KR100861782B1 - Loadlock chamber and vent method on the same - Google Patents

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KR100861782B1 KR1020070020185A KR20070020185A KR100861782B1 KR 100861782 B1 KR100861782 B1 KR 100861782B1 KR 1020070020185 A KR1020070020185 A KR 1020070020185A KR 20070020185 A KR20070020185 A KR 20070020185A KR 100861782 B1 KR100861782 B1 KR 100861782B1
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Abstract

본 발명은 진공에서 대기압으로 만드는 벤트 과정에서 발생되는 결빙현상 및 수포 발생을 방지할 수 있는 로드락 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 로드락 챔버는 챔버와; 상기 챔버 내부를 진공상태에서 대기압 상태로 만들기 위한 벤트부재; 및 상기 벤트부재에 의해 상기 챔버 내부의 압력이 진공상태에서 대기압 상태로 상승하는 과정에서 상기 챔버 내부의 온도가 떨어지지 않도록 상기 챔버를 가열하는 가열부재를 포함한다.The present invention relates to a load lock chamber capable of preventing freezing and blistering occurring during the venting process from vacuum to atmospheric pressure. The load lock chamber of the present invention comprises a chamber; A vent member for making the inside of the chamber from a vacuum state to an atmospheric pressure state; And a heating member that heats the chamber so that the temperature inside the chamber does not fall while the pressure inside the chamber rises from the vacuum state to the atmospheric pressure state by the vent member.

로드락 챔버, 벤트, 대기압, 가열 Load Lock Chamber, Vent, Atmospheric Pressure, Heating

Description

로드락 챔버 및 그 챔버에서의 벤트 방법{ Loadlock chamber and vent method on the same}Loadlock chamber and vent method on the same

도 1은 본 발명의 로드락 챔버가 적용된 멀티 챔버 시스템의 구성도이다. 1 is a block diagram of a multi-chamber system to which the load lock chamber of the present invention is applied.

도 2는 펌핑부재와 벤트부재가 연결된 로드락 챔버를 보여주는 도면이다. 2 is a view showing a load lock chamber to which a pumping member and a vent member are connected.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100: 반도체 처리 시스템100: semiconductor processing system

110 : 반송실110: return room

130 : 공정챔버130: process chamber

120 : 로드락 챔버120: load lock chamber

128 : 가열부재128: heating member

210 : 펌핑부재210: pumping member

220 : 벤트부재 220: vent member

본 발명은 반도체 진공설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 진공에서 대 기압으로 만드는 벤트 과정에서 발생되는 결빙현상 및 수포 발생을 방지할 수 있는 로드락 챔버 및 로드락 챔버에서의 벤트 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor vacuum equipment, and more particularly, to a load lock chamber and a vent method in the load lock chamber that can prevent freezing and blisters generated during the venting process in the vacuum to atmospheric pressure. .

근년에, IC패턴의 미세화에 따라 프로세스의 고정밀도화, 복잡화, 기판의 대구경화 등 다양성이 요구되고 있다. 이와 같은 배경에 있어서, 복합프로세스의 증가나, 매엽식화(枚葉式化)에 수반되는 스루풋의 향상이라는 관점에서 멀티챔버 프로세스 장치가 주목되고 있다. In recent years, with the miniaturization of IC patterns, various processes such as high precision, complexity, and large diameter of substrates are required. In such a background, a multichamber process apparatus is drawing attention from the viewpoint of the increase of the complex process and the improvement of the throughput accompanied by sheeting.

주지하다시피, 반도체 소자는 미세한 파티클(Particle)에 의해서도 공정불량이 발생할 수 있기 때문에 멀티챔버 프로세스 장치는 고도로 청정한 클린룸(Clean Room) 내부에 설치된다. 아울러, 멀티 챔버 프로세스의 공정 챔버는 파티클에 의한 공정 영향성을 배제하기 위해 고진공 상태를 유지하게 된다. 또한, 상기 공정챔버는 기판의 투입/배출시 고진공상태가 급격히 불량해지는 것을 방지하기 위해 저진공 상태의 로드락 챔버(Loadlock Chamber)를 더 포함한다. As is well known, since a semiconductor device may be subjected to process defects even by fine particles, the multi-chamber process apparatus is installed in a clean room. In addition, the process chamber of the multi-chamber process is kept in a high vacuum to exclude process influences by particles. In addition, the process chamber further includes a load lock chamber in a low vacuum state in order to prevent the high vacuum state from being rapidly deteriorated when the substrate is inserted / ejected.

이러한 매엽 방식의 멀티 프로세스 챔버 장치에서 공정 챔버 내부로 투입되는 기판는, 공정 챔버의 기압상태가 변화되는 것을 방지하기 위하여 공정 챔버와 비교하여 진공상태가 낮게 형성되기는 하나, 역시 진공상태의 로드락 챔버에서 일정시간동안 대기한 후, 공정 챔버로 투입된다. 상기 로드락 챔버의 기압상태는, 상기 공정 챔버와 동일하게 또 다른 고진공 펌프, 밸브 등이 구비된 진공조절장치에 의해서 조절된다. In the sheet-fed multi-process chamber apparatus, the substrate introduced into the process chamber has a lower vacuum than the process chamber in order to prevent a change in the atmospheric pressure of the process chamber, but also in a vacuum load lock chamber. After waiting for a certain time, it is introduced into the process chamber. The pressure state of the load lock chamber is controlled by a vacuum regulator equipped with another high vacuum pump, a valve and the like in the process chamber.

즉, 공정 챔버로 기판을 로딩 또는 언로딩하는 시기에 로드락 챔버는 공정 챔버와 동일한 진공분위기를 형성하게 되나 이전 공정으로부터 미가공 기판을 공급 받거나 이미 가공된 기판을 후속 공정으로 이송시키게 될 때에는 대기상태로서 유지되어야만 한다. That is, at the time of loading or unloading the substrate into the process chamber, the load lock chamber forms the same vacuum atmosphere as the process chamber, but is in a standby state when the raw substrate is supplied from the previous process or the already processed substrate is transferred to the subsequent process. Must be maintained as

따라서 로드락 챔버는 공정 챔버의 기압상태가 변화되는 것을 방지시키기 위해 그 자체적으로 진공상태와 대기상태를 교차하면서 압력을 유지하게 되는 특징이 있다. 이러한 로드락챔버에서의 진공형성은 통상 진공펌프와, 진공라인 등의 펌핑 부재에 의해서 이루어지며, 대기압 형성은 벤트 가스 공급원과 벤트 라인 등의 벤트 부재에 의해 이루어진다.Therefore, the load lock chamber is characterized in that it maintains the pressure while crossing the vacuum state and the atmospheric state in order to prevent the atmospheric pressure state of the process chamber is changed. The vacuum formation in such a load lock chamber is usually made by a vacuum pump and a pumping member such as a vacuum line, and the atmospheric pressure is formed by a vent member such as a vent gas source and a vent line.

기존 로드락 챔버에서는 벤트 가스(주로 질소가스 사용)를 공급하는 과정에서 갑작스러운 압력변동으로 인해 기판내에 잔류되어 있는 가스 및 벤트 가스에 의해 결빙 현상(액체화되는 현상) 및 수포가 발생됨으로 인해 기판에 치명적인 결함을 유발시키게 된다.In the existing load lock chamber, a sudden pressure fluctuation in the process of supplying the vent gas (mainly nitrogen gas) causes freezing (liquidization) and blistering due to gas and vent gas remaining in the substrate due to a sudden pressure change. It will cause a fatal flaw.

본 발명은 로드락 챔버의 벤트 과정에서 발생되는 결빙현상 및 수포 발생을 방지할 수 있는 로드락 챔버 및 로드락 챔버에서의 벤트 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a load lock chamber and a vent method in a load lock chamber that can prevent freezing and blisters generated during the venting of the load lock chamber.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 로드락 챔버는 챔버와; 상기 챔버 내부를 진공상태에서 대기압 상태로 만들기 위한 벤트부재; 및 상기 벤트부재에 의해 상기 챔버 내부의 압력이 진공상태에서 대기압 상태로 상승하는 과정에서 상기 챔버 내부의 온도가 떨어지지 않도록 상기 챔버를 가열하는 가열부재를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the load lock chamber is a chamber; A vent member for making the inside of the chamber from a vacuum state to an atmospheric pressure state; And a heating member that heats the chamber so that the temperature inside the chamber does not fall while the pressure inside the chamber rises from the vacuum state to the atmospheric pressure state by the vent member.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가열부재는 상기 챔버 내부에 설치된다.According to an embodiment of the present invention, the heating member is installed inside the chamber.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가열부재는 상기 챔버 내부를 27℃에서 35℃ 사이로 유지되도록 가열한다.According to an embodiment of the present invention, the heating member heats the inside of the chamber to be maintained between 27 ° C and 35 ° C.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 챔버는 내부가 진공상태에서 대기압 상태로 압력 변동시 상기 가열부재에 의해 상온보다 높은 온도로 유지된다.According to an embodiment of the present invention, the chamber is maintained at a temperature higher than room temperature by the heating member when the pressure fluctuates from the vacuum state to the atmospheric pressure state.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 로드락 챔버의 압력을 진공에서 외부개방에 필요한 대기압으로 조정하는 벤트방법은 상기 로드락 챔버의 내부 온도를 상온보다 높은 온도로 유지한 상태에서 벤트라인을 통해 벤트가스를 공급하여 상기 로드락 챔버의 압력을 대기압으로 조정한다. According to a feature of the present invention for achieving the above object, the vent method for adjusting the pressure of the load lock chamber from the vacuum to the atmospheric pressure necessary for external opening in a state in which the internal temperature of the load lock chamber is maintained at a temperature higher than room temperature Vent gas is supplied through the vent line to adjust the pressure of the load lock chamber to atmospheric pressure.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 로드락 챔버는 내부에 설치된 가열부재에 의해 27℃에서 35℃ 로 유지된다. According to an embodiment of the invention, the load lock chamber is maintained at 27 ℃ to 35 ℃ by a heating member installed therein.

예컨대, 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공된 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.For example, embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This example is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize clearer explanations.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 및 도 2를 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명은 복수 매의 기판을 일관해서 처리할 수 있는 클러스터 시스템에 사용되는 로드락 챔버를 제공한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 and 2. The present invention provides a load lock chamber for use in a cluster system capable of consistently processing a plurality of substrates.

도 1은 본 발명의 로드락 챔버가 적용된 멀티 챔버 시스템의 구성도이다. 1 is a block diagram of a multi-chamber system to which the load lock chamber of the present invention is applied.

도 1을 참조하면, 멀티 챔버 시스템(100)은 인덱스(110), 로드락 챔버(120), 반송부(130) 그리고 반송부(130)에 연결된 6개의 공정 챔버(150)들을 포함한다. Referring to FIG. 1, the multi-chamber system 100 includes an index 110, a load lock chamber 120, a carrier 130, and six process chambers 150 connected to the carrier 130.

인덱스(110)는 멀티 챔버 시스템(100)의 전방에 배치된다. 인덱스(110)는 기판들이 적재된 풉(front open unified pod, FOUP;일명 캐리어)(112)이 안착되는 그리고 풉(112)의 덮개를 개폐하는 3개의 풉 오프너(이하, 로드 포트라고도 함)(114)와, 대기압에서 동작되는 대기압 반송 로봇(116)을 포함한다. 풉(112)은 생산을 위한 일반적인 로트(lot)용 캐리어로써, 물류 자동화 장치(예를 들어, OHT, AGV, RGV)에 의하여 로드 포트에 안착된다. 인덱스는 최근 300mm 기판 반송 장치로 많이 사용되는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, 이하 EFEM) 또는 로드락 챔버라고 불리는 인터페이스이다. Index 110 is disposed in front of multi-chamber system 100. Index 110 includes three pull openers (hereinafter also referred to as load ports) on which the front open unified pod (FOUP; also known as carrier) 112 rests and which opens and closes the lid of the pull 112 ( 114 and an atmospheric pressure transport robot 116 operated at atmospheric pressure. The pull 112 is a carrier for a general lot for production and is seated in the load port by means of logistics automation devices (eg OHT, AGV, RGV). The index is an interface called an equipment front end module (EFEM) or load lock chamber, which is now widely used as a 300mm substrate transfer device.

대기압 반송 로봇(116)은 로드포트(114)와 로드락 챔버(120) 사이에서 기판을 반송하기 위해 동작할 수 있는 것이다. 대기압 반송 로봇(116)는 로드 포트(114)에 놓여진 풉(112)으로부터 일회 동작에 한 장의 기판을 반출하여 로드락 챔버(120)의 카세트(122)에 반입할 수 있는 1개의 암 구조를 갖는 로봇으로 구성될 수 있다. 인덱스(110)에 설치되는 대기압 반송 로봇(116)은 본 실시예에서 보여주는 싱글 암 구조의 방식 이외에도 통상적인 반도체 제조 공정에서 사용되는 다양한 로봇들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 두 장의 기판을 하나의 암으로 핸들링 할 수 있는 더블 블레이드 구조의 암을 구비한 로봇이나, 2개 이상의 암을 구비한 로봇 또는 이들을 혼합적으로 채용한 로봇이 사용될 수 있다. The atmospheric transfer robot 116 is operable to transport the substrate between the load port 114 and the load lock chamber 120. Atmospheric pressure transfer robot 116 has a single arm structure capable of carrying out a single substrate from the pull 112 placed in the load port 114 in one operation and bringing it into the cassette 122 of the load lock chamber 120. It can be composed of a robot. In addition to the single arm structure shown in the present embodiment, the atmospheric transfer carrier robot 116 installed at the index 110 may use various robots used in a conventional semiconductor manufacturing process. For example, a robot having an arm having a double blade structure capable of handling two substrates as one arm, a robot having two or more arms, or a robot employing a mixture thereof may be used.

로드락 챔버(120)는 일측이 하나의 게이트밸브(180)에 의해 인덱스(110)에 접속되고, 타측은 다른 하나의 게이트밸브(180)에 의해 반송부(130)의 제1반송챔버(132a)와 접속된다. 로드락 챔버(120)는 제1반송챔버(132a)의 반송로봇(140)이 기판을 로딩 또는 언로딩하는 시기에 제1반송챔버(132a)와 동일한(근접한) 진공분위기를 형성하며, 인덱스(110)로부터 미가공 기판을 공급받거나 이미 가공된 기판을 인덱스(110)로 반송시키게 될 때에는 대기압 상태로서 전환된다. 즉, 로드락 챔버(120)는 제1반송챔버(132a)의 기압상태가 변화되는 것을 방지시키기 위해 그 자체적으로 진공 상태와 대기압 상태를 교차하면서 압력을 유지하게 되는 특징이 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 로드락 챔버(120)는 기판들이 임시 대기하는 버퍼 스테이지(122)를 구비한다.One side of the load lock chamber 120 is connected to the index 110 by one gate valve 180, and the other side of the load lock chamber 120 is connected to the index 110 by the other gate valve 180. ) Is connected. The load lock chamber 120 forms the same (near) vacuum atmosphere as that of the first transport chamber 132a at the time when the transport robot 140 of the first transport chamber 132a loads or unloads the substrate. When the raw substrate is supplied from the substrate 110 or the substrate which has already been processed is transferred to the index 110, the substrate is switched to the atmospheric pressure state. That is, the load lock chamber 120 has a feature that maintains pressure while intersecting a vacuum state and an atmospheric pressure state in order to prevent the air pressure state of the first transport chamber 132a from being changed. As shown in FIG. 2, the load lock chamber 120 has a buffer stage 122 on which substrates are temporarily waiting.

반송부(130)는 기판 반송이 이루어지는 공간으로 복수의 반송챔버들이 직렬로 배치된 구조로 이루어지며, 본 실시예에서는 제1반송챔버(132a)와 제2반송챔버(132b) 그리고 제3반송챔버(132c)가 직렬로 배치된 구조를 예를 들어 설명한다. 반송부(130)는 반송챔버들(132a,132b,132c) 사이에 게이트밸브를 설치하지 않고 제1반송챔버(132a), 제2반송챔버(132b) 그리고 제3반송챔버(132c)를 일체적으로 연결한다. 즉, 반송부(130)는 제1,2,3반송챔버(132a,132b,132c) 전체를 둘러싸는 하나의 큰 챔버로 이루어진다고 볼 수 있다. 이 경우에는 제1,2,3반송챔버(132a,132b,132c) 각각에 진공펌프를 포함하는 배기 시스템을 설치할 필요가 없고, 제1,2,3반송챔버(132a,132b,132c) 중 어느 하나에만 배기 시스템을 설치하면 되기 때문에 비용의 삭감을 도모할 수 있다.The conveying unit 130 has a structure in which a plurality of conveying chambers are arranged in series in a space in which the substrate is conveyed, and in this embodiment, the first conveying chamber 132a, the second conveying chamber 132b, and the third conveying chamber A structure in which 132c is arranged in series will be described by way of example. The conveyer 130 integrally integrates the first conveying chamber 132a, the second conveying chamber 132b, and the third conveying chamber 132c without installing a gate valve between the conveying chambers 132a, 132b, and 132c. Connect with That is, the carrier 130 may be regarded as one large chamber surrounding the entire first, second, and third transfer chambers 132a, 132b, and 132c. In this case, it is not necessary to install an exhaust system including a vacuum pump in each of the first, second and third conveying chambers 132a, 132b and 132c, and any of the first, second and third conveying chambers 132a, 132b and 132c may be used. Since only one exhaust system needs to be installed, the cost can be reduced.

제1반송챔버(132a), 제2반송챔버(132b) 그리고 제3반송챔버(132c) 각각에는 기판 반송에 필요한 반송로봇(140)이 구비되며, 양측면에는 게이트밸브(180)를 통해 2개의 공정챔버(150)가 접속된다. 그리고, 제1반송챔버(132a)와 제2반송챔버(132b) 사이 그리고 제2반송챔버(132b)와 제3반송챔버(132c) 사이에는 반송로봇(140) 간의 기판 인계(주고받음)가 직접 이루어지지 못하기 때문에 기판 패스를 위해 기판이 일시적으로 머무르는 제1,2버퍼스테이지(142,144)가 구비된다. Each of the first conveying chamber 132a, the second conveying chamber 132b, and the third conveying chamber 132c is provided with a conveying robot 140 for conveying the substrate, and two processes are provided on both sides through the gate valve 180. The chamber 150 is connected. Subsequently, the transfer of the substrate between the transfer robot 140 is directly performed between the first transfer chamber 132a and the second transfer chamber 132b and between the second transfer chamber 132b and the third transfer chamber 132c. The first and second buffer stages 142 and 144 may be provided in which the substrate temporarily stays for the substrate pass.

예컨대, 공정 챔버(150)들은 다양한 기판 프로세싱 작동들을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 포토 레지스트를 제거하기 위해서 플라즈마를 이용하여 포토 레지스트를 제거하는 애싱(ashing) 챔버일 수 있고, 절연막을 증착시키도록 구성된 CVD(Chemical Vapor Deposition) 챔버일 수 있고, 인터커넥트 구조들을 형성하기 위해 절연막에 애퍼쳐(aperture)들이나 개구들을 에치하도록 구성된 에치 챔버일 수 있다. 또는 장벽(barrier) 막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있으며, 금속막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있다.For example, process chambers 150 may be configured to perform various substrate processing operations. For example, it can be an ashing chamber that removes the photoresist using plasma to remove the photoresist, a CVD (Chemical Vapor Deposition) chamber configured to deposit an insulating film, and form interconnect structures. And an etch chamber configured to etch apertures or openings in the insulating film. Or a PVD chamber configured to deposit a barrier film, and may be a PVD chamber configured to deposit a metal film.

본 기판 처리 시스템에서 처리되는 피 처리 기판(W)은 대표적으로 반도체 회로를 제조하기 위한 웨이퍼 기판이거나 액정 디스플레이를 제조하기 위한 유리 기판이다. 본 기판 처리 시스템의 도시된 구성 외에도 집적 회로 또는 칩의 완전한 제조에 요구되는 모든 프로세스를 수행하기 위해 다수의 프로세싱 시스템들이 요구될 수 있다. 그러나 본 발명의 명확한 설명을 위하여 통상적인 구성이나 당업자 수준에서 이해될 수 있는 구성들은 생략하였다.The to-be-processed substrate W processed by this substrate processing system is typically a wafer substrate for manufacturing a semiconductor circuit or a glass substrate for manufacturing a liquid crystal display. In addition to the illustrated configuration of the present substrate processing system, multiple processing systems may be required to perform all the processes required for complete fabrication of integrated circuits or chips. However, for the sake of clarity, the conventional structures or configurations that can be understood by those skilled in the art are omitted.

도 2는 펌핑 부재와 벤트 부재가 연결된 로드락 챔버를 보여주는 도면이다. 2 is a view illustrating a load lock chamber to which a pumping member and a vent member are connected.

도 2를 참조하면, 로드락 챔버(120)는, 제1반송챔버(132a)의 반송로봇(140) 이 기판(w)를 로딩 또는 언로딩하는 시기에 제1반송챔버(132a)와 동일한(근접한) 진공분위기를 형성하게 되나, 인덱스(110)로부터 미가공 기판을 공급받거나 이미 가공된 기판을 인덱스(110)로 이송시키게 될 때에는 대기압 상태로서 유지되어야만 한다. Referring to FIG. 2, the load lock chamber 120 is the same as the first transport chamber 132a at the time when the transport robot 140 of the first transport chamber 132a loads or unloads the substrate w. Adjacent vacuum atmosphere, but must be maintained at atmospheric pressure when the raw substrate is supplied from the index 110 or the substrate that has already been processed is transferred to the index 110.

따라서, 로드락 챔버(120)는 제1반송챔버(132a)의 기압상태가 변화되는 것을 방지시키기 위해 그 자체적으로 진공 상태와 대기압 상태를 교차하면서 압력을 유지하게 되는 특징이 있다. 이러한 로드락 챔버(120)에서의 진공형성은 통상 진공펌프(212)와, 진공라인(214) 등의 펌핑 부재(210)에 의해서 이루어지며, 대기압 형성은 벤트 부재(220)에 의해 이루어진다.Therefore, the load lock chamber 120 has a feature that maintains pressure while intersecting a vacuum state and an atmospheric pressure state in order to prevent the air pressure state of the first transfer chamber 132a from being changed. The vacuum formation in the load lock chamber 120 is usually made by the vacuum pump 212 and the pumping member 210 such as the vacuum line 214, the atmospheric pressure is formed by the vent member 220.

여기서 벤트 부재(220)는 벤트 가스 공급원(222), 벤트 가스 공급원(222)에 저장된 벤트 가스를 로드락 챔버(120)로 공급하기 위한 벤트 라인(224), 벤트 라인(224)에 설치되는 밸브(227) 그리고 로드락 챔버(120)의 압력을 체크하는 압력센서(230) 그리고 밸브(227)에 개폐신호를 인가하는 제어부(232)로 이루어진다. 한편, 상기 벤트 가스는 기판에 주는 영향을 최소화하기 위하여 불활성가스인 질소(N2 )를 사용한다. The vent member 220 may include a vent line 224 and a valve installed in the vent line 224 to supply the vent gas stored in the vent gas source 222 and the vent gas source 222 to the load lock chamber 120. 227 and the pressure sensor 230 for checking the pressure of the load lock chamber 120 and the control unit 232 for applying an open / close signal to the valve 227. Meanwhile, the vent gas uses inert gas nitrogen (N 2) to minimize the effect on the substrate.

한편, 로드락 챔버는 벤트 과정에서 로드락 챔버(120)의 급격한 압력상승으로 인한 온도 하강으로 기판(w)에 잔류하는 가스 및 벤트 가스에 의해 결빙현상 및 수포가 발생되지 않도록 로드락 챔버(120)의 온도를 상온(26℃)보다 높은 온도로 유지시키기 위한 가열부재(128)가 설치된다. 이 가열부재(128)에 의해 로드락 챔버(120)는 상온보다 높은 온도를 유지함으로써 기판에 잔류하는 가스 및 벤트 가스 가 액체화되는 현상을 방지할 수 있다. 다시 말해, 로드락 챔버(120)는 가열부재(128)에 의해 27℃에서 35℃의 온도 분위기를 유지하게 됨으로써, 로드락 챔버(120)의 급격한 압력상승에도 불구하고 기판 표면에 결빙(잔류가스가 액화되는 것) 현상을 방지할 수 있다. 참고로, 제어부(232)는 가열부재(128)로 공급되는 전원을 제어하여 로드락 챔버(120)의 내부 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다. 그리고, 본 실시예에서는 가열부재(128)가 로드락 챔버(120) 내부 공간에 설치된 것으로 도시하였으나, 로드락 챔버(120) 몸체 외벽에 설치될 수도 있다. On the other hand, the load lock chamber 120 is a load lock chamber 120 so that the freezing phenomenon and blister is not generated by the gas and the vent gas remaining on the substrate (w) due to the temperature drop due to the rapid pressure rise of the load lock chamber 120 during the venting process The heating member 128 is installed to maintain the temperature of) at a temperature higher than room temperature (26 ℃). By the heating member 128, the load lock chamber 120 maintains a temperature higher than room temperature, thereby preventing the gas and the vent gas remaining in the substrate from being liquefied. In other words, the load lock chamber 120 maintains a temperature atmosphere of 27 ° C. to 35 ° C. by the heating member 128, so that the load lock chamber 120 freezes on the surface of the substrate despite the sudden increase in pressure of the load lock chamber 120. Can be liquefied) phenomenon can be prevented. For reference, the controller 232 may control the power supplied to the heating member 128 to maintain a constant internal temperature of the load lock chamber 120. In addition, although the heating member 128 is illustrated as being installed in the interior of the load lock chamber 120 in the present embodiment, the heating member 128 may be installed on the outer wall of the body of the load lock chamber 120.

도 2를 참조하면, 로드락 챔버의 압력을 대기압으로 조절하는 벤트 과정은 다음과 같다.  Referring to Figure 2, the vent process for adjusting the pressure of the load lock chamber to atmospheric pressure is as follows.

우선, 로드락 챔버(120)는 가열부재(128)에 의해 27℃에서 35℃의 온도 분위기를 유지한다. 이 상태에서 로드락 챔버(120)의 압력이 대기압 또는 대기압보다 높아지도록 벤트 라인(224)을 통해 벤트 가스를 공급한다. 즉, 벤트 가스 공급은 로드락 챔버(120)의 온도가 30℃로 유지된 상태에서 이루어진다.(로드락 챔버의 온도는 공정 환경에 따라 30℃ 이상에서 50℃ 이하로 조절될 수 있다) 이로써, 로드락 챔버(120)의 급격한 압력상승으로 인한 기판 표면의 결빙현상 등을 방지할 수 있다. 참고로, 로드락 챔버(120)의 압력이 급격하게 변하지 않도록 초기에는 벤트 가스를 서서히 공급하며, 로드락 챔버(120)의 압력이 일정압력에 도달되면 그 이후에는 빠르게 벤트 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 벤트 가스의 공급은 로드락 챔버(120)의 압력이 대기압 또는 대기압보다 높아질 때까지 계속되는 것이 바람직하다. First, the load lock chamber 120 maintains a temperature atmosphere of 27 ° C to 35 ° C by the heating member 128. In this state, the vent gas is supplied through the vent line 224 such that the pressure of the load lock chamber 120 is higher than atmospheric pressure or atmospheric pressure. That is, the vent gas supply is performed in a state in which the temperature of the load lock chamber 120 is maintained at 30 ° C. (The temperature of the load lock chamber may be adjusted from 30 ° C. to 50 ° C. or lower depending on the process environment). It is possible to prevent freezing of the surface of the substrate due to a sudden pressure increase of the load lock chamber 120. For reference, the vent gas is gradually supplied initially so that the pressure of the load lock chamber 120 does not change rapidly, and when the pressure of the load lock chamber 120 reaches a predetermined pressure, the vent gas is rapidly supplied thereafter. Do. The supply of vent gas is preferably continued until the pressure in the load lock chamber 120 is at or above atmospheric pressure.

본 발명에 따른 로드락 챔버는 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 하지만, 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The load lock chamber according to the present invention may be variously modified and may take various forms. It is to be understood, however, that the present invention is not limited to the specific forms referred to in the above description, but rather includes all modifications, equivalents and substitutions within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It should be understood to do.

본 발명은 로드락 챔버에 설치된 가열부재에 의해 로드락 챔버의 내부 온도를 상온보다 높게 유지시킨 상태에서 로드락 챔버의 압력을 대기압으로 만들기 때문에 급격한 압력상승에도 불구하고 로드락 챔버의 내부 온도는 상온보다 높은 상태를 유지하게 되고, 따라서 로드락 챔버의 급격한 압력상승에도 불구하고 기판 표면에 결빙(잔류가스가 액화되는 것) 현상을 방지할 수 있다. In the present invention, the internal temperature of the load lock chamber is maintained at room temperature in spite of a sudden increase in pressure because the pressure of the load lock chamber is maintained at atmospheric pressure while the internal temperature of the load lock chamber is maintained at a higher temperature than the normal temperature by the heating member installed in the load lock chamber. It is possible to maintain a higher state, thus preventing freezing (liquidation of residual gas) on the substrate surface in spite of a sudden increase in pressure of the load lock chamber.

Claims (6)

삭제delete 삭제delete 로드락 챔버에 있어서: In the load lock chamber: 챔버와;A chamber; 상기 챔버 내부를 진공상태에서 대기압 상태로 만들기 위한 벤트부재; 및A vent member for making the inside of the chamber from a vacuum state to an atmospheric pressure state; And 상기 벤트부재에 의해 상기 챔버 내부의 압력이 진공상태에서 대기압 상태로 상승하는 과정에서 상기 챔버 내부의 온도가 떨어지지 않도록 상기 챔버를 가열하는 가열부재를 포함하되;And a heating member for heating the chamber so that the temperature inside the chamber does not fall in the process of increasing the pressure inside the chamber from the vacuum state to the atmospheric pressure state by the vent member; 상기 가열부재는 상기 챔버 내부를 27℃에서 35℃ 사이로 유지되도록 가열하는 것을 특징으로 하는 로드락 챔버.The heating member is a load lock chamber, characterized in that for heating the inside of the chamber to be maintained between 27 ℃ to 35 ℃. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 챔버는 내부가 진공상태에서 대기압 상태로 압력 변동시 상기 가열부재에 의해 상온보다 높은 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 로드락 챔버.The chamber is a load lock chamber, characterized in that the inside is maintained at a temperature higher than room temperature by the heating member when the pressure fluctuates from the vacuum state to the atmospheric pressure state. 삭제delete 로드락 챔버의 압력을 진공에서 외부개방에 필요한 대기압으로 조정하는 벤트방법에 있어서: In the vent method, the pressure in the load lock chamber is adjusted from vacuum to atmospheric pressure necessary for external opening: 상기 로드락 챔버의 내부 온도를 상온보다 높은 온도로 유지한 상태에서 벤트라인을 통해 벤트가스를 공급하여 상기 로드락 챔버의 압력을 대기압으로 조정하되;Supplying the vent gas through the vent line while maintaining the internal temperature of the load lock chamber at a temperature higher than room temperature to adjust the pressure of the load lock chamber to atmospheric pressure; 상기 로드락 챔버는 내부에 설치된 가열부재에 의해 27℃에서 35℃ 로 유지되는 것을 특징으로 하는 로드락 챔버의 벤트방법.The load lock chamber is vented method of the load lock chamber, characterized in that it is maintained at 35 ℃ to 27 ℃ by a heating member installed therein.
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