KR100857498B1 - Liquid crystal display and method for manufacturing the same - Google Patents

Liquid crystal display and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR100857498B1
KR100857498B1 KR1020020054335A KR20020054335A KR100857498B1 KR 100857498 B1 KR100857498 B1 KR 100857498B1 KR 1020020054335 A KR1020020054335 A KR 1020020054335A KR 20020054335 A KR20020054335 A KR 20020054335A KR 100857498 B1 KR100857498 B1 KR 100857498B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
electrode
inclination angle
crystal display
Prior art date
Application number
KR1020020054335A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20030085458A (en
Inventor
윤영남
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to US10/410,338 priority Critical patent/US6876416B2/en
Priority to TW092108427A priority patent/TWI284238B/en
Priority to JP2003111291A priority patent/JP4438928B2/en
Priority to CNB031250084A priority patent/CN1324369C/en
Publication of KR20030085458A publication Critical patent/KR20030085458A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100857498B1 publication Critical patent/KR100857498B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate

Abstract

표시 특성을 향상시키기 위한 액정표시장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 어레이 기판은 제1 기판 상에 형성된 스위칭 소자와 제1 전극과의 사이에 개재되는 절연막을 구비한다. 절연막에는 제1 기판으로부터 제1 경사각을 갖고 기울어진 하나 이상의 경사면들을 갖는 제1 측벽부와 제1 기판으로부터 제1 경사각보다 큰 제2 경사각을 갖고 기울어진 제2 측벽부에 의해 정의되고 스위칭 소자의 제1 단과 제1 전극을 전기적으로 연결시키는 콘택홀이 형성된다. 따라서, 액정표시장치의 표시 특성을 향상시킬 수 있다.A liquid crystal display device and a method of manufacturing the same for improving display characteristics are disclosed. The array substrate includes an insulating film interposed between the switching element formed on the first substrate and the first electrode. The insulating film is defined by a first sidewall portion having one or more inclined surfaces inclined at a first inclination angle from the first substrate and a second sidewall portion inclined at a second inclination angle larger than the first inclination angle from the first substrate, A contact hole for electrically connecting the first end and the first electrode is formed. Therefore, the display characteristics of the liquid crystal display device can be improved.

Description

액정표시장치 및 이의 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a liquid crystal display (LCD)

도 1은 일반적인 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general liquid crystal display device.

도 2는 도 1에 도시된 TFT 기판에 배향막을 형성하는 공정을 나타낸 도면이다. 2 is a view showing a process of forming an alignment film on the TFT substrate shown in Fig.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 콘택홀을 러빙 방향과 연관하여 나타낸 도면이다.4 is a view showing the contact hole shown in FIG. 3 in relation to the rubbing direction.

도 5a 내지 도 5f는 도 3에 도시된 TFT 기판의 제조 공정을 나타낸 도면들이다.FIGS. 5A to 5F are views showing a manufacturing process of the TFT substrate shown in FIG.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

도 7은 도 6에 도시된 콘택홀을 러빙 방향과 연관하여 나타낸 도면이다.7 is a view showing the contact hole shown in FIG. 6 in relation to the rubbing direction.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.

도 9는 도 8에 도시된 콘택홀을 러빙 방향과 연관하여 나타낸 도면이다.9 is a view showing the contact hole shown in FIG. 8 in relation to the rubbing direction.

도 10a 내지 도 10c는 도 8에 도시된 TFT 기판의 제조 공정을 나타낸 도면들이다.FIGS. 10A to 10C are views showing a manufacturing process of the TFT substrate shown in FIG.

도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.11 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 12는 도 11에 도시된 콘택홀을 러빙 방향과 연관하여 나타낸 도면이다. 12 is a view showing the contact hole shown in FIG. 11 in relation to the rubbing direction.                 

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

100 : TFT 기판 130 : 절연막100: TFT substrate 130: insulating film

131 : 제1 측벽부 133 : 제2 측벽부131: first side wall part 133: second side wall part

135 : 콘택홀 140 : 화소 전극135: contact hole 140: pixel electrode

150 : 제1 배향막 200 : 컬러필터기판150: first alignment layer 200: color filter substrate

300 : 액정층 400 : 액정표시장치300: liquid crystal layer 400: liquid crystal display

본 발명은 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 표시 특성을 향상시키기 위한 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same.

오늘날과 같은 정보화 사회에 있어서 전자 디스플레이 장치(electronic display device)의 역할은 갈수록 중요해지며, 각종 전자 디스플레이 장치가 다양한 산업 분야에 광범위하게 사용되고 있다.In today's information society, the role of electronic display devices becomes increasingly important, and various electronic display devices are widely used in various industrial fields.

일반적으로, 전자 디스플레이 장치는 각종 전가 기기로부터 출력되는 전기적 정보 신호를 인간의 시각으로 인식 가능한 광 정보 신호로 변환하는 전자 장치라고 정의할 수 있다. In general, an electronic display device can be defined as an electronic device that converts an electrical information signal output from various electronic devices into an optical information signal that can be recognized by human vision.

최근 들어, 반도체 기술의 급속한 진보에 의해 각종 전자 장치의 고체화, 저 전압 및 저 전력화와 함께 전자 기기의 소형 및 경량화에 따라 새로운 환경에 적합한 평판 디스플레이 장치에 대한 요구가 급격히 증대하고 있다. 이러한 평판 디스 플레이 장치 중 액정표시장치는 다른 디스플레이 장치에 비해 얇고 가벼우며, 낮은 소비 전력 및 낮은 구동 전압을 갖추고 있어 광범위하게 사용되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, rapid advances in semiconductor technology have resulted in a rapid increase in demand for flat panel display devices that are suitable for new environments due to solidification, low voltage, and low power consumption of various electronic devices and miniaturization and weight reduction of electronic devices. Of these flat panel display devices, liquid crystal display devices are widely used because they are thinner and lighter than other display devices, have lower power consumption and lower driving voltage.

도 1은 일반적인 액정표시장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 TFT 기판에 배향막을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing a general liquid crystal display device, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a step of forming an alignment film on the TFT substrate shown in FIG.

도 1을 참조하면, 일반적인 액정표시장치는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하, TFT) 기판(60)과, TFT 기판(60)과 대향하여 구비되는 컬러필터(Color Filter; 이하, C/F) 기판(70)과, TFT 기판(60)과 상기 C/F 기판(70)과의 사이에 형성된 액정층(80)을 포함한다.1, a typical liquid crystal display device includes a thin film transistor (TFT) substrate 60, a color filter (hereinafter referred to as a C / F) 70 opposed to the TFT substrate 60, And includes a substrate 70 and a liquid crystal layer 80 formed between the TFT substrate 60 and the C / F substrate 70.

TFT 기판(60)은 제1 기판(10)과, 제1 기판(10) 상에 형성된 TFT(20)과, TFT(20)를 포함하는 제1 기판(10) 상에 형성된 유기 절연막(30)과, 유기 절연막(30) 상에 형성된 화소전극(40)과, 화소전극(40) 상에 형성된 제1 배향막(align film; 50)으로 이루어진다.The TFT substrate 60 includes a first substrate 10, a TFT 20 formed on the first substrate 10, an organic insulating film 30 formed on the first substrate 10 including the TFT 20, A pixel electrode 40 formed on the organic insulating film 30 and a first alignment film 50 formed on the pixel electrode 40. [

TFT(20)는 게이트 전극(21), 소오스 전극(25) 및 드레인 전극(26)을 갖는다. 이때, 게이트 전극(21)은 게이트 절연막(22)을 통하여 소오스 전극(25) 및 드레인 전극(26)과 절연 상태를 유지한다. 게이트 절연막(22) 상에는 게이트 전극(21)에 전원이 인가됨에 따라 소오스 전극(25)으로부터 드레인 전극(26)으로 전원을 인가하기 위한 액티브 패턴(23) 및 오믹 콘택 패턴(24)이 형성된다. 그 위로 소오스 및 드레인 전극(25, 26)이 형성된다. The TFT 20 has a gate electrode 21, a source electrode 25, and a drain electrode 26. At this time, the gate electrode 21 maintains an insulated state from the source electrode 25 and the drain electrode 26 through the gate insulating film 22. An active pattern 23 and an ohmic contact pattern 24 for applying power from the source electrode 25 to the drain electrode 26 are formed on the gate insulating film 22. And the source and drain electrodes 25 and 26 are formed thereon.

이때, TFT(20) 위로는 유기 절연막(30)이 형성된다. 유기 절연막(30)에는 드레인 전극(26)을 노출시키기 위한 콘택홀(31)이 형성되어 있다. 이후, 유기 절연막(30), 콘택홀(31)에 의해 노출된 드레인 전극(26) 및 콘택홀(31)의 측벽에는 화소전극(40)이 균일한 두께로 도포된다. 또한, 화소전극(40) 상에는 소정의 방향으로 연장된 다수의 배향홈(미도시)을 갖는 제1 배향막(50)이 형성된다. At this time, the organic insulating film 30 is formed on the TFT 20. A contact hole 31 for exposing the drain electrode 26 is formed in the organic insulating film 30. The pixel electrode 40 is applied to the side walls of the drain electrode 26 and the contact hole 31 exposed by the organic insulating film 30 and the contact hole 31 with a uniform thickness. On the pixel electrode 40, a first alignment layer 50 having a plurality of alignment grooves (not shown) extending in a predetermined direction is formed.

한편, C/F 기판(70)은 제2 기판(71) 상에 컬러필터(72), 공통전극(73) 및 제2 배향막(74)이 형성된 기판으로, 공통전극(73)이 화소전극(40)과 마주보도록 TFT 기판(60)과 대향하여 구비된다. 이와 같이, C/F 기판(70)과 TFT 기판(60)이 대향하여 결합되면, C/F 기판(70)과 TFT 기판(60)과의 사이에는 액정층(80)이 형성된다.The C / F substrate 70 is a substrate on which a color filter 72, a common electrode 73 and a second alignment film 74 are formed on a second substrate 71. The common electrode 73 is a pixel electrode 40 facing the TFT substrate 60 to face each other. As described above, when the C / F substrate 70 and the TFT substrate 60 are opposed to each other, a liquid crystal layer 80 is formed between the C / F substrate 70 and the TFT substrate 60.

액정층(80)에 광이 통과되도록 하기 위해서는 액정층(80)을 일정한 방향으로 배향시켜야 한다. 이때, 액정(80)의 배향은 제1 및 제2 배향막(50, 74)에 의하여 수행된다. 여기서, 제1 배향막(50)의 형성 공정을 간단하게 설명한다. In order to allow light to pass through the liquid crystal layer 80, the liquid crystal layer 80 should be oriented in a certain direction. At this time, the alignment of the liquid crystal 80 is performed by the first and second alignment films 50 and 74. Here, the process of forming the first alignment film 50 will be briefly described.

도 2를 참조하면, 화소전극(40) 상에는 폴리 이미드(poly-imide) 박막으로 이루어진 배향층(51)이 적층된다. 배향층(51)은 러빙 공정에 의해 다수의 배향홈(50a)을 갖는 제1 배향막(50)으로 형성된다. 구체적으로, 러빙 롤러(90)의 외주면에는 다수의 파일(pile; 91a)이 돌출되어 있는 러빙포(91)가 부착되어 있다. 러빙 롤러(90)를 배향층(51) 상에 배치시킨 후 소정의 방향으로 이동시키면, 배향층(51)에는 배향층(51)과 파일(91a)이 서로 마찰되면서, 러빙 롤러(90)가 이동하는 방향으로 연장된 다수의 배향홈(51)이 형성된다. 이로써, 제1 배향막(50)이 완성된다.Referring to FIG. 2, an orientation layer 51 made of a poly-imide thin film is stacked on the pixel electrode 40. The alignment layer 51 is formed by a rubbing process as a first alignment layer 50 having a large number of alignment grooves 50a. Specifically, on the outer peripheral surface of the rubbing roller 90, a rubbing cloth 91 protruding from a plurality of piles 91a is attached. The orientation layer 51 and the pile 91a are rubbed against each other in the orientation layer 51 and the rubbing roller 90 is brought into contact with the orientation layer 51 A plurality of alignment grooves 51 extending in the moving direction are formed. Thereby, the first alignment film 50 is completed.

그러나, 러빙 롤러(90)가 콘택홀(31)을 통과하게되면, 콘택홀(31)의 단차로 인해 콘택홀(31)을 정의하는 유기 절연막의 측벽에서 배향이 잘 이루어지지 않아 배향홈(50a)이 얇게 형성되거나 형성되지 못하는 문제가 발생된다. 이로써, 콘택홀(31) 부분에서 액정이 제대로 배열되지 못하여 액정표시장치의 블랙 모드 시 빛샘 현상이 발생한다. 따라서, 액정표시장치의 표시 특성이 저하된다.However, when the rubbing roller 90 passes through the contact hole 31, the side wall of the organic insulating film defining the contact hole 31 is not well aligned due to the step of the contact hole 31, ) Is formed to be thin or not formed. As a result, the liquid crystal is not properly arranged in the contact hole 31, and light leakage occurs in the black mode of the liquid crystal display device. Therefore, the display characteristics of the liquid crystal display device are deteriorated.

따라서, 본 발명의 제1 목적은 표시 특성을 향상시키기 위한 액정표시장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is a first object of the present invention to provide a liquid crystal display device for improving display characteristics.

또한, 본 발명의 제2 목적은 표시 특성이 향상시키기 위한 액정표시장치의 제조방법을 제공하는 것이다.A second object of the present invention is to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device for improving display characteristics.

상술한 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는, 제1 기판 상에 형성된 스위칭 소자와 제1 전극과의 사이에 개재되어 상기 제1 기판으로부터 제1 경사각으로 기울어진 하나 이상의 경사면을 갖는 제1 측벽부와 상기 제1 기판으로부터 상기 제1 경사각보다 큰 제2 경사각으로 기울어진 제2 측벽부에 의해 정의되는 콘택홀이 형성된 절연막과 상기 제1 전극 상에 형성되고 제1 방향으로 러빙된 제1 배향막을 갖고, 상기 스위칭 소자는 상기 콘택홀을 통해 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 어레이 기판; 제2 기판 상에 상기 제1 전극과 마주보도록 형성된 컬러필터와, 상기 컬러필터 상에 형성된 제2 전극 및 제2 전극 상에 형성되고 제2 방향으로 러빙된 제2 배향막을 갖는 컬러필터기판; 및 상기 어레이 기판과 상기 컬러필터기판과의 사이에 형성된 액정층을 포함한다. 이때, 상기 콘택홀은 상기 제1 및 제2 측벽부의 상단에서 상기 제2 방향보다 제1 방향으로 길게 형성된다.In order to accomplish the first object of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a liquid crystal layer interposed between a switching element formed on a first substrate and a first electrode and inclined at a first inclination angle from the first substrate; An insulating film formed on the first electrode and having a contact hole defined by a first sidewall portion having at least one inclined surface and a second sidewall portion inclined at a second inclination angle larger than the first inclination angle from the first substrate; An array substrate having a first alignment layer rubbed in one direction, the switching element being electrically connected to the first electrode through the contact hole; A color filter formed on the second substrate so as to face the first electrode; a color filter substrate having a second electrode formed on the color filter and a second alignment film formed on the second electrode and rubbed in the second direction; And a liquid crystal layer formed between the array substrate and the color filter substrate. At this time, the contact holes are formed to be longer in the first direction than the second direction at the upper ends of the first and second sidewall portions.

또한, 상술한 본 발명의 제2 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 제1 기판 상에 형성된 스위칭 소자와 제1 전극과의 사이에 개재되어 상기 제1 기판으로부터 제1 경사각으로 기울어진 하나 이상의 경사면들을 갖는 제1 측벽부와 상기 제1 기판으로부터 상기 제1 경사각보다 큰 제2 경사각으로 기울어진 제2 측벽부에 의해 정의되는 콘택홀이 형성된 절연막과 상기 제1 전극 상에 형성되고 제1 방향을 러빙된 제1 배향막을 갖고, 상기 스위칭 소자는 상기 콘택홀을 통해 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 어레이 기판을 제조하는 단계; 제2 기판 상에 상기 제1 전극과 마주보도록 형성된 컬러필터, 상기 컬러필터의 전면에 걸쳐서 형성된 제2 전극, 상기 제2 전극 상에 형성되고 제2 방향으로 러빙된 제2 배향막을 갖는 컬러필터기판을 제조하는 단계; 및 상기 어레이 기판과 상기 컬러필터기판과의 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 콘택홀은 상기 제1 및 제2 측벽부의 상단에서 상기 제2 방향보다 상기 제1 방향으로 길게 형성된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, including: forming a first electrode on a first substrate, An insulating film having a first sidewall portion having one or more inclined surfaces inclined at an inclination angle and a contact hole defined by a second sidewall portion inclined at a second inclination angle larger than the first inclination angle from the first substrate; Wherein the switching element has a first alignment layer formed on the substrate and rubbed in a first direction, the switching element being electrically connected to the first electrode through the contact hole; A color filter formed on the second substrate so as to face the first electrode, a second electrode formed over the entire surface of the color filter, and a second alignment film formed on the second electrode and rubbed in the second direction, Lt; / RTI &gt; And forming a liquid crystal layer between the array substrate and the color filter substrate. At this time, the contact hole is formed longer in the first direction than the second direction at the upper ends of the first and second sidewall portions.

이러한 액정표시장치 및 액정표시장치의 제조방법에 따르면, 어레이 기판에는 절연막이 형성되고, 절연막에는 제1 기판으로부터 제1 경사각을 갖고 기울어진 하나 이상의 경사면을 갖는 제1 측벽부와 제1 기판으로부터 제1 경사각보다 큰 제2 경사각을 갖고 기울어진 제2 측벽부에 의해 정의되는 콘택홀이 형성된다. 따라서, 액정표시장치의 표시 특성을 향상시킬 수 있다. According to such a liquid crystal display device and a method of manufacturing a liquid crystal display device, an insulating film is formed on an array substrate, and the insulating film includes a first sidewall portion having at least one inclined surface inclined at a first inclination angle from the first substrate, A contact hole defined by a second sidewall portion inclined at a second inclination angle larger than one inclination angle is formed. Therefore, the display characteristics of the liquid crystal display device can be improved.                     

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 콘택홀을 러빙 방향에 연관하여 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a view showing a contact hole shown in FIG. 3 in relation to a rubbing direction.

도 3을 참조하면, 액정표시장치(400)는 TFT 기판(100), TFT 기판(100)과 대향하여 구비되는 C/F 기판(200) 및 TFT 기판(100)과 C/F 기판(200)과의 사이에 형성된 액정층(300)을 포함한다.3, a liquid crystal display 400 includes a TFT substrate 100, a C / F substrate 200 and a TFT substrate 100 and a C / F substrate 200 opposed to the TFT substrate 100, And a liquid crystal layer 300 formed between the liquid crystal layer 300 and the liquid crystal layer 300.

TFT 기판(100)은 제1 기판(110), 제1 기판(110) 상에 형성된 TFT(120), TFT(120)가 형성된 제1 기판(110) 상에 형성된 유기 절연막(130), 유기 절연막(130) 상에 형성된 화소전극(140) 및 화소전극(140) 상에 형성된 제1 배향막(150)으로 이루어진다.The TFT substrate 100 includes a first substrate 110, a TFT 120 formed on the first substrate 110, an organic insulating film 130 formed on the first substrate 110 on which the TFT 120 is formed, A pixel electrode 140 formed on the pixel electrode 130 and a first alignment layer 150 formed on the pixel electrode 140.

TFT(120)는 게이트 전극(121), 소오스 전극(125) 및 드레인 전극(126)을 갖는다. 이때, 게이트 전극(121)은 게이트 절연막(122)을 통하여 소오스 전극(125)과 드레인 전극(126)과 절연 상태를 유지한다. 게이트 절연막(122) 상에는 게이트 전극(121)에 전원이 인가됨에 따라 소오스 전극(125)으로부터 드레인 전극(126)으로 전원을 인가하기 위한 액티브 패턴(123) 및 오믹 콘택 패턴(124)이 형성된다. 그 위로 소오스 및 드레인 전극(125, 126)이 형성된다.The TFT 120 has a gate electrode 121, a source electrode 125, and a drain electrode 126. At this time, the gate electrode 121 maintains an insulated state from the source electrode 125 and the drain electrode 126 through the gate insulating film 122. An active pattern 123 and an ohmic contact pattern 124 for applying power from the source electrode 125 to the drain electrode 126 are formed on the gate insulating layer 122. And the source and drain electrodes 125 and 126 are formed thereon.

이때, TFT(120) 상에는 드레인 전극(126)을 노출시키기 위한 콘택홀(135)이 형성된 유기 절연막(130)이 형성된다. 여기서, 콘택홀(135)은 제1 기판(110)으로부터 제1 경사각(θ1)으로 기울어진 하나 이상의 경사면을 갖는 제1 측벽부(131), 제1 기판(110)으로부터 제1 경사각(θ1)보다 큰 제2 경사각(θ2)을 갖고 형성된 제2 측벽부(133)에 의해 정의된다. 제1 측벽부(131)는 제1 경사각(θ1)으로 기울어진 제1 경사면(131a)과, 제1 경사면(131a)과 마주보고 제2 경사각(θ2)으로 기울어진 제2 경사면(131b)으로 이루어진다. At this time, on the TFT 120, An organic insulating layer 130 having a contact hole 135 for exposing the drain electrode 126 is formed. The contact hole 135 includes a first sidewall 131 having at least one inclined surface inclined at a first inclination angle? 1 from the first substrate 110, a first inclined angle? 1 from the first substrate 110, And a second side wall portion 133 formed with a second inclination angle [theta] 2 larger than the second inclined angle [theta] 2. The first side wall portion 131 includes a first inclined face 131a inclined at a first inclination angle? 1 and a second inclined face 131b inclined at a second inclination angle? 2 opposite to the first inclined face 131a .

여기서, 제1 및 제2 경사각(θ1, θ2)은 예각이고, 더욱 바람직하게, 제1 경사각(θ1)은 30°이하이고, 제2 경사각(θ2)은 30°보다는 크고 60°보다는 작거나 같다.The first and second inclination angles? 1 and? 2 are acute angles. More preferably, the first inclination angle? 1 is less than 30 degrees and the second inclination angle? 2 is greater than 30 degrees and less than 60 degrees .

도 4에 도시된 바와 같이, 콘택홀(135)은 제1 및 제2 측벽부(131, 133)의 상단에서 제1 배향막(150)의 러빙 방향인 제1 방향(D1)으로의 폭이 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)으로의 폭보다 넓게 형성된다. 제1 측벽부(131)는 제1 경사각(θ1)으로 기울어진 제1 경사면(131a)과 제2 경사각(θ2)으로 기울어진 제2 경사면(131b)으로 이루어진다. 이때, 제1 경사면(131a)은 제2 경사면(131b)보다 먼저 러빙된다.4, the contact hole 135 has a width in the first direction D1 that is the rubbing direction of the first alignment layer 150 at the upper ends of the first and second sidewall portions 131 and 133, And is wider than the width in the second direction D2 orthogonal to the one direction D1. The first sidewall 131 includes a first inclined surface 131a inclined at a first inclination angle? 1 and a second inclined surface 131b inclined at a second inclination angle? 2. At this time, the first inclined surface 131a is rubbed before the second inclined surface 131b.

이후, 유기 절연막(130)과, 콘택홀(135)에 의해 노출된 드레인 전극(126)과, 콘택홀(135)을 정의하는 제1 및 제2 측벽부(131, 133)에는 화소전극(140)이 균일한 두께로 도포된다. 또한, 화소전극(140) 상에는 일정의 방향으로 러빙된 제1 배향막(150)이 형성된다.Thereafter, the organic insulating film 130, the drain electrode 126 exposed by the contact hole 135, and the first and second sidewall portions 131 and 133 defining the contact hole 135 are formed with the pixel electrode 140 ) Is applied in a uniform thickness. Also, a first alignment layer 150 rubbed in a predetermined direction is formed on the pixel electrode 140.

한편, C/F 기판(200)은 제2 기판(210) 상에 컬러필터(220), 공통전극(230) 및 제2 배향막(240)이 순차적으로 형성된 기판이다. C/F 기판(200)은 공통전극(230)이 화소전극(140)과 마주보도록 TFT 기판(100)과 대향하여 결합된다. 이후, C/F 기판(200)과 TFT 기판(100)과의 사이에는 액정층(300)이 형성된다.The C / F substrate 200 is a substrate on which a color filter 220, a common electrode 230, and a second alignment layer 240 are sequentially formed on a second substrate 210. The C / F substrate 200 is coupled to the TFT substrate 100 so that the common electrode 230 faces the pixel electrode 140. Thereafter, a liquid crystal layer 300 is formed between the C / F substrate 200 and the TFT substrate 100.

이하, 도 3에 도시된 TFT 기판의 제조 공정을 설명한다.Hereinafter, the manufacturing process of the TFT substrate shown in Fig. 3 will be described.

도 5a 내지 도 5f는 도 3에 도시된 TFT 기판의 제조 공정을 구체적으로 나타낸 도면들이다.5A to FIG. 5F are views showing a manufacturing process of the TFT substrate shown in FIG. 3 in detail.

도 5a를 참조하면, 유리 또는 세라믹과 같은 절연 물질로 이루어진 제1 기판(110) 상에 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 또는 몰리브덴 텅스텐(MoW)으로 이루어진 제1 금속막(미도시)을 스퍼터링 방법에 의해 증착한 후, 제1 금속막을 패터닝하여 게이트 라인(미도시), 게이트 라인으로부터 분기되는 게이트 전극(121)을 형성한다. 게이트 전극(121)은 그 측벽이 테이퍼드 프로파일(tapered profile)을 갖는다.5A, a first metal film (not shown) made of aluminum (Al), chromium (Cr), or molybdenum tungsten (MoW) is sputtered on a first substrate 110 made of an insulating material such as glass or ceramic Method, the first metal film is patterned to form a gate line (not shown) and a gate electrode 121 which is branched from the gate line. The gate electrode 121 has a tapered profile in its side wall.

이어서, 게이트 라인 및 게이트 전극(121)이 형성된 제1 기판(110)의 전면에 실리콘 질화물을 플라즈마 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 방법에 의해 증착하여 게이트 절연막(122)을 형성한다.Next, silicon nitride is deposited on the entire surface of the first substrate 110 on which the gate line and the gate electrode 121 are formed by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) to form a gate insulating film 122 do.

게이트 절연막(122) 상에 액티브층(미도시)으로서, 예컨대 비정질실리콘막을 플라즈마 화학기상증착 방법에 의해 증착하고, 그 위에 오믹 콘택층(미도시)으로서, 예컨대 n+ 도핑된 비정질실리콘막을 플라즈마 화학기상증착 방법에 의해 증착한다. 이때, 비정질실리콘막 및 n+ 도핑된 비정질실리콘막을 플라즈마 화학기상증착 설비의 동일 챔버 내에서 인-시튜(in-situ)로 증착한다. 이어서, 오믹 콘택층 및 액티브층을 차례로 패터닝하여 게이트 전극(121) 윗부분의 게이트 절연막(122) 상에 비정질실리콘막으로 이루어진 액티브 패턴(123) 및 n+ 도핑된 비정질실리콘막으 로 이루어진 오믹 콘택층 패턴(124)을 형성한다.An amorphous silicon film is deposited as an active layer (not shown) on the gate insulating film 122 by a plasma chemical vapor deposition method, and an n + doped amorphous silicon film is deposited thereon as an ohmic contact layer (not shown) And is deposited by a vapor deposition method. At this time, the amorphous silicon film and the n + doped amorphous silicon film are deposited in-situ in the same chamber of the plasma chemical vapor deposition facility. The ohmic contact layer and the active layer are sequentially patterned to form an ohmic contact layer pattern composed of an active pattern 123 made of an amorphous silicon film and an n + doped amorphous silicon film on the gate insulating film 122 above the gate electrode 121 (124).

결과물의 전면에 크롬(Cr)과 같은 제2 금속막(미도시)을 스퍼터링 방법에 의해 증착한 후, 제2 금속막을 패터닝하여 게이트 라인에 직교하는 데이터 라인(미도시), 데이터 라인으로부터 분기되는 소오스 전극(125) 및 드레인 전극(126)을 형성한다. A second metal film (not shown) such as chromium (Cr) is deposited on the entire surface of the resultant by a sputtering method, and then the second metal film is patterned to form a data line (not shown) orthogonal to the gate line, A source electrode 125 and a drain electrode 126 are formed.

따라서, 게이트 전극(121), 액티브 패턴(123), 오믹 콘택층 패턴(124), 소오스 전극(125) 및 드레인 전극(126)을 포함하는 TFT(120)가 완성된다. 게이트 라인과 데이터 라인 사이에 개재된 게이트 절연막(122)은 게이트 라인과 데이터 라인이 접촉되는 것을 방지한다.The TFT 120 including the gate electrode 121, the active pattern 123, the ohmic contact layer pattern 124, the source electrode 125, and the drain electrode 126 is completed. The gate insulating film 122 interposed between the gate line and the data line prevents the gate line and the data line from being in contact with each other.

계속해서, 소오스 전극(125)과 드레인 전극(126) 사이의 노출된 오믹 콘택 패턴(124)을 반응성 이온 식각(reactive ion etching; RIE) 방법에 의해 제거해낸다. 그러면, 소오스/드레인 전극(125, 126) 사이의 노출된 액티브 패턴 영역이 TFT(120)의 채널 영역으로 제공된다.Subsequently, the exposed ohmic contact pattern 124 between the source electrode 125 and the drain electrode 126 is removed by a reactive ion etching (RIE) method. Then, an exposed active pattern region between the source / drain electrodes 125 and 126 is provided to the channel region of the TFT 120. [

도 5b를 참조하면, TFT(120)가 형성된 제1 기판(110)의 전면에는 소오스 및 드레인 전극과 그 위에 형성되어질 화소전극(140) 사이를 전기적으로 절연시키기 위한 층간 절연막으로서, 예컨대 아크릴계 수지와 같은 감광성 유기 절연층(137)을 스핀-코팅 방법이나 슬릿-코팅 방법을 통해 도포한다.5B, an interlayer insulating film for electrically insulating the source and drain electrodes and the pixel electrode 140 to be formed thereon is provided on the front surface of the first substrate 110 on which the TFT 120 is formed. For example, The same photosensitive organic insulating layer 137 is applied by a spin-coating method or a slit-coating method.

유기 절연층(137) 상에는 콘택홀 패턴이 형성되어 있는 마스크(137a)가 형성된다. 구체적으로, 마스크(137a)는 콘택홀 형성 영역(A)을 구비하고, 콘택홀 영역 영역(A)은 상대적으로 노광량이 적은 슬릿 노광 영역(A1)과 상대적으로 노광량이 많은 풀 노광 영역(A2)으로 구분된다. 슬릿 노광 영역(A1)은 제1 및 제2 측벽부(131, 133) 중 제1 측벽부(131)의 제1 경사면(131a)에 대응한다.On the organic insulating layer 137, a mask 137a having a contact hole pattern is formed. Specifically, the mask 137a has a contact hole formation region A, and the contact hole region A is formed by a slit exposure region A1 having a relatively small exposure amount and a full exposure region A2 having a relatively large exposure amount, . The slit exposure area A1 corresponds to the first inclined surface 131a of the first sidewall part 131 of the first and second sidewall parts 131 and 133.

이후, 유기 절연층(137)을 노광하면, 슬릿 노광 영역(A1)에 대응하는 유기 절연층(137)은 슬릿 노광되고, 풀 노광 영역(A2)에 대응하는 유기 절연층(137)은 풀 노광된다.The organic insulating layer 137 corresponding to the slit exposure area A1 is slit exposed and the organic insulating layer 137 corresponding to the full exposure area A2 is exposed to the full exposure do.

도 5c를 참조하면, 테트라메틸-수산화암모늄(TMAH) 현상액을 이용하여 유기 절연층(137)을 현상한다. 그러면, 유기 절연층(137)의 노광된 영역이 제거되면서 드레인 전극(126)의 표면 일부분을 노출시키는 콘택홀(135)이 형성된다. 즉, 콘택홀(135)을 정의하는 제1 및 제2 측벽부(131, 133) 중 슬릿 노광 영역(A1)과 대응하는 제1 측벽부(131)에는 제1 기판(110)으로부터 제1 경사각(θ1)으로 기울어진 제1 경사면(131a)이 형성된다. 또한, 풀 노광 영역(A2)의 경계부에 대응하여 제1 측벽부(131)에는 제1 기판(110)으로부터 제2 경사각(θ2)으로 기울어진 제2 경사면(131b)이 형성되고, 제2 측벽부(미도시)는 제1 기판(110)으로부터 제2 경사각(θ2)으로 기울어진다.Referring to FIG. 5C, the organic insulation layer 137 is developed using a tetramethyl-ammonium hydroxide (TMAH) developer. Then, the exposed region of the organic insulating layer 137 is removed, and the contact hole 135 exposing a portion of the surface of the drain electrode 126 is formed. The first side wall part 131 corresponding to the slit exposure area A1 in the first and second side wall parts 131 and 133 defining the contact hole 135 is formed with a first inclined angle the first inclined surface 131a inclined at the angle? 1 is formed. A second inclined surface 131b inclined at a second inclination angle 2 from the first substrate 110 is formed in the first sidewall part 131 in correspondence with the boundary of the full exposure area A2, (Not shown) is inclined at a second inclination angle? 2 from the first substrate 110.

여기서, 제1 경사각(θ1)은 제2 경사각(θ2)보다 작다. 즉, 제1 경사각(θ1)은 30°이하이고, 제2 경사각(θ2)은 30°보다는 크고 60°보다는 작거나 같다.Here, the first inclination angle [theta] 1 is smaller than the second inclination angle [theta] 2. That is, the first inclination angle [theta] 1 is less than 30 [deg.] And the second inclination angle [theta] 2 is greater than 30 [deg.

도 5d를 참조하면, 유기 절연막(130)과 콘택홀(135) 상에 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Induim Zinc Oxide; IZO)와 같은 투명 도전막을 증착한 후, 투명 도전막을 패터닝하여 화소전극(140)을 형성한다. 여기서, 화소전극(140)은 콘택홀(135)을 통해 TFT(120)의 드레인 전극(126)과 접속된다.5D, a transparent conductive layer such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is deposited on the organic insulating layer 130 and the contact hole 135, The conductive film is patterned to form the pixel electrode 140. Here, the pixel electrode 140 is connected to the drain electrode 126 of the TFT 120 through the contact hole 135.

도 5e 및 도 5f를 참조하면, 화소 전극(140) 상에는 폴리 이미드(poly-imide) 박막으로 이루어진 배향층(155)이 적층된다. 배향층(155)은 러빙 공정에 의해 다수의 배향홈(151)을 갖는 배향막(150)으로 형성된다. Referring to FIGS. 5E and 5F, an alignment layer 155 made of a poly-imide thin film is stacked on the pixel electrode 140. The orientation layer 155 is formed of an orientation film 150 having a plurality of orientation grooves 151 by a rubbing process.

구체적으로, 러빙 롤러(190)의 외면에는 다수의 파일(191a)이 형성된 러빙포(191)가 부착되어 있다. 러빙 롤러(190)를 배향층(155) 상에 배치시킨 후 소정의 방향으로 이동시키면, 배향층(155)과 다수의 파일(191a)이 서로 마찰된다. 배향층(155)에는 러빙 롤러(190)가 이동하는 방향으로 연장된 다수의 배향홈(151)이 형성된다. 이로써, 배향막(150)이 완성된다. 러빙 롤러(190)는 제1 경사면(131a)으로부터 제2 경사면(131b)을 향하는 방향으로 이동하면서 배향막(150)을 러빙한다.Specifically, on the outer surface of the rubbing roller 190, a rubbing cloth 191 on which a plurality of piles 191a are formed is attached. When the rubbing roller 190 is placed on the orientation layer 155 and then moved in a predetermined direction, the orientation layer 155 and the plurality of piles 191a are rubbed against each other. The alignment layer 155 is provided with a plurality of alignment grooves 151 extending in the direction in which the rubbing roller 190 moves. Thus, the alignment film 150 is completed. The rubbing roller 190 rubs the alignment film 150 while moving in the direction from the first inclined surface 131a toward the second inclined surface 131b.

도 5f에 도시된 바와 같이, 제1 경사면(131a)이 완만하게 형성됨으로써 제1 경사면(131a)에도 배향홈(151)이 제대로 형성된다. 따라서, 콘택홀(131)의 제1 경사면(131a) 부분에서 액정(180)이 제대로 배열함으로써 빛샘 현상을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 5F, since the first inclined surface 131a is formed gently, the alignment groove 151 is formed properly on the first inclined surface 131a. Therefore, the light leakage phenomenon can be prevented by properly arranging the liquid crystal 180 in the first inclined surface 131a of the contact hole 131. [

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타낸 단면도이고, 도 7은 도 6에 도시된 콘택홀을 러빙 방향과 연관하여 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a view showing a contact hole shown in FIG. 6 in relation to a rubbing direction.

도 6 및 도 7을 참조하면, TFT(120)가 형성된 제1 기판(110) 상에는 드레인 전극(126)을 노출시키기 위한 콘택홀(165)이 형성된 유기 절연막(160)이 형성된다. 여기서, 콘택홀(165)은 제1 기판(110)으로부터 제1 경사각(θ1)으로 기울어진 하나 이상의 경사면을 갖는 제1 측벽부(161)과, 제1 측벽부(161)와 마주보고 제1 기판(110)으로부터 제1 경사각(θ1)보다 큰 제2 경사각(θ2)을 갖고 형성된 제2 측벽부(163)에 의해 정의된다. 제1 측벽부(161)는 상기 제1 경사각(θ1)으로 기울어진 제1 경사면(161a)과, 제1 경사면(161a)과 마주보고 상기 제1 경사각(θ1)으로 기울어진 제2 경사면(161b)으로 이루어진다. 6 and 7, on the first substrate 110 on which the TFT 120 is formed, An organic insulating layer 160 having contact holes 165 for exposing the drain electrodes 126 is formed. The contact hole 165 includes a first sidewall portion 161 having at least one inclined surface inclined at a first inclination angle? 1 from the first substrate 110 and a second sidewall portion 161 facing the first sidewall portion 161, Is defined by a second side wall portion 163 formed with a second inclination angle [theta] 2 larger than the first inclination angle [theta] 1 from the substrate 110. [ The first side wall portion 161 includes a first inclined surface 161a inclined at the first inclined angle? 1 and a second inclined surface 161b inclined at the first inclined angle? 1 opposite to the first inclined surface 161a. ).

여기서, 제1 및 제2 경사각(θ1, θ2)은 예각이고, 더욱 바람직하게 제1 경사각(θ1)은 30°이하이고 제2 경사각(θ2)은 30°보다는 크고 60°보다는 작거나 같다.The first and second inclination angles? 1 and? 2 are acute angles. More preferably, the first inclination angle? 1 is less than 30 degrees and the second inclination angle? 2 is greater than 30 degrees and less than 60 degrees.

또한, 도 7에 도시되 바와 같이 콘택홀(165)은 제1 및 제2 측벽부(161, 163)의 상단에서 제1 배향막(150)의 러빙 방향인 제1 방향(D1)으로의 폭이 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)으로의 폭보다 넓게 형성된다. 제1 측벽부(161)는 각각이 제1 경사각(θ1)으로 기울어진 제1 및 제2 경사면(161a, 161b)을 구비한다. 따라서, 제1 측벽부(161)에서의 배향력을 증가시킬 수 있다.7, the width of the contact hole 165 in the first direction D1, which is the rubbing direction of the first alignment layer 150 at the upper ends of the first and second sidewall portions 161 and 163, And is wider than the width in the second direction D2 orthogonal to the first direction D1. The first side wall portion 161 includes first and second inclined surfaces 161a and 161b inclined at a first inclination angle? 1. Therefore, the orientation force in the first sidewall portion 161 can be increased.

이하, 본 발명의 제3 및 제4 실시예는 유기 절연막의 표면에 요철을 형성하는 구조를 예로 들어 설명한다. 일반적으로 유기 절연막의 표면에 요철을 형성하는 구조는 반사형 또는 반사-투과형 액정표시장치에 이용된다. 따라서, 도 8 내지 도 12에서는 반사형 액정표시장치에 본 발명을 적용한 구조를 본 발명의 제3 및 제4 실시예로써 나타낸다.Hereinafter, the third and fourth embodiments of the present invention will be described by exemplifying a structure in which irregularities are formed on the surface of the organic insulating film. In general, the structure for forming the concavo-convex on the surface of the organic insulating film is used in a reflection type or reflection-transmission type liquid crystal display device. Therefore, in Figs. 8 to 12, the structure in which the present invention is applied to the reflection type liquid crystal display device is shown as third and fourth embodiments of the present invention.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반사형 액정표시장치를 나타낸 단면도이고, 도 9는 도 8에 도시된 콘택홀을 러빙 방향과 연관하여 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a reflection type liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a view showing a contact hole shown in FIG. 8 in relation to a rubbing direction.

도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반사형 액정표시장 치(500)는 제1 기판(110) 상에 형성되는 TFT(120), TFT(120) 상에 형성된 유기 절연막(170), 유기 절연막(170) 상에 균일한 두께로 적층된 반사전극(180), 반사 전극(180) 상에 형성된 배향막(150)을 포함한다.8 and 9, a reflective liquid crystal display device 500 according to a third embodiment of the present invention includes a TFT 120 formed on a first substrate 110, a TFT 120 formed on a TFT 120, A reflective electrode 180 laminated on the organic insulating film 170 to a uniform thickness on the organic insulating film 170 and an alignment film 150 formed on the reflective electrode 180.

TFT(120)가 형성된 제1 기판(110) 상에는 드레인 전극(126)을 노출시키기 위한 콘택홀(175)이 형성된 유기 절연막(170)이 형성된다. 유기 절연막(170)의 표면에는 제1 기판(100)으로부터 상대적인 높낮이를 갖는 오목부(177a)와 볼록부(177b)가 반복적으로 나타남으로써 요철(177)이 형성된다. 여기서, 유기 절연막(170)의 표면에 요철(177)이 형성됨으로써 반사 전극(180)의 면적이 증가되어 반사 효율이 향상되고, 반사각이 조절되어 시야각이 확장된다.On the first substrate 110 on which the TFT 120 is formed, An organic insulating layer 170 having contact holes 175 for exposing the drain electrodes 126 is formed. Concave portions 177a and convex portions 177b having a relatively high height from the first substrate 100 are repeatedly formed on the surface of the organic insulating film 170 to form concave and convex portions. Here, the concavity and convexity 177 is formed on the surface of the organic insulating film 170, thereby increasing the area of the reflective electrode 180, improving the reflection efficiency and adjusting the reflection angle to enlarge the viewing angle.

콘택홀(175)은 제1 및 제2 측벽부(171, 173)의 상단에서 제1 배향막(150)의 러빙 방향인 제1 방향(D1)으로의 폭이 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)으로의 폭보다 넓게 형성된다. 제1 측벽부(171)는 제1 기판(110)으로부터 제1 경사각(θ1)으로 기울어진 다수의 제1 경사면(171a)과, 상기 제1 경사면(171a)을 연결하는 플랫면(171b)에 의해 계단 형상을 갖는다. 또한, 제1 측벽부(171)는 제1 경사면(171a)과 마주보고 제1 경사각(θ1)보다 큰 제2 경사각(θ2)으로 기울어져 형성된 제2 경사면(171c)을 포함한다. 여기서, 제1 경사면(171a)은 제2 경사면보다 먼저 러빙된다. The width of the contact hole 175 in the first direction D1 which is the rubbing direction of the first alignment layer 150 at the upper ends of the first and second sidewall portions 171 and 173 is perpendicular to the first direction D1 And is wider than the width in the second direction D2. The first sidewall portion 171 includes a plurality of first inclined surfaces 171a inclined at a first inclination angle? 1 from the first substrate 110 and a plurality of flat surfaces 171b connecting the first inclined surfaces 171a And has a stepped shape. The first sidewall portion 171 includes a second inclined surface 171c inclined at a second inclination angle? 2 larger than the first inclination angle? 1, facing the first inclined surface 171a. Here, the first inclined surface 171a is rubbed before the second inclined surface.

이와 같이, 제1 측벽부(171)를 완만하게 형성함으로써, 제1 측벽부(171)에서의 배향력을 더욱 강화시킬 수 있다.By thus gently forming the first sidewall portions 171, the orientation force in the first sidewall portions 171 can be further strengthened.

이하, 도 8에 도시된 TFT 기판의 제조 공정을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the manufacturing process of the TFT substrate shown in Fig. 8 will be described in detail.                     

도 10a 내지 도 10c는 도 8에 도시된 TFT 기판의 제조 공정을 나타낸 단면도들이다. 단, 도 10a 내지 도 10c에서는 유기 절연막을 형성하기 위한 두 번의 노광 공정이 이루어진다.FIGS. 10A to 10C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the TFT substrate shown in FIG. However, in FIGS. 10A to 10C, two exposing steps for forming the organic insulating film are performed.

도 10a를 참조하면, TFT(120)가 형성된 제1 기판(110)의 전면에 데이터 배선과 그 위에 형성되어질 반사 전극(140) 사이를 절연시키기 위한 층간 절연막으로서, 예컨대 아크릴계 수지와 같은 감광성 유기 절연층(179)이 스핀-코팅 방법이나 슬릿-코팅 방법을 통해 도포된다.10A, an interlayer insulating film for insulating the data line from the front surface of the first substrate 110 on which the TFT 120 is formed and the reflective electrode 140 to be formed thereon, Layer 179 is applied through a spin-coating method or a slit-coating method.

이후, 유기 절연막에 콘택홀을 형성하기 위하여 유기 절연층(179)을 노광하는 제1 노광 공정이 수행된다. 즉, 유기 절연층(179) 상에는 콘택홀 패턴이 형성되어 있는 제1 마스크(179a)가 형성된다. 제1 마스크(179a)는 콘택홀 형성 영역(A)을 구비하고, 콘택홀 영역 영역(A)은 상대적으로 노광량이 적은 슬릿 노광 영역(A1)과 상대적으로 노광량이 많은 풀 노광 영역(A2)으로 구분된다. 슬릿 노광 영역(A1)은 이후 제1 측벽부(171)에 다수의 경사면(171a)이 형성하는 영역이다. 이때, 유기 절연층(179) 상에 제1 마스크(179a)가 형성된 상태에서 유기 절연층을(179) 노광한다.Thereafter, a first exposure process for exposing the organic insulating layer 179 is performed to form a contact hole in the organic insulating film. That is, a first mask 179a on which a contact hole pattern is formed is formed on the organic insulating layer 179. The first mask 179a has a contact hole formation region A and the contact hole region A is formed by a slit exposure region A1 having a relatively small exposure amount and a full exposure region A2 having a relatively large exposure amount Respectively. The slit exposure area A1 is a region where a plurality of inclined surfaces 171a are formed in the first sidewall portion 171 thereafter. At this time, the organic insulating layer 179 is exposed in a state where the first mask 179a is formed on the organic insulating layer 179. [

다음, 유기 절여막의 표면에 요철을 형성하기 위하여 유기 절연층(179)을 노광하는 제2 노광 공정이 수행된다.Next, a second exposure process is performed to expose the organic insulating layer 179 to form irregularities on the surface of the organic insulating film.

도 10b를 참조하면, 유기 절연층(179) 상에는 요철(177)과 대응하는 패턴이 형성되어 있는 제2 마스크(179b)가 형성된다. 구체적으로, 제2 마스크(179b)는 오목부(177a)에 대응하여 형성된 제1 하프 노광 영역(B1)과, 상기 콘택홀 형성 영역(A) 중 제1 측벽부(171)에 대응하여 형성된 제2 하프 노광 영역(B2)을 포함한다. 여기서, 제2 하프 노광 영역(B2)은 제1 측벽부(171)의 제1 경사면들(171a) 사이에 플랫면(171b)을 형성하는 영역이다. 유기 절연층(179) 상에 제2 마스크(179b)가 형성된 상태에서 유기 절연층(179)을 다시 노광한다.Referring to FIG. 10B, on the organic insulating layer 179, a second mask 179b having a pattern corresponding to the recesses 177 is formed. Specifically, the second mask 179b includes a first half exposure region B1 formed corresponding to the concave portion 177a, and a second half exposure region B1 formed corresponding to the first sidewall portion 171 of the contact hole forming region A 2 half exposure area B2. The second half exposure region B2 is a region where the flat surface 171b is formed between the first inclined faces 171a of the first side wall portion 171. [ The organic insulating layer 179 is again exposed in a state in which the second mask 179b is formed on the organic insulating layer 179. [

이후, 도 10c를 참조하면, 테트라메틸-수산화암모늄(TMAH) 현상액을 이용하여 유기 절연층(179)을 현상한다. 그러면, 유기 절연층(179)의 노광된 영역이 제거되면서 드레인 전극(126)의 표면 일부분을 노출시키는 콘택홀(175)과 요철(177)이 형성되어 유기 절연막(170)이 완성된다.Referring to FIG. 10C, the organic insulation layer 179 is developed using a tetramethyl-ammonium hydroxide (TMAH) developer. The exposed region of the organic insulating layer 179 is removed and the contact hole 175 and the unevenness 177 are formed to expose a part of the surface of the drain electrode 126 to complete the organic insulating film 170.

구체적으로, 콘택홀(175)을 정의하는 제1 측벽부(171)는 슬릿 노광 영역(A2)에 대응하여 형성되고 제1 기판(110)으로부터 제1 경사각(θ1)으로 기울어진 다수의 제1 경사면(171a)과, 제2 하프 노광 영역(B2)과 대응하여 형성되고 상기 제1 경사면들(171a)을 연결하는 플랫면(171b)에 의해 계단 형상을 갖는다. 또한, 풀 노광 영역(A1)의 경계부에 대응하여 형성되고 제1 경사면들(171a)과 마주보는 제2 경사면(171c)은 제1 경사각(θ1)보다 큰 제2 경사각(θ2)으로 기울어져 형성된다. 여기서, 제1 경사각(θ1)은 제2 경사각(θ2)보다 작다. 즉, 제1 경사각(θ1)은 30°이하이고, 제2 경사각(θ2)은 30°보다는 크고 60°보다는 작거나 같은 것이 바람직하다.Specifically, the first sidewall portion 171 defining the contact hole 175 is formed corresponding to the slit exposure region A2 and has a plurality of first (first) side inclined portions 171 inclined from the first substrate 110 at the first inclination angle? The inclined surface 171a is formed in correspondence with the second half exposure region B2 and has a stepped shape by a flat surface 171b connecting the first inclined surfaces 171a. The second inclined surface 171c formed to correspond to the boundary of the full exposure area A1 and facing the first inclined surfaces 171a is inclined at a second inclination angle? 2 larger than the first inclined angle? do. Here, the first inclination angle [theta] 1 is smaller than the second inclination angle [theta] 2. That is, the first inclination angle [theta] 1 is preferably 30 [deg.] Or less and the second inclination angle [theta] 2 is preferably greater than 30 [deg.] And less than or equal to 60 [

도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이고, 도 12는 도 11에 도시된 콘택홀을 러빙 방향과 연관하여 나타낸 도면이다.FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a view showing a contact hole shown in FIG. 11 in relation to a rubbing direction.

도 11 및 도 12를 참조하면, TFT(120)가 형성된 제1 기판(110) 상에는 드레 인 전극(126)을 노출시키기 위한 콘택홀(185), 및 오목부(187a)와 볼록부(187b)로 이루어진 요철(187)이 형성된 유기 절연막(180)이 형성된다. 콘택홀(185)은 제1 및 제2 측벽부(181, 183)의 상단에서 제1 배향막(150)의 러빙 방향인 제1 방향(D1)으로의 폭이 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)으로의 폭보다 넓게 형성된다. 11 and 12, on the first substrate 110 on which the TFT 120 is formed, A contact hole 185 for exposing the drain electrode 126 and an organic insulating film 180 having concave and convex portions 187 composed of a concave portion 187a and a convex portion 187b are formed. The width of the contact hole 185 in the first direction D1 which is the rubbing direction of the first alignment layer 150 at the upper ends of the first and second side wall portions 181 and 183 is perpendicular to the first direction D1 And is wider than the width in the second direction D2.

제1 측벽부(181)는 제1 기판(110)으로부터 제1 경사각(θ1)으로 기울어진 다수의 제1 경사면(181a)과, 제1 경사면들(181a)을 연결하는 제1 플랫면(181b)에 의해 계단 형상을 갖는다. 또한, 제1 측벽부(181)는 제1 경사면들(181a)과 마주보고 제1 경사각(θ1)으로 기울어진 다수의 제2 경사면(183a)과, 제2 경사면들(183a)을 연결하는 제2 플랫면(183b)에 의해 계단 형상을 갖는다. 여기서, 제1 경사각(θ1)은 30°이하인 것이 바람직하다.The first side wall portion 181 includes a plurality of first inclined surfaces 181a inclined at a first inclination angle 1 from the first substrate 110 and a first flat surface 181b connecting the first inclined surfaces 181a ). The first sidewall portion 181 includes a plurality of second inclined surfaces 183a inclined at a first inclination angle? 1 and a plurality of second inclined surfaces 183a inclined at a first inclination angle? 1, opposite to the first inclined surfaces 181a. 2 flat surface 183b. Here, the first inclination angle [theta] 1 is preferably 30 degrees or less.

따라서, 러빙 경로 상에 형성된 제1 측벽부(181)를 제2 측벽부(183)에 비하여 완만하게 형성하여 제1 측벽부(181)에서의 배향력을 향상시킬 수 있다. 또한, 제1 측벽부(181)는 제1 경사면들(181a) 사이와 제2 경사면들(181c) 사이에 각각 제1 및 제2 플랫면(181b, 181d)을 구비하여 제1 측벽부(181)에서의 배향력을 더욱 강화시킬 수 있다.Accordingly, the first sidewall portion 181 formed on the rubbing path can be formed to be gentler than the second sidewall portion 183, so that the orientation force in the first sidewall portion 181 can be improved. The first side wall portion 181 is provided with first and second flat surfaces 181b and 181d between the first inclined surfaces 181a and the second inclined surfaces 181c to form the first side wall portion 181 ) Can be further strengthened.

상술한 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 따르면, 유기 절연막에는 제1 기판으로부터 제1 경사각을 갖고 기울어진 하나 이상의 경사면을 갖는 제1 측벽부와 제1 기판으로부터 제1 경사각보다 큰 제2 경사각을 갖고 기울어진 제2 측벽부에 의해 정의되는 콘택홀이 형성된다. According to the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof, the organic insulating film has the first sidewall portion having at least one inclined surface inclined at a first inclination angle from the first substrate, and a second inclined angle larger than the first inclination angle from the first substrate A contact hole defined by the inclined second sidewall portion is formed.                     

따라서, 콘택홀을 정의하는 제1 측벽부에서의 배향력을 강화시킴으로써, 제1 측벽부에서의 빛샘 현상을 방지할 수 있다. 또한, 이와 같은 빛샘 현상을 개선함으로써 액정표시장치의 표시 특성을 향상시킬 수 있다.Therefore, by enhancing the orientation force in the first sidewall defining the contact hole, light leakage in the first sidewall can be prevented. Further, the display characteristics of the liquid crystal display device can be improved by improving the light leakage phenomenon.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It will be possible.

Claims (16)

제1 기판 상에 형성된 스위칭 소자와 제1 전극과의 사이에 개재되어 상기 제1 기판으로부터 제1 경사각으로 기울어진 경사면을 갖는 제1 측벽부와 상기 제1 기판으로부터 상기 제1 경사각보다 큰 제2 경사각으로 기울어진 제2 측벽부에 의해 정의되는 콘택홀이 형성된 절연막과 상기 제1 전극 상에 형성되고 제1 방향으로 러빙된 제1 배향막을 갖고, 상기 스위칭 소자는 상기 콘택홀을 통해 제1 전극과 전기적으로 연결되는 어레이 기판;A first sidewall portion interposed between the first electrode and the switching element formed on the first substrate and having an inclined surface inclined at a first inclination angle from the first substrate and a second sidewall portion inclined from the first substrate to the second inclined angle, And a first alignment layer formed on the first electrode and rubbed in a first direction, wherein the switching element is electrically connected to the first electrode through the contact hole, An array substrate electrically connected to the substrate; 제2 기판 상에 상기 제1 전극과 마주보도록 형성된 컬러필터와, 상기 컬러필터 상에 형성된 제2 전극 및 제2 전극 상에 형성되고 제2 방향으로 러빙된 제2 배향막을 갖는 컬러필터기판; 및A color filter formed on the second substrate so as to face the first electrode; a color filter substrate having a second electrode formed on the color filter and a second alignment film formed on the second electrode and rubbed in the second direction; And 상기 어레이 기판과 상기 컬러필터기판과의 사이에 형성된 액정층을 포함하고,And a liquid crystal layer formed between the array substrate and the color filter substrate, 상기 콘택홀은 상기 제1 및 제2 측벽부의 상단에서 상기 제2 방향보다 제1 방향으로 길게 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the contact hole is formed to be longer in the first direction than the second direction at an upper end of the first and second sidewall portions. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 경사각은 예각인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display of claim 1, wherein the first and second inclination angles are acute angles. 제2항에 있어서, 상기 제1 경사각은 30°보다 작거나 같은 것을 특징으로 하 는 액정표시장치.The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the first inclination angle is less than or equal to 30 degrees. 제1항에 있어서, 상기 제1 측벽부는 상기 제1 기판으로부터 상기 제1 경사각으로 기울어진 제1 경사면과 상기 제1 경사면과 마주보고 상기 제1 기판으로부터 상기 제2 경사각으로 기울어진 제2 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first side wall portion includes a first inclined surface inclined at the first inclination angle from the first substrate and a second inclined surface inclined at the second inclination angle from the first substrate, And the liquid crystal display device. 제4항에 있어서, 상기 제1 경사면은 상기 제2 경사면보다 먼저 러빙되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display device according to claim 4, wherein the first inclined surface is rubbed before the second inclined surface. 제1항에 있어서, 상기 제1 측벽부는 상기 제1 기판으로부터 상기 제1 경사각으로 기울어진 제1 경사면과 상기 제1 경사면과 마주보고 상기 제1 기판으로부터 상기 제1 경사각으로 기울어진 제2 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The plasma display panel of claim 1, wherein the first sidewall portion includes a first inclined surface inclined at the first inclination angle from the first substrate and a second inclined surface inclined at the first inclination angle from the first substrate, And the liquid crystal display device. 제1항에 있어서, 상기 제1 측벽부는 상기 제1 기판으로부터 상기 제1 경사각으로 기울어진 다수의 제1 경사면, 상기 제1 경사면들을 연결하는 플랫면 및 상기 제1 경사면들과 마주보고 상기 제1 기판으로부터 상기 제2 경사각으로 기울어진 제2 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.[2] The apparatus of claim 1, wherein the first sidewall portion includes a plurality of first inclined surfaces inclined at the first inclination angle from the first substrate, a flat surface connecting the first inclined surfaces, And a second inclined surface inclined from the substrate at the second inclination angle. 제7항에 있어서, 상기 제1 경사면들과 플랫면은 상기 제2 경사면보다 먼저 러빙되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display device according to claim 7, wherein the first inclined planes and the flat plane are rubbed earlier than the second inclined planes. 제1항에 있어서, 상기 제1 측벽부는 상기 제1 기판으로부터 상기 제1 경사각으로 기울어진 다수의 제1 경사면, 상기 제1 경사면들을 연결하는 제1 플랫면, 상기 제1 경사면들과 마주보고 상기 제1 기판으로부터 상기 제1 경사각으로 기울어진 다수의 제2 경사면들, 및 상기 제2 경사면들을 연결하는 제2 플랫면을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.[2] The apparatus of claim 1, wherein the first sidewall portion includes a plurality of first inclined surfaces inclined at the first inclination angle from the first substrate, a first flat surface connecting the first inclined surfaces, A plurality of second inclined surfaces inclined at the first inclination angle from the first substrate, and a second flat surface connecting the second inclined surfaces. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 감광성 유기 절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the insulating film is a photosensitive organic insulating film. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 감광성 유기 절연막과 상기 감광성 유기 절연막 상에 형성된 비감광성 유기 절연막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display of claim 1, wherein the insulating layer comprises a photosensitive organic insulating layer and a non-photosensitive organic insulating layer formed on the photosensitive organic insulating layer. 제1 기판 상에 형성된 스위칭 소자와 제1 전극과의 사이에 개재되어 상기 제1 기판으로부터 제1 경사각으로 기울어진 경사면을 갖는 제1 측벽부와 상기 제1 기판으로부터 상기 제1 경사각보다 큰 제2 경사각으로 기울어진 제2 측벽부에 의해 정의되는 콘택홀이 형성된 절연막과 상기 제1 전극 상에 형성되고 제1 방향을 러빙된 제1 배향막을 갖고, 상기 스위칭 소자는 상기 콘택홀을 통해 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 어레이 기판을 제조하는 단계;A first sidewall portion interposed between the first electrode and the switching element formed on the first substrate and having an inclined surface inclined at a first inclination angle from the first substrate and a second sidewall portion inclined from the first substrate to the second inclined angle, And a first alignment layer formed on the first electrode and rubbed in a first direction, wherein the switching element is electrically connected to the first electrode through the contact hole, Fabricating an array substrate electrically connected to the electrodes; 제2 기판 상에 상기 제1 전극과 마주보도록 형성된 컬러필터, 상기 컬러필터의 전면에 걸쳐서 형성된 제2 전극, 상기 제2 전극 상에 형성되고 제2 방향으로 러빙된 제2 배향막을 갖는 컬러필터기판을 제조하는 단계; 및A color filter formed on the second substrate so as to face the first electrode, a second electrode formed across the entire surface of the color filter, and a second alignment film formed on the second electrode and rubbed in the second direction, Lt; / RTI &gt; And 상기 어레이 기판과 상기 컬러필터기판과의 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하고, And forming a liquid crystal layer between the array substrate and the color filter substrate, 상기 콘택홀은 상기 제1 및 제2 측벽부의 상단에서 상기 제2 방향보다 상기 제1 방향으로 길게 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.And the contact hole is formed to be longer in the first direction than the second direction at an upper end of the first and second sidewall portions. 제12항에 있어서, 상기 어레이 기판을 제조하는 단계는,13. The method of claim 12, wherein fabricating the array substrate comprises: 상기 제1 기판 상에 스위칭 소자를 형성하는 단계;Forming a switching element on the first substrate; 상기 스위칭 소자가 형성된 상기 제1 기판 상에 상기 절연막을 형성하는 단계;Forming the insulating film on the first substrate on which the switching element is formed; 상기 절연막에 상기 제1 측벽부와 제2 측벽부에 의해 정의되는 상기 콘택홀을 형성하는 단계;Forming the insulating film in the contact hole defined by the first sidewall portion and the second sidewall portion; 상기 콘택홀에 의해 노출된 상기 스위칭 소자와 상기 절연막 상에 상기 제1 전극을 균일한 두께로 형성하는 단계; 및Forming the first electrode on the switching element and the insulating film exposed by the contact hole to a uniform thickness; And 상기 제1 전극 상에 상기 러빙 경로를 따라 형성된 다수의 배향홈을 갖는 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And forming an alignment film having a plurality of alignment grooves formed along the rubbing path on the first electrode. 제13항에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하는 단계는,14. The method of claim 13, wherein forming the contact hole comprises: 상기 절연막 상에 상기 콘택홀에 대응하는 풀 노광 영역과 상기 제1 측벽부에 대응하는 슬릿 노광 영역을 갖는 제1 마스크를 형성하는 단계;Forming a first mask on the insulating film, the first mask having a pool exposure region corresponding to the contact hole and a slit exposure region corresponding to the first sidewall portion; 상기 제1 마스크가 형성된 상태에서 상기 절연막을 노광하는 단계; 및Exposing the insulating film in a state where the first mask is formed; And 상기 절연막을 현상하여 상기 제1 측벽부에 상기 경사면을 형성하고, 상기 제1 및 제2 측벽부에 의해 정의되는 상기 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And forming the contact hole defined by the first and second sidewall portions. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the step of forming the contact hole comprises the steps of: 제13항에 있어서, 상기 어레이 기판을 제조하는 단계는 상기 제1 전극을 도포하는 단계 이전에 절연막의 표면에 오목부와 볼록부가 반복적으로 나타나는 요철을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.14. The method of claim 13, wherein the step of fabricating the array substrate further comprises forming concavities and convexities repeatedly appearing on the surface of the insulating film, A method of manufacturing a display device. 제15항에 있어서, 상기 요철을 형성하는 단계는,16. The method of claim 15, 상기 절연막 상에 상기 오목부와 상기 제1 측벽부에 대응하는 하프 노광 영역을 갖는 제2 마스크를 형성하는 단계;Forming a second mask having a concave portion and a half exposure region corresponding to the first sidewall portion on the insulating film; 상기 제2 마스크가 형성된 상태에서 상기 절연막을 노광하는 단계; 및Exposing the insulating film in a state where the second mask is formed; And 상기 절연막을 현상하여 상기 요철을 형성하고, 상기 제1 측벽부에 대응하여 상기 경사면들 사이에 플랫면을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And forming a flat surface between the inclined surfaces corresponding to the first sidewall portion. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1,
KR1020020054335A 2002-04-30 2002-09-09 Liquid crystal display and method for manufacturing the same KR100857498B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/410,338 US6876416B2 (en) 2002-04-30 2003-04-09 Liquid crystal display apparatus having alignment film and method of manufacturing the same
TW092108427A TWI284238B (en) 2002-04-30 2003-04-11 Liquid crystal display apparatus and method of manufacturing the same
JP2003111291A JP4438928B2 (en) 2002-04-30 2003-04-16 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
CNB031250084A CN1324369C (en) 2002-04-30 2003-04-29 Liquid-crystal displaying device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020023771 2002-04-30
KR20020023771 2002-04-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030085458A KR20030085458A (en) 2003-11-05
KR100857498B1 true KR100857498B1 (en) 2008-09-08

Family

ID=32381000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020054335A KR100857498B1 (en) 2002-04-30 2002-09-09 Liquid crystal display and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100857498B1 (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970011974A (en) * 1995-08-16 1997-03-29 가네꼬 히사시 Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR970028686A (en) * 1995-11-28 1997-06-24 쯔지 하루오 Active Matrix Substrate and Liquid Crystal Display, and Manufacturing Method Thereof
JPH10161099A (en) * 1996-11-26 1998-06-19 Sharp Corp Liquid crystal display device
KR19980080203A (en) * 1997-03-07 1998-11-25 니시무로 다이조 Array substrate, liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2000267132A (en) * 1999-03-16 2000-09-29 Toshiba Corp Electrode substrate and liquid crystal display device, and manufacture of electrode substrate
JP2001142095A (en) * 1999-11-15 2001-05-25 Sharp Corp Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
KR20020067885A (en) * 2001-02-19 2002-08-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 transflective liquid crystal display device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970011974A (en) * 1995-08-16 1997-03-29 가네꼬 히사시 Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR970028686A (en) * 1995-11-28 1997-06-24 쯔지 하루오 Active Matrix Substrate and Liquid Crystal Display, and Manufacturing Method Thereof
JPH10161099A (en) * 1996-11-26 1998-06-19 Sharp Corp Liquid crystal display device
KR19980080203A (en) * 1997-03-07 1998-11-25 니시무로 다이조 Array substrate, liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2000267132A (en) * 1999-03-16 2000-09-29 Toshiba Corp Electrode substrate and liquid crystal display device, and manufacture of electrode substrate
JP2001142095A (en) * 1999-11-15 2001-05-25 Sharp Corp Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
KR20020067885A (en) * 2001-02-19 2002-08-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 transflective liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030085458A (en) 2003-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4438928B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR100766318B1 (en) The thin film transistor using organic semiconductor material and the array substrate for LCD with the same and method of fabricating the same
US6067140A (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing same
US6459465B1 (en) Liquid crystal panel for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
US7688417B2 (en) Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same
US7936407B2 (en) Array substrate, method of manufacturing the same, display panel having the same, and liquid crystal display apparatus having the same
US20050253984A1 (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same
US7352431B2 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US8351006B2 (en) Liquid crystal display device and fabricating method thereof
KR20050070344A (en) Lquid crystal display and method for manufacturing the same
US7385661B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US7724325B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR100763169B1 (en) Structure of vacuum chuck for adsorbing substrate
US7751019B2 (en) Display panel and method of manufacturing the same comprising a column spacer having a bottom side having a shape of a concave-sided polygon
KR100857498B1 (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same
JP5717231B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR100705621B1 (en) method for fabricating fringe field switching liquid crystal display
KR100878208B1 (en) Liquid crystal display and method for manufacturing thereof
KR100820851B1 (en) Reflective-transmitted type liquid crystal display and method for manufacturing thereof
KR100870664B1 (en) Method of fabrication for in plane switching liquid crystal penal
KR100936913B1 (en) Liquid crystal display apparatus and method of fabricating the same
KR100768272B1 (en) Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same
KR20040084485A (en) Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same
KR19990052411A (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
KR20050015134A (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120814

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130830

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140901

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160831

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180829

Year of fee payment: 11