 of the organic insulating layer 147 of the transmission portion T. ) To remain.

한편, 상기 감광성 유기 절연막(147)의 광 반응 특성에 따라 상기 하프 톤 마스크(190)에 의해 현상되는 영역이 반대로 이루어질 수도 있다.Meanwhile, the region developed by the halftone mask 190 may be reversed according to the photoreaction characteristic of the photosensitive organic insulating layer 147.

따라서, 상기 노광된 감광성 유기 절연막(147)이 현상된 후, 상기 유기 절연막(147)의 반사부(R)에는 사각형 모양의 요철형 패턴(147a)이 형성되며, 상기 투과부(T)에는 소정 두께의 유기 절연막 패턴(147c)이 잔막으로 남게 된다.Therefore, after the exposed photosensitive organic insulating layer 147 is developed, a rectangular concave-convex pattern 147a is formed in the reflecting portion R of the organic insulating layer 147, and a predetermined thickness is formed in the transmitting portion T. The organic insulating film pattern 147c remains as the remaining film.

상기와 같은 투과부(T)의 유기 절연막 잔여 패턴은 상기 하프 톤 마스크 (190)가 쉬프트하거나 기판이 오정렬되어 진행될 경우에도 상기 차광 패턴(130)과 상기 화소 전극(161)간의 쇼트(short)에 의한 포인트 디펙트(point defect) 불량을 방지할 수 있어 불량율을 낮추고 신뢰성을 향상시키는 장점이 있다.The organic insulating layer remaining pattern of the transparent part T may be caused by a short between the light blocking pattern 130 and the pixel electrode 161 even when the halftone mask 190 is shifted or the substrate is misaligned. It is possible to prevent point defect defects, thereby reducing the defect rate and improving reliability.

또한, 상기 투과부(T)의 유기 절연막 잔여 패턴은 반사부(R)의 유기 절연막(147)과 연결되어 있으므로 상기 유기 절연막(147)을 식각하는 포토 공정에서 상기 감광성 유기 절연막의 현상시 현상액이 상기 감광성 유기 절연막과 보호막 사이에 침투할 수 없어 유기 절연막의 유실 및 불량을 방지할 수 있는 장점도 있다.In addition, since the residual pattern of the organic insulating layer of the transmissive part T is connected to the organic insulating layer 147 of the reflecting part R, the developer during development of the photosensitive organic insulating layer is etched in the photo process of etching the organic insulating layer 147. There is also an advantage that can not penetrate between the photosensitive organic insulating film and the protective film can prevent the loss and defect of the organic insulating film.

이후, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 사각형 모양의 요철형 패턴(147a)에 대하여 용융 및 경화처리를 하게 되면 볼록부의 상부면이 둥근형상을 띠는 엠보싱 패턴(147b)이 반사부(R)에 형성된다. Subsequently, as shown in FIG. 7E, when the rectangular concave-convex pattern 147a is melted and cured, the embossed pattern 147b having a rounded upper surface of the convex portion is a reflecting portion R. Is formed.

한편, 상기와 같이 요철형 패턴을 형성하는 방법은 이에 한정되는 것이 아니라 여러 가지 방법으로 형성될 수 있다.On the other hand, the method of forming the concave-convex pattern as described above is not limited to this may be formed in various ways.

이어서, 도 7f에 도시된 바와 같이, 상기 감광성 유기 절연막(147)의 콘택홀(153)에 의해 노출된 보호막을 건식 식각(dry etching)하여, 상기 드레인 전극(137)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(153)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 7F, the drain contact that exposes a part of the drain electrode 137 by dry etching the protective film exposed by the contact hole 153 of the photosensitive organic insulating layer 147. The hole 153 is formed.

이때, 상기 보호막(145)을 건식 식각하는 조건에 따라 상기 투과부의 유기 절연막 패턴(147c)의 잔막이 소정 식각될 수 있으며, 완전히 제거될 수도 있다.In this case, the remaining layer of the organic insulating layer pattern 147c of the transmission part may be etched according to a condition of dry etching the passivation layer 145 and may be completely removed.

또한, 상기 투과부(T)의 유기 절연막 패턴(147c)의 잔막뿐만 아니라, 보호막(145) 및 게이트 절연막(129)도 추가로 제거하여 형성할 수도 있다.In addition, the passivation layer 145 and the gate insulating layer 129 may be additionally removed as well as the remaining layer of the organic insulating layer pattern 147c of the transmission part T.

