KR100843561B1 - A unit pixel of the imagesensor having a high sensitive photodiode - Google Patents

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Abstract

A unit pixel of an image sensor having a high sensitive photodiode is provided to minimize loss in a transporting process of optical charges by forming a plurality of transfer gates in one photodiode. A second conductive type photodiode(230) is formed on a first conductive type substrate(210). Two or more transfer gates(271) are formed to collect optical charges generated from the inside of the photodiode and to transfer sequentially the optical charges. The optical charges are accumulated in a floating diffusion region(240). A first conductive type well(220) is formed on the substrate. The photodiode and the floating diffusion region are formed on the first conductive type well. An insulating layer(260) is formed on the transfer gate. A color filter is formed on the insulating layer.

Description

고감도 포토다이오드를 구비한 이미지센서의 단위화소{A unit pixel of the imagesensor having a high sensitive photodiode}Unit pixel of the image sensor having a high sensitive photodiode

도 1a는 포토다이오드의 출력을 더하는 방식을 사용하는 경우의 감도를 나타내는 도면이다.1A is a diagram showing the sensitivity in the case of using a method of adding the output of the photodiode.

도 1b는 포토다이오드의 면적을 더하는 방식을 사용하는 경우의 감도를 나타내는 도면이다.FIG. 1B is a diagram showing sensitivity in the case of using a method of adding an area of a photodiode. FIG.

도 2는 본 발명에 따른 이미지센서의 단위화소의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.2 is a view schematically showing the structure of a unit pixel of an image sensor according to the present invention.

도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 이미지센서의 단위화소에 빛이 입사되는 경로를 나타내는 도면이다.3 and 4 are views illustrating a path in which light is incident on a unit pixel of an image sensor according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 이미지센서의 단위화소에 빛이 입사되는 경우 포토다이오드에서 전자-정공의 동작을 나타내는 도면이다.5 is a view showing the operation of the electron-hole in the photodiode when light is incident on the unit pixel of the image sensor according to the present invention.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 포토다이오드에 수집된 전하의 수송 과정을 나타내는 도면이다.6 is a view illustrating a process of transporting charges collected in a photodiode according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 높은 감도를 갖는 대면적의 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소에 관한 것으로, 더 상세하게는 대면적을 갖는 포토다이오드상에 다수개의 트랜스퍼 게이트를 구비하여 포토다이오드에서 발생하는 광전하를 효과적으로 부유확산영역에 전달할 수 있도록 하는 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소에 관한 것이다. The present invention relates to a unit pixel of an image sensor having a large area photodiode having high sensitivity, and more particularly, to photoelectric charges generated in a photodiode by providing a plurality of transfer gates on a photodiode having a large area. The present invention relates to a unit pixel of an image sensor having a high sensitivity photodiode, which can effectively transmit to a floating diffusion region.

고감도의 감광 소자는 저조도 상태에서 입사하는 소수의 광자를 감지하기 위한 것으로 일반적으로 포토트랜지스터나 광 증배관 등을 사용한다. 고감도의 이미지 센서의 경우 그 응용범위는 자동차나 감시 카메라 등의 범용 뿐 아니라 바이오 스캐너 등의 의료용으로 다양하다. The high sensitivity photosensitive device is used to detect a small number of photons incident in a low light condition and generally uses a phototransistor or a light multiplier. In the case of high-sensitivity image sensors, the application range is not only for general use such as automobiles and surveillance cameras, but also for medical applications such as bio scanners.

일반적으로 사용되는 고감도의 이미지 센서는 주로 포토트랜지스터를 사용하거나 애벌런치 포토다이오드 등을 사용하는 방법이 있으나 포토트랜지스터는 잡음을 제거하기가 어렵고 애벌런치 포토다이오드는 고전압을 인가하여야 하므로 사용이 어렵다는 점 때문에 대부분의 경우 감도가 낮은 범용의 전하결합소자(Charge Coupled Device:이하 'CCD'라 한다.)를 사용한다. 의료용의 이미지센서의 경우 위와 같은 문제점들로 인하여 범용의 CCD를 사용하고 잡음을 줄이기 위하여 냉각하는 방식을 사용한다. Generally, high sensitivity image sensor is mainly used phototransistor or avalanche photodiode, but phototransistor is difficult to remove noise and avalanche photodiode has high voltage. In most cases, low-sensitivity general-purpose charge coupled devices (hereinafter referred to as 'CCD') are used. In case of medical image sensor, due to the above problems, general purpose CCD is used and cooling method is used to reduce noise.

또한 일반적인 광전 소자를 사용하여 감도를 높이는 방법으로는 다수개의 광전소자를 하나로 묶어서 사용하는 방법이 가능하다. 예를 들어 N개의 포토다이오드를 하나로 다루는 경우 입사하는 빛에 대한 감도는 N배가 향상되지만, 미약한 빛이 입사하는 경우 포토다이오드가 반응하지 않는 영역(dead zone)이 존재하므로 데드 존(dead zone) 역시 N배로 증가하게 된다. In addition, as a method of increasing sensitivity using a general photoelectric device, a plurality of photoelectric devices may be bundled into one. For example, if N photodiodes are treated as one, the sensitivity to incident light is improved by N times. However, when light is incident, dead zones exist because there is a dead zone where photodiodes do not react. It is also increased by N times.

위와 같은 데드존(dead zone)은 주로 포토다이오드와 부유확산영역(floating diffusion)사이에 존재하는 배리어(barrier)에 의하여 발생하므로 복수개의 포토다이오드를 하나로 취급하여 감도를 향상시키는 방법은 제한을 받는다. Since the dead zone is mainly caused by a barrier existing between the photodiode and the floating diffusion, a method of improving sensitivity by treating a plurality of photodiodes as one is limited.

도 1a는 포토다이오드의 출력을 더하는 방식을 사용하는 경우의 감도를 나타내는 도면이고, 도 1b는 포토다이오드의 면적을 더하는 방식을 사용하는 경우의 감도를 나타내는 도면이다.FIG. 1A is a diagram showing the sensitivity in the case of using the method of adding the photodiode output, and FIG. 1B is a diagram showing the sensitivity in the case of using the method of adding the area of the photodiode.

전술하였듯이 2개의 포토다이오드의 출력을 더하는 방식에서 데드존(dead zone)은 더해지는 포토다이오드의 데드존(dead zone)의 합과 같다. 이에 비하여 두 포토다이오드를 합한 면적을 갖는 포토다이오드의 출력에서의 데드존(dead zone)은 항상 일정하게 된다. 따라서 넓은 면적을 갖는 포토다이오드를 사용하여 고감도를 달성하는 방식은 데드존(dead zone)의 측면에서 우수하다. As described above, in the method of adding the outputs of two photodiodes, the dead zone is equal to the sum of the dead zones of the photodiodes added. In contrast, the dead zone at the output of the photodiode having the sum of the two photodiodes is always constant. Therefore, a method of achieving high sensitivity using a photodiode having a large area is excellent in terms of dead zones.

그러나 포토다이오드가 대면적을 가짐에 따라 먼 거리에서 발생한 광 전하를 부유확산영역까지 이동시키는 것이 곤란한 문제가 있다.However, as the photodiode has a large area, there is a problem that it is difficult to move the photocharge generated at a long distance to the floating diffusion region.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 고감도가 요구되는 이미지 센서에서 대면적을 갖는 포토다이오드를 사용함으로써 고감도를 확보하고 하나의 포토다이오드에 대해 다수의 트랜스퍼 게이트를 구비하여 포토다이오드에서 발생된 광전하를 부유확산영역까지 손실없이 전달할수 있는 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소를 제공하는데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to secure a high sensitivity by using a photodiode having a large area in the image sensor requiring high sensitivity and to provide a plurality of transfer gates for one photodiode to float the photocharge generated in the photodiode It is to provide a unit pixel of an image sensor having a high sensitivity photodiode that can be transmitted to the diffusion region without loss.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소는 제1 도전형의 기판, 상기 기판 상에 형성된 제2 도전형의 포토다이오드, 상기 포토다이오드 내부에서 발생된 광 전하를 수집하여 순차적으로 전달하는 두개 이상의 트랜스퍼 게이트 및 상기 트랜스퍼 게이트에 의해 수집되어 순차적으로 전달된 광 전하가 축적되는 하나의 부유확산영역을 구비하는 것을 특징으로 한다.The unit pixel of the image sensor having a high-sensitivity photodiode according to the present invention for solving the above technical problem is a substrate of the first conductivity type, a photodiode of the second conductivity type formed on the substrate, generated inside the photodiode And at least two transfer gates for collecting and sequentially transferring optical charges and one floating diffusion region in which the optical charges collected and sequentially transferred by the transfer gates are accumulated.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소에 있어서, 상기 기판은 제1 도전형의 웰(Well)을 더 구비하고, 상기 포토다이오드 및 상기 부유확산영역이 상기 웰 상에 형성되는 것이 바람직하다. In the unit pixel of the image sensor having a high sensitivity photodiode according to the present invention for solving the technical problem, the substrate further comprises a well of the first conductivity type (Well), the photodiode and the floating diffusion region It is preferable to form on this well.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소에 있어서, 상기 트랜스퍼 게이트상에 형성된 절연막을 구비하는 것이 바람직하다.In the unit pixel of the image sensor having a high sensitivity photodiode according to the present invention for solving the above technical problem, it is preferable to include an insulating film formed on the transfer gate.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소에 있어서, 상기 절연막 상에 컬러필터가 형성된 것이 바람직하다.In the unit pixel of the image sensor having a high sensitivity photodiode according to the present invention for solving the above technical problem, it is preferable that a color filter is formed on the insulating film.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소에 있어서, 상기 절연막상에 두개 이상의 마이크로렌즈를 더 구비하는 것이 바람직하다.In the unit pixel of the image sensor having a high sensitivity photodiode according to the present invention for solving the above technical problem, it is preferable to further include two or more microlenses on the insulating film.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소에 있어서, 상기 기판의 배면에 컬러필터가 형성된 것이 바람직하다.In the unit pixel of the image sensor having a high sensitivity photodiode according to the present invention for solving the above technical problem, it is preferable that a color filter is formed on the back of the substrate.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소에 있어서, 상기 기판의 배면에 두개 이상의 마이크로렌즈를 더 구비하는 것이 바람직하다.In the unit pixel of the image sensor having a high-sensitivity photodiode according to the present invention for solving the technical problem, it is preferable to further include two or more microlenses on the back of the substrate.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a view schematically showing the structure of a unit pixel of an image sensor having a high sensitivity photodiode according to the present invention.

도 2를 참고하면 본 발명에 따른 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소는 제1 도전형의 기판(210), 상기 기판 상에 형성된 제1 도전형의 웰(220), 상기 제1 도전형의 웰(220) 상에 형성된 제2 도전형의 대면적 포토다이오드(230), 상기 포토다이오드(230) 내부에서 발생된 광 전하를 수집하여 전달하는 두개 이상의 트랜스퍼 게이트(271), 상기 트랜스퍼 게이트와 포토다이오드와의 절연을 위한 게이트 산화막(250), 상기 트랜스퍼 게이트에 의해 수집되어 전달된 광 전하가 축적되는 부유확산영역(240) 및 상기 트랜스퍼 게이트(271)상에 형성된 절연막(260)을 구비한다.Referring to FIG. 2, a unit pixel of an image sensor having a high sensitivity photodiode according to the present invention may include a first conductive substrate 210, a first conductive well 220 formed on the substrate, and the first conductive substrate. Large area photodiode 230 of the second conductivity type formed on the well 220 of the type, two or more transfer gates 271 for collecting and transferring the optical charge generated in the photodiode 230, and the transfer gate And a gate oxide film 250 to insulate the photodiode, a floating diffusion region 240 in which photocharges collected and transferred by the transfer gate accumulate, and an insulating film 260 formed on the transfer gate 271. do.

한편 저조도의 환경에서는 암전류가 중요한 인자로 작용되므로 보다 바람직하게는 도 2에 도시된 바와같이 상기 포토다이오드(230)의 상부(272)는 암전류(dark current)를 줄이기 위해 고농도의 제1 도전형으로 도핑되는 것이 바람직하다.In the low light environment, since dark current acts as an important factor, more preferably, as shown in FIG. It is preferred to be doped.

또한 입사하는 빛에 대하여 선택적으로 감광하기 위하여 절연막(260)의 상부 에 컬러필터(280)을 구비하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to include a color filter 280 on the insulating film 260 to selectively photosensitive to the incident light.

또한 입사하는 빛을 효과적으로 모으기 위하여 상기 절연막(260)의 표면(280)상에 두개 이상의 마이크로렌즈(290)를 구비하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to provide two or more microlenses 290 on the surface 280 of the insulating film 260 to effectively collect the incident light.

도 2에 도시된 본 발명에 따른 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소의 구조를 N-MOS의 경우를 예로 들어 설명하기로 한다.A structure of a unit pixel of an image sensor having a high sensitivity photodiode according to the present invention shown in FIG. 2 will be described taking the case of N-MOS as an example.

N-MOS의 경우 P+의 상기 기판(210)위에 P웰(220)이 형성되고 상기 P웰(220)내부에 N의 농도를 갖는 포토다이오드(230)가 형성된다. 상기 P웰(220)상에 복수개의 트랜스퍼 게이트(271)가 형성되고 상기 트랜스퍼 게이트(271)의 하부는 게이트 산화막(250)에 의하여 절연된다.In the case of N-MOS, a P well 220 is formed on the substrate 210 of P +, and a photodiode 230 having a concentration of N is formed in the P well 220. A plurality of transfer gates 271 are formed on the P well 220, and a lower portion of the transfer gate 271 is insulated by the gate oxide layer 250.

상기 트랜스퍼 게이트(271)가 형성되지 않은 상기 포토다이오드(230)의 상부는 암전류의 감소를 위해 P+로 도핑된다. The upper portion of the photodiode 230 in which the transfer gate 271 is not formed is doped with P + to reduce dark current.

또한 포토다이오드에서 형성된 광전하가 이송되는 부유확산영역(240)은 N+로 도핑되어 형성된다. In addition, the floating diffusion region 240 in which the photocharges formed in the photodiode are transported is formed by being doped with N +.

상기 트랜스퍼 게이트(271) 상에는 산화막 계열의 절연성 물질로 이루어진 절연막(260)이 형성된다.An insulating film 260 made of an oxide-based insulating material is formed on the transfer gate 271.

또한 상기 게이트 산화막(250)의 일부를 식각하여 플로팅확산영역(240)을 노출시킨후 금속배선을 하여 플로팅확산영역(240)에 축적된 광전하를 드라이브 트랜지스터(미도시)로 전달하게 된다. A portion of the gate oxide layer 250 may be etched to expose the floating diffusion region 240, and then metallized to transfer photocharges accumulated in the floating diffusion region 240 to a drive transistor (not shown).

상기 검토한 바와같이 본 발명에 따른 이미지센서의 단위화소는 하나의 대면적 포토다이오드(230)에 복수개의 트랜스퍼 게이트(271)를 구비함으로써 고감도를 유지하고 대면적의 포토다이오드(230)에 생성된 광전하를 손실없이 플로팅확산영역(240)으로 이송할 수 있게 된다.As discussed above, the unit pixel of the image sensor according to the present invention includes a plurality of transfer gates 271 in one large area photodiode 230 to maintain high sensitivity and to generate the large area photodiode 230. The photocharge can be transferred to the floating diffusion region 240 without loss.

