KR100831025B1 - 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치 - Google Patents

반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100831025B1
KR100831025B1 KR1020070070572A KR20070070572A KR100831025B1 KR 100831025 B1 KR100831025 B1 KR 100831025B1 KR 1020070070572 A KR1020070070572 A KR 1020070070572A KR 20070070572 A KR20070070572 A KR 20070070572A KR 100831025 B1 KR100831025 B1 KR 100831025B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
chamber
uncoiler
gradually
range
Prior art date
Application number
KR1020070070572A
Other languages
English (en)
Inventor
이영익
강건
최정환
Original Assignee
(주) 세기정밀
강건
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주) 세기정밀, 강건 filed Critical (주) 세기정밀
Priority to KR1020070070572A priority Critical patent/KR100831025B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100831025B1 publication Critical patent/KR100831025B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치에 관한 것으로, 보다 상세히는 주석 또는 주석 합금을 도금한 반도체의 리드 프레임 표면에 휘스커가 발생하는 것을 억제하기 위하여, 권취된 띠 형상의 리드 프레임을 풀어주는 언코일러; 상기 언코일러에서 공급되는 리드 프레임의 표면 온도를 일정 온도까지 점진적으로 상승시키고 유지한 후 점진적으로 하강시킨 다음, 세척 및 건조하여 상기 리드 프레임의 도금 표면을 융착 평탄화시켜 휘스커의 발생을 억제하는 리플로우 유닛; 상기 리플로우 유닛으로부터 배출되는 리드 프레임을 권취하는 리코일러; 및 상기 언코일러와 리코일러의 구동 및 회전속도, 상기 리플로우 유닛의 온도 제어 및 세척수 공급을 제어하는 콘트롤러;를 포함하는 것을 기술적 요지로 하여 전기적 단락 등 반도체 부품에 치명적인 오작동의 원인이 되는 휘스커의 발생을 미연에 방지할 수 있도록 하는 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치에 관한 것이다.
Figure R1020070070572
리드 프레임, 커넥터, 휘스커, 주석, 리플로우 유닛, 언코일러, 리코일러

Description

반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치{Apparatus for preventing whisker of semiconductor parts}
본 발명은 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치에 관한 것으로, 주석 또는 주석 합금이 도금된 리드 프레임을 리플로우 유닛에 공급하여 표면을 처리함으로써 전기적 단락 등 반도체 부품에 치명적인 오작동의 원인이 되는 휘스커의 발생을 미연에 방지할 수 있도록 하는 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치에 관한 것이다.
통상, 반도체 부품인 리드 프레임(lead frame)이나 커넥터의 표면에는 용접성과 내식성의 향상을 위하여 주석 또는 주석 합금(일반적으로 Sn-15%Pb, Sn100% 또는 Sn-Cu 도금)으로 도금 처리되어 있다.
여기서, Sn-15%Pb 합금은 최근 환경 오염의 우려가 있는 납 성분 때문에 각국에서 사용을 규제하고 있는 실정이므로, 최근에는 Sn100% 또는 Sn-Cu 도금, 더욱 상세히는 내식성과 외관의 향상을 위하여 무광택 도금을 실시하여 사용하게 되는 것이다.
그러나, 무광택 도금은 도금된 금속 표면, 특히 Sn100%일 경우, 주석의 산화 와 더불어 주석 도금 조직이 압축 응력을 포함한 다양한 스트레스를 받게 되면, 상기와 같은 스트레스를 해소하기 위하여 일정 시간이 경과할 경우 도금된 리드 프레임 또는 커넥터의 표면에 도 1 내지 도 5와 같이 수염처럼 휘스커(whisker)가 발생하게 되는 문제점이 있었다.
상기 휘스커는 Sn100%인 주석 도금일 경우 보통 상온에서 2,000시간 정도 방치해 두었을 때, 100 내지 200㎛까지 성장하는 것으로 알려져 있으며, 발생된 휘스커는 전기적 단락을 발생시켜 제품 오작동을 유발하는 원인으로 작용하게 되므로 반드시 제거하여야 하는 것이다.
상기와 같은 관점에서 안출된 것으로 대한민국 공개특허 제10-2007-0037494호의 "피복 구리, 휘스커의 발생 억제 방법, 프린트 배선 기판 및반도체 장치"(이하 '선행기술')와 같은 것을 들 수 있으며, 상기 선행기술은 배선 패턴 등의 주석 도금된 구리 표면으로부터 휘스커의 발생을 억제하기 위하여 일정시간 가열하는 여러가지 실시예로써 회로기판 표면을 가열하여 휘스커를 억제하는 원리이다.
그러나, 상기 선행기술은 구리 표면에 주석 도금이 된 것을 가열하여 구리 확산 주석층의 두께를 적절히 조정하여 어느 정도 휘스커를 억제하고자 하는데 목적이 있는 바, 고정밀도를 요하며 크기가 매우 작으며 복잡한 형상의 반도체 부품에는 적용하기 힘든 문제점이 있었다.
상기 선행기술은 다양한 실시예에서도 알 수 있듯이 구리 또는 구리 합금 기재 표면의 주석을 비교적 장시간에서 낮은 온도로 가열하므로, 일정시간 동안의 휘스커 성장 억제는 가능할지라도 결국 장시간 경과 후 성장한 휘스커로 인한 반도체 부품의 전기적 단락 등의 치명적인 오작동 등은 필연적으로 발생하게 되는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 반도체 부품의 불량률 저감과 함께 전기적 단락 등 반도체 부품에 치명적인 오작동의 원인이 되는 휘스커의 발생을 미연에 방지할 수 있도록 하는 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치를 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 주석 또는 주석 합금을 도금한 반도체의 리드 프레임 또는 커넥터와 같은 대상물의 표면에 휘스커가 발생하는 것을 방지하기 위한 장치에 있어서, 권취된 띠 형상의 리드 프레임을 풀어주는 언코일러; 상기 언코일러에서 공급되는 대상물의 표면 온도를 일정 온도까지 점진적으로 상승시키고 유지한 후 점진적으로 하강시킨 다음, 세척 및 건조하여 상기 대상물의 도금 표면을 융착 평탄화시켜 휘스커의 발생을 방지하는 리플로우 유닛; 상기 리플로우 유닛으로부터 배출되는 대상물을 권취하는 리코일러; 및 상기 언코일러와 리코일러의 구동 및 회전속도, 상기 리플로우 유닛의 온도 제어 및 세척수 공급을 제어하는 콘트롤러;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 구성의 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
우선, 점진적으로 상승시킨 온도를 유지한 후 점진적으로 하강시키는 가열챔버에 반도체 부품인 대상물을 통과시켜 대상물 표면의 주석 또는 주석 합금을 융착 평탄화하는 구성을 채택함으로써 고정밀도를 요구하는 반도체 부품의 전기적 단락과 같은 오작동을 미연에 방지할 수 있는 특장점이 있다.
그리고, 언코일러에서 공급되는 대상물을 가열챔버와 린스챔버 및 건조챔버를 순차 통과시키고 리코일러로 재권취하는 구성을 채택함으로써 대상물 표면의 주석 도금을 융착 평탄화시키는 일련의 리플로우 공정을 하나의 장치로 연속적인 실시가 가능하다는 점에서 매우 효율적이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명에 따른 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치의 전체적인 구성을 나타내는 개념도로서, 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치는 크게 언코일러(100), 리플로우 유닛(200), 리코일러(300) 및 컨트롤러(400)로 이루어진 것임을 알 수 있다.
상기 언코일러(100)는 반도체 부품 생산을 위한 리드 프레임 또는 커넥터를 절단하기 전 상태로 권취된 띠 형상의 대상물(500)을 풀어주면서 후술할 리플로우 유닛(200)에 공급하는 것으로, 권취 롤러(110)를 본 발명에 따른 장치에 장착하고 언코일 롤러(120)를 통하여 비틀리거나 꼬임없이 원활하게 풀려나가도록 하면서 가이드 롤러(130)를 거쳐 공급되는 것이다.
한편, 상기 리플로우 유닛(200)은 상기 언코일러(100)에서 공급되는 대상물(500)을 투입하는 방향을 따라 순차적으로 가열, 세척 및 건조하여 상기 대상 물(500)의 주석 도금 표면을 융착 평탄화시키면서 휘스커 발생을 방지하는 것으로, 크게 가열챔버(210), 린스챔버(220) 및 건조챔버(230)로 이루어진다.
상기 가열챔버(210)는 상기 언코일러(100)에서 공급되는 대상물(500)의 공급방향과 평행하게 가열 코일(이하 미도시)이 설치되어 대상물의 표면에 도금된 주석의 휘스커가 발생하지 못하도록 융착 평탄화시키는 역할을 수행하게 되며, 크게 온도 상승챔버(212), 온도 유지챔버(214) 및 온도 하강챔버(216)로 이루어지게 된다.
여기서, 상기 가열챔버(210)는 가열 코일에 의한 복사열 전달로써 상기 대상물(500)의 도금 표면을 융착 가열하여 평탄화시키는 공간을 제공하는 것이라 할 수 있다.
상기 가열챔버(210)의 온도는 상기 대상물(500) 표면의 주석 도금의 용융 온도보다는 상대적으로 낮은 온도, 도 1 내지 도 5에 나타난 전자 현미경 사진과 같이 표면이 불규칙하며 평탄하지 못한 상기 대상물(500) 표면을 평탄하게 융착시킬 정도의 온도를 유지시키도록 하는 것이 바람직하며, 이는 후술할 실시예에서 상세히 설명하기로 한다.
상기 온도 상승챔버(212)는 상기 언코일러(100)에서 공급되는 대상물(500)의 표면을 일정 온도까지 점진적으로 가열시키는 분위기를 조성하게 된다.
여기서, 상기 온도 상승챔버(212)는 상기 대상물(500) 자체와 상기 대상물(500)의 도금 표면이 갑작스런 고온 상태, 더욱 상세히는 주석의 용융 온도에 근접하는 고온 분위기에서 변형되거나 도금 표면이 용융 박리되는 것을 방지하고자 서서히 상승시키는 분위기를 조성하게 되는 것이다.
그리고, 상기 온도 유지챔버(214)는 상기 온도 상승챔버(212)에서 가열된 상기 대상물(500)의 표면 온도를 일정하게 유지시키면서 상기 대상물(500)의 도금 표면을 융착 평탄화시키는 역할을 수행하게 되는 것이다.
그리고, 상기 온도 하강챔버(216)는 상기 온도 유지챔버(214)에서 가열된 상기 대상물(500)의 표면을 점진적으로 하강시킴으로써, 상기 온도 유지챔버(214) 내에서 계속적인 고온 분위기 조성으로 인한 대상물(500)과 상기 대상물(500)의 도금 표면의 과열 상태를 진정시키기 위한 분위기를 조성하게 되는 것이다.
상기 린스챔버(220)는 내부에 구비된 노즐(222)을 통하여 세척수를 분사하면서 가열된 상태로 상기 가열챔버(210)를 통과한 대상물(500)의 표면을 냉각시킴과 동시에 상기 대상물(500)의 도금 표면에 융착 평탄화되는 과정에서 분리되거나 외부에서 유입되는 이물질을 제거하기 위한 공간을 제공하는 역할을 수행하게 된다.
상기 건조챔버(230)는 세척된 상기 대상물(500)의 건조를 위하여 건조 코일(232)이 상기 대상물(500)의 공급 방향과 평행하게 설치되어 상기 린스챔버(220)를 통과한 대상물(500)의 표면에 잔존하는 세척수를 제거하기 위한 역할을 수행하게 된다.
여기서, 상기 건조챔버(230)의 온도는 상기 가열챔버(210)의 온도, 더욱 상세히는 상기 온도 상승챔버(212)의 투입 초기 온도 또는 상기 온도 하강챔버(216)의 배출 시기 온도와 유사한 온도 분위기로 유지시키는 것이 바람직하다.
즉, 상기 건조챔버(230)의 온도는 통과하는 상기 대상물(500)이 과열로 인한 변형이나 상기 대상물(500)의 도금 표면이 용융되지 않을 정도, 즉 과열 상태가 되 지 않을 정도의 온도로 상기 대상물(500)을 건조시키는 것이다.
한편, 본 발명에 따른 리코일러(300)는 상기 리플로우 유닛(200)의 건조 챔버(230)로부터 배출되는 대상물(500)을 권취하여 반도체 제조시 작업을 위한 제품 상태로 만드는 것으로, 가이드 롤러(330)를 통하여 배출되는 대상물(500)을 리코일 롤러(320)를 통하여 권취 롤러(310)에 최종 권취함으로써 다음 공정에 투입될 수 있게 되는 것이다.
본 발명에 따른 상기 콘트롤러(400)는 언코일러(100)와 리코일러(300)의 구동 및 회전속도, 상기 리플로우 유닛(200)의 온도 제어 및 세척수 공급을 제어하는 역할을 수행하게 되는 것이다.
