KR100855787B1 - Die dicing film for stacked package spacer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름에 관한 것이다. 본 발명의 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름은 웨이퍼와 라미네이션되는 상부층; 상기 상부층의 하부에 형성되며, 다이 접착시 와이어와 상부층 사이에서 완충역할을 하는 중간층; 및 상기 중간층 하부에 형성되며, 와이어의 손상을 최소화하는 역할을 하는 하부층;으로 이루어지되, 상기 3 층 중, 상부층의 점도가 가장 크고, 상기 하부층의 점도가 가장 작은 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 반도체 스택 패키지 공정에서 와이어 손상이 없으며, 상부 다이와 하부 다이 상의 와이어의 절연이 이루어져 스팩 패키지 스페이서로 사용하기에 적합한 장점이 있다.The present invention relates to a die dicing film for a stack package spacer. The die dicing film for the stack package spacer of the present invention comprises: an upper layer laminated with the wafer; An intermediate layer formed under the upper layer and acting as a buffer between the wire and the upper layer when the die is attached; And a lower layer formed below the intermediate layer and minimizing damage to the wire. The lower layer has a laminated structure having the largest viscosity of the upper layer and the smallest viscosity of the lower layer. . According to the present invention, there is no wire damage in the semiconductor stack package process, and the insulation of the wires on the upper die and the lower die is made, which is suitable for use as a specification package spacer.
다이 다이싱 필름, 스택 패키지, 스페이서, 점도, 반도체 Die Dicing Film, Stack Package, Spacer, Viscosity, Semiconductor
Description
본 발명은 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 3 층 중, 상부층의 점도가 가장 크고, 상기 하부층의 점도가 가장 작은 적층 구조를 갖는 다이 다이싱 필름을 형성함으로써 반도체 스택 패키지 공정에서 와이어 손상이 없으며, 상부 다이와 하부 다이 상의 와이어의 절연이 이루어져 스팩 패키지 스페이서로 사용하기에 적합한 스팩 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a die dicing film for a stack package spacer. More specifically, the semiconductor stack is formed by forming a die dicing film having a laminated structure having the largest viscosity of the upper layer and the smallest viscosity of the lower layer among the three layers. The present invention relates to a die dicing film for a spec package spacer, which is free of wire damage in the packaging process and is insulated from the wire on the upper die and the lower die to be used as the spec package spacer.
반도체 업계에서 말하는 스택킹이란 적어도 2 개 이상의 반도체 칩을 수직하게 쌓아 올려 메모리 용량을 배가시키는 기술이다.Stacking in the semiconductor industry is a technology that doubles memory capacity by stacking at least two semiconductor chips vertically.
상기와 같은 스택킹에 의한 패키지의 전형적인 한 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다.A typical example of a package by stacking as described above is as follows.
본딩 패드가 상부면에 배치된 반도체 칩에 리드 프레임의 인너 리드가 접착제로 부착되고, 이 인너 리드는 본딩 패드에 금속 와이어로 연결되어 있다. 전체가 봉지제로 볼딩되고, 리드 프레임의 아우터 리드가 봉지제의 양측으로 돌출되어 있다.The inner lead of the lead frame is attached to the semiconductor chip on which the bonding pad is disposed on the upper surface with an adhesive, and the inner lead is connected to the bonding pad by a metal wire. The whole is bold with the sealing agent, and the outer lead of the lead frame protrudes to both sides of the sealing agent.
이러한 하나의 패키지 상에 동일 구조의 패키지가 적층된다. 즉, 상부에 적층되는 패키지의 아우터 리드가 하부 패키지의 리드 프레임 중간에 접합되어서 전기적 연결이 되어 있다.Packages of the same structure are stacked on one such package. That is, the outer leads of the package stacked on the upper part are joined to the middle of the lead frame of the lower package, thereby making electrical connection.
그러나, 상기와 같은 일반적인 스택 패키지는 패키지의 전체 두께가 너무 두껍다는 단점이 있다. 또한, 상부 패키지의 신호 전달 경로가 상부 패키지의 아우터 리드를 통해서 하부 패키지의 리드 프레임을 거쳐야 하기 때문에 전기적인 신호 경로가 너무 길다는 단점도 있다. 특히, 상하부 패키지의 리드를 납땜으로 접합하는데 이 납땜 불량으로 접속 불량이 자주 야기되었다.However, such a general stack package has a disadvantage that the overall thickness of the package is too thick. In addition, the electrical signal path is too long because the signal transmission path of the upper package must pass through the lead frame of the lower package through the outer lead of the upper package. In particular, the leads of the upper and lower packages are joined by soldering, which is often caused by poor soldering.
이러한 단점을 해소하기 위해 제시된 종래의 스택 패키지는 다음과 같다. 상하부 반도체 칩이 소정 간격을 두고 배치되고, 상하 반도체 칩이 밑면에 상부 리드 프레임의 인너 리드가 부착되어, 금속 와이어에 의해 본딩 패드에 연결되어 있다. 또한, 하부 반도체 칩의 상부면에 하부 리드 프레임의 인너 리드가 부착되어, 금속 와이어에 의해 패드에 연결되어 있다. 즉, 상부 반도체 칩의 본딩 패드는 하부면에, 하부 반도체 칩의 본딩 패드는 상부면에 배치되어 각 반도체 칩은 대칭을 이루게 된다. The conventional stack package proposed to solve this disadvantage is as follows. Upper and lower semiconductor chips are arranged at predetermined intervals, and upper and lower semiconductor chips are attached to the inner lead of the upper lead frame at the bottom thereof, and are connected to the bonding pads by metal wires. In addition, the inner lead of the lower lead frame is attached to the upper surface of the lower semiconductor chip, and is connected to the pad by a metal wire. That is, the bonding pads of the upper semiconductor chip are disposed on the lower surface and the bonding pads of the lower semiconductor chip are disposed on the upper surface such that each semiconductor chip is symmetrical.
상부 리드 프레임의 아우터 리드는 하부 리드 프레임의 중간에 접착되어 있고, 하부 리드 프레임의 아우터 리드가 봉지제에서 노출되어 있다.The outer lead of the upper lead frame is bonded to the middle of the lower lead frame, and the outer lead of the lower lead frame is exposed in the encapsulant.
그러나, 상기 종래의 스택 패키지는 봉지제가 스택된 반도체 칩들의 상하부 전체를 둘러싸는 구조로 이루어지기 때문에 반도체 칩 크기에 대해 패키지의 크기 가 너무 크다는 문제점이 있다.However, the conventional stack package has a problem that the size of the package is too large for the size of the semiconductor chip because the encapsulant has a structure surrounding the entire upper and lower portions of the stacked semiconductor chips.
따라서, 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 노력이 관련 업계에서 지속되어 왔으며, 이러한 기술적 배경하에서 본 발명이 안출되었다.Accordingly, efforts to solve the above-mentioned problems of the prior art have been continued in the related art, and the present invention has been devised under such a technical background.
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는, 반도체 스택 패키지 공정에서 와이어 손상이 없으며, 상부 다이와 하부 다이 상의 와이어의 절연이 이루져 스팩 패키지 스페이서로 사용하기에 적합하게 함에 있으며, 이러한 기술적 과제를 달성할 수 있는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is that there is no wire damage in the semiconductor stack package process, and the insulation of the wires on the upper die and the lower die is made to be suitable for use as a specification package spacer, and this technical problem can be achieved. It is an object of the present invention to provide a die dicing film for a stack package spacer.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제를 달성하기 위한 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름은, 웨이퍼와 라미네이션되는 상부층; 상기 상부층의 하부에 형성되며, 다이 접착시 와이어와 상부층 사이에서 완충역할을 하는 중간층; 및 상기 중간층 하부에 형성되며, 와이어의 손상을 최소화하는 역할을 하는 하부층;으로 이루어지되, 상기 3 층 중, 상부층의 점도가 가장 크고, 상기 하부층의 점도가 가장 작은 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.Dicing film for a stack package spacer for achieving the technical problem to be achieved by the present invention, an upper layer laminated with a wafer; An intermediate layer formed under the upper layer and acting as a buffer between the wire and the upper layer when the die is attached; And a lower layer formed below the intermediate layer and minimizing damage to the wire. The lower layer has a laminated structure having the largest viscosity of the upper layer and the smallest viscosity of the lower layer. .
상기 상부층의 점도는 1.1 내지 100 KPa.s인 것이 바람직하다.The viscosity of the upper layer is preferably 1.1 to 100 KPa.s.
상기 하부층의 점도는 0.001 내지 1 KPa.s인 것이 바람직하다.The viscosity of the lower layer is preferably 0.001 to 1 KPa.s.
또한 상기 상부층, 중간층 및 하부층은, 범용 고상 및 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 분자량 50,000 이상의 고무 15 내지 30 중량부; 고무변성 에폭시 수지 15 내지 30 중량부; 및 경화제 1 내지 5 중량부를 포함하여 이루어지며, 특히 각 층의 점도 조절을 위하여 분자량 50,000 이상의 고무는, 상층부에 23 내지 27 중량부로, 중간층에 18 내지 22 중량부로, 하부층에 15 내지 17 중량부로 각각 포함되는 것이 바람직하다.In addition, the upper layer, the middle layer and the lower layer, 15 to 30 parts by weight of rubber with a molecular weight of 50,000 or more relative to 100 parts by weight of a general-purpose solid phase and epoxy resin; 15-30 parts by weight of a rubber-modified epoxy resin; And 1 to 5 parts by weight of a curing agent, in particular, for controlling the viscosity of each layer, the rubber having a molecular weight of 50,000 or more is 23 to 27 parts by weight in the upper layer, 18 to 22 parts by weight in the middle layer, and 15 to 17 parts by weight in the lower layer, respectively. It is preferred to be included.
이하,본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed as having a conventional or dictionary meaning, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention. Therefore, the exemplary embodiments described herein are only exemplary embodiments of the present invention and do not represent all of the technical ideas of the present invention, and various equivalents and modifications that may substitute them at the time of the present application may be used. It should be understood that there may be.
본 발명의 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름은 웨이퍼와 라미네이션되는 상부층; 상기 상부층의 하부에 형성되며, 다이 접착시 와이어와 상부층 사이에서 완충역할을 하는 중간층; 및 상기 중간층 하부에 형성되며, 와이어의 손상을 최소화하는 역할을 하는 하부층;으로 이루어지되, 상기 상부층, 중간층 및 하부층은 그 점도가 상부층, 중간층 및 하부층의 순서로 낮은 것이 바람직하다.The die dicing film for the stack package spacer of the present invention comprises: an upper layer laminated with the wafer; An intermediate layer formed under the upper layer and acting as a buffer between the wire and the upper layer when the die is attached; And a lower layer formed below the middle layer and serving to minimize damage to the wire. The upper layer, the middle layer, and the lower layer preferably have a low viscosity in the order of the upper layer, the middle layer, and the lower layer.
상기 상부층은 웨이퍼와 라미네이션되는 층으로, 와이어와 상부 다이와의 절연을 유지할 수 있도록, 다이 접착시에 150∼160 ℃, 1.5∼2.0 sec, 0.1∼0.5 MPa의 저온 저압에서의 점도가 1 내지 100 KPa.s를 유지하는 것이 바람직하다. 상기 상부층의 점도한정에 있어서, 상기 하한치 미만일 경우에는 상부 다이와 하부 다이 상의 와이어의 절연이 되지 않아 바람직하지 않으며, 상기 상한치를 초과할 경우에는 와이어 손상이 발생하여 바람직하지 않다.The upper layer is a layer laminated to the wafer, and the viscosity at low temperature low pressure of 150 to 160 ° C., 1.5 to 2.0 sec, and 0.1 to 0.5 MPa is 1 to 100 KPa during die bonding so as to maintain insulation between the wire and the upper die. It is desirable to keep .s. In the viscosity limit of the upper layer, the lower limit is not preferable because the insulation of the wires on the upper die and the lower die is not preferable, and when the upper limit is exceeded, the wire damage occurs, which is not preferable.
상기 하부층은 와이어의 눌림 또는 끊어짐과 같은 손상을 최소화할 수 있는 것이 바람직하며, 이를 위해 상기 하부층은 다이 본딩 조건인 150∼160 ℃, 1.5∼2.0 sec, 0.1∼0.5 MPa의 저온 저압에서의 점도가 1.1 내지 100인 것이 바람직하다. 상기 하부층의 점도한정에 있어서, 상기 하한치 미만일 경우에는 오버-플로우(over-flow)가 발생하여 바람직하지 않으며, 상기 상한치를 초과할 경우에는 와이어 손상이 발생하여 바람직하지 않다.The lower layer is preferably capable of minimizing damage such as crushing or breaking of the wire. For this purpose, the lower layer has a viscosity at low temperature and low pressure of 150 to 160 ° C., 1.5 to 2.0 sec, and 0.1 to 0.5 MPa, which are die bonding conditions. It is preferable that it is 1.1-100. In the lower limit of the viscosity of the lower layer, an over-flow occurs when it is less than the lower limit, and when the upper limit is exceeded, wire damage occurs, which is not preferable.
또한 상기 상부층과 하부층 사이에 위치하는 중간층은 다이 접착시 와이어와 상부층 사이에서 완충 역할을 하며, 그 점도는 상기 상층부와 하부층 점도의 중간값을 가지는 것이 좋다. 상기 중간층의 점도가 상층부와 하부층 점도의 중간값이 아닐 경우에는 와이어 손상 또는 오버-플로우(over-flow)가 발생하여 바람직하지 않다.In addition, the intermediate layer located between the upper layer and the lower layer serves as a buffer between the wire and the upper layer during die bonding, the viscosity is preferably to have a median value of the upper layer and the lower layer viscosity. If the viscosity of the intermediate layer is not an intermediate value between the upper layer portion and the lower layer viscosity, wire damage or over-flow occurs, which is not preferable.
상기와 같이 각각 점도가 다른 3 개의 층으로 이루어지는 본 발명의 다이 다이싱 필름을 구성하는 성분에 대하여 설명한다.The component which comprises the die dicing film of this invention which consists of three layers from which a viscosity differs as above is demonstrated.
상기 분자량 50,000 이상의 고무는 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 수소화된 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 글리시딜 아크릴레이트 고무, 또는 스타이렌 부타디엔 고무 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 수소화된 아크릴로니트릴부타디엔 고무를 사용하는 것이다.As the rubber having a molecular weight of 50,000 or more, acrylonitrile butadiene rubber, hydrogenated acrylonitrile butadiene rubber, glycidyl acrylate rubber, or styrene butadiene rubber may be used, and preferably hydrogenated acrylonitrile butadiene rubber is used. It is.
상기 분자량 50,000 이상의 고무는 다이 다이싱 필름에 포함되는 범용 고상 및 액상 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 15 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 분자량 50,000 이상의 고무의 함량범위에 있어서, 상기 하한치 미만일 경우에는 고무의 분자량이 적정수준보다 증가하여 신뢰성 및 공정성이 감소되어 바람직하지 않으며, 상기 상한치를 초과할 경우에는 고무의 분자량이 적정수준보다 감소하여 신뢰성 및 공정성이 감소되어 바람직하지 않다.The rubber having a molecular weight of 50,000 or more is preferably included in an amount of 15 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the general purpose solid and liquid epoxy resin contained in the die dicing film. In the content range of the rubber with a molecular weight of 50,000 or more, when the molecular weight of the rubber is less than the lower limit, the molecular weight of the rubber is higher than an appropriate level, thereby reducing the reliability and fairness, and when the upper limit is exceeded, the molecular weight of the rubber is lower than the proper level. Therefore, reliability and fairness are reduced, which is undesirable.
또한, 상기 분자량 50,000 이상의 고무는 그 함량을 조절함으로써 다이 다이싱 필름의 점도를 조절할 수 있다. 즉, 범용 고상 및 액상 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 점도가 가장 높은 상층부에는 분자량 50,000 이상의 고무를 23 내지 27 중량부로, 중간층에는 18 내지 22 중량부로, 하부층에는 15 내지 17 중량부로 각각 포함시킴으로써 각 층마다 목적하고자 하는 범위의 점도로 조절할 수 있다.In addition, the rubber having a molecular weight of 50,000 or more can adjust the viscosity of the die dicing film by adjusting its content. That is, the upper layer portion having the highest viscosity relative to 100 parts by weight of the general purpose solid and liquid epoxy resins contains 23 to 27 parts by weight of a rubber having a molecular weight of 50,000 or more, 18 to 22 parts by weight in the middle layer, and 15 to 17 parts by weight in the lower layer, respectively. Each can be adjusted to the viscosity of the desired range.
상기 고무변성 에폭시 수지는 고무와 에폭시의 상용성 향상을 위해 첨가되는 성분으로, 에폭시-말단화된 부타디엔 고무(epoxy terminated butadiene rubber, ETBN) 또는 카르복실-말단화된 부타디엔 고무(carboxyl terminated butadiene rubber, CTBN)을 사용할 수 있다.The rubber-modified epoxy resin is a component added to improve the compatibility of the rubber and epoxy, epoxy terminated butadiene rubber (ETNB) or carboxyl terminated butadiene rubber (carboxyl terminated butadiene rubber, CTBN) can be used.
상기 고무변성 에폭시 수지는 다이 다이싱 필름에 포함되는 범용 고상 및 액상 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 15 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 고무변성 에폭시 수지의 함량범위에 있어서, 상기 하한치 미만일 경우에는 수지내 에폭시 수지와 고무간 계면활성제로서의 역할을 하지 못하게 되어 상분리 현상이 발생하여 바람직하지 않으며, 상기 상한치를 초과할 경우에는 수지내 잔 존하는 미반응 에폭시 및 고무로 인한 다이 접착 불량, 신뢰성 및 공정성 감소를 유발하여 바람직하지 않다.The rubber-modified epoxy resin is preferably included in an amount of 15 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the general purpose solid and liquid epoxy resin contained in the die dicing film. When the content of the rubber-modified epoxy resin is less than the lower limit, the resin does not act as a surfactant between the epoxy resin and the rubber in the resin, and thus phase separation occurs, which is not preferable. It is undesirable because it leads to poor die adhesion, reliability and processability due to the existing unreacted epoxy and rubber.
상기 범용 고상 및 액상 에폭시 수지는 취급성을 위한 택성 조절과 가요성을 위해 사용되며, 고상 및 액상의 비율이 1.0 내지 3.0인 것이 바람직하다.The general purpose solid and liquid epoxy resins are used for tackiness control and flexibility for handleability, and the ratio of the solid and liquid phases is preferably 1.0 to 3.0.
상기 범용 고상 및 액상 에폭시 수지는 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 또는 페녹시계 에폭시 수지를 사용할 수 있다. Bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, or phenoxy clock epoxy resin can be used for the said general purpose solid and liquid epoxy resin.
상기 경화제는 잠재성 경화제로서, 아민계 경화제, 퍼옥사이드계 경화제, 또는 페놀계 경화제를 사용할 수 있다. As the latent curing agent, an amine curing agent, a peroxide curing agent, or a phenol curing agent may be used as the latent curing agent.
상기 경화제는 다이 다이싱 필름에 포함되는 범용 고상 및 액상 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 5 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 경화제의 함량범위에 있어서, 상기 하한치 미만일 경우에는 에폭시 당량에 못미치는 함량으로 경화율이 낮아지게 되며 신뢰성 저하사 발생되므로 바람직하지 않으며, 상기 상한치를 초과할 경우에는 에폭시 당량을 초과하는 함량으로 다이 접착 불량 및 공정성 저하가 발생되어 바람직하지 않다.The curing agent is preferably included in 1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the general purpose solid and liquid epoxy resin contained in the die dicing film. In the content range of the curing agent, if less than the lower limit, the content is less than the epoxy equivalent, the curing rate is lowered and the reliability is lowered because it is not preferable, if exceeding the upper limit, die in an amount exceeding the epoxy equivalent Poor adhesion and deterioration of processability occur, which is not preferable.
상기와 같이 분자량이 50,000 이상의 고무, 고무변성 에폭시 수지, 범용 고상 및 액상 에폭시 수지 및 경화제로 이루어지는 다이 다이싱 필름은 상기 성분 이외에 당업계에서 통상적으로 사용하는 유/무기필러, 경화촉진제, 경화저하제, 희석제 등의 성분을 더 포함할 수 있다.As described above, the die dicing film composed of a rubber having a molecular weight of 50,000 or more, a rubber-modified epoxy resin, a general-purpose solid and liquid epoxy resin, and a curing agent is an organic / inorganic filler, a curing accelerator, a curing accelerator, It may further include components such as a diluent.
상기와 같은 본 발명의 다이 다이싱 필름은 각각 점도가 다른 상부층, 중간 층 및 하부층의 3 개의 층으로 이루어지며, 웨이퍼와 라미네이션되는 상부층의 점도를 가장 높게 하여 와이어와 상부 다이와의 절연효과를 나타낼 수 있으며, 상부층과 하부층 점도의 중간 점도를 갖는 중간층에 의해 와이어와 상부층 사이에서 완충 역할을 할 수 있으며, 또한 점도가 가장 낮은 하부층에 의하여 와이어의 눌림 또는 끊어짐과 같은 손상을 최소화할 수 있게 되는 것이다.The die dicing film of the present invention as described above is composed of three layers, each of the upper layer, the middle layer and the lower layer having different viscosities, and exhibit the insulation effect between the wire and the upper die by making the viscosity of the upper layer laminated with the wafer the highest. In addition, the intermediate layer having an intermediate viscosity between the upper layer and the lower layer may act as a buffer between the wire and the upper layer, and also minimize damage such as crushing or breaking of the wire by the lower layer having the lowest viscosity.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예와 이에 대비되는 비교예를 통하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, in order to help the understanding of the present invention will be described in more detail through preferred examples and comparative examples.
실시예 1Example 1
하부층을 제조하기 위하여, 아크릴로니트릴 고무 15 중량부, 에폭시-말단화된 부타디엔 고무(ETBN) 19 중량부 및 고상/액상 비스페놀 A 수지 100 중량부를 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 상기 혼합액을 균일하게 혼합한 후, 잠재성 아민계 경화제 3 중량부를 넣은 후, 이 혼합액을 PET 필름 위에 코팅하고 건조시켜 하부층이 코팅된 필름을 얻었다. 이때, 상기 건조는 60∼90 ℃에 걸쳐 단계적으로 실시하였으며, 하부층의 점도는 0.7 Kpa.s였다.To prepare the bottom layer, 15 parts by weight of acrylonitrile rubber, 19 parts by weight of epoxy-terminated butadiene rubber (ETBN) and 100 parts by weight of solid / liquid bisphenol A resin were dissolved in methylethylketone. After the mixture was mixed uniformly, 3 parts by weight of a latent amine curing agent was added thereto, and the mixture was coated on a PET film and dried to obtain a film coated with a lower layer. At this time, the drying was carried out stepwise over 60 ~ 90 ℃, the viscosity of the lower layer was 0.7 Kpa.s.
그 다음 중간층을 제조하기 위하여, 아크릴로니트릴 고무 20 중량부, 에폭시-말단화된 부타디엔 고무(ETBN) 17 중량부, 페녹시 수지 25 중량부 및 고상/액상 비스페놀 A 수지 75 중량부를 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 상기 혼합액을 균일하게 혼합한 후, 잠재성 아민계 경화제 3 중량부를 넣은 후, 이 혼합액을 상기 제조한 하부층 위에 코팅하고 건조시켜 필름을 얻었다. 이때, 상기 건조는 60∼90 ℃에 걸쳐 단계적으로 실시하였으며, 중간층의 점도는 9 Kpa.s였다.Then, to prepare the intermediate layer, 20 parts by weight of acrylonitrile rubber, 17 parts by weight of epoxy-terminated butadiene rubber (ETBN), 25 parts by weight of phenoxy resin and 75 parts by weight of solid / liquid bisphenol A resin were added to methyl ethyl ketone. Dissolved. After mixing the mixed solution uniformly, 3 parts by weight of a latent amine curing agent was added thereto, and then the mixed solution was coated on the prepared lower layer and dried to obtain a film. At this time, the drying was carried out stepwise over 60 ~ 90 ℃, the viscosity of the intermediate layer was 9 Kpa.s.
그 다음 상부층을 제조하기 위하여, 아크릴로니트릴 고무 25 중량부, 에폭시-말단화된 부타디엔 고무(ETBN) 15 중량부, 페녹시 수지 25 중량부 및 고상/액상 비스페놀 A 수지 75 중량부를 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 상기 혼합액을 균일하게 혼합한 후, 잠재성 아민계 경화제 3 중량부를 넣은 후, 이 혼합액을 상기 제조한 중간층 위에 코팅하고 건조시켜 3 개의 층으로 이루어진 다이 다이싱 필름을 얻었다. 이때, 상기 건조는 60∼90 ℃에 걸쳐 단계적으로 실시하였으며, 상부층의 점도는 50 Kpa.s였다.Then, to prepare the upper layer, 25 parts by weight of acrylonitrile rubber, 15 parts by weight of epoxy-terminated butadiene rubber (ETBN), 25 parts by weight of phenoxy resin and 75 parts by weight of solid / liquid bisphenol A resin were added to methyl ethyl ketone. Dissolved. After the mixture was mixed uniformly, 3 parts by weight of a latent amine curing agent was added thereto, and the mixture was then coated on the prepared intermediate layer and dried to obtain a die dicing film composed of three layers. At this time, the drying was carried out stepwise over 60 ~ 90 ℃, the viscosity of the top layer was 50 Kpa.s.
상기 제조한 다이 다이싱 필름의 상부층이 실리콘 웨이퍼에 접착되도록 60 ℃에서 라미네이션하고, 절단(sawing) 과정을 통해 얻어진 8 ㎝ × 8 ㎝의 실리콘 칩을 15 ㎛의 단차를 가지는 PCB에 본딩하고 175 ℃에서 1 시간 동안 접착제를 경화시켰다. 이때, 본딩 조건은 160 ℃, 2 sec, 2 ㎏f로 하였다.Lamination at 60 ° C. to bond the upper layer of the prepared die dicing film to the silicon wafer, bonding the 8 cm × 8 cm silicon chip obtained through the sawing process to a PCB having a step of 15 μm and 175 ° C. The adhesive was cured for 1 hour at. At this time, bonding conditions were 160 degreeC, 2 sec, and 2 kgf.
그 후, 와이어에 발생한 손상 여부를 Decap.을 이용하여 확인하였으며, JEDEC 기준에 따라 MRT Level2의 신뢰성 평가를 실시하였다. 이때, 테스트 조건은 85 ℃, 85 % RH에서 7 일 동안 소킹(soaking)한 후, 260 ℃에서의 피크온도에서 리플로우하여 신뢰성을 평가하였다.After that, the damage caused to the wire was confirmed using Decap., And the reliability evaluation of MRT Level 2 was performed according to the JEDEC standard. In this case, the test conditions were soaked at 85 ° C. and 85% RH for 7 days, and then reflowed at a peak temperature at 260 ° C. to evaluate reliability.
비교예 1∼5Comparative Examples 1 to 5
상기 실시예 1에서 사용된 각각의 성분을 하기 표 1에 나타낸 조성비로 사용하고, 각 층의 점도를 달리하여 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다. 이때, 와이어 손상 여부와 MRT Level2의 신뢰성 평가는 상기 실시예 1에 기재한 바와 동일한 방법으로 측정하였다.Each component used in Example 1 was used in the composition ratio shown in Table 1 below, and was carried out in the same manner as in Example 1 except that it was formed by varying the viscosity of each layer. At this time, the wire damage and the reliability evaluation of MRT Level 2 was measured by the same method as described in Example 1.
상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 5를 이용하여 측정한 와이어 손상 여부와 MRT 신뢰성 평가 결과는 하기 표 2에 나타내었다.Wire damage and the MRT reliability evaluation results measured using the Example 1 and Comparative Examples 1 to 5 are shown in Table 2 below.
하기 표 1에서 각 성분의 조성 단위는 중량부이다.In Table 1, the composition unit of each component is parts by weight.
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따라 점도값이 3 층 중, 상부층의 점도가 가장 크고, 상기 하부층의 점도가 가장 작은 적층 구조를 갖는 다이 다이싱 필름이 사용된 실시예 1의 경우 와이어 손상이 없으며, MRT(Moisture resistance test) Level2의 신뢰성을 통과하였음을 확인할 수 있었다. 반면, 다이 다이싱 필름의 중간층 값이 높은 비교예 1의 경우 MRT Level2의 신뢰성은 통과하였으나, 와이어 손상이 나타났으며, 3 층 중 상부층의 점도가 가장 크고, 상기 하부층의 점도가 가장 작은 적층 구조가 아닌 비교예 2 내지 5의 경우에는 모두 와이어 손상이 나타나고, 접착 불량으로 MRT Level2의 신뢰성이 저하됨을 확인할 수 있었다.As shown in Table 2, according to the present invention, in the case of Example 1 in which a dicing film having a laminated structure having a viscosity of the upper layer having the highest viscosity among the three layers and the viscosity of the lower layer having the smallest viscosity was used according to the present invention There was no damage, and it was confirmed that the reliability of MRT (Moisture resistance test) Level 2 was passed. On the other hand, in the case of Comparative Example 1 in which the middle layer value of the dicing film was high, the reliability of MRT Level 2 passed, but wire damage appeared, and the laminated structure having the highest viscosity of the upper layer and the lowest viscosity of the lower layer among the three layers. In the case of Comparative Examples 2 to 5, but not all, wire damage appeared, and it was confirmed that the reliability of MRT Level 2 decreased due to poor adhesion.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As described above, although the present invention has been described by means of a limited embodiment, the present invention is not limited thereto and will be described below by the person skilled in the art and the technical spirit of the present invention. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of the claims.
본 발명에 따르면 3 층 중, 상부층의 점도가 가장 크고, 상기 하부층의 점도가 가장 작은 적층 구조를 갖는 다이 다이싱 필름을 형성함으로써 반도체 스택 패키지 공정에서 와이어 손상이 없으며, 상부 다이와 하부 다이 상의 와이어의 절연이 이루어져 스팩 패키지 스페이서로 사용하기에 적합하다.According to the present invention, there is no wire damage in the semiconductor stack package process by forming a die dicing film having a laminated structure having the highest viscosity of the upper layer and the lowest viscosity of the lower layer among the three layers, It is insulated and suitable for use as a spec package spacer.
Claims (11)
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Citations (3)
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| KR20050019696A (en) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | 주식회사 애드텍 | Method for preparing of pressure sensitive adhesive tape for dicing comprising pvc support and adhesive tape |
| KR20060033726A (en) * | 2004-03-15 | 2006-04-19 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | Dicing/die bonding sheet |
| KR20060043713A (en) * | 2004-03-17 | 2006-05-15 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Dicing-die bonding film |
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- 2006-12-15 KR KR1020060128904A patent/KR100855787B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
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