KR100869313B1 - Apparatus and method for deoxidizing lead-wire of fluorescent lamp - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 냉음극 형광램프의 리드선 환원에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대기압하에서 형성되는 플라즈마를 이용하여 형광램프의 산화된 리드선을 환원처리하는 형광램프의 리드선 환원장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a lead wire reduction of a cold cathode fluorescent lamp, and more particularly, to a lead wire reduction apparatus and method for a fluorescent lamp for reducing the oxidized lead wire of the fluorescent lamp using a plasma formed under atmospheric pressure.
냉음극 형광 램프 리드선의 공정에서 발생하는 리드선 산화막의 제거 방법에 관한 것으로 상세하게는 냉음극 형광 램프 제조 과정에서 리드선에 형성된 열 산화막을 제거하고 표면을 세정하여 솔더링(soldering) 특성을 개선하고 불량을 감소시키기 위해 대기압 플라즈마를 이용하는 표면 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for removing lead oxide from a cathode of a cold cathode fluorescent lamp lead wire. Specifically, in the process of manufacturing a cold cathode fluorescent lamp, a thermal oxide film formed on a lead wire is removed and a surface is cleaned to improve soldering characteristics and to eliminate defects. A surface treatment method using an atmospheric plasma to reduce.
냉음극 형광램프의 제조 공정에서 유리관을 자르거나 램프를 밀봉하기 위한 과정에서 열이 가해지게 되고 가열된 리드선이 공기에 노출되면 표면에 산화막이 형성되게 된다. 이러한 산화막은 후 처리 공정인 솔더링의 불량을 유발하는 주요 원인으로 작용하여 수율과 신뢰성에 영향을 미치게 되므로 산화가 잘 되지 않는 금속을 사용하거나 화학 약품을 사용하여 표면의 산화막을 제거하고 있다. In the manufacturing process of the cold cathode fluorescent lamp, heat is applied in the process of cutting the glass tube or sealing the lamp, and an oxide film is formed on the surface when the heated lead wire is exposed to air. Since the oxide film acts as a main cause of poor soldering, which is a post-treatment process, affecting yield and reliability, the oxide film on the surface is removed by using a metal that is not easily oxidized or using chemicals.
일반적으로 산화된 금속의 표면 처리에는 화학 약품을 사용하는 습식과 가스 를 사용하는 건식의 처리 방법이 사용되고 있다. 이러한 표면 처리 방법들 중 평판 디스플레이 소자, 반도체, PCB 등과 같은 산업에서는 진공의 플라즈마를 이용하여 산화막을 제어하고 있지만 진공 플라즈마의 높은 운용비와 복잡한 장비로 인해 적용이 제한되어 대부분의 산업에서는 습식 표면 처리 방법을 사용하고 있다. 냉음극 형광램프의 산화막 제거 공정은 세정액이 담긴 통에 전극을 수 초 간 담지하는 공정을 2~3회 실시한 후 표면의 화학 약품을 제거하기 위해 증류수를 사용하는 1~2회의 린스 공정을 실시한다. 린스 공정이 끝난 전극은 다시 수분을 증발시키기 위해 공기 중에서 건조하게 된다. Generally, wet treatment using chemicals and dry treatment using gases are used for the surface treatment of oxidized metals. Among the surface treatment methods, such as flat panel display devices, semiconductors, PCBs, etc., the oxide film is controlled using a vacuum plasma, but the application of the surface treatment is limited due to the high operating cost and complicated equipment of the vacuum plasma. I'm using. Oxide film removal process of cold cathode fluorescent lamp is carried out 2 ~ 3 times of supporting electrode for several seconds in the container containing cleaning solution, and then 1 ~ 2 times rinsing process using distilled water to remove chemicals on the surface. . After rinsing, the electrode is dried in air to evaporate moisture.
이러한 습식을 사용하는 공정은 낮은 처리 비용과 간단한 작업으로 인해 현재 대부분의 공정에서 사용되고 있으나 화학약품을 사용함으로 폐수를 발생시켜 환경오염의 원인이 된다. 또한 작업자와 장비를 유해한 화학 약품에 노출시킴으로 인해 사고의 위험이 높다. This wet process is currently used in most of the processes due to the low treatment cost and simple operation, but the use of chemicals causes wastewater and causes environmental pollution. There is also a high risk of accidents by exposing workers and equipment to hazardous chemicals.
이러한 문제를 해결하기 위해 대기압에서 플라즈마를 발생시켜 빠르고 저렴하게 처리가 가능한 기술을 개발하기 위한 많은 시도가 있다. 대기압에서 발생 전압이 낮은 아르곤, 헬륨 등을 사용하여 플라즈마를 발생시킨 후 소량(수%)의 가스를 첨가하여 표면처리를 실시한다. 하지만 대기압 플라즈마 기술은 높은 발생 전압으로 인하여 아크 등의 발생으로 인한 처리물의 손상과 좁은 전극간의 거리로 인해 처리 대상이 제한된다. 또한 전극의 형태가 평판이나 동축의 형태를 띠고 있으므로 처리물이 평평한 형태로 제한되게 된다. 그리고 헬륨과 같은 고가의 가스를 다량 사용함으로 인해 처리 비용이 대폭 증가하게 되고 복잡한 처리 조건으로 인해 성능 을 구현하는 것이 어려운 상황이다. In order to solve this problem, many attempts have been made to develop a technology that generates plasma at atmospheric pressure and can be processed quickly and inexpensively. At atmospheric pressure, plasma is generated using argon, helium, or the like having a low generated voltage, and a small amount (several%) of gas is added to perform surface treatment. Atmospheric pressure plasma technology, however, is limited in the processing target due to the damage of the processing due to the generation of arcs and the narrow distance between the electrodes due to the high generated voltage. In addition, since the electrode is in the form of a flat plate or coaxial, the treatment is limited to the flat form. In addition, the use of a large amount of expensive gas such as helium increases the processing cost significantly, it is difficult to realize the performance due to complex processing conditions.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 화학 약품을 사용하지 않고 대기압 플라즈마를 이용하여 형광램프의 산화된 리드선을 친환경적으로 환원처리하는 냉음극 형광램프의 리드선 환원장치를 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a lead wire reducing apparatus for a cold cathode fluorescent lamp, which environmentally reduces an oxidized lead wire of a fluorescent lamp using atmospheric pressure plasma without using a chemical.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 화학 약품을 사용하지 않고 대기압 플라즈마를 이용하여 형광램프의 산화된 리드선을 친환경적으로 환원처리하는 냉음극 형광램프의 리드선 환원방법을 제공하는데 있다. Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a method for reducing lead wires of cold cathode fluorescent lamps which environmentally reduce oxidized lead wires of fluorescent lamps using atmospheric pressure plasma without using chemicals.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 냉음극 형광램프의 리드선 환원장치는, 리드선이 산화된 형광램프를 이송시키는 이송부; 전원전극과 접지전극 사이에 대기압 하에서 플라즈마 발생 가스를 공급하면서 전원을 인가하여 상기 리드선을 환원시키는 적어도 하나 이상의 플라즈마 처리부; 상기 리드선의 재산화를 방지하기 위해 상기 리드선을 비활성 가스로 냉각시키는 적어도 하나 이상의 냉각부; 상기 플라즈마 처리부로 전원을 공급하기 위한 전원공급부; 및 상기 플라즈마 처리부로 가스를 공급하기 위한 가스공급부를 포함한다. The lead wire reducing apparatus of a cold cathode fluorescent lamp according to the present invention for achieving the technical problem, the transfer unit for transferring the fluorescent lamp oxidized lead wire; At least one plasma processing unit for reducing the lead wire by applying power while supplying a plasma generating gas under atmospheric pressure between a power supply electrode and a ground electrode; At least one cooling unit cooling the lead wire with an inert gas to prevent reoxidation of the lead wire; A power supply unit for supplying power to the plasma processing unit; And a gas supply unit for supplying gas to the plasma processing unit.
상기 플라즈마 발생가스는 수소, 질소 및 아르곤을 포함하는 것이 바람직하다. The plasma generating gas preferably contains hydrogen, nitrogen, and argon.
상기 수소는 아르곤 대비 1 ~ 15%를 사용하고, 상기 질소는 아르곤 대비 1 ~ 5%를 사용하는 것이 바람직하다. The hydrogen is used 1 to 15% relative to argon, the nitrogen is preferably used 1 to 5% relative to argon.
