KR100832896B1 - 이미지센서 모듈의 제조 방법 및 이를 포함하는 카메라모듈의 제조 방법 - Google Patents

이미지센서 모듈의 제조 방법 및 이를 포함하는 카메라모듈의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이미지센서 모듈의 제조 방법을 개선하여, 이미지센서의 이물 불량을 방지함과 아울러 제조 공정을 단순화하여 생산성을 향상시키기 위한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 다이싱 장치의 제1 블레이드로 글라스의 상면 중 이미지센서의 접속 패드와 대응되는 영역에 일정 깊이를 갖는 트렌치(trench)를 가공하는 제1 다이싱 단계; 상기 글라스의 상면에 상기 이미지센서와의 본딩을 위한 접착제를 도포하는 접착제 도포 단계; 상기 글라스와 이미지센서를 정렬하여 상기 접착제를 통해 상호 본딩하는 본딩 단계; 상기 다이싱 장치의 제2 블레이드로 상기 글라스의 트렌치를 가공하여 상기 글라스를 분할하는 제2 다이싱 단계; 및 상기 다이싱 장치의 제3 블레이드로 상기 이미지센서를 스크라이브 라인을 중심으로 가공하여 단위 형태의 이미지센서 모듈로 분할하는 제3 다이싱 단계;를 포함하는 이미지센서 모듈의 제조 방법을 제공한다.
카메라 모듈, 이미지센서 모듈, 글라스, 다이싱, 블레이드, 적외선 차단 코팅층

Description

이미지센서 모듈의 제조 방법 및 이를 포함하는 카메라 모듈의 제조 방법{Method for manufacturing image sensor module and Method for manufacturing camera module having the same}
도 1은 종래 COB 방식의 카메라 모듈을 나타낸 단면도.
도 2는 도 1의 이미지센서를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법에 의해 제작된 이미지센서 모듈을 나타낸 단면도.
도 4a 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법을 나타낸 공정도.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법에 의해 제작된 이미지센서 모듈을 나타낸 단면도.
도 8a 내지 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법을 나타낸 공정도.
도 11은 도 3의 이미지센서 모듈이 적용된 카메라 모듈을 나타낸 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 200: 이미지센서 모듈 110, 210: 글라스
111, 211: 글라스의 상면 112, 212: 트렌치
120, 220: 이미지센서 121, 221: 마이크로 렌즈
122, 222: 접속 패드 130, 230: 접착제
310: 제1 블레이드 320: 제2 블레이드
330: 제3 블레이드
본 발명은 카메라 모듈에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 이미지센서의 이물 불량을 방지함과 아울러 제조 공정을 단순화하여 생산성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 모듈의 제조 방법 및 카메라 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.
현재 휴대폰 및 PDA 등과 같은 휴대용 단말기는 최근 그 기술의 발전과 더불어 단순한 전화기능 뿐만 아니라, 음악, 영화, TV, 게임 등으로 멀티 컨버전스로 사용되고 있으며, 이러한 멀티 컨버전스로의 전개를 이끌어 가는 것 중의 하나로서 카메라 모듈(camera module)이 가장 대표적이라 할 수 있다. 이러한 카메라 모듈은 기존의 30만 화소(VGA급)에서 현재 800만 화소 이상의 고화소 중심으로 변화됨과 동시에 오토포커싱(AF), 광학 줌(optical zoom) 등과 같은 다양한 부가 기능의 구현으로 변화되고 있다.
일반적으로, 카메라 모듈(CCM:Compact Camera Module)은 소형으로써 카메라폰이나 PDA, 스마트폰을 비롯한 휴대용 이동통신 기기 등의 다양한 IT 기기에 적용되고 있는 바, 최근에 이르러서는 소비자의 다양한 취향에 맞추어 소형의 카메라 모듈이 장착된 기기의 출시가 점차 늘어나고 있는 실정이다.
이와 같은 카메라 모듈은, CCD나 CMOS 등의 이미지센서를 주요 부품으로 하여 제작되고 있으며 상기 이미지센서를 통하여 사물의 이미지를 집광시켜 기기내의 메모리상에 데이터로 저장되고, 저장된 데이터는 기기내의 LCD 또는 PC 모니터 등의 디스플레이 매체를 통해 영상으로 디스플레이된다.
여기서, 상기 이미지센서는 광학 영상을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, CCD(Charge Coupled Device) 이미지센서는 개개의 MOS 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지센서는 제어회로 및 신호처리회로를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 순차적으로 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다. CMOS 이미지센서는 저전력 소비라는 큰 장점을 가지고 있기 때문에 휴대폰 등 개인 휴대용 단말기에 매우 유용하다.
이하, 종래 일반적인 COB 방식의 카메라 모듈에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 COB 방식의 카메라 모듈을 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1의 이미지센서를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래 카메라 모듈은 CCD나 CMOS의 이미지센서(12)가 와이어 본딩 방식에 의해서 장착된 인쇄회로기판(11)이 플라스틱 재질의 하우징(13) 하부에 결합되고, 상기 하우징(13) 상부로 연장된 경통(14)에 하부로 원통형 몸체(15)가 연장된 렌즈배럴(16)이 결합됨에 의해서 제작된다.
상기 카메라 모듈은 경통(14) 내주면에 형성된 암나사부(14a)와 원통형 몸체(15)의 외주면에 형성된 숫나사부(15a)의 나사 결합으로 하우징(13)과 렌즈배럴(16)이 상호 결합된다.
이때, 상기 인쇄회로기판(11)의 상부, 즉 렌즈배럴(16)의 하단부에 장착된 렌즈(L)와 상기 인쇄회로기판(11)의 상면에 부착된 이미지센서(12) 사이에는 적외선 차단 필터(18)가 결합됨으로써, 이미지센서(12)로 유입되는 과도한 장파장의 적외선을 차단시키게 된다.
상기와 같이 조립된 카메라 모듈은, 특정한 사물로부터 유입되는 빛이 렌즈(L)를 통과하면서 상이 반전되어 이미지센서(12)의 표면에 초점을 맞추게 되는 데, 이때 나사 결합에 의해서 하우징(13) 상단에 체결된 렌즈배럴(16)를 회전시키면서 최적의 초점이 맞춰진 지점에서 하우징(13)과 렌즈배럴(16)의 유격 사이로 접착제를 주입하여 하우징(13)과 렌즈배럴(16)를 접착 고정시켜 최종적인 카메라 모듈 제품이 생산된다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 종래 이미지센서(12)는 실리콘 재질의 웨이 퍼(12a)와, 상기 웨이퍼(12a)의 상부 중앙부위에 형성되는 마이크로 렌즈(12b)와, 인쇄회로기판(11)과의 전기적인 접속을 위한 와이어가 접속되는 패드(12c)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 이미지센서(12)는 상기 웨이퍼(12a) 상에 수광소자(미도시)가 형성되고, 상기 마이크로 렌즈(12b)는 상기 렌즈배럴(16)의 렌즈(L)를 통과하여 입사되는 광을 상기 수광소자로 집광시키는 역할을 한다.
그러나, 상기와 같이 구성된 종래 기술에 따른 이미지센서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래 이미지센서(12)는 마이크로 렌즈(12b)가 외부로 노출된 구조로 되어 있어, 외부로부터 이물질이 쉽게 유입되어 이물 불량에 따른 각종 제품 불량을 유발하고 신뢰성 및 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 본 발명의 목적은 이미지센서 모듈의 구조를 개선하여 이미지센서의 이물 불량을 방지함과 아울러 제조 공정을 단순화하여 생산성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 모듈의 제조 방법 및 카메라 모듈의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 형태에서는, 다이싱 장치의 제1 블레이드로 글라스의 상면 중 이미지센서의 접속 패드와 대응되는 영역에 일정 깊이를 갖는 트렌치(trench)를 가공하는 제1 다이싱 단계; 상기 글라스의 상면에 상기 이미지센서와의 본딩을 위한 접착제를 도포하는 접착제 도포 단계; 상기 글라스와 이미지센서를 정렬하여 상기 접착제를 통해 상호 본딩하는 본딩 단계; 상기 다이싱 장치의 제2 블레이드로 상기 글라스의 트렌치를 가공하여 상기 글라스를 분할하는 제2 다이싱 단계; 및 상기 다이싱 장치의 제3 블레이드로 상기 이미지센서를 스크라이브 라인을 중심으로 가공하여 단위 형태의 이미지센서 모듈로 분할하는 제3 다이싱 단계;를 포함하는 이미지센서 모듈의 제조 방법이 제공된다.
여기서, 상기 제1 블레이드의 가공 면적은 상기 제2 블레이드의 가공 면적보다 크게 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 블레이드의 가공 면적은 상기 제2 블레이드의 가공 면적보다 작게 형성될 수 있다.
이때, 상기 제2 블레이드의 절삭 깊이는 상기 제1 블레이드의 절삭 깊이 이상인 것이 바람직하다.
상기 이미지센서 모듈의 제조 방법은, 상기 접착제 도포 단계 전에 수행되고, 상기 글라스의 상면 중 상기 이미지센서의 마이크로 렌즈와 대응되는 영역에 적외선 차단 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 접착제는, 상기 글라스의 상면 중 상기 이미지센서의 마이크로 렌즈와 접속 패드 사이에 형성되는 영역과 대응되는 영역에 도포되고, 상기 이미지센서의 마이크로 렌즈의 높이보다 높은 두께로 도포되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 접착제는, 금속성 물질 또는 비금속성 물질로 형성된 무기 볼이 포함된 에폭시와 같은 접착제 조성물로 이루어지는 것이 보다 바람직하다.
한편, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 형태에 의하면, 다이싱 장치의 제1 블레이드로 글라스의 상면 중 이미지센서의 접속 패드와 대응되는 영역에 일정 깊이를 갖는 트렌치(trench)를 가공하는 제1 다이싱 단계, 상기 글라스의 상면에 상기 이미지센서와의 본딩을 위한 접착제를 도포하는 접착제 도포 단계, 상기 글라스와 이미지센서를 정렬하여 상기 접착제를 통해 상호 본딩하는 본딩 단계, 상기 다이싱 장치의 제2 블레이드로 상기 글라스의 트렌치를 가공하여 상기 글라스를 분할하는 제2 다이싱 단계, 및 상기 다이싱 장치의 제3 블레이드로 상기 이미지센서를 스크라이브 라인을 중심으로 가공하여 단위 형태의 이미지센서 모듈로 분할하는 제3 다이싱 단계를 포함하는 이미지센서 모듈 형성 단계; 상기 이미지센서 모듈을 기판에 실장하는 단계; 및 상기 기판의 상부에 하우징을 설치하는 단계;를 포함하는 카메라 모듈의 제조 방법이 제공된다.
이하, 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명된다.
제1 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법
먼저, 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법을 첨부된 도 3 내지 도 6을 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법은 크게 제1 다이싱 단계, 접착제 도포 단계, 본딩 단계, 제2 다이싱 단계 및 제3 다이싱 단계를 포함하여 구성된다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 제1 다이싱 단계는, 다이싱 장치의 제1 블레이드(310)로 글라스(110)의 상면 중 이미지센서(120:도 3 참조)의 접속 패드(122:도 3 참조)와 대응되는 영역에 일정 깊이를 갖는 트렌치(trench:112)를 가공하는 단계이다.
즉, 상기 제1 다이싱 단계는, 상기 글라스(110)를 상기 이미지센서(120)의 마이크로 렌즈(121:도 3 참조)에 대응되는 크기로 분할하기 위하여 일차적으로 글라스(110)를 구획하는 단계이다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 접착제 도포 단계는, 상기 글라스(110)의 상면에 상기 이미지센서(120)와의 본딩을 위한 접착제(130)를 도포하는 단계이다.
여기서, 상기 접착제(130)는, 상기 글라스(110)의 상면 중 상기 이미지센서(120)의 마이크로 렌즈(121)와 접속 패드(122) 사이에 형성되는 영역과 대응되는 영역에 도포되고, 상기 이미지센서(120)의 마이크로 렌즈(121)의 높이보다 높은 두께로 도포되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 접착제(130)는, 상기 이미지센서(120)의 마이크로 렌즈(121)의 높이보다 높은 두께로 도포되려면, 금속성 물질 또는 비금속성 물질로 형성된 무기 볼이 포함된 에폭시와 같은 접착제 조성물로 이루어지는 것이 보다 바람직하다.
즉, 상기 접착제(130)는, 접착제의 점도나 접착제가 받는 압력에 관계없이 접착층의 두께를 일정하고 균일하게 유지할 수 있는 무기 볼을 포함하는 에폭시, 폴리이미드, 우레탄, 실리콘 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 상기 본딩 단계는, 상기 글라스(110)와 이미지센서(120)를 정렬하여 상기 접착제(130)를 통해 상호 본딩하는 단계이다.
이때, 상기 글라스(110)와 이미지센서(120)의 본딩시, 상기 접착제(130)가 소정의 스페이서 역할을 하여 상기 이미지센서(120)의 마이크로 렌즈(121)는 상기 글라스(110)의 상면과 간섭없이 정렬될 수 있다.
또한, 상기 접착제(130)는 상기 마이크로 렌즈(121)의 외측을 둘러싸도록 구비됨에 따라 외부로부터 상기 마이크로 렌즈(121)로 이물질이 유입되는 것을 완전히 차단하여 마이크로 렌즈(121)의 이물 불량을 방지할 수 있다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 제2 다이싱 단계는, 상기 다이싱 장치의 제2 블레이드(320)로 상기 글라스(110)의 트렌치(112)를 가공하여 상기 글라스(110)를 분할하는 단계이다.
여기서, 상기 제2 블레이드(320)의 가공 면적은 상기 제1 블레이드(310)의 가공 면적보다 작게 형성될 수 있으며, 이때 상기 제2 블레이드(320)의 절삭 깊이는 상기 제1 블레이드(310)의 절삭 깊이 이상인 것이 바람직하다.
따라서, 상기 제2 다이싱 단계 이후, 상기 글라스(110)는 단위 형태의 글라스(110a)로 분할된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제3 다이싱 단계는, 상기 다이싱 장치의 제3 블레이드(330)로 상기 이미지센서(120)를 스크라이브 라인을 중심으로 가공하여 단위 형태의 이미지센서 모듈로 분할하는 단계이다.
즉, 상기 제3 다이싱 단계를 통해 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제작 공정이 완료되면 도 3에서와 같은 단위 형태의 이미지센서 모듈(100)이 생성된다.
한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법은, 상기 접착제 도포 단계 전에 수행되고 상기 글라스(110)의 상면 중 상기 이미지센서(120)의 마이크로 렌즈(121)와 대응되는 영역에 적외선 차단 코팅층(미도시)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
즉, 상기 글라스(110)의 제1 다이상 단계 이후에 상기 글라스의(110) 상면(111)에 적외선 차단 물질을 코팅하여, 상기 글라스(110)를 통해 상기 이미지센서(120)의 마이크로 렌즈(121)로 입사되는 빛에 포함된 적외선을 차단할 수 있다.
그리고, 상기 글라스(110)에 적외선 차단 코팅층이 형성됨에 따라 본 발명에 따른 이미지센서 모듈을 이용하여 카메라 모듈을 제작할 경우, 기존에 하우징에 부착되는 적외선 차단 부재(IR 필터)의 조립 과정을 삭제할 수 있기 때문에 제작 공정을 줄일 수 있고 제조 비용을 절감할 수 있어 카메라 모듈의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 적외선 차단 코팅층이 형성된 글라스(110)의 상면(111)이 상기 이미지센서(120)의 마이크로 렌즈(121)와 마주보는 상태에서 접착제(130)에 의해 외부와 차단되기 때문에, 외부로부터의 적외선 차단 코팅층의 이물 불량을 사전에 방지할 수 있다.
제2 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법
다음으로, 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법을 첨부된 도 7 내지 도 10을 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법은 상기 제1 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법과 유사하다.
다만, 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법은 제2 다이싱 단계에서 제2 블레이드의 가공 면적이 제1 다이싱 단계에서의 제1 블레이드의 가공 면적보다 크게 형성된다.
즉, 상기 제2 실시예의 제1 블레이드는 상기 제1 실시예의 제2 블레이드를 적용하고, 상기 제2 실시예의 제2 블레이드는 상기 제1 실시예의 제1 블레이드를 적용할 수 있다.
보다 상세하게 설명하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법은 크게 제1 다이싱 단계, 접착제 도포 단계, 본딩 단계, 제2 다이싱 단계 및 제3 다이싱 단계를 포함하여 구성된다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 상기 제1 다이싱 단계는, 다이싱 장치의 제1 블레이드(320)로 글라스(210)의 상면(211) 중 이미지센서(220)의 접속 패드(222)와 대응되는 영역에 일정 깊이를 갖는 트렌치(trench:212)를 가공하는 단계이다.
다시 말하면, 상기 제1 다이싱 단계는, 상기 글라스(210)를 상기 이미지센서(220)의 마이크로 렌즈(221)에 대응되는 크기로 분할하기 위하여 일차적으로 글라스(210)를 구획하는 단계이다.
이때, 상기 제1 블레이드(320)는 상술한 제1 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법에 적용된 제2 블레이드가 적용될 수 있다.
즉, 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서 모듈(200)의 제1 다이싱 단계에서 가공되는 트렌치(212)는 상술한 제1 실시예의 트렌치에 비해 작은 면적으로 형성된다.
도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 접착제 도포 단계는, 상기 글라스(210)의 상면(211)에 상기 이미지센서(220)와의 본딩을 위한 접착제(230)를 도포하는 단계이다.
여기서, 상기 접착제(230)는, 상기 글라스(210)의 상면(211) 중 상기 이미지센서(220)의 마이크로 렌즈(221)와 접속 패드(222) 사이에 형성되는 영역과 대응되는 영역에 도포된다.
즉, 본 발명의 제2 실시예의 접착제(230) 도포 위치는 상술한 제1 실시예의 접착제 도포 위치와 동일하다.
또한, 상기 이미지센서(220)의 마이크로 렌즈(221)의 높이보다 높은 두께로 도포되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 접착제(230)는, 상기 이미지센서(220)의 마이크로 렌즈(221)의 높이보다 높은 두께로 도포되어 글라스(210)의 상면(211)과 마이크로 렌즈(221) 사 이의 간섭을 방지하도록, 금속성 물질 또는 비금속성 물질로 형성된 무기 볼이 포함된 에폭시와 같은 접착제 조성물로 이루어지는 것이 보다 바람직하다.
즉, 상기 접착제(230)는, 접착제의 점도나 접착제가 받는 압력에 관계없이 접착층의 두께를 일정하고 균일하게 유지할 수 있는 무기 볼을 포함하는 에폭시, 폴리이미드, 우레탄, 실리콘 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
도 9a에 도시된 바와 같이, 상기 본딩 단계는, 상기 글라스(210)와 이미지센서(220)를 정렬하여 상기 접착제(230)를 통해 상호 본딩하는 단계이다.
이때, 상기 글라스(210)와 이미지센서(220)의 본딩시, 상기 접착제(230)가 소정의 스페이서 역할을 하여 상기 이미지센서(220)의 마이크로 렌즈(221)는 상기 글라스(210)의 상면(211)과 간섭없이 위치될 수 있다.
또한, 상기 접착제(230)는 상기 마이크로 렌즈(221)의 외측을 둘러싸도록 구비됨에 따라 외부로부터 상기 마이크로 렌즈(221)로 이물질이 유입되는 것을 완전히 차단하여 마이크로 렌즈(221)의 이물 불량을 방지할 수 있다.
도 9b에 도시된 바와 같이, 상기 제2 다이싱 단계는, 상기 다이싱 장치의 제2 블레이드(310)로 상기 글라스(210)의 트렌치(212)를 가공하여 상기 글라스(210)를 분할하는 단계이다.
이때, 상기 제2 블레이드(310)는 상술한 제1 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법에 적용된 제1 블레이드가 적용될 수 있다.
즉, 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서 모듈(200)의 제2 다이싱 단계에서 트렌치(212) 가공시 사용되는 제2 블레이드(310)는 상기 제1 다이싱 단계에서 트렌치(212) 형성시 사용되는 제1 블레이드(320)의 가공 면적보다 크게 형성된다.
이때, 상기 제2 블레이드(310)의 절삭 깊이는 상기 제1 블레이드(320)의 절삭 깊이 이상인 것이 바람직하다.
따라서, 상기 제2 다이싱 단계 이후, 상기 글라스(210)는 단위 형태의 글라스(210a)로 분할되며, 상기 분할된 글라스(210a)의 테두리의 단면 형상이 'ㄴ"자 형상으로 상기 제1 실시예의 분할된 글라스(110a:도 6 참조)의 테두리의 단면 형상이 "ㄱ"자 형상인 것과 대칭된다.
도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제3 다이싱 단계는, 상기 다이싱 장치의 제3 블레이드(330)로 상기 이미지센서(220)를 스크라이브 라인을 중심으로 가공하여 단위 형태의 이미지센서 모듈로 분할하는 단계이다.
즉, 상기 제3 다이싱 단계를 통해 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제작 공정이 완료되면 도 7에서와 같은 단위 형태의 이미지센서 모듈(200)이 생성된다.
한편, 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서 모듈의 제조 방법 역시 상술한 제1 실시예와 동일하게, 상기 접착제 도포 단계 전에 수행되고 상기 글라스(210)의 상면(211) 중 상기 이미지센서(220)의 마이크로 렌즈(221)와 대응되는 영역에 적외선 차단 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
즉, 상기 글라스(210)의 제1 다이싱 단계 이후에 상기 글라스(210)의 상면에 적외선 차단 물질을 코팅하여, 상기 글라스(210)를 통해 상기 이미지센서(220)의 마이크로 렌즈(221)로 입사되는 빛에 포함된 적외선을 차단할 수 있다.
그리고, 상기 글라스(210)에 적외선 차단 코팅층이 형성됨에 따라 본 발명에 따른 이미지센서 모듈(200)을 이용하여 카메라 모듈을 제작할 경우, 기존에 하우징에 부착되는 적외선 차단 부재(IR 필터)의 조립 과정을 삭제할 수 있기 때문에 제작 공정을 줄일 수 있고 제조 비용을 절감할 수 있어 카메라 모듈의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 적외선 차단 코팅층이 형성된 글라스(210)의 상면(211)이 상기 이미지센서(220)의 마이크로 렌즈(221)와 마주보는 상태에서 접착제(230)에 의해 외부와 차단되기 때문에, 외부로부터 적외선 차단 코팅층의 이물 불량을 사전에 방지할 수 있다.
카메라 모듈의 제조 방법
본 발명의 일 실시예에 따른 카메라 모듈의 제조 방법을 첨부된 도 11을 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 일 실시예에 따른 카메라 모듈의 제조 방법은 상술한 제1 실시예에 의한 이미지센서 모듈이 적용된 것이다.
물론, 상술한 제2 실시예에 의한 이미지센서 모듈이 적용되는 카메라 모듈의 제조 방법은 동일하므로 이에 대한 설명은 생략한다.
도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 카메라 모듈의 제조 방법은, 상술한 본 발명의 제1 실시예에 의한 이미지센서 모듈(100)의 제조 방법인 이미지센서 모듈 형성 단계와, 상기 이미지센서 모듈(100)을 기판(410)에 실장하는 단계 및 상기 기판(410)의 상부에 하우징(430)을 설치하는 단계를 포함하여 구성된다.
보다 상세하게 설명하면, 상기 이미지센서 모듈 형성 단계는 전술한 바와 같이, 제1 다이싱 단계, 접착제 도포 단계, 제2 다이싱 단계, 제3 다이싱 단계를 포함하여 구성되며, 상기 제2 다이싱 단계 전에 적외선 차단 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하여 구성될 수 있다.
그리고, 상기와 같이 제조된 이미지센서 모듈(100)을 기판(410)에 실장한다.
이때, 상기 이미지센서 모듈(100)은 상측 외곽부에 형성된 접속 패드(122)를 와이어를 통해 기판(410)과 전기적으로 연결시킴에 따라 기판(410)의 상부 중앙에 실장될 수 있다.
그리고, 상기 기판(410)과 하우징(430)을 접착제를 통해 상호 본딩한다.
다음, 내부에 하나 이상의 렌즈(L)가 장착된 렌즈배럴(460)을 상기 하우징(430)과 나사 방식으로 체결하고, 상기 렌즈(L)의 포커싱 조정 후 상기 하우징(430)과 렌즈배럴(460)을 고정하면 카메라 모듈의 제작이 완료된다.
상기와 같이 본 발명에 따른 이미지센서 모듈을 이용하여 카메라 모듈을 제작할 경우, 기존에 하우징에 부착되는 적외선 차단 부재(IR 필터)의 조립 과정을 삭제할 수 있기 때문에 제작 공정을 줄일 수 있고 제조 비용을 절감할 수 있어 카메라 모듈의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 적외선 차단 코팅층이 형성된 글라스의 상면이 상기 이미지센서 의 마이크로 렌즈와 마주보는 상태에서 접착제에 의해 외부와 차단되기 때문에, 외부로부터 적외선 차단 코팅층의 이물 불량 및 마이크로 렌즈의 이물 불량을 사전에 방지하여 신뢰성 및 생산성을 더욱 향상시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 개시된 실시예에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의한 이미지센서 모듈의 제조 방법 및 카메라 모듈의 제조 방법에 의하면, 이미지센서 모듈의 구조를 개선하여 각종 이물 불량을 방지함과 아울러 제조 공정을 단순화하고 제조 비용을 절감할 수 있으며, 이로 인해 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

Claims (8)

  1. 다이싱 장치의 제1 블레이드로 글라스의 상면 중 이미지센서의 접속 패드와 대응되는 영역에 트렌치(trench)를 가공하는 제1 다이싱 단계;
    상기 글라스의 상면에 상기 이미지센서와의 본딩을 위한 접착제를 도포하는 접착제 도포 단계;
    상기 글라스와 이미지센서를 정렬하여 상기 접착제를 통해 상호 본딩하는 본딩 단계;
    상기 다이싱 장치의 제2 블레이드로 상기 글라스의 트렌치를 가공하여 상기 글라스를 분할하는 제2 다이싱 단계; 및
    상기 다이싱 장치의 제3 블레이드로 상기 이미지센서를 스크라이브 라인을 중심으로 가공하여 단위 형태의 이미지센서 모듈로 분할하는 제3 다이싱 단계;
    를 포함하는 이미지센서 모듈의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 블레이드의 가공 면적은 상기 제2 블레이드의 가공 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 블레이드의 가공 면적은 상기 제2 블레이드의 가공 면적보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제2 블레이드의 절삭 깊이는 상기 제1 블레이드의 절삭 깊이보다 크고 상기 글라스의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 접착제 도포 단계 전에 수행되고, 상기 글라스의 상면 중 상기 이미지센서의 마이크로 렌즈와 대응되는 영역에 적외선 차단 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 접착제는, 상기 글라스의 상면 중 상기 이미지센서의 마이크로 렌즈와 접속 패드 사이에 형성되는 영역과 대응되는 영역에 도포되는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조 방법.
  7. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    상기 접착제는, 금속성 물질 또는 비금속성 물질로 형성된 무기 볼이 포함된 에폭시와 같은 접착제 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조 방법.
  8. 다이싱 장치의 제1 블레이드로 글라스의 상면 중 이미지센서의 접속 패드와 대응되는 영역에 트렌치(trench)를 가공하는 제1 다이싱 단계, 상기 글라스의 상면에 상기 이미지센서와의 본딩을 위한 접착제를 도포하는 접착제 도포 단계, 상기 글라스와 이미지센서를 정렬하여 상기 접착제를 통해 상호 본딩하는 본딩 단계, 상기 다이싱 장치의 제2 블레이드로 상기 글라스의 트렌치를 가공하여 상기 글라스를 분할하는 제2 다이싱 단계, 및 상기 다이싱 장치의 제3 블레이드로 상기 이미지센서를 스크라이브 라인을 중심으로 가공하여 단위 형태의 이미지센서 모듈로 분할하는 제3 다이싱 단계를 포함하는 이미지센서 모듈 형성 단계;
    상기 이미지센서 모듈을 기판에 실장하는 단계; 및
    상기 기판의 상부에 하우징을 설치하는 단계;
    를 포함하는 카메라 모듈의 제조 방법.
KR1020070011076A 2007-02-02 2007-02-02 이미지센서 모듈의 제조 방법 및 이를 포함하는 카메라모듈의 제조 방법 KR100832896B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050109140A (ko) * 2004-05-14 2005-11-17 한성엘컴텍 주식회사 카메라모듈의 하우징 조립방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050109140A (ko) * 2004-05-14 2005-11-17 한성엘컴텍 주식회사 카메라모듈의 하우징 조립방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111892015A (zh) * 2020-07-15 2020-11-06 杭州见闻录科技有限公司 一种mems器件的晶圆级封装方法和封装结构
CN111892015B (zh) * 2020-07-15 2021-05-25 见闻录(浙江)半导体有限公司 一种mems器件的晶圆级封装方法和封装结构

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