KR100805477B1 - Liquid crystal device, electro-optical device, projector and micro device - Google Patents

Liquid crystal device, electro-optical device, projector and micro device Download PDF

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Abstract

본 발명은, 액정 장치로서, 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 개재된 액정층과, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에서 상기 액정층을 밀봉하는 밀봉재와, 상기 밀봉재의 외주쪽을 덮고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 마련된 몰딩재와, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 적어도 한쪽 기판에서의 상기 몰딩재가 배치되는 영역의 전역에 형성된 제 1 요철부를 갖고, 상기 제 1 요철부 상에는, 상기 몰딩재가 마련된다.The present invention provides a liquid crystal device, comprising: a first substrate, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate, and the first substrate and the second substrate. A sealing material for sealing the liquid crystal layer, a molding material covering the outer circumferential side of the sealing material and provided between the first substrate and the second substrate, and the at least one substrate of the first substrate and the second substrate. It has a 1st uneven part formed in the whole area | region where a molding material is arrange | positioned, and the said molding material is provided on the said 1st uneven part.

Description

액정 장치, 전기 광학 장치, 프로젝터 및 마이크로 디바이스{LIQUID CRYSTAL DEVICE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, PROJECTOR AND MICRO DEVICE}Liquid crystal devices, electro-optical devices, projectors and microdevices {LIQUID CRYSTAL DEVICE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, PROJECTOR AND MICRO DEVICE}

도 1(a)는 실시예 1의 액정 장치의 평면도이며, 도 1(b)는 실시예 1의 액정 장치의 측단면도,1 (a) is a plan view of the liquid crystal device of Example 1, and FIG. 1 (b) is a sectional side view of the liquid crystal device of Example 1,

도 2는 실시예 1의 액정 장치의 등가 회로도,2 is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal device of Example 1;

도 3은 실시예 1의 액정 장치의 평면 구조를 설명하는 도면,3 is a view for explaining the planar structure of the liquid crystal device of Example 1;

도 4는 도 3 중 C-C선 화살표에 따른 액정 장치의 단면도,4 is a cross-sectional view of the liquid crystal device according to the arrow C-C in FIG.

도 5는 무기 배향막이 형성된 대향 기판의 측단면을 나타내는 도면,5 is a side cross-sectional view of an opposing substrate on which an inorganic alignment film is formed;

도 6은 몰딩 구조의 확대 설명도,6 is an enlarged explanatory diagram of a molding structure;

도 7(a) 및 도 7(b)는 실시예 1에 있어서의 액정 장치의 변형예 1을 나타내는 도면,7 (a) and 7 (b) are diagrams showing a modification 1 of the liquid crystal device in Example 1,

도 8(a)는 실시예 1에 있어서의 액정 장치의 변형예 2를 나타내는 도면, 도 8(b)는 실시예 1에 있어서의 액정 장치의 변형예 3을 나타내는 도면,8 (a) is a diagram showing a modification 2 of the liquid crystal device in Example 1, and FIG. 8 (b) is a diagram showing a modification 3 of the liquid crystal device in Example 1;

도 9는 실시예 2에 있어서의 액정 장치를 나타내는 도면,9 is a diagram showing a liquid crystal device in Example 2,

도 10은 실시예 2에 있어서의 액정 장치의 변형예를 나타내는 도면,10 is a diagram illustrating a modification of the liquid crystal device in Example 2;

도 11은 전기 영동 장치의 실시예를 나타내는 도면,11 shows an embodiment of an electrophoretic device,

도 12는 유기 EL 장치의 실시예를 나타내는 도면,12 is a diagram showing an embodiment of an organic EL device;

도 13은 프로젝터의 일 실시예를 나타내는 도면,13 is a diagram showing an embodiment of a projector;

도 14는 마이크로 장치의 일 실시예를 나타내는 도면,14 illustrates an embodiment of a micro device,

도 15는 도 14에 나타내는 광 변조 장치의 개략 단면 구조를 나타내는 도면이다.FIG. 15 is a diagram showing a schematic cross-sectional structure of the optical modulation device shown in FIG. 14.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : TFT 어레이 기판(제 1 기판) 14 : 밀봉재10 TFT array substrate (first substrate) 14 sealing material

19 : 접속 단자 20 : 대향 기판(제 2 기판)19: connecting terminal 20: opposing substrate (second substrate)

30 : 몰딩재 40, 41 : 요철부30: molding material 40, 41: uneven portion

50 : 액정층 60 : 액정 장치50: liquid crystal layer 60: liquid crystal device

본 발명은 액정 장치, 전기 광학 장치, 프로젝터 및 마이크로 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal device, an electro-optical device, a projector and a micro device.

종래, 액정 프로젝터 등의 투사형 표시 장치의 광 변조 수단으로서, 액정 장치가 이용되고 있다.Background Art Conventionally, liquid crystal devices have been used as light modulation means of projection display devices such as liquid crystal projectors.

액정 장치는, 한 쌍의 기판 사이에서의 기판의 외주 가장자리부에 밀봉재가 배치되고, 그 중앙부에 액정층이 주입 밀봉되어 구성되어 있다.In a liquid crystal device, a sealing material is arrange | positioned at the outer peripheral edge part of a board | substrate between a pair of board | substrates, and a liquid crystal layer is injected-sealed at the center part, and is comprised.

한 쌍의 기판의 안쪽에는 액정층에 전압을 인가하는 전극이 형성되고, 그 전극의 안쪽에는 비선택 전압 인가 시에 액정 분자의 배향을 제어하는 배향막이 형성되어 있다.An electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer is formed inside the pair of substrates, and an alignment film for controlling the orientation of the liquid crystal molecules when an unselected voltage is applied is formed inside the electrode.

그리고, 비선택 전압 인가 시와 선택 전압 인가 시의 액정 분자의 배향 변화에 근거해 광원으로부터의 광이 변조되어, 화상 광이 만들어진다.The light from the light source is modulated on the basis of the change in the orientation of the liquid crystal molecules at the time of application of the non-selection voltage and the application of the selection voltage, thereby producing image light.

일본 공개 특허 공보 제2001-221998호에 개시되어 있는 바와 같이, 밀봉재의 주위를 덮도록, 예컨대, 에폭시로 이루어지는 접착층(몰딩재)이 형성되고, 접착층에 의해 한 쌍의 기판 사이의 접합성을 높여, 기계적 강도를 향상시키는 액정 장치가 알려져 있다.As disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2001-221998, for example, an adhesive layer (molding material) made of epoxy is formed so as to cover the circumference of the sealing material, and the bonding layer increases the bonding between the pair of substrates, Liquid crystal devices for improving mechanical strength are known.

그런데, 일반적으로, 액정 장치 내부에 수분이 혼입되면 표시 특성이 저하하여, 액정 장치로서의 신뢰성이 저하되어 버린다.By the way, generally, when moisture mixes inside a liquid crystal device, display characteristics will fall and reliability as a liquid crystal device will fall.

그 때문에, 한 쌍의 기판 사이를 접합하는 상기 밀봉재 및 접착층에는 높은 방수성 방습성이 요망되고 있다.For this reason, high waterproof and moisture proof properties are desired for the sealing material and the adhesive layer which bond between a pair of substrates.

그러나, 상기 접착층(몰딩재)은, 상술한 바와 같이, 액정 장치의 기계적 강도를 향상시키기 위한 부재이기 때문에, 기판 외부로부터 수분의 침입을 양호하게 방지할 수 있을 정도의 방습성은 구비하고 있지 않다.However, since the adhesive layer (molding material) is a member for improving the mechanical strength of the liquid crystal device as described above, it is not provided with moisture proof enough to prevent the intrusion of moisture from outside the substrate.

그 때문에, 한 쌍의 기판 사이에 혼입된 수분이, 예컨대, 밀봉재와 기판의 계면으로부터 액정층에 혼입되어, 표시 특성을 저하시킴으로써, 액정 장치의 신뢰 성을 손상시킬 우려가 있었다.Therefore, there exists a possibility that the water mixed between a pair of board | substrates may mix in a liquid crystal layer from the interface of a sealing material and a board | substrate, for example, and to degrade display characteristics, and to impair the reliability of a liquid crystal device.

본 발명은 상기 사정을 감안해서 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 것은, 방습성을 향상시키는 것으로 안정한 표시 특성을 갖은 액정 장치 및 상기 액정 장치를 광 변조 수단으로서 구비한 프로젝터를 제공하는 것에 있다.This invention is made | formed in view of the said situation, Comprising: It aims at providing the liquid crystal device which has a stable display characteristic by improving moisture resistance, and the projector provided with the said liquid crystal device as an optical modulation means.

또한, 방습성을 향상시키는 것에 의해 높은 신뢰성의 전기 광학 장치 및 마이크로 장치를 제공하는 것에 있다.Moreover, it is providing the electro-optical device and microdevice of high reliability by improving moisture resistance.

본 발명의 액정 장치는, 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 배치된 액정층과, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에서 상기 액정층을 밀봉하는 밀봉재와, 상기 밀봉재의 외주쪽을 덮고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 마련된 몰딩재와, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 적어도 한쪽 기판에서의 상기 몰딩재가 배치되는 영역의 전역에 형성된 제 1 요철부를 갖고, 상기 제 1 요철부 상에는, 상기 몰딩재가 마련되어 있다.The liquid crystal device of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate, and the first substrate and the second substrate. A sealing material for sealing the liquid crystal layer, a molding material covering an outer circumferential side of the sealing material and provided between the first substrate and the second substrate, and the molding on at least one substrate of the first substrate and the second substrate. It has the 1st uneven part formed in the whole area | region where an ash is arrange | positioned, and the said molding material is provided on the said 1st uneven part.

본 발명의 액정 장치에 의하면, 제 1 기판 및 제 2 기판의 적어도 한쪽 기판에 형성된 제 1 요철부 상에 몰딩재가 마련되어 있으므로, 기판 표면이 평탄한 면인 경우에 비해, 몰딩재와 기판의 계면 거리가, 상기 제 1 요철부의 표면 형상에 따른 부분만큼 신장된다.According to the liquid crystal device of the present invention, the molding material is provided on the first uneven portion formed on at least one substrate of the first substrate and the second substrate, so that the interface distance between the molding material and the substrate is lower than that of the flat surface. It extends by a part corresponding to the surface shape of the first uneven portion.

따라서, 몰딩재와 기판의 계면 거리가 길게 되어 있으므로, 예컨대, 액정 장 치의 외부로부터 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 수분이 침입한 경우에, 액정층에 수분이 도달될 가능성을 감소시킬 수 있다. 즉, 액정 장치의 방습성을 향상시킬 수 있다.Therefore, since the interface distance between the molding material and the substrate is long, for example, when moisture invades between the first substrate and the second substrate from the outside of the liquid crystal device, the possibility of reaching the liquid crystal layer can be reduced. . That is, the moisture proof property of a liquid crystal device can be improved.

이러한 구성에 의하면, 액정층에 수분이 혼입되는 것에 의한 표시 특성의 저하를 경감시킬 수 있어, 안정한 표시 특성을 갖고, 신뢰성이 높은 액정 장치를 실현할 수 있다.According to such a structure, the fall of the display characteristic by mixing water into a liquid crystal layer can be reduced, it can have a stable display characteristic, and can implement a highly reliable liquid crystal device.

본 발명의 액정 장치에 있어서는, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 적어도 한쪽의 기판에는 제 2 요철부가 형성되어 있고, 상기 제 2 요철부 상에는, 상기 밀봉재가 마련되어 있는 것이 바람직하다.In the liquid crystal device of the present invention, it is preferable that a second uneven portion is formed on at least one of the first substrate and the second substrate, and the sealing material is provided on the second uneven portion.

이와 같이 하면, 제 2 요철부에 의해 밀봉재와 기판의 계면 거리가 신장된다. 따라서, 예컨대, 액정 장치의 외부로부터 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 수분이 침입한 경우, 상기 밀봉재와 기판의 계면을 통하여 액정층에 수분이 도달할 가능성을 감소시킬 수 있다. 즉, 액정 장치의 방습성을 향상시킬 수 있다.In this way, the interface distance between the sealing material and the substrate is extended by the second uneven portion. Thus, for example, when moisture invades between the first substrate and the second substrate from the outside of the liquid crystal device, it is possible to reduce the likelihood of the moisture reaching the liquid crystal layer through the interface between the sealing material and the substrate. That is, the moisture proof property of a liquid crystal device can be improved.

본 발명의 액정 장치는, 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 배치된 액정층과, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에서 상기 액정층을 밀봉하는 밀봉재와, 상기 밀봉재의 외주쪽을 덮고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 마련된 몰딩재를 갖고, 상기 몰딩재가 배치되는 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 간격은 상기 액정층이 배치되는 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 간격보다 좁다.The liquid crystal device of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate, and the first substrate and the second substrate. A sealing material for sealing the liquid crystal layer and a molding material covering the outer circumferential side of the sealing material and provided between the first substrate and the second substrate, wherein the gap between the first substrate and the second substrate on which the molding material is disposed Is smaller than an interval between the first substrate and the second substrate on which the liquid crystal layer is disposed.

본 발명의 액정 장치에 의하면, 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 몰딩재가 배 치되는 간격은 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 액정층이 배치되는 간격보다 좁게 된다. 따라서, 제 1 기판 및 제 2 기판의 간격의 체적이 감소하고, 간격 중에 개재하고 있는 몰딩재의 양이 적어진다.According to the liquid crystal device of the present invention, an interval between the molding material disposed between the first substrate and the second substrate is narrower than an interval between the liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate. Therefore, the volume of the space | interval of a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate decreases, and the quantity of the molding material interposed in the space | interval becomes small.

여기서, 예컨대, 액정 장치의 외부로부터 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 수분이 침입한 경우에, 제 1 기판 및 제 2 기판의 간격에 개재하는 몰딩재의 양이 적기 때문에, 간격에서의 몰딩재 자체를 투과하는 수분의 양이 제한된다. 따라서, 액정층 내에 수분이 혼재될 가능성을 감소시킬 수 있다. 즉, 액정 장치의 방습성을 향상시킬 수 있다.Here, for example, when moisture penetrates between the first substrate and the second substrate from the outside of the liquid crystal device, since the amount of the molding material interposed between the first substrate and the second substrate is small, the molding material itself at the interval is The amount of water that penetrates is limited. Therefore, the possibility of mixing moisture in the liquid crystal layer can be reduced. That is, the moisture proof property of a liquid crystal device can be improved.

이러한 구성에 의하면, 액정층에의 수분의 혼입에 의한 표시 특성의 저하를 경감시킬 수 있어, 안정한 표시 특성을 갖고, 신뢰성이 높은 액정 장치를 실현할 수 있다.According to such a structure, the fall of the display characteristic by the mixing of moisture into a liquid crystal layer can be reduced, it can have a stable display characteristic, and can implement a highly reliable liquid crystal device.

본 발명의 액정 장치에 있어서는, 상기 제 1 기판상에 상기 몰딩재가 유지되는 제 1 유지면과, 상기 제 2 기판상에 상기 몰딩재가 유지되는 제 2 유지면을 갖고, 상기 제 1 유지면 및 상기 제 2 유지면은, 상기 액정층이 배치되는 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 기판면에 대하여 경사져 있는 것이 바람직하다.In the liquid crystal device of the present invention, the first holding surface on which the molding material is held on the first substrate and the second holding surface on which the molding material is held on the second substrate are provided. It is preferable that a 2nd holding surface inclines with respect to the board | substrate surface of the said 1st board | substrate and the said 2nd board | substrate in which the said liquid crystal layer is arrange | positioned.

이 구성에 의하면, 제 1 유지면 및 제 2 유지면이 경사지지 않은 경우에 비해, 액정 장치를 연직 방향으로부터 보았을 때의 제 1 유지면 및 제 2 유지면의 크기를 변화시키지 않고서, 제 1 유지면 및 제 2 유지면의 표면적을 넓힐 수 있다.According to this structure, compared with the case where the 1st holding surface and the 2nd holding surface are not inclined, 1st holding | maintenance is carried out without changing the magnitude | size of the 1st holding surface and 2nd holding surface when a liquid crystal device is seen from a perpendicular direction. The surface area of the face and the second holding face can be widened.

따라서, 제 1 기판 및 제 2 기판의 외부로 연장되는 간격이 커져, 액정 장치의 외부로부터 침입하는 수분의 경로가 길어지게 되어, 액정 장치의 방습성을 향상 시킬 수 있다.Therefore, the interval which extends to the exterior of a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate becomes large, the path | route of the moisture which invades from the exterior of a liquid crystal device becomes long, and the moisture proof property of a liquid crystal device can be improved.

본 발명의 전기 광학 장치는, 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 배치된 전기 광학층과, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에서 상기 전기 광학층을 둘러싸도록 마련된 몰딩재와, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 적어도 한쪽 기판에서의 상기 몰딩재가 배치되는 영역의 전역에 형성된 요철부를 갖고, 상기 요철부상에는, 상기 몰딩재가 마련되어 있다.An electro-optical device of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, an electro-optical layer disposed between the first substrate and the second substrate, the first substrate and the second substrate. And a molding material provided to surround the electro-optical layer, and an uneven portion formed in an entire region of the region where the molding material is disposed in at least one of the first and second substrates, and on the uneven portion, the molding Ash is provided.

본 발명의 전기 광학 장치에 의하면, 제 1 기판 및 제 2 기판의 적어도 한쪽 기판에 형성된 요철부 상에 몰딩재가 마련되어 있으므로, 제 1 기판 및 제 2 기판의 표면이 평탄한 면인 경우에 비해, 몰딩재와 기판의 계면 거리가 요철부의 표면 형상에 따른 부분만큼 신장된다.According to the electro-optical device of the present invention, the molding material is provided on the uneven portion formed on at least one substrate of the first substrate and the second substrate, so that the molding material and the surface of the first substrate and the second substrate are flat. The interface distance of the board | substrate is extended by the part according to the surface shape of an uneven part.

따라서, 예컨대, 전기 광학 장치의 외부로부터 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 수분이 침입한 경우에, 몰딩재와 기판의 계면 거리가 길게 되어 있으므로, 전기 광학층에 수분이 도달될 가능성을 감소시킬 수 있다. 즉, 전기 광학 장치의 방습성을 향상시킬 수 있다.Thus, for example, when moisture enters between the first substrate and the second substrate from the outside of the electro-optical device, the interface distance between the molding material and the substrate is long, thereby reducing the possibility of water reaching the electro-optical layer. Can be. That is, the moisture proof property of an electro-optical device can be improved.

