KR100868018B1 - Cleaning material for apparatus parts of semiconductor manufacturing apparatus and method for making the same and method for cleaning apparatus parts using the same - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 title claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 128
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 11
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 8
- UHNRLQRZRNKOKU-UHFFFAOYSA-N CCN(CC1=NC2=C(N1)C1=CC=C(C=C1N=C2N)C1=NNC=C1)C(C)=O Chemical compound CCN(CC1=NC2=C(N1)C1=CC=C(C=C1N=C2N)C1=NNC=C1)C(C)=O UHNRLQRZRNKOKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 2
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- -1 hydrogen compound Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/40—Specific cleaning or washing processes
- C11D2111/44—Multi-step processes
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질 및 이의 제조방법, 이를 사용한 장치부품 세정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조장치에 사용되며 알루미늄 지질에 니켈이 코팅처리된 장치부품을 함침시키어 그 외면을 세정할 수 있는 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질 및 이의 제조방법, 이를 사용한 장치부품 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning material for a device component of a semiconductor manufacturing apparatus, a method for manufacturing the same, and a method for cleaning the device component using the same. A cleaning material for a device component of a semiconductor manufacturing apparatus capable of cleaning the outer surface thereof, and a method for manufacturing the same, and a method for cleaning device components using the same.
전형적으로, 반도체 소자는 확산, 증착, 이온주입, 식각, 노광 및 세정과 같은 다수의 단위공정들이 웨이퍼 상에 순차적 또는 반복적으로 이루어짐으로써 제조된다. 또한, 상기 반도체 소자는 웨이퍼 상에 다수개로 반복되어 제조된다. 이와 같이 제조된 각각의 반도체 소자는 패키지 공정을 통하여 전자부품인 반도체 칩으로 제작된다.Typically, semiconductor devices are fabricated by a number of unit processes, such as diffusion, deposition, ion implantation, etching, exposure and cleaning, performed sequentially or repeatedly on a wafer. In addition, a plurality of the semiconductor devices are repeatedly manufactured on the wafer. Each semiconductor device manufactured as described above is manufactured as a semiconductor chip which is an electronic component through a packaging process.
이와 같이 각각의 단위공정에서 제조되는 반도체 소자는 먼지나 불순물과 같 은 이물질에 매우 취약하다.As such, the semiconductor devices manufactured in each unit process are very vulnerable to foreign substances such as dust and impurities.
예컨대, 반도체 식각장치 중 플라즈마 식각 장치는 웨이퍼가 안착되는 공정챔버와, 상기 공정챔버의 내부에 플라즈마 분위기가 형성되도록 유도하는 공정가스를 주입하는 가스주입부와, 상기 공정챔버의 내부와 연결되어 상기 공정챔버의 내부를 일정의 진공압을 형성시키어 주는 진공라인 및 진공제공부를 구비한다.For example, the plasma etching apparatus of the semiconductor etching apparatus may include a process chamber in which a wafer is seated, a gas injection unit for injecting a process gas for inducing a plasma atmosphere to be formed inside the process chamber, and connected to an inside of the process chamber. It is provided with a vacuum line and a vacuum providing part for forming a constant vacuum pressure inside the process chamber.
이에 더하여, 플라즈마 식각장치의 장치부품들은 웨이퍼들이 플라즈마 공간에서 전기적인 절연성을 유지하도록 대단히 절연저항이 높은 절연체로 제작된다.In addition, the device components of the plasma etching apparatus are made of an insulator having a very high insulation resistance so that the wafers maintain electrical insulation in the plasma space.
이들 부품들은 절연체, 특히 알루미나 계열이나 석영 등으로 만들어져 있고 최근에는 가공하기 쉬운 금속체위에 두껍게 절연체 박막을 입힌 부품들이 사용되고 있다. 최근에 절연체로 코팅된 부품들이 사용되고 있으나 이들 부품은 내구성이라는 경제적 문제점을 해결할 필요가 있어 범용에는 한계가 있다.These parts are made of insulators, especially alumina-based or quartz, and recently, parts that have a thick insulator thin film on a metal that is easy to process are used. Recently, parts coated with insulators have been used, but these parts need to solve economic problems such as durability.
따라서, 상기 장치부품은 오염과 먼지입자와 같은 이물질로부터 제조 수율을 높이기 위해서 주기적인 세정을 하여야 한다.Therefore, the device parts must be periodically cleaned to increase the production yield from foreign substances such as dirt and dust particles.
즉, 플라즈마 식각장치의 장치부품들은 이들 웨이퍼를 가공하는 동안 플라즈마와 공정가스 및 피식각층에서 식각되어 나온 물질들에 의하여 오염된다.That is, the device components of the plasma etching apparatus are contaminated by materials etched from the plasma, the process gas, and the etched layer during processing of these wafers.
또한, 상기 물질들이 상기 장치부품들에 일정 두께로 덮이면, 이 일정 두께로 덮인 오염물질층에 균열이 생기면서 먼지입자를 발생시킨다.In addition, if the materials are covered with a certain thickness on the device components, the contaminant layer covered with the predetermined thickness cracks to generate dust particles.
예컨대, 진공라인에 설치되는 장치부품인 진공모터인 경우에, 진공모터의 내부에 설치되어 진공압을 형성시키는 안내깃들에 상기 오염물질층의 균열로 인하여 먼지입자가 발생되면, 이 먼지입자는 공정챔버의 내부에 투입될 수 있다. 이에 따 라, 공정챔버의 내부에서 공정이 진행되는 웨이퍼 상에 이물질로 작용되어 결국 공정챔버의 내부를 오염시키고 반도체 소자의 품질을 하락시키는 문제점을 유발한다.For example, in the case of a vacuum motor that is a device part installed in a vacuum line, when the dust particles are generated due to the crack of the pollutant layer on the guide feathers installed inside the vacuum motor to form a vacuum pressure, the dust particles are processed. It can be introduced into the chamber. Accordingly, the foreign matter acts as a foreign material on the wafer in which the process proceeds in the process chamber, thereby contaminating the inside of the process chamber and causing a problem of degrading the quality of the semiconductor device.
따라서, 이러한 현상이 발생되기 전에, 장치를 분해해서 그 내부와 외부의 장치부품들을 세정해야 한다.Therefore, before this phenomenon occurs, the device must be disassembled to clean the device parts inside and outside.
종래에는 반도체 식각장치에 사용되는 장치부품을 세정하기 위하여 비드 블래스터(bead blaster) 등을 이용하였다. 즉, 세정하고자 하는 장치부품에 물리적인 충격을 가함으로써 폴리머를 제거하였다.Conventionally, a bead blaster or the like is used to clean device components used in a semiconductor etching apparatus. That is, the polymer was removed by applying a physical impact to the device parts to be cleaned.
그러나, 상기와 같은 비드 블래스터 방식은 오염물질뿐만 아니라 부품자체에도 손상을 주게 되고, 세정 도중에 부품이 심하게 마모되는 문제점을 갖는다.However, the bead blaster system as described above causes a problem not only to contaminants but also to the parts themselves, and the parts are severely worn during cleaning.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있도록 안출된 것으로서, 본 발명의 제 1목적은 반도체 제조장치의 장치부품들을 함침시킴으로써 상기 장치부품들의 외면에 대하여 용이한 세정효과를 갖고 세정에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질 및 이의 제조방법, 이를 사용한 장치부품 세정방법을 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the first object of the present invention is to impregnate the device parts of the semiconductor manufacturing apparatus having an easy cleaning effect on the outer surface of the device parts and the time required for cleaning The present invention provides a cleaning material for a device component of a semiconductor manufacturing apparatus, a method for manufacturing the same, and a method for cleaning device components using the same.
본 발명의 제 2목적은 진공모터와 같은 장치부품들 자체를 손상시키지 않고 장치부품들의 수명을 연장시킬 수 있는 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질 및 이의 제조방법, 이를 사용한 장치부품 세정방법을 제공함에 있다.A second object of the present invention is to provide a cleaning material for a device component of a semiconductor manufacturing apparatus and a manufacturing method thereof, and a device component cleaning method using the same, which can prolong the life of the device components without damaging the device components such as a vacuum motor itself. Is in.
본 발명의 제 3목적은 공정챔버의 내부에 오염물질이 투입되는 것을 방지하고 이로 인하여 제조되는 반도체 소자의 품질을 향상시킬 수 있는 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질 및 이의 제조방법, 이를 사용한 장치부품 세정방법을 제공함에 있다.A third object of the present invention is to prevent the contaminants from being introduced into the process chamber and thereby to improve the quality of the semiconductor device manufactured thereby cleaning material for the device component of the semiconductor manufacturing apparatus and a manufacturing method thereof, and apparatus using the same To provide a method for cleaning parts.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질은 강산성의 제 1수소결합화합물과, 상기 제 1수소결합화합물과 일정 비율로 혼합되며, 알루미늄으로 이루어진 몸체와 상기 몸체의 외면에 코팅된 니켈막을 구비하는 장치부품의 외면에 형성되는 산화막을 제거하고, 상기 제 1수소결합화합물보다 끓는점이 높은 제 2수소결합화합물과, 상기 혼합된 제 1수소결합화합물과 제 2수소결합화합물에 일정 비율로 혼합되며, 상기 제 2수소결합화합물보다 끓는점이 낮은 제 3수소결합화합물을 포함하되, 상기 장치 부품은 알루미늄으로 이루어진 몸체와 상기 몸체의 외면에 코팅된 니켈막을 구비한다.
여기서, 상기 제 1수소결합화합물은 플루오르화 수소이고, 상기 제 2수소결합화합물은 물이고, 상기 제 3수소결합화합물은 암모니아 수용액인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제 1수소결합화합물과 상기 제 2수소결합화합물과 상기 제 3수소결합화합물의 혼합비율은 1 : 5 : 1.5 인 것이 바람직하다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질의 제조방법은 서로 다른 끓는점을 갖는 제 1수소결합화합물과 제 2수소결합화합물을 서로 다른 비율로 혼합하여, 알루미늄으로 이루어진 몸체와 상기 몸체의 외면에 코팅된 니켈막을 구비하는 장치부품의 외면에 형성되는 산화막을 제거하는 세정용액을 제조하는 제 1혼합단계; 및 상기 혼합되는 상기 제 1수소결합화합물과 제 2수소결합화합물보다 낮은 끓는점을 갖는 제 3수소결합화합물을 상기 세정용액에 혼합하는 제 2혼합단계를 포함하되, 상기 장치 부품은 알루미늄으로 이루어진 몸체와 상기 몸체의 외면에 코팅된 니켈막을 구비한다.
여기서, 상기 제 1혼합단계는 강산성을 갖는 상기 제 1수소결합화합물을 1000cc를 준비하고, 상기 제 1수소결합화합물 보다 끓는점이 높은 제 2수소결합화합물을 5000cc을 준비하고, 상기 준비된 상기 제 1수소결합화합물에 상기 제 2수소결합화합물을 혼합하여 상기 세정용액을 제조하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제 2혼합단계는 상기 세정용액에 상기 제 1수소결합화합물보다 끓는점이 낮은 1500cc의 상기 제 3수소결합화합물을 순차적으로 혼합하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1수소결합화합물은 플루오르화 수소이고, 상기 제 2수소결합화합물은 물이고, 상기 제 3수소결합화합물은 암모니아 수용액인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1수소결합화합물과 상기 제 2수소결합화합물과 상기 제 3수소결합화합물을 1 : 5 : 1.5 의 혼합비율로 혼합하는 것이 바람직하다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질을 사용한 장치부품 세정방법은 강산성을 갖는 제 1수소화합결합물을 준비하는 제 1단계와, 상기 제 1수소결합화합물과 서로 다른 끓는점을 갖는 제 2수소결합화합물을 서로 다른 비율로 혼합하여 장치부품의 외면에 형성되는 산화막을 제거하는 세정용액을 제조하는 제 2단계와, 상기 혼합되는 상기 제 1수소결합화합물과 제 2수소결합화합물보다 낮은 끓는점을 갖는 제 3수소결합화합물을 상기 세정용액에 혼합하여 세정물질을 제조하는 제 3단계와, 상기 세정물질을 일정 온도로 가열하는 제 4단계와, 상기 세정물질에 상기 장치부품을 일정 시간 이내에 함침시켜 세정하는 제 5단계를 포함한다.The cleaning material for the device part of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention for achieving the above object is mixed with a strongly acidic first hydrogen-bonding compound, the first hydrogen-bonding compound in a certain ratio, the body made of aluminum and the body A second hydrogen bonding compound having a higher boiling point than the first hydrogen bonding compound and the mixed first hydrogen bonding compound and the second hydrogen bonding are removed by removing the oxide film formed on the outer surface of the device component having the nickel film coated on the outer surface. The compound comprises a third hydrogen-bonded compound which is mixed with the compound at a predetermined ratio and has a lower boiling point than the second hydrogen-bonded compound, wherein the device component includes a body made of aluminum and a nickel film coated on the outer surface of the body.
