KR100851849B1 - Portable Terminal and Data Reading and Wirting Method Thereof - Google Patents

Portable Terminal and Data Reading and Wirting Method Thereof Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 휴대용 단말기의 데이터 독출 방법에 있어서, 상기 휴대용 단말기는, 디램 및 플래시 메모리를 포함하는 원메모리; 및 상기 원메모리을 제어하는 제어칩를 포함하는 데이터 독출 방법은: (a) 상기 플래시 메모리로부터 데이터를 독출하는 단계; (b) 상기 플래시 메모리로부터 독출된 상기 데이터를 상기 디램에 기입하는 단계; 및 (c) 상기 디램에 기입된 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함한다.A data reading method of a portable terminal according to the present invention, the portable terminal comprises: an original memory including a DRAM and a flash memory; And a control chip for controlling the original memory, comprising: (a) reading data from the flash memory; (b) writing the data read from the flash memory to the DRAM; And (c) reading the data written on the DRAM.

원메모리, 디램 One memory, DRAM

Description

휴대용 단말기 및 그것의 데이터 기입 및 독출 방법{Portable Terminal and Data Reading and Wirting Method Thereof}Portable Terminal and Data Reading and Wirting Method Thereof

도 1은 종래의 휴대용 단말기를 보여주고 있다. 1 shows a conventional portable terminal.

도 2는 본 발명에 따른 휴대용 단말기를 보여주고 있다.2 shows a portable terminal according to the present invention.

도 3는 본 발명에 다른 휴대용 단말기의 원메모리에 대한 실시예를 보여주고 있다.Figure 3 shows an embodiment of the original memory of the portable terminal according to the present invention.

도 4는 본 발명의 휴대용의 단말기에서 플래시에 저장된 데이터를 독출하는 방법을 보여주고 있다.4 illustrates a method of reading data stored in a flash in a portable terminal of the present invention.

도 5는 본 발명의 휴대용 단말기에서 플래시에 데이터를 기입하는 방법을 보여주고 있다.5 shows a method of writing data to a flash in the portable terminal of the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 휴대용 단말기에서 메모리 카드로부터 데이터를 독출하는 방법을 보여주고 있다.6 shows a method of reading data from a memory card in a portable terminal according to the present invention.

도 7는 본 발명의 휴대용 단말기에서 메모리 카드에 데이터를 기입하는 방법을 보여주고 있다. 7 shows a method of writing data to a memory card in the portable terminal of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

휴대용 단말기: 10,20 메모리 카드: 30Handheld terminal: 10,20 Memory card: 30

제어칩:11,100 플래시 메모리: 12,220Control chip: 11,100 Flash memory: 12,220

디램: 13,240 원메모리:200DRAM: 13,240 KRW Memory: 200

입력장치:14,300 커맨드 디코더: 211Input device: 14,300 Command decoder: 211

제어 로직: 212 글로벌 디코더: 213Control Logic: 212 Global Decoder: 213

페이지 테이블 및 비교 로직: 214 데이터 제어 블럭: 215Page Table and Comparison Logic: 214 Data Control Block: 215

입출력 버퍼: 216 페이지 테이블: 217I / O buffer: 216 pages Table: 217

카드 인터페이스: 218 글로벌 뱅크: 242Card interface: 218 Global banks: 242

본 발명은 휴대용 단말기에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 원메모리를 가지는 휴대용 단말기 및 그것의 데이터 기입 및 독출 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a portable terminal, and more particularly, to a portable terminal having an original memory and a method of writing and reading data thereof.

도 1은 종래의 휴대용 단말기(10)를 보여주고 있다. 도 1을 참조하면, 휴대용 단말기(10)는 제어칩(11), 플래시(12), 디램(13) 및 입력장치(14)을 포함하고 있다. 1 shows a conventional portable terminal 10. Referring to FIG. 1, the portable terminal 10 includes a control chip 11, a flash 12, a DRAM 13, and an input device 14.

종래의 휴대용 단말기(10)에서 메모리 카드(30)에 사진을 찍어 저장하는 과정은 다음과 같다. 휴대용 단말기(10)의 입력장치(14)(예를 들어, 휴대폰의 카메라)는 사진을 찍어 제어칩(11)에 전송한다. 제어칩(11)은 전송된 사진을 디코더(예를들어 JPEC 디코더)에 의해 코딩하여 디램(13)에 임시로 저장시킨다. 제어칩(11)는 디램(13)에 저장된 사진 데이터를 읽어와 메모리 카드(30)에 저장한다In the conventional portable terminal 10, the process of taking a picture and storing it on the memory card 30 is as follows. The input device 14 (for example, a camera of a mobile phone) of the portable terminal 10 takes a picture and transmits it to the control chip 11. The control chip 11 codes the transmitted picture by a decoder (for example, a JPEC decoder) and temporarily stores the picture in the DRAM 13. The control chip 11 reads the picture data stored in the DRAM 13 and stores the picture data in the memory card 30.

종래의 휴대용 단말기(10)에서 플래시(12)에 저장된 사진을 편집하는 과정은 다음과 같다. 제어칩(11)은 플래시(12)을 억세스하여 사진 데이터를 읽어와 디램(14)에 저장시킨다. 제어칩(11)은 디램(13)에 저장된 사진 데이터를 편집한다. 편집을 마친 후, 제어칩(11)은 디램(13)으로부터 편집을 마친 사진 데이터를 읽어와 플래시(12)에 저장시킨다.The process of editing a photo stored in the flash 12 in the conventional portable terminal 10 is as follows. The control chip 11 accesses the flash 12 to read the picture data and store it in the DRAM 14. The control chip 11 edits the picture data stored in the DRAM 13. After editing, the control chip 11 reads the edited picture data from the DRAM 13 and stores it in the flash 12.

종래의 휴대용 단말기(10)의 문제점은 다음과 같다. 제어칩(11)는 플래시(12), 디램(13) 및 메모리 카드(30)과 인터페이스를 하기 위하여 각각의 인터페이스에 필요한 핀들을 포함해야 한다. 또한 핀용량부하가 큰 오프칩 버스를 통해 데이터 이동이 이루어짐으로, 스위칭 전력이 증가하게 된다. 또한, 제어칩(11)이 억세스가 느린 플래시(12)이나 메모리 카드(30)를 직접 억세스하기 때문에 전체적인 시스템 동작성능이 저하된다. 또한 플래시(12) 및 디램(13)을 각각 사용함으로 인하여 시스템 실장 면적이 증대하게 된다.Problems of the conventional portable terminal 10 are as follows. The control chip 11 should include pins required for each interface to interface with the flash 12, the DRAM 13, and the memory card 30. In addition, switching power is increased by moving data through an off-chip bus with a large pin capacitance load. In addition, since the control chip 11 directly accesses the flash 12 or the memory card 30 with slow access, the overall system operation performance is reduced. In addition, by using the flash 12 and the DRAM 13, the system mounting area is increased.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 제어칩의 핀수를 줄이고, 시스템 동작 성능을 향상시키는 휴대용 단말기 및 그것의 데이터 기입 및 독출 방법을 제공하는데 있다. The present invention has been proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a portable terminal and a data writing and reading method thereof, which reduce the number of pins of a control chip and improve system operation performance.

본 발명에 따른 휴대용 단말기의 데이터 독출 방법은: 상기 휴대용 단말기는, 디램 및 플래시 메모리를 포함하는 원메모리; 및 상기 원메모리을 제어하는 제어칩를 포함하고, (a) 상기 플래시 메모리로부터 데이터를 독출하는 단계; (b) 상기 플래시 메모리로부터 독출된 상기 데이터를 상기 디램에 기입하는 단계; 및 (c) 상기 디램에 기입된 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함한다.A data reading method of a portable terminal according to the present invention includes: an original memory including a DRAM and a flash memory; And a control chip for controlling the original memory, the method comprising: (a) reading data from the flash memory; (b) writing the data read from the flash memory to the DRAM; And (c) reading the data written on the DRAM.

