KR100899723B1 - 소형의 환상-슬롯 안테나 - Google Patents

Abstract

본 발명은 환상 슬롯(annular slot)을 포함하는 기판을 통해 유지되는 평면 안테나에 관한 것으로, 상기 환상 슬롯은 정해진 주파수에서 동작하도록 치수가 정해지고, 상기 슬롯이 위치된 단락-회로 평면에서 마이크로스트립 라인과 같은 라인(2)을 통해서 피드된다.

이러한 슬롯(1a)에 의해서 형성된 환형(annulus)은 평면의 적어도 한 구역에서 만입 형태(indentations)로 변형되는데, 그 만입 형태의 구역에서는, 전계가 정해진 주파수 및 정해진 모드에 대해서 최소가 되고, 이는, 상기 슬롯이 제작되는 기판 구역의 표면 확장 없이도, 대응하는 원 형태의 환상 슬롯(1)에 관하여 슬롯 주변의 연장을 달성하는 것을 가능하게 한다.

Description

소형의 환상-슬롯 안테나{COMPACT ANNULAR-SLOT ANTENNA}

도 1은 기본 모드에서 동작하고 자신이 위치한 단락-회로 평면에서 피드 라인을 통해 피드되도록 설계된 원형의 환상 슬롯을 포함하는, 알려져 있는 예시적인 안테나에 관한 기본적인 개략도.

도 2는 기본 모드에서 동작하도록 설계되어지고 본 발명에 따라 변형된 환상 슬롯을 구비하는 제 1 예시적인 안테나를 나타내는 도면.

도 3은 도 1에 따른 종래의 안테나와 관련하여, 입력 임피던스 상에 도 2에 따른 안테나를 위해 수행되는 슬롯 변형의 영향을 보여주는 한 세트의 곡선을 나타내는 도면.

도 4 및 도 5는 도 1에 따른 안테나와 관련하여, 기준 삼면체의 xOz 및 yOz 평면에서, COE 및 COH 지향패턴 상에 도 2에 따른 안테나를 위해 실행되는 슬롯 변형의 영향을 예시하는 두 세트의 곡선을 나타내는 도면.

도 6은 도 1에 따른 안테나와 관련하여, 도 2에 따른 안테나에 대한 방사 효능에 관해서 슬롯 변형의 영향을 예시하는 한 세트의 두 곡선을 나타내는 도면.

도 7a, 7b, 7c는 기본 모드에서 동작하도록 설계된 변형 환상 슬롯의 각기 다른 방향에 관한 세 개의 개략도.

도 8은 앞서 고찰된 여러 경우에서, 이러한 안테나의 입력 임피던스에 대한 변형 환상 슬롯의 방향의 영향을 나타내는 한 세트의 곡선을 나타내는 도면.

도 9는 제 1의 고차 모드에 따라 동작하도록 설계된 것으로 가정된 변형 환상-슬롯 안테나를 위해 의도되는 다른 슬롯 변형에 관한 기본적인 개략도.

도 10은 동일 주파수 및 동일 모드 조건에서 동작하는 종래의 환상-슬롯 안테나에 관련하여, 도 9에 도시된 바와 같은 변형 환상-슬롯 안테나를 통해 달성되는 표면 영역의 감소를 나타내는 비교도.

도 11은 제 1의 고차 모드에 따른 동작의 프레임워크 내에서, 도 1 및 도 9에 각각 도시된 두 환상-슬롯 안테나의 입력 임피던스를 나타내는 한 세트의 곡선을 도시한 도면.

<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 환상 슬롯 1a : 변형 환상 슬롯

2 : 피드 라인 3, 3' : 만입 형태

X : 교차 지점(슬롯 여기 지점) S : 중앙 지점

본 발명은, 이동 무선 전화 네트워크의 사용자 단말기에 통합되도록 더욱 특별히 의도되는 것으로서 소형 형태를 나타내는 환상 슬롯을 구비한 평면 안테나에 관한 것이다. 이러한 네트워크는 공중망 또는 그렇지 않으면 구내망 및 어쩌면 가정용 네트워크에 엑세스가능할 수 있다.

그러한 이동 무선 네트워크를 위해 제공되는 사용자 단말기는 훨씬 더 작은 무게와 부피를 가짐으로써, 그 단말기를 쉽게 휴대하고 다닐 수 있기를 원하는 사용자의 바램을 충족시킨다. 그러므로, 그러한 단말기를 위해 제공되는 안테나는 그 크기는 작은 반면에 여전히 고성능을 제공하여야 한다.

인쇄 회로 타입의 지지대 상에 제작된 평면 안테나를 사용자 단말기에 통합시키는 것이 유리한데, 그 이유는 이러한 지지대가 낮은 측면(low profile)을 나타내기 때문이다. 이러한 조건 하에서, 평면 안테나는 단말기의 동작에 필요한 아날로그 처리 회로에 수월하게 통합되고, 이를 통해 그것들은 양호한 적합도(degree of fit)를 나타낸다.

알려져 있는 솔루션은 안테나에 유도되는 파장을 감소시킴으로써 방사 소자의 크기를 감소시키는 것을 가능케 하는 높은 유전율을 나타내는 평면 안테나 기판의 사용을 제공한다. 이러한 크기 감소는, 단말기가 현존하는 네트워크의 단말기 및 현재 개발 중에 있는 단말기에 대하여 제공되는 것처럼 낮은 주파수를 사용하는 경우와 특히 GSM, WAP, GPRS, UMTS 네트워크 등의 경우에 있어서 특별히 유리하다.

그러나, 높은 유전율을 갖는 그러한 기판을 사용하여 제작된 작은 안테나의 성능은 일반적으로 구조적인 원인으로 인한 열악한 효율 때문에 부적당한 것으로 간주될 수 있고, 상기 안테나는 또한 비교적 비싼 편이다.

그러므로, 본 발명은, 높은 유전율을 갖는 기판 상에 제작된 안테나에 일반적으로 영향을 미치는 효율 및 원가에 관해서 결점을 보이지 않는 표준 인쇄 기판을 통해서, 상당한 크기의 감소를 달성하는 것을 가능케 하는 환상 슬롯을 갖는 신 규의 평면 안테나 토폴로지를 제안한다.

그러므로, 본 발명의 주제는, 정해진 주파수에서 동작하도록 치수가 정해지면서 자신이 위치한 단락-회로 평면에서 피드 라인을 통해 피드되는 환상 슬롯을 포함한 기판에 의해서 실행되는 평면 안테나이다.

본 발명의 특징에 따라서, 환상 형태의 이러한 슬롯에 의해 형성된 환형은 평면의 적어도 한 구역에서 만입 형태(indentation)로 변형되는데, 그러한 만입 형태의 구역에서는 전계가 정해진 주파수 및 정해진 모드에 대해 최소가 됨으로써, 슬롯이 제작되어 있는 기판 구역의 표면을 확장하지 않고도, 대응하는 원 형태의 환상 슬롯에 대한 슬롯 주변길이(slot perimeter)의 연장을 나타내도록 한다.

본 발명의 특징에 따라서, 슬롯 환형은 적어도 한 구역에서 만입 형태로 변형되는데, 그러한 만입 형태의 구역에서는 전계가 지정된 수의 변형 요소에 의해서 및 특히 이 구역의 전체 또는 일부에 대한 만입 형태에 의해서 최소로 된다.

본 발명은, 그것의 특징 및 장점이 이후에 설명되는 도면들에 관련하여 후속하는 설명에서 명시된다.

도 1에 도시되어 있는 알려진 평면 안테나는 자신의 양면에 금속화된 표준 인쇄 회로로 구성되는 기판 상에 제작되는 것으로 가정된다. 원 형태의 환상 슬롯(annular slot)(1)은 안테나의 접지면을 구성하도록 의도되는 측면 상에서 에칭을 통해 종래방식대로 제작된다. 점선으로 표시된 피드 라인(2)은 슬롯(1)에 에 너지를 피드하도록 설계된다. 여기서, 피드 라인은, 예시된 바와 같이, 슬롯(1)에 대해 기판의 다른 측면 상에 위치되면서 그 슬롯에 의해 형성된 원에 대해서 방사상으로 지향되는 마이크로스트립 라인(microstrip line)으로 구성된다고 가정된다.

고찰된 실시예에서, 안테나의 마이크로스트립 라인/환상 슬롯 전환은, 슬롯(1)이 라인 단락-회로 평면, 즉 전류가 가장 큰 구역에 놓이도록 하는 알려진 방식으로 발생한다. 슬롯(1)의 주변길이(perimeter)은 유도될 파장의 "m" 배가 되도록 선택되는데, 여기서 "m"은 양의 정수이다.

여러 모드의 공진 주파수는 실질적으로 주파수(f₀)의 정수 배인데, 이들 모드는 특별히 기본 모드, 제 1의 고차 모드 등에 대응한다.

방사 패턴은 슬롯 내에서의 전계의 분포에 의해서 결정되는데, 알려진 바와 같이 상기 방사 패턴은 의도된 애플리케이션의 개별적인 필요요건을 충족시키도록 선택된다.

기본 모드에서 사용된다고 가정되며 주변길이가 유도될 파의 파장(λs)과 동일하도록 선택되는 원 형태의 환상 슬롯을 구비한 안테나의 전계는 도 1에서 긴 화살표에 의해 개략적으로 도시된 바와 같이, 슬롯(1)과 라인(2)의 교차 지점(X) 및 그것의 정반대 지점에서 최대 값(E_M)을 갖는다. 역으로, 이러한 전계는 상기 전계가 최대인 두 지점을 연결하는 직경에 수직하는 직경에 관하여 서로 정반대쪽에 위치하는 슬롯의 두 지점에서 최소 값(E_m), 작은 값 또는 제로 값을 갖는데, 이러한 최소 전계는 도면의 상단에 위치한 지점에서 짧은 화살표를 통해 개략적으로 도시되어 있다.

본 발명에 따라, 슬롯의 주변길이는 연장시키는 반면 기판 상에서 안테나에 의해 점유되는 영역은 감소시키는 방식으로 안테나의 슬롯에 의해 형성된 환형(annulus)을 변형(deform)시키는 것이 제공된다. 그러한 감소는 아주 동일한 기판 구역에 환상 슬롯을 위치시키고 아주 동일한 주파수로 동작하면서 각각이 상이한 모드에 대해 동작하는, 일예로 상이한 크기의 두 슬롯을 위치시키는 것을 가능케 하는데 사용될 수 있다. 정해진 비교적 작은 주변길이의 슬롯을 구비한 안테나가 일예로 기본 모드를 위해서 설계될 수 있고, 그런 후엔, 더 크게 지정된 주변길이를 갖는 안테나가 일예로 제 1의 고차 모드를 위해서 설계될 수 있다. 다음으로, 두 슬롯은 상기 두 슬롯을 유지하고 있는 기판의 아주 동일한 구역의 레벨에 제작될 수 있고, 여기서 한 슬롯은 다른 슬롯 내에 놓인다.

안테나가 특히 방사에 관련해서 결정되는 특징을 나타내도록 설계된다고 가정하면, 원 형태의 환상 슬롯을 구비한 비교 안테나의 방사 패턴에 관련해서 변형 안테나의 방사 패턴에 대한 그리 중요하지 않은 일그러짐을 생성하는 변형을 실행하는 것이 바람직하게 제공된다.

도 1에 도시된 환상 슬롯과 동일한 주파수에서 동일한 모드에 따라 동작하는 환상 슬롯의 예시적인 변형이 도 2에 도시되어 있다. 이러한 변형은 전계가 슬롯의 특정 구역, 즉 여기서는 이른바 전계가 최소가 되는 구역에서 제로이거나 매우 작다는 사실을 고려하여 발생된다. 그러므로, 슬롯에서 하나 이상의 변형 요소, 즉 일예로 하나 이상의 만입 형태(indentation)를 발생시켜서 이 구역에 있는 슬롯을 변형시킴으로써, 이러한 슬롯이 방사 소자를 구성하는 안테나의 동작에 어떤 유해한 결과도 발생시키지 않으면서, 슬롯의 연장을 달성하는 것이 가능하다.

도 2에 도시된 일예에서, 변형 환상 슬롯(1a)이 원 형태의 환상 슬롯(1)을 위해 설계된 기판 구역 내로 파고 들어감으로써(inscribed), 상기 원 형태의 환상 슬롯은 상기 변형 환상 슬롯으로 바뀐다. 이런 변형 환상 슬롯(1a)은 환상 슬롯(1)에 대한 동일 조건 하에서 피드 라인(2)에 의해 에너지가 피드될 수 있도록 설계되고, 두 슬롯(1 및 1a)은 예컨대 대략 2.4 GHz의 아주 동일한 주파수 및 아주 동일한 모드(여기서는, 기본 모드)를 위해 설계된다고 가정될 수 있다. 발생된 변형은 위에서 한정되어진 최소 전계의 두 구역에 속하고, 상기 변형은 대칭적으로 제작된 두 개의 만입 형태로 나타나는데, 상기 만입 형태는, 한편으로는, 전계가 이 슬롯 구성에서 최대가 되는 지점을 링크시키는 슬롯의 직경을 따라 제작되고, 이 지점들 중 하나는 슬롯(1a)과 슬롯의 피드 라인(2)의 교차 지점에 위치한 슬롯 여기(excitation) 지점(X)이며, 다른 한편으로는, 앞의 슬롯 직경에 대해 직교하는 슬롯 직경을 따라 제작된다.

더욱 일반적으로, 슬롯의 환형은, 본 발명에 따라, 정해진 주파수 및 정해진 모드에 대해서 전계가 최소가 되는 짝수 개의 구역의 중앙 지점(S)에 대해 만입 형태로서 대칭적으로 변형되도록 하는 방식으로 제작된다.

2.4 GHz에서 기본 모드로 동작하도록 설계되어진 원 형태의 환상 슬롯(1)의 경우에, 슬롯에 의해서 나타내어지는 영역은 16.4 ㎜의 반경을 갖는 원으로 범위가 정해질 수 있다. 변형 환상 슬롯의 대칭 중심을 구성하는 지점(S)에 대해서 대칭적이라고 가정되는 대응하는 변형 환상 슬롯은 16.4 ㎜의 반경을 갖는 원 내부로 파고 들어가게 될 것이고, 상기 원에 대해서 상기 변형 환상 슬롯은 전계가 최대가 되는 정반대의 구역에서 접선적일 것이지만, 반면에, 대조적으로, 앞선 직경에 직교하는 직경에 따른 슬롯의 치수는 두 개의 만입 형태(3, 3')에 의해서 개략적으로 도시된 바와 같이 크게 감소될 수 있다.

도 1 및 도 2에 예시된 두 안테나 구조의 시뮬레이션은, 그러한 변형이 도 3, 4 및 5에 도시된 바와 같이 슬롯이 그리 중요하지 않은 결점을 가지면서 연장하도록 허용한다는 것을 입증할 수 있게 한다.

도 3은 그 환상 슬롯이 포함하고 있는 안테나의 입력 임피던스에 대한 위에서 고찰된 환상 슬롯 변형의 영향을 나타내고 있다. 도 2에서 예시되어진 변형 슬롯의 입력 임피던스("Zin")는, 주파수 함수에 따라, 하나는 이러한 슬롯 임피던스의 허수부의 변동에 관한 것이고 다른 하나는 실수부의 변동에 관한 것인, 두 개의 곡선(FD로 참조됨)에 의해 주어진다. 실수부 및 허수부에 관한 Ω단위의 스케일이 도면에 각각 도시되어 있는데, 실수부는 차트의 좌측에 지정되어 있고 허수부는 차트의 우측에 지정되어 있으며, 그와 동일한 사항이 도 1에 예시되어 있는 비변형 슬롯에 대해서 생성된 두 곡선(F로 참조됨)에 대해서도 적용된다. 변형 슬롯의 입력 임피던스의 허수부가 제로를 지나가는 지점의 저주파수 방향으로 이동이 존재한다는 것이 곡선(F 및 FD)을 검토함으로써 확실하게 자명해진다. 이러한 이동은 원 형태의 환상 슬롯에 대한 2.4 GHz로부터 변형 환상 슬롯에 대한 2.3 GHz로 가는 슬롯의 공진 주파수에 있어서의 감소와 등가이다.

그와 대조적으로, 도 1에 예시된 슬롯과 도 2에 예시된 슬롯 각각에 관하여 F 및 FD로 참조되어진 지향 패턴을 특징으로 하는 도 4 및 5는 이러한 패턴에 관한 슬롯 변형의 영향이 거의 없음을 나타내고 있다.

0°인 평면(φ)에서의 E-θ성분은 도 4에 도시된 E 평면의 코폴러 패턴(copolar pattern)(COE)에 대응한다. 90°인 평면(φ)에서의 E-φ성분은 도 5에 예시된 H 평면의 코폴러 패턴(COH)에 대응한다. COE 및 COH 안테나 지향의 고도 표현은, 위에서 고찰되었고 도 1에 개략적으로 도시된 것과 같은 원 형태의 환상 슬롯을 구비한 안테나의 경우에는 2.4 GHz의 주파수로 획득되고 도 2에 따른 변형 환상 슬롯을 구비한 안테나의 경우에는 2.3 GHz의 주파수로 획득된다.

변형 환상 슬롯을 구비한 안테나의 방사 효능은 도 6의 차트에서 곡선(F 및 FD)으로 도시된 것과 같은 원 형태의 환상 슬롯을 구비한 안테나의 방사 효능과 등가인데, 도 6의 차트에서 주파수는 횡좌표를 따라 도시되어 있고, %로 눈금이 표시된 방사 효능은 종좌표를 따라 도시되어 있다. 유도된 파의 주파수가 원 형태의 환상 슬롯을 구비한 안테나에 대해서는 2.4 GHz이고 변형 환상 슬롯을 구비한 안테나에 대해서는 2.3 GHz의 더 낮은 주파수일 때, 두 안테나는 실질적으로 대략 81%의 동일한 방사 효능을 갖는다는 것이 명백히 자명해진다. 이것은, 동일 주파수 및 동일 모드에서 동작하는 원 형태의 환상 슬롯을 구비한 안테나의 설치에 필요한 것 보다 더 작은 기판 영역에 걸쳐 유도되는 파의 주파수를 사용하는 것을 가능케 하는 변형 환상 슬롯의 주변길이의 연장을 통해 제공되는 장점을 나타낸다.

주파수 함수에 따른 두 환상 슬롯의 입력 임피던스의 변동을 예시하는 도 3은, 정해진 주파수에 대한 변형 환상 슬롯의 임피던스가 변형 환상 슬롯에 관해서 최대 값을 위한 저주파수 방향으로의 이동을 통해 허수부 및 실수부 둘 모두에 대해서 원형의 환상 슬롯의 임피던스와 다르다는 것을 나타낸다. 이러한 최대 값은 또한 원 형태의 환상 슬롯에 대해 획득된 최대 값 보다 더 크다. 입력 임피던스의 실수부에 있어서의 상당한 증가가 주시되고, 그러한 증가된 입력 임피던스는 기본 모드에서 대략 700 Ω이라는 높은 값에 이를 수 있으며, 이는 변형 환상 슬롯의 입력 임피던스를 변경시키는 것이 불가능하다면, 매칭에 관해서 결점을 구성할 것이다.

본 발명에 따라, 이러한 입력 임피던스의 변동은 변형 슬롯의 피드 평면을 이동시킴으로써 달성되는데, 이러한 이동은, 이러한 슬롯의 피드 평면이 임피던스가 더 낮은 평면에 부합하도록 제작되는 방식으로 피드 라인에 대해 슬롯을 변위시키는 것에 대응한다. 따라서, 이것은 슬롯에 따른 슬롯 여기 지점(X)의 위치에 대한 변경으로서 나타낸다.

도 7a, 7b, 7c에 예시된 바와 같이, 피드 라인에 관해서 및 상기 피드 라인을 포함하는 기판 상의 평면에서, 변형 슬롯을 대칭 중심(S)에 대해 회전시키는 것이 제공된다.

여기서 제공되는 회전은, 도 1에 예시된 위치에 대해, 도 7a에 도시된 슬롯(1b)의 경우에는 30°이고, 도 7b 및 7c에 도시된 슬롯(1c 및 1d)의 경우에는 각각 45° 및 60°이다. 그러한 회전은 슬롯에 따른 슬롯 여기 지점의 세 개의 다른 위치(Xb, Xc, Xd)를 획득하도록 유도하는데, 상기 슬롯은 각각의 기판 상에 상기 슬롯을 피드시키는 라인에 관련하여 각각의 지향을 통해 서로 다르다.

도 8에 도시된 곡선 세트는, 변형 슬롯 상에 부여되는 회전이 상기 변형 슬롯의 입력 임피던스 및 더 특별하게는 이런 임피던스의 실수부에 있어서의 감소를 야기한다는 것을 나타낸다.

1 및 1'로 참조된 곡선은 도 1에서 고찰된 바와 같은 원 형태의 환상 슬롯에 대한 입력 임피던스의 실수부 및 허수부에 각각 대응한다. 2 및 2'로 참조된 곡선은 도 2에 도시된 변형 환상 슬롯에 대한 입력 임피던스의 실수부 및 허수부에 각각 대응한다. 3 및 3', 4 및 4', 5 및 5'로 각각 참조된 곡선은 도 7a, 7b, 및 7c에 예시된 변형 및 이동 슬롯의 각 실수부 및 허수부에 대응한다. 유도된 파의 주파수 함수에 따른 입력 임피던스의 이러한 부분, 즉 실수부 및 허수부 둘 모두의 변동 진폭은 슬롯 회전 각도가 증가하기 때문에 감소하고, 임피던스 매칭은 정해진 주파수 및 모드 조건 하에서 이러한 각도에 대한 지정된 값을 선택함으로써 달성될 수 있다는 것이 확실하게 자명해진다.

본 발명에 따라서, 기본 모드 보다 더 고차인 모드에서 이러한 변형 슬롯을 동작시키는 것이 제공될 때, 환상 슬롯이 위에서 고찰된 것보다 훨씬 작은 기판 구역을 차지하도록 하는 방식으로 정해진 주파수에서 동작하도록 의도되는 환상 슬롯의 변형을 발생시키는 것이 또한 제공된다. 도 1 내지 도 8과 관련하여 고찰된 변형 환상 슬롯을 통해 달성되는 절감보다 실질적으로 더 크게 되는 영역의 절감이 달성될 수 있는데, 기본 모드에서 동작하도록 의도된 이러한 슬롯을 통해서 예상되는 영역의 절감은 대략 10%이다.

도 9는 1f로 참조된 원형의 환상 슬롯에 대해 고찰되는 것에 대응하는 주파수 및 제 1의 고차 모드에서 동작하도록 설계되는 변형 슬롯(1e)의 비제한적인 예를 도시하고 있다.

위에서 정의된 원리에 따라서, 주변길이가 유도될 파의 파장(λs)의 두 배가 되는 변형 슬롯을 제작하는 것이 제공된다. 전계가 슬롯 환형을 따라 주기적으로 변하고, 그 전계는 특정 구역에서는 0이거나 매우 작고 다른 구역에서는 최대가 된다는 사실을 사용하여, 대응하는 원 형태의 환상 슬롯(1f)에 대해 상기 슬롯을 변형시킴으로서 연장이 달성된다. 도 9에 도시된 경우에 있어서, 전계는, 한편으로는 슬롯(1e)과 라인(2)의 교차 지점(X) 및 그 슬롯의 정반대 지점의 레벨에서 최대 값(E_M)을 갖고, 다른 한편으로는 전계가 최대가 되는 것으로서 앞서 고려된 두 정렬된 지점을 연결하는 직경에 직교하는 직경을 따라 서로 정반대에 위치하는 두 지점의 레벨에서 최대 값(E_M)을 갖는다. 그러므로, 이것은 슬롯 환형의 대칭 중심(S)을 구성하는 중앙 지점(Se)에 대해서 90°인 주기성(periodicity)의 각도 변동에 대응한다. 전계는, 도 9에서, 서로에 대해 90°로 주기적으로 배치된 4 개의 지점에 대한 최소 값과 대조적으로, 슬롯과 피드 라인의 교차 지점에 대해 30°로 배치된 지점들 중 첫 번째 지점으로부터 시작하고 있다. 슬롯(1e)의 경우에 전계에 있어서의 변동의 표시는 길이가 전계 값을 상징적으로 나타내는 한 세트의 화살표를 통해 제공된다.

변형 환상 슬롯(1e)의 레벨에서 발생된 변형은 위에서 정의된 최소 전계의 4 구역에 속하고, 이러한 변형은 만입 형태로 각각 구성되는 4 개의 변형 요소로서 명시되는데, 이런 만입 형태는 중앙 지점(Se)에 대해서 대칭적으로 서로 쌍을 이루면서 발생된다.

도 10은 제 1의 고차 모드와 일예로 대략 4.8 GHz의 동일 주파수에서 동작하는 위에서 고찰된 변형 슬롯(1e) 및 원형의 환상 슬롯(1f)에 대한 각각의 크기를 예시하는데, 그것은 이 경우에 거의 60%까지 달성되는 공간 절감을 나타낸다.

도 11은 변형 환상 슬롯을 포함하는 안테나의 입력 임피던스에 대한 변형 환상 슬롯(1e)의 레벨에 제공될 때의 환상 슬롯 변형의 영향을 나타내고 있다.

도 10에 예시되어 있는 변형 슬롯(1e)의 입력 임피던스는, 주파수의 함수에 따라, 이러한 슬롯 임피던스의 허수부에 있어서의 변동에 대한 하나의 곡선 및 실수부에 있어서의 변동에 대한 다른 하나의 곡선에 대응하는 FD로 참조된 두 곡선에 의해서 제공되는데, 실수부 및 허수부에 관련한 Ω단위의 스케일이 각각 도시되어 있고, 차트의 좌측에는 실수부가 명시되어 있고, 차트의 우측에는 허수부가 명시되어 있다. 동일한 사항이 비변형 슬롯(1f)에 대해 생성되어진 F로 참조되는 두 곡선에 대해서도 적용된다. 원 형태의 환상 슬롯(1f)에 관련해서 변형 환상 슬롯(1e)의 입력 임피던스에 있어서의 비교적 큰 증가가 도 11에 도시된 곡선(F 및 FD)을 검토함으로써 자명해진다. 바로 앞에서 설명한 것처럼, 기본 모드에서 동작하는 변형 환상 슬롯의 경우에는, 도 7에 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 슬롯 여기 지점의 위치를 변경시킴으로써 이러한 입력 임피던스를 감소시키는 것이 제공된다.

변형 환상 슬롯(1a)의 경우에서와 같이, 변형 환상 슬롯(1e)은 COE 및 COH 지향 패턴에 관해서는 아무런 큰 영향을 미치지 않고, 따라서 두 지향성 패턴은 여기서는 묘사되지 않았다.

여기서는 슬롯 피드가 마이크로스트립 라인을 통해서 생성되었다고 가정되었는데, 이는 알려진 바와 같이, 일예로 동축 케이블을 통해서도 물론 다르게 구성될 수 있다.

상술된 바와 같이, 본 발명은 높은 유전율을 갖는 기판 상에 제작된 안테나에 일반적으로 영향을 미치는 효율 및 원가에 관해서 결점을 보이지 않는 표준 인쇄 기판을 통해서, 상당한 크기의 감소를 달성하는 것을 가능케 하는 환상 슬롯을 갖는 신규의 평면 안테나 토폴로지를 제공한다.

Claims (7)

1. 접지면이 제공된 기판과, 정해진 주파수로 동작하도록 치수가 정해진 환상 슬롯과, 상기 환상 슬롯에 에너지를 공급하는 피드 라인(2)을 포함하는 평면 안테나로서, 상기 환상 슬롯은 적어도 하나의 변형된 구역을 구비하는, 평면 안테나에 있어서,

   상기 변형된 구역이 정해진 주파수 및 정해진 모드에 대해 전계가 최소인 환상 슬롯의 구역에 위치하는데, 원형 슬롯(1)을 파고 들어간(inscribed) 형태인 환상 슬롯의 주변길이(perimeter)가, 상기 환상 슬롯이 형성된 기판 구역의 표면의 확장 없이도, 상기 원형 슬롯의 주변길이보다 더 크도록, 변형 구역이 위치하는 것을 특징으로 하는, 평면 안테나.
2. 제 1항에 있어서, 상기 환상 슬롯은 정해진 주파수 및 정해진 모드에 대해 전계가 최소로 되는 상기 환상 슬롯의 적어도 하나의 구역 내에 지정된 개수의 변형된 구역을 포함하는 것을 특징으로 하는, 평면 안테나.
3. 제 2항에 있어서, 상기 환상 슬롯은 중앙 지점(S)에 대해 대칭적으로 변형되며, 또한 상기 환상 슬롯은 정해진 주파수 및 정해진 모드에 대해서 상기 전계가 최소가 되는 짝수 개의 변형 구역을 포함하는 것을 특징으로 하는, 평면 안테나.
4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 환상 슬롯과 상기 피드라인의 교차 지점(X)에 위치하고, 정해진 주파수 및 정해진 모드에 대해서 상기 전계가 최대가 되는 또 다른 지점에 상기 교차 지점을 연결하는 상기 환상 슬롯의 대칭축에 놓이는 슬롯 여기 지점(slot excitation point)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 평면 안테나.
5. 제 1항에 있어서, 상기 환상 슬롯은 이 환상 슬롯의 대칭축의 양쪽에 배치된 두 개의 변형 구역을 포함하고, 상기 대칭축은 상기 피드 라인의 축에 대응하며, 정해진 모드는 기본 모드인 것을 특징으로 하는, 평면 안테나.
6. 제 1항에 있어서, 상기 환상 슬롯은 이 환상 슬롯의 중앙 지점(S)에 대해서 대칭적으로 배치되는 4 개의 변형된 구역을 포함하고, 상기 정해진 모드는 기본 모드보다 더 고차인 제 1 모드인 것을 특징으로 하는, 평면 안테나.
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