도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 이미지센서의 단위화소에 빛이 입사되는 경로를 나타내는 도면이다. 도 3 및 도 4에 의하면 본 발명에 따른 이미지센서의 단위화소에 입사되는 빛은 트랜스퍼 게이트 사이로 또는 기판으로 입사될 수 있다. 3 and 4 are views illustrating a path in which light is incident on a unit pixel of an image sensor according to the present invention. 3 and 4, light incident on the unit pixel of the image sensor according to the present invention may be incident between the transfer gates or the substrate.

도 5는 본 발명에 따른 이미지센서의 단위화소에 빛이 입사되는 경우 포토다이오드에서 전자-정공의 동작을 나타내는 도면이다.5 is a view showing the operation of the electron-hole in the photodiode when light is incident on the unit pixel of the image sensor according to the present invention.

상기의 구조에서 포토다이오드(530)가 형성된 영역은 트랜스퍼 게이트(571a)에 의하여 양의 전압을 갖게 되며 트랜스퍼 게이트(571a)를 오프시키면 고립된 상태가 된다. 이후 빛이 입사되면 포토다이오드(530) 영역에 전자와 정공이 발생된다.In the above structure, the region in which the photodiode 530 is formed has a positive voltage by the transfer gate 571a, and is isolated when the transfer gate 571a is turned off. Then, when light is incident, electrons and holes are generated in the photodiode 530.

빛은 트랜스퍼 게이트(571)가 설치된 영역의 사이로 입사되며 빛이 포토다이오드(530) 영역에 입사되는 경우 전자-정공 쌍이 발생하게 된다. 빛의 입사에 의하여 발생된 전자-정공 쌍 중에서 정공은 P+를 갖는 기판(510)으로 빠지게 되며 포토다이오드(530) 영역에는 전자만 존재하게 된다. 위와 같이 전자를 모으는 시간을 집적시간(integration time)이라 하며 모인 전자의 수는 대략 입사하는 빛의 세기와 집적시간(integration time) 그리고 포토다이오드의 면적에 선형적으로 비례한다.  Light is incident between the areas where the transfer gate 571 is installed, and when light is incident on the area of the photodiode 530, an electron-hole pair is generated. Of the electron-hole pairs generated by the incident light, holes are dropped into the substrate 510 having P +, and only electrons exist in the region of the photodiode 530. The time to collect electrons is called integration time, and the number of electrons is linearly proportional to the intensity of the incident light, integration time and the area of the photodiode.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 포토다이오드에 수집된 전하의 수송 과정을 나타내는 도면이다.6 is a view illustrating a process of transporting charges collected in a photodiode according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참고하면 하나의 트랜스퍼 게이트(271b)에 양의 전압이 인가되면 근처의 전자는 양의 전압을 갖는 하나의 트랜스퍼 게이트(271b) 아래로 끌려오게 된다. 끌려온 전자는 인접한 트랜스퍼 게이트(271c)에 양의 전압이 인가되면 인접한 트랜스퍼 게이트(271c)로 이동하게 되는 과정을 거쳐 최종적으로 마지막 트랜스퍼 게이트(271f)까지 도달된다.Referring to FIG. 6, when a positive voltage is applied to one transfer gate 271b, nearby electrons are attracted under one transfer gate 271b having a positive voltage. When a positive voltage is applied to the adjacent transfer gate 271c, the attracted electrons move to the adjacent transfer gate 271c, and finally reach the last transfer gate 271f.

마지막 트랜스퍼 게이트(271f)에 양의 전압을 인가한 후 0의 전압을 인가함으로써 포토다이오드(630) 내부에 발생한 모든 광전자를 부유확산영역(640)으로 수송하는 과정이 끝나게 된다. After a positive voltage is applied to the last transfer gate 271f, a process of transporting all photoelectrons generated inside the photodiode 630 to the floating diffusion region 640 is completed.

이것은 CCD에서 각 화소들이 갖는 광전하를 순차적으로 수송하는 과정과 유사하지만 본 발명에 의한 포토다이오드는 하나의 포토다이오드(630)에 여러 개의 트랜스퍼 게이트(671a 내지 671f)를 설치하여 넓은 면적에서 발생한 광 전하를 하나의 부유확산영역(640)으로 모은다는 것에서 구분된다. This is similar to the process of sequentially transporting the photocharges of each pixel in the CCD, but the photodiode according to the present invention provides light generated in a large area by providing several transfer gates 671a to 671f in one photodiode 630. The charge is divided into one floating diffusion region 640.

이상으로, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments illustrated in the drawings, which are merely exemplary, and it should be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. will be. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

본 발명에 따른 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지센서의 단위화소는 포토다이오드가 대면적을 가짐으로써 감도가 우수하고 데드존(dead zone)이 작아서 저조도에 우수한 특성을 가지며, 하나의 포토다이오드에 다수개의 트랜스퍼 게이트를 가짐으로써 광전하의 수송 과정에서의 손실을 최소화하여 광 감도가 우수한 장점이 있다.     The unit pixel of the image sensor having a high-sensitivity photodiode according to the present invention has a large area of the photodiode has excellent sensitivity and a low dead zone has excellent characteristics in low light, a plurality of in one photodiode Having a transfer gate has an advantage of excellent light sensitivity by minimizing the loss in the photocharge transport process.

Claims (7)

이미지 센서의 단위화소에 있어서,In the unit pixel of the image sensor, 제1 도전형의 기판;A substrate of a first conductivity type; 상기 기판 상에 형성된 제2 도전형의 포토다이오드;A second conductive photodiode formed on the substrate; 상기 포토다이오드 내부에서 발생된 광 전하를 수집하여 순차적으로 전달하는 두개 이상의 트랜스퍼 게이트; 및Two or more transfer gates for collecting and sequentially transferring the photo charge generated in the photodiode; And 상기 트랜스퍼 게이트에 의해 수집되어 순차적으로 전달된 광 전하가 축적되는 하나의 부유확산영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서의 단위화소A unit pixel of the image sensor having a high sensitivity photodiode, characterized in that it has a floating diffusion region in which the photocharges collected by the transfer gate and sequentially transferred are accumulated. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판상에 제1 도전형의 웰(Well)을 더 구비하고,Further comprising a well of a first conductivity type on the substrate, 상기 포토다이오드 및 상기 부유확산영역이 상기 웰 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서의 단위화소A unit pixel of the image sensor having a high sensitivity photodiode, wherein the photodiode and the floating diffusion region are formed on the well. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 트랜스퍼 게이트 상에 형성된 절연막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서의 단위화소The unit pixel of the image sensor having a high sensitivity photodiode, further comprising an insulating film formed on the transfer gate. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 절연막 상에 컬러필터가 형성된 것을 특징으로 하는 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서의 단위화소The unit pixel of the image sensor having a high sensitivity photodiode, characterized in that the color filter is formed on the insulating film 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 절연막상에 두개 이상의 마이크로렌즈를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서의 단위화소Unit pixel of the image sensor having a high sensitivity photodiode, characterized in that further comprising two or more microlenses on the insulating film 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 기판의 배면에 컬러필터가 형성된 것을 특징으로 하는 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서의 단위화소The unit pixel of the image sensor having a high sensitivity photodiode, characterized in that the color filter is formed on the back of the substrate 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 기판의 배면에 두개 이상의 마이크로렌즈를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 고감도 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서의 단위화소The unit pixel of the image sensor having a high sensitivity photodiode, characterized in that further comprising two or more microlenses on the back surface of the substrate
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