실시 예에 있어서, 상기 디램은 상기 플래시 메모리에서 상기 독출된 데이터를 저장하기 위한 글로벌 뱅크를 포함한다.In example embodiments, the DRAM may include a global bank for storing the read data in the flash memory.

실시 예에 있어서, 상기 (c) 단계에서 상기 디램으로부터 독출된 상기 데이터를 라인 메모리 단위로 데이터로 변환하여 상기 제어칩으로 전송하는 단계를 포함한다.The method may include converting the data read from the DRAM into data in line memory units and transmitting the data to the control chip in step (c).

실시 예에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 플래시 메모리로부터 독출된 데이터의 어드레스와 상기 (b) 단계에서 상기 디램에 기입된 데이터의 어드레스는 동일하다.The address of the data read from the flash memory in step (a) and the address of the data written in the DRAM in step (b) are the same.

본 발명에 따른 휴대용 단말기의 데이터 기입 방법은: 상기 휴대용 단말기는, 디램 및 플래시 메모리를 포함하는 원메모리; 및 상기 원메모리을 제어하는 제어칩를 포함하고, (a) 상기 디램이 상기 제어칩으로부터 데이터를 전달받아 기입하는 단계; (b) 상기 디램에 기입된 상기 데이터를 독출하는 단계; 및 (c) 상기 디램으로부터 독출된 상기 데이터를 상기 플래시 메모리에 기입하는 단계를 포함한다.A data writing method of a portable terminal according to the present invention comprises: an original memory including a DRAM and a flash memory; And a control chip for controlling the original memory, wherein (a) the DRAM receives data from the control chip and writes the data; (b) reading the data written on the DRAM; And (c) writing the data read from the DRAM into the flash memory.

본 발명에 따른 휴대용 단말기에서 메모리 카드의 데이터를 독출하는 방법은: 상기 휴대용 단말기는, 디램 및 카드 인터페이스를 포함하는 원메모리; 및 상기 디램 및 카드 인터페이스를 제어하는 제어칩을 포함하되, 상기 카드 인터페이스는 상기 제어칩에서 생성된 제어신호에 응답하여 상기 메모리 카드의 데이터를 독출하며, (a) 상기 인터페이스가 상기 제어신호에 응답하여 상기 메모리 카드로부터 데이터를 독출하는 단계; (b) 상기 메모리 카드에서 독출된 상기 데이터를 상기 디 램에 기입하는 단계; 및 (c) 상기 디램에 기입된 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함한다.A method for reading data of a memory card in a portable terminal according to the present invention includes: a raw memory including a DRAM and a card interface; And a control chip for controlling the DRAM and card interface, wherein the card interface reads data of the memory card in response to a control signal generated by the control chip, and (a) the interface responds to the control signal. Reading data from the memory card; (b) writing the data read from the memory card to the DRAM; And (c) reading the data written on the DRAM.

실시 예에 있어서, 상기 디램은 상기 메모리 카드에서 상기 독출된 데이터를 저장하기 위한 글로벌 뱅크를 포함한다.The DRAM may include a global bank for storing the read data in the memory card.

실시 예에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 메모리 카드로부터 독출된 데이터의 어드레스와 상기 (b) 단계에서 상기 디램에 기입된 데이터의 어드레스는 동일하다.The address of the data read from the memory card in step (a) and the address of the data written to the DRAM in step (b) are the same.

본 발명에 따른 휴대용 단말기에서 메모리 카드에 데이터를 기입하는 방법은: 상기 휴대용 단말기는, 디램 및 카드 인터페이스를 포함하는 원메모리; 및 상기 디램 및 카드 인터페이스를 제어하는 제어칩을 포함하되, 상기 카드 인터페이스는 상기 제어칩에서 생성된 제어신호에 응답하여 상기 메모리 카드의 데이터를 기입하며, (a) 상기 제어칩으로부터 데이터를 상기 디램에 기입하는 단계; (b) 상기 디램에 기입된 상기 데이터를 독출하는 단계; 및 (c) 상기 인터페이스가 상기 제어신호에 응답하여 상기 디램으로부터 독출된 상기 데이터를 상기 메모리 카드에 기입하는 단계를 포함한다.In the portable terminal according to the present invention, a method for writing data to a memory card includes: a raw memory including a DRAM and a card interface; And a control chip controlling the DRAM and the card interface, wherein the card interface writes data of the memory card in response to a control signal generated by the control chip, and (a) writes data from the control chip to the DRAM. Writing in; (b) reading the data written on the DRAM; And (c) the interface writing the data read from the DRAM to the memory card in response to the control signal.

본 발명에 따른 휴대용 단말기는 원메모리; 및 상기 원메모리를 제어하는 제어칩을 포함하되, 상기 원메모리는, 플래시 메모리; 상기 제어칩에서 생성된 제어 신호에 응답하여 외부의 메모리 카드와 인터페이스하는 카드 인터페이스; 및 상기 제어칩이 상기 플래시 메모리 혹은 상기 메모리 카드로/에 데이터를 기입하거나 독출할 때 상기 데이터를 경유시키는 디램을 포함한다.A portable terminal according to the present invention comprises a raw memory; And a control chip for controlling the original memory, wherein the original memory comprises: a flash memory; A card interface that interfaces with an external memory card in response to a control signal generated by the control chip; And a DRAM for passing the data when the control chip writes data to or reads data from / to the flash memory or the memory card.

실시 예에 있어서, 상기 제어칩은 상기 플래시 메모리 혹은 상기 메모리 카드를 억세스할 때 상기 디램을 이용하여 억세스한다.In example embodiments, the control chip may access the DRAM using the DRAM when the flash memory or the memory card is accessed.

실시 예에 있어서, 상기 디램은 상기 플래시 메모리 혹은 상기 메모리 카드로/에 데이터를 기입하고나 독출하기 위하여 이용되는 글로벌 뱅크를 포함한다.In example embodiments, the DRAM may include a global bank used for writing and reading data to / from the flash memory or the memory card.

실시 예에 있어서, 상기 글로벌 뱅크에서 독출된 데이터를 라인 메모리 사이즈로 변경하는 데이터 제어 블럭을 더 포함한다.The method may further include a data control block for changing the data read from the global bank to a line memory size.

실시 예에 있어서, 상기 플래시 메모리 및 상기 메모리 카드에 저장된 데이터의 어드레스와 상기 글로벌 뱅크에 저장된 데이터의 어드레스가 동일하게 만드는 글로벌 디코더를 포함한다.The method may further include a global decoder that makes an address of data stored in the flash memory and the memory card equal to an address of data stored in the global bank.

실시 예에 있어서, 상기 글로벌 디코더의 상기 어드레스를 전달받아, 상기 플래시 메모리에 이용할 수 있는 물리적인 어드레스도 매핑하는 페이지 테이블을 포함한다.The page table may include a page table that receives the address of the global decoder and maps a physical address available to the flash memory.

실시 예에 있어서, 상기 페이지 테이블은 상기 글로벌 뱅크에 기입된 데이터가 있는지 없는지를 확인하는 비교 로직을 더 포함한다. In example embodiments, the page table may further include comparison logic for checking whether there is data written in the global bank.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 휴대용 단말기(20)를 보여주고 있다. 도 2를 참조하면, 휴대용 단말기(20)는 제어칩(100), 원메모리(200) 및 입력장치(300)를 포함하고 있다. 여기서 원메모리(200)는 플래시(220) 및 디램(240)을 하나의 칩으로 만든 것이다.2 shows a portable terminal 20 according to the present invention. Referring to FIG. 2, the portable terminal 20 includes a control chip 100, an original memory 200, and an input device 300. Here, the original memory 200 is a flash chip 220 and a DRAM 240 made of a single chip.

본 발명의 휴대용 단말기(20)는 데이터를 입출력할 때 제어칩(100)이 플래시(220)나 메모리 카드(30)을 직접 억세스하지 않고 디램(240)을 경유하여 억세스한다.In the portable terminal 20 of the present invention, the control chip 100 accesses the data through the DRAM 240 without directly accessing the flash 220 or the memory card 30.