여기서, 상기 콘트롤러(400)에 의한 리플로우 유닛(200)의 온도 제어는 대상물(500)의 종류, 즉 리드 프레임 또는 커넥터 등 다양한 반도체 부품의 종류에 따라 당해 업계 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 다양하게 변형하고 조절하여 적용 실시가 가능함은 물론일 것이다.
상기와 같은 구성의 본 발명에 따른 휘스커 발생 방지 장치의 작동 과정을 보다 상세히 설명하기로 하며, 대상물(500)에 도금된 금속은 주석 합금인 Sn100%라 상정한다.
먼저, 작업자는 대상물(500)이 권취된 권취롤러(110)를 장착하여 콘트롤러(400) 조작으로 언코일러(100)를 가동시켜 언코일 롤러(120) 및 가이드 롤러(130)를 통하여 리플로우 유닛(200)으로 상기 대상물(500)을 공급시킨다.
여기서, 상기 대상물(500)은 상기 언코일러(100)로부터 분당 5 내지 7m 정도 의 속도로 공급되도록 작업자가 상기 콘트롤러(400) 조작으로 설정한다.
다음으로, 사용자는 콘트롤러(400)를 조작하여 상기 리플로우 유닛(200)의 가열챔버(200) 내의 가열 코일을 가동시키고, 상기 대상물(500)을 상기 가열챔버(200) 중 온도 상승챔버(212), 온도 유지챔버(214) 및 온도 하강챔버(216)를 순차 통과시키면서 상기 대상물(500)의 도금 표면을 융착 평탄화시킨다.
여기서, 상기 온도 상승챔버(212)는 70 내지 80℃의 온도 범위로 예열된 상태에서 200 내지 300℃의 온도, 즉 상기 대상물(500)의 도금 표면이 융착되는 상태까지의 온도로 상승시키되, 작업자는 컨트롤러(400) 조작으로 70 내지 80℃의 온도 범위에서 200 내지 300℃의 온도로 서서히 상승시키도록 한다.
그리고, 상기 온도 유지챔버(214)는 200 내지 300℃의 온도 범위를 유지시키도록 하고, 상기 온도 하강챔버(216)는 상기 온도 상승챔버(212)의 역순, 즉 200 내지 300℃의 온도 범위에서 70 내지 80℃의 온도 범위로 서서히 하강시키도록 한다.
여기서, 작업자는 컨트롤러(400) 조작으로 상기 언코일러(100)의 공급속도 및 리코일러(300)의 권취속도를 조작하되, 다양한 반도체 부품의 종류에 따라서 상기 범위 내에서 빠르게 공급 및 권취할 필요가 있을 때는 가열챔버(210)의 온도 범위를 높게 설정하고, 느리게 공급 및 권취할 필요가 있을 때는 반대로 설정하는 등 적절한 조작이 가능함은 물론일 것이다.
이후, 사용자는 콘트롤러(400)를 조작하여 린스챔버(220)의 노즐(222)을 통하여 냉각수를 분사시키면서 가열된 대상물(500)의 표면에 부착된 이물질을 제거하 고 상기 대상물(500)의 과열 상태를 진정시키면서 냉각시키게 된다.
여기서, 상기 린스챔버(220)의 세척수 온도는 20~25℃의 온도를 유지하면서 분사시킨다.
계속하여, 사용자는 콘트롤러(400)를 조작하여 건조챔버(230)의 건조 코일(232)을 콘트롤러(400) 조작으로 가동시켜 상기 대상물(500)의 표면에 잔존하는 세척수를 건조시켜 제거하게 된다.
여기서, 상기 건조챔버(230)의 온도는 70 내지 80℃의 온도를 유지하며 이는 분당 5 내지 7m의 속도로 이송되는 상기 대상물(500) 표면에 잔존하는 세척수를 신속하게 가열 증발시켜 제거하기 위한 최적의 범위라 할 수 있다.
최종적으로, 상기 대상물(500)은 상기 리플로우 유닛(200)의 건조챔버(230)를 거쳐 리코일러(300)의 권취 롤러(310)에 권취되면서 작업 과정이 마무리되는 것이다.
상기와 같은 구성의 본 발명에 따른 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치에 의한 가열챔버(210) 및 건조챔버(230)의 온도 범위 및 언코일러(100)와 리코일러(300)의 공급 및 권취 속도는 전술한 바와 같이 대상물(500)의 종류 및 작업 공정의 실시 환경에 따라 적절히 가변하여 조절할 수 있음은 물론이다.
이상과 같이 본 발명은 반도체 부품의 불량률 저감과 함께 전기적 단락 등 반도체 부품에 치명적인 오작동의 원인이 되는 휘스커의 발생을 미연에 방지할 수 있도록 하는 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치를 제공하는 것을 그 기본적인 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다.
그리고, 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서 당해 업계 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형 및 응용이 가능함은 물론이다.
도 1 내지 도 5는 주석으로 도금 처리한 반도체 부품의 표면에 발생하는 다양한 휘스커의 형상을 촬영한 전자 현미경 사진
도 6은 본 발명에 따른 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치의 전체적인 구성을 나타내는 개념도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100...언코일러 200...리플로우 유닛
300...리코일러 400...콘트롤러
500...리드 프레임

Claims (5)

  1. 주석 또는 주석 합금을 도금한 반도체의 리드 프레임 또는 커넥터와 같은 대상물의 표면에 휘스커가 발생하는 것을 방지하기 위한 장치에 있어서,
    권취된 띠 형상의 대상물(500)을 풀어주는 언코일러(100);
    상기 언코일러에서 공급되는 대상물의 표면 온도를 일정 온도까지 점진적으로 상승시키고 유지한 후 점진적으로 하강시킨 다음, 세척 및 건조하여 상기 대상물의 도금 표면을 융착 평탄화시켜 휘스커의 발생을 방지하는 리플로우 유닛(200);
    상기 리플로우 유닛으로부터 배출되는 대상물을 권취하는 리코일러(300); 및
    상기 언코일러와 리코일러의 구동 및 회전속도, 상기 리플로우 유닛의 온도 제어 및 세척수 공급을 제어하는 콘트롤러(400);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리플로우 유닛(200)은,
    상기 언코일러(100)에서 공급되는 대상물(500)의 공급방향과 평행하게 가열 코일이 설치되어 통과하는 상기 대상물의 도금 표면의 온도를 점진적으로 상승시키고 유지한 후 점진적으로 하강시키는 가열챔버(210);
    가열된 상기 대상물의 냉각과 이물질 제거를 위하여 세척수가 분사되는 노즐(222)을 구비한 린스챔버(220); 및
    세척된 상기 대상물의 건조를 위하여 건조 코일(232)이 상기 대상물의 공급방향과 평행하게 설치되는 건조챔버(230);로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가열챔버(210)는,
    상기 언코일러(100)에서 공급되는 대상물(500)의 표면을 일정 온도까지 점진적으로 가열시키는 온도 상승챔버(212);
    상기 온도 상승챔버에서 가열된 상기 대상물의 표면 온도를 일정하게 유지시키면서 상기 대상물의 도금 표면을 융착 평탄화시키는 온도 유지챔버(214); 및
    상기 온도 유지챔버에서 가열된 상기 대상물의 표면을 점진적으로 하강시키는 온도 하강챔버(216);로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 온도 상승챔버(212) 내의 온도는,
    70 내지 80℃의 범위에서 200 내지 300℃의 범위까지 점진적으로 상승시키고,
    상기 온도 유지챔버(214) 내의 온도는,
    200 내지 300℃의 범위를 유지시키며,
    상기 온도 하강챔버(216) 내의 온도는,
    200 내지 300℃의 범위에서 70 내지 80℃의 범위까지 점진적으로 하강시키는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 건조챔버(230) 내의 온도는,
    70 내지 80℃의 범위를 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치.
KR1020070070572A 2007-07-13 2007-07-13 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치 KR100831025B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070070572A KR100831025B1 (ko) 2007-07-13 2007-07-13 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070070572A KR100831025B1 (ko) 2007-07-13 2007-07-13 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100831025B1 true KR100831025B1 (ko) 2008-05-20

Family

ID=39664776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070070572A KR100831025B1 (ko) 2007-07-13 2007-07-13 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100831025B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9840785B2 (en) 2014-04-28 2017-12-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Tin plating solution, tin plating equipment, and method for fabricating semiconductor device using the tin plating solution

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003188115A (ja) * 2001-12-17 2003-07-04 Shin Meiwa Ind Co Ltd 半導体配線形成方法及び装置、半導体デバイス製造方法及び装置、並びにウエハ
KR20060013027A (ko) * 2004-08-05 2006-02-09 삼성전자주식회사 반도체 리플로우 장치
KR20060128559A (ko) * 2005-06-11 2006-12-14 에스피텍 주식회사 은 하지도금을 이용한 휘스커 방지용 표면처리방법
KR20070037494A (ko) * 2004-07-21 2007-04-04 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 피복 구리, 휘스커의 발생 억제 방법, 프린트 배선 기판 및반도체 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003188115A (ja) * 2001-12-17 2003-07-04 Shin Meiwa Ind Co Ltd 半導体配線形成方法及び装置、半導体デバイス製造方法及び装置、並びにウエハ
KR20070037494A (ko) * 2004-07-21 2007-04-04 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 피복 구리, 휘스커의 발생 억제 방법, 프린트 배선 기판 및반도체 장치
KR20060013027A (ko) * 2004-08-05 2006-02-09 삼성전자주식회사 반도체 리플로우 장치
KR20060128559A (ko) * 2005-06-11 2006-12-14 에스피텍 주식회사 은 하지도금을 이용한 휘스커 방지용 표면처리방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9840785B2 (en) 2014-04-28 2017-12-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Tin plating solution, tin plating equipment, and method for fabricating semiconductor device using the tin plating solution

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011033451A2 (en) Method and apparatus for providing a solar cell with a solder ribbon
US5940728A (en) Process for manufacturing electronic circuits
JP2021091973A (ja) 微細で均一なメッキ構成を有するメッキ鋼板
CN114131049B (zh) 一种铜及铜合金的增材制造方法
RU2008113396A (ru) Изготовление валков и плит, имеющих твердосплавное покрытие
KR100831025B1 (ko) 반도체 부품 표면의 휘스커 발생 방지 장치
KR100659452B1 (ko) 솔더영역 형성장치, 방법 및 연속 도금장치
JP2018538448A (ja) メッキ装置およびメッキ方法
JP2014014868A (ja) フラックスフリーのハンダを基板に供給する方法および装置
US6257480B1 (en) Jet soldering method and apparatus
JP5831104B2 (ja) 溶融金属めっき浴中ロールの表面付着物除去装置および除去方法
US6637641B1 (en) Systems and methods for manufacturing a circuit board
US20170259444A1 (en) Method and Device for Etching Patterns Inside Objects
JP3811094B2 (ja) 多層材料の製造方法
CN105463342A (zh) 一种编织线的制造方法
JPH0649614A (ja) 耐食性及びはんだ付け性が優れた溶融錫めっき銅合金材の製造方法
Nicolae Comparative study of Through-Hole Soldering processes
Zhao et al. Spreading kinetics of liquid solders over an intermetallic solid surface. Part 2: Lead-free solders
JPH0215156A (ja) 溶融金属メッキ鋼板の合金化処理方法
WO2013135416A1 (de) Pulverbeschichtungsvorrichtung und pulverbeschichtungsverfahren
JP4872647B2 (ja) クラッド材製造設備の加熱冷却装置
JP2010167049A (ja) 非金属部材からなるシート材及びプラズマ溶射機による溶射方法
JP4872648B2 (ja) クラッド材製造設備の加熱冷却装置
JP6849909B2 (ja) はんだ付け方法、はんだ付け装置、及び噴流ノズルのはんだ濡れの保持方法
JP6243653B2 (ja) はんだ付システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130430

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140228

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150508

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160502

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee