KR100843193B1 - 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 장치 및 그 방법 - Google Patents

플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 장치 및 그 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100843193B1
KR100843193B1 KR1020020008724A KR20020008724A KR100843193B1 KR 100843193 B1 KR100843193 B1 KR 100843193B1 KR 1020020008724 A KR1020020008724 A KR 1020020008724A KR 20020008724 A KR20020008724 A KR 20020008724A KR 100843193 B1 KR100843193 B1 KR 100843193B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flash memory
memory device
data
byte data
byte
Prior art date
Application number
KR1020020008724A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030069262A (ko
Inventor
이재영
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020020008724A priority Critical patent/KR100843193B1/ko
Publication of KR20030069262A publication Critical patent/KR20030069262A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100843193B1 publication Critical patent/KR100843193B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
    • G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
    • G06F13/1668—Details of memory controller

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

본 발명은 MCU에 플래쉬 메모리 소자의 별도의 핀의 도입없이 플래쉬 메모리 소자의 사양을 검출할 수 있는 장치 및 방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 외부로부터 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트에 기입된 소정의 데이터를 독출하는 외부 인터페이스부와, 상기 외부 인터페이스부로부터 독출된 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트별 데이터를 자체적으로 비교하여, 그 비교 결과에 따라 해당 플래쉬 메모리 소자에 대한 고유 정보를 판정하는 제어부를 포함한다.
Figure R1020020008724
플래쉬 메모리, ID, MCU

Description

플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 장치 및 그 방법{System and method for Detecting unit for detecting specification of flash memory device}
도 1은 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 소자의 사양을 디텍팅하기 위한 장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1의 장치에 의하여 플래쉬 메모리 소자의 사양을 디텍팅하는 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
10 : 외부 인터페이스부 20 : 제어부
22 : 저장부 24 : 비교 판정부
30 : 플래쉬 메모리 소자
본 발명은 플래쉬 메모리 소자의 사양을 디텍팅하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 마이트로 콘트롤 유닛에 플래쉬 메모리 소자의 사양을 검출하기 위한 별도의 핀을 설치하지 않고도, 플래쉬 메모리 소자의 사양을 검출할 수 있는 플래쉬 메모리 소자의 사양을 디텍팅하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 낸드(NAND) 플래쉬 메모리 소자는 대용량의 데이터를 저장하기에 적합한 소자로서, 프로그램(program) 및 이레이즈(erase)가 가능하다. 이러한 낸드 플래쉬 메모리 소자는 부트 메모리(boot memory)로서 사용될 수 있는데, 이러한 경우 어떠한 사양의 플래쉬 메모리 소자인지 공정자가 사전에 알고 있어야 한다. 여기서, 플래쉬 메모리 소자의 사양으로는 페이지(page)당 바이트(byte)수, 어드레스 사이즈(address size), 버스 폭(bus width)등이 있다.
종래에는 MCU(micro control unit)칩에 플래쉬 메모리 소자의 사양을 디텍팅하기 위한 별도의 핀(pin)을 설치하고, MCU를 구동시켜 플래쉬 메모리 소자의 사양을 검사하였다.
그러나, 종래와 같이, MCU칩에 플래쉬 메모리 소자의 사양을 디텍팅하기 위한 별도의 핀을 설치하는 방법은 비용이 상승된다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 MCU에 플래쉬 메모리 소자의 별도의 핀의 도입없이 플래쉬 메모리 소자의 사양을 검출할 수 있는 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 플래쉬 메모리 소자의 사양을 검출하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적과 더불어 그의 다른 목적 및 신규한 특징은, 본 명세서의 기 재 및 첨부 도면에 의하여 명료해질 것이다.
본원에서 개시된 발명중, 대표적 특징의 개요를 간단하게 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명의 일견지에 따른 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 장치는, 외부로부터 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트에 기입된 소정의 데이터를 독출하는 외부 인터페이스부와, 상기 외부 인터페이스부로부터 독출된 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트별 데이터를 자체적으로 비교하여, 그 비교 결과에 따라 해당 플래쉬 메모리 소자에 대한 고유 정보를 판정하는 제어부를 포함한다.
제어부는, 상기 외부 인터페이스부의 출력 신호인 소정의 데이터를 저장하는 저장부와, 상기 저장부에 기록된 소정의 데이터를 비교하여, 그 비교 결과에 다라 해당 플래쉬 메모리 소자에 대한 고유 정보를 판정하는 비교부를 포함한다.
이때, 상기 고유 정보는 상기 플래쉬 메모리 소자의 비트수, 제품명 또는 고유 ID를 포함할 수 있다. 아울러, 상기 외부 인터페이스부 및 제어부는 MCU내에 설치될 수 있다.
또한, 본 발명이 다른 견지에 따른 플래쉬 메모리 소자의 사양을 검출하는 방법은, 먼저, 외부 인터페이스부를 통하여, 해당 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트에 기입된 데이터를 독출한다. 그리고 나서, 상기 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트에 기입된 bo, b1, b2, b3 바이트 데이터간을 비교하여, 플래쉬 메모리 소자의 비트수를 판정한다. 그후, 상기 비트수를 판정한 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트 데이터를 통하여 어느 회사 제품인지를 판정하고, 상기 플래쉬 메모리 소자의 각 바이 트 데이터에 저장된 각 비트들을 통하여 제품의 고유 ID를 검출한다.
여기서, 상기 b0 바이트 데이터는 플래쉬 메모리 소자의 0 내지 7 비트를 나타내고, 상기 b1 바이트 데이터는 플래쉬 메모리 소자의 8 내지 15 비트를 나타내고, 상기 b2 바이트 데이터는 플래쉬 메모리 소자의 16 내지 23 비트를 나타내고, 상기 b3 바이트 데이터는 플래쉬 메모리 소자의 24 내지 31 비트를 나타내는 것을 특징으로 한다.
여기서, 플래쉬 메모리 소자의 비트수를 판정하는 단계는, 상기 b0 바이트 데이터와 b1 바이트 데이터를 비교한다. 그후, 상기 b0 바이트 데이터와 b1 바이트 데이터가 동일하면, b0 바이트 데이터와 b2 바이트 데이터가 동일한지를 다시 비교하여, b0 바이트 데이터와 b2 바이트 데이터가 동일하면 8비트 플래쉬 메모리 소자 4개로 구성된 32비트 플래쉬 메모리 소자로 판정하고, 그렇지 않으면 8비트 플래쉬 메모리 소자 2개로 구성된 16비트 메모리 소자로 판정한다. 한편, 상기 b0 바이트 데이터와 b1 바이트 데이터가 동일하지 않으면, b1 바이트 데이터 모두가 특정 데이터(1 또는 0)인지를 비교하여 b1 바이트 데이터가 모두 특정 데이터이면 단일의 8비트 플래쉬 메모리 소자로 판정한다. 또한, 상기 b1 바이트 데이터 모두가 특정 데이터가 아니면, b0 바이트 데이터가 b2 바이트 데이터와 동일한지 비교하여, 이들 둘 데이터가 동일하면 16비트 플래시 메모리 소자 2개로 구성된 32 비트 플래쉬 메모 리 소자로 판정한다. 끝으로, 상기 b0 바이트 데이터와 b2 바이트 데이터가 동일하지 않으면 b2 바이트 데이터가 특정 데이터인지 비교하여, b2 바이트 데이터가 특정 데이터이면 단일의 16비트 플래쉬 메모리 소자로 간주하고, 그렇지 않으면 단일의 32 비트 플래쉬 메모리 소자로 판정한다.
본 발명에 의하면, 낸드 플래쉬 메모리 소자 각각의 바이트에 기입된 데이터를 자체 비교하여, MCU에 추가로 핀을 설치하지 않고도, 어떤 사양의 플래쉬 메모리 소자인지를 파악할 수 있다. 이에따라, MCU에 검사용 핀을 형성하는 비용이 감소된다.
(실시예)
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
도 1은 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 소자의 사양을 디텍팅하기 위한 장치를 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 2는 도 1의 장치에 의하여 플래쉬 메모리 소자의 사양을 디텍팅하는 방법을 설명하기 위한 플로우챠트를 나타낸다.
도 1을 참조하여, 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 소자의 사양을 디텍팅하기 위한 장치(100)는, 외부로부터 플래쉬 메모리 소자, 특히 낸드 플래쉬 메모리 소자(30)의 각 바이트에 기입된 데이터(b0, b1, b2, b3)를 독출(read)하는 외부 인터페이스부(external interface:10)와, 외부 인터페이스부(10)로부터 독출된 낸드 플래쉬 메모리 소자(30)의 데이터를 비교하여, 해당 플래쉬 메모리 소자(30)의 사양을 판정하는 제어부(20)를 포함한다. 이때, 상기 외부 인터페이스부(10)와 제어부(20)는 MCU(100)내에 내장되며, 외부 인터페이스부(10)와 제어부(20)에 의하여 플래쉬 메모리 소자의 사양이 판정된 후, 추후 플래쉬 메모리 소자로서의 동작된다.
외부 인터페이스부(10)는 외부로부터 직접 신호를 인가받거나 또는 신호를 생성하여 송출할 수 있으며, 외부 인터페이스부(10)를 통하여 해당 플래쉬 메모리 소자(30)의 각 바이트에 기입된 데이터들을 독출할 수 있다.
제어부(20)는 저장부(22) 및 비교 판정부(24)를 구비하며, 저장부(22)는 독출된 플래쉬 메모리 소자의 ID 데이터들을 저장하고, 비교 판정부(24)는 저장부(22)에 저장된 플래쉬 메모리 소자의 ID 데이터들을 수신하여 비트 단위(bit wise)로 비교하여 몇비트 플래쉬 메모리 소자인, 어느 회사 제품인지를 판단한다. 예컨대, 비교 판정부(24)는 수신된 ID 데이터들 중 b0 바이트 데이터와 b1 바이트 데이터를 비트 단위로 비교하여, 그 판단 결과 b0 바이트와 b1 바이트가 동일하면, 비교 판단부(24)는 8 비트 데이터 버스 라인을 갖는(이하 8비트) 플래쉬 메모리 소 자로 판단한다. 한편, b0 바이트와 b1 바이트가 동일하지 않으면, 그 외 비트의 데이터 버스 라인을 갖는 플래쉬 메모리 소자로 판정한다. 또한, 비교 판정부(24)는 그 외 비트수를 갖는 플래쉬 메모리 소자를 다시 세분화하기 위하여, 수신된 ID 데이터들중 b0 바이트 데이터와 b2 바이트 데이터를 비트 단위로 비교하고, b2 바이트 데이터가 특정값을 갖는지를 판단하여 각각 16 비트 플래쉬 메모리 소자인지, 32 비트 플래쉬 메모리 소자인지 판정한다.
또한, 낸드 플래쉬 메모리 소자인 경우, 각각의 비트별로 해당 바이트 데이터에 회사명 코드 및 제품 ID(identification)이 기입된다. 그러므로, 제어부(20)는 저장부(22)에 저장되어 있는 해당 바이트 데이터에 의하여 회사명 및 제품 ID를 알 수 있다. 예를들어, 8비트 플래쉬 메모리 소자인 경우, b0 바이트 데이터에 회사명 코드가 기입되고 b1 바이트 데이터에 고유 ID가 기입될 수 있다. 또한 16비트 플래쉬 메모리 소자인 경우, b1 바이트 데이터에 회사명 코드가 기입되고, b0 바이트 데이터에 고유 ID가 기입될 수 있다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 낸드 플래쉬 메모리 소자의 사양을 디텍팅하는 방법을 도 1 및 도 2를 통하여 설명하도록 한다.
먼저, 외부 인터페이스부(10)를 통하여 해당 낸드 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트에 기입된 데이터(b0, b1, b2, b3)를 독출한다(S1). 그리고 나서, 외부 인터페이스부(10)로부터 읽혀진 낸드 플래쉬 메모리 소자의 데이터들은 제어부(20)내의 저장부(22)에 저장된다.
다음, 제어부(20)의 비교 판정부(24)에서 저장된 낸드 플래쉬 메모리 소자의 데이터들중 b0 바이트와 b1 바이트를 비교한다(S2).
여기서, b0 바이트 데이터와 b1 바이트 데이터가 동일하면, 다시 b0 바이트 데이터와 b2 바이트 데이터가 동일한지를 다시 비교한다(S3-1). 이때, b0 바이트 데이터와 b2 바이트 데이터가 서로 동일하면, 4개의 8비트 플래쉬 메모리 소자로 구성된 32 비트 메모리 소자인 것으로 판정한다(S4-1). 또한, b0 바이트 데이터와 b2 바이트 데이터가 서로 동일하지 않으면, 2개의 8비트 플래쉬 메모리 소자로 구성된 16 비트 플래쉬 메모리 소자로 판정한다(S4-2).
한편, b0 바이트 데이터와 b1 바이트 데이터가 동일하지 않으면, b1 바이트 데이터가 모두 특정값(1 또는 0)이 기입되었는지를 판단한다(S3-2). 이때, b1 바이트 데이터가 모두 특정값인 경우, 단일의 8 비트 플래쉬 메모리 소자라고 판정하고(S4-3), 그렇지 않으면 다시 b0 바이트 데이터와 b2 바이트 데이터가 동일한지를 비교한다(S4-4). b0 바이트 데이터와 b2 바이트 데이터가 동일하면, 16 비트 메모리 소자 2개로 구성된 32 비트 플래쉬 메모리로 판정하고(S5-1), 그렇지 않으면 b2 바이트 데이터가 모두 특정값(1 또는 0)인지를 비교 판정한다(S5-2).
b2 바이트 데이터 모두가 특정값인 경우, 비교 판정부(24)는 해당 플래쉬 메 모리 소자가 1개의 16 비트 플래쉬 메모리 소자라 판정한다(S6-1). 한편, b2 바이트 데이터 모두가 특정값이 아닌 경우, 비교 판정부(24)는 해당 플래쉬 메모리 소자가 1개의 32 비트 플래쉬 메모리 소자로 판정한다(S6-2).
이와 같이, N비트(N은 자연수, N은 8,16,32.....) 낸드 플래쉬 메모리 소자인지 판정한 다음, 각각의 낸드 플래쉬 메모리 소자의 b0 바이트 데이터(8비트인 경우), b1 바이트 데이터(16 비트인 경우), 혹은 b0, b1, b2, b3 바이트 데이터(32 비트인 경우)를 통하여 비교 판정부(24)는 어느 회사 제품인지를 판정한다(S7). 상술한 바와 같이, 일반적으로 낸드 플래쉬 메모리 소자의 경우 각 비트별(8 비트, 16 비트, 32 비트....)로 해당 바이트 데이터에 회사 고유 코드가 기입되어 있다. 그러므로, 해당 바이트의 데이터(예를들어, 8비트:b0 바이트, 16비트:b1 바이트, 32비트:b0, b1, b2, b3 바이트)를 독출함에 따라, 어느 회사 제품인지를 인식할 수 있다.
그리고나서, 어느 회사의 제품인지가 가려진 낸드 플래쉬 메모리 소자의 고유 ID를 해당 바이트 데이터에 의하여 인식한다(S8). 고유 ID 역시 상기 회사 판정과 마찬가지로, 각 해당 바이트 데이터(예를들어, 8비트:b1 바이트, 16비트:b0 바이트, 32비트:b0, b1, b2, b3 바이트)에 고유 ID가 저장되어 있으므로, 저장된 각 데이터들을 통하여 제품의 고유 ID를 알아낼 수 있다.
이와같이 하여, 플래쉬 메모리 소자의 사양을 알아보기 위한 별도의 핀의 설치없이, 플래쉬 메모리 소자에 내장된 데이터들을 통하여 사양 및 ID를 측정할 수 있다.
이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 낸드 플래쉬 메모리 소자 각각의 바이트에 기입된 데이터를 자체 비교하여, MCU에 추가로 핀을 설치하지 않고도, 어떤 사양의 플래쉬 메모리 소자인지를 파악할 수 있다. 이에따라 MCU에 검사용 핀을 형성하는 비용이 감소된다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (9)

  1. 페이지당 바이트 수, 어드레스 사이즈 및 버스 폭 등의 플래시 메모리 소자의 사양을 검출하는 장치에 있어서,
    외부로부터 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트에 기입된 소정의 데이터를 독출하는 외부 인터페이스부와,
    상기 외부 인터페이스부로부터 독출된 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트별 데이터를 자체적으로 비교하여, 그 비교 결과에 따라 해당 플래쉬 메모리 소자에 대한 고유 정보를 판정하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 외부 인터페이스부의 출력 신호인 소정의 데이터를 저장하는 저장부와,
    상기 저장부에 기록된 소정의 데이터를 비교하여, 그 비교 결과에 다라 해당 플래쉬 메모리 소자에 대한 고유 정보를 판정하는 비교부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고유 정보는 상기 플래쉬 메모리 소자의 비트수, 제품명 또는 고유 ID를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 사양 검출 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 외부 인터페이스부 및 제어부는 MCU(micro control unit)내에 설치되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 장치.
  5. 페이지당 바이트 수, 어드레스 사이즈 및 버스 폭 등의 플래쉬 메모리 소자의 사양을 검출하는 방법에 있어서,
    외부 인터페이스부를 통하여, 해당 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트에 기입된 데이터를 독출하는 단계;
    상기 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트에 기입된 bo, b1, b2, b3 바이트 데이터간을 비교하여, 플래쉬 메모리 소자의 비트수를 판정하는 단계;
    상기 비트수를 판정한 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트 데이터를 통하여 어느 회사 제품인지를 판정하는 단계; 및
    상기 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트 데이터를 통하여 제품의 고유 ID를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 b0 바이트 데이터는 플래쉬 메모리 소자의 0 내지 7 비트를 나타내고,
    상기 b1 바이트 데이터는 플래쉬 메모리 소자의 8 내지 15 비트를 나타내고,
    상기 b2 바이트 데이터는 플래쉬 메모리 소자의 16 내지 23 비트를 나타내고,
    상기 b3 바이트 데이터는 플래쉬 메모리 소자의 24 내지 31 비트를 나타내는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트에 기입된 bo, b1, b2, b3 바이트 데이터간을 비교하여, 플래쉬 메모리 소자의 비트수를 판정하는 단계는,
    상기 b0 바이트 데이터와 b1 바이트 데이터를 비교하는 단계;
    상기 b0 바이트 데이터와 b1 바이트 데이터가 동일하면, b0 바이트 데이터와 b2 바이트 데이터가 동일한지를 다시 비교하여, b0 바이트 데이터와 b2 바이트 데이터가 동일하면 8비트 플래쉬 메모리 소자 4개로 구성된 32비트 플래쉬 메모리 소자 로 판정하고, 그렇지 않으면 8비트 플래쉬 메모리 소자 2개로 구성된 16비트 메모리 소자로 판정하는 단계;
    상기 b0 바이트 데이터와 b1 바이트 데이터가 동일하지 않으면, b1 바이트 데이터 모두가 특정 데이터(1 또는 0)인지를 비교하여 b1 바이트 데이터가 모두 특정 데이터이면 단일의 8비트 플래쉬 메모리 소자로 판정하는 단계;
    상기 b1 바이트 데이터 모두가 특정 데이터가 아니면, b0 바이트 데이터가 b2 바이트 데이터와 동일한지 비교하여, 이들 둘 데이터가 동일하면 16비트 플래시 메모리 소자 2개로 구성된 32 비트 플래쉬 메모리 소자로 판정하는 단계; 및
    상기 b0 바이트 데이터와 b2 바이트 데이터가 동일하지 않으면 b2 바이트 데이터가 특정 데이터인지 비교하여, b2 바이트 데이터가 특정 데이터이면 단일의 16비트 플래쉬 메모리 소자로 간주하고, 그렇지 않으면 단일의 32 비트 플래쉬 메모리 소자로 판정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 비트수를 판정한 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트 데이터를 통하여 어느 회사 제품인지를 판정하는 단계는, 상기 8비트 플래쉬 메모리 소자인 경우 b0 바이트 데이터를 통하여 판정하고, 16비트 플래쉬 메모리 소자인 경우 b1 바이트 데이 터를 통하여 판정하며, 32비트 플래쉬 메모리 소자인 경우 b0, b1, b2, b3 바이트를 통하여 판정하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 플래쉬 메모리 소자의 각 바이트 데이터를 통하여 제품의 고유 ID를 검출하는 단계는, 상기 8비트 플래쉬 메모리 소자인 경우 b1 바이트 데이터를 통하여 판정하고, 16비트 플래쉬 메모리 소자인 경우 b0 바이트 데이터를 통하여 판정하며, 32비트 플래쉬 메모리 소자인 경우 b0, b1, b2, b3 바이트를 통하여 판정하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 방법.
KR1020020008724A 2002-02-19 2002-02-19 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 장치 및 그 방법 KR100843193B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020008724A KR100843193B1 (ko) 2002-02-19 2002-02-19 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 장치 및 그 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020008724A KR100843193B1 (ko) 2002-02-19 2002-02-19 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 장치 및 그 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030069262A KR20030069262A (ko) 2003-08-27
KR100843193B1 true KR100843193B1 (ko) 2008-07-02

Family

ID=32221794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020008724A KR100843193B1 (ko) 2002-02-19 2002-02-19 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 장치 및 그 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100843193B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000200213A (ja) * 1999-01-06 2000-07-18 Mitsubishi Electric Corp マイクロコンピュ―タ、デ―タ書換システム及びデ―タ書換方法
JP2001084172A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Nec Home Electronics Ltd 半導体記憶装置
KR20010053983A (ko) * 1999-12-02 2001-07-02 송문섭 개인용 컴퓨터에서 단말기로의 파일 다운 로드 방법
KR20020053918A (ko) * 2000-12-26 2002-07-06 이계안 플래시 롬 리프로그램 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000200213A (ja) * 1999-01-06 2000-07-18 Mitsubishi Electric Corp マイクロコンピュ―タ、デ―タ書換システム及びデ―タ書換方法
JP2001084172A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Nec Home Electronics Ltd 半導体記憶装置
KR20010053983A (ko) * 1999-12-02 2001-07-02 송문섭 개인용 컴퓨터에서 단말기로의 파일 다운 로드 방법
KR20020053918A (ko) * 2000-12-26 2002-07-06 이계안 플래시 롬 리프로그램 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030069262A (ko) 2003-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1843358B1 (en) Control method of a non-volatile memory apparatus
US7007140B2 (en) Storage device, storage device controlling method, and program
US8201037B2 (en) Semiconductor integrated circuit and method for controlling semiconductor integrated circuit
US6957377B2 (en) Marking of and searching for initial defective blocks in semiconductor memory
EP3057100B1 (en) Memory device and operating method of same
JP4294894B2 (ja) メモリカード
US9721665B2 (en) Data writing method and system
US20050188148A1 (en) Data access controlling method in flash memory and data access controlling program
KR100843193B1 (ko) 플래쉬 메모리 소자의 사양 검출 장치 및 그 방법
JP3681323B2 (ja) メモリカード
CN106155571A (zh) 数据储存装置以及数据维护方法
KR970066893A (ko) 불휘발성 메모리로의 오기입을 방지할 수 있는 마이크로컴퓨터
US8510614B2 (en) Bad block identification methods
US6535442B2 (en) Semiconductor memory capable of debugging an incorrect write to or an incorrect erase from the same
CN101261574A (zh) 声音数据处理装置
JP4236539B2 (ja) 不揮発性メモリ装置
US8312205B2 (en) Method for identifying a page of a block of flash memory, and associated memory device
CN1877529A (zh) 存储设备及控制该存储设备操作的方法
JP4985781B2 (ja) 半導体記憶装置およびその制御方法
JPH11259357A (ja) 半導体集積装置及び不揮発性メモリ書き込み方式
JPH0546494A (ja) メモリチエツク方式
JP2001273198A (ja) データ書込装置及びデータ破壊検出装置
JP2003015942A (ja) メモリへのデータ書き込み方法、データ書き込み処理プログラム及びデータ書き込み装置
JPH11184833A (ja) マイクロコンピュータの書き込み終了の判別方法
CN104615554A (zh) 存储器模块检测方法、存储器控制电路单元及储存装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110531

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee