KR100880054B1 - Circuit module system and method - Google Patents

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제임스 더글러스 주니어. 웰리
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Abstract

플렉스 회로(Flexible circuit)는 그 주측부 중 하나 또는 두 측부 모두를 따라 배열되는 집적 회로(IC)들로 점유된다. The flex circuit (Flexible circuit) is occupied by the integrated circuit (IC) are arranged along one or both sides of the primary side. 플렉스 회로를 따라 분포되는 접점들은 IC들에 대한 연결을 제공한다. Contacts distributed along the flexible circuit provide for connection to the IC. 플렉스 회로가 견고한 열전도성 기판의 변부 둘레로 배열되는 것이 바람직하다. That the flex circuit are arranged in the peripheral edge of the solid thermally conductive substrate. 그래서, 기판의 한 측부나 두 측부 모두에 집적 회로의 한개나 두개 층을 위치시키면서, 기판의 한 측부나 두 측부 모두에 집적 회로를 위치시키는 것이 바람직하다. Thus, while placing the one or two layers of integrated circuitry on one side or both sides of the two substrates, it is desirable to position an integrated circuit to both the one side or both sides of the substrate. 대안의 선호되는 실시예로서, 기판에 가장 가까운 플렉스 회로의 측부 상의 IC들이 기판의 윈도, 포켓, 또는 잘려진 영역에 배열된다. As a preferred alternative embodiment in which the, IC on the side of the flexible circuit closest to the substrate are arranged in the windows, pockets, or cutaway areas in the substrate. 다른 실시예들은 플렉스 회로의 한 측부만을 점유할 수 있고, 또는, 모듈 프로파일을 감소시키도록 기판 물질을 제거할 수도 있다. Other embodiments may only occupy one side of the flex circuit, or, it is also possible to remove the substrate material to reduce module profile. 선호되는 실시예에서, 플렉스 회로를 따라 분포되는 접점들은 범용 컴퓨터 및 서버 컴퓨터(일례에 불과함)에서 발견되는 변부 커넥터 소켓에 삽입되도록 구성된다. In the preferred embodiment, the contacts distributed along the flexible circuit are adapted to be inserted into the edge connector socket found in a general-purpose computer and the server computer (just one example). 선호되는 기판들은 열전도성 물질로 구성된다. The preferred substrates are composed of a thermally conductive material. 선호되는 실시예에서 기판으로부터의 팽창부들은 열적 모듈 로딩을 감소시킬 것으로 기대되며, 동작 중 모듈의 집적 회로 중에서 열적 변화를 감소시킬 것으로 기대된다. Expanding portions from the substrate in the preferred embodiment are expected to reduce thermal module loading and is expected to reduce the thermal changes in the integrated circuit of the module during operation.

Description

회로 모듈 시스템 및 방법{CIRCUIT MODULE SYSTEM AND METHOD} Circuit module systems and methods {CIRCUIT MODULE SYSTEM AND METHOD}

도 1은 본 발명의 선호되는 실시예에 따라 한 모듈에서 사용하도록 고안된 플렉스 회로의 측면도. 1 is a side view of a flex circuit, which is designed for use by the modules according to the preferred embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 플렉스 회로의 제 2 측면도. Figure 2 is a second side view of the flex circuit of FIG.

도 3은 본 발명의 선호되는 실시예에 따라 고안된 한 모듈의 단면도. Figure 3 is a cross-sectional view of a module devised in accordance with the preferred embodiment of the present invention.

도 4는 선호되는 실시예에서 기판 변부 주변 영역의 확대도. Figure 4 is an enlarged view of the area around the substrate edge in the preferred embodiment.

도 5는 본 발명의 선호되는 실시예에 따라 고안된 모듈의 한 측면을 도시하는 평면도. Figure 5 is a plan view showing a side of a module devised in accordance with the preferred embodiment of the present invention.

도 6은 발명에 따라 이용될 수 있는 한쌍의 모듈 도면. Figure 6 is a pair of drawing module that may be used according to the invention.

도 7은 본 발명에 따른 대안의 실시예 도면. Figure 7 is a view of an alternative embodiment according to the present invention.

도 8은 클립을 가진 본 발명의 또다른 실시예 도면. Figure 8 is a view of still another embodiment the present invention having a clip.

도 9는 기판의 얇은 부분을 가진 또다른 실시예 도면. Figure 9 is another embodiment of the figure with the thin portion of the substrate.

도 10은 본 발명의 또다른 실시예의 단면도. Figure 10 is a sectional view of another embodiment of the present invention.

도 11은 IC의 추가층들을 가진 대안의 선호 실시예 도면. Figure 11 is an alternate embodiment with additional layers of the IC preferred embodiment the figure.

도 12는 기판의 대향 변부들 주위로 플렉스 회로를 감은 또다른 대안의 실시예 도면. Figure 12 is a view of yet another alternative embodiment the flexible circuit wrapped around sections of the counter substrate side.

도 13은 기판의 대향 변부들 주위로 플렉스 회로를 감은 또다른 대안의 실시 예 도면. 13 is a view of yet another alternative embodiment the flexible circuit wrapped around sections of the counter substrate side.

도 14는 기판 위에 플렉스 회로가 배열되는 또다른 대안의 실시예 도면. Figure 14 is a view of yet another alternative embodiment where the flexible circuit disposed on the substrate.

도 15는 플렉스 회로의 외측면에 CSP를 구비한 본 발명의 대안의 실시예 도면. Figure 15 is a view of an alternative embodiment of the present invention includes a CSP on the outer face of the flex circuit.

도 16은 플렉스 회로와 기판 사이에 장착되는 CSP를 구비한 본 발명의 대안의 실시예 도면. Figure 16 is a view of an alternative embodiment of the present invention includes a CSP is mounted between a flex circuit and the substrate.

도 17은 또다른 대안의 실시예 도면. 17 is a view of yet another alternative embodiment.

도 18은 다중 열-복사 팽창부를 구비한 본 발명의 선호 실시예 도면. 18 is a multi-column-copy expansion a preferred embodiment of the present invention comprising a drawing.

도 19는 기판의 맞은편 측면들 위 플렉스 회로 부분들 간에 선택적인 상호연결 설비를 제공하는 커넥터를 구비한 본 발명의 대안의 실시예 도면. 19 is a diagram of an alternative embodiment of the present invention provided with a connector for providing selective interconnection between the equipment opposite sides above the flex circuit portion of the substrate.

도 20은 도 19의 "A"로 표시된 영역에서의 상세도. Figure 20 is a detailed view of the area indicated by "A" in Fig.

도 21과 22는 본 발명에 따라 한 모듈에 사용되는 플렉스 회로의 측면도. 21 and 22 is a side view of a flex circuit that is used in a module according to the present invention.

도 23은 대안의 실시예에 사용되는 기판의 도면. Figure 23 is a view of a substrate used in an alternate embodiment.

도 24는 도 23에 도시된 기판을 이용한 실시예의 단면도. 24 is a cross-sectional view the embodiment with the substrate shown in Fig.

도 25는 또다른 실시예의 단면도. 25 is a cross-sectional view of yet another embodiment.

도 26은 도 25에 도시된 모듈에 사용되는 기판의 단면도. 26 is a cross-sectional view of a substrate used in the module shown in Fig.

도 27은 본 발명에 따라 한 모듈에 이용가능한 또다른 기판의 평면도. 27 is a plan view of another substrate available to the module according to the present invention.

도 28은 대안의 실시예의 일부 단면도. 28 is a partial sectional view of an alternative embodiment.

도 29는 발명에 따른 선호되는 실시예에 이용되는 플렉스 회로의 단면 전개도. 29 is a cross-sectional developed view of the flex circuit utilized in the preferred embodiment according to the invention.

도 30은 선호되는 실시예 도면. Figure 30 is a preferred embodiment the figure.

도 31은 "평면" 전략에 따라 고안된 공지기술 모듈의 측면도. FIG. 31 is a side view of a known technology modules designed according to the "flat" strategy.

도 32는 도표로 모델링된 데이터를 이해하는 데 사용하기 위한 한 실시예의 도식적 맵. 32 is a schematic map of one embodiment for use in understanding modeled data in Figure.

도 33은 발명의 선호되는 실시예에 따라 고안된 모듈의 평면도. 33 is a plan view of a module devised in accordance with an embodiment of the invention is preferred.

도 34는 열 흐름을 도시하는 선호되는 실시예에 따른 모듈의 확대도. Figure 34 is an enlarged view of the module according to the preferred embodiment showing the heat flow.

도 35는 대안의 실시예에 사용되는 플렉스 회로의 도면. 35 is a view of a flex circuit that is used in an alternate embodiment.

도 36은 한 실시예에서 센서 신호 흐름의 도면. 36 is a view of a sensor signal flows in an embodiment.

도 37은 발명에 따라 고안된 열 관리 시스템의 한 실시예 도면. Figure 37 is an embodiment diagram of a thermal management system devised in accordance with the invention.

도 38은 발명에 따른 열 관리 시스템의 또다른 도면. Figure 38 is a view of the thermal management system according to the invention.

도 39는 본 발명에 따른 모듈 연 관리 시스템의 또다른 실시예 도면. Figure 39 is another embodiment of a view of the module open management system of the present invention.

도 40은 발명의 열 관리 시스템 실시예에 이용하기 위해 고안된 두개의 모듈 도면. Figure 40 is a view of two modules, designed to be used in the thermal management system embodiment of the invention.

도 41은 발명의 열 관리 시스템 실시예에 이용되는 대안의 실시예 도면. Figure 41 is a view of an alternative embodiment for use in the thermal management system embodiment of the invention.

도 42는 발명에 따른 또다른 실시예 도면. Figure 42 is another embodiment according to the invention the drawing.

도 43은 본 발명의 또다른 실시예 평면도. 43 is a plan view of another embodiment of the present invention.

도 44는 FB-DIMM 회로의 다중 사례를 표현하도록 고안된 모듈에 사용되는 점유된 플렉스 회로의 측면도. 44 is a side view of the flex circuit occupancy used in the module designed to express multiple cases of FB-DIMM circuit.

도 45는 도 44에 도시된 플렉스 회로의 또다른 측면도. Figure 45 is another side view of the flex circuit shown in Figure 44.

도 46은 기판의 각각의 측면에 IC의 네개의 랭크를 구비한 대안의 실시예 단 면도. Figure 46 is an alternative embodiment having four ranks of the IC to each side of the substrate for example, only shaving.

도 47은 두개의 기존 FB-DIMM 사이에서 임피던스 불연속성의 도식적 전개도. 47 is a schematic developed view of impedance discontinuities between two conventional FB-DIMM.

도 48은 두개 이상의 AMB를 구비한 실시예에서 일부 임피던스 특징부들의 도식적 도면. 48 is a schematic diagram of a part of the impedance characteristic portions in one embodiment having a two or more AMB.

도 49는 스택과 AMB를 이용하는 FB-DIMM의 일부 도면. 49 is a part of a FB-DIMM AMB using a stack and a drawing.

도 50은 발명에 따른 FB-DIMM 실시예의 또다른 구조 도면. 50 is a FB-DIMM embodiment of another structure diagram according to the invention.

도 51은 발명의 또다른 FB-DIMM 실시예의 도면. Figure 51 is yet another FB-DIMM embodiment of the invention the drawing.

도 52는 본 발명의 한 실시예에 사용되는 플렉스 회로의 측면도. Figure 52 is a side view of a flex circuit used in one embodiment of the present invention.

도 53은 본 발명에 따라 고안된 선호 모듈의 도면. 53 is a diagram of a preferred module devised in accordance with the present invention.

도 54는 발명에 따른 로우 프로파일 FB-DIMM형 실시예의 평면도. 54 is a low-profile according to the invention FB-DIMM type embodiment of a plan view.

도 55는 로우 프로파일 FB-DIMM형 실시예에 사용되는 플렉스 회로 도면. Figure 55 is a view flex circuit that is used in low profile FB-DIMM type embodiment.

도 56은 발명에 따른 모듈의 단면도. 56 is a cross-sectional view of a module according to the invention.

도 57은 발명에 따른 또다른 모듈의 단면도. 57 is a cross-sectional view of another module according to the invention.

본 발명은 고밀도 회로 모듈을 제작하기 위한 시스템 및 방법에 관한 발명이다. The present invention is an invention relating to a system and method for creating high density circuit modules.

메모리 확장은 고밀도 회로 모듈 솔루션이 공간-절약 장점을 제공할 수 있는 여러 분야 중 한가지이다. Memory space is a high-density circuit module solutions - is one of the many areas that can provide savings benefits. 예를 들어, 공지된 DIMM(Dual In-Line Memory Module)은 여러가지 형태로 수년간 메모리 확장 제공에 사용되고 있다. For example, well-known DIMM (Dual In-Line Memory Module) has been used for many years to provide memory expansion in various forms. 통상적인 DIMM은 메모리 소자들을 구비한 종래의 PCB와, 그 양 측면에 장착된 보조 디지털 로직을 포함한다. A typical DIMM includes a conventional PCB, and the supporting digital logic mounted on both sides provided with the memory element. DIMM은 DIMM의 접촉-지점 변부를 카드 변부 커넥터에 삽입함으로서 호스트 컴퓨터 시스템에 장착되는 것이 일반적이다. DIMM DIMM is in contact - is generally mounted on the host computer system by inserting the point of side parts card edge connector. 통상적으로, DIMM을 이용하는 시스템들은 이러한 소자들에 대해 프로파일 공간이 매우 제한되는 경향이 있으며, 기존의 DIMM-기반 솔루션들은 적당한 정도의 메모리 확장만을 제공하는 것이 일반적이다. Typically, the system tends to use the DIMM have a very limited profile space for such devices, the old DIMM- based solutions is generally only it provides memory expansion of a suitable degree.

버스 속도가 증가함에 따라, 기존의 DIMM 기반 솔루션으로 신뢰성있게 처리할 수 있는 채널 당 소자 수가 적어지고 있다. As bus speeds have increased, the number of elements existing per channel that can be treated reliably with DIMM-based solution is reduced. 예를 들어, 버퍼링되지 않은 한개의 DIMM에서 SDRAM-100 버스 프로토콜을 이용하여 처리할 수 있는 채널 당 IC나 소자들의 수가 288개일 수 있다. For example, the number of one of the IC element or per channel that can be processed by using the SDRAM-100 bus protocol on the DIMM unbuffered may be 288 days. DDR-200 버스 프로토콜을 이용하면, 채널 당 대략 144개의 소자들이 처리될 수 있다. Using the DDR-200 bus protocol, approximately 144 devices may have to be processed per channel. DDR2-400 버스 프로토콜에서는, 채널 당 72개의 소자들만이 처리될 수 있다. In DDR2-400 bus protocol, only 72 devices per channel can be processed. 이러한 제약으로 인해 버퍼링된 C/A와 데이터를 이용하는 풀-버퍼 DIMM(fully-buffered DIMM: FB-DIMM)이 개발되었으며, 이 경우에 채널 당 288개의 소자들이 취급될 수 있다. Because of these constraints, using a buffered C / A and data pull-buffered DIMM (fully-buffered DIMM: FB-DIMM) has been developed, in this case can be treated to 288 devices per channel. FB-DIMM을 이용할 경우, 용량만이 증가하는 것이 아니라, 핀 수도 과거의 240개에서 69개의 신호 핀으로 감소하였다. When using the FB-DIMM, not only the capacity to increase, the pin 240 may decrease from the past to the 69 signal pins.

FB-DIMM 회로 솔루션은 1기가바이트 DRAM을 이용하여 DIMM 당 두개의 랭크와 채널 당 8개의 DIMM으로 구성되는, 6개의 채널로 192 기가바이트까지의 마더보드 메모리 용량을 제공할 것으로 기대된다. FB-DIMM circuit solution is expected to provide a motherboard memory capacities of up to 192 gigabytes with six channels, one gigabyte DRAM using a byte consisting of the two ranks, eight DIMM per channel per DIMM. 이러한 솔루션은 차세대 기술에도 적용가능하여야 하며, 상당한 하향 호환성(downward compatibility)을 보여야 한다. These solutions should be applicable to a next-generation technology, it should show a significant downward compatibility (downward compatibility).

DIMM이나 그외 다른 회로 보드의 제한된 용량을 개선시키는 방법에는 여러 가지 공지 기술이 존재한다. How to improve the limited capacity of another DIMM or other circuit board, there are several known techniques. 한 방법으로서, 추가 메모리 공간을 제공하도록 DIMM에 소회로보드(도터 카드: daughter card)가 연결된다. Is connected to the: (daughter card daughter card) as one method, added to the board small meeting the DIMM to provide a memory space. 그러나, 이러한 추가적인 연결은 DIMM으로부터 도터 카드로 전달되는 데이터 신호에 대한 신호 일체성에 손상을 일으킬 수 있고, 도터 카드의 추가적인 두께로 인해 모듈 프로파일이 증가한다. However, these additional connections can cause damage gender integral signal on the data signal transmitted from the DIMM to the daughter card and the module profile increases due to the additional thickness of the daughter card.

다중 다이 패키지(Multiple Die Packages: MDP)들이 DIMM 용량을 증가시키는데 또한 사용될 수 있다. Multi-die package (Multiple Die Packages: MDP) can also be used to increase DIMM capacity. 이러한 기법은 단일 소자 패키지에 다중 반도체 다이를 포함시킴으로서 DIMM에서의 메모리 소자들의 용량을 증가시킨다. This technique increases the capacity of the memory elements in the sikimeuroseo DIMM including multiple semiconductor die in a single device package. 그러나, 다중 다이로 인해 발생하는 열은 최대 동작 속도의 구현을 위해 추가적인 냉각 기능을 필요로 한다. However, the heat generated due to the multiple die requires additional cooling for the implementation of the maximum operating speed. 더우기, MDP 기법은 완전히 사전테스트되지 않은 여러 다이들을 함께 패키징할 때 생기는 양품률 손실로 인해 비용이 증가하는 문제점이 있다. Furthermore, MDP method has a problem that the yield loss due to increased costs that occur when you fully pre-packaged with several die untested.

모듈 용량 증가를 위한 또한가지 방법은 적층형 패키지들이다. In addition, ways to increase the capacity of the module are the multi-layer package. 대형 회로 보드에 장착하기 위한 고밀도 회로 모듈을 제작하기 위해 패키징된 집적 회로들을 적층함으로서 용량이 증가한다. It is increased by stacking packaged integrated circuits to produce a high-density circuit module for mounting on a circuit board, a large capacity. 일부 기술에서는, 패키징된 집적 회로들을 선택적으로 상호연결하기 위해 플렉스 전도체들이 사용된다. In some techniques, they flex conductors are used to selectively interconnect the packaged integrated circuit. 본 발명의 양수자인 Staktek Group LP은 공간 절약 구조에 CSP(칩스케일 패키징) 소자들을 집약시키기 위한 시스템들을 상당량 개발하였다. The transferee of Staktek Group LP of the invention was a significant amount of development system for aggregation of CSP (Chip Scale Packaging) devices in space-saving structure. 그러나, 일부 적층 기술의 구성요소 높이 증가로 인해, 호스트 시스템 상에서 회로 보드 주위 공간이 최소가 된다거나, 공냉식 냉각이 요구된다거나 하는 시스템 요건의 변경이 나타날 수 있다. However, due to the increased component height of some stacking techniques, the circuit board around the space on the host system is minimized or, the air-cooled cooling may receive changes to the system requirements that are required or.

(* "플렉스 전도체", "플렉스 회로"란 유연성 전도체, 유연성 회로를 의미하 는 것으로서, 원어는 flexible conductor, flexible conductor, flexible circuit, flex circuit 등에 해당합니다) (* "Flex conductor", as corresponds to the "flex circuit" means a flexible conductor, flexible circuits, such as the original language is flexible conductor, flexible conductor, flexible circuit, flex circuit)

일반적으로, 공지된 방법들은 열발생 및 관리 상의 문제점들을 야기한다. In general, the known methods are to cause the problems of heat generation and management. 예를 들어, 기존의 FBGA 패키징 DRAM이 DIMM에 장착될 때, 주요 열 경로는 볼을 통해 다층 DIMM의 코어로 이어진다. For example, when a conventional FBGA packaged DRAM is mounted on a DIMM, the main heat path leading to the core of a multilayer DIMM over the ball.

따라서, 높은 주파수에서 정상적으로 동작하면서 너무 크지 않은, 그러면서도 합리적인 비용으로 제작될 수 있는, 열적으로 효율적이고 신뢰성있는 설계로 고용량 회로 모드를 제공하기 위한 방법 및 구조들이 필요하다. Therefore, it is necessary that methods and structures for providing high capacity circuit mode to the normal operation that is not too large and, as yet, which can be manufactured at a reasonable cost, thermally efficient, reliable designs that at high frequencies.

플렉스 회로(flexible circuitry)는 그 측부 중 한쪽 또는 양쪽 모두를 따라 배열되는 집적 회로들로 채워진다. The flex circuit (flexible circuitry) is populated with integrated circuits are arranged along one or both of its sides. 플렉스 회로를 따라 분포되는 접점들은 IC에 대한 연결을 제공한다. Contacts distributed along the flexible circuit provide for connection to the IC. 플렉스 회로는 견고한 열전도성 기판의 변부에 배치되는 것이 바람직하다. The flex circuit is preferably arranged in the edge of the solid thermally conductive substrate. 그래서, 기판의 한쪽이나 양쪽에 집적 회로의 한개층이나 두개층으로, 기판의 한쪽이나 양쪽에 집적 회로를 위치시키는 것이 바람직하다. Thus, in one layer or two layers of integrated circuitry on one or both sides of the substrate, it is desirable to position an integrated circuit on one or both sides of the substrate. 역시 선호되는 대안으로서, 기판에 가장 가까운 플렉스 회로의 측면의 IC들은 기판의 잘려진 영역, 포켓, 또는 윈도우에 배치된다. Also as a preferred alternative, most of the IC side of the flexible circuit closest to the substrate are arranged in the cut area of ​​the substrate, the pocket, or window. 그외 다른 실시예들은 플렉스 회로의 한쪽만을 정유할 수 있고, 또는, 모듈 프로파일을 감소시키도록 기판 물질을 제거할 수 있다. Other different embodiments may be essential oils or one of the flex circuit, or may remove substrate material to reduce module profile. 선호되는 실시예에서, 범용 및 서버 컴퓨터에서 발견되는 것처럼, 플렉스 회로를 따라 분포되는 접점들은 변부 커넥터 소켓에 삽입하도록 구성된다. In the preferred embodiment, as will be found in general purpose and server computers, the contacts distributed along the flexible circuit are configured to insert the edge connector socket. 선호되는 기판들은 열전도성 물질로 구성된다. The preferred substrates are composed of a thermally conductive material. 선호되는 실시예에서 기판으로부터의 확장부들 은 열적 모듈 로딩을 감소시킬 것이라 기대되며, 동작 시 모듈의 집적 회로 간의 열 변화 감소를 도울 것으로 기대된다. Extension portions from the substrate in the preferred embodiment is expected to reduce thermal module loading and is expected to help reduce the thermal variation between integrated circuits of the module during operation.

도 1과 2는 본 발명의 선호되는 실시예를 구성하는 데 사용되는 선호되는 플렉스 회로(12)의 양쪽 측부, 즉 윗면(8)과 아랫면(9)을 도시한다. Figure 1 and 2 illustrate the both side portions, i.e. the upper surface 8 and lower surface 9 of flex circuit 12 is preferred to be used to construct the preferred embodiment of the present invention. 플렉스 회로(12)는 한개 이상의 플렉스 기판층에 의해 지지되는 다수의 전도층으로 만들어진다. Flex circuit 12 is made of a plurality of the conductive layer that is supported by a flex substrate one or more layers. 플렉스 회로(12) 전체는 유연한 성질을 지닐 수 있고, 또는 당 분야에서 쉽게 판단할 수 있는 바와 같이, 플렉스 회로 구조(12)가 일부 영역에서는 어떤 요건 형태나 구부림에 대해 쉽게 순응하여 변형될 수 있도록, 그리고 일부 영역에서는 견고하고 평탄한 장착 표면을 제공하도록 견고하게 만들어질 수 있다. Flex circuit 12 is a whole as can be readily determined from, and may have a flexible property, or the art, the flex circuit structure (12) to which the requirements can be modified to easily conform to the shape and bend in some areas , and in some areas it can be firmly made to provide a robust and flat mounting surface. 선호되는 플렉스 회로(12)는 조립 중 기판에 플렉스 회로(12)를 정렬시키는 데 사용되는 구멍(17)(또는 탭)을 구비한다. Preferred flex circuit 12 is provided with a hole 17 (or tabs) that are used to align the flex circuit 12 to a substrate during assembly.

플렉스 회로(12) 상의 IC(18)들은 본 실시예에서 칩-스케일 패키징된(CSP) 메모리 소자들이다. IC (18) on the flex circuit 12 are the chip in this embodiment are scaled packaging (CSP) memory device. "칩스케일 패키징" 또는 "CSP"는 패키지나 다이의 주표면 사이에 분포되는 접점들을 통해 한개 이상의 다이에 대한 연결을 제공하는 어레이 패키지를 구비한 임의의 기능의 집적 회로를 의미한다. "Chip scale package" or "CSP" refers to an integrated circuit of any of the functions of the via contact comprising an array package providing connection to one or more dies to be distributed between the main surface of the package or die. CSP는, TSOP처럼 패키지의 주변부로부터 나타나는 리드들을 통해 패키지 내의 집적 회로에 대한 연결을 제공하는 리드 소자들을 의미하지는 않는다. The CSP, through a lead emerging from the periphery of the package such as TSOP does not mean the reading element to provide a connection to the integrated circuit in the package.

본 발명의 실시예들은 패키징된 형태 및 패키징되지 않은 형태로 리드 소자나 CSP 소자, 또는 그외 다른 소자로 이용될 수 있다. Embodiments of the invention can be used as the read element or CSP devices or other devices in other non-packaged form, and packaging. 하지만, CSP가 사용될 경우, CSP에 대한 상술한 정의가 채택되어야 한다. However, when CSP is used, and the above-described definition for CSP should be adopted. 결과적으로, CSP가 리드 소자들을 포 함하지 않지만, CSP에 대한 기준들은 다양한 어레이 소자들을 포함하도록 폭넓게 간주되어야 할 것이며, BGA, 마이크로 BGA, 그리고 플립-칩같은 다이-크기나 그외 다른 크기도 포함하는 것으로 간주되어야 할 것이다. As a result, CSP is does not include the lead elements, and references to CSP are will be considered broadly to include a wide range of array elements, BGA, Micro BGA, and the flip-chip as di-, including the size or other different size It should be considered. 당 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 공개 내용을 읽고 난 후 판단할 수 있겠지만, 본 발명의 일부 실시예들은 예시된 도면에 IC(18)로 표시된 바와 같이 각각 배치된 IC들의 스택을 이용하도록 고안될 수 있다. Those of ordinary skill in the art but can be determined after reading the present disclosure, certain embodiments of the invention to use a stack of each of the deployed IC as indicated by IC (18) to the illustrated drawings It can be devised.

다중 IC 다이가 단일 IC(18)로 묘사되는 패키지에 포함될 수 있다. Multiple IC die may be included in a package depicted as a single IC (18). 본 실시예에서, 메모리 IC들이 메모리 확장 보드를 제공하는 데 사용되지만, 이는 제한적인 사항이 아니며, 여러 다양한 실시예들은 메모리에 추가하여 그외 다른 주요 기능을 위해 고안된 다양한 IC들과 그외 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. In this embodiment, although the memory IC are used to provide memory expansion board, which is not a restrictive requirements, a variety of embodiments are various IC and other different components designed for other key functions Other In addition to memory It can be included. 이러한 다양한 종류로는 마이크로프로세서, FPGA, RF 송수신기, 또는 그외 다른 통신 회로, 디지털 로직들을 들 수 있고, 고밀도 회로 모듈 기능으로부터 장점을 취할 수 있는 그외 다른 회로나 시스템들도 그러한 예로 들 수 있다. Various types such as a microprocessor, FPGA, RF transceiver, or other different communication circuit, there may be mentioned digital logic, and others to take advantage from the high-density circuit module feature other circuit or system may also be such an example. 한쌍의 IC(18) 사이에 표시된 회로(19)는 메모리 버퍼나 컨트롤러일 수 있으며, AMB(Advanced Memory Buffer)일 수도 있고, 또는 마이크로프로세서, 로직, 또는 통신 소자로 간주될 수도 있다. Circuit 19 shown between a pair of IC (18) may be regarded as a memory buffer, or may be a controller, it may be an AMB (Advanced Memory Buffer), or a microprocessor, logic or communications device.

도 1은 플렉스 회로(12)의 윗면(8)을 도시한다. Figure 1 illustrates a top side 8 of flex circuit 12. 이 윗면에는 두개의 행(IC R1 , IC R2 )으로 배열되는 IC(18)가 장착된다. With the top side, the IC (18) that are arranged in two rows (IC R1, R2 IC) is mounted. 당 분야의 통상의 지식을 가진 자라면, 플렉스 회로(12)에 IC(18)들을 장착함으로서, 일례의 모듈(10)이 조립될 때 직관적이면서도 효율적인 제작 상의 장점을 제공할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. Those of ordinary skill in the art, be appreciated that, by mounting the flexible circuit IC (18) to (12), for example module 10. This can provide advantages, intuitive and efficient production when the assembly will be. 그외 다른 실시예들은 행 수를 달리 할 수 있고, 한개의 행만을 가질 수도 있다. Other different embodiments may be varied the number of lines, and may have only one of the rows. IC(18)와 회로(19) 사이에 접점 어레이들이 배열되어, IC에 대한 상호연결을 위한 전도 패드를 제공한다. The contact array are arranged between the IC (18) and the circuit 19 and provides a conductive pad for interconnection of the IC. 일례의 접점 어레이(11A)가 도시되는 데, 이 경우에 도시되는 바와 같이 접점 어레이(11A)에서 일례의 IC(18)가 장착된다. Is to the contact array (11A) in the example shown, IC (18) for example in the contact array (11A), as shown in this case is mounted. IC(18)의 행 IC R1 과 IC R2 사이에서, 플렉스 회로(12)는 모듈 접점(20)의 두개의 행(C R1 과 C R2 )를 가진다. Between lines IC R1 and R2 IC of IC (18), have a flex circuit 12 has two rows of the module contacts (20) (C R1 and C R2). 플렉스 회로(12)가 차후 도면에서 접힐 때, 도 1의 윗면(8)은 모듈(10)의 외부로 제시된다. When flex circuit 12 is folded in a later drawing, the upper surface (8) of Figure 1 is presented to the outside of the module 10. 플렉스 회로(12)의 아랫면(9)은 내부로 표시된다. The lower surface 9 of flex circuit 12 is shown as internal.

도 2는 IC R3 와 IC R4 로 나타나는 플렉스 회로(12)의 아랫면(9)에 두개의 또다른 행들의 IC(18)를 도시한다. Figure 2 illustrates the addition of two IC (18) of the other row on the bottom surface 9 of flex circuit 12 represented by the IC R3 and R4 IC. 터미네이션 저항, 바이패스 커패시터, 그리고 바이어스 저항과 같은 여러 개별적인 구성요소들이 플렉스 회로(12)의 윗면(8)과 아랫면(9)에 장착될 수도 있다. There may be many separate components such as termination resistors, bypass capacitors, and bias resistors are mounted on the upper surface 8 and lower surface 9 of flex circuit 12. 이러한 개별적인 구성요소들은 도면 단순화를 위해 제시하지 않는다. These individual components are not proposed for simplifying the drawing. 플렉스 회로(12)는 그 변부를 참고하여 기술될 수도 있다. Flex circuit 12 may be described with reference to the side parts. 두 변부(PElong1, PElong2)는 길고, 두 변부(PEshort1, PEshort2)는 짧은 것이 일반적이다. Two edges (PElong1, PElong2) is long, the two edges (PEshort1, PEshort2) is generally shorter. 그외 다른 실시예들은 장방형이 아니거나 정사각형인 플렉스 회로(12)를 이용할 수 있으며, 제작 상의 특이사항에 부합하도록 그외 다른 편리한 형태를 취할 수도 있다. Other different embodiments may utilize a flex circuit 12 not a rectangular or square, and may take other convenient forms other to conform to the specific requirements on the production.

도 1은 모듈 접점(20)의 행 C R1 과 C R2 를 IC(18)에 연결하는 일례의 전도 트레이스(21)를 도시한다. Figure 1 shows the conductive traces 21 of the example connecting the line C R1 and C R2 of module contacts 20 to the IC (18). 몇가지 트레이스들만이 도면 단순화를 위해 제시되었을 뿐이다. Some trace only the only been proposed for simplifying the drawing. 트레이스(21)들은 두개 이상의 전도층을 가진 일부 실시예들에서 플렉스(12)의 그외 다른 전도층으로 전달될 수 있는 바이어(via)들에게 연결될 수 있다. Trace 21 may be connected to the via (via), which other may be delivered to other conductive layers of flex 12 in some embodiments with two or more conductive layers. 바이어(23)는 점선의 트레이스(25)에 의해 표시되는 바와 같이, 플렉스(12)의 또다른 전도층 상에서 회로(19)로부터 신호 트레이스(25)를 연결하는 것으로 도시된다. Via 23 it is shown connecting a signal trace 25 from circuit 19 on another conductive layer of flex 12, as indicated by the trace 25 of the broken line. 선호되는 실시예에서, 바이어는 플렉스 회로(12)의 아랫면(9)의 IC(18)를 모듈 접점(20)에 연결하는 부분이다. In the preferred embodiment, via a part which is connected to the IC (18) of the lower surface 9 of flex 12 to module contacts 20. 트레이스(21, 25)들은 플렉스 회로(12)의 윗면이나 아랫면의 IC 들 간의 그외 다른 연결을 구축할 수 있고, IC를 상호연결하도록 모듈 접점(20)의 행들을 가로지를 수 있다. Traces 21 and 25 are able to establish different connections between the IC of the other top or bottom surface of flex circuit 12, it is possible to cross the rows of module contacts 20 to interconnect the IC. 여러 트레이스들과 바이어들은 함께 여러 IC에 신호를 전달하는 데 필요한 상호연결을 구축한다. Many traces and buyers should build interconnections needed to transmit signals to multiple IC together. 단일 행의 모듈 접점(20)만으로 본 발명이 구현될 수도 있고, 플렉스 회로의 두 면 중 한면이나 양면 모두에, 또는 모듈의 한면에만, IC를 지닌 모듈로 본 발명이 구현될 수도 있다. And the present invention may be only the module contacts 20 of the single row embodiment, to both one side and both sides of the two side of the flex circuit, or only one side of the module, a module having the IC may be implemented by the present invention.

도 3은 본 발명의 선호 실시예에 따라 고안된 모듈(10)의 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of a module 10 devised in accordance with the preferred embodiment of the present invention. 모듈(10)은 윗면(18 T )과 아랫면(18 B )을 구비한 CSP(18)로 채워진다. Module 10 is populated with a CSP (18) having a top surface (18 T) and bottom (18 B). 기판(14)은 도 3의 도면에서 나타나는 변부(16A)를 구비하며, 이 변부(16A) 주위로 플렉스 회로(12)가 배치된다. Substrate 14 is a flex circuit 12 is disposed around and having an edge (16A) appears in the diagram of Figure 3, the edge (16A). 기판(14)은 제 1, 2 측부(S1과 S2)를 가진다. Substrate 14 has a first and second sides (S1 and S2). 플렉스 회로(12)는 기판(14)의 변부(16A) 주위로 감기며, 이는 도시된 실시예의 변부(16A) 근처에서, 공통 DIMM 보드 형태 팩터의 기본 형태를 제공한다. Flex circuit 12 is wound around the edges (16A) of the substrate 14, which provides the basic shape in the vicinity of the illustrated embodiment, edge (16A), a common DIMM board form factor. 기판 둘레로 플렉스 회로를 감아 형성되는 플렉스 회로(12)의 포켓 부분은 기판(14)의 양 측부 상에서 기판(14)에 고정되거나 박판화(래미네이션)된다. Pocket portion of the flex circuit 12 is formed by winding a flexible circuit board or circumference is fixed to the substrate 14 on both sides of the substrate 14 is thinned (lamination). 이 부분은 모듈(10)을 삽입할 변부 커넥터 또는 컴퓨터나 확장 보드 소켓의 크기 및 설계와, 모듈 접점(20)의 길이, 기판(14)의 두께, IC(18)의 높이 등등과 같은 인자들을 고려하여 길이 변화를 보일 수 있다. This part is the factors such as the height and so the size and design of the edge connector or computer or expansion board socket to insert the module 10, a module contact length, the substrate 14 thickness, IC (18) of the 20 It can be seen by considering the changes in length. 플렉스 회로가 IC(18) 연결 영역에 도달하는 공간은 등각(conformal)이거나 열전도성인 언더필(underfill)로 채워질 수 있고, 언필(unfilled) 상태로 남겨질 수도 있으며, 또는 도 7에 도시되는 바와 같이, 기판(14)의 플렉스 지지부에 의해 점유될 수도 있다. Space for the flex circuit reaches the IC (18) connecting region is conformal (conformal) or may be filled with heat conductive adult underfill (underfill), as shown in eonpil (unfilled) state also has, or 7 left in the substrate It may be occupied by a flex support part (14). 선호되는 실시예에서 접착제(30)가 열전도성 물질이어서, 알루미늄같은 금속(일례에 해당)으로 구성되는, 적절히 선택된 열전도성 기판(14)을 이용함으로서 제공될 수 있는 열 소산 특성을 이용할 수 있다. Then adhesive 30 is thermally conductive material in a preferred embodiment, the heat dissipation characteristics that may be provided by using a thermally conductive substrate 14 is selected suitably constituted of aluminum as a metal (for example) may be used.

네개의 IC(18)의 내부 쌍들이 기판(14)에 열전도성 접착제(30)를 이용하여 부착되는 것이 바람직하다. It inner pair of the four IC (18) are attached by using a thermally conductive adhesive 30 to the substrate 14 is preferred. 접착제(30)는 선호되는 실시예에서 열전도성 물질이어서, 적절히 선택된 열전도성 기판(14)을 이용하여 제공될 수 있는 열 소산 특성을 활용할 수 있다. Adhesive 30 can take advantage of the heat dissipation characteristics that may be provided using a conductivity in the preferred embodiment the thermally conductive material is then suitably selected thermal substrate 14. 본 실시예에서, 네개의 IC들이 서로 대향하는 쌍으로서 플렉스 회로(12)에 부착되어 있지만, 이는 제한적인 사항이 아니며, 다른 배열에 더 많은 IC들이 연결될 수 있다. In the present embodiment, the four IC that is attached to the flex circuit 12 as a pair opposed to each other, this is not restrictive requirements, may have more IC coupled to another array. 가령, 지그재그 형태나 이격된 상태의 배열로 나타날 수 있다. For example, it may appear in the array in a zigzag form or spaced apart state. 그 예들을 차후에 다시 설명할 것이다. It will again explain the examples later. 더우기, CSP IC들만이 도시되지만, 다른 IC들도 IC(18)처럼 이용될 수 있다. Moreover, although the CSP IC only are shown, other IC may also be used as IC (18). 메모리 CSP들이 전형적인 IC(18)이지만, 다른 기능의 IC들도 이용될 수 있다. Although memory CSP are typical IC (18), it may also be used in other functions of the IC.

본 실시예에서 플렉스 회로(12)는, 변부 커넥터나 컴퓨터 또는 확장 보드 소켓에 들어맞도록, 그리고 커넥터나 소켓의 대응하는 접점에 연결하도록 구성되는 방식으로 위치하는 모듈 접점(20)을 구비한다. Flex circuit 12 in this embodiment is provided with the module contacts 20 positioned to the configured system to be connected to corresponding contacts of the edge connector or computer or expansion board socket example, and the connector or socket to fit. 모듈 접점(20)들이 플렉스 회로(12) 의 표면으로부터 돌출되는 것으로 도시되지만, 이는 제한적인 사항이 아니며, 플렉스 회로(12)의 표면 레벨 아래에 접점을 가질 수도 있고 동일 높이의 접점들을 가질 수도 있다. Module contacts 20 that are shown as projecting from the surface of flex circuit 12, this is not restrictive locations, may have a contact point is below the surface level of flex circuit 12 it may also have contact points of the same height . 기판(14)은 소켓에 삽입하는 데 필요한 기계적 형태를 제공하도록 구성된 방식으로 플렉스 회로(12) 뒤로부터 모듈 접점(20)을 지지한다. Substrate 14 supports the flex circuit 12, module contacts 20 from behind in a manner adapted to provide the mechanical form required for insertion into the socket. 도시된 기판(14)이 균일한 두께를 보이지만, 이는 제한적인 사항이 아니며, 다른 실시예에서는 기판(14) 표면이나 두께가 변할 수 있다. But the one illustrated is substrate 14, uniform thickness, this is not restrictive information, other embodiments may have substrate 14 surface and the thickness may vary. 이러한 가능한 변화의 제한없는 예가 추후 도면에서 나타난다. An example of such a restriction is not possible variation shown in the figures later. 도시되는 실시예의 기판(14)은 알루미늄이나 구리같은 열전도성 금속 물질로 만들어지는 것이 바람직하다. Embodiment, the substrate 14 shown is preferably made of a thermally conductive metal material such as aluminum or copper. 기판(14)은 예를 들어, 열전도성 플라스틱이나 탄소-기반 물질처럼, 그외 다른 열전도성 물질로 구성될 수도 있다. Substrate 14 is, for example, thermally conductive plastics or carbon-based material, as may also be of other heat-conductive material to the other. 열 관리가 관심 대상이 아닐 경우엔, FR4(flame retardant type 4) 에폭시 래미네이트, PTFE(poly-tetra-fluoro-ethylene)같은 물질이 대안의 실시예로 사용될 수 있다. If the thermal management is not of interest yen, a material such as FR4 (flame retardant type 4) epoxy laminate, PTFE (poly-tetra-fluoro-ethylene) may be used in alternative embodiments. 또하나의 실시예에서, 다중 기술로부터의 바람직한 특징들은 양면에 구리층을 가진 FR4를 이용하여 조합되어, 열 전도나 접지면을 제공할 수 있는 친숙한 물질로부터 고안된 기판(14)을 제공할 수 있다. In another embodiment, the preferred features from multiple technologies may be combined by using a FR4 having a layer of copper on both sides, heat may provide a substrate 14 devised from familiar materials which may provide conductive or ground plane .

도 3에서, 모듈(10)은 열적 팽창부(16T)를 나타낸다. In Figure 3, the module 10 represents a thermally expanded portion (16T). 가장 편하게 배치되는 기판(14)의 단부에 위치하는 것이 바람직하지만, 기판의 열적 팽창부는 기판 단부 사이에서 메인 바디 기판(14)으로부터 뻗어나올 수 있다. Preferably located at the ends of the substrate 14 which is disposed most convenient, however, thermal expansion of the substrate portion may extend out from the main body substrate between the substrate end 14. 기판(14)은 한개 이상의 이러한 팽창부들을 보일 수 있다. The substrate 14 may exhibit more than one of these expansion units. 열적 팽창부(16T)는 다양한 방향으로 기판의 중앙 축으로부터 나타날 수 있고, 기판의 메인 바디에 관련하여 수직일 필요도 없고, 모듈(10) 양면에게로 뻗어나올 필요는 없다. Thermally expanded portion (16T) may receive from the central axis of the substrate in different directions, without any need to be perpendicular in relation to the main body of the substrate, the module 10 does not need to come out to the both sides to. 추가로 설명되겠지만, 도 3에 도시된 바와 같은 모듈(10)의 모델은 메모리 확장 응용부품에 대게 사용되는 공지된 평면 모듈에 비해, 모듈(10)의 열적 장점을 예측한다. Model of a module 10 as shown in Figure 3, As will be described further compared with a known planar module is mostly used for memory expansion applications parts, predicts the thermal advantages of the module 10. 열적 팽창부(16T)는 기판(14)에 대해 추가적인 표면적을 제공하며, 따라서, 모듈(10)로부터 열이 흘러나오는 영역을 증가시킨다. Thermally expanded portion (16T) provides additional surface area for the substrate 14, therefore, increases the area coming out heat flows from the module 10. 이러한 열 흐름을 위한 주요 수단은 공기 흐름이 모듈 냉각을 돕는 것처럼 대류(convective)형이다. Primary means for such a heat flow is a convection-type (convective), as the airflow to help cool the module. 하지만, 열 팽창부(16T)를 구비한 기판(14)의 구조가 모듈(10)로부터 열 흐름을 위한 다양한 수단에 대해 전도성이기 쉬움을 이해할 수 있을 것이다. However, there will be a structure of a substrate 14 having a thermal expansion portion (16T), it is easy to understand the conductivity for the various means of the heat flow from the module 10.

회로 모듈(10)을 효율적으로 조립하기 위한 한가지 이로운 방식은 다음과 같다. One kinds of beneficial method for efficiently assembling a circuit module 10 is as follows. 선호되는 모듈 조립체(10)를 조립하는 방법으로서, 플렉스 회로(12)가 평탄하게 놓이고, 양면이 당 분야에 공지된 회로 보드 조립 기술에 따라 구성된다. A method of assembling a preferred module assembly 10 is, and the flexible circuit to be placed (12) is flat, and both surfaces are configured according to the circuit board assembly techniques known in the art. 플렉스 회로(12)는 기판(14)의 단부(16A) 주변으로 접힌다. Flex circuit 12 is folded around the end (16A) of the substrate 14. 그 후, 툴링 구멍(17)들이 기판(14)에 플렉스 회로(12)를 정렬시키는 데 사용될 수 있다. Then, it may be used to tooling holes 17 are for aligning the flex circuit 12 to substrate 14. 플렉스(12)는 기판(14)에 부착되거나 래미네이션될 수 있다. Flex 12 may be Nation lamination or attached to the substrate 14. 더우기, IC(18)의 윗면(18T)은 기계적 일체성이나 열전도를 제공하도록 고안된 방식으로 기판(14)에 부착될 수 있다. Furthermore, the top face (18T) of the IC (18) can be attached to the substrate 14 in a manner devised to provide mechanical integrity or thermal conduction.

도 4는 일례의 모듈(10)의 단부(16A) 주변 영역의 확대도이다. Figure 4 is an enlarged view of the area around the end portion (16A) of a module 10 of an example. 기판(14)의 변부(16A)는 변부 카드 커넥터에 삽입하기 위해 둥글게 마감처리되는 것이 바람직하다. Edge (16A) of the substrate 14 is preferably rounded finish to insert the edge card connector. 둥근 형태의 특정 구조가 도시되지만, 변부(16A)는 다양한 종류의 커넥터나 소켓에 부합하도록 고안된 다른 형태를 취할 수도 있다. Showing the specific structure of the round, but the edge (16A) may take other forms designed to suit the different types of connectors or sockets. 다양한 변부 커넥터의 형태와 기능은 당 분야에 잘 알려져 있다. Form and function of the various edge connectors are well known in the art. 도시된 접착제(30)와 플렉스 회로(12)의 두께는 바뀔 수 있고, 도면 단순화를 위해 축적대로 그리지 않았다. The thickness of the shown adhesive 30 and the flex circuit 12 may be changed, not drawn to scale to simplify the drawing. 플렉스 회로 (12)와 접착제(30)로 조립할 때, 모듈 접점(20) 간에 측정된 두께는 접합 커넥터에 명시된 범위 내에 있다. The thickness measured between the flex circuit 12 with the adhesive in assembling to 30, module contacts 20 are within the scope set forth in the joint connector.

도 5는 본 발명의 선호되는 실시예에 따라 고안된 모듈 조립체(10)의 평면도이다. Figure 5 is a plan view of module assembly 10 devised in accordance with the preferred embodiment of the present invention. 모듈 조립체(10)는 다양한 조율의 시스템에 이용될 수 있는 전통적인 DIMM을 대체할 수 있다. Module assembly 10 may replace traditional DIMM that can be used in different coordinate systems. 모듈 조립체(10)는 기판(14)의 변부(16A) 주변으로 감기는 플렉스 회로(12)를 구비한다. The peripheral module assembly 10 has an edge (16A) of the substrate 14 is provided with a cold flex circuit 12. IC(18)는 전 도면에 도시된 바와 같이 도시된 측부를 따라 플렉스 회로(12)에 장착된다. IC (18) is mounted along the side shown, as illustrated in all the drawings in the flex circuit 12. 모듈 접점(20)은 카드 변부 커넥터나 소켓에 연결하기 위해 모듈 조립체(10)의 변부(22) 근처에 배치된다. Module contacts 20 are disposed near the edge 22 of module assembly 10 to be attached to the card edge connector or socket. 도시된 모듈(10)의 윗부분을 따라 부가적인 팽창부(16T)가 도 5에 도시된다. Along the top of the shown module 10, the additional expansion unit (16T) is shown in Fig.

도 6은 두 모듈(10)을 이용하는 시스템(5)을 도시하며, 본 발명에 따른 시스템(5)에서 다중 모듈(10)의 이용을 도시한다. Figure 6 shows a system 5 utilizing two modules 10 and illustrates the use of multiple modules 10 in a system 5 in accordance with the present invention.

모듈(10)들은 회로 보드(33)에 각기 전개된 카드 변부 커넥터(31)에 삽입되는 것으로 도시된다. Modules 10 are shown being inserted into the circuit board 33, the card edge connector 31 on each deployment. 따라서 시스템(5)은 모듈(10)들의 열적 로딩을 최소화시키도록 구성된 특징부들을 메모리 확장에 제공하도록 구성될 수 있다. Thus, the system 5 may be configured to provide the features configured to minimize the thermal load of the module 10 to the memory expansion.

도 7은 본 발명의 대안의 실시예로서, IC 대류 영역으로 전환할 때 플렉스 회로(12)를 지지하기 위한 플렉스 지지부 14FS를 기판(14)이 포함한다. Figure 7 include an alternative embodiment of the invention, substrate 14, the flex support 14FS to support flex circuit 12 to switch the IC convection section. 팽창부(16T)가 없는 도 7의 모듈에서 기판(14)의 상부 단부(16B)가 나타난다. Expanding the upper end portion (16B) of the substrate 14 in the module of Figure 7 does not have (16T) is shown.

도 8은 클립을 가진 또다른 실시예를 도시한다. Figure 8 illustrates a further embodiment having a clip. 본 실시예에서, 클립(82)은 IC(18) 둘레로 클리핑된다. In this embodiment, the clip 82 is clipped to the IC (18) circumference. 클립(82)은 금속이나 그외 다른 열전도성 물질로 만들어지는 것이 바람직하다. Clip 82 is preferably made of a metal or other thermally conductive material other. 바람직하게는 기판(14)의 단부와 부합하도록 설계된 홈(trough)(84)이 클립(82)에 구성된다. Preferably the groove (trough) (84) designed to meet the end of the substrate 14 consists of a clip (82). 클립(82)과 기판(14), 또는 IC(18) 사이에 접착제로 이러한 부착이 구현될 수도 있다. It may be implemented in such a mounting adhesive between clip 82 and substrate 14, or IC (18).

도 9는 기판(14)의 얇은 부분(thinned portion)을 가진 실시예를 도시한다. 9 shows an embodiment having a thin portion of the substrate (14) (thinned portion). 본 실시예에서, 기판(14)은 변부나 그외 다른 커넥터와의 연결을 위해 필요한 모듈 조립체(10)의 주변 영역이나 변부용 지지체를 제공하도록 설계된 변부(16A)를 향해 제 1 두께(1)를 가진다. In this embodiment, the substrate 14 side portion and other a first thickness (1) towards the edge (16A) that is designed to provide a peripheral area or the side part-forming the support of the necessary module assembly 10 for connection to the other connector have. 두께(1)에 해당하는 기판(14) 부분 위에 두께(2)의 부분(92)이 존재한다. The portion 92 of the substrate 14 thickness (2) over a portion corresponding to the thickness (1) is present. 부분(92)의 좁은 폭은 모듈 조립체(10)의 전체 폭을 좁히도록 설계되며, 동작 환경에서 모듈 조립체(10)들의 공간 간격을 치밀하게 하거나 공냉식 공기흐름을 개선시킬 수 있다. Narrow width portion (92) is designed to narrow the total width of module assembly 10, the dense spacing of the space module assembly 10 from the operating environment, or may improve the air-cooling air flow.

도 10은 또다른 선호되는 실시예의 단면도이다. Figure 10 is another preferred embodiment that is a cross-sectional view. 이 도면은 모듈(10) 위로부터 아래를 내려다 보는 화면이다. The drawing is a viewing screen down from the top of module 10. 기판(14)은 소자(19) 아래의 부분(102)에서 선택적으로 가늘다. Substrate 14 is thinner in a selective portion 102 of the bottom element (19). 소자(19)는 기판에 장착된 노출 다이(19D)를 구비한다. The sensor 19 is provided with an exposed die (19D) mounted on the substrate. 다른 실시예들은 전형적인 IC(18)보다 큰 높이를 가진 다른 소자나, 패키징되거나 장착된 IC들을 가질 수도 있다. Other embodiments may have different device or the packaging or mounting IC with a height greater than the typical IC (18). 본 실시예에서, 소자(19)는 플렉스 회로(12)를 구성하는 다른 IC(18)들보다 높이나 두께가 크다. In this embodiment, the sensor 19 is different than the IC (18) constituting the flex circuit 12 is greater that the height or thickness. 소자(19) 아래 기판(14)의 얇은 부분(102)은 추가적인 높이를 수용할 수 있어서, 플렉스 회로(12)가 평면 상태를 유지하고, 소자(19)의 윗면이 기판(14)과 열적으로 접촉상태를 유지한다. Sensor 19 according to the thin portion 102 of the bottom board 14 is accommodated for additional height, flex circuit 12 to maintain the flat state, the upper surface of the substrate 14 of the sensor 19 to the thermal It maintains a contact state. 기판(14)은 본 실시예나 그외 다른 유사 실시예를 위해 제작될 수 있고, 이때, CNC(컴퓨터 수치 제어) 머신으로 기계가공되거나 사출되는 등의 다양한 방법으로 제작될 수 있다. The substrate 14 may be manufactured in a variety of ways, such as can be made for other embodiments of this embodiment Jena another similar example, at this time, CNC (computer numerical control) machine by machining or emitted. 본 실시예와 유사 실시예들은 소자(19)가 FB-DIMM AMB(Advanced Memory Buffer)일 때 바람 직한 열 성능을 제공할 수 있다. Exemplary embodiment, similar examples can be provided when one wind probable Thermally sensor 19 is FB-DIMM AMB (Advanced Memory Buffer). 소자(19)는 열 전도성 접착제로 기판(14)에 부착되는 것이 바람직하다. Sensor 19 is preferably attached to substrate 14 with adhesive, thermal conductivity.

도 11은 IC(18)들의 추가 층들을 가진 발명의 또다른 실시예를 도시한다. Figure 11 shows a further embodiment of the invention having additional layers of the IC (18). 플렉스 회로(12)의 일부분(24)에서 바이어와 상호연결되는 층들을 구비한 스플릿 플렉스(split flex) 등이 플렉스 회로(12)에 제공될 수 있다. In the flex circuit portion 24 of 12 is such a split flex (split flex) having layers via interconnection and may be provided in the flex circuit 12. 더우기, 두개의 플렉스 회로가 사용될 수 있고, 패드간 접점이나 인터-플렉스 접점에 의해 상호연결될 수 있다. Furthermore, there are two flex circuits may be used, or the contact between inter-pad may be connected to each other by the contact point flex.

도 12는 기판(14)의 변부 둘레로 감긴 플렉스 부분들을 가진 또다른 실시예를 도시한다. Figure 12 illustrates another embodiment having flex portions wrapped around the edges as the substrate 14. 플렉스 회로(12)는 기판(14)의 팽창부(16 T ) 둘레로 감긴 연결 부분(12C)을 가진다. Flex circuit 12 has a connection portion (12C) wound around the expanding portion (T 16) of the substrate 14. 본 실시예를 조립하기 위한 선호되는 방법으로서, 도시된 IC(18)들이 먼저 플렉스 회로(12)에 장착된다. As a preferred method for assembling the present embodiment, a city IC (18) are first mounted to flex circuit 12. IC(18A)에 연계된 플렉스 부분(26)은 기판에 대해 상대편에 놓인다. The flex portion 26 linked to the IC (18A) is placed in opposition to the substrate. 플렉스 회로(12)는 기판(14)의 변부(16A) 둘레로 감긴다. Flex circuit 12 is wound with an edge (16A) circumference of the substrate 14. 기판(14)에 플렉스(12)와 IC(18A, 18B)를부착하는 데 적절한 접착 래미네이션이나 그외 다른 기술들이 이용된다. Flex 12 and a suitable adhesive lamination or other other techniques for attaching the IC (18A, 18B) are used in the substrate 14. 플렉스 회로(12)의 연결 부분(12C)이팽창부(16T) 둘레로 감긴다. It is wound in the connecting portion (12C) yipaengchang portion (16T) around the flex circuit 12. 도시된 IC(18) 들 간에 후면 연결을 행하는 데 접착제가 사용될 수 있다. For conducting the rear connection between the illustrated IC (18) has an adhesive may be used. 래미네이션이나 그외 다른 접착 및 접합 기술들은 플렉스 부분(24)에서 플렉스(12)의 두 층을 서로에게 부착하는 데 사용될 수 있다. Lamination or other adhesive and other bonding techniques may be used to attach the two layers of flex 12 in the flex portion 24 to each other. 더우기, 변부(16A) 둘레로 감기는 플렉스 회로(12)의 두 층들은 패드간 접점이나 인터-플렉스 접점에 의해 상호연결될 수 있다. Moreover, the two layers of the edge (16A) is a flex circuit 12 are wound in the circumferential contact between the pad and inter-may be interconnected by a flex contacts. 플렉스(12)는 변부(16A) 둘레로 다시 감기며, IC(18C)를 위치로 밀어넣는다. Flex 12 is said rewinder as a perimeter edge (16A), and pushes the IC (18C) to the location. IC(18D)는 IC(18E)와 후면 연결로 위치하여 부착된다. IC (18D) are attached to locations in IC (18E) and the back connection.

도 13은 기판(14)의 양 변부 둘레로 감긴 플렉스 부분을 가진 또다른 실시예를 도시한다. Figure 13 shows another embodiment having a flex portion wound with both circumferential edge of the substrate 14. 플렉스 회로(12)는 기판(14)의 팽창부(16T) 둘레로 감긴 연결부(12C)를 구비한다. The flex circuit 12 is provided with a connection portion (12C) wound around the expanding portion (16T) of the substrate 14. 연결부(12C)는 두개 이상의 전도층을 가지는 것이 바람직하며, 세개나 네개, 또는 그 이상의 전도층을 가질 수도 있다. Connection (12C) is preferably has a conductive layer of two or more, may have a three or four, or more conductive layers. 이러한 전도층들은 FB-DIMM같은 응용분야용 신호를 전달하는 데 유익할 수 있다. This conductive layer may be advantageous to pass the signal for applications such as FB-DIMM. FB-DIMM은 등록된 DIMM에 비해 더 적은 DIMM 입/출력 신호를 가지기 때문이다. FB-DIMM is due gajigi fewer DIMM input / output signals than a registered DIMM. 하지만, FB-DIMM AMB에 의해 생성된 C/A 카피 A와 C/A 카피 B(명령/어드레스) 신호들처럼, DIMM 상의 소자들 중에서 요구되는 상호연결 트레이스들을 더많이 가질 수 있다. However, like the C / A copy A and C / A copy B (command / address) signals produced by an FB-DIMM AMB, may have more of interconnect traces required among the devices on the DIMM. 두 세트의 모듈 접점들(20)이 도시되지만, 다른 실시예들은 한 세트만 가질 수도 있다. But the module contacts (20) of the two sets shown, other embodiments may have only one set.

도 14는 본 발명의 또다른 대안의 실시예의 단면도이다. 14 is a cross-sectional view of another alternative embodiment of the present invention. 플렉스 회로(12)는 플렉스 회로(12)의 양쪽 변부들(192)에 인접한 접점(20)들을 보여준다. Flex circuit 12 shows the contacts 20 adjacent to both side portions 192 of the flex circuit 12. 플렉스 회로(12)의 연결부(12C)는 기판(14)의 팽창부(16T) 둘레로 감긴다. Connection (12C) of the flex circuit (12) is wound in the circumferential bulge portion (16T) of the substrate 14. 본 실시예를 조립하기 위한 선호되는 방법으로서, 도시된 IC(18)들은 플렉스 회로(12)에 장착된다. As a preferred method for assembling the present embodiment, a city IC (18) are mounted on flex circuit 12. 플렉스 회로(12)는 기판(14)의 확장부(16T) 둘레로 감기며, 툴링 구멍으로 기판(14)에 정렬되는 것이 바람직하다. Flex circuit 12 is wound to the extension portion (16T) circumference of the substrate 14, it is preferably arranged on substrate 14 in a tooling hole. 플렉스 회로(12)의 부분(24)은 기판(14)에 래미네이션되는 것이 바람직하다. Portion 24 of the flex circuit 12 is preferably Nation lamination to the substrate 14.

도 15는 플렉스 회로(12)의 한쪽만을 따라 IC(18)들이 구성되는 본 발명의 대안의 실시예 도면이다. 15 is a diagram of an alternative embodiment of the present invention is IC (18) are configured along only one side of flex circuit 12.

도 16은 플렉스 회로와 기판(14) 사이에 위치하여 플렉스 회로(12)의 내측을 구성하는 CSP들을 구비한 본 발명의 대안의 실시예를 도시한다. 16 shows an alternative embodiment of the present invention with the CSP constituting the inner side of the flex circuit 12 placed between the flex circuit and the substrate 14. Z Z

도 17은 접점(20) 반대편의 기판(14) 단부(16B)로 플렉스 회로가 거쳐가는 본 발명의 대안의 실시예를 도시한다. Figure 17 shows an alternative embodiment of the way through the flexible circuit to the substrate 14, the end (16B) of the opposite contact 20 invention.

도 18은 다중 팽창부(16T)와, 오목부(92)를 구비한 얇은 기판(14)을 나타내는 본 발명의 선호되는 실시예 도면이다. Figure 18 is an embodiment in the drawing, the preferred of the present invention showing a thin substrate 14 with a multi-expansion portion (16T) and a recess (92).

도 19와 20은 기판(14)의 측부 S1과 S2에 각기 상관된 플렉스 회로(12)의 부분들(202A, 202B) 사이에 선택적 상호연결을 제공하도록 커넥터(200)를 이용하는 본 발명의 대안의 실시예를 도시한다. 19 and 20 is an alternative of the present invention using the connector 200 to provide selective interconnection between portions of the respective correlation to the side S1 and S2 of substrate 14. Flex circuit (12) (202A, 202B) It illustrates an embodiment. 도시되는 커넥터(200)는 기판(14)의 공동(204)에서 상호연결을 위한 부분(200B, 200A)를가진다. Connector 200, which is shown has a portion (200B, 200A) for interconnecting from the cavity 204 of the substrate 14. 커넥터(200)의 한 예는 200024/50027 Molex 커넥터이고, 하지만 발명의 실시예들에서 여러 다른 다양한 커넥터들이 사용될 수 있다. An example of a connector 200 is a 200024/50027 Molex connector but a variety of other connectors may be used different from the embodiments of the invention. 도시되는 커넥터(200)는 기판 공동(204)에 배치되며, 플렉스 회로(12)의 부분들(202A, 202B)에 각기 대응하는 제 1 부분(200A)과 제 2 부분(200B)을 구비할 것이다. Connector 200 shown will be placed in the substrate cavity 204, including a flex circuit portions (12) a first portion (200A) and a second portion (200B) that respectively correspond to (202A, 202B) .

도 21은 본 발명의 대안의 선호 실시예에 따라 고안된 플렉스 회로의 일례의 접점을 지닌 제 1 측부를 도시한다. Figure 21 illustrates a first side with the contacts of an example of a flex circuit devised in accordance with a preferred alternative embodiment of the invention. 도 21의 도면은 본 발명의 원리를 명확하게 하기 위해 단순화되었다. Diagram of Figure 21 has been simplified in order to clarify the principles of the invention. 더 많은 IC(18)들을 가진 실시예가 앞서 제시된 바 있다. An embodiment with more IC (18) has been suggested previously.

도 22는 도 21의 플렉스 회로(12)의 측부(9)를 도시한다. Figure 22 shows a side 9 of flex circuit 12 of Fig.

도 23은 도 21 및 도 22에 개시된 일례의 플렉스 회로와 함께 이용되도록 형성된 일례의 기판을 도시한다. Figure 23 shows an example of the substrate provided to be used with the flex circuit of the example disclosed in Fig. 21 and 22. 플렉스 회로(12)는 도 23에 도시되는 기판(14) 둘레 로 접혀, 플렉스 회로(12)의 측부(9)를 따라 IC(18)를, 기판(14)을 따라 배열되는 윈도(250)에 위치시켰다. A flex circuit 12 has windows 250 which are arranged along the board 14 folded in the circumference, the substrate 14, the IC (18), along a side 9 of flex circuit 12 is shown in FIG. 23 It was placed. 이로 인해, ICR3, ICR4의 행을 따라 놓인 IC들이 윈도(250) 내에서 후면연결되며 배치되었다. Because of this, IC is placed along the line of ICR3, ICR4 were disposed and connected in the rear window 250. 열전도성 접착제나 아교가 IC(18)의 윗면(18T)에 사용되는 것이 바람직하다. That the thermally conductive adhesive or glue is used on the top surface (18T) of the IC (18) is preferred. 이 경우, 열에너지 흐름을 촉진시키고 일부 기계적인 장점을 얻기까지 한다. In this case, to promote the flow of heat energy and is to obtain some mechanical advantage. 이는 기판(14)의 양면 위 IC들(18) 간의 상대적 배열 중 한가지일 뿐이다. This is just one of the relative arrangement between the substrate 14 on both sides above the IC 18 of the.

도 24는 기판(14)과 조합된 플렉스 회로(12)를 도 23의 선 AA를 따라 본 도면이다. 24 is a view seen along the flex circuit 12 combined with the substrate 14, the line AA of Fig. 플렉스 회로(12)들로 구성된, 도면에서 제 2 측부(9)에 놓인 IC(18)들은(모듈(10)에 대해서는 내측임) 윈도(250)에 배열되어, 행 ICR3의 IC(18)들의 윗면(18T)이 행 ICR4의 IC들(18)의 윗면(18T)과 근접하게 놓이게 된다. In the figure, consisting of the flex circuit 12, second side IC (18) placed in the 9 are arranged in the window 250 (the inner side being for the module 10) of the IC (18) of the line ICR3 top face (18T) is placed closer to the top surface (18T) of the IC 18 of the line ICR4. 따라서, IC들의 제 1, 2 그룹들(도면에서 CSP)은 기판(14)의 제 1 측부와 제 2 측부의 잘려진 영역에 각각 위치한다. Thus, the first of the IC, the second group (in the drawing CSP) is positioned to the cut area of ​​the first side and a second side of the substrate 14. 이 경우에, 기판(14)의 잘려진 영역들은 윈도(250)를 생성하도록 공간적 일치를 나타낸다. In this case, the cutaway areas of the substrate 14 represent the spatial match to create a window (250). 이 도면은 축적대로 그려진 것이 아니며, 소자들과 배열 간의 상관 관계를 나타내는 것일 뿐이다. The drawings are not drawn to scale would, only be an indication of the correlation between the elements of the array. 이 배열은 플렉스 회로(12)의 내측부(9)를 따라 IC를 윈도(250)에 배치하지 않으면서 구현된 것보다 훨씬 작은 모듈(10)에 대한 프로파일 "P"를 도출한다. This arrangement is to derive the profile "P" for a much smaller modules (10) than the implementations without an IC disposed along the inner side 9 of flex circuit 12 in the window 250 will be. 본 경우의 프로파일 "P"는 한개의 IC(18)를 다른 IC에 접착하는 데 이용되는 임의의 접착층(30)에 부가하여, IC(18)의 윗면과 아랫면간 거리, BGA 접점(63)의 직경 x 4, 플렉스 회로(12)의 두께 x 2를 더한 값이다. Profile "P" of the case, in addition to any of the adhesive layer 30 used to adhere the one of the IC (18) to another IC, top and bottom distance between the IC (18), of the BGA contacts 63 diameter x 4, x 2 is a value obtained by adding the thickness of the flex circuit 12. 이 프로파일 크기는, 플렉스 회로(12)의 일부분인 적절한 전도층이나 접점에 도달하도록 플렉스 회로(12)의 표면 아래로 BGA 접점(63)들이 배열되는 지 여부에 따라 변할 것이다. The profile size is below the surface of flex circuit flex circuit 12 to reach an appropriate conductive layer or contacts which are part of (12) will vary depending on whether they are arranged BGA contacts 63.

도 25는 잘려진 영역으로 패턴처리된 기판(14)과 플렉스 회로 간의 관계를 달리 표현한다. Figure 25 represents the relationship between the different patterning the substrate 14 and the flex circuit with cutaway areas. 도 25의 모습은 IC(18)의 바디를 절단할 수 있는 라인을 따라 취해진 것이다. State of Figure 25 is taken along a line to cut the body of the IC (18). 도 25에서, 행 또는 그룹 ICR3를 포함하는 IC(18)는, 모듈(10)이 조립되고 플렉스 회로(12)가 기판(14)에 조합될 때, 플렉스 회로(12)의 제 2 측부(9)의 행이나 그룹 ICR4를 포함하는 IC(18)에 대해 지그재그 형태이다. In Figure 25, IC (18) comprising a row or group ICR3, the module 10 is a second side (9, assembled and flex circuit when 12 is combined to the substrate 14, flex circuit 12 ) in a zigzag form for the IC (18) comprising a row or group ICR4. 이러한 지그재그 형태는 기판(14)에 결합될 때 IC(18)에 대한 기계적인 "계단"을 제공하는 효과가 있으며, 다수의 IC(18)와 기판 간의 접촉 영역을 증가시키는 열적 측면의 효과도 제공한다. This zig-zag shape provides the effect of the thermal aspects of increasing the mechanical "staircase" contact area has the effect, among a plurality of IC (18) and the substrate to provide for the IC (18) when coupled to the substrate 14, do.

도 26은 기판(14)의 윈도(250)를 통과하는 라인을 따라 봤을 때 구성된 플렉스 회로(12)와 조합되기 전에 도 25에 이용된 일례의 기판(14)을 도시한다. Figure 26 shows the substrate 14 in the example used in Figure 25 before it is combined with a flex circuit 12 is configured as viewed along the line passing through the window 250 of substrate 14. 도 26에 도시되는 바와 같이, 다수의 잘려진 영역이나 포켓들이 점선으로 나타나며 각각 (250B3, 250B4)로 표시된다. As shown in Figure 26, a number of cutaway areas or pockets are shown as each appears (250B3, 250B4) by broken lines. 영역(250B3)은 본 예에서, 기판(14)과 플렉스 회로(12)가 조합될 때 플렉스 회로(12)의 ICR3로부터 IC(18)을 배치하게 될 기판(14)의 한 측부 상의 포켓, 사이트, 또는 잘려진 영역에 대응한다. Region (250B3) is in the present example, the substrate 14 and flex circuit 12 are pocket on one side when the combined flexible circuit board 14 will place the IC (18) from ICR3 of 12, the site It corresponds to, or cutaway areas. 포켓, 사이트, 또는 잘려진 영역들(250B4)은 ICR4로부터 IC(18)를 배치할 사이트에 대응한다. To the pockets, sites, or cutaway areas (250B4) corresponds to the site to place the IC (18) from ICR4. 대안의 실시예에서, 기판(14)의 단일 측부에 배치되는 IC(18)의 행이 두개 이상일 수 있다. In an alternative embodiment, the line of IC (18) disposed on one side of the substrate 14 may be two or more.

여기서, 윈도라는 용어는 패키징된 IC(18)의 폭이나 높이에 대응하는 스팬 S에 걸쳐 기판(14)을 통과하는 구멍을 의미할 수 있다. Here, the term window may refer to the hole passing through the substrate 14 over the span S corresponding to the width or height of the packaged IC (18). 또는, 기판(14)의 두 측부 각각에 대한 잘려진 영역들이 겹쳐지는 구멍을 의미할 수도 있다. Or, it may mean the two side holes are to be overlaid cutaway areas on each of the substrate 14.

도 27은 도 26에 앞서 도시된 기판(14)의 평면도이다. 27 is a plan view of the substrate 14 shown previously in FIG. 잘려진 영역들(250B3, 250B4)이 겹쳐지면, 기판(14)을 통과하는 윈도가 존재한다. When the overlap of the cut region (250B3, 250B4), there is a window passing through the substrate 14. 일부 실시예에서, 잘려진 영역(250B3, 250B4)은 겹쳐지지 않을 수 있고, 또다른 실시예에서는, 기판(14)의 한 측부에만 포켓이나 잘려진 영역이 존재할 수 있다. In some embodiments, the cut may not be the area (250B3, 250B4) are superimposed, there is yet another embodiment, only one side pockets or cutaway areas in the substrate 14 may be present. (250B3)나(250B4)같은 잘려진 영역들은 기판(14) 물질에 따라 다양한 방식으로 형성될 수 있고, 문자 그대로 반드시 "잘려질" 필요는 없으며, 몰딩, 밀링, 커팅 처리와 같이 다양한 수단에 의해 형성될 수 있다. (250B3) or (250B4) is formed by a variety of means, such as the cut area may be formed in various ways, depending on the substrate 14 material, such literally not necessarily "cut quality" needed, molding, milling and cutting processes It can be.

도 28은 하부 IC(18 1 )와 상부 IC(18 2 )를 도시하는 한가지 선호 실시예의 일부분 확대도이다. 28 is an enlarged one kinds of preferred embodiment of a portion showing a lower IC (18 1) and the upper IC (18 2). 본 실시예에서, 플렉스 회로(12)의 전도층(66)은 IC(18 1 )(18 2 ) 상의 BGA 접점(63)에 모듈 접점(20)을 연결하는 전도 트레이스들을 지닌다. Conductive layer 66 in this embodiment, flex circuit 12 is jininda the conductive traces connecting module contacts 20 to BGA contacts 63 on the IC (18 1) (18 2 ). 필요시에, 다수의 층들이 변부(16A, 16B) 주변으로 플렉스 회로(12)를 구부리는 실시예에서 요구되는 휨 반경을 구현하는 방식으로 고안될 수 있다. If desired, multiple layers may be devised in a manner to implement the bending radius required for the embodiment of bending flex circuit 12 to the peripheral edge (16A, 16B). 기판(14)의 적절하게 구현된 단부에 대해 필요할만큼 네개의 전도층을 가진 플렉스 회로가 구부러질 수 있다는 것을 본 양수인이 도출한 바 있는 것도 또한 사실이다. Also in the present assignee that the flexible circuit can be bent derived bar with four conductive layers as necessary for the end proper implementation of the substrate 14 it is also true. 플렉스 회로(12)의 적절한 위치에서의 구멍이나 바이어는 필요시 플렉스 회로(12)의 등각 휨을 생성한다. Hole or via in the appropriate location on the flex circuit 12 generates constant angular bending of the demand-flex circuit 12. 플렉스 회로(12)의 특정 부분의 층들의 수는 사용되는 플렉스 회로 기술에 연계된 특정 최소 트레이스가 부여된 상황에서, 필요한 연결 밀도를 구현하도록 고안될 수도 있다. The number of a particular portion of flex circuit 12 is a layer in which the specific minimum traces associated with the flex circuit technology used given situation, it may be devised to implement the necessary connection density. 일부 플렉스 회로(12)들은 세개나 네개, 또는 다섯개 이상의 전도층들을 구비할 수 있다. Some flex circuits 12 may be provided with the three or four, or five or more conductive layers. 이러한 층들은 FB-DIMM같은 응용장치에 대한 신호를 전달하는 데 유익하다. These layers may be beneficial to pass the signal to the application device, such as FB-DIMM. FB-DIMM은 등록된 DIMM보다 더 적은 DIMM 입/출력 신호를 가질 수 있지만 DIMM 상의 소자들 사이에서 요구되는 상호연결 트레이스들을 더 많이 구비할 수 있다. FB-DIMM may have fewer DIMM input / output signals than a registered DIMM, but may have more of interconnect traces required amongst devices on the DIMM.

본 실시예에서, 두개의 IC(18 1 )(18 2 ) 사이에 플렉스 회로(12)의 세개층이 존재한다. In this embodiment, the three layers of flex circuit 12 between the two IC (18 1) (18 2 ) is present. 전도층(64, 66)들은 IC에 연결하기 위한, 그리고 그외 다른 구분된 성분들에게 추가적으로 연결할 수 있는, 전도 트레이스들을 나타낸다. Conductive layer (64, 66) represent the addition, the conductive traces that can connect to for connection to the IC, and other different separated component. 전도층들은 구리나 합금(110)같은 금속인 것이 바람직하다. Conductive layers are preferably a metal such as copper or Alloy 110. 일례의 바이어(23)같은 바이어들은 두개의 전도층(64, 66)들을 연결하여, 전도층(64)과 모듈 접점(20) 간에 전기적 연결을 구현한다. Buyers of an example via (23) are connected to the two conductive layers 64 and 66, to implement the electrical connection between conductive layer 64 and module contacts 20. 플렉스 회로(12)의 3-층 부분을 가지는 본 선호 실시예에서, 두 전도층(64, 66)은 접지면으로 이용되는 주요 영역을 그중 하나가 가지도록 구성될 수 있다. In the present preferred embodiment has a three-layer portion of flex circuit 12 for example, two conductive layers 64 and 66 may be configured with the main area that is used as a ground plane so that one of them is different. 나머지 한 층은 전압 기준 면으로 주요 영역을 이용할 수 있다. Rest on a floor can use the main area at the reference voltage side. 다수의 전도층을 이용함으로서, 높은 주파수에서 신호 일체성을 저하시킬 수 있는 잡음이나 바운스 효과를 감소시키고자 하는 분포 커패시턴스의 생성 및 장점을 도출할 수 있다. By using a plurality of the conductive layer, it is possible to derive the generation and the advantages of reducing the signal integrity of noise or bounce effects that can degrade at high frequencies and character distribution capacitance. 세개 이상의 전도층이 이용될 경우, 전도층들을 분리시키는 절연층과 함께 추가적인 전도층들이 부가될 수 있다. If the three or more conductive layers is used, there can be added an additional conductive layer with an insulating layer separating the conductive layer.

도 29는 본 발명의 한가지 선호 실시예에 따르는 플렉스 회로(12) 단면의 전개도이다. Figure 29 is one preferred embodiment a flex circuit 12 cross-section according to the developed view of the present invention. 플렉스 회로(12)는 네개의 전도층(701-704)과 일곱개의 절연층(705-711)을 가진다. The flex circuit 12 has four conductive layers (701-704) and seven insulating layers (705-711). 이러한 층들의 수는 선호되는 실시예에 사용될 뿐이며, 다른 층들의 수 및 층들의 배열이 사용될 수도 있다. The number of such a layer is only used in the preferred embodiment, the arrangement of the number and the layer of the other layer may also be used. 단일 전도층 플렉스 회로(12)가 일부 실시예 에서 사용될 수 있지만, 발명의 보다 복잡한 실시예에 적용하기에는 두개 이상의 전도층을 가진 플렉스 회로가 적합한 것으로 판명되었다. A single conductive layer flex circuit 12 has been found to be a flex circuit having a conductive layer of two or more suitable to apply to some embodiments may be used in the example, more complex embodiment of the invention;

상부 전도층(701)과 나머지 전도층들은 구리나 합금(110)같은 전도성 금속으로 만들어지는 것이 바람직하다. An upper conductive layer 701 and the rest of the conductive layer are preferably made of conductive metal such as copper or Alloy 110. 본 배열에서, 전도층(701, 702, 704)은 플렉스 회로(12)를 이용함으로서 여러 연결을 행하는 신호 트레이스들(712)을 표현한다. In this arrangement, the conductive layer (701, 702, 704) represents the trace of the signal is performed a number of connections by using a flex circuit 12 (712). 세개의 층들은 접지, 파워, 기준 전압을 위한 전도면을 또한 표현할 수 있다. Three layers may also express the entire diagram for the ground, power and reference voltage.

본 실시예에서, 내부 전도층(702)은 보조 기판(21)에 장착된 여러 소자들에 연결을 위한 트레이스들을 표현한다. In this embodiment, inner conductive layer 702 expresses traces for connection to the various devices mounted on the auxiliary board 21. 도시되는 전도층들 중 임의의 하나의 기능은 다른 전도층의 기능과 상호교환될 수 있다. Any one of the features of one of the conductive layers that are shown can be interchanged with those of other conductive layer functions. 내부 전도층(703)은, 프리-레지스터 어드레스 신호(pre-register address signals)에 대한 VDD 리턴을 제공하도록 분리될 수 있는, 접지면을 표현한다. Inner conductive layer 703, the pre-expresses a ground plane, which may be separated to provide VDD return for the register address signals (pre-register address signals). 내부 전도층(703)이 이와는 다른 평면 및 트레이스들을 표현할 수도 있다. Inner conductive layers 703, this contrast, may also express other planes and traces. 본 실시예에서, 하부 전도층(704)의 평면들은 도시되는 트레이스들에 추가하여 VREF와 접지를 제공한다. In this embodiment, the plane of the bottom conductive layer 704 provides VREF and ground are in addition to the shown traces.

절연층(705, 711)은 본 실시예에서, 인접 전도층들에 증착될 수 있는 유전체 솔더 마스크층들이다. An insulating layer (705, 711) are dielectric solder mask layers which may be deposited on the adjacent conductive layers in the embodiment. 다른 실시예들은 이러한 접착성 유전층들을 가지지 않을 수 있다. Other embodiments may not have such adhesive dielectric layers. 절연층(706, 708, 710)들은 폴리이미드로 만들어진 플렉스(즉, 유연성) 유전체 기판층들인 것이 바람직하다. An insulating layer (706, 708, 710) are preferably, which are the dielectric substrate layer flex (i.e., flexible) made from polyimide. 그러나, 어떤 적절한 플렉스 회로도 본 발명에 사용될 수 있으며, 도 29에 도시된 바는 플렉스 회로(12)로 이용될 수 있는 보다 복잡한 플렉스 회로 구조 중 한가지에 불과한 것으로 간주되어야 한다. However, any suitable flex circuit may be used with the present invention, must be a bar is considered to be of only one of the flex circuit 12 complex flexible circuit structures that may be used more as shown in Fig.

도 30은 도 3에 도시된 실시예와는 다른 발명에 따른 모듈(10)의 대안의 선 호 실시예를 도시한다. Figure 30 shows the embodiment shown in Figure 3 and shows the line number of the alternative embodiment of the module 10 according to another invention. 즉, 도 3에 도시되는 실시예에서 이용된 단일 플렉스 회로(12) 대신에, 도 30의 실시예는 두개의 플렉스 회로(12A, 12B)를 이용하고 있다. That is, instead of the single flex circuit 12 employed in the embodiment shown in Figure 3, the embodiment of Figure 30 is using the two flexible circuit (12A, 12B). 각각의 플렉스 회로(12A, 12B)는 그 측부(8, 9) 한쪽 또는 양쪽에 IC(18)들을 배치한다. Each of the flexible circuit (12A, 12B) are disposed side of the (8, 9) one or IC (18) on each side. 플렉스 회로(12A, 12B) 둘 모두, 또는 그 중 하나는 버퍼, 센서, 레지스터, AMB, PLL 같은 보조 회로(19)를 이용할 수 있다. The flex circuit (12A, 12B) both, or one of them may use the secondary circuit 19 as a buffer, a sensor, a resistor, AMB, PLL. 발명의 원리에 따라 고안된 모듈들은 메모리 소자, ASIC, 마이크로프로세서, 비디오 전용 마이크로프로세서, RF 소자, 그외 다른 로직 및 FPGA 등등의 다양한 IC들로 구성될 수 있다. Modules designed in accordance with the principles of the invention may consist of memory devices, ASIC, microprocessor, video-only microprocessors, RF devices, other logic and other various IC of the FPGA so on. 여러 실시예들은 등록된 DIMM, 미등록 DIMM, SO-DIMM, SIMM, 비디오 모듈, FB-DIMM(AMB 병용), PCMCIA 모듈 및 카드 , 그리고 그외 다른 모듈들 등등을 포함하는 다양한 전기적, 또는 형태적으로 식별된 모듈들을 구현하도록 고안될 수 있다. Several embodiments are identified by a variety, including a registered DIMM, not registered DIMM, SO-DIMM, SIMM, video modules, FB-DIMM (AMB combination), PCMCIA modules and cards, and other the other modules, and so electrically, or morphological It can be designed to implement the module. 본 발명에 따라 고안된 모듈들에 대한 관련 응용 장치 몇가지를 들자면, 서버, 데스크탑 컴퓨터, 비디오 카메라, 텔레비전, 휴대용 통신 장치 등등을 들 수 있다. Instance the related application for some devices designed module in accordance with the present invention include a server, a desktop computer, a video camera, a television, a portable communication device and so on.

본 발명은 개선된 열성능을 제공하도록 다양한 모듈들의 반복을 표현하도록 적용될 수 있으며, 프로파일 최소화나 제작시의 편의성이 높은 점수를 받을 수 있다. The present invention can be applied to represent a repeat of the various modules to provide improved thermal performance, it is possible to receive high usability at the time of minimal profile or production points. 마이크로프로세서나 연산 로직을 포함하는 비디오 카드나 그외 다른 전용 모듈이 본 발명에 따라 고안되면, 도시된 회로(19)들 중 한가지 이상이 마이크로프로세서로 간주될 수 있다. Apon and in accordance with the present invention is a video card or other other dedicated module comprising a microprocessor or a logic operation, one or more of the illustrated circuit 19 and may be considered a microprocessor.

도 30에 도시된 실시예에서, 각각의 플렉스 회로(12A, 12B)는 변부 커넥터나 소켓(31)에 결합되는 방식으로 위치하는 모듈 접점(20)을 구비하며, 이는 커넥터의 해당 접점에 이를 연결한다. In the embodiment shown in Figure 30, each flexible circuit (12A, 12B) is provided with a module contacts 20 positioned in a manner coupled to the edge connector or socket (31), which connect them to the contacts of the connector, do. 변부 커넥터나 소켓(31)은 컴퓨터(33)의 일부분인 것 이 일반적이다. Edge connector or socket 31 is the one that is part of the computer 33. In general.

도 31은 "평면형"이라 불리는 전략으로 IC(18B)로 구성되는 종래의 DIMM 모듈(11)을 도시한다. 31 shows a conventional DIMM module 11 composed of a so-called "flat type" strategy as IC (18B). 아래에 이어지는 도표들은 도 31에 도시되는 일례의 모듈(11)과 본 발명의 선호 실시예에 따라 도 3에 개시된 일례의 모듈(10) 간의 비교를 제공한다. Following the Table below provide a comparison of the example module 10 disclosed in Figure 3 in accordance with the preferred embodiment of the module 11 and an example of the invention shown in Figure 31. 도표에 제시되는 바와 같이, 같은 조건 하에서 도 31에 도시된 모듈에서 발견되는 것보다, 모듈(10)(도 3)의 IC 사이에서 열 변화가 적다. As it is shown in Figure, under the same conditions than are found in the module shown in Fig. 31, the module 10 the heat changes little between the IC (FIG. 3). 다음의 데이터는 당 분야에 친숙한 모델링 기술을 이용하여 발명의 양수인, 스탁텍 그룹 엘.피.에 의해 도출되었다. The following data fields familiar modeling the assignee of the invention, the stock Tech group using the El in the art. Was derived by the blood.

다음의 표들은 도 32를 참고하여 해석되어야 한다. The following tables should be interpreted with reference to the Figure 32. 도 32는 본 공개내용의 아래 도표들에 대한 이해를 돕기 위해 일례의 모듈(10)의 다수의 IC들의 위치를 표시한 모듈(10)의 한 실시예를 도시한다. 32 shows one embodiment of a module 10 to display the location of a plurality of the IC module 10 in one example to aid understanding of the following chart of the present disclosure. 예를 들어, 도 32에서 특정 도면부호포 표시되는 IC(18)는 모듈의 측부(1)의 외측부(기준 "0")의 위치 4(기준 "ST4")에 위치한다. For example, it is shown below, some reference numerals Four IC (18) that is displayed in the 32 are located in position 4 (by "ST4") of the outer part (by "0") of the side (1) of the module. 공기흐름(40)이 도 32에서 식별되며, 아래의 표에서 정량화될 것이다. Airflow 40 is identified in the Fig. 32 and will be quantified in the following table. 도 32에서의 위치는 첨자 "B"로 아래에서 표시된 도표에서 평가되는 모듈(11)의 대응하는 위치를 식별한다. Position in FIG. 32 identifies a corresponding location of the module 11 evaluated in Table shown below with a subscript "B". 표들은 동일 모델 조건하에서, 일례의 모듈(11)과 일례의 모듈(10) 간의 직접적인 비교를 제공하도록 구성된다. Tables are configured to provide a direct comparison of the model under the same conditions, an example of a module 11 and an example of a module 10. 표1A는 일례의 모듈(10)(도 3)의 모델로 부터 얻은 데이터이며, 표 1B는 일례의 모듈(도 31)로부터 얻은 데이터에 관한 것이다. Table 1A is a data obtained from the model of module 10 (FIG. 3) of an example, Table 1B, to a data obtained from an example of the module (Figure 31). 아래의 데이터 도표들이 제시하는 바와 같이, 도 3에 따라 고안된 모듈(10)의 모델과, 도 31에 따라 고안된 모듈(11)의 모델 사이에 IC 간 온도 변화와 모든 온도에서의 실질적인 차이점을 모델들이 예측한다. As suggested by the data table below, it is a substantial difference in temperature between the IC on and all temperatures between the model of module 11 devised in accordance with the model, and 31 of the intended module 10 according to Figure 3 model It predicts. 모듈(11)에 대해 예측 된 값에 비해, 모듈(10)에서 IC간 온도 변화 감소를 포함한 열 조건 개선 예측치는 역적으로 유도되는 스쿠 변화(skew variation)를 감소시킬 것이며, 이는 열전도성 기판(14)을 가진 도 3에 따라 고안된 모듈들의 타이밍 성능 및 타이밍 아이 허용공차(timing eye tolerances)에 유익한 효과를 보일 것이다. Compared to the values ​​predicted for the module 11, will improve thermal conditions predicted value, including the module (10), IC to-temperature reduction in a decrease in the regional Surgical changes induced by (skew variation), which thermally conductive substrate (14 ) the timing performance and timing tolerances children (timing eye tolerances) of the module is designed in accordance with FIG. 3 with it will see beneficial effects. 열 팽창(16T)을 보이지 않는 모델들은 이러한 뚜렷한 열성능 개선을 나타내지 않을 것이며, 다만, 밀도 및 기개 내구성 개선만을 보여야 한다. Models invisible thermal expansion (16T) they will not exhibit these distinct improved thermal performance, however, only densities should show backbone and improved durability. 도 18, 19, 30 등에 도시된 바의 일례의 모듈들은 훨씬 뚜렷한 열 성능 개선 특성을 보일 것으로 기대된다. 18, 19, the example of the illustrated bar 30 such modules are expected to be more pronounced the thermal performance improved properties. 이러한 개선점들은 구리나 구리 합금 등과 같은 열전도성 금속 물질의 다른 기판들을 이용함으로서 기대되어야 한다. These improvements are to be expected by using other substrates of thermally conductive metal material such as copper or a copper alloy. 금속 물질에 부가하여, 기판(14)은 탄소 본위 물질이나 열전도성 플라스틱같은 다른 열전도성 물질로부터 고안될 수도 있다. In addition to metallic materials, substrate 14 it may be designed from standard carbon materials or thermally conductive plastics other thermally conductive material, such as.

표 1A는 모듈(10)에 따라 고안된 모델 실시예로부터 도출된 열 데이터에 관한 것이다. Table 1A relates to the column data derived from the models embodiment designed in accordance with the module 10. 일례의 모듈(10)은 IC(18)로 다수의 Micron Technologies DDR2(11X19) 소자를 이용하여 모델링되었다. Module 10 in one example was modeled as IC (18) using a plurality of Micron Technologies DDR2 (11X19) devices. 본 사례에서, 두 모듈(10)은 10mm 모듈 피치로 동작하도록 모델링되었다. In this case, two modules 10 were modeled to operate at a 10mm pitch module. 기판(14)은 도 3의 표현에 의해 예시된 구조로 나타나며, 알루미늄으로 구성되었다. Substrate 14 appears as illustrated by the structures represented in Figure 3, was composed of aluminum. 이 모델에서, 공기흐름(40)은 섭씨 35도에서 2m/sec이며, IC(18) 중 하나는 IC 당 0.38 와트로 동작하고, 나머지 랭크는 IC 당 0.05 와트로 동작하였다. In the model, airflow 40 is 2m / sec at 35 ° C, one of the IC (18) is operative to 0.38 watts per IC, remaining rank was operating at 0.05 watts per IC.

Figure 112005044887763-pat00001

표 1B는 표 1A에 모델링된 것과 동일한 조건 하에서 동작하는, 도 31에 따라 고안된 일례의 모듈(11)에 대한 열 데이터에 관한 것이다. Table 1B, to a column of data for the module 11 in the example designed in accordance with the Fig. 31 operating under the same conditions as those modeled in Table 1A.

Figure 112005044887763-pat00002

도 33은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 모듈(10)을 도시한다. 33 shows a module 10 according to another embodiment of the present invention. 본 실시예에서, 모듈(10)에는 플렉스 회로(12)의 내측부(9)를 따라 장착되는 열 센서(191)가 제공된다. In this embodiment, the module 10, the thermal sensor 191 is provided to be mounted along inner side 9 of flex circuit 12. 도 33에서, 플렉스 회로(12)의 측부(8)를 도시하고 있지만, 도 33에 제공되는 모듈(10)의 외측 도면에 관련하여 센서(191) 위치는 이해될 것이다. In Figure 33, the sensor 191 is positioned relative to the outer figure of the flex circuit module 10 provided in, but shows a side (8), 33 of 12 will be understood. 열 센서 (191)는 기판(14)의 열 측정을 행하도록 기판(14)에 열적으로 연결된다. Thermal sensor 191 is thermally coupled to the substrate (14) to effect thermal measurements of the substrate 14. 이러한 배열은 구리, 니켈, 알루미늄, 탄소-기반 물질, 또는 열전도성 플라스틱 등등으로 만들어진 열전도성 기판(14)을 가지는 실시예에서 바람직하게 사용된다. This arrangement is copper, nickel, aluminum, carbon-based material is preferably used in, or thermally conductive embodiment has a thermally conductive substrate 14 made of plastic and so on for example. 플렉스 회로(12)의 내측부(9)를 따라 배열된 IC(18)가 기판(14)에 열적으로 연결될 때, 기판(14) 온도는 IC(18)의 온도에 부합할 것이다. When the inner part (9) of IC (18) arranged along the flex circuit 12 is thermally coupled to the substrate 14, the substrate 14 temperature is to be consistent with the temperature of the IC (18).

일부 실시예에서, 열 센서(191)가 버퍼나 레지스터에 일체형으로 구성될 수 있다. In some embodiments, the thermal sensor 191 may be configured integrally with a buffer or register. 예를 들어, 일부 FB-DIMM 시스템들은 일체형 열 센서를 가진 한개 이상의 AMB를 이용할 수 있다. For example, some of FB-DIMM systems may employ more than one AMB with an integrated thermal sensor. 이러한 모듈에서, AMB 중 하나는 플렉스 회로(12)의 내측부(9)를 따라 장착되어 기판(14)에 열적으로 연결될 수 있다. In such a module, one of the AMB is mounted along inner side 9 of flex circuit 12 may be connected thermally to the substrate 14. 이러한 AMB로부터 얻은 열 판독은 외측부(8)를 따라 장착된 AMB로부터 얻은 열 판독에 비해, 모듈 IC온도를 훨씬 정확하게 표시하는 것으로 호스트 시스템에 의해 이용될 수 있다. Open reading obtained from such AMB may be used by the host system as to display, the module IC temperature than thermal readings obtained from the AMB mounted along the outer side (8) more accurately.

단일 모듈에 두개 이상의 DIMM 인스탄티에이션(instantiation)을 가지도록 구성된 실시예에서, 플렉스 회로(12)의 내측부(9)를 따라 장착되는 열 센서는 외측부(8)를 따라 장착된 한개 이상의 DIMM 인스탄티에이션들에 대해 이용되도록 판독물을 제공할 수 있다. In embodiments configured to have more than one DIMM in-tanti negotiation (instantiation) in a single module for example, flex circuit 12, the inner portion 9, the heat sensor is one or more DIMM in-tanti mounted along the outer portion 8 to be mounted in accordance with the it is possible to provide a reading of water to be used for the negotiation. 예를 들어, 한개의 모듈이 네개의 DIMM 인스탄티에이션을 가질 수 있는 데, 두개는 기판(14)에 인접하게 배치되고, 나머지 두개는 기판(14)으로부터 이격되어 플렉스 회로의 외측부를 따라 배열된다. For example, if one of the modules to which may have four DIMM in-tanti negotiation, the two are disposed adjacent to the substrate 14, and the other two are spaced apart from the substrate 14 are arranged along the lateral side of the flex circuit . 이러한 모듈은 기판(14)에 열적으로 연결된 두개의 열 센서(191)를 두 측부 중 한편에 가질 수 있다. This module may have two thermal sensors 191 thermally coupled to the substrate 14 on the two side hand. 각각의 열 센서는 기판(14)의 측부에 두개의 DIMM 인스탄티에이션에 대한 판독물을 제공할 수 있다. Each thermal sensor may provide a reading for the two DIMM in-water tanti negotiation on the side of the substrate 14. 대안으로, 한개의 열 센서가 네개의 DIMM 인스탄티에이션 모두에 대한 판독물들을 제공할 수도 있다. Alternatively, it may be that one of the thermal sensor provides a read stained for all four DIMM in-tanti negotiation.

도 34는 본 발명의 또다른 실시예의 단면도이다. 34 is a sectional view of another embodiment of the present invention. 열 센서(191)와, IC(18) 중하나가 기판(14)에 열적으로 연결된다. Heat is thermally coupled to the sensor 191 and, IC (18) Heavy out substrate 14. 이때, 열전도성 접착제(30)를 이용하여 열적으로 연결된다. At this time, by using a thermally conductive adhesive 30 is thermally coupled to. 일반적으로, 열 센서(191)에 부가하여 플렉스 회로(12)에 다른 IC(18)들이 장착될 것이다. In general, it will be added to another flex circuit IC (18) to (12), the thermal sensor 191 are mounted. 본 실시예에서, IC(18)와 열 센서(191)는 도시된 플렉 스 회로(12) 위에서 비슷한 높이나 두께를 가진다. In this embodiment, IC (18) and a heat sensor 191 has a similar height or thickness above the illustrated Plectranthus switch circuit 12. 다른 실시예들은 IC(18)보다 크거나 작은 높이를 가지는 열 센서로 구성될 수도 있다. Other embodiments may be of a thermal sensor having a height greater or less than the IC (18). 이러한 높이 차는 구리나 그외 다른 금속 조각같은, 열 전도성 스페이서에 의해 조정될 수 있다. This difference in height, such as copper or other another piece of metal, may be adjusted by thermally conductive spacer. 이러한 높이 차는 열전도성 접착제의 충진에 의해 조정될 수도 있다. This height difference may be adjusted by a fill of thermally conductive adhesive. 이러한 충진은 기판(14)에 열적 연결되도록 IC(18)와 열 센서(191)를 배치하도록 고안된다. The filling is designed to place the IC (18) and the column sensor 191 to be thermally connected to the substrate 14. 도 34의 화살표(202)는 도시된 IC(18)로부터 기판(14)을 향한 열 흐름을 도시한다. The arrow 202 in Fig. 34 shows the heat flow toward the substrate 14 from the illustrated IC (18). 화살표(204)는 기판(14)으로부터 열 센서(191)를 향한 열 흐름을 도시한다. Arrow 204 shows the heat flow towards the thermal sensor (191) from the substrate (14). 화살표(205)는 IC(18 1 )로부터 IC(18 2 )까지 열 흐름을 도시한다. The arrow 205 illustrates the flow of heat to the IC (18 2) from the IC (18 1). 서로 반대편에 위치하여 플렉스 회로에 의해 이격되는 IC(18 1 )(18 2 ) 배치는 온 상태인 IC(18 1 )(18 2 )로 구성된 쌍 중 하나로부터 침묵 상태나 오프 상태인 상기 쌍 중 상기 하나에게로 열 흐름을 촉진시키는 경향이 있다. IC (18 1) located on the opposite side to each other are separated by a flex circuit (18 2) disposed is the one from one of the pair consisting of the on state of IC (18 1) (18 2) silence state or OFF state of said pair It tends to promote the heat flow to a single.

도 35는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 플렉스 회로(12)의 내측부(9) 도면이다. 35 is a view inside part 9 of flex circuit 12 according to another embodiment of the present invention. 열 센서(191)가 내측부 플렉스 회로(12)를 따라 장착되며, 그후 기판(14)의 변부 둘레로 플렉스 회로(12)가 감겨서, 기판에 인접한 위치에 도시된 측부를 위치시킨다. Thermal sensor 191 is mounted along inner side flex circuit 12, then up the flex circuit 12 wrapped around a peripheral edge of the substrate 14, to position the side shown in a position adjacent to the substrate. 본 실시예에서 한개의 플렉스 회로만이 사용되는 데 반해, 도 30에 도시된 경우처럼 다른 실시예에서는 두개 이상의 플렉스 회로들이 기판(14)과 조합되어 모듈을 형성할 수 있다. Whereas that of only one flex circuit is used in this embodiment, may also, as illustrated in the case 30, in other embodiments two or more flex circuits may be combined with substrate 14 to form a module. 이러한 실시예에서, 한개 이상의 열 센서(191)가 각각의 플렉스 회로에 장착될 수 있고, 또는, 한개의 열 센서가 기판(14)에 대한 열적 연결에 의해 기판(14)의 양 측부를 따라 회로에 대한 열 상태를 적절하게 측정할 수 있 다. In this embodiment, the one or more thermal sensors 191 may be mounted to each flex circuit, or, along the opposite sides of the one of the thermal sensor substrate 14 by a thermal connection to the substrate 14, the circuit you can adequately measure the thermal state of the.

도 36은 본 발명의 한 실시예에 따른 센서 신호들을 도시하는 블록도표이다. 36 is a block diagram depicting sensor signals according to one embodiment of the invention. 기판(14)을 나타내는 블록(14)이 도시된다. The block 14 represents the substrate 14 is shown. 화살표(202, 204)들은 IC(2203)으로부터 기판(14)까지, 그리고 기판(14)으로부터 열 센서(191)까지의 열 흐름을 나타낸다. Arrows 202 and 204 are to the substrate 14 from the IC (2203), and represents the heat flow to the thermal sensor (191) from the substrate (14). IC(2203)는 IC의 그룹이나 랭크인 것이 바람직하지만, 이와는 다른 IC이거나 단일 IC일 수 있다. IC (2203) is preferably a group of the IC, or rank, but the contrast, another IC, or may be a single IC. 상술한 바와 같이, IC(2203)들은 기판(14)에 열적으로 접착된 표면을 가질 수 있고, 또는, 플렉스 회로 및 그외 다른 IC를 통해 연결될 수도 있다. As described above, the IC may be connected (2203) are able to have a surface which is thermally bonded to the substrate 14, or, via a flex circuit, other different IC. IC(2203)나 열 센서(191)는 기판(14)의 잘려진 부분에 배치될 수도 있다. IC (2203) and thermal sensor 191 may be disposed to the cut portion of the substrate 14.

열 센서(191)는 온도 신호를 전기 신호로 변환하기 위해 트랜스듀서를 지닌다. The thermal sensor 191 have the transducer to convert the temperature signal into an electric signal. 따라서, 모듈의 열 조건에 관련된 신호를 제공한다. Accordingly, there is provided a signal related to the thermal condition of the module. 열 센서 트랜스듀서는 당 분야에 잘 알려져 있다. The thermal sensor transducers are well known in the art. 이러한 여러개의 트랜스듀서들이 측정 온도에 비례하는 아날로그 전압이나 전류를 생성한다. The multiple transducers will generate an analog voltage or current proportional to the measured temperature. 아날로그 신호는 열 센서(191)의 출력부에서 디지털 열 신호(2202)로 변환되는 것이 바람직하다. The analog signal is preferably converted to a digital thermal signal 2202 at the output portion of the thermal sensor 191. 이와는 다른 구성이 사용될 수도 있다. In contrast there are other configurations may be used. 예를 들어, 신호(2202)는 모듈(10) 내 다른 곳에서, 또는 모듈(10) 외부의 회로에서 처리를 위해 변환되는 아날로그 신호일 수 있다. For example, signal 2202 may be an analog signal to be converted for processing in the external circuit elsewhere in module 10 or module 10. 또는 디지털 출력을 가진 센서가 이용될 수도 있다. Or a sensor with a digital output may be used.

도시되는 열 신호(2202)는 네개의 DIMM 인스탄티에이션(2203)에 대한 모니터링 회로(2204)에 연결된다. Thermal signal 2202 is shown is connected to the monitoring circuitry 2204 for four DIMM in-tanti recreation 2203. 본 실시예에서, FB-DIMM 회로나 등록된 DIMM 회로같은 DIMM 회로의 네개의 인스탄티에이션들이 단일 모듈(10) 내 플렉스 회로에 장착된다. In this example, FB-DIMM circuitry or four in-tanti negotiation of DIMM circuitry such as a registered DIMM circuitry are mounted to flex circuitry in a single module 10. 도시되는 단일 열 센서는 모두 네개의 인스탄티에이션을 제어하고 모니터링하 기 위해 열 측정을 제공한다. Single thermal sensor shown will enjoy the heat measurement in order to control the four in-tanti negotiation, and monitoring. 다른 실시예에선, 신호(2202)가 추가적으로, 또는 앞서에 대한 대신으로, 열 모니터링 신호를 수신하고 처리하기 위한 시스템 모니터 회로나 그외 다른 제어 회로에 연결될 수 있다. In another embodiment, the signal 2202 can be coupled to the additional, or other system monitor circuit or other control circuitry to by way of the above, the receiving and processing thermal monitoring signals. 이러한 회로는 모듈(10)의 일부분일 수도 있고, 모듈(10)이 설치되는 시스템의 일부분으로 위치할 수도 있다. Such a circuit may be part of module 10, it may be located as part of the system in which module 10 is installed.

두개 이상의 열 센서(191)가 모듈(10) 내 회로의 열 상태를 모니터링하도록 배열될 수 있다. There is more than one thermal sensor 191 can be arranged to monitor the thermal state of the circuit module 10. 예를 들어, 한개의 열 센서(191)가, IC들의 두개의 랭크에 대해 한개의 열 측정 신호(2202)를 공급할 수 있다. For example, it is one of the heat sensor 191, to supply one of the thermal measurement signal 2202 for two ranks of the IC. 기판(14)의 각각의 측부에 랭크 한개씩이 열적으로 장착된다. One by one rank to each side of the substrate 14 is thermally attached to. 이러한 실시예는 한 위치로부터 다른 위치로, 또는 한 IC랭크로부터 다른 IC 랭크로 열 조건의 변화를 보이는 시스템에서 바람직하게 활용될 수 있다. This embodiment can preferably be used in the system showing the change in thermal conditions from one location to a different location from the, or one IC rank to another rank IC. FB-DIMM 회로를 이용하는 시스템에서, 시스템 메모리 컨트롤러에 가까운 DIMM 인스탄티에이션은 시스템 메모리 컨트롤러로부터 DIMM 인스탄티에이션을 행하는 것보다, AMB를 통해 더 큰 시그널링을 가지는 것이 일반적이다. In a system using the FB-DIMM circuitry, DIMM closest in-tanti negotiation in the system memory controller is generally with a greater signaling through, AMB than performing the in-DIMM tanti negotiation from the system memory controller. 이러한 DIMM 인스탄티에이션들이 모듈(10)에 함께 위치할 경우, 기판(14)의 측부를 따르는 회로에 관련된, 또는 각각의 DIMM 인스탄티에이션에 관련된 별도의 열 측정치를 제공하는 데 제어측면의 장점이 확보된다. This is an advantage of the control side to provide separate thermal measurements associated with the case located with DIMM in-tanti negotiation to the module 10, associated with the circuit according to the side of the substrate 14, or each DIMM in-tanti recreation It is secured.

도 37은 본 발명에 따른 모듈(10)의 또다른 선호 실시예를 도시한다. 37 shows another preferred embodiment of the module 10 in accordance with the present invention. 도 37은 열 도관(22)을 통해 샤시나 박스(24)에 열적으로 연결되는 도 3의 모듈과 유사한 모듈(10)을 도시한다. 37 shows a module 10 similar to the module of Figure 3 to be thermally coupled to a chassis or box 24 through thermal conduit 22. 샤시나 박스(24)는 모듈(10)로부터 열 에너지에 대한 열 싱크(thermal sink)로 기능한다. Chassis or box 24 functions as a heat sink (thermal sink) of the heat energy from the module 10. 열 도관(22)은 기판(14)과 샤시(24) 간의 열적 연결에 기여한다. Thermal conduit 22 contributes to the thermal connection between substrate 14 and chassis 24. The 열 도관(22)은 모듈(10)과 샤시나 박스(24) 간의 열 흐름을 구현하 는 어떤 물질도 가능하다. Thermal conduit 22 may be any material to implement the heat flow between module 10 and chassis or box 24. 열 도관(22)이 어느정도의 순응성과, 압축에 대한 내성을 가진 물질로 구성되는 것이 바람직하다. To be thermal conduit 22 is comprised of a material with some degree of compliance, and resistance to compression are preferred. 이는 모듈(10)과 샤시(24) 간의 열 경로 신뢰성을 향상시키고, 동시에, 모듈(10)에 가해지는 손상력을 감소시킨다. This improves the thermal path between the reliability module 10 and chassis 24, and, at the same time, reduces damage to force applied to the module 10. 도시되는 바와 같이, 열 도관(22)은 기판(14)과 샤시(24) 사이에 위치한다. As shown, thermal conduit 22 is located between the substrate 14 and the chassis 24.

도 37에서, 열 도관(22)은 스프링이다. 37, thermal conduit 22 is a spring. 하지만, 열 도관이 다양한 열전도성 물질 중 임의의 것일 수 있으며, 열 도관(22)이 순응성일 필요도 없다. However, there is a thermal conduit using any of a variety of thermally conductive material, there is no need to be a heat pipe 22 is conformable. 일부 실시예에서, 발명의 시스템은 중간 열 도관없이 모듈(10) 기판(14)과 샤시(24) 간의 접촉을 구현할 수 있다. In some embodiments, the system of the invention can be implemented without contact between the intermediate heat pipe module 10, the substrate 14 and the chassis 24. 그러나, 순응성 중간 소자로 열 도관(22)을 선호한다는 것을 당 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 쉽게 이해할 수 있을 것이다. However, those skilled in the art that the preferred thermal conduit (22) to the compliant intermediate device should be easy to understand. 적절한 열 도관 물질의 예로는, 스프링, 전자기 복사 개스킷, 열전도성 물질(Bergquist사나 그외, 다른 열전도성 물질 공급자 제품) 등을 들 수 있다. Examples of appropriate thermal conduit materials, there may be mentioned springs, electromagnetic radiation gaskets, thermally conductive materials (Bergquist Sanaa Besides, other thermally conductive materials suppliers, Ltd.) and the like.

선호 모드로서, 기판(14)과 모듈(10) 팽창부(16T)는 구리, 알루미늄, 또는 금속 합금, 또는 탄소-본위 물질, 또는 열전도성 플라스틱 등등과 같은 열 전도성 물질로 만들어진다. As a preferred mode, substrate 14 and the module 10, the expansion portion (16T) is copper, aluminum, or metal alloy, or a carbon-made of a thermally conductive material, such as a standard substance, or thermally conductive plastic and so on. 기판(14)에 금속 물질을 이용하는 것은 강도 증가 및 열 관리 상의 장점 등 여러 추가적인 장점들을 보인다. The use of a metallic material on the substrate 14 appears a number of additional advantages such as increased strength and thermal management advantages. 열 팽창부(16T)는 기판(14)과 연속된 조각으로 만들어지는 것이 바람직하지만 강제적이지는 않으며, 결과적으로, 어느 경우에도 기판(14)의 일부분으로 간주될 수 있다. The thermal expansion unit (16T) is not desirable, but not mandatory is made of a continuous piece of the substrate 14, and as a result, may be considered a part of substrate 14 in either case. 앞서의 단면도에서 도시한 바와 같이, IC들 중 일부분은 기판(14)과 열적으로 직접 연결되며, 따라서, 기판(14)에 직접 열 에너지를 공급할 수 있다. As shown in the sectional view of the above, a portion of the IC will be directly connected to the substrate 14 and the heat, therefore, it is possible to supply the direct thermal energy to the substrate 14. 모듈(10)의 상주 IC들 중 다른 것들은 플렉스 회로(12)에 열 에너지를 공급할 수 있고, 이는 기판(14) 내로의 열 전도를 개선 시키도록 구성될 수 있다. Other of the resident of the IC module 10, things can supply thermal energy to the flex circuit 12, which may be configured to enhance the heat conduction into the substrate 14.

도 38은 본 발명에 따른 시스템(5)의 단면도이다. 38 is a cross-sectional view of a system 5 according to the present invention. 도시된 시스템(5)은 모듈(10)과 샤시(24)를 포함하며, 도시되는 실시예에서 열 도관(22)을 포함한다. The illustrated system 5 comprises a module 10 and chassis 24, and includes a heat pipe 22 in the embodiment illustrated example. 모듈(10)로부터의 열 에너지는 모듈(10)의 기판(14)을 통해 샤시(24)에 전달된다. Thermal energy from module 10 is transmitted to the chassis 24 via the substrate 14 of the module 10. 열 도관s(22)은 기판(14)과 샤시(24) 간의 열 전도에 참가한다. Thermal conduit s (22) are participating in the heat transfer between the substrate 14 and the chassis 24. 샤시(24)는 연산 시스템의 일부분일 것이며(일반적임), 범용 PC같은 컴퓨터 시스템의 더 큰 샤시의 팽창부나 쉘프일 수도 있다. A chassis (24) will be part of the operational system (typical) or may be further expanded portion and the large shelf chassis of a computer system such a general-purpose PC. 또다른 예로서, 서버나 더 큰 컴퓨터 샤시의 일부분일 수도 있고, 노트북 컴퓨터나 전용 응용 장치의 연산 플랫폼과 같은 소형 연산 장치의 샤시 구조에 연결된 금속 팽창부, 시트, 또는 브래킷일 수도 있다. As a further example, may be a server or part of a larger computer chassis, it may be a laptop computer, or a dedicated application device of the computing platform and a small calculator metal expansion unit, sheet, or bracket connected to a chassis structure of the same.

도 38의 단면은 모듈(10) 기판의 양 측부 S1, S2 중 임의의 측부에 배치되는 모듈(10)의 IC(18)들을 따라 그린 것이다. Cross-section of Figure 38 is drawn in accordance with the IC (18) of the module (10) disposed on any side of the module 10, both sides S1, S2 of the substrate. 시스템(5)에서, 모듈(10)은 보드(33)에위치하는 변부 커넥터(31)에 삽입된다. In the system 5, module 10 is inserted into the edge connector 31 is positioned on board 33. 변부 커넥터(31)는 당 분야에 친숙한 부품으로서, 컴퓨터의 마더보드같은 보드(33)에 사용되는 것이 일반적이다. Edge connector (31) is a familiar component in the art, is generally used for the board 33 of the computer motherboard. 변부 커넥터(31)를 통해 모듈(10)과 보드(33) 간의 열에너지 흐름이 내재적 사항으로서 미미한 만큼 존재한다. The thermal energy flow between module 10 and board 33 through edge connector 31 are present as minor as the intrinsic information. 하지만 변부 커넥터(31)를 통한 이러한 열에너지 흐름은 본 출원에서 주목할만한 열 연결에 해당하진 않는다. However, this thermal energy flow through edge connector 31 does not correspond to the column connection noteworthy in this application.

기판(14)은 열 팽창부(16T)를 통해 열 도관(22)과 접촉한다. Substrate 14 is in contact with thermal conduit 22 through thermal expansion portion (16T). 열 도관(22)은 샤시(24)의 하측부(24L)를 따라 배치되는 가스켓같은 물질이다. Thermal conduit 22 is a gasket like material disposed along the lower portion (24L) of the chassis (24). 특정 열 도관(22)의 개스켓 물질은 도 38에 도시되고 있지만, 전자기복사 가스켓 물질일 수 있다. Gaskets of the particular thermal conduit 22 material may be, electromagnetic radiation gasket material, but is shown in Figure 38.

IC(18) 중 일부 IC의 윗면(18T)은 모듈(10)의 기판(14)에 IC 구성 플렉스 회 로(12)를 부착시키기 위해 도 38의 도면에서 사용되고 있다. IC (18) top surface (18T) of the portion of the IC is used in the illustration of Figure 38 to attach the 12 to the IC configuration flex once the substrate 14 of the module 10. 이러한 부착을 위해 열 아교나 접착제가 사용되는 것이 바람직하다. For this attachment it is preferably used a heat or adhesive glue. 기판(14)은 열 팽창부(16T)로 도 38의 도면에서 도시된 제 2 한도와 16A로 표시된 제 1 둘레 변부를 가진다. Substrate 14 has a first peripheral side indicated by the second limit and 16A shown in the drawing in FIG. 38 as a thermal expansion unit (16T). 열 팽창부(16T)는 다양한 형태로 구성될 수 있다. The thermal expansion unit (16T) may be configured in various forms. 대안으로, 기판(14)이 팽창부없이 또는 특징 형태없이 제 2 변부만 가질 수도 있다. Alternatively, the substrate 14 may have only the second edge portion without without expansion or feature types.

기판(14)의 열 전도성 물질은 모듈의 CSP로부터 열 에너지를 추출시키는 것을 촉진시킨다. The thermally conductive material of the substrate 14 facilitates the extraction of thermal energy from the module CSP. 플렉스 회로(12)는 IC(18, 19)로부터 열 전도를 돕는 열 싱크나 열 스프레더로 동작할 수 있다. Flex circuit 12 may operate as a heat sink or heat spreader to help heat conduction from the IC (18, 19). 또다른 실시예에서, 다중 기술로부터의 여러가지 특징들이 양 측부에 구리층을 가진 FR4 이용과 조합되어, 발명의 원리를 활용하도록 고안된 기판(14)을 제공할 수 있다. In yet another embodiment, the different features from multiple technologies in combination with the use of FR4 having a layer of copper on both sides, it is possible to provide a substrate 14 devised to take advantage of the principles of the invention. 그외 다른 실시예들은 모듈(10)에서, FR4같은 전통적인 구성 물질들을 기판의 금속성 물질과 조합시켜서, 본 발명의 장점을 활용할 수 있으면서도 종래의 연결 전략을 여전히 이용할 수 있다. Other different embodiments in the module 10, by the conventional configuration, such as FR4 material combined with a metallic material of the substrate, yet can take advantage of the present invention can still use the conventional connection strategy.

도 39는 보조 기판(21A, 21B)을 구비한 대안의 실시예 모듈(10)을 이용하는 시스템을 도시한다. Figure 39 shows a system using the embodiment module 10 in an alternative provided with a secondary substrate (21A, 21B). 상기 보조 기판들은 IC(18)들로 구성되며, PCB 물질로 구성될 수 있다. The auxiliary substrate may be is composed of IC (18), composed of a PCB material. 당 분야에 잘 알려진 다른 물질이 사용될 수도 있다. Other materials may be used are well known in the art. 예를 들어, 주기판(14)에 관해 전달되거나 플렉스 변부 커넥터(20)에게로 확장되는 플렉스 부분과, 레지스터 및 PLL같은 회로, IC(18, 19) 등을 위한 장착 장소를 제공하는 견고한 일체형 플렉스 구조의 견고부에 의해 보조 기판(21)이 제공될 수 있다. For example, a solid one-piece flex-structure to pass on the main substrate 14 or provide a mounting for the flex edge connector 20, the flex portion and a register and PLL same circuit, IC (18, 19) that extends to such a place of this can be provided auxiliary substrate 21 by the solid portion. 도시되는 실시예에서, 보조 기판(21A, 21B)은 커넥터(23)에 연결되며, 커넥터(23)는 접점(20)에 연결된다. In the embodiment shown, the auxiliary substrate (21A, 21B) is connected to the connector 23, the connector 23 is connected to contact 20. 도 39의 시스템(5)의 모듈(10)은 더 큰 샤시 바디(24B)의 쉘프 팽창 부로 도시되는 샤시(24)의 하부(24L)를 따라 열 도관(22)과 열적으로 연결되는 것으로 도시된다. System Module 10 of 5 in Fig. 39 are shown to be more thermally coupled to the thermal conduit 22 along the lower portion (24L) of the chassis 24, which is shown as part shelf expansion of the large chassis body (24B) .

도 40은 본 발명에 따른 시스템(5)의 다중 모듈(10)을 이용하는 것을 도시하도록 두 모듈(10)을 이용하는 시스템(5)의 실시예를 도시한다. 40 shows an embodiment of a system 5 utilizing two modules 10 to illustrate the use of multiple modules 10 of the system 5 in accordance with the present invention.

시스템(5)에서, 모듈(10)의 열적 확장부(16T)는 큰 샤시 바디의 팽창부일 수 있는 샤시의 하부(24L)를 따라 열 도관(22)과 열적으로 연결된다. In system 5, thermal extensions of the module (10) (16T) is thermally connected to the thermal conduit 22 along the lower portion (24L) of the chassis that can be expanded in large Buil chassis body. 선호되는 모듈에서, 열 도관(22)은 전자기 복사 개스킷 물질일 수 있고, 대안으로, 모듈(10)이 모듈을 이용하는 샤시 부분과 직접 접촉할 수 있다. In the preferred module, thermal conduit 22 may be an electromagnetic radiation gasket material, as an alternative, the modules 10 may be in direct contact with the chassis parts using the module.

도 41은 몇개 안되는 IC(18)를이용하는 모듈(10)을 포함하는 시스템(5)의 또다른 실시예를 도시한다. Figure 41 illustrates another embodiment of system 5 that includes a module 10 using a few should not IC (18). 도시되는 모듈(10)에서, 기판(14)은 FR4로 만들어지지만, 구리 코어를 가져서, 샤시(24)에 열 에너지를 분로시키도록 열 팽창부(16T)와 협조하는 코어(28) 및 구리층(26)을 포함한다. In the module 10 shown, the substrate 14 is open, but made of a FR4, gajyeoseo a copper core, to shunt thermal energy to chassis 24, expansion section (16T) and cooperate with the core 28 and the copper layer It includes 26. 이러한 구성은 모듈에 대한 다양한 구성 조합을 이용할 수 있게 한다. This configuration makes it possible to use a combination of different configurations for the module.

도 42는 카드 변부 커넥터에 삽입되는 모듈(10)을 이용하는 열 관리 시스템(5)의 또다른 실시예의 단면도이다. 42 is a sectional view of another embodiment of a thermal management system 5 using the module 10 to be inserted into the card edge connector. 모듈(10)은 IC(19)를 이용하여, IC(19)의 수용 장소인 공간(15S)를 생성하도록 변형(또는 윤곽, 오목부)(15)을 가진다. Module 10 by using the IC (19), has a deformation (or outline, the concave portion) 15 to generate a receiving location in space (15S) of the IC (19). 이는 그래픽 모듈의 그래픽 엔진이나, FB-DIMM의 AMB같은 버퍼 등의 키가 큰 프로파일의 소자일 수 있다. This is a key in the buffer of the graphics engine or the like, such as AMB, FB-DIMM module of the graphics may be a device of a large profile. 기판(14)이 균일한 두께를 가질 필요는 없으며, 도면에는 기판의 윤곽을 따라 변하는 두께를 가진 기판들이 제시되고 있다. It is not necessary to have a thickness of the substrate 14 is uniform, the drawings, there have been proposed a substrate having a thickness that varies along the contour of the substrate. 도 42의 모듈(10)의 기판(14)은 열 팽창부(16T)를 통해 열 도관(22)과 접촉한다. Substrate 14 of the module 10 of Figure 42 is in contact with thermal conduit 22 through thermal expansion portion (16T). 열 도관(22)은 샤시(24)와 접촉한다. Thermal conduit 22 is in contact with the chassis (24).

일부 실시예에서 제공되는 대용량은 단일 모듈에서 다중 DIMM 회로를 제공하기 위해 이용될 수 있다. Mass which is provided in some embodiments may be employed to provide multiple DIMM circuits on a single module. 예를 들어, AMB로 나타난 다중 회로(19) 및 IC(18)들을 포함하는 구성 소자들이 조합되어, 단일 모듈(10)에 이중 풀-버퍼 DIMM을 생성할 수 있다. For example, the configuration device comprising a multiplexing circuit 19 and the IC (18) indicated in the AMB they are combined, full-duplex on a single module (10) may generate a buffer DIMM.

도 43은 단일 모듈(10)에 FB-DIMM 회로의 두개 이상의 사례를 표현하도록 고안된 모듈의 평면도이다. 43 is a plan view of a module devised to express more than one instance of a FB-DIMM circuit on a single module 10. 회로(19)는 AMB로 표현된다. Circuit 19 is represented by the AMB. 단일 FB-DIMM으로 구성된 모듈(10)들이 발명의 원리를 이용하여 쉽게 구현될 수 있다. Module 10 is configured as a single FB-DIMM that can be readily implemented using the principles of the invention.

도 44는 제 1 필드 및 제 2 필드 F1, F2를 구비한 플렉스 회로(12)의 측부(8)를 도시한다. Figure 44 shows a side 8 of a flex circuit 12 has a first field and a second field F1, F2. 각각의 필드 F1, F2는 CSP(11A)용 한개 이상의 장착 접촉 어레이를 가진다. Each of the fields F1, F2 has a mounting contact array for one or more CSP (11A). 어레이(11)같은 접촉 어레이들은 IC(18)와 회로(19) 아래에 배치된다. Contact array, such as array 11 are disposed under the IC (18) and the circuit (19). 일례의 접촉 어레이(11A)가 일례의 IC(18)처럼 도시되어, 접촉 어레이(11A)에서 장착되도록 한다. Contact array (11A) of the example is shown as IC (18) in one example, to be mounted at contact array (11A).

플렉스 회로(12)의 측부(8)의 필드 F1은 다수의 제 1 CSP IC R1 과 다수의 제 2 CSP IC R2 로 채워진다. Field F1 of the side 8 of flex circuit 12 is filled with a plurality of the IC 1 CSP R1 and a plurality of the IC 2 CSP R2. 플렉스 회로(12)의 측부(8)의 제 2 필드 F2는 다수의 제 1 CSP IC R1 과 다수의 제 2 CRP IC R2 로 채워진다. Of the side 8 of flex circuit 12, the second field F2 is filled with a plurality of the IC 1 CSP R1 and a plurality of second IC CRP R2. 표시된 다수의 CSP들은 "랭크(rank)"라고 불린다. A number of listed CSP are called "rank (rank)". 필드 F1의 랭크 ICR2와 필드 F2의 랭크 ICR2 사이에는 모듈 접점(20)의 두 행(C R1 과 C R2 )에 할당된 다수의 모듈 접점들을 보여준다. Between the fields F1 ICR2 rank the rank of the field F2 of ICR2 is shown a plurality of module contacts allocated to the two lines (C R1 and C R2) of the module contacts (20). 플렉스 회로(12)가 접힐 경우, 도 44에 도시된 측부(8)가 모듈의 외측부로 제시된다. If the flex circuit 12 is folded, the side portions 8 shown in Figure 44 is presented to the lateral side of the module. 플렉스 회로(12) 의 맞은편 측부(9)는 모듈(10)의 내부에 있으며, 따라서, 플렉스 회로(12)가 배치되는 기판(14)에 측부(9)가 측부(8)에 비해 더 가깝다. Opposite side 9 of flex circuit 12 is on the interior of the module 10, and therefore, the flex circuit side (9) to the substrate (14) (12) is arranged closer than the side portion (8) . 도시되는 바와 같이, 다른 실시예들은 다른 수치의 랭크들을 가질 수 있고, 본 발명의 실시예를 구현하기 위해 연결되는 다수의 CSP 조합들을 가질 수 있다. As shown, other embodiments may have the rank of the other figures, may have a number of CSP combination are contacted for implementing an embodiment of the present invention.

도 45는 도 44에 도시되는 플렉스 회로의 다른 한 측부를 도시하는 플렉스 회로(12)의 측부(9) 도면이다. 45 is a side 9 is a view of the flex circuit 12 depicting the other side of the flex circuit shown in Figure 44. 플렉스 회로(12)의 측부(9)는 다중 CSP(18)로 채워진다. Side 9 of flex circuit 12 is filled with a multi-CSP (18). 측부(9)는 CSP에 대해 한개 이상의 장착 접촉 어레이 사이트를 각기 포함하는 필드 F1과 F2를 가진다. Side portion (9) has the fields F1 and F2 that each include at least one mounting contact array site for the CSP. 도시되는 경우에는, 다중 접촉 어레이를 포함한다. If the city, and a multiple contact arrays. 각각의 필드 F1과 F2는 도시되는 선호 실시예에서, IC R1 과 IC R2 로 도 3에 식별되는 두개의 다수의 IC들을 포함한다. Each of the fields F1 and F2 will comprise two of the plurality of IC is identified in the illustrated preferred embodiment, the IC R1 and R2 3 as IC. 따라서, 플렉스 회로(12)의 각각의 측부는 두개의 필드 F1과 F2를 가지며, 각각의 필드는 CSP IC R1 과 IC R2 의 다수의 랭크를 포함한다. Thus, each side of the flex circuit 12 has two fields F1 and F2, and each field includes a plurality of ranks of CSP IC IC R1 and R2. IC(18)들이 도 44 및 45에서 명시된 조직 식별사항에 따라 식별될 경우, 도 46에서 나중에, F1과 F2가 완성 모듈(10)에서 기판(14)의 서로 다른 측부에 배치됨을 알 수 있을 것이다. If the identification in accordance with the IC (18) organization identified and set forth in Figure 44 and 45 locations, and later in FIG. 46 will be apparent to placed on F1 and F2 with different sides of the substrate 14 in a completed module 10 . 도 44 및 45에 도시된 IC(18)들의 그룹형성은 발명에 의해 강제적으로 제시된 것이 아니라, 본 발명의 이해를 돕기 위한 일례의 조직적 전략으로 제공될 뿐이다. 44 and a group formed of an IC (18) shown in 45 is not forcibly set forth by the invention, only to be provided as an example of organizational strategy to assist in understanding this invention. 플렉스 회로(12)의 측부(8)에 도시되는 버퍼(19)에 추가하여, 터미네이션 저항, 바이패스 커패시터, 바이어스 저항 등등과 같은 다양한 개별 소자들이 사용될 수 있다. In addition to the buffer 19 illustrated in side 8 of flex circuit 12, a termination resistor may be used, the various discrete components such as bypass capacitors, and bias resistors and so on.

도 44는 IC(18)에 모듈 접점(20)의 행 CR2를 연결하는 일례의 전도성 트레이 스(21)를 도시한다. Figure 44 shows a tray conductive bus 21 in the example to connect the row CR2 of module contacts 20 to the IC (18). 전형적인 실시예에는 이러한 트레이스들이 수없이 존재한다. Exemplary embodiment, there will be no such trace. 트레이스들(21)은 두개 이상의 전도층을 가진 일부 실시예에서 플렉스 회로(12)의 다른 전도층에 전달될 수 있는 바이어에 연결될 수도 있다. Traces 21 may be connected to a via that can be passed to other conductive layers of flex 12 in certain embodiments having more than one conductive layer. 선호 실시예에서, 바이어들은 모듈 접점(20)에 플렉스 회로(12)의 측부(9) 상의 IC(18)들을 연결시킨다. In the preferred embodiment, the buyers links the IC (18) on the side 9 of flex 12 to module contacts 20. 일례의 바이어(23)가 도시된다. The buyer 23 in an example is shown. 트레이스(21)들은 플렉스 회로(12)의 양 측부 중 어느 한 측부 상의 IC 들 사이에 다른 연결을 구현할 수 있고, 모듈 접점(20)의 행들을 가로질러서 IC들을 상호연결시킬 수 있다. Traces 21 are may implement a different connection between the IC on any one of both side portions of the flex circuit 12 side, it is possible to interconnect the IC across the rows of module contacts 20. 다양한 ic들과 버퍼 회로 사이에서 데이터를 운반하고 신호들을 제어하는 데 필요한 상호연결을 다양한 트레이스와 바이어들이 구현할 수 있다. The interconnection required to carry the data and control signals between the various ic and buffer circuitry may implement various traces and the via.

도 46은 본 발명의 선호 실시예에 따라 고안된 모듈(10)의 단면도이다. 46 is a cross-sectional view of a module 10 devised in accordance with the preferred embodiment of the present invention. 모듈(10)은 상부면(18T)과 하부면(18B)을 가진 IC(18)들로 채워진다. Module 10 is filled with the IC (18) having a top surface (18T) and the lower face (18B). 기판이나 지지 구조(14)는 도 46의 도면에서 단부로 나타나는 제 1, 2 둘레 변부(16A, 16B)를 가진다. Board or support structure 14 has the first and second perimeter edge (16A, 16B) appears to the end in the drawing of Figure 46. 기판이나 지지 구조(14)는 제 1, 2 측면부 S1과 S2를 가진다. Board or support structure 14 has a first and second side portions S1 and S2. 플렉스(12)는 기판(14)의 둘레 변부(16A) 주변으로 감긴다. Flex 12 is wound around the perimeter edge (16A) of the substrate 14.

다중 FB-DIMM을 이용하는 전형적인 FB-DIMM 시스템에서, 한 FB-DIMM으로부터 다른 FB-DIMM 회로까지 각각의 AMB는 도 47의 시스템에서 D1, D2, D3로 표현되는 세개의 임피던스 불연속물로 간주될 수 있는 사항에 의해 이격된다. In a typical FB-DIMM system employing multiple FB-DIMM, each to another FB-DIMM circuit from one FB-DIMM AMB can be considered as three impedance discontinuities water, expressed in the system of Figure 47 in D1, D2, D3 details are spaced by that. 도 47은 두개의 모듈 10F와 10S를 포함하며, 두 모듈 간의 연결 표현물을 포함한다. Figure 47 comprises two modules 10F and 10S, includes a connection between the two representations module. 불연속물 D1은 제 1 모듈 10F에 연계된 커넥터-소켓 조합에 의해 나타나는 임피던스 불연속물을 나타낸다. A discontinuous water D1 is a connector associated with the first module 10F - shows the impedance discontinuity water indicated by the socket combination. 불연속물 D2는 제 2 모듈 10S의 커넥터-소켓과 제 1 모듈 10F의 커 넥터-소켓 사이의 연결에 의해 나타나는 임피던스 변동을 나타낸다. A discontinuous water D2 is of the second connector module 10S - shows the impedance variations exhibited by the connection between the socket and the socket connector of the first module 10F. 불연속물 D3는 제 2 모듈 10S에 관련된 커넥터-소켓 조합에 의해 나타나는 불연속물을 나타낸다. A discontinuous water D3 connector according to the second module 10S - represents a discontinuous water indicated by the socket combination. AMB는 서버 메모리 용의 새로운 버퍼 기술로서, 데이터 및 명령의 기입 및 판독과 내부 시리얼화 기능을 위한 패스-스루 로직, 데이터 버스 인터페이스, 시리얼화해제 및 디코딩 로직 기능과, 클럭 기능들을 포함하는 다수의 특징들을 포함하는 것이 일반적이다. AMB is a new buffer technology, data and path for writing and reading to the internal serialization function of the command for the server memory, a plurality of which include through-logic, the data bus interface, serialization off and decoding logic functions and, a clock function it is common to include the features. AMB의 기능은 FB-DIMM 모듈의 어려운 특징들을 구분하는 요체이다. Function of AMB is the cardinal point to distinguish between the fluctuation of the FB-DIMM module. 본 명세서를 읽고나면, 본 발명의 실시예들에 의해 구현되는 FB-DIMM 회로에서 IC(18)와 AMB(19) 간의 연결을 어떻게 구현하는 지 이해할 수 있을 것이며, FB-DIMM 시스템의 대형 구현을 방해할 수 있는 임피던스 불연속물을 감소시키면서 용량 상의 장점을 본 발명이 제공할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. After reading this specification, it will be able to understand how the connection between the IC (18) and AMB (19) implemented in a FB-DIMM circuits implemented by embodiments of the invention, a large implementations of FB-DIMM systems a reduced impedance discontinuity that can interfere with water will have the capacity to understand the advantages that can be provided by the present invention. 더우기, 본 발명의 여러 원칙은 모듈에 한개 이상의 FB-DIMM 회로를 구현하도록 이용될 수 있다. Moreover, various principles of the present invention can be used to implement one or more FB-DIMM circuits on a module.

도 48은 도 47에 의해 표현되는 시스템과는 달리, 제 1 모듈 10F의 제 1 FB-DIMM "FB1"의 제 1 AMB(19)와, 제 1 모듈 10F의 제 2 FB-DIMM "FB2"의 제 2 AMB(19) 간의 연결에 의해 나타나는 단일 임피던스 변동 DX를 도식적으로 표현한 것이다. 48 is different from the system represented by Figure 47, the first module 10F first FB-DIMM "FB1" first AMB (19), a first module 10F claim 2 FB-DIMM "FB2" of the claim a schematic representation of the single impedance variation DX indicated by the connection between the 2 AMB (19).

도 49는 두개의 FB-DIMM 회로를 제시하는 모듈을 생성하도록 스택을 이용하여 고안된 모듈(10)에 대한 구조를 설명하는 본 발명의 또하나의 실시예 도면이다. 49 is another embodiment of the invention the drawing for explaining the structure of the module 10 devised using stacks to create a module presenting two FB-DIMM circuits. 스탁텍 그룹 엘.피. Stark Tech Group El avoided. 사의 스택(40)같은 스택들을 이용함으로서, 고용량의 모듈들을 생성할 수 있다. By using the stack's 40, such as a stack, it is possible to produce high-capacity of the module. 스택(40)은 본 발명에 이용할 수 있는 여러가지 스택 설계 중 하 나에 지나지 않는다. Stack 40 is only to one of several stack designs that may be used in the present invention. 일례의 스택들(40)은 미국특허 6,914,324 B2(2005.7.5)에 공개된 맨드릴(mandrel)(42)과 스택 플렉스 회로(44)로 설계되며, 스택(40)과 AMB(19)는 기판(14) 둘레로 배치되는 플렉스 회로(12) 상에 장착된다. The stack of example 40 is designed as a mandrel (mandrel) (42) and stack flex circuit 44 disclosed in U.S. Patent 6,914,324 B2 (2005.7.5), it stacks 40 and AMB (19) includes a substrate ( 14) is mounted on the flex circuit 12 are disposed in periphery.

도 50은 본 발명의 한 실시예에서 스택을 이용하는 또다른 실시예 구조를 도시한다. Figure 50 shows another embodiment using a stack structure in one embodiment of the present invention. 이러한 실시예는 접점(20)에 FB-DIMM 회로를 제시한다. This embodiment presents a FB-DIMM circuit on contact 20.

도 51은 본 발명의 또다른 실시예를 도시한다. Figure 51 illustrates a further embodiment of the invention. 도시되는 모듈(10)은 한개 이상의 AMB와 관련 회로(가령, IC(18)를포함한다. 선호되는 모드에서, 관련 회로는 CSP이며, 비교적 작은 프로파일로 모듈(10) 상에 한개 이상의 FB-DIMM 회로나 인스탄티에이션을 생성하도록 지원 회로를 필요로 한다. 도시된 AMB에 추가하여 제 2 AMB가 모듈(10)의 한 측부에 배치될 수 있다. 하지만, 사용될 경우, 제 1 AMB(19)에 비해, 기판(14)의 측면부 S2에 더 가깝게 제 2 AMB가 배치되는 것이 바람직하다. 본 실시예에서, 플렉스 회로(12)의 측부(8)를 따라 플렉스 회로(12)의 변부 E에 가깝게 접점(20)이 위치한다. FB-DIMM 회로나 인스탄티에이션(즉, CSP와 AMB)을 구성하는 요체 회로는 기판(14) 양쪽에 분포되거나 단일 랭크 파일에 배치될 수 있다. 이들은 앞서의 도면들을 참고하여 설명한 바와 같이, 플렉스 회로(12)의 제 1, 2 측부의 제 1, 2 장착 필 The module 10 shown comprises more than one AMB and associated circuitry (e.g., IC (18). In a preferred mode, the associated circuitry is one or more FB-DIMM to the module 10 as a CSP, a relatively small profile, to require support circuitry to produce a circuit, or in-tanti negotiation. there, in addition to the depicted AMB be claim 2 AMB is arranged on one side of the module 10, but, if used, a 1 AMB (19) than, preferably closer to claim 2 AMB is disposed on the side face S2 of the substrate 14. the contact points close to the edge E of the present embodiment, the flex circuit flex circuit 12 along the sides 8 of the 12 20 to the position. FB-DIMM circuit or in-tanti negotiation essence circuit constituting (i. e., CSP and AMB) may be distributed or arranged in a single rank file on each side substrate 14. these are the drawings of the prior Note as described above, flex circuit 12 of the first and second first and second mounting field of the side 에 장착될 수 있다. 접점(20)이 응용 장치의 기계적 접촉 인터페이스 특이사항에 따라 모듈의 한쪽이나 양쪽 모두에 나타날 수 있다. To be mounted. Contact 20 can receive both of the modules one or both depending on the specific details mechanical contact interface of the application device.

도 52는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 모듈을 구성하는 데 사용되는 플렉스 회로(12)의 제 1 측부(8)를 도시한다. Figure 52 depicts a first side 8 of flex circuit 12 that is used to configure a module according to an embodiment of the present invention. 플렉스 회로(12) 상의 IC(18)들은 본 실시예에서, 작은 스케일의 칩 스케일 패키지 메모리 소자들이다. IC (18) on the flex circuit 12 are in this embodiment, are of a small scale chip scale package of the memory device. IC(18) 들 사이에 도시된 회로(19)는 AMB같은 컨트롤러나 메모리 버퍼일 수 있고, 본 실시예에서는 등록된 DIMM용 레지스터이거나 메모리 컨트롤러이다. The circuit 19 is shown between the IC (18) may be a memory buffer or controller such as AMB, the present embodiment or for a registered DIMM register is a memory controller. 본 실시예는 반대편 측부(9)에 추가적인 IC(18)들을 가지는 것이 바람직하다. This embodiment preferably has additional IC (18) on the other side portion (9). 플렉스 회로(12)는 도 29를 참고하여 앞서 설명한 바와 같이, 네개의 연속층과 다중 플렉스 기판층으로 만들어진다. Flex circuit 12 is, as described above with reference to Figure 29, made of four successive layers with a multi-layer flex board.

본 실시예에서, 플렉스 회로(12)에는 구멍(13)이 제공된다. In this embodiment, the flex circuit 12 is provided with a hole (13). 이 구멍(13)들은 곡선(25)에 대한 요망 휨 반경을 얻기 위해 플렉스 회로(12)를 구부릴만한 유연성을 가지도록 만들어진다. The holes 13 are made to have enough flexibility to bend to flex circuit 12 to achieve a desired bend radius for curve 25. 구멍(13)들은 플렉스 회로(12)를 통과하지만, 다른 실시예에서는 플렉스 회로(12)의 전도층들 중 한개 이상의 층만큼, 또는 플렉스 회로(12)의 플렉스 기판층들 중 한개 이상층만큼 나타날 수 있는 부분적인 구멍일 수 있다. Holes 13 are passed through the flex circuit 12, but in other embodiments appear as one or more of the flex substrate layer layers of flex circuit 12, conducting layers, or a flex circuit 12 as long as more than one layer of the It can be part of the hole. 이러한 부분적인 구멍들은 충분히 전도성인 물질을 제공하면서 유연성을 제공하도록 고안되어, 필드 F1과 필드 F2의 IC들 사이에서 접점(20)에 대한 연결을 제공할 수 있다. This partial hole can provide a connection to a well, providing a conductive material is designed to provide flexibility, contact 20 between the field of the IC field F1 and F2.

본 실시예의 구멍(13)들은 플렉스(13)의 전도층들의 높이에서 트레이스들(21)이 구멍(13)을 통과할 수 있게 이격된다. Example holes 13 of this embodiment are spaced to allow traces 21 at the height of the conductive layer of flex 13 can pass through the hole 13. 일부 선호되는 실시예들은 측부(8)를 부분적으로 덮는 유전체 솔더 마스크층을 가지지만, 트레이스들(21)은 단순화를 위해 측부(8)를 따라 위치하는 것으로 도시되었다. Some preferred embodiment examples which are shown to be located along the side portion (8) for the sake of simplicity only have a dielectric solder mask layer partially covering the side 8, traces 21. 트레이스들이 플렉스 회로 내에서 서로 다른 층에 놓일 수 있음은 이해할 수 있을 것이다. That traces can be placed on different layers within the flex circuit it will be appreciated.

본 실시예에서, 플렉스 회로(12)에는 구멍(15)들이 추가적으로 제공된다. In this embodiment, flex circuit 12 is provided with holes 15 to further. 구멍(15)들은 플렉스 회로(12)를 구부릴만한 유연성을 제공하도록 설계되어, 기판 (14)의 변부(16A, 16B) 둘레로 요망 휨 반경을 구현한다. Holes 15 are designed to provide enough flexibility to bend the flexible circuit 12, and implements a desired bending radius of edges (16A, 16B) circumference of the substrate 14. 구멍(15)들은 플렉스 회로(12)의 여러 전도성층 및 비전도성층에서 구멍이나 부분 구멍으로 표현될 수 있다. Hole 15 may be expressed in different conductive layers and non-conducting holes or hole portions in a layer of the flex circuit 12. 플렉스 회로(12)의 본 실시예에는 플렉스 회로(12)의 측부(18)를 따라 장착 패드(51)가 제공된다. This embodiment of flex circuit 12, the mounting pads 51 are provided along the side 18 of the flex circuit 12. 이러한 패드(51)는 표면 장착 저항(52)같은 소자들을 장착하는 데 사용된다. Such pads 51 are used to mount the device as a surface mount resistor (52).

도 53은 본 발명의 한 실시예에 따른 모듈(10)의 사시도이다. 53 is a perspective view of a module 10 according to one embodiment of the present invention. 곡선(25)을 따라 구멍(13)들이 도시된다. Holes 13 are shown along a curve (25). 더우기, 모듈(10)의 하부 변부를 따라 구멍들(15) 일부분을 발견할 수 있다. Further, the lower side of the module 10 can find a hole (15) along a portion. 구멍(13)들은 곡선(25) 전체를 따라 나타날 수 있는 크기를 가진다. Hole 13 may have a size that may occur along the entire curve 25. 구멍(15)은 기판(14) 변부 둘레로 전체 휨을 보일 수 있는 크기를 가질 수도 있다. Hole 15 may have a size which can be seen the entire warp to the substrate 14 around the edge. 구멍(13, 15)들은 곡선 길이보다 큰 간격을 가질 수 있고, 작은 간격을 가질 수도 있다. Holes 13 and 15 have may have a larger spacing than the curve length, and may have a small gap. 예를 들어, 구멍(13, 15)들은 수정되지 않은 플렉스 회로(12)로 가능한 반경보다 작은 요망 휨 반경을 가지는 휨 부분에서만 플렉스 회로(12)의 조정 휨 반경을 제공하도록 크기설정될 수 있다. For example, the holes 13 and 15 may be sized to provide an adjusted bend radius for flex circuit 12 only in the bending portions having a small desired bending radius than possible with flex circuit 12 unmodified radius.

플렉스 회로의 도시되는 구조 및 배열은 고용량 및 얇은 프로파일 회로 모듈을 생성하는 데 사용될 수 있다. Constructions and arrangements shown in the flex circuit may be used to create a high capacity and thin-profile circuit modules. 예를 들어, 주어진 DIMM 높이에 대해 이중 소자-장착 표면적을 가지도록 DIMM이 구성될 수 있다. For example, a dual element for a given DIMM height may be the DIMM is configured to have a mounting surface area. 이러한 이중화는 전통적인 DIMM에 부합하지 않는 대형 소자들을 가능하게 하거나, 메모리 소자들의 수를 두배로 할 수 있다. This redundancy enables a large device that does not conform to conventional DIMM, or may be the number of memory elements doubles.

예를 들어, 한가지 선호되는 실시예는 512 메가비트 파트를 이용하여 30mm 4가기바이트 등록 DIMM 을 제공한다. For example, one preferred embodiment for example, which provides a 30mm 4-byte store registered DIMM using 512 Mbit parts. 또다른 실시예는 512 메가비트 파트를 이용하 여 2기가바이트 SO-DIMM을 제공한다. Another embodiment provides a more than 2 gigabytes SO-DIMM take advantage of 512 Mbit parts. DIMM 모듈은 DIM이나 BD-DIMM 회로들의 다중 인스탄티에이션을 가질 수 있다. DIMM modules may have a multiple-in-tanti negotiation of DIM or BD-DIMM circuit. 또한, DIMM 회로의 단일 인스탄티에이션을 가진 DIMM들은 전형적인 산업 표준 DIMM 모듈에 의해 제공된 표면적에 부합하기엔 너무 큰 소자들이 이용되는 경우에 제공될 수 있다. Also, DIMM having a single in-tanti negotiation of DIMM circuits hagien consistent with the surface area provided by a typical industry standard DIMM module can be provided if that is too large to use the device. 이러한 고용량 기능 및 유연성은 제한된 수의 마더보드 DIMM 소켓이나 슬롯을 가지는 컴퓨터 시스템용 고용량 메모리를 제공하는 데 사용될 수 있다. These high-capacity functionality and flexibility can be used to provide a high-capacity memory for a computer system with a motherboard DIMM sockets or slots in a limited number.

도 54는 AMB같은 더 큰 높이의 소자들을 이용하면서, 얇은 프로파일을 제공하도록 고안된 일례의 모듈(10)을 도시한다. Figure 54 shows the module 10 in one example is designed to provide a thin profile while using the device of the greater height of AMB. 도 54는 본 발명의 선호 실시예를 도시하며, 다음 도면에 추가적으로 도시되는 플렉스 회로(12)의 IC 구멍(35)으로부터 발생하는 상주 열 싱크(33)를 구비한 AMB 회로(19)와, IC(18)로 채워진 모듈(10)을 도시한다. Figure 54 shows a preferred embodiment of the invention, with the AMB circuit 19 with a resident heat sink 33 is generated from the IC hole 35 of the flex circuit 12 is further illustrated in the following figures, IC It illustrates a module 10 populated with 18.

도 55는 플렉스 회로(12)의 측부(9)를 도시한다. Figure 55 shows a side 9 of flex circuit 12. 도시되는 플렉스 회로(12)의 필드 F1과 F는 IC(18)들의 단일 랭크로 각기 채워진다. Field of the flex circuit 12 is shown F1 and F are each filled with a single rank of IC (18). 필드 F는 플렉스 회로(12)를 통과하는 IC 구멍(35)을 보여준다. Field F shows the IC hole 35 that passes through the flex circuit 12. 구멍(35)의 크기는 AMB 회로(19)같은 선택된 IC가 플렉스 회로(12)를 관통할만한 크기이다. The size of hole 35 is selected such size worth the IC AMB circuit 19, through the flex circuit 12. 두개 이상의 IC 구멍(35)이 플렉스 회로(12)에 배열되어, 여러개의 키큰 프로파일 소자들이 해당 구멍들을 관통하게 한다. More than one hole IC 35 is arranged on the flex circuit 12, a number of tall profile elements are to be of the through-hole.

도 56은 본 발명의 또다른 선호 실시예를 도시하며, 회로(19)의 반복을 따라 얻은 모듈(10)의 단면을 도시한다. Figure 56 shows a cross section of module 10 taken along the repeat and shows another preferred embodiment of the invention, the circuit 19. 도 56의 그림은 회로(19)가 나타나는 구멍(35)을 가진 플렉스 회로(12)를 구비한 모듈(10)을 도시한다. The illustration of Figure 56 illustrates a module 10 with flex circuit 12 with a hole 35. The circuit 19 may appear. 플렉스 회로(12)의 측부 (9)의 필드 F에 장착되는, 기판(14)과 IC(19) 둘레로 플렉스 회로(12)가 감긴다. A substrate 14 and the IC (19) circumference, is mounted on the field F of the side 9 of flex circuit 12. Flex circuit 12 is wound. 도시되는 실시예에서, 이는 모듈(10)의 내측부로서, 플렉스 회로(12)의 IC 구멍(35)으로부터 부분적으로 나타나도록 기판(12)의 윈도(250)를 통과한다. In an illustrated example, which passes through the window 250 of the substrate 12 so that it appears in part from the hole IC 35 of a medial side of the module 10, flex circuit 12. 도시되는 회로(19)는 열 복사 소자나 열 싱크(33)를 나타내며, AMB나 버퍼, 또는 로직 소자를 나타낸다고 간주할 수도 있다. Circuit which is shown 19 may be thought denotes a heat radiation device and the heat sink (33), represent the AMB or buffer or logic device. 회로(19)가 플렉스 회로(12)의 IC 구멍(35)으로부터 꼭 나타날 필요는 없으며, 플렉스 회로(12)의 IC 구멍(35)을 회로(19)와 일치하게 배치시킴으로서 충분한 장점이 나타난다. Circuit 19 is sufficient to display the advantages sikimeuroseo means need not occur, placing the IC hole 35 of the flex circuit 12 to match the circuit 19 from the hole IC 35 of the flex circuit 12. 그러나 여러 실시예에서, 회로(19)는 구멍(35)으로부터 부분적으로 나타날 것이다. However, in many embodiments, circuit 19 will appear as a part of the hole (35). 다른 실시예들도 본 발명에 따라 구성될 수 있다. Other embodiments may be configured in accordance with the present invention. 즉,단일 모듈에 FB-DIMM 회로의 두 인스탄티에이션들 위치시키고 두개의 IC 구멍(35)을 나타내는 플렉스 회로를 이용하여, 기판 내 윈도를 통해 보이는 두개의 AMB와 일치시키거나, 또는 플렉스 회로의 구멍(35)으로부터 부분적으로 실제 나타나게 할 수 있다. That is, the two in-tanti negotiation of FB-DIMM circuitry located in a single module and two using the flexible circuit showing the IC hole 35, to match the two AMB seen through the substrate within the window, or a flex circuit from the hole 35 it may partially appear in the actual.

도 56에 도시되는 바와 같이, 회로(19)는 P T 로 표시되는 프로파일을 가지며, 모듈(10)은 P M 으로 표시되는 프로파일을 가지며, IC(18)는 P 18 로 표시되는 프로파일을, 기판(14)은 P S 로 표시되는 프로파일을 가진다. As shown in Figure 56, the circuit 19 has a profile that is represented by having a profile, the module 10 has a profile that is represented by P M, IC (18) is P 18 is represented by P T, the substrate 14 has a profile that is represented by P S. 도시되는 바와 같이, 모듈(10)의 프로파일 P M 은 본원 기술 이용없이 기대되는 수치에 비해, IC(18)과 회로(19)에 대한 프로파일만큼 적도록 증가한다. As shown, the profile P M of the module 10 will increase to as much as ever profile for a, IC (18) and the circuit 19 compared to the levels expected without using the present technology. 예를 들어, 도 56에 도시된 실시예에서, P M 은 P T 더하기 IC(18)의 프로파일 P 18 X 4 보다 작다. For example, in the embodiment shown in Figure 56, P M is smaller than the profile P 18 X P T plus 4 of IC (18). 왜냐하면, 회로(19)가 플렉스 회로 (12)의 구멍(35)을 통해 기판(14)의 윈도(250) 내에 배치되기 때문이다. This is because the circuit 19 is disposed in the window 250 of the substrate 14 through the hole 35 of the flex circuit 12.

본 실시예에서, 이 구성은 기판(14)의 S1 측면부에 필드 F1의 IC(18)들을 배치하고, 기판(14)의 S 측면부에 필드 F의 IC(18)들을 배치한다. In this embodiment, the arrangement layout of IC (18) of the field F1 in the S1 side of substrate 14, and the side surface S of the substrate 14 placing the IC (18) of the field F. P T 로 표시되는 회로(19)의 높이나 프로파일은 모듈(10)의 프로파일이나 높이 내에 있으며, 따라서, 도 51에 도시된 키큰 프로파일 모듈(10)처럼 플렉스 회로(12)의 측부(8)에 회로(19)가 장착된 경우에 비해 더 낮은 프로파일 모듈(10)을 가진다. Height of the circuit 19 is represented by P T profile on side 8 of flex circuit 12 as a tall profile module 10 shown in and within the profile or height of the module 10, therefore, Fig. 51 circuit compared with the case (19) is mounted has a lower profile module 10.

도 57은 본 발명의 대안의 실시예를 도시하는 도면으로서, 기판(14)의 윈도(250)를 통과하는 회로(19)와 플렉스 회로(12)의 측부 (8)에 IC(18)로 채워진 모듈(10)을 도시한다. 57 is filled with IC (18) on the side 8 of the circuit 19 and the flex circuit 12 through the window 250 of a view showing an alternative embodiment of the invention, substrate 14 It shows the module 10. 도 57에 도시되는 실시예는 PCI 환경에 사용될 수 있다. The embodiment shown in Figure 57 may be used in a PCI environment. 이경우에, 확장 보드용의 공간이 최소한이고, 일반적으로 한쪽 보드만이 순응성이며 그 공간은 응용장치에 의해 할당된다. In this case, a space for expansion boards is minimal, typically only one board compliant and that space is assigned by an application device. 본 발명의 원리에 따르면 더 큰 용량을 PCI-제약환경에서 이용할 수 있다. In accordance with the principles of the present invention may utilize a larger capacity in the PCI- constrained environment.

따라서, 본원 발명의 방법 및 시스템에 따르면, 높은 주파수에서 정상적으로 동작하면서 너무 크지 않은, 그러면서도 합리적인 비용으로 제작될 수 있는, 열적으로 효율적이고 신뢰성있는 설계로 고용량 회로 모드를 제공할 수 있다. Thus, in accordance with the method and system of the present invention, that is not too large, while normally operating at high frequency, yet it is possible to provide a high-capacity mode to the circuit designs, thermally efficient and reliable, which can be manufactured at a reasonable cost.

Claims (141)

  1. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 두개의 맞은편 측면부와 한개의 변부를 가진 견고한 기판, - Two solid substrate having opposite side edges of the one part and,
    - 상기 견고한 기판의 변부 둘레로 감기는 플렉스 회로(flex circuit)로서, 상기 플렉스 회로는 제 1 측부와 제 2 측부를 가지며, 상기 플렉스 회로의 일부분은 상기 견고한 기판의 맞은편 측면부들 중 한 측면부, 또는 두 측면부에 부착되고, 상기 플렉스 회로는 회로 보드 소켓에 연결시키기 위한 다수의 변부 커넥터 접점들을 구비하며, 상기 다수의 변부 커넥터 접점들은 플렉스 회로 외측부 상에서 견고한 기판의 변부 근처에 배치되는 바의 상기 플렉스 회로, 그리고 - said in an edge round the rigid substrate cold is a flex circuit (flex circuit), the flex circuit is one of the opposite side of a portion of the flex circuit is the rigid substrate having a first side and a second side, side surface, or is attached to the two side sections, the flex circuit is the flex of the bar is arranged near the edge of the rigid substrate on a plurality of, and having edge connector contacts, the plurality of edge connector contacts can flex outer portion for connecting to a circuit board socket circuit, and
    - 플렉스 회로의 제 1 측부와 제 2 측부 중 한 측부, 또는 두 측부에 부착되는 다수의 메모리 CSP - one of the first side and the second side of the flex circuit side, or a number of memory attached to the two side CSP
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. A circuit module comprising: a.
  2. 제 1 항에 있어서, 다수의 메모리 CSP 각각은 한개씩의 윗면을 가지며, 상기 윗면들은 견고한 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 1, wherein the plurality of CSP memory each have an upper surface of one at the top are the circuit module being attached to a rigid substrate.
  3. 제 1 항에 있어서, 플렉스 회로의 제 1 측부 및 제 2 측부 중 한 측부, 또는 두 측부에 장착되는 다수의 메모리 CSP들은 상기 견고한 기판의 맞은편 측면부들 중 한 측면부 상의 잘려진 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 1, wherein the plurality of memory CSP that of the first side and the second side of the flex circuit attached to one side, or both sides are being placed in the cutaway areas on one side surface of the opposite side portions of the rigid substrate circuit module according to.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 견고한 기판의 맞은편 측면부들 각각 위에는 다수의 잘려진 영역들이 존재하고, 상기 견고한 기판의 맞은편 측면부들 각각 위의 다수의 잘려진 영역들 중 일부는 견고한 기판의 두 맞은편 측면부들 중 대응하는 측면부 위의 다수의 잘려진 영역 일부에 대해 지그재그 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 3, wherein both opposite side portions of the the opposite sides of the rigid substrate a number of cutaway areas are present on top, respectively, and opposite side sections of each portion of a number of cutaway areas on the top of the rigid substrate is a rigid substrate circuit modules being configured in a zigzag form for some number of the cut area of ​​the side surface above a corresponding one of the.
  5. 제 1 항 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 회로 모듈은 AMB를 추가로 포함하고, 상기 견고한 기판은 AMB가 배치되는 잘려진 영역이나 윈도를 구비하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the circuit module further comprises an AMB and the rigid substrate is a circuit module comprising the cutaway area or window that is disposed AMB.
  6. 제 1 항 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 견고한 기판은 열전도성 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method according to any one of claims 1 to 4 wherein the solid substrate is a circuit module characterized by consisting of a thermally conductive material.
  7. 제 1 항 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 견고한 기판이 알루미늄으로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the circuit module is characterized in that the rigid substrate is comprised of aluminum.
  8. 제 1 항 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 견고한 기판의 상기 변부 반대편에 상기 견고한 기판에 의해 열 팽창부가 나타나는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method according to any one of claims to 4, wherein the circuit module wherein the other side edge of the rigid substrate addition of thermal expansion exhibited by the rigid substrate.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 견고한 기판의 한개 이상의 정렬 수단과 함께 정렬 기능을 수행하는 플렉스 회로의 한개 이상의 정렬 수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 1, wherein the circuit module comprises at least one alignment means of the flex circuit to perform an alignment function with the alignment means of one or more of the rigid substrate further.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 플렉스 회로의 제 1, 2 측부 중 한 측부 또는 두 측부 상에 장착되는 AMB를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 1, wherein the circuit module characterized in that it further comprises the AMB mounted on the first, one side or both sides of the second side of the flex circuit.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 플렉스 회로가 두개 이상의 전도층을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 1, wherein the circuit module is characterized in that the flexible circuit includes a conductive layer of two or more.
  12. 제 1 항 내지 4 항 및 제 9 항 내지 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플렉스 회로가 네 개의 전도층들로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. Claim 1 to 4 and 9 according to any one of claims to 11, wherein the circuit module is characterized in that the flexible circuit consisting of four conductive layers.
  13. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 제 1 측면부와 제 2 측면부, 그리고 한개의 변부를 구비한 열전도성 기판, 그리고 - a first side and a second side surface, and one side a heat-conductive substrate, and provided with parts of
    - 다수의 CSP가 구성되는 제 1 측부 및 제 2 측부를 구비한 플렉스 회로로서, 상기 제 1 측부는 변부 커넥터 슬롯에 연결하기 위한 변부 커넥터 접점을 가지며, 상기 플렉스 회로는 상기 열전도성 기판의 변부 둘레로 감겨, 다수의 CSP 배치 위치보다 상기 열전도성 기판의 변부에 더 가깝게 상기 제 1 측부의 변부 커넥터 접점을 배치하며, 그리고 상기 플렉스 회로의 제 1 측부보다 상기 열전도성 기판의 측면부들에 더 가깝게 플렉스 회로의 제 2 측부를 배치시키는 바의 상기 플렉스 회로 - as a flex circuit having a first side and a second side where the plurality of CSP configuration, the first side has an edge connector contacts for connection to an edge connector slot, the flex circuit edge periphery of the thermally-conductive substrate a wound, a plurality of more CSP arranged closer to the edge of the thermally conductive substrate and place the edge connector contacts of the first side, and the closer the flex in the side portion of the thermally conductive substrate than the first side of the flex circuit the flex circuit of the bar to place the second side of the circuit
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. A circuit module comprising: a.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 열전도성 기판은 둘레 변부 반대편에 열팽창부를 나타내는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 13, wherein the thermally conductive substrate is a circuit module, characterized in that the peripheral portion showing the thermal expansion in the other side edge.
  15. 제 13 항 또는 14 항에 있어서, 플렉스 회로의 제 1 측부 및 제 2 측부 중 한 측부, 또는 두 측부 모두에 장착되는 AMB를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. Claim 13 or according to 14, wherein the flex circuit of the first side and the circuit module, characterized in that further including the AMB mounted to both one side, or both sides of the second side of.
  16. 제 13 항 및 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 제 1 측면부와 제 2 측면부 간의 열전도성 기판 두께가 열전도성 기판의 길이를 따라 두개 이상의 위치에서 변하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. Claim 13 and claim 14 according to any one of, wherein the circuit, characterized in that changes in two or more positions along the length of the thermally conductive substrate thermally conductive substrate thickness between the first side and the second side module.
  17. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 변부 커넥터 소켓에 연결하기 위한 확장 보드 접점을 구비한 플렉스 회로로서, 상기 플렉스 회로는 제 1 측부와 제 2 측부를 구비하고, 제 2 측부를 따라 제 1 그룹의 CSP와 제 2 그룹의 CSP가 장착되는 바의 상기 플렉스 회로, 그리고 - as a flex circuit having expansion board contacts for connection to an edge connector socket, wherein the flex circuit CSP of the first side and the second of the first group with a second side, and along the second side CSP and the second group the mounting bar of the flex circuit, and
    - 제 1 측면부와 제 2 측면부, 그리고 한개의 변부를 구비한 기판으로서, 상기 제 1 측면부는 한개 이상의 잘려진 영역을 구비하고, 상기 제 2 측면부는 한개 이상의 잘려진 영역을 구비하며, 상기 플렉스 회로는 기판 둘레로 배치되어, 상기 기판의 제 1 측면부의 한개 이상의 잘려진 영역에 제 1 그룹의 CSP를 배치하고, 상기 기판의 제 2 측면부의 한개 이상의 잘려진 영역에 제 2 그룹의 CSP를 배치하는 바의 상기 기판 - a first side and a second side surface, and a substrate comprising a single side of the first side portion is provided with a one or more cutaway areas and the second side portion is provided with one or more cutaway areas, the flex circuit substrate are arranged in a circumference, the substrate of the bar to place the CSP of the first group in the cutaway areas of one or more of the first side of the substrate, placing the CSP of the second group in the cutaway areas of one or more of the second side of the substrate
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The circuit module comprises a.
  18. 제 17 항에 있어서, 기판의 제 1 측면부의 한개 이상의 잘려진 영역들은 기판의 제 2 측면부의 한개 이상의 잘려진 영역과 공간적으로 일치하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. According to claim 17, wherein a first one or more cutaway areas of the side surface portion of the substrate circuit module characterized in that it coincides with the spatial and 2 one or more cutaway areas of the side surface portion of the substrate.
  19. 제 17 항에 있어서, 기판의 제 1 측면부의 한개 이상의 잘려진 영역들은 기판의 제 2 측면부의 한개 이상의 잘려진 영역과 일부분에 대해 공간적으로 일치하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. According to claim 17, wherein the one or more cutaway areas of the first side of the substrate circuit module is characterized in that spatially match for the second one or more cutaway areas and a portion of the side surface portion of the substrate.
  20. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 제 1 주측부와 제 2 주측부를 구비한 플렉스 회로로서, 상기 플렉스 회로는 제 1 주측부에 표면 장착 어레이들의 한개 이상의 행들을, 그리고 제 2 주측부 에 표면 장착 어레이들의 두개 이상의 행들을 구비하고, 상기 플렉스 회로는 상기 제 2 주측부상의 표면 장착 어레이들의 두개 이상의 행들 중 선택된 두 행들 사이에서 아치형 휨을 가지며, 상기 제 2 주측부는 상기 아치형 휨 내향으로 면하고, 상기 플렉스 회로는 단부 변부와, 상기 단부 변부에 인접하게 배치되는 변부 커넥터 접점들을 구비하는 바의 상기 플렉스 회로, - having a first main side and a second major as a flex circuit having a side portion, the flex circuit has a first main rows least one of surface mount arrays on the side and a second major side row of two or more of surface mount arrays on and, wherein the flex circuit and the second primary side has an arch between the surface mounted two rows, selected ones of the two or more rows of the array of the floating warp, and the second primary side section and side by bending the arcuate inward, the flex circuit end edge, the flex circuit of a bar having the edge connector contacts disposed adjacent the end edge,
    - 상기 제 2 주측부의 표면 장착 어레이들의 두개 이상의 행들 중 일부분을 점유하는 다수의 CSP로서, 각각의 CSP가 주윗면(top major surface)을 가지는 바의 상기 다수의 CSP, 그리고 - the second state as a plurality of CSP to occupy a portion of the two or more rows of surface mount arrays of the side, top side, each CSP state (top major surface) of the plurality of bars having a CSP, and
    - 상기 아치형 휨 내에 부분적으로 배치되는 지지 기판으로서, 상기 지지 기판은 한개의 변부와 제 1, 2 측부를 구비하고 있고, 상기 제 1 측부는 다수의 CSP들의 개별 CSP를 배치하기 위한 다수의 잘려진 영역이나 윈도를 구비하고, 상기 CSP들은 플렉스 회로의 제 2 주측부의 표면 장착 어레이들의 두개 이상의 행들 중 일부분을 점유하는 바의 상기 지지 기판 - a support substrate that is partially disposed in the arcuate bending, the support substrate is provided with the one of the edges and the first and second side, said first side has a plurality of cutaway areas for the placement of individual CSP of the plurality of CSP and the support substrate of the bar provided with a window, and occupying a portion of the two or more rows of the CSP are the mounting surface of the second main side of the flex circuit array
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The circuit module comprises a.
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  71. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 제 1, 2 측부를 구비한 플렉스 회로로서, 상기 플렉스 회로의 제 1 측부를 따라 변부 커넥터에 연결하기 위한 다수의 접점들이 배치되는 바의 상기 플렉스 회로, - as a flex circuit, a number of contacts for connection to an edge connector, the flex circuit of the bar disposed along a first side of the flex circuit having a first and second side portions,
    - 플렉스 회로 상에 장착되는 제 1 AMB와 다수의 CSP를 구비한 제 1 FB-DIMM 회로와, 플렉스 회로 상에 장착되는 제 2 AMB와 다수의 CSP를 구비한 제 2 FB-DIMM 회로, 그리고 - and a second FB-DIMM circuit 1 having a first CSP and a number of 1 AMB mounted on the flex circuit, the flex circuit having a first AMB 2 with a plurality of CSP to be mounted on the first FB-DIMM circuit 2, and
    - 서로 맞은편에 제 1, 2 측면부들을 구비한 견고한 기판으로서, 상기 플렉스 회로는 상기 플렉스 회로의 제 2 측부 위치보다 기판으로부터 더 멀리 플렉스 회로의 제 1 측부를 위치시키도록 상기 견고한 기판의 둘레로 배치되는 바의 상기 견고한 기판 - a rigid substrate having a first and second side portions opposite to each other, the flex circuit to the periphery of the rigid substrate to place the first side of the further flexible circuit from the substrate than the second side location of the flex circuit the rigid substrate is arranged in a bar
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The circuit module comprises a.
  72. 제 71 항에 있어서, 상기 회로 모듈이 컴퓨터의 변부 커넥터에 삽입되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 71, wherein the circuit module is characterized in that the circuit module is inserted into the edge connector of the machine.
  73. 제 72 항에 있어서, 상기 컴퓨터가 서버 컴퓨터인 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 72, wherein the circuit module is characterized in that the computer is a server computer.
  74. 제 71 항에 있어서, 상기 견고한 기판은 잘려진 영역을 제공하도록 패턴처리되고, 상기 잘려진 영역들 내에는 플렉스 회로 상의 다수의 CSP들 중 선택된 CSP들이 배치되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 71 wherein the rigid substrate is patterned to provide cutaway areas treated, the cutaway areas in the circuit is characterized in that the arrangement of the plurality of CSP CSP are selected on the flex circuit module.
  75. 제 71 항에 있어서, 상기 견고한 기판은 잘려진 영역이나 윈도를 제공하도록 패턴처리되고, 상기 잘려진 영역이나 윈도 내에는 제 1 AMB 또는 제 2 AMB 중 하나 가 배치되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 71 wherein the solid substrate is treated pattern to provide cutaway areas or windows, the cutaway areas or windows in the AMB claim 1 or 2, characterized in that the circuit module of one of the AMB is disposed.
  76. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 제 1, 2 측부 및 한 세트의 확장 보드 접점을 구비한 제 1 플렉스 회로로서, 각각의 상기 측부는 제 1 필드와 제 2 필드를 가지며, 각각의 필드는 CSP를 위한 한개 이상의 장착 어레이 사이트를 가지는 바의 상기 제 1 플렉스 회로, - first and second side and having a plug-in board contacts of one set first as a flex circuit, each of said side portions has a first field and a second field, each field is more than one mounting array site for CSP wherein the first flex circuit having a bar,
    - 제 1, 2 측부를 구비한 제 2 플렉스 회로로서, 각각의 상기 측부는 제 1 필드와 제 2 필드를 가지며, 각각의 필드는 CSP를 위한 한개 이상의 장착 어레이 사이트를 가지는 바의 상기 제 2 플렉스 회로, - a second flex circuit having a first and second sides, each said side portion includes a first field and the second has a second field, each field and the second flex bars having more than one mounting array site for CSP Circuit,
    - 제 1 플렉스 회로의 제 1 측부를 따라 장착되는 제 1 AMB와 다수의 제 1 CSP, 그리고 제 1 플렉스 회로의 제 2 측부를 따라 장착되는 다수의 제 2 CSP, - a first flex circuit of the first side a first AMB and a plurality of the first CSP, the second CSP are numerous and the mounting along a second side of the first flex circuit is mounted along,
    - 제 2 플렉스 회로의 제 1 측부를 따라 장착되는 제 2 AMB와 다수의 제 1 CSP, 그리고 제 2 플렉스 회로의 제 2 측부를 따라 장착되는 다수의 제 2 CSP - a second flex a second AMB mounted along the first side of the circuit and the number of the first CSP, the second CSP are numerous and the mounting along a second side of the second flex circuit
    - 제 1, 2 측면부를 구비한 견고한 기판으로서, 상기 제 1 플렉스 회로는 상기 견고한 기판의 제 1 측면부를 따라 위치하고 상기 제 2 플렉스 회로는 상기 견고한 기판의 제 2 측면부를 따라 배치되는 바의 상기 견고한 기판 - as a rigid substrate having a first and second side portions, wherein the first flex circuit is located along a first side of the rigid substrate and the second flex circuit are the rigid bar disposed along a second side of the rigid substrate Board
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The circuit module comprises a.
  77. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 제 1, 2 측부를 구비한 플렉스 회로로서, 상기 제 1 측부를 따라 다수의 측방 확장 보드 접점들이 배열되는 바의 상기 플렉스 회로, - as a flex circuit, a plurality of lateral expansion board contacts to the flex circuit of the bar is arranged along the first side having a first, second side,
    - 상기 플렉스 회로의 제 1 측부를 따라 배열되는 제 1, 2 랭크의 CSP 메모리 소자들로서, 이때, 제 1 랭크의 CSP 메모리 소자들은 상기 다수의 측방 확장 보드 접점에 의해 제 2 랭크의 CSP 메모리 소자들과 분리되는 바의 상기 제 1, 2 랭크의 CSP 메모리 소자들, - the CSP memory devices as CSP memory devices of the first and second ranks are arranged along a first side of the flex circuit, wherein the first rank of CSP memory devices have a second rank by a plurality of lateral expansion board contacts the of the bar is separated from the CSP memory devices of said first and second rank,
    - 제 1 랭크의 CSP 메모리소자들로 배열되는 제 1 AMB와, 제 2 랭크의 CSP 메모리소자들로 배열되는 제 2 AMB, 그리고 - the second AMB, which is arranged in the first AMB and the CSP memory devices of the second rank of CSP memory devices are arranged in the first rank, and
    - 플렉스 회로가 부착되는 기판 - the substrate on which the flex circuit attached
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The circuit module comprises a.
  78. 제 77 항에 있어서, 다수의 제 1, 2 메모리 소자들이 스택으로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 77, wherein the plurality of first and second memory devices to the circuit module according to claim consisting of the stack.
  79. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 한개의 변부, 제 1, 2 측부를 구비한 플렉스 회로로서, 상기 플렉스 회로의 상기 변부에 인접한 제 1 측부를 따라 한 세트의 접점들이 구성되고, 상기 플렉스 회로는 제 1 FB-DIMM 회로와 제 2 FB-DIMM 회로로 점유되며, 상기 제 1 FB-DIMM 회로는 다수의 제 1 메모리 CSP들과 제 1 AMB를, 그리고 상기 제 2 FB-DIMM 회로는 다수의 제 2 메모리 CSP와 제 2 AMB를 포함하는 바의 상기 플렉스 회로, 그리고 - as a flex circuit equipped with a one edge, the first and second side, the contacts of one set in accordance with a first side adjacent to the edge of the flex circuit to be configured, the flex circuit is a first FB-DIMM circuit and the second FB-DIMM and circuit occupied by the first FB-DIMM circuitry are a plurality of first memory CSP and a first AMB, and the second FB-DIMM circuit includes a plurality of second memory CSP and a second AMB wherein the bar comprises a flex circuit, and
    - 단부(end)를 가진 기판으로서, 상기 기판의 단부에 인접한 위치에 플렉스 회로의 접점 세트들을 배치시키도록 상기 기판의 단부 둘레로 플렉스 회로가 배치되는 바의 상기 기판 - a substrate having an end portion (end), the substrate of the bar so as to place the set of contacts of the flex circuit in position adjacent an end of the substrate on which the flex circuit is disposed in the circumferential end of the substrate
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The circuit module comprises a.
  80. 제 79 항에 있어서, 상기 플렉스 회로의 제 1 측부는 CSP용 제 1, 2 장착 필드를, 그리고 상기 플렉스 회로의 제 2 측부는 CSP용 제 1, 2 장착 필드를 구비하고, The method of claim 79, wherein the first side has first and second mounting fields for CSP of the flex circuit, and provided with a second side of the first and second mounting fields for CSP of the flex circuit,
    제 1 FB-DIMM 회로의 다수의 제 1 메모리 CSP와 제 1 AMB는 상기 플렉스 회로의 제 1 측부의 제 1 장착 필드와 제 2 측부의 제 1 장착 필드를 따라 위치하고, The plurality of first memory CSP and first AMB of the first FB-DIMM circuit are located along the first mounting field of the first field and the second mounting side of the first side of the flex circuit,
    제 2 FB-DIMM 회로의 다수의 제 2 메모리 CSP와 제 2 AMB는 상기 플렉스 회로의 제 1 측부의 제 2 장착 필드와 제 2 측부의 제 2 장착 필드를 따라 위치하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. A second plurality of agent of the FB-DIMM circuit second memory CSP and the second AMB is a circuit module characterized in that it is located along the second mounting field of the second mounting field and a second side of the first side of the flex circuit.
  81. 제 80 항에 있어서, 제 1 FB-DIMM 회로의 다수의 제 1 메모리 CSP와 제 1 AMB는 플렉스 회로의 제 1 측부의 제 1 장착 필드를 따라 단일 측방 랭크 파일에, 그리고, 플렉스 회로의 제 2 측부의 제 1 필드를 따라 단일 측방 랭크 파일에 배열되며, The method of claim 80, wherein the first FB-DIMM plurality of first memory CSP and first AMB of the circuit along the first mounting field of the first side of the flex circuit to a single lateral rank file, and the second of the flex circuit along the first side of the field it is arranged in a single lateral rank file,
    제 2 FB-DIMM 회로의 다수의 제 2 메모리 CSP와 제 2 AMB는 플렉스 회로의 제 1 측부의 제 2 장착 필드를 따라 단일 측방 랭크 파일에, 그리고, 플렉스 회로의 제 2 측부의 제 2 필드를 따라 단일 측방 랭크 파일에 배열되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. Second FB-DIMM plurality of second memory CSP and the second AMB of the circuit according to the second mounting field of the first side of the flex circuit to a single lateral rank file, and, a second field of the second side of the flex circuit depending circuit modules being arranged in a single lateral rank file.
  82. 제 79 항에 있어서, 플렉스 회로의 제 1 측부는 CSP용 제 1, 2 장착 필드를, 플렉스 회로의 제 2 측부는 CSP용 제 1, 2 장착 필드를 가지며, The method of claim 79, wherein the flexible circuit has a first side a second side has first and second mounting fields for CSP of the first and second mounting fields for the CSP, a flex circuit,
    제 1 FB-DIMM 회로의 다수의 제 1 메모리 CSP와 제 1 AMB는 상기 플렉스 회로의 제 1 측부의 제 1 장착 필드와 제 2 측부의 제 2 장착 필드를 따라 위치하고, The plurality of first memory CSP and first AMB of the first FB-DIMM circuit are located along the second mounting field of the first field and the second mounting side of the first side of the flex circuit,
    제 2 FB-DIMM 회로의 다수의 제 2 메모리 CSP와 제 2 AMB는 상기 플렉스 회로의 제 1 측부의 제 2 장착 필드와 제 2 측부의 제 1 장착 필드를 따라 위치하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. Second FB-DIMM plurality of first circuits second memory CSP and a second AMB is a circuit module characterized in that it is located along the second mounting field of the first mounting field of the second side of the first side of the flex circuit.
  83. 제 82 항에 있어서, 제 1 FB-DIMM 회로의 다수의 제 1 메모리 CSP와 제 1 AMB는 플렉스 회로의 제 1 측부의 제 1 장착 필드를 따라 단일 측방 랭크 파일에, 그리고, 플렉스 회로의 제 2 측부의 제 2 필드를 따라 단일 측방 랭크 파일에 배열되며, The method of claim 82, wherein the first FB-DIMM plurality of first memory CSP and first AMB of the circuit along the first mounting field of the first side of the flex circuit to a single lateral rank file, and the second of the flex circuit along a second side of the field is arranged in a single lateral rank file,
    제 2 FB-DIMM 회로의 다수의 제 2 메모리 CSP와 제 2 AMB는 플렉스 회로의 제 1 측부의 제 2 장착 필드를 따라 단일 측방 랭크 파일에, 그리고, 플렉스 회로의 제 2 측부의 제 1 필드를 따라 단일 측방 랭크 파일에 배열되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. Second FB-DIMM plurality of second memory CSP and the second AMB of the circuit according to the second mounting field of the first side of the flex circuit to a single lateral rank file, then the first field of the second side of the flex circuit depending circuit modules being arranged in a single lateral rank file.
  84. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 제 1, 2 측부를 구비한 플렉스 회로로서, 상기 플렉스 회로는 제 1 측부쪽으로부터 제 2 측부 방향으로 차례로, 신호 트레이스들을 포함하는 제 1 전도층(701), 신호 트레이스들을 포함하는 제 2 전도층(702), 접지면을 포함하는 제 3 전도층(703), 신호 트레이스들을 포함하는 제 4 전도층(704)을 포함하고, 상기 제 1 측부를 따라 한 행의 확장 보드 접점들이 배열되는 바의 상기 플렉스 회로, - first, as a flex circuit having a second side, the flex circuit is a second conduction comprising the first conductive layer 701, the signal traces, including in turn in a second lateral direction from the side of the first side, the signal trace the third conductive layer 703, a bar in which a signal comprising a fourth conductive layer (704) including a trace, and are arranged expansion board contacts in a line along the first side portion including a ground plane layer 702, of the flex circuit,
    - 상기 플렉스 회로의 제 1 측부를 따라 배열되는 제 1, 2 랭크의 CSP 메모리 소자로서, 이때, 제 1 랭크의 CSP 메모리 소자들은 상기 행의 확장 보드 접점들에 의해 제 2 랭크의 CSP 메모리 소자들과 분리되는 바의 상기 CSP 메모리 소자, 그리고 - the CSP memory devices of a CSP memory devices of the first and second ranks are arranged along a first side of the flex circuit, wherein, of the first rank CSP memory devices have a second rank by the expansion board contacts of the row the CSP memory devices being separated from the bar, and
    - 제 1, 2 측면부와 한개의 변부를 가진 기판으로서, 상기 변부 둘레로 플렉스 회로가 배치되는 바의 상기 기판 - the substrate of the first and second side portions and one of a substrate having side parts, which bar is flexible circuit disposed in the peripheral edge
    을 포함하며, 이때, 각각의 신호 트레이스들은 직접 접촉을 이용하여 또는 바이어를 이용하여 CSP 메모리 소자, 확장 보드 접점, 또는, 각각의 전도층들 간을 상호연결할 수 있는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. Inclusion and, at this time, the respective signal traces are used to directly or via the use of contact CSP memory devices, plug-in board contact, or, each of the circuit module wherein the number of mutual connections between the conducting layers.
  85. 제 84 항에 있어서, 상기 회로 모듈은 AMB를 추가로 포함하고, 상기 회로 모듈은 FB-DIMM으로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 84, wherein the circuit module further comprises an AMB and the circuit module is a circuit which is characterized in that consists of a FB-DIMM module.
  86. 제 84 항 또는 85 항에 있어서, 다수의 제 1, 2 CSP 메모리소자들이 스택으로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. 84 according to item 85 or wherein the plurality of claim 1, 2 CSP memory devices to the circuit module according to claim consisting of the stack.
  87. 제 84 항 및 제 85 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플렉스 회로는 한개 이상의 휨 구역을 가지며, 상기 휨 구역을 따라 플렉스 회로에 구멍들로 된 한개 이상의 행이 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. Claim 84 and a method according to any one of claims 85, wherein the flex circuit has a one or more bending areas, circuit module of the bending zone characterized in that at least one of in the holes in the flexible circuit line configuration along.
  88. 제 87 항에 있어서, 구멍들의 행이 플렉스 회로를 관통하는 구멍들의 행인 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 87, wherein the circuit module of the row of holes, characterized in that the row of holes through the flex circuit.
  89. 제 87 항에 있어서, 구멍들의 행은 플렉스 회로의 모든 층보다 작은 구멍들을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 87, wherein the rows of holes of the circuit, characterized in that it comprises a small hole than all layers of the flex circuit module.
  90. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 제 1, 2 측부를 구비한 플렉스 회로로서, 상기 플렉스 회로를 관통하는 IC 구멍들과, 회로 보드 소켓에 연결하기 위해 상기 제 1 측부를 따라 배치되는 다수의 변부 커넥터 접점들을 포함하는 플렉스 회로, - as a flex circuit having a first and second side, the flex circuit comprising a plurality of edge connector contacts disposed along the first side of the IC opening that passes through the flex circuit, to connect to a circuit board socket,
    - 상기 플렉스 회로의 제 2 측부에 장착되는 제 1 타입의 한개 이상의 CSP, 그리고 - the at least one of the first type CSP, and mounted to a second side of the flex circuit
    - 서로 맞은편에 위치하는 제 1, 2 측면부를 구비한 견고한 기판으로서, 상기 견고한 기판을 관통하는 윈도가 배치되고, 상기 플렉스 회로는 상기 견고한 기판 둘레로 위치하여, 상기 견고한 기판을 관통하는 윈도에 제 1 타입의 한개 이상의 CSP가 배치되는 바의 상기 견고한 기판 - as a rigid substrate having a first and second side sections located opposite the window is disposed penetrating through the rigid substrate, the flex circuit to a window to the position in the rigid substrate circumference, passing through the rigid substrate to each other the bars of the rigid substrate that is at least one CSP of the first type are arranged
    을 포함하며, 상기 견고한 기판은 열전도성 물질로 구성되어 한개 이상의 열 팽창부를 나타내는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. Inclusion and the rigid circuit board is characterized in that is composed of a thermally conductive material exhibiting a thermal expansion of one or more parts of the module.
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  92. 제 90 항에 있어서, 제 1 타입의 한개 이상의 CSP가 플렉스 회로를 관통하는 IC 윈도로부터 나타나는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 90, wherein the circuit, characterized in that the at least one CSP of the first type that appears from the IC window passing through the flex circuit module.
  93. 제 90 항에 있어서, 제 2 타입의 다수의 CSP들이 플렉스 회로의 제 2 측부를 따라 위치하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 90, wherein the circuit characterized in that the position number of the CSP of the second type have along the second side of the flex circuit module.
  94. 제 93 항에 있어서, 제 2 타입의 다수의 CSP들이 메모리 CSP로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 93, wherein the circuit module wherein the number of CSP of the second type are constituted by memory CSP.
  95. 제 94 항에 있어서, 제 2 타입의 다수의 CSP들이 스택으로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 94, wherein the circuit module being configured to stack a plurality of CSP of the second type.
  96. 제 90 항에 있어서, 제 2 타입의 CSP들이 플렉스 회로의 제 1 측부를 따라 위치하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 90, wherein the circuit module is characterized in that the location of the second type CSP according to a first side of the flex circuit.
  97. 제 96 항에 있어서, 제 2 타입의 다수의 CSP들이 메모리 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 96, wherein the circuit module wherein the number of CSP of the second type are constituted by the memory circuit.
  98. 제 97 항에 있어서, 제 2 타입의 다수의 CSP들이 스택으로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 97, wherein the circuit module being configured to stack a plurality of CSP of the second type.
  99. 제 90 항에 있어서, 플렉스 회로의 다수의 변부 커넥터 접점들을 통해 회로 보드 소켓에 연결되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 90 wherein the flex circuit a plurality of circuit modules, characterized in that through the edge connector contacts connected to the circuit board in the socket.
  100. 제 90 항에 있어서, 플렉스 회로의 제 2 측부는 제 1 필드 및 제 2 필드를 구비하고, 제 1 타입의 한개 이상의 CSP는 제 2 측부의 제 1 필드에 장착되고, 제 2 타입의 다수의 CSP는 제 2 측부의 제 2 필드에 장착되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 90, wherein the second side of the flex circuit has a first field and first and a second field, at least one CSP of the first type is mounted on the first field of the second side, the second type a number of CSP the circuit module is characterized in that mounted on the second field of the second side.
  101. 제 90 항에 있어서, 제 1 타입의 한개 이상의 CSP가 AMB인 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 90, wherein the circuit, characterized in that the at least one CSP of the first type AMB module.
  102. 제 90 항에 있어서, 플렉스 회로의 제 1 측부가 제 2 타입의 다수의 CSP들로 점유되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 90 wherein the flex circuit first side a circuit module characterized in that the occupancy of a number of CSP of the second type.
  103. 제 99 항에 있어서, 제 2 타입의 다수의 CSP들이 메모리 회로인 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 99, wherein the circuit module wherein the number of CSP to the memory circuit of the second type.
  104. 제 102 항에 있어서, 제 2 타입의 다수의 CSP들이 스택 구조로 배열되는 메모리 회로인 것을 특징으로 하는 회로 모듈. According to claim 102, wherein the circuit module is characterized in that the memory circuit number of the CSP of the second type are arranged in a stack structure.
  105. 제 90 항에 있어서, 제 2 타입의 다수의 CSP들이 배치될 잘려진 영역을 제공하도록, 기판이 패턴처리되는 제 2 타입의 다수의 CSP들을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 90 wherein, to provide a plurality of cutaway areas are arranged to be CSP of the second type, the circuit board module characterized in that it comprises in addition a plurality of CSP of the second type that is patterned.
  106. 제 90 항에 있어서, 상기 회로 모듈은 제 2 타입의 다수의 제 1 CSP들을 추가로 포함하고, 제 1 타입의 CSP들 중 한개 이상과, 상기 제 2 타입의 다수의 제 1 CSP들은 제 1 FB-DIMM 인스탄티에이션(instantiation)을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 90, wherein the circuit module includes a plurality of first CSP are the first FB of further comprises a plurality of first CSP of the second type and at least one of the first type CSP, and the second type -DIMM tanti in-circuit module comprises a negotiation (instantiation).
  107. 제 106 항에 있어서, 상기 회로 모듈은 제 2 타입의 다수의 제 2 CSP들을 추가로 포함하고, 제 1 타입의 한개 이상의 CSP는 두개의 AMB를 포함하며, 두개의 AMB를 포함하는 제 1 타입의 한개 이상의 CSP와, 제 2 타입의 다수의 제 2 CSP들은 제 2 FB-DIMM 인스탄티에이션을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 106, wherein the circuit modules of the first type further comprises a plurality of second CSP of the second type, and, the at least one CSP of the first type includes two AMB includes two AMB and the one or more CSP, the second type of the plurality of the second CSP are the circuit module comprising a second FB-DIMM in-tanti negotiation.
  108. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 제 1, 2 측부를 구비한 플렉스 회로로서, 상기 플렉스 회로는 상기 플렉스 회로를 관통하는 IC 구멍들과, 회로 보드 소켓에 연결하기 위한 한 세트의 접점들을 포함하며, 상기 제 1 측부는 제 1 타입의 다수의 CSP들로 점유되고, 제 2 측부는 제 2 타입의 CSP로 점유되는 바의 상기 플렉스 회로, 그리고 - first, as a flex circuit having a second side, the flex circuit comprises a contact of one set to connect the IC opening that passes through the flex circuit and a circuit board socket, the first side of the first is occupied by a plurality of types of the CSP, the second side is the flex circuit, and the bar is occupied with CSP of the second type
    - 상기 플렉스 회로의 제 2 측부에 장착되는 제 1 타입의 한개 이상의 CSP, 그리고 - the at least one of the first type CSP, and mounted to a second side of the flex circuit
    - 제 1, 2 측면부, 한개의 변부를 구비한 견고한 기판으로서, 상기 기판에는 상기 견고한 기판을 관통하는 윈도가 배치되며, 상기 플렉스 회로는 상기 견고한 기판의 변부 둘레로 감겨, 제 1 타입의 다수의 CSP들을 상기 회로 모듈 외부에 배치하고 제 2 타입의 CSP를 상기 견고한 기판의 윈도 내에 배치하는 바의 상기 견고한 기판 - first and second side portions, as a solid substrate comprising a single side of the substrate is disposed a window passing through the rigid substrate, the flex circuit is wound edge perimeter of the rigid substrate, a plurality of a first type the rigid substrate of a CSP bar placing the circuit in an external module is placed in the rigid substrate of a CSP of the second type window
    을 포함하며, 이때, 상기 견고한 기판은 열전도성 물질로 구성되어 한개 이상의 열 팽창부를 나타내는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. Inclusion and, at this time, the rigid circuit board is characterized in that is composed of a thermally conductive material exhibiting a thermal expansion of one or more parts of the module.
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  110. 제 108 항에 있어서, 제 2 타입의 CSP가 플렉스 회로의 IC 구멍으로부터 부분적으로 나타나는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. According to claim 108, wherein the circuit module is characterized in that the CSP of the second type in part appear from the hole IC of the flex circuit.
  111. 제 108 항에 있어서, 제 1 타입의 다수의 CSP들이 메모리 회로인 것을 특징으로 하는 회로 모듈. According to claim 108, wherein the first circuit, characterized in that a plurality of CSP to the memory circuit of the first type of module.
  112. 제 111 항에 있어서, 제 1 타입의 다수의 CSP들이 스택으로 배열되는 메모리 회로인 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 111, wherein the first circuit, characterized in that a plurality of CSP of the first type are memory circuits arranged in a stack module.
  113. 제 108 항에 있어서, 회로 보드의 삽입을 위한 접점 세트가 플렉스 회로의 둘레 변부에 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. According to claim 108, wherein the circuit module is characterized in that the set of circuit contacts for the insertion of the board that is disposed adjacent to the perimeter edge of the flex circuit.
  114. 제 108 항에 있어서, 플렉스 회로의 제 1 측부는 제 1, 2 필드를 구비하고, 각각의 필드는 제 1 타입의 다수의 CSP들로 점유되며, The method of claim 108, wherein the first side is provided with each of the fields, and the first and second fields of the flex circuit is occupied by a plurality of CSP of the first type,
    플렉스 회로의 제 2 측부는 제 1, 2 필드를 구비하고, 그 제 1 필드는 제 2 타입의 CSP로 점유되고, 제 2 측부의 제 2 필드는 제 1 타입의 다수의 CSP들로 점유되며, The second side of the flex circuit has a first, second field, the first field is occupied with the CSP of the second type, the second field of the second side is occupied by a plurality of CSP of the first type,
    상기 플렉스 회로는 상기 견고한 기판 둘레로 배치되어, 상기 견고한 기판의 제 1 측부에 제 1, 2 측부의 제 1 필드들을 배치하고, 상기 견고한 기판의 제 2 측부에 제 1, 2 측부의 제 2 필드들을 배치하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The flex circuit to the second field of the first and second side in the disposed in rigid substrate circumference, placement of the first field of the first and second side to the first side of the rigid substrate, and the second side of the rigid substrate a circuit module characterized in that the placing.
  115. 제 114 항에 있어서, 회로 보드 소켓에서의 삽입을 위한 접점들의 세트가 플렉스 회로의 제 1 측부의 제 1, 2 필드 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 114, wherein the circuit module, wherein the circuit is a set of contacts for insertion in a socket board, which is located between the first and second fields of the first side of the flex circuit.
  116. 제 114 항에 있어서, 회로 보드 소켓에서의 삽입을 위한 접점들의 세트가 플렉스 회로의 둘레 변부에 인접한 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 114, wherein the circuit module, wherein the circuit is a set of contacts for insertion in a socket board to be arranged at a position adjacent to the perimeter edge of the flex circuit.
  117. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 제 1, 2 측부, 한개의 IC 구멍, 그리고 회로 보드 커넥터에 상기 모듈을 연결하기 위한 접점들의 세트를 포함하는 플렉스 회로로서, 상기 플렉스 회로의 제 1 측부는 메모리 CSP들로 점유되고, 제 2 측부는 선택된 타입의 한개 이상의 IC로 점유되는 바의 상기 플렉스 회로, 그리고 - first and second side portions, a flexible circuit including a set of contacts for connecting the module to one of the IC hole, and the circuit board connector, the first side of the flex circuit is occupied by the memory CSP, the second side is the flex of the bar that is occupied by at least one selected type of IC circuit, and
    - 제 1, 2 측부, 한개의 변부를 구비한 기판으로서, 상기 기판에는 상기 기판을 관통하는 윈도가 배열되며, 상기 변부 둘레로 플렉스 회로가 감겨, 플렉스 회로의 제 2 측부 위치보다 기판으로부터 멀리 플렉스 회로의 제 1 측부를 배치하고, 상기 기판의 윈도에 상기 선택된 타입의 한개 이상의 IC를 배치하는 바의 상기 기판 - a substrate having first and second sides, parts of one side of said substrate and window are arranged to pass through the substrate, the flex circuit is wound in the edge perimeter, the flex away from the substrate than the second side location of the flex circuit the substrate of the bar to place the first side of the circuit, and arranged more than one IC of the selected type to a window of the substrate
    을 포함하며, 이때, 상기 기판은 열전도성 물질로 구성되어 한개 이상의 열팽창부를 나타내는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. Inclusion and, at this time, the substrate is a circuit module, characterized in that is composed of a thermally conductive material exhibiting a thermal expansion of one or more parts.
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  119. 제 117 항에 있어서, 선택된 타입의 IC가 상기 지지 기판의 윈도를 통과하여 배열되며, 상기 IC가 상기 플렉스 회로의 IC 구멍으로부터 부분적으로 나타나는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. According to claim 117, wherein the selected type of IC is arranged to pass through the window of the supporting board, circuit module, wherein the IC is partially represented by the IC hole of the flex circuit.
  120. 제 117 항에 있어서, 상기 접점 세트는 플렉스 회로의 둘레 변부에 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 117, wherein the contact set of the circuit, characterized in that disposed adjacent the perimeter edge of the flex circuit module.
  121. 제 117 항에 있어서, 상기 접점 세트는 플렉스 회로의 제 1 측부를 점유하는 제 1 랭크의 메모리 CSP들과 제 2 랭크의 메모리 CSP들 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. According to claim 117, wherein the contact set of the circuit, characterized in that arranged between the memory CSP of first rank of CSP memory and the second rank occupying the first side of the flex circuit module.
  122. 제 117 항에 있어서, 상기 회로 모듈이 회로 보드 커넥터에 삽입되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 117, wherein the circuit module is characterized in that the circuit module is inserted into the circuit board connector.
  123. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 제 1, 2 측부, 둘레 변부, 그리고 회로 보드 커넥터 접점 세트를 구비한 플렉스 회로로서, 상기 플렉스 회로의 제 1 측부는 제 1 타입의 다수의 CSP들로 점유되고, 상기 플렉스 회로의 제 2 측부는 제 2 타입의 한개 이상의 CSP로 점유되는 바의 상기 플렉스 회로, 그리고 - first and second side, the peripheral edge, and a circuit board connector as a flex circuit comprising a contact point set, the first side of the flex circuit is occupied by a plurality of CSP of the first type, the second side of the flex circuit It is the flex circuit, and the bar is occupied with at least one CSP of the second type
    - 제 1, 2 측부, 한개의 변부를 구비한 기판으로서, 상기 기판에 윈도가 형성되고 제 2 타입의 한개 이상의 CSP가 이 윈도를 통해 삽입되어, 상기 기판의 제 1 측부에 제 1 타입의 다수의 CSP들이 배열되고, 기판의 제 2 측부로부터 상기 기 판의 윈도를 통해 제 2 타입의 한개 이상의 CSP가 나타나게 하는 바의 상기 기판 - first and second side, a substrate comprising a single side of, the window is formed on the substrate is at least one second type of CSP is inserted through the window, a plurality of the first type to the first side of the substrate of CSP are arranged, from the second side of the substrate wherein the substrate of the bar to the at least one CSP of the second type appear through the window of the plate group
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The circuit module comprises a.
  124. 제 123 항에 있어서, 상기 기판은 열전도성 물질로 구성되어 한개 이상의 열팽창부를 나타내는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. The method of claim 123, wherein the substrate is a circuit module characterized in that is composed of a thermally conductive material exhibiting a thermal expansion of one or more parts.
  125. 제 123 항 또는 124 항에 있어서, 제 1 타입의 다수의 CSP들이 메모리 CSP들이고, 제 2 타입의 한개 이상의 CSP가 버퍼 회로인 것을 특징으로 하는 회로 모듈. 123 as claimed in 124, wherein the plurality of CSP are deulyigo memory CSP of the first type, the circuit module is characterized in that the at least one CSP of the second type is a buffer circuit.
  126. 제 123 항 또는 124 항에 있어서, 제 2 타입의 한개 이상의 CSP가 로직 회로인 것을 특징으로 하는 회로 모듈. 123 as claimed in 124, wherein the circuit module is characterized in that the at least one CSP of the second type of logic circuit.
  127. 제 123 항 또는 124 항에 있어서, 플렉스 회로의 상기 둘레 변부에 인접한 위치에 상기 회로 보드 커넥터 접점 세트가 배치되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. 123 as claimed in 124, wherein at a position adjacent to the perimeter edge of the flex circuit on a circuit board, characterized in that the connector contact set arranged the circuit module.
  128. 제 125 항에 있어서, 버퍼 회로인 제 2 타입의 한개 이상의 CSP가 AMB인 것을 특징으로 하는 회로 모듈. According to claim 125, wherein the buffer circuit in the circuit module, characterized in that the at least one CSP of the second type AMB.
  129. 회로 모듈을 제작하는 방법으로서, 상기 방법은, A method of manufacturing a circuit module, the method comprising:
    - 제 1, 2 측부, 제 1, 2 장변부, 그리고 제 1, 2 단변부를 구비한 플렉스 회로를 제공하고, 이때, 상기 제 1 측부를 따라 한 세트의 변부 커넥터 접합 접점이 배치되고, 상기 플렉스 회로의 제 1 측부에는 다수의 제 1, 2 CSP들이 장착되며, 상기 한 세트의 변부 커넥터 접합 접점 둘레로 측방으로 배치되고, 모듈 접점 세트의 위치보다 플렉스 회로의 제 1 장변부에 가깝게 다수의 제 1 CSP들이 배치되고, 모듈 접점 세트 위치보다 플렉스 회로의 제 2 장변부에 가깝게 다수의 제 2 CSP들이 배치되며, - first and second side portions, first and second long side portion, and first and second short sides providing a flex circuit comprising a, at which time, the edge connector junction contact of the set along the first side portion is disposed, the flex the first side of the circuit number of the first, 2 CSP are mounted, are arranged laterally to the edge connector junction contact around the set, closer to the first long side portion of the flex circuit than the position of the module contacts the set number of the 1 CSP are arranged, close to the second long side portion the plurality of second CSP contacts of the flex circuit than module set positions are arranged,
    - 제 1, 2 측면부와 제 1, 2 장변부를 구비한, 견고한 열전도성 기판을 제공하며, - provide a rugged thermally conductive substrate having first and second side portions and first and second longitudinal portions,
    - 상기 열전도성 기판 둘레로 상기 플렉스 회로를 감아, 플렉스 회로의 제 1 측부 위치보다 상기 기판의 제 1, 2 측면부에 가깝게 플렉스 회로의 제 2 측부를 배치하고, 상기 열전도성 기판의 제 2 장변부보다 상기 기판의 제 1 장변부에 가깝게 모듈 접점들의 세트를 배치하며, 그리고 다수의 제 2 CSP 위치보다 상기 열전도성 기판의 제 1 측면부에 가깝게 다수의 제 1 CSP들을 배치하는 - a second long side of the thermally conductive substrate having a second side of the close to the flex circuit to the first and second side of the substrate than the first side location of the wound, the flex circuit to the flex circuit, and to the thermally conductive substrate peripheral portion more and place the first set of module contacts close to the long side portion of the substrate, and a plurality of second CSP closer position to the first side portion of the thermally conductive substrate to place a plurality of the first CSP
    단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈 제작 방법. The manufacturing method of a circuit module, comprising a step of including the steps:
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  131. 회로 모듈 제작 방법으로서, 상기 방법은, A circuit module manufacturing method, the method comprising:
    - 제 1, 2 측부를 구비한 플렉스 회로를 제공하고, 이때, 상기 제 1 측부에는 확장 보드 슬롯에 삽입하기 위한 다수의 접점과, CSP를 장착하기 위한 다수의 패드들이 위치하고, 상기 제 2 측부에는 CSP를 장착하기 위한 다수의 패드들이 위치하며, - providing a flex circuit having a first and second side, and wherein said first side is located a number of pads for mounting a plurality of contacts and, CSP for insertion into an expansion board slot, wherein the second side has where a large number of pads for mounting the CSP and
    - 상기 플렉스 회로의 제 1 측부에 다수의 CSP를 장착하고, - is equipped with a plurality of CSP to the first side of the flex circuit,
    - 상기 플렉스 회로의 제 2 측부에 다수의 CSP를 장착하며, - and equipped with a plurality of CSP to the second side of the flex circuit,
    - 상기 플렉스 회로의 제 1 측부 또는 제 2 측부 중 한개 이상의 측부에 AMB를 장착하고, - equipped with AMB to the one or more sides of the first side or the second side of the flex circuit,
    - 제 1, 2 주표면과, 한개의 변부, 그리고 한개의 열팽창부를 구비한, 견고한 열전도성 기판을 제공하며, 그리고 - provide a rugged thermally conductive substrate having first and second major surfaces and one of the edges and parts of one of the thermal expansion, and
    - 상기 견고한 기판의 변부 둘레로 플렉스 회로를 감고, 이때, 제 1 측부는 외면을 향하게 되어, 상기 다수의 접점들이 상기 열전도성 기판의 변부에 인접한 위치에 배열되는 - closing the flex circuit to the peripheral edge of the rigid substrate, wherein the first side is facing the outer surface, wherein the plurality of contacts are arranged at a position adjacent to the edge of the thermally conductive substrate
    단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈 제작 방법. The manufacturing method of a circuit module, comprising a step of including the steps:
  132. 제 131 항에 있어서, 다수의 CSP들 중 선택된 CSP들에 대해 열 복사 클립을 부착하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈 제작 방법. The method of claim 131, wherein the method for manufacturing a circuit module characterized in that it comprises the further step of attaching a heat radiation time for the selected one of the plurality of CSP CSP.
  133. 제 131 항에 있어서, 동작 환경에 연결하기 위해 확장 보드 슬롯에 다수의 접점들을 부분적으로 삽입하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈 제작 방법. In the circuit module manufacturing method characterized by comprising the further step of partially inserting the plurality of contacts in an expansion board slot for connection to the operating environment of claim 131, wherein.
  134. 제 131 항에 있어서, 상기 열전도성 기판은 제 1 부분과 제 2 부분을 가지는 데, 상기 제 1 부분이 상기 제 2 부분보다 얇은 것을 특징으로 하는 회로 모듈 제작 방법. The method of claim 131, wherein the thermally conductive substrate having a first portion and a second portion having a circuit module manufacturing method, characterized in that said first portion is thinner than the second portion.
  135. 제 131 항에 있어서, 상기 열전도성 기판이 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈 제작 방법. The method of claim 131, wherein the circuit module manufacturing method which is characterized in that the thermally conductive substrate consisting of a metal.
  136. 제 131 항에 있어서, 상기 열전도성 기판이 알루미늄으로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈 제작 방법. The method of claim 131, wherein the circuit module manufacturing method which is characterized in that the thermally conductive substrate is composed of aluminum.
  137. 제 131 항에 있어서, 상기 열전도성 기판이 FR4와 금속층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 모듈 제작 방법. The method of claim 131, wherein the circuit module manufacturing method which is characterized in that the thermally conductive substrate consisting of the FR4 and metal layers.
  138. 점유된 플렉스 회로에 있어서, 상기 점유된 플렉스 회로는, In the occupied flex circuit, the flex circuit is occupied,
    - 제 1, 2 주측부를 구비한 플렉스 회로로서, 상기 플렉스 회로는 제 1 주측부를 따라 제 1 측부 제 1, 2 세트의 접점 사이트 어레이를 나타내고, 그 두 세트 사이에 다수의 커넥터 접점들이 위치하며, 상기 플렉스 회로의 제 2 주측부는 제 2 측부 제 1, 2 세트의 접점 사이트 어레이를 나타내고, 상기 제 2 측부 제 1, 2 세트의 접점 사이트 어레이는 제 1 측부 제 1, 2 세트의 접점 사이트 어레이에 대응하지만, 제 1 측부 제 1, 2 세트의 접점 사이트 어레이와 측방으로 이격하여 위치하며, 제 1 측부 및 제 2 측부의 제 1, 2 세트의 접점 사이트 어레이들 각각은 두개 이상의 표면 장착 어레이를 포함하고, 상기 플렉스 회로는 다수의 커넥터 접점들 중 선택된 접점들과 제 1 측부 제 1, 2 세트의 접점 사이트 어레이들 각각의 두개 이상의 표면 장착 어레이들 사이의 연결을 - as a flex circuit having a first, two weeks side, the flex circuit has a first main along the side indicates the contact site arrays on a first side first and second sets, a plurality of connector contacts are located between the two sets of and the second primary side portion a second side portion of claim 1, shows a contact site arrays of the second set, the second side first, the two sets of contact site arrays contact the site of the first side first and second sets of the flex circuit It corresponds to the array, but the first side first, and spaced apart to position the side and the contact site arrays of the second set, the first side and the first, each of the contact site arrays of the second set of the second side is the surface of two or more loaded array and including, a connection between the flex circuit to the selected one of the plurality of connector contacts contact with the first side first, the mounting surface of two or more of the contact sites of the array, each of the two sets of the array 제공하는 바의 플렉스 회로, 그리고 The flex circuit of bars offering, and
    - 제 1 측부 제 1, 2 세트의 접점 사이트 어레이 각각의 두개 이상의 표면 장착 어레이들을 점유하는 다수의 CSP들 - a plurality of CSP to occupy contact site arrays, each of the at least two surface mount arrays of the first side first and second sets
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 점유된 플렉스 회로. It occupied flex circuit, comprising a step of including.
  139. 제 138 항에 있어서, 다수의 제 2 CSP들이 제 2 측부 제 1, 2 세트의 접점 사이트 어레이들 각각의 두개 이상의 표면 장착 어레이들을 점유하는 것을 특징으로 하는 점유된 플렉스 회로. The method of claim 138, wherein the plurality of the second CSP are occupied flex circuit, characterized in that to occupy the second side first, the contact site arrays, each of the at least two surface mount arrays of the second set.
  140. 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, A circuit module, wherein the circuit module includes:
    - 제 1, 2 측면부와 한개의 구멍을 가진 기판, - a substrate having a first and second side portions and one of the holes,
    - 제 1, 2 부분으로 구성되는 플렉스 회로로서, 상기 제 1 부분은 상기 기판의 제 1 측면부에 인접하게 위치하고, 상기 제 2 부분은 상기 기판의 제 2 측면부 에 인접하게 위치하며, 상기 플렉스 회로는 변부카드 커넥터 접점들을 구비하는 바의 상기 플렉스 회로, - a flex circuit consisting of a first and second portion, the first portion is located adjacent a first side of the substrate, and the second section is positioned adjacent the second side of the substrate, the flex circuit the flex circuit of a bar having a card edge connector contact,
    - 선택적으로 결합가능한 제 1, 2 파트로 구성된 커넥터로서, 상기 커넥터의 제 1 파트는 상기 플렉스 회로의 제 1 부분에 대응하고, 상기 커넥터의 제 2 파트는 상기 플렉스 회로의 제 2 부분에 대응하며, 상기 플렉스 회로의 제 1, 2 부분은 상기 커넥터의 제 1, 2 파트를 통해 상기 기판의 구멍에 전기적으로 결합되는 바의 상기 커넥터 - optionally a connector consisting of joinable first and second parts, the first part of the connector corresponding to the first portion of the flex circuit, and the second part of the connector corresponding to the second portion of the flex circuit, and the first and second part of said connector bar being electrically coupled to the hole in the substrate through the first and second parts of said connector on the flex circuit
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. A circuit module comprising: a.
  141. AMB와 연계하여 동작하는 메모리 CSP들로부터 열에너지의 추출을 촉진시키는 회로 모듈에 있어서, 상기 회로 모듈은, In a circuit module facilitate extraction of heat energy from the CSP memory that operates in conjunction with the AMB, the circuit module,
    - 윗면과 아랫면, 그리고 CSP 접점들을 구비한 다수의 메모리 CSP로서, 상기 CSP 접점들은 상기 아랫면을 따라 배열되는 바의 상기 다수의 메모리 CSP, - top and bottom, and a plurality of memory a CSP having CSP contacts, the CSP contacts of the plurality of bars are arranged on the memory CSP along said lower surface,
    - AMB와 다수의 메모리 CSP에 부착되는 플렉스 회로, - Flex attached to the AMB and the plurality of CSP memory circuit,
    - 한개의 변부와 한개의 열 팽창부를 지닌 열전도성 기판 부재, 그리고 - one of the thermally conductive substrate member having an edge portion and one of the thermal expansion, and
    - 플렉스 회로에 부착된 다수의 메모리 CSP들 중 선택된 제 1 CSP와 제 2 CSP로서, 선택된 제 1 CSP 접점들은 플렉스 회로의 일부분만큼 선택된 제 2 CSP의 CSP 접점들로부터 분리되는 바의 상기 제 1, 2 CSP - a first CSP and a 2 CSP selected one of the plurality of memory CSP attached to a flex circuit, the selected first CSP contacts are above the bar is separated from the CSP contacts of the 2 CSP selected as part of the flex circuit of claim 1, 2 CSP
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 모듈. A circuit module comprising: a.
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