KR100905558B1 - Apparatus for Etching - Google Patents

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Abstract

본 발명은 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 공급되는 에칭액의 농도를 서로 다르게 하여 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 형성되는 회로 패턴을 독립적으로 형성함과 아울러 미세 회로 패턴을 형성할 수 있는 에칭 장치에 관한 것이다.The present invention provides an etching apparatus capable of independently forming circuit patterns formed on upper and lower portions of a printed circuit board by varying concentrations of etching liquids supplied to upper and lower portions of a printed circuit board, and forming fine circuit patterns. It is about.

에칭 탱크, 에칭액 농도 제어기, 과수, 염산 Etch tank, etchant concentration controller, fruit water, hydrochloric acid

Description

에칭 장치{Apparatus for Etching}Etching Equipment {Apparatus for Etching}

도 1은 종래 기술에 따른 에칭 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an etching apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 에칭 장치를 나타내는 도면이다.2 is a view showing an etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

2, 102a, 102b, 102c : 에칭 탱크 4, 6, 8, 104, 106 : 에칭조2, 102a, 102b, 102c: etching tanks 4, 6, 8, 104, 106: etching bath

10, 110a, 110b : 에칭액 농도 제어기10, 110a, 110b: etching solution concentration controller

12, 112 : 과수 탱크 14, 114 : 염산 탱크12, 112: fruit tank 14, 114: hydrochloric acid tank

본 발명은 에칭 장치에 관한 것으로, 특히 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 공급되는 에칭액의 농도를 각각 제어함으로써 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 형성되는 회로 패턴을 독립적으로 형성함과 아울러 미세 회로 패턴을 형성할 수 있는 에칭장치에 관한 것이다. The present invention relates to an etching apparatus, and in particular, by controlling the concentration of the etching solution supplied to the upper and lower portions of the printed circuit board, respectively, to form independently the circuit pattern formed on the upper and lower portions of the printed circuit board and fine circuit patterns It is related with the etching apparatus which can be formed.

전자제품을 구동시키는 인쇄회로기판의 제조는 수많은 공정의 집합체이며 단위 공정의 수만큼 매우 복잡하다. 이러한, 인쇄회로기판의 제조에서 신호 전달을 위해 핵심적인 역할을 하는 회로를 형성하기 위해 서는 에칭 공정이 반드시 필요하다.The manufacture of printed circuit boards that drive electronics is a collection of numerous processes and as complex as the number of unit processes. In order to form a circuit which plays a key role for signal transmission in the manufacture of a printed circuit board, an etching process is necessary.

최근 인쇄회로기판은 경박단소의 경향으로 인해 금속 배선과 전자 소자가 접속되는 비아홀의 크기가 점점 작아지고 있어 더욱 미세한 에칭 공정이 요구되고 있다.Recently, the size of via holes connecting the metal wires and the electronic devices is becoming smaller due to the tendency of light and thin, and thus a finer etching process is required.

현재 인쇄회로기판은 서브트랙트 제조방법(Tending 공법)에 의해 제조되고 있는데 이 공법은 기판에 라미네이터 롤을 가열, 가압하여 드라이 필름을 적층 시킨 후 노광, 현상 공정을 통해 회로의 형태를 형성하고, 현상을 통해 에칭 레지스트로 부분 피막된 동박 기판을 에칭액으로 식각하여 회로를 구현한다.Currently, printed circuit boards are manufactured by a subtract manufacturing method (Tending method), which forms a circuit form through exposure and development processes after laminating rolls are laminated on a substrate by heating and pressing a laminator roll. The copper foil substrate, which is partially coated with the etching resist, is etched through the etching solution to implement a circuit.

이때, 회로는 에칭 공정 시 스프레이 압력과 양, 오실레이션 방식, 노즐의 형상과 위치, 에칭액(CuCl2) 농도, 비중, 과수(H2O2), 염산(HCl)에 의해 그 형태가 결정된다.In this case, the shape of the circuit is determined by the spray pressure and amount during the etching process, the oscillation method, the shape and position of the nozzle, the concentration of the etching solution (CuCl 2 ), the specific gravity, the fruit water (H 2 O 2 ), and the hydrochloric acid (HCl). .

도 1은 종래 기술에 따른 에칭 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an etching apparatus according to the prior art.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 에칭 장치는 에칭액(CuCl2)이 저장되는 에칭 탱크(etching tank)(2), 에칭 탱크(2)에 저장된 에칭액을 이용하여 인쇄회로기판에 회로 패턴을 형성하기 위한 제 1 에칭조(4) 및 제 2 에칭조(6), 제 1 에칭조(4) 및 제 2 에칭조(6)에 의해 회로 패턴이 형성된 인쇄회로기판의 표면을 에칭 탱크(2)에 저장된 에칭액으로 평탄화시키기 위한 제 3 에칭조(8), 에칭 탱크(2) 내의 에칭액 농도를 조절하기 위한 에칭액 농도 제어기(10), 에칭 탱크(2) 내의 에칭 액 농도의 조절을 위해 염산(HCl)과 과수(H2O2)를 제공하는 염산 탱크(14) 및 과수 탱크(12)를 포함한다.Referring to FIG. 1, an etching apparatus according to the related art forms a circuit pattern on a printed circuit board using an etching tank 2 in which an etching solution CuCl 2 is stored, and an etching solution stored in the etching tank 2. The etching tank 2 is formed by etching the surface of a printed circuit board on which a circuit pattern is formed by the first etching bath 4 and the second etching bath 6, the first etching bath 4, and the second etching bath 6. A third etching bath 8 for planarizing with the etching liquid stored in the etching liquid, an etching liquid concentration controller 10 for adjusting the etching liquid concentration in the etching tank 2, and hydrochloric acid (HCl) for adjusting the etching liquid concentration in the etching tank 2 ) And a hydrochloric acid tank (14) and a fruit tree (12) for providing fruit water (H 2 O 2 ).

이러한 구성을 갖는 에칭 장치를 이용하여 인쇄회로기판을 에칭하는 방법을 설명하면 다음과 같다.A method of etching a printed circuit board using an etching apparatus having such a configuration will be described below.

절연층의 양면에 동박이 적층 되고, 동박 위에 드라이 필름에 의해 회로 형태가 형성된 인쇄회로기판이 제 1 에칭조(4) 내부에 투입되면 수동밸브(30a 내지 30n)를 연 후 제어부(도시하지 않음)가 펌프(20a 내지 20g)를 구동시켜 에칭 탱크(2)에 저장된 에칭액을 제 1 에칭조(4), 제 2 에칭조(6) 및 제 3 에칭조(8)에 공급한다.When copper foil is laminated on both sides of the insulating layer, and a printed circuit board having a circuit shape formed by a dry film on the copper foil is introduced into the first etching bath 4, the manual valves 30a to 30n are opened and then a control unit (not shown). ) Drives the pumps 20a to 20g to supply the etching liquid stored in the etching tank 2 to the first etching bath 4, the second etching bath 6, and the third etching bath 8.

이때, 에칭 탱크(2)에 저장된 에칭액은 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 각각 공급되도록 제 1 에칭조(4), 제 2 에칭조(6) 및 제 3 에칭조(8)에 공급된다.At this time, the etchant stored in the etching tank 2 is supplied to the first etching bath 4, the second etching bath 6, and the third etching bath 8 so as to be respectively supplied to the upper and lower portions of the printed circuit board.

이에 따라, 에칭 탱크(2)로부터 공급되는 에칭액은 인쇄회로기판의 양면에 적층 된 동박 중 드라이 필름이 적층 되어 있지 않은 동박과 반응하여 동박을 에칭하게 된다.Thereby, the etching liquid supplied from the etching tank 2 reacts with copper foil which the dry film is not laminated among copper foil laminated on both surfaces of a printed circuit board, and etches copper foil.

이때, 동박과 반응된 에칭액은 드레인(drain)(50)을 통해 다시 에칭 탱크(2)에 저장된다.At this time, the etching solution reacted with the copper foil is stored in the etching tank 2 again through the drain 50.

동박과 반응된 에칭액이 에칭 탱크(2)에 저장되면 에칭액 농도 제어기(10)는 에칭 탱크(2) 내부에 저장된 에칭액의 농도를 검출한 후 에칭액의 농도가 일정하게 유지되도록 염산 탱크(14)에 저장된 염산과 과수 탱크(12)에 저장된 과수를 동박과 반응된 에칭액과 혼합하게 된다.When the etching solution reacted with the copper foil is stored in the etching tank 2, the etching solution concentration controller 10 detects the concentration of the etching solution stored in the etching tank 2, and then, in the hydrochloric acid tank 14, the concentration of the etching solution is kept constant. The stored hydrochloric acid and the fruit water stored in the fruit water tank 12 are mixed with the etching solution reacted with the copper foil.

이때, 염산 탱크(14)에 저장된 염산과 과수 탱크(12)에 저장된 과수는 후방 압력 밸브(back pressure valve)(40a, 40b)를 열려 있는 상태에서 제어부(도시하지 않음)가 펌프(20h, 20i)를 구동시켜 염산과 과수를 에칭 탱크(2)에 공급한다. At this time, the hydrochloric acid stored in the hydrochloric acid tank 14 and the fruit water stored in the fruit water tank 12 are controlled by a controller (not shown) with the back pressure valves 40a and 40b opened. ) And hydrochloric acid and fruit water are supplied to the etching tank (2).

이에 따라, 에칭 탱크(2) 내부에 저장된 에칭액의 농도가 일정하게 유지되게 된다.As a result, the concentration of the etching liquid stored in the etching tank 2 is kept constant.

이때, 인쇄회로기판은 제 1 에칭조(4)와 제 2 에칭조(6)에서 공급되는 에칭액에 의해 상부 및 하부에 회로 패턴이 형성되게 된다.At this time, the circuit pattern is formed on the upper and lower portions of the printed circuit board by the etching liquid supplied from the first etching bath 4 and the second etching bath 6.

그리고, 회로 패턴이 형성된 인쇄회로기판은 제 3 에칭조(8)에 의해 그 표면이 평탄화되게 된다.Then, the surface of the printed circuit board on which the circuit pattern is formed is flattened by the third etching bath 8.

이와 같이 종래 기술에 따른 에칭 장치는 제 1 에칭조(4) 및 제 2 에칭조(6)에서 절연층의 양면에 동박이 적층 된 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 회로 패턴이 형성되고, 제 3 에칭조(8)에서 회로 패턴이 형성된 인쇄회로기판의 표면을 평탄하게 한다.As described above, in the etching apparatus according to the related art, circuit patterns are formed on upper and lower portions of a printed circuit board in which copper foil is laminated on both surfaces of the insulating layer in the first etching bath 4 and the second etching bath 6, and the third In the etching bath 8, the surface of the printed circuit board on which the circuit pattern is formed is made flat.

그러나, 이와 같은 종래 기술에 따른 에칭 장치는 하나의 에칭 탱크(2)에 저장된 에칭액의 농도를 하나의 에칭액 농도 제어기(10)로 조절하여 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 공급하기 때문에 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 형성되는 회로 패턴을 독립적으로 형성하기 힘들뿐만 아니라 회로 패턴의 미세화를 구현하기 힘든 문제가 있다.However, such an etching apparatus according to the related art adjusts the concentration of the etchant stored in one etching tank 2 with one etchant concentration controller 10 to supply the upper and lower portions of the printed circuit board. Not only is it difficult to independently form circuit patterns formed on the upper and lower portions, but it is difficult to realize miniaturization of the circuit patterns.

따라서, 본 발명은 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 공급되는 에칭액의 농도를 각각 제어함으로써 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 형성되는 회로 패턴을 독립적으로 형성함과 아울러 미세 회로 패턴을 형성할 수 있는 에칭 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. Therefore, according to the present invention, by controlling the concentration of the etching solution supplied to the upper and lower portions of the printed circuit board, the etching can be formed independently of the circuit patterns formed on the upper and lower portions of the printed circuit board, and a fine circuit pattern can be formed. It is an object to provide a device.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 에칭 장치는 제 1 에칭액 및 제 2 에칭액으로 인쇄회로기판의 하부 및 상부 동박을 각각 에칭하여 상기 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 각각 회로를 형성하는 에칭조; 상기 회로가 형성된 인쇄회로기판의 하부 및 상부 표면을 상기 제 1 에칭액 및 제 2 에칭액으로 각각 평탄화시키는 포스트 에칭조; 상기 에칭조 및 포스트 에칭조로부터 상기 동박과 반응된 제 1 에칭액 및 제 2 에칭액의 혼합 에칭액을 공급받아 저장하는 제 1 에칭 탱크; 상기 제 1 에칭액이 저장되고, 상기 제 1 에칭 탱크로부터 상기 혼합 에칭액을 공급받는 제 2 에칭 탱크; 상기 제 2 에칭액이 저장되고, 상기 제 1 에칭 탱크로부터 상기 혼합 에칭액을 공급받는 제 3 에칭 탱크; 과수가 저장된 과수 탱크; 염산이 저장된 염산 탱크; 상기 제 2 에칭 탱크에 저장된 제 1 에칭액의 농도를 검출하여 상기 과수와 염산을 이용하여 상기 제 1 에칭액의 농도를 조절하는 제 1 에칭액 농도 제어기; 및 상기 제 3 에칭 탱크에 저장된 제 2 에칭액의 농도를 검출하여 상기 과수와 염산을 이용하여 상기 제 2 에칭액의 농도를 조절하는 제 2 에칭액 농도 제어기를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the etching apparatus according to an embodiment of the present invention to form a circuit on the upper and lower portions of the printed circuit board by etching the lower and upper copper foil of the printed circuit board, respectively, with the first and second etching liquid. Etching bath; A post etching bath for flattening the lower and upper surfaces of the printed circuit board on which the circuit is formed, with the first and second etching solutions, respectively; A first etching tank for receiving and storing a mixed etching solution of a first etching solution and a second etching solution reacted with the copper foil from the etching bath and the post etching bath; A second etching tank in which the first etching solution is stored and supplied with the mixed etching solution from the first etching tank; A third etching tank in which the second etching solution is stored and supplied with the mixed etching solution from the first etching tank; Fruit tanks for storing fruit trees; A hydrochloric acid tank in which hydrochloric acid is stored; A first etchant concentration controller for detecting a concentration of the first etchant stored in the second etching tank and adjusting the concentration of the first etchant using the fruit water and hydrochloric acid; And a second etchant concentration controller that detects a concentration of the second etchant stored in the third etching tank and adjusts the concentration of the second etchant using the fruit water and hydrochloric acid.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 에칭 장치를 나타내는 도면이다.2 is a view showing an etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 에칭 장치는 제 1 에칭액 및 제 2 에칭액으로 인쇄회로기판의 하부 및 상부 동박을 각각 에칭하여 회로를 형성하는 제 1 에칭조(104) 및 제 2 에칭조(106), 회로가 형성된 인쇄회로기판의 하부 및 상부 표면을 제 1 에칭액 및 제 2 에칭액으로 각각 평탄화시키는 포스트 에칭조(108), 제 1 에칭조(104), 제 2 에칭조(106) 및 포스트 에칭조(108)로부터 동박과 반응된 제 1 에칭액 및 제 2 에칭액의 혼합 에칭액을 공급받아 저장하는 제 1 에칭 탱크(102a), 제 1 에칭액이 저장되고, 제 1 에칭 탱크로부터 혼합 에칭액을 공급받는 제 2 에칭 탱크(102b), 제 2 에칭액이 저장되고, 제 1 에칭 탱크로부터 혼합 에칭액을 공급받는 제 3 에칭 탱크(102c), 과수(H2O2)가 저장된 과수 탱크(112), 염산(HCl)이 저장된 염산 탱크(114), 제 2 에칭 탱크에 저장된 제 1 에칭액의 농도를 검출하여 과수와 염산으로 제 1 에칭액의 농도를 조절하는 제 1 에칭액 농도 제어기(110a), 제 3 에칭 탱크에 저장된 제 2 에칭액의 농도를 검출하여 과수와 염산으로 제 2 에칭액의 농도를 조절하는 제 2 에칭액 농도 제어기(110b)를 포함한다.Referring to FIG. 2, an etching apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention may include a first etching bath 104 and a second etching bath, each of which forms a circuit by etching a lower and upper copper foil of a printed circuit board with a first etching solution and a second etching solution. The etching bath 106, the post etching bath 108, the first etching bath 104, and the second etching bath 106 which planarize the lower and upper surfaces of the printed circuit board on which the circuit is formed with the first and second etching solutions, respectively. ) And a first etching tank 102a for receiving and storing a mixed etching solution of the first etching solution and the second etching solution reacted with the copper foil from the post etching tank 108, and the first etching solution is stored, and the mixed etching solution from the first etching tank. The second etching tank 102b receiving the supply, the second etching solution is stored, the third etching tank 102c receiving the mixed etching solution from the first etching tank, and the fruit water tank 112 in which the fruit water H 2 O 2 is stored. , Hydrochloric acid (HCl) stored in the hydrochloric acid tank 114, the second etching tank The first etchant concentration controller 110a which detects the concentration of the first etchant, and adjusts the concentration of the first etchant with the fruit water and hydrochloric acid, and detects the concentration of the second etchant stored in the third etching tank to detect the concentration of the second etchant. A second etchant concentration controller 110b for adjusting the concentration of the etchant is included.

이러한, 본 발명의 실시 예에 따른 에칭 장치는 제 1 에칭액 및 제 2 에칭액을 공급하기 위해 제 2 에칭 탱크(102b) 및 제 3 에칭 탱크(102c)와 제 1 에칭조(104), 제 2 에칭조(106) 및 포스트 에칭조(108) 사이에 각각 설치된 에칭액 공 급 배관, 제 2 에칭 탱크(102b) 및 제 3 에칭 탱크(102c)와 과수 탱크(112) 사이에 각각 설치된 과수 공급 배관, 제 2 에칭 탱크(102b) 및 제 3 에칭 탱크(102c)와 염산 탱크(114) 사이에 각각 설치된 염산 공급 배관, 제 1 에칭조(104), 제 2 에칭조(106) 및 포스트 에칭조(108)와 제 1 에칭 탱크(102a) 사이에 각각 설치된 제 1 드레인(150), 제 1 에칭 탱크(102a)와 제 2 에칭 탱크(102b) 및 제 3 에칭 탱크(102c) 사이에 각각 설치된 제 2 드레인(152)을 포함한다.The etching apparatus according to the embodiment of the present invention, the second etching tank 102b and the third etching tank 102c and the first etching tank 104, the second etching to supply the first etching liquid and the second etching liquid Etching liquid supply pipes respectively provided between the tank 106 and the post etching tank 108, the second water supply pipes respectively provided between the second etching tank 102b and the third etching tank 102c and the fruit water tank 112, and The hydrochloric acid supply pipe, the first etching tank 104, the second etching tank 106, and the post etching tank 108 respectively provided between the second etching tank 102b and the third etching tank 102c and the hydrochloric acid tank 114. And second drains 150 respectively provided between the first etching tank 102a and the first drain 150, the first etching tank 102a and the second etching tank 102b, and the third etching tank 102c. 152).

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 에칭 장치는 에칭액 공급 배관에 설치된 다수의 수동밸브(130a 내지 130l), 과수 공급 배관 및 염산 공급 배관에 설치된 다수의 후방 압력 밸브(Back Pressure Valve)(140a 내지 140d), 수동밸브(130a 내지 130p)와 수동밸브(130a 내지 130p) 사이와 과수 탱크(112) 및 염산 탱크(114)와 후방 압력 밸브(140a 내지 140d) 사이에 각각 설치된 다수의 펌프(120a 내지 120h)를 더 포함한다.In addition, the etching apparatus according to an embodiment of the present invention, a plurality of manual valves 130a to 130l installed in the etching solution supply pipe, a plurality of back pressure valves 140a to 140d installed in the permeate supply pipe and the hydrochloric acid supply pipe. ), A plurality of pumps 120a to 120h installed between the manual valves 130a to 130p and the manual valves 130a to 130p and between the fruit water tank 112 and the hydrochloric acid tank 114 and the rear pressure valves 140a to 140d, respectively. More).

제 1 에칭조(104) 및 제 2 에칭조(106)는 절연층의 양면에 동박이 적층 되고, 동박 위에 드라이 필름에 의해 회로 형태가 형성된 인쇄회로기판이 그 내부로 투입되면 제 1 에칭액 및 제 2 에칭액을 인쇄회로기판의 하부 및 상부에 각각 분사하여 드라이 필름이 적층 되지 않은 동박을 에칭하여 회로를 형성한다.In the first etching bath 104 and the second etching bath 106, copper foil is laminated on both surfaces of the insulating layer, and the first etching solution and the first etching bath are formed when a printed circuit board having a circuit form formed by a dry film is placed therein. 2 The etching solution is sprayed on the lower and upper portions of the printed circuit board, respectively, to etch the copper foil on which the dry film is not laminated to form a circuit.

포스트 에칭조(108)는 회로가 형성된 인쇄회로기판이 그 내부에 투입되면 제 1 에칭액 및 제 2 에칭액을 인쇄회로기판의 하부 및 상부에 각각 분사하여 인쇄회로기판 하부 및 상부 표면을 평탄화한다.When the printed circuit board on which the circuit is formed is introduced into the post etching bath 108, the first etching liquid and the second etching liquid are sprayed onto the lower and upper portions of the printed circuit board, respectively, to planarize the lower and upper surfaces of the printed circuit board.

다시 말해, 포스트 에칭조(108)는 제 1 에칭조(104) 및 제 2 에칭조(106)에 서 인쇄회로기판의 하부 및 상부에 회로 패턴을 형성할 때 제 1 에칭액 및/또는 제 2 에칭액의 고임으로 인해 발생 되는 인쇄회로기판 표면의 불규칙한 부분을 평탄하게 하는 작업을 한다.In other words, the post etching bath 108 may form the first etching solution and / or the second etching solution when the circuit patterns are formed on the lower and upper portions of the printed circuit board in the first etching bath 104 and the second etching bath 106. Work to flatten the irregularities on the surface of the printed circuit board caused by the pooling.

제 1 에칭 탱크(102a)는 제 1 에칭조(104), 제 2 에칭조(106) 및 포스트 에칭조(108)로부터 제 1 에칭액 및 제 2 에칭액이 동박과 반응되어 혼합된 혼합 에칭액이 공급되면 그 내부에 혼합 에칭액을 일정 이상 예를 들면, 제 1 에칭 탱크(102a) 용량의 5%~50%를 저장한 후 제 1 드레인(150)을 통해 제 2 에칭 탱크(102b)와 제 3 에칭 탱크(102c)에 동일한 양의 혼합 에칭액을 공급한다.When the first etching tank 102a is supplied with a mixed etching solution in which the first etching solution and the second etching solution are reacted with copper foil from the first etching tank 104, the second etching tank 106, and the post etching tank 108, the mixed etching solution is supplied. For example, the mixed etching solution is stored therein for more than a predetermined time, for example, after storing 5% to 50% of the capacity of the first etching tank 102a, and then, through the first drain 150, the second etching tank 102b and the third etching tank. The same amount of mixed etching solution is supplied to 102c.

이를 위해 제 1 드레인(150)에는 제어부(도시하지 않음)에 의해 구동되는 밸브와 제 1 에칭 탱크(102a) 내부에 저장되는 혼합 에칭액의 양을 측정하기 위한 혼합 에칭액 측정 장치가 설치된다.To this end, the first drain 150 is provided with a valve driven by a controller (not shown) and a mixed etching solution measuring device for measuring the amount of the mixed etching solution stored in the first etching tank 102a.

이러한, 제 1 에칭 탱크(102a)는 제 1 에칭조(104), 제 2 에칭조(106) 및 포스트 에칭조(108)로부터 공급되는 혼합 에칭액을 저장하지 않고 제 2 에칭 탱크(102b) 및 제 3 에칭 탱크(102c)에 바로 공급할 수도 있다.Such a first etching tank 102a is formed of the second etching tank 102b and the first etching tank 104 without storing the mixed etching liquid supplied from the first etching tank 104, the second etching tank 106, and the post etching tank 108. It can also supply directly to 3 etching tank 102c.

제 2 에칭 탱크(102b)는 인쇄회로기판 하부의 동박을 에칭하기 위한 제 1 에칭액을 저장하고, 에칭 공정 시 수동 밸브(130g 내지 130l)가 열린 후 제어부(도시하지 않음)에 펌프(120f 내지 120h)가 구동될 때 그 내부에 저장된 제 1 에칭액을 에칭액 공급 배관을 통해 제 1 에칭조(104), 제 2 에칭조(106) 및 포스트 에칭조(108)에 각각 공급한다.The second etching tank 102b stores the first etching liquid for etching the copper foil under the printed circuit board, and pumps 120f to 120h to the controller (not shown) after the manual valves 130g to 130l are opened in the etching process. Is driven, the first etchant stored therein is supplied to the first etching bath 104, the second etching bath 106 and the post etching bath 108 through the etching solution supply pipe.

제 3 에칭 탱크(102c)는 인쇄회로기판 상부의 동박을 에칭하기 위한 제 2 에 칭액을 저장하고, 에칭 공정 시 수동 밸브(130a 내지 130f)가 열린 후 제어부(도시하지 않음)에 펌프(120c 내지 120e)가 구동될 때 그 내부에 저장된 제 2 에칭액을 에칭액 공급 배관을 통해 제 1 에칭조(104), 제 2 에칭조(106) 및 포스트 에칭조(108)에 각각 공급한다.The third etching tank 102c stores the quenching liquid in a second for etching the copper foil on the upper portion of the printed circuit board, and the pump 120c to the controller (not shown) after the manual valves 130a to 130f are opened during the etching process. When 120e) is driven, the second etchant stored therein is supplied to the first etching bath 104, the second etching bath 106 and the post etching bath 108 through the etching solution supply pipe.

이때, 제 2 에칭액은 제 1 에칭액과 동일한 CuCl2가 사용되고, 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 형성되는 회로 패턴에 따라 제 1 에칭액과 동일한 농도를 갖거나 다른 농도를 갖는다.In this case, CuCl 2, which is the same as the first etching solution, is used, and the second etching solution has the same or different concentration as the first etching solution depending on the circuit patterns formed on the upper and lower portions of the printed circuit board.

과수 탱크(112)는 그 내부에 과수를 저장하고, 혼합 에칭액의 농도를 제 1 에칭액 또는 제 2 에칭액의 농도로 조절할 경우 과수 공급 배관을 통해 제 2 에칭 탱크(102b) 및 제 3 에칭 탱크(102c)에 과수를 공급한다.The fruit water tank 112 stores the fruit water therein and adjusts the concentration of the mixed etching solution to the concentration of the first etching liquid or the second etching liquid through the second etching tank 102b and the third etching tank 102c through the fruit water supply pipe. ) Fruit trees.

염산 탱크(114)는 그 내부에 염산을 저장하고, 혼합 에칭액의 농도를 제 1 에칭액 또는 제 2 에칭액의 농도로 조절할 경우 염산 공급 배관을 통해 제 2 에칭 탱크(102b) 및 제 3 에칭 탱크(102c)에 염산을 공급한다.The hydrochloric acid tank 114 stores hydrochloric acid therein and adjusts the concentration of the mixed etching liquid to the concentration of the first etching liquid or the second etching liquid through the second etching tank 102b and the third etching tank 102c through the hydrochloric acid supply pipe. Hydrochloric acid.

제 1 에칭액 농도 제어기(110a)는 제 2 에칭 탱크(102b) 내부에 저장된 제 1 에칭액의 농도를 검출한 후 과수와 염산을 이용하여 인쇄회로기판의 하부 동박 에칭 시 요구되는 에칭액 농도로 제 1 에칭액의 농도를 조절한다.The first etchant concentration controller 110a detects the concentration of the first etchant stored in the second etching tank 102b and then uses the permeate and hydrochloric acid to form the first etchant at the etching solution concentration required for etching the lower copper foil of the printed circuit board. Adjust the concentration.

제 2 에칭액 농도 제어기(110b)는 제 3 에칭 탱크(102c) 내부에 저장된 제 2 에칭액의 농도를 검출한 후 과수와 염산을 이용하여 인쇄회로기판의 상부 동박 에칭 시 요구되는 에칭액 농도로 제 1 에칭액의 농도를 조절한다.The second etchant concentration controller 110b detects the concentration of the second etchant stored in the third etching tank 102c and then uses the permeate and hydrochloric acid to form the first etchant at the etching solution concentration required for etching the upper copper foil of the printed circuit board. Adjust the concentration.

이상 설명한 본 발명의 실시 예에 따른 에칭 장치에서 제 1 에칭액 농도 제어기(110a)와 제 2 에칭액 농도 제어기(110b)가 각각 제 2 에칭 탱크(102b)와 제 3 에칭 탱크(102c)에 설치된 것만을 나타내었으나 제 1 에칭액 농도 제어기(110a)와 제 2 에칭액 농도 제어기(110b)는 제 1 에칭 탱크(102a)와 제 2 에칭 탱크(102b) 및 제 3 에칭 탱크(102c) 사이에 각각 설치될 수도 있다.In the etching apparatus according to the embodiment of the present invention described above, only the first etching liquid concentration controller 110a and the second etching liquid concentration controller 110b are provided in the second etching tank 102b and the third etching tank 102c, respectively. Although shown, the first etchant concentration controller 110a and the second etchant concentration controller 110b may be provided between the first etching tank 102a, the second etching tank 102b, and the third etching tank 102c, respectively. .

다시 말해, 제 1 에칭액 농도 제어기(110a)는 제 1 에칭 탱크(102a)와 제 2 에칭 탱크(102b) 사이의 제 2 드레인(152)에 설치되어 제 1 에칭 탱크(102a)에서 제 2 에칭 탱크(102b)로 공급되는 혼합 에칭액의 농도를 검출한 후 혼합 에칭액의 농도가 제 1 에칭액의 농도와 다를 경우 과수와 염산을 혼합 에칭액에 혼합하여 제 1 에칭액 농도로 조절한 후 농도가 조절된 제 1 에칭액을 제 2 에칭 탱크(102b)에 공급할 수 있다.In other words, the first etchant concentration controller 110a is installed in the second drain 152 between the first etching tank 102a and the second etching tank 102b so that the second etching tank in the first etching tank 102a is provided. After detecting the concentration of the mixed etching solution supplied to the 102b, if the concentration of the mixed etching solution is different from that of the first etching solution, the first fruit with the adjusted concentration after adjusting the concentration of the first etching solution by mixing the fruit water and hydrochloric acid with the mixed etching solution. Etching liquid can be supplied to the 2nd etching tank 102b.

또한, 제 2 에칭액 농도 제어기(110b)는 제 1 에칭 탱크(102a)와 제 3 에칭 탱크(102c) 사이의 제 2 드레인(152)에 설치되어 제 1 에칭 탱크(102a)에서 제 3 에칭 탱크(102c)로 공급되는 혼합 에칭액의 농도를 검출한 후 혼합 에칭액의 농도가 제 2 에칭액의 농도와 다를 경우 과수와 염산을 혼합 에칭액에 혼합하여 제 2 에칭액 농도로 조절한 후 농도가 조절된 제 2 에칭액을 제 3 에칭 탱크(102c)에 공급할 수 있다.In addition, the second etchant concentration controller 110b is provided in the second drain 152 between the first etching tank 102a and the third etching tank 102c to form a third etching tank (in the first etching tank 102a). After detecting the concentration of the mixed etching solution supplied to 102c) and the concentration of the mixed etching solution is different from the concentration of the second etching solution, the second etching solution in which the fruit water and hydrochloric acid are mixed with the mixed etching solution to adjust the concentration of the second etching solution and then the concentration is adjusted. Can be supplied to the third etching tank 102c.

이상 설명한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 에칭 장치는 두 개의 에칭액 농도 제어기를 이용하여 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 공급되는 에칭액의 농도를 각각 제어함으로써 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 독립된 회로 패턴을 구현 할 수 있게 된다.As described above, the etching apparatus according to the embodiment of the present invention uses two etching solution concentration controllers to control the concentration of the etching solution supplied to the upper and lower portions of the printed circuit board, respectively. Can be implemented.

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상술한 바와 같이, 본 발명은 두 개의 에칭액 농도 제어기를 이용하여 인쇄회로기판의 상부 및 하부의 에칭액 농도를 각각 제어함으로써 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 형성되는 회로 패턴을 독립적으로 구현할 수 있을 뿐만 아니라 미세한 회로를 구현할 수 있다.As described above, the present invention can independently implement circuit patterns formed on the upper and lower portions of the printed circuit board by controlling the etching liquid concentrations of the upper and lower portions of the printed circuit board using two etching liquid concentration controllers, respectively. It is possible to implement a fine circuit.