이러한 구성에 의하면, 전기 광학층에 수분이 혼입되는 것에 의한 표시 특성의 저하를 경감시킬 수 있어, 안정한 표시 특성을 갖고, 신뢰성이 높은 전기 광학 장치를 실현할 수 있다.According to such a structure, the fall of the display characteristic by mixing moisture in an electro-optic layer can be reduced, and it can realize an electro-optical device which has stable display characteristics and high reliability.

본 발명의 프로젝터는, 광원과, 상기 광원의 광을 변조하는 광 변조 수단과, 상기 광 변조 수단에 의해 변조된 광을 투사하는 투사 수단을 포함하고, 상기 광 변조 수단은, 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 배치된 액정층과, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에서 상기 액정층을 밀봉하는 밀봉재와, 상기 밀봉재의 외주쪽을 덮고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 마련된 몰딩재와, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판에서의 상기 몰딩재가 배치되는 영역의 전역에 형성된 요철부를 갖는 액정 장치로서, 상기 요철부상에는 상기 몰딩재가 마련되어 있다.The projector of the present invention includes a light source, light modulating means for modulating light of the light source, and projection means for projecting light modulated by the light modulating means, the light modulating means comprising: a first substrate; A second substrate facing the first substrate, a liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate, a sealing material for sealing the liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate, A liquid crystal covering an outer circumference and having a molding material provided between the first substrate and the second substrate, and an uneven portion formed in an entire region of the region in which the molding material is disposed on at least one of the first and second substrates; As the apparatus, the molding material is provided on the uneven portion.

본 발명의 프로젝터에 의하면, 요철부상에 몰딩재가 배치되고, 액정층에 수분이 혼입되는 것에 의한 표시 특성의 저하가 경감된 액정 장치를 광 변조 수단으로서 구비하고 있으므로, 신뢰성이 높은 표시 특성을 갖는 프로젝터를 실현할 수 있다.According to the projector of the present invention, since a molding material is disposed on the uneven portion and a liquid crystal device in which the deterioration of display characteristics due to mixing of moisture in the liquid crystal layer is reduced as a light modulation means, a projector having high display characteristics. Can be realized.

본 발명의 마이크로 장치는, 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 배치된 장치부와, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에서 상기 장치부를 둘러싸도록 마련된 몰딩재와, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 적어도 한쪽 기판에서의 상기 몰딩재가 배치되는 영역의 전역에 형성된 요철부를 갖고, 상기 요철부상에는, 상기 몰딩재가 마련되어 있다.The microdevice of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, an apparatus portion disposed between the first substrate and the second substrate, and the first substrate and the second substrate. A molding material provided to surround the device portion, and an uneven portion formed in an entire region of the region where the molding material is disposed in at least one of the first and second substrates, and the molding material is provided on the uneven portion.

본 발명의 마이크로 장치에 의하면, 제 1 기판 및 제 2 기판의 적어도 한쪽 기판에 형성된 요철부상에 몰딩재가 마련되어 있으므로, 제 1 기판 및 제 2 기판의 표면이 평탄한 면인 경우에 비해, 몰딩재와 기판의 계면 거리가 요철부의 표면 형상에 따른 부분만큼 신장된다.According to the micro apparatus of the present invention, since the molding material is provided on the uneven portion formed on at least one of the first and second substrates, the molding material and the substrate are formed in comparison with the case where the surfaces of the first and second substrates are flat surfaces. The interface distance is extended by a portion corresponding to the surface shape of the uneven portion.

따라서, 예컨대, 마이크로 장치의 외부로부터 제 1 기판 및 제 2 기판 사이 에 수분이 침입한 경우에, 몰딩재와 기판의 계면 거리가 길게 되어 있으므로, 장치부에 수분이 도달될 가능성을 감소시킬 수 있다. 즉, 마이크로 장치의 방습성이 향상되어, 신뢰성의 향상을 실현할 수 있다.Thus, for example, when moisture enters between the first substrate and the second substrate from the outside of the micro device, since the interface distance between the molding material and the substrate is long, the possibility of water reaching the device portion can be reduced. . That is, the moisture proof property of a microdevice can be improved and the improvement of reliability can be implement | achieved.

[실시예 1]Example 1

먼저, 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 장치에 대하여, 도 1(a)∼도 7(b)를 이용하여 설명한다.First, the liquid crystal device according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A to 7B.

또, 본 실시예에서는, 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT라고 함) 소자를 이용한 액티브 매트릭스 방식의 투과형 액정 장치를 예로 들어 설명한다.In this embodiment, an active matrix transmissive liquid crystal device using a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) element as the switching element will be described as an example.

(액정 장치)(Liquid crystal device)

도 1(a)는 본 발명의 일 실시예인 액티브 매트릭스 방식의 액정 장치의 평면구성도이며, 도 1(b)는 도 1(a)에서의 A-A선 측단면 구성도이며, 도 1(a) 및 도 1(b) 중 참조 부호 60은 액정 장치이다.FIG. 1 (a) is a planar configuration diagram of an active matrix liquid crystal device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 (b) is a side cross-sectional configuration diagram of AA lines in FIG. 1 (a), and FIG. And reference numeral 60 in FIG. 1B denotes a liquid crystal device.

도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 액정 장치(60)는 TFT 어레이 기판(제 1 기판)(10)과, TFT 어레이 기판(10)에 대향하여 배치된 대향 기판(제 2 기판)(20)과, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이에 유지된 액정층(50)과, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이에서 액정층(50)을 밀봉하는 밀봉재(14)를 갖고 있다.As shown in FIGS. 1A and 1B, the liquid crystal device 60 includes a TFT array substrate (first substrate) 10 and an opposing substrate disposed opposite to the TFT array substrate 10. 2 substrate) 20, the liquid crystal layer 50 held between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the liquid crystal layer 50 between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. It has the sealing material 14 which seals.

여기서, 액정층(50)은 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 외주 가장자리부의 내면 쪽을 따라 마련되어 있고, 액정 장치(60)를 연직 방향으로부터 보아 대략 프레임 형상의 밀봉재(14)에 의해 밀봉되어 있다.Here, the liquid crystal layer 50 is provided along the inner surface side of the outer periphery of the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20, and the liquid crystal device 60 is viewed in a substantially frame-shaped sealing material 14 from the vertical direction. It is sealed by.

대향 기판(20)의 크기는 TFT 어레이 기판(10)보다 약간 작다.The size of the counter substrate 20 is slightly smaller than that of the TFT array substrate 10.

대향 기판(20)으로서, TFT 어레이 기판(10) 상에 마련된 밀봉재(14)와 거의 같은 윤곽의 기판이 이용되고 있다.As the opposing substrate 20, a substrate having substantially the same contour as the sealing material 14 provided on the TFT array substrate 10 is used.

밀봉재(14)에 의해, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)은 고착되어 있다.By the sealing material 14, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are fixed.

밀봉재(14)보다 안쪽에는, 프레임으로서의 차광막이 밀봉재(14)의 안쪽을 따라 마련된다.Inside the sealing material 14, a light shielding film as a frame is provided along the inside of the sealing material 14.

차광막으로 둘러싸인 영역은, 액정 장치(60)의 화상이 만들어지는 표시 영역이다.The area surrounded by the light shielding film is a display area where an image of the liquid crystal device 60 is made.

도 1(a)에 나타내는 바와 같이, TFT 어레이 기판(10)에는, 복수의 접속 단자(19)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 1A, a plurality of connection terminals 19 are formed in the TFT array substrate 10.

접속 단자(19)에 접속된 금속 배선은 표시 영역에 형성된 화소 전극에 접속되어 있다.The metal wiring connected to the connection terminal 19 is connected to the pixel electrode formed in the display area.

대향 기판(20)에 있어서의 밀봉재(14) 바깥쪽 영역에는, 화소 전극의 구동을 제어하기 위한 구동 회로를 마련하여도 좋다. 이 경우에는, 이 구동 회로와 화소 전극이 전기적으로 접속되고, 접속 단자(19)와 구동 회로가 접속된다.In the area | region outside the sealing material 14 in the opposing board | substrate 20, you may provide the drive circuit for controlling the drive of a pixel electrode. In this case, this drive circuit and the pixel electrode are electrically connected, and the connection terminal 19 and the drive circuit are connected.

또한, 밀봉재(14)의 외주쪽에는, 밀봉재(14)를 덮는 몰딩재(30)가 형성되어 있다.Moreover, the molding material 30 which covers the sealing material 14 is formed in the outer peripheral side of the sealing material 14.

몰딩재(30)의 재료로는, 아크릴이나 에폭시 수지 등이 이용된다.As a material of the molding material 30, acrylic, an epoxy resin, etc. are used.

몰딩재(30)는 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)을 접착한다. 몰딩재(30)에 의해, 액정 장치(60)의 기계적 강도가 향상된다.The molding material 30 adheres the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20. By the molding material 30, the mechanical strength of the liquid crystal device 60 is improved.

도 1(b)에 나타내는 측단면도에 있어서는, 몰딩재(30)는 TFT 어레이 기판(10)의 상면(10a)과, 밀봉재(14)의 외주면, 및 대향 기판(20)의 측단면(25a)의 일부를 바깥쪽으로부터 덮도록 형성되어 있다. 이에 따라, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 마련된다.In the side cross-sectional view shown in FIG. 1B, the molding material 30 includes the upper surface 10a of the TFT array substrate 10, the outer circumferential surface of the sealing material 14, and the side cross-section 25a of the opposing substrate 20. It is formed to cover a part of from the outside. Thus, the TFT array substrate 10 is provided between the counter substrate 20.

또, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 내면(대향면) 쪽에는, 각각 무기 배향막이 형성되어 있다.In addition, inorganic alignment films are formed on the inner surface (facing surface) sides of the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20, respectively.

도 6에 나타내는 바와 같이, 대향 기판(20)의 측단면(25a)에, 대략 톱니 형상의 요철부(40)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 6, the substantially serrated uneven part 40 is formed in the side end surface 25a of the opposing board | substrate 20. As shown in FIG.

또한, 대향 기판(20)에 대향하는 TFT 어레이 기판(10)의 일부에, 대략 톱니 형상의 요철부(41)가 형성되어 있다.In addition, a substantially serrated uneven portion 41 is formed in a part of the TFT array substrate 10 facing the opposing substrate 20.

요철부(40, 41) 상에 몰딩재(30)가 마련되어 있는 것에 의해, 몰딩재(30)와 TFT 어레이 기판(10)의 계면 거리 및 몰딩재(30)와 대향 기판(20)의 계면 거리가 길게 되어 있다.By providing the molding material 30 on the uneven parts 40 and 41, the interface distance between the molding material 30 and the TFT array substrate 10 and the interface distance between the molding material 30 and the counter substrate 20 are provided. Is long.

(등가 회로)(Equivalent circuit)

도 2는 액정 장치의 등가 회로를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating an equivalent circuit of a liquid crystal device.

투과형 액정 장치(60)의 표시 영역을 구성하기 위해, 매트릭스 형상(어레이형상)으로 배치된 복수 도트의 각각에는, 화소 전극(9)이 형성되어 있다.In order to form the display area of the transmissive liquid crystal device 60, a pixel electrode 9 is formed in each of the plurality of dots arranged in a matrix (array shape).

화소 전극(9)의 가장자리 쪽에는, 화소 전극(9)으로의 통전 제어를 행하기 위한 스위칭 소자로서 TFT 소자(27)가 형성되어 있다.On the edge side of the pixel electrode 9, a TFT element 27 is formed as a switching element for conducting power supply control to the pixel electrode 9.

TFT 소자(27)의 소스에는 데이터선(6a)이 접속되어 있다.The data line 6a is connected to the source of the TFT element 27.

각 데이터선(6a)에는, 데이터선 구동 소자로부터 화상 신호 S1, S2, …, Sn이 공급된다.Each data line 6a includes image signals S1, S2,... From the data line driving element. Sn is supplied.

TFT 소자(27)의 게이트에는 주사선(3a)이 접속되어 있다.The scanning line 3a is connected to the gate of the TFT element 27.

주사선(3a)에는, 주사선 구동 소자로부터 소정의 타이밍에서 펄스식으로 주사 신호 G1, G2, …, Gm이 공급된다.The scan lines 3a are pulsed at a predetermined timing from the scan line driver element and scan signals G1, G2,... , Gm is supplied.

한편, TFT 소자(27)의 드레인에는 화소 전극(9)이 접속되어 있다.On the other hand, the pixel electrode 9 is connected to the drain of the TFT element 27.

이러한 TFT 소자(27)에 있어서는, 주사선(3a)으로부터 공급된 주사 신호 G1, G2, …, Gm에 의해, TFT 소자(27)를 일정 기간만큼 온 상태로 하면, 데이터선(6a)으로부터 공급된 화상 신호 S1, S2, …, Sn이 화소 전극(9)을 통해 각 도트의 액정에 소정 타이밍에서 기입된다.In such a TFT element 27, the scan signals G1, G2,... Supplied from the scan line 3a are provided. , When the TFT element 27 is turned on for a predetermined period by Gm, the image signals S1, S2,..., Supplied from the data line 6a. Sn is written into the liquid crystal of each dot through the pixel electrode 9 at a predetermined timing.

액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호 S1, S2, …, Sn은 화소 전극(9)과 공통 전극(후술함) 사이에 형성되는 액정 용량에 의해 일정 기간 유지된다.Predetermined level image signals S1, S2,... , Sn is held for a certain period by the liquid crystal capacitance formed between the pixel electrode 9 and the common electrode (to be described later).

또, 액정 용량에 의해 유지된 화상 신호 S1, S2, …, Sn이 누설되는 것을 방지하기 위해, 화소 전극(9)과 용량선(3b) 사이에는 축적 용량(17)이 형성되어 있다.Moreover, image signals S1, S2, ... held by the liquid crystal capacitor. In order to prevent the leakage of Sn, the storage capacitor 17 is formed between the pixel electrode 9 and the capacitor line 3b.

축적 용량(17)은 액정 용량과 병렬로 배치되어 있다.The storage capacitor 17 is arranged in parallel with the liquid crystal capacitor.

이와 같이, 액정에 전압 신호가 인가되면, 인가된 전압 레벨에 의해 액정 분자의 배향 상태가 변화된다.As such, when a voltage signal is applied to the liquid crystal, the alignment state of the liquid crystal molecules is changed by the applied voltage level.

이것에 의해, 액정에 입사된 광원 광이 변조되어, 화상 광이 만들어진다.As a result, the light of the light source incident on the liquid crystal is modulated to produce image light.

(평면 구조)(Planar structure)

도 3은 액정 장치의 평면 구조의 설명도이다.3 is an explanatory diagram of a planar structure of a liquid crystal device.

본 실시예의 액정 장치에서는, TFT 어레이 기판(10) 상에, ITO(Indium Tin 0xide) 등의 투명 도전성 재료로 이루어지는 직사각형 형상의 화소 전극(9)이 매트릭스 형상(어레이 형상)으로 배열되어 형성되어 있다.In the liquid crystal device of this embodiment, a rectangular pixel electrode 9 made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin 0xide) is arranged and arranged in a matrix (array shape) on the TFT array substrate 10. .

도 3의 파선(9a)은 화소 전극(9)의 윤곽을 나타내고 있다.The broken line 9a of FIG. 3 shows the outline of the pixel electrode 9.

화소 전극(9)의 세로 방향 및 가로 방향의 경계를 따라, 데이터선(6a), 주사선(3a) 및 용량선(3b)이 마련된다.A data line 6a, a scanning line 3a and a capacitor line 3b are provided along the longitudinal and horizontal directions of the pixel electrode 9.

본 실시예의 액정 장치(60)에 있어서는, 각 화소 전극(9)이 형성된 직사각형 영역이 도트이며, 매트릭스 형상으로 배치된 도트마다 표시를 행하는 것이 가능하다.In the liquid crystal device 60 of the present embodiment, the rectangular region where each pixel electrode 9 is formed is a dot, and display can be performed for each dot arranged in a matrix.

TFT 소자(27)는 폴리 실리콘막 등으로 이루어지는 반도체층(1a)를 중심으로 하여 형성되어 있다.The TFT element 27 is formed centering on the semiconductor layer 1a made of a polysilicon film or the like.

반도체층(1a)의 소스 영역(후술함)에는, 콘택트 홀(5)을 통해, 데이터선(6a)이 접속되어 있다.The data line 6a is connected to the source region (to be described later) of the semiconductor layer 1a through the contact hole 5.

또한, 반도체층(1a)의 드레인 영역(후술함)에는, 콘택트 홀(8)을 통해, 화소 전극(9)이 접속되어 있다.In addition, the pixel electrode 9 is connected to the drain region (to be described later) of the semiconductor layer 1a through the contact hole 8.

한편, 반도체층(1a)에서의 주사선(3a)과의 대향 부분에는, 채널 영역(1a)이 형성되어 있다.On the other hand, the channel region 1a is formed in the opposing part of the semiconductor layer 1a with the scanning line 3a.

(액정 장치의 단면 구조)(Section structure of liquid crystal device)

도 4는 액정 장치(60)의 단면 구조의 설명도로서, 도 3의 C-C선 화살표의 측단면에 대응하고 있다.FIG. 4 is an explanatory diagram of a cross-sectional structure of the liquid crystal device 60 and corresponds to the side cross section of the C-C line arrow in FIG. 3.

도 4에 나타내는 바와 같이, 본 실시예의 액정 장치(60)는 TFT 어레이 기판(10)과, TFT 어레이 기판(10)에 대향하여 배치된 대향 기판(20)과, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이에 유지된 액정층(50)을 주체로 하여 구성되어 있다.As shown in FIG. 4, the liquid crystal device 60 of the present embodiment includes a TFT array substrate 10, an opposing substrate 20 disposed to oppose the TFT array substrate 10, a TFT array substrate 10, and an opposition. The liquid crystal layer 50 held between the substrates 20 is mainly configured.

여기서, TFT 어레이 기판(10)은 유리나 석영 등의 투광성 재료로 이루어지는 기판 본체(10A), 기판 본체(10A)의 안쪽에 형성된 TFT 소자(27), 화소 전극(9), 무기 배향막(16) 등을 주체로 하여 구성되어 있다.Here, the TFT array substrate 10 includes a substrate main body 10A made of a light transmissive material such as glass or quartz, a TFT element 27 formed inside the substrate main body 10A, a pixel electrode 9, an inorganic alignment film 16, or the like. It consists mainly of

한편, 대향 기판(20)은 유리나 석영 등의 투광성 재료로 이루어지는 기판 본체(20A), 기판 본체(20A)의 안쪽에 형성된 공통 전극(21), 무기 배향막(22) 등을 주체로 하여 구성되어 있다.On the other hand, the opposing substrate 20 is mainly composed of a substrate main body 20A made of a light-transmissive material such as glass or quartz, a common electrode 21 formed inside the substrate main body 20A, an inorganic alignment film 22 and the like. .

TFT 어레이 기판(10)의 표면에는, 후술하는 제 1 차광막(11a) 및 제 1 층간 절연막(12)이 형성되어 있다.On the surface of the TFT array substrate 10, a first light shielding film 11a and a first interlayer insulating film 12 described later are formed.

제 1 층간 절연막(12)의 표면에는, 반도체층(1a)이 형성되어 있고, 반도체층(1a)을 중심으로 하는 TFT 소자(27)가 형성되어 있다.The semiconductor layer 1a is formed in the surface of the 1st interlayer insulation film 12, and the TFT element 27 centering on the semiconductor layer 1a is formed.

반도체층(1a)에서, 주사선(3a)에 대향하는 부분에는 채널 영역(1a')이 형성되고, 채널 영역(1a')의 양쪽에는 소스 영역 및 드레인 영역이 형성되어 있다.In the semiconductor layer 1a, the channel region 1a 'is formed in the portion facing the scanning line 3a, and the source region and the drain region are formed on both sides of the channel region 1a'.

이 TFT 소자(27)는 LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 채용하고 있다. 소스 영역 및 드레인 영역의 각각에는, 불순물 농도가 상대적으로 높은 고농도 영역과, 상대적으로 낮은 저농도 영역(LDD 영역)이 형성되어 있다.This TFT element 27 adopts an LDD (Lightly Doped Drain) structure. In each of the source region and the drain region, a high concentration region having a relatively high impurity concentration and a low concentration region (LDD region) having a relatively low concentration are formed.

즉, 소스 영역에는 저농도 소스 영역(1b)과 고농도 소스 영역(1d)이 형성되고, 드레인 영역에는 저농도 드레인 영역(1c)과 고농도 드레인 영역(1e)이 형성되어 있다.That is, the low concentration source region 1b and the high concentration source region 1d are formed in the source region, and the low concentration drain region 1c and the high concentration drain region 1e are formed in the drain region.

반도체층(1a)의 표면에는, 게이트 절연막(2)이 형성되어 있다.The gate insulating film 2 is formed on the surface of the semiconductor layer 1a.

그리고, 게이트 절연막(2)의 표면에는, 주사선(3a)이 형성되고, 채널 영역(1a')에 대향하는 부분이 게이트 전극을 구성하고 있다.The scanning line 3a is formed on the surface of the gate insulating film 2, and the part facing the channel region 1a 'constitutes the gate electrode.

또한, 게이트 절연막(2) 및 주사선(3a)의 표면에는, 제 2 층간 절연막(4)이 형성되어 있다.A second interlayer insulating film 4 is formed on the surfaces of the gate insulating film 2 and the scanning line 3a.

그리고, 제 2 층간 절연막(4)의 표면에는, 데이터선(6a)이 형성되어 있다. 제 2 층간 절연막(4)에 형성된 콘택트 홀(5)을 통해, 데이터선(6a)은 고농도 소스 영역(1d)에 접속되어 있다.The data line 6a is formed on the surface of the second interlayer insulating film 4. The data line 6a is connected to the high concentration source region 1d via the contact hole 5 formed in the second interlayer insulating film 4.

또한, 제 2 층간 절연막(4) 및 데이터선(6a)의 표면에는, 제 3 층간 절연막(7)이 형성되어 있다.A third interlayer insulating film 7 is formed on the surfaces of the second interlayer insulating film 4 and the data line 6a.

그리고, 제 3 층간 절연막(7)의 표면에는 화소 전극(9)이 형성되어 있고, 제 2 층간 절연막(4) 및 제 3 층간 절연막(7)에 형성된 콘택트 홀(8)을 통해, 화소 전극(9)이 고농도 드레인 영역(1e)에 접속되어 있다.The pixel electrode 9 is formed on the surface of the third interlayer insulating film 7, and the pixel electrode 9 is formed through the contact holes 8 formed in the second interlayer insulating film 4 and the third interlayer insulating film 7. 9) is connected to the high concentration drain region 1e.

또한, 화소 전극(9)을 덮도록 무기 배향막(16)이 형성되어 있다.In addition, an inorganic alignment layer 16 is formed to cover the pixel electrode 9.

무기 배향막(16)은 비선택 전압 인가 시에 있어서의 액정 분자의 배향을 규제한다.The inorganic alignment film 16 regulates the orientation of the liquid crystal molecules at the time of non-selection voltage application.

또, 본 실시예에서는, 반도체층(1a)을 연장해서 마련하여 제 1 축적 용량 전극(1f)이 형성되어 있다.In this embodiment, the first storage capacitor electrode 1f is formed by extending the semiconductor layer 1a.

또한, 게이트 절연막(2)을 연장해서 마련하여 유전체막이 형성되어 있다.In addition, a dielectric film is formed by extending the gate insulating film 2.

유전체막의 표면에 용량선(3b)이 배치되어 제 2 축적 용량 전극이 형성되어 있다.The capacitor line 3b is arranged on the surface of the dielectric film to form a second storage capacitor electrode.

제 1 축적 용량 전극(1f), 유전체막 및 제 2 축적 용량 전극에 의해, 축적 용량(17)이 구성되어 있다.The storage capacitor 17 is formed of the first storage capacitor electrode 1f, the dielectric film, and the second storage capacitor electrode.

또한, TFT 소자(27)의 형성 영역에 대응하는 기판 본체(10A)의 표면에는, 제 1 차광막(11a)이 형성되어 있다.The first light shielding film 11a is formed on the surface of the substrate main body 10A corresponding to the formation region of the TFT element 27.

제 1 차광막(11a)은, 액정 장치에 입사된 광이, 반도체층(1a)의 채널 영역(1a'), 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)에 조사되는 것을 방지한다.The first light shielding film 11a prevents light incident on the liquid crystal device from being irradiated to the channel region 1a ', the low concentration source region 1b, and the low concentration drain region 1c of the semiconductor layer 1a.

한편, 대향 기판(20)에서의 기판 본체(20A)의 표면에는, 제 2 차광막(23)이 형성되어 있다.On the other hand, the second light shielding film 23 is formed on the surface of the substrate main body 20A in the counter substrate 20.

제 2 차광막(23)은 액정 장치에 입사된 광이 반도체층(1a)의 채널 영역(1a')이나 저농도 소스 영역(1b), 저농도 드레인 영역(1c) 등에 조사되는 것을 방지한다.The second light shielding film 23 prevents light incident on the liquid crystal device from being irradiated to the channel region 1a ', the low concentration source region 1b, the low concentration drain region 1c, and the like of the semiconductor layer 1a.

제 2 차광막(23)은 액정 장치(60)를 연직 방향에서 보아, 반도체층(1a)과 겹치는 영역에 마련된다.The second light shielding film 23 is provided in a region overlapping with the semiconductor layer 1a by viewing the liquid crystal device 60 in the vertical direction.

대향 기판(20)의 표면에는, 대략 전면에 걸쳐 ITO 등의 도전체로 이루어지는 공통 전극(21)이 형성되어 있다.On the surface of the counter substrate 20, a common electrode 21 made of a conductor such as ITO is formed over the entire surface.

또한, 공통 전극(21)의 표면에는 무기 배향막(22)이 형성되어 있다.In addition, an inorganic alignment film 22 is formed on the surface of the common electrode 21.

무기 배향막(22)은 비선택 전압 인가 시에 있어서의 액정 분자의 배향을 규제한다.The inorganic alignment film 22 regulates the orientation of liquid crystal molecules at the time of non-selection voltage application.

TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에는, 네마틱 액정 등으로 이루어지는 액정층(50)이 유지되어 있다.Between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, a liquid crystal layer 50 made of a nematic liquid crystal or the like is held.

네마틱 액정 분자는 정의 유전율 이방성을 갖고, 비선택 전압 인가 시에는 기판에 따라 수평 배향하고, 선택 전압 인가 시에는 전계 방향을 따라 수직 배향한다.The nematic liquid crystal molecules have positive dielectric anisotropy, are horizontally aligned along the substrate when an unselected voltage is applied, and are vertically aligned along the electric field direction when a selective voltage is applied.

네마틱 액정 분자는 정의 굴절율 이방성을 갖고, 그 복굴절과 액정층 두께와의 적(리타데이션) Δnd는, 예컨대, 약 O.40㎛(60℃)이다.The nematic liquid crystal molecules have positive refractive anisotropy, and the product (retardation) Δnd between the birefringence and the thickness of the liquid crystal layer is, for example, about 0.40 m (60 ° C).

또, TFT 어레이 기판(10)의 무기 배향막(16)에 의한 배향 규제 방향과, 대향 기판(20)의 무기 배향막(22)에 의한 배향 규제 방향은 대략 90° 트위스트된 상태로 설정되어 있다.In addition, the orientation regulation direction by the inorganic alignment film 16 of the TFT array substrate 10 and the orientation regulation direction by the inorganic alignment film 22 of the opposing substrate 20 are set in a twisted state of about 90 °.

이에 따라, 본 실시예의 액정 장치(60)는 트위스트 네마틱 모드로 동작한다.Accordingly, the liquid crystal device 60 of the present embodiment operates in twisted nematic mode.

또한, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 바깥쪽에는, 폴리비닐알콜(PVA)에 요소를 도핑한 재료 등으로 이루어지는 편광판(18, 28)이 배치되어 있다.Further, polarizing plates 18 and 28 made of a material doped with polyvinyl alcohol (PVA) or the like are disposed outside the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.

또, 각 편광판(18, 28)은 사파이어 유리나 수정 등의 고열전도율 재료로 이루어지는 지지 기판상에 장착하고, 액정 장치(60)로부터 이격 배치하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to mount each polarizing plate 18 and 28 on the support substrate which consists of high thermal conductivity materials, such as sapphire glass and crystal | crystallization, and arrange | position it apart from the liquid crystal device 60. FIG.

각 편광판(18, 28)은 흡수축 방향의 직선 편광을 흡수하고, 투과축 방향의 직선 편광을 투과하는 기능을 갖는다.Each polarizing plate 18 and 28 has a function of absorbing linearly polarized light in the absorption axis direction and transmitting linearly polarized light in the transmission axis direction.

TFT 어레이 기판(10) 쪽의 편광판(18)은 투과축이 무기 배향막(16)의 배향 규제 방향과 대략 일치하도록 배치되어 있다.The polarizing plate 18 on the side of the TFT array substrate 10 is arranged such that the transmission axis substantially coincides with the orientation regulation direction of the inorganic alignment film 16.

대향 기판(20) 쪽의 편광판(28)은 투과축이 무기 배향막(22)의 배향 규제 방향과 대략 일치하도록 배치되어 있다.The polarizing plate 28 on the opposite substrate 20 side is disposed so that the transmission axis is substantially coincident with the orientation regulation direction of the inorganic alignment film 22.

액정 장치(60)는 대향 기판(20)이 광원 쪽을 향해 배치되어 있다.In the liquid crystal device 60, the opposing substrate 20 is disposed toward the light source.

광원광 중 편광판(28)의 투과축과 일치하는 직선 편광만이 편광판(28)을 투과하여 액정 장치(60)에 입사된다.Of the light source light, only linearly polarized light coinciding with the transmission axis of the polarizing plate 28 is transmitted through the polarizing plate 28 and is incident on the liquid crystal device 60.

비선택 전압 인가 시의 액정 장치(60)에 있어서는, 기판에 대하여 수평 배향된 액정 분자는 액정층(50)의 두께 방향에 대략 90° 트위스트된 나선 형상으로 적층하여 배치된다.In the liquid crystal device 60 at the time of non-selection voltage application, the liquid crystal molecules oriented horizontally with respect to the substrate are stacked and arranged in a spiral shape twisted approximately 90 degrees in the thickness direction of the liquid crystal layer 50.

그 때문에, 액정 장치(60)에 입사된 직선 편광은, 대략 90° 선광되어 액정 장치(60)로부터 출사된다.Therefore, the linearly polarized light incident on the liquid crystal device 60 is linearized by approximately 90 degrees, and is emitted from the liquid crystal device 60.

이 직선 편광은 편광판(18)의 투과축과 일치하기 때문에, 편광판(18)을 투과한다. 따라서, 비선택 전압 인가 시의 액정 장치(60)에서는 백 표시가 행해진다(노멀리 화이트 모드).Since this linearly polarized light coincides with the transmission axis of the polarizing plate 18, it passes through the polarizing plate 18. Therefore, the white display is performed in the liquid crystal device 60 when the non-selection voltage is applied (normally white mode).

한편, 선택 전압 인가 시의 액정 장치(60)에 있어서는, 액정 분자가 기판에 대하여 수직 배향되어 있다.On the other hand, in the liquid crystal device 60 at the time of applying the selection voltage, the liquid crystal molecules are vertically aligned with respect to the substrate.

그 때문에, 액정 장치(60)에 입사된 직선 편광은 선광되지 않고 액정 장치(60)로부터 출사된다.Therefore, the linearly polarized light incident on the liquid crystal device 60 is emitted from the liquid crystal device 60 without being linearized.

이 직선 편광은 편광판(18)의 투과축과 직교하기 때문에, 편광판(18)을 투과하지 않는다.Since this linearly polarized light is orthogonal to the transmission axis of the polarizing plate 18, it does not transmit through the polarizing plate 18.

따라서, 선택 전압 인가 시의 액정 장치(60)에서는 흑 표시가 행해진다.Therefore, black display is performed in the liquid crystal device 60 at the time of applying the selection voltage.

(무기 배향막)(Inorganic alignment film)

상술한 바와 같이, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 안쪽에는, 무기 배향막(16, 22)이 형성되어 있다.As described above, the inorganic alignment films 16 and 22 are formed inside the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.

이하, 대향 기판(20) 쪽에 마련된 무기 배향막(22)을 예로 들어 설명하지만, TFT 어레이 기판(10) 쪽에 마련되는 무기 배향막(16)에 대해서도 마찬가지의 구성이 채용되어 있다.Hereinafter, although the inorganic alignment film 22 provided in the counter substrate 20 side is demonstrated as an example, the same structure is employ | adopted also about the inorganic alignment film 16 provided in the TFT array substrate 10 side.

무기 배향막(16, 22)은 SiO2이나 SiO 등의 실리콘 산화물, 또는 Al2O3, ZnO, MgO나 ITO 등의 금속 산화물 등에 의해, 두께 0.02∼0.3㎛(바람직하게는, 0.02∼0.08㎛) 정도로 형성되어 있다.The inorganic alignment films 16 and 22 are made of silicon oxide such as SiO 2 or SiO, or metal oxides such as Al 2 O 3 , ZnO, MgO, ITO, or the like, with a thickness of 0.02 to 0.3 μm (preferably 0.02 to 0.08 μm). It is formed to a degree.

무기 배향막(16, 22)을 제조하기 위해서는, 예컨대, 이온빔 스퍼터법이나 마그네트론 스퍼터법 등의 스퍼터법, 증착법, 졸겔법, 자기 조직화법 등을 이용하는 것이 가능하다.In order to manufacture the inorganic alignment films 16 and 22, for example, a sputtering method such as an ion beam sputtering method or a magnetron sputtering method, a vapor deposition method, a sol-gel method, a self-organization method, or the like can be used.

여기서, 예컨대 이온빔 스퍼터 장치를 이용하여 상기 무기 배향막(16, 22)을 형성하는 경우, 이온원으로부터 조사된 이온빔에 의해 타겟으로부터 무기 배향막의 형성 재료로 되는 스퍼터 입자를 방사하여, 스퍼터 입자를 기판상에 퇴적시킴으로써, 기판 상에 무기 배향막을 형성할 수 있다.Here, for example, when the inorganic alignment films 16 and 22 are formed by using an ion beam sputtering device, sputter particles serving as a material for forming an inorganic alignment film are radiated from a target by ion beams irradiated from an ion source, thereby sputtering particles onto a substrate. By depositing in, an inorganic alignment film can be formed on the substrate.

도 5는 무기 배향막(22)이 형성된 대향 기판(20)의 측면 단면도이다.5 is a side cross-sectional view of the opposing substrate 20 on which the inorganic alignment film 22 is formed.

상술한 바와 같이, 이온빔 스퍼터 장치를 이용하는 것에 의해, 대향 기판(20)을 구성하는 기판 본체(20A)에 대하여 대략 일정한 입사 각도로 스퍼터 입자를 연속적으로 입사시킨다.As described above, by using the ion beam sputtering device, sputter particles are continuously incident to the substrate main body 20A constituting the opposing substrate 20 at an approximately constant incidence angle.

그렇게 하면, 스퍼터 입자가 경사 기둥 형상으로 퇴적되고, 무기 재료로 이루어지는 주상 구조체(22a)가 기판 본체(20A) 상에 형성된다.As a result, sputter particles are deposited in an inclined columnar shape, and columnar structures 22a made of an inorganic material are formed on the substrate main body 20A.

이 주상 구조체(22a)가 기판 본체(20A)의 표면에 무수히 형성되는 것에 의해, 무기 배향막(22)이 구성된다.The columnar structure 22a is formed innumerably on the surface of the substrate main body 20A, thereby forming the inorganic alignment film 22.

또, 이온빔 스퍼터 장치에 있어서의 타겟과 기판 본체(20A)의 각도를 조정함으로써, 기판 본체(20A)에 대하여 스퍼터 입자를 소정의 입사 각도로 입사하고, 도 5에 나타내는 바와 같이, 주상 구조체(22a)에 소정의 경사 각도를 부여할 수 있다.Moreover, by adjusting the angle of the target and the board | substrate main body 20A in an ion beam sputtering apparatus, sputter | spatter particle is incident on the board | substrate main body 20A at predetermined incidence angle, and as shown in FIG. 5, columnar structure 22a Can be given a predetermined inclination angle.

그리고, 액정 장치(60)에서는 주상 구조체(22a)를 따라 액정 분자가 배향되므로, 이 무기 배향막(22)에 의해 비선택 전압 인가 시의 액정 분자를 소정 방향으로 배향 규제할 수 있다.In the liquid crystal device 60, since the liquid crystal molecules are aligned along the columnar structure 22a, the liquid crystal molecules at the time of applying the non-selective voltage can be regulated in a predetermined direction by the inorganic alignment film 22.

또한, 액정 분자에 프리틸트를 부여할 수 있다.In addition, pretilt can be imparted to the liquid crystal molecules.

