KR100897902B1 - Organic light emitting diode display - Google Patents

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KR100897902B1 KR1020080000724A KR20080000724A KR100897902B1 KR 100897902 B1 KR100897902 B1 KR 100897902B1 KR 1020080000724 A KR1020080000724 A KR 1020080000724A KR 20080000724 A KR20080000724 A KR 20080000724A KR 100897902 B1 KR100897902 B1 KR 100897902B1
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주병권
권재홍
정진욱
이경수
서정훈
최진환
신상일
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고려대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명은 게이트신호 왜곡에 따른 좌우휘도차 발생을 방지할 수 있는 유기발광표시장치에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 게이트라인; 상기 게이트라인과 직교하는 방향으로 형성된 데이터라인; 상기 데이터라인과 나란한 방향으로 상기 게이트라인과 직교하는 파워라인; 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 이루어져 상기 데이터라인에 인가된 신호를 전달하는 스위칭트랜지스터; 상기 스위칭트랜지스터로부터 출력된 신호를 드라이빙하기 위한 드라이빙트랜지스터; 상기 드라이빙트랜지스터로부터 출력된 신호에 의해 발광하는 유기발광다이오드 및 일측이 상기 드라이빙트랜지스터의 게이트전극에 연결되고, 타측이 상기 파워라인에 연결된 스토리지캐패시터를 포함하고, 상기 스토리지캐패시터는 상기 스위칭트랜지스터가 온(On) 상태일 때, 상기 스위칭트랜지스터로부터 출력된 신호와 상기 파워라인을 통해 전달된 신호에 응답하여 충전동작을 수행하고, 상기 스위칭트랜지스터가 오프(Off) 상태일 때, 방전동작을 수행하여 상기 드라이빙트랜지스터의 동작을 유지시켜주는 유기발광표시장치를 제공하며, 본 발명에 따르면, 스위칭트랜지스터를 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 형성함으로써, 게이트신호 왜곡에 따른 유기발광표시장치의 좌우휘도차 발생을 방지함과 동시에 스위칭트랜지스터의 누설전류를 감소시켜 유기발광표시장치의 화질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to an organic light emitting display device capable of preventing the occurrence of the left and right luminance difference due to the distortion of the gate signal, the present invention comprises: a gate line; A data line formed in a direction orthogonal to the gate line; A power line perpendicular to the gate line in a direction parallel to the data line; A switching transistor comprising a plurality of transistors connected in series to transfer a signal applied to the data line; A driving transistor for driving a signal output from the switching transistor; The organic light emitting diode which emits light by the signal output from the driving transistor and a storage capacitor connected to a gate electrode of the driving transistor and the other side connected to the power line, the storage capacitor is the switching transistor is turned on ( In the On state, a charging operation is performed in response to a signal output from the switching transistor and a signal transmitted through the power line, and when the switching transistor is Off, the driving operation is performed by performing a discharge operation. According to the present invention, a switching transistor is formed of a plurality of transistors connected in series, thereby preventing the occurrence of left and right luminance difference of the organic light emitting display device due to gate signal distortion. At the same time, before the leakage of the switching transistor It reduces the effect to improve the image quality of the OLED display.

유기발광, 휘도, 왜곡, 게이트신호 Organic light emission, luminance, distortion, gate signal

Description

유기발광표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}

본 발명은 반도체 장치의 제조기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a manufacturing technology of a semiconductor device, and more particularly, to an organic light emitting display device.

표시장치(Display)는 음극선관을 이용한 CRT(Cathode Ray Tube) 장치로부터 액정표시장치(liquid crystal display)를 포함한 평판표시장치로 비중이 점차 옮겨가고 있다. 액정표시장치는 가볍고 전력소모가 작은 장점이 있어 평판 디스플레이로서 현재 가장 많이 사용되고 있다. 그러나, 액정표시장치는 자체 발광장치가 아니라 수광장치이기 때문에 밝기, 대비비, 시야각 그리고 대면적화 등에 기술적 한계가 있어 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 평판표시장치를 개발하려는 노력이 전 세계적으로 활발하게 전개되고 있다. 이러한 새로운 평판표시장치 중의 하나가 저전압구동, 자기발광, 경량박형, 광시야각, 그리고 빠른 응답속도 등의 장점을 가진 유기발광표시장치이다. BACKGROUND OF THE INVENTION A display is gradually shifting from a cathode ray tube (CRT) device using a cathode ray tube to a flat panel display device including a liquid crystal display. Liquid crystal displays have the advantages of light weight and low power consumption, and are currently used as flat panel displays. However, since LCDs are light-receiving devices rather than self-light emitting devices, there are technical limitations in brightness, contrast ratio, viewing angle, and large area. It is developing. One of such new flat panel display devices is an organic light emitting display device having advantages of low voltage driving, self-luminous, light weight, wide viewing angle, and fast response speed.

도 1은 종래기술에 따른 액티브 메트릭스형 유기발광표시장치의 단위 화소에 대한 등가회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of a unit pixel of an active matrix organic light emitting display device according to the related art.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래기술에 따른 액티브 메트릭스형 유기발광표시장치의 단위 화소는 스위칭트랜지스터(Switching Transistor, ST), 스토리지캐패시터(C), 드라이빙트랜지스터(Driving Transistor, DT) 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the unit pixel of the active matrix organic light emitting display device according to the related art is a switching transistor (ST), a storage capacitor (C), a driving transistor (DT), and an organic light emitting diode. (OLED).

여기서, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위하여 게이트라인(GL)으로부터 전달된 게이트신호에 의하여 스위칭트랜지스터(ST)가 온(On)된 상태에서 데이터라인(DL)으로부터 전달된 데이터신호가 스위칭트랜지스터(ST)를 통하여 스토리지캐패시터(C)에 저장된다. 이 데이터신호는 드라이빙트랜지스터(DT)의 게이트전극에 전달되어 드라이빙트랜지스터(DT)를 작동시켜 유기발광다이오드(OLED)를 통해 빛이 출력된다.Here, in order to drive the organic light emitting diode OLED, the data signal transferred from the data line DL is switched when the switching transistor ST is turned on by the gate signal transmitted from the gate line GL. The data is stored in the storage capacitor C through ST. The data signal is transmitted to the gate electrode of the driving transistor DT to operate the driving transistor DT to output light through the organic light emitting diode OLED.

하지만, 종래기술에서는 하나의 패널에는 수많은 화소들이 존재하는데, 이러한 수많은 화소들은 모두 게이트라인(GL)에 연결되어 있다. 게이트신호는 이러한 게이트라인(GL)을 따라 흐르는데, 저항이 게이트라인(GL)을 따라 점진적으로 증가하기 때문에 게이트라인(GL) 첫 단에 연결된 화소와 마지막 단에 연결된 화소에 인가된 게이트신호의 구형파는 초기에는 같았지만 마지막 단으로 갈수록 왜곡되는 현상을 갖게 된다. 이러한 게이트신호의 왜곡은 스토리지커패시터(C)에 충전된 전압에 영향을 주어 유기발광표시장치의 좌우휘도차가 발생하는 문제점이 있다. 구체적으로 게이트신호 왜곡은 스위칭트랜지스터(ST)가 온(on)되어 있는 동안에 스토리지커패시터(C)에 충전된 전압을 감소시키는데, 스토리지커패시터(C)에 충전된 전압이 감소할 경우, 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류가 감소하여 유기발광다이오드(OLED)의 발광휘도를 떨어뜨리게 된다. 이로 인하여 게이트라인(GL)의 첫단에 연결되 화소와 마지막 단에 연결된 화소에서 스토리지커패시터(C)에 충전된 전압의 차이가 발생하여 좌우휘도차가 발생하게 된다.However, in the prior art, a large number of pixels exist in one panel, all of which are connected to the gate line GL. The gate signal flows along the gate line GL. Since the resistance gradually increases along the gate line GL, the square wave of the gate signal applied to the pixel connected to the first end of the gate line GL and the pixel connected to the last end thereof. Was the same initially, but distorted toward the last stage. The distortion of the gate signal affects the voltage charged in the storage capacitor C, causing a difference in left and right luminance of the organic light emitting display device. Specifically, the gate signal distortion reduces the voltage charged in the storage capacitor C while the switching transistor ST is on. When the voltage charged in the storage capacitor C decreases, the organic light emitting diode ( The current flowing through the OLED decreases, thereby lowering the luminance of the organic light emitting diode OLED. As a result, a difference between the voltages charged in the storage capacitor C occurs in the pixel connected to the first end of the gate line GL and the pixel connected to the last end, thereby causing a left and right luminance difference.

또한, 종래기술에서는 스위칭트랜지스터(ST)의 누설전류로 인하여 누화현상(crosstalk), 깜빡거림 현상(fliker) 등이 발생하여 유기발광표시장치의 발광효율이 저하되는 문제점이 있다. 이는 스위칭트랜지스터(ST)의 누설전류가 스토리지캐패시터(C)의 방전패스로 작용하여 일정시간 동안 스토리지캐패시터(C)에 저장된 데이터신호를 일정하게 유지하지 못하기 때문이다. In addition, in the related art, crosstalk, flicker, and the like occur due to leakage current of the switching transistor ST, thereby degrading the luminous efficiency of the organic light emitting display device. This is because the leakage current of the switching transistor ST acts as a discharge path of the storage capacitor C, and thus the data signal stored in the storage capacitor C cannot be kept constant for a predetermined time.

상술한 문제점들을 해결하기 위하여 다수의 트랜지스터를 포함하는 보상회로를 화소에 추가하는 방법에 제안되었다. 그러나, 상술한 화소구조에 보상회로를 추가하는 경우, 다수의 트랜지스터가 추가되기 때문에, 구동방식이 상대적으로 복잡해지고, 화소구조내 비발광영역이 증가하여 개구율이 감소할 우려가 있다. 또한, 추가된 트랜지스터를 통한 누설전류 발생 가능성이 상대적으로 높아지기 때문에, 스토리지캐패시터(C)의 전압 유지 능력이 상대적으로 떨어지게 되어, 보상회로를 추가하여도 유기발광표시장치의 화질 저하를 유발시킬 수 있는 문제점이 있다.In order to solve the above problems, a method of adding a compensation circuit including a plurality of transistors to a pixel has been proposed. However, in the case where the compensation circuit is added to the above-described pixel structure, since a plurality of transistors are added, the driving method is relatively complicated, there is a concern that the non-emission area in the pixel structure is increased and the aperture ratio is reduced. In addition, since the possibility of occurrence of leakage current through the added transistor is relatively high, the voltage holding capability of the storage capacitor C is relatively low, and even if a compensation circuit is added, the image quality of the organic light emitting display device may be degraded. There is a problem.

본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 게이트신호 왜곡에 따른 좌우휘도차 발생을 방지할 수 있는 유기발광표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to provide an organic light emitting display device capable of preventing the occurrence of a left and right luminance difference due to distortion of a gate signal.

또한, 본 발명은 스위칭트랜지스터의 누설전류를 감소시킬 수 있는 유기발광표시장치를 제공하는데 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of reducing leakage current of a switching transistor.

또한, 본 발명은 별도의 보상회로 없이 게이트신호 왜곡에 따른 좌우휘도차 방지 및 스위칭트랜지스터의 누설전류를 감소시킬 수 있는 유기발광장치를 제공하는데 다른 목적이 있다. In addition, another object of the present invention is to provide an organic light emitting device capable of preventing left and right luminance differences due to gate signal distortion and reducing leakage current of a switching transistor without a separate compensation circuit.

상기 목적을 달성하기 위한 일 측면에 따른 본 발명은, 게이트라인; 상기 게이트라인과 직교하는 방향으로 형성된 데이터라인; 상기 데이터라인과 나란한 방향으로 상기 게이트라인과 직교하는 파워라인; 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 이루어져 상기 데이터라인에 인가된 신호를 전달하는 스위칭트랜지스터; 상기 스위칭트랜지스터로부터 출력된 신호를 드라이빙하기 위한 드라이빙트랜지스터; 상기 드라이빙트랜지스터로부터 출력된 신호에 의해 발광하는 유기발광다이오드 및 일측이 상기 드라이빙트랜지스터의 게이트전극에 연결되고, 타측이 상기 파워라인에 연결된 스토리지캐패시터를 포함하고, 상기 스토리지캐패시터는 상기 스위칭트랜지스 터가 온(On) 상태일 때, 상기 스위칭트랜지스터로부터 출력된 신호와 상기 파워라인을 통해 전달된 신호에 응답하여 충전동작을 수행하고, 상기 스위칭트랜지스터가 오프(Off) 상태일 때, 방전동작을 수행하여 상기 드라이빙트랜지스터의 동작을 유지시켜주는 유기발광표시장치를 제공한다. The present invention according to an aspect for achieving the above object, a gate line; A data line formed in a direction orthogonal to the gate line; A power line perpendicular to the gate line in a direction parallel to the data line; A switching transistor comprising a plurality of transistors connected in series to transfer a signal applied to the data line; A driving transistor for driving a signal output from the switching transistor; The organic light emitting diode which emits light by the signal output from the driving transistor and a storage capacitor connected to the gate electrode of the driving transistor, one side is connected to the power line, the storage capacitor is the switching transistor is In the on state, the charging operation is performed in response to a signal output from the switching transistor and a signal transmitted through the power line, and the discharge operation is performed when the switching transistor is in the off state. An organic light emitting display device for maintaining an operation of the driving transistor is provided.

상기 스위칭트랜지스터는 채널면적이 동일한 복수의 트랜지스터들로 이루어지거나, 채널면적이 서로 다른 복수의 트랜지스터들로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 스위칭트랜지스터에서, 채널면적이 가장 작은 트랜지스터가 상기 드라이빙트랜지스터의 게이트전극에 전기적으로 연결될 수 있다. The switching transistor may be composed of a plurality of transistors having the same channel area or a plurality of transistors having different channel areas. At this time, in the switching transistor, the transistor having the smallest channel area may be electrically connected to the gate electrode of the driving transistor.

또한, 상기 스위칭트랜지스터는 동일한 도전형의 채널을 갖고, 채널면적이 동일한 복수의 트랜지스터들로 이루어지거나, 동일한 도전형의 채널을 갖고, 채널면적이 서로 다른 복수의 트랜지스터들로 이루어질 수 있다. In addition, the switching transistor may include a plurality of transistors having the same conductivity type channel and having the same channel area, or having the same conductivity type channel and having different channel areas.

상기 스위칭트랜지스터 및 상기 드라이빙트랜지스터는 동일한 도전형의 채널을 가질 수 있으며, NMOS 또는 PMOS일 수 있다. The switching transistor and the driving transistor may have a channel having the same conductivity type, and may be an NMOS or a PMOS.

본 발명은 스위칭트랜지스터를 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 형성함으로써, 게이트신호 왜곡에 따른 유기발광표시장치의 좌우휘도차 발생을 방지함과 동시에 스위칭트랜지스터의 누설전류를 감소시킬 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, the switching transistor is formed of a plurality of transistors connected in series, thereby preventing the occurrence of the left and right luminance difference of the organic light emitting diode display due to the distortion of the gate signal and reducing the leakage current of the switching transistor.

또한, 본 발명은 스위칭트랜지스터를 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 형성하되, 각 트랜지스터의 채널면적을 서로 다르게 형성함으로써, 보다 효과적으 로 게이트신호의 왜곡에 따른 유기발광표시장치의 좌우휘도차 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention forms a switching transistor with a plurality of transistors connected in series, but by forming a channel area of each transistor different from each other, more effectively prevent the left and right luminance difference of the organic light emitting display device due to the distortion of the gate signal. There is an effect that can be prevented.

또한, 본 발명은 스위칭트랜지스터를 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 형성하되, 복수의 트랜지스터들 중에서 드라이빙트랜지스터의 게이트전극과 연결되는 트랜지스터의 채널면적을 나머지 트랜지스터들의 채널면적보다 작게 형성함으로써, 스위칭트랜지스터의 누설전류를 감소시킴과 동시에 킥백전압을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention is to form a switching transistor of a plurality of transistors connected in series, the channel area of the transistor connected to the gate electrode of the driving transistor among the plurality of transistors by forming a smaller than the channel area of the remaining transistors, It has the effect of reducing the kickback voltage and reducing leakage current.

또한, 본 발명은 별도의 보상회로 없이 좌우휘도차 발생 및 스위칭트랜지스터의 누설전류를 감소시킴으로써, 보상회로 형성에 따른 유기발광표시장치의 개구율 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다. In addition, the present invention has the effect of preventing the lowering of the aperture ratio of the organic light emitting display device by forming the compensation circuit by reducing the left and right luminance difference and the leakage current of the switching transistor without a separate compensation circuit.

이로써, 본 발명은 유기발광표시장치의 화질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. Thus, the present invention has the effect of improving the image quality of the organic light emitting display device.

이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention.

후술할 본 발명은 게이트신호 왜곡으로 인하여 게이트라인의 첫 단에 연결된 화소와 마지막 단에 연결된 화소에서 스토리지커패시터에 충전된 전압의 차이에 기인한 좌우휘도차 발생 및 스위칭트랜지스터의 누설전류에 따른 누화현 상(crosstalk), 깜빡거림 현상(fliker)을 방지할 수 있는 유기발광표시장치를 제공한다. According to the present invention to be described later, the left and right luminance difference due to the difference in the voltage charged in the storage capacitor in the pixel connected to the first end of the gate line and the pixel connected to the last end due to the gate signal distortion and crosstalk caused by the leakage current of the switching transistor An organic light emitting display device capable of preventing crosstalk and flicker is provided.

이를 위하여 후술한 본 발명의 실시예에서는 스위칭트랜지스터를 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 형성함으로써, 게이트신호 왜곡에 대응함과 동시에 스위칭트랜지스터의 누설전류를 감소시키는 것을 기술적 원리로 한다. To this end, in the embodiments of the present invention described below, the switching transistor is formed of a plurality of transistors connected in series, thereby reducing the leakage current of the switching transistor while simultaneously responding to the gate signal distortion.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 액티브 메트릭스형 유기발광표시장치의 단위 화소에 대한 등가회로도이다. 여기서, 도 2a는 스위칭트랜지스터(ST) 및 드라이빙트랜지스터(DT)가 모두 PMOS로 구성된 경우를 도시한 도면이고, 도 2b는 스위칭트랜지스터(ST) 및 드라이빙트랜지스터(DT)가 모두 NMOS 구성된 경우를 도시한 도면이다. 2A and 2B are equivalent circuit diagrams of unit pixels of an active matrix organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. 2A illustrates a case in which both the switching transistor ST and the driving transistor DT are configured as PMOS, and FIG. 2B illustrates a case where both the switching transistor ST and the driving transistor DT are configured as NMOS. Drawing.

도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기발광표시장치의 단위 화소는 게이트라인(GL), 게이트라인(GL)과 직교하는 방향으로 형성된 데이터라인(DL), 데이터라인(DL)과 나란한 방향으로 게이트라인(GL)과 직교하는 파워라인(PL), 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 이루어져 데이터라인(GL)에 인가된 신호를 전달하는 스위칭트랜지스터(ST), 스위칭트랜지스터(ST)로부터 출력된 신호를 드라이빙(driving)하기 위한 드라이빙트랜지스터(DT), 드라이빙트랜지스터(DT)로부터 출력되는 신호에 의해 발광하는 유기발광다이오드(OLED) 및 일측이 드라이빙트랜지스터(DT)의 게이트전극에 연결되고, 타측이 파워라인(PL)에 연결된 스토리지캐패시터(C)를 포함한다. 이때, 스토리지캐패시터(C)는 스위칭트랜지스터(ST)가 온(On) 상태일 때, 스위칭트랜지스터(ST)로부터 출력된 신호와 파워라인(PL)을 통해 전달된 신호에 응답하여 충전동작을 수행하고, 스위칭트랜지스터(ST)가 오프(Off) 상태일 때, 방전동작을 수행하여 드라이빙트랜지스터(DT)의 동작을 유지시켜주는 역할을 수행한다. As shown in FIGS. 2A and 2B, the unit pixel of the active matrix organic light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention may include a gate line GL and a data line DL formed in a direction orthogonal to the gate line GL. ), A power line PL orthogonal to the gate line GL in a direction parallel to the data line DL, and a switching transistor ST including a plurality of transistors connected in series to transfer a signal applied to the data line GL. ), A driving transistor DT for driving a signal output from the switching transistor ST, an organic light emitting diode OLED which emits light by a signal output from the driving transistor DT, and one side of the driving transistor DT And a storage capacitor C connected to the gate electrode of the second side and connected to the power line PL. At this time, the storage capacitor C performs a charging operation in response to a signal output from the switching transistor ST and a signal transmitted through the power line PL when the switching transistor ST is on. When the switching transistor ST is in an off state, the discharge transistor performs a discharge operation to maintain the operation of the driving transistor DT.

도 2a 내지 도 2b에 도시된 본 발명의 실시예에서는 스위칭트랜지스터(ST)가 직렬로 연결된 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)로 이루어진 경우를 예를 들어 도시하였다. 이는 설명의 편의를 위한 것으로, 본 발명의 스위칭트랜지스터(ST)는 둘 이상의 트랜지스터로 형성할 수도 있다. 이때, 스위칭트랜지스터(ST)를 구성하는 복수의 트랜지스터들은 모두 동일한 도전형의 채널을 갖는 트랜지스터일 수 있다. 그리고, 스위칭트랜지스터(ST)와 드라이빙트랜지스터(DT)는 서로 동일한 도전형의 채널을 갖는 트랜지스터일 수 있다. 예컨대, 스위칭트랜지스터(ST)를 구성하는 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)와 드라이빙트랜지스터(DT)가 모두 PMOS이거나, NMOS일 수 있다. In the exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIGS. 2A to 2B, the switching transistor ST includes a first transistor T1 and a second transistor T2 connected in series. This is for convenience of description, and the switching transistor ST of the present invention may be formed of two or more transistors. In this case, the plurality of transistors constituting the switching transistor ST may be transistors having channels of the same conductivity type. In addition, the switching transistor ST and the driving transistor DT may be transistors having channels of the same conductivity type as each other. For example, both the first transistor T1, the second transistor T2, and the driving transistor DT constituting the switching transistor ST may be PMOS or NMOS.

상술한 구조를 갖는 본 발명의 유기발광표시장치에서, 유기발광다이오드(OLED)를 구동시키기 위하여 게이트라인(GL)에 게이트신호를 인가하여 스위칭트랜지스터(ST)를 온(On) 상태로 만든 후, 스위칭트랜지스터(ST)를 통하여 데이터라인(DL)으로부터 전달되는 데이터신호와 파워라인(PL)을 통하여 전달되는 파워신호에 응답하여 스토리지캐패시터(C)에 데이터신호가 저장된다. 스토리지캐패시터(C)에 저장된 데이터신호는 드라이빙드랜지스터(DT)의 게이트전극에 전달되어 일정 시간 동안 드라이빙트랜지스터를(DT)를 온(On) 상태로 만들어 유기발광다이오드(OLED)를 통해 빛을 출력시킨다.In the organic light emitting display device of the present invention having the above-described structure, in order to drive the organic light emitting diode OLED, a gate signal is applied to the gate line GL to turn the switching transistor ST on. The data signal is stored in the storage capacitor C in response to the data signal transmitted from the data line DL through the switching transistor ST and the power signal transmitted through the power line PL. The data signal stored in the storage capacitor C is transmitted to the gate electrode of the driving transistor DT to turn the driving transistor DT on for a predetermined time to emit light through the organic light emitting diode OLED. Output it.

여기서, 본 발명은 스위칭트랜지스터(ST)를 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 형성함으로써, 게이트신호 왜곡으로 인하여 게이트라인(GL)의 첫 단에 연결된 화소와 마지막 단에 연결된 화소에서 스토리지커패시터(C)에 충전된 전압의 차이에 기인한 유기발광표시장치의 좌우휘도차 발생을 방지할 수 있다. 이를 도 3을 참조하여 보다 자세히 설명한다.According to the present invention, the switching transistor ST is formed of a plurality of transistors connected in series, so that the storage capacitor C in the pixel connected to the first end of the gate line GL and the pixel connected to the last end due to the distortion of the gate signal. It is possible to prevent the occurrence of the left and right luminance difference of the organic light emitting display device due to the difference in the voltage charged in the. This will be described in more detail with reference to FIG. 3.

도 3은 게이트신호 왜곡과 스토리지캐패시터의 충전전압 사이의 관계를 도시한 도면이다.3 illustrates a relationship between gate signal distortion and a charging voltage of a storage capacitor.

도 3에 도시된 바와 같이, 일반적으로, 유기발광표시장치는 하나의 패널에 수많은 화소들이 존재하는데 이러한 수많이 화소들은 게이트라인(GL)에 연결되어 있다. 이때, 스위칭트랜지스터(ST)를 온/오프(On/Off)시키는 게이트신호는 게이트라인(GL)을 따라서 이동하는데, 게이트라인(GL)의 저항이 게이트라인(GL)을 따라 점진적으로 증가하기 때문에 도 3의 (A)와 같이, 게이트라인(GL)의 첫 단에 연결된 화소와 마지막 단에 연결된 화소에 인가되는 게이트신호의 구형파는 초기에는 같았지만 마지막 단에서 게이트신호 왜곡이 발생하게 된다. As shown in FIG. 3, in general, an organic light emitting display device has many pixels in one panel, and many of these pixels are connected to the gate line GL. At this time, the gate signal for turning on / off the switching transistor ST moves along the gate line GL, because the resistance of the gate line GL gradually increases along the gate line GL. As shown in FIG. 3A, a square wave of a gate signal applied to a pixel connected to the first end of the gate line GL and a pixel connected to the last end is initially the same, but gate signal distortion occurs at the last end.

종래기술에서는 상술한 게이트신호 왜곡으로 인하여 스위칭트랜지스터(ST)가 온(On)되어 있는 동안 스토리지캐패시터(C)에 충전된 전압 즉, 스토리지캐패시터(C)에 충전된 데이터신호를 감소시킨다. 스토리지캐패시터(C)에 충전된 전압이 감소할 경우, 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류량을 감소시켜 유기발광다이오드(OLED)의 발광휘도를 떨어뜨리게 된다. 이로 인하여 게이트라인(GL)의 첫 단에 연결된 화소와 마지막 단에 연결된 화소에서 스토리지캐패시터(C)에 충전된 전압 차이가 발생하여 좌우휘도차가 발생하게 된다. In the related art, the voltage charged in the storage capacitor C, that is, the data signal charged in the storage capacitor C is reduced while the switching transistor ST is on due to the above-described gate signal distortion. When the voltage charged in the storage capacitor C decreases, the amount of current flowing through the organic light emitting diode OLED is reduced, thereby lowering the luminance of light emitted by the organic light emitting diode OLED. As a result, a difference in voltage charged in the storage capacitor C occurs between the pixel connected to the first end of the gate line GL and the pixel connected to the last end, thereby causing a left and right luminance difference.

이에 비하여, 본 발명은 스위칭트랜지스터(ST)를 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 형성함으로써, 도 3의 (A)와 같은 게이트신호 왜곡이 발생하더라도, 스토리지캐패시터(C)에 충전된 전압이 감소하는 것을 억제할 수 있다. 이는 동일면적 내에서 복수의 트랜지스터들를 직렬로 연결함으로써, 단일 트랜지스터에 비하여 유효채널길이를 증가시킬 수 있기 때문이다. In contrast, in the present invention, the switching transistor ST is formed of a plurality of transistors connected in series, so that the voltage charged in the storage capacitor C is reduced even if the gate signal distortion as shown in FIG. Can be suppressed. This is because the effective channel length can be increased compared to a single transistor by connecting a plurality of transistors in series within the same area.

여기서, 본 발명의 스위칭트랜지스터(ST)를 구성하는 복수의 트랜지스터들은 동일한 도전형의 채널을 갖고, 서로 동일한 채널면적을 갖는 트랜지스터들이거나, 동일한 도전형의 채널을 갖고, 서로 다른 채널면적을 갖는 트랜지스터들일 수 있다. 이때, 유기발광표시장치에서 좌우휘도차가 발생하는 것을 보다 효과적으로 방지하기 위해서는 스위칭트랜지스터(ST)를 서로 동일한 채널면적을 갖는 트랜지스터들로 형성하는 것보다 채널면적이 서로 다른 트랜지스터들로 형성하는 것이 바람직하다. 이는, 스위칭트랜지스터(ST)를 서로 동일한 채널면적을 갖는 트랜지스터들로 구성한 경우, 게이트신호 왜곡에 따라 스토리지캐패시터(C)에 충전된 전압이 도 3의 'V2'와 같은 관계를 나타내고, 서로 다른 채널면적을 갖는 트랜지스터들로 구성한 경우, 도 3의 'V1'과 같은 관계를 나타내기 때문이다. 이를 도 4를 참조하여 자세히 설명한다.Here, the plurality of transistors constituting the switching transistor ST of the present invention have transistors having the same conductive channel and having the same channel area, or transistors having the same conductive channel and having different channel areas. Can be heard. In this case, in order to more effectively prevent the left and right luminance difference from occurring in the organic light emitting display device, it is preferable to form the transistors having different channel areas than the transistors having the same channel area. . When the switching transistor ST is composed of transistors having the same channel area, the voltage charged in the storage capacitor C according to the gate signal distortion shows the relationship as shown in V2 of FIG. This is because the transistors having the area have the same relationship as that of V1 in FIG. 3. This will be described in detail with reference to FIG. 4.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 스위칭트랜지스터를 도시한 평면도이다.4 is a plan view illustrating a switching transistor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 스위칭트랜지스터(ST)는 기판(미도시) 상부에 형성되고 일정간격을 갖도록 이격된 제1전극(11) 및 제2전 극(12), 기판 상부에 양끝단이 제1전극(11) 및 제2전극(12)과 접하도록 형성된 활성층(13), 활성층 상부에 형성되고, 게이트라인(GL)과 연결된 제1게이트전극(14) 및 제2게이트전극(15), 제1게이트전극(14) 및 제2게이트전극(15)과 활성층(13) 사이에 형성된 게이트절연막(미도시)을 포함한다. 이때, 제1전극(11)은 데이터라인(DL)과 연결될 수 있으며, 제2전극(12) 드라이빙트랜지스터(DT)의 게이트전극과 연결될 수 있다. As shown in FIG. 4, the switching transistor ST according to the exemplary embodiment of the present invention is formed on the substrate (not shown) and spaced apart from each other to have a predetermined distance with the first electrode 11 and the second electrode 12. An active layer 13 formed at both ends of the substrate to contact the first electrode 11 and the second electrode 12, a first gate electrode 14 formed on the active layer, and connected to the gate line GL; A second gate electrode 15, a first gate electrode 14, and a gate insulating film (not shown) formed between the second gate electrode 15 and the active layer 13 are included. In this case, the first electrode 11 may be connected to the data line DL, and may be connected to the gate electrode of the second electrode 12 driving transistor DT.

여기서, 제1게이트전극(14)과 활성층(13)이 중첩(overlap)되는 영역이 제1트랜지스터(T1)의 채널영역으로 작용하며, 제2게이트전극(15)과 활성층(13)이 중첩되는 영역이 제2트랜지스터(T2)의 채널영역으로 작용한다. 이때, 제1트랜지스터(T1)의 채널면적(A1)은 제2트랜지스터(T2)의 채널면적(A2)과 동일하거나(A1=A2), 서로 다를 수 있다(A1>A2 또는 A1<A2).Here, the region where the first gate electrode 14 and the active layer 13 overlap each other serves as a channel region of the first transistor T1, and the second gate electrode 15 and the active layer 13 overlap each other. The region serves as a channel region of the second transistor T2. In this case, the channel area A1 of the first transistor T1 may be the same as the channel area A2 of the second transistor T2 (A1 = A2) or may be different from each other (A1> A2 or A1 <A2).

앞서 언급한 바와 같이, 유기발광표시장치에서 좌우휘도차가 발생하는 것을 보다 효과적으로 방지하기 위해서는 스위칭트랜지스터(ST)를 서로 동일한 채널면적을 갖는 트랜지스터들로 형성하는 것보다 채널면적이 서로 다른 트랜지스터들로 형성하는 것이 바람직하다.  As mentioned above, in order to more effectively prevent the occurrence of the left and right luminance difference in the organic light emitting display device, the transistors having different channel areas are formed with the transistors having different channel areas than the transistors having the same channel area. It is desirable to.

예를 들어, 도 3의 (A)와 같이 게이트라인(GL)의 마지막 단에 연결된 화소에서 게이트신호 왜곡이 발생할 경우, 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)의 채널면적이 동일한 경우(A1=A2), 게이트신호에 의하여 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)가 동시에 온이 되는데, 이 경우, 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)의 저항성분이 스토리지캐패시터(C)에 충전된 전압 즉, 스토리지캐패시터(C) 에 충전된 데이터신호에 영향을 주어 종래의 스위칭트랜지스터(ST) 보다는 작지만, 게이트신호 왜곡에 따라 스토리지캐패시터(C)에 충전된 전압이 감소할 우려가 있다.(도 3의 'V2') For example, when the gate signal distortion occurs in the pixel connected to the last end of the gate line GL as shown in FIG. 3A, the channel area of the first transistor T1 and the second transistor T2 is the same. (A1 = A2), the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on at the same time by the gate signal. In this case, the resistance components of the first transistor T1 and the second transistor T2 are stored in the storage capacitor. The voltage charged in (C), that is, the data signal charged in the storage capacitor C is influenced, which is smaller than the conventional switching transistor ST, but the voltage charged in the storage capacitor C may decrease due to gate signal distortion. There is a concern ('V2' in Fig. 3).

하지만, 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)의 채널면적을 서로 다르게 형성할 경우(A1 > A2 또는 A1 < A2), 제1트랜지스터(T1)의 저항값과 제2트랜지스터(T2)의 저항값은 서로 다른 값을 가지게 된다. 이로써, 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2) 사이의 저항차이로 인하여 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)가 동시에 온(On) 되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 스위칭트랜지스터(ST)의 저항성분이 스토리지케패시터(C)에 충전된 전압에 미치는 영향을 최소화함으로써, 게이트신호 왜곡에 기인한 스토리지캐패시터(C)의 충전전압 감소를 효과적으로 억제할 수 있다.(도 3의 'V1') However, when the channel areas of the first transistor T1 and the second transistor T2 are formed differently (A1> A2 or A1 <A2), the resistance value of the first transistor T1 and the second transistor T2 are different. The resistance values of have different values. As a result, the first transistor T1 and the second transistor T2 may be prevented from being turned on at the same time due to the difference in resistance between the first transistor T1 and the second transistor T2. As a result, the reduction of the charging voltage of the storage capacitor C due to the gate signal distortion can be effectively suppressed by minimizing the influence of the resistance component of the switching transistor ST on the voltage charged in the storage capacitor C. 'V1' of FIG. 3)

여기서, 서로 다른 채널면적을 갖는 복수의 트랜지스터들은 각 트랜지스터의 게이트전극의 선폭을 서로 다르게 형성하거나, 게이트전극과 접하는 활성층의 폭을 서로 다르게 형성하는 방법을 통하여 구현할 수 있다. Here, the plurality of transistors having different channel areas may be implemented by forming different line widths of the gate electrodes of the transistors or different widths of the active layers contacting the gate electrodes.

또한, 본 발명의 유기발광표시장치는 스위칭트랜지스터(ST)를 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 구성함으로써, 스위칭트랜지스터(ST)의 누설전류를 감소시킬 수 있다. 이를 통하여 스위칭트랜지스터(ST)의 누설전류로 인한 누화현상(crosstalk), 깜빡거림 현상(fliker) 등을 방지하여 유기발광표시장치의 화질을 개선시킬 수 있다.In addition, the organic light emitting display device of the present invention can reduce the leakage current of the switching transistor ST by configuring the switching transistor ST as a plurality of transistors connected in series. Through this, crosstalk, flicker, and the like caused by leakage current of the switching transistor ST may be prevented, thereby improving image quality of the organic light emitting display device.

특히, 서로 다른 채널면적을 갖는 복수의 트랜지스터들로 스위칭트랜지스 터(ST)를 구성하되, 드라이빙트랜지스터(DT)와 연결되는 트랜지스터의 즉, 제2트랜지스터(T2)의 채널면적(A2)을 나머지 트랜지스터 즉, 제1트랜지스터(T1)의 채널면적(A1)보다 작게 형성할 경우, 스위칭트랜지스터(ST)의 누설전류를 감소시킴과 동시에 킥백전압(kick back voltage)을 감소시킬 수 있다. 참고로 킥백전압은 게이트신호가 인가되었다가 소거될때 드라이빙트랜지스터(DT)의 인가된 데이터신호가 게이트신호 소거에 영향을 받아 순간적으로 그 크기가 감소하는 현상으로 인하여 스토리지캐패시터(C)에서 발생하는 전압강하를 의미한다. 킥백전압은 활성층(13)과 게이트전극(14, 15)이 중첩되는 영역의 면적 즉, 채널면적에 영향을 받기 때문에 킥백을 일으키는 단자에 접하는 트랜지스터 예컨대, 제2트랜지스터(T2)의 채널면적(A2)을 감소시킴으로써 킥백전압을 감소시킬 수 있다. Particularly, the switching transistor ST is composed of a plurality of transistors having different channel areas, but the channel area A2 of the transistor connected to the driving transistor DT, that is, the second transistor T2 is left over. When the transistor is formed smaller than the channel area A1 of the first transistor T1, the leakage current of the switching transistor ST may be reduced and the kick back voltage may be reduced. For reference, the kickback voltage is a voltage generated by the storage capacitor C due to a phenomenon in which the applied data signal of the driving transistor DT decreases instantly due to the gate signal erasing when the gate signal is applied and then erased. It means descent. Since the kickback voltage is affected by the area of the region where the active layer 13 and the gate electrodes 14 and 15 overlap, that is, the channel area, the channel area A2 of the transistor contacting the terminal causing the kickback, for example, the second transistor T2. You can reduce the kickback voltage by decreasing

이와 같이, 본 발명은 스위칭트랜지스터(ST)를 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 형성함으로써, 게이트신호 왜곡에 따른 유기발광표시장치의 좌우휘도차 발생을 방지함과 동시에 스위칭트랜지스터(ST)의 누설전류를 감소시킬 수 있다. As described above, according to the present invention, the switching transistor ST is formed of a plurality of transistors connected in series, thereby preventing the occurrence of the left and right luminance difference of the organic light emitting display device due to the distortion of the gate signal, and at the same time, the leakage current of the switching transistor ST. Can be reduced.

또한, 본 발명은 스위칭트랜지스터(ST)를 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 구성하되, 각 트랜지스터의 채널면적을 서로 다르게 형성함으로써, 보다 효과적으로 게이트신호의 왜곡에 따른 유기발광표시장치의 좌우휘도차 발생을 방지할 수 있다.In addition, the present invention is composed of a plurality of transistors connected in series with the switching transistor (ST), by forming a channel area of each transistor different from each other, more effectively the left and right luminance difference of the organic light emitting display device according to the distortion of the gate signal Can be prevented.

또한, 본 발명은 스위칭트랜지스터(ST)를 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 구성하되, 복수의 트랜지스터들 중에서 드라이빙트랜지스터(DT)의 게이트전극과 연결되는 트랜지스터의 채널면적을 나머지 트랜지스터들의 채널면적보다 작게 형성함으로써, 스위칭트랜지스터(ST)의 누설전류를 감소시킴과 동시에 킥백전압을 감소시킬 수 있다.In addition, the present invention is composed of a plurality of transistors connected in series with the switching transistor (ST), the channel area of the transistor connected to the gate electrode of the driving transistor (DT) of the plurality of transistors smaller than the channel area of the other transistors By forming, the kickback voltage can be reduced while reducing the leakage current of the switching transistor ST.

또한, 본 발명은 별도의 보상회로 없이 좌우휘도차 발생 및 스위칭트랜지스터(ST)의 누설전류를 감소시킴으로써, 보상회로 형성에 따른 유기발광표시장치의 개구율 저하를 방지할 수 있다. In addition, the present invention can prevent the lowering of the aperture ratio of the organic light emitting diode display by forming the compensation circuit by reducing the left and right luminance difference and reducing the leakage current of the switching transistor ST without a separate compensation circuit.

이로써, 본 발명은 유기발광표시장치의 화질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. Thus, the present invention has the effect of improving the image quality of the organic light emitting display device.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내의 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will appreciate that various embodiments within the scope of the technical idea of the present invention are possible.

도 1은 종래기술에 따른 액티브 메트릭스형 유기발광표시장치의 단위 화소에 대한 등가회로도.1 is an equivalent circuit diagram of a unit pixel of an active matrix organic light emitting display device according to the related art.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 액티브 메트릭스형 유기발광표시장치의 단위 화소에 대한 등가회로도. 2A and 2B are equivalent circuit diagrams of a unit pixel of an active matrix organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 게이트신호 왜곡과 스토리지캐패시터의 충전전압 사이의 관계를 도시한 도면.3 illustrates a relationship between gate signal distortion and a charge voltage of a storage capacitor.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 스위칭트랜지스터를 도시한 평면도.4 is a plan view showing a switching transistor according to an embodiment of the present invention.

*도면 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *

GL : 게이트라인 DL : 데이터라인GL: Gate Line DL: Data Line

PL : 파워라인 ST : 스위칭트랜지스터PL: Power Line ST: Switching Transistor

DT : 드라이빙트랜지스터 T1 : 제1트랜지스터DT: Driving Transistor T1: First Transistor

T2 : 제2트랜지스터 11 : 제1전극T2: second transistor 11: first electrode

12 : 제2전극 13 : 활성층12 second electrode 13 active layer

14 : 제1게이트전극 15 : 제2게이트전극14: first gate electrode 15: second gate electrode

Claims (8)

게이트라인;Gate line; 상기 게이트라인과 직교하는 방향으로 형성된 데이터라인;A data line formed in a direction orthogonal to the gate line; 상기 데이터라인과 나란한 방향으로 상기 게이트라인과 직교하는 파워라인;A power line perpendicular to the gate line in a direction parallel to the data line; 직렬로 연결되고 채널면적이 서로 다른 복수의 트랜지스터들로 이루어지며, 상기 게이트라인에 응답하여 상기 데이터라인에 인가된 신호를 전달하는 스위칭트랜지스터;A switching transistor comprising a plurality of transistors connected in series and having different channel areas and transferring a signal applied to the data line in response to the gate line; 상기 스위칭트랜지스터로부터 출력된 신호를 드라이빙하기 위한 드라이빙트랜지스터;A driving transistor for driving a signal output from the switching transistor; 상기 드라이빙트랜지스터로부터 출력된 신호에 의해 발광하는 유기발광다이오드; 및An organic light emitting diode which emits light by a signal output from the driving transistor; And 일측이 상기 드라이빙트랜지스터의 게이트전극에 연결되고, 타측이 상기 파워라인에 연결된 스토리지캐패시터를 포함하고,One side is connected to the gate electrode of the driving transistor, the other side includes a storage capacitor connected to the power line, 상기 스토리지캐패시터는 상기 스위칭트랜지스터가 온(On) 상태일 때, 상기 스위칭트랜지스터로부터 출력된 신호와 상기 파워라인을 통해 전달된 신호에 응답하여 충전동작을 수행하고, 상기 스위칭트랜지스터가 오프(Off) 상태일 때, 방전동작을 수행하여 상기 드라이빙트랜지스터의 동작을 유지시켜주는 유기발광표시장치. The storage capacitor performs a charging operation in response to a signal output from the switching transistor and a signal transmitted through the power line when the switching transistor is in an on state, and the switching transistor is in an off state. The organic light emitting display device maintains an operation of the driving transistor by performing a discharge operation. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스위칭트랜지스터에서, In the switching transistor, 채널면적이 가장 작은 트랜지스터가 상기 드라이빙트랜지스터의 게이트전극에 전기적으로 연결된 유기발광표시장치.An organic light emitting display device having a transistor having a smallest channel area electrically connected to a gate electrode of the driving transistor. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스위칭트랜지스터는 동일한 도전형의 채널을 갖고, 채널면적이 서로 다른 복수의 트랜지스터들로 이루어진 유기발광표시장지.The switching transistor includes a plurality of transistors having the same conductive channel and different channel areas. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스위칭트랜지스터 및 상기 드라이빙트랜지스터는 동일한 도전형의 채널을 갖는 유기발광표시장치.The switching transistor and the driving transistor have the same conductivity type channel. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스위칭트랜지스터 및 상기 드라이빙트랜지스터는 NMOS 또는 PMOS인 유기발광표시장치.And the switching transistor and the driving transistor are NMOS or PMOS.
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