본 발명의 휴대용 단말기(20)가 메모리 카드(30)에 사진을 저장하는 과정은 다음과 같다. 입력장치(300)는 사진을 찍어, 사진 데이터를 제어칩(100)으로 전송한다. 제어칩(100)는 전송된 사진 데이터를 원메모리(200)의 디램(240)에 전달한다. 디램(240)에 전달된 사진 데이터는 메모리 카드(30)에 저장된다. 여기서 메모리 카드(30)의 동작은 제어칩(100)에서 원메모리(200)에 전달된 명령에 따라 제어된다.The process of storing the photo in the memory card 30 by the portable terminal 20 of the present invention is as follows. The input device 300 takes a picture and transmits the picture data to the control chip 100. The control chip 100 transfers the transmitted photo data to the DRAM 240 of the original memory 200. The photo data transferred to the DRAM 240 is stored in the memory card 30. Here, the operation of the memory card 30 is controlled according to a command transmitted from the control chip 100 to the original memory 200.

본 발명의 휴대용 단말기(20)가 플래시(220)에 저장된 사진 데이터를 편집하는 과정은 다음과 같다. 제어칩(100)은 플래시(220)로부터 원하는 사진 데이터를 독출하도록 독출 명령어 및 어드레스를 원메모리(200)에 전달한다. 원메모리(200)는 제어칩(100)으로부터 전달된 독출 명령어 및 어드레스에 따라 플래시(220)로부터 해당하는 사진 데이터를 독출하여 디램(240)에 저장시킨다. 제어칩(100)은 디램(240)에 저장된 사진 데이터를 편집한다. 편집을 마친 후, 제어칩(100)은 플래시(220)에 편집된 사진 데이터를 저장하기 위한 기입 명령어 및 어드레스를 원메모리(200)에 전달한다. 원메모리(200)는 제어칩(100)으로부터 전달된 기입 명령어 및 어드레스를 전달받아, 디램(240)으로부터 편집된 사진 데이터를 독출하여 플래시(220)에 저장시킨다.The process of editing the photo data stored in the flash 220 by the portable terminal 20 of the present invention is as follows. The control chip 100 transmits a read command and an address to the original memory 200 to read desired photo data from the flash 220. The original memory 200 reads out the corresponding photo data from the flash 220 according to a read command and an address transmitted from the control chip 100 and stores the corresponding photo data in the DRAM 240. The control chip 100 edits the picture data stored in the DRAM 240. After editing, the control chip 100 transmits a write command and an address for storing the edited photo data to the flash memory 220 to the original memory 200. The original memory 200 receives a write command and an address transmitted from the control chip 100, reads the edited photo data from the DRAM 240, and stores the edited photo data in the flash 220.

본 발명의 제어칩(100)은 디램(240)을 경유하여 플래시(220) 및 메모리 카드(30)에/로부터 데이터를 기입하거나 독출한다. 따라서 제어칩(100)은 디램(240)과 인터페이스를 하기만 하면 된다. 따라서, 본 발명의 휴대용 단말기(20)는 종래기술보다 시스템 동작 성능이 빨라지게 된다. 또한, 제어칩(100)이 디램(240)하고만 인터페이스를 하기 때문에 제어칩(100)의 핀수도 줄어들게 된다.The control chip 100 of the present invention writes or reads data to / from the flash 220 and the memory card 30 via the DRAM 240. Therefore, the control chip 100 only needs to interface with the DRAM 240. Therefore, the portable terminal 20 of the present invention is faster system operation performance than the prior art. In addition, since the control chip 100 interfaces only with the DRAM 240, the number of pins of the control chip 100 is reduced.

도 3는 본 발명에 다른 휴대용 단말기(20)의 원메모리(200)에 대한 실시예를 보여주고 있다. 도 3을 참조하면, 본 발명은 커맨드 디코더(211), 제어 로직(212), 글로벌 디코더(213), 페이지 테이블 및 비교 로직(214), 입출력 버퍼(216), 데이터 제어 블럭(215), 페이지 테이블(217), 카드 인터페이스(218), 플래시(220) 및 디램(240)을 포함하고 있다.3 shows an embodiment of the original memory 200 of the portable terminal 20 according to the present invention. Referring to FIG. 3, the present invention includes a command decoder 211, control logic 212, global decoder 213, page table and comparison logic 214, input / output buffer 216, data control block 215, page The table 217, the card interface 218, the flash 220, and the DRAM 240 are included.

디램(240)은 글로벌 뱅크(242)를 포함하고 있다. 글로벌 뱅크(242)는 제어칩(100)이 플래시(220)나 메모리 카드(30)를 억세스할 때 사용되는 전용 뱅크이다. 본 발명의 제어칩(100)은 속도가 느린 플래시(200) 이나 메모리 카드(30)을 억세스 할 필요없이 글로벌 뱅크(242)를 억세스하게 된다.The DRAM 240 includes a global bank 242. The global bank 242 is a dedicated bank used when the control chip 100 accesses the flash 220 or the memory card 30. The control chip 100 of the present invention accesses the global bank 242 without having to access the slow flash 200 or the memory card 30.

커맨드 디코더(211)는 제어칩(100)으로부터 외부신호들(CMDE/,CMD)을 전달받아 플래시(220) 혹은 메모리 카드(30)을 억세스할 때 필요한 명령어들을 생성한다. 여기서 외부신호(CMDE/)는 커맨드 인에이블 신호로서, 제어칩(100)이 외부신호(CMD)을 원메모리(200)에 전달할 때, 원메모리(200)이 이것들을 받아들일지 여부를 제어하는 신호이다. 또한, 외부신호(CMD)는 명령 신호로서, 원메모리(200)내의 플래시(220)나 원메모리(200)를 통해 메모리 카드(30)를 억세스할 때 사용된다. The command decoder 211 receives external signals CMDE /, CMD from the control chip 100 and generates instructions necessary for accessing the flash 220 or the memory card 30. Here, the external signal CMDE / is a command enable signal, and when the control chip 100 transmits the external signal CMD to the original memory 200, a signal for controlling whether the original memory 200 receives them. to be. In addition, the external signal CMD is a command signal, and is used when the memory card 30 is accessed through the flash 220 or the original memory 200 in the original memory 200.

커맨드 디코더(211)는 외부신호들(CMDE/,CMD)에 응답하여 명령어들을 생성하여 제어 로직(212)에 전달한다. 이러한 명령어들은 프로그램, 소거, 디램(240)의 데이터를 플래시(220)로 전송, 플래시(220)의 데이터를 디램으로 전송, 디램(240)의 데이터를 메모리 카드(30)로 전송, 메모리 카드(30)의 데이터를 디램(240)의 전송 등이 있다. The command decoder 211 generates instructions and transmits the instructions to the control logic 212 in response to the external signals CMDE / CMD. These instructions can be programmed, erased, transmit data from DRAM 240 to flash 220, transmit data from flash 220 to DRAM, transfer data from DRAM 240 to memory card 30, memory card ( The data of 30 may be transmitted to the DRAM 240.

제어 로직(212)은 제어칩(100)으로부터 전달된 제어신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)과 커맨트 디코더(211)로부터 전달된 명령어들을 조합하여 디램(240)의 데이터 독출 및 기입을 제어하고, 플래시(220) 및 메모리 카드(30)을 억세스할 때 발생하는 데이터를 제어한다. The control logic 212 reads the data of the DRAM 240 by combining the control signals CE /, WE /, RAS /, CAS / transmitted from the control chip 100 and the instructions transmitted from the command decoder 211. And write control, and data generated when the flash 220 and the memory card 30 are accessed.

글로벌 디코더(213)는 제어칩(100)으로부터 어드레스들(Ai)을 전달받아, 제어 로직(212)에서 전달된 제어 정보에 따라 전달받은 어드레스들(Ai)들이 어떤 작업을 수행하기 위한 어드레스인지 파악하여, 디램(242), 페이지 테이블 및 비교 로직(214) 혹은 페이지 테이블(217)에 전달한다.The global decoder 213 receives the addresses Ai from the control chip 100 and determines which tasks the addresses Ai are to perform according to the control information transmitted from the control logic 212. Thus, the information is transferred to the DRAM 242, the page table and the comparison logic 214, or the page table 217.

페이지 테이블 및 비교 로직(214)은 글로벌 디코더(213)로부터 전달받은 논리적인 어드레스들을 페이지 테이블을 이용하여 플래시(220)에 적합한 물리적인 어드레스로 매핑하여 준다. 여기서 페이지 테이블 및 비교 로직(214)은 플래시(200)에 억세스되는 페이지 어드레스들과 글로벌 뱅크(242)에 억세스되는 페이지 어드레스들을 포함하고 있다. 이러한 페이지 주소들은 플래시(200)와 글로벌 뱅크(242)의 어드레스를 동일하게 하여, 데이터 기입 및 독출시에 데이터의 동일성을 유지하도록 도와준다. 예를 들어, 플래시(220)로부터 데이터 독출할 때 플래시(220)의 해당 페이지 데이터의 어드레스는 독출한 데이터가 저장된 글로벌 뱅크(242)의 어드레스와 동일하다.The page table and comparison logic 214 maps logical addresses received from the global decoder 213 to physical addresses suitable for the flash 220 using the page table. Here, the page table and comparison logic 214 includes page addresses accessed in the flash 200 and page addresses accessed in the global bank 242. These page addresses make the addresses of the flash 200 and the global bank 242 the same, helping to maintain the identity of the data when writing and reading the data. For example, when reading data from the flash 220, the address of the corresponding page data of the flash 220 is the same as the address of the global bank 242 in which the read data is stored.

데이터 제어 블럭(215)은 제어칩(100)이 플래시(220), 디램(240) 및 메모리 카드(30)을 억세스할 때 발생하는 데이터의 이동을 제어한다. 데이터 제어 블럭(215)는 억세스를 빠르게 하기 위하여 버퍼 메모리를 포함하고 있다. 데이터 제어 블럭(215)은 플래시(220)과 디램(240) 사이에 연결되어 있으며, IWB(Internal Wide Bus:예를들어 64Bit)를 사용하여 데이터를 입출력하게 된다. The data control block 215 controls the movement of data generated when the control chip 100 accesses the flash 220, the DRAM 240, and the memory card 30. The data control block 215 includes a buffer memory to speed up access. The data control block 215 is connected between the flash 220 and the DRAM 240, and inputs / outputs data using an internal wide bus (eg, 64 bit).

입출력 버퍼(216)는 데이터 제어 블럭(215)으로부터 전달된 데이터를 제어칩(100)의 전달하거나 혹은 제어칩(100)으로부터 전달받은 데이터를 데이터 제어 블럭(215)에 전달한다.The input / output buffer 216 transfers data transferred from the data control block 215 to the control chip 100 or transfers data received from the control chip 100 to the data control block 215.

페이지 테이블(217)은 글로벌 디코더(213)로부터 전달받은 논리적인 어드레스들을 페이지 테이블을 이용하여 카드 인터페이스(218)에 적합한 물리적인 어드레스로 매핑하여 준다. 여기서 페이지 테이블(217)은 메모리 카드(30)에 억세스되는 페이지 어드레스 정보를 포함하고 있다. 제어칩(100)은 디램(240)의 글로벌 뱅크(242)를 경유하여 메모리 카드(30)에 데이터를 기입하거가 독출하게 된다. 이때 페이지 테이블(217)은 데이터의 동일성을 유지하기 위하여 동일한 페이지 어드레스를 글로벌 뱅크(242) 및 메모리 카드(30)에 제공하게 된다.The page table 217 maps logical addresses received from the global decoder 213 to physical addresses appropriate for the card interface 218 using the page table. The page table 217 includes page address information accessed by the memory card 30. The control chip 100 writes data to or reads data from the memory card 30 via the global bank 242 of the DRAM 240. In this case, the page table 217 provides the same page address to the global bank 242 and the memory card 30 to maintain the same data.

카드 인터페이스(218)는 원메모리(200)에서 메모리 카드(30)를 억세스하는 데 필요한 신호를 발생시킨다. 또한 메모리 카드(30)로부터 기입 및 독출을 하고자 할 때 데이터를 임시로 저장하기 위한 버퍼 메모리(도시되어 있지 않음)를 포함하 고 있다. 이때 버퍼메모리는 데이터 제어 블럭(215)에/로부터 데이터를 전송하거나 받는다.The card interface 218 generates a signal necessary to access the memory card 30 in the original memory 200. It also includes a buffer memory (not shown) for temporarily storing data when writing and reading from the memory card 30 is to be performed. The buffer memory then transmits or receives data to / from the data control block 215.

본 발명의 원메모리(200)는 제어칩(100)이 데이터 입출력을 하기 위하여 디램(240)을 직접 억세스한다. 플래시(240) 및 메모리 카드(30)는 디램(240)의 글로벌 뱅크(242)을 경유하여, 데이터의 입출력이 제어된다.The original memory 200 of the present invention directly accesses the DRAM 240 in order for the control chip 100 to input and output data. The flash 240 and the memory card 30 are controlled via the global bank 242 of the DRAM 240 to control input and output of data.

도 4는 본 발명의 휴대용의 단말기(20)에서 플래시(220)에 저장된 데이터를 독출하는 방법을 보여주고 있다.4 shows a method of reading data stored in the flash 220 in the portable terminal 20 of the present invention.

S10단계에서는 플래시(220)로부터 데이터를 독출한다. 플래시(220)로부터 데이터를 독출하는 과정은 다음과 같다. 제어칩(100)은 플래시(220)로부터 데이터를 독출하기 위하여 외부신호들(CMDE/,CMD)을 커멘드 디코더(211)에 전달하고, 해당 어드레스(Ai)를 글로벌 디코더(213)에 전달한다. 커맨드 디코더(211)는 외부 신호들(CMDE/,CMD)을 입력받아, 플래시(220)에서 디램(240)으로 데이터를 전송하는 명령어를 생성하여 제어 로직(212)에 전달한다. 제어 로직(212)은 데이터 전송 명령어를 받아서 플래시(220)로부터 해당 어드레스의 페이지 데이터를 독출하는 타이밍 제어신호를 생성한다. 글로벌 디코더(213)는 제어 로직(213)으로부터 전달받은 타이밍 제어신호에 응답하여 어드레스(Ai)을 페이지 테이블 및 비교 로직(214)에 전달한다. 페이지 테이블 및 비교 로직(214)은 글로벌 디코더(213)로부터 전달받은 논리적인 어드레스를 물리적인 어드레스로 매핑하여 플래시(220)에 전달한다. 플래시(220)는 페이지 테이블 및 비교 로직(214)로부터 어드레스를 전달받고, 제어 로직(212)의 타이밍 제어신호에 응답하여 해당 어드레스의 페이지 데이터를 독출시킨 다.In operation S10, data is read from the flash 220. The process of reading data from the flash 220 is as follows. The control chip 100 transmits external signals CMDE / CMD to the command decoder 211 and reads the corresponding address Ai to the global decoder 213 in order to read data from the flash 220. The command decoder 211 receives external signals CMDE / and CMD, generates a command for transmitting data from the flash 220 to the DRAM 240, and transmits the command to the control logic 212. The control logic 212 receives a data transfer command and generates a timing control signal for reading page data of the corresponding address from the flash 220. The global decoder 213 transmits the address Ai to the page table and the comparison logic 214 in response to the timing control signal received from the control logic 213. The page table and comparison logic 214 maps the logical address received from the global decoder 213 to a physical address and transfers the logical address to the flash 220. The flash 220 receives an address from the page table and the comparison logic 214, and reads page data of the address in response to a timing control signal of the control logic 212.