또, TFT 어레이 기판(10)에 마련되는 무기 배향막(16)은 무기 배향막(22)과 동일한 구성으로 이루어지는 것이고, 상술한 방법에 의해 마찬가지로 형성할 수 있고, 같은 기능을 갖는다.The inorganic alignment film 16 provided on the TFT array substrate 10 has the same configuration as that of the inorganic alignment film 22, and can be formed in the same manner by the above-described method, and has the same function.

또, 무기 배향막을 형성하는 다른 방법으로는, 예컨대, 미리 무기 배향막의 하지막 표면에 복수의 경사면을 형성하고, 그 경사면의 표면에 상기 스퍼터법으로 무기 배향막을 형성하며, 상기 복수의 경사면의 형상을 무기 배향막의 표면에 전달시키는 방법을 채용하여도 좋다.As another method of forming the inorganic alignment film, for example, a plurality of inclined surfaces are formed in advance on the surface of the base film of the inorganic alignment film, and an inorganic alignment film is formed on the surface of the inclined surface by the sputtering method, and the shapes of the plurality of inclined surfaces. May be employed to transfer the resin to the surface of the inorganic alignment film.

또한, 상기 스퍼터법으로 무기 배향막을 형성한 후에, 소정 각도로 이온빔을 입사시키는 이온 밀링을 행하여, 무기 배향막의 표면에 소정의 방향성을 갖는 오목부를 형성하여도 좋다.In addition, after forming an inorganic alignment film by the said sputtering method, you may perform ion milling which injects an ion beam at a predetermined angle, and may form the recessed part which has predetermined orientation on the surface of an inorganic alignment film.

또한, 미리 무기 배향막의 하지막 표면에 이온 밀링을 행하고, 다음에 상기 스퍼터법으로 무기 배향막을 형성하며, 또한 그 표면에 재차 이온 밀링을 행하여, 무기 배향막의 표면에 오목부를 형성하여도 좋다.In addition, ion milling may be performed on the surface of the base film of the inorganic alignment film in advance, and then an inorganic alignment film may be formed by the sputtering method, and ion milling may be performed on the surface again to form a recess on the surface of the inorganic alignment film.

어느 경우에도, 액정 분자에 대하여 소망의 프리틸트각을 확실히 부여하는 것이 가능한 무기 배향막을 제공할 수 있다.In any case, the inorganic alignment film which can reliably provide a desired pretilt angle with respect to a liquid crystal molecule can be provided.

TFT 어레이 기판(10)과 상기 대향 기판(20) 사이에는, 상술한 바와 같이, 액 정층(50)이 밀봉되어 있다.As described above, the liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.

액정층(50)을 밀봉하고, 또한, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이를 점착하는 밀봉재(14)가 마련된다(도 1 참조).The sealing material 14 which seals the liquid crystal layer 50 and sticks between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 is provided (see FIG. 1).

밀봉재(14)에는, 예컨대, 갭 재료가 함유되어 있다.The sealing material 14 contains a gap material, for example.

갭 재료에 의해, 액정 장치(60)에서의 소정의 액정층 두께(셀 갭)가 실현되어 있다.By the gap material, a predetermined liquid crystal layer thickness (cell gap) in the liquid crystal device 60 is realized.

또한, 밀봉재(14)의 외주쪽을 덮어 아크릴이나 에폭시 등으로 이루어지는 몰딩재(30)가 배치되어 있다.Moreover, the molding material 30 which consists of an acryl, an epoxy, etc. is arrange | positioned covering the outer peripheral side of the sealing material 14, and is arrange | positioned.

본 실시예의 액정 장치(60)에 있어서는, 액정 장치(60)에서의 밀봉재(14)와, 밀봉재(14)의 외주쪽을 덮어 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이에 마련된 몰딩재(30)로 이루어지는 몰딩 구조가 채용되어 있다.In the liquid crystal device 60 of the present embodiment, the molding material provided between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 covering the sealing material 14 in the liquid crystal device 60 and the outer circumferential side of the sealing material 14. The molding structure which consists of 30 is employ | adopted.

이 몰딩 구조에 대하여 도 6을 참조하여 자세히 설명한다.This molding structure will be described in detail with reference to FIG. 6.

또, 도 6은 도 1의 B-B선에 있어서의 액정 장치(60)의 측단면을 나타내는 도면이고, 특히 몰딩 구조 부분을 확대한 도면이다.6 is a figure which shows the side cross section of the liquid crystal device 60 in the B-B line | wire of FIG. 1, and is the figure which expanded the molding structure part especially.

(몰딩 구조)(Molding structure)

도 6에 나타내는 바와 같이, 몰딩재(30)는 대향 기판(20)의 측단면(25a)과, 밀봉재(14)의 외주면과, TFT 어레이 기판(10)의 상면의 일부에 마련된다.As shown in FIG. 6, the molding material 30 is provided in the side end surface 25a of the opposing board | substrate 20, the outer peripheral surface of the sealing material 14, and a part of the upper surface of the TFT array substrate 10. As shown in FIG.

몰딩재(30)는 액정층(50)을 밀봉하는 밀봉재(14)의 외주쪽을 덮어 배치되어 있다.The molding material 30 covers the outer circumferential side of the sealing material 14 that seals the liquid crystal layer 50.

여기서, 몰딩재(30)가 배치되는 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 각각에는, 요철부(제 1 요철부)(40, 41)가 형성되어 있다.Here, uneven portions (first uneven portions) 40 and 41 are formed in each of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 on which the molding material 30 is disposed.

요철부(40, 41)는 몰딩 영역의 전체 둘레에 걸쳐 연속하여 형성되고, 도 6에 나타내는 바와 같이 대략 톱니 형상으로 형성되어 있다.The uneven parts 40 and 41 are continuously formed over the whole periphery of the molding area | region, and are formed in substantially saw tooth shape as shown in FIG.

구체적으로는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 대향 기판(20)의 기체 본체(20A)의 몰딩 영역인 측단면(25a)에는, 요철부(40)가 형성되어 있다.6, the uneven part 40 is formed in the side surface 25a which is the molding area | region of 20 A of base bodies of the opposing board | substrate 20. As shown in FIG.

TFT 어레이 기판(10)에서의 몰딩 영역에는 요철부(41)가 형성되어 있다.The uneven portion 41 is formed in the molding region in the TFT array substrate 10.

TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 각각에 형성된 요철부(40, 41)는 요철부를 마련하지 않고 기판 표면을 평탄면으로 하는 종래의 구성에 비해, 몰딩재(30)와 TFT 어레이 기판(10)의 계면 거리가 요철부(41)의 표면 형상에 따른 분량만큼 길게 되어 있고, 몰딩재(30)와 대향 기판(20)의 계면 거리가 요철부(40)의 표면 형상에 따른 분량만큼 길게 되어 있다.The uneven parts 40 and 41 formed in each of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 have a molding material 30 and a TFT array as compared with a conventional configuration in which the surface of the substrate is a flat surface without providing uneven parts. The interface distance of the board | substrate 10 is long by the quantity according to the surface shape of the uneven part 41, and the interface distance of the molding material 30 and the opposing board | substrate 20 according to the surface shape of the uneven part 40 As long as it is.

다음에, 요철부(40, 41)를 형성하는 방법에 대하여 설명한다.Next, the method of forming the uneven parts 40 and 41 is demonstrated.

우선, 예컨대, 레지스트층을 기판 표면에 형성한다.First, for example, a resist layer is formed on the substrate surface.

다음에, 회색 마스크를 이용하여 포토리소그래피를 행함으로써, 레지스트층에 소망의 홈 형상을 형성한다.Next, photolithography is performed using a gray mask to form a desired groove shape in the resist layer.

다음에, 홈 형상이 형성된 레지스트층을 마스크로 하여 기판을 에칭함으로써, 단면이 대략 톱니 형상인 요철부를 형성할 수 있다.Next, by etching the substrate using the resist layer having the groove shape as a mask, an uneven portion having a substantially serrated cross section can be formed.

또, 요철부는 포토리소그래피를 이용하여 형성하는 방법에 한정되는 것이 아니라, 예컨대, 전사형을 기판 본체(10A, 20A)에 가압하여 요철 형상을 형성하는 방 법 등을 채용하여도 좋다.The concave-convex portion is not limited to the method of forming by using photolithography. For example, a method of forming the concave-convex shape by pressing the transfer die against the substrate main bodies 10A and 20A may be adopted.

또한, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)이 서로 대향하는 면에는 무기 배향막(16, 22)이 각각 마련된다.In addition, inorganic alignment films 16 and 22 are provided on the surface where the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 face each other.

따라서, TFT 어레이 기판(10)의 기판 본체(10A)의 표면에 형성된 요철부(41)에는, 그 표면에 따라, 무기 배향막(16)이 대략 일정한 두께로 배치되어 있다.Therefore, the inorganic alignment film 16 is arrange | positioned by the substantially constant thickness in the uneven part 41 formed in the surface of the board | substrate main body 10A of the TFT array substrate 10 along the surface.

이에 따라, 무기 배향막(16)의 표면에는 요철부(41)의 표면 형상에 대응한 깊이 수 ㎛의 오목부가 형성되어 있다.As a result, a recess having a depth of several micrometers corresponding to the surface shape of the uneven portion 41 is formed on the surface of the inorganic alignment film 16.

즉, 액정 장치(60)는 TFT 어레이 기판(10)의 요철부(41) 및 대향 기판(20)의 요철부(40) 상에 몰딩재(30)가 마련되어 있고, 몰딩재(30)에 의해 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)이 지지되어 있다.That is, in the liquid crystal device 60, a molding material 30 is provided on the uneven portion 41 of the TFT array substrate 10 and the uneven portion 40 of the opposing substrate 20, and is formed by the molding material 30. The TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 are supported.

그런데, 액정 장치(60)는 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)에 의해 개재되어 있는 액정층(50)에 수분이나 불순물 등이 침입하면, 액정 장치(60)의 각종기능이 저해되고, 특히 분극 구조를 가진 액정 중에 분극성 분자인 물이 침입하면 액정의 배향 불량이 발생하여, 표시 특성이 저하할 우려가 있다.By the way, when the liquid crystal device 60 penetrates the liquid crystal layer 50 interposed by the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, various functions of the liquid crystal device 60 are impaired. In particular, when water, which is a polarizable molecule, penetrates into a liquid crystal having a polarized structure, poor alignment of the liquid crystal occurs, and there is a concern that the display characteristics may decrease.

그 때문에, 안정한 표시 특성을 갖는 신뢰성이 높은 액정 장치(60)를 얻기 위해서는, 액정 장치(60)의 외부로부터 침입하는 수분에 대한 높은 방습성을 실현하는 것이 바람직하다.Therefore, in order to obtain the highly reliable liquid crystal device 60 which has stable display characteristics, it is preferable to realize high moisture proof property with respect to the moisture which invades from the exterior of the liquid crystal device 60. FIG.

이것에 대하여, 본 실시예의 몰딩 구조에서는, 상술한 바와 같이, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)에 있어서의 몰딩 영역에 요철부(40, 41)를 형성하고, 요철부(40, 41) 상에 몰딩재(30)를 배치하고 있다.On the other hand, in the molding structure of the present embodiment, as described above, the uneven parts 40 and 41 are formed in the molding regions in the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the uneven parts 40, The molding material 30 is arrange | positioned on 41).

이 구성에 의하면, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)에 형성된 요철부(40, 41)에 몰딩재(30)가 마련되므로, 요철부가 마련되지 않고 기판 표면이 평탄면인 경우에 비해, 요철부(40, 41)의 표면 형상에 접촉하는 면적만큼 몰딩재(30)와 TFT 어레이 기판(10)의 계면 거리가 신장되고, 대향 기판(20)의 계면 거리가 신장된다.According to this structure, since the molding material 30 is provided in the uneven parts 40 and 41 formed in the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, the uneven part is not provided and the surface of the substrate is flat. The interface distance between the molding material 30 and the TFT array substrate 10 is extended by the area in contact with the surface shape of the uneven parts 40 and 41, and the interface distance between the opposing substrate 20 is extended.

따라서, 가령 액정 장치(60)의 외부로부터 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이에 수분이 침입한 경우에, 몰딩재(30)와 TFT 어레이 기판(10)의 계면 거리, 및 몰딩재(30)와 대향 기판(20)의 계면 거리가 각각 길게 되어 있으므로, 액정층(50)에 수분이 도달할 가능성을 감소시킬 수 있다.Therefore, when moisture enters between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 from the outside of the liquid crystal device 60, for example, the interface distance between the molding material 30 and the TFT array substrate 10, and the molding Since the interface distance between the ash 30 and the counter substrate 20 is long, the possibility of water reaching the liquid crystal layer 50 can be reduced.

여기서, 본 실시예에 있어서의 액정 장치(60)에 있어서는, 몰딩재(30)가 마련되는 TFT 어레이 기판(10)의 표면에 무기 배향막(16)이 형성되어 있다.Here, in the liquid crystal device 60 in the present embodiment, the inorganic alignment film 16 is formed on the surface of the TFT array substrate 10 on which the molding material 30 is provided.

무기 배향막(16)은, 도 5에 나타내는 바와 같이, 주상 구조체로 구성된 다공질로 이루어진다.As shown in FIG. 5, the inorganic alignment film 16 is made of porous material composed of columnar structures.

그 때문에, 몰딩재(30)와 대향 기판(20) 사이에는 특히 극간이 발생할 우려가 있다.Therefore, there exists a possibility that a clearance gap may arise especially between the molding material 30 and the opposing board | substrate 20. FIG.

또한, 몰딩재(30)와 무기 배향막(16)의 계면에는 큰 극간이 형성될 우려가 있다.In addition, a large gap may be formed at the interface between the molding material 30 and the inorganic alignment film 16.

따라서, 이들 극간을 통하여, 액정 장치(60)의 외부로부터 수분이나 불순물 등이 액정층(50)에 침입하고, 상술한 바와 같은 불량이 발생할 우려가 있다.Therefore, moisture, impurities, and the like penetrate into the liquid crystal layer 50 from the outside of the liquid crystal device 60 through these gaps, and there is a possibility that the defect described above may occur.

그러나, 상술한 본 실시예의 몰딩 구조에 의하면, TFT 어레이 기판(10) 상에 마련되는 무기 배향막(16)에 요철 형상이 부여되어 있으므로, 무기 배향막(16)과 몰딩재(30)의 계면 거리를 길게 할 수 있어, 외부로부터 수분의 침입을 적합하게 방지할 수 있다.However, according to the molding structure of the present embodiment described above, since the uneven shape is provided to the inorganic alignment film 16 provided on the TFT array substrate 10, the interface distance between the inorganic alignment film 16 and the molding material 30 is adjusted. It can lengthen and can prevent the invasion of moisture from the exterior suitably.

이와 같이, 본 실시예의 액정 장치(60)에 의하면, 액정층(50)에의 수분의 혼입에 의한 표시 특성의 저하를 경감시킬 수 있어, 안정한 표시 특성을 가진 신뢰성이 높은 액정 장치(60)를 실현할 수 있다.Thus, according to the liquid crystal device 60 of this embodiment, the fall of the display characteristic by the mixing of the moisture into the liquid crystal layer 50 can be reduced, and the highly reliable liquid crystal device 60 with stable display characteristics can be implemented. Can be.

또, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 표면에 형성되는 요철부(40, 41)의 높이가 높을수록, 몰딩재(30)와 무기 배향막(16, 22)의 계면 거리를 길게 할 수 있다.In addition, the higher the height of the uneven parts 40 and 41 formed on the surfaces of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, the longer the interface distance between the molding material 30 and the inorganic alignment films 16 and 22 is. can do.

또한, 후술하는 바와 같이, 이 액정 장치를 광 변조 수단으로서 채용하는 것에 의해, 신뢰성이 높은 액정 프로젝터를 제공할 수 있다.Moreover, as mentioned later, by employing this liquid crystal device as the light modulation means, a highly reliable liquid crystal projector can be provided.

또, 상기 실시예 1에 있어서는, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 쌍방에 요철부를 형성했지만, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 중 어느 한쪽에 요철부를 마련함으로써, 몰딩재(30)와 기판의 계면 거리를 증가시켜, 액정 장치(60)의 방습성을 향상시키는 것이 가능하다.Moreover, in the said Example 1, although the uneven part was formed in both the TFT array board | substrate 10 and the opposing board | substrate 20, by providing an uneven part in either one of the TFT array board | substrate 10 and the opposing board | substrate 20, By increasing the interface distance between the molding material 30 and the substrate, it is possible to improve the moisture resistance of the liquid crystal device 60.

또한, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)에 마련된 요철부(40, 41)의 형상은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다.In addition, the shape of the uneven parts 40 and 41 provided in the TFT array substrate 10 and the opposing board | substrate 20 is not limited to the said Example.

예컨대, 본 실시예에서는, TFT 어레이 기판(10)에 형성된 요철부(41)는 기판 본체(10A)의 면(평탄면) 상에 오목 형상으로 형성된 요철부이지만, 기판 본체(10A)의 평탄면상에 볼록 형상으로 형성된 요철부이더라도 좋다.For example, in the present embodiment, the uneven portion 41 formed in the TFT array substrate 10 is a concave-convex portion formed in a concave shape on the surface (flat surface) of the substrate main body 10A, but on the flat surface of the substrate main body 10A. The concave-convex portion formed in the convex shape may be used.

또한, 기판 본체(10A)는 평탄면 그대로이고, 요철부(41)는 무기 배향막(16)에 돌기 또는 홈이 형성된 요철부이더라도 좋다.In addition, the substrate main body 10A may remain flat, and the uneven portions 41 may be uneven portions having protrusions or grooves formed on the inorganic alignment layer 16.

또한, 기판 본체(10A) 및 무기 배향막(16)의 양쪽에 돌기 또는 홈을 형성하여, 양자를 조합하는 것에 의해 요철부를 형성하여도 좋다.In addition, protrusions or grooves may be formed on both of the substrate main body 10A and the inorganic alignment film 16, and the concave-convex portions may be formed by combining both.

또한, 본 실시예의 액정 장치(60)에 있어서는, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)이 서로 대향하는 각각의 대향면의 전면에 무기 배향막(16, 22)이 형성되어 있지만, 액정층(50)을 유지하는 영역에만 무기 배향막(1622)이 형성되어 있더라도 좋다.In addition, in the liquid crystal device 60 of the present embodiment, the inorganic alignment films 16 and 22 are formed on the entire surface of the opposing surfaces where the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 oppose each other, but the liquid crystal layer The inorganic alignment film 1622 may be formed only in the region holding the 50.

이 경우, 몰딩 영역에 무기 배향막(16, 22)이 형성되어 있지 않으므로, 무기 배향막과 몰딩재(30) 사이의 극간이 형성되는 것을 방지할 수 있다.In this case, since the inorganic alignment films 16 and 22 are not formed in the molding region, the gap between the inorganic alignment film and the molding material 30 can be prevented from being formed.

구체적으로는, 유기 재료로 이루어지는 배향막을 채용하는 경우나, 몰딩 영역으로 되는 기판상에만 선택적으로 무기 배향막이 형성되어 있지 않은 경우에는, 몰딩재(30)와 TFT 어레이 기판(10)의 계면이나, 몰딩재와 대향 기판(20)의 계면에, 큰 극간이 형성될 가능성이 낮아진다.Specifically, in the case where an alignment film made of an organic material is employed or when the inorganic alignment film is not selectively formed only on the substrate serving as the molding region, the interface between the molding material 30 and the TFT array substrate 10, At the interface between the molding material and the counter substrate 20, the possibility of forming a large gap becomes low.

이것에 의해, 액정 장치(60)의 외부로부터 수분이 침입되는 극간이 형성되는 것을 방지할 수 있다.Thereby, it can prevent that the clearance gap which invades moisture from the exterior of the liquid crystal device 60 is formed.

이러한 구성에서, 몰딩 영역의 표면에 요철부를 더 형성하고, 요철부의 표면에 몰딩재(30)를 도포함으로써, 몰딩재(30)와 TFT 어레이 기판(10)의 계면 거리나, 몰딩재(30)와 대향 기판(20)의 계면 거리를 길게 하여도 좋다.In such a configuration, by further forming an uneven portion on the surface of the molding region and applying the molding material 30 to the surface of the uneven portion, the interface distance between the molding material 30 and the TFT array substrate 10 or the molding material 30 is obtained. And the interface distance of the opposing substrate 20 may be lengthened.

이것에 의해, 몰딩재(30)와 TFT 어레이 기판(10)의 계면의 극간이나 몰딩 재(30)와 대향 기판(20)의 계면의 극간을 통하는 것에 의해 수분 등이 액정층(50)에 침입할 가능성을 매우 작게 할 수 있어, 액정 장치(60)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Thus, moisture or the like penetrates into the liquid crystal layer 50 by passing through the gap between the molding material 30 and the TFT array substrate 10 and the gap between the molding material 30 and the counter substrate 20. The possibility of doing so can be made very small, and the reliability of the liquid crystal device 60 can be improved.

(실시예 1의 변형예 1)(Modification 1 of Example 1)

다음에, 실시예 1에 있어서의 액정 장치의 변형예 1에 대하여 설명한다.Next, Modified Example 1 of the liquid crystal device in Example 1 will be described.

도 7(a) 및 도 7(b)는 실시예 1의 변형예 1의 설명도이다.7 (a) and 7 (b) are explanatory diagrams of Modification Example 1 of Example 1. FIG.

도 7(a)는 변형예 1의 액정 장치(60')에 있어서의 평면도를 나타내는 도면이고, 도 7(b)는 도 7(a) 중 E-E선 화살표에 따른 측단면도이다.FIG. 7A is a diagram showing a plan view of the liquid crystal device 60 'of the modification 1, and FIG. 7B is a side cross-sectional view taken along the line E-E in FIG. 7A.

도 7(a) 및 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 액정 장치(60')에 있어서는, 대향 기판(20)의 기판 본체(20A)의 표면에 홈(91)이 형성되어 있고, 홈(91)에 의해 몰딩재(30)가 배치되는 몰딩 영역의 일부가 구성되어 있다.As shown to Fig.7 (a) and FIG.7 (b), in the liquid crystal apparatus 60 ', the groove | channel 91 is formed in the surface of the board | substrate main body 20A of the opposing board | substrate 20, and the groove | channel (the 91 constitutes a part of the molding region in which the molding material 30 is disposed.

여기서, 액정 장치(60')에 있어서는, 도 6에 나타내는 액정 장치(60)와는 달리, 서로 대향하여 배치되는 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 크기는 액정 장치(60')를 연직 방향에서 보아 대략 동일하다.Here, in the liquid crystal device 60 ', unlike the liquid crystal device 60 shown in FIG. 6, the size of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 which are arranged to face each other is the size of the liquid crystal device 60'. It is about the same in the vertical direction.

홈(91)은, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 몰딩 영역의 전체 가장자리에 걸쳐 연속하여 형성되어 있다.As shown in FIG. 7A, the groove 91 is formed continuously over the entire edge of the molding region.

홈(91)의 단면은 도 7(b)에 나타내는 바와 같이 직사각형 형상이다.The cross section of the groove | channel 91 is rectangular shape as shown to FIG. 7 (b).

홈(91)의 표면과 유사하고, 무기 배향막(22)이 대략 일정한 두께로 배치되어 있다.Similar to the surface of the groove 91, the inorganic alignment film 22 is disposed at a substantially constant thickness.

이것에 의해, 무기 배향막(22)의 표면에 깊이 수 ㎛의 오목부(제 1 요철부)(92)가 형성되어 있다.As a result, a concave portion (first uneven portion) 92 having a depth of several micrometers is formed on the surface of the inorganic alignment film 22.

오목부(92)는, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 몰딩 영역의 전체 가장자리에 걸쳐 연속적으로 형성되어 있다.As shown in FIG. 7A, the recess 92 is continuously formed over the entire edge of the molding region.

오목부(92)의 단면은 도 7(b)에 나타내는 바와 같이 직사각형 형상이다.The cross section of the recessed part 92 is rectangular shape as shown to FIG. 7 (b).

또한, 기판 본체(20A)에는 복수의 관통공(93)이 마련된다.In addition, a plurality of through holes 93 are provided in the substrate main body 20A.

또, 기판 본체(20A)에서, 관통공(93)이 마련된 부분에는, 무기 배향막(22)은 마련되어 있지 않다.In addition, the inorganic alignment film 22 is not provided in the part in which the through-hole 93 was provided in 20A of the board | substrate main body.

관통공(93)은 몰딩 영역에 연결되어 있다.The through hole 93 is connected to the molding region.

또한, 액정 장치(60')에 있어서는, TFT 어레이 기판(10)의 기판 본체(10A)의 표면에는 홈(81)이 형성되어 있고, 홈(81)에 의해 몰딩재(30)가 배치되는 몰딩 영역의 일부가 구성되어 있다.In the liquid crystal device 60 ', the groove 81 is formed in the surface of the substrate main body 10A of the TFT array substrate 10, and the molding in which the molding material 30 is disposed by the groove 81 is formed. Part of the area is constructed.

홈(81)은 상기한 홈(91)과 동일한 구성이며, 홈(81)의 표면과 유사하고 무기 배향막(16)이 대략 일정한 두께로 배치되어 있다.The groove 81 has the same configuration as the groove 91 described above, and is similar to the surface of the groove 81, and the inorganic alignment film 16 is disposed at a substantially constant thickness.

이에 의해, 무기 배향막(16)의 표면에 몰딩 영역의 전체 가장자리에 걸쳐 오목부(제 1 요철부)(82)가 연속하여 형성되어 있다.Thereby, the recessed part (1st uneven part) 82 is continuously formed in the surface of the inorganic alignment film 16 over the whole edge of a molding area | region.

오목부(82)의 단면은, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 직사각형 형상이다.The cross section of the recessed part 82 is rectangular shape, as shown to FIG. 7 (b).

TFT 어레이 기판(10)의 오목부(82)와 대향 기판(20)의 오목부(92)를 위치 정렬한 상태로, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)이 점착되는 것에 따라, 오목부(82, 92)에 의해 몰딩 영역이 형성되어 있다.The concave portion 82 of the TFT array substrate 10 and the concave portion 92 of the opposing substrate 20 are aligned, and the concave portion of the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 adhere to each other. The molding regions are formed by the portions 82 and 92.

또한, 몰딩 영역의 안쪽에는, 실시예 1과 마찬가지로 밀봉재(14)가 마련된다.In addition, the sealing material 14 is provided inside the molding region similarly to the first embodiment.

밀봉재(14)에 의해, 액정층(50)은 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 밀봉되어 있다.By the sealing material 14, the liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.

몰딩재(30)를 몰딩 영역에 배치하는 방법으로는, 예컨대, 관통공(93)으로부터 몰딩재를 주입하는 방법을 채용할 수 있다.As a method of arranging the molding material 30 in the molding region, for example, a method of injecting the molding material from the through hole 93 can be adopted.

이 때, 몰딩재(30) 내에 포함된 공기 등의 기포는 관통공(93)에 의해 외부로 방출된다.At this time, bubbles such as air contained in the molding material 30 are discharged to the outside by the through hole 93.

이것에 의해, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 적합하게 몰딩재(30)를 배치할 수 있다.Thereby, the molding material 30 can be arrange | positioned suitably between the TFT array substrate 10 and the opposing board | substrate 20. FIG.

또한, 이와 같이 TFT 어레이 기판(10)에 마련된 오목부(82)와, 대향 기판(20)에 마련된 오목부(92)를 따라 구성된 몰딩 영역에는, 많은 몰딩재(30)가 배치되므로, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)을 보다 확실히 점착하여 유지할 수 있다.In addition, since many molding materials 30 are arrange | positioned in the molding area comprised along the recessed part 82 provided in the TFT array substrate 10 and the recessed part 92 provided in the opposing board | substrate 20 in this way, TFT array The board | substrate 10 and the opposing board | substrate 20 can be stuck more reliably.

즉, 액정 장치(60')의 기계적 강도를 높게 할 수 있다.That is, the mechanical strength of the liquid crystal device 60 'can be made high.

그런데, 무기 배향막(16, 22)은, 도 5에 나타내는 바와 같이, 주상 구조체로 구성된 다공질이기 때문에, 상술한 바와 같이, 특히 몰딩재(30)와 무기 배향막(16)의 계면이나, 몰딩재(30)와 무기 배향막(22)의 계면에는 큰 극간이 형성될 우려가 있다.By the way, since the inorganic alignment films 16 and 22 are porous as a columnar structure, as shown in FIG. 5, as mentioned above, especially the interface of the molding material 30 and the inorganic alignment film 16, and a molding material ( There exists a possibility that a big gap may be formed in the interface of 30 and the inorganic alignment film 22. As shown in FIG.

이것에 의해, 액정 장치(60')의 외부로부터 수분이나 불순물 등이 극간을 통 하여 액정층에 침입하여, 액정 장치의 표시 특성을 저하시킬 우려가 있다.Thereby, there exists a possibility that moisture, an impurity, etc. may invade a liquid crystal layer through the clearance gap from the exterior of the liquid crystal device 60 ', and may reduce the display characteristic of a liquid crystal device.

이에 대하여, 도 7(a) 및 도 7(b)에 나타낸 변형예 1의 액정 장치(60')에서는, 무기 배향막(16)의 표면에 오목부(82)가 형성되고, 무기 배향막(22)의 표면에 오목부(92)가 형성되며, 오목부(82, 92)의 표면에 몰딩재(30)가 배치된 구성을 채용하고 있다.On the other hand, in the liquid crystal device 60 'of the modification 1 shown to FIG.7 (a) and FIG.7 (b), the recessed part 82 is formed in the surface of the inorganic alignment film 16, and the inorganic alignment film 22 The recessed part 92 is formed in the surface of the recessed part, and the structure by which the molding material 30 was arrange | positioned at the surface of the recessed part 82 and 92 is employ | adopted.

이 구성에 의하면, 요철부가 형성되어 있지 않은 경우에 비해, 몰딩재(30)와 무기 배향막(16)의 계면 거리나, 몰딩재(30)와 무기 배향막(22)의 계면 거리가 신장되므로, 수분 등의 침입 경로 길이가 길어지게 되어, 수분 등이 액정층(50)에 침입할 가능성을 감소시킬 수 있다.According to this structure, since the interface distance of the molding material 30 and the inorganic alignment film 16 and the interface distance of the molding material 30 and the inorganic alignment film 22 are extended compared with the case where the uneven part is not formed, moisture The length of the penetration path of the lamps and the like can be lengthened, so that the likelihood of intrusion of moisture or the like into the liquid crystal layer 50 can be reduced.

따라서, 안정한 표시 특성을 갖는 신뢰성이 높은 액정 장치(60)를 실현할 수 있다.Therefore, highly reliable liquid crystal device 60 having stable display characteristics can be realized.

(실시예 1의 변형예 2)(Modification 2 of Example 1)

다음에, 실시예 1에 있어서의 액정 장치의 변형예 2에 대하여, 도 8(a)를 참조하여 설명한다.Next, Modified Example 2 of the liquid crystal device in Example 1 will be described with reference to Fig. 8A.

변형예 2에 있어서는, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 밀봉재(14)가 배치되는 위치에 요철부(40', 41')(제 2 요철부)가 형성되어 있다.In the modification 2, as shown to FIG. 8 (a), the uneven part 40 ', 41' (2nd uneven part) is formed in the position where the sealing material 14 is arrange | positioned.

즉, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에, 밀봉재(14)가 배치되는 위치에 요철부(40', 41')가 형성되어 있다.That is, the uneven parts 40 'and 41' are formed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 at the position where the sealing material 14 is arrange | positioned.

이러한 구성에 의하면, 밀봉재(14)를 유지하고 있는 기판의 표면이 평탄한 경우에 비해, 요철부(40', 41')가 형성되어 있는 영역에서, 밀봉재(14)와 TFT 어레이 기판(10)의 계면 거리와, 밀봉재(14)와 대향 기판(20)의 계면 거리를 늘릴 수 있다.According to such a structure, compared with the case where the surface of the board | substrate holding the sealing material 14 is flat, the area | region of the sealing material 14 and the TFT array substrate 10 is formed in the area | region where the uneven parts 40 'and 41' are formed. The interface distance and the interface distance between the sealing material 14 and the opposing substrate 20 can be increased.

따라서, 예컨대, 액정 장치의 외부로부터 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 수분이 침입한 경우에, 밀봉재(14)와 TFT 어레이 기판(10)의 계면이나, 밀봉재(14)와 대향 기판(20)의 계면을 통하여, 액정층(50)에 수분이 도달할 가능성이 감소되어, 액정 장치의 방습성을 더욱 향상시킬 수 있다.Thus, for example, when moisture penetrates between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 from the outside of the liquid crystal device, the interface between the sealing material 14 and the TFT array substrate 10 and the sealing material 14 and Through the interface of the opposing substrate 20, the possibility of water reaching the liquid crystal layer 50 is reduced, so that the moisture resistance of the liquid crystal device can be further improved.

(실시예 1의 변형예 3)(Modification 3 of Example 1)

다음에, 실시예 1에 있어서의 액정 장치의 변형예 3에 대하여, 도 8(b)를 참조하여 설명한다.Next, Modified Example 3 of the liquid crystal device in Example 1 will be described with reference to FIG. 8 (b).

변형예 3에 있어서는, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 도 7에 나타내는 오목부(82) 대신, TFT 어레이 기판(10)에 요철부로서 볼록부(82')를 마련하고 있다.In the third modification, as shown in FIG. 8B, instead of the recessed portion 82 illustrated in FIG. 7, the convex portion 82 ′ is provided in the TFT array substrate 10 as an uneven portion.

이 구성에 있어서는, 대향 기판(20)에 형성된 오목부(92)의 폭은 볼록부(82')의 폭보다 넓게 되어 있는 것이 바람직하다.In this configuration, it is preferable that the width of the concave portion 92 formed in the opposing substrate 20 is wider than the width of the convex portion 82 '.

이 때, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, TFT 어레이 기판(10)의 볼록부(82')와, 대향 기판(20)의 오목부(92)가 몰딩재(30)를 통해 끼워 맞춰진다.At this time, as shown in FIG. 8B, the convex portion 82 ′ of the TFT array substrate 10 and the concave portion 92 of the opposing substrate 20 are fitted through the molding material 30. .

이와 같이, 볼록부(82')와 오목부(92)를 끼워 맞춘 상태로, 예컨대, 볼록부(82')의 측면과 오목부(92)의 측면을 접촉시킴으로써, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)의 수평 방향의 정렬을 확보할 수 있다.In this manner, in the state where the convex portion 82 'and the concave portion 92 are fitted, for example, the side surface of the convex portion 82' and the side surface of the concave portion 92 are brought into contact with each other to form the TFT array substrate 10. The horizontal alignment of the opposing substrate 20 can be ensured.

이 때, 오목부(92) 및 볼록부(82')가 형성되어 있는 것에 따라, 몰딩재(30)와 TFT 어레이 기판(10)의 계면 거리나, 몰딩재(30)와 대향 기판(20)의 계면 거리를 신장시킬 수 있다.At this time, the concave portion 92 and the convex portion 82 'are formed so that the interface distance between the molding material 30 and the TFT array substrate 10, the molding material 30 and the opposing substrate 20 The interface distance of can be extended.

따라서, 상술한 실시예 1, 변형예 1 및 변형예 2와 마찬가지로, 액정 장치의 방습성을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.Therefore, similarly to Example 1, Modification 1, and Modification 2 described above, the effect of improving the moisture resistance of the liquid crystal device can be obtained.

또, 볼록부(82')와 오목부(92)로 이루어지는 결합 구조를, 예컨대, 밀봉재(14)가 배치되는 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이에 형성하여도 좋다.Moreover, you may form the coupling structure which consists of the convex part 82 'and the recessed part 92, for example between the TFT array substrate 10 in which the sealing material 14 is arrange | positioned, and the opposing board | substrate 20. As shown in FIG.

(실시예 2)(Example 2)

다음에, 본 발명의 액정 장치에 따른 실시예 2에 대하여, 도 9를 참조하여 설명한다.Next, Example 2 which concerns on the liquid crystal device of this invention is demonstrated with reference to FIG.

도 9는 실시예 2에 따른 액정 장치(160)의 측단면을 나타내는 도면이다.9 is a diagram showing a side cross section of the liquid crystal device 160 according to the second embodiment.

본 실시예에 있어서의 액정 장치 중, 실시예 1과 마찬가지의 구성에 대해서는, 동일한 부호를 부여하여 설명하고, 실시예 1과 마찬가지의 구성 부분에 대해서는, 설명을 간략화한다.In the liquid crystal device of the present embodiment, the same components as in the first embodiment will be described with the same reference numerals, and the components similar to those in the first embodiment will be simplified.

또한, 본 실시예에서는, 서로 대향하여 배치되는 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 크기는 액정 장치를 연직 방향에서 보아 대략 동일하다.In addition, in the present embodiment, the sizes of the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 which are disposed to face each other are substantially the same when the liquid crystal device is viewed in the vertical direction.

실시예 1에 있어서는, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)에 있어서의 몰딩 영역에 요철부가 형성되는 것에 의해, 몰딩재(30)와 TFT 어레이 기판(10)의 계 면 거리나, 몰딩재(30)와 대향 기판(20)의 계면 거리를 늘려 액정 장치(60)의 방습성을 향상시키고 있었다.In Example 1, since the uneven part is formed in the molding area | region in the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, the interface distance of the molding material 30 and TFT array substrate 10, and molding are carried out. The moisture barrier property of the liquid crystal device 60 was improved by increasing the interface distance of the ash 30 and the opposing board | substrate 20. FIG.

이에 대하여, 본 실시예에 따른 액정 장치(160)에 있어서는, 몰딩재(30)가 배치되는 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이의 간격을, 액정층(50)을 사이에 유지하고 있는 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이의 간격(이하, 액정층 두께(셀 갭)라고 함)보다 좁게 하는 구조를 채용하고 있다.In contrast, in the liquid crystal device 160 according to the present embodiment, the gap between the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 on which the molding material 30 is disposed is maintained between the liquid crystal layers 50. The structure which makes it narrower than the space | interval (henceforth liquid crystal layer thickness (cell gap)) between the TFT array board | substrate 10 and the opposing board | substrate 20 which are made is employ | adopted.

본 실시예의 액정 장치(160)는, 서로 대향하여 배치된 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)과, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이에 밀봉재(14)에 의해 밀봉된 액정층(50)과, 밀봉재(14)의 외주쪽을 덮어 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이에 마련되는 몰딩재(30)를 구비하고 있다.The liquid crystal device 160 of this embodiment is sealed by a sealing material 14 between the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 disposed to face each other, and the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20. And a molding material 30 provided between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 to cover the outer circumference of the sealing material 14 and the sealing material 14.

도 9에 나타내는 바와 같이, 액정 장치(160)에 있어서는, TFT 어레이 기판(10)의 무기 배향막(16)의 표면에 볼록부(192)가 형성되어 있고, 대향 기판(20)의 무기 배향막(22)의 표면에 볼록부(182)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 9, in the liquid crystal device 160, the convex portion 192 is formed on the surface of the inorganic alignment layer 16 of the TFT array substrate 10, and the inorganic alignment layer 22 of the opposing substrate 20 is formed. The convex part 182 is formed in the surface of ().

볼록부(192, 182)는 몰딩 영역의 전체 가장자리에 걸쳐 연속하여 형성되어 있고, 볼록부(192, 182) 상에 몰딩재(30)가 배치되어 있다.The convex portions 192 and 182 are continuously formed over the entire edge of the molding region, and the molding material 30 is disposed on the convex portions 192 and 182.

TFT 어레이 기판(10)의 볼록부(192)의 안쪽, 및 대향 기판(20)의 볼록부(182)의 안쪽에는, 액정 장치(60)와 마찬가지로, 밀봉재(14)가 충전되어 있고, 액정층(50)이 밀봉되어 있다.The sealing material 14 is filled in the inside of the convex portion 192 of the TFT array substrate 10 and the inside of the convex portion 182 of the opposing substrate 20, similarly to the liquid crystal device 60, and the liquid crystal layer 50 is sealed.

또, 밀봉재(14)에는, 도시하지 않는 스페이서가 개재되어 있고, 소망의 액정층 두께(셀 갭) d가 확보되어 있다.Moreover, the spacer not shown is interposed in the sealing material 14, and the desired liquid-crystal layer thickness (cell gap) d is ensured.

또한, 몰딩 영역에서의 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 간격 D는 볼록부(192, 182)가 형성되는 것에 의해 액정층 두께 d보다 좁게 되어 있다.The gap D between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 in the molding region is narrower than the liquid crystal layer thickness d due to the formation of the convex portions 192 and 182.

따라서, 몰딩재(30)가 배치되는 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 간격은 액정층 두께와 동등인 경우(d=D의 경우)에 비해, 간격 D를 구성하는 체적이 감소하고, 따라서 간격 D 내에 개재하는 몰딩재(30)의 양이 감소된다.Therefore, the volume constituting the space | interval D reduces compared with the case where the TFT array board | substrate 10 with which the molding material 30 is arrange | positioned, and the opposing board | substrate 20 is equal to liquid crystal layer thickness (in the case of d = D). Therefore, the amount of the molding material 30 interposed in the interval D is reduced.

여기서, 액정 장치(160)의 외부로부터 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이에 수분이 침입한 경우에, 간격 D에 개재하는 몰딩재(30)가 적으므로, 간격 D의 몰딩재(30) 내를 투과하는 수분 자체가 적어진다.Here, when moisture penetrates between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 from the outside of the liquid crystal device 160, the molding material 30 at interval D is small, and thus the molding material at interval D is small. The moisture permeate | transmitted inside (30) becomes small.

따라서, 액정층(50) 내에 수분이 혼재할 가능성을 감소시킬 수 있어, 액정 장치(160)의 방습성을 향상시킬 수 있다.Therefore, the possibility of mixing moisture in the liquid crystal layer 50 can be reduced, and the moisture resistance of the liquid crystal device 160 can be improved.

이러한 구성에 의하면, 액정층(50)에 수분이 혼입되는 것에 의한 액정 장치의 표시 특성의 저하를 경감시킬 수 있어, 안정한 표시 특성을 갖은 신뢰성이 높은 액정 장치(160)를 실현할 수 있다.According to such a structure, the fall of the display characteristic of the liquid crystal device by mixing water into the liquid crystal layer 50 can be reduced, and the highly reliable liquid crystal device 160 which has stable display characteristics can be implement | achieved.

(실시예 2의 변형예)(Modification of Example 2)

다음에, 실시예 2에 있어서의 액정 장치(160)의 변형예에 대하여, 도 10을 참조하여 설명한다.Next, the modification of the liquid crystal device 160 in Example 2 is demonstrated with reference to FIG.

도 10에 나타내는 바와 같이, 액정 장치(160)의 변형예로서의 액정 장치(160')는 간격 D를 형성하는 각 기판면이, 액정층(50)이 배치되어 있는 기판면에 대하여 경사져 있다.As shown in FIG. 10, in the liquid crystal device 160 'which is a modification of the liquid crystal device 160, each board | substrate surface which forms the space | interval D inclines with respect to the board | substrate surface in which the liquid crystal layer 50 is arrange | positioned.

여기서, 액정층(50)을 배치하고 있는 기판면이란, 본 변형예에서는 도 10에 나타내는, 밀봉재(14) 및 액정층(50)을 사이에 유지하고 있는 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)의 내면 쪽을 의미한다.Here, the substrate surface on which the liquid crystal layer 50 is disposed is the TFT array substrate 10 and the opposing substrate holding the sealing material 14 and the liquid crystal layer 50 shown in FIG. 10 in this modification. 20) means the inner side.

간격 D를 형성하는 기판면이란, TFT 어레이 기판(10) 상에 몰딩재(30)가 배치되는 제 1 유지면(10B)과, 대향 기판(20) 상에 몰딩재(30)가 배치되는 제 2 유지면(20B)을 의미한다.The substrate surface forming the gap D is a first holding surface 10B on which the molding material 30 is disposed on the TFT array substrate 10, and a molding material on which the molding material 30 is disposed on the opposing substrate 20. 2 means the holding surface 20B.

그리고, 제 1 유지면(10B)과 제 2 유지면(20B)을 따라, 몰딩 영역이 구성되어 있다.And a molding area is comprised along the 1st holding surface 10B and the 2nd holding surface 20B.

그리고, 제 1 유지면(10B) 및 제 2 유지면(20B)은 액정층(50)이 사이에 유지되어 배치되는 TFT 어레이 기판(10)의 기판면 및 대향 기판(20)의 기판면에 대하여 경사져 있다.The first holding surface 10B and the second holding surface 20B are formed with respect to the substrate surface of the TFT array substrate 10 and the substrate surface of the opposing substrate 20, with the liquid crystal layer 50 held therebetween. It is inclined.

환언하면, TFT 어레이 기판(10)에 있어서의 기판 본체(10A)는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 액정층(50) 및 밀봉재(14)를 사이에 유지하는 기판면을 구성하는 액정 유지부(10R)와, 액정 유지부(10R)에서의 기판면에 대하여 경사지고, 또한, 몰딩재(30)가 배치되는 기판면(제 1 유지면(10B))을 갖는 몰딩 유지부(10M)가 조합되어 구성되어 있다.In other words, as shown in FIG. 10, the substrate main body 10A in the TFT array substrate 10 includes a liquid crystal holding unit constituting a substrate surface holding the liquid crystal layer 50 and the sealing material 14 therebetween ( 10R) and the molding holding part 10M which inclines with respect to the board | substrate surface in liquid crystal holding part 10R, and has the substrate surface (1st holding surface 10B) in which the molding material 30 is arrange | positioned It is composed.

또한, 대향 기판(20)에 있어서의 기판 본체(20A)는, 액정 유지부(20R)와, 액정 유지부(20R)에서의 기판면에 대하여 경사지고, 또한, 몰딩재(30)가 배치되는 기판면(제 2 유지면(20B))을 갖는 몰딩 유지부(20M)가 조합되어 구성되어 있다. In addition, 20 A of board | substrate main bodies in the opposing board | substrate 20 are inclined with respect to the liquid crystal holding part 20R and the board | substrate surface in 20 R of liquid crystal holding parts, and the molding material 30 is arrange | positioned. The molding holding part 20M which has a board | substrate surface (2nd holding surface 20B) is comprised combining.

따라서, 각 몰딩 유지부(10M, 20M), 및 액정 유지부(10R, 20R)는 각각이 서 로 대향하여 마련된다. Therefore, each of the molding holding portions 10M and 20M and the liquid crystal holding portions 10R and 20R are provided to face each other.

이러한 구성에 의해, 상술한 간격 D를 이루는 제 1 유지면(10B) 및 제 2 유지면(20B)의 각 면이, 액정층(50)을 배치하고 있는 기판의 면에 대하여 경사져 있다.By this structure, each surface of the 1st holding surface 10B and the 2nd holding surface 20B which comprise the space | interval D mentioned above inclines with respect to the surface of the board | substrate which arrange | positions the liquid crystal layer 50. As shown in FIG.

여기서, 액정 유지부(10R, 20R)를 구성하는 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)의 간격의 크기는, 액정층(50)의 막 두께인 액정층 두께(셀 갭) d로 설정되어 있다.Here, the magnitude | size of the space | interval of the TFT array board | substrate 10 and the opposing board | substrate 20 which comprise the liquid crystal holding | maintenance part 10R, 20R is set to liquid crystal layer thickness (cell gap) d which is the film thickness of the liquid crystal layer 50. FIG. It is.

또한, 제 1 유지면(10B) 및 제 2 유지면(20B)의 간격 D의 크기는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 액정층 두께 d보다 얇게 되어 있다.In addition, the magnitude | size of the space | interval D of 1st holding surface 10B and 2nd holding surface 20B is thinner than liquid crystal layer thickness d as shown in FIG.

그리고, 제 1 유지면(10B) 및 제 2 유지면(20B)에는, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이를 접합하는 몰딩재(30)가 마련된다.And the molding material 30 which bonds between the TFT array substrate 10 and the opposing board | substrate 20 is provided in the 1st holding surface 10B and the 2nd holding surface 20B.

본 변형예에 있어서의 액정 장치(160')에서는, 몰딩재(30)가 배치되는 각 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)(제 1 유지면(10B) 및 제 2 유지면(20B)) 사이의 간격 D가 액정층 두께 d보다 좁게 되어 있으므로, 상기 실시예 2의 액정 장치(160)와 마찬가지로 간격 D 내에 개재되는 몰딩재(30)의 양을 적게 할 수 있다.In the liquid crystal device 160 ′ in the present modification, each TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 (the first holding surface 10B and the second holding surface 20B on which the molding material 30 is disposed) are disposed. Since the space | interval D between)) is narrower than liquid-crystal layer thickness d, the quantity of the molding material 30 interposed in the space | interval D can be made small similarly to the liquid crystal device 160 of Example 2 above.

따라서, 외부로부터 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이에 수분이 침입한 경우에, 상기 간격 D에 개재되어 있는 몰딩재(30)의 양이 적기 때문에, 상기 간격 D의 몰딩재(30) 내를 투과하는 수분의 양을 제한할 수 있다.Therefore, when moisture invades between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 from the outside, the amount of the molding material 30 interposed in the gap D is small, so that the molding material in the gap D ( 30) It is possible to limit the amount of water penetrating through.

또한, 몰딩 영역을 액정 장치(160')의 연직 방향으로부터 본 외관 형상의 계면 거리는, 도 10에 나타낸 거리 X1로 나타낼 수 있다.In addition, the interface distance of the external appearance which looked at the molding area from the perpendicular direction of the liquid crystal device 160 'can be represented by distance X1 shown in FIG.

본 변형예에서는 상술한 바와 같이, 몰딩재(30)를 배치하는 몰딩 유지부(10M)의 제 1 유지면(10B)과, 몰딩 유지부(20M)의 제 2 유지면(20B)이 액정 유지부(10R, 20R)의 기판면에 대하여 경사져 있으므로, 몰딩재(30)와 TFT 어레이 기판(10) 사이의 계면 거리나, 몰딩재(30)와 대향 기판(20) 사이의 계면 거리가 X2로 나타내어진다.In the present modification, as described above, the first holding surface 10B of the molding holding portion 10M on which the molding material 30 is disposed and the second holding surface 20B of the molding holding portion 20M hold liquid crystals. Since it is inclined with respect to the substrate surfaces of the portions 10R and 20R, the interface distance between the molding material 30 and the TFT array substrate 10 or the interface distance between the molding material 30 and the counter substrate 20 is X2. Is represented.

따라서, 몰딩 영역에서의 간격 D를 이루는 계면 거리는 외관 형상의 계면 거리 X1에 비해 길게 할 수 있다.Therefore, the interface distance which forms the space | interval D in a molding area | region can be made long compared with the interface distance X1 of an external shape.

이와 같이 몰딩재(30)가 형성되는 몰딩 영역의 계면 거리를 길게 하는 것으로, 액정 장치(160')의 외부로부터 수분이 침입하는 경로를 길게 할 수 있어, 액정 장치(160')의 방습성을 보다 향상시킬 수 있다.By lengthening the interface distance of the molding region in which the molding material 30 is formed in this way, the path | route which moisture intrudes from the exterior of the liquid crystal device 160 'can lengthen, and the moisture proof property of the liquid crystal device 160' Can be improved.

이러한 구성에 의하면, 액정층(50) 내에 수분이 혼재할 가능성을 감소시킬 수 있어, 액정 장치(160')의 방습성을 향상시킬 수 있다.According to such a structure, the possibility that moisture mixes in the liquid crystal layer 50 can be reduced, and the moisture proof property of the liquid crystal device 160 'can be improved.

따라서, 액정층(50)에의 수분 혼입에 의해 발생하는 표시 특성의 저하를 경감할 수 있어, 즉, 신뢰성이 높은 액정 장치(160')를 실현할 수 있다.Therefore, the fall of the display characteristic which arises by mixing water into the liquid crystal layer 50 can be alleviated, ie, the highly reliable liquid crystal device 160 'can be realized.

이상, 액정 장치의 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 액정 장치 이외의 전기 광학 장치, 예컨대, 유기 EL 장치, 전기 영동 장치 등에 적용하는 것도 가능하다.As mentioned above, although the Example of a liquid crystal device was described, this invention can also be applied to electro-optical devices other than a liquid crystal device, for example, an organic electroluminescent device, an electrophoretic device, etc.

우선, 본 발명을 전기 영동 장치(100)에 적용한 실시예에 대하여 설명한다.First, an embodiment in which the present invention is applied to the electrophoretic apparatus 100 will be described.

본 실시예의 전기 영동 장치(100)는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 대향하여 배치된 제 1 기판(101)과 제 2 기판(108) 사이에 전기 영동층(전기 광학층)(111)을 구비하여 구성되어 있다.As shown in FIG. 11, the electrophoretic apparatus 100 of the present embodiment includes an electrophoretic layer (electro-optical layer) 111 between the first substrate 101 and the second substrate 108 disposed to face each other. It is composed.

또, 제 1 기판(101)과 제 2 기판(108)은 봉지 부재(127)에 의해 접합되고, 스페이서(도시 생략)에 의해 일정하게 이격된 상태로 유지되어 있다.In addition, the first substrate 101 and the second substrate 108 are joined by the sealing member 127, and are kept in a state of being regularly spaced apart by a spacer (not shown).

봉지 부재(127)는 표시 영역의 주위를 둘러싸도록 프레임 형상으로 형성되어 있다.The sealing member 127 is formed in a frame shape so as to surround the display area.

봉지 부재(127)의 바깥쪽에는, 전기 영동층(111)을 둘러싸도록, 몰딩재(130)가 배치되어 있다.The molding member 130 is disposed outside the sealing member 127 so as to surround the electrophoretic layer 111.

본 실시예에 따른 전기 영동 장치(100)는, 도 6을 이용하여 설명한 액정 장치의 실시예와 마찬가지로 제 1 기판(101)의 측단면에 단면에서 보아 대략 톱니 형상의 요철부(140)가 형성되어 있고, 제 2 기판(108)의 일부에도 단면에서 보아 대략 톱니 형상의 요철부(141)가 형성되어 있다.In the electrophoretic apparatus 100 according to the present exemplary embodiment, as in the exemplary embodiment of the liquid crystal device described with reference to FIG. 6, roughly serrated uneven portions 140 are formed on side cross-sections of the first substrate 101 when viewed in cross section. A part of the second substrate 108 is formed with a substantially serrated uneven portion 141 as seen in cross section.

그리고, 요철부(140, 141) 상에 몰딩재(130)가 마련되어 있다.And the molding material 130 is provided on the uneven parts 140 and 141.

즉, 요철부(140, 141)는 몰딩재(130)가 배치되는 영역의 전역에 걸쳐 형성되어 있다.That is, the uneven parts 140 and 141 are formed over the entire region where the molding material 130 is disposed.

제 1 기판(101)은, 예컨대, 투명 유리나 투명 필름 등의 투광성을 갖는 기판으로 이루어진다.The 1st board | substrate 101 consists of a board | substrate which has transparency, such as a transparent glass and a transparent film, for example.

제 1 기판(101)의 내면(전기 영동층(11)) 쪽에는, ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명한 도전 재료로 이루어지는 공통 전극(102)이 형성되어 있다.On the inner surface (electrophoretic layer 11) side of the first substrate 101, a common electrode 102 made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) is formed.

제 1 기판(10l)의 외면은 전기 영동 장치(100)의 표시면이다.The outer surface of the first substrate 10l is the display surface of the electrophoretic device 100.

한편, 제 2 기판(108)은 반드시 투명할 필요는 없고, 예컨대, 유리 기판이나 수지 필름 기판 등의 외에, 스테인리스 플레이트 등의 금속판의 표면에 절연층을 형성한 기판 등을 이용할 수 있다.In addition, the 2nd board | substrate 108 does not necessarily need to be transparent, For example, the board | substrate etc. which formed the insulating layer in the surface of metal plates, such as a stainless steel plate other than a glass substrate and a resin film substrate, can be used.

제 2 기판(108) 상에는, 매트릭스 형상(어레이 형상)으로 화소 영역을 구획하여 형성하고, 각 화소 영역에 대응하는 화소 전극(107)이 마련되어 있다.On the second substrate 108, pixel regions are divided and formed in a matrix (array shape), and pixel electrodes 107 corresponding to the respective pixel regions are provided.

도시하지 않지만 이 화소 전극(107)에는, 통전 제어를 행하기 위한 TFT 소자(스위칭 소자)가 형성되어 있다.Although not shown, the pixel electrode 107 is provided with a TFT element (switching element) for conducting power supply control.

그리고, 본 실시예의 전기 영동 장치(100)에 있어서는, 제 1 기판(101) 및 제 2 기판(108)과 봉지 부재에 의해 형성된 폐공간에, 전기 영동층(111)으로서 전기 영동 분산액(105) 및 전기 영동 입자(106)가 캡슐 형상의 수지 피막으로 덮인 마이크로 캡슐(161)이 배치되어 있다.In the electrophoretic apparatus 100 of the present embodiment, the electrophoretic dispersion 105 is used as the electrophoretic layer 111 in the closed space formed by the first substrate 101 and the second substrate 108 and the sealing member. And a microcapsule 161 in which the electrophoretic particles 106 are covered with a capsule-shaped resin film.

또, 전기 영동층(111)의 구조로서는, 상기 마이크로 캡슐에 한정되는 것이 아니라, 제 1 기판(101) 및 제 2 기판(108) 사이에, 분산매, 전기 영동 입자 등을 갖는 전기 영동 분산액이 주입 밀봉되는 것에 의해, 전기 영동층이 구성되어 있더라도 좋다.In addition, the electrophoretic layer 111 is not limited to the microcapsules, and an electrophoretic dispersion liquid having a dispersion medium, electrophoretic particles, or the like is injected between the first substrate 101 and the second substrate 108. By sealing, the electrophoretic layer may be comprised.

전극(102, 107) 사이에 전압이 인가되는 것에 의해, 마이크로캡슐(161) 내의 전기 영동 입자(106)는 쿨롱력에 의해 공통 전극(2) 쪽으로 빠르게 이동하여, 전극 표면에 부착됨으로써 화상 표시가 행해진다.By applying a voltage between the electrodes 102 and 107, the electrophoretic particles 106 in the microcapsules 161 are quickly moved toward the common electrode 2 by the coulomb force and adhered to the electrode surface, thereby providing an image display. Is done.

상기 구성에 의하면, 제 1 기판(101) 및 제 2 기판(108)에 형성된 요철부(140, 141)에 몰딩재(130)가 마련되므로, 요철부가 마련되지 않아 기판 표면이 평탄면인 경우에 비해, 요철부(140, 141)의 표면 형상에 접촉하는 면적만큼 몰딩 재(130)와 제 1 기판(101)의 계면 거리나, 몰딩재(130)와 제 2 기판(108)의 계면 거리가 신장된다.According to the above configuration, since the molding member 130 is provided on the uneven portions 140 and 141 formed on the first substrate 101 and the second substrate 108, the uneven portions are not provided and thus the surface of the substrate is a flat surface. In comparison, the interface distance between the molding material 130 and the first substrate 101 or the interface distance between the molding material 130 and the second substrate 108 are as much as the area in contact with the surface shape of the uneven parts 140 and 141. Elongate.

따라서, 가령 전기 영동 장치(100)의 외부로부터 제 1 기판(101) 및 제 2 기판(108) 사이에 수분이 침입한 경우에, 몰딩재(130)와 제 1 기판(101)의 계면 거리나, 몰딩재(130)와 제 2 기판(108) 사이의 계면 거리가 각각 길게 되어 있으므로, 전기 영동층(111)에 수분이 도달할 가능성을 감소시킬 수 있다.Thus, for example, when moisture penetrates between the first substrate 101 and the second substrate 108 from the outside of the electrophoretic apparatus 100, the interface distance between the molding material 130 and the first substrate 101 Since the interface distance between the molding material 130 and the second substrate 108 is long, the possibility of moisture reaching the electrophoretic layer 111 can be reduced.

또, 본 발명의 전기 영동 장치에, 액정 장치에 적용한 도 7(a) 내지 도 10의 형태를 채용하도록 하여도 좋다.Moreover, you may make it employ | adopt the aspect of FIG. 7 (a)-FIG. 10 applied to the liquid crystal device to the electrophoretic apparatus of this invention.

다음에, 본 발명을 유기 EL 장치(200)에 적용한 실시예에 대하여, 도 12를 참조하여 설명한다.Next, an embodiment in which the present invention is applied to the organic EL device 200 will be described with reference to FIG. 12.

도 12에 나타내는 바와 같이, 본 실시예의 유기 EL 장치(200)에 있어서는, 기판(제 1 기판)(211) 상에 화소 전극(231)을 구동하기 위한 구동용 TFT을 포함하는 회로부(도시하지 않음)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 12, in the organic EL device 200 of the present embodiment, a circuit portion (not shown) including a driving TFT for driving the pixel electrode 231 on the substrate (first substrate) 211. ) Is formed.

회로부 상에 있어서는, 격벽(241)에 의해 구획된 복수 개의 영역 각각에, 전기 광학층으로서의 발광 소자(유기 EL 소자)(244)가 마련된다.On the circuit portion, a light emitting element (organic EL element) 244 as an electro-optical layer is provided in each of the plurality of regions partitioned by the partition wall 241.

이 발광 소자(244)는 양극으로서 기능하는 화소 전극(231)과, 화소 전극(231)으로부터의 정공을 주입/수송하는 정공 수송층(252)과, 전기 광학 물질의 하나인 유기 EL 물질을 구비하는 발광층(251)과, 음극(261)이 순서대로 형성되어 구성되어 있다.The light emitting element 244 includes a pixel electrode 231 functioning as an anode, a hole transport layer 252 for injecting / transporting holes from the pixel electrode 231, and an organic EL material which is one of electro-optic materials. The light emitting layer 251 and the cathode 261 are formed in order.

이러한 구성을 구비하는 발광 소자에 있어서, 정공 수송층(252)으로부터 주 입된 정공과, 음극(261)의 전자가 결합함으로써, 발광층(251)은 발광한다.In the light emitting device having such a configuration, the light emitting layer 251 emits light by combining holes injected from the hole transport layer 252 and electrons of the cathode 261.

기판(211)을 덮도록, 밀봉 기판(제 2 기판)(210)이 마련된다.A sealing substrate (second substrate) 210 is provided to cover the substrate 211.

유기 EL 장치(200)가 소위 배면 발광형(bottom emission type)인 경우에는 발광광을 취출하는 구성이기 때문에, 기판(211)으로서, 투명 혹은 반투명의 기판이 채용된다.In the case where the organic EL device 200 is a so-called bottom emission type, the light emitting light is taken out, so that a transparent or translucent substrate is employed as the substrate 211.

또한, 유기 EL 장치(200)가 소위 전면 발광형(top emission type)의 경우에는, 밀봉 기판(210)으로서, 투명 혹은 반투명의 기판이 채용된다.In addition, when the organic EL device 200 is a so-called top emission type, a transparent or translucent substrate is employed as the sealing substrate 210.

그리고, 유기 EL 소자를 둘러싸도록, 몰딩재(230)가 배치되어 있다.And the molding material 230 is arrange | positioned so that the organic electroluminescent element may be enclosed.

몰딩재(230)는, 유기 EL 장치(200)의 내부로의 수분이 들어가는 것을 방지함으로써, 수분에 약한 유기 EL 소자(244)를 보호한다.The molding material 230 protects the organic EL element 244 vulnerable to moisture by preventing moisture from entering the interior of the organic EL device 200.

본 실시예에 따른 유기 EL 장치(200)에 있어서는, 도 6을 이용하여 설명한 액정 장치의 실시예와 마찬가지로, 밀봉 기판(210)의 측단면에 단면에서 보아 대략 톱니 형상의 요철부(240)가 형성되어 있고, 기판(211)의 일부에도 단면에서 보아 대략 톱니 형상의 요철부(242)가 형성되어 있다.In the organic EL device 200 according to the present embodiment, similarly to the embodiment of the liquid crystal device described with reference to FIG. 6, roughly sawtooth-shaped uneven portions 240 are formed on the side cross-section of the sealing substrate 210 in cross section. The board | substrate 211 is formed also in the part of board | substrate 211, and the substantially serrated uneven part 242 is formed in cross section.

요철부(240, 242) 상에는, 몰딩재(230)가 마련된다.On the uneven parts 240 and 242, the molding material 230 is provided.

즉, 요철부(240, 242)는 몰딩재(230)가 배치되는 영역의 전역에 걸쳐 형성되어 있다.That is, the uneven parts 240 and 242 are formed over the entire region where the molding material 230 is disposed.

상기 구성에 의하면, 기판(211)에 형성된 요철부(242)와, 밀봉 기판(210)에 형성된 요철부(240)에 대하여, 몰딩재(230)가 마련되므로, 요철부가 마련되지 않고 기판 표면이 평탄면인 경우에 비해, 요철부(240, 242)의 표면 형상에 접촉하는 면 적만큼 몰딩재(230)와 기판(211)의 계면 거리가 신장하여, 몰딩재(230)와 밀봉 기판(210)의 계면 거리가 신장된다.According to the above structure, since the molding material 230 is provided with respect to the uneven portion 242 formed on the substrate 211 and the uneven portion 240 formed on the sealing substrate 210, the surface of the substrate is not provided without the uneven portion. Compared to the case of the flat surface, the interface distance between the molding member 230 and the substrate 211 is extended by the area in contact with the surface shape of the uneven portions 240 and 242, so that the molding member 230 and the sealing substrate 210 The interface distance of e) is extended.

따라서, 가령 유기 EL 장치(200)의 외부로부터 밀봉 기판(210)과 기판(211) 사이에 수분이 침입한 경우에도, 몰딩재(230)와 밀봉 기판(210)의 계면 거리나, 몰딩재(230)와 기판(211)의 계면 거리가 각각 길게 되어 있으므로, 발광층(251)을 포함하는 유기 EL 소자에 수분이 도달할 가능성을 감소시킬 수 있다.Therefore, even when moisture enters between the sealing substrate 210 and the substrate 211 from the outside of the organic EL device 200, for example, the interface distance between the molding material 230 and the sealing substrate 210 or the molding material ( Since the interface distance between the 230 and the substrate 211 is long, the possibility of moisture reaching the organic EL element including the light emitting layer 251 can be reduced.

또, 본 발명의 유기 EL 장치(200)에, 액정 장치에 적용한 도 7(a) 내지 도 10의 형태를 채용하여도 좋다.Moreover, you may employ | adopt the aspect of FIGS. 7A-10 applied to the liquid crystal device in the organic electroluminescent apparatus 200 of this invention.

(프로젝터)(Projector)

다음에, 본 발명의 프로젝터에 대하여, 도 13을 이용하여 설명한다.Next, the projector of the present invention will be described with reference to FIG.

도 13은 프로젝터(800)의 요부를 나타내는 개략 구성도이다.13 is a schematic block diagram showing the main parts of the projector 800.

프로젝터(800)는 상술한 각 실시예에 따른 액정 장치를 광 변조 수단으로서 구비하고 있다.The projector 800 is equipped with the liquid crystal device which concerns on each above-mentioned embodiment as light modulation means.

도 13에서, 참조 부호 810은 광원, 참조 부호 813 및 참조 부호 814는 다이크로익 미러, 참조 부호 815, 참조 부호 816, 및 참조 부호 817은 반사 미러, 참조 부호 818은 입사 렌즈, 참조 부호 819는 릴레이 렌즈, 참조 부호 820은 출사 렌즈, 참조 부호 822, 참조 부호 823, 및 참조 부호 824는 본 발명의 액정 장치로 이루어지는 광 변조 수단, 참조 부호 825는 크로스다이크로익 프리즘, 및 참조 부호 826은 투사 렌즈(투사 수단)이다.In Fig. 13, reference numeral 810 denotes a light source, reference numeral 813 and 814 denote a dichroic mirror, reference numeral 815, reference numeral 816, and reference numeral 817 a reflection mirror, reference numeral 818 an incident lens, reference numeral 819 A relay lens, reference numeral 820 denotes an output lens, reference numeral 822, reference numeral 823, and reference numeral 824 denote optical modulation means comprising the liquid crystal device of the present invention, reference numeral 825 denotes a cross dichroic prism, and reference numeral 826 denotes projection It is a lens (projection means).

광원(810)은 메탈 할라이드(metal halide) 등의 램프(811)와, 램프(811)의 광을 반사하는 리플렉터(812)로 이루어진다.The light source 810 includes a lamp 811 such as a metal halide and a reflector 812 that reflects light of the lamp 811.

다이크로익 미러(813)는 광원(810)으로부터 출사되는 백색광에 포함되는 적색광을 투과시키고, 청색광과 녹색광을 반사한다.The dichroic mirror 813 transmits red light included in the white light emitted from the light source 810 and reflects blue light and green light.

다이크로익 미러(813)를 투과한 적색광은 반사 미러(817)에서 반사되고, 적색광용 광 변조 수단(822)에 입사된다.The red light transmitted through the dichroic mirror 813 is reflected by the reflection mirror 817 and is incident on the light modulation means 822 for red light.

다이크로익 미러(813)에 의해 반사된 녹색광은 다이크로익 미러(814)에 의해서 반사되어, 녹색광용 광 변조 수단(823)에 입사된다.The green light reflected by the dichroic mirror 813 is reflected by the dichroic mirror 814 and is incident on the light modulating means 823 for green light.

다이크로익 미러(813)에서 반사된 청색광은 다이크로익 미러(814)를 투과한다.The blue light reflected by the dichroic mirror 813 passes through the dichroic mirror 814.

청색광의 광로는 적색광이나 녹색광보다 길다.The light path of blue light is longer than red light or green light.

그 때문에, 청색광의 광 손실을 막기 위해, 프로젝터(800)는 입사 렌즈(818), 릴레이 렌즈(819), 및 출사 렌즈(820)를 포함하는 릴레이 렌즈계로 이루어지는 도광 수단(821)을 구비하고 있다.Therefore, in order to prevent the light loss of blue light, the projector 800 is provided with the light guide means 821 which consists of the relay lens system containing the entrance lens 818, the relay lens 819, and the exit lens 820. .

청색광은, 도광 수단(821)을 통해, 청색광용 광 변조 수단(824)에 입사된다.The blue light is incident on the light modulating means 824 for blue light through the light guiding means 821.

각 광 변조 수단(822, 823, 824)에 의해 변조된 세 개의 색광은 크로스다이크로익 프리즘(825)에 입사된다.Three color lights modulated by the respective light modulating means 822, 823, 824 are incident on the cross dichroic prism 825.

크로스다이크로익 프리즘(825)은 네 개의 직각 프리즘을 접합한 것이고, 그 계면에는 적색광을 반사하는 유전체 다층막과 청색광을 반사하는 유전체 다층막이 X자 형상으로 형성되어 있다.The cross dichroic prism 825 is formed by joining four rectangular prisms. A dielectric multilayer film reflecting red light and a dielectric multilayer film reflecting blue light are formed in an X-shape at the interface.

이들 유전체 다층막에 의해 세 개의 색광이 합성되고, 컬러 화상을 나타내는 광이 형성된다.Three color lights are synthesized by these dielectric multilayer films, and light representing a color image is formed.

합성된 광은 투사 광학계인 투사 렌즈(826)에 의해 스크린(827) 상에 투영되어, 화상이 확대 표시된다.The synthesized light is projected onto the screen 827 by the projection lens 826, which is a projection optical system, so that the image is enlarged and displayed.

상술한 프로젝터(800)는 상기한 각 실시예 또는 각 변형예의 액정 장치(60, 60', 160, 160') 중 어느 하나를 광 변조 수단으로서 구비하고 있다.The projector 800 described above includes any one of the liquid crystal devices 60, 60 ', 160, 160' in each of the above-described embodiments or modified examples as the light modulation means.

상술한 바와 같이, 각 실시예 또는 각 변형예의 액정 장치에 있어서는, 액정 장치의 외부로부터 수분 등이 액정층에 침입할 가능성이 감소되고, 방습성이 높고, 안정한 표시 특성을 갖고, 높은 신뢰성이 실현되어 있다.As described above, in the liquid crystal device of each embodiment or each modification, the possibility of moisture or the like penetrating into the liquid crystal layer from the outside of the liquid crystal device is reduced, high moisture resistance, stable display characteristics, and high reliability are realized. have.

따라서, 본 발명의 프로젝터(800)에 있어서는, 상기 액정 장치를 광 변조 수단으로서 구비하고 있으므로, 액정 장치에 있어서의 액정 분자의 배향 제어 기능을 유지할 수 있어, 신뢰성이 높고 우수한 표시 특성이 실현되고 있다.Therefore, in the projector 800 of this invention, since the said liquid crystal device is provided as a light modulation means, the orientation control function of the liquid crystal molecule in a liquid crystal device can be maintained, and the display characteristic which is high in reliability and excellent is implement | achieved. .

또, 본 발명의 기술적 범위는, 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 상술한 실시예에 여러 가지의 변경을 가한 것을 포함한다.The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but includes various modifications to the above-described embodiments without departing from the spirit of the present invention.

예컨대, 상기한 실시예에서는 스위칭 소자로서 TFT를 구비한 액정 장치를 예로 들어 설명했지만, 스위칭 소자로서 박막 다이오드(Thin Film Diode) 등의 2단자형 소자를 구비한 액정 장치에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다.For example, in the above embodiment, a liquid crystal device having a TFT as a switching element has been described as an example, but the present invention is also applied to a liquid crystal device having a two-terminal element such as a thin film diode as a switching element. It is possible.

또한, 상기한 실시예에서는 투과형 액정 장치를 예로 들어 설명했지만, 반사형 액정 장치에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다.In the above embodiment, the transmissive liquid crystal device has been described as an example, but the present invention can be applied to the reflective liquid crystal device.

또한, 상기한 실시예에서는 TN(Twisted Nematic) 모드로 기능하는 액정 장치를 예로 들어 설명했지만, VA(Vertical Alignment) 모드로 기능하는 액정 장치에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다.In the above embodiment, the liquid crystal device functioning in the twisted nematic (TN) mode has been described as an example, but the present invention can be applied to the liquid crystal device functioning in the vertical alignment mode (VA).

또한, 상기한 실시예에서는 3판식의 프로젝터(투사형 표시 장치)를 예로 들어 설명했지만, 단판식 투사형 표시 장치나 직시형 표시 장치에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다.In the above embodiment, a three-plate type projector (projection type display device) has been described as an example, but the present invention can also be applied to a single-plate type projection display device or a direct-view display device.

또한, 본 발명의 액정 장치를, 프로젝터 이외의 전자기기에 적용하는 것도 가능하다.It is also possible to apply the liquid crystal device of the present invention to electronic devices other than a projector.

그 구체예로서, 휴대 전화를 들 수 있다.As a specific example, a mobile telephone can be mentioned.

휴대 전화는 상술한 각 실시예 또는 그 변형예에 따른 액정 장치를 표시부에 구비하고 있다.The mobile telephone includes a liquid crystal device according to each of the above-described embodiments or modifications thereof, on the display unit.

또한, 그 밖의 전자기기로는, 예컨대 IC 카드, 비디오 카메라, 퍼스널 컴퓨터, 헤드 마운트 디스플레이, 또한 표시 기능 부가 팩시밀리 장치, 디지털 카메라의 파인더, 휴대형 TV, DSP 장치, PDA, 전자 수첩, 전광 게시판, 선전 공고용 디스플레이 등을 들 수 있다.Other electronic devices include, for example, an IC card, a video camera, a personal computer, a head mounted display, a facsimile device with a display function, a finder of a digital camera, a portable TV, a DSP device, a PDA, an electronic notebook, an electronic bulletin board, and a publicity. Announcement display etc. are mentioned.

다음에, 마이크로 장치의 일 실시예로서, DMD(Digital Micromirror Device)에 적용한 예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.Next, as an embodiment of the micro device, an example applied to a digital micromirror device (DMD) will be described with reference to the drawings.

DMD는, 예컨대, 상술한 프로젝터에 있어서의 반사형 광 변조 장치로서 이용할 수 있다.DMD can be used, for example, as a reflection type optical modulation device in the projector described above.

도 14는 광 변조 장치(500)의 주요 구성 요소를 나타내는 조립 분해 사시도 이다.14 is an exploded perspective view showing the main components of the optical modulation device 500.

도 14에서, 광 변조 장치(500)는, 크게 나누어, 미러 기판(제 1 기판)(400), 및 커버 유리 기판(제 2 기판)(300)에 의해 구성되어 있다.In FIG. 14, the optical modulation device 500 is broadly divided into a mirror substrate (first substrate) 400 and a cover glass substrate (second substrate) 300.

미러 기판(400)과 커버 유리 기판(300) 사이에는, 복수의 미소 미러(장치부)(302)가 마련된다.A plurality of minute mirrors (device parts) 302 are provided between the mirror substrate 400 and the cover glass substrate 300.

구체적으로, 미러 기판(400)에 오목부(402)가 형성되어 있고, 오목부(402)에 매트릭스 형상(어레이 형상)으로 배열된 복수의 미소 미러(장치부)(302)가 마련된다.Specifically, the concave portion 402 is formed in the mirror substrate 400, and a plurality of micro mirrors (device portions) 302 arranged in a matrix shape (array shape) are provided in the concave portion 402.

이 복수의 미소 미러(302) 중, 일 방향, 예컨대, 도 14의 X 방향을 따라 배열된 미소 미러(302)는 토션 바(torsion bar)(304)에 의해 연결되어 있다.Of the plurality of micromirrors 302, the micromirrors 302 arranged along one direction, for example, the X direction of FIG. 14, are connected by a torsion bar 304.

미소 미러(302)의 표면에는, 반사층(302a)이 형성되어 있다.The reflective layer 302a is formed on the surface of the micromirror 302.

그리고, 미소 미러(302)가 경사지도록 구동되는 것에 의해, 미소 미러(302)에 대하여 입사하는 광의 반사 방향이 변화된다.As the micromirror 302 is driven to be inclined, the reflection direction of light incident on the micromirror 302 is changed.

그리고, 소정의 반사 방향을 향해 광을 반사시키는 시간을 제어함으로써, 광의 변조가 행해진다.Then, the light is modulated by controlling the time for reflecting light toward the predetermined reflection direction.

그리고, 오목부(402) 내에는, X 방향으로부터 인접하는 두 개의 미소 미러(302) 사이의 토션 바(304)에 대향하는 위치에, 오목부(402)로부터 돌출하여 형성된 지주부(410)가 복수 마련된다.In the concave portion 402, a support portion 410 protruding from the concave portion 402 is formed at a position facing the torsion bar 304 between two micromirrors 302 adjacent from the X direction. A plurality is provided.

토션 바(304)와 지주부(410)가 양극 접합되는 것에 따라, 미소 미러(302)가 오목부(202) 내에 배치되어 있다.As the torsion bar 304 and the support portion 410 are anodic-bonded, the micromirror 302 is disposed in the recess 202.

또한, 오목부(402)에는, 배선 패턴부(412)가 형성되어 있다.In addition, the wiring pattern portion 412 is formed in the recess 402.

배선 패턴부(412)는 토션 바(304)를 사이에 둔 양쪽의 미소 미러(302)의 이면과 대향하는 위치에, 각각 제 1 어드레스 전극(414)과, 제 2 어드레스 전극(416)을 갖는다.The wiring pattern portion 412 has a first address electrode 414 and a second address electrode 416 at positions opposing the rear surfaces of both micromirrors 302 with the torsion bar 304 interposed therebetween. .

Y 방향을 따라 배열된 복수의 제 1 어드레스 전극(414)의 각각은 제 1 공통 배선(418)에 접속되어 있다.Each of the plurality of first address electrodes 414 arranged along the Y direction is connected to the first common wiring 418.

마찬가지로, Y 방향을 따라 배열된 복수의 제 2 어드레스 전극(416)의 각각은 제 2 공통 배선(420)에 접속되어 있다.Similarly, each of the plurality of second address electrodes 416 arranged along the Y direction is connected to the second common wiring 420.

미소 미러(302)의 ON 경사 구동을 할 때는, 도 14의 X 방향을 따라 배열된 복수의 미소 미러(302)에 대하여, 토션 바(304)를 통해 동시에 통전한다.When the ON-mirror driving of the micromirror 302 is performed, the plurality of micromirrors 302 arranged along the X-direction of FIG. 14 are simultaneously energized through the torsion bar 304.

또한, 미소 미러(302)로의 통전과 동시에, 제 1 어드레스 전극(414) 및 제 2 어드레스 전극(416)을 점순차적으로 또는 선순차적으로로 구동시킨다.At the same time as energizing the micromirror 302, the first address electrode 414 and the second address electrode 416 are driven in a sequential order or in a linear order.

도 14의 Y 방향을 향해, 토션 바(304)를 순차적으로 선택하여 통전함으로써, 매트릭스 형상으로 배열된 미소 미러(302)의 ON 경사 구동을 소정의 사이클에 의해서 실행할 수 있다.By sequentially selecting and energizing the torsion bar 304 toward the Y direction in FIG. 14, the ON tilt driving of the micromirrors 302 arranged in a matrix can be executed by a predetermined cycle.

한편, 미소 미러(302)의 OFF 경사 구동을 행할 때는, 제 1 어드레스 전극(414) 및 제 2 어드레스 전극(416)에 가해지는 전압의 극성을, ON 경사 구동 시와는 역으로 하면 좋다.On the other hand, when the OFF tilt drive of the micromirror 302 is performed, the polarity of the voltage applied to the first address electrode 414 and the second address electrode 416 may be reversed from that of the ON tilt drive.

이것에 의해, 미소 미러(302)는 ON 경사 구동 시와는 역의 방향으로 경사 구동된다.As a result, the micromirror 302 is inclinedly driven in the reverse direction as in the ON tilt driving.

이와 같이 미소 미러(302)의 경사를 변화시킴으로써, 광 변조 장치는 구동한다.By changing the inclination of the micromirror 302 in this manner, the optical modulation device is driven.

미소 미러(302)가 마련된 영역(도 14에 나타낸 오목부(402))을 둘러싸도록, 미러 기판(400)의 프레임 형상의 상면(404) 상에 몰딩재가 배치되어 있다.The molding material is arrange | positioned on the frame top surface 404 of the mirror substrate 400 so that the area | region (the recessed part 402 shown in FIG. 14) provided with the micromirror 302 may be provided.

도 15에 나타내는 바와 같이, 몰딩재를 통해, 미러 기판(400)과 커버 유리 기판(300)이 접합되어 있다.As shown in FIG. 15, the mirror substrate 400 and the cover glass substrate 300 are bonded together through the molding material.

도 15는 광 변조 장치(500)의 개략 측단면 구조를 나타내는 도면이다.15 is a diagram illustrating a schematic side cross-sectional structure of the optical modulation device 500.

도 15에 나타내는 바와 같이, 미러 기판(400)과 커버 유리 기판(300)은 몰딩재(430)를 통해 접합할 수 있다.As shown in FIG. 15, the mirror substrate 400 and the cover glass substrate 300 can be bonded through the molding material 430.

몰딩재(430)는 광 변조 장치(500)의 내부에의 수분이 들어가는 것을 방지하여, 미소 미러(302) 및 배선 패턴부(412) 등을 보호한다.The molding material 430 prevents moisture from entering the interior of the optical modulation device 500 and protects the micromirror 302, the wiring pattern part 412, and the like.

본 실시예에 따른 광 변조 장치(500)에 있어서는, 도 6을 이용하여 설명한 액정 장치의 실시예와 마찬가지로, 커버 유리 기판(300)의 하면 쪽에 단면에서 보아 대략 톱니 형상인 요철부(340)가 형성되어, 요철부(340)에 대향하여 배치되는 미러 기판(400)의 상면(404)에도 단면에서 보아 대략 톱니 형상의 요철부(440)가 형성되어 있다.In the optical modulation device 500 according to the present embodiment, similarly to the embodiment of the liquid crystal device described with reference to FIG. 6, an uneven portion 340 having a substantially sawtooth shape in cross section is formed on the lower surface side of the cover glass substrate 300. The upper surface 404 of the mirror substrate 400 which is formed to face the uneven portion 340 is also formed with a substantially serrated uneven portion 440 as seen in cross section.

그리고, 요철부(340, 440) 상에 몰딩재(430)가 마련되어 있다.And the molding material 430 is provided on the uneven parts 340 and 440.

즉, 요철부(340, 440)는 몰딩재(430)가 배치되는 영역(오목부(402))의 전역에 걸쳐 형성되어 있다.That is, the uneven parts 340 and 440 are formed over the entire region (the recessed part 402) in which the molding material 430 is disposed.

상기한 광 변조 장치(500)에 있어서는, 요철부(340, 440) 상에 몰딩재(430) 가 배치되어 있으므로, 요철부가 마련되지 않아 기판 표면이 평탄면인 경우에 비해, 요철부(340, 440)의 표면 형상에 접촉하는 면적만큼, 몰딩재(430)와 커버 유리 기판(300)의 계면 거리나, 몰딩재(430)와 미러 기판(400)의 계면 거리가 신장된다.In the above-described optical modulation device 500, since the molding member 430 is disposed on the uneven portions 340 and 440, the uneven portions 340, as compared with the case where the uneven portions are not provided and the substrate surface is a flat surface. The interface distance between the molding material 430 and the cover glass substrate 300 and the interface distance between the molding material 430 and the mirror substrate 400 are extended by the area in contact with the surface shape of the 440.

따라서, 가령 광 변조 장치(500)의 외부로부터 내부로 수분이 침입하는 경우에도, 몰딩재(430)와 커버 유리 기판(300)의 계면 거리나, 몰딩재(430)와 미러 기판(400)의 계면 거리가 각각 길게 되어 있기 때문에, 미소 미러(302) 및 배선 패턴부(412)에 수분이 도달할 가능성을 감소시킬 수 있다.Therefore, even when moisture enters the inside of the light modulation device 500 from the outside, the interface distance between the molding material 430 and the cover glass substrate 300 and the molding material 430 and the mirror substrate 400 may be reduced. Since the interface distances are each long, the possibility of moisture reaching the micromirror 302 and the wiring pattern portion 412 can be reduced.

또, 본 발명의 광 변조 장치(500)에, 액정 장치에 적응한 도 7(a) 내지 도 10의 형태를 채용하도록 하여도 좋다.Moreover, you may make it adopt the aspect of FIG.7 (a)-10 adapted to the liquid crystal device to the optical modulation device 500 of this invention.

본 발명에 의하면, 방습성을 향상시키는 것에 의해 안정한 표시 특성을 갖는 액정 장치 및 상기 액정 장치를 광 변조 수단으로서 구비한 프로젝터를 제공할 수 있고, 또한, 방습성을 향상시킴으로써 높은 신뢰성의 전기 광학 장치 및 마이크로 장치를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the liquid crystal device which has a stable display characteristic by improving moistureproof property, and the projector provided with the said liquid crystal device as an optical modulation means can be provided, and the electro-optical device and microcomputer of high reliability by improving moistureproof property A device can be provided.

Claims (7)

제 1 기판과,A first substrate, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과,A second substrate facing the first substrate, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치된 액정층과,A liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에서 상기 액정층을 밀봉하는 밀봉재와,A sealing material for sealing the liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate; 상기 밀봉재의 외주쪽을 덮도록, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 마련된 몰딩재와,A molding material provided between the first substrate and the second substrate so as to cover an outer circumferential side of the sealing material; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 적어도 한쪽 기판에서 상기 몰딩재가 배치되는 영역의 전역에 형성된 제 1 요철부First concave-convex portions formed in the entire region of the region where the molding material is disposed in at least one substrate of the first substrate and the second substrate 를 갖고,Has, 상기 제 1 요철부상에는, 상기 몰딩재가 마련되어 있는 액정 장치.A liquid crystal device in which the molding material is provided on the first uneven portion. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 적어도 한쪽 기판에서의 상기 밀봉재가 배치되는 영역에는 제 2 요철부가 형성되어 있고, A second uneven portion is formed in a region where the sealing material is disposed in at least one of the first substrate and the second substrate, 상기 제 2 요철부상에는, 상기 밀봉재가 마련되어 있는The sealing material is provided on the second uneven portion. 액정 장치.Liquid crystal device. 제 1 기판과,A first substrate, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과,A second substrate facing the first substrate, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치된 액정층과,A liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 대향면에 각각 형성된 무기 배향막과,An inorganic alignment film formed on opposite surfaces of the first substrate and the second substrate, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에서 상기 액정층을 밀봉하는 밀봉재와,A sealing material for sealing the liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate; 상기 밀봉재의 외주쪽을 덮도록, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 마련된 몰딩재A molding material provided between the first substrate and the second substrate so as to cover an outer circumferential side of the sealing material; 를 갖고,Has, 상기 몰딩재가 배치되는 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 간격은 상기 액정층이 배치되는 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 간격보다 좁은 액정 장치.The distance between the first substrate and the second substrate on which the molding material is disposed is narrower than the distance between the first substrate and the second substrate on which the liquid crystal layer is disposed. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제 1 기판상에 상기 몰딩재가 유지되는 제 1 유지면과,A first holding surface on which the molding material is held on the first substrate; 상기 제 2 기판상에 상기 몰딩재가 유지되는 제 2 유지면A second holding surface on which the molding material is held on the second substrate; 을 더 갖고,With more 상기 제 1 유지면과 상기 제 2 유지면은, 상기 액정층이 배치되는 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 기판면에 대하여 경사져 있는The first holding surface and the second holding surface are inclined with respect to the substrate surface of the first substrate and the second substrate on which the liquid crystal layer is disposed. 액정 장치.Liquid crystal device. 제 1 기판과,A first substrate, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과,A second substrate facing the first substrate, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치된 전기 광학층과,An electro-optical layer disposed between the first substrate and the second substrate; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에서 상기 전기 광학층을 둘러싸도록 마련된 몰딩재와,A molding material provided to surround the electro-optical layer between the first substrate and the second substrate; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 적어도 한쪽 기판에서 상기 몰딩재가 배치되는 영역의 전역에 형성된 요철부Concave-convex portions formed in the entire region of the region where the molding material is disposed in at least one of the first substrate and the second substrate 를 갖고,Has, 상기 요철부상에는, 상기 몰딩재가 마련되어 있는 전기 광학 장치.The electro-optical device provided with the said molding material on the said uneven part. 광원과,Light source, 상기 광원의 광을 변조하는 광 변조 수단과,Light modulation means for modulating the light of the light source; 상기 광 변조 수단에 의해 변조된 광을 투사하는 투사 수단Projection means for projecting light modulated by the light modulating means 을 포함하고,Including, 상기 광 변조 수단은,The light modulation means, 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치된 액정층과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에서 상기 액정층을 밀봉하는 밀봉재와, 상기 밀봉재의 외주쪽을 덮도록, 상기 제 1 기 판과 상기 제 2 기판 사이에 마련된 몰딩재와, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 적어도 한쪽 기판에서 상기 몰딩재가 배치되는 영역의 전역에 형성된 요철부를 갖는 액정 장치이며,Sealing the liquid crystal layer between a first substrate, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate, and the first substrate and the second substrate And a molding material provided between the first substrate and the second substrate so as to cover an outer circumferential side of the sealing material, and a region in which the molding material is disposed on at least one substrate of the first substrate and the second substrate. It is a liquid crystal device having an uneven portion formed in the whole area of, 상기 요철부상에는 상기 몰딩재가 마련되는The molding material is provided on the uneven portion 프로젝터.Projector. 제 1 기판과,A first substrate, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과,A second substrate facing the first substrate, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치된 디바이스부와,A device portion disposed between the first substrate and the second substrate; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에서 상기 디바이스부를 둘러싸도록 마련된 몰딩재와,A molding material provided to surround the device portion between the first substrate and the second substrate; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 적어도 한쪽 기판에 있어서의 상기 몰딩재가 배치되는 영역의 전역에 형성된 요철부Uneven parts formed in the whole region of the area | region where the said molding material is arrange | positioned in at least one board | substrate of a said 1st board | substrate and a said 2nd board | substrate 를 갖고,Has, 상기 요철부상에는, 상기 몰딩재가 마련되어 있는 마이크로 디바이스.The micro device in which the said molding material is provided in the said uneven part.
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