KR100808088B1 - Apparatus for transferring n2 gas used in elimination of chamber gas - Google Patents

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Abstract

A nitrogen transfer apparatus for exhausting process gas is provided to increase heat efficiency of a nitrogen transfer apparatus by minimizing a heat leakage by a heat conductive pipe formed between a heater and a housing. Process gas flows in a transfer pipe connecting part(10) wherein a nitrogen absorption hole(12) is formed on the outer surface of the transfer pipe connecting part. A heater(20) is positioned along the outer circumferential surface of the transfer pipe connecting part. A nitrogen introduction hole(32) is formed on the outer surface of a housing(30) made of a cylindrical member supporting the transfer pipe connecting part and the heater. A heat conductive pipe(40) is made of a cylindrical heat conduction member positioned between the heater and the housing wherein a nitrogen penetration hole(42) is formed in the outer circumferential hole of the heat conduction pipe to make the nitrogen introduced from the nitrogen introduction hole arrive at the heater. The heater includes at least two bar-type heaters, and the bar-type heater is extended in parallel with the transfer pipe. The bar-type heaters are arranged to surround the periphery of the transfer pipe, electrically interconnected in parallel. The nitrogen absorption hole can be tilted in the flow direction of the process gas to easily absorb the process gas according to the flow of the process.

Description

공정가스 배출용 질소 트랜스퍼 장치{Apparatus for transferring N2 gas used in elimination of chamber gas}Nitrogen transfer device for process gas discharge {Apparatus for transferring N2 gas used in elimination of chamber gas}

도 1a 는 반도체 제조과정중 공정가스를 배출하는 프로세스를 나타내는 도면이다.1A is a view illustrating a process of discharging a process gas during a semiconductor manufacturing process.

도 1b 는 부산물이 흡착된 이송관의 단면을 나타내는 도면이다.Figure 1b is a view showing a cross section of the feed pipe adsorbed by-products.

도 2는 본 발명의 질소 트랜스퍼 장치가 설치된 공정가스 배출 경로를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a process gas discharge path in which a nitrogen transfer device of the present invention is installed.

도 3은 본 발명에 따른 질소 트랜스퍼 장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the nitrogen transfer apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 질소 트랜스퍼 장치의 분해도이다.4 is an exploded view of the nitrogen transfer apparatus according to the present invention.

도 5a는 히터의 배선구조를 나타내는 단면도이고, 도 5b 는 배선의 방향을 개념적으로 설명하는 도면이다.FIG. 5A is a cross-sectional view showing the wiring structure of the heater, and FIG. 5B is a diagram conceptually explaining the direction of the wiring.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이송관연결부 부위의 단면도를 나타내는 도면이다.6 is a view showing a cross-sectional view of the transfer pipe connection portion according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 하우징 부위의 단면도를 나타내는 도면이다.7 is a cross-sectional view of a housing portion according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 공정가스 배출용 질소 트랜스퍼 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정가스를 배출하는 경로에 고온질소를 유입함으로써 부산물의 생성을 억제할 수 있는 공정가스 배출용 질소 트랜스퍼 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a nitrogen transfer device for process gas discharge, and more particularly, to a nitrogen transfer device for process gas discharge that can suppress the formation of by-products by introducing hot nitrogen into a path for discharging process gas.

도 1a 는 반도체 제조과정중 공정가스를 배출하는 프로세스를 나타내는 도면이다.1A is a view illustrating a process of discharging a process gas during a semiconductor manufacturing process.

챔버(1)는 반도체를 제조하는 공간이며, 화학적 반응성을 활성화하기 위한 여러 가지 공정가스(5)가 사용된다. 공정가스(5)는 여러 가지 인체나 환경에 유해한 성분을 가지고 있다.The chamber 1 is a space for manufacturing a semiconductor, and various process gases 5 are used to activate chemical reactivity. The process gas 5 has various components harmful to humans and the environment.

공정가스(5)는 챔버(1)에서 사용되고 난 후 펌프(2)를 통해 정화장치(4)로 유입되고, 정화장치(4)에서 정화되어 유해한 부산물이 제거된후 외부로 유출된다. The process gas 5 flows into the purifier 4 through the pump 2 after being used in the chamber 1, and is purified by the purifier 4 to be discharged to the outside after the harmful by-products are removed.

배출된 공정가스(6)는 펌프(2)와 정화장치(4)의 경로인 이송관(3)을 통과하게 되는데, 이송관(3)은 일반적으로 길이가 길기 때문에, 정화장치(4)에 도달하기 전에 공정가스(6)의 내부에 포함된 부산물이 이송관(3)의 내부벽에 흡착되기 쉽다. The discharged process gas 6 passes through the transfer pipe 3, which is a path between the pump 2 and the purifier 4, and since the transfer pipe 3 is generally long, By-products contained within the process gas 6 are likely to be adsorbed on the inner wall of the transfer pipe 3 before reaching.

도 1b 는 부산물이 흡착된 이송관의 단면을 나타내는 도면이다.Figure 1b is a view showing a cross section of the feed pipe adsorbed by-products.

이러한 부산물(powder)은 이송관의 내부 부피를 감소시켜 공정가스 배출경로의 효율성을 저하시키고, 이송관의 내구성을 감소시키는 등 여러 가지 문제점을 발생시킨다. 이를 방지하기 위해, 이송관의 내부를 청소하는 방법도 시도되고 있으나, 이러한 청소작업은 시간 및 비용이 많이 투여되기 때문에 결국 반도체 제조 단가의 상승을 가져와 바람직하지 않다. 따라서, 챔버에서 정화장치까지의 공정가스 배출경로에 이송관에 부산물이 생성되는 것을 방지하기 위한 기술에 대한 업계의 요구가 절실하다. These by-products (powder) to reduce the internal volume of the transfer pipe to reduce the efficiency of the process gas discharge path, causing various problems, such as reducing the durability of the transfer pipe. In order to prevent this, a method of cleaning the inside of the transfer pipe is also attempted, but since such a cleaning operation is time-consuming and expensive, it is not preferable to bring about an increase in the price of semiconductor manufacturing. Therefore, there is an urgent need in the industry for a technology for preventing the generation of by-products in the transfer pipe in the process gas discharge path from the chamber to the purifier.

이러한 부산물의 생성을 억제하기 위해, 최근 고온의 질소가스를 이송관의 내부에 흡입시키는 시도가 행해지고 있다. 이러한 방법은 화학적으로 안정한 고온의 질소가스를 이송관의 내부에 흡입시킴으로써 이송관내부의 온도가 감소되는 것을 방지하여, 부산물 생성조건의 발생을 방지함으로써 부산물의 생성을 억제한다.In order to suppress the production of such by-products, attempts have recently been made to inhale hot nitrogen gas into the inside of a transfer pipe. This method prevents the temperature inside the transfer pipe from being reduced by inhaling chemically stable high temperature nitrogen gas into the transfer pipe, thereby suppressing the generation of by-products by preventing the occurrence of by-product generation conditions.

이러한 질소 트랜스퍼 장치중 하나로서, 한국등록특허 제719336호는 별도의 공급라인을 이용하여 배기라인에 뜨거운 질소를 공급하고 배기라인을 보온하기 위한 히터자켓을 배기라인주변에 씌우는 장치를 개시하고 있다. As one of such nitrogen transfer devices, Korean Patent No. 719336 discloses an apparatus for applying a heater jacket for supplying hot nitrogen to an exhaust line and insulating the exhaust line by using a separate supply line.

그러나, 이러한 종래의 트랜스퍼 장치는, 첫째 외부에서 히팅된 이미 뜨거워진 질소를 공급라인을 거쳐서 배기라인으로 공급하는 방식으로서 열누설이 많아서 열효율이 낮으며, 둘째 히팅자켓에 장착된 히터의 열선등은 히팅자켓의 내부에 제조시 함몰되어 있어 그 기능의 오작동시 전체 보온매커니즘의 기능이 상실되어 가용성의 면에서 우수하지 못하다.However, the conventional transfer device is a method of supplying already heated nitrogen, which is heated from the outside, to the exhaust line through a supply line, and thus has a large amount of heat leakage, resulting in low thermal efficiency. Since it is recessed during manufacturing inside the heating jacket, the function of the whole thermal insulation mechanism is lost when the function malfunctions, so it is not excellent in terms of availability.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 열효율성 및 가용성이 더욱 증가된 질소 트랜스퍼 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a nitrogen transfer device with further increased thermal efficiency and solubility.

전술한 과제를 해결하기 위해 본 발명의 공정가스 배출용 질소 트랜스퍼 장 치는, 반도체제조과정에서 발생한 공정가스를 배출하는 프로세스에 사용되는 공정가스 배출용 질소 트랜스퍼 장치에 있어서, 내부로 공정가스가 진행하며, 외면에 질소흡입공(12)이 형성된 이송관연결부(10); 상기 이송관연결부의 외주면을 따라 위치한 히터(20); 및 상기 이송관연결부 및 히터를 지지하는 원통형상의 부재로서, 외면에 질소유입구(32)가 형성된 하우징(30); 상기 히터 및 상기 하우징사이에 위치하는 원통형상의 열전도성 부재로서 상기 질소유입구(32)로부터 유입된 질소가 상기 히터에 도달하기위한 질소관통공(42)을 외주면에 포함하는 열전도관(40)을 포함하고, 상기 히터는 둘이상의 막대형 히터를 포함하고, 상기 막대형 히터는 상기 이송관과 나란하게 연장된 형상이며, 서로 전기적으로 병렬연결된 상태로 상기 이송관주위를 둘러싸도록 배열된 것을 특징으로 한다. In order to solve the above problems, the nitrogen gas transfer device for process gas discharge according to the present invention is a nitrogen gas transfer device for process gas discharge used in a process for discharging the process gas generated in the semiconductor manufacturing process. Transport tube connecting portion 10 formed with a nitrogen suction hole 12 on the outer surface; A heater 20 located along an outer circumferential surface of the transfer pipe connection part; And a cylindrical member supporting the transfer pipe connection part and the heater, the housing having a nitrogen inlet 32 formed on an outer surface thereof. A heat conduction tube 40 including a nitrogen through hole 42 on the outer circumferential surface of the cylindrical heat conductive member positioned between the heater and the housing to allow nitrogen introduced from the nitrogen inlet 32 to reach the heater. The heater may include two or more rod heaters, and the rod heaters may extend in parallel with the transfer pipes and may be arranged to surround the transfer pipes in an electrically parallel connection state. .