Claims (6)

제 1 에칭액 및 제 2 에칭액으로 인쇄회로기판의 하부 및 상부 동박을 각각 에칭하여 상기 인쇄회로기판의 상부 및 하부에 각각 회로를 형성하는 에칭조;An etching bath for etching the lower and upper copper foils of the printed circuit board with the first etching solution and the second etching solution, respectively, to form circuits on the upper and lower portions of the printed circuit board, respectively; 상기 회로가 형성된 인쇄회로기판의 하부 및 상부 표면을 상기 제 1 에칭액 및 제 2 에칭액으로 각각 평탄화시키는 포스트 에칭조;A post etching bath for flattening the lower and upper surfaces of the printed circuit board on which the circuit is formed, with the first and second etching solutions, respectively; 상기 에칭조 및 포스트 에칭조로부터 상기 동박과 반응된 제 1 에칭액 및 제 2 에칭액의 혼합 에칭액을 공급받아 저장하는 제 1 에칭 탱크;A first etching tank for receiving and storing a mixed etching solution of a first etching solution and a second etching solution reacted with the copper foil from the etching bath and the post etching bath; 상기 제 1 에칭액이 저장되고, 상기 제 1 에칭 탱크로부터 상기 혼합 에칭액을 공급받는 제 2 에칭 탱크;A second etching tank in which the first etching solution is stored and supplied with the mixed etching solution from the first etching tank; 상기 제 2 에칭액이 저장되고, 상기 제 1 에칭 탱크로부터 상기 혼합 에칭액을 공급받는 제 3 에칭 탱크;A third etching tank in which the second etching solution is stored and supplied with the mixed etching solution from the first etching tank; 과수가 저장된 과수 탱크;Fruit tanks for storing fruit trees; 염산이 저장된 염산 탱크;A hydrochloric acid tank in which hydrochloric acid is stored; 상기 제 2 에칭 탱크에 저장된 제 1 에칭액의 농도를 검출하여 상기 과수와 염산을 이용하여 상기 제 1 에칭액의 농도를 조절하는 제 1 에칭액 농도 제어기; 및A first etchant concentration controller for detecting a concentration of the first etchant stored in the second etching tank and adjusting the concentration of the first etchant using the fruit water and hydrochloric acid; And 상기 제 3 에칭 탱크에 저장된 제 2 에칭액의 농도를 검출하여 상기 과수와 염산을 이용하여 상기 제 2 에칭액의 농도를 조절하는 제 2 에칭액 농도 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.And a second etching solution concentration controller which detects the concentration of the second etching solution stored in the third etching tank and adjusts the concentration of the second etching solution by using the fruit water and hydrochloric acid. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 에칭 탱크는 상기 혼합 에칭액이 그 내부에 일정 이상 채워질 경우 상기 제 1 에칭 탱크와 상기 제 2 에칭 탱크 사이, 상기 제 1 에칭 탱크와 상기 제 3 에칭 탱크 사이에 각각 설치된 드레인을 통해 상기 제 2 에칭 탱크와 제 3 에칭 탱크에 동일한 양의 혼합 에칭액을 공급하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.The first etching tank may include the first through a drain provided between the first etching tank and the second etching tank, and between the first etching tank and the third etching tank when the mixed etching liquid is filled therein. The etching apparatus characterized by supplying the same amount of mixed etching liquid to a 2 etching tank and a 3rd etching tank. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 에칭 탱크는 상기 혼합 에칭액이 상기 제 1 에칭 탱크 용량의 5%~50%가 채워질 경우 상기 제 1 에칭 탱크와 상기 제 2 에칭 탱크 사이, 상기 제 1 에칭 탱크와 상기 제 3 에칭 탱크 사이에 각각 설치된 드레인을 통해 상기 제 2 에칭 탱크와 제 3 에칭 탱크에 동일한 양의 혼합 에칭액을 공급하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.The first etching tank is disposed between the first etching tank and the second etching tank when the mixed etching liquid is filled with 5% to 50% of the first etching tank capacity, and between the first etching tank and the third etching tank. Etching apparatus characterized by supplying the same amount of mixed etching liquid to the said 2nd and 3rd etching tank through the drain provided in each. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 에칭액과 상기 제 2 에칭액은 동일한 성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.And the first etching solution and the second etching solution are composed of the same component. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 1 에칭액과 상기 제 2 에칭액은 서로 다른 농도를 갖는 것을 특징으 로 하는 에칭 장치.And the first etchant and the second etchant have different concentrations. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 1 에칭액과 상기 제 2 에칭액은 동일한 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.And the first etchant and the second etchant have the same concentration.
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