KR100810852B1 - 자기층의 자기화 방향의 배향장치 - Google Patents
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Abstract
Description
4분원 번호 코일 수 | 이방성 방향 φ=0°인 경우, | 이방성 방향 φ= 90°인 경우, |
Q11 = Q21 = Q31 = Q41 | 1 | 7.56 |
Q12 = Q22 = Q32 = Q42 | 2.92 | 7.05 |
Q13 = Q23 = Q33 = Q43 | 4.65 | 6.05 |
Q14 = Q24 = Q34 = Q44 | 6.05 | 4.65 |
Q15 = Q25 = Q35 = Q45 | 7.05 | 2.92 |
Q16 = Q26 = Q36 = Q46 | 7.56 | 1 |
Claims (37)
- 원판 모양 기판상에서 자기 층들의 자기화 방향을 배향하기 위한 장치로서,적어도 하나의 기판을 위한 위치결정 평면(E)을 한정하는, 적어도 하나의 기판(3)을 위한 기판 홀더(1)를 포함하며;상기 위치결정 평면(E)의 한쪽 면 상에 자석 장치를 포함하며, 상기 자석 장치는 적어도 3개의 전자석(9)을 포함하며, 상기 자석의 쌍극자 축(A)은 상기 위치결정 평면(E)에 대해 평행하게 위치하고, 상기 위치결정 평면에 대해 수직으로 보면, 밀폐된 표면(F)을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항에 있어서, 상기 쌍극자 축(A)은, 상기 밀폐 표면(F)으로서 n-각형을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전자석은 짝수 개의 전자석(9)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항에 있어서, 상기 자석 장치는 2개의 전자석 그룹을 포함하며, 이때 상기 전자석들은 하기와 같은 방향을 갖는 쌍극자를 생성하는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치:상기 쌍극자는 위치결정평면에 대해 평행하며, 제 1방향으로 향하고, 상기 두 개의 전자석 그룹에 있어서 단일 방향으로 향하는 제 1 성분을 갖고; 및상기 쌍극자는 위치 결정 평면에 대해 평행하며, 제 1방향에 대해 수직인 방향을 가지는 제 2 성분을 가지며, 이때, 하나의 그룹의 상기 제 2 성분은 다른 하나의 그룹의 제 2 성분에 대해 반대의 방향을 가짐.
- 제1항에 있어서, 상기 전자석(9)은 상기 표면(F)을 둘러싸는 공통의 자석코어(11) 상에 권선된 코일들에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전자석(9)은 부분적으로 상이한 권선수를 가지는 코일들에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전자석은 이러한 전자석들에 1 Hz ≤ f ≤ 100 Hz의 주파수(f)로, DC-전류, AC 전류 및 DC-전류+AC 전류 중 하나 이상을 공급하는 전류원과 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전자석의 적어도 한 부분은, 상이한 DC-값이 인가되거나 진폭, 위상 또는 진폭과 위상이 상이한 AC 전류가 인가되는 전류를 상기 전자석에 공급하는 전류원에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전자석은 전류원 시스템에 연결되어 있으며, 상기 전류원 시스템에서, 전자석들에 대한 출력전류의 분포는 2개 이상의 상이한 분포 상태(distribution state)로 스위칭될 수 있는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전자석은 하나의 공통의 환상 코어 상에 짝수개의 권선된 코일들을 포함하며, 코어의 축(Z)을 포함하는 대칭평면은 상기 코일을 2개의 그룹으로 분리하며, 여기서 두 그룹에 있어 코일들의 쌍극자의 방향성분들은 상기 대칭평면에 대해 평행한 방향으로 단일방향화 되며, 상기 쌍극자는, φ이 상기 환상코어의 축(Z)에 대해서 각각의 코일의 극위치 각도(polar position angle)라고 할 때, cosφ에 대해 비례하는 세기를 갖는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제10항에 있어서, 상기 대칭평면의 각도위치는 코일을 관류하는 전류의 분포를 스위칭함으로써, 소정의 각도위치로 0°~ 360°의 각도범위 내에서 임의로 선택가능한 단계별로 상기 축(Z) 주위로 요동가능한 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 원판 모양 기판상에서 자기 층들의 자기화 방향을 배향하는 장치로서,적어도 하나의 기판을 위한 위치결정 평면(E)을 한정하는, 적어도 하나의 기판(3)을 위한 기판 홀더(1)를 포함하며;상기 위치결정 평면(E)의 한쪽 면 상에 두 개 이상의 자석 장치들을 포함하고, 상기 각각의 자석 장치는 적어도 3개의 전자석(9)을 포함하며, 상기 자석의 쌍극자 축(A)은 상기 위치결정 평면(E)에 대해 평행하게 위치하고, 상기 위치결정 평면에 대해 수직으로 보면, 밀폐된 표면(F)을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제12항에 있어서, 상기 위치결정 평면에 수직인 축에 대해서, 상기 자석 장치들은 동축상에 배치되어 있으며, 상기 축에 대해서, 축에 수직인 평면 내에서 볼 때, 상호 간에 π/2의 각도만큼 회전되는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제12항에 있어서, 상기 두 자석 장치의 코일들은 동일한 코어에 권선되어 있는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제11항에 있어서, 적어도 하나의 기판을 수용하기 위한 기판 홀더(1)가 형성되어 있으며, 자석 장치 또는 자석 장치들은 상기 기판 홀더에 의해 중심축에 대해 대칭이 되는 방식으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기판 홀더(1)는 300mm의 최대 지름을 가지는 적어도 하나의 원판 모양 기판을 수용할 수 있도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항에 있어서, 상기 자석 장치는, 상기 기판 홀더의 위치결정 평면(E) 내에 이 평면을 따라서 평행 방향에 대해 최대 ±5° 각도 편차를 갖는 자계라인(field lines)을 가지는 등방향 자계를 생성하는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 코팅 체임버(5)를 포함하는 진공 코팅 시스템에 있어서, 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 자기화 방향 배향장치가 코팅될 하나 이상의 기판(3)을 수용하기 위해 상기 체임버(5) 내에 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 코팅 시스템.
- 제18항에 있어서, 상기 체임버(5) 내에 자성 물질로 구성된 타겟을 가지는 적어도 하나의 스퍼터링 소스(7)가 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 코팅 시스템.
- 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 자기화 방향 배향장치에 있어서, 상기 기판은 하나 이상의 자기층을 포함하고, 100 mm 이상의 직경을 갖는 원형이고, 상기 자기층은 상기 층의 표면 영역에 걸쳐서 볼 때, 최대 ±5°의 각도편차를 가지는 등방향 자기 이방성 방향을 갖는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제 20항에 있어서, 상기 기판은 각각 상이한 방향의 이방성을 가지는 적어도 2개의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 자기화 방향 배향장치에 있어서, 상기 장치의 전자석 장치에 의해서 생성되는 자계에 의해서 기판 상에 연자기성 물질로 구성되고 층 내부에는 자기이방성 분포가 형성된 하나 이상의 층을 갖는 기판이 제조되는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제22항에 있어서, 상기 자기이방성 분포는 전자석들을 관류하는 전류를 조정하거나 지정된 권선수를 가지는 전자석 코일을 활성화시킴으로써 또는 전자석들을 관류하는 전류를 조정하고 지정된 권선수를 가지는 전자석 코일을 활성화시킴으로써 조정되는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치가 상기 위치결정평면 대신에 원하는 평면을 세팅함으로써 원하는 평면에 등방향 자계를 생성하기 위해 이용되는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 삭제
- 제 5항에 있어서, 상기 자기 코어는 환상 코어(toroidal core)인 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제 13항에 있어서, 상기 자석 장치들은 서로 동일한 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 코어는 환상 코어(toroidal core)인 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제 12항에 있어서, 상기 기판 홀더(1)는 하나 이상의 환상 기판을 수용하도록 되어 있고, 상기 자석 장치들은 기판 홀더 주위의 중심축에 대해 대칭으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제 12항에 있어서, 상기 기판 홀더(1)는 300mm의 최대 지름을 가지는 하나 이상의 환상 기판을 수용하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제12항에 있어서, 상기 자석 장치는 기판 홀더의 위치결정평면(E) 내에 이러한 평면을 따라서 평행 방향에 대해 최대 ±5°각도 편차를 갖는 자계 라인을 가지는 등방향 자계를 생성하는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치.
- 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 자기화 방향 배향장치의 동작방법으로서, 100 mm 이상의 직경을 갖는 원형 기판 상에 하나 이상의 자기층을 형성시키는 단계를 포함하고, 상기 자기층은 상기 층의 표면 영역에 걸쳐서 볼 때, 최대 ±5°의 각도편차를 가지는 등방향 자기 이방성 방향을 갖는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치의 동작 방법.
- 제 32항에 있어서, 상기 기판은 각각 상이한 방향의 전술한 이방성을 가지는 적어도 2개의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기화 방향 배향장치의 동작방법.
- 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 자기화 방향 배향장치를 이용하여 전자석 장치의 자계를 생성하는 단계;기판을 상기 자계에 노출시켜 연자기성 물질로 구성되고 층 내부에는 자기이방성 분포가 형성된 하나 이상의 층을 갖는 기판을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법.
- 제34항에 있어서, 상기 자기이방성 분포는 전자석들을 관류하는 전류를 조정하거나 지정된 권선수를 가지는 전자석 코일을 활성화시킴으로써 또는 전자석들을 관류하는 전류를 조정하고 지정된 권선수를 가지는 전자석 코일을 활성화시킴으로써 조정되는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법.
- 제34항에 있어서, 상기 자석 장치를 이용하여 기판 홀더의 위치결정 평면(E) 내에 이러한 평면을 따라서 평행 방향에 대해 최대 ±5° 각도 편차를 갖는 자계 라인을 가지는 등방향 자계를 생성하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법.
- 제36항에 있어서, 상기 기판 상에 서로 다른 방향으로의 이방성을 갖는 두 개 이상의 층들을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH13382000 | 2000-07-06 | ||
CH1338/00 | 2000-07-06 | ||
PCT/CH2001/000411 WO2002003402A1 (de) | 2000-07-06 | 2001-07-03 | Anordnung zur ausrichtung der magnetisierungsrichtung magnetischer schichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030032995A KR20030032995A (ko) | 2003-04-26 |
KR100810852B1 true KR100810852B1 (ko) | 2008-03-06 |
Family
ID=4565391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020037000166A KR100810852B1 (ko) | 2000-07-06 | 2001-07-03 | 자기층의 자기화 방향의 배향장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6790482B2 (ko) |
EP (1) | EP1297542B1 (ko) |
JP (1) | JP2004502314A (ko) |
KR (1) | KR100810852B1 (ko) |
TW (1) | TW583690B (ko) |
WO (1) | WO2002003402A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1336985A1 (de) * | 2002-02-19 | 2003-08-20 | Singulus Technologies AG | Zerstäubungskathode und Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Substrates mit mehreren Schichten |
RU2448388C2 (ru) * | 2006-05-16 | 2012-04-20 | Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах | Электродуговой источник и магнитное приспособление |
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-
2001
- 2001-07-03 EP EP01942944A patent/EP1297542B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-03 JP JP2002507389A patent/JP2004502314A/ja active Pending
- 2001-07-03 WO PCT/CH2001/000411 patent/WO2002003402A1/de active Application Filing
- 2001-07-03 KR KR1020037000166A patent/KR100810852B1/ko active IP Right Grant
- 2001-07-05 TW TW090116484A patent/TW583690B/zh not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
US6790482B2 (en) | 2004-09-14 |
KR20030032995A (ko) | 2003-04-26 |
US20030129104A1 (en) | 2003-07-10 |
JP2004502314A (ja) | 2004-01-22 |
EP1297542B1 (de) | 2013-02-20 |
WO2002003402A1 (de) | 2002-01-10 |
EP1297542A1 (de) | 2003-04-02 |
TW583690B (en) | 2004-04-11 |
WO2002003402A8 (de) | 2003-06-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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|
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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