KR100887125B1

KR100887125B1 - 전류모드 직렬/병렬 변환기 및 병렬/직렬 변환기

Info

Publication number: KR100887125B1
Application number: KR1020070118712A
Authority: KR
Inventors: 박용운; 소원욱; 황성호
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2007-11-20
Filing date: 2007-11-20
Publication date: 2009-03-04

Abstract

본 발명의 전류모드 직렬/병렬 변환기는, V/I 변환기의 하나의 공통 출력단에 병렬로 연결된 일단을 갖는 복수의 입력 스위치; 상기 복수의 입력 스위치 각각의 타단에 연결되어 전류를 메모리하는 복수의 전류 메모리; 및 상기 복수의 전류 메모리 각각으로부터의 전류를 병렬로 출력하는 복수의 출력 스위치를 포함하고,

또한, 본 발명의 전류모드 병렬/직렬 변환기는, FFT부의 병렬 출력단 각각에 연결된 일단을 갖는 복수의 입력 스위치; 상기 복수의 입력 스위치 각각의 타단에 연결되어 전류를 메모리하는 복수의 전류 메모리; 및 상기 복수의 전류 메모리 각각으로부터의 전류를 하나의 공통 노드를 통해 직렬로 출력하는 복수의 출력 스위치를 포함한다.

전류모드, 전류 메모리, 직렬/병렬(S/P) 변환기, 병렬/직렬(P/S) 변환기

Description

전류모드 직렬/병렬 변환기 및 병렬/직렬 변환기{CURRENT MODE SERIAL/PARALLEL CONVERTER, AND CURRENT MODE PARALLEL/SERIAL CONVERTER}

본 발명은 OFDM 송수신 시스템에 적용될 수 있는 전류모드 직렬/병렬 변환기 및 병렬/직렬 변환기에 관한 것으로, 특히 전류 메모리를 이용하여 신호를 저장함으로써, A/D 또는 D/A 변환기가 불필요하고, 소비전력을 낮출 수 있는 전류 모드 직렬/병렬 변환기 및 병렬/직렬 변환기에 관한 것이다.

최근, 무선 통신 시스템에서 OFDM 통신방식이 빠른 데이터전송 방식으로서 사용되고 있다. 통상 OFDM에서 주요 신호처리 방식은 디지털을 이용한 퓨리에 변환이다.

이런 디지털 퓨리에 변환은 많은 소비전력이 필요하다는 하며 이러한 점은 무선통신 시스템에 있어서 커다란 제약이 되고 있다. 전류모드를 이용한 아날로그 퓨리에 변환(FFT) LSI는 이러한 소비전력의 문제를 해결할 수 있는 주요 대안으로 떠오르고 있다.

그러나, 이러한 신호처리 방식을 사용하기 위해서는 전류모드를 이용한 직병 렬/병직렬 변환기(Serial-to-Parallel/Parallel-to-Serial Converter)가 필수적으로 필요하다.

도 1은 종래 OFDM 송수신 시스템의 구성도이다.

도 1에 도시된 종래 OFDM 송수신 시스템은, 안테나(ANT)와, 안테나(ANT)로부터의 신호를 수신하는 OFDM 수신기(10)와, 송신 신호를 RF 신호로 변환하여 상기 안테나(ANT)를 통해 송신하는 OFDM 송신기(20)를 포함한다.

상기 OFDM 수신기(10)는, 상기 안테나(ANT)로부터의 RF 신호를 베이스밴드 신호로 변환하는 RF 수신 회로부(11)와, 상기 RF 수신 회로부(11)로부터의 베이스밴드 신호를 디지털 신호로 변환하고, 이 디지털 신호를 FFT 처리하여 원래 수신 신호로 복원하는 베이스밴드 수신 회로부(12)를 포함한다.

이때, 상기 베이스밴드 수신 회로부(12)는, 입력되는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 A/D 변환기(12A)와, 상기 A/D 변환기(12A)로부터의 직렬 신호를 병렬 신호로 변환하는 직렬/병렬 변환기(12B)와, 상기 직렬/병렬 변환기(12B)로부터의 병렬 신호를 FFT 처리하여 시간 영역의 신호를 주파수 영역의 신호로 변환하는 FFT부(12C)와, 상기 FFT부(12C)로부터의 병렬 신호를 직렬 신호로 변환하여 원래 송신 신호를 출력하는 병렬/직렬 변환기(12D)를 포함한다.

또한, 상기 OFDM 송신기(20)는, 송신 신호를 IFFT 처리한 후 아날로그 신호로 변환하는 베이스밴드 송신 회로부(21)와, 상기 베이스밴드 송신 회로부(21)로부 터의 신호를 RF 신호로 변환하여 상기 안테나(ANT)로 출력하는 RF 송신 회로부(22)를 포함한다.

이때, 상기 베이스밴드 송신 회로부(21)는, QPSK나 QAM 등에 의해 변조된 송신 신호를 병렬 신호로 변환하는 직렬/병렬 변환기(21A)와, 상기 직렬/병렬 변환기(21A)로부터의 신호를 IFFT 처리하여 주파수 영역의 신호를 시간영역의 신호로 변환하는 IFFT부(21B)와, 상기 IFFT부(21B)로부터의 병렬 신호로 직렬 신호로 변환하는 병렬/직렬 변환기(21C)와, 상기 병렬/직렬 변환기(21C)로부터의 신호를 아날로그 신호로 변환하여 상기 RF 송신 회로부(22)로 출력하는 D/A 변환기(21D)를 포함한다.

도 2는 종래 전압모드 병렬/직렬 변환기 및 직렬/병렬 변환기의 구성도이다.

도 2를 참조하면, 상기 병렬/직렬 변환기는, 상기 A/D 변환기(12A)의 하나의 출력단에 병렬로 연결된 일단을 갖는 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,SWn1)와, 상기 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1) 각각의 타단에 연결되어 전압을 메모리하는 복수의 전압 메모리(VM1,VM2,...,VMn)와, 상기 복수의 전압 메모리(VM1,VM2,...,VMn) 각각의 충전 전압을 출력하는 복수의 출력 스위치(SW12,SW22,...,SWn2)를 포함한다.

상기 직렬/병렬 변환기는, 상기 FFT부(12C)의 병렬 출력단 각각에 연결된 일단을 갖는 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,SWn1)와, 상기 복수의 입력 스위 치(SW11,SW21,...,SWn1) 각각의 타단에 연결되어 전압을 메모리하는 복수의 전압 메모리(VM1,VM2,...,VMn)와, 상기 복수의 전압 메모리(VM1,VM2,...,VMn) 각각의 충전 전압을 하나의 공통 노드를 통해 직렬로 출력하는 복수의 출력 스위치(SW12,SW22,...,SWn2)를 포함한다.

이와같은 OFDM 송수신 시스템을 이용한 통신방식은 IEEE 802.11a,g 등의 5GHz WLAN 등의 대용량 고속 전송방식으로 널리 사용되고 있다.

그런데, 이와같은 OFDM 송수신 시스템에서, OFDM 수신기나 OFDM 송신기에 이용되는 A/D 변환기 및 D/A 변환기에서의 소비전력과, 디지털 신호처리 방식의 IFFT부와 FFT부에서 소비되는 소비전력의 전체 소비전력은 와트(Watt)단위로 큰 전력을 소비하는 문제점이 있다.

이로 인해 OFDM 통신방식을 사용하는 IEEE 802.11a,g 등의 5GHz 대역의 WLAN과 같은 이동 단말기에 커다란 부담이 되는 문제점이 있다.

또한, 0.13um CMOS 처리를 이용한 FFT 연산에 22.36mW이상(20Msps, 64point조건)의 전력이 소비되고 있으며 과거에 비해 공정 파라메타가 낮아짐에 따른 저소비전력화가 가능해지고 있지만, 저소비전력용 전류모드 FFT 고밀도 집적회로(LSI)를 이용하기 위해서는 새로운 아날로그 신호처리용 전류모드 직병렬/병직렬 변환기가 필수적으로 동반되어야 한다.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해서 제안된 것으로써, 그 목적은 전류 메모리를 이용하여 신호를 저장함으로써, A/D 또는 D/A 변환기가 불필요하고, 소비전력을 낮출 수 있는 전류 모드 직렬/병렬 변환기 및 병렬/직렬 변환기를 제공하는데 있다.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 전류모드 직렬/병렬 변환기는, V/I 변환기의 하나의 공통 출력단에 병렬로 연결된 일단을 갖는 복수의 입력 스위치; 상기 복수의 입력 스위치 각각의 타단에 연결되어 전류를 메모리하는 복수의 전류 메모리; 및 상기 복수의 전류 메모리 각각으로부터의 전류를 병렬로 출력하는 복수의 출력 스위치를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 복수의 전류 메모리 각각은, 동작전원단에 연결된 일단을 갖는 전류원; 상기 전류원의 타단에 연결된 드레인과, 접지에 연결된 소오스와, 게이트를 갖는 MOS 트랜지스터; 상기 접지와 상기 MOS 트랜지스터의 게이트 사이에 형성되어, 입력되는 전류와 상기 전류원에 의한 전류의 전하를 메모리하는 커패시터; 및 상기 MOS 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어, 상기 MOS 트랜지스터의 안정된 메모리 동작을 위해 스위칭 동작하는 동작 스위치를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 입력 스위치 각각은, 해당 동작 스위치가 온된 상태에서 온되고, 상기 입력 스위치 및 동작 스위치는, 해당 출력 스위치가 온되는 시점에서 오프되는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 전류모드 병렬/직렬 변환기는, FFT부의 병렬 출력단 각각에 연결된 일단을 갖는 복수의 입력 스위치; 상기 복수의 입력 스위치 각각의 타단에 연결되어 전류를 메모리하는 복수의 전류 메모리; 및 상기 복수의 전류 메모리 각각으로부터의 전류를 하나의 공통 노드를 통해 직렬로 출력하는 복수의 출력 스위치를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 복수의 전류 메모리 각각은, 동작전원단에 연결된 일단을 갖는 전류원; 상기 전류원의 타단에 연결된 드레인과, 접지에 연결된 소오스와, 게이트를 갖는 MOS 트랜지스터; 상기 접지와 상기 MOS 트랜지스터의 게이트 사이에 형성되어, 입력되는 전류와 상기 전류원에 의한 전류의 전하를 메모리하는 커패시터; 및 상기 MOS 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어, 상기 MOS 트랜지스터의 안정된 메모리 동작을 위해 스위칭 동작하는 동작 스위치 를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 본 발명에 의하면, 전류 메모리를 이용하여 신호를 저장함으로써, A/D 또는 D/A 변환기가 불필요하고, 소비전력을 낮출 수 있으며, 이에 따라 저렴하면서도 소형으로 제작 가능한 효과가 있다.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명은 설명되는 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 실시예는 본 발명의 기술적 사상에 대한 이해를 돕기 위해서 사용된다. 본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.

도 3은 본 발명에 따른 전류모드 직렬/병렬 변환기 및 병렬/직렬 변환기의 구성도.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 전류모드 직렬/병렬 변환기(200)는, V/I 변환기(100)의 하나의 공통 출력단(COT)에 병렬로 연결된 일단을 갖는 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1)와, 상기 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1) 각각의 타단에 연결되어 전류를 메모리하는 복수의 전류 메모리(CM1,CM2,...,CMn)와, 상기 복수의 전류 메모리(CM1,CM2,...,CMn) 각각으로부터의 전류를 병렬로 출력하는 복수의 출력 스위치(SW12,SW22,...,SWn2)를 포함한다.

또한, 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 전류모드 병렬/직렬 변환기(400)는, FFT부(300)의 병렬 출력단 각각에 연결된 일단을 갖는 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1)와, 상기 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1) 각각의 타단에 연결되어 전류를 메모리하는 복수의 전류 메모리(CM1,CM2,...,CMn)와, 상기 복수의 전류 메모리(CM1,CM2,...,CMn) 각각으로부터의 전류를 하나의 공통 노드(CN)를 통해 직렬로 출력하는 복수의 출력 스위치(SW12,SW22,...,SWn2)를 포함한다.

전술한 본 발명의 전류모드 직렬/병렬 변환기(200) 및 전류모드 병렬/직렬 변환기(400)에 포함되는 전류 메모리는 동일한 구조가 적용될 수 있으며, 본 발명의 전류 메모리에 적용될 수 있는 회로도를 도 4를 참조하여 설명한다.

도 4는 본 발명에 따른 전류 메모리의 회로도이다.

도 4를 참조하면, 상기 복수의 전류 메모리(CM1,CM2,...,CMn) 각각은, 동작전원(Vcc)단에 연결된 일단을 갖는 전류원(IS)과, 상기 전류원(IS)의 타단에 연결된 드레인과, 접지에 연결된 소오스와, 게이트를 갖는 MOS 트랜지스터(MOS)와, 상기 접지와 상기 MOS 트랜지스터(MOS)의 게이트 사이에 형성되어, 입력되는 전류와 상기 전류원(IS)에 의한 전류의 전하를 메모리하는 커패시터(C)와, 상기 MOS 트랜지스터(MOS)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어, 상기 MOS 트랜지스터(MOS)의 안정된 메모리 동작을 위해 스위칭 동작하는 동작 스위치(SW3)를 포함한다.

도 5는 본 발명에 따른 전류 메모리의 동작 타이밍 챠트이다.

도 5를 참조하면, 상기 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1) 각각은, 해당 동작 스위치(SW3)가 온된 상태에서 온되고, 상기 입력 스위치 및 동작 스위치는, 해당 출력 스위치가 온되는 시점에서 오프된다.

예를 들면, 제1 전류 메모리(CM1)의 입력 스위치(SW11), 출력 스위치(SW12) 및 동작 스위치(SW3)에 대해 설명하면, t1 시점에서 동작 스위치(SW3)가 먼저 온되고, 이후 t2시점에서 입력 스위치(SW11)가 온되어, 입력 전류가 MOS 트랜지스터(MOS)의 커패시터(C)에 메모리되면서, 상기 커패시터(C)의 전압(Vc)이 점차적으로 높아지고, 이후 t3 시점에서 입력 스위치(S11) 및 동작 스위치(SW3)가 오프되고, 이때 출력 스위치(SW12)가 온되어 상기 커패시터(C)의 전압(Vc)에 의한 출력전류(Iout)가 출력된다.

이하, 본 발명의 작용 및 효과를 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명한다.

도 3을 참조하여 본 발명에 따른 전류모드 직렬/병렬 변환기 및 병렬/직렬 변환기중에서, 먼저, 본 발명에 따른 전류모드 직렬/병렬 변환기(200)에 대해 설명한다.

본 발명의 전류모드 직렬/병렬 변환기(200)는, 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1)와, 복수의 전류 메모리(CM1,CM2,...,CMn) 및 복수의 출력 스위치(SW12,SW22,...,SWn2)를 포함한다.

본 발명의 전류모드 직렬/병렬 변환기(200)로 입력되는 직렬 전류는 V/I 변환기의 하나의 출력단을 통해 출력되는 직렬 전류이다. 상기 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1) 각각이 차례로 온상태로 되면서, 상기 직렬 전류는 상기 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1) 각각을 차례로 통한 다음에, 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1) 각각에 연결된 복수의 전류 메모리(CM1,CM2,...,CMn) 각각에 저장된다.

이후, 상기 복수의 출력 스위치(SW12,SW22,...,SWn2)가 동시에 온되면서, 상기 복수의 전류 메모리(CM1,CM2,...,CMn) 각각에 저장된 전류는 상기 복수의 출력 스위치(SW12,SW22,...,SWn2) 각각을 통하여 병렬 전류로 출력된다.

이와 같은 병렬 전류는 FFT부(300)로 입력되어 FFT 처리된다.

다음, 본 발명에 따른 전류모드 병렬/직렬 변환기(400)에 대해 설명한다.

본 발명의 전류모드 병렬/직렬 변환기(400)는, 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1)와, 복수의 전류 메모리(CM1,CM2,...,CMn) 및 복수의 출력 스위치(SW12,SW22,...,SWn2)를 포함한다.

본 발명의 전류모드 병렬/직렬 변환기(400)로 입력되는 병렬 전류는, 상기 FFT부(300)로부터 입력되는 병렬 전류이다. 상기 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1) 각각이 동시에 온상태로 되면서, 상기 FFT부(300)로부터 출력되는 병렬 전류는 상기 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1) 각각을 동시 에 통한 다음에, 복수의 입력 스위치(SW11,SW21,...,SWn1) 각각에 연결된 복수의 전류 메모리(CM1,CM2,...,CMn) 각각에 저장된다.

이후, 상기 복수의 출력 스위치(SW12,SW22,...,SWn2)가 차례대로 온되면서, 상기 복수의 전류 메모리(CM1,CM2,...,CMn) 각각에 저장된 전류는 상기 복수의 출력 스위치(SW12,SW22,...,SWn2) 각각을 통하여 차례대로 출력되어 공통 노드(CN)에서 하나의 전류로 합쳐져서 결국 직렬 전류로 출력된다.

일 예로, 제1 전류 메모리(CM1)를 중심으로, 전류가 메모리되고 출력되는 과정에 대해 도 4를 참조하여 설명한다.

도 4를 참조하면, 상기 복수의 전류 메모리(CM1)는, 동작전원(Vcc)단에 연결된 전류원(IS)에 의해서 일정한 일정 전류(I1)가 흐르고, 입력 스위치(SW11)를 통해서 입력전류(I2)가 입력되어, 결국 일정전류(I1)와 입력전류(I2)가 합쳐진 전류(I1+I2)가 MOS 트랜지스터(MOS)를 흘려서 상기 MOS 트랜지스터(MOS)의 커패시터(C)에 전하로 저장된다. 이러한 저장은 상기 입력 스위치(SW1)가 온상태로 있는 동안에 상기 커패시터(C)에 전하가 저장되면서 상기 커패시터(C)의 충전전압(Vc)은 점차적으로 상승한다.

이때, 오프상태로 있던 상기 출력 스위치(SW12)가 온상태로 되면, 상기 커패시터(C)의 충전전압에 의한 출력전류(Iout)가 상기 출력 스위치(SW12)가 온되는 시점부터 출력된다.

여기서, 상기 MOS 트랜지스터(MOS)의 게이트와 드레인간 연결된 동작 스위치(SW3)는, 상기 입력스위치(SW11)보다 먼저 온상태로 되고 입력 스위치(SW11)와 같이 오프상태로 된다.

이와같이 동작하는 전류 메모리에서의 입력 스위치(SW11), 전류 메모리(CM1), 동작 스위치(SW3) 및 출력 스위치(SW12)는 도 5에 도시한 바와같이 동작한다.

예를 들면, 제1 전류 메모리(CM1)의 입력 스위치(SW11), 출력 스위치(SW12) 및 동작 스위치(SW3)에 대해 설명하면, t1 시점에서 동작 스위치(SW3)가 먼저 온되고, 이후 t2시점에서 입력 스위치(SW11)가 온되어, 입력 전류가 MOS 트랜지스터(MOS)의 커패시터(C)에 메모리되면서, 상기 커패시터(C)의 전압(Vc)이 점차적으로 높아지고, 이후 t3 시점에서 입력 스위치(S11) 및 동작 스위치(SW3)가 오프되 고, 이때 출력 스위치(SW12)가 온되어 상기 커패시터(C)의 전압(Vc)에 의한 출력전류(Iout)가 출력된다.

이러한 본 발명에서는, 종래의 레지스터 구조의 직렬/병렬 변환기 및 병렬/직렬 변환기와 달리 전류모드 아날로그 직렬/병렬 변환기 및 병렬/직렬 변환기를 적용했을 경우, OFDM 송수신 시스템을 저전력 시스템으로 구현할 수 있으며, 이는 전류모드 회로의 특성으로는, 저전압에서 동작이 가능하며 주파수에 무관한 소비전력 특성을 지니고 있으며 와이어-논리합 연산에 의한 가산이 가능하다. 또한 전류모드 전압/전류 변환기나 전류/전압 변환기를 이용하면 기존의 A/D 변환기나 D/A 변환기가 필요없는 OFDM 송수신 시스템의 구성이 가능해진다.

전술한 바와 같은 본 발명에서, 전류모드 직렬/병렬 변환기 및 병렬/직렬 변환기의 개발로 저소비전력에 큰 장점을 지니고 있는 아날로그 FFT 고밀도 집적회로(LSI)의 활용이 가능해졌다. 또한 전류모드 시스템의 특징중에 하나인 A/D 변환기, D/A 변환기가 필요없는 OFDM 송수신 시스템의 베이스밴드 회로의 구현이 가능해지므로 OFDM 송수신 시스템에서 큰 소비전력의 감소 효과를 가져올 수 있다.

도 1은 종래 OFDM 송수신 시스템의 구성도.

도 2는 종래 전압모드 병렬/직렬 변환기 및 직렬/병렬 변환기의 구성도.

도 4는 본 발명에 따른 전류 메모리의 회로도.

도 5는 본 발명에 따른 전류 메모리의 동작 타이밍 챠트.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

100 : V/I 변환기

200 : 전류모드 직렬/병렬 변환기

400 : 전류모드 병렬/직렬 변환기

SW11,SW21,...,SWn1 : 복수의 입력 스위치

CM1,CM2,...,CMn : 복수의 전류 메모리

SW12,SW22,...,SWn2 : 복수의 출력 스위치

IS : 전류원

MOS : MOS 트랜지스터

C : 커패시터

SW3 : 동작 스위치

Claims

V/I 변환기의 하나의 공통 출력단에 병렬로 연결된 일단을 갖는 복수의 입력 스위치;

상기 복수의 입력 스위치 각각의 타단에 연결되어 전류를 메모리하는 복수의 전류 메모리; 및

상기 복수의 전류 메모리 각각으로부터의 전류를 병렬로 출력하는 복수의 출력 스위치

를 포함하는 것을 특징으로 하는 전류모드 직렬/병렬 변환기.
제1항에 있어서, 상기 복수의 전류 메모리 각각은,

동작전원단에 연결된 일단을 갖는 전류원;

상기 전류원의 타단에 연결된 드레인과, 접지에 연결된 소오스와, 게이트를 갖는 MOS 트랜지스터;

상기 접지와 상기 MOS 트랜지스터의 게이트 사이에 형성되어, 입력되는 전류와 상기 전류원에 의한 전류의 전하를 메모리하는 커패시터; 및

상기 MOS 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어, 상기 MOS 트랜지스터의 안정된 메모리 동작을 위해 스위칭 동작하는 동작 스위치

를 포함하는 것을 특징으로 하는 전류모드 직렬/병렬 변환기.
제2항에 있어서, 상기 복수의 입력 스위치 각각은,

해당 동작 스위치가 온된 상태에서 온되고,

상기 입력 스위치 및 동작 스위치는,

해당 출력 스위치가 온되는 시점에서 오프되는 것을 특징으로 하는 전류모드 직렬/병렬 변환기.
FFT부의 병렬 출력단 각각에 연결된 일단을 갖는 복수의 입력 스위치;

상기 복수의 입력 스위치 각각의 타단에 연결되어 전류를 메모리하는 복수의 전류 메모리; 및

상기 복수의 전류 메모리 각각으로부터의 전류를 하나의 공통 노드를 통해 직렬로 출력하는 복수의 출력 스위치

를 포함하는 것을 특징으로 하는 전류모드 병렬/직렬 변환기.
제4항에 있어서, 상기 복수의 전류 메모리 각각은,

동작전원단에 연결된 일단을 갖는 전류원;

상기 전류원의 타단에 연결된 드레인과, 접지에 연결된 소오스와, 게이트를 갖는 MOS 트랜지스터;

상기 접지와 상기 MOS 트랜지스터의 게이트 사이에 형성되어, 입력되는 전류와 상기 전류원에 의한 전류의 전하를 메모리하는 커패시터; 및

상기 MOS 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어, 상기 MOS 트랜지스터의 안정된 메모리 동작을 위해 스위칭 동작하는 동작 스위치

를 포함하는 것을 특징으로 하는 전류모드 병렬/직렬 변환기.
제5항에 있어서, 상기 복수의 입력 스위치 각각은,

해당 동작 스위치가 온된 상태에서 온되고,

상기 입력 스위치 및 동작 스위치는,

해당 출력 스위치가 온되는 시점에서 오프되는 것을 특징으로 하는 전류모드 병렬/직렬 변환기.