KR100849089B1 - Water pressure etching device of chamber cathode minute hole and washing device - Google Patents

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허찬
이준탁
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Abstract

A water pressure etching and cleaning device for a cathode fine hole is provided to improve the removal effect of particles in a fine hole by repeatedly injecting polishing or cleaning liquid without particles to the fine hole. A vibration part(200) applies vibration generated by ultrasonic wave to a cathode(500) fixed to the upper part of an exhaust hole formed in the center of upper and lower liquid chambers(11,12). A quartz layer(21) vibrated by ultrasonic wave can be formed in the upper part of the vibration part. The inner part of the vibration part is tightly shut by the quartz layer to form a solution chamber, and an ultrasonic generating body(20) is included in the solution chamber. A corrosion preventing solution is filled as a medium for vibrating the quartz layer in the solution chamber.

Description

캐소드 미세 홀의 수압 식각 세정장치{water pressure etching device of chamber cathode minute hole and washing device} Water pressure etching device of chamber cathode minute hole and washing device

본 발명은 미세 홀에 연마액 또는 세정액을 통과시켜 파티클의 제거 및 홀 내부의 연마 및 세정을 행하도록 하는 캐소드 미세 홀의 수압 식각 장치에 관한 것으로서, 상기 미세 홀을 통과하는 연마액 또는 세정액을 깨끗하게 정화시켜 미세 홀을 반복적으로 통과시키도록 하고, 캐소드의 하부에서 진동을 가하도록 하여 보다 효율적인 홀 내부의 연마 및 세정 작업이 가능토록 하는 특징이 있는 캐소드 미세 홀의 수압 식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a hydraulic etching apparatus for a cathode microhole, through which a polishing liquid or a cleaning liquid is passed through the microholes to remove particles, and to polish and clean the inside of the hole, and to cleanly clean the polishing liquid or the cleaning liquid passing through the microholes. The present invention relates to a hydraulic etching apparatus of a cathode fine hole, which is characterized in that the fine holes are repeatedly passed through and the vibration is applied at the bottom of the cathode to enable more efficient polishing and cleaning of the inside of the hole.

일반적으로 플라즈마 캐소드는 반도체의 웨이퍼공정에서 사용되는 것으로서, 플라즈마 챔버 내부로 고압의 반응가스를 주입하는 다수개의 미세 홀이 형성되어진다.In general, the plasma cathode is used in a semiconductor wafer process, and a plurality of fine holes for injecting a high-pressure reaction gas into the plasma chamber are formed.

이러한 플라즈마 챔버 캐소드의 미세 홀은 반응가스를 챔버 내부로 균일하게 유입할 수 있도록 함과 동시에, 반도체 웨이퍼가 오염되어 불량이 발생하는 것 을 방지하기 위하여, 홀 가공 후 내부의 미세 홀의 식각을 통한 파티클의 제거 및 내면의 화학적 연마 작업을 필요로 하고 있다.The fine holes of the plasma chamber cathode allow the reaction gas to be uniformly introduced into the chamber, and at the same time, to prevent contamination due to contamination of the semiconductor wafer, particles through the etching of the fine holes inside the hole are processed. Removal and chemical polishing of the inner surface are required.

이하, 상기한 캐소드의 미세 홀 연마 및 세정의 작업을 행하는 종래의 일반적인 캐소드 미세 홀 식각 및 세정 장치를 살펴보면, 내부를 밀폐하여 분리대에 의해 상, 하부 액실을 형성하는 본체와, 상기 본체의 중앙에 상부 액실의 연마액 및 세정액을 하부 액실로 보내는 유출구를 형성하고, 상기 유출구의 상부에 고정대를 구비하여 캐소드를 결착하도록 구성하여, 상부 액실의 연마액 및 세정액을 하부로 압력을 가하여 캐소드의 미세 홀을 통과시켜, 이를 반복적으로 행함으로서, 미세 홀을 연마 및 세정시키도록 하고 있다.Hereinafter, referring to a conventional general cathode fine hole etching and cleaning apparatus for performing the above-described fine hole polishing and cleaning of the cathode, a main body which seals the inside to form upper and lower liquid chambers by a separator, and in the center of the main body An outlet for sending the polishing liquid and the cleaning liquid of the upper liquid chamber to the lower liquid chamber is formed, and a fixing stand is provided on the upper portion of the outlet to bind the cathode, and the polishing liquid and the cleaning liquid of the upper liquid chamber are pressurized downward to apply a fine hole of the cathode. The fine holes are polished and cleaned by passing through and repeatedly doing this.

그러나 상기한 일반적인 캐소드 미세 홀 식각 및 세정장치에 의하면, 수천 개에 달하는 캐소드의 미세 홀에 연마액 또는 세정액을 균일하게 침투시키지 못하게 되어, 각 미세 홀의 불균형적인 연마 및 세정이 발생됨으로 인해, 작업의 안정성이 떨어질 뿐만 아니라, 캐소드의 외부표면에 연마가 집중되어, 표면 조도의 차이를 발생시키게 되는 것이며, 이를 해결하여 미세 홀에 안정적으로 연마액 및 세정액을 투입하기 위해서는 고가의 장비를 필요로 하는 문제점이 있다. However, according to the general cathode micro-hole etching and cleaning apparatus described above, the polishing liquid or the cleaning liquid cannot be uniformly infiltrated into the micro-holes of thousands of cathodes, so that uneven polishing and cleaning of each micro-hole occurs, thereby preventing the In addition to poor stability, polishing is concentrated on the outer surface of the cathode, resulting in a difference in surface roughness. This problem requires expensive equipment to stably inject polishing liquid and cleaning liquid into the fine holes. There is this.

한편, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 선 출원된 출원번호 ‘10-2002-0005335’의 ‘실리콘 캐소드 홀 내면 연마장치’는 중앙을 대칭으로 상, 하측 챔버를 형성하고, 상기 상, 하측 챔버의 결합측에 실리콘 캐소드를 고정하는 고정지그를 구비하며, 상, 하측 챔버의 상하로 대향 배치되는 상, 하측 초음파 진동판을 구비하고, 상, 하측 챔버를 상하 이동시키는 실린더를 각각 구비하여, 상기 실린더 를 통하여 상, 하측 챔버를 상하 이동시켜 연마제 슬러리를 중앙의 고정지그에 결착된 캐소드의 홀 내부로 통과시키도록 하면서 상기 진동판에서 발생되는 초음파의 진동을 가하여 연마제 슬러리와 홀 내부간의 기계적 마찰을 발생시켜 파티클 제거할 수 있도록 구성하였다. Meanwhile, in order to solve this problem, the 'silicon cathode hole inner surface polishing apparatus' of the previously applied application No. '10 -2002-0005335' forms an upper and lower chamber symmetrically in the center, and a coupling side of the upper and lower chambers. A fixing jig for fixing the silicon cathode on the upper surface, and having upper and lower ultrasonic diaphragms disposed up and down in the upper and lower chambers, and having cylinders for moving the upper and lower chambers up and down, respectively. In order to remove particles by moving the lower chamber up and down to allow the abrasive slurry to pass through the inside of the hole of the cathode bound to the fixing jig in the center, applying vibration of ultrasonic wave generated from the diaphragm to generate mechanical friction between the abrasive slurry and the inside of the hole. It was configured to be.

그러나 이상에서 살펴본 종래의 기술에 의하면, 상, 하부 챔버의 결합부에 캐소드를 고정하여 상, 하측의 실린더를 상하 왕복 이송시켜 연마제 슬러리 및 세정액 속 찌꺼기가 통과 되도록 함으로서, 미세 홀을 통과 하여 홀 내부를 연마 및 세정하여 파티클을 포함하게 되는 연마제 슬러리가, 상하 이동에 의해 반복적으로 미세 홀에 투입되게 됨으로서, 오염물질이 포함된 연마제 슬러리가 캐소드의 미세홀로 통과되게 되는 것이며, 미세 홀에 연마제 슬러리가 통과되는 횟수가 증가함에 따라 연마제에 포함되는 오염물질이 증가하게 됨으로서, 상기 공정의 진행 후에도 미세 홀의 내부에 파티클이 일부 남아있게 되어, 최종적인 마무리 작업의 역할은 하지 못하게 되므로, 차후에 별도의 세정작업이 행해져야 하는 문제점이 있다. However, according to the related art described above, the cathode is fixed to the coupling portion of the upper and lower chambers so that the upper and lower cylinders are reciprocated up and down to allow the residues in the abrasive slurry and the cleaning liquid to pass, thereby passing through the micro holes and inside the holes. The abrasive slurry, which contains particles by polishing and cleaning the particles, is repeatedly injected into the fine holes by vertical movement, so that the abrasive slurry containing contaminants passes through the fine holes of the cathode. As the number of passes increases, contaminants included in the abrasive increase, so that some particles remain in the inside of the microholes even after the process is performed, and thus the final finishing work cannot be performed. There is a problem that must be done.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 외부로부터 내부를 밀폐하여 연마액 및 세정액을 담을 수 있도록 상하부에 분리 구성되는 상, 하부 액실을 구비하고, 상기 상, 하부 액실의 사이에 캐소드를 위치시켜, 상부 액실에서 하부 액실로 연마액 및 세정액을 통과시켜 캐소드 미세 홀 내부를 연마 및 세정토록 함에 있어서, 상기 하부 액실의 연마액 및 세정액을 흡입하여 상부 액실로 보내어 순환 시키는 순환펌프와, 이 순환되는 연마액을 여과시켜 상부 액실로 보내도록 하는 여과기를 구비함으로서, 파티클이 제거된 깨끗한 연마액 또는 세정액이 미세 홀에 반복적으로 투입되도록 하여, 미세 홀 내부의 파티클 제거 효과를 향상시키도록 하며, 이와 함께 상기 캐소드의 하부측에 진동부를 구비하여 상기 미세 홀에 연마액 또는 세정액이 통과함과 동시에 초음파 진동을 가하도록 함으로서, 홀 내부의 연마 및 세정 효과를 보다 향상시킬 수 있도록 하는 캐소드 미세 홀의 수압 식각 장치를 제공한다. The present invention has been made to solve the above problems, the upper and lower liquid chamber is configured to be separated into the upper and lower parts to seal the inside from the outside to contain the polishing liquid and the cleaning liquid, the cathode between the upper and lower liquid chamber And a circulating pump for passing the polishing liquid and the cleaning liquid from the upper liquid chamber to the lower liquid chamber to grind and clean the inside of the cathode microhole, and suction and send the polishing liquid and the cleaning liquid from the lower liquid chamber to the upper liquid chamber, By providing a filter for filtering the circulating polishing liquid to be sent to the upper liquid chamber, the clean polishing liquid or cleaning liquid from which the particles are removed are repeatedly introduced into the micro holes, thereby improving the particle removal effect inside the micro holes. In addition, the vibration part is provided on the lower side of the cathode, and the polishing liquid or Provides a hydraulic etching apparatus cathode of fine holes so as to by that the ultrasonic vibration and at the same time fixed has passed, further improve the polishing and cleaning effect of the hole.

이러한 본 발명에 따르면, 캐소드의 미세 홀 내부의 연마 및 파티클의 제거를 효과적으로 행할 수 있도록 하여 작업의 효율성과, 제품의 정밀성을 높일 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to effectively perform the polishing and removal of particles inside the fine hole of the cathode has the effect of improving the efficiency of the work, and the precision of the product.

본 발명은 캐소드 미세 홀의 수압 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 외부로부터 내부를 밀폐시켜 내부 일측에 형성되는 분리대에 의해 상부 액실과, 하부 액실을 분리 형성하여 상기 상부 액실에 연마액 또는 세정액을 투입하여 하부 액실로 보내지도록 구성되는 본체; 상기 본체 내부의 분리대 중앙에 형성되는 유출구의 상부에 구비되어 캐소드를 안착시켜 고정토록 하는 캐소드고정대; 상, 하부 액실을 연통하는 연결관의 일측에 구비되어, 하부 액실의 연마액 또는 세정액을 흡입하여 상부 액실로 보내어 순환시키는 순환펌프 및; 상기 순환펌프을 통해 연마액 또는 세정액을 공급받아 여과시키는 여과기로 구성되는 캐소드 식각 장치에 있어서, 상기 상, 하부 액실의 중앙에 구비되는 유출구의 하부에 구비되어, 유출구 상부에 고정된 캐소드에 초음파 발생에 의한 진동을 가하는 진동부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 진동부는 상부에 초음파에 의해 진동하는 쿼츠막을 구비하되, 상기 쿼츠막에 의해 내부가 밀폐되어 용액실을 형성하여, 내부에 초음파발생체를 구비하고, 상기 용액실에 쿼츠막을 진동시키는 매개체로서 부식방지 용액을 채워 구성되는 것을 특징으로 포함한다.The present invention relates to a hydraulic etching apparatus of a cathode microhole, and more particularly, an upper liquid chamber and a lower liquid chamber are separated and formed by separating a separator formed on one side by sealing the inside from the outside to form a polishing liquid or a cleaning liquid in the upper liquid chamber. A main body configured to be injected and sent to the lower liquid chamber; A cathode fixing stand provided at an upper portion of an outlet formed in the center of the separator in the main body to fix the cathode to fix the cathode; A circulation pump provided at one side of the connection pipe communicating with the upper and lower liquid chambers and sucking the polishing liquid or the cleaning liquid from the lower liquid chambers and circulating them to the upper liquid chamber; In the cathode etching apparatus consisting of a filter for filtering and receiving the polishing liquid or the cleaning liquid through the circulation pump, provided in the lower portion of the outlet provided in the center of the upper, lower liquid chamber, the cathode fixed to the upper outlet to the ultrasonic generation It characterized in that it comprises a vibration unit for applying vibration by.
In addition, the vibrating unit is provided with a quartz film vibrating by ultrasonic waves at the upper portion, the inside is sealed by the quartz film to form a solution chamber, the ultrasonic generator is provided therein, the medium for vibrating the quartz film in the solution chamber As characterized in that it is configured to fill the anti-corrosion solution.

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이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 미세 홀 수압 식각 장치를 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1에 나타낸 미세 홀 수압 식각 장치의 분해사시도이고, 도 3은 본 발명에 의한 미세 홀 수압 식각 장치에 캐소드가 고정된 상태를 도시한 사시도이고, 도 4는 도 1에 나타낸 본 발명의 미세 홀 수압 식각 장치의 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 미세 홀 수압 식각 장치의 작동상태를 나타낸 단면도로서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 도 1 및 도 2에서 도시한바와 같이, 일정 내 부 공간을 가지는 용기 형상으로 구성되어, 중앙의 분리대(10)에 의해 상부 액실(11)과, 하부 액실(12)을 분리 구성하는 본체(100)를 구비한다. 상기 본체(100)의 상부 액실(11)과 하부 액실(12)에는 연마액 또는 세정액(600; 도 4를 참조)이 투입되어지며, 상기 연마액 또는 세정액(600)은 분리대(10)의 중앙에 형성되는 유출구(10a)에 의해 상부 액실(11)에서 하부 액실(12)로 전해질 수 있도록 구성된다. 또한 상기 유출구(10a)의 상부에 캐소드(500)를 안착하여 설치하도록 하는 캐소드고정대(510)가 구비된다. 1 is a perspective view illustrating a micro hole hydraulic etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view of the micro hole hydraulic etching apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a micro hole hydraulic etching apparatus according to the present invention. 4 is a cross-sectional view of the micro-hole hydraulic etching apparatus of the present invention shown in Figure 1, Figure 5 is a cross-sectional view showing the operating state of the micro-hole hydraulic etching apparatus according to the present invention. According to a preferred embodiment of the present invention, as shown in Figures 1 and 2, it is configured in the shape of a container having a predetermined internal space, the upper liquid chamber 11 and the lower liquid chamber ( The main body 100 which isolate | separates and comprises 12) is provided. The polishing liquid or the cleaning liquid 600 (see FIG. 4) is introduced into the upper liquid chamber 11 and the lower liquid chamber 12 of the main body 100, and the polishing liquid or the cleaning liquid 600 is the center of the separator 10. It is configured to be able to electrolyte from the upper liquid chamber 11 to the lower liquid chamber 12 by the outlet (10a) formed in. In addition, the cathode fixing stand 510 is provided to install and install the cathode 500 in the upper portion of the outlet (10a).

또한 상기 상부 액실(11)과, 하부 액실(12)의 측면에 형성되는 유출입구(31a, 31b)를 연결하여 연마액 또는 세정액(600)을 순환 시키는 연결관(31)이 구비되며, 이 연결관(31)의 일측에 하부 액실(12)의 연마액 또는 세정액(600)을 흡입하여 상부 액실(11)로 보내는 순환펌프(30) 및 이 순환되는 연마액 또는 세정액(600)을 깨끗하게 여과시키는 여과기(40)를 구비한다. In addition, the connection pipe 31 for circulating the polishing liquid or the cleaning liquid 600 by connecting the upper liquid chamber 11 and the outlet inlets 31a and 31b formed on the side of the lower liquid chamber 12 is provided. One side of the pipe 31 to clean the circulating pump 30 and the circulating pump 30 and the circulating polishing liquid or cleaning liquid 600 to suck the polishing liquid or the cleaning liquid 600 of the lower liquid chamber 12 to the upper liquid chamber 11 The filter 40 is provided.

즉, 도 1 및 도 3에서 보는바와 같이, 본체(100)의 상, 하부 액실(11, 12)의 사이에 구비되는 유출구(10a) 상부의 캐소드고정대(510)에 캐소드(500)를 고정하여, 하부 액실(12)의 연마액 또는 세정액(600)을 순환 펌프(30)로 흡입하여 상부 액실(11)의 연마액 또는 세정액(600)이 캐소드(500)의 미세 홀(50)을 통과하여 하부 액실(12)로 이동하도록 구성되는 것이며, 이러한 하부 액실(12)의 연마액 또는 세정액(600)은 순환펌프(30) 및 여과기(40)를 통하여 깨끗하게 정화되어 다시 상부 액실(11)로 투입됨으로서, 깨끗한 연마액 또는 세정액(600)을 미세 홀(50)에 반복적으로 통과시켜 홀 내부를 연마 및 세정시키도록 구성되는 것이다.That is, as shown in FIGS. 1 and 3, the cathode 500 is fixed to the cathode holder 510 of the upper portion of the outlet 10a provided between the upper and lower liquid chambers 11 and 12 of the main body 100. In addition, the polishing liquid or the cleaning liquid 600 of the lower liquid chamber 12 is sucked into the circulation pump 30 so that the polishing liquid or the cleaning liquid 600 of the upper liquid chamber 11 passes through the fine hole 50 of the cathode 500. It is configured to move to the lower liquid chamber 12, the polishing liquid or the cleaning liquid 600 of the lower liquid chamber 12 is cleanly purified through the circulation pump 30 and the filter 40, and again introduced into the upper liquid chamber 11 As a result, the clean polishing liquid or the cleaning liquid 600 is repeatedly passed through the fine holes 50 to polish and clean the inside of the holes.

이하 상기 구성에 의한 본 발명의 캐소드 미세 홀의 수압 식각 장치의 작동을 보다 상세하게 설명하면, 도 4 및 도 5에서 보는바와 같이, 순환펌프(30)를 가동하여 하부 액실(12)의 연마액 또는 세정액(600)을 흡입하면, 하부 액실(12) 내부의 압력이 낮아지게 되어, 상부 액실(11)의 연마액 또는 세정액(600)이 분리대(10)에 설치되어지는 캐소드(500)의 미세 홀(50)을 통과하여 하부 액실(12)로 이동하게 된다.Hereinafter, the operation of the hydraulic etching apparatus of the cathode micro-hole according to the above configuration will be described in more detail. As shown in FIGS. 4 and 5, the circulating pump 30 is operated to remove the polishing liquid of the lower liquid chamber 12 or When the cleaning liquid 600 is sucked in, the pressure inside the lower liquid chamber 12 is lowered, so that the polishing hole or the cleaning liquid 600 of the upper liquid chamber 11 is disposed in the separator 10. Passing through the 50 to the lower liquid chamber (12).

즉, 이 과정에서 상부 액실(11)의 연마액 또는 세정액(600)이 캐소드(500)의 미세 홀(50)을 통과하여 하부 액실(12)로 이동되도록 함으로서, 이 통과되는 연마액 또는 세정액(600)의 수압으로 미세 홀(50) 내부의 파티클이 제거되어 세정됨과 동시에, 연마액 또는 세정액(600)의 화학작용으로 홀 내부를 식각 시켜 균일하게 연마하도록 한다. That is, in this process, the polishing liquid or the cleaning liquid 600 of the upper liquid chamber 11 passes through the fine holes 50 of the cathode 500 and moves to the lower liquid chamber 12, thereby passing the polishing liquid or the cleaning liquid ( Particles inside the fine holes 50 are removed and cleaned by the water pressure of 600, and at the same time, the inside of the holes is etched by the chemical action of the polishing liquid or the cleaning solution 600 to uniformly polish the particles.

따라서 상기 미세 홀(50)을 통과하여 하부 액실(12)로 이동한 연마액 또는 세정액(600)에는 미세 홀(50) 내부에서 제거된 파티클을 포함하게 되며, 이러한 파티클은 순환펌프(30)에 의해 연결관(31)을 통하여 여과기(40)로 보내지고, 상기 여과기(40)에서 연마액 또는 세정액(600)의 파티클을 제거하여 깨끗한 연마액 또는 세정액(600)을 상부 액실(11)로 다시 보내도록 함으로서, 미세 홀(50)에 깨끗한 연마액 또는 세정액(600)을 항상 통과시키도록 하여 세정의 효과를 높일 수 있도록 하는 작용을 한다.Therefore, the polishing liquid or the cleaning liquid 600 passing through the micro holes 50 to the lower liquid chamber 12 includes particles removed from the inside of the micro holes 50, and the particles are disposed in the circulation pump 30. Is sent through the connecting pipe 31 to the filter 40, and the particles of the polishing liquid or the cleaning liquid 600 are removed from the filter 40 to return the clean polishing liquid or the cleaning liquid 600 to the upper liquid chamber 11 again. By sending it, the clean polishing liquid or the cleaning liquid 600 is always passed through the fine holes 50 so as to enhance the cleaning effect.

참고로, 상기 연마액 또는 세정액(600)은 화학물질을 선택적으로 혼합하여 조제한 약품으로서, 미세 홀(50) 내부 표면을 균일하게 연마하여 식각작용을 하는 한편, 미세 홀(50) 내부의 파티클을 제거하여 세정하는 작용은 미세 홀(50)을 통과하는 연마액 또는 세정액(600)의 수압에 의해 달성되는 것으로, 연마와 세정의 차이는 그 투입되는 용액의 성질에 따라 달라지는 것이며, 상기에서 언급한 연마액 또는 세정액 대신에 세정액 또는 물을 투입하여 사용할 경우, 미세 홀의 파티클을 제거하는 세정 장치로만 사용될 수 있는 등, 식각 또는 세정을 달성하기 위하여 장치의 구성상의 차이를 가져오는 것은 아니라는 것을 본 발명에 대한 통상적인 지식을 가진 당업자들이라면 충분히 이해가 가능할 것이다.For reference, the polishing liquid or the cleaning liquid 600 is a medicine prepared by selectively mixing chemicals, and uniformly polishes the inner surface of the micro holes 50 to perform an etching operation, and to generate particles inside the micro holes 50. The action of removing and cleaning is achieved by the hydraulic pressure of the polishing liquid or the cleaning liquid 600 passing through the fine hole 50, and the difference between polishing and cleaning depends on the nature of the solution to be added, In the present invention, when the cleaning liquid or water is used instead of the polishing liquid or the cleaning liquid, it may be used only as a cleaning device for removing particles of fine holes. Those skilled in the art with ordinary knowledge will be able to fully understand.

또한 상기 상, 하부 액실(11, 12)의 중앙에 구비되는 유출구(10a)의 하부에 구비되어, 유출구(10a) 상부에 고정된 캐소드(500)에 초음파 발생에 의한 진동을 가하는 진동부(200)를 구비하도록 함으로서, 도 5에서 보는바와 같이, 하부 액실(12)에 구비되는 진동부(200)에 의한 진동이 캐소드(500)에 가해짐으로서, 연마액 또는 세정액(600)과 미세 홀(50) 내부가 물리적인 마찰을 발생하여 파티클의 제거 및 미세 홀(50) 내부 연마의 효과를 더욱 향상시키도록 구성될 수 있다.In addition, the vibration unit 200 which is provided at the lower portion of the outlet 10a provided in the center of the upper and lower liquid chambers 11 and 12 and applies vibration by ultrasonic generation to the cathode 500 fixed to the outlet 10a. As shown in FIG. 5, as shown in FIG. 5, vibration by the vibrating unit 200 provided in the lower liquid chamber 12 is applied to the cathode 500 so that the polishing liquid or the cleaning liquid 600 and the fine holes ( 50) The interior can be configured to generate physical friction to further enhance the effect of particle removal and fine hole 50 internal polishing.

여기서, 상기 진동부(200)는 도 4에서 보는바와 같이, 상부에 쿼츠막(21)을 결착하여 내부를 밀폐시켜 용액실을 형성하고, 그 내부에 초음파발생체(20)를 구비하고, 부식방지용액을 채워 구성하여, 초음파발생체(20)에서 발생되는 초음파가 상기 용액을 매개체로 하여 쿼츠막(21)에서 진동을 발생토록 하는 것이며, 상기 쿼츠막(21)은 도 3에서 보는바와 같이, 캐소드(500)를 장착하는 유출구(10a)의 하부에 서 외측부로 틈새가 형성되도록 하여, 상부의 캐소드(500)에 진동을 가함과 동시에, 캐소드(500)의 미세 홀(50)을 통과하는 연마액 또는 세정액(600)을 외측부의 틈새를 통해 하부 액실(12)로 이동되도록 구성하여, 도 5에서 보는바와 같이, 하부 액실(12)에 구비되는 진동부(200)에 의한 진동이 캐소드(500)에 가해짐으로서, 연마액 또는 세정액(600)과 미세 홀(50) 내부가 물리적인 마찰을 발생하여 파티클의 제거 및 미세 홀(50) 내부 연마의 효과를 더욱 향상시키도록 구성되어질 수 있다.Here, as shown in FIG. 4, the vibrator 200 binds the quartz film 21 to the upper portion to seal the inside thereof to form a solution chamber, and includes an ultrasonic generator 20 therein, and to corrode it. It is configured to fill the prevention solution, so that the ultrasonic wave generated from the ultrasonic generator 20 causes the vibration in the quartz film 21 using the solution as a medium, the quartz film 21 as shown in FIG. In order to form a gap from the lower portion of the outlet 10a on which the cathode 500 is mounted to the outer portion, the oscillation is applied to the upper cathode 500, and the micro holes 50 of the cathode 500 pass through the gap. The polishing liquid or the cleaning liquid 600 is configured to move to the lower liquid chamber 12 through a gap in the outer portion, and as shown in FIG. 5, the vibration by the vibrating unit 200 provided in the lower liquid chamber 12 is reduced by the cathode ( 500, the polishing liquid or the cleaning liquid 600 and the inside of the fine hole 50 It can be configured to generate physical friction to further enhance the effects of particle removal and polishing inside the fine holes 50.

한편 상부 액실(11)에서 하부 액실(12)로 이동되는 연마액 또는 세정액(600)의 수압을 증가시키도록 하기 위해서, 도 4에서 도시한바와 같이, 상부 액실(11)의 일측에 구비되어 압력을 발생시킴으로서, 연마액 또는 세정액(600)을 하부 방향으로 압력을 가하도록 하는 가압장치(32)가 구성될 수도 있다. Meanwhile, in order to increase the water pressure of the polishing liquid or the cleaning liquid 600 which is moved from the upper liquid chamber 11 to the lower liquid chamber 12, as shown in FIG. 4, the pressure is provided on one side of the upper liquid chamber 11. By generating the pressure, the pressurizing device 32 may be configured to pressurize the polishing liquid or the cleaning liquid 600 in the downward direction.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 미세 홀 식각장치를 나타낸 사시도1 is a perspective view showing a fine hole etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention

도 2는 도 1에 나타낸 미세 홀 식각장치의 분해사시도FIG. 2 is an exploded perspective view of the micro hole etching apparatus shown in FIG. 1;

도 3은 본 발명에 의한 미세 홀 식각장치에 캐소드가 고정된 상태를 도시한 사시도 Figure 3 is a perspective view showing a state in which the cathode is fixed to the fine hole etching apparatus according to the present invention

도 4는 도 1에 나타낸 본 발명의 미세 홀 식각장치의 단면도 4 is a cross-sectional view of the micro hole etching apparatus of the present invention shown in FIG.

도 5는 본 발명에 따른 미세 홀 식각장치의 작동상태를 나타낸 단면도5 is a cross-sectional view showing an operating state of the micro hole etching apparatus according to the present invention.

(도면 주요부호에 대한 설명)(Description of Major Symbols in the Drawing)

10: 분리대 10a: 유출구 11: 상부 액실10: separator 10a: outlet 11: upper liquid chamber

12: 하부 액실 20: 초음파발생체 21: 쿼츠막12: lower liquid chamber 20: ultrasonic generator 21: quartz film

30: 순환펌프 31: 연결관 32: 가압장치30: circulation pump 31: connector 32: pressurization device

40: 여과기 500: 캐소드 50: 미세 홀40: filter 500: cathode 50: fine hole

600: 연마액 또는 세정액600: polishing liquid or cleaning liquid

Claims (4)

삭제delete 외부로부터 내부를 밀폐시켜 내부 일측에 형성되는 분리대(10)에 의해 상부 액실(11)과, 하부 액실(12)을 분리 형성하여, 상기 상부 액실에 연마액 또는 세정액을 투입하여 하부 액실로 보내지도록 구성되는 본체(100); 상기 본체(100) 내부의 분리대(10) 중앙에 형성되는 유출구(10a)의 상부에 구비되어 캐소드(500)를 안착시켜 고정토록 하는 캐소드고정대(510); 상, 하부 액실(11, 12)을 연통하는 연결관(31); 상기 연결관(31)의 일측에 구비되어, 하부 액실(12)의 연마액 또는 세정액(600)을 흡입하여 상부 액실(11)로 보내어 순환시키는 순환펌프(30) 및; 상기 순환펌프(30)를 통해 연마액 또는 세정액(600)을 공급받아 여과시키는 여과기(40)로 구성되는 캐소드 식각 세정장치에 있어서, The upper liquid chamber 11 and the lower liquid chamber 12 are separated and formed by a separator 10 formed on one side of the inner side by sealing the inside from the outside, and the polishing liquid or the washing liquid is introduced into the upper liquid chamber to be sent to the lower liquid chamber. Body 100 is configured; A cathode fixing stand (510) provided at an upper portion of the outlet (10a) formed at the center of the separating table (10) in the main body (100) to seat and fix the cathode (500); Connecting pipes 31 communicating upper and lower liquid chambers 11 and 12; A circulation pump (30) provided at one side of the connection pipe (31) to suck the polishing liquid or the cleaning liquid (600) of the lower liquid chamber (12) and send it to the upper liquid chamber (11) for circulation; In the cathode etching cleaning device comprising a filter 40 for receiving and filtering the polishing liquid or the cleaning liquid 600 through the circulation pump 30, 상기 상부 액실(11)과 하부 액실(12)의 중앙에 구비되는 유출구(10a)의 하부에 구비되어, 상기 유출구(10a) 상부에 고정된 캐소드(500)에 초음파 발생에 의한 진동을 가하는 진동부(200)를 구비하는 것을 특징으로 하는 캐소드 미세 홀의 수압 식각 세정장치 Vibration unit provided in the lower portion of the outlet 10a provided in the center of the upper liquid chamber 11 and the lower liquid chamber 12 to apply a vibration by the generation of ultrasonic waves to the cathode 500 fixed to the upper outlet (10a) Hydraulic etching apparatus for the cathode micro-hole, characterized in that it comprises a (200) 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 진동부(200)는 상부에 초음파에 의해 진동하는 쿼츠막(21)을 구비하되, 상기 쿼츠막(21)에 의해 내부가 밀폐되어 용액실을 형성하여, 내부에 초음파발생체(20)를 구비하고, 상기 용액실에 쿼츠막(21)을 진동시키는 매개체로서 부식방지용액을 채워 구성되는 것을 특징으로 하는 캐소드 미세 홀 식각 세정장치 The vibrator 200 includes a quartz film 21 vibrating by ultrasonic waves thereon, the inside of which is sealed by the quartz film 21 to form a solution chamber, thereby forming the ultrasonic generator 20 therein. And a cathode fine hole etching cleaning device, characterized in that the solution chamber is filled with an anti-corrosion solution as a medium for vibrating the quartz film 21. 삭제delete
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108724014A (en) * 2018-04-08 2018-11-02 湖北大学 A kind of material surface sand face matte management method and apparatus
KR102506534B1 (en) * 2022-06-28 2023-03-06 (주)코마테크놀로지 A vertical pressurized etching device according to cathode microhole etching for semiconductors
CN118675961A (en) * 2024-08-26 2024-09-20 新美光(苏州)半导体科技有限公司 Wet processing device and wet processing method for microporous surface of semiconductor material
CN118675961B (en) * 2024-08-26 2024-11-19 新美光(苏州)半导体科技有限公司 Wet processing device and wet processing method for microporous surface of semiconductor material

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960005697A (en) * 1994-07-30 1996-02-23 엄길용 Method for cleaning shadow mask for colored cathode ray tubes and apparatus therefor
KR20000025664A (en) * 1998-10-13 2000-05-06 고석태 Cathode etching etchant of semiconductor manufacturing device, cathode etching device and cathode etching method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960005697A (en) * 1994-07-30 1996-02-23 엄길용 Method for cleaning shadow mask for colored cathode ray tubes and apparatus therefor
KR20000025664A (en) * 1998-10-13 2000-05-06 고석태 Cathode etching etchant of semiconductor manufacturing device, cathode etching device and cathode etching method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108724014A (en) * 2018-04-08 2018-11-02 湖北大学 A kind of material surface sand face matte management method and apparatus
KR102506534B1 (en) * 2022-06-28 2023-03-06 (주)코마테크놀로지 A vertical pressurized etching device according to cathode microhole etching for semiconductors
KR20240002131A (en) * 2022-06-28 2024-01-04 (주)코마테크놀로지 Method of etching microholes of cathodes using vertical pressurized etching devices according to cathode microhole etching for semiconductors
KR102679717B1 (en) 2022-06-28 2024-06-28 주식회사 씨엠티엑스 Method of etching microholes of cathodes using vertical pressurized etching devices according to cathode microhole etching for semiconductors
CN118675961A (en) * 2024-08-26 2024-09-20 新美光(苏州)半导体科技有限公司 Wet processing device and wet processing method for microporous surface of semiconductor material
CN118675961B (en) * 2024-08-26 2024-11-19 新美光(苏州)半导体科技有限公司 Wet processing device and wet processing method for microporous surface of semiconductor material

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