KR100802376B1

KR100802376B1 - Heating device

Info

Publication number: KR100802376B1
Application number: KR1020060076126A
Authority: KR
Inventors: 히사카즈 오카지마; 요시노부 고토
Original assignee: 니뽄 가이시 가부시키가이샤
Priority date: 2005-08-12
Filing date: 2006-08-11
Publication date: 2008-02-14
Also published as: KR20070019607A

Abstract

본 발명은 가스 경로마다의 분출구로부터 분출되는 가스 분출량을 균일하게 하여 반응막의 퇴적을 저감하는 가열 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a heating apparatus for reducing the deposition of the reaction film by making the amount of gas ejected from the ejection port for each gas path uniform.

가열 장치(100)는 가스 분출구(12h)가 형성된 기판 가열면(10a)과, 가스가 공급되는 가스 공급구(18)를 가지며, 저항 발열체(11)가 매설된 세라믹스를 함유하는 재료에 의해 구성되는 기체(10)와, 가스 공급구(18)로부터 가스 분출구(12h)까지 연통하고, 기체(10) 내에 형성된 가스 경로(12)와, 가스 경로(12)의 단면적을 가변으로 하는 조정부를 포함한다.The heating device 100 includes a substrate heating surface 10a on which a gas ejection opening 12h is formed, a gas supply port 18 through which gas is supplied, and is made of a material containing ceramics in which the resistance heating element 11 is embedded. The gas 10 to be communicated with, from the gas supply port 18 to the gas ejection port 12h, and including a gas path 12 formed in the gas 10 and an adjusting section for varying the cross-sectional area of the gas path 12. do.

Description

Heating device {HEATING DEVICE}

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 가열 장치를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a heating device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 가열 장치를 도시한 평면도의 모식도.It is a schematic diagram of the top view which shows the heating apparatus which concerns on embodiment of this invention.

도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 가열 장치의 삽입 부재를 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view showing an insertion member of a heating apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 기체10 gas

10a : 기판 가열면10a: substrate heating surface

10b : 이면10b: if

10c : 측면10c: side

11 : 저항 발열체11: resistance heating element

12 : 가스 경로12 gas path

12a : 제1 가스 경로12a: first gas path

12b : 제2 가스 경로12b: second gas path

12h : 가스 분출구12h: gas outlet

13 : 삽입 구멍13: insertion hole

14 : 삽입 부재14: insertion member

141 : 삽입 부분141: insertion part

143 : 홈 부분143: groove portion

142, 144 : 지지부142, 144: support portion

15 : 급전 부재15: feeding member

16 : 절연 부재16: insulation member

17 : 관상 부재17: tubular member

18 : 가스 공급구18 gas supply port

본 발명은 가열 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heating device.

종래, 반도체 제조 공정이나 액정 제조 공정에서는, 기판을 가열하기 위해서 가열 장치가 이용되고 있다. 이러한 가열 장치로서는, 부식성 가스를 사용하는 경우가 많은 PVD(Physical Vapor Deposition) 장치나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치, 드라이 에칭 장치 등을 들 수 있다. 이러한 가열 장치의 기체(基體)에는 내부식성의 관점에서 세라믹스가 이용되는 것이 일반적이다.Conventionally, in a semiconductor manufacturing process and a liquid crystal manufacturing process, the heating apparatus is used in order to heat a board | substrate. Examples of such a heating device include a PVD (Physical Vapor Deposition) device, a CVD (Chemical Vapor Deposition) device, a dry etching device, and the like, which often use a corrosive gas. As a base of such a heating apparatus, ceramics are generally used from the viewpoint of corrosion resistance.

이러한 반도체 제조 공정이나 액정 제조 공정에서는, 가열 장치의 기판 가열면에 적재된 기판의 외주부에 반응막이 퇴적되는 경우가 있었다. 여기서, 기판은 기판 가열면과 접착되지 않지만, 반응막은 기판 가열면과 접착되어 버리는 경우가 있었다. 이에 따라, 기판 가열면으로부터 기판을 분리할 때에, 반응막이 기판 가열 면으로부터 쉽게 박리되지 않고, 반응막과 기판 가열면 사이에 발생하는 응력에 의해 반응막에 이지러짐이나 금이 생기는 경우가 있었다. 나아가서는, 기판에도 이지러짐이나 금이 생기는 경우가 있었다.In such a semiconductor manufacturing process and a liquid crystal manufacturing process, the reaction film may be deposited in the outer peripheral part of the board | substrate mounted on the board | substrate heating surface of the heating apparatus. Here, although the board | substrate is not adhere | attached with the board | substrate heating surface, the reaction film may adhere | attach with the board | substrate heating surface. As a result, when the substrate is separated from the substrate heating surface, the reaction film is not easily peeled off from the substrate heating surface, and the reaction film may be cracked or cracked due to the stress generated between the reaction film and the substrate heating surface. Furthermore, the board | substrate and the crack may generate | occur | produce also in the board | substrate.

그래서, 기판 가열면에 가스 분출구를 복수 개 마련하고, 가스 분출구로부터 가스를 분출시킴으로써, 기판의 외주부에 반응막이 퇴적되는 것을 방지하는 시도가 있었다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).Thus, an attempt has been made to prevent the reaction film from depositing on the outer peripheral portion of the substrate by providing a plurality of gas ejection openings on the substrate heating surface and ejecting gas from the gas ejection openings (see Patent Document 1, for example).

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2002-93894호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-93894

그런데, 가스 분출구로부터의 가스 분출량을 증가시키면, 반응막의 퇴적을 저감할 수 있지만, 기판 성장막의 생성 등에 영향을 미치게 되기 때문에, 가스 분출량을 안이하게 증가시킬 수는 없다. 그래서, 각 가스 분출구로부터의 가스 분출량은 반응막의 퇴적을 저감하고, 또한 성장막의 생성 등에 영향을 미치지 않는 양인 것이 바람직하다.Incidentally, if the gas blowing amount from the gas blowing port is increased, deposition of the reaction film can be reduced, but since the production of the substrate growth film and the like is affected, the gas blowing amount cannot be increased easily. Therefore, the gas blowing amount from each gas blowing port is preferably an amount which reduces the deposition of the reaction film and does not affect the formation of the growth film or the like.

그러나, 전술한 발명에 따르면, 소성된 세라믹 가열 장치 내에 절삭 가공 등으로 복수 개의 가스 경로를 형성하기 때문에, 가스 경로의 가공 정밀도를 높이는 것이 곤란하다. 즉, 각 가스 경로의 단면적을 균일하게 하는 것이 곤란하여 각 가스 분출구로부터의 가스 분출량에 편차가 생긴다. 따라서, 하나의 가스 분출구로부터의 가스 분출량을 최적의 양으로 하여도 다른 가스 분출구로부터의 가스 분출량이 최적이 되지 않는 경우가 있다. 또한, 한번 가스 경로를 가공 작성해 버린 후에는 가스 분출량을 조정할 수 없다.However, according to the above-described invention, since a plurality of gas paths are formed in the fired ceramic heating apparatus by cutting, etc., it is difficult to increase the processing accuracy of the gas paths. That is, it is difficult to make uniform the cross-sectional area of each gas path | route, and a dispersion | variation arises in the amount of gas ejected from each gas ejection opening. Therefore, even if the gas blowing amount from one gas blowing port is the optimum amount, the gas blowing amount from another gas blowing port may not be optimal. In addition, the gas ejection amount cannot be adjusted once the gas path has been processed.

그래서, 본 발명은 가스 경로마다의 분출구로부터 분출되는 가스 분출량을 균일하게 하고, 기판 성장막의 생성 등에 영향을 주지 않고 반응막의 퇴적을 저감하는 가열 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Then, an object of this invention is to provide the heating apparatus which makes the amount of gas ejected from the ejection opening for every gas path uniform, and reduces the deposition of a reaction film, without affecting the formation of a substrate growth film or the like.

본 발명의 가열 장치는, 가스 분출구가 형성된 기판 가열면과 가스가 공급되는 가스 공급구를 가지며, 저항 발열체가 매설되고 세라믹을 함유하는 재료에 의해 구성되는 기체와, 가스 공급구로부터 가스 분출구까지 연통하여 기체 내에 형성된 가스 경로와, 가스 경로의 단면적을 변화시킬 수 있는 조정부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The heating apparatus of this invention has the board | substrate heating surface in which the gas ejection opening was formed, and the gas supply opening to which gas is supplied, the gas which consists of a material which a resistance heating element is embed | buried, and contains a ceramic, and the gas supply opening to the gas blowing opening It is characterized in that it comprises a gas path formed in the gas through, and an adjusting unit capable of changing the cross-sectional area of the gas path.

이러한 가열 장치에 따르면, 가스 경로의 단면적을 변화시킬 수 있는 조정부를 구비함으로써, 조정부에 의해 가스 경로의 단면적을 조정할 수 있다. 따라서, 가스 경로마다의 분출구로부터 분출되는 가스 분출량을 균일하게 할 수 있고, 기판 성장막의 생성 등에 영향을 주지 않고, 반응막의 퇴적을 저감할 수 있다.According to such a heating apparatus, by providing the adjustment part which can change the cross-sectional area of a gas path, it is possible to adjust the cross-sectional area of a gas path by an adjustment part. Therefore, the gas ejection amount ejected from the ejection port for each gas path can be made uniform, and deposition of the reaction film can be reduced without affecting the formation of the substrate growth film or the like.

기체는 기체의 외부로부터 가스 경로로 연통하는 삽입 구멍을 구비하고, 조정부는 삽입 구멍으로부터 가스 경로 내로 삽입되는 삽입 부분을 구비하는 것이 바람직하다.The gas preferably has an insertion hole in communication with the gas path from the outside of the gas, and the adjusting portion has an insertion portion inserted into the gas path from the insertion hole.

이것에 따르면, 도입 구멍을 통해 삽입 부분을 뺏다 꽂았다 함으로써, 삽입 구멍과 연통하는 영역의 가스 경로의 단면적을 용이하게 조정할 수 있다.According to this, by inserting and inserting an insertion part through an introduction hole, the cross-sectional area of the gas path of the area | region which communicates with an insertion hole can be adjusted easily.

기체는 판형의 형상을 가지며, 가스 경로는 기판 가열면을 따라 연장되는 제1 가스 경로를 구비하고, 삽입 구멍은 기판 가열면과 반대측의 이면으로부터 제1 가스 경로로 연통하는 것이 바람직하다.The gas preferably has a plate shape, and the gas path has a first gas path extending along the substrate heating surface, and the insertion hole communicates with the first gas path from the back surface opposite to the substrate heating surface.

이것에 따르면, 기판 가열면을 따라 연장되는 제1 가스 경로를 흐르는 가스 분출량을 조정부에 의해 조정할 수 있다. 이에 따라, 기판 가열면으로의 가스 분출량을 조정하는 동시에, 기체의 온도 분포를 조정할 수 있다.According to this, the gas blowing amount which flows through the 1st gas path extended along a board | substrate heating surface can be adjusted with an adjustment part. Thereby, while adjusting the gas blowing amount to the board | substrate heating surface, the temperature distribution of gas can be adjusted.

또한, 삽입 구멍이 기체의 이면으로 연통함으로써, 기체의 이면측으로부터 가스 경로의 단면적을 조정할 수 있다. 따라서, 기판을 기판 가열면에 배치할 때에, 조정부가 방해가 되지 않는다.In addition, when the insertion hole communicates with the back surface of the substrate, the cross-sectional area of the gas path can be adjusted from the back surface side of the substrate. Therefore, when arrange | positioning a board | substrate to a board | substrate heating surface, an adjustment part does not interfere.

기체는 판형의 형상을 가지며, 가스 분출구는 기판 가열면측의 외주부에 배치되고, 가스 경로는 기판 가열면에 대하여 거의 수직 방향으로 연장되는 제2 가스 경로를 구비하며, 삽입 구멍은 기체의 측면으로부터 제2 가스 경로로 연통하는 것이 바람직하다.The gas has a plate-like shape, the gas outlet is disposed at an outer circumferential portion of the substrate heating surface side, the gas path has a second gas passage extending in a direction substantially perpendicular to the substrate heating surface, and the insertion hole is formed from the side of the gas. It is preferable to communicate in two gas paths.

이것에 따르면, 가스 분출구가 기판 가열면의 외주부에 배치되고, 삽입 구멍이 기체의 측면으로부터 제2 가스 경로로 연통함으로써, 가스 분출구에 가까운 위치에서 가스 분출량을 조정할 수 있다. 이에 따라, 기판 주변의 반응막의 퇴적을 더욱 저감할 수 있다. 또한, 기체의 측면에 삽입 구멍을 마련함으로써, 제1 가스 경로의 가공을 용이하게 할 수 있다.According to this, a gas blowing port is arrange | positioned at the outer peripheral part of a board | substrate heating surface, and an insertion hole communicates with a 2nd gas path from the side surface of gas, and the gas blowing amount can be adjusted in the position near a gas blowing port. As a result, deposition of the reaction film around the substrate can be further reduced. In addition, by providing the insertion hole in the side surface of the base, it is possible to facilitate the processing of the first gas path.

삽입 부분은 삽입 구멍과 거의 같은 단면을 갖는 기둥형 형상인 것이 바람직하다.It is preferable that the insertion portion has a columnar shape with a cross section substantially the same as the insertion hole.

이것에 따르면, 삽입 부분이 삽입 구멍과 거의 같은 단면을 갖는 기둥형 형상을 함으로써, 삽입 구멍으로부터의 가스 누설을 저감할 수 있다. 또한, 삽입 부 분이 기둥형임으로써, 삽입 부분을 뺏다 꽂았다 하여도 삽입 구멍으로부터 삽입 부분이 떨어지기 어렵고, 가스 경로의 용적을 용이하게 변경할 수 있다. 이에 따라, 가스 분출량을 보다 간단히 조정할 수 있다.According to this, since the insertion part has the columnar shape which has substantially the same cross section as an insertion hole, gas leakage from an insertion hole can be reduced. In addition, since the insertion portion is columnar, even when the insertion portion is removed and inserted, the insertion portion is hardly separated from the insertion hole, and the volume of the gas path can be easily changed. Thereby, gas ejection amount can be adjusted more simply.

삽입 부분 및 삽입 구멍은 나선형의 홈을 구비하는 것이 바람직하다.It is preferable that the insertion portion and the insertion hole have spiral grooves.

이것에 따르면, 삽입 부분 및 삽입 구멍이 나선형의 홈을 구비함으로써, 가스 경로의 단면적의 미세 조정을 가능하게 한다. 또한, 나선형의 홈을 구비함으로써, 삽입 부재가 탈락하는 것을 방지할 수도 있다.According to this, the insertion part and the insertion hole have a helical groove, thereby enabling fine adjustment of the cross-sectional area of the gas path. In addition, by providing a helical groove, it is possible to prevent the insertion member from falling off.

삽입 부분은 세라믹스인 것이 바람직하다.The insertion portion is preferably ceramics.

이것에 따르면, 기체와 삽입 부분과의 열팽창계수를 근사하게 할 수 있기 때문에, 온도 변화에 따른 변형의 영향을 저감할 수 있다.According to this, since the coefficient of thermal expansion between the base and the insertion portion can be approximated, the influence of deformation due to temperature change can be reduced.

다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 설명한다. 또한, 이하의 도면의 기재에 있어서, 동일하거나 또는 유사한 부분에는 동일하거나 또는 유사한 부호를 붙이고 있다. 단, 도면은 모식적인 것으로서, 각 치수의 비율 등은 실제의 것과는 다른 것을 유의해야 한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Next, embodiment of this invention is described with reference to drawings. In addition, in description of the following drawings, the same or similar code | symbol is attached | subjected to the same or similar part. It should be noted, however, that the drawings are schematic and that the ratios of the respective dimensions are different from the actual ones.

따라서, 구체적인 치수 등은 이하의 설명을 참작하여 판단해야 할 것이다. 또한, 도면 상호간에 있어서도 서로의 치수의 관계나 비율이 다른 부분이 포함되어 있는 것은 물론이다.Therefore, specific dimensions and the like should be determined in consideration of the following description. Moreover, of course, the part from which the relationship and the ratio of a mutual dimension differ also in between drawings is contained.

[가열 장치][Heater]

도 1에 도시된 바와 같이, 가열 장치(100)는 기체(10)와, 삽입 부재(14)와, 급전 부재(15)와, 절연 부재(16)와, 관상 부재(17)를 구비한다.As shown in FIG. 1, the heating device 100 includes a base 10, an insertion member 14, a power feeding member 15, an insulating member 16, and a tubular member 17.

가열 장치(100)는 급전 부재(15)로부터 저항 발열체(11)에 전력을 인가함으로써, 기판 가열면(10a)을 가열하고, 기판 가열면(10a) 위에 적재되는 기판을 가열한다.The heating apparatus 100 heats the substrate heating surface 10a by applying electric power to the resistance heating element 11 from the power feeding member 15, and heats the substrate loaded on the substrate heating surface 10a.

기체(10)는 기판 가열면(10a)과, 저항 발열체(11)와, 가스 분출구(12h)와, 가스 공급구(18)와, 가스 경로(12)와, 삽입 구멍(13)을 구비한다.The base 10 includes a substrate heating surface 10a, a resistance heating element 11, a gas ejection port 12h, a gas supply port 18, a gas path 12, and an insertion hole 13. .

기체(10)는 원반 형상 등의 판형의 것을 이용할 수 있다. 기체(10)는 세라믹스 또는 세라믹스와 금속의 복합 재료 등에 의해 구성된다. 예컨대, 기체(10)는 질화알루미늄(AlN), 알루미나(Al₂O₃), 질화규소(SiN), 탄화규소(SiC), 사이알론(SiAlON) 등의 소결체, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 알루미늄 합금-질화알루미늄 복합재, 알루미늄 합금-SiC 복합재 등에 의해 구성할 수 있다. 기체(10)에는 산화이트륨 등을 소결 조제로서 함유할 수 있다. 단, 기체(10)를 형성하는 전술한 주성분의 원료 이외의 성분 총량은 5% 이하인 것이 바람직하다. 기체(10)는 급전 부재(15)를 삽입하기 위한 구멍을 갖는다.The base 10 can use a plate-like thing, such as disk shape. The base 10 is made of ceramics or a composite material of ceramics and a metal. For example, the base 10 may be a sintered body of aluminum nitride (AlN), alumina (Al ₂ O ₃ ), silicon nitride (SiN), silicon carbide (SiC), sialon (SiAlON), aluminum (Al), aluminum alloy, aluminum The alloy-aluminum nitride composite material, an aluminum alloy-SiC composite material, etc. can be comprised. The base 10 may contain yttrium oxide or the like as a sintering aid. However, it is preferable that the total amount of components other than the raw material of the above-mentioned main component which forms the base 10 is 5% or less. The base 10 has a hole for inserting the power feeding member 15.

기판 가열면(10a)에는 실리콘 기판이나 유리 기판 등의 기판이 적재된다. 기판 가열면(10a)의 외주부에는 가스 분출구(12h)가 형성된다.Substrates, such as a silicon substrate and a glass substrate, are mounted on the substrate heating surface 10a. The gas ejection opening 12h is formed in the outer peripheral part of the board | substrate heating surface 10a.

기체(10)는 내부에 저항 발열체(11)가 매설되어 있다. 저항 발열체(11)는 니오븀, 몰리브덴, 텅스텐 등을 이용할 수 있다. 저항 발열체(11)는 선형, 코일형, 띠 형상, 메쉬 형상, 막 형상 등의 것을 이용할 수 있다.In the base 10, a resistance heating element 11 is embedded therein. The resistance heating element 11 may be made of niobium, molybdenum, tungsten, or the like. The resistance heating element 11 may be a linear, coiled, strip, mesh, film or the like.

가스 경로(12)는 기체(10) 내부에 형성되며, 기체(10)의 외부로부터 가스를 공급하는 가스 공급구(18)로부터 기판 가열면(10a)의 가스 분출구(12h)까지 연통한다. 구체적으로는, 가스 경로(12)는 기판 가열면(10a)을 따라 연장되는 제1 가스 경로(12a)와, 기판 가열면(10a)에 대하여 거의 수직 방향으로 연장되는 제2 가스 경로(12b)를 구비하고, 가스 공급구(18)로부터, 제1 가스 경로(12a), 제2 가스 경로(12b)를 경유하여 가스 분출구(12h)까지 연통한다.The gas path 12 is formed inside the gas 10 and communicates from the gas supply port 18 that supplies gas from the outside of the gas 10 to the gas ejection port 12h of the substrate heating surface 10a. Specifically, the gas path 12 includes a first gas path 12a extending along the substrate heating surface 10a and a second gas path 12b extending in a direction substantially perpendicular to the substrate heating surface 10a. And communicate from the gas supply port 18 to the gas ejection port 12h via the first gas path 12a and the second gas path 12b.

가스 경로(12)는 기체(10) 내부에서 저항 발열체(11)보다도 아래쪽에 형성되는 것이 바람직하다.The gas path 12 is preferably formed below the resistance heating element 11 inside the base 10.

가스 분출구(12h)는 기판 가열면(10a)의 외주부에 형성된다.The gas ejection opening 12h is formed in the outer peripheral portion of the substrate heating surface 10a.

가스 공급구(18)는 기체(10)의 이면(10b)의 중앙부에 구비된다.The gas supply port 18 is provided in the center of the back surface 10b of the base 10.

삽입 구멍(13a)은 기체(10)의 이면(10b)에 구비된다. 또한, 삽입 구멍(13b)은 기체(10)의 측면(10c)에 구비된다. 삽입 구멍(13b)은 제1 가스 경로(12a)의 연장선상에 마련되는 것이 바람직하다.The insertion hole 13a is provided in the back surface 10b of the base 10. In addition, the insertion hole 13b is provided in the side surface 10c of the base 10. The insertion hole 13b is preferably provided on the extension line of the first gas path 12a.

삽입 구멍(13a)의 직경은 1∼5 ㎜인 것이 바람직하다.It is preferable that the diameter of the insertion hole 13a is 1-5 mm.

삽입 구멍(13a, 13b)은 삽입 부재(14)의 삽입 부분[후술하는 바와 같이 삽입 부분(141)은 기둥형의 형상임. 도 1에서는 도시되지 않음]과 거의 같은 단면을 갖는다.The insertion holes 13a and 13b are insertion portions of the insertion member 14 (as will be described later, the insertion portion 141 has a columnar shape. Not shown in FIG. 1].

삽입 부재(14a)는 삽입 구멍(13a)에 삽입되는 삽입 부분을 구비하고, 삽입 부재(14b)는 삽입 구멍(13b)에 삽입되는 삽입 부분을 구비한다. 또한, 이하에 있어서 삽입 부재(14a) 및 삽입 부재(14b)를 총칭하여 삽입 부재(14)로 한다.The insertion member 14a has an insertion part inserted into the insertion hole 13a, and the insertion member 14b has an insertion part inserted into the insertion hole 13b. In addition, below, the insertion member 14a and the insertion member 14b are named generically as the insertion member 14. As shown in FIG.

삽입 부재(14)는 삽입 구멍(13a, 13b)과 가스 경로(12)의 일부를 차단하고 삽입 구멍(13a, 13b)과 거의 같은 단면을 갖는 기둥형의 삽입 부분을 갖는다.The insertion member 14 has a columnar insertion portion that blocks the insertion holes 13a and 13b and a part of the gas path 12 and has a cross section substantially the same as the insertion holes 13a and 13b.

삽입 부재(14)는 세라믹스, 세라믹스와 금속의 복합 재료 등에 의해 구성할 수 있다. 삽입 부재(14)는 기체(10)와 동일한 재료에 의해 구성되는 것이 바람직하다.The insertion member 14 can be comprised with ceramics, a composite material of ceramics and a metal, and the like. The insertion member 14 is preferably made of the same material as the base 10.

급전 부재(15)는 저항 발열체(11)에 전력을 공급한다. 급전 부재(15)는 저항 발열체(11)와 접속되어 있다. 급전 부재(15)는 Ni, Al, Cu, 합금 등으로 형성된다. 급전 부재(15)의 형상은 로드 형상이며, 저항 발열체(11)와 브레이징 접합 등으로 접속되어 있다. 급전 부재(15)는 절연 부재(16)로 덮여 있다. 절연 부재(16)는 세라믹스에 의해 형성되는 것이 바람직하다.The power supply member 15 supplies electric power to the resistance heating element 11. The power supply member 15 is connected to the resistance heating element 11. The power feeding member 15 is made of Ni, Al, Cu, an alloy, or the like. The shape of the power feeding member 15 is a rod shape and is connected to the resistance heating element 11 by brazing bonding or the like. The power feeding member 15 is covered with the insulating member 16. The insulating member 16 is preferably formed of ceramics.

관상 부재(17)는 기체(10)를 지지한다. 관상 부재(17)는 중공 형상의 원통 등으로서, 그 관 내에 급전 부재(15)를 수용한다. 관상 부재(17)는 기체(10)의 이면(10b)에 접합되어 있다. 관상 부재(17)는 질화알루미늄, 질화규소, 산화알루미늄 등으로 형성된다.The tubular member 17 supports the base 10. The tubular member 17 is a hollow cylinder or the like and accommodates the power feeding member 15 in the tube. The tubular member 17 is joined to the back surface 10b of the base 10. The tubular member 17 is made of aluminum nitride, silicon nitride, aluminum oxide, or the like.

도 2는 도 1의 가열 장치의 평면도를 나타내고 있다. 또한, 도 2는 가스 경로(12)를 명료하게 하기 위해서 저항 발열체(11), 관상 부재(17) 등을 일부 생략한다.FIG. 2 shows a plan view of the heating device of FIG. 1. In addition, in FIG. 2, the resistance heating element 11, the tubular member 17, etc. are partially omitted in order to make the gas path 12 clear.

가스 경로(12)는 기판 가열면(10a)의 거의 중심부의 가스 공급구(18)로부터 방사 방향을 향해 형성된다. 이 때, 가스 경로(12)는 인접하는 가스 경로(12)가 서로 이루는 각도가 균등해지도록 형성된다. 예컨대, 하나의 가스 경로(12)와, 인접하는 가스 경로(12)가 이루는 각도가 거의 45°가 된다. 가스 경로(12)의 직경은 2 ∼4 ㎜인 것이 바람직하다.The gas path 12 is formed in the radial direction from the gas supply port 18 near the center of the substrate heating surface 10a. At this time, the gas paths 12 are formed so that the angles formed between the adjacent gas paths 12 are equal to each other. For example, the angle formed by one gas path 12 and the adjacent gas path 12 is approximately 45 °. It is preferable that the diameter of the gas path 12 is 2-4 mm.

삽입 구멍(13a)은 기판 가열면(10a)의 중심으로부터 외주부까지의 거리의 30% 위치에 구비되는 것이 바람직하다.The insertion hole 13a is preferably provided at a position of 30% of the distance from the center of the substrate heating surface 10a to the outer peripheral portion.

도 3의 (a) 및 (b)는 삽입 부재(14)의 일례를 각각 도시한다.3A and 3B show an example of the insertion member 14, respectively.

도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 삽입 부재(14)는 기체(10)에 마련된 삽입 구멍[삽입 구멍(13a) 또는 삽입 구멍(13b)]과 거의 같은 단면을 갖는 기둥형의 삽입 부분(141)과, 삽입 부분(141)을 지지하는 지지부(142)를 갖는다.As shown in FIG. 3A, the insertion member 14 has a columnar insertion portion having a cross section substantially the same as the insertion hole (insertion hole 13a or insertion hole 13b) provided in the base 10. 141 and a supporting portion 142 supporting the insertion portion 141.

도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 삽입 부재(14)는 나선형의 홈을 구비한 홈 부분(143)과, 홈 부분(143)을 지지하는 지지부(144)를 갖는다. 홈 부분(143)은 나선형의 홈을 구비한 삽입 구멍[삽입 구멍(13a) 또는 삽입 구멍(13b)]과 나사 결합하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 3B, the insertion member 14 has a groove portion 143 having a spiral groove, and a support portion 144 supporting the groove portion 143. The groove portion 143 is preferably screwed into an insertion hole (insertion hole 13a or insertion hole 13b) having a helical groove.

이상 설명한 본 발명에 따른 가열 장치(100)는 가열 장치(100)의 관상 부재(17)의 아래에서부터 가스가 공급되고, 가스 경로(12)를 통하여 기체(10)에 가스를 공급함으로써, 기판 주변에 퇴적되는 반응막의 형성을 저감할 수 있다. 또한, 가스에 의한 열전달에 의해 기판 가열면(10a) 내의 열전달을 더욱 균일하게 할 수 있다. 가스는 공지의 가스, 예컨대 질소, 헬륨, 아르곤, 헬륨과 아르곤의 혼합 가스 등을 1 atm, 0℃ 환산하여 0.5∼20 ℓ/min로 흐르게 하는 것이 바람직하다.In the heating device 100 according to the present invention described above, the gas is supplied from under the tubular member 17 of the heating device 100, and the gas is supplied to the gas 10 through the gas path 12, thereby surrounding the substrate. Formation of the reaction film deposited on the substrate can be reduced. In addition, heat transfer in the substrate heating surface 10a can be made more uniform by heat transfer with gas. The gas is preferably a known gas, such as nitrogen, helium, argon, a mixed gas of helium and argon, and the like at 1 atm and 0 ° C. to flow at 0.5 to 20 L / min.

이러한 가열 장치(100)에 따르면, 가스 경로(12)의 단면적을 변화시킬 수 있는 조정부를 구비함으로써, 가스 경로(12)마다의 가스 분출구(12h)로부터 분출되는 가스 분출량을 균일하게 할 수 있다. 이에 따라, 반응막의 퇴적을 저감할 수 있다.According to such a heating apparatus 100, by providing the adjustment part which can change the cross-sectional area of the gas path | route 12, the amount of gas blown off from the gas blowing port 12h for every gas path 12 can be made uniform. . As a result, deposition of the reaction film can be reduced.

조정부는 가스 경로(12)로 통하는 삽입 구멍(13a, 13b)에 삽입되는 삽입 부분을 구비함으로써, 가열 장치(100)의 외부에서 가스 분출량의 조정을 가능하게 하여 기판 가열면(10a)으로의 가스 분출을 직접 확인하면서 조정할 수 있다.The adjusting portion includes insertion portions inserted into the insertion holes 13a and 13b leading to the gas path 12, thereby enabling adjustment of the gas ejection amount from the outside of the heating apparatus 100 to the substrate heating surface 10a. Adjustment can be made while directly checking the gas ejection.

특히, 가스 경로(12)는 기판 가열면(10a)을 따라 연장되는 제1 가스 경로(12a)를 구비함으로써, 각 제1 가스 경로(12a)를 흐르는 가스 분출량을 균일하게 할 수 있다. 이에 따라, 기판 가열면(10a)으로의 가스 분출량을 조정하는 동시에, 기체(10)의 온도 분포를 조정할 수 있다.In particular, the gas path 12 includes the first gas path 12a that extends along the substrate heating surface 10a, so that the amount of gas blown through each of the first gas paths 12a can be made uniform. Thereby, the gas blowing amount to the substrate heating surface 10a can be adjusted, and the temperature distribution of the base 10 can be adjusted.

또한, 이면(10b)의 삽입 구멍(13a)에서 가스 분출량을 조정할 수 있음으로써, 기판을 기판 가열면(10a)에 배치할 때에 조정부가 방해가 되지 않는다.In addition, the gas ejection amount can be adjusted in the insertion hole 13a of the rear surface 10b, so that the adjusting portion does not interfere when the substrate is placed on the substrate heating surface 10a.

가스 경로(12)는 기판 가열면(10a)에 대하여 거의 수직 방향으로 연장되는 제2 가스 경로(12b)를 구비함으로써, 가스 분출구(12h)에 가까운 위치에서 가스 분출량을 조정할 수 있다. 이에 따라, 기판 주변의 반응막의 퇴적을 더욱 저감할 수 있다.The gas path 12 includes a second gas path 12b extending in a direction substantially perpendicular to the substrate heating surface 10a, whereby the gas blowing amount can be adjusted at a position close to the gas blowing port 12h. As a result, deposition of the reaction film around the substrate can be further reduced.

삽입 부분(141)이 삽입 구멍(13a, 13b)과 거의 같은 단면을 갖는 기둥형 형상을 함으로써, 삽입 구멍(13a, 13b)으로부터의 가스 누설을 저감할 수 있다. 또한, 가스 분출량을 보다 간단하게 조정할 수 있다.By the insertion portion 141 having a columnar shape having a cross section substantially the same as that of the insertion holes 13a and 13b, gas leakage from the insertion holes 13a and 13b can be reduced. In addition, the gas blowing amount can be adjusted more easily.

삽입 부분(141) 및 삽입 구멍(13a, 13b)은 나선형의 홈을 구비함으로써, 가스 경로(12)의 단면적의 미세 조정을 가능하게 한다. 또한, 삽입 부재(14)가 탈락하는 것을 방지할 수도 있다.The insertion portion 141 and the insertion holes 13a and 13b have helical grooves, thereby enabling fine adjustment of the cross-sectional area of the gas path 12. It is also possible to prevent the insertion member 14 from falling off.

또한, 삽입 부재(14)는 기체(10)와 동일한 재료에 의해 구성됨으로써, 기 체(10)와 삽입 부재(14)와의 열팽창계수를 근사하게 할 수 있기 때문에, 온도 변화에 따른 변형의 영향을 저감할 수 있다. 이에 따라, 가스 분출량 조정의 정밀도를 더욱 높일 수 있다.In addition, since the insertion member 14 is made of the same material as the base 10, the coefficient of thermal expansion between the gas 10 and the insertion member 14 can be approximated. Can be reduced. Thereby, the precision of gas injection amount adjustment can be improved further.

기판 가열면(10a)의 표면 조도(Ra)는 0.01 ㎛∼6.3 ㎛으로 함으로써, 기판 가열면(10a)과 기판을 적절히 접촉시켜 기판 온도를 균일하게 유지할 수 있다.By making the surface roughness Ra of the board | substrate heating surface 10a into 0.01 micrometer-6.3 micrometer, the board | substrate heating surface 10a and a board | substrate can be made to contact appropriately, and board | substrate temperature can be maintained uniformly.

기체(10) 내부에 저항 발열체(11)가 매설되어 있음으로써, 저항 발열체(11)의 열화를 방지할 수 있고, 그 내구성을 향상시킬 수 있다.By embedding the resistive heating element 11 inside the base 10, deterioration of the resistive heating element 11 can be prevented and its durability can be improved.

가스 경로(12)는 기체(10) 내부에서 저항 발열체(11)보다도 아래쪽에 형성됨으로써, 가스 경로(12)를 흐르는 가스는 저항 발열체(11)가 발생시키는 열에 영향을 미치지 않는다. 이에 따라, 저항 발열체(11)의 열이 영향을 받지 않고서 기판 가열면(10a)으로 전달된다.The gas path 12 is formed below the resistance heating element 11 inside the gas 10, so that the gas flowing through the gas path 12 does not affect the heat generated by the resistance heating element 11. Accordingly, the heat of the resistive heating element 11 is transmitted to the substrate heating surface 10a without being affected.

가스 경로(12)는 기판 가열면(10a)의 주위에 형성됨으로써, 기판 가열면(10a)에 적재되는 기판 중 반응막이 가장 형성되기 쉬운 기판의 외주부에 가스를 공급할 수 있고, 반응막의 퇴적을 보다 저감할 수 있다.The gas path 12 is formed around the substrate heating surface 10a, so that gas can be supplied to the outer circumference of the substrate on which the reaction film is most easily formed among the substrates loaded on the substrate heating surface 10a. Can be reduced.

또한, 가스 경로(12)의 직경은 2∼4 ㎜임으로써, 반응막의 퇴적을 저감하는 가스 분출량을 안정시킬 수 있다.Moreover, since the diameter of the gas path | route 12 is 2-4 mm, the gas blowing amount which reduces the deposition of a reaction film can be stabilized.

삽입 구멍(13a)은 이면(10b)의 중심으로부터 삽입 구멍(13a)까지의 거리가 기판 가열면(10a)의 중심으로부터 외주부까지의 거리에 대하여 30%의 위치에 구비됨으로써, 가스 경로(12)의 가스 분출량을 삽입 부재(14)에 의해 조정하는 것에 의해 기체(10)의 온도 분포를 효과적으로 조정할 수 있다.The insertion hole 13a has a distance from the center of the back surface 10b to the insertion hole 13a at a position of 30% relative to the distance from the center of the substrate heating surface 10a to the outer circumferential portion, whereby the gas path 12 The temperature distribution of the base 10 can be adjusted effectively by adjusting the amount of gas blown out by the insertion member 14.

삽입 구멍(13a, 13b)의 직경은 가스 경로(12)의 직경에 대하여 40∼400%로 함으로써, 삽입 부재(14)에 의해 조정되는 가스 경로(12)의 단면적을 최적화할 수 있다.By setting the diameter of the insertion holes 13a and 13b to 40 to 400% of the diameter of the gas path 12, the cross-sectional area of the gas path 12 adjusted by the insertion member 14 can be optimized.

절연 부재(16)는 세라믹스에 의해 형성됨으로써, 절연성, 단열성을 가질 수 있다. 이에 따라, 급전 부재(15)의 주변에 있는 부재에 미치는 영향을 저감할 수 있다.The insulating member 16 is formed of ceramics and can have insulation and heat insulation. Thereby, the influence on the member in the vicinity of the power supply member 15 can be reduced.

또한, 관상 부재(17)는 기체(10)의 재질과 동종으로 하는 것이 바람직하다. 이것에 따르면, 기체(10)와 관상 부재(17)의 접합 부분에 있어서, 열팽창계수차 등에 기인하는 열응력이 발생하는 것을 방지할 수 있어 강고하게 관상 부재(17)를 접합할 수 있다. 또한, 기체(10) 및 관상 부재(170)로 이루어진 형상을 일체 형성할 수도 있다.In addition, the tubular member 17 is preferably the same as the material of the base 10. According to this, in the joint part of the base 10 and the tubular member 17, thermal stress resulting from thermal expansion coefficient aberration etc. can be prevented, and the tubular member 17 can be firmly joined. Moreover, the shape which consists of the base 10 and the tubular member 170 can also be formed integrally.

[가열 장치의 제조 방법][Manufacturing Method of Heating Device]

이러한 가열 장치(100)는 기판 가열면(10a)과 저항 발열체(11)를 갖는 기체(10)를 형성하는 공정과, 기체(10)에 가스 분출구(12h)와 가스 공급구(18)를 갖는 가스 경로(12)와, 삽입 구멍(13a, 13b)을 형성하는 공정과, 삽입 부재(14)를 형성하는 공정에 따라 제조할 수 있다.The heating apparatus 100 includes a step of forming a base 10 having a substrate heating surface 10a and a resistance heating element 11, and a gas blowing opening 12h and a gas supply opening 18 in the base 10. It can manufacture according to the process of forming the gas path 12, the insertion hole 13a, 13b, and the process of forming the insertion member 14. As shown in FIG.

세라믹스의 기체(10)를 형성하고, 가스 경로(12)와 삽입 구멍(13a, 13b)을 형성하는 경우를 예를 들어 설명한다.The case where the base 10 of ceramics is formed and the gas path 12 and insertion hole 13a, 13b is formed is demonstrated, for example.

우선, 기체(10)를 이하와 같이 제작한다. 기체(10)의 세라믹스 원료 분말에 바인더, 필요에 따라, 유기 용제, 분산제 등을 첨가하여 혼합하여 슬러리를 제작한 다. 세라믹스 원료 분말은 주성분이 되는 세라믹스 분말과, 소결 조제와 바인더를 함유할 수 있다. 예컨대, 질화알루미늄 분말을 주성분으로 하고, 산화이트륨 분말 등을 소결 조제로서 첨가한다. 단, 주성분의 원료 이외의 성분 총량은 5% 이하인 것이 바람직하다. 세라믹 원료 분말을 볼밀 등에 의해 혼합한다.First, the base 10 is produced as follows. A binder, and, if necessary, an organic solvent, a dispersant, and the like are added to the ceramic raw material powder of the base 10 to prepare a slurry. The ceramic raw material powder may contain a ceramic powder as a main component, a sintering aid and a binder. For example, aluminum nitride powder is used as a main component, and yttrium oxide powder or the like is added as a sintering aid. However, it is preferable that the component total amount other than the raw material of a main component is 5% or less. The ceramic raw material powder is mixed by a ball mill or the like.

얻어진 슬러리를 분무 조립(spray granulation)법 등에 의해 조립(造粒)하여 조립 과립을 얻는다. 얻어진 조립 과립을 금형 성형법, CIP(Cold Isostatic Pressing)법, 슬립 캐스트법 등의 성형 방법에 의해 성형한다.The resulting slurry is granulated by spray granulation or the like to obtain granulated granules. The granulated granules obtained are molded by a molding method such as a mold molding method, a CIP (Cold Isostatic Pressing) method, or a slip cast method.

다음에 성형체 상에 저항 발열체(11)를 형성한다. 예컨대, 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 텅스텐카바이드(WC) 등의 고융점 재료의 분말을 함유하는 인쇄 페이스트를 조정하고, 성형체에 스크린 인쇄법 등에 의해 소정의 패턴 형상이 되도록 인쇄하여 저항 발열체(11)를 형성할 수 있다.Next, the resistance heating element 11 is formed on the molded body. For example, a printing paste containing powders of high melting point materials such as molybdenum (Mo), tungsten (W), niobium (Nb), tungsten carbide (WC) and the like is adjusted, and the molded body has a predetermined pattern shape by screen printing or the like. The resistance heating element 11 may be formed by printing as much as possible.

저항 발열체(11)가 형성된 성형체 상에 동일하게 하여 얻은 성형체를 적층하여 일체적으로 소성한다. 예컨대, 금형 등에 저항 발열체(11)가 형성된 성형체를 세팅한다. 저항 발열체(11) 및 성형체 상에 성형체 제작시와 동일하게 하여 준비한 조립 과립을 충전하고, 성형과 그 적층을 동시에 행할 수 있다.The molded bodies obtained in the same way are laminated on the molded body in which the resistance heating body 11 is formed, and are fired integrally. For example, a molded body in which the resistance heating element 11 is formed is set in a mold or the like. The granulated granules prepared in the same manner as in the production of the molded body are filled on the resistance heating element 11 and the molded body, and molding and lamination thereof can be performed simultaneously.

그리고, 저항 발열체(11)를 매설한 성형체를 핫 프레스법이나 상압 소결법 등의 소성 방법에 의해 일체로 성형하여 일체 소결체의 기체(10)를 제작할 수 있다. 예컨대, 얻어진 성형체를 세라믹스의 종류에 따른 분위기, 소성 온도, 소성 시간, 소성 방법에 의해 소성할 수 있다.And the molded object which embedded the resistance heating body 11 can be integrally shape | molded by baking methods, such as a hot press method and an atmospheric pressure sintering method, and the base 10 of an integrally sintered compact can be manufactured. For example, the obtained molded object can be baked by the atmosphere according to the kind of ceramics, baking temperature, baking time, and baking method.

예컨대, 세라믹스 원료 분말로서 질화알루미늄 분말을 사용한 경우에는 핫 프레스법을 이용하여 질소 가스나 아르곤 가스 등의 불활성 가스 분위기 중, 1700∼2200℃에서 약 1∼10시간 유지함으로써 소성할 수 있다. 소성 중에 가하는 압력은 20∼1000 kgf/㎠로 할 수 있다. 이것에 따르면, 기체(10)와 저항 발열체(11)와의 밀착성을 양호하게 할 수 있다. 소성 온도는 1750∼2050℃인 것이 바람직하고, 압력은 50∼200 kgf/㎠인 것이 바람직하다. 마지막으로 얻어진 기체(10)에 기판 가열면(10a)의 평탄화 가공이나 저항 발열체(11)에 급전 부재(15)를 접속하기 위한 급전 부재(15)용 구멍의 천공 가공을 행하여 저항 발열체(11)의 일부를 미리 노출시킨다. 그리고, 기체(10)의 이면(10b)에서 기계 가공에 의해 가스 공급구(18)를 형성한다.For example, when aluminum nitride powder is used as the ceramic raw material powder, it can be fired by holding at 1700 to 2200 ° C for about 1 to 10 hours in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas or argon gas using a hot press method. The pressure applied during firing can be 20 to 1000 kgf / cm 2. According to this, the adhesiveness of the base 10 and the resistance heating body 11 can be made favorable. It is preferable that baking temperature is 1750-2050 degreeC, and it is preferable that pressure is 50-200 kgf / cm <2>. Finally, the substrate 10 has a flattening process for the substrate heating surface 10a, and a hole for the power feeding member 15 for connecting the power feeding member 15 to the resistance heating element 11 is subjected to the resistance heating element 11. Pre-expose a portion of the. And the gas supply port 18 is formed in the back surface 10b of the base body 10 by a machining process.

다음에, 기체(10)에 가스 경로(12)를 천공 가공에 의해 형성한다. 순서로서, 가스 공급구(18)를 기점으로 하여 외주 방향으로 제1 가스 경로(12a)와, 거기에서 제2 가스 경로(12b)를 형성한다. 구체적으로는 가스 공급구(18)로부터 기체(10)의 외주 방향으로 인접한 가스 경로(12)와 이루는 각도가 균등해지도록 제1 가스 경로(12a)를 형성한다. 이 때, 가스 경로(12)는 저항 발열체(11) 밑에 형성한다. 그리고, 기판 가열면(10a)으로부터 제1 가스 경로(12a)를 향해 제2 가스 경로(12b)를 기계 가공에 의해 형성한다. 가스 경로(12)는 기판의 외주를 따라 예컨대 직경 3 ㎜로 형성한다.Next, the gas path 12 is formed in the base 10 by drilling. As a procedure, the 1st gas path 12a and the 2nd gas path 12b are formed in the outer peripheral direction from the gas supply port 18 as a starting point. Specifically, the first gas path 12a is formed so that the angle formed by the gas path 12 adjacent to the outer circumferential direction of the gas 10 from the gas supply port 18 is equalized. At this time, the gas path 12 is formed under the resistance heating element 11. And the 2nd gas path 12b is formed by the machining from the board | substrate heating surface 10a toward the 1st gas path 12a. The gas path 12 is formed along the outer periphery of the substrate, for example, 3 mm in diameter.