S12단계에서는 플래시(220)로부터 독출된 데이터를 디램(240)의 글로벌 뱅크(242)로 저장한다. 제어칩(100)은 플래시(220)로부터 독출된 데이터를 디램(240)의 글로벌 뱅크(242)에 기입하기 위한 제어 신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)을 제어 로직(212)에 전달한다. 제어 로직(212)은 전달된 제어 신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)에 응답하여 디램(240)에 기입 동작을 할 수 있도록 타이밍 제어 신호를 생성하여 디램(240)에 전달한다. 글로벌 디코더(213)는 제어칩(100)으로부터 어드레스(Ai)을 전달받아 디램(240)에 전달한다. 디램(240)은 제어 로직(212)으로부터 타이밍 제어신호와 글로벌 디코더(213)으로부터 어드레스(Ai)를 전달받아, 플래시(220)에서 독출된 데이터를 저장한다. 이때 플래시(220)로부터 독출된 데이터는 데이터 제어 블럭(215)을 경유하여 디램(240)의 글로벌 뱅크(242)에 저장된다. 여기서, 플래시(220)에서 독출된 데이터의 어드레스와 글로벌 뱅크(242)에 저장된 데이터의 어드레스는 동일하다.In operation S12, the data read from the flash 220 is stored in the global bank 242 of the DRAM 240. The control chip 100 controls the control signals CE /, WE /, RAS /, CAS / for writing data read from the flash 220 to the global bank 242 of the DRAM 240. To pass). The control logic 212 generates and transmits a timing control signal to the DRAM 240 in order to perform a write operation on the DRAM 240 in response to the transmitted control signals CE /, WE /, RAS /, CAS /. do. The global decoder 213 receives the address Ai from the control chip 100 and transmits the address Ai to the DRAM 240. The DRAM 240 receives the timing control signal from the control logic 212 and the address Ai from the global decoder 213 and stores data read from the flash 220. In this case, the data read from the flash 220 is stored in the global bank 242 of the DRAM 240 via the data control block 215. Here, the address of the data read from the flash 220 and the address of the data stored in the global bank 242 are the same.

S14 단계에서는 디램(240)에 저장된 데이터를 독출하여, 제어칩(100)으로 전달한다. 제어칩(100)은 디램(240)의 글로벌 뱅크(242)에 저장된 데이터를 독출하기 위한 제어 신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)을 제어 로직(212)에 전달한다. 제어 로직(212)는 전달된 (CE/,WE/,RAS/,CAS/)에 응답하여 디램(240)으로부터 독출동작을 할 수 있도록 타이밍 제어 신호를 생성하여 디램(240)에 전달한다. 디램(240)는 제어 로직(212)으로부터 타이밍 제어신호와 글로벌 디코더(213)으로부터 어드레스(Ai)를 전달받아, 해당 어드레스에 해당하는 데이터를 독출하여 데이터 플로우 콘트롤 로직(215)에 전달한다. 데이터 제어 로직(215)은 독출된 페이지 데이터를 라인 메모리 단위로 구분하여 입출력 버퍼(216)에 전달한다. 여기서 라인 메모리는 제어칩(100)내부의 캐쉬 메모리들이 처리할 수 있는 단위이다. 입출력 버퍼(216)는 전달된 라인 메모리 단위의 데이터들을 입출력 핀(도시되어 있지 않음)을 통하여 제어칩(100)으로 전달한다.In operation S14, the data stored in the DRAM 240 is read and transmitted to the control chip 100. The control chip 100 transmits control signals CE /, WE /, RAS /, CAS / for reading data stored in the global bank 242 of the DRAM 240 to the control logic 212. The control logic 212 generates and transmits a timing control signal to the DRAM 240 in order to perform a read operation from the DRAM 240 in response to the transmitted CE /, WE /, RAS /, CAS /. The DRAM 240 receives the timing control signal from the control logic 212 and the address Ai from the global decoder 213, reads data corresponding to the address, and transmits the data corresponding to the address to the data flow control logic 215. The data control logic 215 divides the read page data into line memory units and transfers the read page data to the input / output buffer 216. The line memory is a unit that can be processed by the cache memories inside the control chip 100. The input / output buffer 216 transfers the transferred line memory data to the control chip 100 through input / output pins (not shown).

도 5는 본 발명의 휴대용 단말기(20)에서 플래시(220)에 데이터를 기입하는 방법을 보여주고 있다. 5 shows a method of writing data to the flash 220 in the portable terminal 20 of the present invention.

S20 단계는 플래시(220)에 기입할 데이터를 디램(240)에 기입한다. 제어칩(100)은 디램(240)에 데이터를 기입할 수 있도록 제어신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)을 제어 로직(212)에 전달하고, 어드레스(Ai)을 글로벌 디코더(213)에 전달하고, 데이터(DATA)을 입출력 버퍼(216)에 전달한다. 입출력 버퍼(216)는 전달된 데이터를 데이터 제어 블럭(215)에 전달한다. 제어 로직(212)은 제어신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)에 응답하여 디램(240)에 데이터를 기입할 수 있도록 하는 타이밍 제어신호를 생성하여 디램(240)에 전달한다. 글로벌 디코더(213)는 제어칩(100)으로부터 어드레스(Ai)을 전달받아 디램(240)에 전달한다. 디램(240)은 제어 로직(212)로부터 전달된 타이밍 제어신호와 글로벌 디코더(213)로부터 전달된 어드레스를 전달받아, 데이터 제어 블럭(215)로부터 글로벌 뱅크(242)로 데이터를 저장한다. 이때 저장된 데이터는 플래시(220)의 페이지 단위로 저장된다. 데이터 제어 블럭(215)은 라인 메모리 단위의 데이터를 페이지 단위로 데이터를 변환시켜 디램(240)에 전달하게 된다.In operation S20, data to be written to the flash 220 is written to the DRAM 240. The control chip 100 transmits control signals CE /, WE /, RAS /, CAS / to the control logic 212 so that data can be written to the DRAM 240, and the address Ai is transmitted to the global decoder. In operation 213, the data DATA is transferred to the input / output buffer 216. The input / output buffer 216 transfers the transferred data to the data control block 215. The control logic 212 generates a timing control signal for writing data to the DRAM 240 in response to the control signals CE /, WE /, RAS /, CAS /, and transmits the timing control signal to the DRAM 240. . The global decoder 213 receives the address Ai from the control chip 100 and transmits the address Ai to the DRAM 240. The DRAM 240 receives the timing control signal transmitted from the control logic 212 and the address transmitted from the global decoder 213, and stores data from the data control block 215 to the global bank 242. The stored data is stored in units of pages of the flash 220. The data control block 215 converts the data of the line memory unit into page units and transfers the data to the DRAM 240.

S22단계에서는 디램(240)의 글로벌 뱅크(242)에 저장된 데이터를 독출한다. 제어칩(100)의 디램(240)의 데이터를 독출하기 위한 제어신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)을 제어 로직(212)에 전달한다. 제어 로직(212)은 제어신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)에 응답하여 디램(240)의 독출 동작을 하기 위한 타이밍 제어신호들을 생성하여 디램(240)에 전달한다. 디램(240)은 제어 로직(212)로부터 타이밍 제어신호와 글로벌 디코더(213)으로부터 어드레스를 입력받아 글로벌 뱅크(242)에서 페이지 단위의 데이터를 독출하여 데이터 제어 블럭(215)에 전달한다.In operation S22, data stored in the global bank 242 of the DRAM 240 is read. The control signals CE /, WE /, RAS /, CAS / for reading data of the DRAM 240 of the control chip 100 are transmitted to the control logic 212. The control logic 212 generates and transmits timing control signals for the read operation of the DRAM 240 in response to the control signals CE /, WE /, RAS /, CAS /, and transmits them to the DRAM 240. The DRAM 240 receives a timing control signal from the control logic 212 and an address from the global decoder 213, reads data in units of pages from the global bank 242, and transfers the data to the data control block 215.

