JP2004200691A - Method for characterizing lens system, and mask - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To present a method that further improves a determination of a distortion produced by a lens' faults while image-forming a mask structure on a substrate. <P>SOLUTION: A mask with a structural arrangement which has a structure and an auxiliary structure assigned to it is projected onto a substrate. The structure has a width greater than the resolution limit of an exposure device, and the auxiliary structure has a width projected onto the substrate, which is smaller than its resolution limit. Exposure is selected such that underexposure arises, and after the development step, at least one of the auxiliary structures is generated onto the substrate. An image structure that is image-formed out of the auxiliary structure is detected using a microscope. Depending on the orientation of the auxiliary structure toward the structure, the width of the image-formed structure is amplified or attenuated by a lens' aberration that operates while an image is formed based on a lens system, in which case the attenuation may cause non-formation on the substrate. Accordingly, the detection brings about information on the direction and intensity of the lens aberration of a lens system used. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

本発明は、露光デバイスにおけるレンズ系を特性決定するための方法およびマスクに関する。露光デバイスは、光源およびレンズ系を備え、これらは、マスクから達成可能な最小幅で基板平面に構造を転写するように構成される。   The present invention relates to a method and a mask for characterizing a lens system in an exposure device. The exposure device comprises a light source and a lens system, which are configured to transfer the structure to the substrate plane with the smallest width achievable from the mask.

集積回路を製作するためのリソグラフィ投射法の分野において、基板上に配置された連続的層をパターニングするために、露光デバイスが用いられる。これらの層は、例えば、相互接続を形成するための絶縁層または導電層であり得る。リソグラフィ投射を用いて構造を形成する間、通常、露光デバイスにおいて、その露光デバイスのビームパスに配置されたマスクの透明構造が、基板上に付与された感光層に転写される。感光層は、次に、現像され、これにより、エッチング工程において、現像された層に残る構造が下に位置する層に転写され得る。   In the field of lithographic projection for fabricating integrated circuits, an exposure device is used to pattern a continuous layer disposed on a substrate. These layers can be, for example, insulating or conductive layers for forming interconnects. During formation of a structure using lithographic projection, typically in an exposure device, the transparent structure of a mask located in the beam path of the exposure device is transferred to a photosensitive layer provided on a substrate. The photosensitive layer is then developed so that in an etching step, the structure remaining in the developed layer can be transferred to the underlying layer.

光源およびレンズ系は、露光デバイスで結像するために用いられる。可能な限り小さい集積回路の構造を形成できるようにするという一般的な要求に基づいて、新しい投射技術の開発は、構造の最小幅が基板上で結像され得る限界に繰返し直面している。この限界は、光学式投射系の光学解像限界によって与えられる。以下の関係
ｓ＝ｋ１・λ／ＮＡ
が、達成可能な最小幅ｓに当てはまり、ここで、λは光源によって発せられた光の波長であり、ＮＡは、レンズ系の開口数であり、ｋ１は、現在用いられるリソグラフィ投射技術を表すファクタである。ファクタｋ１の大きさは、例えば、特定のタイプの位相マスクの使用、および、例えば、輪帯照明（ＯＡＩ）等の、設定された照明の種類によって決定される。ｋ１の値は、現在用いられるリソグラフィ投射技術を用いてではｋ１＝０．４の値をほとんど下回ることはない。 The light source and lens system are used for imaging with an exposure device. Based on the general requirement to be able to form integrated circuit structures as small as possible, the development of new projection technologies has repeatedly faced the limit that the minimum width of the structures can be imaged on a substrate. This limit is given by the optical resolution limit of the optical projection system. The following relationship s = k 1 · λ / NA
Applies to the minimum achievable width s, where λ is the wavelength of the light emitted by the light source, NA is the numerical aperture of the lens system, and k 1 represents the currently used lithographic projection technology. Is a factor. The size of the factor k 1 is, for example, use of a particular type of phase mask, and, for example, such as annular illumination (OAI), is determined by the type of illumination is set. The value of k 1 is never little below the value of k 1 = 0.4 than with a lithographic projection techniques currently used.

マスク上に形成される不透明層における構造、すなわち透明構造のマスクから基板上への結像は、さらに、レンズの不具合、いわゆるレンズ収差によって、より困難になる。この効果は、特に、基板上に投射された構造が、基板上の達成可能な最小幅に近い断面を有する場合に生じる。   Imaging in the structure of the opaque layer formed on the mask, i.e., from the mask having the transparent structure, on the substrate is further made difficult by lens defects, so-called lens aberrations. This effect occurs especially when the structure projected on the substrate has a cross section near the minimum achievable width on the substrate.

基板上で局所的に結像される構造は、マスク上の構造を形成する構造のジオメトリに依存して、系統的な影響を受ける。従って、例えば、異なったジオメトリを有する構造の配置は異なった影響を受ける。これらの影響は、例えば、マスク上のそれぞれの位置に対する、基板上の構造のずれである。マスク上に対称的に形成された構造が基板上に左右非対称に生成されることも同様に可能である。   Structures that are locally imaged on the substrate are systematically affected, depending on the geometry of the structures that form the structures on the mask. Thus, for example, the arrangement of structures having different geometries is affected differently. These effects are, for example, the displacement of the structure on the substrate relative to the respective position on the mask. It is likewise possible for a structure formed symmetrically on the mask to be produced asymmetrically on the substrate.

レンズの不具合によって引き起こされたこのような歪みは、コマおよび／または非点収差とも呼ばれる。さらなる効果は、結像された構造における凹凸の形成の結果であるスリーリーフクローバーとも呼ばれるレンズの不具合によって、製作されるべき集積回路の機能性を損ない得る非対称が生じ得ることである。   Such distortions caused by lens defects are also called coma and / or astigmatism. A further advantage is that defects in the lens, also called three-leaf clover, as a result of the formation of irregularities in the imaged structure can cause asymmetries that can impair the functionality of the integrated circuit to be manufactured.

現在、実行されるべき基板の露光に対するレンズの不具合の影響が、より正確に判定され得るように、レンズのいわゆる特性決定が実行される。特性決定は、例えば、それぞれの基準システムを基準として、マスク上の構造からの構造が結像された位置のずれを可能な限り定量的に判定することを含む。位置は、例えば、コーナーまたはエッジ等の構造の一部分も含み得る。   At present, so-called characterization of the lens is performed so that the effect of the lens failure on the exposure of the substrate to be performed can be determined more accurately. The characterization includes, for example, determining, as quantitatively as possible, the displacement of the position at which the structure is imaged from the structure on the mask with respect to the respective reference system. A location may also include, for example, a portion of a structure such as a corner or edge.

特性決定は、さらに、結像を示す多項式を展開してＺｅｒｎｉｃａ係数を決定することであり得、その係数から、次に、それぞれの位置のずれが決定され得る。   The characterization may further comprise developing a polynomial representing the imaging to determine the Zernica coefficients, from which the respective positional deviations may then be determined.

これまでに、露光デバイスのレンズ系のレンズの不具合を判定する実質的に２つの方法が公知である。第１に、用いられるべきレンズを通じて、測定を直接的に実行することが可能であり、これは、通常、露光デバイスの製作中にのみ可能である。   Heretofore, there are substantially two known methods for determining defects in a lens of a lens system of an exposure device. First, the measurement can be performed directly through the lens to be used, which is usually only possible during fabrication of the exposure device.

しかしながら、第２に、試験用基板の露光を実行することもまた可能であり、ここで、各場合に構造の異なったジオメトリを反射する多数の試験用マスクの構造が試験用基板上に結像される。例えば、ＳＥＭまたは光学式またはＵＶ顕微鏡等の顕微鏡を用いる点検において、結像された試験用構造は、続いて検査され、位置の差異は、位置、構造のジオメトリ、および、適切であれば、照明の設定に依存して判定される。   Secondly, however, it is also possible to carry out an exposure of the test substrate, in which the structure of a number of test masks, which in each case reflects a different geometry of the structure, is imaged on the test substrate. Is done. For example, in inspection using a microscope such as an SEM or optical or UV microscope, the imaged test structures are subsequently inspected and the differences in position are determined by the position, the geometry of the structure, and, if appropriate, the illumination. Is determined depending on the setting of.

従って、同様のジオメトリを有する構造を後から露光するために、用いられるべきレンズを具体的に予測することを可能にする。   Thus, it is possible to specifically predict the lens to be used for later exposure of structures having similar geometry.

本発明の目的は、基板上にマスク構造を結像する間にレンズの不具合によって生成される歪みの判定をさらに改善することが可能である方法を提示することである。特に、本発明の目的は、スリーリーフクローバーまたはコマ等の、判定が困難であるレンズの不具合をより短時間およびより高精度で判定することである。   It is an object of the present invention to provide a method that can further improve the determination of the distortion created by lens defects while imaging a mask structure on a substrate. In particular, an object of the present invention is to determine a defect of a lens, such as a three-leaf clover or a top, which is difficult to determine, in a shorter time and with higher accuracy.

本発明による方法は、露光デバイスにおけるレンズ系を特性決定する方法であって、該露光デバイスは、構造を結像して達成可能な最小幅でマスク（５）から基板平面に転写するように構成された光源および該レンズ系を備え、該方法は、該露光デバイス、および感光層を有する基板を提供する工程と、少なくとも１つの実質的に不透明または半透明の構造（１０）、および少なくとも１つの実質的に不透明または半透明の補助構造（２０、２１）が配置された透明な支持体を有するマスク（５）を提供する工程であって、ａ）該構造（１０）は、該露光デバイスによって該基板平面に達成可能な該最小幅よりも大きい、該基板平面に投射される第１の幅を有し、ｂ）該少なくとも１つの補助構造（２０、２１）は、各場合について、該露光デバイスによって該基板平面に達成可能な該最小幅よりも小さい、該基板平面に投射される第２の幅（２２）を有し、ｃ）該基板平面に投射される、少なくとも１つの補助構造（２０、２１）と該構造（１０）との間の距離（２５）は、該露光源によって放射された光の達成可能な該最小幅よりも小さい、工程と、マスク上の該構造（１０）および該少なくとも１つの補助構造（２０、２１）を該基板上の該感光層に投射する目的で、該光源によって該マスク（５）を露光する工程と、構造を該基板上に形成する目的で、該感光層を現像する工程と、該基板上の少なくとも１つの該補助構造（２０、２１）を検出する工程であって、該補助構造は、像構造（１２１）として該基板上に結像される、工程と、該検出結果に依存して、結果信号を出力する工程とを包含する、方法であり、それにより、上記目的が達成される。   The method according to the invention is a method for characterizing a lens system in an exposure device, the exposure device being configured to image a structure and transfer from a mask (5) to a substrate plane with a minimum achievable width. Providing a substrate having an exposure device and a photosensitive layer, at least one substantially opaque or translucent structure (10), and at least one Providing a mask (5) having a transparent support on which a substantially opaque or translucent auxiliary structure (20, 21) is arranged, wherein a) the structure (10) is Having a first width projected on the substrate plane that is greater than the minimum width achievable on the substrate plane, b) the at least one auxiliary structure (20, 21) is in each case provided with the exposure At least one auxiliary structure (c) having a second width (22) projected onto the substrate plane that is less than the minimum width achievable by the vice on the substrate plane, and c) projected onto the substrate plane ( A distance (25) between the first and second structures (20, 21) and the structure (10) is smaller than the achievable minimum width of the light emitted by the exposure source; And exposing the mask (5) with the light source for projecting the at least one auxiliary structure (20, 21) onto the photosensitive layer on the substrate; and for forming a structure on the substrate. Developing the photosensitive layer and detecting at least one of the auxiliary structures (20, 21) on the substrate, the auxiliary structures being imaged on the substrate as image structures (121). Depending on the step and the result of the detection, Comprising a step of force, a method, whereby the above-mentioned object can be achieved.

各場合について、前記構造（１０）に関して、前記同じ幅（２２）および前記同じ距離（２５）を有する、少なくとも前記第１および第２の補助構造（１２０、１２１）を有するマスク（５）が提供され、前記現像工程における露光量および／または露光時間は、該第１または該第２の補助構造（２０、２１）の１つのみが、構造（１２１）として前記基板上に形成されるように選択され、前記検出工程の間、構造として結象されたのは該２つの補助構造（１２０、１２１）のうちのどちらであるかを確認するために顕微鏡が用いられてもよい。   In each case, with respect to the structure (10), there is provided a mask (5) having at least the first and second auxiliary structures (120, 121) having the same width (22) and the same distance (25). The exposure amount and / or exposure time in the developing step is such that only one of the first or second auxiliary structures (20, 21) is formed on the substrate as a structure (121). A microscope may be used to identify which of the two auxiliary structures (120, 121) was selected and embodied as a structure during the detection step.

各場合について、前記構造に関して、前記同じ幅（２２）および前記同じ距離（２５）を有する、少なくとも前記第１および第２の補助構造（２０、２１）を有するマスクが提供され、前記現像工程における露光量および／または露光時間は、該第１の補助構造（２０）および該第２の補助構造（２１）の両方が、構造（１２１ｂ、１２１ｃ）として前記基板上に形成されるように選択され、前記検出工程の間、該第１の補助構造（１２１ｂ）の第１の幅（２２ｂ）、および該第２の補助構造（１２１ｃ）の第２の幅（２２ｃ）は、該基板上で顕微鏡を用いて測定され、該第１の幅（２２ｂ）は、該第２の幅（２２ｃ）と比較され、かつ、該２つの幅（２２ｂ、２２ｃ）のうちのどちらがより大きいかが確認されてもよい。   In each case, for the structure, a mask is provided having at least the first and second auxiliary structures (20, 21) having the same width (22) and the same distance (25), and The exposure dose and / or exposure time is selected such that both the first auxiliary structure (20) and the second auxiliary structure (21) are formed on the substrate as structures (121b, 121c). During the detecting step, the first width (22b) of the first auxiliary structure (121b) and the second width (22c) of the second auxiliary structure (121c) are adjusted by a microscope on the substrate. And the first width (22b) is compared to the second width (22c) and it is determined which of the two widths (22b, 22c) is greater. Good.

前記露光デバイスのレンズは、前記結果信号に依存して、交換および／または洗浄されてもよい。   The lens of the exposure device may be replaced and / or cleaned depending on the result signal.

本発明によるマスクは、マスクの構造を基板上に結像する達成可能な最小幅を有する露光デバイスにおいて、レンズの特性決定をする試験用マスク（５）であって、該幅は、該レンズおよび光源に依存し、該試験用マスクは、透明または反射支持体と、該支持体上に配置される、少なくとも１つの第１および１つの第２の構造配置（４）であって、各場合について、ａ）第１の幅および長手側（２６、２６’）を有する実質的に不透明な構造（１０）であって、該基板上に投射される該第１の幅は、少なくとも達成可能な該最小幅であり、かつ、該長手方向のサイズ（２６、２６’）は、該マスク上に配向を有する、構造と、ｂ）少なくとも１つの第１（２０）および１つの第２の実質的に不透明な補助構造（２１）であって、該構造（１０）から一定の距離（２５）を置いて配置され、かつ、各場合について、同一の第２の幅（２２）を有し、該第２の幅（２２）は、該基板に関して、該達成可能な最小幅よりも小さく、該第１の構造（２０）および該第２の構造（２１）は、該構造（１０）と平行に、かつ該構造（１０）の該長軸（２６）について対称的に配置される、構造とを備える構造配置と、基準方向（４５）に対して、異なった角度（４１、４１’）を形成する、該少なくとも２つの構造配置（４）の第１および第２の該長軸（２６、２６’）の該配向とを備える、試験用マスクであり、それにより、上記目的を達成する。   The mask according to the invention is a test mask (5) for characterizing a lens in an exposure device having a minimum achievable width for imaging the structure of the mask on a substrate, the width being the width of the lens and Depending on the light source, the test mask is a transparent or reflective support and at least one first and one second structural arrangement (4) arranged on the support, wherein in each case A) a substantially opaque structure (10) having a first width and a longitudinal side (26, 26 '), wherein said first width projected onto said substrate is at least achievable; A structure having a minimum width and the longitudinal size (26, 26 ') having an orientation on the mask; b) at least one first (20) and one second substantially An opaque auxiliary structure (21), wherein the structure (10) From a fixed distance (25) and has in each case the same second width (22), the second width (22) being attainable with respect to the substrate with respect to the substrate Less than the minimum width, the first structure (20) and the second structure (21) are parallel to the structure (10) and symmetric about the major axis (26) of the structure (10). And a first and second of said at least two structural arrangements (4) forming different angles (41, 41 ′) with respect to a reference direction (45) with respect to a reference direction (45). And the orientation of the major axes (26, 26 ') of the test mask, thereby achieving the above object.

複数のそれぞれの異なった配向を有する複数の前記構造配置（４）が前記マスク上に配置され、前記基準方向（４５）に対する該複数の前記長手側（２６、２６’）の該複数の配向の前記角度（４１、４１’）は、等距離で形成されてもよい。   A plurality of the structural arrangements (4) having a plurality of respective different orientations are disposed on the mask, and the plurality of orientations of the plurality of longitudinal sides (26, 26 ') with respect to the reference direction (45). The angles (41, 41 ') may be formed at equal distances.

本発明の目的は、露光デバイスにおけるレンズ系の特性決定のための方法を用いて達成される。露光デバイスは、構造を結像して達成可能な最小幅でマスクから基板平面に転写するように構成された光源およびレンズ系を備える。この方法は、以下の工程
露光デバイス、および感光層を有する基板を提供する工程と、
不透明構造、および少なくとも１つの不透明補助構造を有するマスクを透明または反射支持体に提供する工程であって、
ａ）構造は、露光デバイスによって基板平面において達成可能な最小幅よりも大きい、基板平面に投射される第１の幅を有し、
ｂ）少なくとも１つの補助構造は、各場合について、露光デバイスによって基板平面において達成可能な最小幅よりも小さい、基板平面に投射される第２の幅を有し、
ｃ）基板平面に投射される、少なくとも１つの補助構造と構造との間の距離は、露光源によって放射された光の達成可能な最小幅よりも小さい、工程と、
マスク上の構造および少なくとも１つの補助構造を基板上の感光層に投射する目的で、光源を用いてマスクを露光する工程と、
構造を基板上に結像する目的で、感光層を現像する工程と、
基板上の少なくとも１つの補助構造を検出する工程であって、補助構造は、像構造として基板上に結像される、工程と、
検出結果に依存して、結果信号を出力する工程と
を包含する。 The object of the invention is achieved with a method for characterizing a lens system in an exposure device. The exposure device comprises a light source and a lens system configured to image the structure and transfer from the mask to the substrate plane with the smallest width achievable. The method comprises the following steps: providing an exposure device, and a substrate having a photosensitive layer;
Providing a mask having an opaque structure and at least one opaque auxiliary structure to a transparent or reflective support,
a) the structure has a first width projected on the substrate plane that is greater than a minimum width achievable in the substrate plane by the exposure device;
b) the at least one auxiliary structure has in each case a second width projected onto the substrate plane that is smaller than a minimum width achievable in the substrate plane by the exposure device;
c) the distance between the at least one auxiliary structure and the structure projected on the substrate plane is smaller than the achievable minimum width of the light emitted by the exposure source;
Exposing the mask using a light source for projecting the structure on the mask and at least one auxiliary structure to a photosensitive layer on the substrate;
Developing the photosensitive layer for the purpose of imaging the structure on the substrate;
Detecting at least one auxiliary structure on the substrate, wherein the auxiliary structure is imaged on the substrate as an image structure;
Outputting a result signal depending on the detection result.