상기 전원공급부는, 주파수 10kHz ~ 100MHz의 교류 전압을 공급하는 것이 바람직하다. Preferably, the power supply unit supplies an AC voltage having a frequency of 10 kHz to 100 MHz.
냉음극 형광램프의 리드선 환원장치는, 플라즈마 발생가스가 상기 리드선 원주를 따라 골고루 접촉하도록 하기 위해, 상기 형광램프를 회전시키는 램프회전부를 더 포함한다. The lead wire reducing apparatus of the cold cathode fluorescent lamp further includes a lamp rotating unit for rotating the fluorescent lamp so that the plasma generating gas is evenly contacted along the lead wire circumference.
냉음극 형광램프의 리드선 환원장치는, 상기 플라즈마 처리부에서의 반응속도를 빠르게 하기 위해, 상기 플라즈마 처리부로 도입되는 상기 리드선을 예열시키는 예열부를 더 포함한다. The lead wire reducing apparatus of the cold cathode fluorescent lamp further includes a preheating unit for preheating the lead wire introduced into the plasma processing unit in order to speed up the reaction rate in the plasma processing unit.
상기 전원전극은, 타원형이고, 유전체에 의해 둘러싸여 있는 것이 바람직하다. Preferably, the power supply electrode is elliptical and surrounded by a dielectric.
상기 접지전극은, 계단형 또는 사선형인 것이 바람직하다. It is preferable that the ground electrode is stepped or oblique.
상기 냉각부는, 질소, 수소, 아르곤, 헬륨, 네온 가스 또는 이들의 혼합가스 중 어느 하나의 가스를 사용하여 상기 리드선을 냉각시키는 것이 바람직하다. It is preferable that the said cooling part cools the said lead wire using any one of nitrogen, hydrogen, argon, helium, neon gas, or these mixed gases.
상기 플라즈마 처리부와 상기 냉각부 사이에 단열재를 설치하여 상기 플라즈마 처리부로부터의 열이 상기 냉각부로 전달되는 것을 방지하는 것이 바람직하다. It is preferable to provide a heat insulating material between the plasma processing unit and the cooling unit to prevent heat from the plasma processing unit from being transferred to the cooling unit.
상기 플라즈마 처리부 및 상기 냉각부는 각각 2개이어서, 상기 냉음극 형광램프의 양단의 리드선을 동시에 환원처리할 수 있다. Two plasma processing units and two cooling units may be used to simultaneously reduce lead wires at both ends of the cold cathode fluorescent lamp.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 냉음극 형광램프의 리드선 환원방법은, 리드선이 산화된 형광램프를 이송시키는 단계; 대기압 하에서 수소를 포함하는 플라즈마 발생 가스를 공급하면서 전원을 인가하여 상기 리드선의 산화막을 환원시키는 단계; 및 상기 리드선의 재산화를 방지하기 위해 냉각시키는 단계를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method for reducing a lead wire of a cold cathode fluorescent lamp, the method comprising: transferring a fluorescent lamp in which lead wires are oxidized; Reducing the oxide film of the lead wire by applying power while supplying a plasma generating gas including hydrogen under atmospheric pressure; And cooling to prevent reoxidation of the lead wires.
본 발명에 따르면, 화학 약품을 사용함으로 인해 발생하는 환경오염을 방지 할 수 있고, 인라인 공정이 가능한 저렴한 대기압 플라즈마 설비를 이용하여 산화물을 제거하여 솔더링 특성을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, it is possible to prevent environmental pollution caused by the use of chemicals, it is possible to improve the soldering characteristics by removing the oxide by using a low-cost atmospheric plasma equipment capable of in-line process.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로서, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 대하여, 동일한 참조부호는 동일한 부재임을 나타낸다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. For each figure, like reference numerals denote like elements.
도 1은 본 발명에 따른 냉음극 형광램프의 리드선 환원장치(100)의 블록도를 도시한 것이다. 1 is a block diagram of a lead
도 1을 참조하면, 냉음극 형광램프의 리드선 환원장치(100)는 이송부(110), 플라즈마 처리부(120), 냉각부(130), 전원공급부(140) 및 가스공급부(155)를 구비한다. Referring to FIG. 1, the lead
이송부(110)는 냉음극 형광램프(200)(이하, 형광램프라 함)를 플라즈마 처리 부(120)로 도입시킨다. 이송부(110)는 형광램프(200)의 일단이 커팅부(180), 플라즈마 처리부(120) 및 냉각부(130)를 통과시키도록 냉음극 형광램프(200)를 이송시킨다. The
플라즈마 처리부(120)는 대기압 하에서 수소를 포함하는 공정가스 및 플라즈마 발생 가스를 공급하면서 전원을 인가하여 형광램프(200)의 리드선을 환원시킨다. The
형광램프(200)의 일단이 커팅부(180)를 통과된 후, 플라즈마 처리부(120)는 대기압의 플라즈마를 이용하여 산화된 냉음극 형광램프(200)의 리드선을 환원하기 위해 플라즈마 발생영역에서 수소 가스가 포함된 플라즈마로 표면 처리 환원한다. After one end of the
이때, 플라즈마에 의해서 환원이 이루어지는 반응은 다음과 같다. At this time, the reaction is reduced by the plasma is as follows.
또한, 플라즈마 발생가스는 수소와 불활성 캐리어 가스를 포함한다. 수소는 산화막 내의 산소를 반응시켜 제거하기 위한 물질이다. 불활성 캐리어 가스는 플라즈마 발생 전압을 낮추어, 형광램프(200)에 가해지는 열충격으로 인한 유전체 파괴를 감소시킬 수 있다. The plasma generating gas also contains hydrogen and an inert carrier gas. Hydrogen is a substance for reacting and removing oxygen in an oxide film. The inert carrier gas lowers the plasma generation voltage, thereby reducing dielectric breakdown due to thermal shock applied to the
플라즈마 발생가스는 질소를 더 포함할 수 있다. 질소는 플라즈마 처리의 효율을 높이고 표면 세정을 위한 것이다. The plasma generating gas may further include nitrogen. Nitrogen is intended to increase the efficiency of the plasma treatment and to clean the surface.
냉각부(130)는 플라즈마 처리부(120)에서 플라즈마 환원 처리된 리드선이 재산화되는 것을 방지하기 위해, 형광램프(200)를 비활성 가스로 냉각시킨다. 냉각부(130)는 질소, 수소, 아르곤, 헬륨, 네온 가스 또는 이들의 혼합가스 중 어느 하나의 가스를 사용하여 리드선을 냉각시킨다. The
플라즈마 처리부(120)와 냉각부(130) 사이에는 단열재(미도시)를 설치하여 플라즈마 처리부(120)로부터 열이 냉각부(130)로 전달되는 것을 방지함으로써, 냉각부(130)의 냉각 효율을 증가시킬 수 있다. By installing a heat insulating material (not shown) between the
전원 공급부(140)는 플라즈마 처리부(120)로 전원을 공급한다. 이대, 공급되는 전원은 10kHz ~ 100MHz의 교류 전압이 사용된다. The
가스 공급부(155)는 플라즈마 처리부(120)로 플라즈마 발생가스를 공급하며, 유량조절부(150)는 가스공급부(155)에서 공급되는 가스의 유량을 조절한다. The
또한, 리드선 환원장치(100)는 형광램프(200)를 이송부로 공급하는 공급장치(210), 커팅부(180)로 도입되는 형광램프(200)를 정렬시키는 제1 정렬부(220), 플라즈마 처리부(120)로 도입되는 형광램프(200)를 정렬시키는 제2 정렬부(230) 및 냉각부(130)를 통과한 형광램프를 수집하는 수집장치(240)를 더 포함한다. In addition, the lead
리드선 환원장치(100)는 형광램프(200)의 일단의 리드선을 환원처리한다. 다른 방법으로는, 리드선 환원장치(100)는 형광램프(200) 양단의 리드선을 동시에 환원처리할 수 있다. 이러한 리드선 환원장치(100)가 도 7에 도시된다. The lead
도 7에 도시된 리드선 환원장치(100)의 다른 실시예는, 도 1에 도시된 실시예의 구성에 더하여, 형광램프(200)의 타단의 리드선을 환원처리하는 플라즈마 처 리부(122) 및 형광램프(200)의 타단의 리드선을 냉각시키는 냉각부(132)를 더 포함한다. In another embodiment of the lead
한 쌍의 플라즈마 처리부(120, 122)는 형광램프(200)의 양단의 리드선을 동시에 플라즈마 환원처리하고, 한 쌍의 냉각부(130, 132)는 형광램프(200)의 양단의 리드선을 동시에 냉각시킨다. The pair of
또한, 형광램프(200)의 타단을 정렬하는 제1 정렬부(222), 형광램프(200)의 타단을 커팅하는 커팅부(182), 형광램프(200)의 타단을 정렬하는 제2 정렬부(232)가 리드선 환원장치(100)에 설치된다. In addition, the
이러한 리드선 환원장치(100)는 형광램프(200)의 양단의 리드선을 동시에 환원처리함으로써, 처리시간을 상당히 단축시킬 수 있다. The lead
도 2는 플라즈마 처리부(120)의 내부 구성을 블록도로 도시한 것이다. 2 is a block diagram illustrating an internal configuration of the
매쳐(matcher)(310)는 전원공급부(140)에서 공급되는 전력이 전극(320)에 최대한 전달되도록 임피던스를 매칭한다. The
전극(320)은 유전체(324)가 코팅된 전원 전극(322) 및 접지 전극(326)을 포함한다. 전극(320)의 구조는 도 3a 및 도 3b에 자세히 도시된다. The
유량조절부(150)는 아르곤 또는 헬륨 가스의 유량을 조절하는 제1 유량조절부(152), 수소 가스의 유량을 조절하는 제2 유량조절부(154) 및 질소가스의 유량을 조절하는 제3 유량조절부(156)를 포함한다. The
제어부(160)는 리드선 환원장치(100)의 전체 동작을 제어한다. 특히, 전원공급부(140)에서 발생하는 전압을 조정하고, 유량조절부(150)가 가스의 유량을 조절 하도록 제어한다. The
도 3a는 전극의 일 실시예를 도시한 것이다. 3A illustrates one embodiment of an electrode.
전원전극(322)은 평판형의 불안정한 아크 발생을 낮추기 위해 원형 또는 타원형으로 하고, 석영으로 된 유전체(324)를 전원전극 주위로 둘러싼다. 전원전극(322)은 플라즈마 처리 면적을 좀 더 크게 하기 위해 원형보다는 타원형으로 이루어지는 것이 바람직하다. The
형광램프(200)의 리드선이 전원전극(322)과 접지전극(326)의 공간에 안정적으로 삽입될 수 있도록 접지전극(326)이 계단형으로 이루어진다. The
또한, 가스 사용량을 줄이기 위해 형광램프(200)의 리드선의 삽입에 필요한 면을 제외한 나머지 면을 커버부(324)로 막을 수 있다. 커버부(324)는 절연체로 이루어진다. In addition, in order to reduce the amount of gas used, the
플라즈마 발생가스를 공급하는 가스 공급구(410)외에 다른 가스 공급구(430)를 설치하여, 가스가 소멸되는 것을 줄일 수 있다. In addition to the
도 3b는 전극의 다른 실시예를 도시한 것이다. 3B illustrates another embodiment of the electrode.
전극의 구조는 도 3a에 도시된 전극과 동일하지만, 접지전극(326)의 형태가 사선형태로 되어 있다는 차이점이 있다. The structure of the electrode is the same as that of the electrode shown in FIG. 3A, except that the shape of the
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 형광램프의 리드선 환원장치의 사시도를 도시한 것이다. 4 is a perspective view of a lead wire reducing apparatus of a fluorescent lamp according to an embodiment of the present invention.
도 4에 도시된 바와 같이, 리드선 환원장치(100)는 형광램프(200)를 수평 상태를 유지하여 이동시키면서 형광램프(200)의 일단의 리드선을 환원처리한다. 다른 방법으로는, 리드선 환원장치(100)는 형광램프(200)를 수직 상태를 유지하여 이동시키면서 환원처리할 수 있다. As shown in FIG. 4, the lead
이송부(110)는 컨베이어 벨트 형태로서, 우측에서 좌측으로 형광램프(200)를 이송시킨다. The
리드선 환원장치(100)의 본체 상부에는 제어부(160)가 설치되고, 제어부(160)의 좌측에는 커팅부(180)가 설치되고, 커팅부(180)의 좌측에는 플라즈마 처리부(120)가 설치되고, 플라즈마 처리부(120)의 좌측에는 냉각부(120)가 설치된다. The
또한, 리드선 환원장치(100)의 본체 전면에는 전원공급부(140) 및 유량조절부(150)가 설치된다. In addition, the front of the main body of the lead
리드선 환원장치(100)는 리드선을 예열하는 예열부(135) 및 형광램프(200)를 회전시키는 램프 회전부(170)를 더 구비한다. The lead
예열부(135)는 플라즈마 처리부(120)의 우측에 설치되며, 램프 회전부(170)는 예열부(135)의 하부에 설치된다. The preheating
예열부(135)는 플라즈마 처리부(120)에서의 반응속도를 빠르게 하기 위해 리드선을 예열한다. The
램프 회전부(170)는 형광램프(200)를 회전시켜, 플라즈마 처리부(120)에서 플라즈마 처리를 할 때, 플라즈마 발생가스가 형광램프(200)의 리드선 원주를 따라 골고루 접촉하여 플라즈마 환원처리가 효율적으로 이루어지도록 한다. The
도 5는 본 발명에 따른 냉음극 형광램프의 리드선 환원방법을 흐름도로 도시한 것이다. 5 is a flowchart illustrating a method of reducing a lead wire of a cold cathode fluorescent lamp according to the present invention.
리드선 환원방법은, 대기압의 플라즈마를 이용하여 산화된 금속(형광램프(200)의 리드선)을 환원하기 위해 산화물(피처리물)의 플라즈마 처리부(120)로 형광램프를 이송하는 단계(S510 단계), 수소 가스가 포함된 플라즈마로 표면 처리 환원하는 단계(S520 단계), 및 비활성 분위기의 상태에서 냉각하는 단계(S530 단계)로 이루어진다. In the lead wire reducing method, a fluorescent lamp is transferred to a
S510 단계에서는, 이송부(110)가 형광램프(200)를 플라즈마 처리부(120)로 이송한다. 형광램프(200)를 플라즈마 처리부(120)로 이송시킬 때, 플라즈마 처리부(120)에서의 반응속도를 빠르게 하기 위해 리드선을 예열할 수 있다. In operation S510, the
S520 단계에서는, 이송부(110)가 형광램프(200)를 이송시켜 형광램프(200)의 리드선이 플라즈마 처리부(120)를 통과하는 동안, 플라즈마 처리부(120)는 가스를 포함한 플라즈마 발생가스를 사용하여 산화된 리드선을 환원처리한다. In step S520, while the
플라즈마 처리를 하기 전에 예열을 할 수도 있지만, S520 단계에서 리드선을 가열할 수 있다. 리드선을 가열하는 이유는 반응속도를 빠르게 하기 위한 것이다. 다른 방법으로는, 플라즈마 발생가스를 가열하여 공급할 수 있다. 플라즈마 발생가스를 가열하여 공급하는 이유는 플라즈마 발생전압을 낮추어 플라즈마 발생을 용이하게 하기 위한 것이다. 바람직하게는 100 ~ 500℃로 리드선을 가열하거나 플라즈마 발생가스를 가열한다. 더욱 바람직하게는 200 ~300℃로 리드선을 가열하거나 플라즈마 발생가스를 가열한다. Although preheating may be performed before the plasma treatment, the lead wire may be heated in operation S520. The reason for heating the lead wire is to increase the reaction speed. Alternatively, the plasma generating gas can be heated and supplied. The reason for heating and supplying the plasma generating gas is to lower the plasma generating voltage to facilitate plasma generation. Preferably, the lead wire is heated to 100 to 500 ° C. or the plasma generating gas is heated. More preferably, the lead wire is heated to 200 to 300 ° C. or the plasma generating gas is heated.
S530 단계에서는, 냉각부(130)는 환원처리한 리드선의 재산화를 방지하기 위해 질소, 수소, 아르곤, 헬륨, 네온 가스 또는 이들의 혼합가스를 공급한 비활성 분위기에서 냉각한다. 리드선이 냉각된 형광램프(200)는 후 공정을 위해 적재된다. In operation S530, the
도 6a 내지 도 6f는 본 발명에 따른 형광램프의 리드선 환원발명의 처리 결과를 나타낸 것이다. 6a to 6f show the results of the treatment of the lead wire reduction invention of the fluorescent lamp according to the present invention.
도 6a는 산화된 리드선을 나타낸 것이고, 도 6b는 산화된 리드선을 솔더링한 결과를 나타낸 것이다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 산화된 리드선을 플라즈마 환원처리하지 않고 솔더링을 하면, 리드선 표면에 이물질이 많이 생긴다. 6A illustrates an oxidized lead wire, and FIG. 6B illustrates a result of soldering the oxidized lead wire. As shown in FIG. 6B, when soldering the oxidized lead wire without plasma reduction treatment, a large amount of foreign substances are generated on the lead wire surface.
도 6c는 플라즈마 환원처리한 리드선을 나타낸 것이고, 도 6d는 플라즈마 환원처리 후 솔더링한 결과를 나타낸 것이다. 도 6d에 도시된 바와 같이, 플라즈마 환원처리한 리드선을 솔더링하면, 도 6b와 비교하여, 리드선 표면에 이물질이 거의 생기지 않는다. FIG. 6C shows a lead wire subjected to plasma reduction treatment, and FIG. 6D shows a result of soldering after plasma reduction treatment. As illustrated in FIG. 6D, when the lead wire subjected to plasma reduction is soldered, foreign matter hardly occurs on the lead wire surface as compared with FIG. 6B.
도 6e 및 도 6f는 도 6c 및 도 6d에 도시된 형광램프를 각각 냉각시키지 않은 경우를 나타낸 것으로서, 도 6c 및 도 6d와 비교하여 리드선이 재산화되어 표면에 산화물이 생긴 모습을 볼 수 있다. 6E and 6F show a case where the fluorescent lamps shown in FIGS. 6C and 6D are not cooled, respectively, and lead oxides are reoxidized compared to FIGS. 6C and 6D to form oxides on the surface.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. As described above, optimal embodiments have been disclosed in the drawings and the specification. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
도 1은 본 발명에 따른 냉음극 형광램프의 리드선 환원장치의 구성을 나타내는 블록도. 1 is a block diagram showing the configuration of a lead wire reducing apparatus of a cold cathode fluorescent lamp according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 처리부의 구성을 나타내는 블록도. 2 is a block diagram showing the configuration of a plasma processing unit according to the present invention;
도 3a는 전극의 일 실시예를 나타내는 도. 3A illustrates one embodiment of an electrode.
도 3b는 전극의 다른 실시예를 나타내는 도. 3B illustrates another embodiment of the electrode.
도 4는 본 발명에 따른 냉음극 형광램프의 리드선 환원장치의 사시도. 4 is a perspective view of a lead wire reducing apparatus of a cold cathode fluorescent lamp according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 냉음극 형광램프의 리드선 환원방법을 나타내는 흐름도. 5 is a flow chart showing a lead wire reduction method of a cold cathode fluorescent lamp according to the present invention.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명에 다른 리드선 환원처리 결과를 종래기술과 비교하기 위한 도. Figures 6a to 6f is a view for comparing the lead wire reduction results according to the present invention with the prior art.
도 7은 본 발명에 따른 냉음극 형광램프의 리드선 환원장치의 다른 실시예의 구성을 나타내는 도. 7 is a view showing the configuration of another embodiment of a lead wire reducing apparatus of a cold cathode fluorescent lamp according to the present invention.
Claims (19)
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KR1020070108258A KR100869313B1 (en) | 2007-10-26 | 2007-10-26 | Apparatus and method for deoxidizing lead-wire of fluorescent lamp |
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JP2001023573A (en) | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Koito Mfg Co Ltd | Arc tube for discharge lamp device and its manufacture |
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2007
- 2007-10-26 KR KR1020070108258A patent/KR100869313B1/en not_active IP Right Cessation
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