S24단계에서는 데이터 제어 블럭(215)에 독출된 데이터를 플래시(220)에 전달한다. 제어칩(100)은 플래시(220)에 데이터를 기입하기 위한 명령어들(CMD,CMDE/)을 커맨드 디코더(211)에 전달한다. 커맨트 디코더(211)는 디램(240)으로부터 플래시(220)에 데이터를 기입하는 명령어를 생성하여 제어 로직(212)에 전달한다. 제어 로직(212)는 디램(240)으로부터 플래시(220)에 데이터를 기입하는 명령어를 전달받아, 플래시(220)가 데이터를 기입하도록 타이밍 제어신호를 생성한다. 글로벌 디코더(213)는 제어칩(100)으로부터 어드레스(Ai)을 전달받아 페이지 테이블 및 비교 로직(214)에 전달한다. 페이지 테이블 및 비교 로직(214)은 글로벌 디코더(213)으로 전달된 논리적 어드레스를 물리적 어드레스로 매핑하여 플래시(220)에 전달한다. 플래시(220)는 제어 로직(212)로부터 전달된 타이밍 제어신호와 페이지 테이블 및 비교 로직(214)으로부터 전달된 어드레스를 입력받아 데이터 제어 블럭(215)의 데이터를 기입한다. In operation S24, the data read by the data control block 215 is transferred to the flash 220. The control chip 100 transmits commands CMD and CMDE / for writing data to the flash 220 to the command decoder 211. The command decoder 211 generates a command for writing data from the DRAM 240 to the flash 220 and transmits the command to the control logic 212. The control logic 212 receives a command for writing data from the DRAM 240 to the flash 220 and generates a timing control signal for the flash 220 to write data. The global decoder 213 receives the address Ai from the control chip 100 and transmits the address Ai to the page table and the comparison logic 214. The page table and comparison logic 214 maps the logical address passed to the global decoder 213 to a physical address and forwards it to the flash 220. The flash 220 receives the timing control signal transmitted from the control logic 212 and the address transmitted from the page table and the comparison logic 214 and writes data of the data control block 215.

도 6은 본 발명에 따른 휴대용 단말기(20)에서 메모리 카드(30)로부터 데이 터를 독출하는 방법을 보여주고 있다.6 illustrates a method of reading data from the memory card 30 in the portable terminal 20 according to the present invention.

S30 단계에서는 메모리 카드(30)에서 데이터를 독출한다. 제어칩(100)은 메모리 카드(30)의 데이터 독출을 위한 외부 신호들(CMD,CMDE/)을 커맨드 디코더(211)에 전달하고, 해당 어드레스(Ai)를 글로벌 디코더(213)에 전달한다. 커맨드 디코더(211)는 외부 신호들(CMD,CMDE/)을 입력받아, 메모리 카드(30)에서 디램(240)으로 데이터를 전송하는 명령어를 생성하여 제어 로직(212)에 전달한다. 제어 로직(212)은 메모리 카드(30)에서 디램(240)으로 데이터를 전송하는 명령어를 받아, 메모리 카드(30)로부터 데이터를 독출하는 타이밍 제어신호를 생성한다. 글로벌 디코더(213)는 제어 로직(213)으로부터 전달받은 타이밍 제어신호에 응답하여 어드레스(Ai)을 페이지 테이블(217)에 전달한다. 페이지 테이블(217)은 글로벌 디코더(213)로부터 전달받은 논리적인 어드레스를 물리적인 어드레스로 매핑하여 카드 인터페이스(218)에 전달한다. 카드 인터페이스(217)는 페이지 테이블(217)로부터 어드레스와 제어 로직(212)으로부터 타이밍 제어신호을 입력받아 메모리 카드(30)에서 데이터를 독출하여 데이터 제어 블럭(215)에 전달한다.In operation S30, data is read from the memory card 30. The control chip 100 transmits external signals CMD and CMDE / for reading data from the memory card 30 to the command decoder 211 and transmits the corresponding address Ai to the global decoder 213. The command decoder 211 receives external signals CMD and CMDE /, generates a command for transmitting data from the memory card 30 to the DRAM 240, and transmits the command to the control logic 212. The control logic 212 receives a command for transmitting data from the memory card 30 to the DRAM 240, and generates a timing control signal for reading data from the memory card 30. The global decoder 213 transmits the address Ai to the page table 217 in response to the timing control signal received from the control logic 213. The page table 217 maps the logical address received from the global decoder 213 to a physical address, and delivers it to the card interface 218. The card interface 217 receives the timing control signal from the address table and the control logic 212 from the page table 217, reads data from the memory card 30, and transfers the data to the data control block 215.

S32단계에서는 메모리 카드(30)에서 독출된 데이터를 디램(240)의 글로벌 뱅크(242)로 저장한다. 제어칩(100)은 디램(240)에 메모리 카드(30)로부터 독출된 데이터를 기입하기 위한 제어 신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)을 제어 로직(212)에 전달한다. 제어 로직(212)는 전달된 제어 신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)에 응답하여 디램(240)에 기입 동작을 할 수 있도록 타이밍 제어 신호를 생성하여 디램(240)에 전달한다. 글로벌 디코더(213)는 제어칩(100)으로부터 어드레스(Ai)을 전달받아 디 램(240)에 전달한다. 디램(240)은 제어 로직(212)으로부터 타이밍 제어신호와 글로벌 디코더(213)으로부터 어드레스를 입력받아, 데이터 제어 블럭(215)로부터 메모리 카드(30)에서 독출된 데이터를 전달받아 글로벌 뱅크(242)에 저장한다. 여기서 메모리 카드(30)에서 독출된 데이터의 어드레스와 글로벌 뱅크(242)에 기입된 데이터의 어드레스는 동일하다. In operation S32, the data read from the memory card 30 is stored in the global bank 242 of the DRAM 240. The control chip 100 transmits control signals CE /, WE /, RAS /, CAS / for writing data read from the memory card 30 to the DRAM 240 to the control logic 212. The control logic 212 generates a timing control signal and transmits the timing control signal to the DRAM 240 in response to the transmitted control signals CE /, WE /, RAS /, CAS /. do. The global decoder 213 receives the address Ai from the control chip 100 and transmits the address Ai to the DRAM 240. The DRAM 240 receives a timing control signal from the control logic 212 and an address from the global decoder 213, receives data read from the memory card 30 from the data control block 215, and receives the global bank 242. Store in Here, the address of the data read from the memory card 30 and the address of the data written into the global bank 242 are the same.

S24 단계에서는 디램(240)에 저장된 데이터를 독출하여, 제어칩(100)으로 전달한다. 제어칩(100)은 디램(240)의 글로벌 뱅크(242)에 저장된 데이터를 독출하기 위한 제어 신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)을 제어 로직(212)에 전달한다. 제어 로직(212)는 전달된 (CE/,WE/,RAS/,CAS/)에 응답하여 디램(240)으로부터 독출동작을 할 수 있도록 타이밍 제어 신호를 생성하여 디램(240)에 전달한다. 디램(240)는 제어 로직(212)으로부터 타이밍 제어신호와 글로벌 디코더(213)으로부터 어드레스를 전달받아, 해당 어드레스에 해당하는 데이터를 독출하여 데이터 플로우 콘트롤 로직(215)에 전달한다. 데이터 플로우 콘트롤 로직(215)은 독출된 페이지 데이터를 라인 메모리 단위로 구분하여 입출력 버퍼(216)에 전달한다. 입출력 버퍼(216)는 전달된 라인 메모리 단위의 데이터들을 입출력 핀(도시되어 있지 않음)을 통하여 제어칩(100)으로 전달한다.In operation S24, the data stored in the DRAM 240 is read and transferred to the control chip 100. The control chip 100 transmits control signals CE /, WE /, RAS /, CAS / for reading data stored in the global bank 242 of the DRAM 240 to the control logic 212. The control logic 212 generates and transmits a timing control signal to the DRAM 240 in order to perform a read operation from the DRAM 240 in response to the transmitted CE /, WE /, RAS /, CAS /. The DRAM 240 receives a timing control signal from the control logic 212 and an address from the global decoder 213, reads data corresponding to the address, and transmits the data corresponding to the address to the data flow control logic 215. The data flow control logic 215 divides the read page data into line memory units and transfers the read page data to the input / output buffer 216. The input / output buffer 216 transfers the transferred line memory data to the control chip 100 through input / output pins (not shown).

도 7는 본 발명의 휴대용 단말기(20)에서 메모리 카드(30)에 데이터를 기입하는 방법을 보여주고 있다. 7 illustrates a method of writing data to the memory card 30 in the portable terminal 20 of the present invention.

S40 단계에서는 메모리 카드(30)에 기입할 데이터를 디램(240)에 기입한다. 제어칩(100)은 디램(240)에 데이터를 기입할 수 있도록 제어신호 들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)을 제어 로직(212)에 전달하고, 어드레스(Ai)을 글로벌 디코더(213)에 전달하고, 데이터(DATA)을 입출력 버퍼(216)에 전달한다. 입출력 버퍼(216)는 전달된 데이터를 데이터 제어 블럭(215)에 전달한다. 제어 로직(212)은 제어신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)에 응답하여 디램(240)에 데이터를 기입할 수 있도록 하는 타이밍 제어신호를 생성하여 디램(240)에 전달한다. 글로벌 디코더(213)는 제어칩(100)으로부터 어드레스(Ai)을 전달받아 디램(240)에 전달한다. 디램(240)은 제어 로직(212)로부터 전달된 타이밍 제어신호와 글로벌 디코터(213)로부터 전달된 어드레스를 전달받아, 데이터 제어 블럭(215)로부터 글로벌 뱅크(242)로 데이터를 저장한다. 데이터 제어 블럭(215)은 라인 메모리 단위의 데이터를 페이지 단위로 데이터를 변환시켜 디램(240)에 전달하게 된다.In operation S40, data to be written into the memory card 30 is written into the DRAM 240. The control chip 100 transmits control signals CE /, WE /, RAS /, CAS / to the control logic 212 so that data can be written to the DRAM 240, and the address Ai is transmitted to the global decoder. In operation 213, the data DATA is transferred to the input / output buffer 216. The input / output buffer 216 transfers the transferred data to the data control block 215. The control logic 212 generates a timing control signal for writing data to the DRAM 240 in response to the control signals CE /, WE /, RAS /, CAS /, and transmits the timing control signal to the DRAM 240. . The global decoder 213 receives the address Ai from the control chip 100 and transmits the address Ai to the DRAM 240. The DRAM 240 receives the timing control signal transmitted from the control logic 212 and the address transmitted from the global decoder 213 and stores data from the data control block 215 to the global bank 242. The data control block 215 converts the data of the line memory unit into page units and transfers the data to the DRAM 240.

S42단계에서는 디램(240)의 글로벌 뱅크(242)에 저장된 데이터를 독출한다. 제어칩(100)의 디램(240)의 데이터를 독출하기 위한 제어신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)을 제어 로직(212)에 전달한다. 제어 로직(212)는 제어신호들(CE/,WE/,RAS/,CAS/)에 응답하여 디램(240)의 독출 동작을 하기 위한 타이밍 제어신호들을 생성하여 디램(240)에 전달한다. 디램(240)은 제어 로직(212)로부터 타이밍 제어신호와 글로벌 디코더(213)로부터 어드레스를 입력받아 글로벌 뱅크(242)에서 페이지 단위의 데이터를 독출하여 데이터 제어 블럭(215)에 전달한다.In operation S42, data stored in the global bank 242 of the DRAM 240 is read. The control signals CE /, WE /, RAS /, CAS / for reading data of the DRAM 240 of the control chip 100 are transmitted to the control logic 212. The control logic 212 generates and transmits timing control signals for the read operation of the DRAM 240 in response to the control signals CE /, WE /, RAS /, CAS /, and transmits them to the DRAM 240. The DRAM 240 receives a timing control signal from the control logic 212 and an address from the global decoder 213, reads data in units of pages from the global bank 242, and transfers the data to the data control block 215.

S44단계에서는 데이터 제어 블럭(215)의 데이터를 카드 인터페이스(218)에 전달한다. 제어칩(100)은 메모리 카드(30)에 데이터를 기입하기 위한 명령어들(CMD,CMDE/)을 커맨드 디코더(211)에 전달한다. 커맨트 디코더(211)는 디램(240) 으로부터 메모리 카드(30)에 데이터를 기입하는 명령어를 생성하여 제어 로직(212)에 전달한다. 제어 로직(212)는 디램(240)으로부터 메모리 카드(30)에 데이터를 기입하는 명령어를 전달받아, 메모리 카드(30)가 데이터를 기입하도록 타이밍 제어신호를 생성한다. 글로벌 디코더(213)는 제어칩(100)으로부터 어드레스(Ai)을 전달받아 페이지 테이블(217)에 전달한다. 페이지 테이블(217)은 글로벌 디코더(213)으로 전달된 논리적 어드레스를 물리적 어드레스로 매핑하여 플래시(220)에 전달한다. 카드 인터페이스(218)는 제어 로직(212)로부터 전달된 타이밍 제어신호와 페이지 테이블(217)으로부터 전달된 어드레스를 입력받아 데이터 제어 블럭(215)의 데이터를 전달받아 메모리 카드(30)에 기입한다.In step S44, the data of the data control block 215 is transferred to the card interface 218. The control chip 100 transmits commands CMD and CMDE / to write the data to the memory card 30 to the command decoder 211. The command decoder 211 generates a command for writing data from the DRAM 240 to the memory card 30 and transmits the command to the control logic 212. The control logic 212 receives a command for writing data from the DRAM 240 to the memory card 30, and generates a timing control signal to allow the memory card 30 to write data. The global decoder 213 receives the address Ai from the control chip 100 and transmits the address Ai to the page table 217. The page table 217 maps the logical address delivered to the global decoder 213 to a physical address, and transmits it to the flash 220. The card interface 218 receives the timing control signal transmitted from the control logic 212 and the address transmitted from the page table 217, receives data from the data control block 215, and writes the data to the memory card 30.

본 발명에 따른 휴대용 단말기(20)의 플래시 데이터 및 메모리 카드의 데이터 독출 및 기입 방법은 억세스 속도가 빠른 디램을 경유하여 하기 때문에 독출 및 기입이 빨라지게 된다.The method of reading and writing the flash data and the data of the memory card of the portable terminal 20 according to the present invention is performed through the DRAM having a fast access speed, so that the reading and writing is faster.

본 발명의 휴대용 단말기(20)는 제어칩(100), 플래시(220), 디램(240), 메모리 카드(30) 사이의 오프 칩 데이터 이동의 수가 현저하게 감소하게 된다. In the portable terminal 20 of the present invention, the number of off-chip data movements between the control chip 100, the flash 220, the DRAM 240, and the memory card 30 is significantly reduced.

본 발명의 휴대용 단말기(20)는 플래시(220)와 디램(240)을 하나의 원메모리(200)으로 만들어 시스템 보드의 공간을 줄일 수 있게 된다.The portable terminal 20 of the present invention can reduce the space of the system board by making the flash 220 and the DRAM 240 into one original memory 200.

본 발명의 휴대용 단말기(20)는 원메모리(200)구조이기 때문에 종래의 플래시와 디램 모두 한개의 패키지를 적용한 MCP(Multi Chip Package)보다 패키지 비용이 감소하게 된다. Since the portable terminal 20 of the present invention has an original memory 200 structure, the package cost of the portable terminal 20 is reduced compared to a multi chip package (MCP) in which one package is applied to both a conventional flash and a DRAM.

한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으 나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지로 변형할 수 있다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Meanwhile, in the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described, but various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be defined by the equivalents of the claims of the present invention as well as the following claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 휴대용 단말기 및 그것의 데이터 기입 및 독출 방법은 플래시 메모리 혹은 메모리 카드에/로부터 데이터를 기입 혹은 독출할 때 제어칩이 디램을 억세스하여 동작함으로 동작 속도를 빠르게 하게 된다. 또한 제어칩이 디램을 경유하여 플래시 메모리 및 메모리 카드를 제어하기 때문에 제어칩의 핀수도 줄어들게 된다.As described above, the portable terminal and the data writing and reading method thereof according to the present invention speed up the operation speed by operating the DRAM when the control chip accesses and writes data to or from the flash memory or the memory card. In addition, since the control chip controls the flash memory and the memory card via the DRAM, the pin count of the control chip is reduced.

Claims (16)

휴대용 단말기의 데이터 독출 방법에 있어서;A data reading method of a portable terminal; 상기 휴대용 단말기는, 디램 및 플래시 메모리를 포함하는 원메모리; 및 상기 원메모리를 제어하는 제어칩을 포함하고,The portable terminal may include an original memory including a DRAM and a flash memory; And a control chip for controlling the original memory, (a) 상기 플래시 메모리로부터 데이터를 독출하는 단계;(a) reading data from the flash memory; (b) 상기 플래시 메모리로부터 독출된 상기 데이터를 상기 디램에 기입하는 단계; 및(b) writing the data read from the flash memory to the DRAM; And (c) 상기 디램에 기입된 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,(c) reading the data written on the DRAM, 상기 플래시 메모리로부터 독출된 데이터의 어드레스와 상기 디램에 기입된 데이터의 어드레스가 동일한 것을 특징으로 하는 휴대용 단말기의 데이터 독출방법.And an address of data read from the flash memory and an address of data written to the DRAM are the same. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 디램은 상기 플래시 메모리에서 상기 독출된 데이터를 저장하기 위한 글로벌 뱅크를 포함하는 휴대용 단말기의 데이터 독출방법. And the DRAM comprises a global bank for storing the read data in the flash memory. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (c) 단계에서 상기 디램으로부터 독출된 상기 데이터를 라인 메모리 단위로 데이터로 변환하여 상기 제어칩으로 전송하는 단계를 포함하는 휴대용 단말기의 데이터 독출 방법. And converting the data read from the DRAM into data in line memory units and transmitting the data to the control chip in step (c). 삭제delete 휴대용 단말기의 데이터 기입 방법에 있어서;A data writing method of a portable terminal; 상기 휴대용 단말기는, 디램 및 플래시 메모리를 포함하는 원메모리; 및 상기 원메모리를 제어하는 제어칩을 포함하고,The portable terminal may include an original memory including a DRAM and a flash memory; And a control chip for controlling the original memory, (a) 상기 제어칩으로부터 데이터를 전달받아 상기 디램에 기입하는 단계;(a) receiving data from the control chip and writing the data to the DRAM; (b) 상기 디램에 기입된 상기 데이터를 독출하는 단계; 및(b) reading the data written on the DRAM; And (c) 상기 디램으로부터 독출된 상기 데이터를 상기 플래시 메모리에 기입하는 단계를 포함하되,(c) writing the data read from the DRAM to the flash memory, 상기 디램에 기입된 데이터의 어드레스와 상기 플래시 메모리에 기입된 데이터의 어드레스가 동일한 것을 특징으로 하는 휴대용 단말기의 데이터 기입 방법.And the address of the data written in the DRAM and the address of the data written in the flash memory are the same. 휴대용 단말기의 메모리 카드의 데이터를 독출하는 방법에 있어서;A method for reading data of a memory card of a portable terminal, comprising: 상기 휴대용 단말기는, 디램 및 카드 인터페이스를 포함하는 원메모리; 및 상기 디램 및 카드 인터페이스를 제어하는 제어칩을 포함하되, 상기 카드 인터페이스는 상기 제어칩에서 생성된 제어신호에 응답하여 상기 메모리 카드의 데이터를 독출하되,The portable terminal may include an original memory including a DRAM and a card interface; And a control chip controlling the DRAM and the card interface, wherein the card interface reads data of the memory card in response to a control signal generated from the control chip. (a) 상기 인터페이스가 상기 제어신호에 응답하여 상기 메모리 카드로부터 데이터를 독출하는 단계;(a) the interface reading data from the memory card in response to the control signal; (b) 상기 메모리 카드에서 독출된 상기 데이터를 상기 디램에 기입하는 단계; 및(b) writing the data read from the memory card to the DRAM; And (c) 상기 디램에 기입된 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,(c) reading the data written on the DRAM, 상기 메모리 카드로부터 독출된 데이터의 어드레스와 상기 디램에 기입된 데이터의 어드레스가 동일한 것을 특징으로 하는 휴대용 단말기에서 메모리 카드의 데이터 독출 방법.And a data address read from the memory card and an address written in the DRAM are the same. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 디램은 상기 메모리 카드에서 상기 독출된 데이터를 저장하기 위한 글로벌 뱅크를 포함하는 휴대용 단말기에서 메모리 카드의 데이터 독출방법.And the DRAM comprises a global bank for storing the read data in the memory card. 삭제delete 데이터를 기입하는 방법에 있어서, 디램 및 카드 인터페이스를 포함하는 원메모리; 및 상기 디램 및 카드 인터페이스를 제어하는 제어칩을 포함하되, 상기 카드 인터페이스는 상기 제어칩에서 생성된 제어신호에 응답하여 상기 메모리 카드의 데이터를 기입하는 휴대용 단말기의 데이터 기입 방법은:CLAIMS 1. A method for writing data, comprising: an original memory including a DRAM and a card interface; And a control chip for controlling the DRAM and the card interface, wherein the card interface writes data of the memory card in response to a control signal generated by the control chip. (a) 상기 제어칩으로부터 데이터를 상기 디램에 기입하는 단계;(a) writing data from the control chip to the DRAM; (b) 상기 디램에 기입된 상기 데이터를 독출하는 단계; 및(b) reading the data written on the DRAM; And (c) 상기 인터페이스가 상기 제어신호에 응답하여 상기 디램으로부터 독출된 상기 데이터를 상기 메모리 카드에 기입하는 단계를 포함하는 휴대용 단말기의 메모리 카드 데이터 기입 방법.and (c) the interface writing the data read from the DRAM to the memory card in response to the control signal. 원메모리; 및Original memory; And 상기 원메모리를 제어하는 제어칩을 포함하되,Including a control chip for controlling the original memory, 상기 원메모리는,The original memory, 플래시 메모리;Flash memory; 상기 제어칩에서 생성된 제어 신호에 응답하여 외부의 메모리 카드와 인터페이스하는 카드 인터페이스; 및A card interface that interfaces with an external memory card in response to a control signal generated by the control chip; And 상기 제어칩이 상기 플래시 메모리 혹은 상기 메모리 카드로/에 데이터를 기입하거나 독출할 때 상기 데이터를 경유시키는 디램을 포함하되,And a DRAM for passing the data when the control chip writes data to or reads data from / to the flash memory or the memory card. 상기 플래시 메모리 혹은 상기 메모리 카드로/에 기입되거나 혹은 독출된 데이터의 어드레스와 상기 디램에 경유된 데이터의 어드레스가 동일한 것을 특징으로 하는 휴대용 단말기.And an address of data written to or read from the flash memory or the memory card is identical to an address of data transmitted to the DRAM. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제어칩은 상기 플래시 메모리 혹은 상기 메모리 카드를 억세스할 때 상기 디램을 이용하여 억세스하는 휴대용 단말기.And the control chip accesses the DRAM using the DRAM when the flash memory or the memory card is accessed. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 디램은 상기 플래시 메모리 혹은 상기 메모리 카드로/에 데이터를 기입하고나 독출하기 위하여 이용되는 글로벌 뱅크를 포함하는 휴대용 단말기.And said DRAM comprises a global bank used for writing and reading data to / from said flash memory or said memory card. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 글로벌 뱅크에서 독출된 데이터를 라인 메모리 사이즈로 변경하는 데이터 제어 블럭을 더 포함하는 휴대용 단말기.And a data control block for changing the data read from the global bank to a line memory size. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 플래시 메모리 및 상기 메모리 카드에 저장된 데이터의 어드레스와 상기 글로벌 뱅크에 저장된 데이터의 어드레스가 동일하게 만드는 글로벌 디코더를 포함하는 휴대용 단말기.And a global decoder to make the address of the data stored in the flash memory and the memory card the same as the address of the data stored in the global bank. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 글로벌 디코더의 상기 어드레스를 전달받아, 상기 플래시 메모리에 이용할 수 있는 물리적인 어드레스도 매핑하는 페이지 테이블을 포함하는 휴대용 단말기.And a page table which receives the address of the global decoder and maps a physical address available to the flash memory. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 페이지 테이블은 상기 글로벌 뱅크에 기입된 데이터가 있는지 없는지를 확인하는 비교 로직을 더 포함하는 휴대용 단말기.And the page table further includes comparison logic to confirm whether or not there is data written to the global bank.
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