KR100877144B1 - Gas scrubber - Google Patents

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KR100877144B1
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chamber
gas
gas scrubber
cooling unit
heater
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KR1020070088279A
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Inventor
이훈천
오희근
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주식회사 케이피씨
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Abstract

A gas scrubber is provided to increase the temperature inside a chamber even when the same heater is used, and to prevent by-products of gas purification from accumulating on an inner part of the gas scrubber. A gas scrubber comprises a chamber(10), a cooling part(30), and an accumulation preventing part(40). The chamber is heated by a heater to purify gas. The chamber has a plurality of through holes(11) formed in a cylindrical wall surface thereof. The cooling part is positioned under the chamber. The cooling part prevents overheating of the chamber. The accumulation preventing part is positioned between the chamber and the cooling part. The accumulation preventing part prevents by-products of gas purification from flowing in the cooling part. The cooling part includes an inflow pipe(31), a storage space part(32), and a discharge port(33). The accumulation preventing part includes an accumulation preventing plate(41) and a plurality of gas injection pipes(42).

Description

가스 스크러버{Gas scrubber}Gas scrubber

본 발명은 가스 스크러버에 관한 것으로, 특히 반도체 등의 제조공정에 사용된 폐가스를 정화처리하는 가스 스크러버에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas scrubber, and more particularly, to a gas scrubber for purifying waste gases used in manufacturing processes such as semiconductors.

일반적으로, 가스 스크러버는 폐가스가 지나는 챔버를 가열하여 그 열에 의해 폐가스를 정화시키는 구조이다. 그 챔버의 하부에는 온도를 낮추기 위한 냉각부를 두고 있으며, 이와 같은 종래 가스 스크러버를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.In general, the gas scrubber is a structure for heating the chamber through which the waste gas passes and purifying the waste gas by its heat. The lower portion of the chamber is provided with a cooling unit for lowering the temperature, which will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 가스 스크러버의 단면 구성도이다.1 is a cross-sectional configuration diagram of a conventional gas scrubber.

도 1을 참조하면 종래 가스 스크러버는, 폐가스가 하측방향으로 지나는 중앙통공이 마련된 원통형 챔버(1)와, 상기 원통형 챔버(1)의 외측에 위치하여 그 챔버(1)를 가열하는 히터(2)와, 상기 챔버(1)의 하단에 위치하여 냉각수의 순환에 의해 상기 챔버(1)의 과열을 방지하는 냉각부(3)로 구성된다.Referring to FIG. 1, a conventional gas scrubber includes a cylindrical chamber 1 provided with a central hole through which waste gas passes in a downward direction, and a heater 2 located outside the cylindrical chamber 1 and heating the chamber 1. And a cooling unit 3 positioned at the lower end of the chamber 1 to prevent overheating of the chamber 1 by circulation of the cooling water.

이하, 상기와 같이 구성된 종래 가스 스크러버의 구조 및 그 문제점에 대 하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the structure and problems of the conventional gas scrubber configured as described above will be described in detail.

먼저, 종래 가스 스크러버의 원통형 챔버(1)는 가스에 대한 내부식성이 높은 재질이며, 그 두께는 5mm이다. 상기 챔버(1)의 조건은 가스에 대한 부식뿐만 아니라 열에 대한 부식도 없어야 하나, 이 두 가지 조건을 만족하지 못하여 종래 챔버(1)는 열에 의한 부식이 발생되어 사용할 수 있는 수명이 상대적으로 짧다.First, the cylindrical chamber 1 of the conventional gas scrubber is a material having high corrosion resistance to gas, and its thickness is 5 mm. The condition of the chamber 1 should be not only corrosion to gas but also corrosion to heat. However, since the two conditions are not satisfied, the conventional chamber 1 has a relatively short service life due to heat corrosion.

상기 챔버(1)의 주변에는 히터(2)가 마련되어 있으며, 그 히터(2)의 동작에 의해 상기 챔버(1)는 가열되며, 그 챔버(1)의 내측에서 하향 이동하는 폐가스는 그 열에 의해 처리되어 정화된다.A heater 2 is provided in the periphery of the chamber 1, and the chamber 1 is heated by the operation of the heater 2, and the waste gas moving downward from the inside of the chamber 1 is heated by the heat. Processed and purified.

상기 챔버(1)의 내부 온도가 400℃ 이상에서 그 폐가스가 정화처리되며, 상기 히터(2)가 700℃로 가열된 상태에서 상기 챔버(1)의 내부온도가 400℃ 정도가 된다.The waste gas is purged when the internal temperature of the chamber 1 is 400 ° C or higher, and the internal temperature of the chamber 1 becomes about 400 ° C with the heater 2 heated to 700 ° C.

상기 폐가스의 처리효율을 높이기 위해 챔버(1)의 온도를 높이기 위해서는 상기 히터(2)를 700℃을 넘는 온도로 가열해야 하며, 그 고온 가열에 따라 소비전력이 크고, 가스 처리효율이 상대적으로 낮아지게 된다.In order to increase the temperature of the chamber 1 to increase the treatment efficiency of the waste gas, the heater 2 must be heated to a temperature exceeding 700 ° C., and the power consumption is large and the gas treatment efficiency is relatively low according to the high temperature heating. You lose.

도 2는 종래 가스 스크러버에서 히터(2)의 열이 챔버(1) 내로 전달되는 과정을 설명하기 위한 모식도이다.2 is a schematic diagram for explaining a process of transferring the heat of the heater 2 into the chamber 1 in the conventional gas scrubber.

도 2를 참조하면, 히터(2)에서 발생된 열은 챔버(1)의 표면까지 복사 열(Qr,radical) 형태로 전달되며, 그 챔버(1)의 외면에서 내면까지는 복사열이 도달할 수 없고 전도열(Qc, conduction)의 형태로 전달되며, 다시 그 챔버(1)의 열은 복사열(Qr) 형태로 폐가스에 전달되어 폐가스를 정화처리한다.Referring to FIG. 2, heat generated in the heater 2 is transmitted to the surface of the chamber 1 in the form of radiant heat (Qr, radical), and radiant heat cannot reach from the outer surface to the inner surface of the chamber 1. The heat is transmitted in the form of conduction heat (Qc), and the heat of the chamber 1 is transferred to the waste gas in the form of radiation heat (Qr) to purify the waste gas.

이처럼 열에너지의 전달 형태가 변경되면서 열손실이 발생되며, 위의 온도예시와 같이 열효율이 저하된다.In this way, the heat loss is generated as the transfer form of the thermal energy is changed, and the thermal efficiency is lowered as in the above temperature example.

상기와 같이 히터(2)에 의해 가열된 챔버(1)를 지나며 정화처리된 가스와 부산물은 하향 이동하게 된다.As described above, the purified gas and by-products move downward through the chamber 1 heated by the heater 2.

상기 챔버(1)의 하부측에는 외부에서 유입된 냉각수가 오버플로우(over flow)되어 상기 챔버(1)의 과열을 방지하는 냉각부(3)가 마련되어 있다.The lower side of the chamber 1 is provided with a cooling unit 3 to prevent the coolant introduced from the outside to overflow (overflow) of the chamber 1 to prevent overheating.

상기 냉각부의 구조는 외부에서 냉각수가 유입되는 냉각수 유입관(a), 유입된 냉각수가 일시 저장되는 저장공간부(b), 그 오버플로우되어 외부로 배출되는 배출구(c)를 포함하여 구성되며, 그 배출구(c)를 통해 상기 폐가스 처리 후 발생하는 부산물도 함께 배출된다.The structure of the cooling unit includes a cooling water inlet tube (a) through which the coolant is introduced from the outside, a storage space (b) temporarily storing the introduced coolant, and an outlet (c) overflowing and discharged to the outside, The by-product generated after the waste gas treatment is also discharged through the outlet (c).

이와 같이 배출된 부산물을 포함하는 냉각수는 필터 등을 통해 다시 정화 처리된다.The cooling water including the by-product discharged in this way is purified again through a filter or the like.

상기 부산물은 실리사이드 등의 고체이며 배출구(c)를 통해 배출되지 않고, 상기 저장공간부(b)로 유입되는 경우 상기 유입관(a)을 막아 냉각수의 공급이 원활하게 이루어지지 않을 수 있다. 이와 같이 저장공간부(b) 내에 부산물이 적층 되는 경우 챔버(1)가 과열될 수 있다.The by-product is a solid such as silicide and is not discharged through the discharge port (c), and when the water is introduced into the storage space (b), the cooling pipe may not be smoothly supplied by blocking the inlet pipe (a). As such, when the by-products are stacked in the storage space b, the chamber 1 may be overheated.

상기와 같이 챔버(1)가 과열되면 안전을 위하여 폐가스의 처리공정을 중단해야 하며, 그 냉각부(3)에서 부산물을 제거하는 작업을 수행해야 한다. 이처럼 종래 가스 스크러버는 주기적인 정비가 필요하며, 이에 따라 폐가스의 처리가 중단되어 전체 반도체 제조공정을 중단해야 하기 때문에 수율이 저하되는 문제점이 있었다.As described above, when the chamber 1 is overheated, it is necessary to stop the waste gas treatment process for safety and to remove the by-products from the cooling unit 3. As such, the conventional gas scrubber needs periodic maintenance, and thus, there is a problem in that the yield is reduced because the processing of the waste gas is stopped and the entire semiconductor manufacturing process must be stopped.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명의 해결과제는, 동일한 히터의 온도를 사용하고도 챔버 내부의 온도를 높일 수 있도록 하는 것이다.The problem of the present invention in view of the above problems is to increase the temperature inside the chamber even when using the same heater temperature.

또한, 본 발명의 다른 해결과제는 장치 내부에 가스처리 부산물이 적층되는 것을 방지할 수 있도록 하는 것이다.In addition, another problem of the present invention is to prevent the gas treatment by-products from being deposited inside the apparatus.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명 가스 스크러버는, 히터에 의해 가열되어 가스를 정화처리하며, 원통형상의 벽면에 다수의 관통공이 마련된 챔버와, 상기 챔버의 하부측에 위치하여 그 챔버의 과열을 방지하는 냉각부와, 상기 챔버와 상기 냉각부의 사이에 위치하여, 가스 정화처리의 부산물이 상기 냉각부 내측으로 유입되는 것을 방지하는 적층방지부를 포함한다.The gas scrubber of the present invention for solving the above problems is a chamber which is heated by a heater to purify the gas and is provided with a plurality of through-holes in the cylindrical wall surface, and located at the lower side of the chamber to prevent overheating of the chamber. A cooling unit for preventing and a stack prevention unit positioned between the chamber and the cooling unit to prevent the by-product of the gas purification treatment flows into the cooling unit.

본 발명은 열효율을 높여 가스 처리 효율을 높임으로써, 동일 시간대비 가스처리량을 증가시킬 수 있으며, 완전한 정화처리가 이루어지도록 하는 효과가 있다.The present invention can increase the gas treatment efficiency by increasing the thermal efficiency, it is possible to increase the gas throughput compared to the same time, there is an effect that the complete purification treatment.

또한 본 발명은 장치 내에 가스 처리 부산물이 적층되는 것을 방지하여 열효율을 높이며, 장치의 보수를 위한 폐가스 처리 공정을 중단할 필요가 없어 장치의 사용효율을 높이며, 유지보수 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention prevents the stacking of gas by-products in the device to increase the thermal efficiency, there is no need to interrupt the waste gas treatment process for the repair of the device to increase the use efficiency of the device, reducing the cost of maintenance have.

상기와 같은 본 발명 가스 스크러버의 바람직한 실시예에 따른 구성과 작용을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.With reference to the accompanying drawings, the configuration and operation according to a preferred embodiment of the present invention gas scrubber as described above will be described in detail.

도 3은 본 발명 가스 스크러버의 바람직한 실시예에 따른 단면 구성도이고, 도 4는 도 3에서 챔버의 사시도이다.Figure 3 is a cross-sectional configuration according to a preferred embodiment of the gas scrubber of the present invention, Figure 4 is a perspective view of the chamber in FIG.

도 3과 도 4를 각각 참조하면 본 발명 가스 스크러버의 바람직한 실시예는, 중앙에 가스가 지나는 통로가 마련되며, 벽면에 다수의 관통공(11)이 마련된 챔버(10)와, 상기 챔버(10)의 외측에서 그 챔버(10)를 가열하는 히터(20)와, 상기 챔버(10)의 하부측에서 그 챔버(10)의 과열을 방지하는 냉각부(30)와, 상기 냉각부(30)와 챔버(10)의 사이에 위치하여, 처리된 가스의 부산물이 냉각부(30)의 내로 유입되는 것을 방지함과 아울러 그 표면에 상기 부산물의 적층을 방지하는 적층방지부(40)를 포함하여 구성된다.3 and 4 respectively, a preferred embodiment of the gas scrubber of the present invention is provided with a passage through which gas flows in the center, a chamber 10 having a plurality of through-holes 11 formed on a wall thereof, and the chamber 10. Heater 20 for heating the chamber 10 outside the), the cooling unit 30 to prevent overheating of the chamber 10 from the lower side of the chamber 10, and the cooling unit 30 Located between and the chamber 10, including a stack preventing portion 40 to prevent the by-products of the treated gas flow into the cooling unit 30, and prevent the stack of the by-products on the surface thereof It is composed.

상기 냉각부(30)는 냉각수가 유입되는 유입관(31)과, 상기 유입관(31)을 통해 유입된 냉각수가 일시 저장되는 저장공간부(32)와, 상기 저장공간부(32)에서 오버플로우된 냉각수가 외부로 배출되는 배출구(33)을 포함하여 구성된다.The cooling unit 30 is over the inlet pipe 31 through which the coolant is introduced, the storage space 32 for temporarily storing the coolant introduced through the inlet pipe 31, and the storage space 32. It is configured to include a discharge port 33 for the flow of cooling water discharged to the outside.

상기 적층방지부(40)는 상기 냉각부(30)의 저장공간부(32)에 부산물이 유입되는 것을 방지하는 적층방지판(41) 및 상기 적층방지판(41)의 내측에 마련되어 상기 적층방지판(41)의 상부측으로 불활성가스를 분사하는 다수의 가스분사관(42) 을 포함하여 구성된다.The stacking prevention part 40 is provided inside the stacking prevention plate 41 and the stacking prevention plate 41 to prevent the by-product from flowing into the storage space 32 of the cooling unit 30 to prevent the stacking. It comprises a plurality of gas injection pipe 42 for injecting an inert gas to the upper side of the plate 41.

미설명 부호 50은 히터의 과열을 방지하는 냉각수 순환관이다.Reference numeral 50 is a cooling water circulation pipe to prevent overheating of the heater.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명 가스 스크러버의 바람직한 실시예의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the gas scrubber of the present invention configured as described above will be described in more detail.

먼저, 챔버(10)의 형상은 두께가 1 내지 4mm인 원통형상이며, 그 벽면에는 다수의 관통공(11)이 마련되어 있다. 상기 관통공(11)은 상기 히터(20)의 열기가 직접 폐가스에 공급될 수 있도록 하는 것이며, 그 관통공(11)에 의해 오픈되는 면적이 전체 챔버(10)의 벽면 면적의 50 내지 70%가 되도록 한다.First, the chamber 10 has a cylindrical shape having a thickness of 1 to 4 mm, and a plurality of through holes 11 are provided on the wall surface thereof. The through hole 11 allows the heat of the heater 20 to be directly supplied to the waste gas, and the area opened by the through hole 11 is 50 to 70% of the wall area of the entire chamber 10. To be

상기 챔버(10)의 두께 한정은 1mm 미만에서 부식성에 대한 신뢰성이 저하되며, 4mm를 초과하는 경우 열전달 효율이 저하될 수 있기 때문이다.The thickness of the chamber 10 is less than 1mm because the reliability of the corrosiveness is lowered, if it exceeds 4mm because the heat transfer efficiency may be lowered.

도 5는 히터(20)의 열기가 폐가스에 공급되는 과정의 모식도이다.5 is a schematic diagram of a process in which the heat of the heater 20 is supplied to the waste gas.

도 5를 참조하면, 히터(20)의 열기는 복사열(radical) 형태로 챔버(10)의 표면에 도달하며, 그 관통공(11) 부분에서는 복사열이 그대로 가스에 전달되어 열효율을 높일 수 있다.Referring to FIG. 5, the heat of the heater 20 reaches the surface of the chamber 10 in the form of radiant heat, and radiant heat is transferred to the gas as it is in the through-hole 11 to increase thermal efficiency.

실험적으로 히터(20)의 온도를 700℃로 하였을 때, 본 발명 가스 스크러버의 챔버(10) 내부 온도는 680 내지 700℃의 온도를 나타내는 것으로, 기존 챔버의 400℃에 비하여 동일한 히터(20) 가열조건에서 더 높은 온도로 폐가스를 정화처리 할 수 있다.When the temperature of the heater 20 was experimentally set to 700 ° C., the internal temperature of the chamber 10 of the gas scrubber of the present invention was about 680 to 700 ° C., and the same heater 20 was heated as compared to 400 ° C. of the existing chamber. Under conditions, the waste gas can be purified to a higher temperature.

따라서, 보다 많은 폐가스를 동시에 처리할 수 있으며, 저전력을 사용하면서도 충분한 가스 처리효과를 나타낼 수 있다.Therefore, more waste gases can be treated simultaneously, and a sufficient gas treatment effect can be exhibited while using low power.

또한, 상기 챔버(10)는 다수의 관통공(11)이 마련되어 있어, 관통공이 없고 두께가 두꺼운 종래 챔버에 비해 보다 쉽게 가열 및 냉각될 수 있다.In addition, the chamber 10 is provided with a plurality of through-holes 11, there is no through-hole and can be heated and cooled more easily than the conventional chamber is thick.

상기와 같은 구성의 챔버(10)를 통과하는 폐가스는 히터(20)의 동일 가열조건에서 보다 높은 온도를 나타내며, 따라서 폐가스의 정화처리 효율이 높고 보다 많은 양의 폐가스를 동시에 정화처리 할 수 있다.The waste gas passing through the chamber 10 having the above configuration exhibits a higher temperature under the same heating condition of the heater 20, and therefore, the waste gas purifying efficiency is high and a larger amount of waste gas can be purged simultaneously.

상기와 같이 처리된 가스와 부산물은 하부로 낙하하여, 상기 냉각부(30)의 배출구(33)를 통해 냉각수와 함께 배출된다.Gas and by-products treated as described above fall to the bottom, and is discharged together with the cooling water through the outlet 33 of the cooling unit 30.

상기 적층방지부(40)는 상기 낙하하는 부산물이 냉각부(30)의 저장공간부(32)로 유입되는 것을 방지하며, 그 배출구(33)를 통해 부산물이 배출될 수 있도록 한다. 또한 다수의 가스분사관(42)을 구비하여 적층방지판(41) 상에 질소가스 등의 불활성가스를 분사함으로써, 실리사이드 등의 부산물이 상기 적층방지부(40)에 적층되는 것을 방지할 수 있다.The stack prevention part 40 prevents the falling by-products from flowing into the storage space part 32 of the cooling part 30 and allows the by-products to be discharged through the discharge port 33. In addition, by injecting an inert gas such as nitrogen gas onto the stacking prevention plate 41 with a plurality of gas injection pipes 42, by-products such as silicide can be prevented from being stacked on the stacking preventing unit 40. .

상기 적층방지판(41)은 상면이 중앙을 향해 하향 경사진 형태이며, 상기 가스분사관(42)은 그 적층방지판(41)의 경사면 상에 노출되어 그 경사면에 불활성 가스를 분사한다.The stacking prevention plate 41 has an upper surface inclined downward toward the center, and the gas injection pipe 42 is exposed on the inclined surface of the stacking prevention plate 41 and injects an inert gas to the inclined surface.

도 6은 상기 적층방지부의 다른 실시 구성도이다.6 is another embodiment configuration of the lamination prevention unit.

도 6을 참조하면 상기 적층방지부(40)는 내부에 불활성가스의 균일한 공급을 위한 버퍼(44)가 마련된, 내경이 중앙을 향해 하향 경사진 환형상의 적층방지판(43)과, 상기 적층방지판(43)의 경사진 내경에 마련된 다수의 분사노즐(45)을 포함한다. Referring to FIG. 6, the stacking prevention part 40 includes an annular stacking prevention plate 43 having an inner diameter inclined downward toward the center and provided with a buffer 44 for uniformly supplying an inert gas therein. It includes a plurality of injection nozzles 45 provided in the inclined inner diameter of the prevention plate 43.

상기 분사노즐(45)은 적층방지판(43)의 상면측에서 상부에서 불활성가스를 일방향으로 편향되게 분사할 수 있도록 내경측으로 수직인 방향이 아닌 경사진 방향으로 위치한다.The injection nozzle 45 is positioned in an inclined direction, not a direction perpendicular to the inner diameter side, so that the inert gas may be deflected in one direction from the upper surface side of the stack prevention plate 43.

따라서 적층방지판(43)의 상부측에서 불활성가스는 소용돌이 형태로 맴돌게 되며, 따라서 부산물이 더욱 부착되기 어렵게 된다.Therefore, the inert gas on the upper side of the stack prevention plate 43 circulates in a vortex form, thus making the byproduct more difficult to attach.

이처럼 적층방지부(40)에 부산물이 부착 및 적층되는 것을 방지함으로써, 주기적인 적층방지부(40)의 세정이 요구되지 않으며, 그 세정이 요구되지 않음에 따라 폐가스 처리가 중단되는 것을 방지할 수 있게 된다.By preventing the by-products from adhering and stacking on the stacking prevention part 40 as described above, periodic cleaning of the stacking prevention part 40 is not required, and the waste gas treatment can be prevented from being interrupted as the cleaning is not required. Will be.

상기와 같이 본 발명은 저전력 구동에 의해 높은 가스처리 효율을 얻을 수 있으며, 내부에 부산물이 적층되는 것을 방지하여 별도의 정비가 요구되지 않게 된 다.As described above, the present invention can obtain high gas treatment efficiency by low power driving, and prevents by-products from being stacked therein so that no separate maintenance is required.

도 1은 종래 가스 스크러버의 단면 구성도이다.1 is a cross-sectional configuration diagram of a conventional gas scrubber.

도 2는 종래 가스 스크러버에서 히터의 열이 챔버 내로 전달되는 과정을 설명하기 위한 모식도이다.2 is a schematic diagram illustrating a process of transferring heat of a heater into a chamber in a conventional gas scrubber.

도 3은 본 발명 가스 스크러버의 바람직한 실시예에 따른 단면 구성도이다.Figure 3 is a cross-sectional configuration according to a preferred embodiment of the gas scrubber of the present invention.

도 4는 본 발명 가스 스크러버에 적용되는 챔버의 사시도이다.4 is a perspective view of a chamber applied to the present invention gas scrubber.

도 5는 본 발명 가스 스크러버에서 히터의 열기가 폐가스에 공급되는 과정의 모식도이다.Figure 5 is a schematic diagram of a process in which the heat of the heater is supplied to the waste gas in the gas scrubber of the present invention.

도 6은 본 발명 가스 스크러버에 적용되는 적층방지부의 다른 실시 구성도이다.6 is another embodiment of the anti-lamination unit applied to the gas scrubber of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부의 설명><Description of the part about the main part of the drawing>

10:챔버 11:관통공10: Chamber 11: Through hole

20:히터 30:냉각부20: heater 30: cooling unit

31:유입관 32:저장공간부31: inlet tube 32: storage space

33:배출관 40:적층방지부33: discharge pipe 40: laminated prevention part

41:적층방지판 42:가스분사관41: stacking plate 42: gas injection pipe

Claims (4)

히터에 의해 가열되어 가스를 정화처리하며, 원통형상의 벽면에 다수의 관통공이 마련된 챔버;A chamber heated by a heater to purify gas, and having a plurality of through holes provided in a cylindrical wall; 상기 챔버의 하부측에 위치하여 그 챔버의 과열을 방지하는 냉각부; 및A cooling unit positioned at a lower side of the chamber to prevent overheating of the chamber; And 상기 챔버와 상기 냉각부의 사이에 위치하여, 가스 정화처리의 부산물이 상기 냉각부 내측으로 유입되는 것을 방지하는 적층방지부를 포함하는 가스 스크러버.Located between the chamber and the cooling unit, the gas scrubber comprising a stack preventing portion for preventing the by-product of the gas purification treatment flows into the cooling unit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버는,The chamber, 두께가 1 내지 4mm인 원통형이며, 그 관통공의 면적의 총합이 전체 챔버의 표면적의 50 내지 70%인 것을 특징으로 하는 가스 스크러버.A gas scrubber, characterized by a cylindrical shape having a thickness of 1 to 4 mm, and the sum of the areas of the through holes is 50 to 70% of the surface area of the entire chamber. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 적층방지부는,The lamination prevention unit, 상기 부산물이 상기 냉각부 내측으로 유입되는 것을 차단하며, 상면이 중앙을 향해 하향 경사진 적층방지판; 및An anti-lamination plate which prevents the by-products from flowing into the cooling unit and has an upper surface inclined downward toward the center; And 상기 적층방지판의 내부에 다수로 위치하여 불활성 가스를 그 적층방지판의 상부 경사면서 분사하는 다수의 가스분사관을 포함하는 가스 스크러버.Gas scrubber comprising a plurality of gas injection pipe is located in a plurality of the inside of the anti-lamination plate injecting inert gas while inclining the upper portion of the anti-lamination plate. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 가스분사관은 분사되는 불활성 가스가 소용돌이 형태로 맴돌 수 있도록 중앙을 향해 소정각도 경사진 것을 특징으로 하는 가스 스크러버.The gas injection pipe is a gas scrubber, characterized in that inclined at a predetermined angle toward the center so that the injected inert gas can circulate in a vortex form.
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