KR100840187B1 - 기판가열구조를 구비한 에어패드 및 이를 구비한기판이송장치 - Google Patents

기판가열구조를 구비한 에어패드 및 이를 구비한기판이송장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판의 비접촉 반송에 사용되는 에어패드에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 기판을 비접촉으로 이송시키는 동시에 기판을 가열할 수 있는 기판가열구조를 구비한 에어패드 및 이를 구비한 기판이송장치에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 구성은 기판과 대향하여 배치되는 에어패드 상에 에어(가스)를 분사할 수 있는 에어분사부와; 에어패드 상에 잉크젯 패터닝 등의 방법으로 열선이 배치되는 것을 특징으로 한다.
이로써 기판상에 박막을 형성하기 전에 기판을 가열하기 위하여 별도의 히터를 구성한 히팅챔버를 구성할 필요가 없으므로 장비의 구성을 간단하게 할 수 있는 효과가 있다. 또한 하나의 반응챔버에서 이송된 기판을 가열하고 성막할 수 있으므로 성막시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.
기판, 비접촉, 에어패드, 히터, 열선, 반응챔버

Description

기판가열구조를 구비한 에어패드 및 이를 구비한 기판이송장치{the Air-Pad with heating lines and the Transferring Apparatus comprising the same}
도 1은 본 발명의 일실시예를 보여주는 도면이며,
도 2는 도 1의 측면을 보여주는 도면이며,
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
*도면의 주요부분에 대한 설명*
100 : 에어패드 110 : 에어분사부
120 : 열선 130 : 롤러
200 : 기판
본 발명은 기판의 비접촉 반송에 사용되는 에어패드에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 기판을 비접촉으로 이송시키는 동시에 기판을 가열할 수 있는 기판가열구조를 구비한 에어패드 및 이를 구비한 기판이송장치에 관한 것이다.
종래 기판의 비접촉 이송을 위한 에어패드의 경우, 기판의 일면에 일정한 부상압을 제공하기 위하여 에어패드 상에 에어(가스)를 분사할 수 있는 에어분사홀이 비교적 균일한 분포로 형성되며, 필요에 따라 에어배기홀이 형성될 수도 있다.
특히 이송되는 기판이 평판 디스플레이 제조에 사용되는 글라스 기판인 경우, 기판의 대면적화로 인하여 에어패드를 일정각도 경사진 형태로 세운 구조로 하여 기판을 부상시킨 다음, 하부에 설치된 롤러의 회전을 통해 기판을 이송하게 된다.
한편 기판상에 박막을 형성하는 성막과정의 전단계로써 기판을 일정온도로 가열해주는 히팅과정이 필수적으로 요구되는데, 종래의 경우에는 별도의 히팅챔버내 에서 기판을 가열한 다음 반응챔버로 이송되어 기판상에 박막을 형성하는 성막과정이 이루어졌다.
그러나 종래의 방법은 기판을 가열하기 위하여 별도의 히팅챔버를 구성함으로써 장비가 복잡해지는 문제점이 있었으며, 히팅챔버에서 기판을 가열한 다음 기판을 반응챔버로 이송될 뿐만 아니라 히팅챔버(진공상태) 내에서 열전달형태로 기판을 가열하게 됨으로써 성막과정에 필요한 시간이 증가한다는 문제점이 발생하였다.
이에 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로써, 본 발명의 목적은 하나의 챔버내에서 기판을 가열해주는 히팅과정과 박막을 형성하는 성막과정을 순차적으로 수행할 수 있도록 하는 데 있다.
또한 장비의 구성을 간단하게 할 수 있을 뿐만 아니라 성막에 필요한 시간을 단축시킬 수 있는 기판가열구조를 구비한 에어패드 및 기판이송장치를 제공함에 있다.
이를 위한 본 발명의 구성은 기판과 대향하여 배치되는 에어패드 상에 에어(가스)를 분사할 수 있는 에어분사부와; 상기 에어패드 상에 형성되는 열선과; 상기 열선에 전원을 공급할 수 있는 전원공급원으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명 일실시예의 구성을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 살펴본다.
도 1을 참조하여 성막과정이 실시되는 반응챔버 내에 설치되는 에어패드(100)는 기판(200)을 향하여 에어(가스)를 분사하는 에어분사부(110)와, 에어패드(100) 상에 기판(200)을 가열하기 위한 열선(120)이 비교적 균일한 분포로 형성된다.
상기 에어분사부(110)는 에어패드(100)를 관통하는 형태로 구성되며, 통상의 홀구조(111) 또는 채널구조(112)로 형성되어 에어(가스)를 분사함으로써 기판(200)과 에어패드(100) 사이에 에어쿠션 층을 형성하여 기판(200)과 에어패드(100)의 비접촉 상태를 유지할 수 있도록 한다.
한편 기판(200)이 에어패드(100)로부터 이격되는 거리를 균일하게 하기 위해서는 상기 에어쿠션에 걸리는 압력을 균일하게 만들 필요가 있다. 이를 위해서 에어분사부(110) 주변에 에어쿠션으로부터 에어(가스)를 배기시킬 수 있는 에어배기부(도면 미도시)를 에어분사부(110)와 유사한 홀구조 또는 채널구조로 구성할 수 있으며, 도 3을 참조하여 에어패드 다수개를 이격배치하여 이격되는 공간(101)으로 에어(가스)를 배기시킬 수도 있을 것이다.
상기 열선(120)은 기판(200)을 에어패드(100)에 접촉시켜 기판(200)을 가열하기 위한 구성으로써, 에어패드(100)상에 잉크젯 패터닝(patterning)을 하거나 또는 에어패드(100) 상면에 열선이 삽입되어 돌출되지 않는 깊이의 홈을 형성하고 상기 형성된 홈에 열선을 삽입하는 등의 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
상기 열선(120)의 양단(121, 122)은 에어패드 후방 또는 반응챔버 외부에 설치되는 전원공급원(도면 미도시)에 전기적으로 연결된다.
한편 에어패드 하단에는 다수의 롤러장치(130) 등의 이송장치를 구비하여 기판의 하단을 지지함과 동시에 기판을 이송할 수 있도록 한다.
이하, 본 발명의 일실시예의 작용을 살펴보도록 한다.
성막작업이 이루어지는 반응챔버 내로 기판(200)은 수직상태에서 일정각도 비스듬히 기울어진 에어패드(100)와 대향하여 비접촉상태로 반입된다.
상기 반응챔버 내로 반입된 기판(200)이 소정의 지점에 위치하게 되면, 에어분사부(110)로부터 분사되는 에어(가스)의 공급을 중단하여 기판(200)이 에어패 드(100)에 접촉되도록 한다.
한편 전원공급원으로부터 전류가 인가되고 있는 열선(120)을 통하여, 기판(200)이 에어패드(100)으로부터 부상된 상태에서는 복사 열전달형태로, 기판(200)이 에어패드(100)과 접촉된 상태에서는 전도 열전달형태로 기판을 가열하게 된다.
다음 일정온도로 가열된 기판상에 다양한 종류의 박막을 증착하는 성막공정이 이루어진다.
상기 성막공정이 완료되면 에어(가스)를 공급하여 기판을 에어패드(100)로부터 일정 높이로 부상시키고, 하부의 롤러(130)를 회전시킴으로써 기판(200)을 다음 공정을 수행하기 위한 챔버로 이송시키게 된다.
이로써 기판상에 박막을 형성하기 전에 기판을 가열하기 위하여 별도의 히터를 구성한 히팅챔버를 구성할 필요가 없으므로 장비의 구성을 간단하게 할 수 있는 효과가 있다.
또한 기판 가열을 위하여 다양하고 효율적인 열전달 형태를 사용할 뿐만 아니라, 하나의 반응챔버 내에서 이송된 기판을 가열하고 성막할 수 있도록 하여 성막에 필요한 시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 기판의 비접촉 반송에 사용되는 에어패드에 있어서,
    에어(가스)를 분사할 수 있는 에어분사부와;
    상기 에어패드 상면에 형성되는 열선과;
    상기 열선에 전원을 공급할 수 있는 전원공급원으로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판가열구조를 구비한 에어패드.
  2. 제 1항에 있어서,
    기판과 에어패드 사이의 이격 거리를 균일하게 유지하기 위한 에어쿠션 층을 형성할 수 있도록 에어분사부 주변에 에어(가스)를 배기시킬 수 있는 에어배기부가 구성된 것을 특징으로 하는 기판가열구조를 구비한 에어패드.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 열선은 에어패드 상면에 잉크젯 패터닝으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판가열구조를 구비한 에어패드.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 열선은 에어패드 상면에 열선이 삽입되어 돌출되지 않는 깊이의 홈을 형성하고, 상기 형성된 홈에 상응하는 형태로 삽입구성된 것을 특징으로 하는 기판가열구조를 구비한 에어패드.
  5. 에어를 분사할 수 있는 에어분사부와 에어패드 상면에 형성되는 열선과 상기 열선에 전원을 공급할 수 있는 전원공급원을 포함하는 에어패드와 상기 에어패드 하단에 에어패드와 일직선상으로 부착되는 플레이트와 상기 플레이트에 부착되어 기판의 하단을 지지함과 동시에 기판을 이송할 수 있는 다수의 롤러를 포함하는 이송장치가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판이송장치.
  6. 삭제
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000031245A (ko) * 1998-11-04 2000-06-05 구본준 공정챔버
KR20020053658A (ko) * 2000-12-27 2002-07-05 마이클 디. 오브라이언 반도체 패키지의 이송구조 및 이송방법
KR20060133199A (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 비접촉 반송 장치에서의 지지플랫폼
KR20060133200A (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 비접촉 반송 장치에서의 지지플랫폼

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000031245A (ko) * 1998-11-04 2000-06-05 구본준 공정챔버
KR20020053658A (ko) * 2000-12-27 2002-07-05 마이클 디. 오브라이언 반도체 패키지의 이송구조 및 이송방법
KR20060133199A (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 비접촉 반송 장치에서의 지지플랫폼
KR20060133200A (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 비접촉 반송 장치에서의 지지플랫폼

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