KR100835629B1 - Heater - Google Patents

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KR100835629B1
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heating member
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히사카즈 오카지마
요시노부 고토
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니뽄 가이시 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판 가열면 상에 분출되는 가스 분출량의 편차를 저감시킬 수 있고, 기판의 성장막의 생성 등에 영향을 주지 않고서 기판 가열면 상에 반응막이 퇴적되는 것을 억제할 수 있는 가열 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a heating apparatus which can reduce the variation in the amount of gas ejected on the substrate heating surface, and can suppress the deposition of the reaction film on the substrate heating surface without affecting the formation of the growth film of the substrate. For the purpose of

가열 장치(100)는 기판이 적재되는 기판 가열면(10a) 및 기판 가열면(10a)의 반대측에 위치하는 가열 부재 이면(10b)을 가지며, 저항 발열체(11)가 매설된 판형의 가열 부재(10)와, 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)측에 배치되고, 가열 부재 이면(10b)과 대향하는 대향면(20a)을 갖는 보조 부재(20)를 구비하며, 가열 부재 이면(10b)과 대향면(20a) 사이에는 기판 가열면(10a) 상에 분출되는 가스의 경로인 면형 가스 경로(14a)가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The heating device 100 has a substrate heating surface 10a on which a substrate is loaded and a heating member rear surface 10b located on the opposite side of the substrate heating surface 10a, and a plate-shaped heating member in which the resistance heating element 11 is embedded ( 10) and an auxiliary member 20 disposed on the heating member rear surface 10b side of the heating member 10 and having an opposing surface 20a facing the heating member rear surface 10b, the heating member rear surface ( A planar gas path 14a, which is a path of a gas ejected on the substrate heating surface 10a, is formed between 10b) and the opposing surface 20a.

Description

가열 장치{HEATER}Heating device {HEATER}

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 가열 장치를 도시한 사시도.1 is a perspective view showing a heating device according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 가열 장치를 도시한 분해도.2 is an exploded view showing a heating device according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 가열 장치를 도시한 도 1의 1a-1a선을 따라 취한 단면도.3 is a cross-sectional view taken along line 1a-1a of FIG. 1 showing a heating apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 가열 장치를 도시한 사시도.4 is a perspective view showing a heating device according to a second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 가열 장치를 도시한 분해도.5 is an exploded view showing a heating device according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 가열 장치를 도시한 도 4의 4a-4a선을 따라 취한 단면도.6 is a cross-sectional view taken along line 4a-4a in FIG. 4 showing a heating apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 가열 장치의 단면도.7 is a sectional view of a heating apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 가열 장치를 도시한 사시도.8 is a perspective view showing a heating device according to a third embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 가열 장치를 도시한 분해도.9 is an exploded view showing a heating device according to a third embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 가열 장치를 도시한 도 8의 8a-8a선을 따라 취한 단면도.10 is a cross-sectional view taken along line 8a-8a of FIG. 8 showing a heating apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 실시 형태에 따른 가열 장치의 사시도.11 is a perspective view of a heating apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10 : 가열 부재10: heating member

10a : 기판 가열면10a: substrate heating surface

10b : 가열 부재 이면10b: heating member back side

10c : 측면10c: side

10d : 적재면10d: loading surface

11 : 저항 발열체11: resistance heating element

12 : 급전 부재12: feeding member

13 : 절연 부재13: insulation member

14 : 가스 경로14 gas path

15 : 가스 도입 구멍15: gas introduction hole

16 : 연통 구멍16: communication hole

20 : 보조 부재20: secondary member

20a : 대향면20a: opposite side

20b : 대향 벽부 측면20b: opposite wall side

20c : 적재면20c: loading surface

20d : 보조 부재 이면20d: secondary part

30, 51 : 제1 지지 부재30, 51: first support member

40 : 베이스(臺座)40: base

50 : 제2 지지 부재50: second support member

본 발명은 가열 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heating device.

종래, 반도체 제조 공정이나 액정 제조 공정에서는, 기판을 가열하기 위해서 가열 장치가 이용되고 있다. 이러한 가열 장치로서는, 부식성 가스를 사용하는 경우가 많은 PVD(Physical Vapor Deposition) 장치나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치, 드라이 에칭 장치 등을 들 수 있다. 이러한 가열 장치의 기체에는 내부식성의 관점에서 세라믹스가 이용되는 것이 일반적이다.Conventionally, in a semiconductor manufacturing process and a liquid crystal manufacturing process, the heating apparatus is used in order to heat a board | substrate. Examples of such a heating device include a PVD (Physical Vapor Deposition) device, a CVD (Chemical Vapor Deposition) device, a dry etching device, and the like, which often use a corrosive gas. Ceramics are generally used for the gas of such a heating apparatus from the viewpoint of corrosion resistance.

이러한 반도체 제조 공정이나 액정 제조 공정에서는, 가열 장치의 기판 가열 부재에 마련된 기판 가열면에 기판이 적재되어, 기판의 외주부에 반응막이 퇴적되는 경우가 있었다. 여기서, 기판은 기판 가열면과 접착되지 않지만, 반응막은 기판 가열면과 접착되어 버리는 경우가 있었다. 이에 따라, 기판 가열면으로부터 기판을 분리할 때에, 반응막이 기판 가열면으로부터 쉽게 박리되지 않고, 반응막과 기판 가열면 사이에 발생하는 응력에 의해 반응막에 이지러짐이나 금이 생기는 경우가 있었다. 나아가서는, 기판에도 이지러짐이나 금이 생기는 경우가 있었다.In such a semiconductor manufacturing process and a liquid crystal manufacturing process, a board | substrate was mounted in the board | substrate heating surface provided in the board | substrate heating member of a heating apparatus, and the reaction film may be deposited in the outer peripheral part of a board | substrate. Here, although the board | substrate is not adhere | attached with the board | substrate heating surface, the reaction film may adhere | attach with the board | substrate heating surface. As a result, when the substrate is separated from the substrate heating surface, the reaction film is not easily peeled off from the substrate heating surface, and the reaction film may be cracked or cracked due to the stress generated between the reaction film and the substrate heating surface. Furthermore, the board | substrate and the crack may generate | occur | produce also in the board | substrate.

그래서, 기판 가열면에 가스 분출구를 복수 개 마련하고, 가스 분출구로부터 가스를 분출시킴으로써, 기판의 외주부에 반응막이 퇴적되는 것을 막는 시도가 있었다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).Thus, an attempt has been made to prevent the reaction film from depositing on the outer circumferential portion of the substrate by providing a plurality of gas ejection openings on the substrate heating surface and ejecting gas from the gas ejection openings (see Patent Document 1, for example).

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2002-93894호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-93894

그런데, 가스 분출구로부터의 가스 분출량을 증가시키면, 반응막의 퇴적을 저감할 수 있지만, 기판의 성장막의 생성 등에 영향을 미치게 되기 때문에, 가스 분출량을 안이하게 증가시킬 수는 없다. 그래서, 각 가스 분출구로부터의 가스 분출량은 반응막의 퇴적을 저감하고, 또한 성장막의 생성 등에 영향을 미치지 않는 양인 것이 바람직하다.By increasing the amount of gas blown out from the gas blower, the deposition of the reaction film can be reduced. However, since the production of the growth film of the substrate is affected, the amount of blown gas cannot be increased easily. Therefore, the gas blowing amount from each gas blowing port is preferably an amount which reduces the deposition of the reaction film and does not affect the formation of the growth film or the like.

그러나, 전술한 종래 기술에서는, 소성된 세라믹 가열 장치 내에 천공 가공으로 복수 개의 가스 경로를 형성하기 때문에, 절삭시에 세라믹의 일부가 붕괴되어 버리는 등, 가스 경로의 치수 정밀도를 높이는 것이 곤란하다. 즉, 기판 가열면 상에 분출되는 가스 분출량에 편차가 생기고 있었다.However, in the above-described prior art, since a plurality of gas paths are formed in the fired ceramic heating device by drilling, it is difficult to increase the dimensional accuracy of the gas path, such as a part of the ceramic collapses during cutting. In other words, a variation occurred in the amount of gas ejected on the substrate heating surface.

그래서, 본 발명은 기판 가열면 상에 분출되는 가스 분출량의 편차를 저감시킬 수 있고, 기판의 성장막의 생성 등에 영향을 주지 않고서 기판 가열면 상에 반응막이 퇴적되는 것을 억제할 수 있는 가열 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention provides a heating apparatus which can reduce the variation in the amount of gas ejected on the substrate heating surface, and can suppress the deposition of the reaction film on the substrate heating surface without affecting the formation of the growth film of the substrate. It aims to provide.

본 발명의 가열 장치는 기판이 적재되는 기판 가열면 및 기판 가열면의 반대측에 위치하는 가열 부재 이면을 가지며 저항 발열체가 매설된 판형의 가열 부재와, 가열 부재의 가열 부재 이면측에 배치되고 가열 부재 이면과 대향하는 대향면을 갖는 보조 부재를 포함하며, 가열 부재 이면과 대향면 사이에는 기판 가열면 상에 분출되는 가스의 경로인 면(面)형 가스 경로가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The heating apparatus of the present invention has a substrate heating surface on which a substrate is loaded and a heating member rear surface located on the opposite side of the substrate heating surface, and a plate-shaped heating member in which a resistance heating element is embedded, and a heating member disposed on the heating member rear surface side of the heating member And an auxiliary member having an opposing face opposing the rear face, wherein a faceted gas path is formed between the back face of the heating member and the opposing face, which is a path of gas ejected on the substrate heating face.

이러한 가열 장치에 따르면, 가열 부재에 가열 부재 이면이 형성되고, 보조 부재에 대향면이 형성되어 있으며, 가열 부재 이면과 대향면 사이에 면형 가스 경 로가 형성되어 있다.According to such a heating apparatus, the heating member back surface is formed in the heating member, the opposing surface is formed in the auxiliary member, and the planar gas path is formed between the heating member back surface and the opposing surface.

또한, 가열 부재 이면 및 대향면은 단순한 면 형상이기 때문에, 금형 등을 이용한 성형 및 소성에 의해 용이하게 형성할 수 있다.In addition, since the back surface and the opposing surface of the heating member have a simple planar shape, they can be easily formed by molding and baking using a mold or the like.

따라서, 종래와 같이 천공 가공에 의해 가스 경로를 형성하는 경우보다도 가열 부재 이면과 대향면 사이에 형성되는 면형 가스 경로의 치수 정밀도를 높일 수 있다.Therefore, the dimensional accuracy of the planar gas path formed between the back surface of the heating member and the opposing surface can be improved more than in the case of forming the gas path by the drilling process as in the prior art.

즉, 기판 가열면 상에 분출되는 가스 분출량의 편차를 저감시킬 수 있고, 기판의 성장막의 생성 등에 영향을 주지 않고서 기판 가열면 상에 반응막이 퇴적되는 것을 억제할 수 있다.That is, the variation of the amount of gas ejected on the substrate heating surface can be reduced, and the deposition of the reaction film on the substrate heating surface can be suppressed without affecting the formation of the growth film of the substrate or the like.

대향면은 가열 부재 이면보다도 외측으로 연장되어 있고, 대향면에는 가열 부재의 측면을 따라 배치되며, 대향면에 대하여 거의 수직 방향으로 돌출하는 연속 대향 벽부가 형성되는 것이 바람직하다.It is preferable that the opposing surface extends outward from the rear surface of the heating member, and the opposing surface is formed along the side of the heating member, and a continuous opposing wall portion protruding in a direction substantially perpendicular to the opposing surface is formed.

이것에 따르면, 가열 부재의 측면과 가열 부재의 측면을 따라 마련된 대향 벽부 사이에는 면형 가스 경로로부터 기판 가열면측으로 연통하는 가스 분출 경로가 형성되어 있다. 즉, 기판 가열면의 외주 전체에 걸쳐 가스가 분출되는 분출구가 형성된다.According to this, the gas blowing path which communicates from a planar gas path to the board | substrate heating surface side is formed between the side surface of a heating member, and the opposing wall part provided along the side surface of a heating member. That is, a blowing port through which gas is ejected is formed over the entire outer circumference of the substrate heating surface.

따라서, 기판 가열면의 외주부에 복수 개의 분출구를 마련하는 경우에 비하여 기판 가열면 상에 반응막이 퇴적되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.Therefore, the deposition of the reaction film on the substrate heating surface can be effectively suppressed as compared with the case where a plurality of jetting ports are provided in the outer peripheral portion of the substrate heating surface.

가열 부재를 가열 부재 이면측에서 지지하는 제1 지지 부재와, 대향면과 반대측에 위치하는 보조 부재의 면인 보조 부재 이면측에서 보조 부재를 지지하는 제 2 지지 부재를 구비하는 것이 바람직하다.It is preferable to provide the 1st support member which supports a heating member in the back side of a heating member, and the 2nd support member which supports an auxiliary member in the back side of the auxiliary member which is a surface of the auxiliary member located on the opposite side to the opposing surface.

보조 부재의 대향 벽부는 가열 부재의 기판 가열면보다도 낮은 면을 구비하는 것이 바람직하다.It is preferable that the opposing wall part of an auxiliary member has a surface lower than the board | substrate heating surface of a heating member.

이것에 따르면, 보조 부재의 대향 벽부 및 가열 부재는 기판 가열면의 외주에서 기판 가열면보다도 낮게 한 면에 링 등의 주변 부재를 어긋나지 않게 적재할 수 있다.According to this, the opposing wall part of a supplementary member, and a heating member can mount peripheral members, such as a ring, on the surface made lower than the board | substrate heating surface in the outer periphery of a board | substrate heating surface so that it may not shift | deviate.

가열 부재는 기판 가열면측으로부터 면형 가스 경로로 연통하는 복수 개의 연통 구멍을 가지며, 복수 개의 연통 구멍은 기판 가열면의 외주부를 따라 등간격으로 형성되는 것이 바람직하다.The heating member preferably has a plurality of communication holes communicating from the substrate heating surface side to the planar gas path, and the plurality of communication holes are formed at equal intervals along the outer circumference of the substrate heating surface.

이것에 따르면, 가열 부재가 기판 가열면으로부터 면형 가스 경로로 연통하는 복수 개의 연통 구멍을 가짐으로써, 가열 장치의 제조 공정에 있어서, 가열 부재와 보조 부재의 위치 맞춤이 용이해진다. 또한, 연통 구멍이 기판 가열면의 외주부를 따라 등간격으로 형성됨으로써, 기판 가열면 상에 반응막이 퇴적되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.According to this, since a heating member has the several communication hole which communicates with a surface gas path from a board | substrate heating surface, alignment of a heating member and an auxiliary member becomes easy in the manufacturing process of a heating apparatus. In addition, since the communication holes are formed at equal intervals along the outer periphery of the substrate heating surface, the deposition of the reaction film on the substrate heating surface can be effectively suppressed.

가열 부재를 가열 부재 이면측에서 지지하는 제1 지지 부재와, 대향면과 반대측에 위치하는 보조 부재의 면인 보조 부재 이면측에서 보조 부재를 지지하는 제2 지지 부재를 구비하고, 가열 부재 이면과 대향면 사이에는 면형 가스 경로와 연통 구멍이 합류하는 부분으로부터 가열 장치의 외측으로 연통하는 간극이 형성되며, 간극은 가스의 흐름을 규제하는 형상을 갖는 것이 바람직하다.A first supporting member for supporting the heating member on the back side of the heating member; and a second supporting member for supporting the auxiliary member on the back side of the auxiliary member, which is a surface of the auxiliary member located on the opposite side of the opposing face, and facing the back of the heating member. Between the surfaces, a gap communicating with the outside of the heating device is formed from a portion where the planar gas path and the communication hole join, and the gap preferably has a shape that regulates the flow of gas.

이것에 따르면, 가열 부재의 가열 부재 이면과 보조 부재의 대향면 사이에 형성되는 간극이 면형 가스 경로와 연통 구멍이 합류하는 부분으로부터 가열 장치의 외측으로 연통하고 있다. 즉, 가열 부재 이면과 보조 부재의 대향면은 서로 접하지 않는다.According to this, the clearance gap formed between the back surface of the heating member of the heating member, and the opposing surface of the auxiliary member communicates with the outside of the heating apparatus from the portion where the planar gas path and the communication hole join. That is, the back surface of a heating member and the opposing surface of an auxiliary member do not contact each other.

따라서, 가열 부재 이면과 보조 부재 대향면 사이에 형성되는 간극은 제1 지지 부재 및 제2 지지 부재의 치수 오차를 흡수할 수 있다.Therefore, the gap formed between the heating member back surface and the auxiliary member opposing surface can absorb the dimensional error of the first supporting member and the second supporting member.

또한, 가열 부재의 가열 부재 이면과 보조 부재의 대향면 사이에 형성되는 간극이 가스의 흐름을 규제하는 형상을 가짐으로써, 기판 가열면측에 분출되는 가스가 간극으로부터 새는 것을 억제할 수 있다.In addition, the gap formed between the back surface of the heating member of the heating member and the opposing surface of the auxiliary member has a shape that regulates the flow of gas, whereby the gas ejected to the substrate heating surface side can be prevented from leaking from the gap.

또한, 가스의 흐름을 규제하는 형상은 면형 가스 경로보다도 단면의 면적이 현저하게 작은 형상이나 크랭크 형상 등이다.In addition, the shape which regulates gas flow is a shape with a significantly smaller cross-sectional area than a planar gas path, a crank shape, or the like.

가열 부재를 가열 부재 이면측에서 지지하는 제1 지지 부재를 구비하고, 대향면 상에는 연통 구멍보다도 외측에 배치되는 연속 외주벽과, 연통 구멍보다도 내측에 배치되는 연속 내주벽이 마련되어 있고, 외주벽 및 내주벽은 대향면에 대하여 거의 수직 방향의 길이가 거의 같으며, 보조 부재는 가열 부재에 고정되는 것이 바람직하다.The first support member which supports a heating member by the heating member back surface side is provided, The continuous outer peripheral wall arrange | positioned outward from a communication hole and the continuous inner peripheral wall arrange | positioned inside a communication hole are provided on the opposing surface, The outer peripheral wall and The inner circumferential wall is almost equal in length in the direction perpendicular to the opposing face, and the auxiliary member is preferably fixed to the heating member.

이것에 따르면, 보조 부재가 가열 부재에 고정되고, 외주벽 및 내주벽의 높이가 거의 같음으로써, 가열 부재의 가열 부재 이면과 보조 부재의 대향면 사이에 형성되는 면형 가스 경로의 치수 정밀도를 높일 수 있다. 또한, 면형 가스 경로로부터 가스가 새는 것을 억제할 수 있다.According to this, the auxiliary member is fixed to the heating member, and the heights of the outer circumferential wall and the inner circumferential wall are substantially the same, so that the dimensional accuracy of the planar gas path formed between the back surface of the heating member of the heating member and the opposing surface of the auxiliary member can be improved. have. In addition, gas leakage from the planar gas path can be suppressed.

또한, 보조 부재용 지지 부재가 불필요하기 때문에, 장치의 중량이 가벼워져 서 장치의 핸들링이 쉬워진다. 또한, 베이스의 직경도 작게 할 수 있기 때문에, 베이스를 통해 장치가 부착되는 쪽의 부위를 콤팩트하게 설계할 수 있다.In addition, since the supporting member for the auxiliary member is unnecessary, the weight of the device is light and handling of the device is easy. Moreover, since the diameter of a base can also be made small, the site | part on which the apparatus is affixed through a base can be designed compactly.

보조 부재는 브레이징 또는 나사 고정에 의해 가열 부재에 고정되는 것이 바람직하다.The auxiliary member is preferably fixed to the heating member by brazing or screwing.

이것에 따르면, 간단히 보조 부재를 가열 부재에 고정할 수 있다. 또한, 나사 고정에 의해 보조 부재를 가열 부재에 고정하는 경우에는, 보조 부재로부터 가열 부재의 거리를 간단히 변경할 수 있다. 따라서, 면형 가스 경로의 가스 유량을 간단히 조정할 수 있다.According to this, the auxiliary member can be fixed simply to the heating member. In addition, when fixing the auxiliary member to the heating member by screwing, the distance of the heating member from the auxiliary member can be simply changed. Thus, the gas flow rate of the planar gas path can be easily adjusted.

연통 구멍은 기판 가열면에 대하여 거의 수직 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.It is preferable that the communication hole extends in a direction substantially perpendicular to the substrate heating surface.

연통 구멍으로부터 가스가 기판 가열면에 대하여 거의 수직으로 분출됨으로써, 반응막의 퇴적을 더욱 저감할 수 있다.Since gas is ejected from the communication hole almost perpendicularly to the substrate heating surface, deposition of the reaction film can be further reduced.

가열 부재는 가열 부재의 기판 가열면보다도 낮은 면을 기판 가열면의 외측에 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the heating member has a surface lower than the substrate heating surface of the heating member on the outside of the substrate heating surface.

이것에 따르면, 보조 부재의 대향 벽부 및 가열 부재는 기판 가열면의 외주에서 기판 가열면보다도 낮게 한 면에 링 등의 주변 부재를 적재할 수 있다.According to this, the opposing wall part of a auxiliary member and a heating member can load peripheral members, such as a ring, in the surface made lower than the substrate heating surface in the outer periphery of a substrate heating surface.

다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 설명한다. 또한, 이하의 도면의 기재에 있어서, 동일하거나 또는 유사한 부분에는 동일하거나 또는 유사한 부호를 붙이고 있다. 단, 도면은 모식적인 것으로서, 각 치수의 비율 등은 실제의 것과는 다른 것을 유의해야 한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Next, embodiment of this invention is described with reference to drawings. In addition, in description of the following drawings, the same or similar code | symbol is attached | subjected to the same or similar part. It should be noted, however, that the drawings are schematic and that the ratios of the respective dimensions are different from the actual ones.

따라서, 구체적인 치수 등은 이하의 설명을 참작하여 판단해야 할 것이다. 또한, 도면 상호간에 있어서도 서로의 치수의 관계나 비율이 다른 부분이 포함되어 있는 것은 물론이다.Therefore, specific dimensions and the like should be determined in consideration of the following description. Moreover, of course, the part from which the relationship and the ratio of a mutual dimension differ also in between drawings is contained.

[제1 실시 형태][First Embodiment]

(가열 장치)(Heater)

이하에 있어서, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 가열 장치(100)에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 가열 장치(100) 전체를 도시한 사시도이다. 가열 장치(100)는 제1 지지 부재(30)에 지지되고, 기판 가열면(10a)을 구비하는 가열 부재(10)와, 제2 지지 부재(50)에 지지되는 보조 부재(20)와, 가스가 분출되는 분출구(14h)와, 제1 지지 부재(30)와 제2 지지 부재(50)를 지지하는 베이스(40)를 구비한다. 가열 장치(100)는 기판 가열면(10a)에 적재된 기판을 가열한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the heating apparatus 100 which concerns on 1st Embodiment of this invention is demonstrated, referring drawings. 1 is a perspective view showing the entire heating apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention. The heating device 100 is supported by the first support member 30, the heating member 10 having the substrate heating surface 10a, the auxiliary member 20 supported by the second support member 50, A jet port 14h through which gas is blown out and a base 40 supporting the first support member 30 and the second support member 50 are provided. The heating apparatus 100 heats the substrate loaded on the substrate heating surface 10a.

가열 부재(10)는 기판 가열면(10a)과, 가열 부재 이면(10b)과, 측면(10c)을 갖는다. 기판 가열면(10a)에는 실리콘 기판이나 유리 기판 등의 기판이 적재된다. 기판 가열면(10a)의 표면 조도(Ra)는 0.01∼6.3 ㎛인 것이 바람직하다.The heating member 10 has a substrate heating surface 10a, a heating member rear surface 10b, and a side surface 10c. Substrates, such as a silicon substrate and a glass substrate, are mounted on the substrate heating surface 10a. It is preferable that surface roughness Ra of the board | substrate heating surface 10a is 0.01-6.3 micrometers.

가열 부재(10)는 후술하는 급전 부재(12)로부터 저항 발열체(11)에 전력이 인가됨으로써, 기판 가열면(10a)을 가열하여, 기판 가열면(10a) 위에 적재되는 기판을 가열한다. 가열 부재(10)는 원반 형상 등의 판형인 것을 이용할 수 있다. 가열 부재(10)는 세라믹스 또는 세라믹스와 금속의 복합 재료 등에 의해 구성된다. 예컨대, 가열 부재(10)는 질화알루미늄(AlN), 알루미나(Al2O3), 질화규소(SiN), 탄화규소(SiC), 사이알론(SiAlON) 등의 소결체, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 알루미늄 합금-질화알루미늄 복합재, 알루미늄 합금-SiC 복합재 등에 의해 구성할 수 있다. 가열 부재(10)에는 산화이트륨 등을 소결 조제로서 함유하게 할 수 있다. 단, 가열 부재(10)를 형성하는 전술한 주성분의 원료 이외의 성분 총량은 5% 이하인 것이 바람직하다. 가열 부재(10)는 제1 지지 부재(30)에 의해 지지된다.The electric heating member 10 heats the board | substrate heating surface 10a by applying electric power to the resistance heating body 11 from the power supply member 12 mentioned later, and heats the board | substrate mounted on the board heating surface 10a. The heating member 10 may use a plate shape such as a disk shape. The heating member 10 is comprised with ceramics or a composite material of ceramics and a metal. For example, the heating member 10 may be a sintered body such as aluminum nitride (AlN), alumina (Al 2 O 3 ), silicon nitride (SiN), silicon carbide (SiC), sialon (SiAlON), aluminum (Al), aluminum alloy, Aluminum alloy-aluminum nitride composite material, aluminum alloy-SiC composite material, etc. can be comprised. The heating member 10 can be made to contain yttrium oxide or the like as a sintering aid. However, it is preferable that the component total amount other than the raw material of the above-mentioned main component which forms the heating member 10 is 5% or less. The heating member 10 is supported by the first support member 30.

제1 지지 부재(30)는 중공 형상의 원통 등으로서, 그 관내에 급전 부재(12)를 수용한다. 제1 지지 부재(30)는 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)에 접합되어 있다. 제1 지지 부재(30)는 질화알루미늄, 질화규소, 산화알루미늄 등으로 형성된다. The first supporting member 30 is a hollow cylinder or the like and accommodates the power feeding member 12 in the tube. The first supporting member 30 is joined to the heating member rear surface 10b of the heating member 10. The first support member 30 is made of aluminum nitride, silicon nitride, aluminum oxide, or the like.

보조 부재(20)는 후술하는 대향 벽부(21)가 마련된 대향면(20a)과, 보조 부재 이면(20d)을 갖는다. 보조 부재(20)는 가열 부재(10)와 동일한 세라믹스, 세라믹스와 금속의 복합 재료 등에 의해 구성되는 것이 바람직하다.The auxiliary member 20 has an opposing surface 20a provided with an opposing wall portion 21 to be described later and an auxiliary member back surface 20d. The auxiliary member 20 is preferably made of the same ceramics as the heating member 10, a composite material of ceramics and a metal, or the like.

대향 벽부(21)는 대향면(20a) 상에 있어서의 가열 부재(10)의 외측에 마련되어 있고, 가열 부재(10)의 측면(10c)을 따라 연속적으로 형성된다. 대향 벽부(21)는 대향 벽부 측면(20b)과 적재면(20c)을 갖는다. 대향 벽부(21)는 가열 부재(10)의 측면(10c)과 대향한다. 적재면(20c)은 가열 부재(10)의 기판 가열면(10a)보다도 낮은 면이다. 보조 부재(20)는 제2 지지 부재(50)에 의해 지지된다.The opposing wall portion 21 is provided outside the heating member 10 on the opposing surface 20a and is continuously formed along the side surface 10c of the heating member 10. The opposing wall portion 21 has an opposing wall portion side surface 20b and a loading surface 20c. The opposing wall portion 21 faces the side surface 10c of the heating member 10. The mounting surface 20c is a surface lower than the substrate heating surface 10a of the heating member 10. The auxiliary member 20 is supported by the second support member 50.

제2 지지 부재(50)는 제1 지지 부재(30)와 마찬가지로 질화알루미늄, 질화규 소, 산화알루미늄 등으로 형성된다. 제2 지지 부재(50)는 보조 부재(20)의 재질과 동종으로 하는 것이 바람직하다.The second support member 50 is formed of aluminum nitride, silicon nitride, aluminum oxide, or the like like the first support member 30. It is preferable to make the 2nd support member 50 the same as the material of the auxiliary member 20. FIG.

보조 부재(20)와 제2 지지 부재(50)는 일체화 접합 또는 시일 접합 등에 의해 접합되어 있다. 또한, 시일 접합으로서는 O링, 메탈 패킹 등이 이용된다. 또한, 보조 부재(20) 및 제2 지지 부재(50)로 이루어진 형상을 일체 형성할 수도 있다.The auxiliary member 20 and the second support member 50 are joined by integral bonding, seal bonding, or the like. As the seal bonding, an O-ring, a metal packing, or the like is used. Moreover, the shape which consists of the auxiliary member 20 and the 2nd support member 50 can also be formed integrally.

제2 지지 부재(50) 및 제1 지지 부재(30)는 베이스(40)에 지지된다. 베이스(40) 및 제2 지지 부재(50), 베이스(40) 및 제1 지지 부재(30)는 나사 등으로 고정되어 있다. 베이스(40)와의 접합부는 O링 등에 의해 시일 구조로 한다. 또한, 베이스(40)는 예컨대 알루미늄, SUS, Ni 등의 금속으로 형성된다.The second support member 50 and the first support member 30 are supported by the base 40. The base 40, the second support member 50, the base 40 and the first support member 30 are fixed with screws or the like. The joint with the base 40 has a seal structure by an O-ring or the like. In addition, the base 40 is made of metal such as aluminum, SUS, or Ni.

가스 경로(14)는 전술한 가열 부재(10)와 보조 부재(20) 사이에 형성된다.The gas path 14 is formed between the heating member 10 and the auxiliary member 20 described above.

구체적으로는 가스 경로(14)는 면형 가스 경로(14a)와, 면형 가스 경로(14a)로 연통하는 가스 분출 경로(14b)에 의해 형성된다.Specifically, the gas path 14 is formed by the planar gas path 14a and the gas ejection path 14b communicating with the planar gas path 14a.

면형 가스 경로(14a)는 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a) 사이에 형성된다.The planar gas path 14a is formed between the heating member rear surface 10b of the heating member 10 and the opposing surface 20a of the auxiliary member 20.

가스 분출 경로(14b)는 가열 부재(10)의 측면(10c)과 대향 벽부(21) 사이에 형성된다. 가스 분출 경로(14b)는 면형 가스 경로(14a)로부터 기판 가열면(10a)측으로 연통한다. 이러한 가스 경로(14)에 의해 기판 가열면(10a)의 외주 전체에 걸쳐 가스가 분출되는 분출구(14h)가 형성된다. 가스 경로(14)의 폭인 경로 폭(14W)은 가열 부재(10)의 측면(10c)에서부터 대향 벽부(21)까지의 거리이다.The gas blowing path 14b is formed between the side surface 10c of the heating member 10 and the opposing wall portion 21. The gas blowing path 14b communicates with the substrate heating surface 10a side from the planar gas path 14a. The gas path 14 forms a jet port 14h through which gas is blown out over the entire outer periphery of the substrate heating surface 10a. The path width 14W, which is the width of the gas path 14, is the distance from the side surface 10c of the heating member 10 to the opposing wall portion 21.

이하에 있어서, 전술한 가스 경로(14)에 대해서 더 설명한다.Below, the gas path 14 mentioned above is further demonstrated.

도 2는 도 1의 분해도의 일부를 도시한다.FIG. 2 shows a part of the exploded view of FIG. 1.

도 2에 도시된 바와 같이, 보조 부재(20)는 제1 지지 부재(30)가 지나는 구멍이 형성되며, 제2 지지 부재(50)에 지지된다. 또한, 가열 부재(10)는 제1 지지 부재(30)에 지지된다. 제1 지지 부재(30)와 가열 부재(10)의 접속면은 보조 부재(20)의 대향면(20a)보다도 높은 위치에 있음으로써, 면형 가스 경로(14a)가 형성된다.As shown in FIG. 2, the auxiliary member 20 has a hole through which the first supporting member 30 passes, and is supported by the second supporting member 50. In addition, the heating member 10 is supported by the first support member 30. The connection surface of the 1st support member 30 and the heating member 10 exists in the position higher than the opposing surface 20a of the auxiliary member 20, and the planar gas path 14a is formed.

보조 부재(20)의 대향면(20a)은 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과 대향한다. 또한, 대향면(20a)은 가열 부재 이면(10b)보다도 외측으로 연장되어 있다.The opposing surface 20a of the auxiliary member 20 opposes the heating member rear surface 10b of the heating member 10. In addition, the opposing surface 20a extends outward from the heating member rear surface 10b.

대향 벽부(21)는 대향면(20a)의 외주를 따라 연속적으로 형성된다. 이에 따라, 가열 부재(10)의 측면(10c)과 대향 벽부(21) 사이에서 가스 분출 경로(14b)를 형성할 수 있다.The opposing wall portion 21 is continuously formed along the outer periphery of the opposing surface 20a. Thereby, the gas blowing path 14b can be formed between the side surface 10c of the heating member 10 and the opposing wall part 21.

도 3은 도 1의 1a-1a선을 따라 취한 단면도를 나타낸다. 도 3에 도시된 바와 같이, 베이스(40)로부터의 제1 지지 부재(30)와 제2 지지 부재(50)의 길이 관계에 의해 대향면(20a)에서부터 가열 부재 이면(10b)까지의 거리인 면형 가스 경로(14a)의 폭이 결정된다. 또한, 가열 부재(10)는 내부에 저항 발열체(11)를 매설하고, 급전 부재(12)를 삽입하기 위한 구멍을 갖는다.3 is a cross-sectional view taken along line 1a-1a of FIG. 1. As shown in FIG. 3, the distance from the opposing surface 20a to the heating member rear surface 10b is determined by the relationship between the length of the first supporting member 30 and the second supporting member 50 from the base 40. The width of the planar gas path 14a is determined. In addition, the heating member 10 embeds the resistance heating element 11 therein and has a hole for inserting the power feeding member 12.

저항 발열체(11)는 가열 부재(10) 내부에 매설되어 있다. 저항 발열체(11)는 니오븀, 몰리브덴, 텅스텐 등을 이용할 수 있다. 저항 발열체(11)는 선형, 코일형, 띠 형상, 메쉬 형상, 막 형상 등의 것을 이용할 수 있다.The resistance heating element 11 is embedded in the heating member 10. The resistance heating element 11 may be made of niobium, molybdenum, tungsten, or the like. The resistance heating element 11 may be a linear, coiled, strip, mesh, film or the like.

제1 지지 부재(30)는 중공 형상의 원통 등으로서, 그 관내에 급전 부재(12) 를 수용한다.The first supporting member 30 is a hollow cylinder or the like and accommodates the power feeding member 12 in the tube.

급전 부재(12)는 저항 발열체(11)에 전력을 공급한다. 급전 부재(12)는 저항 발열체(11)와 접속되어 있다. 급전 부재(12)는 Ni, Al, Cu, 합금 등으로 형성된다. 급전 부재(12)의 형상은 로드, 원기둥, 케이블, 판, 끈 형상의 직물, 원통 형상 등이다. 급전 부재(12)는 저항 발열체(11)와 브레이징 접합, 용접, 공정(共晶) 접합, 코오킹, 끼워 맞춤, 나사 고정 등으로 접속되어 있다. 급전 부재(12)는 절연 부재(13)로 덮여 있다. 절연 부재(13)는 예컨대 세라믹스에 의해 형성됨으로써, 절연성, 단열성을 가질 수 있다.The power supply member 12 supplies electric power to the resistance heating element 11. The power supply member 12 is connected to the resistance heating element 11. The power feeding member 12 is made of Ni, Al, Cu, an alloy, or the like. The shape of the power feeding member 12 is a rod, a cylinder, a cable, a plate, a string-shaped fabric, a cylindrical shape, or the like. The power feeding member 12 is connected to the resistance heating element 11 by brazing bonding, welding, eutectic bonding, caulking, fitting, screwing, or the like. The power feeding member 12 is covered with the insulating member 13. The insulating member 13 is formed of ceramics, for example, and may have insulation and heat insulation.

베이스(40)는 가스 도입 구멍(15)을 구비한다. 이에 따라, 가스는 가스 도입 구멍(15)으로부터 공급되고, 제2 지지 부재(50)와 제1 지지 부재(30) 사이의 공간을 지나며, 가스 경로(14)를 지나 기판 가열면(10a)을 따르는 경로가 형성된다.The base 40 has a gas introduction hole 15. Accordingly, the gas is supplied from the gas introduction hole 15, passes through the space between the second support member 50 and the first support member 30, and passes the gas path 14 through the substrate heating surface 10a. A path that follows is formed.

또한, 가스는 공지의 가스, 예컨대 질소, 헬륨, 아르곤, 헬륨과 아르곤의 혼합 가스 등을 1 atm, 0℃로 환산하여 0.5∼20 ℓ/min로 흐르게 하는 것이 바람직하다. 이러한 가열 장치(100)에 따르면, 가열 장치(100)는 가열 부재(10)에 가열 부재 이면(10b)이 형성되고, 보조 부재(20)에 대향면(20a)이 형성되어 있으며, 가열 부재 이면(10b)과 대향면(20a) 사이에 면형 가스 경로(14a)가 형성되어 있다.In addition, the gas is preferably a known gas, such as nitrogen, helium, argon, a mixed gas of helium and argon, and the like at 1 atm and 0 ° C. to flow at 0.5 to 20 L / min. According to the heating device 100, the heating device 100 has a heating member back surface 10b formed on the heating member 10, an opposing surface 20a formed on the auxiliary member 20, and a heating member back surface. The planar gas path 14a is formed between 10b and the opposing surface 20a.

전술한 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 가열 장치(100)에 의하면, 가열 부재 이면(10b) 및 대향면(20a)은 단순한 면 형상이기 때문에, 금형 등을 이용한 성형 및 소성에 의해 용이하게 형성할 수 있다.According to the heating apparatus 100 which concerns on 1st Embodiment of this invention mentioned above, since the heating member back surface 10b and the opposing surface 20a are simple surface shapes, they are easily formed by shaping | molding and baking using a metal mold | die etc. can do.

따라서, 종래와 같이 천공 가공에 의해 가스 경로(14)를 형성하는 경우보다 도 가열 부재 이면(10b)과 대향면(20a) 사이에 형성되는 면형 가스 경로(14a)의 치수 정밀도를 높일 수 있다.Therefore, the dimensional accuracy of the planar gas path 14a formed between the heating member back surface 10b and the opposing surface 20a can be improved more than in the case of forming the gas path 14 by the drilling process conventionally.

즉, 기판 가열면(10a) 상에 분출되는 가스 분출량의 편차를 저감시킬 수 있고, 기판의 성장막의 생성 등에 영향을 주지 않고서 기판 가열면(10a) 상에 반응막이 퇴적되는 것을 억제할 수 있다.That is, the variation of the amount of gas ejected on the substrate heating surface 10a can be reduced, and the deposition of the reaction film on the substrate heating surface 10a can be suppressed without affecting the formation of the growth film of the substrate or the like. .

또한, 기판 가열면(10a)의 외주 전체에 걸쳐 가스가 분출되는 분출구(14h)가 형성됨으로써, 기판 가열면(10a)의 외주부에 복수 개의 분출구를 설치하는 경우에 비하여 기판 가열면 상에 반응막이 퇴적되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.In addition, by forming the ejection opening 14h through which the gas is ejected over the entire outer periphery of the substrate heating surface 10a, the reaction film is formed on the substrate heating surface as compared with the case where a plurality of ejection openings are provided in the outer peripheral portion of the substrate heating surface 10a. The deposition can be effectively suppressed.

보조 부재(20)의 대향 벽부(21)는 기판 가열면(10a)의 외주에 기판 가열면(10a)보다도 낮게 한 적재면(20c)을 구비함으로써, 기판 가열면(10a)의 외주에 링 등의 주변 부재를 적재할 수 있다.The opposing wall portion 21 of the auxiliary member 20 has a mounting surface 20c lower than the substrate heating surface 10a on the outer circumference of the substrate heating surface 10a, thereby providing a ring or the like on the outer circumference of the substrate heating surface 10a. The peripheral member of can be loaded.

보조 부재(20)는 가열 부재(10)와 동일한 세라믹스, 세라믹스와 금속의 복합재료 등에 의해 구성됨으로써, 가열 장치(100)를 고온 처리했을 때의 열수축 거동을 동일하게 할 수 있다.The auxiliary member 20 is made of the same ceramics as that of the heating member 10, a composite material of ceramics and a metal, and the like, so that the heat shrinkage behavior when the heating apparatus 100 is subjected to high temperature treatment can be made the same.

기판 가열면(10a)의 표면 조도(Ra)는 0.01∼6.3 ㎛임으로써, 기판 가열면(10a)과 기판을 적절히 접촉시켜 기판 온도를 균일하게 유지할 수 있다.Since the surface roughness Ra of the board | substrate heating surface 10a is 0.01-6.3 micrometers, the board | substrate heating surface 10a and a board | substrate can be contacted appropriately, and board | substrate temperature can be maintained uniformly.

제1 지지 부재(30)는 가열 부재(10)의 재질과 동종으로 함으로써, 가열 부재(10)와 제1 지지 부재(30)의 접합 부분에 있어서, 열팽창계수차 등에 기인하는 열응력이 발생하는 것을 방지할 수 있어, 강고하게 제1 지지 부재(30)를 접합할 수 있다.Since the first support member 30 is the same as the material of the heating member 10, thermal stress due to thermal expansion coefficient aberration or the like occurs in the joint portion of the heating member 10 and the first support member 30. Can be prevented, and the 1st support member 30 can be joined firmly.

제2 지지 부재(50)는 보조 부재(20)의 재질과 동종으로 함으로써, 보조 부재(20)와 제2 지지 부재(50)의 접합 부분에 있어서, 열팽창계수차 등에 기인하는 열응력이 발생하는 것을 방지할 수 있어, 강고하게 제2 지지 부재(50)를 접합할 수 있다.Since the second supporting member 50 is the same as the material of the auxiliary member 20, thermal stress due to thermal expansion coefficient aberration or the like occurs in the joint portion of the auxiliary member 20 and the second supporting member 50. Can be prevented, and the 2nd support member 50 can be joined firmly.

(가열 장치의 제조 방법)(Manufacturing method of a heating device)

이러한 가열 장치(100)는 저항 발열체(11)를 갖는 가열 부재(10)를 형성하는 공정과, 보조 부재(20)를 형성하는 공정과, 가열 부재(10)와, 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과, 보조 부재(20)의 대향면(20a) 사이에 가스 경로(14)를 형성하는 공정에 따라 제조할 수 있다.The heating device 100 includes a step of forming a heating member 10 having a resistance heating element 11, a step of forming an auxiliary member 20, a heating member 10, and heating of the heating member 10. It can manufacture according to the process of forming the gas path 14 between the member back surface 10b and the opposing surface 20a of the auxiliary member 20.

우선, 가열 부재(10)를 이하와 같이 제작한다. 가열 부재(10)의 세라믹스 원료 분말에 바인더, 필요에 따라, 유기 용제, 분산제 등을 첨가하여 혼합하여 슬러리를 제작한다. 세라믹스 원료 분말은 주성분이 되는 세라믹스 분말과, 소결 조제와 바인더를 함유할 수 있다. 예컨대, 질화알루미늄 분말을 주성분으로 하고, 산화이트륨 분말 등을 소결 조제로서 첨가한다. 단, 주성분의 원료 이외의 성분 총량은 5% 이하인 것이 바람직하다. 세라믹 원료 분말을 볼밀 등에 의해 혼합한다.First, the heating member 10 is produced as follows. A binder and, if necessary, an organic solvent, a dispersant, and the like are added to the ceramic raw material powder of the heating member 10 and mixed to prepare a slurry. The ceramic raw material powder may contain a ceramic powder as a main component, a sintering aid and a binder. For example, aluminum nitride powder is used as a main component, and yttrium oxide powder or the like is added as a sintering aid. However, it is preferable that the component total amount other than the raw material of a main component is 5% or less. The ceramic raw material powder is mixed by a ball mill or the like.

얻어진 슬러리를 분무 조립(spray granulation)법 등에 의해 조립(造粒)하여 조립 과립을 얻는다. 얻어진 조립 과립을 금형 성형법, CIP(Cold Isostatic Pressing)법, 슬립 캐스트법 등의 성형 방법에 의해 성형한다.The resulting slurry is granulated by spray granulation or the like to obtain granulated granules. The granulated granules obtained are molded by a molding method such as a mold molding method, a CIP (Cold Isostatic Pressing) method, or a slip cast method.

다음에 성형체 상에 저항 발열체(11)를 형성한다. 예컨대, 고융점 재료의 분말을 함유하는 인쇄 페이스트를 조정하고, 성형체에 스크린 인쇄법 등에 의해 소정 의 패턴 형상이 되도록 인쇄하여 저항 발열체(11)를 형성한다. 이 경우, 인쇄 페이스트에 가열 부재(10)의 세라믹스 원료 분말을 혼합하는 것이 바람직하다. 이것에 따르면, 저항 발열체(11)와 가열 부재(10)의 열팽창계수를 근사하게 할 수 있어, 밀착성을 향상시킬 수 있다.Next, the resistance heating element 11 is formed on the molded body. For example, the printing paste containing the powder of the high melting point material is adjusted, and the molded body is printed so as to have a predetermined pattern shape by a screen printing method or the like to form the resistance heating element 11. In this case, it is preferable to mix the ceramic raw material powder of the heating member 10 with a printing paste. According to this, the thermal expansion coefficient of the resistance heating body 11 and the heating member 10 can be approximated, and adhesiveness can be improved.

저항 발열체(11)가 형성된 성형체 상에 동일하게 하여 얻은 성형체를 적층하여 일체적으로 소성한다. 예컨대, 금형 등에 저항 발열체(11)가 형성된 성형체를 세팅한다. 저항 발열체(11) 및 성형체 상에 성형체 제작시와 동일하게 하여 준비한 조립 과립을 충전하고, 성형과 그 적층을 동시에 행한다.The molded bodies obtained in the same way are laminated on the molded body in which the resistance heating body 11 is formed, and are fired integrally. For example, a molded body in which the resistance heating element 11 is formed is set in a mold or the like. The granulated granules prepared in the same manner as in the production of the molded body are filled on the resistance heating element 11 and the molded body, and molding and lamination are performed simultaneously.

그리고, 저항 발열체(11)를 매설한 성형체를 핫 프레스법이나 상압 소결법 등의 소성 방법에 의해 일체로 성형하여 일체 소결체의 가열 부재(10)를 제작한다. 예컨대, 얻어진 성형체를 세라믹스의 종류에 따른 분위기, 소성 온도, 소성 시간, 소성 방법에 의해 소성할 수 있다. 예컨대, 세라믹스 원료 분말로서 질화알루미늄 분말을 사용한 경우에는 핫 프레스법을 이용하여 질소 가스나 아르곤 가스 등의 불활성 가스 분위기 중, 1700∼2200℃에서 약 1∼10시간 유지함으로써 소성할 수 있다. 소성 중에 가하는 압력은 20∼1000 kgf/㎠로 할 수 있다. 이것에 따르면, 가열 부재(10)와 저항 발열체(11)와의 밀착성을 양호하게 할 수 있다. 소성 온도는 1750∼2050℃인 것이 바람직하고, 압력은 50∼200 kgf/㎠인 것이 바람직하다.And the molded object which embedded the resistance heating body 11 is integrally shape | molded by baking methods, such as a hot press method and an atmospheric pressure sintering method, and the heating member 10 of an integral sintered compact is produced. For example, the obtained molded object can be baked by the atmosphere according to the kind of ceramics, baking temperature, baking time, and baking method. For example, when aluminum nitride powder is used as the ceramic raw material powder, it can be fired by holding at 1700 to 2200 ° C for about 1 to 10 hours in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas or argon gas using a hot press method. The pressure applied during firing can be 20 to 1000 kgf / cm 2. According to this, the adhesiveness of the heating member 10 and the resistance heating body 11 can be made favorable. It is preferable that baking temperature is 1750-2050 degreeC, and it is preferable that pressure is 50-200 kgf / cm <2>.

마지막으로 얻어진 가열 부재(10)에 기판 가열면(10a)의 평탄화 가공이나 저항 발열체(11)에 급전 부재(12)를 접속하기 위한 급전 부재(12)용 구멍의 천공 가공을 행하여 저항 발열체(11)의 일부를 미리 노출시킨다.Finally, the heating member 10 is subjected to the flattening of the substrate heating surface 10a and the hole for the power feeding member 12 for connecting the power feeding member 12 to the resistance heating element 11 to be drilled. Part of).

다음에, 보조 부재(20)를 가열 부재(10)와 동일하게 하여 제작한다. 또한, 성형체를 제작할 때에, 제1 지지 부재(30)가 지나는 구멍과, 가열 부재(10)의 외측에 대향 벽부(21)와, 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)보다도 외측으로 연장되어 있는 대향면(20a)을 갖도록 형성한다. 대향 벽부(21)의 외주부에 가열 부재(10)의 기판 가열면(10a)보다도 낮게 되도록 한 적재면(20c)을 형성하는 것이 바람직하다. 적재면(20c)은 금형으로 성형하는 것 이외에 소성 후에 연삭 가공 등을 이용하여 형성할 수 있다.Next, the auxiliary member 20 is produced in the same manner as the heating member 10. Moreover, when manufacturing a molded object, it extends outward from the hole through which the 1st support member 30 passes, the opposing wall part 21 in the outer side of the heating member 10, and the heating member back surface 10b of the heating member 10. FIG. It is formed to have an opposing surface 20a. It is preferable to form the mounting surface 20c so that the outer peripheral part of the opposing wall part 21 may become lower than the substrate heating surface 10a of the heating member 10. The loading surface 20c can be formed by grinding or the like after firing in addition to molding into a mold.

이러한 가열 부재(10) 및 보조 부재(20)의 제작과 병행하여 제1 지지 부재(30) 및 제2 지지 부재(50)를 제작한다. 제1 지지 부재(30)는 가열 부재(10)를 제작한 경우와 마찬가지로 하여 조립 과립을 준비하고, 관상의 성형체를 제작하며, 얻어진 성형체를 예컨대 질소 가스 속에서 상압 소성함으로써 제작할 수 있다. 제1 지지 부재(30)는 가열 부재(10)의 제작에 이용한 세라믹스 원료 분말과 동일한 재질의 원료 분말을 사용하여 제작하는 것이 바람직하다.The first support member 30 and the second support member 50 are produced in parallel with the preparation of the heating member 10 and the auxiliary member 20. The first support member 30 can be produced by preparing granulated granules in the same manner as in the case of producing the heating member 10, producing a tubular molded body, and by heating the obtained molded body in, for example, atmospheric pressure in nitrogen gas. It is preferable to produce the 1st support member 30 using the raw material powder of the same material as the ceramic raw material powder used for manufacture of the heating member 10. FIG.

제2 지지 부재(50)는 보조 부재(20)를 제작한 경우와 마찬가지로 하여 조립 과립을 준비하고, 관상의 성형체를 정수압(靜水庄) 프레스법 등으로 제작하며, 얻어진 성형체를 예컨대 질소 가스 속에서 상압 소성법에 의해 제작할 수 있다. 제2 지지 부재(50)는 보조 부재(20)의 제작에 이용한 세라믹스 원료 분말과 동일한 재질의 원료 분말을 사용하여 제작하는 것이 바람직하다.The second supporting member 50 prepares granulated granules in the same manner as in the case of producing the auxiliary member 20, and forms the tubular molded body by the hydrostatic press method or the like, and the obtained molded body is, for example, in nitrogen gas. It can be produced by the atmospheric pressure baking method. It is preferable to manufacture the 2nd support member 50 using the raw material powder of the same material as the ceramic raw material powder used for manufacture of the auxiliary member 20. FIG.

다음에, 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과 제1 지지 부재(30)를 예컨대 코오킹, 용접, 브레이징, 솔더링 등으로 접합한다. 구체적으로는 가열 부재(10) 의 접합면 또는 제1 지지 부재(30)의 접합면 중 적어도 하나에 가열 부재(10)나 제1 지지 부재(30)의 재질에 따른 접합제를 도포한다. 그리고, 가열 부재(10)와 제1 지지 부재(30)의 접합면 끼리를 접합시켜, 가열 부재(10)나 제1 지지 부재(30)의 재질에 따른 분위기, 온도에서 열처리를 행함으로써, 접합할 수 있다. 이 때, 접합면과 수직인 방향에서 가열 부재(10)와 제1 지지 부재(30)를 꽉 누르도록 가압하여도 좋다.Next, the heating member rear surface 10b of the heating member 10 and the 1st support member 30 are joined by caulking, welding, brazing, soldering, etc., for example. Specifically, a bonding agent according to the material of the heating member 10 or the first supporting member 30 is applied to at least one of the bonding surface of the heating member 10 or the bonding surface of the first supporting member 30. Then, the joint surfaces of the heating member 10 and the first support member 30 are bonded to each other and the heat treatment is performed in an atmosphere and a temperature corresponding to the material of the heating member 10 or the first support member 30. can do. At this time, you may pressurize the heating member 10 and the 1st support member 30 in the direction perpendicular | vertical to a joining surface.

가열 부재(10) 및 제1 지지 부재(30)가 질화알루미늄 소결체인 경우, 접합제로서 희토류 화합물 등을 도포하고, 질소 가스나 아르곤 가스 등의 불활성 가스 분위기 속에서 1500∼2000℃에서 1∼10시간 유지함으로써 접합을 행한다.When the heating member 10 and the 1st support member 30 are aluminum nitride sintered compacts, a rare earth compound etc. are apply | coated as a bonding agent, and it is 1-10 at 1500-2000 degreeC in inert gas atmosphere, such as nitrogen gas and argon gas. Bonding is performed by maintaining time.

보조 부재(20)와 제2 지지 부재(50)를, 가열 부재 하면(10b)과 제1 지지 부재(30)를 접합하는 것과 마찬가지로 접합한다.The auxiliary member 20 and the second support member 50 are joined in a manner similar to that of the heating member lower surface 10b and the first support member 30.

다음에, 제1 지지 부재(30) 및 제2 지지 부재(50)를 베이스(40)에 나사 등을 이용하여 고정한다. 이 때, 보조 부재(20)와 가열 부재(10) 사이에 가스 경로(14)가 형성되도록 고정한다. 베이스(40)와의 접합부는 O링 등에 의해 시일 구조로 한다. 베이스(40)에는 급전 부재(12)를 통과시키기 위한 관통 구멍 및 가스 경로(14)에 가스를 흐르게 하기 위한 가스 도입 구멍(15)을 미리 천공 가공 등으로 형성한다.Next, the first support member 30 and the second support member 50 are fixed to the base 40 using screws or the like. At this time, the gas path 14 is fixed between the auxiliary member 20 and the heating member 10. The joint with the base 40 has a seal structure by an O-ring or the like. In the base 40, a through hole for passing the power feeding member 12 and a gas introduction hole 15 for flowing a gas in the gas path 14 are formed in advance by drilling or the like.

전술한 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 가열 장치(100)의 제조 방법에 의하면, 저항 발열체(11)를 갖는 가열 부재(10)를 형성하는 공정과, 보조 부재(20)를 형성하는 공정을 포함함으로써, 가열 부재(10)와 보조 부재(20)를 따로따로 형성할 수 있다. 가열 부재(10) 및 보조 부재(20)는 단순한 면에 의해 구성되고, 금형 등을 이용하여 형성할 수 있으므로 용이하게 형성할 수 있다.According to the manufacturing method of the heating apparatus 100 which concerns on 1st Embodiment of this invention mentioned above, the process of forming the heating member 10 which has the resistance heating body 11, and the process of forming the auxiliary member 20 are By including it, the heating member 10 and the auxiliary member 20 can be formed separately. Since the heating member 10 and the auxiliary member 20 are comprised by the simple surface and can be formed using a metal mold | die etc., it can form easily.

또한, 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a) 사이에 가스 경로(14)를 형성하는 공정을 포함함으로써, 종래와 같이 천공 가공에 의해 가스 경로(14)를 형성하는 경우보다도 가열 부재 이면(10b)과 대향면(20a) 사이에 형성되는 면형 가스 경로(14a)의 치수 정밀도를 높일 수 있다.Furthermore, by including the process of forming the gas path 14 between the heating member back surface 10b of the heating member 10 and the opposing surface 20a of the auxiliary member 20, the gas path | route by a drilling process like a conventional method is carried out. The dimensional accuracy of the planar gas path 14a formed between the heating member back surface 10b and the opposing surface 20a can be improved more than in the case of forming (14).

즉, 기판 가열면(10a) 상에 분출되는 가스 분출량의 편차를 저감시킬 수 있고, 기판의 성장막의 생성 등에 영향을 주지 않고서 기판 가열면(10a) 상에 반응막이 퇴적되는 것을 억제할 수 있는 가열 장치(100)를 제조할 수 있다.That is, the variation of the amount of gas ejected on the substrate heating surface 10a can be reduced, and the deposition of the reaction film on the substrate heating surface 10a can be suppressed without affecting the formation of the growth film of the substrate or the like. The heating device 100 can be manufactured.

[제2 실시 형태]Second Embodiment

(가열 장치)(Heater)

이하에 있어서 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 가열 장치(100)에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이하에 있어서는, 전술한 제1 실시 형태와의 차이점을 주로 설명한다.Hereinafter, the heating apparatus 100 which concerns on 2nd Embodiment of this invention is demonstrated, referring drawings. In the following, differences from the first embodiment described above are mainly described.

구체적으로는, 제1 실시 형태에서는, 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)보다도 외측으로 연장되어 있는 대향면(20a)을 갖는 보조 부재(20)를 이용하고 있다. 가열 부재(10)의 측면(10c)을 따라 연속적으로 배치되고, 대향면(20a)에 대하여 거의 수직 방향으로 돌출하는 대향 벽부(21)를 형성함으로써, 측면(10c)과 대향 벽부(21) 사이에는 면형 가스 경로(14a)로부터 기판 가열면(10a)으로 연통하는 가스 분출 경로(14b)가 형성되어 있다.Specifically, in 1st Embodiment, the auxiliary member 20 which has the opposing surface 20a extended outward from the heating member back surface 10b of the heating member 10 is used. Between the side face 10c and the opposing wall part 21 by forming the opposing wall part 21 which is continuously arrange | positioned along the side surface 10c of the heating member 10, and protrudes in the substantially perpendicular direction with respect to the opposing surface 20a. The gas ejection path 14b which communicates from the planar gas path 14a to the board | substrate heating surface 10a is formed.

이에 반하여, 제2 실시 형태에서는, 가열 부재(10)에 면형 가스 경로(14a)로부터 기판 가열면(10a)으로 연통하는 연통 구멍(14c)이 형성되어 있다.In contrast, in the second embodiment, a communication hole 14c communicating with the substrate heating surface 10a from the planar gas path 14a is formed in the heating member 10.

도 4는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 가열 장치(100)의 전체를 도시한 사시도이다. 또한, 저항 발열체(11), 급전 부재(12), 절연 부재(13), 제1 지지 부재(30), 베이스(40), 제2 지지 부재(50)에 대해서는 제1 실시 형태와 동일하기 때문에 여기서는 설명을 생략한다. 마찬가지로, 제1 지지 부재(30) 및 제2 지지 부재(50)의 형상, 재료 등은 제1 실시 형태와 동일하기 때문에 여기서는 설명을 생략한다.4 is a perspective view showing the entire heating apparatus 100 according to the second embodiment of the present invention. In addition, since it is the same as that of 1st Embodiment about the resistance heating element 11, the power feeding member 12, the insulating member 13, the 1st support member 30, the base 40, and the 2nd support member 50. FIG. The description is omitted here. Similarly, since the shape, material, etc. of the 1st support member 30 and the 2nd support member 50 are the same as 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted here.

도 4에 도시된 바와 같이, 제2 실시 형태에 따른 가열 장치(100)는 기판 가열면(10a)을 구비하는 가열 부재(10)와, 보조 부재(20)와, 분출구(14h)와, 제1 지지 부재(30)와, 제2 지지 부재(50)를 구비한다. 제1 지지 부재(30) 및 제2 지지 부재(50)는 베이스(40)에 고정된다.As shown in FIG. 4, the heating device 100 according to the second embodiment includes a heating member 10 having a substrate heating surface 10a, an auxiliary member 20, a blower outlet 14h, The 1st support member 30 and the 2nd support member 50 are provided. The first support member 30 and the second support member 50 are fixed to the base 40.

보조 부재(20)는 대향면(20a)의 외주부로부터 대향면(20a)에 대하여 거의 수직 방향으로 돌출하는 외주벽(22)을 구비한다. 가열 부재(10)는 외주벽(22)의 외주벽 두께(22w)의 거리보다도 큰 폭을 갖는 홈(17)을 구비한다. 이 외주벽(22) 및 홈(17)에 대해서는 도 7에서 후술한다.The auxiliary member 20 has an outer circumferential wall 22 projecting from the outer circumferential portion of the opposing face 20a in a direction substantially perpendicular to the opposing face 20a. The heating member 10 has a groove 17 having a width larger than the distance of the outer circumferential wall thickness 22w of the outer circumferential wall 22. This outer circumferential wall 22 and the groove 17 will be described later with reference to FIG. 7.

가열 부재(10)는 내부에 저항 발열체(11)와, 기판 가열면(10a)과, 가열 부재 이면(10b)을 구비한다. 또한, 가열 부재(10)는 복수 개의 연통 구멍(14c)을 형성하고, 적재면(10d)을 구비한다. 가열 부재 이면(10b)에는 홈 폭(17w)을 갖는 홈(17)이 형성된다. 적재면(10d)은 가열 부재(10)의 기판 가열면(10a)보다도 낮은 면이 다.The heating member 10 includes a resistance heating element 11, a substrate heating surface 10a, and a heating member rear surface 10b therein. In addition, the heating member 10 forms a plurality of communication holes 14c and includes a mounting surface 10d. A groove 17 having a groove width 17w is formed in the heating member rear surface 10b. The mounting surface 10d is a surface lower than the substrate heating surface 10a of the heating member 10.

보조 부재(20)는 대향면(20a)의 외주부로부터 대향면(20a)에 대하여 거의 수직 방향으로 돌출하는 대향 벽부(21)를 구비한다. 대향면(20a)은 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과 대향한다.The auxiliary member 20 has an opposing wall portion 21 protruding from the outer peripheral portion of the opposing face 20a in a direction substantially perpendicular to the opposing face 20a. The opposing surface 20a opposes the heating member rear surface 10b of the heating member 10.

가스 경로(14)는 면형 가스 경로(14a)와, 이 면형 가스 경로(14a)로 연통하는 연통 구멍(14c)에 의해 형성된다.The gas path 14 is formed by the planar gas path 14a and the communication hole 14c which communicates with this planar gas path 14a.

면형 가스 경로(14a)는 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a)에 의해 형성된다.The planar gas path 14a is formed by the heating member rear surface 10b of the heating member 10 and the opposing surface 20a of the auxiliary member 20.

연통 구멍(14c)은 분출구(14h)로부터 가스를 분출한다. 연통 구멍(14c)은 기판 가열면(10a)으로부터 면형 가스 경로(14a)로 연통한다. 연통 구멍(14c)은 기판 가열면(10a)의 외주부에 등간격으로 복수 개 형성되는 것이 바람직하다. 연통 구멍(14c)은 기판 가열면(10a)에 대하여 거의 수직 방향으로 연장되는 형상인 것이 바람직하다.The communication hole 14c blows out gas from the blowing port 14h. The communication hole 14c communicates with the planar gas path 14a from the substrate heating surface 10a. It is preferable that a plurality of communication holes 14c are formed in the outer peripheral portion of the substrate heating surface 10a at equal intervals. It is preferable that the communication hole 14c is a shape extended in the substantially perpendicular direction with respect to the board | substrate heating surface 10a.

도 5는 도 4의 분해도의 일부를 도시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 가열 부재(10)는 제1 지지 부재(30)에 의해 지지된다. 또한, 보조 부재(20)는 제1 지지 부재(30)가 지나는 구멍이 형성되며, 제2 지지 부재(50)에 의해 지지된다.FIG. 5 shows a part of the exploded view of FIG. 4. As shown in FIG. 4, the heating member 10 is supported by the first support member 30. In addition, the auxiliary member 20 is formed with a hole through which the first supporting member 30 passes, and is supported by the second supporting member 50.

도 6은 도 4의 4a-4a선을 따라 취한 단면도를 도시한다.6 illustrates a cross-sectional view taken along line 4a-4a of FIG. 4.

