KR100837543B1 - Cooling Trap Apparatus of pump exhaust line and Powder Removing Method using the Cooling Trap Apparatus - Google Patents
Cooling Trap Apparatus of pump exhaust line and Powder Removing Method using the Cooling Trap Apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR100837543B1 KR100837543B1 KR1020030090489A KR20030090489A KR100837543B1 KR 100837543 B1 KR100837543 B1 KR 100837543B1 KR 1020030090489 A KR1020030090489 A KR 1020030090489A KR 20030090489 A KR20030090489 A KR 20030090489A KR 100837543 B1 KR100837543 B1 KR 100837543B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- trap
- housing
- exhaust line
- gas
- powder
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 가스를 배출하기 위한 펌프배기라인에 설치된 냉각 트랩장치에 관한 것으로서, 가스의 흡입구(103)와 배출구(105)가 각각 형성된 하우징(101)과, 하우징(101)의 내부에 위치하며 하우징(101)의 내부에서 상하방향으로 이동하는 2개 이상의 트랩봉(110)과, 트랩봉(110)을 이송하는 이송부(120) 및, 트랩봉(110)의 이동궤적의 최하단 지점과 최상단 지점의 사이에 수면이 위치하도록 하우징(101)의 내부에 채워진 세정액(130)을 포함하여 구성되며, 펌프에서 배출된 가스에서 생성될 수 있는 파우더를 펌프 바로 후방에서 제거한 후에 배기라인으로 가스를 배출함으로써, 가스가 배기라인을 따라 유동하는 과정에서 파우더가 생성되지 않는다. 따라서 배기라인이 막히는 문제점을 해결한다.The present invention relates to a cooling trap device installed in a pump exhaust line for discharging gas, the housing 101 and the outlet 101 and the outlet 105 of the gas is formed, respectively, located inside the housing 101 and the housing At least two trap rods 110 moving up and down in the interior of the 101, a transfer part 120 for transferring the trap rods 110, and a lowermost point and an uppermost point of the movement trajectory of the trap rod 110. It comprises a cleaning liquid 130 filled in the interior of the housing 101 so that the water surface is located between, by removing the powder that can be generated from the gas discharged from the pump immediately after the pump to discharge the gas to the exhaust line, No powder is produced as the gas flows along the exhaust line. This solves the problem of clogging the exhaust line.
화학기상증착장치, 펌프배기라인, 트랩장치, 트랩봉, 파우더, 냉각Chemical Vapor Deposition System, Pump Exhaust Line, Trap Device, Trap Rod, Powder, Cooling
Description
도 1은 통상적인 화학기상증착장치 설비의 펌프배기라인을 나타낸 구조도이고,1 is a structural diagram showing a pump exhaust line of a conventional chemical vapor deposition apparatus installations,
도 2는 도 1에 도시된 펌프배기라인의 연결부위를 나타낸 단면도이고,2 is a cross-sectional view showing a connection portion of the pump exhaust line shown in FIG.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 냉각 트랩장치가 설치된 화학기상증착장치 설비의 펌프배기라인을 나타낸 구조도이고,3 is a structural diagram showing a pump exhaust line of a chemical vapor deposition apparatus installed with a cooling trap apparatus according to an embodiment of the present invention,
도 4는 도 3에 도시된 냉각 트랩장치의 사시도이고,4 is a perspective view of the cooling trap device shown in FIG.
도 5는 도 4에 도시된 냉각 트랩장치의 작동관계를 나타낸 정면도이다.FIG. 5 is a front view illustrating an operation relationship of the cooling trap device illustrated in FIG. 4.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings
20 : 펌프 30 : 파우더 트랜스퍼20: pump 30: powder transfer
100 : 트랩장치 101 : 하우징100: trap device 101: housing
103 : 흡입구 105 : 배출구103: inlet port 105: outlet port
110 : 트랩봉 113 : 지지대110: trap rod 113: support
120 : 모터 121 : 회전축120: motor 121: rotating shaft
130 : 세정액 131 : 공급라인 130: cleaning liquid 131: supply line
133 : 배출라인 140 : 초음파발생기133: discharge line 140: ultrasonic generator
L1, L2, L4, L2f, L2b : 배기라인
L1, L2, L4, L2f, L2b: Exhaust Line
본 발명은 펌프배기라인에 관한 것으로, 특히, 펌프배기라인을 따라 유동하는 가스로부터 파우더가 생성되어 배기라인을 폐쇄하는 것을 방지하기 위한 것이다.The present invention relates to a pump exhaust line, in particular, to prevent the powder from being generated from the gas flowing along the pump exhaust line to close the exhaust line.
통상적으로 반도체 집적회로 소자는 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각, 확산, 및 금속증착 등의 공정을 선택적 및 반복적으로 수행하게 됨으로써 이루어진다. 반도체 집적회로 소자를 대량으로 제조하는데 사용되는 반도체 웨이퍼 상에 원하는 막을 형성하기 위해서는 화학기상증착(CVD) 공정이 거의 필수적으로 수행된다.Typically, semiconductor integrated circuit devices are made by selectively and repeatedly performing processes such as photolithography, etching, diffusion, and metal deposition on a wafer. Chemical vapor deposition (CVD) processes are almost essential to forming desired films on semiconductor wafers used to fabricate large amounts of semiconductor integrated circuit devices.
그러한 화학기상증착(CVD)법은 진공상태에서 반응가스를 분사하여 웨이퍼 위에 얇은 막을 도포하는 공정이다. 상기 CVD공정을 행함에 있어서 챔버 내에 분사된 가스는 '드라이 펌프'라고 불리는 펌프의 흡입력에 의해 배출라인을 따라 배출되며, 이런 배기에는 미반응된 가스가 함유되어 있기 때문에 배기라인 내에서 반응을 하게 되면 파우더를 형성하게 된다. 상기 파우더가 배기라인에 쌓여 배기라인을 막음으로써 화학기상증착 설비가 정지되는 로스가 유발된다. Such chemical vapor deposition (CVD) is a process of spraying a reaction gas under vacuum to apply a thin film on a wafer. In the CVD process, the gas injected into the chamber is discharged along the discharge line by the suction force of a pump called a 'dry pump', and because the unreacted gas is contained in the exhaust, the gas is allowed to react in the exhaust line. When the powder is formed. The powder accumulates in the exhaust line and blocks the exhaust line, causing loss of chemical vapor deposition equipment to be stopped.
이와 같이, CVD 방식의 챔버의 배기라인에는 챔버에서 반응되지 않고 남은 잔류 가스에 의해 파우더가 생성되며, 생성된 파우더가 후단의 배기를 막거나 비교적 짧은 주기로 예방보전을 하게 됨에 따라 설비의 가동율이 저하되는 문제가 있게 된다.As such, powder is generated in the exhaust line of the CVD chamber by the remaining gas that is not reacted in the chamber, and the operation rate of the equipment decreases as the generated powder prevents exhaust of the rear stage or prevents maintenance at a relatively short period. There is a problem.
종래의 문제점을 철저히 규명하기 위해 도 1을 참조하여 종래의 설비에 설치된 배기라인 구조를 설명한다. CVD막이 도포되는 반응 챔버(10)내의 가스는 라인(L1)을 통해 드라이 펌프(20)내로 흡입된다. 상기 드라이 펌프(20)에 흡입된 가스는 라인(L2)을 통해 배출되어 파우더 트랜스퍼(30)를 거쳐 라인(L4)을 통해 스크루버(40)에 인가된다. 상기 가스가 스크루버(40)에 도달되기 전에 유속이 느려지는 부분에서 대체로 파우더가 많이 생성된다. 그러한 부분에 상기 파우더가 점차로 쌓여지면 배기라인을 막게 되어 챔버 내의 반응 가스를 배출시키지 못하게 된다.The exhaust line structure installed in the conventional facility will be described with reference to FIG. 1 in order to thoroughly identify the conventional problem. Gas in the
통상적으로, 산화막, 질화막, TEOS 막 등을 데포지션하는 공정에서 주로 사용되는 실란가스(SiH4), TEOS 가스 등은 배출시 파우더를 많이 생성하는 것으로 알려져 있다. Typically, silane gas (SiH 4 ), TEOS gas, and the like, which are mainly used in the process of depositing an oxide film, a nitride film, a TEOS film, and the like, are known to generate a large amount of powder during discharge.
이 경우에 생성되는 파우더의 량을 최소화하기 위해서는 라인이 굽은 부분을 최소화하고 밸브의 수를 적게 설치하여 유속의 감소를 최소화하여야 한다. 이런 경우에도, 배기라인 내에서 미반응 가스의 반응을 완전히 차단하지 못하여 배기라인을 점차로 막는 소량의 파우더가 쌓인다. 이를 해결하기 위한 전형적인 방법으로서, 파우더 트랜스퍼(30)를 배기라인에 설치하고 유속의 증가를 위해 질소(N2)가스 를 불어넣어 주는 것이다.In this case, in order to minimize the amount of powder generated, it is necessary to minimize the bent portion of the line and to reduce the flow rate by installing a small number of valves. Even in this case, a small amount of powder accumulates in the exhaust line which does not completely block the reaction of the unreacted gas and gradually blocks the exhaust line. As a typical method for solving this problem, the
하지만, 산화막이나 질화막의 데포지션시 배기라인에는 여전히 파우더가 미량으로 쌓이는데 이러한 이유는 배기라인이 비교적 저온의 상태로 유지하는데, 저온이 되면 파우더가 더 많이 생성되기 때문이다.However, a small amount of powder still accumulates in the exhaust line during deposition of the oxide film or nitride film because the exhaust line is kept at a relatively low temperature because more powder is produced at a low temperature.
이와 같이 배기라인의 저온상태를 방지하기 위해서, 도 2에 도시된 바와 같이 배기라인(L1, L2, L4)을 따라 히팅자켓(60)을 설치한다. 하지만, 배기라인(L1, L2, L4)을 따라 균일한 두께의 히팅자켓(60)을 설치하더라도 배관(51)의 연결부위(55)의 온도가 상대적으로 낮다. 그 이유는 배관 정비 및 보수 작업시에 연결부위(55)를 해체하여야 하기 때문에, 히팅자켓(60)이 배관(50)의 연결부위(55)에서 절단된다. 이와 같이 히팅자켓(60)의 절단부위는 연장된 부위에 비해 상대적으로 보온 효과가 떨어지며, 히팅자켓(60)의 절단부위에 대응하는 배관(50) 연결부위(55)는 배관(50)의 다른 부위에 비해 상대적으로 낮은 온도를 유지한다.In order to prevent the low temperature of the exhaust line in this way, as shown in Figure 2 is installed a
이와 같이 배기라인(L1, L2, L4)의 배관 연결부위(55)가 온도가 낮음으로써, 파우더는 배관(50)의 연결부위(55)에 침적되어 배기라인(L1, L2, L4)을 막는 단점이 발생한다.As such, the
본 발명은 앞서 설명한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 펌프의 후단에 설치되어 펌프에서 배출되는 가스를 강제적으로 냉각하여 파우더를 강제 생성한 후에 제거함으로써, 후방의 배기라인이 파우더에 의해 막히는 문제를 해결한 펌프배기라인의 냉각 트랩장치 및 이를 이용한 파우더 제 거방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed in order to solve the problems of the prior art as described above, is installed in the rear end of the pump by forcibly cooling the gas discharged from the pump to remove the powder after forced generation, the rear exhaust line is powder The purpose of the present invention is to provide a cooling trap device of a pump exhaust line and a powder removing method using the same, which solves the problem of clogging.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 냉각 트랩장치는 가스를 배출하기 위한 펌프배기라인에 설치되며 상기 가스의 흡입구와 배출구가 각각 형성된 하우징과, 상기 하우징의 내부에 위치하며 상기 하우징의 내부에서 상하방향으로 이동하는 2개 이상의 트랩봉과, 상기 트랩봉을 이송하는 이송부 및, 상기 트랩봉의 이동궤적의 최하단 지점과 최상단 지점의 사이에 수면이 위치하도록 상기 하우징의 내부에 채워진 세정액을 포함하여 구성된 것을 기술적 특징으로 한다.The cooling trap device of the present invention for achieving the above object is installed in the pump exhaust line for discharging the gas and the housing formed with the inlet and outlet of the gas, respectively, located in the housing and in the interior of the housing At least two trap rods moving in the up and down direction, the transfer portion for transporting the trap rod, and the cleaning liquid filled in the interior of the housing so that the water surface is located between the lowest point and the highest point of the movement of the trap rod It is technical feature.
또한, 본 발명의 상기 트랩봉은 상기 트랩봉의 개수만큼의 가지가 방사형으로 형성된 지지대의 각 단부에 각각 고정되고, 상기 이송부는 상기 지지대를 회전하여 상기 트랩봉들을 이동시킨다.In addition, the trap rods of the present invention are fixed to each end of the support as the number of the number of the trap rods radially formed, the transfer portion rotates the support to move the trap rods.
또한, 본 발명의 상기 지지대의 중심에는 회전축이 고정되고, 상기 회전축의 단부는 상기 하우징을 관통하여 위치하며, 상기 이송부는 모터로서 상기 회전축에 연결된다.In addition, a rotating shaft is fixed to the center of the support of the present invention, the end of the rotating shaft is located through the housing, the transfer unit is connected to the rotating shaft as a motor.
또한, 본 발명의 상기 트랩봉의 이동궤적의 최상단 지점은 상기 하우징의 흡입구와 상기 하우징의 배출구에 대응한다.In addition, the uppermost point of the movement trajectory of the trap rod of the present invention corresponds to the inlet of the housing and the outlet of the housing.
또한, 본 발명의 상기 하우징의 하단에는 상기 세정액이 유입되는 공급라인과 배출라인이 연결된다.In addition, the lower end of the housing of the present invention is connected to the supply line and the discharge line in which the cleaning liquid is introduced.
또한, 본 발명의 상기 하우징의 하단에는 초음파발생기가 장착된다.In addition, an ultrasonic generator is mounted on the lower end of the housing of the present invention.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 펌프배기라인의 냉각 트랩장치를 이용한 파우 더 제거방법에 있어서, 상기 하우징 내부로 상기 가스가 유입되는 단계와, 상기 트랩봉이 이동하는 단계와, 상기 가스가 냉각되어 상기 트랩봉의 표면에 파우더가 생성되는 단계와, 상기 트랩봉에 생성된 상기 파우더를 세정하는 단계 및, 상기 냉각된 가스가 상기 하우징에서 배출되는 단계를 포함하는 것을 기술적 특징으로 한다.Further, according to the present invention, in the method for removing the powder using a cooling trap device of the pump exhaust line, the step of introducing the gas into the housing, the step of moving the trap rod, the gas is cooled to the It is characterized in that it comprises the step of generating powder on the surface of the trap rod, the step of cleaning the powder generated in the trap rod, and the step of the cooled gas is discharged from the housing.
아래에서, 본 발명에 따른 펌프배기라인의 냉각 트랩장치 및 이를 이용한 파우더 제거방법의 양호한 실시예를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명하겠다.In the following, with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the cooling trap device of the pump exhaust line and the powder removal method using the same according to the present invention will be described in detail.
도면에서, 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 냉각 트랩장치가 설치된 화학기상증착장치 설비의 펌프배기라인을 나타낸 구조도이고, 도 4는 도 3에 도시된 냉각 트랩장치의 사시도이며, 도 5는 도 4에 도시된 냉각 트랩장치의 작동관계를 나타낸 정면도이다.3 is a structural diagram showing a pump exhaust line of a chemical vapor deposition apparatus installed with a cooling trap device according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a perspective view of the cooling trap device shown in Figure 3, Figure 5 4 is a front view showing an operation relationship of the cooling trap device shown in FIG.
도 3에 도시된 바와 같이, 펌프(20)와 파우더 트랜스퍼(30)를 연결하는 배기라인(L2; L2f, L2b)에 냉각 트랩장치(100)가 설치된다. 이런 냉각 트랩장치(100)는 배기라인(L2f)을 통해 배출되는 가스의 온도를 냉각하여 파우더를 생성시킨 후에 파우더를 제거한다.As shown in FIG. 3, the
아래에서는 이와 같은 냉각 트랩장치에 대해 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, such a cooling trap device will be described in more detail.
냉각 트랩장치(100)는 도 4에 도시된 바와 같이, 펌프(20)로부터 연장된 배기라인(L2f)과 파우더 트랜스퍼(30) 쪽으로 연장된 배기라인(L2b)이 연결된 하우징(101)과, 하우징(101)의 내부에 위치하여 회전하는 4개의 트랩봉(110)과, 원의 궤적을 그리며 회전하는 4개의 트랩봉(110)들이 침지될 수 있도록 상기 궤적의 최하단 지점보다 높은 수위를 유지하는 초음파 세정액(130)을 포함한다.
As shown in FIG. 4, the
한편 4개의 트랩봉(110)은 지지대(113)에 의해 연결되는데, 지지대(113)는 중간부가 상호 직각으로 교차한 구조로서 4개의 단부가 형성되며, 각 단부에 각각 트랩봉(110)이 고정된다. 그리고 지지대(113)의 교차지점에는 회전축(121)이 연결되어 하우징(101) 바깥으로 돌출되며, 회전축(121)에는 모터(120)가 장착된다. 따라서 모터(120)의 회전에 의해 지지대(113)는 회전하고, 회전하는 지지대(113)에 의해 4개의 트랩봉(110)은 원 궤적을 그리며 회전한다.Meanwhile, the four
이런 트랩봉(110)의 원 궤적에 있어서, 원 궤적의 최상단이 흡입구(103)와 배출구(105)에 대응하여 위치하는 것이 바람직하며, 최하단은 초음파 세정액(130)의 수면 아래에 위치한다. 따라서 트랩봉(110)은 모터(120)의 회전에 의해 회전하면서 초음파 세정액(130)에 침지되어 냉각되고, 초음파 세정액(130)의 수면 밖으로 나오면서 가스와 접하게 된다.In the circular locus of the
한편 하우징(101)의 하단부에는 초음파 세정액(130)을 하우징(101)의 내부로 공급하는 세정액 공급라인(131)과, 파우더를 세정한 초음파 세정액(130)을 배출하는 세정액 배출라인(133)이 연결되며, 초음파발생기(140)가 장착되어 침지된 트랩봉(110)에서 파우더를 분리한다.On the other hand, at the lower end of the
아래에서는 이와 같이 구성된 펌프배기라인의 냉각 트랩장치의 작동관계에 대해 설명한다.The following describes the operation relationship of the cooling trap device of the pump exhaust line configured as described above.
도 5에 도시된 바와 같이, 펌프(20)에서 배출된 가스는 하우징(101)의 흡입구(103)를 통해 하우징(101) 내부로 흡입되고, 다시 배출구(105)를 통해 파우더 트랜스퍼(30)로 배출되는데, 배기라인(L2f)을 통해 흡입구(103)로 흡입된 가스는 배 기라인(L2f)의 면적보다 넓은 하우징(101)의 내부로 진입하면서 그 압력이 크게 떨어지게 되고, 그 만큼 하우징(101) 내부의 가스유속 또한 배기라인(L2f)에서의 가스유속보다 상대적으로 느리게 된다. 따라서, 하우징(101)의 내부로 흡입된 가스는 상대적으로 느린 유속으로 트랩봉(110)과 장시간 접하게 되는데, 초음파 세정액(130)에 의해 냉각된 트랩봉(110)과 가스가 접하면서 트랩봉(110)의 표면에서는 파우더가 생성된다.As shown in FIG. 5, the gas discharged from the
이와 같이 트랩봉(110)이 초음파 세정액(130)의 수면 위에 위치할 경우에는 가스와 접하여 트랩봉(110)의 표면에 파우더가 생성되고, 모터(120)의 회전에 의해 트랩봉(110)이 초음파 세정액(130)의 수면 아래로 침지되었을 때에 세정 및 냉각된다. 초음파 세정액(130)은 하우징(101)의 하단에 연결된 배출라인(133)을 통해 배출되고, 하우징(101)의 내부로는 초음파 세정액(130)의 공급라인(131)을 통해 초음파 세정액(130)이 보충된다.As such, when the
한편 모터(120)에 의해 회전하는 트랩봉(110)에 있어서, 원 궤적의 최상단이 하우징(101)의 흡입구(103)와 배출구(105)의 사이에 위치하는 것이 바람직하다. 그 이유는 흡입구(103)를 통해 흡입된 가스가 배출구(105)를 통해 배출되는 과정에서, 트랩봉(110)이 흡입구(103)와 배출구(105)의 사이에 위치하면 가스가 트랩봉(110)의 전 표면적에서 접하여 열전달이 이루어지며, 그에 비례하여 파우더 생성량도 많아지면서 파우더 제거효과가 향상되기 때문이다.On the other hand, in the
하지만, 트랩봉(110)이 흡입구(103)와 배출구(105)의 사이에 위치함에 있어서, 트랩봉(110)의 직경이 너무 크면 가스의 유동을 방해하기 때문에 트랩봉(110) 의 크기는 배기라인의 내경에 대비 약 10% 정도임이 바람직하다.However, when the
한편, 앞에서 설명한 실시예에서는 화학기상증착장치의 배기라인을 한 예로 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않고 식각(Etch)장치 등 파우더가 생성되는 배기라인에 적용될 수 있다.Meanwhile, in the above-described embodiment, the exhaust line of the chemical vapor deposition apparatus has been described as an example, but the present invention is not limited thereto, and may be applied to the exhaust line where powder is generated, such as an etching apparatus.
앞서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 펌프배기라인의 냉각 트랩장치 및 이를 이용한 파우더 제거방법은 펌프에서 배출된 가스에서 생성될 수 있는 파우더를 펌프 바로 후방에서 제거한 후에 배기라인으로 배출함으로써, 가스가 배기라인을 따라 유동하는 과정에서 파우더가 생성되지 않는다. 따라서 배기라인이 막히는 문제점을 해결한다.As described in detail above, the cooling trap device of the pump exhaust line of the present invention and the powder removal method using the same by removing the powder that can be generated from the gas discharged from the pump immediately behind the pump and then discharged to the exhaust line, gas is exhausted No powder is produced during the flow along the line. This solves the problem of clogging the exhaust line.
또한, 본 발명의 펌프배기라인의 냉각 트랩장치 및 이를 이용한 파우더 제거방법은 파우더가 생성됨과 동시에 바로 세정하여 파우더를 제거할 수 있으므로, 트랩장치의 내부에서 파우더에 의한 작동정지 등의 문제점이 발생하지 않는다는 장점이 있다.In addition, the cooling trap device and the powder removal method using the same of the pump exhaust line of the present invention can remove the powder by washing at the same time as the powder is generated, there is no problem such as operation stop by the powder inside the trap device There is an advantage.
이상에서 본 발명의 펌프배기라인의 냉각 트랩장치 및 이를 이용한 파우더 제거방법에 대한 기술사상을 첨부도면과 함께 서술하였지만, 이는 본 발명의 가장 양호한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다.The technical idea of the cooling trap device and the powder removal method using the same of the pump exhaust line of the present invention has been described above with the accompanying drawings, but this is illustrative of the best embodiment of the present invention to limit the present invention no.
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030090489A KR100837543B1 (en) | 2003-12-12 | 2003-12-12 | Cooling Trap Apparatus of pump exhaust line and Powder Removing Method using the Cooling Trap Apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030090489A KR100837543B1 (en) | 2003-12-12 | 2003-12-12 | Cooling Trap Apparatus of pump exhaust line and Powder Removing Method using the Cooling Trap Apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050058563A KR20050058563A (en) | 2005-06-17 |
KR100837543B1 true KR100837543B1 (en) | 2008-06-12 |
Family
ID=37251905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030090489A KR100837543B1 (en) | 2003-12-12 | 2003-12-12 | Cooling Trap Apparatus of pump exhaust line and Powder Removing Method using the Cooling Trap Apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100837543B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220081116A (en) | 2020-12-08 | 2022-06-15 | 주식회사 한화 | Cleaning apparatus for powder trap of semiconductor manufacturing facility and cleaning method of powder trap using the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010051559A (en) * | 1999-11-10 | 2001-06-25 | 마에다 시게루 | Trap apparatus |
KR20020080926A (en) * | 2001-04-18 | 2002-10-26 | 삼성전자 주식회사 | Pump exhaust line for minimizing powder outbreak in cvd equipment |
-
2003
- 2003-12-12 KR KR1020030090489A patent/KR100837543B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010051559A (en) * | 1999-11-10 | 2001-06-25 | 마에다 시게루 | Trap apparatus |
KR20020080926A (en) * | 2001-04-18 | 2002-10-26 | 삼성전자 주식회사 | Pump exhaust line for minimizing powder outbreak in cvd equipment |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220081116A (en) | 2020-12-08 | 2022-06-15 | 주식회사 한화 | Cleaning apparatus for powder trap of semiconductor manufacturing facility and cleaning method of powder trap using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050058563A (en) | 2005-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7387968B2 (en) | Batch photoresist dry strip and ash system and process | |
TWI427684B (en) | Methods and apparatus for in-situ substrate processing | |
TWI419258B (en) | System and method for forming patterned copper lines through electroless copper plating | |
KR20060045448A (en) | Proximity meniscus manifold | |
TW200908135A (en) | Methods and apparatus for cleaning deposition chamber parts using selective spray etch | |
JP2001140076A (en) | Improved method for removing residue from exhaust line of substrate treatment chamber to deposit silicon- oxygen-carbon | |
KR100800377B1 (en) | Equipment for chemical vapor deposition | |
JP3013652B2 (en) | Exhaust device and its cleaning method | |
TW201024547A (en) | Method for cleaning a vacuum pump | |
JPWO2002011912A1 (en) | Method and apparatus for preventing solid product adhesion in exhaust gas pipe, and exhaust gas treatment apparatus provided with the same | |
KR100837543B1 (en) | Cooling Trap Apparatus of pump exhaust line and Powder Removing Method using the Cooling Trap Apparatus | |
JP7128078B2 (en) | Abatement device, method for replacing piping of abatement device, and method for cleaning pipe of abatement device | |
JP5133923B2 (en) | Trap device | |
JP4067076B2 (en) | Liquid processing method and liquid processing apparatus | |
JP2007317927A (en) | Unit and method for processing substrate | |
CN201930874U (en) | Wafer surface liquid spraying device | |
TWI722578B (en) | Apparatus and method for pumping gases from a chamber | |
JP3676957B2 (en) | Resist stripping device | |
US11221182B2 (en) | Apparatus with multistaged cooling | |
US20030051742A1 (en) | Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution II | |
US20040009669A1 (en) | Method of removing polymer and apparatus for doing the same | |
JPH1099635A (en) | Exhaust gas treatment for cvd device and exhaust gas treating device | |
JP2002270592A (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
JP2002208577A (en) | Substrate treatment device and substrate treating method | |
JP7462743B2 (en) | LIQUID SUPPLY MECHANISM, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |