KR100875831B1 - Wet Cleaner for Semiconductor Devices - Google Patents

Wet Cleaner for Semiconductor Devices Download PDF

Info

Publication number
KR100875831B1
KR100875831B1 KR1020060135580A KR20060135580A KR100875831B1 KR 100875831 B1 KR100875831 B1 KR 100875831B1 KR 1020060135580 A KR1020060135580 A KR 1020060135580A KR 20060135580 A KR20060135580 A KR 20060135580A KR 100875831 B1 KR100875831 B1 KR 100875831B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
wafer guide
cassette
cleaning
guide
Prior art date
Application number
KR1020060135580A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20080060935A (en
Inventor
이주현
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020060135580A priority Critical patent/KR100875831B1/en
Publication of KR20080060935A publication Critical patent/KR20080060935A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100875831B1 publication Critical patent/KR100875831B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

반도체 웨이퍼의 세정 공정의 효율을 개선시킬 수 있는 습식 세정 장치를 제공한다. Provided is a wet cleaning apparatus capable of improving the efficiency of a semiconductor wafer cleaning process.

제공된 습식 세정 장치는 웨이퍼 가이드를 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전시켜 웨이퍼 가이드에 안착 또는 장착된 웨이퍼가 세정조 내부에 채워진 화합물질 등과 반응시킨다. The wet cleaning device provided rotates the wafer guide clockwise or counterclockwise to react the wafer seated or mounted on the wafer guide with a compound material or the like filled inside the cleaning bath.

제공된 반도체 공정용 습식 세정 장치는 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 가이드와, 웨이퍼 가이드를 수용하기 위한 용기와, 회전축을 갖는 모터를 구비하며, 회전축은 상기 웨이퍼 가이드의 일측과 결합되어, 웨이퍼 가이드를 회전시킨다.The wet cleaning apparatus for a semiconductor process provided includes a wafer guide on which a wafer is mounted, a container for accommodating the wafer guide, and a motor having a rotating shaft, the rotating shaft being coupled to one side of the wafer guide to rotate the wafer guide.

개시된 반도체 공정용 습식 세정 장치는 모터를 이용하여 웨이퍼 가이드의 회전 속도를 제어함으로써 공정 내용에 따라 웨이퍼와 반응하는 화학물질과의 반응 과정을 제어할 수 있다는 이점이 있다. The disclosed wet cleaning apparatus for semiconductor processing has the advantage of controlling the reaction process with the chemical reacting with the wafer according to the process content by controlling the rotational speed of the wafer guide using a motor.

Description

반도체 장치용 습식 세정 장치{Wet station for semiconductor device}Wet cleaning device for semiconductor devices {Wet station for semiconductor device}

도 1은 일반적으로 사용되는 습식 세정 장비의 필수 구성 장비인 반응조 또는 세정조의 개략적인 구조 단면도이다. 1 is a schematic structural cross-sectional view of a reaction tank or a cleaning tank that is an essential component of a wet cleaning equipment generally used.

도 2는 본 발명에서 제안하는 습식 세정 장비의 필수 구성 장비인 반응조 또는 세정조의 개략적인 구조 단면도이다. 2 is a schematic structural cross-sectional view of a reaction tank or a cleaning tank that is an essential component of the wet cleaning equipment proposed in the present invention.

도 3과 도 4는 본 발명에서 제안하는 모터 제어되는 웨이퍼 가이드와 웨이퍼 가이드에의 웨이퍼 장착 구조를 설명하는 도면이다. 3 and 4 are diagrams illustrating a motor-controlled wafer guide and a wafer mounting structure on the wafer guide proposed in the present invention.

본 발명은 반도체 공정에 사용되는 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 공정용 습식 세정 장치(wet station)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer cleaning apparatus for use in semiconductor processes, and more particularly to wet stations for semiconductor processes.

반도체 제조 공정 중 세정 공정은 반도체 제조 공정의 처음이자 마지막이라할 수 있는 매우 중요한 공정이다.The cleaning process of the semiconductor manufacturing process is a very important process, which is the first and the last of the semiconductor manufacturing process.

이러한 세정 공정은 습식 세정 방식과 건식 세정 방식으로 구분되나, 본 발명에서는 습식 세정 방식에 대하여 설명한다.The cleaning process is classified into a wet cleaning method and a dry cleaning method, but the wet cleaning method will be described in the present invention.

먼저 반도체 습식 공정에서 가능한 공정들을 나열하여 보면 아래와 같다.First, the possible processes of the semiconductor wet process are listed below.

1. 웨이퍼 세정 공정(wafer cleaning process)1. Wafer cleaning process

2. 습식 에칭 공정 (wet etching process: metal, dielectric, silicon, etc)2. wet etching process (metal, dielectric, silicon, etc)

3. 감광제 제거 공정 (PR removing process :polymer removing)3. PR removing process (polymer removing)

이러한 공정들이 습식 세정 장치(wet station)에서 수행된다.These processes are carried out in a wet station.

한편, 습식 세정 장치의 오염을 방지하기 위해 상기 각 공정(1, 2 및 3)에 사용되는 화학물질(chemical)의 종류에 따라 각기 다른 습식 세정 장치를 사용하는 것이 일반적이다.On the other hand, in order to prevent contamination of the wet cleaning device, it is common to use different wet cleaning devices depending on the type of chemicals used in the processes (1, 2, and 3).

먼저, 웨이퍼 세정 공정(wafer cleaning process)은 1970년 RCA사가 발표한 공정이 기본을 이루고 있으며, 현재도 이를 기본으로 한 다음 기타 다른 옵션을 첨가하여 많이 사용하고 있다. 이러한 이유로 인하여 웨이퍼 세정 공정(wafer cleaning process)를 RCA process라 부르기도 한다. First of all, the wafer cleaning process is based on the process announced by RCA in 1970, and is still based on this, and many other options are used. For this reason, the wafer cleaning process is sometimes called the RCA process.

간단한 RCA 공정으로는 Piraha solution(Surfuric acid peroxide mixture; SPM) / DHF(Diluted HF) solution / rinse의 배합을 많이 사용하며, 용도에 따라 추가 공정을 부가할 수도 있다. 참고로, CMOS급의 공정에서는 이보다 훨씬 복잡하고 많은 공정이 사용된다.As a simple RCA process, a combination of Piraha solution (Surfuric acid peroxide mixture (SPM) / Diluted HF (DHF) solution / rinse is often used. Additional processes may be added depending on the application. For reference, the CMOS class process is much more complicated and many processes are used.

아래에 웨이퍼 세정 공정(wafer cleaning process)에서 일반적으로 사용하는 chemical complex의 종류 및 명칭을 간단히 나열하였다. Below, the types and names of chemical complexes commonly used in the wafer cleaning process are briefly listed.

APM(Ammonia peroxide mixture) NH4OH/H2O2/H2O(DI) complex for removing particlesAmmonia peroxide mixture (APM) NH4OH / H2O2 / H2O (DI) complex for removing particles

SPM(Surfuric acid peroxide mixture) H2SO4/H2O2/H2O(DI) complex for removing organicsSurfuric acid peroxide mixture (SPM) H2SO4 / H2O2 / H2O (DI) complex for removing organics

HPM(Hydrochloric acid and peroxide mixture) HCl/H2O2/H2O(DI) complex for removing metal particlesHydrochloric acid and peroxide mixture (HPM) HCl / H2O2 / H2O (DI) complex for removing metal particles

DHF(Diluted HF) HF/H2O(DI) complex for removing natural oxide and light metalDiluted HF (DHF) HF / H2O (DI) complex for removing natural oxide and light metal

Piranha solution은 황산(H2SO4)과 과산화수소수(H2O2)를 적정비율로 혼합하여 웨이퍼 표면의 유기물과 큰 먼지 등을 제거하기 위하여 사용한다. Piranha solution is used to remove organic matter and large dust on the wafer surface by mixing sulfuric acid (H2SO4) and hydrogen peroxide (H2O2) in an appropriate ratio.

DHF solution은 불산(HF)를 DI water로 희석시켜 사용합니다. 대체로 1:10에서 1:100을 사용합니다. DHF 용액은 웨이퍼 위의 자연 산화막과 각종 금속을 제거하기 위하여 사용한다. DHF solution is diluted with hydrofluoric acid (HF) with DI water. Usually 1:10 to 1: 100. The DHF solution is used to remove the native oxide film and various metals on the wafer.

그 다음 이어지는 세정 공정은 증류수(DI water)만으로 진행되는데, 이는 DI shower(down flow)와 DI supply(up flow)로 이루어지며, 이러한 방식에 의하여 wafer 표면의 파티클(particle)이 제거된다.Subsequently, the next cleaning process is distilled water (DI water only), which consists of a DI shower (down flow) and a DI supply (up flow). In this way, particles on the wafer surface are removed.

둘째, 습식 에칭 공정(wet etching process)은 식각하고자 하는 재료에 따라서 사용 화학물질(chemical)이 바뀌며 조건이 달라진다. 특히, 대부분 반도체 공정에서 사용하는 메탈의 경우 각각 특화된 wet etching solution이 존재한다.Second, in the wet etching process, the chemicals used and the conditions vary depending on the material to be etched. In particular, in the case of metals used in most semiconductor processes, there is a specialized wet etching solution.

마지막으로, 감광제 제거 공정(PR removing process)은 반도체 공정에서 사용하는 감광성 폴리머(photoresist; PR)을 제거하는 공정이다. Finally, the PR removing process is a process of removing the photoresist (PR) used in the semiconductor process.

일반적으로 PR은 acetone으로 쉽게 제거가 가능하지만 plasma 공정후의 PR은 변성이 되어 제거가 쉽지 않다. 따라서, 사용 목적 및 대상 재료에 따라 Piranha를 사용하거나 plasma ashing 공정을 이용하여 PR을 제거하게 된다. In general, PR can be easily removed with acetone, but PR is not easy to remove after plasma process. Therefore, depending on the purpose of use and the material to be used, it is possible to remove PR using Piranha or plasma ashing process.

이러한 공정이 수행되는 습식 세정 장치(wet station)는 크게 반응조(reaction bath), 세정조(quick drain and rinse; QDR)로 구성된다. The wet station in which this process is performed is largely composed of a reaction bath and a quick drain and rinse (QDR).

반응조는 사용하는 화학물질(chemical)의 종류에 따라 재질이 바뀌어야 하며, 그 재질로는 quartz, teflon, stainless steel 316(SUS 316) 등이 사용된다.Reactors should be changed according to the type of chemical used, and quartz, teflon, stainless steel 316 (SUS 316), etc. are used.

그리고, 반응조는 공정 웨이퍼의 종류에 따라 bath의 사이즈가 결정되며, heating line, drain line 등이 장착된다. 또한, 온도센서와 용량센서는 필수로 구비된다. The size of the bath is determined by the type of the process wafer, and a heating line, a drain line, and the like are mounted on the reactor. In addition, a temperature sensor and a capacitive sensor are essentially provided.

한편, 세정조는 대부분이 clean PVC 등으로 제조되며, DI nozzle과 snug plate 대용량 drain valve 등이 장착된다. Meanwhile, most of the cleaning tanks are made of clean PVC, and are equipped with a DI nozzle and a snug plate large capacity drain valve.

이하, 도 1을 참조하여 종래의 일반적인 습식 세정 장비의 원리에 대하여 간단히 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to Figure 1 will be briefly described the principle of a conventional general wet cleaning equipment.

도 1에는 일반적으로 사용되는 습식 세정 장비의 필수 구성 장비인 반응조 또는 세정조의 구조 단면도가 개략적으로 도시되어 있다.1 is a schematic cross-sectional view of a reaction tank or a cleaning tank, which is an essential component of a commonly used wet cleaning equipment.

도 1에서, 번호 "111"은 습식 세정 장치를 구성하는 반응조 또는 세정조(이하에서는 설명의 편의상 세정조로 다루기로 한다)를 의미하며, 번호 "13"은 웨이퍼를 나타내며, 번호 "121"은 웨이퍼(13)가 안착되는 웨이퍼 가이드를 나타낸다. 그리고, 세정조(111) 내에는 공정 단계에 따른 소정의 화합물질 등이 채워져 있다.In Fig. 1, the number "111" means a reaction tank or a cleaning tank (hereinafter, referred to as a cleaning tank for convenience of description) constituting the wet cleaning apparatus, the number "13" represents a wafer, and the number "121" represents a wafer. The wafer guide on which (13) is seated is shown. The cleaning tank 111 is filled with a predetermined compound quality according to the process step.

세정 공정과 관련하여, 종래에는 세정조(111) 내부에 안착된 웨이퍼 가이 드(121)를 상하, 또는 전후좌우로 흔들어 웨이퍼(13)를 세정조(111) 내의 화합물질과 반응하도록 하는 방식이었다.In relation to the cleaning process, conventionally, the wafer guide 121 seated inside the cleaning tank 111 is shaken up, down, front, back, left, or right to cause the wafer 13 to react with the compound in the cleaning tank 111. .

그러나, 웨이퍼(13)를 흔드는 기존의 세정 방식은 세정조의 크기나 웨이퍼 가이드의 사이즈에 따라서 세정할 수 있는 웨이퍼의 종류가 한정된다는 문제점이 있다. However, the conventional cleaning method of shaking the wafer 13 has a problem that the type of wafer that can be cleaned is limited depending on the size of the cleaning tank and the size of the wafer guide.

또한, 종래에는 웨이퍼 가이드(121)가 안착되는 플레이트(무도시)를 유압 실리더 등의 기계적 장치(무도시)을 이용하여 상하 또는 전후좌우로 일정하게 흔드는 방식을 취하였다. In addition, conventionally, a plate (not shown) on which the wafer guide 121 is mounted is constantly shaken up, down, front, rear, left, or right by using a mechanical device (not shown) such as a hydraulic cylinder.

이 때문에, 소정 공정 조건하의 웨이퍼(13)와 반응하는 세정조(111)내의 화합물질의 종류와 반응 조건이 달라짐에 따른 흔들림 조건(agitation condition)을 즉각적으로 변화시킬 수 없다는 문제점이 있었다. For this reason, there was a problem that the agitation condition cannot be changed immediately due to the change in the type of the compound and the reaction condition in the cleaning tank 111 that reacts with the wafer 13 under the predetermined process conditions.

본 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 세정 공정의 효율을 개선시킬 수 있는 습식 세정 장치를 제공하고자 한다.The present invention has been proposed in order to solve the conventional problems, to provide a wet cleaning apparatus that can improve the efficiency of the cleaning process.

이를 위하여, 본 발명은 웨이퍼 가이드를 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전시켜 웨이퍼 가이드에 안착 또는 장착된 웨이퍼가 세정조 내부에 채워진 화합물질 등과 반응하도록 하는 것을 목적으로 한다. To this end, an object of the present invention is to rotate the wafer guide in a clockwise or counterclockwise direction so that the wafer seated or mounted on the wafer guide reacts with a compound material filled in the cleaning tank.

또한, 본 발명에서는 웨이퍼 가이드의 회전 속도를 제어하여 웨이퍼와 화합물질간의 반응 속도를 조절하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention aims to control the reaction speed between the wafer and the compound by controlling the rotational speed of the wafer guide.

본 발명에 따른 반도체 공정용 습식 세정 장치의 제 1 실시예는 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 가이드와, 상기 웨이퍼 가이드를 수용하기 위한 용기와, 회전축을 갖는 모터를 구비하며, 상기 회전축은 상기 웨이퍼 가이드의 일측과 결합되어, 상기 웨이퍼 가이드를 회전시키는 것을 특징으로 한다.A first embodiment of a wet cleaning apparatus for a semiconductor process according to the present invention includes a wafer guide on which a wafer is mounted, a container for accommodating the wafer guide, and a motor having a rotating shaft, wherein the rotating shaft is one side of the wafer guide. It is combined with, characterized in that for rotating the wafer guide.

본 발명의 제 1 실시예에 있어서, 상기 용기는 상기 웨이퍼를 소정의 화합물질과 반응시키기 위한 반응조 또는 상기 웨이퍼를 증류수로 세정하기 위한 세정조인 것을 특징으로 한다.In the first embodiment of the present invention, the vessel is characterized in that the reaction tank for reacting the wafer with a predetermined compound or a cleaning tank for cleaning the wafer with distilled water.

본 발명의 제 1 실시예에 있어서, 상기 모터의 분당 회전수는 조절 가능한 것을 특징으로 한다.In the first embodiment of the present invention, the revolutions per minute of the motor is characterized in that it is adjustable.

본 발명에 따른 반도체 공정용 습식 세정 장치의 제 2 실시예는 웨이퍼 가이드와, 상기 웨이퍼 가이드에 탈부착 가능하도록 장착되며, 웨이퍼가 삽입 안착되는 카세트와, 상기 웨이퍼 가이드와 카세트를 수용하기 위한 용기와, 회전축을 갖는 모터를 구비하며, 상기 회전축은 상기 웨이퍼 가이드의 일측과 결합되어 상기 웨이퍼 가이드를 회전시키는 것을 특징으로 한다.A second embodiment of the wet cleaning apparatus for a semiconductor process according to the present invention includes a wafer guide, a cassette detachably mounted to the wafer guide, a cassette into which a wafer is inserted, a container for accommodating the wafer guide and the cassette; And a motor having a rotating shaft, wherein the rotating shaft is coupled to one side of the wafer guide to rotate the wafer guide.

본 발명의 제 2 실시예에 있어서, 상기 용기는 상기 웨이퍼를 소정의 화합물질과 반응시키기 위한 반응조 또는 상기 웨이퍼를 증류수로 세정하기 위한 세정조인 것을 특징으로 한다.In the second embodiment of the present invention, the vessel is characterized in that the reaction tank for reacting the wafer with a predetermined compound or a cleaning tank for cleaning the wafer with distilled water.

본 발명의 제 2 실시예에 있어서, 상기 모터의 분당 회전수는 조절 가능한 것을 특징으로 한다.In a second embodiment of the present invention, the revolutions per minute of the motor is characterized in that it is adjustable.

본 발명의 제 2 실시예에 있어서, 상기 카세트의 몸체에는 상기 용기내의 화 합물질 또는 증류수를 카세트 내부로 유입시키기 위한 구멍이 다수개 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In the second embodiment of the present invention, the cassette body is characterized in that a plurality of holes are formed for introducing the compound or distilled water in the container into the cassette.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2에는 본 발명에서 제안하는 반도체 공정용 습식 세정 장치의 제 1 실시예가 도시되어 있다. Figure 2 shows a first embodiment of the wet cleaning apparatus for semiconductor process proposed in the present invention.

도 2에서, 번호 "111"은 습식 세정 장치를 구성하는 반응조 또는 세정조(이하에서는 설명의 편의상 세정조로 다루기로 한다)를 의미한다.In FIG. 2, the numeral "111" means a reaction tank or a cleaning tank (hereinafter, referred to as a cleaning tank for convenience of description) constituting the wet cleaning apparatus.

그리고, 번호 "13"은 웨이퍼를 나타내고, 번호 "311"은 웨이퍼(13)가 안착되는 웨이퍼 가이드를 나타낸다. The number "13" represents a wafer, and the number "311" represents a wafer guide on which the wafer 13 is seated.

웨이퍼(13)는 웨이퍼 가이드(311)의 양측에 형성되어 있는 고정부(20a, 20b)에 장착된다. 즉, 웨이퍼(13)는 고정부(20a, 20b)에 의하여 웨이퍼 가이드(311)에 탈부착 가능하도록 장착된다.The wafer 13 is mounted to the fixing portions 20a and 20b formed on both sides of the wafer guide 311. That is, the wafer 13 is attached to the wafer guide 311 by the fixing parts 20a and 20b so that attachment and detachment are possible.

웨이퍼(130가 장착된 웨이퍼 가이드(311)는 공정 단계에 따라 소정의 화합물질이 채워지는 세정조(111) 내에 수용된다. The wafer guide 311 equipped with the wafer 130 is accommodated in the cleaning tank 111 filled with a predetermined compound according to the process step.

한편, 웨이퍼 가이드(311)의 상판의 일측은 모터 회전축(223)과 결합되어 있으며, 모터 회전축(223)은 모터(221)에 의하여 회전 가능하게 된다. On the other hand, one side of the top plate of the wafer guide 311 is coupled to the motor rotation shaft 223, the motor rotation shaft 223 is rotatable by the motor 221.

동작에 있어서, 모터(221)를 소정의 회전수(분당 회전수)로 작동시키면, 모터 회전축(223)과 결합되어 있는 웨이퍼 가이드(311)는 이에 대응하는 회전수로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전한다. In operation, when the motor 221 is operated at a predetermined rotation speed (rotation per minute), the wafer guide 311 coupled with the motor rotation shaft 223 is clockwise or counterclockwise at a corresponding rotation speed. Rotate

따라서, 웨이퍼(13)는 회전을 하면서 세정조(111) 내의 화학물질과 반응하게 된다. Thus, the wafer 13 rotates and reacts with the chemicals in the cleaning tank 111.

본 발명의 경우, 모터(221)의 회전수를 조절하여 웨이퍼(13)와 반응하는 화합물질과의 접촉 시간, 접촉 횟수 등을 조절할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼와 반응하는 화합물질의 종류에 따라 최적의 회전수를 선택할 수 있다는 이점이 있다. In the case of the present invention, it is possible to adjust the rotation speed of the motor 221 to adjust the contact time, the number of times of contact with the compound material reacting with the wafer 13. As a result, there is an advantage that the optimum rotation speed can be selected according to the type of compound that reacts with the wafer.

도 3에는 도 2에서 설명한 웨이퍼 가이드(311)와 이에 장착되어 있는 웨이퍼의 외관 상태도가 개략적으로 도시되어 있다. FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an external appearance of the wafer guide 311 described in FIG. 2 and the wafer mounted thereto.

그런데, 도 3과 같은 구조의 웨이퍼 가이드(311)를 사용하는 경우 한 번의 공정에서 처리할 수 있는 웨이퍼의 수량이 제한된다는 단점이 발생할 수 도 있다. However, when the wafer guide 311 having the structure shown in FIG. 3 is used, a disadvantage may occur in that the number of wafers that can be processed in one process is limited.

이를 위하여 본 발명에서는 도 4와 같은 구조의 웨이퍼 수용 장치인 카세트를 이용하는 방식을 제안한다. To this end, the present invention proposes a method of using a cassette which is a wafer receiving device having the structure as shown in FIG.

도 4에 도시된 바와 같이, 모터(221)와, 모터 회전축(223) 및 웨이퍼 가이드(311)의 기본 구조는 도 2와 도 3에서 설명한 바와 큰 차이가 없다. As shown in FIG. 4, the basic structures of the motor 221, the motor rotation shaft 223, and the wafer guide 311 are not significantly different from those described with reference to FIGS. 2 and 3.

가장 큰 차이점은 웨이퍼 가이드(311)의 양측에 형성되어 있는 고정부(20a, 20b)에 장착되는 것이 웨이퍼가 아니라 웨이퍼가 수용된 카세트(41)라는 점이다. The biggest difference is that it is not the wafer but the cassette 41 in which the wafer is accommodated, which is mounted on the fixing portions 20a and 20b formed on both sides of the wafer guide 311.

카세트(41)에는 복수개의 웨이퍼가 안착하기 위한 복수개의 홈들이 형성되어 있다. 바람직하게는 카세트(41) 내에서 상기 복수개의 웨이퍼는 수평 방향으로 안착되는 것이 바람직하다. 이를 위하여, 카세트(41) 내부의 홈들은 상하 수직 방향으로 정렬되어 형성되는 것이 바람직하다. 이는 회전시의 저항을 줄이기 위함이다(이 경우 웨이퍼를 안정적으로 고정시키기 위하여 카세트(41) 내부의 상부 또 는 하부에 탄련성이 있는 물질을 채워 회전 운동시 웨이퍼의 이탈을 방지할 수도 있을 것이다). 한편, 다른 실시예로서, 웨이퍼를 세로 방향으로 삽입하여 안착시키는 것도 가능할 것이다. The cassette 41 is formed with a plurality of grooves for seating a plurality of wafers. Preferably, the plurality of wafers in the cassette 41 are preferably seated in the horizontal direction. For this purpose, the grooves in the cassette 41 are preferably formed to be aligned in the vertical direction. This is to reduce the resistance during rotation (in this case, the elastic material may be filled in the upper or lower portion of the cassette 41 to stably fix the wafer to prevent the wafer from leaving during the rotational movement). . On the other hand, as another embodiment, it may be possible to insert the wafer in the longitudinal direction to be seated.

이처럼, 사용자는 복수개의 웨이퍼를 카세트(41)에 안착시킨 다음, 고정부(20a, 20b)에 부착시켜 사용할 수 있다. In this manner, the user may mount the plurality of wafers on the cassette 41 and then attach the plurality of wafers to the fixing portions 20a and 20b.

이러한 점에서 도 4에 도시된 구조를 배치 타입(batch type)이라 할 수 있을 것이다. 이에 대하여 도 3에 도시된 구조는 싱글 타입(single type)이라 할 수 있을 것이다. 이들 양자는 모두 모터를 이용하여 회전 가능하다는 본 발명의 기술적 사상을 구현하고 있는 것으로, 프로세스 진행자는 반도체 공정 내용에 따라 필요한 타입의 구조를 선택하여 사용할 수 있을 것이다. In this regard, the structure shown in FIG. 4 may be referred to as a batch type. In contrast, the structure shown in FIG. 3 may be referred to as a single type. Both of them implement the technical idea of the present invention that the rotation is possible by using a motor, and a process facilitator may select and use a structure of a required type according to the contents of a semiconductor process.

한편, 카세트(41) 몸체의 외주면에는 복수개의 구멍이 형성되어 있으며, 이는 세정조(111)내의 화학물질이 카세트(41) 내부로 유입되어 웨이퍼와 반응할 수 있도록 한 것이다. On the other hand, a plurality of holes are formed in the outer circumferential surface of the cassette 41 body, which allows chemicals in the cleaning tank 111 to flow into the cassette 41 to react with the wafer.

참고로, 복수개의 구멍의 사이즈는 웨이퍼 세정 공정(wafer cleaning process), 습식 에칭 공정(wet etching process), 및 감광제 제거 공정(PR removing process)에 따라 최적의 사이즈로 설계하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 이는 세정조(111)의 사이즈와 카세트(41)의 사이즈, 그리고 카세트(41)에 삽입 장착되는 웨이퍼의 수량과도 관계가 있을 수 있기 때문이다. For reference, the size of the plurality of holes is preferably designed in an optimal size according to a wafer cleaning process, a wet etching process, and a PR removing process. This is because the size of the cleaning tank 111 and the size of the cassette 41 and the number of wafers inserted into the cassette 41 may be related.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 세정조에 수용되는 웨이퍼 가이드를 모터를 이용하여 회전하는 장치에 대한 기술적 사상을 제공한다.As described above, the present invention provides a technical idea of an apparatus for rotating a wafer guide accommodated in a cleaning tank using a motor.

본 발명의 경우, 모터를 이용하여 웨이퍼 가이드의 회전 속도를 제어함으로써 공정 내용에 따라 웨이퍼와 반응하는 화학물질과의 반응 과정을 제어할 수 있다는 이점이 있다.In the case of the present invention, by controlling the rotational speed of the wafer guide by using a motor there is an advantage that can control the reaction process with the chemical reacting with the wafer according to the process content.

본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.In the present specification and drawings, preferred embodiments of the present invention have been disclosed, and although specific terms have been used, these are merely used in a general sense to easily explain the technical contents of the present invention and to help the understanding of the present invention. It is not intended to limit the scope. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention can be carried out in addition to the embodiments disclosed herein.

Claims (7)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 웨이퍼 가이드;Wafer guides; 상기 웨이퍼 가이드에 탈부착 가능하도록 장착되며, 다수 개의 웨이퍼들이 삽입 안착되는 카세트;A cassette detachably mounted to the wafer guide, wherein the cassette is inserted and seated in a plurality of wafers; 상기 웨이퍼 가이드 및 상기 카세트를 수용하며, 상기 웨이퍼들과 반응하는 화학물질 또는 상기 웨이퍼들을 세정하기 위한 세정액이 채워진 용기; 및A container filled with the wafer guide and the cassette and filled with a chemical reacting with the wafers or a cleaning liquid for cleaning the wafers; And 회전축을 갖는 모터를 포함하며,A motor having a rotation axis, 상기 회전축은 상기 웨이퍼 가이드의 일측과 결합되어, 상기 웨이퍼 가이드를 회전시키며,The rotating shaft is coupled to one side of the wafer guide to rotate the wafer guide, 상기 카세트는 상기 화학물질 또는 상기 세정액에 담겨진 상태에서 회전되고,The cassette is rotated while immersed in the chemical or the cleaning liquid, 상기 웨이퍼들은 상기 회전축과 나란한 세로방향으로 상기 카세트 내측에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 습식 세정 장치.And the wafers are disposed inside the cassette in a longitudinal direction parallel to the axis of rotation. 삭제delete 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 모터의 분당 회전수는 조절 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 습식 세정 장치.Wet cleaning apparatus for a semiconductor process, characterized in that the rotational speed per minute of the motor is adjustable. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 카세트의 몸체에는 상기 화합물질 또는 세정액을 카세트 내부로 유입시키기 위한 다수 개의 홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 습식 세정 장치. Wet cleaning device for a semiconductor process, characterized in that the body of the cassette is formed with a plurality of holes for introducing the compound or cleaning liquid into the cassette.
KR1020060135580A 2006-12-27 2006-12-27 Wet Cleaner for Semiconductor Devices KR100875831B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060135580A KR100875831B1 (en) 2006-12-27 2006-12-27 Wet Cleaner for Semiconductor Devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060135580A KR100875831B1 (en) 2006-12-27 2006-12-27 Wet Cleaner for Semiconductor Devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080060935A KR20080060935A (en) 2008-07-02
KR100875831B1 true KR100875831B1 (en) 2008-12-26

Family

ID=39813397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060135580A KR100875831B1 (en) 2006-12-27 2006-12-27 Wet Cleaner for Semiconductor Devices

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100875831B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103839773A (en) * 2014-02-21 2014-06-04 上海华力微电子有限公司 Acid tank for wet etching process

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103839773A (en) * 2014-02-21 2014-06-04 上海华力微电子有限公司 Acid tank for wet etching process

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080060935A (en) 2008-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100881964B1 (en) Substrate processing apparatus
US10286425B2 (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
CN101226878B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4672487B2 (en) Resist removing method and resist removing apparatus
KR20010050905A (en) Substrate cleaning method and apparatus
KR101668212B1 (en) Liquid processing method, liquid processing apparatus and recording medium
KR100500201B1 (en) Cleaning apparatus for semiconductor wafer
JP2007012859A (en) Equipment and method for processing substrate
US20180358241A1 (en) Substrate treating apparatus and methods
JPH1070178A (en) Carrier for semiconductor wafer
JP2007134600A (en) Device and method for processing substrate
KR100875831B1 (en) Wet Cleaner for Semiconductor Devices
CN111223791B (en) Wafer cleaning device and cleaning method thereof
JP2006278956A (en) Apparatus and method for substrate processing
JP3419758B2 (en) Substrate processing method
JP2010056208A (en) Substrate cleaning device
JP2006324386A (en) Chemical treatment method and chemical treatment apparatus
JP2007266210A (en) Apparatus and method for manufacturing semiconductor
KR101327506B1 (en) Substrate processing apparatus
KR100693247B1 (en) A cleaning apparatus for wafer
KR200275420Y1 (en) A wet station
JP2005175036A (en) Substrate treatment apparatus
JP4040226B2 (en) Semiconductor wafer drying method
JP2009087958A (en) Cleaning/drying treatment method, apparatus, and program
JP3983355B2 (en) Semiconductor wafer cleaning apparatus and cleaning method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee