KR100843967B1 - Image sensor and method for fabrication of the same - Google Patents
Image sensor and method for fabrication of the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR100843967B1 KR100843967B1 KR1020070026402A KR20070026402A KR100843967B1 KR 100843967 B1 KR100843967 B1 KR 100843967B1 KR 1020070026402 A KR1020070026402 A KR 1020070026402A KR 20070026402 A KR20070026402 A KR 20070026402A KR 100843967 B1 KR100843967 B1 KR 100843967B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- capping oxide
- pad
- layer
- oxide layer
- pattern
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 18
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 73
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Abstract
Description
도 1은 종래의 이미지 센서를 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view showing a conventional image sensor,
도 2 내지 도 9는 본 발명의 이미지 센서의 제조공정을 도시한 단면도이다.2 to 9 are cross-sectional views showing the manufacturing process of the image sensor of the present invention.
본 발명의 실시예는 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a method of manufacturing an image sensor.
이미지 센서는 광학적 영상(Optical Image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 크게 전하결합소자(charge coupled device:CCD) 이미지 센서와 씨모스(Complementary Metal Oxide Silicon:CMOS) 이미지 센서(CIS)로 구분된다. An image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal, and is classified into a charge coupled device (CCD) image sensor and a complementary metal oxide silicon (CMOS) image sensor (CIS). do.
CCD 이미지 센서는 구동방식이 복잡하고, 전력소비가 클 뿐만 아니라, 다단계의 포토공정이 요구되므로 제조공정이 복잡한 단점을 갖고 있으므로, 최근에는 상기 전하결합소자의 단점을 극복하기 위한 차세대 이미지 센서로서 씨모스 이미지 센서가 주목을 받고 있다. CCD image sensor has complex driving method, high power consumption, multi-stage photo process, and manufacturing process has complicated disadvantage. Therefore, as a next generation image sensor to overcome the disadvantage of the charge coupling device, Morse image sensor is attracting attention.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 형상을 구현한다. The CMOS image sensor forms a photodiode and a MOS transistor in a unit pixel to sequentially detect an electrical signal of each unit pixel in a switching manner to implement a shape.
이러한 씨모스 이미지 센서는 종래 이미지 센서로 널리 사용되고 있는 CCD 이미지 센서에 비하여 구동방식이 간편하고 다양한 스캐닝 방식의 구현이 가능하며, 신호처리를 단일칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능할 뿐만 아니라, 호환성의 씨모스 기술을 사용하므로 제조단가를 낮출 수 있고,전력 소모 또한 낮다는 장점을 지니고 있다. This CMOS image sensor is simpler to drive than the CCD image sensor, which is widely used as a conventional image sensor, and can realize various scanning methods, and can integrate signal processing onto a single chip, thereby miniaturizing the product. The use of compatible CMOS technology reduces manufacturing costs and lowers power consumption.
통상 씨모스 이미지 센서 공정에서 금속배선을 형성을 완로한 후 소자를 외부의 수분 및 스크래치로 부터 보호막을 형성하고 패드(pad) 오픈 공정 수행 후 상기 보호막 상에 컬러필터 어레이 및 마이크로 렌즈를 형성하게 된다. After forming the metal wiring in the CMOS image sensor process, the device is formed of a protective film from external moisture and scratches, and a color filter array and a micro lens are formed on the protective film after a pad open process is performed. .
그러나, 상기 컬러필터 어레이 또는 마이크로 렌즈 형성 공정 시 패드 금속의 표면이 부식 또는 손상되는 문제가 있었다.However, there was a problem that the surface of the pad metal is corroded or damaged during the color filter array or the micro lens forming process.
도 1에는 이미지 센서의 패드 표면의 부식 또는 손상을 방지하기 위한 방법으로서, 반도체 기판(10) 상에 포토다이오드(미도시) 및 모스트랜지스터(미도시) 등 CMOS 이미지 센서를 이루는 소자들을 일련의 공정을 통해 형성한 다음 절연막(미도시) 및 금속배선(미도시)으로 이루어진 금속배선층을 형성한다. 상기 금속배선층을 형성하는 도중에 트랜지스터와 연결되는 패드(pad)(30)도 함께 형성된다. 상기 패드(30)는 주로 도전성 와이어에 의하여 형성되며 패드(30) 및 도전성 와이어를 전기적으로 연결하기 위해 패드(30)를 절연막으로부터 노출시키고 컬러필터 어레이(70)를 형성하기 전에 TEOS막(50)을 증착하여 패드(30)의 표면을 보호한다. 그 다음 컬러필터 어레이(70) 및 마이크로 렌즈(80)를 형성하고, 상기 패드(30) 상 부의 TEOS막(50)를 선택적으로 식각하여 패드(30)를 노출시킨다.1 is a method for preventing corrosion or damage to a pad surface of an image sensor, and a series of processes for forming a CMOS image sensor, such as a photodiode (not shown) and a MOS transistor (not shown), on a
이와 같은 방법은 TEOS막을 사용하므로 알루미늄과 같은 금속으로 이루어진 패드의 표면이 컬러필터 물질이나 현상용액에 있는 산소나 수소와 접촉하지 않게 되어 패드의 부식 또는 손상되는 것은 완화시킬 수 있지만 컬러필터 어레이 및 마이크로 렌즈의 하부에 TEOS막이 남았으므로 이미지 소자의 이미지 특성을 열화시키는 문제점이 있다. This method uses a TEOS film, so that the surface of the pad made of metal such as aluminum does not come into contact with oxygen or hydrogen in the color filter material or the developing solution, thereby alleviating corrosion or damage to the pad, but the color filter array and the micro Since the TEOS film remains under the lens, there is a problem of degrading the image characteristics of the image element.
본 발명의 실시예는 이미지 센서의 이미지 특성에는 영향을 주지 않으면서 패드 표면의 부식 또는 손상을 방지할 수 있는 이미지 센서의 제조방법을 제공하는 데 있다. An embodiment of the present invention is to provide a method of manufacturing an image sensor that can prevent corrosion or damage to the pad surface without affecting the image characteristics of the image sensor.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법은, 화소영역을 포함하는 반도체 기판 상에 도전성 패드를 포함하는 금속배선층을 형성하는 단계; 상기 금속배선층 상에 상기 도전성 패드를 노출하는 패드 오픈부를 갖는 보호막을 형성하는 단계; 상기 패드 오픈부에 캡핑 산화막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 패드 오픈부의 캡핑 산화막 패턴을 제거하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming a metal wiring layer including a conductive pad on a semiconductor substrate including a pixel region; Forming a protective film having a pad opening that exposes the conductive pad on the metal wiring layer; Forming a capping oxide layer pattern on the pad opening; And removing the capping oxide pattern of the pad opening.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an image sensor according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(on/over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. In the description of embodiments of the present invention, when described as being formed "on / over" of each layer, the on / over may be directly or differently from the other layers. It includes all that are formed indirectly.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
도 2에 도시된 바와 같이 반도체 기판(100) 상에는 패드(120)를 포함하는 금속배선층(110)이 형성되어 있다. As shown in FIG. 2, a
도시하지는 않았지만 상기 반도체 기판(100)에는 복수의 화소들을 갖는 화소영역이 형성된다. 상기 화소들은 반도체 기판(100)의 액티브 영역에 형성된다. Although not shown, a pixel region having a plurality of pixels is formed in the
상기 각 화소들은 포토다이오드 및 트랜지스터 구조물을 포함하며, 상기 트랜지스터 구조물은 트랜스퍼 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 셀랙트 트랜지스터 및 억세스 트랜지스터를 포함한다. Each of the pixels includes a photodiode and a transistor structure, the transistor structure including a transfer transistor, a reset transistor, a select transistor, and an access transistor.
상기와 같이 형성된 반도체 기판(100) 위로 금속배선(미도시) 및 절연막으로 이루어지는 복수의 금속배선층(110)이 형성된다. A plurality of
상기 금속배선층(110)의 금속배선은 전원라인, 신호라인 및 화소영역과 연결되는 것으로 상기 화소영역을 가리지 않도록 의도적으로 배치 형성된다.The metal wiring of the
상기 금속배선층(110)의 금속배선을 형성할 때 패드(120)가 형성된다. 상기 패드(120)는 알루미늄, 알루미늄 합금 등 전기적으로 저항이 낮은 금속을 포함하며, 상기 패드(120)는 화소와 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 상기 패드(120)는 AlCu로 형성되며 상기 패드(120)의 상부에는 전도성 배리어막으로서 Ti 또는 TiN이 형성되어 있다.The
상기 금속배선층(110) 상부로 IMD(115)층이 형성된다.An IMD 115 layer is formed on the
상기 IMD층(115) 상으로 외부의 수분이나 스크래치로부터 소자를 보호하기 위하여 보호막(130)을 형성한다. 본 실시예에서 상기 보호막(130)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막이거나 상기 막들의 적층구조로 이루어질 수 있다.A
도 2를 참조하여, 상기 보호막(130)이 형성된 후, 상기 보호막(130)의 상면에는 포토레지스트막이 형성된다. 본 실시예에서 포토레지스트막은 스핀 코팅 공정등을 통해 형성할 수 있다.Referring to FIG. 2, after the
상기 포토레지스트막은 노광 공정 및 현상 공정을 포함하는 포토 공정에 의하여 패터닝 되어, 상기 보호막(130) 상에는 패드(120)와 대응하는 부분에 개구가 형성된 제1 포토레지스트 패턴(200)이 형성된다. The photoresist film is patterned by a photo process including an exposure process and a developing process, so that the first
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트 패턴(200)을 식각마스크로 하여 상기 보호막(130) 및 IMD층(115)을 식각하면 상기 보호막(130) 및 IMD층(115)에 패드 오픈부(135)가 형성되어 상기 패드(120)의 상면이 노출된다. 이때, 상기 패드(120)의 표면에 형성된 전도성 배리어막도 식각되어 상기 패드(120)의 표면은 노출되어 진다.As shown in FIG. 3, when the
그 다음 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(130) 상으로 후공정에서의 패드 부식 및 손상을 방지하기 위해 캡핑 산화막(140)을 형성한다. 이에 따라 상기 캡핑 산화막(140)은 상기 보호막(130)의 표면과 상기 패드 오픈부(135)에 의해 노출된 패드(120)의 표면을 모두 덮도록 형성된다. 본 실시예에서 상기 캡핑 산화 막(140)은 얇은 두께로 형성되며, 예를 들어 TEOS막을 5~20㎚ 이하로 두께로 형성시켜 얇은 TEOS막(thin TEOS)을 형성하는 것이 바람직하다. Next, as shown in FIG. 4, a
그 다음 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 캡핑 산화막(140) 상으로 제2 포토레지스트막(210)을 형성한다. 상기 캡핑 산화막(140) 상으로 형성되는 제2 포토레지스트막(210)은 그 상면이 평탄화 될 정도로 두꺼운 두께로 형성하여 상기 패드 오픈부(135)를 채우면서 평탄화되도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어 1~10㎛의 두께로 형성하여 상기 패드 오픈부(135)를 채우면서 그 표면이 전체적으로 수평을 이루도록 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 5, a second
이후, 상기 제2 포토레지스트막(210) 상으로 리세스(recess) 공정을 진행하여 상기 패드 오픈부(135)의 제2 포토레지스트막(210)을 제외한 나머지 영역인 보호막(130) 상의 제2 포토레지스트막(210)을 제거한다. 상기 제2 포토레지스트막(210)은 일반적인 포토레지스트 에싱(Ashing) 공정에 의해 제거된다. Thereafter, a recess process is performed on the second
그러면 도 6에 도시된 바와 같이 상기 보호막(130)의 상면에는 캡핑 산화막(140)이 남아있게 되고 상기 패드 오픈부(135)의 캡핑 산화막(140) 상부에는 제2 포토레지스트 패턴(211)이 남아있게 된다. Then, as shown in FIG. 6, the
이와 같은 상태에서, 상기 보호막(130) 상의 캡핑 산화막(140)을 제거하기 위하여 에치백(Etchback) 공정을 진행한다. 상기 캡핑 산화막(140)에 대한 에치백 공정에 의하여 상기 보호막(130) 상부의 캡핑 산화막(140)은 제거되고 상기 패드 오픈부(135)의 캡핑 산화막(140)은 상기 제2 포토레지스트 패턴(211)이 마스크로 사용되어 상기 패드 오픈부(135)의 캡핑 산화막(140)은 그대로 남아있게 된다. In this state, an etchback process is performed to remove the
도 7을 참조하여, 상기 캡핑 산화막(140)의 에치백 공정에 의해 상기 보호막(130)의 상부에는 캡핑 산화막(140)이 제거되고 상기 패드 오픈부(135)의 캡핑 산화막(140)은 제2 포토레지스트 패턴(211)에 의해 남게 되어 후속 공정시 상기 캡핑 산화막(140)이 상기 패드(120)를 보호하게 되므로 상기 패드(120)의 오염 및 손상은 방지되고 상기 보호막(130) 상에는 캡핑 산화막(140)이 제거된 상태로 후속 공정이 진행되므로 이미지 소자의 이미지 특성 열화를 방지할 수 있게 된다.Referring to FIG. 7, the
도 8을 참조하여, 상기 패드 오픈부(135)의 캡핑 산화막(140) 상에 남아 있는 제2 포토레지스트 패턴(211)을 에싱 공정에 의해 제거하고, 상기 보호막(130) 상에 컬러필터 어레이(150) 및 마이크로 렌즈(170)를 형성한다. Referring to FIG. 8, the second
도 9를 참조하여 상기 컬러필터 어레이(150)는 각각의 화소에 대응되도록 형성되고, 안료 또는 염료 및 감광물질을 포함하는 포토레지스트 필름을 패터닝하여 형성되며, 각각의 컬러필터는 그린(green), 레드(red), 블루(blue)로 이루어진다. Referring to FIG. 9, the
상기 컬러필터 어레이(150)가 형성된 후 그 상부로는 평탄화층(160)이 형성될 수 있다. 상기 평탄화층(160)은 컬러필터의 단차가 형성될 경우 이를 완화시키기 위한 것이다.After the
상기와 같이 컬러필터 어레이(150)가 형성된 후 그 상부로는 마이크로 렌즈(170)가 형성된다. 상기 마이크로 렌즈(170)는 외부의 광을 포토다이오드로 집광하기 위한 것이다. After the
상기의 컬러필터 어레이(150) 및 마이크로 렌즈(170) 형성 공정시 상기 패드(120)의 표면에는 캡핑 산화막(140)이 형성되어 있으므로 상기 컬러필터 형성용 물질 또는 마이크로 렌즈 물질 및 현상 물질과 상기 패드(120)가 직접적으로 접촉되지 않으므로 패드(120)의 손상 및 부식을 방지할 수 있게 된다.During the process of forming the
이후, 상기 컬러필터 어레이(150) 및 마이크로 렌즈(170) 형성공정이 완료되면 상기 패드(120) 표면의 캡핑 산화막(140)을 제거하여 공정을 완료한다. Thereafter, when the process of forming the
또는, 상기 컬러필터 어레이(150)를 형성한 다음 상기 패드(120) 표면의 캡핑 산화막(140)을 먼저 제거하고, 상기 컬러필터 어레이(150) 상에 마이크로 렌즈(170) 형성공정을 진행하여도 무관하다. Alternatively, after the
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those who have it.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법에 의하면, 패드의 표면을 보호하기 위한 캡핑 산화막에 의해 컬러필터 및 마이크로 렌즈 형성공정시의 현상액에 의한 패드 손상 및 부식을 방지할 수 있으며, 패드 표면에만 상기 캡핑 산화막이 형성되어 이미지 특성 열화를 방지할 수있는 효과가 있다. As described above, according to the manufacturing method of the image sensor according to the embodiment of the present invention, a pad capping oxide film for protecting the surface of the pad prevents pad damage and corrosion by the developer during the color filter and micro lens forming process. The capping oxide layer may be formed only on a pad surface to prevent deterioration of image characteristics.
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070026402A KR100843967B1 (en) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | Image sensor and method for fabrication of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070026402A KR100843967B1 (en) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | Image sensor and method for fabrication of the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100843967B1 true KR100843967B1 (en) | 2008-07-03 |
Family
ID=39823755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070026402A KR100843967B1 (en) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | Image sensor and method for fabrication of the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100843967B1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8482641B2 (en) | 2010-01-21 | 2013-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor devices having peripheral circuits therein that use light guide materials as electrical insulators |
| WO2021082015A1 (en) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | Chip pad windowing method, and chip |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000003929A (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | Method for manufacturing an image sensor for protecting a surface of pad metal |
| KR20070000103A (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Method for manufacturing of cmos image sensor |
-
2007
- 2007-03-19 KR KR1020070026402A patent/KR100843967B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000003929A (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | Method for manufacturing an image sensor for protecting a surface of pad metal |
| KR20070000103A (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Method for manufacturing of cmos image sensor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8482641B2 (en) | 2010-01-21 | 2013-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor devices having peripheral circuits therein that use light guide materials as electrical insulators |
| WO2021082015A1 (en) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | Chip pad windowing method, and chip |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7498190B2 (en) | Method for fabricating a CMOS image sensor | |
| KR100687102B1 (en) | Image sensor and method of manufacturing the same | |
| KR100504563B1 (en) | Method for fabricating an image sensor | |
| JP2005129952A (en) | Method for manufacturing cmos image sensor | |
| US20090068785A1 (en) | Manufacturing method of image sensor device | |
| KR20090034429A (en) | Image sensor and method for manufacturing thereof | |
| KR100595329B1 (en) | A method for manufacturing a cmos image sensor | |
| JP2008288570A (en) | Method of manufacturing image sensor | |
| JP2008277800A (en) | Manufacturing method for image sensor | |
| JP2008160104A (en) | Image sensor, and its manufacturing method | |
| KR20090034428A (en) | Image sensor and method for manufacturing thereof | |
| KR20010061308A (en) | Method for fabricating thin film image sensor | |
| US7416914B2 (en) | Method of fabricating CMOS image sensor | |
| KR100843967B1 (en) | Image sensor and method for fabrication of the same | |
| KR100871553B1 (en) | Image Senser and Method for Fabrication of the Same | |
| KR100871552B1 (en) | Method for Fabrication the Image Senser | |
| KR100648994B1 (en) | Method for fabricating an CMOS image sensor | |
| KR100749365B1 (en) | Image sensor and manufacturing method thereof | |
| KR100818526B1 (en) | Method of manufactruing image sensor | |
| KR100924046B1 (en) | Image Sensor and Methof for Manufacturing Thereof | |
| KR100800757B1 (en) | Method for preventing an oxidation of a metal pad in an image censor | |
| KR100989987B1 (en) | Fabricating method for cmos image sensor with protecting peeling of over coating layer | |
| KR20100065972A (en) | Image sensor and method for manufacturing thereof | |
| KR100606907B1 (en) | Method For Fabricating CMOS Image Sensor | |
| KR100771376B1 (en) | Image sensor and method of manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120521 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |