KR100809835B1

KR100809835B1 - 아크릴로일 기를 가지는 아조계 유기 고분자

Info

Publication number: KR100809835B1
Application number: KR1020060108435A
Authority: KR
Inventors: 김동유; 김주환; 천채민
Original assignee: 광주과학기술원
Priority date: 2006-11-03
Filing date: 2006-11-03
Publication date: 2008-03-04

Abstract

아크릴로일 기를 가지는 아조계 유기 고분자가 개시된다. 아크릴로일 기에 의해 자외선에 의해 광가교 반응이 발생하며, 광가교 반응에 의해 아조계 유기 고분자는 화학적 안정성 및 열적 안정성을 획득할 수 있다. 이는 열에 의한 가교시에 발생하는 온도와 관련 된 문제가 없기에 적용에 유리하다. 또한, 조사되는 자외선에 의해 아조계 유기 고분자는 탈색되어 색상을 가짐에 따라 제한되는 여러 문제점을 해결할 수 있다.

아크릴로일 기, 아조벤젠, 광이성화 반응, 광가교 반응, 탈색 반응

Description

아크릴로일 기를 가지는 아조계 유기 고분자{Azobenzene based Organic Polymer having Acryloyl Group}

도 1은 본 발명의 실시예에 따라 아크릴로일 기를 가지는 아조 유기 고분자가 광물리적 물질이동에 의해 미세표면요철구조를 형성하는 것을 설명하기 위한 도면이다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따라 아조 유기 고분자로 형성된 필름에 간섭광을 조사하기 위한 광학장치를 도시한 개략도이다.

도 3는 실시예의 제조예 2에 의해서 합성된 화합물(3)의 1H-NMR 스펙트럼이다.

도 4a 및 도 4b는 상기 제조예 3에 의해 형성된 아조계 유기 고분자 필름에 간섭광을 한 번 조사했을 때, 형성되는 미세표면요철구조를 나타낸 것이다.

도 5는 상기 도 4a의 미세표면요철구조가 형성된 필름에 수직 방향으로 간섭광을 노광시켰을 경우, 형성되는 미세표면요철구조를 나타낸 이미지이다.

도 6은 광가교 반응과 색 빠짐이 일어난 아조 유기 고분자 필름에 대한 UV-VIS 스펙트럼을 나타낸다.

도 7은 광가교 반응이 일어난 아조 유기 고분자 필름에 대한 IR 스펙트럼을 나타낸다.

도 8은 필름에 광이 조사된 부분과 조사되지 아니한 부분을 나타낸다.

도 9는 자외선에 의해 광가교 반응이 발생된 필름에 대해 용매 처리를 한 경우를 나타낸 것이다.

본 발명은 아조계 유기 고분자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 미세표면요철구조를 형성하고, 가교와 변색이 가능한 아조계 유기 고분자에 관한 것이다.

일반적으로, 아조벤젠기 함유 화합물로 제작된 필름 위에 소정 파장대의 간섭광을 조사하면, 아조벤젠 작용기의 trans-cis 광이성화 현상에 의해 아조계 물질이 간섭광의 중첩된 부분(밝은 부분)으로부터 상쇄된 부분(어두운 부분)으로 이동하는 현상이 발생한다. 이러한 광이성화 현상에 사용되는 간섭광은 아조벤젠 작용기의 흡수 영역에 해당하는 파장대를 가진다.

상기 광이성화 현상에 따라 아조계 물질이 이동하는 현상은 열이나 물질의 분해와 같은 광화학적 작용에 의한 것이 아니라 순전히 빛에 의한 광물리적 물질이동 현상에 의한 것이며, 이러한 현상을 통해서 형성되는 파동형상 곡면을 흔히 미세표면요철구조(Surface Relief Gratings, SRGs)라 불린다.

이 구조는 마스크 없이 단순히 간섭빔의 모양이 그대로 필름에 전이되는 단일공정 프로세스이며, 간섭빔의 중복을 통하여 표면요철구조의 중복이 가능하여 다 양한 패턴을 형성시킬 수 있고, 유리전이온도(T_g) 이하에서 열적으로 안정하고, 빔의 강도와 입사각을 조절함으로써 미세 표면요철구조의 높이와 간격을 수백 나노미터에서 수 마이크로미터까지 자유롭게 조절할 수 있다는 장점들이 있다.

이런 장점으로 인해 에칭 마스크(국내특허, 등록번호 10-0501247), 반사방지막(국내특허, 등록번호 10-0547251) 등과 같이 직접적으로 혹은 간접적으로 아조벤젠 물질에 의한 표면요철구조가 응용되고 있다.

종래에 미세 표면요철구조를 형성시키기 위해 사용된 아조벤젠 물질들은 대부분 아조벤젠 작용기가 화학적으로 결합된 아조계 고분자이다. 이 경우 스핀 코팅이 가능하여 필름 형성이 용이하고, 미세표면요철구조를 형성시킬 수 있다. 하지만 이러한 아조계 고분자들은 용매나 열에 대한 저항력이 크지 않고, 고유의 색을 지녀 미세 표면요철구조 형성 후 용액 공정이나 열을 이용한 공정 등에 적합하지 않고 투명함이 필요로 되는 공정에 적합하지 않다. 이를 개선하기 위해서 아조계 고분자를 이용하여 미세표면요철구조를 형성한 후 산화물을 이용하여 다시 요철 구조를 형성하고 아조계 고분자를 제거하여 투명한 미세표면요철구조를 형성하는 복잡한 방법이 연구되었다. 따라서 간단하게 광물리적 물질이동 거동을 보임과 동시에 가교 된 표면요철구조 형성이 가능하고 물질의 고유의 색이 빠진 미세표면요철구조형성이 가능한 새로운 아조계 물질의 개발이 요구된다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 광물리적 물질이동 거동에 따라 미세표면요철구조를 형성하며, 자외선을 이용한 가교 및 색빠짐이 가능하여 용액 공정이나 열을 이용한 공정이 용이한 유기 아조계 고분자 물질를 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 아조벤젠 작용기가 포함된 아조계 유기 고분자에 있어서, 상기 아조벤젠 작용기에 의해 미세표면요철구조가 형성되고, 상기 아조계 유기 고분자는 아크릴로일 기를 가지고, 자외선 조사에 의해 가교 반응을 일으키는 것을 특징으로 하는 아조계 유기 고분자를 제공한다. 또한, 자외선의 조사에 의해 상기 아조계 유기 고분자에는 탈색 반응이 일어난다. 따라서, 미세표면요철구조는 가교 반응에 의해 화학적 안정성을 획득할 수 있으며, 탈색 반응에 의해 투명한 구조를 가질 수 있다.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

실시예

본 발명의 실시예에 따라 아조계 유기 고분자 물질은 하기의 화학식 1로 표시되는 아크릴로일 기(Acryloyl Group)를 가지는 화합물이다.

[화학식 1]

상기 화학식 1에서 R1~R8은 서로 같거나 다른 것으로서 일치환 혹은 다치환 된 수소원자, 산소원자, 일치환 혹은 다치환된 알킬기, 아로마틱 기, 일치환 혹은 다치환된 아로마틱 기 중에서 선택되고, 또한 R1~R8 중 적어도 하나 이상이 화학식 2에 따른 아조벤젠 작용기를 가진다. 이로 인해서 광물리적 물질이동 원리에 따른 미세표면요철구조가 형성된다. R1~R8는 서로 동일하거나 상이하게 선택될 수 있으며 반복될 수 있다. x, y는 0~4가 될 수 있고 Z1, Z2는 서로 독립적으로 일치환 또는 다치환된 수소, 일치환 혹은 다치환된 알킬기 또는 일치환 혹은 다치환된 아로마틱 기가 선택될 수 있다.

[화학식 2]

상기 화학식 2에서 X는 일치환(mono-substituted) 또는 다치환된(multi-substituted) 수소원자, 일치환 혹은 다치환 된 알킬기, 일치환 혹은 다치환된 할로겐화 알킬기, 일치환 혹은 다치환된 아릴기, 일치환 혹은 다치환된 디알킬 아미노기 및 일치환 혹은 다치환된 시아노기 중에서 선택된 어느 하나를 나타낸다.

도 1을 참조하면, 아조벤젠은 두 개의 벤젠기가 두 개의 질소 원자에 의해 이중결합으로 연결된 화학구조를 가진 방향족 화합물질이다. 각각의 질소 원자에는 비결합 전자쌍을 가지며, 빛에너지에 의해 트랜스와 시스 두 종류의 이성질체 사이에서 광이성화 반응이 생긴다. 이 반응은 아조벤젠 화합물이 선형 편광된 빛에 조사되었을 때, 그 빛의 편광 방향의 수직방향으로 배향하는 특성을 보인다.

아조벤젠 화합물로 제작된 필름은 아조벤젠의 흡수영역 파장의 간섭광으로 조사하면 필름의 표면에 파동 모양의 미세표면요철구조를 형성시킬 수 있다.

도 2를 참조하면, 상기 광학장치는 광간섭 리소그래피 또는 홀로그램의 제작에도 사용된다. 광학장치의 광원은 488 nm 또는 514 nm의 파장을 가지는 아르곤 레이저가 주로 사용된다. 또한, p편광의 광을 이용하기 위해 2개의 폴라라이저(polarizer), 선형 편광을 회전시킬 수 있는 λ/2 웨이브플레이트(waveplate) 및 선형편광을 원형편광으로 변환시킬 수 있는 λ/4 웨이브플레이트(waveplate)가 광학장치에 사용된다.

포토레지스트와 같이 광화학적 반응에 의한 현상이 아니라 순전히 빛에 의한 광물리적 물질이동에 의해 형성되는 미세표면요철구조는 현재까지 아조벤젠 작용기 를 포함하고 있는 화합물에서만 발견되는 독특한 현상으로써 이를 설명하기 위해, 전기장 기울기 이론(electric filed gradient theory), 평균장 이론(mean field theory), 부피 변화에 따른 압력 모델(free volume theroy) 등이 제시되어 왔다.

전기장 기울기 이론은 전기장의 기울기에 따라 고분자 사슬이 측면으로 이동하면서 미세표면요철구조가 형성된다는 이론이다.

평균장 이론은 액정고분자의 미세표면요철 구조 형상을 설명하는 이론이며, 비정질 고분자에는 적용하기 힘든 이론이다. 상기 평균장 이론에서 평균장 포텐셜은 발색단을 정렬시키는 경향을 나타내는데 이러한 영향에 의해 발색단의 배향이 일어나는 것을 설명한다.

부피 변화에 다른 압력 모델은 압력이 높은 곳에서 낮은 곳으로 체인이 이동하여 광이성화 반응이 일어난다고 설명한다. 즉, 아조벤젠 작용기는 트랜스 형태일 때와 시스 형태일 때, 각각 요구되는 프리 볼륨에서 차이가 발생한다. 보강 간섭에서는 시스 형태가 주를 이루므로, 시스에서는 트랜스보다 요구되는 프리 볼륨이 더커서 압력이 높은 곳에서 낮은 곳으로 체인이 이동하게 된다고 설명한다.

형성되는 미세 표면요철구조의 간격은 브래그 법칙(Bragg's law)에 의하여 필름의 법선에 대하여 광선이 입사하는 각도에 의하여 300 nm ~ 수 μm로 조절이 가능하고 요철구조의 깊이는 입사광선의 세기와 노광시간에 비례하여 증가한다. 최종적으로 얻어진 미세 표면요철구조는 원자힘 현미경(atomic force microscopy; AFM)이나 주사전자현미경(Scanning electron microscopy; SEM)등을 사용하여 확인할 수 있다.

[ 제조예 1] 아조벤젠 작용기를 가지는 고분자의 형성의 예

하기 반응식 1의 물질인 폴리 디스펄스오렌지 3 (Poly (disperse oreangr 3))은 널리 알려진 방법(Y. He, X. Wang, Q. Zhou, Polymer, 2002, 43, 7325)을 이용하여 합성되었다.

[반응식 1]

상기 반응식 1에서 화합물(1)을 0℃에서 DMF(Dimethylformamide)에 용해시킨다. 또한, 황산(0.6ml)과 차가운 아세틱산(6ml)의 혼합물에 4-니트로아닐린(0.331g, 2.4mmol)과 물(0.6ml)에 녹인 소디움 나이트릴(0.199g, 2.88ml)을 넣고 잘 섞는다. 이 화합물을 상기 화합물(1)에 서서히 떨어뜨리고 0℃에서 12시간 반응시킨다. 반응을 통해 획득된 반응물을 충분한 양의 물에 넣고 거르는 과정을 거쳐 건조시켜 화합물(2)를 얻는다.

[ 제조예 2] 최종화합물의 형성의 예

[반응식 2]

메틸렌 클로라이드(methylene chloride)에 반응식 1에서 얻은 화합물(2)(0.5g, 0.84mmol)와 트라이에틸 아민(triethyl amine) (0.47ml, 3.36mmol), 아크릴로일 클로라이드(acryloyl chloride) (0.2ml, 3.36mmol)를 넣고 38 ℃에서 24 시간동안 가열 환류시킨다. 반응 후에 물과 메틸렌 클로라이드를 부어서 층을 분리하여 물층을 버리고 남은 유기 용매층을 얻어 유기용매를 증발시킨 후 메탄올을 이용하여 최종화합물(3)을 얻는다. 획득된 최종화합물의 n은 5 내지 20이며, 이는 반응 속도, 시간 또는 온도에 따라 변경 가능한 수치이다.

도 3은 실시예의 제조예 2에 의해서 합성된 화합물(3)의 1H-NMR 스펙트럼이다.

도 3을 참조하면 Chemical shift에서 6.38부근, 6.09부근, 5.81부근의 픽의 존재는 아크릴로일 기가 가지는 수소를 나타내며, 이것으로 아크릴로일 기가 화합물(3)에 포함되어있음을 알 수 있다. 나머지 픽은 다른 부분에 있는 수소를 나타낸다.

[ 제조예 3] 필름 및 미세표면요철구조의 형성

제조예 2를 통하여 제조한 최종 화합물(3)를 용매에 녹여서 용액을 만들고 스핀 코팅을 이용하여 얇은 필름을 제작한 후, 도 2와 같은 광학장치를 이용하여 미세표면요철구조를 형성시킨다.

화합물(3)를 사이클로헥사논(cyclohexanone) 용매에 무게비 10%로 녹인 후 열을 가하거나 흔들어 주어서 잘 녹인다. 불순물을 제거하기 위해서 0.22μm 기공 사이즈를 가지는 실린지 필터를 이용하여 용액을 필터링한다.

또한, 유리나 실리콘 웨이퍼와 같은 평평한 기판 위에 용액을 떨어트려서 스핀 코팅한다. 이 때 스핀코터기의 회전 스피드나 회전 시간, 혹은 용매와 물질의 비율을 조절함으로써 최종적으로 형성되어지는 필름의 두께를 조절할 수 있다. 예를 들어 무게비 10%로 녹인 화합물(4)를 1000rpm에서 60초 동안 스핀 코팅해주면 최종적으로 형성되는 필름 두께는 약 400nm이다.

만들어진 필름을 진공오븐에 70℃의 온도에서 1시간 정도 넣어두어서 용매를 완전히 제거한다.

또한, 상기 도 2에 도시된 광학 장치를 이용하여 미세표면요철구조를 형성한다. 상기 도 2의 광학장치에서 아르곤 이온 레이저 광선은 반파장플레이트(half wave plate, λ/2 plate)와 폴라라이저(polarizer)를 통하여 편광을 조절한다. 제조예 3에서는 미세표면요철구조가 잘 형성된다고 알려져 있는 p-편광을 이용하였다. 편광된 광은 공간 필터(spatial filter)와 평행조사(collimating lens)를 통과한 후 빔의 한 쪽 부분은 알루미늄 거울에 반사되어서 시료에 조사되고, 빔의 다른 한 부분은 직접 시료에 조사됨으로써, 결과적으로 시료에는 간섭광이 조사되게 된다. 상기 간섭광은 약 488nm이다.

이 때 아르곤 이온 레이저의 입사각에 의해서, 표면요철구조의 간격을 조절할 수 있으며, 제조예 3에서는 입사각을 29.22도로 조절함으로써 500nm의 간격을 가지는 표면요철구조를 만들었다.

도 4a 및 도 4b는 상기 제조 예 3에 의해 형성된 아조계 유기 고분자 필름에 간섭광을 한 번 조사했을 때, 형성되는 미세표면요철구조를 나타낸 것이다.

간섭광에 한 번 노출되는 경우, 도 4a에서 보이는 바와 같이 일차원적인 미세표면요철구조가 형성된다. 또한, 상기 미세표면요철구조는 파동 형태의 모양을 가지며 패턴의 형태와 간격이 일정함을 알 수 있다. 도 4b는 형성된 미세표면요철구조의 높낮이 분포를 나타낸 것이다. 상기 도 4b에서 미세표면요철구조의 깊이는 약 100nm 이며, 미세 패턴들 사이의 간격은 500nm인 것을 알 수 있다.

상기 도 4a 및 상기 도 5에 나타나는 이미지는 원자 현미경(AFM;Atomic Force Microscope)을 이용하여 형성한 이미지들이다.

상기 도 5에서 2차로 간섭광을 조사하면 기존에 형성된 미세표면요철구조는 특별한 영향을 받지 않고 동일 형태의 미세표면요철구조가 기존 패턴에 수직한 방향으로 형성된다. 이는 노광에 의해 미세표면요철구조가 서로 중첩되며, 이러한 중첩 특성을 이용하여 다양한 형태의 미세표면요철구조를 형성할 수 있음을 나타낸다.

[ 제조예 4] 아크롤로일 기를 가지는 아조 유기 고분자에 대한 가교 반응

상기 제조예 2에 의해 형성된 고분자 및 상기 제조예 3에 의해 형성된 필름에 대해 가교 반응을 일으켜서 필름의 화학적 안정성을 향상시킨다. 아조 유기 고분자에서 가교 반응을 발생시키기 위해 필름에 자외선을 조사한다. 상기 자외선의 파장은 300nm 이하임이 바람직하다. 자외선의 조사에 의해 아조 유기 고분자의 인접한 아크릴로일 기들을 서로 결합하여 가교가 일어난다. 가교 반응은 하기의 반응 식 3에 의한다.

[반응식 3]

상기 반응식 3에서 R1은 아조벤젠이 포함된 고분자 부분을 나타낸다.

도 6은 가교 반응이 일어난 아조 유기 고분자 필름에 대한 UV-VIS 스펙트럼을 나타낸다.

도 6을 참조하면, 279 nm 흡수 봉우리부분이 자외선 조사 후 사라지는 모습을 보여주고 있다. 이는 가교 작용의 발생으로 아크릴로일 기가 변하고 있음을 나타내어 준다.

도 7은 가교 반응이 일어난 아조 유기 고분자 필름에 대한 IR 스펙트럼을 나타낸다.

도 7을 참조하면, 아래의 붉은 선의 스펙트럼은 샘플에 자외선 조사하지 않고 측정한 스펙트럼을 나타내었고 검은 선은 이 샘플에 자외선을 조사한 후 IR을 측정한 것이다. 본 발명에서 가교가 일어나는 부분인 아크릴로일 기의 탄소-탄소 이중결합의 변화를 관찰함으로 물질의 가교의 유무를 추측해 볼 수 있다. 통상 C=C 스트레칭이 있는 경우 1660 ~ 1600 cm^-1 정도에서, =CH 밴딩은 100 ~ 650 cm^-1 정도에서 IR(KBr) 스펙트럼을 보인다. 본 발명 물질에 포함된 아크릴로일 기에 의해 C=C 스트레칭을 보여 붉은 선의 스펙트럼을 보면 1600 cm^- ¹부근에서 스펙트럼 픽을 확인 할 수 있다. 또한, =CH 밴딩은 850 cm^-1 부근에서 확인 할 수 있다. 자외선 조사 전과 조사 후의 스펙트럼을 비교해보면 위의 C=C 스트레칭과 =CH 밴딩 픽이 줄어들고 없어지는 변화를 확인할 수 있다. 이는 자외선에 의한 가교 작용이 발생함으로 인해 탄소-탄소 이중결합이 깨짐을 나타낸다.

[ 제조예 5] 아크롤로일 기를 가지는 아조 유기 고분자에 대한 탈색 반응

상기 제조예 2 또는 제조예 3에 의해 형성된 필름에 소정 파장의 광을 조사하면 색 빠짐 현상을 발생시킬 수 있다. 상기 색 빠짐 현상은 가교 반응과 동시에 일어날 수 있으며, 광원의 선택에 따라 가교 반응과 독립적으로 일으킬 수도 있다.

이는 상기 도 6을 통해 확인할 수 있다. 즉, 시료는 자외선을 조사하기 이전에는 약 460nm의 파장대에서 높은 광흡수율을 가진다. 따라서, 상기 시료는 붉은 색 계통의 색상을 가진다. 또한, 시료에 자외선이 조사되는 경우, 약 460nm의 파장대에서도 시료는 낮은 광흡수율을 나타낸다. 이는 자외선의 조사에 의해 시료가 탈색된 것을 나타낸다.

도 8은 필름에 광이 조사된 부분과 조사되지 아니한 부분을 나타낸다. 광이 조사된 부분은 색빠짐이 발생하며, 광원에 노출되지 아니한 부분은 색빠짐이 발생되지 아니함을 알 수 있다.

도 9는 자외선에 의해 가교 반응이 발생된 필름에 대해 용매 처리를 한 경우를 나타낸 것이다.

상기 도 9에서 용매 처리를 하여도 자외선이 조사된 부분은 용해되지 않고 남아 있음을 알 수 있다. 또한, 가교 반응에도 불구하고 미세표면요철구조는 없어지지 아니하고 남아있음을 확인할 수 있었다.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 간섭광의 조사시 발생되는 미세표면요철구조를 자외선에 의해 가교시키며, 이와 함께 탈색시킬 수 있다. 이를 위해 아조계 유기 고분자는 아크릴로일 기를 가진다.

종래에는 아조계 고분자의 미세표면요철구조가 열이나 용매에 약한 저항력을 가지고 있었으며, 특유의 색으로 인해 사용상의 많은 제약을 가지고 있었다. 그러나 본 발명에 따른 아조계 유기 고분자는 자외선의 조사에 의해 아크릴로일 기에서 가교 작용이 발생하며, 이와 함께 우수한 탈색 현상이 나타난다. 이러한 특성들로 인해 본 발명의 아조계 유기 고분자는 열이나 용매에 대해 높은 저항력을 나타내며, 투명한 표면요철구조의 형성이 가능하게 되었다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

하기의 화학식 1로 표시되는 아크릴로일 기를 가지는 아조계 유기 고분자.

[화학식 1]

상기 화학식 1에서 R1~R8은 서로 같거나 다른 것으로서 일치환 혹은 다치환 된 수소원자, 산소원자, 일치환 혹은 다치환된 알킬기, 아로마틱 기, 일치환 혹은 다치환된 아로마틱 기 중에서 선택되고, 적어도 하나 이상이 하기의 화학식 2에 따른 아조벤젠 작용기를 가진다. x, y는 0~4이며, Z1, Z2는 서로 독립적으로 일치환 또는 다치환된 수소, 일치환 혹은 다치환된 알킬기 또는 일치환 혹은 다치환된 아로마틱 기가 선택될 수 있다.

[화학식 2]

상기 화학식 2에서 X는 일치환(mono-substituted) 또는 다치환된(multi-substituted) 수소원자, 일치환 혹은 다치환된 알킬기, 일치환 혹은 다치환 된 할 로겐화 알킬기, 일치환 혹은 다치환된 아릴기, 일치환 혹은 다치환된 디알킬 아미노기 및 일치환 혹은 다치환된 시아노기 중에서 선택된 어느 하나를 나타낸다.
제1항에 있어서, 상기 아크릴로일 기는 자외선의 조사에 의해 가교 반응을 일으키는 것을 특징으로 하는 아조계 유기 고분자.
제2항에 있어서, 상기 가교 반응은 하기의 반응식 1에 따르는 것을 특징으로 하는 아조계 유기 고분자.

[반응식 1]
제2항에 있어서, 상기 아조계 유기 고분자는 상기 자외선의 조사에 의해 탈색되는 것을 특징으로 하는 아조계 유기 고분자.
제4항에 있어서, 상기 자외선 조사에 의한 탈색 반응과 가교 반응은 동시에 일어나는 것을 특징으로 하는 아조계 유기 고분자.
제1항에 있어서, 상기 아조계 유기 고분자는 간섭광의 조사에 의해 미세표면요철구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 아조계 유기 고분자.
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