KR100884389B1 - 3 axes hall sensor and manufacturing method of the 3 axes hall sensor - Google Patents

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KR100884389B1 KR1020060083535A KR20060083535A KR100884389B1 KR 100884389 B1 KR100884389 B1 KR 100884389B1 KR 1020060083535 A KR1020060083535 A KR 1020060083535A KR 20060083535 A KR20060083535 A KR 20060083535A KR 100884389 B1 KR100884389 B1 KR 100884389B1
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Abstract

본 발명은 X축 및 Y축으로 센서를 세우지 않고서도 3축 방향에 대한 센싱이 가능한 3축 홀 센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 3축 홀 센서는 기판; 상기 기판에 수평되게 형성되어 지자계를 유도하는 유도체; 및 상기 기판의 상면에서 상기 유도체의 상부에 설치되되, 상기 유도체의 형성 방향에 대해 수직의 지자계 감지 방향을 갖도록 설치된 적어도 3개의 홀 센서 칩을 포함한다.The present invention relates to a three-axis Hall sensor and a manufacturing method thereof that can be sensed in the three-axis direction without setting the sensor in the X-axis and Y-axis, the three-axis Hall sensor of the present invention; A derivative formed horizontally on the substrate to induce a geomagnetic field; And at least three Hall sensor chips installed on an upper surface of the derivative on an upper surface of the substrate and installed to have a geomagnetic field sensing direction perpendicular to a direction in which the derivative is formed.

이러한 구성의 본 발명에 의하면, X축 및 Y축으로 홀 센서를 세우지 않고 수평상태로 설치하고서도 3축 방향에 대한 센싱이 가능하므로 종래의 방식에 비해 훨씬 간단한 방법으로 제작이 가능하게 된다.According to the present invention of the configuration, it is possible to manufacture in a much simpler method than the conventional method because the sensing in the three-axis direction can be installed even in the horizontal state without setting the Hall sensor in the X-axis and Y-axis.

Description

3축 홀 센서 및 그의 제조방법{3 axes hall sensor and manufacturing method of the 3 axes hall sensor}3-axis hall sensor and its manufacturing method {3 axes hall sensor and manufacturing method of the 3 axes hall sensor}

도 1은 일반적인 홀 센서의 외관사시도,1 is an external perspective view of a typical Hall sensor;

도 2는 일반적인 홀 센서의 X축, Y축 방향으로의 검지를 위한 구성도,2 is a configuration diagram for detection in the X-axis and Y-axis directions of a general hall sensor;

도 3은 본 발명에 채용되는 유도체에 의한 자속의 변화를 설명하기 위한 도면,3 is a view for explaining a change in the magnetic flux by the derivative employed in the present invention,

도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 3축 홀 센서의 구성을 설명하기 위한 도면,4 and 5 are views for explaining the configuration of the three-axis Hall sensor according to an embodiment of the present invention,

도 6은 본 발명의 3축 홀 센서의 홀 센서 칩에 대한 자속을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 도면,6 is a view showing a simulation result of the magnetic flux of the Hall sensor chip of the three-axis Hall sensor of the present invention,

도 7은 본 발명의 3축 홀 센서내의 홀 센서 칩의 출력 파형도,7 is an output waveform diagram of a Hall sensor chip in the 3-axis Hall sensor of the present invention;

도 8은 본 발명에서의 와이자 형상의 결선형과 직교좌표형간의 상관관계를 설명하기 위한 도면,8 is a view for explaining the correlation between the connection type and the rectangular coordinates of the Wei-shaped in the present invention,

도 9는 본 발명의 일예에 따른 반도체 부품의 좌표계의 개념도,9 is a conceptual diagram of a coordinate system of a semiconductor component according to an example of the present disclosure;

도 10은 본 발명의 설명에 채용되는 좌표변환용 소프트웨어 알고리즘을 설명하는 플로우차트,10 is a flowchart for explaining a software algorithm for coordinate transformation employed in the description of the present invention;

도 11은 본 발명의 일 예에 따른 3축 홀 센서의 출력특성을 직교좌표계의 출 력으로 변환환 파형도이다.FIG. 11 is a waveform diagram illustrating conversion of output characteristics of a 3-axis Hall sensor according to an example of the present invention into an output of a rectangular coordinate system.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

22 : 제 1기판 24 : 제 2기판22: first substrate 24: second substrate

26 : 기판 28 : 유도체26 substrate 28 derivative

30 : 홀 센서 칩 32 : 몰딩부30: Hall sensor chip 32: molding part

본 발명은 3축 홀 센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기존의 홀 센서를 이용한 3축 홀 센서에 비해 간단하게 제조할 수 있도록 한 3축 홀 센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a three-axis Hall sensor and a method of manufacturing the same, and more particularly to a three-axis Hall sensor and its manufacturing method that can be manufactured in simpler than the conventional three-axis Hall sensor using a Hall sensor.

센서는 어떤 물리, 화학적량을 다른 물리, 화학적량으로 변환시키는 기능을 수행하는 소자를 통칭하는 용어로서, 정밀측정, 생산자동화 및 자동제어 등에 다양하게 사용된다.Sensor is a general term for a device that performs a function of converting one physical and chemical amount into another physical and chemical amount, and is widely used for precision measurement, production automation, and automatic control.

최근에는 GPS(Global Positioning System) 수신기를 설치한 카 네비게이션 장치 및 네비게이션 기능을 갖는 휴대 단말기에 방위 센서가 장착되어 있다.Recently, a car navigation device equipped with a GPS (Global Positioning System) receiver and a portable terminal having a navigation function have been equipped with an orientation sensor.

방위 센서는 미세자계 중 하나인 지구 자계를 측정하여 방위를 표시한다. 미세자계 중 하나인 지구 자계를 측정하여 방위를 측정하는 방법은 지표면과 수평한 위치에서 지구 자계의 3축 성분을 측정하여 방위를 표시하는 것을 기본으로 하고 있다. 미세 자계 검출센서에 사용되는 자계 검출 방법은 통상적으로 플럭스 게이트(Flux gate) 방법, 직류자기저항(MR) 효과 방법, 자기 임피던스(MI; Magneto-impedance) 효과 방법, 및 홀 효과 방법 등으로 크게 4가지로 분류된다. The orientation sensor displays the orientation by measuring the earth's magnetic field, which is one of the micro magnetic fields. The method of measuring orientation by measuring the earth's magnetic field, which is one of the fine magnetic fields, is based on displaying three-axis components of the earth's magnetic field at a position parallel to the earth's surface. The magnetic field detection method used in the micro magnetic field detection sensor is generally classified into a flux gate method, a DC magnetoresistance (MR) effect method, a magneto-impedance (MI) effect method, and a hall effect method. Are classified into branches.

하지만, 플럭스 게이트 방법을 이용한 센서는 일본국 특개평 9-43322호 및 11-118892호에 제안되어 있는 바와 같이 7장의 제한된 크기의 기판에 대한 자성체 및 동박 패터닝과 스루홀의 형성/도금 및 적층 등의 제조가 복잡하고, 소비전력이 크며 극소형화에 문제가 있어 휴대폰 등의 소형 포터블 기기에는 적용이 어렵다는 단점을 가지고 있다. However, the sensor using the flux gate method, as proposed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 9-43322 and 11-118892, has been described as forming and plating / laminating and forming magnetic materials and copper foil patterning and through-holes for seven limited size substrates. It is difficult to apply to small portable devices such as mobile phones due to complex manufacturing, high power consumption, and miniaturization.

그리고, 직류자기저항 효과 방법을 이용한 센서는 극소형화는 가능하지만 출력신호가 작아 많은 증폭이 필요하고 이로 인한 노이즈 등의 문제점을 안고 있다. In addition, the sensor using the DC magnetoresistance effect method can be miniaturized, but the output signal is small and requires a lot of amplification, thereby causing problems such as noise.

그리고, 자기 임피던스 효과 방법을 이용한 센서는 출력신호가 직류자기저항 효과 센서에 비해 약 50배에서 크게는 100배 정도 크지만 고주파의 교류전류를 사용하기 때문에 심한 노이즈와 회로 구성에 어려움이 있다.In addition, the sensor using the magnetic impedance effect method has an output signal that is about 50 to 100 times larger than the DC magnetoresistance effect sensor. However, since a high frequency AC current is used, severe noise and circuit configuration are difficult.

그리고, 홀 효과 방법을 이용한 홀 센서는 직류전류를 사용하여 노이즈가 작고 제조 공정 또한 반도체 공정을 이용하므로 생산이 용이하고 크기가 작아 칩 사이즈의 제조가 가능하다. 그 홀 센서는 감도가 낮아 지구 자계 측정에 적용하는 것이 어려웠으나 최근 고감도의 홀 센서 개발이 이루어져서 지구 자계 측정에 적용되고 있다. In addition, since the Hall sensor using the Hall effect method uses a direct current, the noise is small, and the manufacturing process also uses a semiconductor process, so production is easy and the size is small, and thus the chip size may be manufactured. The Hall sensor has a low sensitivity, making it difficult to apply to measuring the earth's magnetic field. However, the Hall sensor has been recently developed and applied to measure the earth's magnetic field.

일반적으로, 홀 센서는 도 1에 예시한 바와 같이 특정 방향(즉, 홀 센서(10)의 윗부분으로 입사되는 방향)의 자계를 검지하는 검지의 지향성(검지 방향)을 갖고, 검지 방향의 자계에 따른 크기의 미약 전압을 출력하는 특성을 갖는다. 따라서, 홀 센서(10)를 이용하여 지구 자계의 X축의 검지를 위해서는 도 1의 홀 센서(10)를 도 2의 (a)와 같이 90도로 세워야 하는 공정이 필요하다. 이때 홀 센서(10)가 90도에서 벗어나게 세워지면 센서의 오차를 발생시키게 되고 방위의 오류를 발생시키게 된다. 아울러 제조 공정상 정확하게 90도를 유지하는 것은 불가능하 다. 그리고, 도 2의 (b)와 같이 만들어진 홀 센서(10)는 다시 X축과 Y축으로 나뉘어져 서로 90도가 되도록 위치되어야 하며 이때 X축과 Y축 간에 각도가 90도에서 벗어나게 되면 이 또한 방위 오차를 초래하게 된다. 이 또한 제조공정상 정확한 90도의 유지는 불가능하다. 따라서, 이 두 오차가 겹쳐지게 되면 상당히 큰 방위 오차를 발생시키게 되고, 보정 또한 거의 불가능한 상태가 되어 방위 센서로서 정밀한 방위측정이 어려워지는 치명적인 결함을 가지게 된다.In general, the hall sensor has a directivity (detection direction) of a detection for detecting a magnetic field in a specific direction (that is, a direction incident on the upper part of the hall sensor 10) as illustrated in FIG. It has a characteristic of outputting a weak voltage according to the magnitude. Therefore, in order to detect the X axis of the earth's magnetic field using the hall sensor 10, a process of standing the hall sensor 10 of FIG. 1 at 90 degrees as shown in FIG. 2A is required. At this time, if the hall sensor 10 is set to be out of 90 degrees, it causes an error of the sensor and generates an error of orientation. In addition, it is impossible to maintain 90 degrees accurately in the manufacturing process. And, the Hall sensor 10 made as shown in (b) of FIG. 2 is again divided into the X-axis and the Y-axis should be positioned to be 90 degrees to each other when the angle between the X-axis and the Y-axis deviates from 90 degrees also this orientation error Will result. In addition, it is impossible to maintain an exact 90 degrees in the manufacturing process. Therefore, when these two errors overlap, a considerably large azimuth error is generated, and a correction is also almost impossible, and it has a fatal defect that makes accurate azimuth measurement difficult as an azimuth sensor.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, X축 및 Y축으로 센서를 세우지 않고서도 3축 방향에 대한 센싱이 가능한 3축 홀 센서 및 그의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide a three-axis hall sensor and a manufacturing method thereof capable of sensing in three axis directions without setting the sensor in the X and Y axes. .

본 발명의 다른 목적은 미세 자계의 방향 및 크기를 보다 정확하게 측정할 수 있도록 한 3축 홀 센서 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a three-axis Hall sensor and a method of manufacturing the same that can more accurately measure the direction and size of the fine magnetic field.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 부품은, 기판; 상기 기판에 수평되게 형성되어 지자계를 유도하는 유도체; 및 상기 기판의 상면에서 상기 유도체의 상부에 설치되되, 상기 유도체의 형성 방향에 대해 수직의 지자계 감지 방향을 갖도록 설치된 적어도 3개의 홀 센서 칩을 포함한다.In order to achieve the above object, a semiconductor component according to an embodiment of the present invention includes a substrate; A derivative formed horizontally on the substrate to induce a geomagnetic field; And at least three Hall sensor chips installed on an upper surface of the derivative on an upper surface of the substrate and installed to have a geomagnetic field sensing direction perpendicular to a direction in which the derivative is formed.

그리고, 상기 기판은 절연성의 제 1기판 및 제 2기판으로 구성되고, 상기 제 1기판상에 상기 유도체가 패터닝되고 상기 유도체가 패터닝된 상기 제 1기판의 상 부에 상기 제 2기판이 적층된 것을 특징으로 한다.The substrate is formed of an insulating first substrate and a second substrate, and the derivative is patterned on the first substrate, and the second substrate is laminated on the first substrate on which the derivative is patterned. It features.

그리고, 상기 유도체는 십자 형상, 와이자 형상, 삼각 형상 중의 어느 한 형상으로 이루어진다.The derivative is made of any one of a cross shape, a Weiza shape, and a triangular shape.

그리고, 상기 적어도 3개의 홀 센서 칩은 동일 간격으로 상호 이격된다.The at least three Hall sensor chips are spaced apart from each other at equal intervals.

그리고, 상기 적어도 3개의 홀 센서 칩의 저면 중앙은 상기 유도체의 각각의 말단부 상면에 대향된다.The center of the bottom surface of the at least three Hall sensor chips is opposite to the upper surface of each end of the derivative.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 부품의 제조방법은, 제 1기판위에 외부 자기장을 유도하는 유도체를 형성하는 제 1과정; 상기 유도체가 형성된 제 1기판의 상면에 제 2기판을 적층하여 베이스 기판을 형성하는 제 2과정; 및 상기 베이스 기판의 상면에 적어도 3개의 홀 센서 칩을 설치하되, 상기 유도체의 형성 방향에 대해 수직의 지자계 감지 방향을 갖도록 상기 유도체의 상부에 설치하는 제 3과정을 포함한다.On the other hand, a method of manufacturing a semiconductor component according to an embodiment of the present invention, the first process of forming a derivative to induce an external magnetic field on the first substrate; A second process of forming a base substrate by stacking a second substrate on an upper surface of the first substrate on which the derivative is formed; And a third process of installing at least three Hall sensor chips on the upper surface of the base substrate, and installing the upper portion of the derivative so as to have a geomagnetic field sensing direction perpendicular to the direction of formation of the derivative.

여기서, 상기 제 1과정은 상기 유도체를 십자 형상, 와이자 형상, 삼각 형상 중의 어느 한 형상으로 한다.In the first step, the derivative may have any one of a cross shape, a Weiza shape, and a triangular shape.

그리고, 상기 제 3과정에서, 상기 적어도 3개의 홀 센서 칩을 동일 간격으로 상호 이격시킨다.In the third process, the at least three Hall sensor chips are spaced apart from each other at equal intervals.

그리고, 상기 제 3과정에서, 상기 적어도 3개의 홀 센서 칩의 저면 중앙을 상기 유도체의 각각의 말단부 상면에 대향되게 한다.In the third process, the center of the bottom surface of the at least three Hall sensor chips is opposite to the upper surface of each end of the derivative.

본 발명의 실시예를 설명하기 전에, 본 발명에 채용되는 자기유도 및 자기증폭에 대하여 먼저 설명한다. Before describing an embodiment of the present invention, magnetic induction and magnetic amplification employed in the present invention will first be described.

도 3과 같이 균일한 자기장 내에 고투자율의 자성체(20)가 놓여 있을 경우 자기 유도(B)는 하기의 식 1과 같이 정의되어 진다.When the high magnetic permeability magnetic body 20 is placed in a uniform magnetic field as shown in FIG. 3, magnetic induction B is defined as in Equation 1 below.

B = H + 4πM (식 1)     B = H + 4πM (Equation 1)

여기서, H는 순수하게 인가된 자기장의 세기이고, M은 인가된 자기장 하에 존재하는 물질(자성체(20))의 자기모멘트(magnetic moment)이다. 따라서, 일정한 자기장의 세기(H)하에서 자기 유도(B)는 자성체(20)의 자기모멘트 즉, 자기투자율(magnetic permeability)에 의존하게 된다. Here, H is the intensity of the purely applied magnetic field, and M is the magnetic moment of the material (magnetic body 20) existing under the applied magnetic field. Therefore, the magnetic induction B under the constant H of the magnetic field is dependent on the magnetic moment of the magnetic body 20, that is, magnetic permeability.

아울러, 도 3을 보면 자기장은 자성체(20)에 의하여 집속되어 방향이 자성체(20) 쪽으로 변형됨에 따라 자성체(20)의 양 끝단에서는 최대의 자속 왜곡이 나타나고 자속밀도(magnetic flux density)도 증가하게 되는 것을 알 수 있다. 일종의 자기 증폭이 이루어지게 된다. 여기서, 인가된 자기장과 자성체(20)의 투자율에 따른 자기 유도의 비(Magnetic gain : GM)를 하기의 식 2와 같이 정의할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 3, the magnetic field is focused by the magnetic body 20, and as the direction is deformed toward the magnetic body 20, the maximum magnetic flux distortion appears at both ends of the magnetic body 20 and the magnetic flux density also increases. It can be seen that. There is a kind of self-amplification. Herein, the magnetic gain ratio (G M ) according to the applied magnetic field and the magnetic permeability of the magnetic body 20 may be defined as in Equation 2 below.

GM = B/B0 (식 2)G M = B / B 0 (Equation 2)

여기서, B는 자성체(20)에 유도된 자기 유도이고, B0는 공기 중에서의 자기 유도이다. Here, B is magnetic induction induced in the magnetic body 20, B 0 is magnetic induction in the air.

따라서, 자기 유도의 비(GM)는 자성체(20)의 투자율과 비례하는 값이 되고 자기 증폭의 크기라고 할 수 있다. 자기 증폭은 자성체(20)의 위치와 두께(t) 대 길이(L)의 비로 정의되는 외형비(aspect ratio)에 따라 다르다. Therefore, the ratio G M of magnetic induction becomes a value proportional to the magnetic permeability of the magnetic body 20 and can be said to be the magnitude of magnetic amplification. Magnetic amplification depends on the aspect ratio defined by the position of the magnetic body 20 and the ratio of thickness t to length L.

도 3과 같은 구조에서 자성체(20)가 평평한 판상의 타원이라고 가정을 하면 이 타원의 장축 방향으로 자기장이 인가되었을 때 반자장 계수는 하기의 식 3과 같다.Assuming that the magnetic body 20 is a flat plate-shaped ellipse in the structure as shown in FIG. 3, the anti-magnetic field coefficient is given by Equation 3 below when a magnetic field is applied in the long axis direction of the ellipse.

Figure 112006063113116-pat00001
(식 3)
Figure 112006063113116-pat00001
(Equation 3)

여기서, L은 타원 장축의 길이이고, t는 자성체(20)의 두께이다. 반자장이 상기와 같이 표현될 때 자성체(20) 내부의 자기 유도(Bi)는 하기의 식 4와 같이 표현되어 진다.Where L is the length of the elliptic long axis and t is the thickness of the magnetic body 20. When the anti-magnetic field is expressed as described above, the magnetic induction B i in the magnetic body 20 is expressed as in Equation 4 below.

Figure 112006063113116-pat00002
(식 4)
Figure 112006063113116-pat00002
(Equation 4)

따라서, 타원의 자성체에 무한히 근접한 양 끝단의 표면에 자기 유도를 BS라고 한다면 BS ≒ Bi로 표현될 수 있고, 이때의 자기 증폭(GM)은 하기의 식 5와 같다.Thus, if the infinitely close to both ends of the magnetic material of the elliptical surface as the magnetic induction B S can be expressed in B B ≒ S i, wherein the self-amplification (G M) are shown in the following formula 5.

Figure 112006063113116-pat00003
(식 5)
Figure 112006063113116-pat00003
(Eq. 5)

따라서, 투자율이 일정한 자성체 양 끝단의 자기 증폭은 두께 대 길이의 비, t/L에 반비례하게 된다. 따라서, 두께에 비하여 길이가 무한히 길수록 자기 증폭은 증가하게 된다. Therefore, magnetic amplification at both ends of the magnetic material with a constant permeability becomes inversely proportional to the ratio of thickness to length, t / L. Therefore, as the length becomes infinitely longer than the thickness, the magnetic amplification increases.

이와 같이 본 발명은 상술한 이론을 바탕으로 구현된다.As described above, the present invention is implemented based on the above-described theory.

(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 부품 및 그의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a semiconductor component and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

이하의 설명에서, 홀 센서의 조합으로 이루어진 3축 센서는 상세한 설명 및 청구항에 기재된 3축 홀 센서의 일예이다. 본 발명의 보호범위는 이하에서 설명하는 기술적 사상을 적용할 수 있는 3축 홀 센서에 미친다. 홀 센서라 함은 페라이트 기판위에 홀 소자를 형성시키고 그 위에 다시 페라이트 요크를 설치하여 지자계를 집속하는 효과를 얻어 출력을 증폭시킨 형태의 홀 센서가 대표적일 수 있는데, 그 홀 센서 이외로 센서면의 수직 방향으로 자계를 측정하는 센서 또는 본 발명에서 제시한 형태와 다른 형태로 제조된 홀 센서 등이 채용되어도 된다. In the following description, a three-axis sensor made of a combination of hall sensors is an example of a three-axis hall sensor described in the detailed description and claims. The protection scope of the present invention extends to a three-axis hall sensor to which the technical idea described below can be applied. Hall sensors are typical of Hall sensors in which a Hall element is formed on a ferrite substrate and ferrite yokes are installed on it to focus the geomagnetic field, thereby amplifying the output. A sensor for measuring the magnetic field in the vertical direction of or a Hall sensor manufactured in a form different from the form suggested in the present invention may be employed.

도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 3축 홀 센서의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명의 3축 홀 센서의 홀 센서 칩에 대한 자속을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 도면이다. 특히, 도 5는 도 4에서 일부분을 단면처리한 도면으로서, 예를 들어 도 4의 (a)에서 유도체(28)의 좌측 말단부분을 단면처리한 것으로 이해하면 된다.4 and 5 are views for explaining the configuration of the three-axis Hall sensor according to an embodiment of the present invention, Figure 6 is a view showing the results of the simulation of the magnetic flux of the Hall sensor chip of the three-axis Hall sensor of the present invention to be. In particular, Figure 5 is a cross-sectional view of a portion in Figure 4, for example, it can be understood that the left end portion of the derivative 28 in Figure 4 (a).

본 발명의 3축 홀 센서는, 기판(26); 상기 기판(26)에 수평되게 형성되고 지 자계를 유도하는 유도체(28); 상기 기판(26)의 상면에서 상기 유도체(28)의 상부에 설치되되, 상기 지자계에 수평되게 설치되어, 상기 유도체(28)에 의해 수직 방향으로 유도되는 지자계를 감지하는 홀 센서 칩(30); 및 상기 홀 센서 칩(30)이 설치된 상기 기판(26)의 상면에 형성되는 몰딩부(32)를 포함한다.The triaxial hall sensor of the present invention includes a substrate 26; A derivative 28 formed horizontally on the substrate 26 and inducing a geomagnetic field; The Hall sensor chip 30 is installed above the derivative 28 on the upper surface of the substrate 26 and is installed horizontally on the geomagnetic field to detect the geomagnetic field induced in the vertical direction by the derivative 28. ); And a molding part 32 formed on an upper surface of the substrate 26 on which the hall sensor chip 30 is installed.

여기서, 상기 기판(26)은 절연체로 이루어진 제 1기판(22)과 제 2기판(24)으로 이루어진다. 본 발명의 실시예에서는 인쇄회로 기판을 상기 기판(26)으로 사용하게 되겠으나, 그 인쇄회로 기판으로 한정하지 않고 절연물질로 본 발명의 실시예와 같은 공정이 가능하면 어떠한 것이라도 좋다.Here, the substrate 26 is composed of a first substrate 22 and a second substrate 24 made of an insulator. In the embodiment of the present invention, a printed circuit board will be used as the substrate 26. However, the printed circuit board is not limited to the printed circuit board.

그 제 1기판(22)과 제 2기판(24) 사이에는 상기 유도체(28)가 설치된다.The derivative 28 is provided between the first substrate 22 and the second substrate 24.

상기 유도체(28)는 대략 1000 이상의 투자율을 갖는 고투자율 자성체로서, Co, Fe 또는 Ni 등이 포함된 비결정질, 퍼멀로이, 슈퍼멀로이 및 인바 등으로 이루어진 금속군으로부터 선택된 재료로 이루어진다.The derivative 28 is a high permeability magnetic material having a magnetic permeability of approximately 1000 or more, and is made of a material selected from a group of metals including amorphous, permalloy, supermalloy, invar, etc. containing Co, Fe, or Ni.

상기 유도체(28)는 도 4의 (a)와 같이 십자 형상이어도 되고, 도 4의 (b)와 같이 와이자 형상이어도 되며, 도 4의 (c)와 같이 삼각 형상이어도 된다. 물론, 그 유도체(28)의 형상은 도 4에 도시된 형상 이외의 형상(예컨대, 사각 형상 등)이어도 무방하다.The derivative 28 may have a cross shape as shown in Fig. 4A, a wise shape as shown in Fig. 4B, or may have a triangular shape as shown in Fig. 4C. Of course, the shape of the derivative | guide_body 28 may be shapes other than the shape shown in FIG. 4 (for example, square shape etc.).

예를 들어, 상기 유도체(28)가 도 4의 (a)처럼 십자 형상 또는 도 4의 (b)처럼 와이자 형상이면 상기 유도체(28)의 각각의 말단부(끝부분) 상면에 상기 홀 센서 칩(30)을 위치시킨다. 한편, 상기 유도체(28)가 도 4의 (c)처럼 삼각 형상이면 상기 유도체(28)의 각각의 모서리의 상면에 상기 홀 센서 칩(30)을 위치시킨다. 이 때, 상기 홀 센서 칩(30)의 위치를 정할 때 상기 유도체(28)의 각각의 말단부(끝부분) 상면 또는 모서리의 상면이 각각의 홀 센서 칩(30)의 저면 정가운데에 위치하도록 하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 홀 센서는 센서의 수직 방향으로 지나가는 자속의 밀도를 측정하는 센서이고, 본 발명은 홀 센서의 수평으로 지나가는 자속을 홀 센서의 수직 방향으로 유도하여 측정하는 것을 주요한 내용으로 하는 바, 상기 유도체(28)의 말단부 또는 모서리가 홀 센서의 정 가운데에 있을 때 수평으로 진행하는 자속이 홀 센서의 수직 방향으로 최대로 유도되기 때문이다.For example, when the derivative 28 has a cross shape as shown in FIG. 4A or a Weiza shape as shown in FIG. 4B, the Hall sensor chip is formed on the upper surface of each end portion of the derivative 28. Place (30). On the other hand, if the derivative 28 is a triangular shape as shown in (c) of FIG. 4, the Hall sensor chip 30 is positioned on the upper surface of each corner of the derivative (28). At this time, when determining the position of the Hall sensor chip 30, the upper surface of each end portion (end portion) or the corner of the derivative 28 is located at the bottom center of each Hall sensor chip 30. It is preferable. Because the Hall sensor is a sensor for measuring the density of the magnetic flux passing in the vertical direction of the sensor, the present invention is mainly directed to the measurement of the magnetic flux passing in the horizontal direction of the Hall sensor in the vertical direction of the Hall sensor, the derivative This is because the magnetic flux traveling horizontally is maximized in the vertical direction of the hall sensor when the distal end or corner of (28) is in the center of the hall sensor.

기존의 경우 X축과 Y축을 검지하기 위해서는 홀 센서를 평면에서 90도로 세워야 하는 공정이 필요하지만, 본 발명은 도 6과 같이 유도체(28)에 의하여 지자계를 유도하여 검지하는 방법을 채택함으로써 그 공정이 생략되어 그에 필요한 공정 및 오차가 없어진다. 그리고, 기존의 홀 센서와 같이 평면에서 90도로 세워진 센서를 다시 X축과 Y축을 직교하도록 위치시켜야 하는 공정도 생략되므로, 그 공정 오차에 따른 출력의 오차를 최소화할 수 있고, 공정 또한 간단하여 대량 생산이 상당히 용이해 지게 된다.Conventionally, in order to detect the X-axis and the Y-axis, a process in which the Hall sensor must be set at 90 degrees in the plane is required, but the present invention adopts a method of inducing and detecting a geomagnetic field by the derivative 28 as shown in FIG. The process is omitted so that the process and errors required for it are eliminated. In addition, since the process of positioning the sensor which is set at 90 degrees in the plane again as the orthogonal X-axis and the Y-axis like the conventional Hall sensor is omitted, the error of the output according to the process error can be minimized, and the process is also simple and bulky. The production becomes quite easy.

상기 유도체(28)의 상방으로 3개 또는 4개의 홀 센서 칩(30)이 설치된다. 예를 들어, 상기 유도체(28)가 십자 형상이면 4개의 홀 센서 칩(30)이 그 유도체(28)의 각각의 말단부(끝부분) 상면에 설치되고, 상기 유도체(28)가 와이자 형상 또는 삼각 형상이면 3개의 홀 센서 칩(30)이 그 유도체(28)의 각각의 말단부(끝부분) 또는 각각의 모서리의 상면에 설치된다.Three or four Hall sensor chips 30 are installed above the derivative 28. For example, if the derivative 28 has a cross shape, four Hall sensor chips 30 are provided on the upper surface of each end portion (end portion) of the derivative 28, and the derivative 28 has a Weiza shape or If it is triangular shape, three Hall sensor chips 30 are provided in the upper end of each end part (end part) or each edge of the derivative | guide_body 28. As shown in FIG.

상기와 같이 구성되는 본 발명의 반도체 부품을 제조하는 방법들은 다양할 수 있는데, 그 중의 한 방법을 설명하면 다음과 같다.Methods of manufacturing the semiconductor component of the present invention configured as described above may be various, one of which will be described as follows.

먼저, 절연체로 이루어진 제 1기판(22)상에 유도체(28)를 약 100 ~ 300℃의 핫 프레스(hot press)를 이용하여 약 5 ~ 100Kg/㎠ 으로 가압하여 약 30분에서 3시간 정도 압착한다. First, the derivative 28 is pressed onto the first substrate 22 made of an insulator at about 5 to 100 kg / cm 2 using a hot press of about 100 to 300 ° C., and then pressed for about 30 minutes to 3 hours. do.

이후, 이렇게 압착된 제 1기판(22)위의 유도체(28)를 에칭을 통하여 원하는 형상(예컨대, 십자 형상, 와이자 형상, 삼각 형상 등)으로 패터닝한다.Thereafter, the derivative 28 on the first substrate 22 thus compressed is patterned into a desired shape (eg, a cross shape, a Weiza shape, a triangular shape, etc.) through etching.

그리고, 그 위에 절연체로 이루어진 제 2기판(24)과 동박(도시 생략)을 차례로 약 100 ~ 300℃의 핫 프레스(hot press)를 이용하여 약 5 ~ 100Kg/㎠ 으로 가압하여 약 30분에서 3시간 정도 압착한다. 그리고, 그 제 2기판(24)위의 동박(도시 생략)은 에칭 및 드릴을 통하여 회로를 형성하고, Ni도금과 Au도금을 하여 기판(26) 제조를 마무리한다.Then, the second substrate 24 made of an insulator and the copper foil (not shown) were pressurized at about 5 to 100 Kg / cm 2 using a hot press of about 100 to 300 ° C. in sequence, and then, at about 30 minutes to 3 hours. Squeeze for about an hour. The copper foil (not shown) on the second substrate 24 forms a circuit through etching and drill, and finishes the production of the substrate 26 by Ni plating and Au plating.

마무리된 기판(26)에 홀 센서 칩(30)을 위치시킨다. 예를 들어, 상기 기판(26)내에 형성된 유도체(28)가 도 4의 (a)처럼 십자 형상 또는 도 4의 (b)처럼 와이자 형상이면 상기 유도체(28)의 각각의 말단부(끝부분) 상면에 상기 홀 센서 칩(30)의 저면 중앙이 대향되게 위치시킨다. 그리고, 상기 유도체(28)가 도 4의 (c)처럼 삼각 형상이면 상기 유도체(28)의 각각의 모서리의 상면에 상기 홀 센서 칩(30)의 저면 중앙이 대향되게 위치시킨다.The Hall sensor chip 30 is positioned on the finished substrate 26. For example, if the derivatives 28 formed in the substrate 26 are cross-shaped as shown in Fig. 4A or Wei-shaped as shown in Fig. 4B, each end portion (end) of the derivative 28 is formed. The center of the bottom surface of the Hall sensor chip 30 is positioned to face the top surface. In addition, when the derivative 28 is triangular as shown in FIG. 4C, the center of the bottom surface of the Hall sensor chip 30 is disposed to face the upper surface of each corner of the derivative 28.

그 이후에는, 상기 홀 센서 칩(30)에 대한 와이어 본딩을 실시하여 회로와 연결한 후 에폭시 몰딩을 하여 몰딩부(32)를 형성시킴으로써, 본 발명에서의 3축 홀 센서의 제조를 마무리한다.After that, the wire bonding to the Hall sensor chip 30 is performed to connect with a circuit, and then the molding unit 32 is formed by epoxy molding, thereby completing the manufacture of the 3-axis Hall sensor in the present invention.

일예로 설명한 상기의 제조방법에 의해 제조되는 본 발명의 3축 홀 센서는 3개의 홀 센서 칩(30)이 각각의 위치에 설치된다. 그 각각의 홀 센서 칩(30)은 지자계에 수평되게 설치되어 상기 유도체(28)에 의해 수직 방향으로 유도되는 지자계를 감지하여 출력하게 되는데, 그 출력되는 ha(X축), hb(Y축), 및 hc(Z축)에 대한 출력 파형은 도 7에 예시된 파형처럼 된다. 도 7에서, ha, hb, hc의 출력은 소정의 연산을 통하여 직교좌표계의 X, Y, Z축으로의 변환이 가능하다. In the triaxial Hall sensor of the present invention manufactured by the above-described manufacturing method as an example, three Hall sensor chips 30 are provided at respective positions. The Hall sensor chip 30 is installed horizontally in the geomagnetic field to detect and output the geomagnetic field induced in the vertical direction by the derivative 28, the output ha (X axis), hb (Y Axis), and the output waveform for hc (Z axis) becomes like the waveform illustrated in FIG. In FIG. 7, the outputs of ha, hb, and hc can be converted into the X, Y, and Z axes of the rectangular coordinate system through a predetermined calculation.

그리고, 본 발명의 3축 홀 센서내에는 도 7과 같은 ha, hb, hc의 출력 파형으로부터 각도정보(즉, 방위정보)를 추출해 낼 수 있는 마이컴(도시 생략)과 같은 프로세서가 내장되어 있다. 물론, 그 마이컴은 외장되어 있어도 무방하다. 그 마이컴에서의 연산에 의해 직교좌표계의 3축 정보를 추출해 내는 것이 가능하게 된다.In the three-axis hall sensor of the present invention, a processor such as a microcomputer (not shown) capable of extracting angle information (that is, orientation information) from the output waveforms of ha, hb, and hc as shown in FIG. Of course, the microcomputer may be external. By the operation at the microcomputer, it is possible to extract three-axis information of the rectangular coordinate system.

상술한 본 발명의 반도체 부품은 유도체(28)의 형상 즉, 십자 형상, 와이자 형상, 삼각 형상의 형태에 따라 다음과 같은 각기 다른 간단한 연산으로 직교좌표계의 3축 정보를 추출해 내는 것이 가능하며, 그들의 상관관계는 도 8과 같다. 상관관계에 사용되어진 수식은 다음과 같다.According to the semiconductor component of the present invention described above, it is possible to extract three-axis information of the Cartesian coordinate system by different simple calculations according to the shape of the derivative 28, that is, the cross shape, the Weiza shape, and the triangular shape. Their correlation is shown in FIG. The equation used for correlation is

십자형의 경우는, 아주 단순한 대수적 연산을 통해서 하기의 식 6과 같이 고정좌표계의 값이 충분히 추출가능하다.In the case of the cross type, the value of the fixed coordinate system can be sufficiently extracted as shown in Equation 6 below through a very simple algebraic operation.

Figure 112006063113116-pat00004
(식 6)
Figure 112006063113116-pat00004
(Equation 6)

여기서, X1out와 X2out는 서로 마주보고 있는 한 쌍의 홀 센서 칩의 출력이고, Y1out와 Y2out는 나머지 90도의 각도로 정렬되어 있는 다른 한 쌍의 홀 센서 칩의 출력이다. Here, X1 out and X2 out are outputs of a pair of Hall sensor chips facing each other, and Y1 out and Y2 out are outputs of another pair of Hall sensor chips aligned at the remaining 90 degrees.

Y자형의 경우는, 복잡한 방정식으로 이루어지나, 이는 하기의 식 7과 같이 간단한 식으로 변환이 가능하다. 도 9와 같이 축 X 와 A를 일치시키고, 벡터 H를 정의하면 <A,B,C> 평면상에서 In the case of the Y-shape, it is composed of a complex equation, but it can be converted into a simple equation as shown in Equation 7 below. As shown in FIG. 9, if the axes X and A coincide and the vector H is defined,

Figure 112006063113116-pat00005
(식 7)
Figure 112006063113116-pat00005
(Eq. 7)

이 된다. 여기서, ha, hb, hc는 와이자 형상 또는 삼각 형상의 유도체를 갖춘 3축 홀 센서의 각 축의 출력 크기를 나타내며

Figure 112006063113116-pat00006
,
Figure 112006063113116-pat00007
,
Figure 112006063113116-pat00008
는 각 축을 나타내는 단위벡터이다. 이를 balanced three phase로 가정하면 하기의 식 8과 같이 된다. Becomes Here, ha, hb, hc represent the output magnitude of each axis of the 3-axis Hall sensor with a Wei-shaped or triangular derivative
Figure 112006063113116-pat00006
,
Figure 112006063113116-pat00007
,
Figure 112006063113116-pat00008
Is a unit vector representing each axis. Assuming this is a balanced three phase, Equation 8 is given below.

Figure 112006063113116-pat00009
(식 8)
Figure 112006063113116-pat00009
(Eq. 8)

복소수평면상에서 벡터 ht는 하기의 식 9와 같은 형태로 표현되고,On the complex horizontal plane, the vector ht is expressed in the form as shown in Equation 9 below.

Figure 112006063113116-pat00010
(식 9)
Figure 112006063113116-pat00010
(Eq. 9)

여기서, here,

Figure 112006063113116-pat00011
(식 10)
Figure 112006063113116-pat00011
(Eq. 10)

이 된다. Becomes

이를 직교좌표 시스템으로 변환하면, x와 y의 직교좌표축을 사용하였을 경우

Figure 112006063113116-pat00012
= hx ,
Figure 112006063113116-pat00013
= hy가 가능하다. If we convert this to Cartesian coordinate system, if we use Cartesian axes of x and y
Figure 112006063113116-pat00012
= hx,
Figure 112006063113116-pat00013
= hy is possible

또한, 상기의 식 8을 식 10에 합성하게 되면 하기의 식 11이 된다.In addition, when said Formula 8 is synthesize | combined with Formula 10, it will become following formula 11.

Figure 112006063113116-pat00014
(식 11)
Figure 112006063113116-pat00014
(Eq. 11)

여기에서, hx = ha 이어야 하므로 결과적으로 K = 2/3 이다.Here, hx = ha, so K = 2/3.

따라서, 상기의 식 10은 하기의 식 12와 같이 된다.Therefore, said Formula 10 becomes like following Formula 12.

Figure 112006063113116-pat00015
(식 12)
Figure 112006063113116-pat00015
(Eq. 12)

만약, balanced three phase 아닌 경우, 즉If it is not balanced three phase,

Figure 112006063113116-pat00016
로 정의한다면 (여기서
Figure 112006063113116-pat00017
는 불균형을 나타내는 벡터임) 하기의 식 13과 같이 된다.
Figure 112006063113116-pat00016
If you define as (where
Figure 112006063113116-pat00017
Is a vector representing an imbalance).

Figure 112006063113116-pat00018
(식 13)
Figure 112006063113116-pat00018
(Eq. 13)

식 13에서,

Figure 112006063113116-pat00019
,
Figure 112006063113116-pat00020
,
Figure 112006063113116-pat00021
은 수평면상에 투영된 Y형 또는 삼각형 a,b,c축의 투영벡터이다. 상기의 식 13에 의하여 x, y, z의 3축 직교좌표계로 환산된 각 벡터의 값들은 하기의 식 14와 같이 변경되어진다.In equation 13,
Figure 112006063113116-pat00019
,
Figure 112006063113116-pat00020
,
Figure 112006063113116-pat00021
Is the projection vector of the Y or triangle a, b, and c axes projected on the horizontal plane. According to Equation 13, values of each vector converted into three-axis rectangular coordinate systems of x, y, and z are changed as shown in Equation 14 below.

Figure 112006063113116-pat00022
(식 14)
Figure 112006063113116-pat00022
(Eq. 14)

결과적으로, 직교좌표계 3축의 값은 간단한 대수연산으로 구해진다. As a result, the values of the three axes of the rectangular coordinate system are obtained by simple algebraic operations.

그리고, hz는 유도체(28)가 삼각 형상의 경우 역시 와이자 형상과 같은 특성을 지니며, 구하는 식 역시 동일하다.In addition, hz is a trigonal shape of the derivative 28 also has the same characteristics as the Weiza shape, the equation to obtain is also the same.

상술한 본 발명의 실시예는 도 10의 플로우차트에 기재된 알고리즘을 통하여 그 값을 각도정보로 변환, 그 성능을 입증할 수 있다. 그 알고리즘의 핵심은 상술한 간단한 대수적 연산을 하는 부분에 있으며, 이를 위한 전처리 연산으로 옵셋 및 스케일을 맞추어 주는 공정이 필요하다. 전처리 연산은 초기 일정시간 3축 홀 센서의 출력을 받아들임으로써 충분히 연산 가능하며, 이를 토대로 이후 전처리 연산이 없이도 방위 연산으로 직접 구동하는 것이 가능하다. The above-described embodiment of the present invention can convert the value into angular information and prove its performance through the algorithm described in the flowchart of FIG. 10. The core of the algorithm is in the simple algebraic operation described above, and a process for adjusting the offset and scale is required as a preprocessing operation. The preprocessing operation can be sufficiently computed by accepting the output of the 3-axis Hall sensor at an initial constant time. Based on this, the preprocessing operation can be directly driven by the azimuth operation without the preprocessing operation.

다시 말해서, 유도체(28)를 와이자 형상인 것으로 가정하고, 3축 홀 센서의 출력을 마이컴(도시 생략)에서 연산하여 각도정보를 추출해 내는 것으로 가정하고 설명하면 다음과 같다. 먼저, 3축 홀 센서의 출력 크기 Ha, Hb, Hc는 도 7과 같은 파형으로 나타난다(S10). 마이컴에서는 그 출력값에 대한 오프셋 및 이득(gain)을 보정한다(S12). 그리고 나서, 그 마이컴은 오프셋 및 이득이 보정된 ha, hb, hc의 출력값을 직교좌표계의 값으로 환산한다(S14). 그 후, 그 마이컴은 환산된 직교좌표계의 값에 대하여 오프셋 및 이득을 재차 조정한 후에 각도 추정 역변환을 실시하여 각도정보를 얻게 된다(S16, S18). 최종적으로, 마이컴은 그 얻어진 각도정보를 디스플레이한다(S20). 그 각도정보를 디스플레이하기 위해서 3축 홀 센서는 표시부를 구비할 수도 있고, 외부의 표시부에 그 각도정보를 보내어 표시되게 할 수도 있다. 그 표시부에 대한 사항은 당업자라면 누구라도 쉽게 알 수 있는 사항이라 상세히 설명하지 않는다.In other words, it is assumed that the derivative 28 is in a Wei-shape, and it is assumed that the angle information is extracted by calculating the output of the 3-axis Hall sensor in a microcomputer (not shown). First, the output size Ha, Hb, Hc of the three-axis Hall sensor is represented by the waveform as shown in Figure 7 (S10). The microcomputer corrects the offset and the gain with respect to the output value (S12). Then, the microcomputer converts the output values of ha, hb and hc whose offset and gain are corrected into the values of the rectangular coordinate system (S14). After that, the microcomputer re-adjusts the offset and gain with respect to the value of the converted Cartesian coordinate system, and then performs angle estimation inverse transformation to obtain angle information (S16 and S18). Finally, the microcomputer displays the obtained angle information (S20). In order to display the angle information, the three-axis hall sensor may be provided with a display unit, or may be sent to the external display unit to display the angle information. Matters related to the display unit are easily understood by those skilled in the art and will not be described in detail.

도 11의 (a)는 와이자 형태로 제작한 3축 홀 센서의 출력을 나타내는 그래프이고, 도 11의 (b)는 그 3축 홀 센서의 출력(도 11의 (a))을 마이컴을 이용하여 직교좌표계로 변환한 그래프이다. 각도정보의 오차는 최대 5도 이내의 양호함을 보이며, 이는 기존에 나와 있는 3축 홀 센서들과 비교하여 전혀 손색이 없거나 동등한 레벨의 성능으로써 충분히 실제 제품의 개발 및 양산이 가능하다.FIG. 11A is a graph showing the output of a three-axis hall sensor manufactured in a wiser form, and FIG. 11B is a microcomputer using the output (FIG. 11A) of the three-axis hall sensor. Graph converted to Cartesian coordinate system. The error of the angular information is shown to be good within a maximum of 5 degrees, which is comparable to the existing three-axis Hall sensors, or at the same level of performance, it is possible to fully develop and mass produce the actual product.

한편, 본 발명은 상술한 실시예로만 한정되는 것이 아니라 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 수정 및 변형하여 실시할 수 있고, 그러한 수정 및 변형 이 가해진 기술사상 역시 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.On the other hand, the present invention is not limited only to the above-described embodiments and can be carried out by modifications and variations within the scope not departing from the gist of the present invention, and the technical spirit to which such modifications and variations are applied also belongs to the following claims. Must see

이상 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, X축 및 Y축으로 홀 센서를 세우지 않고 수평상태로 설치하고서도 3축 방향에 대한 센싱이 가능하므로 종래의 방식에 비해 훨씬 간단한 방법으로 제작이 가능하게 된다.As described in detail above, according to the present invention, it is possible to manufacture in a much simpler method than the conventional method because the sensing in the three-axis direction can be installed even in the horizontal state without setting the hall sensor in the X-axis and Y-axis.

그리고, 3축 홀 센서의 출력 또한 극대화되며 미세 자계의 방향 및 크기를 보다 정확하게 측정할 수 있게 되는 효과가 있다.In addition, the output of the three-axis Hall sensor is also maximized, it is possible to more accurately measure the direction and size of the fine magnetic field.

Claims (9)

삭제delete 삭제delete 절연성의 제 1기판 및 제 2기판으로 구성된 기판;A substrate composed of an insulating first substrate and a second substrate; 상기 기판에 수평되게 와이자 형상 또는 삼각 형상으로 형성되어 지자계를 유도하는 유도체; 및A derivative formed in a Wei-shaped or triangular shape horizontally on the substrate to induce a geomagnetic field; And 상기 기판의 상면에서 상기 유도체의 상부에 상호 비대칭되게 설치되되, 상기 유도체의 형성 방향에 대해 수직의 지자계 감지 방향을 갖도록 설치된 3개의 홀 센서 칩을 포함하고,It is installed on the upper surface of the substrate asymmetrically on top of the derivative, including three Hall sensor chips installed to have a direction of detecting the earth magnetic field perpendicular to the direction of formation of the derivative, 상기 제 1기판상에 상기 유도체가 패터닝되고 상기 유도체가 패터닝된 상기 제 1기판의 상부에 상기 제 2기판이 적층된 것을 특징으로 하는 3축 홀 센서. 3. The triaxial hall sensor of claim 1, wherein the derivative is patterned on the first substrate, and the second substrate is stacked on the first substrate on which the derivative is patterned . 삭제delete 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 3개의 홀 센서 칩의 저면 중앙은 상기 유도체의 각각의 말단부 상면에 대향되는 것을 특징으로 하는 3축 홀 센서.The center of the bottom surface of the three Hall sensor chips is opposed to the upper surface of each end of the derivative. 삭제delete 제 1기판위에 외부 자기장을 유도하는 유도체를 와이자 형상 또는 삼각 형상으로 형성하는 제 1과정;Forming a derivative which induces an external magnetic field on the first substrate in a Wei-shaped or triangular shape; 상기 유도체가 형성된 제 1기판의 상면에 제 2기판을 적층하여 베이스 기판을 형성하는 제 2과정; 및A second process of forming a base substrate by stacking a second substrate on an upper surface of the first substrate on which the derivative is formed; And 상기 베이스 기판의 상면에 3개의 홀 센서 칩을 상호 비대칭되게 설치하되, 상기 유도체의 형성 방향에 대해 수직의 지자계 감지 방향을 갖도록 상기 유도체의 상부에 설치하는 제 3과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 3축 홀 센서의 제조방법. And a third process of installing three Hall sensor chips asymmetrically on the upper surface of the base substrate, and installing the upper part of the derivative so as to have a magnetic field sensing direction perpendicular to the direction of formation of the derivative. Method of manufacturing 3-axis Hall sensor. 삭제delete 청구항 7에 있어서,The method according to claim 7, 상기 제 3과정에서, 상기 3개의 홀 센서 칩의 저면 중앙을 상기 유도체의 각각의 말단부 상면에 대향되게 하는 것을 특징으로 하는 3축 홀 센서의 제조방법.In the third process, the center of the bottom surface of the three Hall sensor chip to face the upper surface of each end portion of the derivative.
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