KR100887672B1 - Array substrate for in plane switching mode liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 수평 전계 구동 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판에 관한 것이다.The present invention relates to an array substrate for a horizontal electric field drive type liquid crystal display device.

일반적으로 수평전계 구동방식 액정 표시 장치의 공통 배선은 게이트 배선과 나란하게 형성되는데, 대화면일 경우 패널의 크기가 노광기의 유효처리 면적보다 크기 때문에 분할 노광을 해야 한다. 이때, 노광 샷 간의 편차에 의해 스티칭이 발생하여 분할 노광된 영역에서 공통 배선의 신호 값이 달라지므로, 각 영역에서 화질의 차이가 발생한다. In general, the common wiring of the horizontal electric field driving type liquid crystal display device is formed to be parallel to the gate wiring. In the case of the large screen, the panel has a larger size than the effective processing area of the exposure machine. At this time, since the signal value of the common wiring is changed in the region in which the stitching occurs due to the deviation between the exposure shots and the divided exposure, a difference in image quality occurs in each region.

본 발명에 따른 수평전계 구동방식 액정 표시 장치의 어레이 기판에서는 대화면의 패널을 분할 노광에 의해 제조할 때, 공통 배선을 데이터 배선과 나란하게 형성하고, 공통 배선의 신호를 분할 노광에 의해 형성되는 각 영역에서 다르게 인가한다. 따라서, 각 분할 노광된 영역별로 공통 배선의 신호를 개별적으로 제어함으로써, 균일한 화질을 표시할 수 있다. 또한, 공통 배선을 데이터 배선과 중첩하도록 할 경우, 개구율을 높일 수 있다.
In the array substrate of the horizontal electric field drive type liquid crystal display device according to the present invention, when a large screen panel is manufactured by divided exposure, the common wiring is formed in parallel with the data wiring, and the signals of the common wiring are formed by the divided exposure. Apply differently in the domain. Therefore, uniform image quality can be displayed by individually controlling the signals of the common wiring for each of the divided exposure regions. In addition, when the common wiring overlaps with the data wiring, the aperture ratio can be increased.

수평전계, IPS, 분할 노광, 대화면, 개구율Horizontal electric field, IPS, split exposure, large screen, aperture ratio

Description

수평전계 구동방식 액정표시장치용 어레이 기판{array substrate for in plane switching mode liquid crystal display device} Array substrate for in plane switching mode liquid crystal display device             

도 1은 일반적인 수평전계 구동방식 액정 표시 장치의 회로도.1 is a circuit diagram of a general horizontal electric field drive type liquid crystal display device.

도 2는 종래의 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 평면도.2 is a plan view of an array substrate for a conventional horizontal electric field drive type liquid crystal display device;

도 3은 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 자른 단면도.3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 2.

도 4는 종래의 고개구율을 가지는 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 단면도.4 is a cross-sectional view of an array substrate for a horizontal electric field drive type liquid crystal display device having a conventional high opening ratio.

도 5는 종래의 고개구율을 가지는 수평전계 구동방식 액정 표시 장치의 회로도.5 is a circuit diagram of a conventional horizontal electric field drive type liquid crystal display device having a high opening ratio.

도 6은 종래의 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판을 개략적으로 도시한 도면.6 is a schematic view of an array substrate for a conventional horizontal electric field drive type liquid crystal display device.

도 7은 종래의 대화면 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판을 개략적으로 도시한 도면.FIG. 7 schematically illustrates an array substrate for a conventional large-screen horizontal electric field drive type liquid crystal display device. FIG.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판을 개략적으로 도시한 도면.FIG. 8 schematically illustrates an array substrate for a horizontal electric field drive type liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG.

도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 평면도.9 is a plan view of an array substrate for a horizontal electric field drive type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 10은 도 9에서 Ⅹ-Ⅹ선을 따라 자른 단면도.FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG. 9. FIG.

도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 평면도.11 is a plan view of an array substrate for a horizontal electric field drive type liquid crystal display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 12는 도 11에서 ⅩⅡ-ⅩⅡ선을 따라 자른 단면도.
FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 11. FIG.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

110 : 기판 151a, 151b : 공통 배선110: substrate 151a, 151b: common wiring

152a, 152b : 공통 전극 130 : 절연막152a, 152b: common electrode 130: insulating film

131 : 데이터 배선 162 : 화소 전극
131: data wiring 162: pixel electrode

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 액정 분자를 구동하는 제 1 및 제 2 전극이 동일 기판에 형성되어 있는 수평 전계 구동 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to an array substrate for a horizontal electric field drive type liquid crystal display device in which first and second electrodes for driving liquid crystal molecules are formed on the same substrate.

일반적으로 액정 표시 장치는 전계 생성 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자 를 움직임으로써 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device is formed by arranging two substrates on which electric field generating electrodes are formed so that the surfaces on which the two electrodes are formed face each other, injecting a liquid crystal material between the two substrates, and then applying a voltage to the two electrodes. It is a device that expresses an image by the transmittance of light that changes according to the movement of liquid crystal molecules by an electric field.

액정 표시 장치는 다양한 형태로 이루어질 수 있는데, 현재 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 행렬 액정 표시 장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.Liquid crystal displays may be formed in various forms. Currently, an active matrix LCD (AM-LCD) having a thin film transistor and pixel electrodes connected to the thin film transistors arranged in a matrix manner has excellent resolution and video performance. It is most noticed.

이러한 액정 표시 장치는 하부 기판에 화소 전극이 형성되어 있고 상부 기판에 공통 전극이 형성되어 있는 구조로, 두 전극 사이에 걸리는 기판에 수직한 방향의 전기장에 의해 액정 분자를 구동하는 방식이다. 이는, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하며, 상판의 공통 전극이 접지 역할을 하게 되어 정전기로 인한 액정셀의 파괴를 방지할 수 있다.The liquid crystal display device has a structure in which a pixel electrode is formed on a lower substrate and a common electrode is formed on an upper substrate, and the liquid crystal molecules are driven by an electric field in a direction perpendicular to the substrate between the two electrodes. This is excellent in characteristics such as transmittance and aperture ratio, and the common electrode of the upper plate serves as a ground, thereby preventing the destruction of the liquid crystal cell due to static electricity.

그러나, 이와 같은 액정 표시 장치는 시야각 특성이 우수하지 못한 단점을 갖고 있다. 따라서, 이러한 단점을 극복하기 위해 여러 가지 방법이 제시되었는데, 그 중의 한 예가 수평 전계 구동 방식 즉, IPS(in-plane switching) 모드의 액정 표시 장치이다.However, such a liquid crystal display has a disadvantage that the viewing angle characteristics are not excellent. Accordingly, various methods have been proposed to overcome these disadvantages, and one example thereof is a horizontal electric field driving method, that is, a liquid crystal display device in an in-plane switching (IPS) mode.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 일반적인 IPS 모드 액정 표시 장치에 대하여 설명한다. Hereinafter, a general IPS mode liquid crystal display will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 IPS 모드 액정 표시 장치의 회로도이다. 도시한 바와 같이, 게이트 배선(1)과 데이터 배선(2)이 교차하며, 게이트 배선(1)과 데이터 배선(2)의 교차 지점에는 박막 트랜지스터(T)가 형성되어 게이트 배선(1) 및 데이터 배선(2) 과 연결되어 있다. 이어, 액정 커패시터(CLC)가 박막 트랜지스터(T)와 연결되어 있는데, 이웃하는 액정 커패시터(CLC)의 일 전극에는 동일한 전압(Vcom)이 인가된다. 또한, 스토리지 커패시터(CST)가 각 액정 커패시터(CLC)와 연결되어 있다. 1 is a circuit diagram of a general IPS mode liquid crystal display device. As shown in the drawing, the gate wiring 1 and the data wiring 2 cross each other, and the thin film transistor T is formed at the intersection of the gate wiring 1 and the data wiring 2 to form the gate wiring 1 and the data. It is connected to the wiring 2. Subsequently, the liquid crystal capacitor C LC is connected to the thin film transistor T, and the same voltage Vcom is applied to one electrode of the neighboring liquid crystal capacitor C LC . In addition, the storage capacitor C ST is connected to each liquid crystal capacitor C LC .

이러한 IPS 모드 액정 표시 장치용 어레이 기판의 평면도를 도 2에 도시하였다. 도시한 바와 같이, 가로 방향의 게이트 배선(21)과 세로 방향의 데이터 배선(31)이 직교하여 화소 영역을 정의하고, 게이트 배선(21)과 데이터 배선(31)이 교차하는 위치에는 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다. 박막트랜지스터(T)는 게이트 배선(21)과 연결되어 있는 게이트 전극(22), 데이터 배선(31)과 연결되어 있는 소스 전극(32), 그리고 게이트 전극(22)을 중심으로 소스 전극(32)과 마주 대하고 있는 드레인 전극(33)으로 이루어진다. 박막 트랜지스터(T)는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(active layer)(41)을 더 포함한다.2 is a plan view of the array substrate for the IPS mode liquid crystal display device. As shown in the drawing, a pixel region is defined by the orthogonal crosswise of the gate wiring 21 in the horizontal direction and the data wiring 31 in the vertical direction, and the thin film transistor is positioned at the intersection of the gate wiring 21 and the data wiring 31. T) is formed. The thin film transistor T includes a gate electrode 22 connected to the gate line 21, a source electrode 32 connected to the data line 31, and a source electrode 32 around the gate electrode 22. It consists of the drain electrode 33 which faces the surface. The thin film transistor T further includes an active layer 41 made of amorphous silicon.

다음, 공통 배선(51)이 게이트 배선(21)과 나란한 방향으로 형성되어 있고, 화소 영역에는 세로 방향을 가지며 공통 배선(51)과 연결되어 있는 제 1 및 제 2 공통 전극(52, 53)이 형성되어 있다. Next, the common wiring 51 is formed in a direction parallel to the gate wiring 21, and the first and second common electrodes 52 and 53 which have a vertical direction and are connected to the common wiring 51 are formed in the pixel area. Formed.

또한, 화소 영역에는 세로 방향을 가지며 공통 전극(52, 53)과 일정 간격 이격되어 엇갈리게 배치되어 있는 화소 전극(62)이 형성되어 있는데, 화소 전극(62)은 드레인 전극(33)과 연결되어 있다.In addition, a pixel electrode 62 having a vertical direction and being alternately spaced apart from the common electrodes 52 and 53 by a predetermined interval is formed, and the pixel electrode 62 is connected to the drain electrode 33. .

이러한 IPS 모드 액정 표시 장치용 어레이 기판의 단면을 도 3에 도시하였는데, 도 3은 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 자른 단면에 해당한다. A cross section of the array substrate for an IPS mode liquid crystal display is illustrated in FIG. 3, which corresponds to a cross section taken along line III-III of FIG. 2.                         

도시한 바와 같이, 기판(10) 위에 공통 전극(52, 53)이 형성되어 있고, 그위에 절연막(30)이 형성되어 있다. 이어, 절연막(30) 상부에 데이터 배선(31)과 화소 전극(62)이 형성되어 있는데, 화소 전극(62)은 공통 전극(52, 53)과 엇갈리게 배치되어 있다. 여기서, 공통 전극(52, 53)은 게이트 배선(도시하지 않음)에 나란한 공통 배선(도시하지 않음)에 의해 좌우로 이웃하는 화소의 공통 전극(52, 53)과 연결되어 동일한 전압(Vcom)을 인가받는다.As shown, the common electrodes 52 and 53 are formed on the board | substrate 10, and the insulating film 30 is formed on it. Subsequently, a data line 31 and a pixel electrode 62 are formed on the insulating film 30, but the pixel electrodes 62 are alternately arranged with the common electrodes 52 and 53. Here, the common electrodes 52 and 53 are connected to the common electrodes 52 and 53 of pixels that are adjacent to the left and right by a common wiring (not shown) parallel to the gate wiring (not shown) to form the same voltage Vcom. Licensed.

따라서, 전압이 인가될 경우 화소 전극(62)과 공통 전극(52, 53) 사이에 전계가 형성되는데, 이러한 IPS 모드 액정 표시 장치에서는 화소 전극(62)과 공통 전극(52, 53)이 하나의 기판에 형성되어 있으므로, 기판에 수평한 전계가 생성된다.Accordingly, when a voltage is applied, an electric field is formed between the pixel electrode 62 and the common electrodes 52 and 53. In the IPS mode liquid crystal display, the pixel electrode 62 and the common electrodes 52 and 53 have a single electric field. Since it is formed in the substrate, an electric field horizontal to the substrate is generated.

그런데, 화소 전극과 공통 전극은 금속과 같은 물질로 이루어지므로, IPS 모드 액정 표시 장치는 개구율이 낮은 문제가 있다. However, since the pixel electrode and the common electrode are made of a material such as metal, the IPS mode liquid crystal display has a low aperture ratio.

따라서, 최근 고개구율을 가지는 IPS 모드 액정 표시 장치가 제안되었는데, 이러한 고개구율을 가지는 종래의 IPS 모드 액정 표시 장치용 어레이 기판의 단면을 도 4에 도시하였다. 도시한 바와 같이, 기판(70) 위에 공통 전극(72)이 형성되어 있고, 그 위에 절연막(74)이 형성되어 있다. 절연막(74) 상부에는 데이터 배선(76)과 화소 전극(78)이 형성되어 있는데, 데이터 배선(76)은 공통 전극(72)과 중첩되어 있으며, 화소 전극(78)은 공통 전극(72)과 엇갈리게, 즉 공통 전극(72) 사이에 위치한다. 여기서, 공통 전극(72)은 이웃하는 화소의 공통 전극(72)과 연결되어 같은 전압(Vcom)이 인가된다. 이와 같이, 공통 전극(72)과 데이터 배선(76)이 중첩되어 있어 공통 전극(72)에 의해 빛이 차단되는 영역이 적어지므로, 액정 표시 장치의 개구율을 향상시킬 수 있다.Therefore, recently, an IPS mode liquid crystal display device having a high opening ratio has been proposed, and a cross section of a conventional array substrate for an IPS mode liquid crystal display apparatus having such a high opening ratio is shown in FIG. 4. As shown, the common electrode 72 is formed on the substrate 70, and the insulating film 74 is formed thereon. The data line 76 and the pixel electrode 78 are formed on the insulating layer 74. The data line 76 overlaps the common electrode 72, and the pixel electrode 78 is formed on the common electrode 72. Staggered, ie, located between the common electrodes 72. Here, the common electrode 72 is connected to the common electrode 72 of the neighboring pixel to apply the same voltage Vcom. As described above, since the common electrode 72 and the data line 76 overlap each other, the area where light is blocked by the common electrode 72 is reduced, so that the aperture ratio of the liquid crystal display device can be improved.

한편, 도 5에는 고개구율을 가지는 IPS 모드 액정 표시 장치의 회로도를 도시하였다. 도시한 바와 같이, 이러한 고개구율을 가지는 IPS 모드 액정 표시 장치에서는 액정 커패시터(CLC)와 스토리지 커패시터(CST)의 일끝이 공통 전극을 통해 인가되는 공통 전압(Vcom)과 연결된다.5 is a circuit diagram of an IPS mode liquid crystal display having a high opening ratio. As illustrated, in the IPS mode liquid crystal display having such a high opening ratio, one end of the liquid crystal capacitor C LC and the storage capacitor C ST is connected to the common voltage Vcom applied through the common electrode.

이러한 IPS 모드 액정 표시 장치용 어레이 기판을 도 6에 개략적으로 도시하였는데, 도시한 바와 같이, 기판(80)은 화상이 표현되는 표시 영역(A)을 가진다. 기판(80) 위의 표시 영역(A)에는 다수의 공통 배선(82)이 가로 방향으로 연장되어 있다. 또한, 도시하지 않았지만, 표시 영역(A)에는 가로 방향을 가지는 다수의 게이트 배선과 세로 방향을 가지는 다수의 데이터 배선, 그리고 게이터 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 있다. 표시 영역(A)의 바깥쪽에는 각각 게이트 배선과 데이터 배선에 신호를 인가하기 위한 게이트 구동회로(84)와 데이터 구동회로(86)가 형성되어 있다. 한편, 다수의 공통 배선(82)은 모두 연결되어 게이트 구동회로(84)로부터 동일한 신호를 인가받는다.An array substrate for an IPS mode liquid crystal display device is schematically illustrated in FIG. 6, but as shown, the substrate 80 has a display area A in which an image is represented. In the display area A on the substrate 80, a plurality of common wires 82 extend in the horizontal direction. Although not shown, the display area A includes a plurality of gate wirings having a horizontal direction, a plurality of data wirings having a vertical direction, and a thin film transistor and a pixel electrode connected to the gate lines and the data wirings. Outside the display area A, a gate driving circuit 84 and a data driving circuit 86 for applying signals to the gate wiring and the data wiring are formed, respectively. On the other hand, the plurality of common wires 82 are all connected to receive the same signal from the gate driving circuit 84.

일반적으로, 패널의 크기가 약 30 인치(inch) 이하인 소형이나 중형 액정 표시 장치일 경우, 패널 노광기의 유효처리 면적 이내이므로 일괄노광으로 형성이 가능하다.In general, in the case of a small sized or medium sized liquid crystal display device having a panel size of about 30 inches or less, since the panel exposure machine is within the effective processing area, it is possible to form a batch exposure.

그러나, 도 7에 도시한 바와 같이 패널의 크기가 약 30 인치 이상인 대형 액정 표시 장치일 경우에는, 패널의 크기가 노광기의 유효처리 면적보다 크기 때문에 분할 노광을 해야 한다. 도 7에서, 제 1 내지 제 3 표시 영역(B, C, D)은 각각의 노광으로 형성되는 영역을 도시한다. 이때, 노광 샷(shot) 간의 편차에 의해 스티칭(stitching)이 발생하고, 이로 인해 각 영역(B, C, D)에서 공통 배선(92) 신호 값이 달라진다. 따라서, 각 영역(B, C, D)에서 화질의 차이가 발생한다.
However, in the case of a large liquid crystal display device having a panel size of about 30 inches or more as shown in Fig. 7, the size of the panel is larger than the effective treatment area of the exposure machine, so that the divided exposure should be performed. In FIG. 7, the first to third display regions B, C, and D show regions formed by respective exposures. At this time, the stitching occurs due to the deviation between the exposure shots, and thus the common wiring 92 signal value varies in each of the regions B, C, and D. FIG. Therefore, a difference in image quality occurs in each of the regions B, C, and D.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 시야각이 넓으며 화질이 균일한 IPS 모드 액정 표시 장치용 어레이 기판을 제공하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide an array substrate for an IPS mode liquid crystal display device having a wide viewing angle and uniform image quality.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판은 적어도 두 영역을 포함하는 기판과, 상기 기판 상부에 형성되고 제 1 방향을 가지는 다수의 게이트 배선, 제 2 방향을 가지고 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 다수의 데이터 배선, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 데이터 배선과 나란한 방향을 가지고 상기 제 2 방향으로 인접한 화소와 연결되어 있으며, 제 1 및 제 2 영역에 각각 형성되어 있는 다수의 제 1 및 제 2 공통 배선, 그리고 상기 제 2 방향을 가지고 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있으며, 상기 제 1 및 제 2 공통 배선과 일정간격 이격되어 있는 화소 전극을 포함하는데, 상기 제 1 영역의 제 1 공통 배선에는 제 1 신호가 인가되고, 상기 제 2 영역의 제 2 공통 배선에는 상기 제 1 신호와 다른 제 2 신호가 인가되며, 상기 제 1 및 제 2 공통 배선은 상기 데이터 배선과 중첩하는 것이 특징이다. In order to achieve the above object, an array substrate for a horizontal field drive liquid crystal display device according to the present invention includes a substrate including at least two regions, a plurality of gate wirings formed on the substrate and having a first direction, and a second substrate. A plurality of data lines defining a pixel area intersecting the gate line with a direction, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, and connected to a pixel adjacent in the second direction with a direction parallel to the data line; And a plurality of first and second common wires formed in the first and second regions, respectively, and connected to the thin film transistor in the second direction, and spaced apart from the first and second common wires by a predetermined distance. And a pixel electrode, wherein a first signal is applied to the first common wiring of the first region, A second signal different from the first signal is applied to the second common wiring of the second region, and the first and second common wiring overlap the data wiring.

여기서, 기판은 30 인치 이상의 크기를 가지며, 제 1 및 제 2 영역은 분할 노광에 의해 형성될 수 있다.Here, the substrate has a size of 30 inches or more, and the first and second regions may be formed by split exposure.

한편, 서로 인접하는 제 1 및 제 2 영역의 제 1 및 제 2 공통 배선은 하나의 데이터 배선과 중첩하는 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable that the first and second common wirings of the first and second regions adjacent to each other overlap one data wiring.

본 발명에서, 제 1 및 제 2 공통 배선은 게이트 배선과 같은 물질로 이루어지며, 화소 전극은 데이터 배선과 같은 물질로 이루어질 수 있다.In the present invention, the first and second common wirings may be made of the same material as the gate wiring, and the pixel electrode may be made of the same material as the data wiring.

한편, 본 발명에 따른 어레이 기판은 제 2 방향을 가지고 화소 전극과 데이터 배선 사이에 위치하며, 제 1 및 제 2 공통 배선과 각각 연결되는 제 1 및 제 2 공통 전극을 더 포함할 수도 있다.Meanwhile, the array substrate according to the present invention may further include first and second common electrodes positioned in the second direction between the pixel electrode and the data line and connected to the first and second common lines, respectively.

이와 같이, 본 발명에 따른 수평전계 구동방식 액정 표시 장치의 어레이 기판에서는 대화면의 패널을 분할 노광에 의해 제조할 때, 공통 배선을 데이터 배선과 나란하게 형성하고, 공통 배선의 신호를 분할 노광에 의해 형성되는 각 영역에서 다르게 인가한다. 따라서, 분할 노광된 영역에서의 신호를 개별적으로 제어함으로써, 균일한 화질을 표시할 수 있다. 또한, 공통 배선을 데이터 배선과 중첩하도록 할 경우, 개구율을 높일 수 있다.As described above, in the array substrate of the horizontal electric field drive type liquid crystal display device according to the present invention, when the large screen panel is manufactured by the divided exposure, the common wiring is formed in parallel with the data wiring, and the signal of the common wiring is divided by the exposure. Apply differently in each area to be formed. Therefore, by controlling the signals in the divided-exposed areas individually, it is possible to display uniform image quality. In addition, when the common wiring overlaps with the data wiring, the aperture ratio can be increased.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 IPS 모드 액정 표시 장치용 어레이 기판을 개략적으로 도시한 도면으로서, 본 발명에 따른 IPS 모드 액정 표시 장치는 약 30 인치 이상의 대화면을 가진다. 도시한 바와 같이, 기판(110)은 화상이 표현되는 제 1 내지 제 3 표시 영역(E, F, G)을 포함한다. 제 1 내지 제 3 표시 영역(E, F, G)은 각각의 분할 노광에 의해 형성되는 영역으로, 제 1 내지 제 3 표시 영역(E, F, G)에는 각각 다수의 제 1 내지 제 3 공통 배선(112a, 112b, 112c)이 세로 방향으로 연장되어 있다. 또한, 도시하지 않았지만, 제 1 내지 제 3 표시 영역(E, F, G)에는 가로 방향을 가지는 다수의 게이트 배선과 세로 방향을 가지는 다수의 데이터 배선, 그리고 게이터 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 있다. 다음, 표시 영역(E, F, G)의 바깥쪽에는 각각 게이트 배선과 데이터 배선에 신호를 인가하기 위한 게이트 구동회로(114)와 데이터 구동회로(116)가 형성되어 있다. FIG. 8 schematically illustrates an array substrate for an IPS mode liquid crystal display according to an embodiment of the present invention, wherein the IPS mode liquid crystal display according to the present invention has a large screen of about 30 inches or more. As shown, the substrate 110 includes first to third display regions E, F, and G in which an image is represented. The first to third display areas E, F, and G are areas formed by respective divided exposures, and the first to third display areas E, F, and G each have a plurality of first to third common areas. The wirings 112a, 112b, 112c extend in the vertical direction. Although not shown, the first to third display regions E, F, and G have a plurality of gate wires having a horizontal direction, a plurality of data wires having a vertical direction, and a thin film connected to the gator wires and the data wires. Transistors and pixel electrodes are formed. Next, a gate driving circuit 114 and a data driving circuit 116 are provided outside the display areas E, F, and G for applying signals to the gate wiring and the data wiring, respectively.

여기서, 제 1 내지 제 3 공통 배선(112a, 112b, 112c)은 데이터 구동회로(116)와 마주보는 쪽에서 각각 연결되어 게이트 구동회로(114)로부터 신호를 인가받는다. 즉, 제 1 영역(E)의 제 1 공통 배선(112a)은 제 1 신호(Vcom1)를 인가받고, 제 2 영역(F)의 제 2 공통 배선(112b)은 제 2 신호(Vcom2)를 인가받으며, 제 3 영역(C)의 제 3 공통 배선(112c)은 제 3 신호(Vcom3)를 인가받는다.Here, the first to third common wires 112a, 112b, and 112c are connected to the data driver circuit 116 on the side facing each other, and receive a signal from the gate driver circuit 114. That is, the first common line 112a of the first region E receives the first signal Vcom1, and the second common line 112b of the second region F applies the second signal Vcom2. The third common line 112c of the third region C receives the third signal Vcom3.

이러한 구조를 가지는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 IPS 모드 액정 표시 장치용 어레이 기판을 도 9에 도시하였는데, 도 9는 도 8의 제 1 영역(E)과 제 2 영역(F)의 화소에 대한 평면도이다.An array substrate for an IPS mode liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention having such a structure is shown in FIG. 9, which is disposed in the pixels of the first region E and the second region F of FIG. 8. For the top view.

도시한 바와 같이, 가로 방향의 게이트 배선(121)과 세로 방향의 데이터 배 선(131)이 직교하여 화소 영역을 정의하고, 게이트 배선(121)과 데이터 배선(131)이 교차하는 위치에는 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다. 박막트랜지스터(T)는 게이트 배선(121)과 연결되어 있는 게이트 전극(122), 데이터 배선(131)과 연결되어 있는 소스 전극(132), 그리고 게이트 전극(122)을 중심으로 소스 전극(132)과 마주 대하고 있는 드레인 전극(134)으로 이루어진다. 한편, 박막 트랜지스터(T)는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(141)을 더 포함한다.As shown in the drawing, the horizontal gate line 121 and the vertical data line 131 are orthogonal to each other to define a pixel area, and the thin film transistor is positioned at the intersection of the gate line 121 and the data line 131. (T) is formed. The thin film transistor T includes a gate electrode 122 connected to the gate line 121, a source electrode 132 connected to the data line 131, and a source electrode 132 around the gate electrode 122. It consists of a drain electrode 134 facing the surface. Meanwhile, the thin film transistor T further includes an active layer 141 made of amorphous silicon.

다음, 화소 영역에는 공통 배선(151a, 151b)과 공통 전극(152a, 152b)이 데이터 배선(131)과 나란한 방향으로 형성되어 있는데, 공통 전극(152a, 152b)은 공통 배선(151a, 151b)과 각각 연결되어 있으며, 공통 배선(151a, 151b)은 상하로 인접한 화소에서 서로 연결되어 있다. 또한, 화소 영역에는 세로 방향을 가지며 공통 배선(151a, 151b) 및 공통 전극(152a, 152b)과 일정 간격 이격되어 엇갈리게 배치되어 있는 화소 전극(162)이 형성되어 있는데, 화소 전극(162)은 드레인 전극(134)과 연결되어 있다.Next, the common wirings 151a and 151b and the common electrodes 152a and 152b are formed in a direction parallel to the data wirings 131 in the pixel area, and the common electrodes 152a and 152b are connected to the common wirings 151a and 151b. The common wires 151a and 151b are connected to each other in vertically adjacent pixels. In addition, pixel electrodes 162 having a vertical direction and staggered with the common wirings 151a and 151b and the common electrodes 152a and 152b are spaced apart from each other, and the pixel electrodes 162 are drained. It is connected to the electrode 134.

이와 같이, 공통 배선(151a)은 제 1 및 제 2 영역(E, F)에서 각각 세로 방향으로 형성되어 있는데, 제 1 영역(E)의 공통 배선(151a)과 제 2 영역(F)의 공통 배선(151b)에는 서로 다른 신호가 인가된다.As described above, the common wiring 151a is formed in the vertical direction in the first and second regions E and F, respectively, but the common wiring 151a and the second region F of the first region E are common. Different signals are applied to the wiring 151b.

이에 대하여 도 10을 참조하여 상세히 설명한다. 도 10은 도 9에서 Ⅹ-Ⅹ선을 따라 자른 단면도이다.This will be described in detail with reference to FIG. 10. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG. 9.

도시한 바와 같이, 기판(110)은 제 1 및 제 2 영역(E, F)으로 나누어지고, 기판(110) 위에는 공통 배선(151a, 151b)과 공통 전극(152a, 152b)이 형성되어 있다. 이때, 도면에서는 생략되었지만, 일례로서 상기 공통 배선(151a, 151b)과 공통전극(152a, 152b)은 더욱 정확히는 절연층(미도시)과 접촉하며 상기 절연층(미도시) 상부에 형성되고 있으며, 상기 절연층(미도시)과 상기 기판(110) 사이에는 게이트 배선(미도시)과 게이트 전극(미도시)이 형성되고 있다. 상기 공통 배선(151a, 151b) 및 공통 전극(152a, 152b)은 게이트 배선(도시하지 않음)과 같은 물질로 형성될 수 있다. 이어, 그 위에 절연막(130)이 형성되어 있으며, 절연막(130) 상부에는 데이터 배선(131)과 화소 전극(162)이 형성되어 있다. 화소 전극(162)은 데이터 배선(131)과 같은 물질로 형성되는 것이 좋으며, 화소 전극(162)은 공통 배선(151a, 151b) 및 공통 전극(152a, 152b)과 엇갈리게 배치된다. 여기서, 제 1 영역(E)의 공통 배선(151a)과 공통 전극(152a)에는 제 1 신호(Vcom1)이 인가되고, 제 2 영역(F)의 공통 배선(151b)과 공통 전극(152b)에는 제 2 신호(Vcom2)가 인가된다.As illustrated, the substrate 110 is divided into first and second regions E and F, and common wirings 151a and 151b and common electrodes 152a and 152b are formed on the substrate 110. In this case, although omitted in the drawing, as an example, the common wires 151a and 151b and the common electrodes 152a and 152b are more precisely in contact with an insulating layer (not shown) and are formed on the insulating layer (not shown). Gate wiring (not shown) and gate electrode (not shown) are formed between the insulating layer (not shown) and the substrate 110. The common wirings 151a and 151b and the common electrodes 152a and 152b may be formed of the same material as the gate wiring (not shown). Next, an insulating film 130 is formed thereon, and a data line 131 and a pixel electrode 162 are formed on the insulating film 130. The pixel electrode 162 may be formed of the same material as the data line 131, and the pixel electrode 162 may be alternately disposed with the common lines 151a and 151b and the common electrodes 152a and 152b. Here, the first signal Vcom1 is applied to the common wiring 151a and the common electrode 152a of the first region E, and to the common wiring 151b and the common electrode 152b of the second region F. The second signal Vcom2 is applied.

이와 같이, 본 발명에서는 대화면의 패널을 분할 노광에 의해 제조할 때, 공통 배선을 데이터 배선과 나란하게 형성하고, 공통 배선의 신호를 분할 노광에 의해 형성되는 각 영역에서 다르게 인가함으로써, 신호를 개별적으로 제어한다. 따라서, 대화면에서 균일한 화질을 표시할 수 있다.As described above, in the present invention, when the large screen panel is manufactured by the divisional exposure, the common wiring is formed in parallel with the data wiring, and the signal of the common wiring is applied differently in each area formed by the divisional exposure, so that the signals are individually To control. Therefore, a uniform picture quality can be displayed on the large screen.

한편, 앞서 언급한 바와 같이 IPS 모드 액정 표시 장치는 개구율이 낮은데, 개구율을 높이기 위해 공통 배선을 데이터 배선과 중첩하도록 할 수 있다.On the other hand, as described above, the IPS mode liquid crystal display device has a low aperture ratio, and in order to increase the aperture ratio, the common wiring may overlap the data wiring.

이러한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 IPS 모드 액정 표시 장치용 어레이 기판의 평면도를 도 11에 도시하였는데, 도 11은 도 8의 제 1 영역(E)과 제 2 영역(F)의 화소에 대응한다.11 is a plan view of an array substrate for an IPS mode liquid crystal display device according to a second exemplary embodiment of the present invention. FIG. 11 corresponds to a pixel of the first region E and the second region F of FIG. 8. do.

도시한 바와 같이, 가로 방향의 게이트 배선(221)과 세로 방향의 데이터 배선(231)이 직교하여 화소 영역을 정의하고, 게이트 배선(221)과 데이터 배선(231)이 교차하는 위치에는 게이트 전극(222)과 소스 전극(232), 그리고 드레인 전극(234)으로 이루어진 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다. 박막트랜지스터(T)는 게이트 배선(221) 및 데이터 배선(231)과 연결되어 있으며, 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(241)을 더 포함한다.As shown in the drawing, the horizontal gate line 221 and the vertical data line 231 are orthogonal to each other to define a pixel area, and the gate electrode 221 is positioned at the intersection of the gate line 221 and the data line 231. The thin film transistor T including the 222, the source electrode 232, and the drain electrode 234 is formed. The thin film transistor T is connected to the gate line 221 and the data line 231, and further includes an active layer 241 made of amorphous silicon.

다음, 공통 배선(251a, 251b, 252a, 252b)이 데이터 배선(231)과 나란한 방향으로 형성되어 상하로 인접한 화소에서 서로 연결되어 있는데, 공통 배선(251a, 251b, 252a, 252b)은 데이터 배선(231)과 중첩한다. 이때, 제 1 및 제 2 영역(E, F)의 인접부에 위치하는 공통 배선(252a, 252b)은 분리되어 있다. 한편, 화소 영역에는 세로 방향을 가지며 공통 배선(251a, 251b, 252a, 252b) 사이에 위치하는 화소 전극(262)이 형성되어 있는데, 화소 전극(262)은 드레인 전극(234)과 연결되어 있다.Next, the common wires 251a, 251b, 252a, and 252b are formed in parallel with the data wires 231 and are connected to each other in vertically adjacent pixels. The common wires 251a, 251b, 252a, and 252b are connected to the data wires ( 231). At this time, the common wirings 252a and 252b which are positioned adjacent to the first and second regions E and F are separated. Meanwhile, a pixel electrode 262 is formed in the pixel area and positioned between the common lines 251a, 251b, 252a, and 252b, and the pixel electrode 262 is connected to the drain electrode 234.

여기서, 제 1 영역(E)의 공통 배선(251a, 252a)과 제 2 영역(F)의 공통 배선(251b, 252b)에는 서로 다른 신호가 인가된다.Here, different signals are applied to the common wirings 251a and 252a of the first region E and the common wirings 251b and 252b of the second region F. FIG.

이에 대하여 도 12를 참조하여 상세히 설명한다. 도 12는 도 11에서 ⅩⅡ-ⅩⅡ선을 따라 자른 단면도이다.This will be described in detail with reference to FIG. 12. FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 11.

도시한 바와 같이, 기판(210)은 제 1 및 제 2 영역(E, F)으로 나누어지고, 기판(210) 위에는 공통 배선(251a, 251b, 252a, 252b)이 형성되어 있다. 이때, 도면에서는 생략되었지만, 일례로서 상기 공통 배선(251a, 251b, 252a, 252b)은 더욱 정확히는 절연층(도시하지 않음)과 접촉하며 상기 절연층(도시하지 않음) 상부에 형성되고 있으며, 상기 절연층(도시하지 않음)과 상기 기판(210) 사이에는 게이트 배선(도시하지 않음)과 게이트 전극(도시하지 않음)이 형성되고 있다. 상기 공통 배선(251a, 251b, 252a, 252b)은 게이트 배선(도시하지 않음)과 같은 물질로 형성될 수 있다. 이어, 공통 배선(251a, 251b, 252a, 252b) 상부에는 절연막(230)이 형성되어 있으며, 그 위에 데이터 배선(231)과 화소 전극(262)이 형성되어 있다. 데이터 배선(231)은 공통 배선(251a, 251b, 252a, 252b)과 중첩되어 있으며, 화소 전극(262)은 사이 즉, 공통 배선(251a, 251b, 252a, 252b) 사이에 위치한다. 여기서, 화소 전극(262)이 데이터 배선(231)과 같은 물질로 형성되는 것이 좋다.As illustrated, the substrate 210 is divided into first and second regions E and F, and common wirings 251a, 251b, 252a, and 252b are formed on the substrate 210. In this case, although omitted in the drawing, as an example, the common wires 251a, 251b, 252a, and 252b are more precisely in contact with an insulating layer (not shown) and are formed on the insulating layer (not shown). A gate wiring (not shown) and a gate electrode (not shown) are formed between the layer (not shown) and the substrate 210. The common wires 251a, 251b, 252a, and 252b may be formed of a material such as a gate wire (not shown). Next, an insulating film 230 is formed on the common wirings 251a, 251b, 252a, and 252b, and a data wiring 231 and a pixel electrode 262 are formed thereon. The data line 231 overlaps the common lines 251a, 251b, 252a, and 252b, and the pixel electrode 262 is positioned between the common lines 251a, 251b, 252a, and 252b. Here, the pixel electrode 262 may be formed of the same material as the data line 231.

이때, 제 1 및 제 2 영역(E, F)의 인접부에서 공통 배선(252a, 252b)은 두 영역의 화소에 서로 다른 신호를 인가해야 하므로, 서로 분리되도록 형성되어 있다. 따라서, 제 1 영역(E)의 공통 배선(251a, 252a)에는 제 1 신호(Vcom1)이 인가되고, 제 2 영역(F)의 공통 배선(251b, 252b)에는 제 2 신호(Vcom2)이 인가된다. In this case, the common lines 252a and 252b are adjacent to the first and second regions E and F, so that different signals are applied to the pixels of the two regions, and thus are separated from each other. Therefore, the first signal Vcom1 is applied to the common wirings 251a and 252a of the first region E, and the second signal Vcom2 is applied to the common wirings 251b and 252b of the second region F. do.

이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에서는 대화면의 패널을 분할 노광에 의해 제조할 때, 공통 배선을 데이터 배선과 나란하게 형성하고, 공통 배선의 신호를 분할 노광에 의해 형성되는 각 영역에서 다르게 인가한다. 또한, 공통 배선을 데이터 배선과 중첩하도록 함으로써, 대화면에서 균일한 화질을 표시할 수 있으며, 개구율을 높일 수 있다.As described above, in the second embodiment of the present invention, when the large screen panel is manufactured by the divided exposure, the common wiring is formed in parallel with the data wiring, and the signal of the common wiring is applied differently in each region formed by the divided exposure. do. In addition, by overlapping the common wiring with the data wiring, a uniform image quality can be displayed on a large screen, and the aperture ratio can be increased.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
The present invention is not limited to the above embodiments, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

본 발명에 따른 IPS 모드 액정 표시 장치에서는 대화면의 패널을 분할 노광에 의해 제조할 때, 공통 배선을 데이터 배선과 나란하게 형성하고, 공통 배선의 신호를 분할 노광에 의해 형성되는 각 영역에서 다르게 인가한다. 따라서, 분할 노광된 영역에서의 신호를 개별적으로 제어함으로써, 균일한 화질을 표시할 수 있다. 또한, 공통 배선을 데이터 배선과 중첩하도록 할 경우, 개구율을 높일 수 있다.In the IPS mode liquid crystal display device according to the present invention, when the large screen panel is manufactured by the divided exposure, the common wiring is formed in parallel with the data wiring, and the signal of the common wiring is applied differently in each region formed by the divided exposure. . Therefore, by controlling the signals in the divided-exposed areas individually, it is possible to display uniform image quality. In addition, when the common wiring overlaps with the data wiring, the aperture ratio can be increased.

Claims (8)

제 1 방향을 가지고 기판 상에 형성된 다수의 게이트 배선;A plurality of gate wirings formed on the substrate with a first direction; 제 2 방향을 가지고 상기 게이트 배선과 교차하여 적어도 제 1 영역과 제 2 영역을 정의하는 다수의 데이터 배선;A plurality of data lines having a second direction and defining at least a first region and a second region crossing the gate lines; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 형성된 박막 트랜지스터;A thin film transistor connected to the gate line and the data line; 상기 제 2 방향을 가지고 상기 제 1 영역과 제 2 영역에 각각 형성된 제 1 및 제 2 공통 배선; 그리고First and second common wires having the second direction and formed in the first area and the second area, respectively; And 상기 박막 트랜지스터와 연결되고 상기 제 1 및 제 2 공통 배선과 일정간격을 가지고 형성된 화소 전극A pixel electrode connected to the thin film transistor and formed with a predetermined distance from the first and second common lines; 을 포함하며, 상기 제 1 영역의 제 1 공통 배선에는 제 1 신호가 인가되고, 상기 제 2 영역의 제 2 공통 배선에는 상기 제 1 신호와 다른 제 2 신호가 인가되며, 상기 제 1 및 제 2 공통 배선은 상기 데이터 배선과 중첩하는 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.A first signal is applied to the first common wiring of the first region, a second signal different from the first signal is applied to the second common wiring of the second region, and the first and second And a common wiring overlapping with the data wiring. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 기판은 30 인치 이상의 크기를 가지는 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.And the substrate has a size of 30 inches or more. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 및 제 2 영역은 분할 노광에 의해 형성되는 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.And the first and second regions are formed by split exposure. 삭제delete 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 서로 인접하는 상기 제 1 및 제 2 영역의 제 1 및 제 2 공통 배선은 하나의 상기 데이터 배선과 중첩하는 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.An array substrate for a horizontal electric field drive type liquid crystal display device, wherein the first and second common wirings of the first and second regions adjacent to each other overlap one data wiring. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 및 제 2 공통 배선은 상기 게이트 배선과 같은 물질로 이루어지는 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.And the first and second common wirings are made of the same material as the gate wirings. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 화소 전극은 상기 데이터 배선과 같은 물질로 이루어지는 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.And the pixel electrode is formed of the same material as the data line. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 방향을 가지고 상기 화소 전극과 상기 데이터 배선 사이에 위치하며, 상기 제 1 및 제 2 공통 배선과 각각 연결되는 제 1 및 제 2 공통 전극을 더 포함하는 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.And a first common electrode and a second common electrode disposed between the pixel electrode and the data line in the second direction and connected to the first and second common lines, respectively. Board.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990016177A (en) * 1997-08-13 1999-03-05 윤종용 Planar drive type liquid crystal display device having common electrode line and manufacturing method thereof
JP2001356356A (en) * 2000-06-13 2001-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Active matrix type ips(in-plane switching) liquid crystal display device, method for driving the same and information equipment

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