KR100815957B1 - Photo Mask - Google Patents

Photo Mask Download PDF

Info

Publication number
KR100815957B1
KR100815957B1 KR1020060085483A KR20060085483A KR100815957B1 KR 100815957 B1 KR100815957 B1 KR 100815957B1 KR 1020060085483 A KR1020060085483 A KR 1020060085483A KR 20060085483 A KR20060085483 A KR 20060085483A KR 100815957 B1 KR100815957 B1 KR 100815957B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photo mask
main pattern
body portion
width
transparent substrate
Prior art date
Application number
KR1020060085483A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20080022269A (en
Inventor
최재영
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020060085483A priority Critical patent/KR100815957B1/en
Publication of KR20080022269A publication Critical patent/KR20080022269A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100815957B1 publication Critical patent/KR100815957B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging

Abstract

본 발명은 패턴 왜곡을 방지할 수 있는 포토 마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a photo mask capable of preventing pattern distortion.

본 발명에 따른 포토 마스크는 웨이퍼 상에 콘택홀들을 형성하기 위한 포토 마스크에 있어서, 투명 기판과, 상기 투명 기판상에 "I"자 형태로 형성된 메인 패턴을 구비하며, 상기 메인패턴은 불투명금속으로 몸체부와, 상기 몸체부의 양 끝단에서 돌출되는 둘출부로 구성된다. A photo mask according to the present invention is a photo mask for forming contact holes on a wafer, comprising a transparent substrate and a main pattern formed in a “I” shape on the transparent substrate, wherein the main pattern is made of an opaque metal. It is composed of a body portion, and a raised portion protruding from both ends of the body portion.

Description

포토 마스크{Photo Mask}Photo Mask

도 1은 종래의 포토 마스크를 나타내는 도면.1 is a view showing a conventional photo mask.

도 2는 도 1에 도시된 포토 마스크를 이용하여 웨이퍼 상에 콘택 레이어를 나타내는 도면.2 illustrates a contact layer on a wafer using the photo mask shown in FIG.

도 3은 종래의 다른 포토 마스크를 나타내는 도면.3 is a view showing another conventional photo mask.

도 4는 본 발명에 따른 포토 마스크를 나타내는 도면.4 shows a photomask according to the invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10, 30 : 포토 마스크 12, 22, 32 : 메인 패턴10, 30: photo mask 12, 22, 32: main pattern

14, 34 : 투명기판 16, 26, 36 : 콘택홀14, 34: transparent substrate 16, 26, 36: contact hole

본 발명은 포토 마스크에 관한 것으로, 특히 패턴 왜곡을 방지할 수 있는 포토 마스크에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photo mask, and more particularly to a photo mask capable of preventing pattern distortion.

일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위해서 사용되는 포토 공정은 패턴을 형성하기 위해 필연적으로 포토 마스크가 필요하다. 이 포토 마스크는 표면에 빛을 차단하는 차광물질로 형성된 막 위에 제작하고자 하는 집적회로의 다양한 형태 의 도형들을 형성하여 빛을 선택적으로 투과할 수 있도록 제작되며 이 포토 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정으로 패턴을 웨이퍼 상에 구현한다.In general, a photo process used to manufacture a semiconductor device inevitably requires a photo mask to form a pattern. The photo mask is formed to selectively transmit light by forming various types of figures of an integrated circuit to be fabricated on a film formed of a light blocking material that blocks light on the surface, and is patterned by a photolithography process using the photo mask. Is implemented on the wafer.

이러한 포토 마스크는 반도체 장치의 회로 선폭이 좁아지고 이에 따른 노광 공정의 광원의 파장이 짧아짐에 따라 포토 마스크 상에 형성된 도형들끼리 상호 간섭을 하여 실제 원하는 선폭이 웨이퍼에 그대로 구현되기가 어렵다. Such a photo mask has a narrow circuit line width of a semiconductor device and accordingly a wavelength of a light source of an exposure process is shortened, so that the shapes formed on the photo mask interfere with each other, so that the actual desired line width cannot be realized as it is on the wafer.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 반도체 소자의 제조 공정 중 포토리쏘그래피에서의 해상도를 높이기 위한 RET(Resolution Enhanced Technology) 중에서 OPC(Optical Proximity Correction) 기술이 개발되었다. In order to solve this problem, OPC (Optical Proximity Correction) technology has been developed among RET (Resolution Enhanced Technology) to increase the resolution in photolithography during the manufacturing process of semiconductor devices.

특히, 현재 멀티미디어 기기에 없어서는 안되는 난드 플래쉬(NAND Flash)의 경우에 있어서 디바이스 특성상 디자인 룰이 타이트하며, 그 중에서 콘택 레이어(contact layer)에 콘택홀들이 일렬로 배열된다. 이에 따라, 글로벌 사이징(global sizing)과 같은 방법으로는 포토 마스크에 형성된 패턴의 모양에 대응되는 콘택홀의 모양을 제대로 콘택 레이어 상에 구현하기 어렵다. In particular, in the case of NAND Flash, which is indispensable in the current multimedia device, design rules are tight due to device characteristics, and contact holes are arranged in a line in the contact layer. Accordingly, the shape of the contact hole corresponding to the shape of the pattern formed in the photo mask may not be properly implemented on the contact layer by a method such as global sizing.

이를 상세히 하면, 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 포토 마스크(10)는 콘택 레이어의 콘택홀에 대응하는 메인 패턴(12)이 투명기판(14) 상에 형성된다. 여기서, 메인 패턴(12)은 불투명 금속이 사용된다. 여기서, 메인 패턴(12)은 직사각형 형태로 형성된다.In detail, as shown in FIG. 1, in the conventional photo mask 10, a main pattern 12 corresponding to a contact hole of a contact layer is formed on a transparent substrate 14. Here, the opaque metal is used for the main pattern 12. Here, the main pattern 12 is formed in a rectangular shape.

이러한 포토 마스크(10)를 이용하여 포토리쏘그래피 공정을 진행한 경우, 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼 상에 형성되는 콘택홀(16)은 원형으로 제작되어야 하는데, 타원형으로 패턴이 왜곡되는 현상이 발생한다. 여기서, 디자인 룰은 홀사이 즈를 100, 스페이스 사이즈를 100으로 한 글로벌 사이징 방법을 이용한 것이다.When the photolithography process is performed using the photo mask 10, as shown in FIG. 2, the contact hole 16 formed on the wafer should be manufactured in a circular shape. Occurs. Here, the design rule uses a global sizing method with a hole size of 100 and a space size of 100.

이러한 문제가 발생하는 이유는 가로 방향으로는 밀집하게 콘택홀(16)들이 있지만, 세로 방향으로는 콘택홀(16)들이 없기 때문에 가로와 세로 방향으로 포토레지스트 스레쉬홀드(Threshold) 값이 다르기 때문이다. This problem occurs because the contact holes 16 are densely packed in the horizontal direction, but the photoresist threshold values are different in the horizontal and vertical directions because there are no contact holes 16 in the vertical direction. to be.

이러한 패턴 왜곡 현상을 개선하기 위하여, 도 3에 도시된 바와 같이 메인 패턴(12)의 폭을 Δw 만큼 줄이고 메인 패턴(12)의 길이를 ΔL 만큼 늘린 패턴(22)을 사용한다. 그러나, 이 경우에도 정도의 차이는 있으나 타원형의 콘택홀(26)이 만들어지는 패턴 왜곡 현상이 나타난다. In order to improve such a pattern distortion phenomenon, as shown in FIG. 3, the width of the main pattern 12 is reduced by Δw and the length of the main pattern 12 is increased by ΔL. However, even in this case, although there is a difference in degree, a pattern distortion phenomenon in which an elliptical contact hole 26 is made appears.

따라서, 본 발명의 목적은 패턴 왜곡을 방지할 수 있는 포토 마스크를 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a photo mask capable of preventing pattern distortion.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 포토 마스크는 웨이퍼 상에 콘택홀들을 형성하기 위한 포토 마스크에 있어서, 투명 기판과, 상기 투명 기판 상에 "I"자 형태로 형성된 메인 패턴을 구비하며, 상기 메인패턴은 불투명금속으로 몸체부와, 상기 몸체부의 양 끝단에서 돌출되는 둘출부로 구성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the photomask according to the present invention comprises a photomask for forming contact holes on a wafer, the substrate having a transparent substrate and a main pattern formed in the form of "I" on the transparent substrate, The main pattern is an opaque metal, characterized in that the body portion, consisting of a raised portion protruding from both ends of the body portion.

삭제delete

삭제delete

상기 메인 패턴의 폭은 125 ~ 135nm이며, 상기 메인 패턴의 길이는 225 ~ 235nm인 것을 특징으로 한다.The width of the main pattern is 125 ~ 135nm, the length of the main pattern is characterized in that the 225 ~ 235nm.

상기 몸체부의 폭은 105 ~ 115nm이며, 길이는 95 ~ 105nm인 것을 특징으로 한다.Width of the body portion is 105 ~ 115nm, characterized in that the length is 95 ~ 105nm.

상기 돌출부의 폭은 125 ~ 135nm이며, 길이는 60 ~ 70nm인 것을 특징으로 한다.The protrusion has a width of 125 to 135 nm and a length of 60 to 70 nm.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. Other objects and features of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다. Referring to Figure 3 will be described a preferred embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 포토 마스크(30)는 투명 기판(34)과, 상기 투명 기판(34) 상에 "I"자 형태로 형성된 메인 패턴(32)을 구비한다. Referring to FIG. 3, the photo mask 30 according to the exemplary embodiment of the present invention includes a transparent substrate 34 and a main pattern 32 formed in an “I” shape on the transparent substrate 34.

메인 패턴(32)은 불투명 금속이 사용되며, 메인 패턴(32)의 폭(w)은 125 ~ 135nm이고, 길이(L)는 225 ~ 235nm이다. As the main pattern 32, an opaque metal is used, the width w of the main pattern 32 is 125 to 135 nm, and the length L is 225 to 235 nm.

메인 패턴(32)은 몸체부(32a)와, 상기 몸체부(32a)의 양 끝단에서 돌출되는 돌출부(32b)로 구성된다. The main pattern 32 is composed of a body portion 32a and protrusions 32b protruding from both ends of the body portion 32a.

몸체부(32a)의 폭(w1)은 105 ~ 115nm이며, 길이(L2)는 95 ~ 105nm이다. The width w1 of the body portion 32a is 105 to 115 nm, and the length L2 is 95 to 105 nm.

돌출부(32b)는 몸체부(32a)의 폭(w1)에서 양측에서 Δw 만큼 돌출되며, 돌출부(32b)의 폭(w)은 125 ~ 135nm이며, 길이(L1)는 60 ~ 70nm이다. 여기서, Δw 은 60 ~ 70nm이다. The protrusion 32b protrudes by Δw from both sides in the width w1 of the body portion 32a, the width w of the protrusion 32b is 125 to 135 nm, and the length L1 is 60 to 70 nm. (DELTA) w is 60-70 nm here.

이러한 돌출부(32b)를 형성하는 이유는 가로 방향으로는 밀집하게 콘택홀(36)이 형성되지만, 세로 방향으로는 콘택홀(36)이 없기 때문에 가로와 세로 방 향으로 포토레지스트 스레쉬홀드(Threshold) 값이 다르기 때문인데, 본 발명에서는 돌출부(32b)의 폭을 Δw 만큼 넓혀주어 가로와 세로 방향의 포토레지스트 스레쉬홀드 값을 같게 하여 패턴 왜곡 현상을 방지한다. The reason why the protrusions 32b are formed is that the contact holes 36 are densely formed in the horizontal direction, but since there are no contact holes 36 in the vertical direction, the photoresist thresholds are held in the horizontal and vertical directions. In the present invention, the width of the protrusion 32b is increased by Δw to equalize the photoresist threshold values in the horizontal and vertical directions, thereby preventing pattern distortion.

이러한 "I"자 형태의 메인 패턴(32)을 사용한 포토 마스크(30)를 이용하여 포토리쏘그래피 공정을 진행한 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 웨이퍼 상에 형성되는 콘택홀(36)은 종래의 타원형이 아닌 원형으로 구현됨으로써 패턴 왜곡 현상이 방지된다. 여기서, 콘택홀(36)은 시뮬레이션한 예상치이다.When the photolithography process is performed using the photo mask 30 using the main pattern 32 having the "I" shape, the contact hole 36 formed on the wafer as shown in FIG. By implementing a circular rather than oval of the pattern distortion is prevented. Here, the contact hole 36 is a simulated estimate.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 포토 마스크는 "I"자 형태로 형성됨으로써 콘택홀의 패턴 왜곡을 방지할 수 있다. As described above, the photo mask according to the present invention may be formed in an “I” shape to prevent pattern distortion of the contact hole.

상세히 설명된 본 발명에 의하여 본 발명의 특징부를 포함하는 변화들 및 변형들이 당해 기술 분야에서 숙련된 보통의 사람들에게 명백히 쉬워질 것임이 자명하다. 본 발명의 그러한 변형들의 범위는 본 발명의 특징부를 포함하는 당해 기술 분야에 숙련된 통상의 지식을 가진 자들의 범위 내에 있으며, 그러한 변형들은 본 발명의 청구항의 범위 내에 있는 것으로 간주된다. It will be apparent that changes and modifications incorporating features of the invention will be readily apparent to those skilled in the art by the invention described in detail. It is intended that the scope of such modifications of the invention be within the scope of those of ordinary skill in the art including the features of the invention, and such modifications are considered to be within the scope of the claims of the invention.

Claims (6)

웨이퍼 상에 콘택홀들을 형성하기 위한 포토 마스크에 있어서,A photo mask for forming contact holes on a wafer, comprising: 투명 기판과, With a transparent substrate, 상기 투명 기판상에 "I"자 형태로 형성된 메인 패턴을 구비하며, 상기 메인패턴은 불투명금속으로 몸체부와, 상기 몸체부의 양 끝단에서 돌출되는 둘출부로 구성되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.And a main pattern formed in a “I” shape on the transparent substrate, wherein the main pattern is made of an opaque metal and includes a body portion and a raised portion protruding from both ends of the body portion. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 메인 패턴의 폭은 125 ~ 135nm이며, 상기 메인 패턴의 길이는 225 ~ 235nm인 것을 특징으로 하는 포토 마스크.The width of the main pattern is 125 ~ 135nm, the length of the main pattern is a photo mask, characterized in that the 225 ~ 235nm. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 몸체부의 폭은 105 ~ 115nm이며, 길이는 95 ~ 105nm인 것을 특징으로 하는 포토 마스크.The width of the body portion is 105 ~ 115nm, the photo mask, characterized in that the length is 95 ~ 105nm. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 돌출부의 폭은 125 ~ 135nm이며, 길이는 60 ~ 70nm인 것을 특징으로 하는 포토 마스크. The protrusion has a width of 125 to 135 nm and a length of 60 to 70 nm.
KR1020060085483A 2006-09-06 2006-09-06 Photo Mask KR100815957B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060085483A KR100815957B1 (en) 2006-09-06 2006-09-06 Photo Mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060085483A KR100815957B1 (en) 2006-09-06 2006-09-06 Photo Mask

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080022269A KR20080022269A (en) 2008-03-11
KR100815957B1 true KR100815957B1 (en) 2008-03-21

Family

ID=39396253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060085483A KR100815957B1 (en) 2006-09-06 2006-09-06 Photo Mask

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100815957B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100911873B1 (en) * 2006-10-09 2009-08-11 주식회사 하이닉스반도체 Exposure mask for forming storage node of capacitor in semiconductor memory device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11258770A (en) 1998-03-16 1999-09-24 Toshiba Corp Mask pattern designing method and photomask
JP2003255508A (en) * 2002-02-28 2003-09-10 Oki Electric Ind Co Ltd Correction method for mask pattern, photomask, exposure method and semiconductor device
KR20050003141A (en) * 2003-06-30 2005-01-10 삼성전자주식회사 Photomask for forming contact pattern
KR20050065108A (en) * 2003-12-24 2005-06-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Laser mask improved shape of slit and method of crystallization using thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11258770A (en) 1998-03-16 1999-09-24 Toshiba Corp Mask pattern designing method and photomask
JP2003255508A (en) * 2002-02-28 2003-09-10 Oki Electric Ind Co Ltd Correction method for mask pattern, photomask, exposure method and semiconductor device
KR20050003141A (en) * 2003-06-30 2005-01-10 삼성전자주식회사 Photomask for forming contact pattern
KR20050065108A (en) * 2003-12-24 2005-06-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Laser mask improved shape of slit and method of crystallization using thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080022269A (en) 2008-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100712996B1 (en) Semiconductor device having pattern dummy and method of manufacturing the semiconductor device using the pattern dummy
TWI752019B (en) Photomask having a plurality of shielding layers
US8383300B2 (en) Exposure mask with double patterning technology and method for fabricating semiconductor device using the same
US20050175907A1 (en) Photo mask including scattering bars and method of manufacturing the same
KR100815957B1 (en) Photo Mask
US7820345B2 (en) Exposure mask and a method of making a semiconductor device using the mask
JP2004062088A (en) Photomask, method for designing the same and method for manufacturing semiconductor device by using the same
KR100944332B1 (en) Method for manufacturing mask of the semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR100835469B1 (en) Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same
KR20120054467A (en) Manufacturing method for chromeless phase shift mask
KR100790572B1 (en) Method for designing gate layout with dummy patterns and method for forming gates
KR100955168B1 (en) Exposure mask and method for forming semiconductor device by using the same
KR20080000443A (en) Photo mask with slit type contact and method for manufacturing thereof
KR100944330B1 (en) Method for manufacturing a pattern of semiconductor device
KR101057184B1 (en) Manufacturing method of photo mask
KR20110079058A (en) A method of manufacturing a photoresist pattern
KR20070094198A (en) Photo mask in semiconductor device and the method for fabricating pattern using the same
KR101095677B1 (en) Method for fabricating fine pattern in photomask
KR20090032891A (en) Photo mask and method for fabricating semiconductor device using the same
KR20100079294A (en) Method of forming a mask pattern for semiconductor device
KR20090106873A (en) Method for forming pattern in semiconductor device
KR20100005601A (en) Method for forming pattern of semiconductor device
KR20040049549A (en) A exposure mask
KR20030072677A (en) Method for preventing pattern collapse
JP2008197439A (en) Photomask and pattern-forming method using the photomask

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
LAPS Lapse due to unpaid annual fee