KR100814874B1 - 음극선관용 전자총 - Google Patents

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Abstract

음극선관용 전자총으로서, 열전자를 방출하는 캐소드와; 상기 캐소드에서 방출된 열전자를 집속 및 가속하는 제1 내지 제6의 그리드 전극들과; 상기 그리드 전극들을 정렬 및 지지하는 비이드 글라스;를 포함하며, 상기 제4 그리드 전극은 제3 그리드 전극을 향하는 면에 횡슬롯을 구비한다. 이러한 구조를 갖는 전자총은 전자빔의 종방향으로의 빔경 확대를 억제한다.
전자총, 전극, 렌즈, 슬롯,

Description

음극선관용 전자총 {ELECTRON GUN FOR CATHODE RAY TUBE}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 음극선관용 전자총을 도시한 반단면도.
도 2는 도 1의 제4 그리드 전극을 도시한 사시도.
도 3은 도 1의 제1 내지 제6 그리드 전극에 의해 형성되는 전자 렌즈를 도시한 도면.
본 발명은 음극선관에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자빔을 발생하는 전자총에 관한 것이다.
통상적으로 칼라 음극선관용 전자총은 음극선관의 네크부에 설치되어 열전자를 방출하는 것으로, 이 전자총으로부터 방출된 전자빔이 형광막에 랜딩되는 상태에 따라 음극선관의 성능이 좌우되게 된다. 따라서 전자총으로부터 방출된 전자빔을 형광막의 형광점에 정확하게 랜딩시킬 수 있도록 포커스 특성과 전자 렌즈의 수차를 줄일 수 있는 전자총이 많이 개발되어 왔는데, 이러한 전자총중 하나를 예로 들면, 제2 그리드 전극의 입사면 또는 출사면에 전자빔 통과공과 유사한 종방향 폭의 횡슬롯을 제공하여, 제1 그리드 전극을 통과한 초(初)속도가 느린 전자빔의 횡 방향(수평방향) 빔경을 축소되도록 한 전자총이 있다.
그런데, 이러한 구성의 전자총에서는 상기 횡슬롯의 종방향 폭이 전자빔 통과공의 종방향 폭과 유사하므로, 전자빔에는 횡방향(수평방향)보다 종방향(수직방향)으로 더욱 강한 힘이 미치게 된다.
이때, 전자빔은, 종방향으로는 횡슬롯이 없는 구조에 비해 전류 밀도가 균일하게 분포하지 못하고, 종방향 빔경이 확대된 전자빔이 메인 포커스 렌즈에 큰 각도로 입사되기 때문에 구면수차 영향을 많이 받아 회면에서는 전체적으로 전자빔의 종방향 빔경이 커지는 부작용이 생기게 된다.
이에 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전자빔의 종방향 빔경이 확대되는 것을 효과적으로 방지한 음극선관용 전자총을 제공함을 목적으로 한다.
상기한 본 발명의 목적은,
열전자를 방출하는 캐소드와;
상기 캐소드에서 방출된 열전자를 집속 및 가속하는 제1 내지 제6의 그리드 전극들과;
상기 그리드 전극들을 정렬 및 지지하는 비이드 글라스;
를 포함하고, 상기 제4 그리드 전극은 제3 그리드 전극을 향하는 면에 횡슬롯을 구비하는 음극선관용 전자총에 의해 달성된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 횡슬롯은 횡방향으로 유니 포커스 렌즈의 강도가 변하지 않도록 제4 그리드 전극과 일체로 제조되며, 이 경우 중앙의 녹 전자빔 대비 주변의 청,적 전자빔이 횡방향으로 횡슬롯의 영향을 받지 않도록 상기 횡슬롯의 횡방향 폭이 제4 그리드 전극의 외곽 끝단까지 연장된다. 또한, 이 횡슬롯의 종방향 폭은 제4 그리드 전극의 전자빔 통과공 직경보다 0.2∼0.6㎜ 정도 크게 형성된다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 따른 음극선관용 전자총의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 전자총의 일실시예를 도시한 것으로, 특히, 유니-바이(UNI-BI)식 결선 구조를 갖는 전자총의 단면도를 도시한 것이고, 도 2는 도 1의 제4 그리드 전극의 사시도를 도시한 것이다.
도시한 바와 같이 본 발명의 전자총은, 전자빔 통과공(도시 안됨)이 형성된 다수의 전극(G1∼G6)을 소정의 간격을 두고 배치하고 이들을 이의 양측부로 배치된 비이드 글라스(10,12)에 융착시켜 이에 고정된 상태가 되도록 하여 이루어지고 있다.
물론, 여기서 상기 전극들(G1∼G6) 중, 제1 그리드 전극(G1)의 하방으로는 캐소드 지지체에 지지된 캐소드(14) 및 이 캐소드(14)에 열을 공급하기 위한 히터가 배치되며, 제6 그리드 전극(G6)의 상방으로는 도시하지 않은 벌브 스페이서와 게터 스프링을 부착한 시일드 컵(미도시)이 배치되어 상기 제6 그리드 전극(G6)에 연결되 고 있다.
이와 같은 전자총에서 상기 전극들(G1∼G6)에 외부 전압을 공급하기 위해, 제2 그리드 전극(G2)과 제4 그리드 전극(G4)이 공통으로 결선되고, 제3 그리드 전극(G3)과 제5-1 그리드 전극(G5-1), 제5-2 그리드 전극(G5-2)이 공통으로 결선된다.
이에 따라 상기 제2 그리드 전극(G2)과 제4 그리드 전극(G4)에는 등전위가 인가되며, 또한 제3 그리드 전극(G3)과 제5-1 그리드 전극(G5-1), 제5-2 그리드 전극(G5-2)으로도 등전위가 인가되어지게 되는 바, 여기서 상기 제3 그리드 전극(G3)과 제5-1 그리드 전극(G5-1), 제5-2 그리드 전극(G5-2)으로 인가되는 전압(Vf)은 제6 그리드 전극(G6)으로 인가되는 전압(Va)의 20∼30% 정도이며, 상기 제2 그리드 전극(G2)과 제4 그리드 전극(G4)으로 인가되는 전압(V)은 상기 전압(Vf)보다 낮은 전위를 유지하게 된다.
이러한 구성의 전자총에 있어서, 도시하지는 않았지만 상기 제1 그리드 전극(G1)을 향하는 제2 그리드 전극(G2)의 일면, 즉 입사면 또는 출사면에는 제1 그리드 전극(G1)을 통과한 초속도가 느린 전자빔을 횡방향으로 집속하는 효과를 가중시키는 작용을 하는 횡슬롯이 제공될 수 있다.
그리고, 제3 그리드 전극(G3)을 향하는 제4 그리드 전극(G4)의 면에는 횡슬롯(16)이 제공된다. 이때, 상기 횡슬롯(16)은 횡방향으로 유니 포커스 렌즈의 강도가 변하지 않도록 제4 그리드 전극(G4)에 일체로 구비되며, 또한, 상기 전극(G4)의 외곽 끝단까지 횡방향 폭(W1)이 연장된다. 따라서, 중앙의 녹 전자빔 대비 주변의 청, 적 전자빔이 횡방향으로 상기 횡슬롯(16)의 영향을 받게 되는 것을 최소화 한다. 그리고, 상기 횡슬롯(16)의 종방향 폭(W2)은 제4 그리드 전극(G4)의 전자빔 통과공(18) 직경(D)보다 0.2∼0.6㎜ 정도 크게 형성되는데, 상기 0.2㎜는 금형 제작상의 한계치를 감안한 값이며, 0.6㎜(편측 0.3㎜)는 이 수치를 벗어나서 더 크게 형성되는 경우 슬롯의 효과가 약화되기 때문이다.
이에 상기한 구성의 전자총은, 도 3에 도시한 바와 같이 음극선관의 작용시 상기한 상태로 외부 전압을 인가받는 상기 전극들(G1∼G6)이 형성하는 전자 렌즈들 즉, 프리 포커스 렌즈(L1), 유니 포커스 렌즈(L2) 및 메인 포커스 렌즈(L3)에 의해 전자빔(B)을 형성시키게 된다. 이때, 횡슬롯(16)은 횡방향으로는 제2 그리드 전극(G2)의 횡슬롯에 의한 전자빔 집속 작용에 영향을 주지 않으면서 종방향(V)으로는 유니 포커스 렌즈(L2)의 효과를 배가시키게 된다. 다시 말하면, 상기 횡슬롯(16)은 종방향(V)으로의 집속력을 향상시키는 작용을 하게 되므로, 제3 그리드 전극(G3)을 통과한 전자빔은 메인 렌즈(L3)에 입사하기 전에 제4 그리드 전극(G4)의 강한 집속력에 의해 입사각이 크게 줄어들게 된다.
따라서, 전자빔의 수직빔경이 확대되는 것이 효과적으로 방지된다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이와 같이 본 발명의 음극선관용 전자총은, 제3 그리드 전극을 향하는 제4 그리드 전극의 면에 횡슬롯을 형성함으로써, 전자빔의 수직 빔경이 확대되는 것을 억제할 수 있는 효과가 있다. 또한, 제4 그리드 전극의 횡슬롯이 이 전극과 일체형으로 설계되므로 금형 제작성이 양호하고, 횡슬롯을 형성시키기 위해 압착을 하게 되면 평탄도 특성에서도 산포를 줄일 수 있는 긍정적인 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 열전자를 방출하는 캐소드와;
    상기 캐소드에서 방출된 열전자를 집속 및 가속하는 제1 내지 제6의 그리드 전극들과;
    상기 그리드 전극들을 정렬 및 지지하는 비이드 글라스;
    를 포함하며, 상기 제4 그리드 전극은 제3 그리드 전극을 향하는 면에 횡슬롯을 구비하는 음극선관용 전자총.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 횡슬롯은 제4 그리드 전극과 일체로 제조되는 것을 특징으로 하는 음극선관용 전자총.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 횡슬롯의 횡방향 폭이 제4 그리드 전극의 외곽 끝단까지 연장되는 것을 특징으로 하는 음극선관용 전자총.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 횡슬롯의 종방향 폭은 제4 그리드 전극의 전자빔 통과공 직경보다 0.2∼0.6㎜ 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 음극선관용 전자총.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5784554A (en) * 1980-11-13 1982-05-26 Matsushita Electronics Corp Cathode-ray tube device
JPS59111237A (ja) * 1982-12-16 1984-06-27 Matsushita Electronics Corp 陰極線管装置
KR900013399U (ko) * 1988-12-31 1990-07-05 삼성전관 주식회사 칼라음극선관용 전자총
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