KR100887529B1 - A surface treatment apparatus and process for stamp - Google Patents

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Abstract

An apparatus for treating stamp surface and a method thereof are provided to uniformly treat a stamp surface of a large area used for large size substrate manufacture by including a heating part capable of hardening a chemical liquid. A jig(5) is installed in a chamber(10), and arranges one or more stamp(1) inside the chamber. A chemical liquid supply part(20) is installed in one side of the chamber, and supplies a chemical liquid to an inner part of the chamber. A heating part(40) is installed in one side of the chamber. The chemical liquid absorbed on a stamp surface by the heating part is hardened. The jig is composed of a plurality of supporting poles, and forms a plurality of load parts in which the stamp is loaded. A plurality of supporting poles is separated with a constant interval, and circulates the chemical liquid.

Description

스탬프 표면처리 장치 및 방법{A surface treatment apparatus and process for stamp}A surface treatment apparatus and process for stamp

본 발명은 기판 제조를 위한 평판 인쇄공정에 사용되는 스탬프(Stamp) 표면처리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 평판 인쇄공정에 사용되는 임프린트(Imprint) 방식의 스탬프의 패턴을 표면처리할 수 있도록 지그가 내설된 챔버와 약액공급부 및 약액을 경화시키는 가열부를 구비하여 대면적의 다수개의 스탬프 표면을 균일하게 약액 처리할 수 있게 함으로써, 스탬프의 패턴이 기판에 전사된 후, 스탬프가 기판으로부터 용이하게 분리되도록 하여 스탬프 표면의 패턴 및 기판에 전사된 패턴이 손상되는 것을 방지하고 또한 스탬프의 수명을 획기적으로 연장시킬 수 있는 스탬프 표면처리 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a stamp surface treatment apparatus and method used in a flat plate printing process for manufacturing a substrate, wherein a jig is installed to surface-treat a pattern of an imprint type stamp used in a flat plate printing process. It is equipped with a chamber and a chemical liquid supply portion and a heating portion for curing the chemical liquid to uniformly treat the large surface area of a large number of stamp surfaces, so that the stamp can be easily separated from the substrate after the pattern of the stamp is transferred to the substrate. The present invention relates to a stamp surface treatment apparatus and method capable of preventing damage to the pattern on the stamp surface and the pattern transferred to the substrate and to significantly extend the life of the stamp.

일반적으로 평판 디스플레이(FPD:Flat Panel Display) 장치인 플라즈마 표시소자(PDP:Plasma Display Panel)나 액정표시장치(LCD:Liquid Crystal Display) 등에 사용되는 기판(Glass)은 평판 인쇄공정(In-plane printing), 식각(Etching), 박리(Stripping), 세정(Cleaning), 열처리(Thermal Treatment), 건조(Dry) 등과 같은 여러 처리 공정을 통해 제조되게 된다.In general, a substrate used for a plasma display panel (PDP) or a liquid crystal display (LCD), which is a flat panel display (FPD) device, is used in an in-plane printing process. ), It is manufactured through various treatment processes such as etching, stripping, cleaning, thermal treatment, and drying.

상기와 같은 여러 공정 중 평판 인쇄공정(In-plane printing)은 복잡한 포토리소그래피(Photo Lithography) 공정 없이 기판상에 전사시키고자 하는 미세 패턴을 스탬프로 제작한 후, 스탬프로 기판을 가압하여 기판상에 패턴을 전사시키는 공정이다.Among the above processes, in-plane printing is a micro pattern to be transferred onto a substrate without a complicated photo lithography process, and then a stamp is pressed on the substrate. It is a process of transferring a pattern.

따라서 스탬프는 평판 인쇄공정(In-plane printing)에서 임프린트(Imprint) 방식으로 식각 및 비식각 영역을 간단하게 구분시킬 수 있을 뿐 아니라, 대면적의 기판상에 반복적으로 미세 패턴을 전사시킬 수 있는 중요한 요소 중의 하나이다.Therefore, the stamp can not only easily distinguish between the etched and non-etched areas by imprint method in the in-plane printing, but also important to repeatedly transfer the fine pattern on the large-area substrate. One of the elements.

스탬프는 미세 패턴을 형성하는 고분자층이 GLASS(Back-Plane) 표면에 부착되어 있는 구조로서, 기판상에 도포된 열가소성 폴리머(Polymer) 등과 같은 레진(Resin)에 패턴이 각인될 수 있도록 가압시킨 후, 기판상에 자외선(UV:Ultra Violet)을 조사시켜 레진을 경화시킴으로써 기판상에 패턴이 형성되도록 하는 것이다.The stamp is a structure in which the polymer layer forming the fine pattern is attached to the surface of the GLASS (Back-Plane), and the stamp is pressed to the resin such as thermoplastic polymer applied on the substrate so that the pattern can be imprinted. In addition, ultraviolet rays (UV: Ultra Violet) are irradiated onto the substrate to cure the resin so that a pattern is formed on the substrate.

그러나 이러한 종래의 스탬프는 기판상에 패턴이 전사된 후 경화된 레진으로부터 분리될 때 스탬프의 고분자층과 레진사이에 화학적 인력이 발생하게 됨으로써, 스탬프에 형성된 패턴이나 기판상에 전사된 패턴이 손상되는 문제점이 있었고, 또한 스탬프의 사용횟수가 증가함에 따라 기판상에 형성되는 패턴의 균일도 등이 현저히 저하되는 문제점이 있었다. However, such a conventional stamp causes chemical attraction between the polymer layer of the stamp and the resin when the pattern is transferred onto the substrate and then separated from the cured resin, thereby damaging the pattern formed on the stamp or the pattern transferred onto the substrate. There was a problem, and as the number of times of use of the stamp increased, there was a problem that the uniformity of the pattern formed on the substrate and the like significantly decreased.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 평판 인쇄공정에 사용되는 임프린트(Imprint) 방식의 스탬프의 패턴을 표면처리할 수 있도록 챔버와 약액을 공급하는 약액공급부 및 약액을 열경화시키는 가열부를 구비함으로써, 플라즈마 표시소자(PDP:Plasma Display Panel)나 액정표시장치(LCD:Liquid Crystal Display) 등의 대형 기판 제조에 사용되는 대면적의 스탬프 표면을 균일하게 약액 처리할 수 있게 하고자 하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a chemical solution supply unit for supplying the chamber and the chemical solution to the surface treatment of the pattern of the imprint stamp used in the flat printing process and By providing a heating unit for thermosetting the chemical liquid, it is possible to uniformly treat the large surface of the stamp surface used for manufacturing a large substrate such as a plasma display panel (PDP) or a liquid crystal display (LCD). It is intended to be.

본 발명의 다른 목적은 챔버 내에 공급되는 이형제인 약액이 대면적의 다수개의 스탬프 표면 전체에 동시에 흡착될 수 있게 하여 스탬프를 효과적으로 표면처리 할 수 있는 스탬프 표면처리 장치 및 방법을 제공하고자 하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a stamp surface treatment apparatus and method which can effectively surface a stamp by allowing a chemical solution, which is a release agent supplied in a chamber, to be simultaneously adsorbed onto the entire surface of a plurality of stamps.

본 발명은 적어도 하나 이상의 스탬프가 배치될 수 있게 지그가 내설되는 챔버와 상기 챔버 내부에 약액이 공급될 수 있도록 상기 챔버 일측부에 설치되는 약액공급부 및 상기 스탬프 표면에 흡착되는 약액이 열경화 될 수 있게 상기 챔버 일측에 설치되는 가열부를 포함하여 구성된다.According to the present invention, at least one stamp may be disposed in a chamber in which a jig is installed, and a chemical liquid supply unit installed at one side of the chamber so that the chemical liquid may be supplied into the chamber and the chemical liquid adsorbed on the stamp surface may be thermally cured. It is configured to include a heating unit installed on one side of the chamber.

또한 본 발명의 상기 지그는 상기 스탬프가 각각 적재될 수 있는 다수개의 적재칸이 적층 형성되도록 하되, 상기 약액이 용이하게 순환될 수 있도록 일정 간격으로 이격되어 배열 설치되는 다수개의 지지대로 구성될 수 있다.In addition, the jig of the present invention is to be formed of a plurality of stacking compartments each stack the stamp can be stacked, it may be composed of a plurality of supports are arranged spaced apart at regular intervals so that the chemical liquid can be easily circulated. .

한편 본 발명의 상기 약액공급부는 상기 챔버의 일측벽에 관통 설치되어 챔버 내측으로 약액을 공급하는 약액공급관과 상기 약액공급관에 설치되는 펌프 및 상기 약액공급관을 통해 배출되는 약액이 저장될 수 있게 상기 챔버 내측에 설치되는 약액저장용기로 구성된다.Meanwhile, the chemical liquid supply unit of the present invention is installed through one side wall of the chamber, and the chemical liquid supply pipe for supplying the chemical liquid into the chamber, the pump installed in the chemical liquid supply pipe, and the chemical liquid discharged through the chemical liquid supply pipe can be stored. It consists of a chemical storage container installed inside.

이때 상기 약액공급관은 약액이 다수개의 경로를 따라 분기되어 공급될 수 있도록 다수개의 분기관으로 구성될 수 있다.In this case, the chemical liquid supply pipe may be configured with a plurality of branch pipes so that the chemical liquid may be supplied branched along a plurality of paths.

또한 상기 약액은 상기 챔버 내의 약액저장용기로부터 용이하게 기화되어 확산될 수 있도록 캐리어솔벤트가 혼합되어 공급되는 불소계열의 불활성 액체로 구성될 수 있다.In addition, the chemical liquid may be composed of a fluorine-based inert liquid supplied with a carrier solvent is mixed so that it can be easily vaporized and diffused from the chemical storage container in the chamber.

또 상기 챔버 내측에는 상기 약액이 챔버 내에 강제 순환될 수 있도록 순환수단이 더 구비될 수 있다.In addition, a circulation means may be further provided inside the chamber so that the chemical liquid is forcedly circulated in the chamber.

또 상기 순환수단은 상기 챔버 내의 가스가 상기 약액공급부가 설치된 측벽으로 토출되어 순환될 수 있도록 챔버의 상측부에 설치되는 송풍팬으로 구성될 수 있다.In addition, the circulation means may be composed of a blowing fan installed in the upper portion of the chamber so that the gas in the chamber is discharged to the side wall on which the chemical liquid supply unit is circulated.

또한 본 발명의 상기 챔버 내측에는 상기 지그에 배치된 스탬프가 격리되도록 불순물유입방지부를 구비하되, 상기 불순물유입방지부는 격리구역을 형성하는 다수개의 격리판과 상기 챔버 내의 약액 성분이 통과될 수 있도록 양측 격리판에 각각 설치되는 필터로 구성된다.In addition, the chamber of the present invention is provided with an impurity inflow prevention portion to isolate the stamp disposed on the jig, the impurity inflow prevention portion is a plurality of separators forming an isolation zone and both sides so that the chemical components in the chamber can pass through It consists of a filter that is installed on each separator.

한편 본 발명의 상기 가열부는 열기가 상기 스탬프 표면으로 용이하게 강제 순환될 수 있도록 상기 송풍팬의 토출구에 인접되게 챔버 상측부에 설치되는 히터 로 구성된다.On the other hand, the heating unit of the present invention comprises a heater installed in the upper portion of the chamber adjacent to the discharge port of the blowing fan so that hot air can be easily forced to the stamp surface.

또한 상기 챔버 일측에는 진공펌프가 더 구비되어 상기 챔버내의 불순물이 최소화 되도록 할 수 있다.In addition, a vacuum pump may be further provided at one side of the chamber to minimize impurities in the chamber.

또 상기 챔버 일측에는 상기 챔버 내의 다른 반응성 가스가 반응하지 않도록 중화시킬 수 있게 불활성 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급부가 더 구비될 수 있다.In addition, one side of the chamber may be further provided with a purge gas supply unit for supplying an inert purge gas to neutralize the other reactive gas in the chamber does not react.

또 본 발명의 상기 챔버 일측에는 상기 챔버 내측의 가스가 외부로 배출될 수 있게 배기관을 구비하되, 상기 배기관에는 배기팬과 유독가스포집부재가 각각 설치될 수 있다. In addition, one side of the chamber of the present invention is provided with an exhaust pipe so that the gas inside the chamber can be discharged to the outside, the exhaust pipe and the toxic gas collecting member may be installed respectively.

또한 본 발명의 스탬프 표면처리 방법은 챔버 내의 불순물이나 다른 반응성 가스를 제거하는 Vacuum Pumping 및 Purge 가스공급 단계, 상기 챔버 내에 약액을 공급하는 약액공급 단계, 상기 공급된 약액이 기화되어 상기 챔버 내에 배치된 스탬프의 표면에 흡착되는 약액 기화 및 흡착 단계, 상기 챔버 내의 잔류가스를 배기관을 통해 외부로 배출시키는 1차 잔류가스 배기 단계, 상기 챔버 내부를 가열부로 가열하고 순환수단을 이용하여 열기를 강제 순환시키는 히팅 및 순환 단계, 상기 챔버 내의 잔류가스를 배기관을 통해 외부로 배출시키는 2차 잔류가스 배기 단계를 포함하여 구성된다.In addition, the stamp surface treatment method of the present invention is a vacuum pumping and purge gas supply step of removing impurities or other reactive gas in the chamber, a chemical liquid supply step of supplying a chemical liquid into the chamber, the supplied chemical liquid is vaporized and disposed in the chamber Chemical liquid vaporization and adsorption step adsorbed on the surface of the stamp, the first residual gas exhaust step of discharging the residual gas in the chamber to the outside through the exhaust pipe, heating the inside of the chamber with a heating portion and forcibly circulating the heat by using a circulation means And a second residual gas exhausting step of discharging the residual gas in the chamber to the outside through an exhaust pipe.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 플라즈마 표시소자나 액정표시장치 등의 대형 기판 제조에 사용되는 대면적의 다수개의 스탬프 표면을 균일하게 약액 처리할 수 있게 함으로써, 스탬프의 패턴이 기판에 전사된 후, 스탬프가 기판으로부터 용이하게 분리되도록 하여 스탬프 표면의 패턴 및 기판에 전사된 패턴이 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention makes it possible to uniformly chemically treat a large number of large stamp surfaces used for manufacturing large substrates, such as plasma display elements or liquid crystal displays, so that the pattern of the stamp is transferred to the substrate. The stamp can be easily separated from the substrate, thereby preventing the pattern on the stamp surface and the pattern transferred to the substrate from being damaged.

또한 본 발명은 대면적의 스탬프 표면을 효율적으로 균일하게 약액 처리할 수 있게 되어 스탬프 후처리 비용을 절감할 수 있을 뿐 아니라, 스탬프의 수명을 획기적으로 연장시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention is capable of efficiently and uniformly treating the surface of the stamp with a large area, which can reduce the post-treatment cost of the stamp, and significantly extend the life of the stamp.

이하 본 발명에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 스탬프 표면처리 장치의 개략적인 단면도를 나타낸 것이고, 도 2는 지그(5)의 부분사시도를 나타낸 것이다.1 shows a schematic cross-sectional view of a stamp surface treatment apparatus of the present invention, and FIG. 2 shows a partial perspective view of the jig 5.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명은 챔버(10)와 약액공급부(20) 및 가열부(40)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the present invention includes a chamber 10, a chemical solution supply unit 20, and a heating unit 40.

챔버(10) 내부의 중앙부에는 다수개의 스탬프(1)가 배치되는 지그(5)가 구비된다.In the center of the chamber 10 is provided with a jig (5) in which a plurality of stamps (1) are arranged.

지그(5)는 도 2에 도시된 바와 같이, 다수개의 지지대(5b)가 서로 연결된 구조로서, 스탬프(1)가 적재될 수 있도록 종 방향으로 다수개의 적재칸(5a)이 적층 형성되도록 구성된다.As shown in FIG. 2, the jig 5 has a structure in which a plurality of supports 5b are connected to each other, and is configured such that a plurality of stacking compartments 5a are stacked in a longitudinal direction so that the stamp 1 may be stacked. .

이때 지그(5)는 챔버(10) 내의 반응가스가 원할하게 순환되어 스탬프(1) 표 면에 흡착될 수 있도록 적재칸(5a)의 전,후,좌,우의 각 면이 개방될 수 있도록 지지대(5b)로 골격을 형성한다.At this time, the jig 5 supports the front, rear, left and right sides of the loading compartment 5a so that the reaction gas in the chamber 10 can be circulated smoothly and adsorbed on the surface of the stamp 1. A skeleton is formed by (5b).

또한 적재칸(5a)의 하측부는 스탬프(1)의 저면을 지지할 수 있도록 지지대(5b)가 일정 간격으로 이격되게 배열 설치된다.In addition, the lower side of the loading compartment (5a) is arranged so that the support (5b) is spaced at regular intervals so as to support the bottom surface of the stamp (1).

따라서 스탬프(1)는 지그(5)에 형성되는 적재칸(5a)에 각각 안착되도록 적재시키면 된다.Therefore, what is necessary is just to load the stamp 1 so that it may be settled in the loading bin 5a formed in the jig 5, respectively.

한편 약액공급부(20)는 약액공급관(22)과 펌프(24) 및 약액저장용기(25)로 구성된다.Meanwhile, the chemical liquid supply unit 20 is composed of a chemical liquid supply pipe 22, a pump 24, and a chemical liquid storage container 25.

약액공급관(22)은 외부의 약액저장부(도시하지 않음)로부터 챔버(10) 내측으로 약액을 공급하는 관으로서, 챔버(10)의 일측벽에 관통되어 배출구(23)가 챔버(10) 내부에 위치하도록 설치된다.The chemical liquid supply pipe 22 is a tube for supplying the chemical liquid into the chamber 10 from an external chemical liquid storage unit (not shown), and penetrates through one side wall of the chamber 10 so that the discharge port 23 is inside the chamber 10. It is installed to be located at.

또한 약액공급관(22)에는 펌프(24)가 설치된다.In addition, a pump 24 is installed in the chemical liquid supply pipe 22.

펌프(24)는 탄성이 있는 튜브를 이용하여 액체를 정량적으로 공급하는 튜브펌프로서, 약액 성분에 견딜 수 있는 내화학성 성질이 강한 불소계 또는 실리콘계 등을 이용한 일반적인 튜브가 사용된 펌프를 사용할 수 있다.The pump 24 is a tube pump for quantitatively supplying a liquid using an elastic tube, and a pump in which a general tube using a fluorine-based or silicon-based compound having strong chemical resistance properties that can withstand chemical components can be used.

펌프(24)는 튜브펌프로 한정되는 것은 아니며, 유량조절밸브 등이 사용될 수도 있다.The pump 24 is not limited to a tube pump, and a flow control valve may be used.

또 약액공급관(22)은 약액(90)이 챔버(10) 내부의 여러 위치에 동시에 공급될 수 있도록 다수개의 분기관(27)이 형성될 수 있으며, 분기관(27)에는 약액(90)의 흐름을 제어할 수 있도록 개폐밸브(28)가 각각 구비될 수 있다.In addition, the chemical liquid supply pipe 22 may be formed with a plurality of branch pipes 27 so that the chemical liquid 90 can be simultaneously supplied to various positions inside the chamber 10, the branch pipe 27 of the chemical liquid 90 Opening and closing valves 28 may be provided respectively to control the flow.

분기관(27)은 챔버(10)의 일측벽에 종방향으로 일정 간격 이격되게 설치될 수 있다.Branch pipe 27 may be installed on the one side wall of the chamber 10 spaced apart at regular intervals in the longitudinal direction.

한편 약액저장용기(25)는 약액공급관(22)을 통해 공급되는 약액(90)이 저장되는 부분으로서, 챔버(10) 내측의 일측벽에 설치되며, 분기관(27)의 배출구(23)에 대응되도록 다수개가 각각 설치된다.Meanwhile, the chemical storage container 25 is a portion in which the chemical liquid 90 supplied through the chemical liquid supply pipe 22 is stored, and is installed at one side wall inside the chamber 10, and is disposed at the outlet 23 of the branch pipe 27. A plurality of each is installed so as to correspond.

한편 약액(90)은 스탬프(1)의 패턴이 기판의 표면에 전사된 후, 스탬프(1)의 패턴을 형성하는 고분자층과 기판의 표면에 도포된 열가소성 폴리머(Polymer)등의 레진(Resin)이 용이하게 분리될 수 있도록 하는 이형제로서 불소계열의 불활성 성분이 사용된다.On the other hand, the chemical liquid 90 is a resin such as a thermoplastic polymer coated on the surface of the substrate and the polymer layer forming the pattern of the stamp 1 after the pattern of the stamp 1 is transferred to the surface of the substrate. A fluorine-based inert component is used as a releasing agent so that this can be easily separated.

이때 약액저장용기(25)에 저장되는 약액(90)은 용이하게 기화될 수 있도록 캐리어솔밴트(Carrier Solvent)가 혼합되어 공급되며, 튜브펌프(24)에 의해 정량적으로 공급된다.At this time, the chemical liquid 90 stored in the chemical storage container 25 is supplied with a carrier solvent (Carrier Solvent) is mixed and supplied to be easily vaporized, it is supplied quantitatively by the tube pump (24).

약액(90)은 불활성 가스와 캐리어솔밴트의 혼합율이 1:9 정도의 비율을 유지하도록 하는 것이 바람직하나 약액 성분에 따라 변경될 수 있다.The chemical solution 90 is preferably such that the mixing ratio of the inert gas and the carrier solvent is maintained at a ratio of about 1: 9, but may be changed depending on the chemical component.

가열부(40)는 스탬프(1) 표면에 흡착된 약액(90)이 고분자층에 화학적으로 결합하여 열경화될 수 있도록 챔버(10) 내부를 가열시키는 것으로서, 챔버(10) 상측부에 설치되는 것이 바람직하다.The heating unit 40 is to heat the inside of the chamber 10 so that the chemical liquid 90 adsorbed on the surface of the stamp 1 can be chemically bonded to the polymer layer and thermally cured. It is preferable.

가열부(40)는 일반적으로 사용되는 세라믹 히터나 적외선(infrared ray)히터 또는 할로겐 히터 등이 사용될 수 있다.The heating unit 40 may be a ceramic heater, an infrared ray heater, a halogen heater, or the like that is generally used.

따라서 약액저장용기(25)에 저장되는 약액(90)은 캐리어솔밴트와 함께 기화 되어 지그(5)의 적재칸(5a)에 각각 적재된 스탬프(1)의 표면에 흡착된 후 열경화됨으로써, 스탬프(1)가 표면처리되도록 하는 것이다.Therefore, the chemical liquid 90 stored in the chemical storage container 25 is vaporized together with the carrier solvent and adsorbed onto the surface of the stamp 1 loaded in the loading compartment 5a of the jig 5, and then thermally cured. The stamp 1 is to be surface treated.

한편 챔버(10) 일측에는 챔버(10) 내의 불순물을 흡입하여 외부로 배출시키고 챔버(10) 내부가 진공으로 유지될 수 있도록 하는 진공펌프(60)가 구비될 수 있으며, 또한 퍼지가스(Purge gas)를 공급하는 퍼지가스공급부(70)가 설치될 수 있다.On the other hand, one side of the chamber 10 may be provided with a vacuum pump 60 to suck the impurities in the chamber 10 to be discharged to the outside and to maintain the inside of the chamber 10 in a vacuum, purge gas (Purge gas) Purge gas supply unit 70 for supplying) may be installed.

퍼지가스는 챔버(10) 내에 존재하는 불순물 또는 다른 반응성 가스(O₂또는 H2O 등)가 반응하지 않도록 중화시키기 위해 사용되는 불활성 기체로서, 질소(N₂) 등과 같은 기체가 사용될 수 있다.The purge gas is an inert gas used to neutralize impurities or other reactive gases (such as O 2 or H 2 O) present in the chamber 10 to not react, and a gas such as nitrogen (N 2) may be used.

따라서 챔버(10)는 내부에 공급되는 퍼지가스와 다른 불순물 등이 진공펌프(60)에 의해 외부로 배출될 뿐 아니라, 내부가 질소(N₂) 분위기로 형성됨으로써, 저진공 상태에서 불순물이나 다른 반응성 가스가 존재하지 않는 상태로 깨끗하게 유지될 수 있게 된다.Therefore, the chamber 10 is not only discharged to the outside by the vacuum pump 60 and the purge gas and other impurities supplied therein, the inside is formed in a nitrogen (N₂) atmosphere, impurities or other reactivity in a low vacuum state It can be kept clean in the absence of gas.

한편 스탬프(1)가 적재된 지그(5)는 챔버(10) 내부에 별도의 격리구역(35)을 형성하는 불순물유입방지부(38)의 내측에 설치될 수 있다.Meanwhile, the jig 5 having the stamp 1 loaded thereon may be installed inside the impurity inflow prevention part 38 forming a separate isolation area 35 in the chamber 10.

불순물유입방지부(38)는 지그(5)가 내설될 수 있는 일절 공간의 격리구역(35)이 형성되도록 챔버(10) 내부에 설치되는 다수개의 격리판(30)과 양측의 격리판(30)에 각각 설치되는 필터(36)로 구성된다.The impurity inflow prevention part 38 includes a plurality of separators 30 installed inside the chamber 10 and separators 30 on both sides so that the isolation zone 35 of the space where the jig 5 can be installed is formed. It is composed of a filter 36 which is installed at each.

필터(36)는 일반적으로 사용되는 헤파필터(High Efficiency Particulate Arrestance Filter)가 사용될 수 있다.Filter 36 may be a commonly used high efficiency filter (High Efficiency Particulate Arrestance Filter).

헤파필터(Hepa Filter)는 고성능 먼지 포집 여과기로서, 미세먼지나 이물질 등이 불순물유입방지부(38)의 격리구역(35) 내부로 침투되는 것을 방지한다.Hepa filter is a high-performance dust collection filter, and prevents fine dust or foreign matter from penetrating into the isolation zone 35 of the impurity inflow prevention unit 38.

한편 챔버(10)에는 내부의 반응가스를 일측 방향으로 순환시킬 수 있게 순환수단(50)이 더 구비될 수 있다.Meanwhile, the chamber 10 may further include a circulation means 50 to circulate the reaction gas therein in one direction.

순환수단(50)은 챔버(10) 내의 반응가스를 일측방향으로 강제로 순환시켜 반응가스가 스탬프(1) 표면에 균일하게 흡착되게 할 뿐 아니라, 가열부(40)의 열기가 챔버(10) 내측에 균일하게 확산될 수 있게 하는 것으로서, 송풍팬이 사용될 수 있다.The circulation means 50 circulates the reaction gas in the chamber 10 in one direction to force the reaction gas to be uniformly adsorbed on the surface of the stamp 1, as well as the heat of the heating part 40 to the chamber 10. As to allow uniform diffusion to the inside, a blowing fan may be used.

송풍팬은 흡입구(56)를 통해 흡입된 반응가스가 토출구(57)를 통해 약액공급부(20)가 설치된 챔버(10) 측벽으로 토출되어 강제 순환될 수 있도록 챔버(10)의 상측부에 설치된다.The blowing fan is installed on the upper side of the chamber 10 so that the reaction gas sucked through the suction port 56 is discharged through the discharge port 57 to the side wall of the chamber 10 where the chemical liquid supply unit 20 is installed and forced to circulate. .

송풍팬은 구동모터(55)와 연결되며, 흡입구(56)와 토출구(57)가 수평으로 배치되도록 하고, 가열부(40)가 토출구(57)에 인접되도록 설치되는 것이 바람직하다.Blowing fan is connected to the drive motor 55, it is preferable that the suction port 56 and the discharge port 57 is arranged horizontally, the heating unit 40 is installed so as to be adjacent to the discharge port (57).

한편 챔버(10)의 하측부에는 챔버(10) 내의 반응가스나 잔류가스를 배출시킬 수 있도록 배기팬(85)이 구비된 배기관(80)이 형성되며, 또한 배기관(80)에는 유독가스를 포집할 수 있는 유독가스포집부재(86)가 구비되는 것이 바람직하다.Meanwhile, an exhaust pipe 80 having an exhaust fan 85 is formed in the lower portion of the chamber 10 to discharge the reaction gas or residual gas in the chamber 10, and the exhaust pipe 80 collects toxic gas. It is preferable that the poisonous gas collecting member 86 is provided.

유독가스포집부재(86)는 유독가스를 흡착시킬 수 있는 흡착탑 등이 사용될 수 있다.As the toxic gas collecting member 86, an adsorption tower capable of adsorbing toxic gases may be used.

또한 챔버(10), 약액공급관(20), 가열부(40), 순환수단(50), 지그(5) 등은 반응가스에 의해 부식되지 않도록 테프론(Teflon) 코팅이 형성되는 것이 바람직하 다.In addition, the chamber 10, the chemical liquid supply pipe 20, the heating unit 40, the circulation means 50, the jig 5, etc., it is preferable that a Teflon coating is formed so as not to be corroded by the reaction gas.

따라서 약액저장용기(25)로부터 기화되어 챔버(10) 내부 전체에 확산된 약액(90)은 화살표와 같이 순환수단(50)에 의해 일측 방향으로 강제 순환되게 되고, 또한 격리판(30)에 설치된 일측의 필터(36)를 통과하여 격리구역(35)에 투입된 후 타측의 필터(36)를 통해 다시 챔버(10) 내측으로 배출되어 순환되게 됨으로써, 스탬프(1)는 불순물이 제거된 상태에서 표면처리되게 되는 것이다.Therefore, the chemical liquid 90 vaporized from the chemical storage container 25 and diffused throughout the chamber 10 is forced to circulate in one direction by the circulation means 50 as shown by the arrow, and is also installed in the separator 30. After passing through the filter 36 on one side and entering the isolation zone 35, the filter 1 is discharged into the chamber 10 again through the filter 36 on the other side, so that the stamp 1 has a surface in which impurities are removed. Will be dealt with.

이때 약액(90)은 스탬프(1)의 표면에 흡착되어 열경화됨으로써, 스탬프(1) 표면에 불활성 코팅막을 형성하게 되는 것이다.In this case, the chemical liquid 90 is adsorbed on the surface of the stamp 1 and thermoset, thereby forming an inert coating film on the surface of the stamp 1.

따라서 스탬프(1)의 패턴을 형성하는 고분자층과 기판에 도포된 레진 사이에 발생하는 화학적 인력 등이 방지될 수 있게 되는 것이다.Therefore, chemical attraction generated between the polymer layer forming the pattern of the stamp 1 and the resin applied to the substrate can be prevented.

즉 평판 제조공정에서 스탬프(1)로 기판을 가압하여 스탬프(1)의 패턴이 기판의 레진에 전사된 후, 스탬프(1)의 패턴과 기판에 전사된 패턴이 서로 용이하게 분리됨으로써, 패턴이 손상되는 것을 방지할 수 있게 되는 것이다.In other words, after the substrate is pressed with the stamp 1 in the flat plate manufacturing process, the pattern of the stamp 1 is transferred to the resin of the substrate, and then the pattern of the stamp 1 and the pattern transferred to the substrate are easily separated from each other. It will be possible to prevent damage.

이하 도 3을 참조하여 본 발명의 스탬프 표면처리 방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, the stamp surface treatment method of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3.

도 3은 본 발명의 스탬프 표면처리 방법을 나타낸 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a stamp surface treatment method of the present invention.

도시된 바와 같이, 작동과정은 Vacuum Pumping 및 Purge 가스공급 단계(S10), 약액 공급 단계(S20), 약액 기화 및 흡착 단계(S30), 1차 잔류가스 배기 단계(S40), 히팅 및 순환 단계(S50) 및 2차 잔류가스 배기 단계(S60)로 구성된다.As shown, the operation process is a vacuum pumping and purge gas supply step (S10), chemical liquid supply step (S20), chemical liquid vaporization and adsorption step (S30), the first residual gas exhaust step (S40), heating and circulation step ( S50) and the secondary residual gas exhausting step S60.

먼저 Vacuum Pumping 및 Purge 가스공급 단계(S10)는 챔버(10)에 진공펌프(60)와 퍼지가스공급부(70)가 설치된 경우에 챔버(10) 내측의 불순물이 제거되어 챔버(10) 내측이 깨끗한 환경이 유지되도록 하는 단계로서, 저진공 상태에서 진공펌프(60)의 작동과 퍼지가스 공급을 반복적으로 실시할 수 있다. First, in the vacuum pumping and purge gas supplying step (S10), when the vacuum pump 60 and the purge gas supply unit 70 are installed in the chamber 10, impurities inside the chamber 10 are removed to clean the inside of the chamber 10. As a step of maintaining the environment, the operation of the vacuum pump 60 and purge gas supply may be repeatedly performed in a low vacuum state.

약액 공급 단계(S20)는 캐리어솔밴트가 혼합된 약액(90)을 약액공급관(22)을 통해 정량적으로 약액저장용기(25)에 저장시키는 단계이다.The chemical liquid supply step (S20) is a step of storing the chemical liquid 90 mixed with the carrier solvent in the chemical liquid storage container 25 quantitatively through the chemical liquid supply pipe 22.

한편 약액 기화 및 흡착 단계(S30)는 약액저장용기(25)에 저장된 약액(90)이 기화되어 챔버(10) 내측에 확산됨으로써 스탬프(1) 표면에 흡착되는 단계이며 이때 순환수단(50)을 이용하여 반응가스가 챔버(10) 내측에 신속하고 균일하게 확산되게 할 수도 있다.Meanwhile, the chemical liquid vaporization and adsorption step (S30) is a step in which the chemical liquid 90 stored in the chemical liquid storage container 25 is vaporized and diffused inside the chamber 10 to be adsorbed onto the surface of the stamp 1, wherein the circulation means 50 is The reaction gas may be diffused quickly and uniformly inside the chamber 10.

한편 1차 잔류가스 배기 단계(S40)는 챔버(10) 내측의 잔류가스를 배기팬(85)을 이용하여 배기관(80)을 통해 외부로 배출시키는 단계이다.Meanwhile, the first residual gas exhausting step S40 is a step of discharging the residual gas inside the chamber 10 to the outside through the exhaust pipe 80 using the exhaust fan 85.

히팅 및 순환 단계(S50)는 스템프(1) 표면에 흡착된 약액(90)이 효과적으로 열경화될 수 있도록 가열부(40)와 순환수단(50)을 작동시켜 열기가 챔버(10) 내부 전체에 확산되게 함으로써 챔버(10) 내의 온도 균일도를 확보하는 단계이다.The heating and circulation step S50 operates the heating part 40 and the circulation means 50 so that the chemical liquid 90 adsorbed on the surface of the stamp 1 can be effectively thermally cured. By diffusing, the temperature uniformity in the chamber 10 is ensured.

따라서 스탬프(1) 표면에 흡착된 약액(90)은 열경화되어 안정적으로 흡착되게 되는 것이다.Therefore, the chemical liquid 90 adsorbed on the surface of the stamp 1 is thermally cured and stably adsorbed.

2차 잔류가스 배기 단계(S60)는 최종적으로 챔버(10) 내측에 존재하는 잔류가스를 배기시키는 단계로서, 퍼지가스 공급과 병행하여 수회 반복 실시될 수 있다.The secondary residual gas exhausting step S60 is a step of finally exhausting the residual gas existing inside the chamber 10, and may be repeatedly performed several times in parallel with the purge gas supply.

따라서 본 발명은 다수개의 대면적의 스탬프(1) 표면에 약액(90)을 효과적으로 균일하게 흡착시킬 수 있고, 또한 챔버(10) 내의 온도 균일도를 유지할 수 있어 스탬프(1) 표면에 흡착된 약액(90)이 균일하게 열경화됨으로써, 스탬프(1)의 표면처리의 균일도를 확보할 수 있게 되는 것이다.Therefore, the present invention can effectively and uniformly adsorb the chemical liquid 90 to the surface of the stamp 1 having a large number of large areas, and also maintain the temperature uniformity in the chamber 10, so that the chemical liquid adsorbed onto the surface of the stamp 1 ( By heat curing 90) uniformly, the uniformity of the surface treatment of the stamp 1 can be ensured.

이상, 상기의 실시 예는 단지 설명의 편의를 위해 예시로서 설명한 것에 불과하므로 특허청구범위를 한정하는 것은 아니다.As described above, the above embodiments are merely described as examples for convenience of description and are not intended to limit the scope of the claims.

도 1은 본 발명의 스탬프 표면처리 장치의 개략적인 단면도,1 is a schematic cross-sectional view of a stamp surface treatment apparatus of the present invention;

도 2는 본 발명의 스탬프 표면처리 장치에 구비된 지그의 부분사시도,2 is a partial perspective view of a jig provided in the stamp surface treatment apparatus of the present invention,

도 3은 본 발명의 스탬프 표면처리 방법을 나타낸 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a stamp surface treatment method of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1 : 스탬프 5 : 지그1: stamp 5: jig

5a : 적재칸 5b : 지지대5a: loading compartment 5b: support

10 : 챔버 20 : 약액공급부10: chamber 20: chemical supply unit

22 : 약액공급관 23 : 배출구22: chemical supply pipe 23: outlet

24 : 펌프 25 : 약액저장용기24: pump 25: chemical storage container

27 : 분기관 28 : 개폐밸브27: branch pipe 28: on-off valve

30 : 격리판 35 : 격리구역30: separator 35: containment

36 : 필터 38 : 불순물유입방지부36: filter 38: impurity inflow prevention part

40 : 가열부 50 : 순환수단40: heating part 50: circulation means

55 : 구동모터 56 : 흡입구55: drive motor 56: inlet

57 : 토출구 60 : 진공펌프57: discharge port 60: vacuum pump

70 : 퍼지가스공급부 80 : 배기관70: purge gas supply unit 80: exhaust pipe

85 : 배기팬 86 : 유독가스포집부재85: exhaust fan 86: poisonous gas capture member

90 : 약액90: chemical

Claims (13)

적어도 하나 이상의 스탬프가 배치될 수 있게 지그가 내설되는 챔버;A chamber in which the jig is embedded such that at least one stamp can be placed; 상기 챔버 내부에 약액이 공급될 수 있도록 상기 챔버 일측부에 설치되는 약액공급부; 및A chemical solution supply unit installed at one side of the chamber so that the chemical solution is supplied into the chamber; And 상기 스탬프 표면에 흡착되는 약액이 열경화 될 수 있게 상기 챔버 일측에 설치되는 가열부;A heating unit installed at one side of the chamber such that the chemical liquid adsorbed on the stamp surface can be thermally cured; 를 포함하여 구성되는 스탬프 표면처리 장치.Stamp surface treatment apparatus configured to include. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지그는 상기 스탬프가 각각 적재될 수 있는 다수개의 적재칸이 적층 형성되도록 하되, 상기 약액이 용이하게 순환될 수 있도록 일정 간격으로 이격되어 배열 설치되는 다수개의 지지대로 구성된 것을 특징으로 하는 스탬프 표면처리 장치.The jig has a plurality of stacking compartments for stacking the stamps, respectively, is formed, the stamp surface treatment characterized in that consisting of a plurality of supports are arranged spaced apart at regular intervals so that the chemical can be easily circulated Device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 약액공급부는,The chemical liquid supply unit, 상기 챔버의 일측벽에 관통 설치되어 챔버 내측으로 약액을 공급하는 약액공급관;A chemical solution supply pipe installed through one side wall of the chamber to supply the chemical solution into the chamber; 상기 약액공급관에 설치되는 펌프; 및A pump installed in the chemical supply pipe; And 상기 약액공급관을 통해 배출되는 약액이 저장될 수 있도록 상기 챔버 내측에 설치되는 약액저장용기;A chemical storage container installed inside the chamber to store the chemical liquid discharged through the chemical supply pipe; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스탬프 표면처리 장치.Stamp surface treatment apparatus comprising a. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 약액공급관은 약액이 다수개의 경로를 따라 분기되어 공급될 수 있도록 다수개의 분기관으로 구성되는 것을 특징으로 하는 스탬프 표면처리 장치.The chemical liquid supply pipe is stamp surface treatment apparatus, characterized in that consisting of a plurality of branch pipes so that the chemical liquid can be supplied branched along a plurality of paths. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 약액은 상기 챔버 내의 약액저장용기로부터 용이하게 기화되어 확산될 수 있도록 캐리어솔벤트가 혼합되어 공급되는 불소계열의 불활성 액체인 것을 특징으로 하는 스탬프 표면처리 장치.The chemical solution is a stamp surface treatment apparatus, characterized in that the fluorine-based inert liquid is supplied with a mixture of carrier solvent to be easily vaporized and diffused from the chemical storage container in the chamber. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버 내측에는 상기 약액이 챔버 내에 강제 순환될 수 있도록 순환수단이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 스탬프 표면처리 장치.Stamp surface treatment apparatus further comprises a circulation means in the chamber so that the chemical liquid is forced to circulate in the chamber. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 순환수단은 상기 챔버 내의 가스가 상기 약액공급부가 설치된 측벽으로 토출되어 순환될 수 있도록 챔버의 상측부에 설치되는 송풍팬인 것을 특징으로 하 는 스탬프 표면처리 장치.The circulation means is a stamp surface treatment apparatus, characterized in that the blowing fan is installed on the upper side of the chamber so that the gas in the chamber is discharged to the side wall on which the chemical liquid supply unit is circulated. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 챔버 내측에는 상기 지그에 배치된 스탬프가 격리되도록 불순물유입방지부를 구비하되, 상기 불순물유입방지부는 격리구역을 형성하는 다수개의 격리판과 상기 챔버 내의 약액 성분이 통과될 수 있도록 양측 격리판에 각각 설치되는 필터로 구성된 것을 특징으로 하는 스탬프 표면처리 장치.The chamber is provided with an impurity inflow prevention portion to isolate the stamp disposed on the jig, wherein the impurity inflow prevention portion is provided on each of the two separators to pass through the plurality of separators forming the isolation zone and the chemical components in the chamber. Stamp surface treatment apparatus comprising a filter to be installed. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 가열부는 열기가 상기 스탬프 표면으로 용이하게 강제 순환될 수 있도록 상기 송풍팬의 토출구에 인접되게 챔버 상측부에 설치되는 히터인 것을 특징으로 하는 스탬프 표면처리 장치.The heating unit is a stamp surface treatment apparatus, characterized in that the heater is installed in the upper portion of the chamber adjacent to the discharge port of the blowing fan so that hot air can be easily forced to the stamp surface. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 9, 상기 챔버 일측에는 진공펌프가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 스탬프 표면처리 장치.Stamp surface treatment apparatus further comprises a vacuum pump on one side of the chamber. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 챔버 일측에는 상기 챔버 내의 다른 반응성 가스가 반응하지 않도록 중화시킬 수 있게 불활성 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 스탬프 표면처리 장치.The stamp surface treatment apparatus of one side of the chamber further comprises a purge gas supply unit for supplying an inert purge gas to neutralize the other reactive gas in the chamber does not react. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 챔버 일측에는 상기 챔버 내측의 가스가 외부로 배출될 수 있게 배기관을 구비하되, 상기 배기관에는 배기팬과 유독가스포집부재가 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 스탬프 표면처리 장치.One side of the chamber is provided with an exhaust pipe so that the gas inside the chamber to be discharged to the outside, the exhaust pipe and the stamp surface treatment apparatus, characterized in that the exhaust fan and toxic gas collecting member is installed respectively. 챔버 내의 불순물이나 다른 반응성 가스를 제거하는 Vacuum Pumping 및 Purge 가스공급 단계;Vacuum Pumping and Purge gas supply step to remove impurities or other reactive gas in the chamber; 상기 챔버 내에 약액을 공급하는 약액공급 단계;A chemical liquid supplying step of supplying a chemical liquid into the chamber; 상기 공급된 약액이 기화되어 상기 챔버 내에 배치된 스탬프의 표면에 흡착되는 약액 기화 및 흡착 단계;Chemical liquid vaporization and adsorption step in which the supplied chemical liquid is vaporized and adsorbed onto a surface of a stamp disposed in the chamber; 상기 챔버 내의 잔류가스를 배기관을 통해 외부로 배출시키는 1차 잔류가스 배기 단계;A first residual gas exhausting step of discharging the residual gas in the chamber to the outside through an exhaust pipe; 상기 챔버 내부를 가열부로 가열하고 순환수단을 이용하여 열기를 강제 순환시키는 히팅 및 순환 단계; 및A heating and circulation step of heating the inside of the chamber with a heating unit and forcibly circulating hot air by using a circulation means; And 상기 챔버 내의 잔류가스를 배기관을 통해 외부로 배출시키는 2차 잔류가스 배기 단계;A second residual gas exhausting step of discharging the residual gas in the chamber to the outside through an exhaust pipe; 를 포함하여 구성되는 스탬프 표면처리 방법.Stamp surface treatment method comprising a.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101855942B1 (en) * 2016-05-04 2018-05-10 한국기계연구원 Method for manufacturing a nano pattern having high slenderness ratio

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6482742B1 (en) 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
KR20060104735A (en) * 2005-03-31 2006-10-09 삼성전기주식회사 Mold used in imprinting printed circuit board with excellent durability and preparing method for printed circuit board using the same
KR20060104737A (en) * 2005-03-31 2006-10-09 삼성전기주식회사 Mold-release treating method of imprint mold for printed circuit board

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6482742B1 (en) 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
KR20060104735A (en) * 2005-03-31 2006-10-09 삼성전기주식회사 Mold used in imprinting printed circuit board with excellent durability and preparing method for printed circuit board using the same
KR20060104737A (en) * 2005-03-31 2006-10-09 삼성전기주식회사 Mold-release treating method of imprint mold for printed circuit board

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101855942B1 (en) * 2016-05-04 2018-05-10 한국기계연구원 Method for manufacturing a nano pattern having high slenderness ratio

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