여기서, 상기 유기 절연막(147)에 요철 패턴을 형성하는 공정과 상기 유기 절연막에 식각홈(148)을 형성하는 공정은 하나의 마스크공정으로 이루어질 수 있고, 별도의 마스크 공정으로 이루어질 수도 있다.The forming of the concave-convex pattern on the organic insulating layer 147 and the forming of the etching groove 148 in the organic insulating layer may be performed by one mask process or may be performed by a separate mask process.

최종적으로, 도 7g에 도시된 바와 같이, 상기 기판(121)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 투과부(T)에 투과 전극(161)을 형성하며, 상기 투과 전극(161)은 상기 드레인 콘택홀(153)에 의해 상기 드레인 전극(137)과 접속한다. Finally, as shown in FIG. 7G, one of a transparent conductive metal group including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) is deposited and patterned on the entire surface of the substrate 121. A transmissive electrode 161 is formed in the transmissive part T, and the transmissive electrode 161 is connected to the drain electrode 137 by the drain contact hole 153.

그리고, 상기 투과 전극(161) 상에 알루미늄(Al)또는 알루미늄 합금과 같이 반사율이 뛰어난 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 식각홈(148)에 대응하는 부분에 투과홀(A)을 구성한 반사 전극(149)을 형성한다.In addition, a reflective electrode having a reflective hole, such as aluminum (Al) or an aluminum alloy, is deposited and patterned on the transmission electrode 161 to form a transmission hole A in a portion corresponding to the etching groove 148. 149).

이때, 상기 반사 전극(149)과 투과 전극(161)은 반사부(R)에 형성되어 있는 유기 절연막 상의 엠보싱 패턴(147b)에 의해 엠보싱 구조를 가진다.In this case, the reflective electrode 149 and the transmissive electrode 161 have an embossed structure by the embossing pattern 147b on the organic insulating layer formed in the reflecting portion R.

상기 반사 전극(149)과 상기 투과 전극(161)은 하나의 화소 전극을 형성한다.The reflective electrode 149 and the transmission electrode 161 form one pixel electrode.

전술한 바와 같은 공정으로 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.According to the above-described process, an array substrate for a reflective liquid crystal display device according to the present invention can be manufactured.

이상 전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.As described above, the reflective liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to the present invention are not limited thereto, and the modification or improvement thereof may be made by those skilled in the art within the technical idea of the present invention. It is obvious.

본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치는 유기 절연막 요철 패턴 형성시 잔여막을 투과부에 남겨둠으로써 포인트 디펙트(point defect) 불량을 방지할 수 있어 불량율을 낮추고 제조 수율을 향상시키며 신뢰성을 향상시키는 제 1의 효과가 있다.In the reflective liquid crystal display according to the present invention, when the organic insulating layer uneven pattern is formed, the remaining film may be left in the transmissive part to prevent point defect defects, thereby reducing the defect rate, improving manufacturing yield, and improving reliability. Has the effect of.

또한, 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치는 유기 절연막 요철 패턴 형성시에 마스크가 오정렬되어도 불량이 발생되지 않으므로 공정의 진행이 용이하고 탄력성 있게 수행되는 제 2의 효과가 있다.In addition, the reflective transmissive liquid crystal display device according to the present invention has a second effect in that the process is easy and elastically performed because no defect is generated even when the mask is misaligned when the organic insulating layer uneven pattern is formed.

또한, 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치는 유기 절연막과 보호막 사이에 현상액이 침투하여 유기 절연막이 유실되는 불량을 방지할 수 있는 제 3의 효과도 있다.In addition, the reflective liquid crystal display according to the present invention has a third effect of preventing a defect in which the organic insulating film is lost due to penetration of a developer between the organic insulating film and the protective film.

Claims (14)

화소 영역에 반사부와 투과부가 정의된 기판과;A substrate in which a reflecting unit and a transmitting unit are defined in the pixel region; 상기 기판 상에 교차 배치되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과;Gate wiring and data wiring intersecting on said substrate to define a pixel region; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차점에 형성된 박막 트랜지스터와;A thin film transistor formed at an intersection point of the gate line and the data line; 상기 반사부에 요철형 패턴을 이루고 상기 투과부에 소정 두께의 잔막을 형성하는 유기 절연막과;An organic insulating layer forming a concave-convex pattern on the reflecting portion and forming a residual film having a predetermined thickness on the transmitting portion; 상기 반사부에 형성된 반사 전극과 상기 투과부에 형성된 투과 전극으로 이루어진 화소 전극;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치.And a pixel electrode formed of the reflective electrode formed on the reflective portion and the transparent electrode formed on the transmissive portion. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 절연막은 감광성 유기 절연막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치.And the organic insulating layer is formed of a photosensitive organic insulating layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막 트랜지스터 상에는 보호막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치.A reflective film is further formed on the thin film transistor. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투과 전극은 투명한 도전성 전극 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치.And the transmissive electrode is made of a transparent conductive electrode material. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 데이터 배선 인근 하부에는 차광 패턴을 형성한 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치.And a light blocking pattern is formed below the data line. 화소 영역에 반사부와 투과부를 정의하는 기판을 준비하는 단계와;Preparing a substrate defining a reflection portion and a transmission portion in a pixel region; 상기 기판 상에 게이트 전극 및 이와 연결된 게이트 배선을 형성하는 단계와;Forming a gate electrode and a gate wiring connected to the substrate on the substrate; 상기 게이트 전극 및 게이트 배선이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막을 형성하는 단계와;Forming a first insulating film on an entire surface of the substrate on which the gate electrode and the gate wiring are formed; 상기 게이트 전극 상부의 상기 제 1 절연막 상에 액티브층과 오믹콘택층을 형성하는 단계와;Forming an active layer and an ohmic contact layer on the first insulating layer on the gate electrode; 상기 오믹 콘택층과 접촉하는 소스 및 드레인 전극과 상기 소스 전극과 연결되며 상기 게이트 배선과 교차하여 상기 화소 영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;Forming a source and drain electrode in contact with the ohmic contact layer and a data line connected to the source electrode and crossing the gate line to define the pixel area; 상기 기판 전면에 제 3 절연막을 도포하는 단계와;Applying a third insulating film to the entire surface of the substrate; 상기 제 3 절연막 상에 하프 톤 마스크를 배치시키는 단계와;Disposing a halftone mask on the third insulating film; 상기 하프 톤 마스크를 통과한 노광량에 따라 상기 제 3 절연막은 상기 반사부에 요철형 패턴을 형성하고, 상기 투과부에 잔막을 형성하는 단계와;Forming a concave-convex pattern on the reflecting portion and forming a residual film on the transmitting portion according to the exposure amount passing through the halftone mask; 상기 반사부에 형성된 반사 전극과 상기 투과부에 형성된 투과 전극으로 이루어지며 상기 드레인 전극과 접속하는 화소 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.And forming a pixel electrode formed of the reflective electrode formed on the reflective part and the transmission electrode formed on the transmissive part and connected to the drain electrode. 2. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 기판 전면에 제 2 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.And forming a second insulating film on the entire surface of the substrate on which the source and drain electrodes are formed. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 3 절연막은 감광성 유기절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.And the third insulating layer is formed of a photosensitive organic insulating material. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 하프 톤 마스크는 차광영역과 투과영역과 부분 투과영역으로 나뉘어 지는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.The halftone mask is divided into a light blocking region, a transmission region and a partial transmission region, the method of manufacturing a reflective liquid crystal display device. 제 6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 요철형 패턴은 용융 및 경화처리되어 엠보싱 형상을 가지는 것을 특징 으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.The uneven pattern is melted and cured to have an embossed shape, the method of manufacturing a transflective liquid crystal display device. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 투과부에 형성된 제 3 절연막의 잔막은 건식 식각되어 제거될 수 있는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.The remaining film of the third insulating film formed in the transmissive portion can be removed by dry etching. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 하프 톤 마스크를 통과한 노광량에 따라 상기 제 3 절연막은 상기 반사부에 요철형 패턴을 형성하고, 상기 투과부에 잔막을 형성하는 단계에 있어서,In the step of forming the concave-convex pattern in the reflecting portion and the remaining film in the transmissive portion according to the exposure amount passing through the halftone mask, 상기 드레인 전극을 노출하는 콘택홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.And forming a contact hole exposing the drain electrode. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 콘택홀은 상기 화소 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.And wherein the contact hole is connected to the pixel electrode. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 기판 상에 게이트 전극 및 이와 연결된 게이트 배선을 형성하는 단계에서,In the step of forming a gate electrode and a gate wiring connected to the substrate, 상기 데이터 배선 인근 하부에 차광 패턴을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.A light shielding pattern is further formed below the data line.
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