KR100890085B1 - Method for manufacturing substrate of Nitride chemical semiconductor - Google Patents

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Abstract

기판의 가장 자리를 얇게 가공하여 결정 성장시 그 가장 자리에 발생되는 다결정의 질화물층을 제거함으로써 후속 공정인 레이저 리프트 공정을 원활히 하는데, 이를 위해 본 발명은 가장 자리가 소정의 두께만큼 얇게 가공된 기판의 상부에 질화물층을 성장시키고, 그 성장이 완료되어 상기 두께가 얇게 가공된 기판의 가장 자리에 다결정의 질화물층이 성장되면, 상온(常溫)으로 온도를 내려 상기 기판의 가장 자리를 분리한 후, 기판의 이면에 레이저를 조사하여 기판과 질화물 결정이 성장된 질화물층을 분리하도록 한다.By processing the edge of the substrate thinly and removing the polycrystalline nitride layer generated at the edge of the crystal growth to facilitate the laser lift process, which is a subsequent process for this purpose, in the present invention, the substrate is processed as thin as a predetermined thickness After the growth of the nitride layer on the top of the growth, the growth is complete, the polycrystalline nitride layer is grown on the edge of the thinly processed substrate, the temperature is lowered to room temperature to separate the edge of the substrate The back side of the substrate is irradiated with a laser to separate the nitride layer on which the substrate and the nitride crystal are grown.

단결정, 다결정, 질화물, 성장, 가장자리, 두께, 폭, Monocrystalline, polycrystalline, nitride, grown, edge, thickness, width,

Description

질화물 기판 제조 방법{Method for manufacturing substrate of Nitride chemical semiconductor} Method for manufacturing substrate of Nitride chemical semiconductor

도 1은 일반적인 결정 성장시 기판 가장 자리에 다결정 질화물층이 성장되는 양태를 도시한 도면이고,1 is a view illustrating an embodiment in which a polycrystalline nitride layer is grown on a substrate edge during normal crystal growth;

도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 질화물 기판 제조 방법을 도시한 공정 순서도이고,2a to 2d is a process flow diagram illustrating a method for manufacturing a nitride substrate according to the present invention,

도 3은 본 발명에 적용되는 기판 가공 방법의 실시예가 적용된 장치를 도시한 도면이고,3 is a diagram illustrating an apparatus to which an embodiment of a substrate processing method applied to the present invention is applied;

도 4는 본 발명인 질화물 기판 제조 방법의 실시예가 적용된 장치를 도시한 도면이다.4 is a view showing an apparatus to which the embodiment of the present invention is manufactured nitride substrate manufacturing method.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

40 : 전기로 41 : 챔버40: electric furnace 41: chamber

42 : 갈륨 보트 43 : 제 1 주입관42: gallium boat 43: first injection tube

44 : 제 2 주입관 45 : 단결정 질화갈륨층44: second injection pipe 45: single crystal gallium nitride layer

45 : 기판 47 : 다결정 질화갈륨층 45 substrate 47 polycrystalline gallium nitride layer

본 발명은 기판의 가장 자리를 얇게 가공하여 결정 성장시 그 가장 자리에 발생되는 다결정의 질화물층을 제거함으로써 후속 공정인 레이저 리프트 공정을 원활히 할 수 있도록 하는 질화물 기판 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nitride substrate manufacturing method for smoothly processing a laser lift process in a subsequent process by removing the polycrystalline nitride layer generated at the edge of crystal growth by processing the edge of the substrate thinly.

최근, 고 효율의 단파장 광소자에 대한 수요가 늘어남에 따라 이러한 용도에 적합한 것으로 알려져 있는 질화물 반도체에 대한 연구가 활발히 진행되고 있는데,특히, 청자색 계열의 단파장 광소자 이외에 포스퍼(Phosphor)를 첨가하여 백색광을 만들 수 있게 되면서, 이 분야에 대한 관심의 폭이 날로 증대되어지고 있다.Recently, as the demand for high efficiency short wavelength optical devices increases, research into nitride semiconductors that are known to be suitable for such applications is being actively conducted. In particular, by adding phosphors in addition to the blue violet short wavelength optical devices, With the ability to produce white light, the interest in this field is increasing day by day.

한편, 이러한 질화물 계열의 레이저 다이오드와 같은 발광 소자에서는 기판으로 사파이어를 주로 사용하였으나, 질화물과 사파이어는 격자 상수 및 열 팽창 계수의 차이로 인해, 사파이어 기판에 질화물층을 형성하면, 고 밀도의 결정성 결함이 발생하는 문제점이 있었다.In the light emitting device such as a nitride laser diode, sapphire is mainly used as a substrate. However, nitride and sapphire have high density crystallinity when a nitride layer is formed on the sapphire substrate due to a difference in lattice constant and thermal expansion coefficient. There was a problem that a defect occurred.

이를 해소하기 위하여 프리 스탠딩(Free standing)된 질화물 기판으로 발광 소자를 제조하려는 시도가 이루어지고 있는데, 이러한 프리 스탠딩 기판 제조 방법은, 예컨대 사파이어 기판 상부에 질화물층을 성장시킨 후, 그 사파이어 기판으로 레이저를 조사하면, 레이저 광에 의한 열 에너지가 질화물층과 사파이어 기판의 경계면에서 집중이 되고, 집중된 열 에너지에 의해 N2 분자가 외부로 토출됨으로써 질화물층과 사파이어 기판의 분리가 발생된다.In order to solve this problem, an attempt has been made to fabricate a light emitting device using a free standing nitride substrate. In this method of manufacturing a free standing substrate, for example, a nitride layer is grown on a sapphire substrate, and then a laser is applied to the sapphire substrate. When irradiated with, the heat energy by laser light is concentrated at the interface between the nitride layer and the sapphire substrate, and the N 2 molecules are discharged to the outside by the concentrated heat energy, thereby separating the nitride layer and the sapphire substrate.

하지만, 도 1에 도시된 바와 같이 질화물의 일종인 질화갈륨(GaN) 성장시에 일반적으로 사파이어 기판(10)의 가장 자리에는 다결정의 질화갈륨(GaN)층(12)이 적층되는데, 이러한 다결정의 질화갈륨층(12)이 사파이어 기판(10)의 가장 자리에 적층되면, 레이저가 조사되어도 다결정 질화갈륨층(12)이 적층된 부분은 분리가 일어나지 않아 질화갈륨층과 사파이어 기판과의 계면에서 깨짐이 발생하거나, N2 분자가 외부로 원활히 빠져 나오지 못하게 됨으로써 리프트 오프 자체가 어렵게 되고, N2 분자의 부분압 상승으로 인하여 단결정 질화갈륨층(11)에서도 깨짐이 발생할 수 있는 문제점이 있다.However, as shown in FIG. 1, a polycrystalline gallium nitride (GaN) layer 12 is generally stacked on the edge of the sapphire substrate 10 during gallium nitride (GaN) growth, which is a kind of nitride. When the gallium nitride layer 12 is laminated at the edge of the sapphire substrate 10, even when the laser is irradiated, the portion where the polycrystalline gallium nitride layer 12 is laminated does not occur and breaks at the interface between the gallium nitride layer and the sapphire substrate. occurs or, N 2 molecules to prevent not get out smoothly to the outside by being difficult and the lift-off itself, due to the increase of the partial pressure of N 2 molecules, there is a problem that can result in cracking in single crystal gallium nitride layer 11.

이에 본 발명은 상기한 문제점을 해소시키기 위한 것으로, 기판의 가장 자리를 소정의 두께만큼 얇게 가공하고 결정 성장시 두께가 얇게 가공된 기판의 가장 자리에서 발생되는 다결정의 질화물층이 상온(常溫)하에서 자연스럽게 깨져 분리되도록 함으로써 후속 공정인 레이저 리프트 공정을 원활히 할 수 있도록 하는 질화물 기판 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention is to solve the above problems, the polycrystalline nitride layer generated at the edge of the substrate processed to the thickness of the substrate thinly processed by a predetermined thickness and the thickness of the crystal growth at room temperature (常溫) It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a nitride substrate that can be naturally broken and separated to facilitate the subsequent laser lift process.

이를 위해 본 발명은 가장 자리가 소정의 두께만큼 얇게 가공된 기판의 상부에 질화물 결정을 성장시키고, 그 성장이 완료되어 상기 두께가 얇게 가공된 기판의 가장 자리에 다결정의 질화물층이 성장되면, 상온(常溫)으로 온도를 낮추어 상기 기판의 가장 자리를 분리한 후, 기판으로 레이저를 조사하여 기판과 질화물 결정이 성장된 질화물층을 분리하도록 한다.To this end, the present invention grows nitride crystals on top of a substrate whose edge is thinly processed by a predetermined thickness, and when the growth is completed and the polycrystalline nitride layer is grown on the edge of the thinly processed substrate, room temperature After the temperature is lowered to (i) to separate the edge of the substrate, the substrate is irradiated with a laser to separate the nitride layer on which the substrate and the nitride crystals are grown.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저 본 발명의 질화물 기판 제조 방법은, 그라인딩 머신(Grinding machine)과 같은 연마 장치를 이용해 도 2a에 도시된 바와 같이, 다결정 질화물층이 성장될 기판(20)의 가장 자리를 소정의 두께(T)만큼 얇게 가공하는데, 상기 기판(20)은 사파이어(Al2O3), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘과 갈륨 비소(GaAs)의 이종 기판을 사용하는 것이 바람직하다.First, in the method of manufacturing a nitride substrate of the present invention, as shown in FIG. 2A by using a polishing apparatus such as a grinding machine, a predetermined thickness T is used to position the edge of the substrate 20 on which the polycrystalline nitride layer is to be grown. In order to process as thin as possible, it is preferable that the substrate 20 uses a different substrate of sapphire (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), silicon and gallium arsenide (GaAs).

이 때, 상기 이종 기판의 두께가 얇으면 얇을수록 스트레스(stress)에 의한 저항력이 약해 쉽게 깨어지기 때문에 가능한 얇게 가공하는 것이 바람직한데, 그 두께(T)의 범위는 10 ~ 1000㎛ 정도로 하는 것이 가장 바람직하다.At this time, the thinner the thickness of the dissimilar substrate, the weaker the resistance due to the stress (stress) is easily broken because it is preferable to process as thin as possible, the thickness (T) is the range of about 10 ~ 1000㎛ most desirable.

그리고, 두께가 얇게 가공된 기판 가장 자리의 폭(W)은 다결정이 형성될 부분보다 약간 넓게 가공하여 결정 성장시 단결정 질화물이 성장되는 가장 자리 영역에서 깨짐이 발생될 수 있도록 해야 하는데, 그 폭은 약 1 ~ 5mm정도로 하는 것이 가장 바람직하다.In addition, the width W of the substrate edge, which is thinly processed, should be slightly wider than the portion where the polycrystal is to be formed so that cracking may occur in the edge region where monocrystalline nitride is grown during crystal growth. Most preferably, it is about 1-5 mm.

한편, 이렇게 가장 자리가 얇게 가공된 기판이 형성되면, 형성된 기판 상부에 하이드라이드 기상 박막 성장(Hydride Vapor Phase Epitaxy)방법이나, 고온 고압에서 질소(N2)를 액화시켜 질화물을 성장시키는 방법 또는 승화법을 이용해 질화물 박막을 성장시키는데, 그 결과, 도 2b에 도시된 바와 같이, 기판(20)의 가장 자리에는 다결정 질화물층(22)이 성장되고, 그 외의 영역에는 단결정 질화물층(21)이 성장된다. On the other hand, when a substrate having a thinly processed edge is formed, a method of hydride vapor phase epitaxy or a method of growing nitride by liquefying nitrogen (N 2 ) at high temperature and high pressure or sublimation on the formed substrate is performed. The nitride thin film is grown by using the method. As a result, as shown in FIG. 2B, the polycrystalline nitride layer 22 is grown on the edge of the substrate 20, and the single crystal nitride layer 21 is grown on the other regions. do.

다음, 질화물층의 성장이 완료되면, 상온(常溫)으로 온도를 낮추고 약 8000C에서 1시간 정도의 열처리 과정을 거친다. Next, when the growth of the nitride layer is completed, the temperature is lowered to room temperature (常溫) and subjected to heat treatment for about 1 hour at about 800 0 C.

이 때, 다결정 질화물층(22)이 성장된 기판 가장 자리 부분이 전술한 바와 같이 소정의 두께만큼 얇게 가공되어 있어서, 상온(常溫)으로 온도를 내리게 되면 열팽창 계수의 차이에 의해 스트레인(strain)이 발생되고, 발생된 스트레인에 의해 상기 기판(20) 가장 자리 부분이 자연스럽게 깨어져 분리됨으로써 다결정이 없는 순수한 단결정의 질화물층만을 얻을 수 있게 된다(도 2c).At this time, the edge of the substrate on which the polycrystalline nitride layer 22 is grown is thinly processed by a predetermined thickness as described above. When the temperature is lowered to room temperature, strain is caused by a difference in thermal expansion coefficient. By virtue of the generated strain, the edge of the substrate 20 is naturally broken and separated, so that only a pure single crystal nitride layer without polycrystal can be obtained (FIG. 2C).

한편, 얇게 가공된 기판(20) 가장 자리가 분리되어 그 기판(20) 상부에 단결정 질화물층만이 잔존하게 되면, 상기 분리된 기판 가장 자리와 접촉했던 단결정 질화물층의 가장자리를 연마하기 위해 폴리싱(polishing) 처리 공정을 거치도록 하는 것이 바람직하다. On the other hand, when the edge of the thinly processed substrate 20 is separated and only a single crystal nitride layer remains on the substrate 20, polishing is performed to polish the edge of the single crystal nitride layer that has been in contact with the separated substrate edge. It is preferable to go through the treatment process.

다음, 기판(20) 상부에 성장된 단결정 질화물층을 아래로 향하게 하여 핫 플레이트 상부에 고정시키고, 기판의 이면에 레이저 광을 조사하면(도 2d), 상기 단결정의 질화물 박막과 사파이어의 계면에서 N2분자가 빠져 나와, 단결정 질화물층(21)이 기판(20)으로부터 분리된다.Next, the single crystal nitride layer grown on the substrate 20 is placed downward and fixed to the top of the hot plate, and irradiated with laser light on the back surface of the substrate (FIG. Two molecules exit and the single crystal nitride layer 21 is separated from the substrate 20.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 도 3과 도 4를 참조하여 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

설명할 실시예에서는 질화물을 질화갈륨(GaN)으로, 기판을 사파이어 기판으로, 성장법을 할라이드 기상 성장법(HVPE)으로 하여 설명한다. In the embodiments to be described, nitrides are described as gallium nitride (GaN), substrates as sapphire substrates, and growth methods as halide vapor phase growth (HVPE).

먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 사파이어 기판(30)을 세라믹이나 유리로 이 루어진 그라인딩 장치(Grinding machine)의 홀더(31)에 고정시키고, 다이아몬 입자(32)가 부착된 다이아몬드 휠(Diamond wheel)(33)을 상, 하, 좌, 우로 이동시켜 다결정 질화물이 성장될 사파이어 기판(30)의 가장 자리를 소정의 두께(T)만큼 얇게 가공한다.First, as shown in FIG. 3, the sapphire substrate 30 is fixed to a holder 31 of a grinding machine (Grinding machine) made of ceramic or glass, and a diamond wheel having diamond particles 32 attached thereto ( By moving the diamond wheel 33 up, down, left, and right, the edge of the sapphire substrate 30 on which the polycrystalline nitride is to be grown is processed to be thin as a predetermined thickness (T).

이 때, 상기 사파이어 기판(30)의 가장 자리 두께가 얇으면 얇을수록 스트레스(stress)에 의한 저항력이 약해 쉽게 깨어지기 때문에 가능한 얇게 가공하는 것이 바람직한데, 그 두께(T)의 범위는 10 ~ 1000㎛ 정도로 하는 것이 가장 바람직하다.At this time, the thinner the thickness of the edge of the sapphire substrate 30, the weaker the resistance due to the stress (stress) is easily broken because it is preferable to process as thin as possible, the thickness (T) is in the range of 10 ~ 1000 Most preferably, about 탆.

그리고, 두께가 얇게 가공된 사파이어 기판(30) 가장 자리의 폭(W)은 다결정이 형성될 부분보다 약간 넓게 가공하여 결정 성장시 단결정 질화물층의 가장 자리에서 깨짐(crack)이 발생될 수 있도록 해야 하는데, 그 폭은 약 1 ~ 5mm정도로 하는 것이 바람직하다.In addition, the width W of the edge of the thinly processed sapphire substrate 30 should be slightly wider than the portion where the polycrystal is to be formed so that cracking may occur at the edge of the single crystal nitride layer during crystal growth. However, the width is preferably about 1 to 5mm.

다음, 사파이어 기판(30)의 가장 자리가 소정의 두께와 폭만큼 가공되면, 가공된 사파이어 기판을 상기 그라인딩 장치의 홀더(31)에서 이탈시켜 클리닝(cleaning)공정을 통해 기판의 표면을 세척시킨 후, 도 4에 도시된 바와 같이 세척시킨 사파이어 기판(46)을 할라이드 기상 성장(HVPE) 장치의 챔버(41)내에 안착시킨다. Next, when the edge of the sapphire substrate 30 is processed by a predetermined thickness and width, the processed sapphire substrate is separated from the holder 31 of the grinding apparatus to clean the surface of the substrate through a cleaning process. The sapphire substrate 46 cleaned as shown in FIG. 4 is seated in the chamber 41 of the halide vapor phase growth (HVPE) device.

그런 다음, 전기로(40)에서 가열하여 전달한 열을 이용해 챔버(41)의 온도를 800℃ ~ 900℃ 정도로 조절하고, 염화수소(HCL) 가스를 제 1 주입관(43)을 통해 갈륨 보트(42)로 주입하는데, 상기 갈륨 보트(42)에는 갈륨(Ga) 분자를 생성하는 분 말이 수용되어 있으며, 상기 분말은 질화갈륨 분말이나 메탈 갈륨 또는 이들의 혼합된 분말 중 선택된 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.Then, the temperature of the chamber 41 is adjusted to about 800 ° C. to 900 ° C. by using the heat transferred from the electric furnace 40, and the hydrogen chloride (HCL) gas is gallium boat 42 through the first injection pipe 43. The gallium boat 42 contains a powder for producing gallium (Ga) molecules, and the powder is preferably any one selected from gallium nitride powder, metal gallium, or a mixed powder thereof. Do.

이어, 주입된 염화수소 가스와 상기 분말이 상기 전기로(40)에서 가열된 열을 통해 화학 반응하면 해당 화합물이 형성되는데, 예를 들면, 상기 분말이 메탈 갈륨일 경우에 염화수소 분자와 갈륨분자가 반응하여 염화갈륨이 형성되는데 그 화학 반응식은 다음과 같다.Subsequently, when the injected hydrogen chloride gas and the powder are chemically reacted through the heat heated in the electric furnace 40, a corresponding compound is formed. For example, when the powder is metal gallium, hydrogen chloride molecules and gallium molecules react. Thus, gallium chloride is formed. The chemical formula is as follows.

2Ga + 2HCL -> 2GaCl + H2 ↑ 2Ga + 2HCL -> 2GaCl + H 2 ↑

다음, 상기 갈륨 보트(42)내에서 형성된 화합물은 챔버(41)로 토출되고, 상기 챔버(41)의 일측부에 연결된 제 2 주입관(44)을 통해 N2 생성 가스가 주입되면, 상기 챔버(41)내에서는 N2 생성 가스와 토출된 화합물이 결합하여 질화갈륨(GaN) 분말이 형성되는데, 이 때, 상기 N2생성 가스는 암모니아(NH3) 가스를 사용하는 것이 바람직하며, 화학 반응식은 다음과 같다.Next, the compound formed in the gallium boat 42 is discharged to the chamber 41, when the N 2 product gas is injected through the second injection pipe 44 connected to one side of the chamber 41, the chamber In (41), the N 2 product gas and the discharged compound are combined to form gallium nitride (GaN) powder. At this time, the N 2 product gas is preferably ammonia (NH 3 ) gas. Is as follows.

GaCl + NH3 -> GaN + HCL + H2 ↑ GaCl + NH 3- > GaN + HCL + H 2 ↑

다음, 이렇게 형성된 질화갈륨(GaN) 분말은 사파이어 기판(46)에 안착되어 성장이 이루어지는데, 이 때 사파이어 기판(46)의 가장 자리는 다결정의 질화갈륨층(47)이 성장되고, 그 이외의 영역에는 단결정의 질화갈륨층(45)이 성장된다.Next, the gallium nitride (GaN) powder thus formed is deposited on the sapphire substrate 46 to grow. At this time, a polycrystalline gallium nitride layer 47 is grown at the edge of the sapphire substrate 46. In the region, a single crystal gallium nitride layer 45 is grown.

이어, 질화갈륨층의 성장이 완료되면, 상온(常溫)으로 온도를 낮추고 약 800℃에서 1시간 정도의 열처리 과정을 거친다. Subsequently, when the growth of the gallium nitride layer is completed, the temperature is lowered to room temperature and the heat treatment is performed at about 800 ° C. for about 1 hour.                     

이 때, 상온(常溫)으로 온도를 낮출 경우, 질화갈륨층이 성장되는 사파이어 기판(46)의 가장 자리 부분이 전술한 바와 같이 소정의 두께만큼 얇게 가공되어 있기 때문에, 상온(常溫)으로 온도를 내릴시 열팽창 계수의 차이에 의해 스트레인(strain)이 발생되고, 발생된 스트레인에 의해 상기 기판 가장 자리 부분이 자연스럽게 깨어져 분리됨으로써 다결정이 없는 순수한 단결정 질화갈륨층을 얻을 수 있게 된다.At this time, when lowering the temperature to room temperature, since the edge portion of the sapphire substrate 46 on which the gallium nitride layer is grown is processed as thin as a predetermined thickness as described above, the temperature is maintained at room temperature. Strain is generated due to the difference in coefficient of thermal expansion during unloading, and the edge of the substrate is naturally broken and separated by the generated strain, thereby obtaining a pure single crystal gallium nitride layer free of polycrystals.

다음, 상기 사파이어 기판(46) 상부에 단결정 질화갈륨층(45)만 잔존하게 되면, 상기 사파이어 기판(46)의 이면에 레이저광을 조사한다.Next, when only the single crystal gallium nitride layer 45 remains on the sapphire substrate 46, a laser beam is irradiated on the rear surface of the sapphire substrate 46.

그 결과, 단결정 질화갈륨층(45)과 사파이어 기판(46)과의 계면에서 N2 분자가 빠져 나와 상기 사파이어 기판(46)으로부터 단결정 질화갈륨층(45)이 리프트 오프된다.As a result, N 2 molecules escape from the interface between the single crystal gallium nitride layer 45 and the sapphire substrate 46 and the single crystal gallium nitride layer 45 is lifted off from the sapphire substrate 46.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 질화물 기판 제조 방법은 기판의 가장 자리를 소정의 두께만큼 얇게 가공하고 결정 성장시 두께가 얇게 가공된 기판의 가장 자리에서 발생되는 다결정의 질화물층이 상온(常溫)하에서 자연스럽게 깨져 분리되도록 함으로써 후속 공정인 레이저 리프트 공정을 원활히 할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, in the method of manufacturing a nitride substrate according to the present invention, the nitride layer of the polycrystalline nitride layer formed at the edge of the processed substrate is thinly processed at the edge of the substrate and has a thin thickness during crystal growth. By naturally breaking under iii), there is an effect that can facilitate the laser lift process, which is a subsequent process.

본 발명은 기재된 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the invention has been described in detail only with respect to the specific examples described, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit of the invention, and such modifications and variations belong to the appended claims.

Claims (4)

기판 가장 자리를 일정 두께(T)만큼 얇게 가공하는 제 1 단계와;A first step of processing the substrate edge thinly by a predetermined thickness (T); 상기 기판의 가장 자리에 다결정 질화물층을 성장시키고, 그 외의 영역에 단결정 질화물층을 성장시키는 제 2 단계와;Growing a polycrystalline nitride layer at the edge of the substrate and growing a single crystal nitride layer in other regions; 상기 제 2 단계를 통해 상기 두께가 얇게 가공된 기판의 가장 자리에 다결정의 질화물층이 성장된 후, 상온(常溫)으로 온도를 내려 열팽창 계수의 차이에 의해 스트레인(strain)을 발생시키고, 발생된 스트레인에 의해 상기 기판의 두께가 얇은 가장 자리 부분을 분리하는 제 3 단계와;After the polycrystalline nitride layer is grown on the edge of the thinly processed substrate through the second step, the temperature is lowered to room temperature to generate strain due to the difference in the coefficient of thermal expansion. Separating a thin edge portion of the substrate by strain; 상기 제 3 단계를 통해 두께가 얇은 기판의 가장 자리가 분리되면, 상기 기판으로 레이저를 조사하여 기판과 질화물 결정이 성장된 질화물층을 분리하는 제 4 단계로 이루어지는 질화물 기판 제조 방법. And a fourth step of separating the substrate and the nitride layer on which the nitride crystal is grown by irradiating a laser to the substrate when the edge of the thin substrate is separated through the third step. 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계와 제 4 단계 사이에;The method of claim 1, further comprising: between the third and fourth steps; 상기 두께가 얇게 가공된 기판의 가장 자리가 분리되면, 분리된 기판의 가장 자리와 접촉했던 영역을 폴리싱(polishing) 처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 기판 제조 방법. And if the edge of the thinly processed substrate is separated, polishing the area that has been in contact with the edge of the separated substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판 가장 자리의 두께 T는;3. The method of claim 1 or 2, wherein the thickness T of the substrate edge is; 10 ~ 1000㎛이고,10 to 1000 µm, 상기 기판 가장 자리의 폭은;The width of the substrate edge; 1 ~ 5mm인 것을 특징으로 하는 질화물 기판 제조 방법.A nitride substrate manufacturing method, characterized in that 1 to 5mm. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은;The method of claim 1 or 2, wherein the substrate; 기판은 사파이어(Al2O3), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘과 갈륨 비소(GaAs) 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 기판 제조 방법.The substrate is a nitride substrate manufacturing method, characterized in that made of any one selected from sapphire (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), silicon and gallium arsenide (GaAs).
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