일 실시예에서, 상기 막대형 히터는 상기 하우징의 외부로부터 인입된 배선(60)에 의해 전기적으로 병렬연결되고, 상기 배선은 상기 하우징의 단면방향에서 보았을 때 상기 이송관의 외주면의 외부에서 원형으로 연장된 제1배선(62) 및 상기 제1배선의 외부에서 상기 제1배선과 반대방향으로 진행하며 상기 제1배선과 나란하게 연장된 제2배선(64)을 포함한다.In one embodiment, the rod-shaped heaters are electrically connected in parallel by wires 60 drawn from the outside of the housing, and the wires are circularly outside the outer circumferential surface of the transfer tube when viewed in the cross-sectional direction of the housing. The first wiring 62 includes an extended first wiring 62 and a second wiring 64 extending in parallel with the first wiring and running in a direction opposite to the first wiring outside the first wiring.

일 실시예에서, 상기 질소흡입공(12)은 상기 공정가스의 흐름에 따라 용이하게 흡입될 수 있도록 상기 공정가스가 흐르는 방향으로 경사진 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the nitrogen suction hole 12 is characterized in that inclined in the direction in which the process gas flows to be easily sucked in accordance with the flow of the process gas.

일 실시예에서, 상기 질소관통공(42)은, 상기 질소유입구를 통과한 질소가 상기 질소관통공을 통과하기까지의 시간이 최대로 증가되도록, 상기 질소유입구와 서로 반대방향에 위치하는 것을 특징으로 한다. In one embodiment, the nitrogen inlet 42 is located in the opposite direction to the nitrogen inlet so that the maximum time for the nitrogen passing through the nitrogen inlet through the nitrogen inlet is increased to the maximum. It is done.

일 실시예에서, 상기 질소흡입공(12)은, 상기 질소관통공을 통과한 질소가 상기 질소흡입공을 통과하기 까지의 시간이 최대로 증가되도록, 상기 질소관통공과 서로 반대방향에 위치하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the nitrogen inlet 12 is located in the opposite direction to the nitrogen through-holes so that the maximum time until the nitrogen passing through the nitrogen through-holes through the nitrogen intake hole is increased to the maximum. It features.

일 실시예에서, 상기 막대형 히터는 상기 이송관연결부와 접촉하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the rod-shaped heater is characterized in that in contact with the transfer pipe connection.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 질소 트랜스퍼 장치가 설치된 공정가스 배출 경로를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a process gas discharge path in which a nitrogen transfer device of the present invention is installed.

도 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 질소 트랜스퍼 장치(100)는 펌프(2)와 정화장치(4)사이에 설치된다. 전술한 바와 같이, 본 발명의 질소 트랜스퍼 장치(100)에는 종래와 상이하게 고온의 질소가 아닌 저온의 질소가 유입된다. 즉 질소 트랜스퍼 장치(100)는 저온의 질소를 가열한 후 즉시 이송관(3)으로 트랜스퍼한다. 또한 본 발명은 전기적으로 병렬연결된 2이상의 막대형 히터를 이송관을 둘러싸며 배치시킴으로서, 1개의 히터의 오작동시 장치 전체의 가용성을 더욱 증가시킨다. 이하 상세 설명한다.As shown in FIG. 2, the nitrogen transfer device 100 according to the present invention is installed between the pump 2 and the purifier 4. As described above, the nitrogen transfer device 100 of the present invention is introduced into the nitrogen transfer device 100 of the present invention, rather than the high temperature nitrogen. That is, the nitrogen transfer device 100 transfers the nitrogen at low temperature and immediately transfers it to the transfer pipe 3. The present invention also arranges two or more rod heaters electrically connected in parallel to the transfer pipe, thereby further increasing the availability of the entire apparatus in the event of a malfunction of one heater. It demonstrates in detail below.

도 3 및 4는 본 발명에 따른 질소 트랜스퍼 장치의 단면도 및 분해도이다.3 and 4 are cross-sectional and exploded views of the nitrogen transfer apparatus according to the present invention.

질소 트랜스퍼 장치(100)는 이송관연결부(10), 히터(20), 하우징(30) 및 열전도관(40)을 포함한다.The nitrogen transfer device 100 includes a transfer pipe connection part 10, a heater 20, a housing 30, and a heat conduction pipe 40.

이송관연결부(10)는 공정가스배출경로중에서 이송관(3)에 연결되어 내부로 공정가스가 진행하는 관형태의 부재이다. 이송관연결부(10)의 외주면에는 질소가 흡입되기 위한 질소흡입공(12)이 형성되어 있다.The transfer pipe connection part 10 is a member in the form of a pipe which is connected to the transfer pipe 3 in the process gas discharge path and the process gas proceeds inside. On the outer circumferential surface of the transfer pipe connection part 10, a nitrogen suction hole 12 for sucking nitrogen is formed.

히터(20)는 질소를 가열하는 기능을 하며, 배선(60)에 의해 공급된 전기에 의해 가열되는 막대형 히터이다. 히터(20)는 이송관연결부(20)가 연장된 방향과 동일한 방향으로 연장되어 있는 막대형 히터로서, 둘이상의 막대형 히터가 서로 전기적으로 병렬연결된 상태로 이송관연결부의 외주면을 둘러싸도록 배열되어 있다. The heater 20 is a rod-type heater that functions to heat nitrogen and is heated by electricity supplied by the wiring 60. The heater 20 is a rod-type heater extending in the same direction as the direction in which the transfer pipe connection 20 extends, and is arranged to surround the outer circumferential surface of the transfer pipe connection in a state in which two or more rod heaters are electrically connected in parallel with each other. have.

본 발명에서, 전기적으로 병렬연결된 둘이상의 막대형 히터가 이송관연결부를 둘러싸면서 배열되어 있기 때문에, 하나의 히터가 고장나더라도 나머지 히터로 인 질소가 가열됨으로써, 기기오작동에 대한 대처능력이 향상되어 질소트랜스퍼 장치 전체의 가용성이 증가한다. 특히, 질소 트랜스퍼 장치의 오작동은 이송관내의 부산물(powder)의 생성에 치명적인 영향을 미치므로, 이러한 가용성의 증가는 이송관의 유지관리비용을 급격히 감소시킬 수 있다. 배선구조에 대해서는 도 5a 및 5b에서 설명한다.In the present invention, since two or more rod-type heaters electrically connected in parallel are arranged to surround the transfer pipe connection part, phosphorus nitrogen is heated to the remaining heater even if one heater fails, thereby improving the ability to cope with equipment malfunction. The availability of the entire nitrogen transfer device is increased. In particular, the malfunction of the nitrogen transfer device has a devastating effect on the production of by-products in the delivery pipe, so this increase in availability can drastically reduce the maintenance costs of the delivery pipe. The wiring structure will be described with reference to FIGS. 5A and 5B.

하우징(30)은 원통형상의 부재로서 이송관연결부(10) 및 히터(20)를 지지한다. 하우징(30)의 외면에는 저온질소를 유입시키기위한 질소유입구(32)가 형성되어 있다. The housing 30 is a cylindrical member that supports the transfer pipe connecting portion 10 and the heater 20. On the outer surface of the housing 30, a nitrogen inlet 32 for introducing low temperature nitrogen is formed.

일 실시예에서, 하우징(30)은 히터(10)를 고정하는 제1하우징부(34) 및 고정된 히터로부터 연결된 배선(60)을 외부로 인출하는 동시에 상기 배선을 고정하는 제2하우징부(36)를 포함한다. 이는 첫째 히터에 의해 발생된 열이 외부로 방출되는 것을 방지하기 위한 밀폐공간을 형성하고, 둘째 하우징을 2개의 부재로 분리시켜 유지, 보수 및 관리를 용이하게 하기 위함이다. In one embodiment, the housing 30 is the first housing portion 34 for fixing the heater 10 and the second housing portion for fixing the wiring while drawing out the wire 60 connected from the fixed heater to the outside ( 36). This is to form a closed space for preventing the heat generated by the first heater to be discharged to the outside, and to separate the second housing into two members to facilitate maintenance, maintenance and management.

열전도관(40)은 원통형상의 열전도성부재로서, 히터(20)와 하우징(30)사이에위치한다. 열전도를 최대화하기 위해 열전도관(40)은 금속성부재인 것이 바람직하다. 열전도관(40)에는 하우징의 질소유입구(32)로 유입된 질소가 히터(20)에 도달하기 위한 질소관통공(42)을 포함한다. 열전도관(40)은 첫째 히터(20)에 의해 발생된 열이 하우징을 통해 외부로 유출되는 것을 방지하고, 둘째 저온질소와 고온질소가 존재하는 영역을 분리함으로써 열효율을 증가시킨다. The heat conduction pipe 40 is a cylindrical heat conductive member and is located between the heater 20 and the housing 30. In order to maximize the heat conduction, the heat conduction pipe 40 is preferably a metallic member. The heat conduction pipe 40 includes a nitrogen through hole 42 for nitrogen introduced into the nitrogen inlet 32 of the housing to reach the heater 20. The heat conduction pipe 40 first prevents heat generated by the heater 20 from leaking out through the housing, and secondly, increases thermal efficiency by separating a region where low temperature nitrogen and high temperature nitrogen exist.

두 번째 기능에 대해 상세 설명한다. 열전도관(40)은 히터(20)와 하우징(30)사이에 위치하기 때문에, 이송관연결부(10)와 하우징(30)에 의해 형성된 가열공간(50)을 저온영역(52)과 고온영역(54)으로 분리시킨다. 이로 인해, 외부로부터 유입된 최초의 저온질소는 저온영역(52)에서 1차가열된어 미온의 질소로 된후, 고온영역(54)에서 2차가열되어 고온의 질소로 된다. 즉, 물리적으로 분리된 가열공간에 의해 물성적으로 분리된 화학적 활성화(가열)를 수행함으로써 열전도 효율을 더욱 최대화할 수 있다. 또한, 1차가열된 미온의 질소는 저온영역에 채워짐으로써 히터로부터 발생된 열이 외부로 유출되는 것을 방지하는 역할도 하기 때문에, 더욱 열효율을 증가시킬수 있다.The second function will be described in detail. Since the heat conduction tube 40 is located between the heater 20 and the housing 30, the heating space 50 formed by the transfer pipe connecting portion 10 and the housing 30 is divided into a low temperature region 52 and a high temperature region ( 54). For this reason, the first low-temperature nitrogen introduced from the outside becomes primary nitrogen in the low temperature region 52, and is then heated in the high temperature region 54 to become high temperature nitrogen. That is, the thermal conductivity efficiency can be further maximized by performing chemical activation (heating) that is physically separated by physically separated heating spaces. In addition, since the nitrogen of the first heated lukewarm also serves to prevent the heat generated from the heater from leaking out by being filled in the low temperature region, the thermal efficiency can be further increased.

한편, 본 발명의 일 실시예에서, 질소유입구(32), 질소관통공(42) 및 질소흡입공(12)은 질소가스의 이동경로가 최대화되어 열전도시간이 최대화되록 서로 반대방향에 위치한다. 이에 대해서는 도 7에서 더욱 상세히 설명한다.On the other hand, in one embodiment of the present invention, the nitrogen inlet 32, the nitrogen through hole 42 and the nitrogen suction hole 12 are located in opposite directions to maximize the heat transfer time of the nitrogen gas is maximized. This will be described in more detail with reference to FIG. 7.

일 실시예에서, 질소 트랜스퍼 장치(100)는 절연부재(72) 및 고정부재(74)를 더 포함한다. 절연부재(72, insulator)는 디스크형상의 전기적 절연체로서, 히터의 배선(60)의 전단부에 위치하여 배선을 외부 금속들과 전기적으로 절연시키는 기능을 하며, 고정부재(74)는 절연부재(72)를 하우징(34)에 고정시키는 기능을 한다.In one embodiment, the nitrogen transfer device 100 further includes an insulating member 72 and a fixing member 74. The insulating member 72 is an electric insulator in the shape of a disk. The insulating member 72 is positioned at the front end of the wiring 60 of the heater to electrically insulate the wiring from the external metals. 72) to secure the housing 34.

일 실시예에서, 히터(20)는 상기 이송관연결부(10)와 접촉하는 것을 특징으로 한다. 히터->공기->질소로의 열전달뿐아니라 히터->이송관->공정가스+질소로의 열전달도 발생하게 하여 열전달효율을 최대화함으로써 이송관내의 부산물 발생을 더욱 억제할 수 있다. In one embodiment, the heater 20 is characterized in that in contact with the transfer pipe connection (10). Not only heat transfer to heater-> air-> nitrogen, but also heat transfer to heater-> transfer tube-> process gas + nitrogen can be generated to maximize heat transfer efficiency to further suppress the generation of by-products in the transfer tube.

도 5a 는 히터의 배선구조를 나타내는 단면도이고, 도 5b 는 배선의 방향을 개념적으로 설명한 도면이다.5A is a cross-sectional view showing the wiring structure of the heater, and FIG. 5B is a view conceptually explaining the direction of the wiring.

도 5a에서 나타난 바와 같이, 배선(60)은 하우징을 통해 막대형 히터의 전단부에 연결된다. 배선(60)은 제1배선(62) 및 제2배선(64)을 포함한다. 제1배선 및 제2배선 중 어느하나는 전기적으로 플러스선이고 다른 하나는 마이너스선이다. 제1배선(62)은, 하우징의 단면방향에서 보았을 때, 이송관연결부(10)의 외주면의 외부에서 원형으로 연장되고, 제2배선(64)는 상기 제1배선과 반대방향으로 진행하며 제1배선과 나란하게 연장되도록 배치된다. As shown in FIG. 5A, the wiring 60 is connected to the front end of the rod-shaped heater through the housing. The wiring 60 includes a first wiring 62 and a second wiring 64. One of the first wiring and the second wiring is electrically positive and the other is negative. The first wiring 62 extends in a circle from the outside of the outer circumferential surface of the feed pipe connecting portion 10 when viewed from the cross-sectional direction of the housing, and the second wiring 64 runs in a direction opposite to the first wiring, It is arranged to extend in parallel with one wiring.

예를 들면, 제1배선이 외부원형을 이루며 제1히터->제2히터->제3히터-> .... -> 제6히터의 순서로 + 극을 연결하도록 배치되고, 제2배선이 제1배선이 이룬 외부원형의 내부에서 내부원형을 이루며 제6히터->제5히터->제4히터-> .... -> 제1히터의 순서로 + 극을 연결하도록 배치된다. For example, the first wiring forms an external circle and is arranged to connect the + poles in the order of the first heater-> second heater-> third heater-> ....-> sixth heater, and the second wiring The inner circle is formed inside the outer circle formed by the first wiring and is arranged to connect the positive poles in the order of the sixth heater-> fiveth heater-> fourth heater-> ....-> first heater.

도 5b 는 이러한 배선의 진행방향을 개념적으로 나타낸다. 제1배선(62)은 이송관연결부의 외주면의 외부를 반시계방향으로 진행하면서 제1히터(501)->제2히터(502),... ->제6히터(506)의 순서로 접점 C1을 통해 히터와 전기적으로 연결되고, 제2배선(64)은 이송관연결부의 외주면의 외부를 시계방향으로 진행하면서 제6히터(506)->제5히터(505),... ->제1히터(501)의 순서로 접점 C2를 통해 히터와 전기적으로 연결된다. 5B conceptually shows a traveling direction of such wiring. The first wiring 62 proceeds counterclockwise to the outside of the outer circumferential surface of the feed pipe connection part in the order of the first heater 501-> the second heater 502, ...-> the sixth heater 506. The second wiring 64 is electrically connected to the heater through the contact C1, and the sixth heater 506-> fifth heater 505, ...-proceeds clockwise outside the outer circumferential surface of the transfer pipe connecting portion. The first heater 501 is electrically connected to the heater through the contact C2.

이렇게 함으로써, 둘이상의 히터를 가용성이 증가되도록(즉 하나의 히터가 오동작하여도 나머지 히터는 동작하도록) 전기적 연결을 할 수 있는 동시에, 배선이 서로 겹치거나 꼬이지 않도록 이송관연결부의 주위에 히터를 배치할 수 있다. 즉 히터의 가용성(availability)을 증가시킬 수 있는 히터의 배열 및 배선구조로 인해, 질소 트랜스퍼 장치의 가용성도 증가되어, 공정가스배출프로세스에서 부산물 즉 파우더의 발생을 항상 억제시킬 수 있다.By doing so, electrical connections can be made between two or more heaters to increase their availability (i.e., if one heater malfunctions, while the other heaters operate), while placing the heaters around the feed pipe connections so that the wiring does not overlap or twist. can do. That is, due to the arrangement and wiring structure of the heater that can increase the availability (availability) of the heater, the availability of the nitrogen transfer device is also increased, it is possible to always suppress the generation of by-products, or powder in the process gas discharge process.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이송관연결부 부위의 단면도를 나타내는 도면이다.6 is a view showing a cross-sectional view of the transfer pipe connection portion according to another embodiment of the present invention.

일 실시예에서, 도 6에 나타난 바와 같이, 질소흡입공(12)은 공정가스의 흐름에 따라 용이하게 흡입될 수 있도록 공정가스가 흐르는 방향으로 경사되도록 형성되어 있다. In one embodiment, as shown in Figure 6, the nitrogen suction hole 12 is formed to be inclined in the direction in which the process gas flows to be easily sucked in accordance with the flow of the process gas.

챔버로부터 배출된 공정가스에 의한 유체의 흐름(601)은 흡입되는 질소 유체흐름(602) 보다 양이 많고 속도가 빠르다. 또한 상대적으로 크기가 작은 질소흡입공(12)에 존재하는 질소는 공정가스의 흐름에 따라 이송관(10)의 내부로 빨려들어 간다. 그러나, 공정가스의 흐름과 질소의 흐름의 양적으로 혹은 속도적으로 차이가 크면 흡입되는 방향에 유동저항이 발생될 수 있다. 본 실시예에서는 질소가 흡입되는 유체의 방향을 공정가스의 유체방향에 수직이 아니라 공정가스의 방향에 순응하도록 경사지게 형성함으로써, 유동저항의 발생을 감소시키거나 적어도 질소의 흡입이 용이하게 한다. 즉, 본 발명에 따르면, 질소와 공정가스가 그 흐름에 서로 방해함이 없이 좀더 조화롭게 두 유체가 합져질수 있음으로 인해, 질소의 흡입율이 증가되어, 질소 트랜스퍼의 효과가 극대화된다. The flow of fluid 601 by the process gas exiting the chamber is greater in volume and faster than the inhaled nitrogen fluid stream 602. In addition, the nitrogen present in the relatively small nitrogen suction hole 12 is sucked into the transfer pipe 10 in accordance with the flow of the process gas. However, if the difference between the flow rate of the process gas and the flow rate of nitrogen is large, a flow resistance may be generated in the suction direction. In this embodiment, the direction of the fluid in which nitrogen is sucked is formed to be inclined to conform to the direction of the process gas rather than perpendicular to the fluid direction of the process gas, thereby reducing the occurrence of flow resistance or at least inhaling nitrogen. That is, according to the present invention, since the two fluids can be combined more harmoniously without interfering with each other in the flow of nitrogen and the process gas, the suction rate of nitrogen is increased, thereby maximizing the effect of nitrogen transfer.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 하우징 부위의 단면도를 나타내는 도면이다.7 is a cross-sectional view of a housing portion according to another embodiment of the present invention.

일 실시예에서, 하우징(30)의 질소유입구(32)를 통과한 질소가스가 열전도관(40)의 질소관통공(42)을 통과하기까지의 시간이 최대로 증가되도록, 질소관통공(42)은 질소유입구(32)의 위치로부터 반대방향에 위치한다. 즉 질소유입구(32)가 하우징의 전단부 A 근처의 지점 P1 에 위치하면, 질소관통공(42)은 하우징의 후단부 B 근처의 지점 P2에 위치하게 함으로써, 질소유입구(32)와 질소관통공(42)사이의 거리가 최대가 되게 한다. 이렇게 함으로써, 질소가스는 열전도관(40)에 접하는 시간이 증가됨으로써 열전도시간이 증가하여 열효율이 증가된다. In one embodiment, the nitrogen through hole 42 so that the time until the nitrogen gas passing through the nitrogen inlet 32 of the housing 30 passes through the nitrogen through hole 42 of the heat conduction pipe 40 is maximized. ) Is located opposite from the position of the nitrogen inlet 32. That is, when the nitrogen inlet 32 is located at the point P1 near the front end A of the housing, the nitrogen inlet 32 is located at the point P2 near the rear end B of the housing, whereby the nitrogen inlet 32 and the nitrogen through hole are located. The distance between the 42 is maximized. In this way, the nitrogen gas is increased in contact with the heat conduction pipe 40, the heat conduction time is increased and the thermal efficiency is increased.

또한 일 실시예에서, 질소관통공(42)을 통과한 질소가스가 질소흡입공(12)을 통과하기 까지의 시간이 최대로 증가하도록, 질소흡입공(12)은 질소관통공(42)의 위치로부터 서로 반대방향에 위치한다. 즉 상기 경우와 마찬가지로, 질소관통공(42)이 하우징의 후단부 B 근처의 지점 P2 에 위치하면, 질소흡입공(12)는 하우 징의 전단부 A 근처의 지점 P3(P1과 동일한 위치)에 위치하게 함으로써, 질소흡입공(12)와 질소관통공(42)사이의 거리가 최대가 되게 한다. 이렇게 함으로써, 질소가스는 열전도관(40)에 접하는 시간이 증가됨으로써 열전도시간이 증가하여 열효율이 증가된다. In addition, in one embodiment, the nitrogen suction hole 12 of the nitrogen through hole 42 so that the maximum time until the nitrogen gas passing through the nitrogen through hole 42 passes through the nitrogen suction hole 12 is increased to the maximum. Are located opposite each other from the position. That is, as in the above case, when the nitrogen through hole 42 is located at the point P2 near the rear end B of the housing, the nitrogen suction hole 12 is located at the point P3 (the same position as P1) near the front end A of the housing. By locating, the distance between the nitrogen suction hole 12 and the nitrogen through hole 42 is maximized. In this way, the nitrogen gas is increased in contact with the heat conduction pipe 40, the heat conduction time is increased and the thermal efficiency is increased.

위 두 실시예에서 나타난 바와 같이, 질소유입구(32), 질소관통공(42) 및 질소흡입공(12)는 P1->P2->P3(P1) 의 위치에 배치되도록함으로써, 질소가 히터 및 열전도관을 통과하는 거리를 최대화함으로써 열전도시간을 증가시켜 전체 열효율을 증가시킬 수 있다.As shown in the above two embodiments, the nitrogen inlet 32, the nitrogen through hole 42 and the nitrogen suction hole 12 are arranged in the position of P1-> P2-> P3 (P1), so that nitrogen is heated and By maximizing the distance through the heat conduction tube, the heat conduction time can be increased to increase the overall thermal efficiency.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far I looked at the center of the preferred embodiment for the present invention. Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential features of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope will be construed as being included in the present invention.

전술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 히터와 하우징사이에 형성된 열전도관에 의해 열누설이 최대한 방지되어 열효율이 증가된 질소 트랜스퍼 장치가 제공된다.As described above, according to the present invention, there is provided a nitrogen transfer apparatus in which heat leakage is prevented to the maximum by a heat conduction tube formed between a heater and a housing, thereby increasing thermal efficiency.

또한 본 발명에 의하면, 전기적으로 병렬연결된 둘이상의 막대형 히터의 배 선구조에 의해 하나의 히터가 고장나더라도 다른 히터는 동작가능하게 함으로써 가용성이 더욱 증가된 질소 트랜스퍼 장치가 제공된다.In addition, according to the present invention, even if one heater fails by a wiring structure of two or more rod-type heaters electrically connected in parallel, another heater is operable to provide a nitrogen transfer device with further increased availability.

또한 본 발명에 의하면, 내외부의 원형으로 배열된 히터의 배선구조에 의해 꼬임이 발생하지 않으면서도 전기적 병렬연결이 가능하다.In addition, according to the present invention, by the wiring structure of the heater arranged in a circular shape inside and outside, it is possible to electrically parallel connection without the occurrence of twist.

또한 본 발명에 의하면, 질소흡입공을 공정가스의 흐름방향으로 경사지게 형성함으로써 유동저항이 감소하여 질소가 보다 용이하게 이송관연결부로 흡입가능하다.In addition, according to the present invention, by forming the nitrogen suction hole inclined in the flow direction of the process gas, the flow resistance is reduced, so that nitrogen can be sucked into the transfer pipe connection more easily.

또한 본 발명에 의하면, 질소유입구, 질소관통공, 질소흡입공을 서로 반대방향에 위치하게함으로써 질소가스가 히터에 닿는 이동시간 및 거리가 증가시켜 열효율이 보다 증가된다.In addition, according to the present invention, by placing the nitrogen inlet, nitrogen through hole, nitrogen suction hole in the opposite direction to each other increases the travel time and distance that the nitrogen gas is in contact with the heater to increase the thermal efficiency.

또한 본 발명에 의하면, 막대형 히터를 이송관과 접촉하게 함으로써 열효율이 보다 증가된다.In addition, according to the present invention, the thermal efficiency is further increased by bringing the rod heater into contact with the transfer pipe.

Claims (6)

반도체제조과정에서 발생한 공정가스를 배출하는 프로세스에 사용되는 공정가스 배출용 질소 트랜스퍼 장치에 있어서,In the nitrogen transfer device for the process gas discharge used in the process of discharging the process gas generated in the semiconductor manufacturing process, 내부로 공정가스가 진행하며, 외면에 질소흡입공(12)이 형성된 이송관연결부(10);Process gas proceeds to the inside, the transport pipe connection portion 10 is formed with a nitrogen suction hole 12 on the outer surface; 상기 이송관연결부의 외주면을 따라 위치한 히터(20); 및A heater 20 located along an outer circumferential surface of the transfer pipe connection part; And 상기 이송관연결부 및 히터를 지지하는 원통형상의 부재로서, 외면에 질소유입구(32)가 형성된 하우징(30);A cylindrical member supporting the transfer pipe connection part and the heater, the housing 30 having a nitrogen inlet 32 formed on an outer surface thereof; 상기 히터 및 상기 하우징사이에 위치하는 원통형상의 열전도성 부재로서 상기 질소유입구(32)로부터 유입된 질소가 상기 히터에 도달하기위한 질소관통공(42)을 외주면에 포함하는 열전도관(40)을 포함하고,A heat conduction tube 40 including a nitrogen through hole 42 on the outer circumferential surface of the cylindrical heat conductive member positioned between the heater and the housing to allow nitrogen introduced from the nitrogen inlet 32 to reach the heater. and, 상기 히터는 둘이상의 막대형 히터를 포함하고, 상기 막대형 히터는 상기 이송관과 나란하게 연장된 형상이며, 서로 전기적으로 병렬연결된 상태로 상기 이송관주위를 둘러싸도록 배열된 것을 특징으로 하는 공정가스 배출용 질소 트랜스퍼 장치.The heater includes at least two rod-type heaters, the rod-shaped heater is a shape extending in parallel with the transfer pipe, the process gas, characterized in that arranged to surround the transfer pipe in a state electrically connected in parallel with each other Nitrogen transfer device for discharge. 제 1 항에 있어서, 상기 막대형 히터는 상기 하우징의 외부로부터 인입된 배선(60)에 의해 전기적으로 병렬연결되고, 상기 배선은 상기 하우징의 단면방향에서 보았을 때 상기 이송관의 외주면의 외부에서 원형으로 연장된 제1배선(62) 및 상기 제1배선의 외부에서 상기 제1배선과 반대방향으로 진행하며 상기 제1배선과 나란하게 연장된 제2배선(64)을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정가스 배출용 질소 트랜스퍼 장치. 2. The rod heater according to claim 1, wherein the rod heaters are electrically connected in parallel by wires 60 drawn from the outside of the housing, and the wires are circular on the outside of the outer circumferential surface of the transfer pipe when viewed in the cross-sectional direction of the housing. And a second wiring 64 extending in the opposite direction from the first wiring outside the first wiring 62 and extending in parallel with the first wiring. Nitrogen transfer device for gas discharge. 제 1 항에 있어서, 상기 질소흡입공(12)은 상기 공정가스의 흐름에 따라 용이하게 흡입될 수 있도록 상기 공정가스가 흐르는 방향으로 경사진 것을 특징으로 하는 공정가스 배출용 질소 트랜스퍼 장치.The nitrogen transfer apparatus of claim 1, wherein the nitrogen suction hole (12) is inclined in a direction in which the process gas flows so as to be easily sucked in accordance with the flow of the process gas. 제 1 항에 있어서, 상기 질소관통공(42)은, 상기 질소유입구를 통과한 질소가 상기 질소관통공을 통과하기까지의 시간이 최대로 증가되도록, 상기 질소유입구와 서로 반대방향에 위치하는 것을 특징으로 하는 공정가스 배출용 질소 트랜스퍼 장치.The nitrogen inlet 42 is located in the opposite direction to the nitrogen inlet so that the maximum time for the nitrogen passing through the nitrogen inlet to pass through the nitrogen inlet is increased. Nitrogen transfer device for process gas discharge. 제 4 항에 있어서, 상기 질소흡입공(12)은, 상기 질소관통공을 통과한 질소가 상기 질소흡입공을 통과하기 까지의 시간이 최대로 증가되도록, 상기 질소관통공과 서로 반대방향에 위치하는 것을 특징으로 하는 공정가스 배출용 질소 트랜스퍼 장치.The nitrogen intake hole (12) of claim 4, wherein the nitrogen intake hole (12) is located in a direction opposite to the nitrogen through hole so that a maximum time until the nitrogen passing through the nitrogen intake hole passes through the nitrogen intake hole is maximized. Nitrogen transfer device for process gas discharge, characterized in that. 제 2 항에 있어서, 상기 막대형 히터는 상기 이송관연결부와 접촉하는 것을 특징으로 하는 공정가스배출용 질소 트랜스퍼 장치.3. The nitrogen transfer apparatus for process gas discharge according to claim 2, wherein the rod heater is in contact with the transfer pipe connection part.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101434833B1 (en) * 2013-07-19 2014-11-04 김준규 Hot Nitrogen Transfer System
KR20160039827A (en) * 2014-10-02 2016-04-12 (주)나린테크 Apparatus for Injecting Gas

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950007613B1 (en) * 1992-11-23 1995-07-13 엘지일렉트론주식회사 Ventilation exhaust pipe cleaning device
KR980012014A (en) * 1996-07-24 1998-04-30 김광호 Gas cleaning equipment of semiconductor manufacturing equipment
KR20050088649A (en) * 2004-03-02 2005-09-07 주식회사 세미라인 Device of supplying hot nitrogen used in processing of semiconductor and liquid crystal display

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950007613B1 (en) * 1992-11-23 1995-07-13 엘지일렉트론주식회사 Ventilation exhaust pipe cleaning device
KR980012014A (en) * 1996-07-24 1998-04-30 김광호 Gas cleaning equipment of semiconductor manufacturing equipment
KR20050088649A (en) * 2004-03-02 2005-09-07 주식회사 세미라인 Device of supplying hot nitrogen used in processing of semiconductor and liquid crystal display

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101434833B1 (en) * 2013-07-19 2014-11-04 김준규 Hot Nitrogen Transfer System
KR20160039827A (en) * 2014-10-02 2016-04-12 (주)나린테크 Apparatus for Injecting Gas
KR101658590B1 (en) * 2014-10-02 2016-09-30 (주)나린테크 Apparatus for Injecting Gas

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