JP5240657B2 - Sensing element, sensing device, orientation detection device, and information device - Google Patents

Sensing element, sensing device, orientation detection device, and information device Download PDF

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Description

本発明は、センシング素子、センシング装置、方位検出装置及び情報機器に係り、更に詳しくは、複数の磁気センサを有するセンシング素子、該センシング素子を備えるセンシング装置、方位検出装置、及び情報機器に関する。   The present invention relates to a sensing element, a sensing device, an orientation detection device, and an information device, and more particularly to a sensing element having a plurality of magnetic sensors, a sensing device including the sensing element, an orientation detection device, and an information device.

近年、携帯端末の高機能化、高性能化が進展し、地図情報を元に、所望の位置に誘導するいわゆるナビゲーション機能を搭載した携帯電話も急速に普及しつつある。このようなアプリケーションでは、地磁気情報を有効に活用することにより、利便性が飛躍的に向上する。   In recent years, mobile terminals have been improved in functionality and performance, and mobile phones equipped with a so-called navigation function for guiding to a desired position based on map information are also rapidly spreading. In such an application, the convenience is dramatically improved by effectively using geomagnetic information.

また、この場合に、姿勢検知のために3軸の加速度センサを組み合わせることにより、さらに正確な情報の活用と、利便性の飛躍的な向上が図られる。   Further, in this case, by combining a triaxial acceleration sensor for posture detection, more accurate information can be utilized and convenience can be dramatically improved.

地磁気はベクトル量であり、その強度は、一般に0.3〜0.5Oe(エルステッド)と言われており非常に弱いものである。このように非常に弱い強度の地磁気を高精度に検知するために、検出素子の特性向上が図られた。   Geomagnetism is a vector quantity, and its strength is generally said to be 0.3 to 0.5 Oe (Oersted) and is very weak. Thus, in order to detect the geomagnetism of very weak intensity with high accuracy, the characteristics of the detection element were improved.

地磁気は地球上の両磁極から発生する磁力線によるものであるために、平面ではない地球上でこの地磁気を検知する場合には、水平面のみの情報(2次元情報)では不十分である。従って、地磁気に関する情報を有効に活用するためには、地磁気の情報を3次元で検知する必要がある。   Since geomagnetism is due to magnetic field lines generated from both magnetic poles on the earth, when detecting this geomagnetism on the earth that is not a plane, information only on the horizontal plane (two-dimensional information) is insufficient. Therefore, in order to effectively use information relating to geomagnetism, it is necessary to detect geomagnetism information in three dimensions.

例えば、特許文献1には、基板上に固定された第1X軸GMR素子〜第4X軸GMR素子と、基板上に移動可能に支持された可動コイルとを備え、検出素子として磁気検出素子のみを用いて外部磁界及び加速度等を測定できるセンサが開示されている。   For example, Patent Document 1 includes a first X-axis GMR element to a fourth X-axis GMR element fixed on a substrate, and a movable coil movably supported on the substrate, and only a magnetic detection element is used as a detection element. A sensor that can be used to measure an external magnetic field, acceleration, and the like is disclosed.

また、特許文献2には、板バネと、検出方向の加速度と逆方向に変位するように、板バネに支持された検出用磁石と、検出用磁石が発生する磁界を検出する磁界検出素子からなる磁気式加速度センサが開示されている。   Patent Document 2 discloses a leaf spring, a detection magnet supported by the leaf spring so as to be displaced in the direction opposite to the acceleration in the detection direction, and a magnetic field detection element that detects a magnetic field generated by the detection magnet. A magnetic acceleration sensor is disclosed.

また、特許文献3及び特許文献4には、地磁気を検出する少なくとも3軸の磁気センサと、重力加速度を検出する2軸以上の加速度センサと、磁気センサからの出力信号及び加速度センサからの出力信号を処理する信号処理部とを備えた集積化方位センサが開示されている。   Patent Document 3 and Patent Document 4 disclose at least a triaxial magnetic sensor for detecting geomagnetism, a biaxial or higher acceleration sensor for detecting gravitational acceleration, an output signal from the magnetic sensor, and an output signal from the acceleration sensor. An integrated azimuth sensor including a signal processing unit that processes the above is disclosed.

特開2006−98078号公報JP 2006-98078 A 特開2006−317184号公報JP 2006-317184 A 特許第3928775号公報Japanese Patent No. 3928775 特許第3982611号公報Japanese Patent No. 3982611

最近、携帯端末は、高機能化及び高性能化だけでなく、小型化の要求も高まっている。そこで、携帯端末に搭載される方位検出装置も小型化する必要がある。   Recently, not only high performance and high performance of mobile terminals, but also the demand for miniaturization is increasing. Therefore, it is necessary to miniaturize the orientation detection device mounted on the portable terminal.

しかしながら、特許文献1に開示されているセンサでは、加速度と地磁気の両方の物理量を同時に検知することができないという不都合があった。また、特許文献1に開示されているセンサでは、可動コイルに電流を流す必要があるため、省エネルギを図ることができないという不都合があった。さらに、可動コイルに電流を流す/流さないを制御するための制御ユニットも必要となることから、回路も複雑となり、部品点数の増加やコストの上昇などを招くという不都合があった。   However, the sensor disclosed in Patent Document 1 has a disadvantage in that it cannot simultaneously detect both physical quantities of acceleration and geomagnetism. In addition, the sensor disclosed in Patent Document 1 has a disadvantage that it is not possible to save energy because it is necessary to pass a current through the movable coil. In addition, since a control unit for controlling whether or not to allow current to flow through the movable coil is required, the circuit becomes complicated, resulting in an increase in the number of parts and an increase in cost.

また、特許文献2に開示されている磁気式加速度センサでは、磁気回路や磁気センサなどをすべて実装技術を利用して組み立てているために、小型化には限界があった。   In addition, the magnetic acceleration sensor disclosed in Patent Document 2 is limited in size reduction because all magnetic circuits, magnetic sensors, and the like are assembled using mounting technology.

また、特許文献3及び4に開示されている集積化方位センサでは、加速度を検知するための応力検知素子と磁気情報を得るための磁気センサとが必要であり、結局二つの物理量を検知するのに、2種類の検知デバイスが必要である。そこで、それぞれを形成するための製造工程が必要になり、製造コストが上昇するという不都合があった。   In addition, the integrated azimuth sensors disclosed in Patent Documents 3 and 4 require a stress detection element for detecting acceleration and a magnetic sensor for obtaining magnetic information. Eventually, two physical quantities are detected. In addition, two types of detection devices are required. Therefore, a manufacturing process for forming each of them is required, and there is a disadvantage that the manufacturing cost increases.

本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第1の目的は、高コスト化を招くことなく、小型で高い信頼性を有し、加速度及び地磁気を同時に検出することができるセンシング素子を提供することにある。   The present invention has been made under such circumstances, and a first object of the present invention is to provide a sensing element capable of detecting acceleration and geomagnetism at the same time, having a small size and high reliability without incurring an increase in cost. Is to provide.

また、本発明の第2の目的は、高コスト化を招くことなく、小型で、精度良く3軸方向に関する加速度及び3軸方向に関する地磁気を同時に検出することができるセンシング装置を提供することにある。   A second object of the present invention is to provide a sensing device that can simultaneously detect the acceleration in the three-axis direction and the geomagnetism in the three-axis direction with high accuracy without causing an increase in cost. .

また、本発明の第3の目的は、高コスト化を招くことなく、小型で、精度良く方位を検出することができる方位検出装置を提供することにある。   A third object of the present invention is to provide an azimuth detecting device that can detect the azimuth with a small size and high accuracy without increasing the cost.

また、本発明の第4の目的は、高コスト化を招くことなく、小型で、ユーザの要求に最適な情報を得ることができる情報機器を提供することにある。   A fourth object of the present invention is to provide an information device that is small in size and can obtain information optimal for a user's request without incurring an increase in cost.

本発明は、第1の観点からすると、加速度によって変位する錘部と、外力によって可動する少なくとも1つの可動部とを有し、前記錘部に形成された少なくとも1つの磁気発生部材と、該磁気発生部材からの磁気を検出するための複数の磁気センサと、前記少なくとも1つの可動部を含む複数の位置に形成され3軸方向に関する地磁気を検出するための複数の磁気センサとが形成されたセンサ基板と;前記センサ基板をカバーするとともに、機械的な力を作用させて前記少なくとも1つの可動部を、該可動部以外に対して傾斜させるカバー部材と;を備えるセンシング素子である。   From a first aspect, the present invention has a weight portion that is displaced by acceleration and at least one movable portion that is movable by an external force, and at least one magnetism generating member formed on the weight portion, A sensor in which a plurality of magnetic sensors for detecting magnetism from a generating member and a plurality of magnetic sensors for detecting geomagnetism in three axial directions formed at a plurality of positions including the at least one movable part are formed. A sensing element comprising: a substrate; and a cover member that covers the sensor substrate and causes the mechanical force to act to incline the at least one movable part with respect to other than the movable part.

これによれば、高コスト化を招くことなく、小型で高い信頼性を有し、加速度及び地磁気を同時に検出することが可能となる。   According to this, it is possible to detect acceleration and geomagnetism at the same time with a small size and high reliability without increasing the cost.

本発明は、第2の観点からすると、本発明のセンシング素子と;前記センシング素子における複数の磁気センサの出力信号、及び前記センサ素子における前記少なくとも1つの可動部の傾斜角に基づいて、3軸方向に関する加速度情報及び3軸方向に関する地磁気情報をそれぞれ求める演算装置と;を備えるセンシング装置である。   According to a second aspect, the present invention provides a sensing element according to the present invention; based on output signals of a plurality of magnetic sensors in the sensing element and an inclination angle of the at least one movable part in the sensor element; An arithmetic device that obtains acceleration information related to a direction and geomagnetic information related to a triaxial direction, respectively.

これによれば、本発明のセンシング素子を有しているため、高コスト化を招くことなく、小型で、精度良く3軸方向に関する加速度及び3軸方向に関する地磁気を同時に検出することが可能となる。   According to this, since the sensing element of the present invention is provided, it is possible to simultaneously detect the acceleration in the three-axis direction and the geomagnetism in the three-axis direction with a small size and high accuracy without causing an increase in cost. .

本発明は、第3の観点からすると、本発明のセンシング装置と;前記センシング装置からの3軸方向に関する加速度情報と3軸方向に関する地磁気情報に基づいて、方位情報を求める方位取得装置と;を備える方位検出装置である。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a sensing device according to the present invention; an azimuth acquisition device that obtains azimuth information based on acceleration information related to the triaxial direction from the sensing device and geomagnetic information related to the triaxial direction. It is an azimuth detecting device provided.

これによれば、本発明のセンシング装置を備えているため、結果として、高コスト化を招くことなく、小型で、精度良く方位を検出することが可能となる。   According to this, since the sensing device of the present invention is provided, as a result, it is possible to detect the orientation with a small size and high accuracy without causing an increase in cost.

本発明は、第4の観点からすると、位置情報を取得する位置検出装置と;本発明の方位検出装置と;前記方位検出装置からの方位情報と前記位置検出装置からの位置情報に基づいて、情報を取得する情報取得装置と;を備える情報機器である。   From a fourth aspect, the present invention is based on a position detection device that acquires position information; an azimuth detection device of the present invention; azimuth information from the azimuth detection device and position information from the position detection device, And an information acquisition device for acquiring information.

これによれば、本発明の方位検出装置を備えているため、結果として、高コスト化を招くことなく、小型で、ユーザの要求に最適な情報を得ることが可能となる。   According to this, since the azimuth detecting device of the present invention is provided, as a result, it is possible to obtain information that is small and optimal for the user's request without increasing the cost.

以下、本発明の一実施形態を図1〜図25に基づいて説明する。図1には、一実施形態に係る情報機器としての携帯電話10の外観が示されている。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows an appearance of a mobile phone 10 as an information device according to an embodiment.

この携帯電話10は、一例として図2に示されるように、キー入力装置11、表示装置12、メモリ13、無線回路14、アンテナ15、スピーカ16、マイク17、カメラモジュール18、インターフェース(IF)19、方位検出装置20、位置検出装置21、電源装置23、及び主制御装置22などを備えている。   As shown in FIG. 2 as an example, the cellular phone 10 includes a key input device 11, a display device 12, a memory 13, a wireless circuit 14, an antenna 15, a speaker 16, a microphone 17, a camera module 18, and an interface (IF) 19. , Orientation detection device 20, position detection device 21, power supply device 23, main control device 22, and the like.

キー入力装置11は、ユーザがデータを入力したり、携帯電話10に対する指示内容を選択したりするのに用いられ、テンキーや各種ファンクションキーなどを有している。ここで入力されたキー情報は主制御装置22に通知される。なお、キーとしては、ハードウェアキー、ソフトウェアキーのいずれであっても良いし、それらが併用されても良い。   The key input device 11 is used for a user to input data or to select an instruction content for the mobile phone 10, and includes a numeric keypad and various function keys. The key information input here is notified to the main controller 22. The key may be either a hardware key or a software key, or may be used in combination.

表示装置12は、ユーザへの各種メッセージやユーザが入力した各種情報などを表示する。また、表示装置12は、各種アプリケーション及びカメラモジュール18での表示手段としても用いられる。   The display device 12 displays various messages to the user and various information input by the user. The display device 12 is also used as various applications and display means in the camera module 18.

メモリ13は、複数種類の記憶媒体を有し、それぞれに適した各種データが格納される。   The memory 13 has a plurality of types of storage media and stores various data suitable for each.

無線回路14は、アンテナ15を介して、外部との双方向の無線通信を制御する。なお、音声データだけではなく、文字データや画像データも、通信データとして送受信することが可能である。さらに、GPS(Global Positioning System)信号も受信することができる。   The wireless circuit 14 controls bidirectional wireless communication with the outside via the antenna 15. Note that not only audio data but also character data and image data can be transmitted and received as communication data. Furthermore, a GPS (Global Positioning System) signal can also be received.

スピーカ16は、音声データや音楽データなどを音に変換して出力する。   The speaker 16 converts audio data, music data, etc. into sound and outputs the sound.

マイク17は、入力される音を電気信号に変換する。   The microphone 17 converts input sound into an electric signal.

カメラモジュール18は、画像を撮像する。   The camera module 18 captures an image.

インターフェース(IF)19は、複数種類のインターフェースドライバを有し、外部機器(例えば、メモリチップ、USB機器など)との双方向のデータ通信を制御する。   The interface (IF) 19 has a plurality of types of interface drivers, and controls bidirectional data communication with an external device (for example, a memory chip, a USB device, etc.).

方位検出装置20は、携帯電話10の長手方向が向いている方位情報を取得し、主制御装置22に通知する。この方位検出装置20の構成については後述する。   The azimuth detecting device 20 acquires azimuth information in which the longitudinal direction of the mobile phone 10 is oriented and notifies the main control device 22 of the azimuth information. The configuration of the azimuth detecting device 20 will be described later.

位置検出装置21は、GPS信号に基づいて携帯電話10の位置情報を取得する。   The position detection device 21 acquires position information of the mobile phone 10 based on the GPS signal.

電源装置23は、各部に電力を供給する。   The power supply device 23 supplies power to each unit.

主制御装置22は、CPU、ROM、及びRAMを有し、携帯電話10の全体を制御する。   The main control device 22 has a CPU, a ROM, and a RAM, and controls the entire mobile phone 10.

ここで、前記方位検出装置20について説明する。この方位検出装置20は、一例として図3に示されるように、センシング装置120及び方位情報変換装置130を有している。   Here, the azimuth detecting device 20 will be described. As shown in FIG. 3 as an example, the azimuth detecting device 20 includes a sensing device 120 and an azimuth information converting device 130.

センシング装置120は、センシング素子121と演算装置122を有し、3軸方向に関する地磁気データ及び3軸方向に関する加速度データを出力する。   The sensing device 120 includes a sensing element 121 and an arithmetic device 122, and outputs geomagnetic data about the triaxial direction and acceleration data about the triaxial direction.

このセンシング素子121は、一例として図4(A)及び図4(B)に示されるように、センサ基板121A、センサ基板121Aをカバーするカバー部材121B、センサ基板121Aを支持する支持部材121Cを有している。なお、本明細書では、XYZ3次元直交座標系において、センサ基板121Aの表面に垂直な方向をZ軸方向として説明する。   As shown in FIG. 4A and FIG. 4B as an example, the sensing element 121 includes a sensor substrate 121A, a cover member 121B that covers the sensor substrate 121A, and a support member 121C that supports the sensor substrate 121A. doing. In this specification, in the XYZ three-dimensional orthogonal coordinate system, the direction perpendicular to the surface of the sensor substrate 121A is described as the Z-axis direction.

ここでは、カバー部材121Bは、センサ基板121Aの+Z側の面をカバーしている。そして、支持部材121Cは、センサ基板121Aの−Z側の面を介してセンサ基板121Aを支持している。   Here, the cover member 121B covers the + Z side surface of the sensor substrate 121A. The support member 121C supports the sensor substrate 121A via the -Z side surface of the sensor substrate 121A.

また、カバー部材121Bとセンサ基板121A、及び支持部材121Cとセンサ基板121Aは、接着剤によって接着されている。なお、それらは、いわゆる陽極接合によって接合されても良い。   Further, the cover member 121B and the sensor substrate 121A, and the support member 121C and the sensor substrate 121A are bonded with an adhesive. Note that they may be joined by so-called anodic bonding.

センサ基板121Aは、一例として図5に示されるように、基板201を有し、地磁気を検出するための領域(以下では、「地磁気検出領域」という)201mと、加速度を検出するための領域(以下では、「加速度検出領域」という)201sが設けられている。   As shown in FIG. 5 as an example, the sensor substrate 121A includes a substrate 201, an area for detecting geomagnetism (hereinafter referred to as “geomagnetic detection area”) 201m, and an area for detecting acceleration ( In the following, 201s) (referred to as “acceleration detection region”) is provided.

地磁気検出領域201mには、図6に示されるように、TMR素子121、TMR素子121、TMR素子121、複数の電極パッド202、及び複数の配線203が形成されている。 As shown in FIG. 6, a TMR element 121 X , a TMR element 121 Y , a TMR element 121 Z , a plurality of electrode pads 202, and a plurality of wirings 203 are formed in the geomagnetic detection region 201 m.

TMR素子121は、X軸方向の地磁気を検出するための磁気センサであり、TMR素子121は、Y軸方向の地磁気を検出するための磁気センサであり、TMR素子121は、Z軸方向の地磁気を検出するための磁気センサである。 The TMR element 121 X is a magnetic sensor for detecting geomagnetism in the X-axis direction, the TMR element 121 Y is a magnetic sensor for detecting geomagnetism in the Y-axis direction, and the TMR element 121 Z is Z-axis It is a magnetic sensor for detecting the geomagnetism in the direction.

また、地磁気検出領域201mには、図7(A)及び図7(A)のA−A断面図である図7(B)に示されるように、カンチレバー構造(片持ち梁構造)の可動部201bが形成されている。そして、この可動部201bの自由端近傍にTMR素子121が形成されている。 Further, in the geomagnetic detection region 201m, as shown in FIG. 7B, which is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 7A and FIG. 7A, a movable part having a cantilever structure (cantilever structure) 201b is formed. Then, TMR element 121 Z is formed in the vicinity of the free end of the movable portion 201b.

TMR素子121及びTMR素子121は、可動部201bの一端が支持されている非可動部に形成されている。そして、ここでは、TMR素子121とTMR素子121は、磁界の検知方向が互いにほぼ直交するように形成されている。 The TMR element 121 Y and the TMR element 121 Y are formed in a non-movable part where one end of the movable part 201b is supported. Here, the TMR element 121 X and the TMR element 121 Y are formed so that the detection directions of the magnetic fields are substantially orthogonal to each other.

加速度検出領域201sには、図8に示されるように、TMR素子121、TMR素子121、TMR素子121、TMR素子121、4つの磁気発生部材(205〜205)、複数の電極パッド202、及び複数の配線203が形成されている。 As shown in FIG. 8, the acceleration detection region 201 s includes a TMR element 121 1 , a TMR element 121 2 , a TMR element 121 3 , a TMR element 121 4 , four magnetic generation members (205 1 to 205 4 ), a plurality of An electrode pad 202 and a plurality of wirings 203 are formed.

TMR素子121は磁気発生部材205の磁気を検出するための磁気センサであり、TMR素子121は磁気発生部材205の磁気を検出するための磁気センサである。さらに、TMR素子121は磁気発生部材205の磁気を検出するための磁気センサであり、TMR素子121は磁気発生部材205の磁気を検出するための磁気センサである。 The TMR element 121 1 is a magnetic sensor for detecting the magnetism of the magnetic generation member 205 1 , and the TMR element 121 2 is a magnetic sensor for detecting the magnetism of the magnetic generation member 205 2 . Furthermore, TMR element 121 3 is a magnetic sensor for detecting magnetism of the magnetic generating member 205 3, TMR element 121 4 is a magnetic sensor for detecting magnetism of the magnetic generating member 205 4.

また、加速度検出領域201sには、図9(A)及び図9(A)のA−A断面図である図9(B)に示されるように、4つの支持部201dによって支持された錘部201cが形成されている。   Further, in the acceleration detection region 201s, as shown in FIG. 9A, which is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 9A and FIG. 9A, a weight portion supported by four support portions 201d. 201c is formed.

この錘部201cは、一例として図10に示されるように、加速度の大きさや方向に応じて変位し、その位置及び姿勢が変化する。   As shown in FIG. 10 as an example, the weight portion 201c is displaced according to the magnitude and direction of acceleration, and its position and posture change.

4つの磁気発生部材(205〜205)は、錘部201cの表面における4隅近傍に形成されている。 The four magnetism generating members (205 1 to 205 4 ) are formed near the four corners on the surface of the weight portion 201c.

TMR素子121、TMR素子121、TMR素子121、及びTMR素子121は、支持部201dが支持されている非可動部であって、対応する磁気発生部材に近接する位置にそれぞれ形成されている。 The TMR element 121 1 , the TMR element 121 2 , the TMR element 121 3 , and the TMR element 121 4 are non-movable parts on which the support part 201d is supported, and are formed at positions close to the corresponding magnetic generation members. ing.

カバー部材121Bには、一例として図11(A)〜図11(C)に示されるように、センサ基板121Aの可動部201bに機械的な力を作用させるための突起部250が形成されている。なお、図11(B)は図11(A)のA−A断面図である。   As an example, as shown in FIGS. 11A to 11C, the cover member 121B is formed with a protrusion 250 for applying a mechanical force to the movable portion 201b of the sensor substrate 121A. . Note that FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.

そこで、センサ基板121Aがカバー部材121Bでカバーされると、一例として図12(A)及び図12(A)のA−A断面図である図12(B)に示されるように、カバー部材121Bの突起部250によって可動部201bに−Z方向の押圧が作用する。すなわち、可動部201bに機械的な力が作用する。そして、TMR素子121とともに可動部201bは、XY平面に対して傾斜することとなる。このときの傾斜角θは、XY面内での突起部250の位置(すなわち、押圧の作用位置)、及びZ軸方向に関する突起部250の長さ(すなわち、突出量)によって決定される。なお、本実施形態では、一例として可動部201bの傾斜角θが25度となるように設定されている。 Therefore, when the sensor substrate 121A is covered with the cover member 121B, as shown in FIG. 12A and FIG. 12B, which is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 12A, as an example, the cover member 121B. The protrusion 250 causes a pressure in the −Z direction to act on the movable portion 201b. That is, a mechanical force acts on the movable part 201b. The movable portion 201b together with the TMR element 121 Z is a possible inclined with respect to the XY plane. The inclination angle θ at this time is determined by the position of the protrusion 250 in the XY plane (that is, the pressing position) and the length of the protrusion 250 in the Z-axis direction (that is, the amount of protrusion). In the present embodiment, as an example, the inclination angle θ of the movable portion 201b is set to be 25 degrees.

また、図12(A)のB−B断面図が、図13に示されている。   FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.

ところで、TMR素子は、磁界に応じてその抵抗値が変化するトンネル磁気抵抗効果素子であり、一例として図14に示されるように、反強磁性体層としてFe−Mn薄膜52、強磁性体層(ピン層)としてCo−Fe薄膜53、絶縁体層として酸化アルミニウム膜54、強磁性体層(フリー層)としてパーマロイ薄膜55が、順に積層されたTMR構造膜を有している。なお、TMR構造膜の層構成及び層材料は、これに限定されるものではない(例えば、宮崎照宣著、「スピントロニクス」、日刊工業新聞社、2004年、参照)。   By the way, the TMR element is a tunnel magnetoresistive effect element whose resistance value changes in response to a magnetic field. As shown in FIG. 14 as an example, an Fe-Mn thin film 52, a ferromagnetic layer, and an antiferromagnetic layer are used. A Co—Fe thin film 53 (pinned layer), an aluminum oxide film 54 as an insulator layer, and a permalloy thin film 55 as a ferromagnetic layer (free layer) are sequentially laminated. Note that the layer configuration and layer material of the TMR structure film are not limited to these (see, for example, Terunobu Miyazaki, “Spintronics”, Nikkan Kogyo Shimbun, 2004).

そこで、一例として図15に示されるように、各TMR素子には一定の電流が演算装置122から供給され、各TMR素子の電圧がそれぞれの信号として演算装置122に出力される。   As an example, as shown in FIG. 15, a constant current is supplied from the arithmetic unit 122 to each TMR element, and the voltage of each TMR element is output to the arithmetic unit 122 as a respective signal.

次に、センサ基板121Aの作製方法について簡単に説明する。   Next, a method for manufacturing the sensor substrate 121A will be briefly described.

ここでは、基板201には、表面が(100)面であり、膜厚が525nmの熱酸化膜が形成されている単結晶シリコン(Si)のウエハを用いた(図16(A)参照)。   Here, a single crystal silicon (Si) wafer having a (100) surface and a thermal oxide film with a thickness of 525 nm is used for the substrate 201 (see FIG. 16A).

(1)マグネトロンスパッタリング法を用いて、基板201の熱酸化膜上に上記TMR構造膜を成膜する(図16(B)参照)。 (1) The TMR structure film is formed on the thermal oxide film of the substrate 201 by using a magnetron sputtering method (see FIG. 16B).

(2)フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより、TMR素子に対応する領域以外のTMR構造膜を除去する(図16(C)及び図17(A)参照)。ここでは、TMR素子に対応する領域は長方形であり、短い辺の長さDaを70μm、長い辺の長さDbを200μmとした(図17(B)参照)。 (2) The TMR structure film other than the region corresponding to the TMR element is removed by photolithography and dry etching (see FIGS. 16C and 17A). Here, the region corresponding to the TMR element is rectangular, the short side length Da is set to 70 μm, and the long side length Db is set to 200 μm (see FIG. 17B).

(3)一例として図18(A)〜図18(C)に示されるように、TMR構造膜の微細加工を行う。 (3) As an example, as shown in FIGS. 18A to 18C, fine processing of the TMR structure film is performed.

(4)スパッタリング法を用いて、層間絶縁膜としてSiO膜を300nmの厚さで成膜する。 (4) Using a sputtering method, a SiO 2 film having a thickness of 300 nm is formed as an interlayer insulating film.

(5)公知の手段を用いてコンタクトホールを開口する。 (5) A contact hole is opened using a known means.

(6)アルミニウムの成膜及びパターニング加工により配線203及び電極パッド202を形成する(図19(A)参照)。これによって、TMR素子ができ上がる。なお、一例として図19(B)に、TMR構造膜における配線203のコンタクト位置が示されている。原理的には、1つのTMR素子には4つの端子が必要となるが、ここでは1つの端子を共有化し、3つの端子を設けている。 (6) A wiring 203 and an electrode pad 202 are formed by aluminum film formation and patterning (see FIG. 19A). Thereby, a TMR element is completed. As an example, FIG. 19B shows a contact position of the wiring 203 in the TMR structure film. In principle, one TMR element requires four terminals, but here, one terminal is shared and three terminals are provided.

(7)磁気発生部材が所望の領域にのみ形成されるようにステンシルマスク(図20(A)参照)を用いたいわゆるマスクデポ手法を採用し、磁化用の磁界を加えながら、マグネトロンスパッタリング法により、磁気発生部材を形成する(図20(B)参照)。ここでは、磁気発生部材としてコバルト(Co)−鉄(Fe)合金を200nmの厚さで形成した。 (7) A so-called mask deposition method using a stencil mask (see FIG. 20A) is employed so that the magnetism generating member is formed only in a desired region, and a magnetron sputtering method is applied while applying a magnetic field for magnetization. A magnetic generation member is formed (see FIG. 20B). Here, a cobalt (Co) -iron (Fe) alloy having a thickness of 200 nm was formed as the magnetic generating member.

(8)カンチレバー構造の可動部201b、及び支持部201dによって支持された錘部201cを形成するため、レジストフィルムを用いてエッチングマスクを形成する(図21(A)参照)。 (8) In order to form the movable portion 201b having a cantilever structure and the weight portion 201c supported by the support portion 201d, an etching mask is formed using a resist film (see FIG. 21A).

(9)シリコンのドライエッチング技術を用いて、マスクされていない部分のエッチングを行う。 (9) An unmasked portion is etched using a silicon dry etching technique.

(10)エッチングマスクを取り除く(図21(B)参照)。 (10) The etching mask is removed (see FIG. 21B).

ここでは、図22(A)におけるD11は1mm、D12は1mm、D13は3mm、D14は3mm、D15は2mm、D16は5mmとした。また、図22(B)におけるD17は1.5mmとした。   In FIG. 22A, D11 is 1 mm, D12 is 1 mm, D13 is 3 mm, D14 is 3 mm, D15 is 2 mm, and D16 is 5 mm. Further, D17 in FIG. 22B was set to 1.5 mm.

カバー部材121Bは、センサ基板121Aと同様にSiウェハを用い、フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより形成した。ここでは、図23におけるD21は1mm、D22は200μmφとした。なお、突起部250は弾性を有している。   The cover member 121B was formed by photolithography and dry etching using a Si wafer similarly to the sensor substrate 121A. Here, D21 in FIG. 23 is 1 mm, and D22 is 200 μmφ. In addition, the protrusion part 250 has elasticity.

支持部材121Cは、センサ基板121Aと同様にSiウェハを用い、フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより形成した。ここでは、図24におけるD31は0.5mmとした。   The support member 121C was formed by photolithography and dry etching using a Si wafer in the same manner as the sensor substrate 121A. Here, D31 in FIG. 24 is 0.5 mm.

なお、カバー部材121B及び支持部材121Cは、センサ基板121Aを保護する役割も有している。すなわち、カバー部材121B及び支持部材121Cは、いずれも磁気センシング素子121のパッケージング部材の一部を兼ねている。   The cover member 121B and the support member 121C also have a role of protecting the sensor substrate 121A. That is, both the cover member 121 </ b> B and the support member 121 </ b> C also serve as part of the packaging member of the magnetic sensing element 121.

従って、磁気センシング素子121は、厚さ(ここでは、Z軸方向の長さ)が3mm未満となり、従来の磁気センシング素子よりも薄くすることができた。   Therefore, the magnetic sensing element 121 has a thickness (here, the length in the Z-axis direction) of less than 3 mm, and can be made thinner than the conventional magnetic sensing element.

演算装置122は、図25に示されるように、演算回路122、各TMR素子の出力電圧を増幅する増幅回路122、各TMR素子に一定の電流を供給する定電流回路122を有している。 Computing device 122, as shown in FIG. 25, the arithmetic circuit 122 1, amplifier circuit 122 2 for amplifying the output voltage of each TMR element has a constant current circuit 122 3 supplies a constant current to each TMR element ing.

演算回路122は、増幅回路122で増幅されたTMR素子121〜TMR素子121の出力電圧に基づいて3軸方向に関する加速度データを算出する。 Arithmetic circuit 122 1 calculates the acceleration data about the three axis directions based on the output voltage of the amplifier circuit 122 TMR elements 121 1, which is amplified by 2TMR element 121 4.

また、演算回路122は、増幅回路122で増幅された、TMR素子121の出力電圧、TMR素子121の出力電圧、及びTMR素子121の出力電圧を、増幅回路122で増幅されたTMR素子121〜TMR素子121の出力電圧に基づいて補正する。 The arithmetic circuit 122 1, is amplified by the amplifier circuit 122 2, the output voltage of the TMR element 121 X, the output voltage of the TMR element 121 Y, and the output voltage of the TMR element 121 Z, it is amplified by the amplifier circuit 122 2 It is corrected based on the output voltage of the TMR element 121 1 ~TMR element 121 4.

そして、演算回路122は、補正されたTMR素子121の出力電圧に基づいてX軸方向に関する地磁気データを算出し、補正されたTMR素子121の出力電圧に基づいてY軸方向に関する地磁気データを算出する。さらに、演算回路122は、補正されたTMR素子121の出力電圧及び可動部201bの傾斜角に基づいてZ軸方向に関する地磁気データを算出する。なお、可動部201bの傾斜角は、予め計測あるいは計算され、演算回路122の不図示のメモリに格納されている。 The arithmetic circuit 122 1, corrected on the basis of the output voltage of the TMR element 121 X calculates geomagnetic data in the X-axis direction, corrected TMR element 121 Y geomagnetic data in the Y-axis direction based on the output voltage of the Is calculated. Furthermore, the arithmetic circuit 122 1 calculates the geomagnetic data in the Z-axis direction based on the inclination angle of the output voltage and the movable portion 201b of the corrected TMR element 121 Z. The inclination angle of the movable portion 201b is measured in advance or calculated, it is stored in a memory (not shown) of the arithmetic circuit 122 1.

センシング素子121に加速度が生じると、該加速度の方向と大きさに応じて錘部201cの位置及び姿勢が変化し、それに伴って、4つの磁気発生部材(205〜205)も位置及び姿勢が変化する(図10参照)。これにより、4つのTMR素子(121〜121)の出力電圧がそれぞれ変化する。そこで、4つのTMR素子(121〜121)の出力電圧から3軸方向に関する加速度データを算出することができる。 When acceleration occurs in the sensing element 121, the position and posture of the weight portion 201c change according to the direction and magnitude of the acceleration, and accordingly, the four magnetism generating members (205 1 to 205 4 ) also move to the position and posture. Changes (see FIG. 10). Thereby, the output voltages of the four TMR elements (121 1 to 121 4 ) change respectively. Therefore, acceleration data in the three-axis directions can be calculated from the output voltages of the four TMR elements (121 1 to 121 4 ).

演算回路122で算出された3軸方向に関する地磁気データ及び3軸方向に関する加速度データは、方位情報変換装置130に出力される。 The geomagnetic data related to the triaxial direction and the acceleration data related to the triaxial direction calculated by the arithmetic circuit 122 1 are output to the azimuth information converter 130.

図3に戻り、方位情報変換装置130は、センシング装置120からの3軸方向に関する地磁気データと3軸方向に関する加速度データとに基づいて、公知の演算処理を行い、携帯電話10の長手方向が向いている方位情報(例えば、方位角)を取得する。ここで得られた方位情報は、主制御装置22に通知される。   Returning to FIG. 3, the azimuth information conversion device 130 performs a known calculation process based on the geomagnetic data about the triaxial direction from the sensing device 120 and the acceleration data about the triaxial direction, and the longitudinal direction of the mobile phone 10 is oriented. Direction information (for example, azimuth angle) is acquired. The orientation information obtained here is notified to the main controller 22.

図2に戻り、主制御装置22は、ユーザの要求に応じて、方位検出装置20で取得された方位情報及び位置検出装置21で取得された位置情報に基づいて、ユーザの要求に最適な情報(例えば、ナビゲーション情報)を表示装置12に表示する(例えば、特開2001−289646号公報参照)。   Returning to FIG. 2, the main control device 22 responds to the user's request based on the azimuth information acquired by the azimuth detection device 20 and the position information acquired by the position detection device 21. (For example, navigation information) is displayed on the display device 12 (see, for example, JP-A-2001-289646).

以上の説明から明らかなように、本実施形態に係るセンシング素子121では、TMR素子121とTMR素子121とTMR素子121とによって、3軸方向に関する地磁気を検出するための複数の磁気センサが構成されている。 As is clear from the above description, in the sensing element 121 according to the present embodiment, the TMR element 121 X , the TMR element 121 Y, and the TMR element 121 Z are a plurality of magnetic sensors for detecting geomagnetism in three axial directions. Is configured.

また、TMR素子121とTMR素子121とTMR素子121とTMR素子121とによって、磁気発生部材からの磁気を検出するための複数の磁気センサが構成されている。 Further, by the TMR element 121 1 and the TMR element 121 2 and the TMR element 121 3 and TMR element 121 4, a plurality of magnetic sensors for detecting magnetism from the magnetism generating member is constituted.

また、本実施形態に係る方位検出装置20では、方位情報変換装置130によって方位取得装置が構成されている。   In the azimuth detection device 20 according to the present embodiment, the azimuth information conversion device 130 constitutes a azimuth acquisition device.

また、本実施形態に係る携帯電話10では、主制御装置22によって情報取得装置が構成されている。   Further, in the mobile phone 10 according to the present embodiment, the main control device 22 constitutes an information acquisition device.

以上説明したように、本実施形態に係るセンシング素子121によると、4つの磁気発生部材(205〜205)と、該磁気発生部材(205〜205)からの磁気を検出するための4つのTMR素子(121〜121)と、3軸方向に関する地磁気を検出するための3つのTMR素子(121、121、121)とが、形成されたセンサ基板121Aと、該センサ基板121Aをカバーするカバー部材121Bを有している。 As described above, according to the sensing element 121 of this embodiment, four magnetic generating member and (205 1 to 205 4), the magnetic generating member (205 1 to 205 4) from for detecting the magnetism of Sensor substrate 121A in which four TMR elements (121 1 to 121 4 ) and three TMR elements (121 X , 121 Y , 121 Z ) for detecting geomagnetism in the three-axis directions are formed, and the sensor It has a cover member 121B that covers the substrate 121A.

そして、センサ基板121Aは、加速度によって変位する錘部201cと、カンチレバー構造の可動部201bとを有し、錘部201cに4つの磁気発生部材(205〜205)が形成され、可動部201bにTMR素子121が形成されている。 The sensor substrate 121A includes a weight portion 201c that is displaced by acceleration and a movable portion 201b having a cantilever structure, and four magnetism generating members (205 1 to 205 4 ) are formed on the weight portion 201c, and the movable portion 201b. TMR element 121 Z is formed.

また、カバー部材121Bには、センサ基板121Aをカバーしたときに、可動部201bに機械的な力を作用させ、可動部201bを、該可動部201b以外に対して傾斜させる突起部250が形成されている。   Further, the cover member 121B is formed with a protrusion 250 that applies a mechanical force to the movable portion 201b when the sensor substrate 121A is covered, and tilts the movable portion 201b with respect to other than the movable portion 201b. ing.

この場合、各TMR素子は基板201上に形成されているため、従来の磁気センシング素子のように、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向それぞれに対応する磁気センサ素子(磁気センサチップ)を個別に接着する必要がない。そこで、従来の接着工程が不要となり、低コスト化を図ることが可能となる。また、接着部分がないため、接着強度のばらつきや経時変化(経時劣化)の心配がない。さらに、磁気センサ素子の大きさに制約がない。   In this case, since each TMR element is formed on the substrate 201, a magnetic sensor element (magnetic sensor chip) corresponding to each of the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction is provided as in the conventional magnetic sensing element. There is no need to bond individually. Therefore, the conventional bonding process becomes unnecessary, and the cost can be reduced. In addition, since there is no adhesive portion, there is no concern about variations in adhesive strength or changes with time (deterioration with time). Furthermore, there is no restriction on the size of the magnetic sensor element.

また、錘部201c、可動部201b及び各TMR素子は、マイクロマシニング技術を利用して作製されているため、磁気センシング素子121の小型化、特に高さ方向(ここでは、Z軸方向)の小型化を図ることが可能である。   Further, since the weight part 201c, the movable part 201b, and each TMR element are manufactured using micromachining technology, the magnetic sensing element 121 is reduced in size, particularly in the height direction (here, the Z-axis direction). Can be achieved.

さらに、TMR素子の形成時に配線及び電極パッドも形成することができるため、従来のように、磁気センサ素子の実装後に配線部材によって磁気センサと電極パッドとを接続する必要がなく、長期の安定性や信頼性に対して十分に対応することが可能である。   Furthermore, since the wiring and the electrode pad can be formed at the time of forming the TMR element, it is not necessary to connect the magnetic sensor and the electrode pad by the wiring member after mounting the magnetic sensor element as in the prior art, and long-term stability. It is possible to fully cope with reliability.

すなわち、高コスト化を招くことなく、3軸方向に関する加速度及び3軸方向に関する地磁気を同時に検出することができ、信頼性を高く維持したまま小型化を図ることが可能である。   That is, the acceleration in the triaxial direction and the geomagnetism in the triaxial direction can be detected at the same time without increasing the cost, and the miniaturization can be achieved while maintaining high reliability.

また、可動部201bを傾斜させるのにエネルギを必要としないため、省エネルギ化を図ることが可能である。   Further, energy is not required to tilt the movable portion 201b, so that energy saving can be achieved.

また、磁気センサとしてTMR素子を使用しているため、消費電力を小さくすることができる。   Further, since the TMR element is used as the magnetic sensor, power consumption can be reduced.

また、カバー部材121B及び支持部材121Cがパッケージ部材の一部を兼ねているため、更に製造工程の簡略化と低コスト化を同時に満足させることが可能である。   Further, since the cover member 121B and the support member 121C also serve as a part of the package member, it is possible to simultaneously satisfy the simplification of the manufacturing process and the cost reduction.

さらに、センサ部材121A、カバー部材121B及び支持部材121Cが、いずれも同じ材質であるため、熱膨張率の差による応力の発生や機械的強度の低下などパッケージングの際に懸念される問題を解消することができる。   Further, since the sensor member 121A, the cover member 121B, and the support member 121C are all made of the same material, the problems that are concerned during packaging such as the generation of stress due to the difference in thermal expansion coefficient and the decrease in mechanical strength are solved. can do.

また、Z軸方向の地磁気を検出するためのTMR素子121を基板201の(100)面に形成しているため、傾斜面にTMR素子121を形成する場合(例えば、特開2004−354182号公報及び特開2004−006752号公報参照)に比べて、容易に良好なTMR素子を形成することができる。そして、各TMR素子の感度を互いにほぼ等しくすることができる。 In addition, since the TMR element 121 Z for detecting geomagnetism in the Z-axis direction is formed on the (100) plane of the substrate 201, the TMR element 121 Z is formed on an inclined surface (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-354182). Compared to Japanese Patent Laid-Open No. 2004-006752 and Japanese Patent Laid-Open No. 2004-006752, a good TMR element can be easily formed. The sensitivity of each TMR element can be made substantially equal to each other.

そして、本実施形態に係るセンシング装置120によると、センシング素子121を有しているため、高コスト化を招くことなく、小型で、3軸方向に関する加速度及び3軸方向に関する地磁気を同時に精度良く検出することが可能である。   According to the sensing device 120 according to the present embodiment, since the sensing element 121 is included, the acceleration in the three-axis direction and the geomagnetism in the three-axis direction are simultaneously detected with high accuracy without incurring a cost increase. Is possible.

また、本実施形態に係る方位検出装置20によると、センシング装置120を有しているため、高コスト化を招くことなく、小型で、方位を精度良く検出することが可能である。   Further, according to the azimuth detecting device 20 according to the present embodiment, since the sensing device 120 is provided, it is possible to detect the azimuth accurately with a small size without increasing the cost.

また、本実施形態に係る携帯電話10によると、方位検出装置20を備えているため、高コスト化を招くことなく、小型で、ユーザの要求に最適な情報を得ることが可能である。   Further, according to the mobile phone 10 according to the present embodiment, since the azimuth detecting device 20 is provided, it is possible to obtain information that is small and optimal for the user's request without increasing the cost.

なお、上記実施形態では、センサ基板121Aに4つの磁気発生部材が形成されている場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図26に示されるように、錘部201cの表面の中央部に1つの磁気発生部材205が形成されていても良い。この場合であっても、錘部201cの位置及び姿勢が変化すると、それに伴って、磁気発生部材205も位置及び姿勢が変化するため、4つのTMR素子(121〜121)の出力電圧から3軸方向に関する加速度データを算出することができる。 In the above-described embodiment, the case where four magnetic generation members are formed on the sensor substrate 121A has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 26, one magnetism generating member 205 may be formed at the center of the surface of the weight portion 201c. Even in this case, when the position and posture of the weight portion 201c change, the position and posture of the magnetism generating member 205 also change accordingly. Therefore, from the output voltages of the four TMR elements (121 1 to 121 4 ) It is possible to calculate acceleration data in the three-axis directions.

また、上記実施形態では、可動部201bの傾斜角θが25度の場合について説明したが、これに限定されるものではない。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where the inclination | tilt angle (theta) of the movable part 201b was 25 degree | times, it is not limited to this.

また、上記実施形態において、一例として図27に示されるように、可動部201bの傾斜角を検出するためのセンサとしてピエゾ抵抗素子260を可動部201bに形成しても良い。   Moreover, in the said embodiment, as FIG. 27 shows as an example, you may form the piezoresistive element 260 in the movable part 201b as a sensor for detecting the inclination-angle of the movable part 201b.

ピエゾ抵抗素子260は、引張応力や圧縮応力が加わるとその抵抗値が変化するという特性を有している。そこで、可動部102bが傾斜して変形すると、その変形量に応じて抵抗値が変化する。このピエゾ抵抗素子260も、マイクロマシニング技術を用いて基板201上に形成することができる。なお、ピエゾ抵抗素子260は、可動部201bにおけるカバー部材121Bの突起部250が干渉しない領域に形成される。   The piezoresistive element 260 has a characteristic that its resistance value changes when tensile stress or compressive stress is applied. Therefore, when the movable portion 102b is inclined and deformed, the resistance value changes according to the amount of deformation. The piezoresistive element 260 can also be formed on the substrate 201 using micromachining technology. The piezoresistive element 260 is formed in a region where the protrusion 250 of the cover member 121B in the movable portion 201b does not interfere.

なお、ピエゾ抵抗素子260として、ボロンが注入されているピエゾ抵抗素子を用いる場合には、ピエゾ抵抗素子を形成する際の、ボロンを注入したあとの熱拡散工程で、900℃という高温プロセスが必要となる。ところで、TMR素子は、350℃以上の高温では特性を失ってしまう。そこで、ピエゾ抵抗素子の形成は、TMR素子の形成より前に行う必要がある。   When a piezoresistive element into which boron is implanted is used as the piezoresistive element 260, a high-temperature process of 900 ° C. is required in the thermal diffusion process after boron is implanted when forming the piezoresistive element. It becomes. By the way, the TMR element loses its characteristics at a high temperature of 350 ° C. or higher. Therefore, the piezoresistive element needs to be formed before the TMR element is formed.

この場合には、前記増幅回路122は、ピエゾ抵抗素子260の出力信号も増幅することとなる。そして、演算回路122は、増幅回路122で増幅されたピエゾ抵抗素子260の出力信号から可動部102bの傾斜角を求め、その傾斜角と増幅回路122で増幅されたTMR素子121の出力電圧とから、Z軸方向に関する地磁気データを算出する。これにより、地磁気の検出精度を更に向上させることができる。 In this case, the amplifier circuit 122 2, and thus also amplifies the output signal of the piezoresistive element 260. The arithmetic circuit 122 1, the output signal of the piezoresistive element 260 is amplified by the amplifier circuit 122 2 obtains the inclination angle of the movable portion 102b, the inclination angle of the amplification circuit 122 of the amplified TMR element 121 Z 2 From the output voltage, geomagnetic data in the Z-axis direction is calculated. Thereby, the detection accuracy of geomagnetism can be further improved.

なお、ピエゾ抵抗素子260の出力信号と可動部102bの傾斜角との関係は、予め実験等により求められ、演算回路122の不図示のメモリに格納されている。 The relationship between the inclination angle of the output signal and a movable portion 102b of the piezoresistive element 260 is obtained in advance experimentally or the like, are stored in a memory (not shown) of the arithmetic circuit 122 1.

また、上記実施形態において、一例として図28に示されるように、可動部201bは、両端がトーションバー206によって支持されている平板であっても良い。この場合であっても、一例として図29に示されるように、センサ基板121Aがカバー部材121Bでカバーされると、カバー部材121Bの突起部250によって可動部201bに−Z方向の押圧が作用し、トーションバー206がねじれて、可動部201bは、トーションバー206を軸として回動する。すなわち、TMR素子121とともに可動部201bは、XY平面に対して傾斜することとなる。ここでは、可動部201bの傾斜角を25度としている。 Moreover, in the said embodiment, as FIG. 28 shows as an example, the movable part 201b may be a flat plate by which both ends are supported by the torsion bar 206. Even in this case, as shown in FIG. 29 as an example, when the sensor substrate 121A is covered by the cover member 121B, the protrusion 250 of the cover member 121B applies a pressure in the −Z direction to the movable portion 201b. The torsion bar 206 is twisted, and the movable portion 201b rotates about the torsion bar 206 as an axis. That is, the movable portion 201b together with the TMR element 121 Z is a possible inclined with respect to the XY plane. Here, the inclination angle of the movable part 201b is 25 degrees.

このような可動部であっても、マイクロマシニング技術を用いて作製することができる。   Even such a movable part can be manufactured using a micromachining technique.

また、一例として図30及び図31に示されるように、それぞれ両端がトーションバー206によって支持されている平板からなる2つの可動部201bが、互いに傾斜方向が異なるように形成され、それぞれにTMR素子121が形成されても良い。但し、この場合には、各可動部に対応した突起部250がカバー部材131Bに形成される必要がある。 As an example, as shown in FIG. 30 and FIG. 31, two movable portions 201b each made of a flat plate each supported by a torsion bar 206 are formed so as to have different inclination directions, and each has a TMR element. 121 Z may be formed. However, in this case, the protrusions 250 corresponding to the respective movable parts need to be formed on the cover member 131B.

なお、2つの可動部の位置関係は、これに限定されるものではない。また、各可動部の傾斜角が互いに異なっていても良い   The positional relationship between the two movable parts is not limited to this. In addition, the inclination angles of the movable parts may be different from each other.

この場合には、演算回路122は、増幅回路122で増幅された2つのTMR素子121の出力電圧及び各可動部の傾斜角に基づいてZ軸方向に関する地磁気データを算出する。ここでは、互いに傾斜方向が異なる2つのTMR素子121の検出結果を用いているため、検出精度を更に向上させることができるとともに、TMR素子121の不感領域を考慮する必要がない。 In this case, the arithmetic circuit 122 1 calculates the geomagnetic data in the Z-axis direction based on the inclination angle of the output voltage and the movable portion of the amplified two TMR elements 121 Z by the amplifier circuit 122 2. Here, the use of the detection results of the two TMR elements 121 Z inclination directions are different from each other, it is possible to further improve the detection accuracy, it is not necessary to consider the dead region of the TMR element 121 Z.

また、一例として図32に示されるように、各トーションバー206に上記ピエゾ抵抗素子260を形成しても良い。   As an example, the piezoresistive element 260 may be formed on each torsion bar 206 as shown in FIG.

また、一例として図33に示されるように、前記TMR素子121、前記TMR素子121、2つの前記TMR素子121が、いずれも両端がトーションバー206によって支持されている平板からなる可動部201bに形成されても良い。 As an example, as shown in FIG. 33, the TMR element 121 X , the TMR element 121 Y , and the two TMR elements 121 Z are each a movable part formed of a flat plate whose both ends are supported by a torsion bar 206. 201b may be formed.

この場合は、各TMR素子が、それぞれ異なる平面上にあるようにすることができる。   In this case, each TMR element can be on a different plane.

また、上記実施形態において、前記センシング素子121に代えて、図34〜図38(B)に示されるセンシング素子131を用いても良い。   Moreover, in the said embodiment, it may replace with the said sensing element 121, and may use the sensing element 131 shown by FIGS. 34-38 (B).

このセンシング素子131は、センサ基板131A、カバー部材131B及び支持部材131Cを有し、図35に示されるように、支持部材131Cの内部に傾斜面が形成されていることに特徴を有している。   This sensing element 131 has a sensor substrate 131A, a cover member 131B, and a support member 131C, and is characterized in that an inclined surface is formed inside the support member 131C as shown in FIG. .

カバー部材131Bは、図36に示されるように、上記カバー部材121Bと同じカバー部材である。   As shown in FIG. 36, the cover member 131B is the same cover member as the cover member 121B.

センサ基板131Aは、図37(A)のA−A断面図である図37(B)に示されるように、支持部材131Cで支持される部分の厚さ(ここでは、Z軸方向の長さ)が上記センサ基板121Aよりも薄くなっている。   As shown in FIG. 37B, which is an AA cross-sectional view of FIG. 37A, the sensor substrate 131A has a thickness of a portion supported by the support member 131C (here, the length in the Z-axis direction). ) Is thinner than the sensor substrate 121A.

この場合には、一例として図38(A)及び図38(B)に示されるように、可動部201bを支持部材131Cの傾斜面に沿って傾斜させることができる。これにより、可動部201bの傾斜角の精度を担保することができる。   In this case, as an example, as shown in FIGS. 38A and 38B, the movable portion 201b can be inclined along the inclined surface of the support member 131C. Thereby, the precision of the inclination angle of the movable part 201b can be ensured.

例えば、支持部材131Cの材料がシリコンの場合には、表面が(100)面であれば、KOH(水酸化カリウム)やTMAH(水酸化テトラエチルアンモニウム)をエッチング液として用いる異方性エッチングを行うことにより{111}面の傾斜面を容易に形成することができる。このときの傾斜面の傾斜角は54.7度である。   For example, when the material of the support member 131C is silicon, anisotropic etching using KOH (potassium hydroxide) or TMAH (tetraethylammonium hydroxide) as an etchant is performed if the surface is a (100) plane. Thus, an inclined surface of {111} plane can be easily formed. The inclination angle of the inclined surface at this time is 54.7 degrees.

また、上記実施形態では、基板201の材料がシリコンの場合について説明したが、これに限定されるものではない。可動部が傾斜できる程度の弾性、マイクロマシニング技術を利用することができる程度の加工性、耐熱性、TMR素子の形成に適した表面平坦性(例えば、Ra≦1.0nm)を有していれば良い。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where the material of the board | substrate 201 was a silicon | silicone, it is not limited to this. It should be elastic enough to incline the movable part, workability enough to use micromachining technology, heat resistance, and surface flatness suitable for the formation of TMR elements (for example, Ra ≦ 1.0 nm). It ’s fine.

また、上記実施形態では、磁気センサがトンネル磁気抵抗効果素子の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、巨大磁気抵抗効果(GMR)素子であっても良い。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where a magnetic sensor was a tunnel magnetoresistive effect element, it is not limited to this. For example, a giant magnetoresistive effect (GMR) element may be used.

また、上記実施形態において、磁気発生部材が永久磁石であっても良い。   In the above embodiment, the magnetism generating member may be a permanent magnet.

また、上記実施形態では、カバー部材の突起部が円柱状の場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。要するに、センサ部材の可動部に機械的な力を作用させ、可動部を傾斜させることができれば良い。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where the projection part of a cover member was cylindrical shape, this invention is not limited to this. In short, it is sufficient that a mechanical force is applied to the movable part of the sensor member to tilt the movable part.

また、上記実施形態では、カバー部材の突起部によってセンサ部材の可動部に機械的な力を作用させる場合について説明したが、突起部以外でセンサ部材の可動部に機械的な力を作用させても良い。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where mechanical force was made to act on the movable part of a sensor member by the projection part of a cover member, mechanical force was made to act on the movable part of a sensor member other than a projection part. Also good.

また、上記実施形態における各寸法は一例であり、これらに限定されるものではない。   Moreover, each dimension in the said embodiment is an example, and is not limited to these.

また、上記実施形態では、情報機器が携帯電話の場合について説明したが、これに限定されるものではない。地磁気情報と加速度情報を必要とする情報機器であれば良い。例えば、PDA(Personal Digital Assistant)であっても良い。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where information equipment was a mobile telephone, it is not limited to this. Any information device that requires geomagnetic information and acceleration information may be used. For example, it may be a PDA (Personal Digital Assistant).

以上説明したように、本発明のセンシング素子によれば、高コスト化を招くことなく、小型で高い信頼性を有し、加速度及び地磁気を同時に検出するのに適している。また、本発明のセンシング装置によれば、高コスト化を招くことなく、小型で、精度良く3軸方向に関する加速度及び3軸方向に関する地磁気を同時に検出するのに適している。また、本発明の方位検出装置によれば、高コスト化を招くことなく、小型で、方位を精度良く検出するのに適している。また、本発明の情報機器によれば、高コスト化を招くことなく、小型で、ユーザの要求に最適な情報を得るのに適している。   As described above, the sensing element of the present invention is compact and highly reliable without causing an increase in cost, and is suitable for simultaneously detecting acceleration and geomagnetism. In addition, the sensing device of the present invention is small and suitable for simultaneously detecting the acceleration in the three-axis direction and the geomagnetism in the three-axis direction with high accuracy without incurring an increase in cost. Further, the azimuth detection device of the present invention is suitable for detecting the azimuth with a small size and without causing an increase in cost. In addition, the information device of the present invention is small in size and suitable for obtaining information optimal for the user's request without incurring an increase in cost.

本発明の一実施形態に係る携帯電話の外観を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the external appearance of the mobile telephone which concerns on one Embodiment of this invention. 図1の携帯電話の概略構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating schematic structure of the mobile telephone of FIG. 図2の方位検出装置を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the azimuth | direction detection apparatus of FIG. 図4(A)及び図4(B)は、それぞれセンシング素子を説明するための図である。FIG. 4A and FIG. 4B are diagrams for explaining the sensing element, respectively. センサ基板の地磁気検出領域と加速度検出領域を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the geomagnetic detection area | region and acceleration detection area | region of a sensor board | substrate. 地磁気検出領域を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a geomagnetic detection area | region. 図7(A)及び図7(B)は、それぞれ可動部を説明するための図である。FIG. 7A and FIG. 7B are diagrams for explaining the movable part. 加速度検出領域を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an acceleration detection area | region. 図9(A)及び図9(B)は、それぞれ錘部を説明するための図である。FIG. 9A and FIG. 9B are diagrams for explaining the weight portion. 錘部の変位を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the displacement of a weight part. 図11(A)〜図11(C)は、それぞれカバー部材を説明するための図である。FIGS. 11A to 11C are diagrams for explaining the cover member. 図12(A)及び図12(B)は、それぞれ可動部の傾斜を説明するための図である。FIG. 12A and FIG. 12B are diagrams for explaining the inclination of the movable part. 図12(A)のB−B断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 12 (A). TMR素子を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a TMR element. TMR素子の入出力を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the input / output of a TMR element. 図16(A)〜図16(C)は、それぞれセンサ基板の作製方法を説明するための図(その1)である。FIGS. 16A to 16C are views (No. 1) for describing a method for manufacturing a sensor substrate, respectively. 図17(A)及び図17(B)は、それぞれセンサ基板の作製方法を説明するための図(その2)である。FIGS. 17A and 17B are views (No. 2) for describing a method for manufacturing a sensor substrate, respectively. 図18(A)〜図18(C)は、それぞれセンサ基板の作製方法を説明するための図(その3)である。18A to 18C are views (No. 3) for describing a method for manufacturing a sensor substrate, respectively. 図19(A)及び図19(B)は、それぞれセンサ基板の作製方法を説明するための図(その4)である。19A and 19B are views (No. 4) for describing a method for manufacturing a sensor substrate, respectively. 図20(A)及び図20(B)は、それぞれセンサ基板の作製方法を説明するための図(その5)である。20A and 20B are views (No. 5) for describing a method for manufacturing a sensor substrate, respectively. 図21(A)及び図21(B)は、それぞれセンサ基板の作製方法を説明するための図(その6)である。21A and 21B are views (No. 6) for describing a method for manufacturing a sensor substrate, respectively. 図22(A)及び図22(B)は、それぞれセンサ基板の大きさを説明するための図である。22A and 22B are diagrams for explaining the size of the sensor substrate. カバー部材の大きさを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the magnitude | size of a cover member. 支持部材の大きさを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the magnitude | size of a supporting member. 演算装置を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an arithmetic unit. 磁気発生部材の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of a magnetic generation member. ピエゾ抵抗素子を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a piezoresistive element. 地磁気検出領域の変形例1を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification 1 of a geomagnetic detection area | region. 変形例1における可動部の傾斜を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the inclination of the movable part in the modification 1. FIG. 地磁気検出領域の変形例2を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification 2 of a geomagnetic detection area | region. 変形例2における可動部の傾斜を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the inclination of the movable part in the modification 2. FIG. 地磁気検出領域の変形例3を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification 3 of a geomagnetic detection area | region. 地磁気検出領域の変形例4を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification 4 of a geomagnetic detection area | region. センシング素子の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of a sensing element. 図34のセンシング素子における支持部材を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the supporting member in the sensing element of FIG. 図34のセンシング素子におけるカバー部材を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the cover member in the sensing element of FIG. 図37(A)及び図37(B)は、それぞれ図34のセンシング素子におけるセンサ基板を説明するための図である。FIG. 37A and FIG. 37B are diagrams for explaining a sensor substrate in the sensing element of FIG. 34, respectively. 図38(A)及び図38(B)は、それぞれ図34のセンシング素子における傾斜面と可動部との関係を説明するための図である。FIG. 38A and FIG. 38B are diagrams for explaining the relationship between the inclined surface and the movable portion in the sensing element of FIG. 34, respectively.

符号の説明Explanation of symbols

10…携帯電話、20…方位検出装置、21…位置検出装置、22…主制御装置(情報取得装置)、120…センシング装置、121…センシング素子、121A…センサ基板、121B…カバー部材、121C…支持部材、121…TMR素子(磁気センサ)、121…TMR素子(磁気センサ)、121…TMR素子(磁気センサ)、121…TMR素子(磁気センサ)、121…TMR素子(磁気センサ)、121…TMR素子(磁気センサ)、121…TMR素子(磁気センサ)、122…演算装置、130…方位情報変換装置(方位取得装置)、131…センシング素子、131A…センサ基板、131B…カバー部材、131C…支持部材、201b…可動部、201c…錘部、205…磁気発生部材、205…磁気発生部材、205…磁気発生部材、205…磁気発生部材、205…磁気発生部材、206…トーションバー、260…ピエゾ抵抗素子。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Mobile phone, 20 ... Direction detection device, 21 ... Position detection device, 22 ... Main control device (information acquisition device), 120 ... Sensing device, 121 ... Sensing element, 121A ... Sensor substrate, 121B ... Cover member, 121C ... Support member, 121 1 ... TMR element (magnetic sensor), 121 2 ... TMR element (magnetic sensor), 121 3 ... TMR element (magnetic sensor), 121 4 ... TMR element (magnetic sensor), 121 X ... TMR element (magnetic) Sensor), 121 Y ... TMR element (magnetic sensor), 121 Z ... TMR element (magnetic sensor), 122 ... arithmetic device, 130 ... direction information conversion device (direction acquisition device), 131 ... sensing element, 131A ... sensor substrate, 131B ... Cover member, 131C ... Support member, 201b ... Movable part, 201c ... Weight part, 205 ... Magnetic generating member 205 1 ... magnetism generating member, 205 2 ... magnetism generating member, 205 3 ... magnetism generating member, 205 4 ... magnetism generating member, 206 ... torsion bar, 260 ... piezoresistive element.

Claims (21)

加速度によって変位する錘部と、外力によって可動する少なくとも1つの可動部とを有し、前記錘部に形成された少なくとも1つの磁気発生部材と、該磁気発生部材からの磁気を検出するための複数の磁気センサと、前記少なくとも1つの可動部を含む複数の位置に形成され3軸方向に関する地磁気を検出するための複数の磁気センサとが形成されたセンサ基板と;
前記センサ基板をカバーするとともに、機械的な力を作用させて前記少なくとも1つの可動部を、該可動部以外に対して傾斜させるカバー部材と;を備えるセンシング素子。
A weight portion that is displaced by acceleration; at least one movable portion that is movable by an external force; at least one magnetism generating member that is formed on the weight portion; and a plurality of magnets for detecting magnetism from the magnetism generation member And a sensor substrate on which a plurality of magnetic sensors for detecting geomagnetism in three axial directions are formed at a plurality of positions including the at least one movable part;
A sensing element comprising: a cover member that covers the sensor substrate and tilts the at least one movable part with respect to other than the movable part by applying a mechanical force.
前記少なくとも1つの可動部は、カンチレバー構造を有していることを特徴とする請求項1に記載のセンシング素子。   The sensing element according to claim 1, wherein the at least one movable part has a cantilever structure. 前記少なくとも1つの可動部は、両端がトーションバーによって支持されている平板であることを特徴とする請求項1に記載のセンシング素子。   The sensing element according to claim 1, wherein the at least one movable part is a flat plate having both ends supported by a torsion bar. 前記カバー部材は、前記少なくとも1つの可動部に押圧を作用させるための突起部を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のセンシング素子。   The sensing element according to any one of claims 1 to 3, wherein the cover member has a protrusion for applying a pressure to the at least one movable part. 前記突起部は、弾性体を含むことを特徴とする請求項4に記載のセンシング素子。   The sensing element according to claim 4, wherein the protrusion includes an elastic body. 前記カバー部材は、パッケージ部材の一部を兼ねていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のセンシング素子。   The sensing element according to claim 1, wherein the cover member also serves as a part of a package member. 前記磁気発生部材は、磁化用の磁界を加えながら形成された磁性体の薄膜であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のセンシング素子。   The sensing element according to claim 1, wherein the magnetism generating member is a magnetic thin film formed while applying a magnetic field for magnetization. 前記磁気発生部材は、永久磁石であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のセンシング素子。   The sensing element according to claim 1, wherein the magnetism generating member is a permanent magnet. 前記センサ基板を支持し、傾斜した前記少なくとも1つの可動部が当接する傾斜面を有する支持部材を、更に備えることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のセンシング素子。   The sensing element according to claim 1, further comprising a support member that supports the sensor substrate and has an inclined surface with which the inclined at least one movable part comes into contact. 前記支持部材は、表面が(100)面の単結晶シリコンからなり、前記傾斜面は異方性エッチングによって形成された{111}面のうちの一つの面であることを特徴とする請求項9に記載のセンシング素子。   10. The support member is made of single crystal silicon having a (100) surface, and the inclined surface is one of {111} surfaces formed by anisotropic etching. The sensing element according to 1. 前記支持部材は、パッケージ部材の一部を兼ねていることを特徴とする請求項9又は10に記載のセンシング素子。   The sensing element according to claim 9 or 10, wherein the support member also serves as a part of a package member. 前記少なくとも1つの可動部は、複数の可動部であり、
該複数の可動部は、互いに異なる方向に傾斜していることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載のセンシング素子。
The at least one movable part is a plurality of movable parts,
The sensing element according to claim 1, wherein the plurality of movable parts are inclined in different directions.
前記センサ基板は、前記少なくとも1つの可動部に形成され、該可動部の傾斜角を計測するためのセンサを有することを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載のセンシング素子。   The sensing element according to any one of claims 1 to 12, wherein the sensor substrate includes a sensor that is formed on the at least one movable portion and measures an inclination angle of the movable portion. 前記傾斜角を計測するためのセンサは、ピエゾ抵抗素子を含むことを特徴とする請求項13に記載の磁気センシング素子。   The magnetic sensing element according to claim 13, wherein the sensor for measuring the tilt angle includes a piezoresistive element. 前記磁気センサは、磁気抵抗効果素子を含むことを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項に記載のセンシング素子。   The sensing element according to claim 1, wherein the magnetic sensor includes a magnetoresistive effect element. 前記磁気抵抗効果素子は、トンネル磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項15に記載のセンシング素子。   The sensing element according to claim 15, wherein the magnetoresistive effect element is a tunnel magnetoresistive effect element. 前記磁気抵抗効果素子は、巨大磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項15に記載のセンシング素子。   The sensing element according to claim 15, wherein the magnetoresistive effect element is a giant magnetoresistive effect element. 請求項1〜17のいずれか一項に記載のセンシング素子と;
前記センシング素子における複数の磁気センサの出力信号、及び前記センシング素子における前記少なくとも1つの可動部の傾斜角に基づいて、3軸方向に関する加速度情報及び3軸方向に関する地磁気情報をそれぞれ求める演算装置と;を備えるセンシング装置。
A sensing element according to any one of claims 1 to 17;
A computing device for respectively obtaining acceleration information in the three-axis direction and geomagnetic information in the three-axis direction based on output signals of a plurality of magnetic sensors in the sensing element and an inclination angle of the at least one movable part in the sensing element; A sensing device comprising:
前記演算装置は、3軸方向に関する地磁気情報を求める際に、前記磁気発生部材からの磁気を検出するための複数の磁気センサの出力信号に応じて、前記地磁気を検出するための複数の磁気センサの出力信号を補正することを特徴とする請求項18に記載のセンシング装置。   A plurality of magnetic sensors for detecting the geomagnetism according to output signals of the plurality of magnetic sensors for detecting magnetism from the magnetism generating member when obtaining the geomagnetic information in the three-axis directions; 19. The sensing device according to claim 18, wherein the output signal is corrected. 請求項18又は19に記載のセンシング装置と;
前記センシング装置からの3軸方向に関する加速度情報と3軸方向に関する地磁気情報に基づいて、方位情報を求める方位取得装置と;を備える方位検出装置。
A sensing device according to claim 18 or 19;
An azimuth detection device comprising: an azimuth acquisition device that obtains azimuth information based on acceleration information in the three-axis directions and geomagnetic information in the three-axis directions from the sensing device.
位置情報を取得する位置検出装置と;
請求項20に記載の方位検出装置と;
前記方位検出装置からの方位情報と前記位置検出装置からの位置情報に基づいて、情報を取得する情報取得装置と;を備える情報機器。
A position detection device for acquiring position information;
An azimuth detecting device according to claim 20;
An information apparatus comprising: an information acquisition device that acquires information based on azimuth information from the azimuth detection device and position information from the position detection device.
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