KR100809595B1 - Thin film heater and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

A thin film heater and a method for manufacturing the same are provided to uniformly radiate heat from the whole surface of the thin film heater and to employ a heating pattern having a uniform thickness by uniformly depositing a heating layer, a seed layer, and a buffer layer. A heating layer(50) is formed an upper layer of a base substrate(10). The heating layer radiates heat by power applied from the outside. A seed layer(40) is disposed between the heating layer and the substrate. The seed layer forms the heating layer at a surface through a plating. A buffer layer(30) is disposed between the seed layer and the base substrate to fix the seed layer on an upper portion of the base substrate. A deposition promoting layer(20) is formed on an upper surface of the base substrate. The deposition promoting layer helps the buffer layer to be deposited. A sensor pattern measures the temperature of the heating layer. The sensor pattern is formed between heating patterns formed on the heating layer.

Description

박막 히터 및 박막 히터를 제조하는 방법{thin film heater and method for fabricating the same}Thin film heater and method for fabricating the same

도 1은 본 발명에 따른 박막 히터를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing a thin film heater according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 박막 히터를 제조하는 방법을 나타내는 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a thin film heater according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 박막 히터를 나타내는 평면도이다.3 is a plan view showing a thin film heater according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 베이스 기판 20 : 증착촉진층10: base substrate 20: deposition promotion layer

30 : 버퍼층 40 : 씨드층30: buffer layer 40: seed layer

50 : 발열층 60 : 센서층50: heating layer 60: sensor layer

70 : 절연층70: insulation layer

본 발명은 박막 히터 및 박막 히터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 균일한 두께의 발열층을 가지는 박막 히터 및 박막 히터를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film heater and a method for manufacturing a thin film heater, and more particularly, to a thin film heater and a method for manufacturing a thin film heater having a heating layer of uniform thickness.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.In general, various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture a semiconductor device. Photolithography processes performed to form patterns play an important role in achieving high integration of semiconductor devices.

포토 리소그래피 공정을 수행하는 시스템은 도포 유닛, 노광 유닛, 현상 유닛, 그리고 베이크 유닛들을 포함하며, 웨이퍼는 베이크 유닛, 도포 유닛, 베이크 유닛, 노광 유닛, 베이크 유닛, 현상 유닛, 그리고 베이크 유닛을 순차적으로 이동되면서 공정이 수행된다.A system for performing a photolithography process includes an application unit, an exposure unit, a development unit, and a baking unit, and the wafer sequentially processes the baking unit, the application unit, the baking unit, the exposure unit, the baking unit, the developing unit, and the baking unit. The process is performed while moving.

베이크 유닛은 웨이퍼를 가열하는 가열 부재와 웨이퍼를 냉각하는 냉각 부재를 가진다. 가열 부재는 웨이퍼가 놓여지는 가열 플레이트를 가지며, 가열 플레이트를 이용하여 웨이퍼를 기설정된 온도로 가열한다.The baking unit has a heating member for heating the wafer and a cooling member for cooling the wafer. The heating member has a heating plate on which the wafer is placed, and uses the heating plate to heat the wafer to a predetermined temperature.

그러나, 종래의 가열 플레이트는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional heating plate has the following problems.

종래의 가열 플레이트는 기판의 일측면에 소정 형상의 발열체를 프린트하여 발열패턴을 형성하며, 이를 이용하여 웨이퍼를 가열하였다. 그러나, 프린트에 의하여 발열패턴을 형성하면, 발열패턴은 위치에 따라 서로 다른 두께 및 모양을 가지게 되며, 이로 인하여 발열패턴들의 발열량은 위치에 따라 서로 달랐다. 따라서, 종래의 가열 플레이트는 전면에서 균일한 온도를 방출하기 어려웠다.The conventional heating plate forms a heating pattern by printing a heating element having a predetermined shape on one side of the substrate, and the wafer is heated using the heating plate. However, when the heat generation pattern is formed by printing, the heat generation patterns have different thicknesses and shapes according to positions, and thus the heat generation patterns of the heat generation patterns differ from each other according to the positions. Therefore, the conventional heating plate has been difficult to discharge uniform temperature from the front side.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 균일한 두께의 발열패턴이 형성된 박막 히터 및 박막 히터를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.The present invention is to solve the above-described problems, an object of the present invention to provide a thin film heater and a method for manufacturing a thin film heater is formed a heating pattern of uniform thickness.

본 발명의 다른 목적은 히터의 전면에서 균일하게 열을 방출할 수 있는 박막 히터 및 박막 히터를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a thin film heater and a method for manufacturing the thin film heater that can emit heat uniformly in front of the heater.

본 발명에 의하면, 박막 히터는 베이스 기판과, 상기 베이스 기판의 상부에 형성되며 외부로부터 인가된 전원에 의하여 열을 방출하는 발열층과, 상기 발열층과 상기 기판 사이에 개재되며 도금에 의하여 발열층이 일면에 형성되기 위한 전극 역할을 하는 씨드층을 포함한다.According to the present invention, the thin film heater is formed on the base substrate, the heat generating layer that emits heat by the power applied from the outside, and the heat generating layer interposed between the heat generating layer and the substrate and is plated It includes a seed layer that serves as an electrode to be formed on one surface.

상기 박막 히터는 상기 씨드층과 상기 베이스 기판의 사이에 개재되어 상기 씨드층을 상기 베이스 기판의 상부에 고정하는 버퍼층을 더 포함할 수 있다.The thin film heater may further include a buffer layer interposed between the seed layer and the base substrate to fix the seed layer to an upper portion of the base substrate.

상기 박막 히터는 상기 베이스 기판의 상부면에 형성되며, 상부에 막이 증착되는 것을 돕는 증착촉진층을 더 포함할 수 있다.The thin film heater may further include a deposition promotion layer formed on an upper surface of the base substrate and helping to deposit a film thereon.

상기 박막 히터는 상기 발열층의 상부에 형성되며, 상기 발열층의 온도를 측정하기 위한 센서층을 더 포함할 수 있다.The thin film heater may be formed on the heating layer, and may further include a sensor layer for measuring the temperature of the heating layer.

상기 박막 히터는 상기 발열층의 상부에 형성되며, 상기 발열층에 형성된 발열패턴 사이를 절연하기 위한 절연층을 더 포함할 수 있다.The thin film heater may further include an insulating layer formed on an upper portion of the heat generating layer to insulate between the heat generating patterns formed on the heat generating layer.

본 발명에 의하면, 박막 히터를 제조하는 방법은 베이스 기판의 상부에 발열층을 도금하는 단계를 포함한다.According to the present invention, a method of manufacturing a thin film heater includes plating a heating layer on an upper portion of a base substrate.

상기 방법은 상기 베이스 기판의 상부에 씨드층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 씨드층을 전극으로 하여 상기 씨드층의 상부에 상기 발열층을 도금할 수 있다.The method may further include forming a seed layer on the base substrate, and plating the heating layer on the seed layer using the seed layer as an electrode.

상기 방법은 상기 베이스 기판과 상기 씨드층의 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 씨드층은 스퍼터링에 의하여 상기 버퍼층의 상부에 형성될 수 있다.The method further includes forming a buffer layer between the base substrate and the seed layer, wherein the seed layer may be formed on top of the buffer layer by sputtering.

상기 방법은 상기 베이스 기판의 상부에 증착촉진층을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 버퍼층은 스퍼터링에 의하여 상기 증착촉진층의 상부에 형성될 수 있다.The method may further include forming a deposition promotion layer on the base substrate, wherein the buffer layer may be formed on the deposition promotion layer by sputtering.

상기 방법은 상기 발열층을 도금하는 단계 이후에, 상기 발열층의 상부에 포토레지스트 막을 형성하는 단계와, 원하는 발열패턴이 형성된 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계와, 상기 발열층을 에칭하는 단계와, 상기 포토레지스트 막을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method includes forming a photoresist film on top of the heat generating layer after the plating of the heat generating layer, exposing the photoresist film using a mask having a desired heat generating pattern, and etching the heat generating layer. And removing the photoresist film.

상기 방법은 상기 발열층의 상부에 상기 발열층의 온도를 측정하기 위한 센서층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further comprise forming a sensor layer on top of the heat generating layer for measuring the temperature of the heat generating layer.

상기 방법은 상기 발열층에 형성된 발열패턴 사이를 절연하기 위한 절연층을 상기 발열층의 상부에 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming an insulating layer on the heating layer to insulate the heating patterns formed on the heating layer.

상기 절연층은 플라스마 강화 화학 기상 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition:PECVD)에 의하여 형성될 수 있다.The insulating layer may be formed by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD).

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 1 내지 도 2를 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 2. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to explain in detail the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of each element shown in the drawings may be exaggerated to emphasize a more clear description.

이하에서는 기판의 일례로 웨이퍼(W)를 들어 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또한, 어떤 막이 다른 막 또는 웨이퍼 상에 있다고 설명하는 경우 이는 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 그들 사이에 제3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다.Hereinafter, the wafer W will be described as an example of the substrate, but the present invention is not limited thereto. In addition, when describing that a film is on another film or wafer, this means that it may be formed directly on another film or substrate, or a third film may be interposed therebetween.

도 1은 본 발명에 따른 박막 히터(1)를 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 2는 본 발명에 따른 박막 히터(1)를 제조하는 방법을 나타내는 흐름도이다.1 is a view schematically showing a thin film heater 1 according to the present invention, and FIG. 2 is a flowchart showing a method of manufacturing the thin film heater 1 according to the present invention.

먼저, 베이스 기판(10)을 준비한다. 베이스 기판(10)으로는 탄화규소(SiC) 성분을 사용하며, 이외에도 세라믹 계열의 질화알루미늄(AlN) 및 알루미나(Al2O3)를 사용할 수 있다.First, the base substrate 10 is prepared. A silicon carbide (SiC) component is used as the base substrate 10, and in addition, ceramic-based aluminum nitride (AlN) and alumina (Al 2 O 3 ) may be used.

다음, 베이스 기판(10)의 상부에 증착촉진층(20)을 증착한다(S10). 증착촉진층(20)은 후술하는 스퍼터링(sputtering) 공정을 위하여 증착된다. 앞서 설명한 세라믹 계열의 베이스 기판(10) 상에는 스퍼터링이 잘 이루어지지 않는다. 따라서, 스퍼터링에 의하여 버퍼층(30)을 증착하기 위하여 베이스 기판(10)의 상부에 증착촉진층(20)을 증착한다.Next, the deposition promotion layer 20 is deposited on the base substrate 10 (S10). The deposition promotion layer 20 is deposited for the sputtering process described later. Sputtering is not well performed on the ceramic base substrate 10 described above. Therefore, the deposition promotion layer 20 is deposited on the base substrate 10 to deposit the buffer layer 30 by sputtering.

증착촉진층(20)으로는 실리콘 질화막(Si3N4)을 사용하며, 증착촉진층(20)은 실란(silane)(SiH4)과 암모니아(NH3), 수소(H2)를 약 700℃ 이상의 고온과 150mTorr의 진공압 상에서 증착되며, 약 5000 옹스트롬의 두께로 증착된다.As the deposition promotion layer 20, a silicon nitride film (Si 3 N 4 ) is used, and the deposition promotion layer 20 includes silane (SiH 4 ), ammonia (NH 3 ), and hydrogen (H 2 ). Deposited at a high temperature above 150 ° C. and a vacuum pressure of 150 mTorr, deposited to a thickness of about 5000 Angstroms.

다음, 증착촉진층(20)의 상부에 버퍼층(30)을 스퍼터링에 의하여 증착한다(S20). 스퍼터링은 스퍼터링 가스를 진공분위기로 이루어진 챔버 내로 주입하여 증착하고자 하는 목표물질과 충돌시켜 플라스마를 생성시킨 후 이를 기판에 코팅시키는 방법이다.Next, the buffer layer 30 is deposited by sputtering on the deposition promotion layer 20 (S20). Sputtering is a method of injecting a sputtering gas into a chamber made of a vacuum atmosphere to collide with a target material to be deposited to generate a plasma and to coat it on a substrate.

버퍼층(30)은 후술하는 씨드층(40)을 베이스 기판(10)의 상부에 고정하는 역할과, 씨드층(40)과 증착촉진층(20) 사이의 스트레스를 완충하는 역할을 한다. 버퍼층(30)으로는 지르코니아(ZrO2)를 사용하며, 10-7Torr에서 약 5,000 옹스트롬의 두께로 증착한다.The buffer layer 30 serves to fix the seed layer 40 to be described later on the base substrate 10 and buffers the stress between the seed layer 40 and the deposition promotion layer 20. Zirconia (ZrO 2 ) is used as the buffer layer 30 and deposited at a thickness of about 5,000 Angstroms at 10 −7 Torr.

다음, 버퍼층(30)의 상부에 씨드층(40)을 스퍼터링에 의하여 증착한다(S30). 씨드층(40)은 도금을 위한 전극 역할을 하며, 도금에 의하여 씨드층(40)의 상부에는 후술하는 발열층(50)이 형성된다. 씨드층(40)으로는 티타늄(Ti)을 사용하며, 버퍼층(30)과 동일한 기압에서 약 3,000 옹스트롬의 두께로 증착한다.Next, the seed layer 40 is deposited on the buffer layer 30 by sputtering (S30). The seed layer 40 serves as an electrode for plating, and a heating layer 50 to be described later is formed on the seed layer 40 by plating. Titanium (Ti) is used as the seed layer 40 and is deposited to a thickness of about 3,000 angstroms at the same pressure as the buffer layer 30.

다음, 씨드층(40)의 상부에 발열층(50)을 도금한다(S40). 도금은 일반적으로 금속 표면에 다른 금속 또는 합금의 얇은 층을 입히는 것을 말하며, 일반적으로 도금이라고 하면 전기도금을 말한다. 씨드층(40)을 전극으로 이용하여 씨드층(40)의 상부에 발열층(50)을 도금한다. 발열층(50)으로는 텅스텐(W)이나 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr)이 사용되며, 발열층(50)은 약 7㎛의 두께를 가진다.Next, the heating layer 50 is plated on the seed layer 40 (S40). Plating generally refers to the coating of a thin layer of another metal or alloy on a metal surface, and generally refers to electroplating. The heat generating layer 50 is plated on the seed layer 40 using the seed layer 40 as an electrode. Tungsten (W), molybdenum (Mo), and chromium (Cr) are used as the heat generating layer 50, and the heat generating layer 50 has a thickness of about 7 μm.

다음, 발열층(50)에 발열패턴을 형성한다(S50). 발열패턴을 형성하는 방법은 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는 방법과 동일하다. 발열층(50)의 상부에 포토레지스트 용액을 공급하여 포토레지스트 막을 형성하고, 원하는 발열패턴이 형성된 마스크를 이용하여 포토레지스트 막을 노광한 후, 발열층을 에칭하고, 포토레지스트 막을 제거하면 발열층(50)에는 원하는 발열패턴이 형성된다. 발열패턴은 도 1에 도시한 바와 같다.Next, a heating pattern is formed in the heating layer 50 (S50). The method of forming the heating pattern is the same as the method of forming the pattern on the wafer. A photoresist film is formed by supplying a photoresist solution on top of the heat generating layer 50, the photoresist film is exposed using a mask on which a desired heat generating pattern is formed, the heat generating layer is etched, and the photoresist film is removed. 50, a desired heating pattern is formed. The heat generation pattern is as shown in FIG. 1.

다음, 발열패턴의 사이에 센서층(60)을 형성한다(S60). 센서층(60)은 발열층(50)의 온도를 측정하기 위하여 사용되며, 일반적으로 백금(Pt)을 사용하여 약 5㎛의 두께로 형성한다. 센서층(60)에는 원하는 위치의 온도를 국부적으로 측정할 수 있는 센서패턴이 형성될 수 있다. 발열패턴을 형성하는 방법과 마찬가지로 원하는 센서패턴이 형성된 마스크를 이용하여 센서층(60)에 센서패턴을 형성할 수 있으며, Next, the sensor layer 60 is formed between the heating patterns (S60). The sensor layer 60 is used to measure the temperature of the heat generating layer 50, and is generally formed to a thickness of about 5 μm using platinum (Pt). The sensor layer 60 may be formed with a sensor pattern that can locally measure the temperature of the desired location. As in the method of forming the heating pattern, a sensor pattern may be formed on the sensor layer 60 by using a mask on which a desired sensor pattern is formed.

다음, 발열층(50)의 상부에 절연층(70)을 형성한다(S70). 절연층(70)은 발열층(50)에 형성된 발열패턴 사이를 절연한다. Next, an insulating layer 70 is formed on the heating layer 50 (S70). The insulating layer 70 insulates between the heating patterns formed on the heating layer 50.

절연층(70)은 플라스마 강화 화학 기상 증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition:PECVD)법에 의해 형성된다. 플라스마 강화 화학 기상 증착은 비교적 저온(400℃)에서 증착이 가능한 장점이 있다. 절연층(70)으로는 실리콘산화막(SiO2) 또는 실리콘질화막(Si3N4)을 사용할 수 있으며, 약 3000 옹스트롬의 두께로 증착한다.The insulating layer 70 is formed by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method. Plasma enhanced chemical vapor deposition has the advantage of being able to deposit at relatively low temperatures (400 ° C.). As the insulating layer 70, a silicon oxide film (SiO 2 ) or a silicon nitride film (Si 3 N 4 ) may be used, and a thickness of about 3000 angstroms may be deposited.

도 3은 본 발명에 따른 박막 히터(1)를 나타내는 평면도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 박막 히터(1)는 중앙에 위치하는 제1 구역(Ⅰ), 제1 구역(Ⅰ)을 감싸는 제2 구역(Ⅱ), 제2 구역(Ⅱ)을 감싸는 제3 구역(Ⅲ), 제3 구역(Ⅲ)의 아랫쪽에 위치하는 제4 구역(Ⅳ), 제3 구역(Ⅲ)의 왼쪽에 위치하는 제5 구역(Ⅴ), 제3 구역(Ⅲ)의 윗쪽에 위치하는 제6 구역(Ⅵ), 제3 구역(Ⅲ)의 오른쪽에 위치하는 제7 구역(Ⅶ)을 포함하며, 각각의 구역에는 발열패턴이 형성된 발열층(50)과 각각의 구역에해당하는 발열층(50)의 온도를 측정하는 센서패턴(60)이 형성된다.3 is a plan view showing the thin film heater 1 according to the present invention. As shown in FIG. 3, the thin film heater 1 includes a first zone I located at the center, a second zone II covering the first zone I, and a third surrounding the second zone II. Zone (III), fourth zone (IV) located below the third zone (III), fifth zone (V) located on the left side of the third zone (III), above the third zone (III) A sixth zone VI located therein and a seventh zone located at the right side of the third zone III, each zone having a heating layer 50 having a heating pattern formed therein and corresponding to each zone. The sensor pattern 60 for measuring the temperature of the heat generating layer 50 is formed.

상술한 바에 의하면, 발열층(50) 및 발열층(50)의 하부에 위치하는 씨드층(40), 그리고 버퍼층(30)을 균일하게 증착시킬 수 있으므로 균일한 두께의 박막 히터(1)를 제공할 수 있다. 또한, 박막 히터(1)의 전면에서 균일하게 열을 방출할 수 있다.According to the above, since the heat generating layer 50, the seed layer 40 positioned below the heat generating layer 50, and the buffer layer 30 can be uniformly deposited, the thin film heater 1 having a uniform thickness is provided. can do. In addition, heat can be uniformly released from the entire surface of the thin film heater 1.

본 발명에 의하면 균일한 두께의 발열패턴이 형성된 박막 히터를 제공할 수 있다. 또한, 박막 히터의 전면에서 균일하게 열을 방출할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a thin film heater in which a heating pattern having a uniform thickness is formed. In addition, heat can be uniformly released from the front surface of the thin film heater.

Claims (13)

박막 히터에 있어서,In a thin film heater, 베이스 기판;A base substrate; 상기 베이스 기판의 상부에 형성되며, 외부로부터 인가된 전원에 의하여 열을 방출하는 발열층; 및A heat generation layer formed on the base substrate and dissipating heat by a power applied from the outside; And 상기 발열층과 상기 기판 사이에 개재되며, 도금에 의하여 상기 발열층을 일면에 형성시키는 전극 역할을 하는 씨드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 히터.And a seed layer interposed between the heat generating layer and the substrate and serving as an electrode for forming the heat generating layer on one surface by plating. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막 히터는 상기 씨드층과 상기 베이스 기판의 사이에 개재되어 상기 씨드층을 상기 베이스 기판의 상부에 고정하는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 히터.The thin film heater further comprises a buffer layer which is interposed between the seed layer and the base substrate to fix the seed layer on top of the base substrate. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 박막 히터는 상기 베이스 기판의 상부면에 형성되며, 상부에 상기 버퍼층이 증착되는 것을 돕는 증착촉진층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 히터.The thin film heater is formed on the upper surface of the base substrate, the thin film heater, characterized in that further comprising a deposition promotion layer to help the buffer layer is deposited on top. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막 히터는 상기 발열층의 온도를 측정하기 위한 센서패턴을 더 포함하며,The thin film heater further includes a sensor pattern for measuring the temperature of the heating layer, 상기 센서패턴은 상기 발열층에 형성된 발열패턴들 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 히터.The sensor pattern is a thin film heater, characterized in that formed between the heating patterns formed in the heating layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막 히터는 상기 발열층의 상부에 형성되며, 상기 발열층에 형성된 발열패턴들 사이를 절연하기 위한 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 히터.The thin film heater is formed on top of the heat generating layer, the thin film heater, characterized in that further comprising an insulating layer for insulating between the heating patterns formed in the heat generating layer. 박막 히터를 제조하는 방법에 있어서,In the method of manufacturing a thin film heater, 베이스 기판의 상부에 발열층을 형성하는 단계를 포함하되,Forming a heating layer on the base substrate, 상기 발열층을 형성하는 단계는 전극에 전류를 인가하여 전극의 일면에 상기 발열층으로 사용되는 물질을 도금하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 히터를 제조하는 방법.The forming of the heat generating layer may include applying a current to an electrode to plate a material used as the heat generating layer on one surface of the electrode. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 방법은 상기 베이스 기판의 상부에 씨드층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 씨드층을 상기 전극으로 하여 상기 씨드층의 상부면에 상기 발열층을 도금하는 것을 특징으로 하는 박막 히터를 제조하는 방법.The method further comprises the step of forming a seed layer on top of the base substrate, wherein the heating layer is plated on the top surface of the seed layer by using the seed layer as the electrode Way. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 방법은,The method, 상기 베이스 기판과 상기 씨드층의 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하되,The method may further include forming a buffer layer between the base substrate and the seed layer. 상기 씨드층은 스퍼터링에 의하여 상기 버퍼층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 히터를 제조하는 방법.The seed layer is a method of manufacturing a thin film heater, characterized in that formed on top of the buffer layer by sputtering. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 방법은,The method, 상기 베이스 기판의 상부에 증착촉진층을 형성하는 단계를 더 포함하되,The method may further include forming a deposition promotion layer on the base substrate. 상기 버퍼층은 스퍼터링에 의하여 상기 증착촉진층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 히터를 제조하는 방법.The buffer layer is a method of manufacturing a thin film heater, characterized in that formed on top of the deposition promotion layer by sputtering. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 방법은,The method, 상기 발열층을 도금하는 단계 이후에,After plating the heating layer, 상기 발열층의 상부에 포토레지스트 막을 형성하는 단계;Forming a photoresist film on the heat generating layer; 원하는 발열패턴이 형성된 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트 막을 노광 하는 단계;Exposing the photoresist film using a mask on which a desired heating pattern is formed; 노광된 상기 포토레지스트 막을 현상하는 단계;Developing the exposed photoresist film; 상기 발열층을 에칭하는 단계; 및Etching the heat generating layer; And 상기 포토레지스트 막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 히터를 제조하는 방법.And removing the photoresist film. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 방법은 상기 마스크에 의해 상기 발열층에 형성된 발열패턴 사이에 상기 발열층의 온도를 측정하기 위한 센서패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 히터를 제조하는 방법.The method further comprises the step of forming a sensor pattern for measuring the temperature of the heating layer between the heating pattern formed in the heating layer by the mask. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 방법은 상기 마스크에 의해 상기 발열층에 형성된 발열패턴 사이를 절연하기 위한 절연층을 상기 발열층의 상부에 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 히터를 제조하는 방법.The method further comprises the step of forming an insulating layer on top of the heating layer to insulate between the heating pattern formed in the heating layer by the mask. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 절연층은 플라스마 강화 화학 기상 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition:PECVD)에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 히터를 제조하는 방법.And the insulating layer is formed by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
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