KR100899391B1 - Apparatus Local exposure and the method for defect repairing photomask using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 부분 노광 장치는, 포토마스크가 배치된 스테이지; 포토마스크에 발생된 결함의 수정 공정을 제어하는 오퍼레이션 컴퓨터; 포토마스크 상에 발생된 결함 이미지를 측정하는 영상기록장치; 영상기록장치로부터 측정된 이미지 신호를 이용하여 수정할 영역을 지정하는 이미지 프로세서; 포토마스크 상에 레이저 빔을 투과시키는 노광용 레이저; 노광용 레이저로부터 투과되는 레이저 빔의 크기를 조절하는 어퍼쳐; 및 노광용 레이저로부터 포토마스크 상에 레이저 빔이 노광되는 영역을 확인할 수 있는 레이저 마커용 조명을 포함한다. The partial exposure apparatus of the present invention comprises: a stage on which a photomask is disposed; An operation computer for controlling a process of correcting defects generated in the photomask; An image recording apparatus for measuring a defect image generated on the photomask; An image processor for designating an area to be corrected by using an image signal measured from an image recording apparatus; An exposure laser for transmitting a laser beam on the photomask; An aperture for controlling the size of the laser beam transmitted from the exposure laser; And illumination for a laser marker capable of identifying an area where a laser beam is exposed on the photomask from the exposure laser.

부분 노광, 이미지 프로세서, 레이저 빔 Partial exposure, image processor, laser beam

Description

부분 노광 장치 및 이를 이용한 포토마스크의 결함 수정 방법{Apparatus Local exposure and the method for defect repairing photomask using the same}Partial exposure apparatus and defect correction method of photomask using the same {Apparatus Local exposure and the method for defect repairing photomask using the same}

도 1은 본 발명에 따른 부분 노광 장치를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.1 is a view illustrating a partial exposure apparatus according to the present invention.

도 2 내지 도 7은 본 발명에 따른 부분 노광 장치를 이용한 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.2 to 7 are diagrams for explaining a defect correction method of the photomask using the partial exposure apparatus according to the present invention.

본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 부분 노광 장치 및 이를 이용한 포토마스크의 결함 수정방법에 관한 것이다. The present invention relates to a photomask, and more particularly, to a partial exposure apparatus and a defect correction method of a photomask using the same.

반도체 장치의 제조공정에서는 반도체 기판의 표면에 소자들을 형성하기 위하여 다수의 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 실시한다. 이러한 포토리소그래피 공정을 통해 고집적 회로를 형성하기 위해서는 미세한 패턴을 갖는 포토마스크가 요구되고 있다. 이러한 포토마스크를 제조하는 과정에서 마스크 패턴 상에 흑결함(Dark defect)이 유발될 수 있다. 흑결함은 인접하는 패턴들 간에 이어지는 브릿지(bridge) 형태나 패턴 형성영역 이외의 영역으로 돌출되는 분출(extrusion) 형태의 불투명 결함(opaque defect)을 포함한다. 흑결함은 웨이퍼 상에 패턴 결함을 유발하므로, 포토마스크의 출하 이전에 흑결함의 제거를 위해 수정 작업(defect repair)이 수반되고 있다. 흑결함을 수정하는 작업은 레이저 수정(laser repair) 장치의 펄스 레이저(pulse laser)나 포커스 이온빔(FIB: Focused Ion Beam) 장치의 브롬(Brom) 가스를 이용한 식각 또는 XeF2 가스를 이용한 식각 방법을 이용하여 흑결함을 제거하고 있다. 이때, 포토마스크 상에 복잡한 패턴이 형성되어 있거나 결함의 크기가 클 경우, 수정(repair) 장치의 특성별로 수정 작업 후 여러 가지 형태의 문제점이 발생할 수 있다. In the manufacturing process of a semiconductor device, a plurality of photolithography processes are performed to form elements on a surface of a semiconductor substrate. In order to form a highly integrated circuit through such a photolithography process, a photomask having a fine pattern is required. Dark defects may occur on the mask pattern in the process of manufacturing the photomask. Black defects include opaque defects in the form of bridges that extend between adjacent patterns or extrusions that protrude into areas other than the pattern forming region. Since black defects cause pattern defects on the wafer, defect repairs are involved to remove black defects prior to shipping the photomask. Correcting the black defect may be performed by using a pulse laser of a laser repair device or an etching method using a bromine gas of a focused ion beam (FIB) device or an etching method using an XeF 2 gas. To remove black defects. In this case, when a complex pattern is formed on the photomask or the size of a defect is large, various types of problems may occur after the correction operation for each characteristic of the repair apparatus.

구체적으로, 레이저 수정 장치의 경우, 마스크 패턴의 가장자리(edge) 면에 레이저에 의해 온도가 가해지면(lase heating) 마스크 패턴층이 말려 올라가면서 언덕과 같은 모양을 나타내는 현상인 롤업(roll up) 현상이 발생할 수 있다. 다음에 포커스 이온빔 장치의 경우, 포토마스크의 투명 기판 상에 갈륨 얼룩(stain)이 발생할 수 있다. 또한, 수정 작업 방법의 어려움 및 수정 작업이 불가능한 사례가 발생할 수도 있어 이로 인해 포토마스크를 폐기하고 새로 제작하는 과정이 요구될 수 있다. Specifically, in the case of the laser correction apparatus, when a temperature is applied to the edge surface of the mask pattern by a laser, a roll up phenomenon is a phenomenon in which the mask pattern layer is rolled up and shows a hilly shape. This can happen. Next, in the case of the focus ion beam apparatus, gallium stain may occur on the transparent substrate of the photomask. In addition, there may be difficulties in the corrective method and the case that the corrective action is impossible, which may require a process of discarding the photomask and new production.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 흑결함이 발생된 부분만을 제거하 고, 흑결함을 제거하는 과정에서 발생되는 결함을 억제할 수 있는 부분 노광 장치 및 이를 이용한 포토마스크의 결함 수정 방법을 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a partial exposure apparatus capable of removing only a portion where black defects are generated and suppressing a defect generated in a process of removing black defects, and a method of correcting a defect of a photomask using the same. have.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 부분 노광 장치는, 포토마스크가 배치된 스테이지; 상기 포토마스크에 발생된 결함의 리페어 공정을 제어하는 오퍼레이션 컴퓨터; 상기 포토마스크 상에 발생된 결함 이미지를 측정하는 영상기록장치; 상기 영상기록장치로부터 측정된 이미지 신호를 이용하여 수정할 영역을 지정하는 이미지 프로세서; 상기 포토마스크 상에 레이저 빔을 투과시키는 노광용 레이저; 상기 노광용 레이저로부터 투과되는 레이저 빔의 크기를 조절하는 어퍼쳐; 및 상기 노광용 레이저로부터 상기 포토마스크 상에 레이저 빔이 노광되는 영역을 확인할 수 있는 레이저 마커용 조명을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, the partial exposure apparatus according to the present invention, the stage on which the photomask is disposed; An operation computer for controlling a repair process of a defect generated in the photomask; An image recording apparatus for measuring a defect image generated on the photomask; An image processor for designating a region to be corrected by using the image signal measured by the image recording apparatus; An exposure laser that transmits a laser beam on the photomask; An aperture controlling a size of a laser beam transmitted from the exposure laser; And illumination for a laser marker that can identify a region where a laser beam is exposed on the photomask from the exposure laser.

본 발명에 있어서, 상기 노광용 레이저는, 상기 노광용 레이저로부터 투과되는 레이저 빔의 광량을 조절하는 감쇄 필터; 및 상기 노광용 레이저로부터 투과되는 레이저 빔을 분리 또는 혼합시키는 빔 스플리터를 더 포함하는 것이 바람직하다.In the present invention, the exposure laser, the attenuation filter for adjusting the light amount of the laser beam transmitted from the exposure laser; And a beam splitter for separating or mixing the laser beam transmitted from the exposure laser.

상기 스테이지 하부에 배치되면서 상기 포토마스크에 투과되는 레이저의 진로를 변경할 수 있는 노광용 미러를 더 포함하는 것이 바람직하다. It is preferable to further include an exposure mirror disposed under the stage to change the course of the laser beam transmitted through the photomask.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 부분 노광 장치를 이용한 포토마스크의 결함 수정 방법은, 결함이 검출된 포토마스크 상에 포토레지스 트막을 도포하는 단계; 상기 포토마스크를 오퍼레이션 컴퓨터, 영상기록장치, 이미지 프로세서, 노광용 레이저, 어퍼쳐 및 레이저 마커용 조명을 포함하는 부분 노광 장치 상에 배치하는 단계; 상기 포토마스크에서 결함이 발생된 영역을 영상기록장치로 검출하고, 상기 이미지 프로세서에서 정상 패턴 및 결함이 발생된 영역을 구분하는 단계; 상기 이미지 프로세서에서 구분된 결함이 발생된 영역에 상기 노광용 레이저를 이용하여 노광을 수행하는 단계; 상기 포토마스크 상에 현상 공정을 진행하여 상기 노광이 진행된 영역의 포토레지스트막을 식각하여 결함을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징한다.In order to achieve the above technical problem, a method of correcting a defect of a photomask using the partial exposure apparatus according to the present invention comprises: applying a photoresist film on a photomask on which a defect is detected; Disposing the photomask on a partial exposure apparatus including an operation computer, an image recording apparatus, an image processor, an exposure laser, an aperture and illumination for a laser marker; Detecting a region where a defect occurs in the photomask with an image recording apparatus, and distinguishing a region having a normal pattern and a defect generated in the image processor; Performing exposure by using the exposure laser in an area where a defect generated in the image processor is generated; And developing a defect on the photomask by etching the photoresist layer in the exposed region.

본 발명에 있어서, 상기 정상 패턴 및 결함이 발생된 영역을 구분하는 단계는, 상기 영상기록장치로부터 얻어진 이미지 신호를 이용하여 상기 포토마스크에서 결함이 발생된 영역을 상기 이미지 프로세서에서 화상 처리하는 단계; 상기 화상 처리된 결함 발생 영역을 지정하는 단계; 및 상기 지정된 영역을 상기 이미지 프로세서를 이용하여 정상 패턴과 결함 부분의 경계를 분리하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. In the present invention, the step of distinguishing the normal pattern and the region where the defect is generated may include: image processing the region where the defect is generated in the photomask using the image signal obtained from the image recording apparatus; Designating the image processing defect generation area; And separating the designated area from the boundary between the normal pattern and the defective part by using the image processor.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 부분 노광 장치를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다. 1 is a view illustrating a partial exposure apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 부분 노광 장치는, 포토마스크(M)가 배치된 스테이지(stage, 100)와, 포토마스크(M)에 발생된 결함의 리페어(repair) 공정을 제어하는 오퍼레이션 컴퓨터(Operation Computer, 110)와, 포토마스크(M) 상에 발생된 결함 이미지를 측정하는 영상기록장치(120)와, 영상기록장치(120)로부터 측정된 이미지 신호를 이용하여 수정할 영역을 지정하는 이미지 프로세서(Image Processor, 130)와, 포토마스크(M) 상에 레이저 빔을 투과시키는 노광용 레이저(140)와, 노광용 레이저(140)로부터 투과되는 레이저 빔의 크기를 조절하는 어퍼쳐(Aperture, 170) 및 노광용 레이저(140)로부터 포토마스크(M) 상에 레이저 빔이 노광되는 영역을 확인할 수 있는 레이저 마커용 조명(Laser marker, 190)을 포함하여 이루어진다. 여기서 부분 노광 장치는, 노광용 레이저(140)로부터 투과되는 레이저 빔의 광량을 조절하는 감쇄 필터(Attenuator filter, 150), 노광용 레이저(140)로부터 투과되는 레이저 빔을 분리 또는 혼합시키는 빔 스플리터(Beam splitter, 160) 및 스테이지(100) 하부에 배치되면서 포토마스크(M)에 투과되는 레이저 빔의 진로를 변경할 수 있는 노광용 미러(180)를 더 포함하는 것이 바람직하다. Referring to FIG. 1, the partial exposure apparatus according to the present invention includes an operation of controlling a repair process for repairing a defect generated in the photomask M and a stage 100 in which the photomask M is disposed. A computer (Operation Computer) 110, an image recording apparatus 120 for measuring a defect image generated on the photomask M, and an area to be corrected using the image signal measured from the image recording apparatus 120 are designated. An image processor 130, an exposure laser 140 for transmitting a laser beam on the photomask M, and an aperture 170 for adjusting the size of the laser beam transmitted from the exposure laser 140. ) And laser marker illumination 190 that can identify the area where the laser beam is exposed on the photomask M from the exposure laser 140. Here, the partial exposure apparatus includes an attenuator filter 150 for adjusting the amount of light of the laser beam transmitted from the exposure laser 140, and a beam splitter for separating or mixing the laser beam transmitted from the exposure laser 140. , 160, and an exposure mirror 180 which is disposed under the stage 100 and may change a path of a laser beam transmitted through the photomask M, may be further included.

이하 도 1 내지 도 7을 참조하여 부분 노광 장치를 이용한 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of correcting a defect of a photomask using a partial exposure apparatus will be described with reference to FIGS. 1 to 7.

먼저, 결함 검사 장치에서 검사 포토마스크의 결함 발생 여부를 검사한다. 다음에 도 2에 도시한 바와 같이, 결함이 발견된 포토마스크(200) 상에 포토레지스트막을 형성한다. 포토레지스트막은 코팅 모듈(coating module)의 스핀 척(210) 상에 포토마스크(200)를 배치한 다음 포토레지스트 물질을 도포하여 형성할 수 있다. First, the defect inspection apparatus inspects whether a defect of the inspection photomask occurs. Next, as shown in FIG. 2, a photoresist film is formed on the photomask 200 in which a defect is found. The photoresist film may be formed by disposing a photomask 200 on the spin chuck 210 of a coating module and then applying a photoresist material.

다음에 결함이 발견된 포토마스크(200)를 도 1의 부분 노광 장치의 스테이지(100) 상에 배치한다. 다음에 도 3에 도시한 바와 같이, 검사 데이터를 연결하여 결함이 발생된 위치로 이동하여 오퍼레이션 컴퓨터(110)의 모니터에서 결함을 확인한다. 오퍼레이션 컴퓨터(110)의 모니터에서 결함이 확인되면, 포토마스크(M)에서 결함이 발생된 영역을 영상기록장치(120)로 검출하고, 결함 부분을 드래그(drag)하여 결함 발생 영역(A)을 박스(box) 형태로 설정한다(도 4). 설정된 결함 발생 영역(A)은 영상기록장치(120)에서 얻어진 이미지 신호를 이미지 프로세서(130)에서 받는다. 다음에 이미지 프로세서(130)에서 포토마스크(M) 상에 형성된 크롬(Cr)막과 석영 기판의 경계를 화상 처리하여 패턴의 가장자리(edge, 300)를 계산한다. 이렇게 계산된 패턴의 가장자리(300)의 프로파일을 이용하여 정상 패턴과 결함이 발생된 부분(310)의 경계를 구별한다(도 5). 여기서 결함을 검출하는 영상기록장치(120)는 CCD 카메라를 이용할 수 있다. Next, the photomask 200 in which the defect is found is disposed on the stage 100 of the partial exposure apparatus of FIG. 1. Next, as shown in FIG. 3, the inspection data is connected to the position where the defect is generated, and the defect is confirmed by the monitor of the operation computer 110. FIG. When the defect is confirmed on the monitor of the operation computer 110, the photomask M detects the region where the defect has occurred, and drags the defective portion to draw the defect generation region A. FIG. It is set in the form of a box (Fig. 4). The set defect generation area A receives an image signal obtained by the image recording apparatus 120 from the image processor 130. Next, the image processor 130 performs image processing on the boundary between the chromium (Cr) film formed on the photomask M and the quartz substrate to calculate the edge 300 of the pattern. The calculated profile of the edge 300 of the pattern is used to distinguish the boundary between the normal pattern and the portion 310 in which the defect is generated (FIG. 5). Here, the image recording apparatus 120 for detecting a defect may use a CCD camera.

다음에 이미지 프로세서(130)가 구별한 결함 발생 영역(A, 도 4 참조)을 어퍼쳐(170)에서 신호를 보내 노광할 영역만큼 어퍼쳐(170)를 조절한 다음 노광용 레이저(140)로부터 수정 영역(B)에 레이저를 조사하는 노광 공정을 수행한다(도 6). Next, the aperture 170 is signaled from the aperture 170 by the image processor 130, and the aperture 170 is adjusted as much as the area to be exposed, and then corrected from the exposure laser 140. The exposure process which irradiates a laser to area | region B is performed (FIG. 6).

노광용 레이저(140)로부터 조사되는 레이저는 감쇄 필터(150), 레이저 빔을 분리 또는 혼합시키는 빔 스플리터(160)를 지나 어퍼쳐(170)에서 레이저 빔의 크기가 조절되어 렌즈(185)를 통해 포토마스크(M)로 조사된다. 여기서 감쇄 필터(150)는 노광용 레이저(140) 앞에 배치되며, 각각의 휠에 코팅 정도를 구별하여 통과하는 레이저 광량을 조절하는 광학 필터로 가공 부위나 조건에 따라 에너지의 세기를 강하게 하거나 약하게 하여 최적의 가공 조건을 만든다. 빔 스플리터(160)는 한 개의 레이저 빔을 두 방향으로 분리하거나 또는 두 개의 빔을 혼합하여 사용한다. 이때, 거울이나 프리즘을 사용한다. 두 개의 빔을 혼합할 경우, 편광 성분이 같은 빔이나 파장이 다를 때 거울이나 프리즘을 사용할 수 있다. 이러한 원리로 본 발명의 부분 노광 장치에서는 가공용 레이저로 두 가지 레이저를 사용하는데, 이때, 각각의 레이저 파장이 다른 두 개의 빔을 빔 스플리터(160)를 이용하여 하나의 광 축으로 혼합시키는 역할을 한다. The laser irradiated from the exposure laser 140 passes through the attenuation filter 150 and the beam splitter 160 that separates or mixes the laser beam. The mask M is irradiated. Here, the attenuation filter 150 is disposed in front of the exposure laser 140, and is an optical filter that controls the amount of laser light passing through each wheel by distinguishing the coating degree, the strength of the energy is strong or weak depending on the processing site or condition is optimal Makes the processing conditions of The beam splitter 160 separates one laser beam in two directions or mixes two beams. At this time, use a mirror or prism. When mixing two beams, mirrors or prisms can be used when the same polarization component is used or when the wavelengths are different. For this reason, the partial exposure apparatus of the present invention uses two lasers as processing lasers, in which two beams having different laser wavelengths are mixed into one optical axis using the beam splitter 160. .

이와 같이, 어퍼쳐(170)가 이미지 프로세서(130)로부터 신호를 받으면, 어퍼쳐(170)의 X, Y축 모터를 움직여 수정 작업할 크기로 조절한다. 여기서 어퍼쳐(170)는 4개의 플레이트(plate)로 구성되며, 각각의 플레이트에 모터가 설치되어 크게 X, Y축으로 구성된다. 장치의 조작부에서 X, Y축 어퍼쳐를 동작시키면 모터가 동작하여 플레이트가 상하좌우로 움직여 레이저 빔의 크기를 원하는 만큼 가려 레이저 빔의 크기를 조절한다. 한편, 포토마스크(M) 상에 조사하는 레이저의 진로를 변경할 경우, 노광용 미러(180)에 반사시켜 목적하고자 하는 방향으로 빛을 휘게 한다. 이러한 원리로 본 발명의 부분 노광 장치를 소형화하기 위해 레이저 빔을 휘게 한다. 레이저 빔을 직선으로만 구성하면 수 미터가 되나 노광용 미러(180)를 이용하여 레이저 빔을 휘게 하면 적은 공간에서도 각각의 기능의 광 부품을 조합하여 원하는 장치를 구성할 수 있다. As such, when the aperture 170 receives a signal from the image processor 130, the aperture 170 is adjusted to a size to be corrected by moving the X and Y axis motors of the aperture 170. Here, the aperture 170 is composed of four plates, and motors are installed on each plate, and are largely composed of X and Y axes. When the X and Y axis apertures are operated on the control unit of the device, the motor is operated to move the plate up, down, left, and right to cover the size of the laser beam as desired to adjust the size of the laser beam. On the other hand, when changing the course of the laser irradiated on the photomask (M), it is reflected by the exposure mirror 180 to bend the light in the desired direction. On this principle, the laser beam is bent to miniaturize the partial exposure apparatus of the present invention. If the laser beam is composed of only a straight line, it can be several meters. However, if the laser beam is bent using the exposure mirror 180, a desired device can be configured by combining optical components having respective functions in a small space.

이미지 프로세서(130)에 의해 어퍼쳐(170)가 수정 작업할 크기로 조절되면, 어퍼쳐(170)가 자동으로 조리개 역할을 한다. 이때, 레이저 마커용 조명(190)을 점 등(Turn on)시키면 작업자가 오퍼레이션 컴퓨터(110)의 모니터 상에서 레이저 빔이 나오는 영역을 확인할 수 있다. 이때, 노광되는 영역이 정확하지 않을 경우 노광 진행을 멈출 수 있다. When the aperture 170 is adjusted to a size to be corrected by the image processor 130, the aperture 170 automatically serves as an aperture. In this case, when the laser marker lighting 190 is turned on, the operator may check the area where the laser beam is emitted on the monitor of the operation computer 110. At this time, if the exposed area is not accurate, the exposure process can be stopped.

이와 같이, 수정 영역(B) 상에 부분 노광공정을 진행한 다음에 현상 모듈로 이동하여 포토마스크(M) 상에 현상 공정을 진행한다. 그러면 부분 노광이 진행된 영역의 포토레지스트막이 식각되면서 결함을 제거할 수 있다. As described above, the partial exposure process is performed on the correction region B, and then the development module is moved to the development module to perform the development process on the photomask M. FIG. As a result, the photoresist film of the region subjected to the partial exposure is etched to remove the defect.

본 발명에 따른 부분 노광 장치 및 이를 이용한 부분 노광 장치는, 검사 데이터를 연결하여 결함 위치를 모니터에서 확인한 후 이미지 프로세서에서 결함 부분과 정상 부분을 판별한다. 다음에 어퍼쳐가 노광할 크기만큼 조절하여 결함 부분에만 레이저 빔을 투과한다. 다음에 결함 부분만이 노광된 상태에서 현상 및 식각 공정을 거쳐 수정 작업을 완료할 수 있다. 이와 같이 결함 부분에만 수정 공정을 진행함으로써 롤업 현상이나 갈륨 얼룩과 같은 결함이 발생하는 것을 방지하여 석영 기판의 투과율을 개선시킬 수 있다. 또한, 불량 부분의 수정 작업시 장치에 따라 패턴의 선폭이 변화하는 등의 불량(error)을 최소화할 수 있다. The partial exposure apparatus and the partial exposure apparatus using the same connect the inspection data to check the defect position on the monitor, and then determine the defective portion and the normal portion in the image processor. Next, the aperture is adjusted by the size to be exposed so that the laser beam is transmitted only to the defective portion. Next, the correcting operation can be completed through the development and etching process with only the defective portion exposed. In this way, by performing the correction process only on the defective portion, it is possible to prevent the occurrence of defects such as a rollup phenomenon or gallium staining to improve the transmittance of the quartz substrate. In addition, an error such as a change in the line width of the pattern may be minimized according to the device during the correction operation of the defective part.

지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 부분 노광 장치 및 이를 이용한 포토마스크의 결함 수정 방법에 의하면, 결함 위치를 확인하고, 결함 부분만을 노광한 후, 수정 작업을 진행함으로써 불량 부분의 수정 작업시 발생할 수 있는 패턴의 선폭 에러 영향을 최소화할 수 있다. 또한, 롤 업 현상이나 갈륨 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있어 포토마스크의 투과율을 개선시킬 수 있다. As described so far, according to the partial exposure apparatus and the method for correcting defects of the photomask using the same according to the present invention, after confirming the defect position, exposing only the defective portion, and performing the corrective operation, It is possible to minimize the effect of the line width error of the pattern. In addition, it is possible to prevent the roll-up phenomenon and gallium spots from occurring, thereby improving the transmittance of the photomask.

