KR100872908B1 - Wafer surface treatment device - Google Patents

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Abstract

The apparatus for treating the surface of substrate is provided to shorten the process time by performing the surface treatment process, cleaning process and drying process in one chamber. The apparatus for treating the surface of substrate(10) comprises the substrate mounting part(100), the plasma generating means, the head unit(200), the head unit driving unit(300). The substrate(11) is settled in the substrate mounting part. The plasma generating means generates the plasma in the surface of substrate. The head unit comprises the spray nozzle(220) spreading the washing solution. The head unit driving unit transfers the head unit. The head unit driving unit comprises the top conveying plate(310), the first conveying plate(320), the second conveying plate(330), the driving part. The top conveying plate unites with the head unit. The first conveying plate is connected with one end of the head unit. The second conveying plate is connected with the other end of the head unit. The driving part transfers the top conveying plate, the first conveying plate and the second conveying plate.

Description

기판 표면처리 장치{WAFER SURFACE TREATMENT DEVICE}Substrate Surface Treatment Equipment {WAFER SURFACE TREATMENT DEVICE}

본 발명은 기판 표면처리를 위한 기판 표면처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상압 플라즈마와 세정액을 이용하여 기판을 세정하면서 표면처리하여 공정 수율 및 본딩특성을 향상시킬 수 있는 기판 표면처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate surface treatment apparatus for substrate surface treatment, and more particularly, to a substrate surface treatment apparatus capable of improving the process yield and bonding characteristics by surface treatment while cleaning the substrate using atmospheric pressure plasma and cleaning liquid. will be.

반도체의 고집적화를 위하여 SOI(Silicon On Insulator)를 제조하거나, P 타입 기판과 N 타입 기판을 결합시켜 P-N 정션(junction)을 형성하는 방법 등에 있어서, 유/무기 접착제를 사용하여 접착하거나, 접착제를 사용하지 않고 기판 간에 직접적인 본드가 형성되도록 하는 다이렉트 기판 표면처리(Direct Bonding of Wafers) 방법이 알려져 있다.In order to manufacture a silicon on insulator (SOI) for high integration of a semiconductor, or a method of forming a PN junction by combining a P-type substrate and an N-type substrate, an adhesive using an organic / inorganic adhesive or an adhesive is used. Direct Bonding of Wafers methods are known which allow direct bonds to be formed between substrates without the need for such bonding.

상기 유/무기 접착제를 이용하는 방법은 기판 표면처리를 저온에서 형성시킬 수 있기는 하지만, 계면응력의 문제가 있고, 접착층이 열적 또는 화학적으로 불안정할 염려가 있기 때문에 널리 사용되고 있지 않다.Although the method using the organic / inorganic adhesive can form the substrate surface treatment at a low temperature, it is not widely used because there is a problem of interfacial stress and the adhesive layer may be thermally or chemically unstable.

따라서, 근래에는 기판간에 직접적인 본드가 형성되도록 하는 다이렉트 기판 표면처리방법이 주로 이용된다.Therefore, in recent years, a direct substrate surface treatment method for forming a direct bond between substrates is mainly used.

상기 다이렉트 기판 표면처리방법은 기판의 표면을 활성화 시킨 후, 표면이 활성화된 기판들을 서로 간에 접합시켜 본딩시키게 된다. In the direct substrate surface treatment method, after activating the surface of the substrate, the surfaces of the activated substrates are bonded to each other and bonded.

이 경우, 활성화된 기판의 표면은 균일한 반도체 패턴을 얻기 위하여 균일한 두께로 활성화 되어야 한다. In this case, the surface of the activated substrate must be activated to a uniform thickness in order to obtain a uniform semiconductor pattern.

한편, 다이렉트 기판 표면처리방법은 기판의 표면을 활성화 시키기 전에 세정공정 및 건조 공정을 진행하는데, 이들 세정공정 및 건조공정은 기판의 표면을 활성화 시키는 공정과 따로 분리되어 진행될 경우, 기판 표면처리 시간이 길어지는 문제점이 있다.On the other hand, the direct substrate surface treatment method performs a cleaning process and a drying process before activating the surface of the substrate. When the cleaning process and the drying process are performed separately from the process of activating the surface of the substrate, the substrate surface treatment time is increased. There is a problem that becomes longer.

본 발명의 기술적 과제는 하나의 공정 챔버에서 진행되는 단일 공정에 의하여 상압 플라즈마와 세정액을 이용하여 기판을 세정하면서 표면처리하여 공정 시간을 단축할 수 있는 기판 표면처리 장치를 제공하는데 있다. An object of the present invention is to provide a substrate surface treatment apparatus capable of shortening the process time by surface treatment while cleaning the substrate using an atmospheric pressure plasma and a cleaning liquid by a single process performed in one process chamber.

또한, 본 발명의 기술적 과제는 본딩 수율 및 본딩 특성을 향상시킬 수 있는 기판 표면처리 장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate surface treatment apparatus capable of improving bonding yield and bonding characteristics.

상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 표면처리 장치는 기판을 안착시키는 기판 안착부; 상기 기판의 표면에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단과, 상기 기판에 무화된 세정액을 분사시키는 분사 노즐을 포함하는 헤드부; 및 상기 헤드부의 일부를 안착시켜 상기 헤드부를 이송시키는 헤드부 구동 장치를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 한다.Substrate surface treatment apparatus of the present invention for achieving the above object is a substrate seating portion for mounting the substrate; A head portion including plasma generating means for generating a plasma on a surface of the substrate, and a spray nozzle for spraying an atomizing cleaning liquid on the substrate; And a head part driving device for seating a part of the head part to transfer the head part.

또한, 상기 플라즈마 발생수단은 하부면이 상기 기판의 상부면과 동일한 이격거리를 이루어 형성될 수 있다. 또한, 상기 플라즈마 발생수단은 상기 기판의 직경보다 더 큰 길이를 가지고 형성될 수 있다.In addition, the plasma generating means may be formed to have a lower surface the same distance as the upper surface of the substrate. In addition, the plasma generating means may be formed to have a length larger than the diameter of the substrate.

한편, 상기 분사 노즐에서 공급되는 무화된 세정액은 탈이온수일 수 있다.On the other hand, the atomized cleaning liquid supplied from the injection nozzle may be deionized water.

또한, 상기 기판 안착부는 상기 기판을 안착시키는 안착판, 상기 안착판의 하부에 결합되어 상기 기판을 회전시키는 안착판 회전수단을 포함하여 형성될 수 있다. 여기서, 상기 안착판 회전수단은 상기 안착판의 하부에 결합되는 스핀들과, 상기 스핀들이 중심축을 기준으로 회전하도록 상기 스핀들을 지지하는 스핀들 지지수단을 포함하여 형성될 수 있다.In addition, the substrate seating portion may be formed including a seating plate for seating the substrate, a mounting plate rotating means coupled to the lower portion of the seating plate to rotate the substrate. Here, the seat plate rotating means may be formed to include a spindle coupled to the lower portion of the seating plate, and spindle support means for supporting the spindle so that the spindle rotates about the central axis.

한편, 상기 헤드부 구동 장치는 상기 헤드부와 결합하는 상부 이송판, 상기 헤드부의 일 단부와 연결되어 결합하는 제 1 이송판, 상기 헤드부의 타단부와 연결되어 결합하는 제 2 이송판 및, 상기 상부 이송판과 상기 제 1 이송판 및 상기 제 2 이송판을 이송시키는 구동부를 포함하여 형성될 수 있다.On the other hand, the head drive unit is an upper transfer plate coupled to the head portion, a first transfer plate connected to and coupled to one end of the head portion, a second transfer plate coupled to and coupled to the other end of the head portion, and It may be formed to include an upper transfer plate and a drive unit for transferring the first transfer plate and the second transfer plate.

이 경우, 상기 구동부는 상기 제 1 이송판과 결합하는 제 1 가이드 레일부, 상기 제 2이송판과 결합하는 제 2 가이드 레일부, 볼 스크류 삽입홀이 형성되며 상기 제 1 이송판의 일 면에 결합하는 볼 스크류 삽입판, 상기 볼 스크류 삽입홀과 스크류 결합하는 볼 스크류, 상기 볼스크류를 회전시키는 모터 및, 일 면에 상기 볼 스크류 삽입판과 상기 모터가 고정되는 고정판을 포함하여 형성될 수 있다.In this case, the driving unit is formed with a first guide rail portion coupled to the first transfer plate, a second guide rail portion coupled to the second transfer plate, a ball screw insertion hole, and is formed on one surface of the first transfer plate. A ball screw insertion plate to be coupled, a ball screw screwed to the ball screw insertion hole, a motor for rotating the ball screw, and may be formed including a fixed plate on which the ball screw insertion plate and the motor is fixed. .

또한, 상기 기판 표면처리 장치는 세정액 무화장치를 더 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 세정액 무화장치는 상기 분사 노즐과 연결되며, 상기 세정액을 초음파로 산란시켜 무화시키고, 상기 무화된 세정액과 질소가스를 혼합시킨 상태로 상기 기판에 공급할 수 있다.In addition, the substrate surface treatment apparatus may further include a cleaning liquid atomizing device, wherein the cleaning liquid atomizing device is connected to the injection nozzle, and scatters the cleaning liquid with ultrasonic waves to atomize the atomizing cleaning liquid and nitrogen gas. The substrate can be supplied in a mixed state.

이 경우, 상기 세정액 무화장치는 상기 세정액과 상기 질소가스를 혼합시키는 무화용 용기, 상기 무화용 용기 내에 구비되어 상기 세정액을 입자상태로 산란시키는 초음파 진동자, 상기 무화용 용기에서 배출되는 무화된 세정액을 상기 분사노즐에 공급하거나 차단하는 개폐 밸브, 상기 무화용 용기와 상기 개폐 밸브를 연결시키는 제 1 배관 및, 상기 분사 노즐과 상기 개폐 밸브를 연결시키는 제 2 배관 을 포함하여 형성될 수 있다.In this case, the cleaning liquid atomizing device is provided in the atomizing container for mixing the cleaning liquid and the nitrogen gas, the ultrasonic vibrator provided in the atomizing container to scatter the cleaning liquid in the particulate state, the atomizing cleaning liquid discharged from the atomizing container It may be formed to include an on-off valve for supplying or blocking the injection nozzle, a first pipe for connecting the atomization container and the on-off valve, and a second pipe for connecting the injection nozzle and the on-off valve.

한편, 상기 기판 표면처리 장치는 기판 세척부를 더 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 기판 세척부는 상기 기판 안착부의 주변에 형성되어 상기 기판을 세척시킬 수 있다.The substrate surface treatment apparatus may further include a substrate cleaner, and the substrate cleaner may be formed around the substrate seat to clean the substrate.

이 경우, 상기 기판 세척부는 세척액을 분사시키는 세척액분사용 노즐과, 일 단이 상기 세척액분사용 노즐과 연결되는 세척액 공급배관 및, 상기 세척액 공급배관의 타단과 연결되는 세척액 공급배관용 회전축을 포함하여 형성되며, 상기 세척액 공급배관용 회전축은 회전하여 상기 세척액 공급배관의 타단을 기준으로 회전시키고, 상기 세척액 공급배관은 회전에 의해 상기 세척액 공급배관용 노즐이 상기 기판의 상면에 위치되도록 할 수 있다.In this case, the substrate cleaning unit includes a washing liquid spray nozzle for spraying the washing liquid, a washing liquid supply pipe connected to one end of the washing liquid spray nozzle, and a rotating shaft for washing liquid supply pipe connected to the other end of the washing liquid supply pipe. Is formed, the rotating shaft for the cleaning solution supply pipe is rotated based on the other end of the cleaning solution supply pipe, the cleaning solution supply pipe may be such that the nozzle for the cleaning solution supply pipe is located on the upper surface of the substrate by the rotation.

여기서, 상기 세척액은 탈이온수 또는 H2O2-NH4OH-H2O(SC-1)용액일 수 있다.Here, the washing solution may be deionized water or H 2 O 2 —NH 4 OH—H 2 O (SC-1) solution.

한편, 상기 기판 표면처리 장치는 기판 건조부를 더 포함하여 형성될 수 있으며, 기판 건조부는 상기 기판 안착부의 주변에 형성되어 상기 기판을 건조시킬 수 있다. 이 경우, 상기 기판 건조부는 건조가스를 분사시키는 건조가스 분사용 노즐과, 일 단이 상기 건조가스 분사용 노즐과 연결되는 건조가스 공급배관 및, 상기 건조가스 공급배관의 타단과 연결되는 건조가스 공급배관용 회전축을 포함하여 형성되며, 상기 건조가스 공급배관용 회전축은 회전하여 상기 건조가스 공급배관이 타단을 기준으로 회전하도록 하고, 상기 건조가스 공급배관은 회전에 의해 상기 건조가스 분사용 노즐이 상기 기판에 상면에 위치되도록 형성될 수 있다.The substrate surface treatment apparatus may further include a substrate drying unit, and the substrate drying unit may be formed around the substrate mounting unit to dry the substrate. In this case, the substrate drying unit is a dry gas injection nozzle for injecting dry gas, a dry gas supply pipe connected to one end of the dry gas injection nozzle, and a dry gas supply connected to the other end of the dry gas supply pipe. It is formed to include a rotating shaft for the pipe, the rotating shaft for the dry gas supply pipe is rotated so that the dry gas supply pipe is rotated based on the other end, and the dry gas supply pipe is rotated by the nozzle for the dry gas injection It may be formed to be located on the upper surface of the substrate.

본 발명의 기판 표면처리 장치는 기판의 본딩을 위한 표면처리 공정과 세정공정 및 건조공정을 하나의 챔버에서 진행하여 공정 시간을 단축시키는 효과가 있다.The substrate surface treatment apparatus of the present invention has the effect of shortening the process time by performing the surface treatment process, the cleaning process and the drying process for bonding the substrate in one chamber.

또한, 본 발명의 기판 표면처리 장치는 기판의 본딩을 위한 표면처리 공정과 세정공정 및 건조공정을 하나의 챔버에서 진행하면서 기판의 표면이 균일하게 활성화시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the substrate surface treatment apparatus of the present invention has the effect that the surface of the substrate can be uniformly activated while the surface treatment process, the cleaning process and the drying process for bonding the substrate in one chamber.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail.

도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 장치의 정면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 기판 표면처리 장치의 우측면도이다. 도 3는 도 1에 도시된 기판 표면처리 장치의 평면도이다. 도 4는 도 3에 도시된 기판 표면처리 장치의 I-I선을 절개하여 본 단면도이다. 도 5는 도 3에 도시된 기판 표면처리 장치의 II-II선을 절개하여 본 단면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 장치의 세정액 무화장치의 개략도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예 다른 기판 표면처리 장치가 인시츄(in-situ) 챔버에 수용되어 있는 상태의 평면도이다.1 is a front view of a substrate surface treatment apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a right side view of the substrate surface treatment apparatus shown in FIG. 1. 3 is a plan view of the substrate surface treatment apparatus shown in FIG. 1. 4 is a cross-sectional view taken along line I-I of the substrate surface treatment apparatus shown in FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line II-II of the substrate surface treatment apparatus shown in FIG. 6 is a schematic view of the cleaning liquid atomizing device of the substrate surface treatment apparatus according to the embodiment of the present invention. 7 is a plan view of a substrate surface treatment apparatus in accordance with another embodiment of the present invention in a state of being accommodated in an in-situ chamber.

도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 장치(10)는 기판 안착부(100), 헤드부(200), 헤드부 구동 장치(300) 및 세정 액 무화장치(400)를 포함하여 형성된다. 또한, 기판 표면처리 장치(10)는 기판 세척부(500)를 더 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 기판 표면처리 장치(10)는 기판 건조부(600)를 더 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 기판 표면처리 장치(10)는 헤드컵(700)을 더 포함하여 형성된다. 또한, 기판 표면처리 장치(10)는 실린더 (800)를 더 포함하여 형성된다. 또한, 기판 표면처리 장치(10)는 지지부재(900)를 더 포함하여 형성된다. 본 실시예에서는 기판 표면처리 장치(10)가 단독으로 구성될 수 있으나, 공정 챔버(20) 내에 구비되는 것으로 설명하기로 한다. As shown in FIGS. 1 to 7, the substrate surface treatment apparatus 10 according to the exemplary embodiment of the present invention may include a substrate seating part 100, a head part 200, a head part driving device 300, and a cleaning liquid. It is formed including the atomizer 400. In addition, the substrate surface treatment apparatus 10 may further include a substrate cleaner 500. In addition, the substrate surface treatment apparatus 10 may further include a substrate drying unit 600. In addition, the substrate surface treatment apparatus 10 further includes a head cup 700. In addition, the substrate surface treatment apparatus 10 further includes a cylinder 800. In addition, the substrate surface treatment apparatus 10 further includes a support member 900. In the present embodiment, the substrate surface treatment apparatus 10 may be configured alone, but will be described as being provided in the process chamber 20.

상기 기판 안착부(100)는 안착판(110)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 기판 안착부(100)는 안착판(110)의 하부에 결합되는 안착판 회전수단(120)를 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 기판 안착부(100)는 표면처리가 필요한 기판(11)을 안착시켜 고정하게 된다. 또한, 상기 기판 안착부(100)는 필요한 경우에 안착판 회전수단(120)에 의하여 기판(11)을 회전시키게 된다.The substrate seating part 100 is formed to include a seating plate 110. In addition, the substrate seating unit 100 may further include a seating plate rotating means 120 coupled to the lower portion of the seating plate 110. The substrate seating part 100 seats and fixes the substrate 11 requiring surface treatment. In addition, the substrate seating part 100 rotates the substrate 11 by the seat plate rotating means 120 when necessary.

상기 안착판(110)은 판상으로 형성되며, 상면에 안착되는 기판(11)을 고정된다. 상기 안착판(110)은 반도체 공정 장비에서 웨이퍼와 같은 기판을 장착하는데 사용되는 일반적인 진공 척 또는 정전 척으로 형성된다. 따라서, 상기 안착판(110)이 진공 척으로 형성되는 경우에, 안착판(110)은 표면에 상부로 개방되는 홀이 형성되며, 홀에 별도의 진공라인이 연결되어 상부에 안착되는 기판을 진공을 이용하여 고정하게 된다. 또한, 상기 안착판(110)은 상면에 홀을 구분하는 돌출부들이 형성되어 보다 용이하게 기판을 고정할 수 있도록 형성될 수 있다. 한편, 상기 안착판(110)은 상부에 안착되는 기판을 고정하기 위하여 다양한 형상으로 형성될 수 있 다. The seating plate 110 is formed in a plate shape and is fixed to the substrate 11 seated on the upper surface. The seating plate 110 is formed of a general vacuum chuck or an electrostatic chuck used to mount a substrate such as a wafer in a semiconductor processing equipment. Therefore, when the seating plate 110 is formed of a vacuum chuck, the seating plate 110 is formed with a hole which opens upwards on the surface, and a separate vacuum line is connected to the hole to vacuum the substrate seated thereon. It is fixed by using. In addition, the seating plate 110 may be formed so that protrusions may be formed on the upper surface to fix the substrate. On the other hand, the seating plate 110 may be formed in various shapes to fix the substrate seated on the top.

또한, 상기 안착부(100)는 하면에 형성되는 스핀들 결합수단(111)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 스핀들 결합수단(111)은 블록 형상으로 형성되며 안착판(110)의 하부에 결합된다. 상기 스핀들 결합수단(111)은 안착판(110)과 일체형으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 스핀들 결합수단(111)은 별도로 형성되어, 안착판(110)의 하면에 결합될 수 있다. 상기 스핀들 결합수단(111)에는 안착판 회전부(114)가 결합된다. 또한, 상기 스핀들 결합수단(111)은 안착판 회전부를 구성하는 스핀들이 삽입되어 결합되는 스핀들 삽입홀(112)이 하부 방향으로 형성될 수 있다. In addition, the seating portion 100 may be formed by further comprising a spindle coupling means 111 formed on the lower surface. The spindle coupling means 111 is formed in a block shape and is coupled to the lower portion of the seating plate 110. The spindle coupling means 111 may be integrally formed with the seating plate 110. In addition, the spindle coupling means 111 may be separately formed and coupled to the bottom surface of the seating plate 110. A mounting plate rotating part 114 is coupled to the spindle coupling means 111. In addition, the spindle coupling means 111 may be formed in the downward direction of the spindle insertion hole 112 is inserted into the spindle constituting the mounting plate rotating portion is coupled.

상기 안착판 회전수단(120)은 스핀들(121)과 스핀들 지지수단(122)을 포함하여 형성된다. 상기 안착판 회전수단(120)은 안착판(110)과 안착판(110)의 상부에 고정되어 있는 기판(11)을 함께 회전시키게 된다. 상기 안착판 회전수단(120)은 기판(11)을 회전시켜 기판의 표면에 세정액이 균일하게 분사될 있도록 한다.The seat plate rotating means 120 is formed to include a spindle 121 and the spindle support means 122. The seat plate rotating means 120 rotates the seat plate 110 and the substrate 11 fixed to the upper portion of the seat plate 110 together. The seat plate rotating means 120 rotates the substrate 11 so that the cleaning liquid is uniformly sprayed on the surface of the substrate.

상기 스핀들(121)은 일 단부가 안착판(110)의 하부에 결합된다. 이때, 상기 스핀들(121)은 안착판(110)의 하부에 나사 결합 등에 의하여 직접 결합될 수 있다. 또한, 상기 스핀들(121)은 스핀들 결합수단(111)에 나사 결합 등에 의하여 결합될 수 있다. 또한, 상기 스핀들(121)는 스핀들 결합수단(111)의 하부에 형성된 스핀들 삽입홀(112)에 삽입되어 결합될 수 있다. 상기 스핀들(140)은 별도의 회전 수단(도면에 도시하지 않음)에 연결되어 회전하여 기판 안착부(100)와 기판(11)을 회전시키게 된다.One end of the spindle 121 is coupled to the lower portion of the seating plate 110. In this case, the spindle 121 may be directly coupled to the lower portion of the seating plate 110 by screwing. In addition, the spindle 121 may be coupled to the spindle coupling means 111 by screw coupling. In addition, the spindle 121 may be inserted into the spindle insertion hole 112 formed in the lower portion of the spindle coupling means 111 to be coupled. The spindle 140 is connected to a separate rotation means (not shown) to rotate to rotate the substrate seating portion 100 and the substrate 11.

상기 스핀들 지지수단(122)은 스핀들(121)이 원활하게 회전할 수 있도록 지지하게 된다. 상기 스핀들 지지수단(122)은 별도의 지지부재(900)에 의하여 지지된다. 상기 스핀들 지지수단(122)은 통체형 베어링(122a, 122b)을 포함하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 통체형 베어링(122a, 122b)은 스핀들(121)의 축 방향으로 서로 이격되어 형성되는 한 쌍의 베어링으로 형성되며, 스핀들(121)에 변형이 일어나지 않도록 스핀들(121)의 상부 지점과 하부 지점을 지지하는 역할을 한다. 한편, 상기 스핀들 지지수단(122)은 통체형 베어링 외에도 다양한 형태의 베어링을 포함하는 윤활수단으로 형성될 수 있다. The spindle support means 122 is supported so that the spindle 121 can rotate smoothly. The spindle support means 122 is supported by a separate support member 900. The spindle support means 122 may be formed to include cylindrical bearings (122a, 122b). That is, the cylindrical bearings 122a and 122b are formed as a pair of bearings which are formed to be spaced apart from each other in the axial direction of the spindle 121, and the upper point of the spindle 121 so that deformation does not occur in the spindle 121. It serves to support the lower point. On the other hand, the spindle support means 122 may be formed of lubrication means including a bearing of various forms in addition to the cylindrical bearing.

상기 헤드부(200)는 플라즈마 발생수단(210)와 분사노즐(220)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 헤드부(200)는 노즐 보호판(230)을 더 포함하여 형성될 수 있다.The head part 200 is formed to include the plasma generating means 210 and the injection nozzle 220. In addition, the head part 200 may further include a nozzle protection plate 230.

상기 플라즈마 발생수단(210)은 상압 플라즈마를 발생시켜 기판(11)에 플라즈마를 공급하게 된다. 상기 플라즈마 발생수단(210)은 기판(11)과 대향하는 하면에 소정 폭과 길이를 갖는 슬릿(도면에 도시하지 않음)이 형성되어 플라즈마를 기판(11)의 상면으로 공급하게 된다. 여기서, 길이는 방향은 상기 플라즈마 발생수단(210)은 슬릿의 길이가 기판(11)의 직경보다 크게 되도록 형성된다. 상기 플라즈마 발생수단(210)은 기판(11)의 상면과 전체적으로 균일하게 이격되도록 형성된다. 상기 플라즈마 발생수단(210)은 반도체 공정에서 사용되는 일반적인 플라즈마 발생장치로 형성될 수 있다. The plasma generating means 210 generates an atmospheric pressure plasma to supply plasma to the substrate 11. The plasma generating means 210 is provided with a slit (not shown) having a predetermined width and length on a lower surface facing the substrate 11 to supply plasma to the upper surface of the substrate 11. In this case, the length of the plasma generating means 210 is formed such that the length of the slit is larger than the diameter of the substrate 11. The plasma generating means 210 is formed to be uniformly spaced apart from the upper surface of the substrate 11 as a whole. The plasma generating means 210 may be formed of a general plasma generating apparatus used in a semiconductor process.

상기 분사노즐(220)은 제 1 분사 노즐(220a)과 제 2 분사 노즐(220b)을 포함 하여 형성된다. 이 경우, 분사노즐(220)은 기판(11)의 상부면에서 동일한 이격거리 형성하도록 플라즈마 발생수단(210)의 양 측부에 결합된다. 또한, 분사노즐(220)은 헤드부(200)의 길이 방향과 같은 방향으로 결합된다.The spray nozzle 220 is formed to include a first spray nozzle 220a and a second spray nozzle 220b. In this case, the injection nozzle 220 is coupled to both sides of the plasma generating means 210 to form the same separation distance from the upper surface of the substrate (11). In addition, the injection nozzle 220 is coupled in the same direction as the longitudinal direction of the head portion 200.

여기서, 분사노즐(220)은 도 6에서 보는 바와 같이 복수 개의 세정액 분사홀(221)이 형성된다. 이 경우, 복수 개의 세정액 분사홀(221)은 서로 간에 동일한 크기로 형성되고, 서로 간에 동일한 이격 거리를 두고 형성될 수 있다. 따라서, 복수 개의 세정액 분사홀(221)에서 분사되는 세정액은 균일한 공급량을 유지한 채 기판의 상부면에 공급된다. 또한, 세정액 분사홀(221)은 기판의 상부면과 수직한 방향에 위치하여 세정액이 기판(11)의 상부면 전체에 균일하게 공급되도록 한다. 본 실시예의 경우, 상기 세정액은 탈이온수일 수 있다.Here, the injection nozzle 220 is formed with a plurality of cleaning liquid injection holes 221 as shown in FIG. In this case, the plurality of cleaning liquid injection holes 221 may be formed in the same size with each other, and may be formed with the same separation distance from each other. Therefore, the cleaning liquids injected from the plurality of cleaning liquid injection holes 221 are supplied to the upper surface of the substrate while maintaining a uniform supply amount. In addition, the cleaning liquid injection hole 221 is positioned in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate so that the cleaning liquid is uniformly supplied to the entire upper surface of the substrate 11. In this embodiment, the cleaning liquid may be deionized water.

상기 노즐 보호판(230)는 플라즈마 발생수단(210)와 일체형으로 결합된다. 여기서, 노즐 보호판(230)는 플라즈마 발생수단(210)의 측부에 결합되는 분사노즐(220)을 커버하여 보호한다. 또한, 노즐 보호판(230)은 분사노즐(220)의 일 측을 감싸 헤드부(200)의 구동시 분사노즐(220)이 유동하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이 경우, 노즐 보호판(230)은 투명한 수지 재질로 형성될 수 있으며, 염화비닐 수지(PVC)로 형성되는 것이 바람직하다.The nozzle protection plate 230 is integrally coupled with the plasma generating means 210. Here, the nozzle protection plate 230 covers and protects the injection nozzle 220 is coupled to the side of the plasma generating means (210). In addition, the nozzle protection plate 230 surrounds one side of the injection nozzle 220 and prevents the injection nozzle 220 from flowing when the head 200 is driven. In this case, the nozzle protection plate 230 may be formed of a transparent resin material, and preferably formed of vinyl chloride resin (PVC).

상기 헤드부 구동 장치(300)는 상부 이송판(310), 제 1 이송판(320), 제 2 이송판(330) 및 구동부(340)를 포함하여 형성된다. The head driving device 300 includes an upper transfer plate 310, a first transfer plate 320, a second transfer plate 330, and a driver 340.

상기 상부 이송판(310)은 플라즈마 발생수단(210)과 일체형으로 형성된다. 이 경우, 상부 이송판(310)은 하부에 플라즈마 발생수단(210)이 결합된다. 또한, 상부 이송판(310)은 일 단부(321)가 제 1 이송판(320)과 결합되고, 반대 단부(122b)가 제 2 이송판(330)과 결합된다. 여기서, 상부 이송판(310)은 플라즈마 발생수단(210)의 하부면이 기판(11)의 상부면과 동일한 이격거리를 이루도록 플라즈마 발생수단(210)와 평행하게 결합된다. 이 경우, 상부 이송판(310)은 제 1 이송판(320)과 제 2 이송판(142)에 수직하게 결합되어 플라즈마 발생수단(210)의 하부면이 기판의 상부면과 동일한 이격거리를 이루도록 한다. 이러한 상부 이송판(310)는 플라즈마 발생수단(210) 및 분사노즐(220)의 무게를 지탱할 수 있도록 스테인레스 스틸과 같이 강도가 강한 금속재질로 형성될 수 있다.The upper transfer plate 310 is integrally formed with the plasma generating means 210. In this case, the upper transfer plate 310 is coupled to the plasma generating means 210 at the bottom. In addition, one end 321 of the upper transfer plate 310 is coupled to the first transfer plate 320, and the opposite end 122b is coupled to the second transfer plate 330. Here, the upper transfer plate 310 is coupled in parallel with the plasma generating means 210 such that the lower surface of the plasma generating means 210 forms the same separation distance as the upper surface of the substrate 11. In this case, the upper transfer plate 310 is vertically coupled to the first transfer plate 320 and the second transfer plate 142 so that the lower surface of the plasma generating means 210 has the same separation distance as the upper surface of the substrate. do. The upper transfer plate 310 may be formed of a strong metal material such as stainless steel so as to support the weight of the plasma generating unit 210 and the injection nozzle 220.

상기 제 1 이송판(320)은 일 단부는 상부 이송판(310)의 일 단부(311)와 수직으로 연결되어 결합한다. 또한, 제 1 이송판(320)은 제 1 가이드 레일부(341)와 연결된다. One end of the first transfer plate 320 is vertically connected to one end 311 of the upper transfer plate 310 to be coupled. In addition, the first transfer plate 320 is connected to the first guide rail part 341.

상기 제 2 이송판(330)은 일 단부가 상부 이송판(310)의 타 단부(312)와 수직으로 연결되어 결합한다. 또한, 제 2 이송판(330)은 단부가 제 2 가이드 레일부(342)의 기판 안착부(100)에 삽입되어 직선의 경로로 이동된다. 여기서, 제 1 이송판(320)과 제 2 이송판(330)은 헤드부(200)와 수직하게 연결되어 있으므로, 서로 간에 평행하게 배치된다.One end of the second transfer plate 330 is vertically connected to the other end 312 of the upper transfer plate 310 to be coupled. In addition, an end portion of the second transfer plate 330 is inserted into the substrate seating portion 100 of the second guide rail portion 342 and moved in a straight path. Here, since the first transfer plate 320 and the second transfer plate 330 are vertically connected to the head portion 200, they are disposed in parallel to each other.

상기 구동부(340)는 제 1 가이드 레일부(341), 제 2 가이드 레일부(342), 볼 스크류 삽입판(343), 볼 스크류(344), 모터(345), 고정판(346) 및, 타이밍 밸트(347)를 포함하여 형성된다. 여기서, 구동부(340)는 헤드부(200)와 결합되는 상부 이송판(310), 제 1 이송판(320) 및, 제 2 이송판(330)를 이송시키는 역할을 한 다.The driving part 340 includes a first guide rail part 341, a second guide rail part 342, a ball screw insertion plate 343, a ball screw 344, a motor 345, a fixing plate 346, and a timing. It is formed including a belt (347). Here, the driving unit 340 serves to transfer the upper transfer plate 310, the first transfer plate 320 and the second transfer plate 330 coupled to the head 200.

상기 제 1 가이드 레일부(341)는 제 1 가이드(341a)와 제 1 레일(341b)을 포함하여 형성된다. 여기서, 제 1 가이드 레일부(341)는 제 1 이송판(320)이 직선으로 경로로 이동할 수 있도록 구속시키는 역할을 하며, 제 1 이송판(320)이 부드럽게 움직일 수 있도록 마찰력을 감소시키는 역할을 한다.The first guide rail portion 341 is formed to include a first guide 341a and a first rail 341b. Here, the first guide rail portion 341 serves to restrain the first conveying plate 320 to move in a straight line, and to reduce the friction force so that the first conveying plate 320 can move smoothly. do.

상기 제 1 가이드(341a)는 일 면이 제 1 이송판(320)의 일 면과 연결된다. 이 경우, 제 1 가이드(341a)와 제 1 이송판(320)은 결합부속에 의해 서로 간에 결합될 수 있다. 또한, 제 1 가이드(341a)는 측면에 제 1 레일(341b)이 삽입될 수 있는 제 1 레일 삽입홈(341c)이 형성된다. 여기서, 제 1 가이드(341a)와 제 1 레일(341b)은 서로 간에 점 접촉 및, 면 접촉된다. 따라서, 제 1 가이드(341a)와 제 1 레일(341b)은 서로 간에 맞닿는 부위의 마찰력이 줄어들게 된다. 본 실시예에서 예시된 제 1 가이드 레일부(341)는 제 1 이송판(320)을 직선의 경로로 이송시키는 역할을 한다.One surface of the first guide 341a is connected to one surface of the first transfer plate 320. In this case, the first guide 341a and the first transfer plate 320 may be coupled to each other by a coupling part. In addition, the first guide 341a has a first rail insertion groove 341c into which the first rail 341b can be inserted. Here, the first guide 341a and the first rail 341b are in point contact and surface contact with each other. Therefore, the frictional force of the portion where the first guide 341a and the first rail 341b abut each other is reduced. The first guide rail portion 341 illustrated in the present embodiment serves to transfer the first transfer plate 320 in a straight path.

상기 제 1 레일(341b)는 제 1 레일 삽입홈(341c)에 삽입된다. 여기서, 제 1 레일(341b)은 구동부(340)와 연결된다. 이 경우, 제 1 레일(341b)은 구동부(340)의 고정판(346)과 결합되어 고정될 수 있다.The first rail 341b is inserted into the first rail insertion groove 341c. Here, the first rail 341b is connected to the driving unit 340. In this case, the first rail 341b may be coupled to and fixed to the fixing plate 346 of the driving unit 340.

상기 제 2 가이드 레일부(342)는 제 2 가이드(342a)와 제 2 레일(342b)을 포함하여 형성된다.The second guide rail unit 342 is formed to include a second guide 342a and a second rail 342b.

상기 제 2 가이드(342a)는 일 면이 제 2 이송판(330)의 하부 면과 연결된다. 또한, 제 2 가이드(342a)는 하부면에 제 2 레일(342b)이 삽입될 수 있는 제 2 레일 삽입홈(342c)이 형성된다. 여기서, 제 2 가이드(342a)와 제 2 레일(342b)은 서로 간에 점 접촉 및, 면 접촉된다. 따라서, 제 2 가이드(342a)와 제 2 레일(342b)은 서로 간에 맞닿는 부위의 마찰력이 줄어들게 된다. 본 실시예에서 예시된 제 2 가이드 레일부(342)는 제 2 이송판(330)을 직선의 경로로 이송시키는 역할을 한다.One surface of the second guide 342a is connected to the lower surface of the second transfer plate 330. In addition, the second guide 342a is formed with a second rail insertion groove 342c into which the second rail 342b may be inserted. Here, the second guide 342a and the second rail 342b are in point contact and surface contact with each other. Therefore, the frictional force of the portion where the second guide 342a and the second rail 342b abut each other is reduced. The second guide rail unit 342 illustrated in the present embodiment serves to transfer the second transfer plate 330 in a straight path.

상기 제 2 레일(342b)은 제 2 레일 삽입홈(342c)에 삽입된다. 또한, 제 2 레일(342b)의 하부면은 지지부재(900) 결합되어 고정된다.The second rail 342b is inserted into the second rail insertion groove 342c. In addition, the lower surface of the second rail 342b is coupled to and fixed to the support member 900.

본 실시예에서 제 1 가이드 레일부(341)와 제 2 가이드 레일부(342)가 결합되는 위치는 제 1 이송판(320) 및 제 2 이송판(330)들의 형상에 따라 하부 결합 또는 측부 결합등으로 다양하게 변경될 수 있다.In the present embodiment, the position at which the first guide rail portion 341 and the second guide rail portion 342 are coupled is a bottom coupling or side coupling depending on the shape of the first transfer plate 320 and the second transfer plate 330. It may be variously changed.

상기 볼 스크류 삽입판(343)는 제 1 이송판(320)의 넓은 일면과 결합한다. 또한, 볼 스크류 삽입판(343)는 중앙에 볼 스크류 삽입홀(343a)이 형성된다. 볼 스크류 삽입홀(343a)에는 볼 스크류(344)가 삽입된다. 이 경우, 볼 스크류 삽입홀(343a)은 내측에 나사산이 형성된다. 볼 스크류 삽입홀(343a)의 내측에 형성되는 나사산은 볼 스크류(344)의 외곽면에 형성되는 나사산과 스크류 결합을 하게 된다. 따라서, 볼 스크류 삽입판(343)은 볼 스크류(344)의 회전시 제 1 이송판(320)의 축방향으로 이동하게 된다. 이 경우, 볼 스크류 삽입판(343)은 고정판(131d)과 결합되어 있으므로, 제 1 이송판(320)은 제 1 가이드 레일부(341)의 길이방향으로 이동하게 된다. 더불어, 제 1 이송판(320)은 상부 이송판(310)와 결합되어 있으므로, 상부 이송판(310)과 결합되는 플라즈마 발생수단(210) 및 분사노즐(220)는 제 1 이송판(320)의 이동 경로와 같은 방향으로 이동하게 된다.The ball screw insertion plate 343 is coupled to a wide surface of the first transfer plate 320. In addition, the ball screw insertion plate 343 is formed with a ball screw insertion hole (343a) in the center. The ball screw 344 is inserted into the ball screw insertion hole 343a. In this case, the screw thread is formed inside the ball screw insertion hole 343a. The screw thread formed inside the ball screw insertion hole 343a is screwed with the screw thread formed on the outer surface of the ball screw 344. Accordingly, the ball screw insertion plate 343 moves in the axial direction of the first transfer plate 320 when the ball screw 344 rotates. In this case, since the ball screw insertion plate 343 is coupled to the fixed plate 131d, the first transfer plate 320 is moved in the longitudinal direction of the first guide rail portion 341. In addition, since the first transfer plate 320 is coupled to the upper transfer plate 310, the plasma generating means 210 and the injection nozzle 220 coupled to the upper transfer plate 310 are the first transfer plate 320. It moves in the same direction as the movement path of.

상기 볼 스크류(344)는 막대형상으로 형성되고, 외주면에 나사산이 형성된다. 또한, 볼 스크류(344)는 볼 스크류 삽입판(343)의 볼 스크류 삽입홀(343a)에 삽입된다. 또한, 볼 스크류(344)는 단부에는 타이밍 밸트(347)와 연결된다. 이 경우, 타이밍 밸트(347)는 모터(345)의 회전축과 연결된다. 따라서, 볼 스크류(344)는 모터(345)의 회전시 타이밍 밸트(347)의 회전에 의해 볼 스크류(344)의 중심축을 기준으로 회전하게 된다.The ball screw 344 is formed in a rod shape, the thread is formed on the outer peripheral surface. In addition, the ball screw 344 is inserted into the ball screw insertion hole 343a of the ball screw insertion plate 343. In addition, the ball screw 344 is connected to the timing belt 347 at the end. In this case, the timing belt 347 is connected to the rotation shaft of the motor 345. Therefore, the ball screw 344 is rotated about the central axis of the ball screw 344 by the rotation of the timing belt 347 when the motor 345 rotates.

상기 모터(345)는 회전축이 타이밍 밸트(347)와 연결되고, 모터(345)는 회전에 의한 회전을 타이밍 밸트(347)에 전달시켜 볼 스크류(344)를 회전시킨다. 이 경우, 모터(345)는 마이크로 컨트롤러 유닛과 같은 구동 회로와 전기적으로 연결되고, 마이크로 컨트롤러 유닛에서 공급되는 제어신호를 입력 받아 정방향 또는 역방향으로 회전하게 된다.The motor 345 has a rotation shaft connected to the timing belt 347, and the motor 345 rotates the ball screw 344 by transmitting the rotation by the rotation to the timing belt 347. In this case, the motor 345 is electrically connected to a driving circuit such as a microcontroller unit, and receives a control signal supplied from the microcontroller unit to rotate in a forward or reverse direction.

상기 고정판(346)은 일 면에 제 1 레일(341b) 및, 모터(345)가 결합되어 이들을 고정시키는 역할을 한다. 여기서, 고정판(346)은 지지부재(900)와 결합되어 고정된다.The fixing plate 346 is coupled to the first rail 341b and the motor 345 on one surface thereof, and serves to fix them. Here, the fixing plate 346 is coupled to the support member 900 is fixed.

상기 타이밍 밸트(347)는 모터(345)의 회전축과 볼 스크류(344)의 회전축이 상호 간에 회전하도록 모터(345)의 회전축과 볼 스크류(344)의 회전축을 연결시킨다. The timing belt 347 connects the rotating shaft of the motor 345 and the rotating shaft of the ball screw 344 so that the rotating shaft of the motor 345 and the rotating shaft of the ball screw 344 rotate with each other.

상기 구동부(340)는 상기 제 1 이송판(320)을 상기 제 1 가이드 레일부(341)를 따라 이송시키므로, 제 1 이송판(320)과 결합된 헤드부(200)를 이송시키게 된다. 이 경우, 헤드부(200)는 제 2 이송판(330)과도 수직하게 결합되어 있으므로, 제 2 이송판(310)을 제 2 가이드 레일부(342)의 길이방향으로 따라 이송시키게 된다. 여기서, 이송 방향은 도 3에 도시된 화살표 방향이다. 따라서, 헤드부(200)의 하부면은 기판(11)의 상부면과 동일한 이격거리를 유지한 상태로 이동하게 된다. 그에 따라, 플라즈마 발생수단(210)는 기판(11)의 상부 표면 전체에 균일한 플라즈마가 공급되도록 하여 기판(11)의 표면을 균일하게 활성화 시키게 된다. 더불어, 플라즈마 발생수단(210)와 일체형으로 형성되는 분사 노즐(220)도 기판(11)의 상부 면과 동일한 이격거리를 형성한다. 따라서, 기판(11)의 표면에는 세정액이 균일하게 공급 된다. Since the driving unit 340 transfers the first transfer plate 320 along the first guide rail portion 341, the driving unit 340 transfers the head 200 coupled to the first transfer plate 320. In this case, since the head 200 is also vertically coupled to the second transfer plate 330, the second transfer plate 310 is transferred along the length direction of the second guide rail portion 342. Here, the conveyance direction is the arrow direction shown in FIG. Therefore, the lower surface of the head portion 200 is moved while maintaining the same separation distance as the upper surface of the substrate (11). Accordingly, the plasma generating means 210 is to uniformly activate the surface of the substrate 11 by supplying a uniform plasma to the entire upper surface of the substrate (11). In addition, the injection nozzle 220 formed integrally with the plasma generating means 210 also forms the same separation distance as that of the upper surface of the substrate 11. Therefore, the cleaning liquid is uniformly supplied to the surface of the substrate 11.

상기 세정액 무화장치(400)는 무화용 용기(410) 및, 초음파 진동자(420)를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 세정액 무화장치(400)는 제 1 배관(430), 개폐 밸브(440) 및, 제 2 배관(450)을 더 포함하여 형성될 수 있다.The cleaning liquid atomizing apparatus 400 may be formed to include the atomizing container 410 and the ultrasonic vibrator 420. In addition, the cleaning liquid atomizer 400 may be formed by further comprising a first pipe 430, the opening and closing valve 440, and the second pipe 450.

상기 무화용 용기(410)는 질소 가스가 유입되는 질소 가스 공급홀(411)과, 증기가 유입되며 주변에 초음파 진동자(420)가 설치되는 세정액 공급홀(412) 및, 무화된 증기가 빠져 나가는 배출홀(413)이 형성된다.The atomizing container 410 has a nitrogen gas supply hole 411 through which nitrogen gas is introduced, a cleaning liquid supply hole 412 through which an ultrasonic vibrator 420 is installed, and vaporized vapor flows out, and vaporized vapor exits. The discharge hole 413 is formed.

상기 초음파 진동자(420)는 무화용 용기(410)의 증기 공급홀(412)의 주변에 설치되며, 증기 공급홀(412)에서 공급되는 증기에 초음파를 가하여 증기 입자를 무화시키는 역할을 한다. 이 경우, 무화된 증기는 탈이온수로 형성될 수 있다. 여기서, 질소 가스는 무화된 증기를 더욱 기화시키게 되므로, 무화된 증기의 입자 크기는 더욱 작아지게 된다.The ultrasonic vibrator 420 is installed around the steam supply hole 412 of the atomization container 410, and serves to atomize the steam particles by applying ultrasonic waves to the steam supplied from the steam supply hole 412. In this case, the atomized vapor may be formed with deionized water. Here, since the nitrogen gas vaporizes the atomized vapor further, the particle size of the atomized vapor becomes smaller.

상기 제 1 배관(430)은 무화된 증기가 빠져 나가는 배출홀(431)과 개폐 밸 브(440)의 입력단(441)을 연결시켜, 배출홀(431)에서 빠져 나가는 무화된 증기를 개폐 밸브로 내보내는 통로 역할을 한다. 이 경우, 제 1 배관(430)은 무화된 수중기를 육안으로 식별할 수 있도록 투브 형태인 투명한 재질의 고분자 수지로 형성될 수 있다.The first pipe 430 connects the discharge hole 431 through which the atomized steam escapes and the input end 441 of the open / close valve 440 to convert the atomized steam exiting from the discharge hole 431 into the open / close valve. It serves as an exit passage. In this case, the first pipe 430 may be formed of a polymer resin of a transparent material having a tub shape so that the atomized underwater group can be visually identified.

상기 개폐 밸브(440)는 입력단에 제 1 배관(430)이 연결되며, 출력단에 제 2 배관(450)이 연결된다. 이 경우, 개폐 밸브(440)는 전자식 마그네틱 개폐 밸브와 같이 외부 전기 신호에 의해 내부 개폐판의 개폐가 제어되는 밸브일 수 있다. 따라서, 개폐 밸브(440)는 외부에서 입력되는 온 신호에 의해 오픈 상태로 되어 무화된 증기로 제 2 배관(450)으로 배출시킨다. 또한, 개폐 밸브(440)는 외부에서 입력되는 오프 신호에 의해 클로즈 상태로 되어 제 2 배관(450)으로 무화된 증기가 빠져 나가게 하지 못하게 하는 역할을 한다. The opening and closing valve 440 is connected to the first pipe 430 to the input terminal, the second pipe 450 is connected to the output terminal. In this case, the opening and closing valve 440 may be a valve in which opening and closing of the internal opening and closing plate is controlled by an external electric signal, such as an electronic magnetic opening and closing valve. Therefore, the on-off valve 440 is opened by the ON signal input from the outside and discharged to the second pipe 450 as atomized steam. In addition, the on-off valve 440 is closed by an off signal input from the outside and serves to prevent the atomized steam from escaping to the second pipe 450.

상기 제 2 배관(450)은 개폐 밸브(440)와 분사노즐(220)를 연결시킨다. 이 경우,제 2 배관(450)은 제 1 배관(430)과 동일한 형상 및 재질로 형성될 수 있다.The second pipe 450 connects the on / off valve 440 and the injection nozzle 220. In this case, the second pipe 450 may be formed of the same shape and material as the first pipe 430.

상기 세정액 무화장치(400)는 분사노즐(220)과 연결되며 세정액을 무화시켜 분사노즐(220)에 공급한다. 보다 상세하게 설명하면, 증기는 무화용 용기(410) 내부에 초음파 진동자(420)에 의해 증기 형태의 입자상으로 무화용 용기(410) 내부를 채우게 되고, 입자상의 수중기는 무화된 상태로 된다. 이 후, 무화된 증기는 개폐 밸브(440)가 오픈 상태일 때, 제 1 배관(430)과 개폐 밸브(440) 및, 제 2 배관(450)을 통과하여 분사노즐(220)의 복수 개의 세정액 분사홀(221) 각각에서 배출된다. 이 경우, 복수 개의 세정액 분사홀(221)은 동일한 크기와 동일한 이격거리를 이루어 형성되어 있으므로, 세정액 분사홀(221)에서는 기판(11)의 표면에 무화된 증기를 균일하게 분사시킨다. 따라서, 기판(11)는 플라즈마 발생수단(123)에서 발생되는 플라즈마와 무화된 증기에 의해 표면이 균일하게 활성화되어 본딩이 가능한 상태로 된다.The cleaning liquid atomizer 400 is connected to the injection nozzle 220 and atomizes the cleaning liquid to supply the injection nozzle 220. In more detail, the vapor is filled into the atomizing container 410 in the form of steam by the ultrasonic vibrator 420 inside the atomizing container 410, the particulate water is in the atomized state. Thereafter, the atomized steam passes through the first pipe 430, the open / close valve 440, and the second pipe 450 when the open / close valve 440 is in an open state. It is discharged from each of the injection holes 221. In this case, since the plurality of cleaning liquid injection holes 221 are formed to have the same size and the same separation distance, the cleaning liquid injection holes 221 uniformly spray the atomized vapor on the surface of the substrate 11. Therefore, the surface of the substrate 11 is uniformly activated by the plasma generated by the plasma generating means 123 and the atomized vapor, and thus the substrate 11 can be bonded.

상기 기판 세척부(500)는 세척액분사용 노즐(510), 세척액 공급배관(520) 및, 세척액 공급배관용 회전축(530)를 포함하여 형성된다.The substrate cleaning unit 500 is formed to include a cleaning liquid spray nozzle 510, the cleaning liquid supply pipe 520, and a rotating shaft 530 for the cleaning liquid supply pipe.

상기 세척액분사용 노즐(510)은 복수 개의 세척액 공급홀(511)이 형성되어 세정액을 분사시키는 역할을 한다.The washing liquid spray nozzle 510 has a plurality of washing liquid supply holes 511 and serves to spray the washing liquid.

상기 세척액 공급배관(520)은 일 단부가 세척액분사용 노즐(510)과 연결된다. 이 경우, 세척액 공급배관(520)은 일 지점이 'ㄱ'자 형태로 절곡된다.One end of the washing liquid supply pipe 520 is connected to the washing liquid injection nozzle 510. In this case, the washing solution supply pipe 520 is one point is bent in the form of ''.

상기 세척액 공급배관용 회전축(530)은 세척액 공급배관(520)의 타단과 연결된다. 여기서, 세척액 공급배관용 회전축(530)은 회전하여 세척액 공급배관(520)의 타단을 기준으로 회전시키게 되며, 세척액 공급배관(520)은 회전에 의해 세척액 공급배관용 노즐(510)이 기판(11)에 상면에 위치되도록 한다. 여기서, 세척액이 세척액분사용 노즐(510)을 통해 공급되면, 기판(11)은 세척액에 의해 세척된다. 한편, 기판(11)의 세척이 끝난 경우, 세척액 공급배관용 회전축(530)은 회전에 의해 세척액분사용 노즐(510)을 헤드부(200)의 이송경로를 밖으로 배치시킬 수 있다.The rotating shaft 530 for the washing liquid supply pipe is connected to the other end of the washing liquid supply pipe 520. Here, the rotating shaft 530 for the washing liquid supply pipe is rotated to rotate based on the other end of the washing liquid supply pipe 520, and the washing liquid supply pipe 520 is rotated by the nozzle 510 for the washing liquid supply pipe by the substrate 11. ) On the top surface. Here, when the washing liquid is supplied through the washing liquid spray nozzle 510, the substrate 11 is washed by the washing liquid. On the other hand, when the cleaning of the substrate 11 is completed, the rotating shaft 530 for the cleaning solution supply pipe may rotate the cleaning solution injection nozzle 510 to the transfer path of the head portion 200 by the rotation.

상기 기판 세척부(500)는 기판 안착부(100)의 주변에 형성되어 기판(11)를 세정시키는 역할을 한다. 기판 세척부(500)는 세척시에만 기판(11)의 상부에 위치하고, 세척이 끝난 경우, 헤드부(200)의 이송경로를 방해하지 않도록 외곽에 위치 하게 된다. 즉, 기판 세척부(500)는 필요시에만 기판(11)를 세정시킬 수 있도록 기판 안착부(100)의 일 측에 구비된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 장치(10)는 세척기능을 구비하여 기판 표면처리 시간을 절감시키게 되므로, 생산성을 향상시키게 된다. 여기서, 세척시 사용되는 세척액은 탈이온수 또는 H2O2-NH4OH-H2O(SC-1)을 사용할 수 있다.The substrate cleaner 500 is formed around the substrate seating part 100 to clean the substrate 11. The substrate cleaning unit 500 is positioned on the upper portion of the substrate 11 only during the cleaning, and when the cleaning is completed, the substrate cleaning unit 500 is located at the outer side so as not to disturb the transfer path of the head unit 200. That is, the substrate cleaner 500 is provided on one side of the substrate seating part 100 so that the substrate 11 can be cleaned only when necessary. Therefore, the substrate surface treatment apparatus 10 according to the embodiment of the present invention has a cleaning function, thereby reducing the substrate surface treatment time, thereby improving productivity. Here, the washing liquid used for washing is deionized water or H2O2-NH4OH-H2O (SC-1) can be used.

상기 기판 건조부(600)는 건조가스 분사용 노즐(610), 건조가스 공급배관(620) 및, 건조가스 공급배관용 회전축(630)을 포함하여 형성된다.The substrate drying unit 600 is formed to include a nozzle for drying gas injection 610, a dry gas supply pipe 620, and a rotation shaft 630 for dry gas supply pipe.

상기 건조가스 분사용 노즐(610)은 복수 개의 질소공급홀(611)이 형성되어 건조 가스를 분사시킨다. 본 실시예의 경우, 건조 가스는 비활성 기체일 수 있다. 특히, 건조가스는 질소 가스로 형성되는 것이 바람직하다. The dry gas injection nozzle 610 is formed with a plurality of nitrogen supply holes 611 to inject dry gas. In the case of this embodiment, the dry gas may be an inert gas. In particular, the dry gas is preferably formed of nitrogen gas.

상기 건조가스 공급배관(620)은 일 단이 건조가스 분사용 노즐(610)과 연결된다. 이 경우, 건조가스 공급배관(620)은 일 지 점이 절곡되어 대략 'ㄱ'형상을 이루게 된다.One end of the dry gas supply pipe 620 is connected to a dry gas injection nozzle 610. In this case, the dry gas supply pipe 620 is bent at one point to form an approximately 'b' shape.

상기 건조가스 공급배관용 회전축(630)은 건조가스 공급배관(620)의 타단과 연결된다. 이 경우, 건조가스 공급배관용 회전축(630)은 회전하여 건조가스 공급배관(620)의 타단을 기준으로 회전시킨다. 따라서, 건조가스 분사용 노즐(610)은 건조가스 공급배관용 회전축(630)에 회전에 의해 기판(11)에 상면에 위치된다. 여기서, 건조 가스가 건조가스 분사용 노즐(610)을 통해 공급되면, 기판(11)는 건조 가스에 의해 건조된다. 한편, 질소가스에 의해 기판(11)의 건조가 끝난 경우, 건조가스 공급배관용 회전축(630)은 회전에 의해 건조가스 분사용 노즐(610)을 헤드 부(200)의 이송경로 밖으로 배치시킬 수 있다.The rotary shaft 630 for the dry gas supply pipe is connected to the other end of the dry gas supply pipe 620. In this case, the rotary shaft for drying gas supply pipe 630 is rotated to rotate based on the other end of the dry gas supply pipe 620. Accordingly, the dry gas injection nozzle 610 is positioned on the upper surface of the substrate 11 by rotating on the rotary shaft 630 for drying gas supply pipe. Here, when the dry gas is supplied through the dry gas injection nozzle 610, the substrate 11 is dried by the dry gas. On the other hand, when the substrate 11 is dried by nitrogen gas, the rotary shaft 630 for drying gas supply pipe may rotate the dry gas injection nozzle 610 out of the transfer path of the head part 200 by rotation. have.

상기 기판 건조부(600)는 기판 안착부(100)의 주변에 형성되어 기판(11)를 건조시키는 역할을 한다. 기판 건조부(600)는 건조시에만 기판(11)의 상부에 위치하고, 건조가 끝난 경우, 헤드부(200)의 이송경로를 방해하지 않도록 외곽에 위치하게 된다. 즉, 기판 건조부(600)는 필요시에만 기판(11)를 세정시킬 수 있도록 기판 안착부(100)의 일 측에 구비된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 장치는 건조기능을 구비하여 기판 표면처리 시간을 절감시키게 되므로, 생산성을 향상시키게 된다.The substrate drying unit 600 is formed around the substrate seating unit 100 to serve to dry the substrate 11. The substrate drying unit 600 is positioned at the upper portion of the substrate 11 only during drying, and when the drying is completed, the substrate drying unit 600 is positioned at the outer side so as not to disturb the transfer path of the head unit 200. That is, the substrate drying unit 600 is provided at one side of the substrate seating unit 100 so that the substrate 11 can be cleaned only when necessary. Therefore, the substrate surface treatment apparatus according to the embodiment of the present invention has a drying function, thereby reducing the substrate surface treatment time, thereby improving productivity.

상기 헤드컵(700)은 스핀들 주변에 형성된다. 이 경우, 헤드컵(700)은 스핀들 통과홀(710)이 형성되고, 스핀들 통과홀(710)에는 스핀들(140)이 통과된다. The head cup 700 is formed around the spindle. In this case, the head cup 700 has a spindle passage hole 710 formed therein, and the spindle 140 passes through the spindle passage hole 710.

상기 실린더(800)는 헤드컵(700)의 하부에 두 개소 이상 결합되어 헤드컵(700)을 수직으로 이송시킨다. 이 경우, 실린더(800)는 도면에 도시되지 않은 모터 구동부에 의해 헤드컵(700)을 수직으로 이송시킬 수 있다.Two or more cylinders 800 are coupled to the lower portion of the head cup 700 to transfer the head cup 700 vertically. In this case, the cylinder 800 may vertically transfer the head cup 700 by a motor driver not shown.

상기 지지부재(900)는 상부 면에 헤드부 구동 장치(300)를 안착시켜 헤드부 구동 장치(300)를 지지하는 역할을 한다. 또한, 지지부재(900)는 안착부 회전수단(120)와 결합하여 안착부 회전수단를 지지하는 역할을 한다.The support member 900 serves to support the head driving device 300 by mounting the head driving device 300 on the upper surface. In addition, the support member 900 serves to support the mounting portion rotating means in combination with the mounting portion rotating means 120.

이하에서는 상기한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 장치의 구동 원리에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter will be described in detail the driving principle of the substrate surface treatment apparatus according to an embodiment of the present invention described above.

본 설명에서는 기판 표면처리 장치용 제어부(미도시)가 기판 표면처리 장 치(10)의 구성요소들이 공정챔버(20) 외부에 배치되어, 기판 표면처리 장치(10)의 구성 요소들 각각을 제어하는 것으로 가정하여 설명하기로 한다. 여기서, 기판 표면처리 장치용 제어부는 프로그래머블 컨트롤러 로직(PLC) 또는 퍼스널 컴퓨터(PC)와 같이 전기소자와 마이크로 컨트롤러 유닛을 포함하여 형성되는 제어 장치이다. In the present description, a controller (not shown) for a substrate surface treatment apparatus is configured such that components of the substrate surface treatment apparatus 10 are disposed outside the process chamber 20 to control each of the components of the substrate surface treatment apparatus 10. It is assumed that the description will be made. Here, the controller for the substrate surface treatment apparatus is a control apparatus including an electric element and a microcontroller unit, such as a programmable controller logic (PLC) or a personal computer (PC).

먼저, 기판 표면처리 장치용 제어부는 외부와 밀폐되는 공정 챔버(20) 내의 기판 안착부(100)에 기판을 준비한다. 이 경우, 기판(10)은 기판 표면처리 장치용 제어부에 의해 구동되는 기판 이송 로봇(30)에 의해 이송되어 기판 안착부(100)에 안착된다. First, the controller for the substrate surface treatment apparatus prepares the substrate in the substrate seating part 100 in the process chamber 20 which is sealed to the outside. In this case, the substrate 10 is transported by the substrate transfer robot 30 driven by the controller for the substrate surface treatment apparatus and seated on the substrate seating portion 100.

이 후, 기판 표면처리 장치용 제어부는 세척액 공급배관용 회전축(530)에 부착된 모터(미도시)를 회전시켜 세척액분사용 노즐(510)을 기판(11)의 상부면에 위치시키게 된다. Subsequently, the control unit for the substrate surface treatment apparatus rotates a motor (not shown) attached to the rotating shaft 530 for cleaning solution supply pipe to position the cleaning solution injection nozzle 510 on the upper surface of the substrate 11.

그런 다음, 기판 표면처리 장치용 제어부는 세척액 공급 밸브(440)(미도시)를 열어 세척액 공급배관(520)에 세정액을 공급시킨다. 여기서, 세척액은 세척액분사용 노즐(510)을 통해 기판(11)의 상부면에 공급된다. 이 경우, 기판(11)의 표면은 세척액에 의해 세척이 이루어지게 된다. 이 경우, 기판(11)를 안착시키는 기판 안착부(100)는 스핀들(140)의 회전에 의해 회전할 수 있다. 그에 따라, 기판(11)는 기판 안착부(100)의 회전에 의해 회전하게 되고, 기판(11)의 상부면에 공급되는 세척액은 기판(11)의 표면 전체에 공급된다. 따라서, 기판(11)는 표면 전체가 골고루 세정된다. 기판 세척부(500)에 의한 기판(11)의 세척 공정이 끝나게 되면, 기판 표면처리 장치용 제어부는 세척액 공급배관용 회전축(530)을 회전시키고, 기판(11)의 상부면에 위치하는 세척액분사용 노즐(510)을 헤드부(200)의 이송 경로 밖으로 배치시키게 된다. Then, the control unit for the substrate surface treatment apparatus opens the cleaning solution supply valve 440 (not shown) to supply the cleaning solution to the cleaning solution supply pipe 520. Here, the washing liquid is supplied to the upper surface of the substrate 11 through the washing liquid spray nozzle 510. In this case, the surface of the substrate 11 is cleaned by the cleaning liquid. In this case, the substrate seating portion 100 on which the substrate 11 is seated may rotate by the rotation of the spindle 140. Accordingly, the substrate 11 is rotated by the rotation of the substrate seating part 100, and the cleaning liquid supplied to the upper surface of the substrate 11 is supplied to the entire surface of the substrate 11. Therefore, the entire surface of the substrate 11 is uniformly cleaned. When the cleaning process of the substrate 11 by the substrate cleaning unit 500 is finished, the control unit for the substrate surface treatment apparatus rotates the rotating shaft 530 for the cleaning liquid supply pipe, and the cleaning liquid powder located on the upper surface of the substrate 11. The use nozzle 510 is placed outside the conveyance path of the head 200.

그런 다음, 기판 표면처리 장치용 제어부는 건조가스 공급배관용 회전축(630)에 부착된 모터(미도시)를 회전시켜 건조가스 분사용 노즐(610)을 기판(11)의 상부면에 위치시키게 된다.Then, the controller for the substrate surface treatment apparatus rotates a motor (not shown) attached to the rotary shaft 630 for dry gas supply pipe to position the dry gas injection nozzle 610 on the upper surface of the substrate 11. .

이 후, 기판 표면처리 장치용 제어부는 건조가스 밸브(미도시)를 열어 공급 건조가스 분사용 노즐(610)을 통해 기판(11)의 상부면에 건조가스를 공급한다. 이 경우, 기판 표면처리 장치용 제어부는 스핀들(140)을 회전시킬 수 있다. 따라서, 기판 안착부(100)는 회전하게 되고, 기판(11)도 회전하게 된다. 따라서, 기판(11)는 회전에 의해 빠른 속도로 세척액이 건조되게 된다. 이 후, 기판(11)의 건조가 끝나게 되면, 기판 표면처리 장치용 제어부는 기판(11)의 상부면에 위치하는 건조가스 분사용 노즐(610)을 헤드부(200)의 이송 경로 밖으로 배치시킨다.Thereafter, the controller for the substrate surface treatment apparatus opens a dry gas valve (not shown) to supply dry gas to the upper surface of the substrate 11 through the supply dry gas injection nozzle 610. In this case, the controller for the substrate surface treatment apparatus may rotate the spindle 140. Thus, the substrate seating portion 100 rotates, and the substrate 11 also rotates. Therefore, the cleaning solution is dried at a high speed by the substrate 11. Thereafter, when drying of the substrate 11 is finished, the control unit for the substrate surface treatment apparatus places the dry gas injection nozzle 610 located on the upper surface of the substrate 11 out of the transfer path of the head part 200. .

이 후, 기판 표면처리 장치용 제어부는 기판(11)가 배치되는 공정 챔버(20) 내의 밸브(미도시)를 열어 플라즈마 발생수단(210)가 상압 플라즈마를 형성하기 위해 질소, 산소, 아르곤(Ar) 및 헬륨(He)으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 가스 또는 이들의 혼합가스를 공급한다.Subsequently, the controller for the substrate surface treatment apparatus opens a valve (not shown) in the process chamber 20 in which the substrate 11 is disposed so that the plasma generating means 210 forms nitrogen, oxygen, argon (Ar) in order to form an atmospheric pressure plasma. And any one selected from the group consisting of helium (He) or a mixture thereof.

그런 다음, 기판 표면처리 장치용 제어부는 헤드부 구동 장치(300)를 구동시키게 되는데, 헤드부 구동 장치(300)는 기판(11)의 상부에 위치하는 헤드부(200)를 기판(11) 상부면과 평행한 이송 경로를 왕복하도록 이송시킨다. 이때, 기판 표면처리 장치용 제어부는 헤드부(200)와 일체형으로 결합되는 플라즈마 발생수단(210)를 구동시켜 기판(11)의 표면에 플라즈마를 발생시키게 된다. 이와 동시에 기판 표면처리 장치용 제어부는 세정액 무화장치(400)를 구동시켜 세정액을 무화시키고, 무화된 세정액을 기판(11)의 상부 표면에 공급하게 된다. Then, the controller for the substrate surface treatment apparatus drives the head driving apparatus 300. The head driving apparatus 300 includes the head 200 positioned on the substrate 11 above the substrate 11. The transfer path parallel to the surface is transferred to reciprocate. At this time, the control unit for the substrate surface treatment apparatus generates a plasma on the surface of the substrate 11 by driving the plasma generating means 210 integrally coupled to the head portion 200. At the same time, the control unit for the substrate surface treatment apparatus drives the cleaning liquid atomizing device 400 to atomize the cleaning liquid, and supplies the atomized cleaning liquid to the upper surface of the substrate 11.

이 경우, 플라즈마 발생수단(123)는 기판(11)와 동일한 이격거리를 이루어 형성되므로, 기판(11)의 표면에 균일한 플라즈마가 공급되게 한다. 또한, 분사노즐(220)은 기판(11)와 동일한 이격거리를 이루어 형성되므로, 기판(11)의 상부면에 균일한 공급량의 세정액이 증기 형태로 공급되게 한다. 따라서, 기판(11)의 표면은 균일하게 활성화 된다. 상압 플라즈마와 세정액을 일정 시간 동안 공급받은 기판(11)의 표면은 활성화 되어 본딩 가능한 상태가 된다. In this case, since the plasma generating means 123 is formed to have the same separation distance as that of the substrate 11, a uniform plasma is supplied to the surface of the substrate 11. In addition, since the injection nozzle 220 is formed to have the same separation distance as the substrate 11, a uniform amount of cleaning liquid is supplied to the upper surface of the substrate 11 in the form of a vapor. Thus, the surface of the substrate 11 is uniformly activated. The surface of the substrate 11 supplied with the atmospheric pressure plasma and the cleaning liquid for a predetermined time is activated to be in a bondable state.

이 후, 기판 표면처리 장치용 제어부는 기판 이송 로봇(30)를 구동시켜, 표면이 활성화된 기판들이 맞닿도록 기판 가압 장치(40)에 적층시킨다. 그런 다음, 기판 가압 장치(40)는 활성화 된 표면들 끼리 서로 간에 맞 닿은 기판들을 압착시켜 두 장의 기판을 본딩시키게 된다. 이 경우, 본딩 기판들 사이에는 균일한 두께의 본딩막이 형성된다.Thereafter, the controller for the substrate surface treatment apparatus drives the substrate transfer robot 30 to stack the substrate on the substrate pressing apparatus 40 so that the substrates on which the surfaces are activated are in contact with each other. Subsequently, the substrate pressurizing device 40 compresses the substrates pressed against each other by the activated surfaces to bond the two substrates together. In this case, a bonding film having a uniform thickness is formed between the bonding substrates.

상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 장치(10)는 기판의 표면을 균일하게 활성화시켜 균일한 두께의 본딩막이 형성되도록 한다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 장치(10)는 기판의 본딩을 위한 세정 공정과 건조공정 및 표면처리 공정을 하나의 공정 챔버에서 진행하므로, 생산성을 향상시키게 된다.As described above, the substrate surface treatment apparatus 10 according to the exemplary embodiment of the present invention uniformly activates the surface of the substrate to form a bonding film having a uniform thickness. In addition, the substrate surface treatment apparatus 10 according to the exemplary embodiment of the present invention performs a cleaning process, a drying process, and a surface treatment process for bonding the substrate in one process chamber, thereby improving productivity.

도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 장치의 정면도. 1 is a front view of a substrate surface treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 기판 표면처리 장치의 우측면도. FIG. 2 is a right side view of the substrate surface treatment apparatus shown in FIG. 1. FIG.

도 3는 도 1에 도시된 기판 표면처리 장치의 평면도. 3 is a plan view of the substrate surface treatment apparatus shown in FIG.

도 4는 도 3에 도시된 기판 표면처리 장치의 I-I선을 절개하여 본 단면도. 4 is a cross-sectional view taken along line I-I of the substrate surface treatment apparatus shown in FIG.

도 5는 도 3에 도시된 기판 표면처리 장치의 II-II선을 절개하여 본 단면도. 5 is a cross-sectional view taken along line II-II of the substrate surface treatment apparatus shown in FIG. 3;

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 장치의 세정액 무화장치의 개략도. 6 is a schematic view of the cleaning liquid atomizing device of the substrate surface treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예 다른 기판 표면처리 장치가 인시츄(in-situ) 챔버에 수용되어 있는 상태의 평면도.FIG. 7 is a plan view of a substrate surface treatment apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention in a state of being accommodated in an in-situ chamber. FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 ; 기판 표면처리 장치 11 ; 기판10; Substrate surface treatment apparatus 11; Board

20 ; 공정 챔버 30 ; 기판 이송 로봇20; Process chamber 30; Substrate Transfer Robot

40 ; 기판 가압 장치 100 ; 기판 안착부40; Substrate pressurizing apparatus 100; Board Seat

110 ; 안착판 120 ; 안착판 회전수단110; Seating plate 120; Seat plate rotation means

121 ; 스핀들121; Spindle

200 ; 헤드부 210 ; 플라즈마 발생수단200; Head 210; Plasma generating means

220 ; 분사노즐230 ; 노즐 보호판 300 ; 헤드부 구동 장치220; Injection nozzle 230; Nozzle protector 300; Head drive device

310 ; 상부 이송판 320 ; 제 1 이송판310; Upper feed plate 320; 1st transfer plate

330 ; 제 2 이송판 340 ; 구동부330; Second transfer plate 340; Driving part

400 ; 세정액 무화장치 410 ; 무화용 용기400; Cleaning liquid atomizing apparatus 410; A container for atomization

420 ; 초음파 진동자 430 ; 제 1 배관420; Ultrasonic vibrator 430; First piping

440 ; 개폐 밸브 450 ; 제 2 배관440; On / off valve 450; 2nd piping

500 ; 기판 세척부 510 ; 세척액분사용 노즐500; Substrate cleaning unit 510; Cleaning Liquid Spray Nozzle

520 ; 세척액 공급배관 530 ; 세척액 공급배관용 회전축520; Washing liquid supply line 530; Rotary shaft for cleaning liquid supply pipe

600 ; 기판 건조부 610 ; 건조가스 분사용 노즐600; Substrate drying unit 610; Dry gas nozzle

620 ; 건조가스 공급배관 630 ; 건조가스 공급배관용 회전축620; Dry gas supply pipe 630; Rotating shaft for dry gas supply pipe

700 ; 헤드컵 800 ; 실린더700; Headcup 800; cylinder

900 ; 지지부재900; Support member

Claims (15)

기판을 안착시키는 기판 안착부;A substrate seating portion for mounting the substrate; 상기 기판의 표면에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단과, 상기 기판에 무화된 세정액을 분사시키는 분사 노즐을 포함하는 헤드부; 및A head portion including plasma generating means for generating a plasma on a surface of the substrate, and a spray nozzle for spraying an atomizing cleaning liquid on the substrate; And 상기 헤드부의 일부를 안착시켜 상기 헤드부를 이송시키는 헤드부 구동 장치를 포함하며,A head part driving device for seating a part of the head part to transfer the head part; 상기 헤드부 구동 장치는 상기 헤드부와 결합하는 상부 이송판, 상기 헤드부의 일 단부와 연결되어 결합하는 제 1 이송판, 상기 헤드부의 타단부와 연결되어 결합하는 제 2 이송판 및, 상기 상부 이송판과 상기 제 1 이송판 및 상기 제 2 이송판을 이송시키는 구동부를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.The head driving device includes an upper transfer plate coupled to the head portion, a first transfer plate coupled to and coupled to one end of the head portion, a second transfer plate coupled to and coupled to the other end of the head portion, and the upper transfer plate. And a drive unit for transferring the plate, the first transfer plate and the second transfer plate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플라즈마 발생수단은 하부면이 상기 기판의 상부면과 균일하게 이격되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.The plasma generating means is a substrate surface treatment apparatus, characterized in that the lower surface is formed to be evenly spaced apart from the upper surface of the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플라즈마 발생수단은 상기 기판의 직경보다 더 큰 길이를 가지고 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.And said plasma generating means is formed to have a length greater than the diameter of said substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사 노즐에서 공급되는 무화된 세정액은 탈이온수인 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.The atomizing cleaning liquid supplied from the spray nozzle is deionized water. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 안착부는 상기 기판을 안착시키는 안착판, 상기 안착판의 하부에 결합되어 상기 기판을 회전시키는 안착판 회전수단을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.The substrate seating unit is a substrate surface treatment apparatus comprising a seating plate for seating the substrate, a mounting plate rotating means coupled to the lower portion of the seating plate to rotate the substrate. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 안착판 회전수단은 상기 안착판의 하부에 결합되는 스핀들과, 상기 스핀들이 중심축을 기준으로 회전하도록 상기 스핀들을 지지하는 스핀들 지지수단을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.The seat plate rotating means is a substrate surface treatment apparatus comprising a spindle coupled to the lower portion of the seating plate, and spindle support means for supporting the spindle so that the spindle rotates about a central axis. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구동부는 상기 제 1 이송판과 결합하는 제 1 가이드 레일부, 상기 제 2이송판과 결합하는 제 2 가이드 레일부, 볼 스크류 삽입홀이 형성되며 상기 제 1 이송판의 일 면에 결합하는 볼 스크류 삽입판, 상기 볼 스크류 삽입홀과 스크류 결합하는 볼 스크류, 상기 볼스크류를 회전시키는 모터 및, 일 면에 상기 볼 스크류 삽입판과 상기 모터가 고정되는 고정판을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.The driving unit includes a first guide rail unit coupled to the first transfer plate, a second guide rail unit coupled to the second transfer plate, a ball screw insertion hole is formed, and a ball coupled to one surface of the first transfer plate. A substrate comprising a screw insertion plate, a ball screw screwed to the ball screw insertion hole, a motor for rotating the ball screw, and a fixed plate to which the ball screw insertion plate and the motor is fixed on one surface Surface treatment device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사 노즐과 연결되며, 상기 세정액을 초음파로 산란시켜 무화시키고, 상기 무화된 세정액과 질소가스를 혼합시킨 상태로 상기 기판에 공급하는 세정액 무화장치를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치. And a cleaning liquid atomization device connected to the spray nozzle, the cleaning liquid atomizing apparatus scattering the cleaning liquid with ultrasonic waves and supplying the cleaning liquid to the substrate in a state in which the atomizing cleaning liquid is mixed with nitrogen gas. Device. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 세정액 무화장치는The cleaning liquid atomizing device 상기 세정액과 질소가스를 혼합시키는 무화용 용기, 상기 무화용 용기 내에 구비되어 상기 세정액을 입자상태로 산란시키는 초음파 진동자, 상기 무화용 용기에서 배출되는 무화된 세정액을 상기 분사노즐에 공급하거나 차단하는 개폐 밸브, 상기 무화용 용기와 상기 개폐 밸브를 연결시키는 제 1 배관 및, 상기 분사 노즐과 상기 개폐 밸브를 연결시키는 제 2 배관을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.An atomization container for mixing the cleaning liquid and nitrogen gas, an ultrasonic vibrator provided in the atomizing container to scatter the cleaning liquid in a particulate state, opening and closing for supplying or blocking the atomizing cleaning liquid discharged from the atomizing container to the injection nozzle And a first pipe connecting the valve, the atomizing container, and the opening / closing valve, and a second pipe connecting the injection nozzle and the opening / closing valve. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 안착부의 주변에 형성되어 상기 기판을 세척시키는 기판 세척부를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.And a substrate cleaner configured to be formed around the substrate seating unit to wash the substrate. 제 11 항에 있어서, The method of claim 11, 상기 기판 세척부는 세척액을 분사시키는 세척액분사용 노즐과, 일 단이 상기 세척액분사용 노즐과 연결되는 세척액 공급배관 및, 상기 세척액 공급배관의 타단과 연결되는 세척액 공급배관용 회전축을 포함하여 형성되며, The substrate cleaning unit includes a washing liquid spray nozzle for spraying the washing liquid, a washing liquid supply pipe connected to one end of the washing liquid spray nozzle, and a rotating shaft for the washing liquid supply pipe connected to the other end of the washing liquid supply pipe. 상기 세척액 공급배관용 회전축은 회전하여 상기 세척액 공급배관의 타단을 기준으로 회전시키고, 상기 세척액 공급배관은 회전에 의해 상기 세척액 공급배관용 노즐이 상기 기판의 상면에 위치되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.The rotating shaft for the cleaning liquid supply pipe is rotated based on the other end of the cleaning liquid supply pipe, the cleaning liquid supply pipe is rotated so that the cleaning liquid supply pipe nozzle is positioned on the upper surface of the substrate by the rotation Processing unit. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 세척액은 탈이온수 또는 H2O2-NH4OH-H2O(SC-1)용액인 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.The cleaning solution is a substrate surface treatment apparatus characterized in that the deionized water or H 2 O 2 -NH 4 OH-H 2 O (SC-1) solution. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 안착부의 주변에 형성되어 상기 기판을 건조시키는 기판 건조부를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.And a substrate drying unit which is formed around the substrate mounting unit to dry the substrate. 제 14 항에 있어서, The method of claim 14, 상기 기판 건조부는 건조가스를 분사시키는 건조가스 분사용 노즐과, 일 단이 상기 건조가스 분사용 노즐과 연결되는 건조가스 공급배관 및, 상기 건조가스 공급배관의 타단과 연결되는 건조가스 공급배관용 회전축을 포함하여 형성되며, The substrate drying unit includes a dry gas injection nozzle for injecting dry gas, a dry gas supply pipe connected to one end of the dry gas injection nozzle, and a rotary shaft for drying gas supply pipe connected to the other end of the dry gas supply pipe. It is formed to include, 상기 건조가스 공급배관용 회전축은 회전하여 상기 건조가스 공급배관이 타단을 기준으로 회전하도록 하고, 상기 건조가스 공급배관은 회전에 의해 상기 건조가스 분사용 노즐이 상기 기판에 상면에 위치되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리 장치.The rotating shaft for the dry gas supply pipe is rotated so that the dry gas supply pipe is rotated based on the other end, and the dry gas supply pipe is formed such that the dry gas injection nozzle is positioned on the substrate by the rotation. A substrate surface treatment apparatus.
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