Here, the first hydrogen bonding compound is hydrogen fluoride, the second hydrogen bonding compound is water, and the third hydrogen bonding compound is an aqueous ammonia solution.
In addition, the mixing ratio of the first hydrogen-bonding compound, the second hydrogen-bonding compound, and the third hydrogen-bonding compound is preferably 1: 5: 1.5.
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a cleaning material for a device part of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention comprises a mixture of first and second hydrogen bonding compounds having different boiling points at different ratios, and made of aluminum. A first mixing step of preparing a cleaning solution for removing an oxide film formed on an outer surface of a device part having a body and a nickel film coated on an outer surface of the body; And a second mixing step of mixing the first hydrogen bonding compound and a third hydrogen bonding compound having a lower boiling point than that of the second hydrogen bonding compound into the cleaning solution, wherein the device component comprises: a body made of aluminum; It is provided with a nickel film coated on the outer surface of the body.
Here, the first mixing step is to prepare a 1000cc of the first hydrogen-bonding compound having a strong acidity, to prepare a 5000cc of the second hydrogen-bonding compound having a higher boiling point than the first hydrogen-bonding compound, the prepared hydrogen It is preferable to prepare the cleaning solution by mixing the second hydrogen bonding compound with the binding compound.
In the second mixing step, it is preferable to sequentially mix the third hydrogen-bonding compound having a boiling point of 1500 cc lower than that of the first hydrogen-bonding compound in the washing solution.
In addition, the first hydrogen-bonding compound is hydrogen fluoride, the second hydrogen-bonding compound is water, and the third hydrogen-bonding compound is an aqueous ammonia solution.
In addition, it is preferable to mix the first hydrogen-bonding compound, the second hydrogen-bonding compound and the third hydrogen-bonding compound in a mixing ratio of 1: 5: 1.5.
The device part cleaning method using the cleaning material for device parts of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention for achieving the above object is a first step of preparing a first hydrogen compound having a strong acid, and the first hydrogen bonding compound and A second step of preparing a cleaning solution for removing the oxide film formed on the outer surface of the device parts by mixing a second hydrogen bonding compound having a different boiling point in different proportions, and the mixed and the first hydrogen-bonded compound A third step of preparing a cleaning material by mixing a third hydrogen bonding compound having a boiling point lower than that of a hydrogen bonding compound with the cleaning solution, a fourth step of heating the cleaning material to a predetermined temperature, and the apparatus in the cleaning material. And a fifth step of impregnating and cleaning the part within a predetermined time.
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여기서, 상기 세정물질을 히터를 사용하여 섭씨 50도 내지 60도의 범위내의 온도로 가열하는 것이 바람직하다.Here, the cleaning material is preferably heated to a temperature in the range of 50 to 60 degrees Celsius using a heater.
그리고, 상기 장치부품을 상기 세정물질의 제조 시점에서부터 2시간 내에 상기 세정물질에 함침시키는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the device part is impregnated with the cleaning material within 2 hours from the time of manufacture of the cleaning material.
또한, 상기 제 1수소결합화합물을 1000cc를 준비하고, 상기 제 2수소결합화합물을 5000cc을 준비하고, 상기 준비된 상기 제 1수소결합화합물에 상기 제 2수소결합화합물을 혼합하여 상기 세정용액을 제조하는 것이 바람직하다.In addition, 1000cc of the first hydrogen-bonding compound is prepared, 5000cc of the second hydrogen-bonding compound is prepared, and the second hydrogen-bonding compound is mixed with the prepared first hydrogen-bonding compound to prepare the cleaning solution. It is preferable.
또한, 상기 세정용액에 상기 제 1수소결합화합물보다 끓는점이 낮은 1500cc의 상기 제 3수소결합화합물을 순차적으로 혼합하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to sequentially mix the third hydrogen-bonding compound of 1500cc lower in boiling point than the first hydrogen-bonding compound in the cleaning solution.
또한, 상기 제 1수소결합화합물은 플루오르화 수소이고, 상기 제 2수소결합화합물은 물이고, 상기 제 3수소결합화합물은 암모니아 수용액인 것이 바람직하다.In addition, the first hydrogen-bonding compound is hydrogen fluoride, the second hydrogen-bonding compound is water, and the third hydrogen-bonding compound is an aqueous ammonia solution.
또한, 상기 제 1수소결합화합물과 상기 제 2수소결합화합물과 상기 제 3수소결합화합물을 1 : 5 : 1.5 의 혼합비율로 혼합하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to mix the first hydrogen-bonding compound, the second hydrogen-bonding compound and the third hydrogen-bonding compound in a mixing ratio of 1: 5: 1.5.
또한, 상기 장치부품은 알루미늄으로 이루어진 몸체와 상기 몸체의 외면에 코팅된 니켈막을 구비하는 것이 바람직하다.In addition, the device component preferably includes a body made of aluminum and a nickel film coated on the outer surface of the body.
또한, 상기 제 5단계는 상기 장치부품을 상기 세정물질에 함침시킨 이후에 그 외면에 물을 분사하여 워터 클리닝을 하고, 섭씨 80도씨의 온도에서 24시간 건조시키어 세정하는 것이 바람직하다.In addition, in the fifth step, after impregnating the device component with the cleaning material, water is sprayed on the outer surface thereof to perform water cleaning, and drying and cleaning at a temperature of 80 degrees Celsius for 24 hours is preferable.
본 발명은 반도체 제조장치의 장치부품들을 세정물질에 함침시킴으로써 상기 장치부품들의 외면에 증착된 모노실란만을 용이하게 제거하는 효과를 갖는다.The present invention has the effect of easily removing only the monosilane deposited on the outer surface of the device parts by impregnating the device parts of the semiconductor manufacturing apparatus with the cleaning material.
이에 따라, 본 발명은 상기와 같은 세정에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있 는 효과를 갖는다.Accordingly, the present invention has an effect that can shorten the time required for such cleaning.
또한, 본 발명은 진공모터와 같은 장치부품들 자체를 손상시키지 않고 장치부품들의 수명을 연장시킬 수 있는 효과를 갖는다.In addition, the present invention has the effect of extending the life of the device parts without damaging the device parts themselves, such as a vacuum motor.
또한, 본 발명은 공정챔버의 내부에 오염물질이 투입되는 것을 방지하고 이로 인하여 제조되는 반도체 소자의 품질을 향상시킬 수 있는 효과를 갖는다.In addition, the present invention has the effect of preventing the contaminant is introduced into the process chamber and thereby improve the quality of the semiconductor device manufactured.
이하, 첨부되는 도면들을 참조로 하여 본 발명의 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질 및 이의 제조방법, 이를 사용한 장치부품 세정방법을 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a cleaning material for a device component of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, a manufacturing method thereof, and a device component cleaning method using the same.
도 1은 본 발명의 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질 및 이의 제조방법을 보여주는 도면이다. 도 2는 본 발명에 따르는 장치부품이 세정되는 것을 보여주는 도면이다. 도 3은 도 2에 도시된 장치부품을 보여주는 사시도이다. 도 4는 본 발명의 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질의 제조방법을 보여주는 흐름도이다. 도 5는 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질을 사용한 장치부품 세정방법을 보여주는 흐름도이다.1 is a view showing a cleaning material for a device part of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention and a method of manufacturing the same. 2 shows that the device part according to the invention is cleaned. 3 is a perspective view showing the device component shown in FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a cleaning material for device components of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention. 5 is a flowchart showing a method for cleaning device parts using a cleaning material for device parts of a semiconductor manufacturing apparatus.
먼저, 본 발명의 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질 및 이의 제조방법을 설명하도록 한다.First, the cleaning material for the device component of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention and a manufacturing method thereof will be described.
도 1 내지 도 4를 참조로 하면, 서로 다른 끓는점을 갖는 제 1수소결합화합물(111)과 제 2수소결합화합물(112)을 각각 준비한다.1 to 4, a first hydrogen-
상기 제 1수소결합화합물(111)은 1000cc로, 상기 제 2수소결합화합물(112)은 5000cc로 각각 준비된 비커(100)에 담아 준비한다(S110,S120).The first hydrogen-
상기 제 1수소결합화합물(111)은 강산성을 지닌다. 상기 제 1수소화합결합물(111)은 플루오르화 수소(HF)이다. 상기 플루오르화 수소의 끓는점은 300K(캘빈 온도)이다. 상기 제 2수소결합화합물(112)은 물(H2O)이다. 상기 물의 끓는점은 373.15K로서 플루오르화 수소의 끓는점보다 높다.The first
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이와 같이 준비된 제 1,2수소결합화합물들(111, 112)을 상기의 양과 같이 1 : 5의 비율로 혼합하여 세정용액(110)을 제조한다(제 1혼합단계, S130). 도 1에 도시된 바와 같이 경로 ①을 따른다.The first and second hydrogen-
따라서, 이와 같이 제조된 세정용액(110)은 'DHF'라고도 하며, 금속의 오염을 제거하거나, 자연 산화막을 제거하고, 기판의 표면을 평탄화할 수 있는 역할을 한다.Therefore, the
이어, 상기와 같이 제조된 세정용액(110)에 상기 플루오르화 수소보다 끓는점이 낮은 제 3수소결합화합물(120)을 1500cc로 준비하여, 준비된 비커(100)에 저장한다.Subsequently, a third
이어, 상기 1500cc의 제 3수소결합화합물(120)을 세정용액(110)에 혼합하여 세정물질(130)을 제조한다(제 2혼합단계, S140). 도 1에 도시된 바와 같이 경로 ②를 따라 경로 ①과 경로 ②가 합쳐지는 경로를 따른다.Subsequently, the 1500 cc third hydrogen-
상기 제 3수소결합화합물(120)은 암모니아 수용액이다. 상기 암모니아 수용액은 염기성을 지닌다. 즉, 암모니아(NH4)와 물(H20)과 화학반응하여 수산화기 (OH-)가 이온의 형태로 존재한다.The third
여기서, 상기 암모니아 수용액을 상기 세정용액(120)에 혼합경우에, 순차적으로 혼합시킴으로써, 세정용액(120)에 갑자기 일정량 이상의 암모니아 수용액이 혼합됨으로 인하여 발생되는 폭발은 억제될 수 있다. In this case, when the ammonia aqueous solution is mixed with the
따라서, 본 발명의 세정물질(130)은 플루오르화 수소와 물과 암모니아 수용액이 서로 1:5:1.5의 혼합비율로 서로 혼합되어 제조된다.Therefore, the cleaning
이와 같이 제조되는 세정물질(130)은 모노실란(SiH4)을 제거할 수 있다.The cleaning
즉, 본 발명에 따르는 장치부품(300)은 도 2 및 도 3에 도시되 바와 같이 알루미늄으로 이루어지는 몸체(310)와, 이 몸체의 외면에 코팅된 니켈막(320)을 구비한다.That is, the
예컨대, 상기 몸체(310)는 반도체 식각장치의 공정챔버(미도시)와 연통되는 가스배기관(미도시)에 설치되는 진공모터일 수 있다. 더 상세하게는 상기 몸체(310)는 진공모터를 구성하는 안내깃이고, 상기 니켈막(320)은 상기 안내깃의 외면에 코팅될 수 있다.For example, the
따라서, 상기 진공모터를 사용하여 가스배기관을 통하여 공정챔버의 가스를 외부로 배기하는 경우에, 공정챔버의 내부에 존재하는 모노실란이 안내깃의 외면에 증착되어 오염물질이 될 수 있다.Therefore, when exhausting the gas of the process chamber to the outside through the gas exhaust pipe by using the vacuum motor, monosilane existing inside the process chamber may be deposited on the outer surface of the guide feather to become a contaminant.
그러므로, 본 발명의 세정물질(130)은 상기 안내깃의 외면에 증착된 오염물질인 모노실란 만을 용이하게 제거할 수 있다.Therefore, the cleaning
다음은, 본 발명의 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질을 사용한 장치부품 세정방법을 설명하도록 한다.Next, a device part cleaning method using the cleaning material for device parts of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention will be described.
도 1 내지 도 3 및 도 5를 참조하면, 장치부품(300)을 준비한다. 도 3을 참조로 하면, 상기 장치부품(300)은 진공모터일 수 있다. 상기 진공모터는 안내깃의 몸체(310)와, 상기 안내깃의 외면에 코팅되는 니켈막(320)으로 구성된다.1 to 3 and 5, the
이어, 강산성을 갖는 플루오르화 수소(HF)와 같은 제 1수소화합결합물(111)을 준비한다. 상기 제 1수소결합화합물(111)은 1000cc로 비커(100)에 담아서 준비한다(제 1단계, S210). 상기 플루오르화 수소의 끓는점은 300K 이다.Next, a first
그리고, 끓는점 373.15K 인 제 2수소결합화합물(112)을 5000cc로 비어커(100)에 담아서 준비한다. 상기 제 2수소결합화합물(112)은 물(H20)이다.Then, the second hydrogen-
또한, 제 1수소결합화합물(111)보다 끓는점이 낮은 제 3수소결합화합물(120)을 1500cc로 비커(100)에 담아서 준비한다. 상기 제 3수소결합화합물(120)은 암모니아 수용액일 수 있다.In addition, the third hydrogen-bonded
이어, 상기 1000cc의 제 1수소결합화합물(111)을 베스(210)의 내부에 채운다.Subsequently, the 1000 cc first hydrogen-
그리고, 상기 5000cc의 제 2수소결합화합물(112)을 상기 베스(210)에 채워진 제 1수소결합화합물(111)과 혼합시켜 장치부품(300)의 외면에 형성되는 산화막을 제거하는 세정용액(110)을 제조한다(제 2단계, S220).Then, the
따라서, 상기 제 1,2수소결합화합물(111, 112)은 베스(210)의 내부에서 1:5로 혼합될 수 있다.Thus, the first and second hydrogen-
이와 같이 혼합된 이후에, 상기 준비된 1500cc의 제 3수소결합화합물(120)을 상기 베스(210) 내부의 세정용액(120)에 순차적으로 혼합시켜 세정물질(130)을 제조한다(제 3단계, S230).After mixing as described above, the prepared 1500 cc of the third hydrogen-
이때, 상기 순차적으로 혼합시키는 이유는 상기 제 3수소결합화합물(120)을 한번에 1500cc의 양을 세정용액(120)에 혼합시키면 폭발반응이 일어나기 때문이다.At this time, the reason for the sequential mixing is because the explosion reaction occurs when the third hydrogen-
따라서, 상기 제 1수소결합화합물(111)과 상기 제 2수소결합화합물(112)과 상기 제 3수소결합화합물(120)을 1 : 5 : 1.5 의 혼합비율로 혼합된다.Therefore, the first hydrogen-
이어, 상기 베스(210)에 설치된 히터(210)를 사용하여 상기 베스(210)의 내부에 제조된 세정물질(130)을 일정 온도로 가열시킨다(제 4단계, S240).Subsequently, the cleaning
상기 히터(220)는 외부로부터 전원을 인가받아 가열될 수 있다. 이 히터(220)는 제어기(230)와 연결되고 상기 제어기(230)로부터 온도의 범위 제어가 가능하다. 상기 온도의 범위는 섭씨 50도 내지 60도 일 수 있다.The
이어, 상기 세정물질(130)에 상기 장치부품(300)을 함침하여 세정한다(제 5단계, S250). 이때, 상기 장치부품(300)을 상기 세정물질(130)의 제조 시점에서부터 2시간 내에 상기 세정물질(130)에 함침하여 세정할 수 있다.Subsequently, the
즉, 상기 장치부품(300)을 상기 세정물질(130)에 도 2에 도시된 바와 같이 소정 횟수로 함침시킨다.That is, the
그 이후에, 장치부품(300)의 외면에 물을 분사하여 워터 클리닝을 하고, 섭씨 80도씨의 온도에서 24시간 건조시키어 세정할 수 있다.Thereafter, water may be sprayed onto the outer surface of the
따라서, 세정물질(130)에 노출되는 장치부품(300)의 외면에 증착된 모노실 란(SiH4)은 상기 세정물질(130)에 의하여 제거할 수 있다.Therefore, the monosilane (SiH 4) deposited on the outer surface of the
즉, 본 발명에 따르는 장치부품(300)은 도 2 및 도 3에 도시되 바와 같이 알루미늄으로 이루어지는 몸체(310)와, 이 몸체(310)의 외면에 코팅된 니켈막(320)을 구비한다.That is, the
예컨대, 상기 장치부품(300)은 반도체 식각장치의 공정챔버와 연통되는 가스배기관에 설치되는 진공모터일 수 있다. 더 상세하게는 몸체(310)는 진공모터를 구성하는 안내깃이고, 상기 니켈막(320)은 상기 안내깃의 외면에 코팅될 수 있다.For example, the
따라서, 상기 진공모터를 사용하여 가스배기관을 통하여 공정챔버의 가스를 외부로 배기하는 경우에, 공정챔버의 내부에 존재하는 모노실란이 안내깃의 외면에 증착되어 오염물질이 될 수 있다.Therefore, when exhausting the gas of the process chamber to the outside through the gas exhaust pipe by using the vacuum motor, monosilane existing inside the process chamber may be deposited on the outer surface of the guide feather to become a contaminant.
그러므로, 본 발명의 세정물질은 상기 안내깃의 외면에 증착된 오염물질인 모노실란 만을 용이하게 제거할 수 있다.Therefore, the cleaning material of the present invention can easily remove only monosilane, which is a contaminant deposited on the outer surface of the guide feather.
도 1은 본 발명의 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질 및 이의 제조방법을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a cleaning material for a device part of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention and a method of manufacturing the same.
도 2는 본 발명에 따르는 장치부품이 세정되는 것을 보여주는 도면이다.2 shows that the device part according to the invention is cleaned.
도 3은 도 2에 도시된 장치부품을 보여주는 사시도이다.3 is a perspective view showing the device component shown in FIG.
도 4는 본 발명의 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질의 제조방법을 보여주는 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a cleaning material for device components of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
도 5는 반도체 제조장치의 장치부품용 세정물질을 사용한 장치부품 세정방법을 보여주는 흐름도이다.5 is a flowchart showing a method for cleaning device parts using a cleaning material for device parts of a semiconductor manufacturing apparatus.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **** Description of symbols for the main parts of the drawing **
111 : 제 1수소결합화합물111: first hydrogen-bonding compound
112 : 제 2수소결합화합물112: second hydrogen-bonding compound
110 : 세정용액110: cleaning solution
120 : 제 3수소결합화합물120: third hydrogen bonding compound
130 : 세정물질130: cleaning material
210 : 베스210: Beth
220 : 히터220: heater
230 : 제어기230: controller
300 : 장치부품300: device parts
310 : 몸체310: body
320 : 니켈막320: nickel film
Claims (19)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070075048A KR100868018B1 (en) | 2007-07-26 | 2007-07-26 | Cleaning material for apparatus parts of semiconductor manufacturing apparatus and method for making the same and method for cleaning apparatus parts using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020070075048A KR100868018B1 (en) | 2007-07-26 | 2007-07-26 | Cleaning material for apparatus parts of semiconductor manufacturing apparatus and method for making the same and method for cleaning apparatus parts using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100868018B1 true KR100868018B1 (en) | 2008-11-10 |
Family
ID=40284008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070075048A KR100868018B1 (en) | 2007-07-26 | 2007-07-26 | Cleaning material for apparatus parts of semiconductor manufacturing apparatus and method for making the same and method for cleaning apparatus parts using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100868018B1 (en) |
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-
2007
- 2007-07-26 KR KR1020070075048A patent/KR100868018B1/en not_active IP Right Cessation
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