Claims (6)

포토마스크가 배치된 스테이지;A stage on which the photomask is disposed; 상기 포토마스크에 발생된 결함의 리페어 공정을 제어하는 오퍼레이션 컴퓨터;An operation computer for controlling a repair process of a defect generated in the photomask; 상기 포토마스크 상에 발생된 결함 이미지를 측정하는 영상기록장치;An image recording apparatus for measuring a defect image generated on the photomask; 상기 영상기록장치로부터 측정된 이미지 신호를 이용하여 수정할 영역을 지정하는 이미지 프로세서; An image processor for designating a region to be corrected by using the image signal measured by the image recording apparatus; 상기 포토마스크 상에 레이저 빔을 투과시키는 노광용 레이저; An exposure laser that transmits a laser beam on the photomask; 상기 노광용 레이저로부터 투과되는 레이저 빔의 크기를 조절하는 어퍼쳐; 및An aperture controlling a size of a laser beam transmitted from the exposure laser; And 상기 노광용 레이저로부터 상기 포토마스크 상에 레이저 빔이 노광되는 영역을 확인할 수 있는 레이저 마커용 조명을 포함하는 것을 특징으로 하는 부분 노광 장치.And a laser marker illumination capable of confirming an area in which a laser beam is exposed on the photomask from the exposure laser. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 영상기록장치는 CCD 카메라를 이용하는 것을 특징으로 하는 부분 노광 장치.And the image recording apparatus uses a CCD camera. 제1항에 있어서, 상기 노광용 레이저는, The method of claim 1, wherein the exposure laser, 상기 노광용 레이저로부터 투과되는 레이저 빔의 광량을 조절하는 감쇄 필터; 및An attenuation filter controlling an amount of light of the laser beam transmitted from the exposure laser; And 상기 노광용 레이저로부터 투과되는 레이저 빔을 분리 또는 혼합시키는 빔 스플리터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 부분 노광 장치.And a beam splitter for separating or mixing the laser beam transmitted from the exposure laser. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 스테이지 하부에 배치되면서 상기 포토마스크에 투과되는 레이저의 진로를 변경할 수 있는 노광용 미러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 부분 노광 장치.Partial exposure apparatus further comprises an exposure mirror disposed below the stage to change the course of the laser beam transmitted through the photomask. 결함이 검출된 포토마스크 상에 포토레지스트막을 도포하는 단계; Applying a photoresist film on the photomask on which the defect is detected; 상기 포토마스크를 오퍼레이션 컴퓨터, 영상기록장치, 이미지 프로세서, 노광용 레이저, 어퍼쳐 및 레이저 마커용 조명을 포함하는 부분 노광 장치 상에 배치하는 단계;Disposing the photomask on a partial exposure apparatus including an operation computer, an image recording apparatus, an image processor, an exposure laser, an aperture and illumination for a laser marker; 상기 포토마스크에서 결함이 발생된 영역을 영상기록장치로 검출하고, 상기 이미지 프로세서에서 정상 패턴 및 결함이 발생된 영역을 구분하는 단계;Detecting a region where a defect occurs in the photomask with an image recording apparatus, and distinguishing a region having a normal pattern and a defect generated in the image processor; 상기 이미지 프로세서에서 구분된 결함이 발생된 영역에 상기 노광용 레이저를 이용하여 노광을 수행하는 단계;Performing exposure by using the exposure laser in an area where a defect generated in the image processor is generated; 상기 포토마스크 상에 현상 공정을 진행하여 상기 노광이 진행된 영역의 포토레지스트막을 식각하여 결함을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 부 분 노광 장치를 이용한 포토마스크의 결함 수정 방법.Performing a developing process on the photomask to etch the photoresist film in the exposed region to remove the defects. 제5항에 있어서, 상기 정상 패턴 및 결함이 발생된 영역을 구분하는 단계는, The method of claim 5, wherein the distinguishing of the normal pattern and the region where the defect is generated comprises: 상기 영상기록장치로부터 얻어진 이미지 신호를 이용하여 상기 포토마스크에서 결함이 발생된 영역을 상기 이미지 프로세서에서 화상 처리하는 단계;Image processing, in the image processor, a region where a defect occurs in the photomask by using the image signal obtained from the image recording apparatus; 상기 화상 처리된 결함 발생 영역을 지정하는 단계; 및Designating the image processing defect generation area; And 상기 지정된 영역을 상기 이미지 프로세서를 이용하여 정상 패턴과 결함 부분의 경계를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 부분 노광 장치를 이용한 포토마스크의 결함 수정 방법.And separating the boundary between the normal pattern and the defective portion by using the image processor in the designated area.
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