本発明による方法は、レンズの不具合によって生成される、基板上の結像の歪みを検出することができるように、実質的に不透明な構造の特定の配置を利用する。構造の配置は、少なくとも１つの構造、および、これに割り当てられた補助構造を含む。実質的に不透明な構造および補助構造は、透明な支持体（透過マスク）または反射支持体（反射マスク、例えば、ＥＵＶ反射マスク）上に配置される。実質的に不透明な構造は、基板上に結像される間、露光デバイスの解像限界、すなわち、露光デバイスを用いて達成可能な最小幅よりも大きい像構造が生成されるような幅を有する。対照的に、この構造に割り当てられた補助構造は、基板上に投射された露光デバイスの解像限界よりも小さい幅を有する。   The method according to the invention makes use of a specific arrangement of substantially opaque structures, so that imaging distortions on the substrate, created by lens defects, can be detected. The arrangement of structures includes at least one structure and auxiliary structures assigned to it. The substantially opaque structure and the auxiliary structure are arranged on a transparent support (transmission mask) or a reflection support (reflection mask, for example, EUV reflection mask). The substantially opaque structure has a width such that, while being imaged on the substrate, the resolution limit of the exposure device, i.e., an image structure that is larger than the minimum width achievable with the exposure device is generated. . In contrast, the auxiliary structure assigned to this structure has a width smaller than the resolution limit of the exposure device projected onto the substrate.

従って、この実質的に不透明な構造の配置をマスクから基板上に結像する間、補助構造は、基板上で解像されない。マスク上の補助構造の位置に対応する基板上の位置の近傍において、感光層を光反応によって変化させる光の寄与が生じるが、規則的な条件の下で特定の露光量を用いて結像する間の光の寄与は、通常、基板上のレジストがスルー露光（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ）されない程度の大きさに配分される。これにより、構造は結像されない。   Thus, while imaging this substantially opaque arrangement of structures from the mask onto the substrate, the auxiliary structures are not resolved on the substrate. In the vicinity of the position on the substrate corresponding to the position of the auxiliary structure on the mask, light contribution that changes the photosensitive layer by photoreaction occurs, but forms an image using a specific exposure under a regular condition. The contribution of the intervening light is usually distributed to such an extent that the resist on the substrate is not subjected to through-exposure. Thereby, the structure is not imaged.

「実質的に不透明な構造または補助構造」の場合、構造および割り当てられた補助構造の両方が、それぞれ、単独または一緒に半透明に形成され得るという事実を排除しない。   The case of "substantially opaque structure or auxiliary structure" does not exclude the fact that both the structure and the assigned auxiliary structure, respectively, can be formed translucent alone or together.

規則的な露光量は、ここで、解像限界よりも大きい幅の構造を、正確な寸法で基板上に転写するために用いられる量として理解され得る。   Regular exposure can be understood here as the amount used to transfer structures of a width greater than the resolution limit on a substrate with the correct dimensions.

本発明によると、結像された補助構造と結像された像構造との間の距離は、露光デバイスの解像限界よりも小さい。   According to the invention, the distance between the imaged auxiliary structure and the imaged image structure is smaller than the resolution limit of the exposure device.

原則的には、このような構造の配置は、「散乱バー（ｓｃａｔｔｅｒ ｂａｒ）」として知られている。これらの構造は、基板上に転写されない補助構造を割り当てることによって、隔離されて位置する構造の結像の質を改善するという目的を達成するために用いられる。補助構造の光の寄与は、隣接するさらなる構造の存在をシミュレートし、これにより、他の場合には異なる、隔離および非隔離構造の結像挙動が標準化される。これは、特に、露光量またはエッチング持続時間を必要な規模にする際のマージンの選択に関して有利な点を有する。   In principle, such an arrangement of structures is known as a "scatter bar". These structures are used to achieve the goal of improving the imaging quality of isolated structures by assigning auxiliary structures that are not transferred onto the substrate. The light contribution of the auxiliary structure simulates the presence of additional adjacent structures, thereby standardizing the imaging behavior of the otherwise different, isolated and non-isolated structures. This has advantages in particular with regard to the choice of margins in sizing the exposure dose or the etching duration as required.

しかしながら、本発明の方法により、割り当てられた補助構造は、構造に光の寄与を供給するためにではなく、むしろ、存在するレンズの不具合に関する結果を固有の結像挙動により取得することができるように利用される。これは、これらの補助構造の幅が結像系の解像限界である場合に、レンズの不具合が特に精密にわかるためである。   However, according to the method of the present invention, the assigned auxiliary structure is not to provide a light contribution to the structure, but rather to be able to obtain the result with respect to existing lens defects due to the inherent imaging behavior. Used for This is because, when the width of these auxiliary structures is the resolution limit of the imaging system, the defect of the lens can be particularly accurately recognized.

本発明により、構造、および少なくとも１つの補助構造を含む構成の露光は、補助構造が、レジストにおける位置に対応する位置に像構造の形成を導くように実行される。生成される構造の幅は、通常、用いられる露光量に非線形的に依存する。十分に大きい露光量が与えられると、幅は、基板上の解像限界を上回る。しかしながら、レジストにおける解像限界よりも大きい幅で領域を露光することもまた可能であるが、そのレジストの領域、正確には、非常に狭い部分的領域のみが、完全に暴露され、それにより、次のエッチング工程は、リソグラフィ投射工程を用いて達成可能な最小幅を下回る幅を有する下に位置する層に構造を形成する。   According to the invention, the exposure of the structure and the arrangement comprising at least one auxiliary structure is performed such that the auxiliary structure leads to the formation of an image structure at a position corresponding to the position in the resist. The width of the resulting structure usually depends nonlinearly on the exposure used. Given a sufficiently large exposure, the width exceeds the resolution limit on the substrate. However, it is also possible to expose an area with a width greater than the resolution limit in the resist, but only the area of the resist, exactly a very small partial area, is thereby completely exposed, The next etching step forms structures in the underlying layer having a width less than the minimum width achievable using a lithographic projection step.

本発明の部分的な有利な改良によって、複数の補助構造が基板上に投射されるが、露光量は、基板の一部分のみがレジストまたは下の層に実際に生成されるように選択される。複数の補助構造が１つの構造に共に割り当てられ得るが、各場合について、別の構造に別個に割り当てられてもよい。本発明によると、構成のすべての補助構造は同じ幅を有する。   According to a partial advantageous refinement of the invention, a plurality of auxiliary structures are projected onto the substrate, but the exposure dose is chosen such that only a part of the substrate is actually produced in the resist or the underlying layer. Multiple auxiliary structures may be assigned together to one structure, but in each case may be separately assigned to another structure. According to the invention, all auxiliary structures of the arrangement have the same width.

従って、像構造が基板上に生成されるか、または生成されないかによって、レンズの不具合または歪みを通じて、構造、すなわち、配置の主要構造から、補助構造の結像された構造上に光の寄与が転写されたか否かがわかる。例示として、主要構造としての構造に対して補助構造が異なった配向で配置された場合、レンズの不具合に基づく歪みの効果の方向が、それぞれの配置の配向に依存して、基板上の補助構造の結像された構造を検出することによって測定され得る。   Thus, depending on whether or not an image structure is created on the substrate, the contribution of light from the structure, i.e. the primary structure of the arrangement, to the imaged structure of the auxiliary structure through lens defects or distortions. It can be determined whether or not the image has been transferred. As an example, if the auxiliary structures are arranged in different orientations with respect to the structure as the main structure, the direction of the effect of the distortion due to the defect of the lens depends on the orientation of each arrangement, and the auxiliary structure on the substrate Can be measured by detecting the imaged structure of

歪みの定量的判定は、補助構造から結像された構造が生成されるか、または生成されないかの境界が露光量の関数として知られる場合に可能になる。従って、試験用基板のシーケンスに対する露光量を変更することによって、マスク上の特定の位置での配置が基板上の結像された補助構造の構造形成を導く露光量をチェックすることが可能である。   Quantitative determination of distortion is possible when the boundary between whether or not an imaged structure is generated from the auxiliary structure is known as a function of exposure. Thus, by changing the exposure dose for a sequence of test substrates, it is possible to check the exposure dose at which a particular location on the mask leads to the formation of an imaged auxiliary structure on the substrate. .

しかしながら、これに代わって、基板上に生成された構造の幅を測定することも可能である。構造を基板上に生成させるために、本発明により実行される露光不足（ｕｎｄｅｒｅｘｐｏｓｕｒｅ）の場合、構造の幅と露光量との間の関係は過渡領域において非線形であるので、ここで、収差を判定する方法がもたらされる。収差の検出結果は、基板上で異なった方向で様々に作用する歪みの１つに対して特に敏感である。   However, it is alternatively possible to measure the width of the structure created on the substrate. In the case of underexposure performed according to the present invention to produce a structure on a substrate, the aberration between the width of the structure and the exposure is non-linear in the transient region, so the aberration is determined here. A method is provided. Aberration detection results are particularly sensitive to one of the variously acting distortions in different directions on the substrate.

本方法は、コマまたはスリーリーフクローバーの歪み等の１次の高次レンズ収差を、例えば、改善された精度で判定することを可能にするので、基板上の補助構造から結像された構造の検出または非検出の結果に基づいて、結果信号を出力することができ、この信号は、例えば、適切な露光デバイスにおいて用いられるレンズを交換するための信号として利用され得る。   The method allows the determination of primary higher order lens aberrations, such as coma or three-leaf clover distortion, with, for example, improved accuracy, so that the structure imaged from the auxiliary structure on the substrate can be determined. Based on the result of the detection or non-detection, a result signal can be output, which can be used, for example, as a signal for changing a lens used in a suitable exposure device.

レンズ収差の判定を改善するという目的は、本発明による方法に利用され得る試験用マスクを提供することによっても達成される。この試験用マスクは、透明または反射支持体、透明な支持体上に配置された実質的に不透明な構造の少なくとも１つの第１および１つの第２の構造配置を備え、これらの構造配置は、各場合について、第１の幅および長軸を有する、例えば、線等の構造を含んで透明な支持体上に配置され、ここで、基板上の結像に関する第１の幅は、少なくとも解像限界であり、長軸は、マスク上に配向を有し、少なくとも１つの第１および１つの第２の補助構造が、構造から一定の距離を置いて支持体材料上に配置され、かつ、各場合について、同一の第２の幅を有し、基板平面に投射された補助構造の第２の幅は、露光デバイスの解像限界よりも小さく、第１および第２の補助構造は、構造と並行、かつ構造の長軸を中心に対称的に配置され、少なくとも２つの構造配置の第１および第２の長軸は、ゼロ以外の角度を形成する。   The object of improving the determination of lens aberrations is also achieved by providing a test mask that can be used in the method according to the invention. The test mask comprises at least one first and one second structural arrangement of a transparent or reflective support, a substantially opaque structure disposed on the transparent support, the structural arrangements comprising: In each case, a first width and a major axis are disposed on a transparent support including, for example, a line or the like structure, wherein the first width for imaging on the substrate is at least resolution. A limit, the major axis having an orientation on the mask, at least one first and one second auxiliary structure being disposed on the support material at a fixed distance from the structure, and For the case, the second width of the auxiliary structure having the same second width and projected on the substrate plane is smaller than the resolution limit of the exposure device, and the first and second auxiliary structures are different from the structure. Parallel and symmetrically arranged around the long axis of the structure, at least Two first and second long axis of the structural arrangement forms an angle other than zero.

本発明は、ここで、図面の支援により例示的実施形態を用いて、より詳細に説明される。   The present invention will now be described in more detail using exemplary embodiments with the aid of the drawings.

構造（１０）、およびこれに割り当てられた補助構造（２０、２１）を備える構造配置（４）を有するマスク（５）が基板上に投射される。この構造（１０）は、用いられる露光デバイスの解像限界よりも大きい幅を有し、補助構造（２０、２１）は、基板上に投射された幅（２２）を有し、この幅は、その解像限界よりも小さい。露光量は、露光不足が生じるように選択され、その結果、現像工程の後に、補助構造（２０、２１）の少なくとも１つが、基板上に生成される。補助構造（２０、２１）の結像された像構造（１２１）は、顕微鏡を用いて検出される。構造（１０）に対する補助構造（２０、２１）の配向に依存して、結像された構造（１２１）の幅（２２ｂ、２２ｃ）は、レンズ系に基づいて結像する間に作用するレンズ収差によって増幅または減衰され、この場合、減衰は、基板上に非形成を起こし得る。従って、検出は、有利にも、用いられるレンズ系のレンズ収差の方向および強度に関する情報をもたらす。   A mask (5) having a structure arrangement (4) with structures (10) and auxiliary structures (20, 21) assigned thereto is projected onto a substrate. This structure (10) has a width greater than the resolution limit of the exposure device used, and the auxiliary structure (20, 21) has a width (22) projected onto the substrate, this width being: It is smaller than the resolution limit. The exposure is selected such that an underexposure occurs, so that, after the development step, at least one of the auxiliary structures (20, 21) is generated on the substrate. The imaged image structure (121) of the auxiliary structure (20, 21) is detected using a microscope. Depending on the orientation of the auxiliary structure (20, 21) with respect to the structure (10), the width (22b, 22c) of the imaged structure (121) depends on the lens aberrations acting during imaging based on the lens system. , Which can cause non-formation on the substrate. Thus, the detection advantageously provides information on the direction and intensity of the lens aberrations of the lens system used.

本発明による試験用マスクの例示的実施形態が図１に示される。図１の上部における縁取られた領域は、構造１０および２つの補助構造２０、２１をそれぞれ含む構造配置４の群３０を示す。マスク５の透明支持体上に形成された不透明構造１０は、例えば、半導体ウェハ等の基板上にリソグラフィック投射によって達成可能な最小幅よりも大きい幅を有する。達成可能な最小幅は、投射系の解像限界に対応する。   An exemplary embodiment of a test mask according to the present invention is shown in FIG. The bordered area at the top of FIG. 1 shows a group 30 of structure arrangements 4 comprising structure 10 and two auxiliary structures 20, 21, respectively. The opaque structure 10 formed on the transparent support of the mask 5 has a width greater than the minimum width achievable by lithographic projection on a substrate, such as a semiconductor wafer. The minimum achievable width corresponds to the resolution limit of the projection system.

補助構造２０、２１は、投射系の解像限界よりも小さい幅２２を有する。   The auxiliary structures 20, 21 have a width 22, which is smaller than the resolution limit of the projection system.

例示的実施形態において、構造の幅の仕様は、基板またはウェハ縮尺に関連する。構造をマスクから構造上に４：１の比率で基板上に縮小結像する場合、例示的に、マスク上の構造の実効幅が、基板上に達成可能な最小幅との比較に関するファクタ４で除算され得る。   In an exemplary embodiment, the width specification of the structure is related to the substrate or wafer scale. If the structure is reduced-imaged onto the substrate from the mask on the structure in a 4: 1 ratio, illustratively, the effective width of the structure on the mask may be reduced by a factor of 4 with respect to the minimum achievable width on the substrate. It can be divided.

補助構造２０、２１は、構造１０から一定の距離２５を置いて配置される。この距離は、同様に、基板上で達成可能な最小幅よりも小さい。補助構造２０、２１は、同じ幅２２、および構造１０から同じ距離２５を有する。構造配置４は、長軸について対称的に配置され、補助構造２０、２１は、構造１０の両側に対向して配置される。   The auxiliary structures 20, 21 are arranged at a fixed distance 25 from the structure 10. This distance is likewise smaller than the minimum width achievable on the substrate. The auxiliary structures 20, 21 have the same width 22, and the same distance 25 from the structure 10. The structure arrangement 4 is arranged symmetrically about the long axis, and the auxiliary structures 20, 21 are arranged on opposite sides of the structure 10.

構造配置４は、基準方向４５に対して、マスクの表面上に特定の配向を有する長軸２６、２６’を有する。これらの長軸は、基準方向と角度４１および４１’をそれぞれ形成する。群３０の８つの構造配置４は、基準方向４５に対する異なった角度４１によって相違する。角度４１、４１’は、基板上のすべての方向に結像された補助構造の均一な検出を可能にするために、構造配置４に等距離で割り当てられる。   The structural arrangement 4 has major axes 26, 26 'having a particular orientation on the surface of the mask with respect to a reference direction 45. These major axes form angles 41 and 41 'with the reference direction, respectively. The eight structural arrangements 4 of the group 30 differ by different angles 41 with respect to a reference direction 45. The angles 41, 41 'are assigned equidistantly to the structure arrangement 4 in order to enable a uniform detection of the auxiliary structures imaged in all directions on the substrate.

このような４つの配置の群３０、３１、３２、３３がマスク５上に配置される。群３０〜３３の各々は、マスク５上の異なった位置におけるレンズ収差を考慮して、生成された歪みを判定するために利用される。本例示的実施形態において、スキャナのレンズが特性決定され、スキャナの露光スロット６０がマスク５を介して誘導される。   Groups of such four arrangements 30, 31, 32, 33 are arranged on the mask 5. Each of the groups 30-33 is used to determine the generated distortion, taking into account lens aberrations at different positions on the mask 5. In the present exemplary embodiment, the lens of the scanner is characterized and the exposure slot 60 of the scanner is guided through the mask 5.

図１に示される構造配置４は、各場合について、６つの配向でマスク５上の４つの位置でレンズの不具合を判定することを可能にする。各場合について、群３０内の構造配置４における２つの配向は２回存在する。   The structural arrangement 4 shown in FIG. 1 makes it possible to determine a lens defect at four positions on the mask 5 in six orientations in each case. In each case, the two orientations in the structural arrangement 4 in the group 30 occur twice.

基板上の感光層または下に位置する層における現像およびエッチング工程の後に生成された像構造１１０、１２１が図２に示される。構造１０の結像から、像構造１１０が、各場合について、基板上に生成される。構造１０の結像から、像構造１１０は、書く場合において基板上に生成される。露光量は、露光不足において基板上に規則的には生成されない補助構造２０、２１の結像が基板上に構造を形成するように、低減された態様で、設定される。基板上の像構造１１０、１２１は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で検出され、かつ、それらの幅を判定するために測定される。   The image structures 110, 121 generated after the development and etching steps in the photosensitive layer or the underlying layer on the substrate are shown in FIG. From the imaging of the structure 10, an image structure 110 is generated on the substrate in each case. From the imaging of the structure 10, an image structure 110 is created on the substrate in the case of writing. The exposure dose is set in a reduced manner so that the imaging of the auxiliary structures 20, 21 that are not regularly generated on the substrate in the event of underexposure forms the structures on the substrate. Image structures 110, 121 on the substrate are detected with a scanning electron microscope (SEM) and measured to determine their width.

しかしながら、露光量は、正確には、構造形成のために必要な限界値よりもほんのわずかに少ないだけであり、レンズの歪みの効果に基づいて強度が減衰した補助構造２０の投射は、構造を形成するように正確に作用しない。図２は、レンズの歪みが結像された補助構造２１、すなわち、基板上の補助構造１２１〜１２１’’’’の増幅をもたらすことを明らかに示す。実施例において、歪みは、図２における像構造１１０に対してｙ軸方向に配向された補助構造１２１’’の場合に最も明確になる。この構造配置４における対抗する補助構造２０の結像は、同じレンズの歪みに基づいて基板に構造の形成をもたらさない。   However, the exposure dose is, to be precise, only slightly less than the limit required for the formation of the structure, and the projection of the auxiliary structure 20, whose intensity has been attenuated due to the effect of lens distortion, will Does not act exactly as it does. FIG. 2 clearly shows that distortion of the lens results in amplification of the imaged auxiliary structure 21, i.e. the auxiliary structures 121-121 "" on the substrate. In an embodiment, the distortion is most pronounced for the auxiliary structure 121 ″ oriented in the y-axis direction with respect to the image structure 110 in FIG. The imaging of the opposing auxiliary structure 20 in this structure arrangement 4 does not result in the formation of a structure in the substrate based on the same lens distortion.

図３は、いずれにしても、基板の構造形成をもたらす、さらに低減された露光量を用いて、異なった幅２２、２２ａ、２２ｂの測定によって検出が可能にされる態様を示す。レンズの不具合によってもたらされる歪みが、この場合もｙ軸方向に存在する。この歪みは、幅２２ｃと２２ｂとの比較によって定量化され得る。対照的に、これに対して垂直な方向には、幅２２、２２ａにおいて大した差異はない。   FIG. 3 shows an embodiment in which the detection of different widths 22, 22a, 22b can be detected in any case with a further reduced exposure, which leads to a structuring of the substrate. The distortion caused by the lens failure is again in the y-axis direction. This distortion can be quantified by comparing widths 22c and 22b. In contrast, in the direction perpendicular to this, there is no significant difference in widths 22, 22a.

基板上の特定の位置の許容可能なレンズの歪みの限界値は、幅２２ｂ、２２ｃにおいて、許容される最大の差異によって規定され得る。補助構造１２１ｂおよび１２１ｃの比較において比較的大きい差異が検出された場合、レンズの保守または交換を促す結果信号を出力することが可能である。   The limit of allowable lens distortion at a particular location on the substrate may be defined by the maximum allowed difference in widths 22b, 22c. If a relatively large difference is detected in the comparison of the auxiliary structures 121b and 121c, it is possible to output a result signal prompting maintenance or replacement of the lens.

構造（１０）に対する補助構造（２０、２１）の配向に依存して、結像された構造（１２１）の幅（２２ｂ、２２ｃ）は、レンズ系を考慮して、結像の間に作用するレンズ収差によって増幅または減衰される。この場合、減衰によって、結像が基板上にもたらされ得ない。従って、検出は、有利にも、用いられるレンズ系のレンズ収差の方向および強度に関する情報をもたらす。   Depending on the orientation of the auxiliary structure (20, 21) relative to the structure (10), the width (22b, 22c) of the imaged structure (121) acts during imaging, taking into account the lens system. Amplified or attenuated by lens aberration. In this case, no image can be produced on the substrate by attenuation. Thus, the detection advantageously provides information on the direction and intensity of the lens aberrations of the lens system used.

以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。   As described above, the present invention has been exemplified using the preferred embodiments of the present invention, but the present invention should not be construed as being limited to these embodiments. It is understood that the scope of the present invention should be construed only by the claims. It is understood that those skilled in the art can implement an equivalent range based on the description of the present invention and common technical knowledge from the description of the specific preferred embodiments of the present invention. Patents, patent applications, and references cited herein are to be incorporated by reference in their entirety, as if the contents themselves were specifically described herein. Understood.

図１は、本発明による試験用マスク上の異なった配向を有する多数の異なった構造配置を示し、この構造配置は、グループに組み合わされ、収差を判定する目的で、マスクの異なった位置に配置される。FIG. 1 shows a number of different structural arrangements with different orientations on a test mask according to the invention, which are combined into groups and placed at different positions on the mask for the purpose of determining aberrations. Is done. 図２は、本発明の方法の例示的実施形態による、基板上の図１による構造の結像から生成された多数の構造配置を示す。FIG. 2 shows a number of structural arrangements generated from the imaging of the structure according to FIG. 1 on a substrate, according to an exemplary embodiment of the method of the invention. 図３は、基板上の図１に示された補助構造の配置の結像として結像された２つの構造配置を示す。FIG. 3 shows two structural arrangements imaged as imaging the arrangement of the auxiliary structure shown in FIG. 1 on a substrate.

符号の説明Explanation of reference numerals

４ 構造配置
５ マスク
１０ 構造
２０ 第１の補助構造
２１ 第２の補助構造
２２〜２２ｃ 基板上に投射された補助構造の幅
２５ 基板上に投射された構造と補助構造との間の距離
２６、２６’ 構造配置の長手側
３０〜３３’ 構造配置の群
４１、４１’ 構造配置の配向、基準方向に対する角度
４５ 基準方向
６０ スキャナの露光スロット
１１０ 像構造、結像された構造
１２１〜１２１’’’’ 補助構造、結像された補助構造 Reference Signs List 4 Structural arrangement 5 Mask 10 Structure 20 First auxiliary structure 21 Second auxiliary structure 22-22c Width of auxiliary structure projected on substrate 25 Distance between structure projected on substrate and auxiliary structure 26, 26 'Longitudinal side of structural arrangement 30-33' Group of structural arrangement 41, 41 'Orientation of structural arrangement, angle to reference direction 45 Reference direction 60 Exposure slot 110 of scanner 110 Image structure, imaged structure 121-121'''' Auxiliary structure, imaged auxiliary structure

Claims (6)

露光デバイスにおけるレンズ系を特性決定する方法であって、該露光デバイスは、構造を結像して達成可能な最小幅でマスク（５）から基板平面に転写するように構成された光源および該レンズ系を備え、該方法は、
該露光デバイス、および感光層を有する基板を提供する工程と、
少なくとも１つの実質的に不透明または半透明の構造（１０）、および少なくとも１つの実質的に不透明または半透明の補助構造（２０、２１）が配置された透明な支持体を有するマスク（５）を提供する工程であって、
ａ）該構造（１０）は、該露光デバイスによって該基板平面に達成可能な該最小幅よりも大きい、該基板平面に投射される第１の幅を有し、
ｂ）該少なくとも１つの補助構造（２０、２１）は、各場合について、該露光デバイスによって該基板平面に達成可能な該最小幅よりも小さい、該基板平面に投射される第２の幅（２２）を有し、
ｃ）該基板平面に投射される、少なくとも１つの補助構造（２０、２１）と該構造（１０）との間の距離（２５）は、該露光源によって放射された光の達成可能な該最小幅よりも小さい、工程と、
マスク上の該構造（１０）および該少なくとも１つの補助構造（２０、２１）を該基板上の該感光層に投射する目的で、該光源によって該マスク（５）を露光する工程と、
構造を該基板上に形成する目的で、該感光層を現像する工程と、
該基板上の少なくとも１つの該補助構造（２０、２１）を検出する工程であって、該補助構造は、像構造（１２１）として該基板上に結像される、工程と、
該検出結果に依存して、結果信号を出力する工程と
を包含する、方法。 A method for characterizing a lens system in an exposure device, the exposure device being configured to image a structure and transfer from a mask (5) to a substrate plane with a minimum achievable width and the lens. Comprising a system, the method comprising:
Providing the exposure device, and a substrate having a photosensitive layer,
A mask (5) having a transparent support on which at least one substantially opaque or translucent structure (10) and at least one substantially opaque or translucent auxiliary structure (20, 21) are arranged; The process of providing
a) the structure (10) has a first width projected onto the substrate plane that is greater than the minimum width achievable by the exposure device on the substrate plane;
b) the at least one auxiliary structure (20, 21) is in each case a second width (22) projected onto the substrate plane that is smaller than the minimum width achievable by the exposure device on the substrate plane. )
c) the distance (25) between the at least one auxiliary structure (20, 21) and the structure (10) projected on the substrate plane is the maximum achievable light emitted by the exposure source. A process that is smaller than the narrow width,
Exposing said mask (5) with said light source for the purpose of projecting said structure (10) on a mask and said at least one auxiliary structure (20, 21) onto said photosensitive layer on said substrate;
Developing the photosensitive layer for the purpose of forming a structure on the substrate;
Detecting at least one auxiliary structure (20, 21) on the substrate, wherein the auxiliary structure is imaged on the substrate as an image structure (121);
Outputting a result signal depending on the detection result. 各場合について、前記構造（１０）に関して、前記同じ幅（２２）および前記同じ距離（２５）を有する、少なくとも前記第１および第２の補助構造（２０、２１）を有するマスク（５）が提供され、
前記現像工程における露光量および／または露光時間は、該第１または該第２の補助構造（２０、２１）の１つのみが、構造（１２１）として前記基板上に形成されるように選択され、
前記検出工程の間、構造として結象されたのは該２つの補助構造（１２０、１２１）のうちのどちらであるかを確認するために顕微鏡が用いられる、請求項１に記載の方法。 In each case, for said structure (10), there is provided a mask (5) having at least said first and second auxiliary structures (20, 21) having said same width (22) and said same distance (25). And
The exposure dose and / or exposure time in the developing step is selected such that only one of the first or second auxiliary structures (20, 21) is formed on the substrate as a structure (121). ,
The method according to claim 1, wherein during the detection step a microscope is used to identify which of the two auxiliary structures (120, 121) was embodied as a structure. 各場合について、前記構造に関して、前記同じ幅（２２）および前記同じ距離（２５）を有する、少なくとも前記第１および第２の補助構造（１２０、１２１）を有するマスクが提供され、
前記現像工程における露光量および／または露光時間は、該第１の補助構造（２０）および該第２の補助構造（２１）の両方が、構造（１２１ｂ、１２１ｃ）として前記基板上に形成されるように選択され、
前記検出工程の間、該第１の補助構造（１２１ｂ）の第１の幅（２２ｂ）、および該第２の補助構造（１２１ｃ）の第２の幅（２２ｃ）は、該基板上で顕微鏡を用いて測定され、
該第１の幅（２２ｂ）は、該第２の幅（２２ｃ）と比較され、かつ、該２つの幅（２２ｂ、２２ｃ）のうちのどちらがより大きいかが確認される、請求項１に記載の方法。 In each case, for the structure, a mask is provided having at least the first and second auxiliary structures (120, 121) having the same width (22) and the same distance (25);
The exposure amount and / or exposure time in the developing step is such that both the first auxiliary structure (20) and the second auxiliary structure (21) are formed on the substrate as structures (121b, 121c). Selected as
During the detection step, the first width (22b) of the first auxiliary structure (121b) and the second width (22c) of the second auxiliary structure (121c) are controlled by a microscope on the substrate. Measured using
The method of claim 1, wherein the first width (22b) is compared to the second width (22c) and it is ascertained which of the two widths (22b, 22c) is greater. Method. 前記露光デバイスのレンズは、前記結果信号に依存して、交換および／または洗浄される、請求項１〜３の１つに記載の方法。   The method according to one of claims 1 to 3, wherein a lens of the exposure device is replaced and / or cleaned depending on the result signal. マスクの構造を基板上に結像する達成可能な最小幅を有する露光デバイスにおいて、レンズの特性決定をする試験用マスク（５）であって、該幅は、該レンズおよび光源に依存し、該試験用マスクは、
透明または反射支持体と、
該支持体上に配置される、少なくとも１つの第１および１つの第２の構造配置（４）であって、各場合について、
ａ）第１の幅および長手側（２６、２６’）を有する実質的に不透明な構造（１０）であって、該基板上に投射される該第１の幅は、少なくとも達成可能な該最小幅であり、かつ、該長手方向のサイズ（２６、２６’）は、該マスク上に配向を有する、構造と、
ｂ）少なくとも１つの第１（２０）および１つの第２の実質的に不透明な補助構造（２１）であって、該構造（１０）から一定の距離（２５）を置いて配置され、かつ、各場合について、同一の第２の幅（２２）を有し、該第２の幅（２２）は、該基板に関して、該達成可能な最小幅よりも小さく、該第１の構造（２０）および該第２の構造（２１）は、該構造（１０）と平行に、かつ該構造（１０）の該長軸（２６）について対称的に配置される、構造とを備える構造配置と、
基準方向（４５）に対して、異なった角度（４１、４１’）を形成する、該少なくとも２つの構造配置（４）の第１および第２の該長軸（２６、２６’）の該配向と
を備える、試験用マスク。 A test mask (5) for characterizing a lens in an exposure device having a minimum achievable width for imaging the structure of the mask on a substrate, the width depending on the lens and the light source, The test mask is
A transparent or reflective support,
At least one first and one second structural arrangement (4) arranged on said support, wherein in each case:
a) a substantially opaque structure (10) having a first width and a longitudinal side (26, 26 '), wherein the first width projected onto the substrate is at least the maximum achievable maximum; A structure having a narrow width and the longitudinal size (26, 26 ') having an orientation on the mask;
b) at least one first (20) and one second substantially opaque auxiliary structure (21), located at a distance (25) from said structure (10), and In each case, it has the same second width (22), which is smaller than the achievable minimum width with respect to the substrate, the first structure (20) and A structural arrangement comprising: a second structure (21) arranged parallel to the structure (10) and symmetrically about the long axis (26) of the structure (10);
The orientation of the first and second long axes (26, 26 ') of the at least two structural arrangements (4) forming different angles (41, 41') with respect to a reference direction (45). A test mask, comprising: 複数のそれぞれの異なった配向を有する複数の前記構造配置（４）が前記マスク上に配置され、前記基準方向（４５）に対する該複数の前記長手側（２６、２６’）の該複数の配向の前記角度（４１、４１’）は、等距離で形成される、請求項５に記載の試験用マスク。   A plurality of the structural arrangements (4) having a plurality of respective different orientations are disposed on the mask, and the plurality of orientations of the plurality of longitudinal sides (26, 26 ') with respect to the reference direction (45). The test mask according to claim 5, wherein the angles (41, 41 ') are formed at equal distances.
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