또한, 기판을 리프트-업하기 위한 관통 구멍 등도 마찬가지로 하여 가공한다. 가스 분출구(12h)는 기판 가열면(10a)에 대하여 수직으로 가공하는 것이 바람직하다.Further, through holes and the like for lifting up the substrate are similarly processed. It is preferable to process the gas ejection opening 12h perpendicularly to the board | substrate heating surface 10a.

다음에, 삽입 구멍(13a)을 기판 가열면(10a)에 천공 가공 등에 의해 형성한다. 마찬가지로 하여 측면(10c)의 삽입 구멍(13b)을 천공 가공 등에 의해 형성한다.Next, the insertion hole 13a is formed in the substrate heating surface 10a by punching or the like. In the same manner, the insertion hole 13b of the side surface 10c is formed by drilling or the like.

다음에, 삽입 부재(14)를 이하와 같이 제작한다. 삽입 부재(14)의 세라믹스 원료 분말에 바인더, 필요에 따라, 유기 용제, 분산제 등을 첨가하여 혼합하여 슬러리를 제작한다. 세라믹스 원료 분말은 주성분이 되는 세라믹스 분말과, 소결 조제와 바인더를 함유할 수 있다. 예컨대, 질화알루미늄 분말을 주성분으로 하고, 산화이트륨 분말 등을 소결 조제로서 첨가한다. 단, 주성분 원료 이외의 성분 총량은 5% 이하인 것이 바람직하다. 세라믹 원료 분말을 볼밀 등에 의해 혼합한다.Next, the insertion member 14 is produced as follows. A binder, and, if necessary, an organic solvent, a dispersant, and the like are added to the ceramic raw material powder of the insertion member 14 to form a slurry. The ceramic raw material powder may contain a ceramic powder as a main component, a sintering aid and a binder. For example, aluminum nitride powder is used as a main component, and yttrium oxide powder or the like is added as a sintering aid. However, it is preferable that the total amount of components other than a main component raw material is 5% or less. The ceramic raw material powder is mixed by a ball mill or the like.

얻어진 슬러리를 분무 조립법 등에 의해 조립하여 조립 과립을 얻는다. 얻어진 조립 과립을 금형 성형법, CIP(Cold Isostatic Pressing)법, 슬립 캐스트법 등의 성형 방법에 의해 성형한다. 얻어진 성형체를 세라믹스의 종류에 따른 분위기, 소성 온도, 소성 시간, 소성 방법으로 소성함으로써, 삽입 부재(14)를 제작할 수 있다.The obtained slurry is granulated by a spray granulation method or the like to obtain granulated granules. The granulated granules obtained are molded by a molding method such as a mold molding method, a CIP (Cold Isostatic Pressing) method, or a slip cast method. The inserted member 14 can be manufactured by baking the obtained molded object by the atmosphere according to the kind of ceramics, baking temperature, baking time, and baking method.

예컨대, 세라믹스 원료 분말로서 질화알루미늄 분말을 사용한 경우에는, 핫 프레스법을 이용하여 질소 가스나 아르곤 가스 등의 불활성 가스 분위기 중, 1700∼2200℃에서 약 1∼10시간 유지함으로써 소성할 수 있다. 소성 중에 가하는 압력은 20∼1000 kgf/㎠로 할 수 있다. 소성 온도는 1750∼2050℃인 것이 바람직하고, 압력은 50∼200 kgf/㎠인 것이 바람직하다.For example, when aluminum nitride powder is used as a ceramic raw material powder, it can be baked by holding at 1700-2200 degreeC for about 1 to 10 hours in inert gas atmosphere, such as nitrogen gas and argon gas, using a hot press method. The pressure applied during firing can be 20 to 1000 kgf / cm 2. It is preferable that baking temperature is 1750-2050 degreeC, and it is preferable that pressure is 50-200 kgf / cm <2>.

소성체가 된 삽입 부재(14)에 삽입 부분(141) 또는 홈 부분(143)을 기계 가 공에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 삽입 부분(141) 또는 홈 부분(143)은 추가로 그 선단을 테이퍼형으로 가공하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable to form the insertion part 141 or the groove part 143 by the machining in the insertion member 14 which became the plastic body. In addition, it is more preferable that the insertion portion 141 or the groove portion 143 be further tapered at its tip.

이러한 기체(10) 및 삽입 부재(14)의 제작과 병행하여 관상 부재(17)를 제작한다. 관상 부재(17)는 기체(10)를 제작한 경우와 마찬가지로 하여 조립 과립을 준비하고, 관상의 성형체를 제작하며, 얻어진 성형체를 예컨대 질소 가스 속에서 상압 소성함으로써 제작할 수 있다. 관상 부재(17)는 기체(10)의 제작에 이용한 세라믹스 원료 분말과 동일한 재질의 원료 분말을 사용하여 제작하는 것이 바람직하다.The tubular member 17 is produced in parallel with the production of such a base 10 and the insertion member 14. The tubular member 17 can be produced by preparing granulated granules in the same manner as in the case of producing the base 10, producing a tubular molded body, and atmospherically firing the obtained molded body in, for example, nitrogen gas. It is preferable to manufacture the tubular member 17 using the raw material powder of the same material as the ceramic raw material powder used for preparation of the base 10. As shown in FIG.

다음에, 기체(10)의 이면(10b)과 관상 부재(17)를 예컨대 코오킹, 용접, 브레이징, 솔더링 등으로 접합한다. 이면(10b)과 관상 부재(17)는 고상 접합법이나 고액상 접합법 등에 의해 접합할 수도 있다. 구체적으로는 이면(10b)의 접합면 또는 관상 부재(17)의 접합면 중 적어도 하나에 이면(10b)이나 관상 부재(17)의 재질에 따른 접합제를 도포한다. 그리고, 이면(10b)과 관상 부재(17)의 접합면 끼리를 접합시켜, 이면(10b)이나 관상 부재(17)의 재질에 따른 분위기, 온도에서 열처리를 행함으로써, 접합할 수 있다. 이 때, 접합면과 수직인 방향으로부터 이면(10b)과 관상 부재(17)를 꽉 누르도록 가압하여도 좋다.Next, the back surface 10b of the base 10 and the tubular member 17 are joined by caulking, welding, brazing, soldering, etc., for example. The back surface 10b and the tubular member 17 can also be joined by a solid state bonding method, a solid liquid bonding method, or the like. Specifically, the bonding agent according to the material of the back surface 10b or the tubular member 17 is applied to at least one of the joining surface of the back surface 10b or the joining surface of the tubular member 17. The back surface 10b and the joining surfaces of the tubular member 17 are joined to each other, and can be joined by performing heat treatment in an atmosphere and a temperature corresponding to the material of the back surface 10b or the tubular member 17. At this time, you may pressurize so that the back surface 10b and the tubular member 17 may be pressed firmly from the direction perpendicular | vertical to a joining surface.

예컨대, 기체(10) 및 관상 부재(17)가 질화알루미늄 소결체인 경우, 접합제로서 희토류 화합물 등을 도포하고, 질소 가스나 아르곤 가스 등의 불활성 가스 분위기 속에서 1500∼2000℃에서 1∼10시간 유지함으로써 접합을 행할 수 있다. 또한, 기체(10) 및 관상 부재(170)로 이루어진 형상을 일체 형성할 수도 있다.For example, in the case where the base 10 and the tubular member 17 are aluminum nitride sintered bodies, a rare earth compound or the like is applied as a bonding agent and is then used for 1 to 10 hours at 1500 to 2000 ° C. in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas or argon gas. Bonding can be performed by holding. Moreover, the shape which consists of the base 10 and the tubular member 170 can also be formed integrally.

이상 설명한 바와 같이, 가열 장치(100)의 제조 방법에 따르면, 저항 발열 체(11)를 갖는 기체(10)를 형성하는 공정과, 기체(10)에 기체(10)의 외부에서 가스를 공급하는 가스 공급구(18)로부터 가스 분출구(12h)까지 연통하는 복수의 가스 경로(12)를 형성하는 공정과, 기체(10)의 외부에서 가스 경로(12)의 단면적을 변화시킬 수 있는 조정부를 형성하는 공정을 포함함으로써, 가스 경로(12)마다의 가스 분출량을 조정할 수 있는 가열 장치(100)를 얻을 수 있다.As explained above, according to the manufacturing method of the heating apparatus 100, the process of forming the base 10 which has the resistance heating body 11, and supplying gas to the base 10 outside the base 10 Forming a plurality of gas paths 12 communicating from the gas supply port 18 to the gas ejection port 12h, and forming an adjustment unit capable of changing the cross-sectional area of the gas path 12 outside the gas 10. By including the process of making it, the heating apparatus 100 which can adjust the gas blowing amount for every gas path 12 can be obtained.

[그 밖의 실시 형태][Other Embodiments]

본 발명은 상기한 실시 형태에 따라 기재하였지만, 이 개시의 일부를 이루는 설명 및 도면은 본 발명을 한정하는 것이라고 이해하면 안된다. 이 개시로부터 당업자에게 있어서는 여러 가지 대체 실시 형태, 실시예 및 운용 기술이 명확해질 것이다.Although the present invention has been described in accordance with the above embodiments, it should not be understood that the description and the drawings, which form part of this disclosure, limit the present invention. Various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art from this disclosure.

예컨대, 기체(10)의 외부에서 가스 경로(12)의 단면적을 변화시킬 수 있는 조정부의 예로서 삽입 부재(14)를 기재하였지만, 단면적을 변화시키기 위해서 가스 공급구(18)로부터, 구형의 충전물로 가스 경로(12)의 일부를 차단할 수도 있다.For example, although the insertion member 14 has been described as an example of an adjustment part capable of changing the cross-sectional area of the gas path 12 outside the gas 10, the spherical filler material from the gas supply port 18 to change the cross-sectional area. Part of the furnace gas path 12 may be blocked.

또한, 도 1의 삽입 부재(14a)와 삽입 부재(14b)는 반드시 일치하지 않고, 삽입 부재(14a)가 도 3의 (a)에 도시된 삽입 부분(141)을 구비하고, 삽입 부재(14b)가 도 3의 (b)에 도시된 홈 부분(143)을 구비하고 있어도 좋다.In addition, the insertion member 14a and the insertion member 14b of FIG. 1 do not necessarily correspond, and the insertion member 14a is provided with the insertion part 141 shown to FIG. 3 (a), and the insertion member 14b ) May be provided with the groove portion 143 shown in FIG.

또한, 주변 부재인 저항 발열체(11)와, 기판 가열면(10a)은 엠보스, 홈 등을 구비하여도 좋다. 급전 부재(15)의 형상은 로드 형상 이외에 원기둥, 케이블, 판, 끈 형상의 직물, 원통 형상 등이어도 좋다. 급전 부재(15)는 브레이징 접합, 용접, 공정(共晶) 접합, 코오킹, 끼워 맞춤, 나사 고정 등으로 접속되어 있으면 좋다.In addition, the resistance heating element 11 which is a peripheral member, and the board | substrate heating surface 10a may be equipped with embossing, a groove | channel, etc. In addition to the rod shape, the shape of the power feeding member 15 may be a cylinder, a cable, a plate, a string-shaped fabric, a cylindrical shape, or the like. The power feeding member 15 may be connected by brazing bonding, welding, eutectic bonding, caulking, fitting, screwing, or the like.

또한, 관상 부재(17)를 접합하지 않고서 기체(10)와 급전 부재(15)로 이루어진 가열 장치(100)로 하여도 좋다.In addition, the heating device 100 including the base 10 and the power feeding member 15 may be used without joining the tubular member 17.

제조 방법에 있어서는, 저항 발열체(11)의 형성은 성형체 상에 고융점 재료의 박(箔), 선형, 코일형, 띠 형상의 벌크체를 적재함으로써 형성할 수도 있다. 또는 물리적 증착법이나 화학적 증착법에 의해 고융점 재료의 박막을 형성하여도 좋다.In the manufacturing method, the resistance heating element 11 may be formed by loading a thin, linear, coiled, or band-shaped bulk body of a high melting point material on the molded body. Alternatively, a thin film of high melting point material may be formed by physical vapor deposition or chemical vapor deposition.

또한, 성형체의 적층 방법으로서 조립 과립을 이용하여 성형체를 제작하고, 성형체 및 저항 발열체(11) 상에 적재하여 프레스 성형함으로써, 성형체를 적층하여도 좋다.As a method of laminating the molded body, the molded body may be laminated by using granulated granules, stacked on the molded body and the resistive heating element 11, and press molded.

또한, 급전 부재(15)와 저항 발열체(11) 단부의 접속에서는, 저항 발열체(11) 단부에 전기적으로 접속하는 금속 단자를 배치해 두고, 이 금속 단자를 노출시켜 급전 부재(15)와 접속시켜도 좋다.In addition, in the connection between the power supply member 15 and the end portion of the resistance heating element 11, a metal terminal electrically connected to the end portion of the resistance heating element 11 is disposed, and the metal terminal is exposed and connected to the power supply member 15. good.

삽입 부재(14)는 기계 가공에 의해 삽입 부분(141) 또는 홈 부분(143)을 가공하는 것이 아니라, 금형 등에 의해 삽입 부분(141) 또는 홈 부분(143)을 갖는 일체물의 소성체로 하여도 좋다. 이들에 의해, 삽입 구멍(13a, 13b)과 끼워 맞춰짐으로써 가스 경로(12)의 단면적을 더욱 간단히 변화시킬 수 있어, 가스 분출량을 보다 간단하게 또한, 가스 분출량의 조정 정밀도를 높일 수 있다.The insert member 14 may be a sintered body of an integrated body having the insert portion 141 or the groove portion 143 by a mold or the like, instead of processing the insert portion 141 or the groove portion 143 by machining. . By this, by fitting with the insertion holes 13a and 13b, the cross-sectional area of the gas path 12 can be changed more easily, and the gas ejection amount can be made simpler, and the adjustment accuracy of the gas ejection amount can be improved. .

삽입 부재(14)는 세라믹스뿐만 아니라 금속, 세라믹스와 금속의 복합 재료 등에 의해 형성하여도 상관없다.The insertion member 14 may be formed not only of ceramics but also of metal, a composite material of ceramics and metal, and the like.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 상기한 설명으로부터 타당한 특허청구범위 에 따른 발명 특정 사항에 의해서만 정해지는 것이다.Accordingly, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specific matters according to the appropriate claims from the above description.

(실시예)(Example)

다음에, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 전혀 한정되지 않는다.Next, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to the following Example at all.

우선, 기체(10)를 이하와 같이 제작하였다. 기체(10)의 세라믹스 원료 분말로서 질화알루미늄 분말에 바인더, 소결 조제로서 산화이트륨을 첨가하여 볼밀을 이용하여 혼합하였다. 얻어진 슬러리를 분무 조립법 등에 의해 조립하여 조립 과립을 얻었다. 얻어진 조립 과립을 금형 성형법에 의해 원판형으로 성형하였다. 미리 코일형으로 형성한 몰리브덴제의 저항 발열체(11)를 판형 성형체 상에 더 설치하고, 그 위에, 다시 상기 조립 과립을 충전하여 프레스 성형을 행하였다. 그리고, 저항 발열체(11)가 일체로 성형된 질화알루미늄 성형체를 카본제의 틀에 세팅하여 핫 프레스법에 의해 소성하였다. 구체적으로는, 200 kgf/㎠로 가압하면서, 질소 가압 분위기에서 1800℃로 2시간 유지하여 일체로 소성하였다.First, the base 10 was produced as follows. As a ceramic raw material powder of the base 10, yttrium oxide was added to the aluminum nitride powder as a binder and a sintering aid, and mixed using a ball mill. The obtained slurry was granulated by the spray granulation method or the like to obtain granulated granules. The granulated granules thus obtained were molded into discs by a die molding method. A molybdenum resistance heating element 11 formed in advance in a coil shape was further provided on the plate-shaped molded body, and the granulated granules were filled thereon, and press molding was performed. And the aluminum nitride molded object in which the resistance heating body 11 was integrally formed was set to the carbon mold, and it baked by the hot press method. Specifically, while pressing at 200 kgf / cm 2, the mixture was kept at 1800 ° C. for 2 hours in a pressurized atmosphere of nitrogen and fired integrally.

얻어진 기체(10)에 기판 가열면(10a)의 평탄화 가공이나 급전 부재(15)용 구멍의 천공 가공 등을 행하여 저항 발열체(11)의 일부를 미리 노출시킨 기체(10)의 크기는 직경 237 ㎜, 두께 18 ㎜로 하였다. 관상 부재(17)의 크기는 외경 55 ㎜, 내경 45 ㎜, 길이 169 ㎜로 하였다.The size of the base 10 in which a part of the resistive heating element 11 is exposed in advance by performing the flattening process of the substrate heating surface 10a or the perforating process of the hole for the power feeding member 15 to the obtained base 10 has a diameter of 237 mm. And thickness was 18 mm. The tubular member 17 had an outer diameter of 55 mm, an inner diameter of 45 mm, and a length of 169 mm.

다음에, 기체(10)의 이면(10b)으로부터 기계 가공에 의해 직경 3 ㎜의 가스 공급구(18)를 기체(10)의 중앙부에 2군데 마련하였다. 각 가스 공급구(18)로부터 방사 방향으로 4라인씩 가스 경로(12)를 형성하였다. 가스 경로(12)는 기체(10)의 측면(10c)으로부터 기계 가공에 의해 직경 3 ㎜로 형성하였다. 또한, 가스 경로(12)는 매설한 저항 발열체(11)보다도 하면측에 형성하였다.Next, two gas supply ports 18 having a diameter of 3 mm were provided at the center of the base 10 by machining from the back surface 10b of the base 10. The gas paths 12 were formed by four lines in the radial direction from each gas supply port 18. The gas path 12 was formed from the side surface 10c of the base 10 by machining to a diameter of 3 mm. In addition, the gas path 12 was formed in the lower surface side rather than the embedded resistive heating element 11.

또한, 기판 가열면(10a)에 가스를 공급하기 위해서 가스 경로(12)를 향해 직경 3 ㎜의 가스 분출구(12h)를 기계 가공에 의해 형성하였다. 가스 분출구(12h)의 위치는 기판 가열면(10a)의 외주측에서 8등분의 위치에 형성하였다. 구체적으로는 12시, 1.5시, 3시, 4.5시, 6시, 7.5시, 9시, 10.5시의 위치에 형성하였다.Moreover, in order to supply gas to the board | substrate heating surface 10a, the gas injection port 12h of diameter 3mm was formed toward the gas path 12 by machining. The position of the gas blower outlet 12h was formed in the position of 8 equal parts on the outer peripheral side of the board | substrate heating surface 10a. Specifically, they were formed at positions 12, 1.5, 3, 4.5, 6, 7.5, 9 and 10.5.

다음에, 기체(10)의 이면(10b)으로부터 가스 경로(12)를 향해 삽입 구멍(13a)을 형성하였다. 마찬가지로 하여 기체(10)의 측면(10c)으로부터 가스 경로(12)를 향해 삽입 구멍(13b)을 형성하였다. 삽입 구멍(13a, 13b)에는 M3 나사의 암나사인 홈 부분(143)을 기계 가공에 의해 형성하였다.Next, an insertion hole 13a was formed from the back surface 10b of the base 10 toward the gas path 12. Similarly, the insertion hole 13b was formed toward the gas path 12 from the side surface 10c of the base 10. In the insertion holes 13a and 13b, the groove part 143 which is the female thread of M3 screw was formed by machining.

다음에, 저항 발열체(11)의 일부를 미리 노출시킨 기체(10)에 니켈제의 단자를 구비하는 급전 부재(15)를 브레이징 접합하였다.Next, the power feeding member 15 having a nickel terminal was brazed to the base 10 to which a part of the resistive heating element 11 was exposed in advance.

또한, 기체(10)와 마찬가지로 하여 질화알루미늄의 삽입 부재(14)를 제작하였다. 구체적으로는 질화알루미늄 성형체를 소성한 후, M3 나사의 나사로 된 홈 부분(143)을 기계 가공에 의해 형성하여 삽입 부재(14)를 얻었다. 이렇게 해서 생긴 삽입 부재(14)를 삽입 구멍(13a, 13b)에 나사 결합함으로써, 용적을 변화시키는 조정부를 형성한 가스 경로(12)를 갖는 기체(10)와, 삽입 부재(14)를 구비하는 가열 장치(100)를 얻었다.In addition, the insertion member 14 of aluminum nitride was produced similarly to the base 10. Specifically, after the aluminum nitride molded body was fired, the groove portion 143 made of the screw of the M3 screw was formed by machining to obtain the insertion member 14. By inserting the insertion member 14 thus formed into the insertion holes 13a and 13b, the base 10 and the insertion member 14 which have the gas path 12 which formed the adjustment part which changes a volume are provided, The heating apparatus 100 was obtained.

(평가 방법)(Assessment Methods)

얻어진 가열 장치(100)에 대해서 다음 샘플 1, 샘플 2의 평가를 행하였다.The following sample 1 and the sample 2 were evaluated about the obtained heating apparatus 100.

가열 장치(100)의 가스 경로(12)에 질소 가스를 주입하여 420℃로 가열하고, 기판 가열면(10a)의 온도 분포를 방사 온도계로 측정하였다. 기판 가열면(10a)은 12시 및 1.5시 방향의 영역이 다른 영역에 비하여 낮은 값으로 되고, 기판 가열면(10a)의 최대 온도와 최소 온도의 차는 13℃였다.Nitrogen gas was inject | poured into the gas path | route 12 of the heating apparatus 100, it heated at 420 degreeC, and the temperature distribution of the board | substrate heating surface 10a was measured with the radiation thermometer. The area | region at 12 o'clock and 1.5 o'clock of the board | substrate heating surface 10a became a low value compared with another area | region, and the difference of the maximum temperature and minimum temperature of the board | substrate heating surface 10a was 13 degreeC.

샘플 1은 가열 장치(100)를 일단 온도를 하강시켜 12시 및 1.5시 방향에 위치하는 가스 경로(12)에 이면(10b)의 삽입 구멍(13a)에 나사 결합하는 삽입 부재(14)를 조정하였다. 이에 따라, 가스 유입량을 적게 하여 가스 유입에 따른 플레이트의 냉각 영향을 억제 조정하였다. 또, 가스 경로(12)에 가스를 주입하여 각 가스 분출구(12h)로부터 분출하는 가스량을 풍속계로 측정하고, 균일해지도록 기체(10)의 측면(10c)의 삽입 구멍(13b)에 나사 결합하는 삽입 부재(14)를 조정하였다.Sample 1 adjusts the insertion member 14 which once the temperature of the heating apparatus 100 is lowered and screwed into the insertion hole 13a of the back surface 10b to the gas path 12 located in the 12 o'clock and 1.5 o'clock directions. It was. Accordingly, the gas inflow amount was reduced to suppress and adjust the cooling effect of the plate due to the gas inflow. In addition, gas is injected into the gas path 12 to measure the amount of gas ejected from each gas outlet 12h with an anemometer, and screwed into the insertion hole 13b of the side surface 10c of the gas 10 so as to be uniform. The insertion member 14 was adjusted.

샘플 2는 삽입 부재(14)에 의한 조정을 하지 않았다.Sample 2 was not adjusted by the insertion member 14.

이상의 샘플 1, 샘플 2의 가열 장치(100)에 실리콘 기판을 적재하였다. 기판 상면으로부터 고순도 6불화텅스텐 가스를 도입하여 기판 상에 텅스텐막을 CVD 장치에 의해 형성하였다. 또한, 배리어 가스로서 가스 경로(12)에 질소 가스를 주입하였다.The silicon substrate was mounted in the heating apparatus 100 of the above sample 1 and sample 2. A high purity tungsten fluoride gas was introduced from the upper surface of the substrate to form a tungsten film on the substrate by a CVD apparatus. In addition, nitrogen gas was injected into the gas path 12 as a barrier gas.

(평가 결과)(Evaluation results)

샘플 1에서는, 실리콘 기판의 외주부에 텅스텐막이 형성되지 않았다. 또한, 기판 가열면(10a)과 실리콘 기판의 경계에도 텅스텐막이 형성되지 않았다.In sample 1, the tungsten film was not formed in the outer peripheral part of the silicon substrate. Further, no tungsten film was formed at the boundary between the substrate heating surface 10a and the silicon substrate.

샘플 2에서는, 실리콘 기판의 외주부에 텅스텐막이 형성되었다. 또한, 기판 가열면(10a)과 실리콘 기판의 경계에도 텅스텐막이 형성되었다.In sample 2, the tungsten film was formed in the outer peripheral part of the silicon substrate. Further, a tungsten film was also formed at the boundary between the substrate heating surface 10a and the silicon substrate.

샘플 1 및 샘플 2의 차이를 검토하기 위해서 샘플 1에서는, 재차 실리콘 기판을 적재하지 않고서 가스 경로(12)에 질소 가스를 주입하면서 420℃로 가열하고, 기판 가열면(10a)의 온도 분포를 방사 온도계로 측정하였다. 기판 가열면(10a)의 최대 온도와 최소 온도의 차는 6℃로 되고, 조정 전에 비하여 면내 온도 분포 균일성을 개선할 수 있다는 것을 알 수 있었다.In order to examine the difference between the sample 1 and the sample 2, in the sample 1, it heated at 420 degreeC, injecting nitrogen gas into the gas path 12 again without loading a silicon substrate, and radiates the temperature distribution of the board | substrate heating surface 10a. Measured by thermometer. It was found that the difference between the maximum temperature and the minimum temperature of the substrate heating surface 10a is 6 ° C, and the in-plane temperature distribution uniformity can be improved as compared with before the adjustment.

이에 따라, 샘플 1에서는, 기판 가열면(10a)으로부터 실리콘 기판을 용이하게 이격시킬 수 있었다. 또한, 샘플 2에서는, 기판 가열면(10a)으로부터 실리콘 기판을 이격시키려고 한 결과, 기판 가열면(10a)의 경계의 텅스텐막 박리를 기점으로 하여 실리콘 기판 상의 텅스텐막에도 금이 생기게 되었다.As a result, in Sample 1, the silicon substrate could be easily separated from the substrate heating surface 10a. Further, in Sample 2, when the silicon substrate was separated from the substrate heating surface 10a, gold was also generated in the tungsten film on the silicon substrate starting from the tungsten film peeling at the boundary of the substrate heating surface 10a.

본 발명에 따르면, 가스 경로마다의 분출구로부터 분출되는 가스 분출량을 균일하게 하고, 기판 성장막의 생성 등에 영향을 주지 않고 반응막의 퇴적을 저감하는 가열 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a heating apparatus which makes the amount of gas ejected from the ejection port for each gas path uniform, and reduces the deposition of the reaction film without affecting the generation of the substrate growth film or the like.

Claims

A gas having a substrate heating surface side on which a plurality of gas ejection openings are formed, and a gas supply opening to which gas is supplied, a resistive heating element is embedded, and made of a material containing ceramic;

A plurality of gas paths communicating with the gas supply port from the gas supply port and formed in the gas;

Adjusting unit that can change the cross-sectional area of each gas path

Heating device comprising a.

The method of claim 1, wherein the gas is provided with an insertion hole in communication with the gas path from the outside of the gas,

And the adjusting portion has an insertion portion inserted into the gas path from the insertion hole.

The method of claim 2,

The gas path has a first gas path extending along the substrate heating surface,

And the insertion hole communicates with the first gas path from the rear surface opposite to the substrate heating surface.

According to claim 2 or 3, wherein the base has a plate-like shape,

The gas ejection port is arranged at an outer circumference of the substrate heating surface,

The gas path has a second gas path extending in a direction substantially perpendicular to the substrate heating surface,

And the insertion hole communicates from the side of the gas to the second gas path.

The heating apparatus according to claim 2 or 3, wherein the insertion portion has a columnar shape having a cross section substantially the same as that of the insertion hole.

6. The heating apparatus according to claim 5, wherein said insertion portion and said insertion hole have a helical groove.

The heating apparatus according to claim 2 or 3, wherein the insertion portion is ceramics.