가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a) 사이에는 면형 가스 경로(14a)와 연통 구멍(14c)이 합류하는 부분으로부터 가열 장치(100)의 외측으로 연통하고, 가스의 흐름을 규제하는 형상을 갖는 간극이 형성되 는 것이 바람직하다. 가스의 흐름을 규제하는 형상은 면형 가스 경로(14a)보다도 단면의 면적이 현저하게 작은 형상이나 크랭크 형상 등이다. 그 구체적인 예가 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)에 형성되는 홈(17)과, 보조 부재(20)의 대향면(20a)에 형성되는 외주벽(22)에 의해 형성되는 크랭크 형상이다.The outside of the heating apparatus 100 from the part where the planar gas path 14a and the communication hole 14c join between the heating member back surface 10b of the heating member 10 and the opposing surface 20a of the auxiliary member 20. It is preferable that a gap having a shape communicating with and controlling the flow of gas is formed. The shape which regulates the flow of gas is a shape with a significantly smaller cross-sectional area than the planar gas path 14a, a crank shape, or the like. A specific example thereof is a crank shape formed by a groove 17 formed on the heating member rear surface 10b of the heating member 10 and an outer circumferential wall 22 formed on the opposing surface 20a of the auxiliary member 20. .

홈(17)과 외주벽(22)에 의해 형성되는 크랭크 형상에 대해서 도 7에서 더 설명한다.The crank shape formed by the groove 17 and the outer circumferential wall 22 will be further described with reference to FIG. 7.

도 7은 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)에 형성되는 홈(17) 및 보조 부재(20)의 대향면(20a)에 형성되는 외주벽(22)의 확대도이다.7 is an enlarged view of the groove 17 formed on the heating member rear surface 10b of the heating member 10 and the outer circumferential wall 22 formed on the opposing surface 20a of the auxiliary member 20.

도 7에 도시된 바와 같이, 홈(17) 및 외주벽(22)에 의해 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a) 사이에 형성되는 간극이 면형 가스 경로(14a)와 연통 구멍(14c)이 합류하는 부분으로부터 가열 장치(100)의 외측으로 연통하고 있다. 즉, 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a)은 서로 접하지 않는다.As shown in FIG. 7, a gap formed by the groove 17 and the outer circumferential wall 22 between the heating member rear surface 10b of the heating member 10 and the opposing surface 20a of the auxiliary member 20 is formed. It communicates with the outside of the heating apparatus 100 from the part which the surface gas path 14a and the communication hole 14c join. That is, the heating member rear surface 10b and the opposing surface 20a of the auxiliary member 20 do not contact each other.

본 발명의 제2 실시 형태에 따른 가열 장치(100)에 의하면, 가열 부재(10)가 기판 가열면(10a)으로부터 면형 가스 경로(14a)로 연통하는 복수 개의 연통 구멍(14c)을 가짐으로써, 가열 장치(100)의 제조 공정에 있어서, 가열 부재(10)와 보조 부재(20)의 위치 맞춤이 용이해진다. 또한, 연통 구멍(14c)이 기판 가열면(10a)의 외주부를 따라 등간격으로 형성됨으로써, 기판 가열면(10a) 상에 반응막이 퇴적되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.According to the heating apparatus 100 which concerns on 2nd Embodiment of this invention, when the heating member 10 has the some communication hole 14c which communicates with the surface gas path 14a from the board | substrate heating surface 10a, In the manufacturing process of the heating apparatus 100, alignment of the heating member 10 and the auxiliary member 20 becomes easy. In addition, since the communication holes 14c are formed at equal intervals along the outer circumferential portion of the substrate heating surface 10a, the deposition of the reaction film on the substrate heating surface 10a can be effectively suppressed.

연통 구멍(14c)이 기판 가열면(10a)에 대하여 거의 수직으로 형성됨으로써, 가스가 기판 가열면(10a)에 대하여 거의 수직으로 분출됨으로써, 반응막의 퇴적을 더욱 저감할 수 있다.Since the communication hole 14c is formed substantially perpendicular to the substrate heating surface 10a, the gas is ejected almost perpendicularly to the substrate heating surface 10a, whereby deposition of the reaction film can be further reduced.

또한, 가열 부재(10)는 제1 지지 부재(30)에 의해 지지된다. 또한, 보조 부재(20)는 제1 지지 부재(30)가 지나는 구멍이 형성되며, 제2 지지 부재(50)에 의해 지지된다. 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a) 사이에 형성되는 간극이 면형 가스 경로(14a)와 연통 구멍(14c)이 합류하는 부분으로부터 가열 장치(100)의 외측으로 연통하여, 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a)은 서로 접하지 않는다. 따라서, 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a) 사이에 형성되는 간극은 제1 지지 부재(30) 및 제2 지지 부재(50)의 치수 오차를 흡수할 수 있다.In addition, the heating member 10 is supported by the first support member 30. In addition, the auxiliary member 20 is formed with a hole through which the first supporting member 30 passes, and is supported by the second supporting member 50. The gap formed between the heating member back surface 10b of the heating member 10 and the opposing surface 20a of the auxiliary member 20 is connected to the heating device 14 from the portion where the planar gas path 14a and the communication hole 14c join. In communication with the outside of 100, the heating member rear surface 10b and the opposing surface 20a of the auxiliary member 20 do not contact each other. Therefore, the gap formed between the heating member back surface 10b and the opposing surface 20a of the auxiliary member 20 can absorb the dimensional error of the first supporting member 30 and the second supporting member 50.

또한, 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a) 사이에 형성되는 간극이 가스의 흐름을 규제하는 형상을 가짐으로써, 기판 가열면(10a)측으로 분출되는 가스가 간극으로부터 새는 것을 억제할 수 있다.In addition, the gap formed between the heating member rear surface 10b of the heating member 10 and the opposing surface 20a of the auxiliary member 20 has a shape that regulates the flow of gas, and thus toward the substrate heating surface 10a side. It is possible to suppress the gas emitted from leaking from the gap.

[제3 실시 형태][Third Embodiment]

(가열 장치)(Heater)

이하에 있어서 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 가열 장치(100)에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이하에 있어서는, 전술한 제1 실시 형태와의 차이점을 주로 설명한다.Hereinafter, the heating apparatus 100 which concerns on 3rd Embodiment of this invention is demonstrated, referring drawings. In the following, differences from the first embodiment described above are mainly described.

구체적으로는, 제1 실시 형태에서는, 가열 부재(10)는 제1 지지 부재(30)에 지지되고, 보조 부재(20)는 제2 지지 부재(50)에 지지된다. 즉, 가열 부재(10)와 보조 부재(20)는 따로따로 지지되어 있다. 이에 반하여, 제3 실시 형태에서는, 보조 부재(20)는 제1 지지 부재(30)에 지지된 가열 부재(10)에 직접 고정되어 있다.Specifically, in the first embodiment, the heating member 10 is supported by the first support member 30, and the auxiliary member 20 is supported by the second support member 50. That is, the heating member 10 and the auxiliary member 20 are separately supported. In contrast, in the third embodiment, the auxiliary member 20 is directly fixed to the heating member 10 supported by the first support member 30.

도 8은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 가열 장치(100)의 전체를 도시한 사시도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 제3 실시 형태에 따른 가열 장치(100)는 보조 부재(20)가 가열 부재(10)에 고정된다. 제3 실시 형태에 따른 가열 장치(100)는 제2 실시 형태와 마찬가지로 기판 가열면(10a)을 구비하는 가열 부재(10)와, 보조 부재(20)와, 가스 경로(14)와, 제2 지지 부재(50)를 구비한다.8 is a perspective view showing an entire heating apparatus 100 according to a third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 8, in the heating device 100 according to the third embodiment, the auxiliary member 20 is fixed to the heating member 10. The heating apparatus 100 which concerns on 3rd Embodiment is the heating member 10 provided with the board | substrate heating surface 10a, the auxiliary member 20, the gas path 14, and the 2nd similarly to 2nd Embodiment. The support member 50 is provided.

도 9는 도 8의 분해도의 일부를 나타낸다. 도 9에 도시된 바와 같이, 가열 부재(10)는 제1 지지 부재(51)에 의해 지지된다. 또한, 보조 부재(20)는 제1 지지 부재(51)가 지나는 구멍이 형성된다.9 shows a part of the exploded view of FIG. 8. As shown in FIG. 9, the heating member 10 is supported by the first support member 51. In addition, the auxiliary member 20 is formed with a hole through which the first supporting member 51 passes.

도 10은 도 8의 8a-8a선을 따라 취한 단면도를 도시한다.10 illustrates a cross-sectional view taken along line 8a-8a of FIG. 8.

가열 부재(10)는 제2 실시 형태와 마찬가지로 내부에 저항 발열체(11)와, 기판 가열면(10a)과, 가열 부재 이면(10b)을 구비한다. 또한, 가열 부재(10)는 복수개의 연통 구멍(14c)과 가스 경로(14d)를 형성하며, 적재면(10d)을 구비한다.The heating member 10 is provided with the resistance heating body 11, the board | substrate heating surface 10a, and the heating member back surface 10b inside similarly to 2nd Embodiment. In addition, the heating member 10 forms a plurality of communication holes 14c and gas paths 14d, and includes a mounting surface 10d.

보조 부재(20)는 대향면(20a)과, 외주벽과 내주벽을 갖는다. 보조 부재(20)는 가열 부재(10)에 고정되어 있는 것이 바람직하다. 제3 실시 형태에 있어서는 나사(70)에 의해 보조 부재(20)가 가열 부재(10)에 고정되어 있다. 보조 부재(20)는 가열 부재(10)와 동일한 세라믹스, 세라믹스와 금속의 복합 재료 등에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 대향면(20a)은 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과 대향한다.The auxiliary member 20 has an opposing surface 20a, an outer circumferential wall and an inner circumferential wall. It is preferable that the auxiliary member 20 is fixed to the heating member 10. In the third embodiment, the auxiliary member 20 is fixed to the heating member 10 by the screw 70. The auxiliary member 20 is preferably made of the same ceramics as the heating member 10, a composite material of ceramics and a metal, or the like. The opposing surface 20a opposes the heating member rear surface 10b of the heating member 10.

외주벽은 가열 부재(10)에 형성된 연통 구멍(14c)보다도 외측에서 대향면(20a)의 외주부로, 대향면(20a)에 대하여 거의 수직 방향으로 돌출한다.The outer circumferential wall is an outer circumferential portion of the opposing face 20a from the outside of the communication hole 14c formed in the heating member 10 and protrudes substantially in a direction perpendicular to the opposing face 20a.

내주벽은 연통 구멍(14c)보다도 내측에서, 대향면(20a)에 대하여 거의 수직 방향으로 돌출한다. 외주벽 및 내주벽의 높이는 거의 같은 것이 바람직하다. 또한, 외주벽과 가열 부재 이면(10b) 사이, 내주벽과 가열 부재 이면(10b) 사이는 밀접되어 있지만, 밀접면에 O링(60)을 적재하여 접합할 수도 있다.The inner circumferential wall protrudes in a direction substantially perpendicular to the opposing surface 20a from the inside of the communication hole 14c. It is preferable that the heights of the outer circumferential wall and the inner circumferential wall are almost the same. The inner circumferential wall and the heating member rear surface 10b are closely connected between the outer circumferential wall and the heating member rear surface 10b, but the O-ring 60 may be mounted and bonded to the close surface.

가스 경로(14)는 면형 가스 경로(14a)와, 면형 가스 경로(14a)로 연통하는 연통 구멍(14c)과, 면형 가스 경로(14a)로 연통하는 가스 경로(14d)에 의해 형성된다.The gas path 14 is formed by the planar gas path 14a, the communication hole 14c which communicates with the planar gas path 14a, and the gas path 14d which communicates with the planar gas path 14a.

면형 가스 경로(14a)는 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과, 보조 부재(20)의 대향면(20a)과 외주벽과 내주벽에 의해 형성된다.The planar gas path 14a is formed by the heating member back surface 10b of the heating member 10, the opposing surface 20a of the auxiliary member 20, the outer peripheral wall and the inner peripheral wall.

가스 경로(14d)는 가열 부재(10) 내에 형성되며, 면형 가스 경로(14a)로 연통한다.The gas path 14d is formed in the heating member 10 and communicates with the planar gas path 14a.

제1 지지 부재(51)는 가열 부재(10)를 지지한다. 제1 지지 부재(51)는 중공 형상의 원통 등으로서, 그 관내에 급전 부재(12)를 수용한다. 또한, 제1 지지 부재(51)의 내부에는 가스 경로(14e)가 형성된다. 제1 지지 부재(51)는 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)에 접합되어 있다. 제1 지지 부재(51)의 재료, 접합 방법 등은 제1 실시 형태의 제1 지지 부재(30)와 동일하기 때문에, 여기서는 설명을 생략한다.The first support member 51 supports the heating member 10. The first supporting member 51 is a hollow cylinder or the like and accommodates the power feeding member 12 in the tube. In addition, a gas path 14e is formed inside the first support member 51. The first supporting member 51 is joined to the heating member rear surface 10b of the heating member 10. Since the material, the joining method, etc. of the 1st support member 51 are the same as the 1st support member 30 of 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted here.

가스 경로(14e)는 가스 경로(14d)로 연통한다.The gas path 14e communicates with the gas path 14d.

또한, 저항 발열체(11), 급전 부재(12), 절연 부재(13), 베이스(40) 등에 대해서는 제1 실시 형태와 동일하기 때문에, 여기서는 설명을 생략한다.In addition, since it is the same as that of 1st Embodiment about the resistive heating element 11, the power supply member 12, the insulation member 13, the base 40, etc., description is abbreviate | omitted here.

이러한 가열 장치(100)에 따르면, 보조 부재(20)가 가열 부재(10)에 고정되고, 외주벽 및 내주벽의 높이가 거의 같음으로써, 가열 부재(10)의 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a) 사이에 형성되는 면형 가스 경로(14a)의 치수 정밀도를 높일 수 있다. 또한, 면형 가스 경로(14a)로부터 가스가 새는 것을 억제할 수 있다.According to this heating apparatus 100, the auxiliary member 20 is fixed to the heating member 10, and the heights of the outer circumferential wall and the inner circumferential wall are almost the same, so that the auxiliary member 20 and the heating member back surface 10b of the heating member 10 are auxiliary. The dimensional accuracy of the planar gas path 14a formed between the opposing surfaces 20a of the member 20 can be improved. In addition, gas leakage from the planar gas path 14a can be suppressed.

또한, 보조 부재(20)용 지지 부재가 불필요하기 때문에, 장치의 중량이 가벼워져서 장치의 핸들링이 쉬워진다. 또한, 베이스의 직경도 작게 할 수 있기 때문에, 베이스를 통해 장치가 부착되는 쪽의 부위를 콤팩트하게 설계할 수 있다.In addition, since the supporting member for the auxiliary member 20 is unnecessary, the weight of the device becomes light and handling of the device becomes easy. Moreover, since the diameter of a base can also be made small, the site | part on which the apparatus is affixed through a base can be designed compactly.

[그 밖의 실시 형태][Other Embodiments]

(가열 장치)(Heater)

본 발명은 상기한 실시 형태에 따라 기재하였지만, 이 개시의 일부를 이루는 설명 및 도면은 본 발명을 한정하는 것이라고 이해하면 안된다. 이 개시로부터 당업자에게 있어서는 여러 가지 대체 실시 형태, 실시예 및 운용 기술이 명확해질 것이다.Although the present invention has been described in accordance with the above embodiments, it should not be understood that the description and the drawings, which form part of this disclosure, limit the present invention. Various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art from this disclosure.

예컨대, 제3 실시 형태에서는, 보조 부재(20)를 가열 부재(10)에 고정할 때에, 나사 고정에 의해 보조 부재(20)를 고정하였지만, 도 11에 도시된 바와 같이, 보조 부재(20)를 가열 부재(10)에 고정할 때에, 브레이징에 의해 보조 부재(20)를 가열 부재(10)에 고정하여도 좋다.For example, in the third embodiment, the auxiliary member 20 is fixed by screwing when the auxiliary member 20 is fixed to the heating member 10. However, as shown in FIG. 11, the auxiliary member 20 May be fixed to the heating member 10 by brazing.

또한, 제2 실시 형태에서는, 가스의 흐름을 규제하는 형상으로서 도 7에 도시된 바와 같은 크랭크 형상을 설명하였지만, 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a) 사이에 형성되는 간극이 제1 지지 부재(30) 및 제2 지지 부재(50)의 치수 오차를 흡수할 수 있으면 좋다. 예컨대, 면형 가스 경로(14a)보다도 단면의 면적이 현저하게 작은 형상이면 좋고, 면형 가스 경로(14a)보다도 외측에 세라믹에 의해 링형으로 형성된 것을 가열 부재 이면(10b)과 보조 부재(20)의 대향면(20a) 사이에 형성하여도 좋다.In addition, although 2nd Embodiment demonstrated the crank shape as shown in FIG. 7 as a shape which restricts the flow of gas, it is formed between the heating member back surface 10b and the opposing surface 20a of the auxiliary member 20. As shown in FIG. What is necessary is just to be able to absorb the dimension error of the 1st support member 30 and the 2nd support member 50 to become the clearance gap. For example, what is necessary is just a shape whose area of cross section is significantly smaller than the planar gas path 14a, and what was formed in the ring shape by ceramic outside the planar gas path 14a opposes the heating member back surface 10b and the auxiliary member 20. As shown in FIG. It may be formed between the surfaces 20a.

다음에, 본 발명을 실시예에 따라 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 전혀 한정되지 않는다.Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

우선, 가열 부재(10)를 이하와 같이 제작하였다. 가열 부재(10)의 세라믹스 원료 분말로서 질화알루미늄 분말에 바인더, 소결 조제로서 산화이트륨을 첨가하여 볼밀을 이용하여 혼합하였다. 얻어진 슬러리를 분무 조립법 등에 의해 조립하여 조립 과립을 얻었다. 얻어진 조립 과립을 금형 성형법에 의해 판형으로 성형하였다. 또한, 조립 과립을 정수압 프레스법에 의해 제1 지지 부재(30)용 관상으로 성형하였다. 얻어진 관상의 성형체는 질소 가스 속에서 상압 소성에 의해 1800℃에서 약 2시간 유지함으로써 소성하였다.First, the heating member 10 was produced as follows. Yttrium oxide as a binder and a sintering aid were added to aluminum nitride powder as the ceramic raw material powder of the heating member 10, and mixed using a ball mill. The obtained slurry was granulated by the spray granulation method or the like to obtain granulated granules. The obtained granulated granules were molded into a plate by a die molding method. In addition, the granulated granules were molded into a tubular shape for the first support member 30 by a hydrostatic press method. The obtained tubular molded body was fired by holding at about 1800 ° C. for about 2 hours by atmospheric pressure firing in nitrogen gas.

한편, 판형 성형체는 미리 코일형으로 형성한 몰리브덴제의 저항 발열체(11)를 판형 성형체 상에 더 설치하고, 그 위에, 다시 상기 조립 과립을 충전하여 프레스 성형을 행하였다.On the other hand, the plate-shaped molded body further provided the resistance heating element 11 made of molybdenum previously formed into a coil shape on the plate-shaped molded body, and the granulated granules were filled again, and press molding was performed.

그리고, 저항 발열체(11)가 일체로 성형된 질화알루미늄 성형체를 카본제의 틀에 세팅하여 핫 프레스법에 의해 소성하였다. 구체적으로는, 200 kgf/㎠로 가압하면서, 질소 가압 분위기에서 1800℃로 2시간 유지하여 일체로 소성하였다.And the aluminum nitride molded object in which the resistance heating body 11 was integrally formed was set to the carbon mold, and it baked by the hot press method. Specifically, while pressing at 200 kgf / cm 2, the mixture was kept at 1800 ° C. for 2 hours in a pressurized atmosphere of nitrogen and fired integrally.

얻어진 가열 부재(10)에 기판 가열면(10a)의 평탄화 가공이나 급전 부재(12)용 구멍의 천공 가공 등을 행하여 저항 발열체(11)의 일부를 미리 노출시켰다. 가열 부재(10)의 크기는 직경 237 ㎜, 두께 18 ㎜로 하였다. 제1 지지 부재(30)의 크기는 외경 55 ㎜, 내경 45 ㎜, 길이 169 ㎜로 하였다.A part of the resistive heating element 11 was exposed to the heating member 10 obtained by planarizing the substrate heating surface 10a, drilling the hole for the power feeding member 12, and the like. The size of the heating member 10 was 237 mm in diameter and 18 mm in thickness. The size of the 1st support member 30 was 55 mm in outer diameter, 45 mm in inner diameter, and 169 mm in length.

가열 부재(10)와 제1 지지 부재(30)의 접합면에 접합제를 도포하고, 양자를 접합시켜서 질소 분위기 속에서 1700℃, 2시간, 열처리하여 가열 부재(10)와 제1 지지 부재(30)를 접합하였다. 저항 발열체(11)에 급전 부재(12)를 브레이징에 의해 접합하였다. 또한, 제1 지지 부재(30)의 단부는 플랜지 형상으로 가공하였다.The bonding agent is apply | coated to the joining surface of the heating member 10 and the 1st support member 30, and both are bonded together and heat-processed at 1700 degreeC for 2 hours in nitrogen atmosphere, and the heating member 10 and the 1st support member ( 30) were bonded. The power supply member 12 was bonded to the resistance heating element 11 by brazing. In addition, the edge part of the 1st support member 30 was processed into the flange shape.

도 6에 도시된 바와 같이, 기판 가열면(10a)에 직경 3 ㎜의 연통 구멍(14c)을 천공 가공으로 형성하였다. 연통 구멍(14c)은 기판의 외주를 따라 직경 3 ㎜로 기판 가열면(10a) 상에 12군데에 균등하게 배치되도록 마련하였다.As shown in Fig. 6, a communication hole 14c having a diameter of 3 mm was formed in the substrate heating surface 10a by drilling. The communication hole 14c was arrange | positioned so that it may be equally arrange | positioned in 12 places on the board | substrate heating surface 10a by 3 mm in diameter along the outer periphery of a board | substrate.

다음에, 보조 부재(20)를 이하와 같이 제작하였다. 보조 부재(20)의 세라믹스 원료 분말로서 질화알루미늄 분말에 바인더, 소결 조제로서 산화이트륨을 첨가하여 볼밀을 이용하여 혼합하였다. 얻어진 슬러리를 분무 조립법 등에 의해 조립하여 조립 과립을 얻었다. 얻어진 조립 과립을 금형 성형법에 의해 판형으로 성형하였다. 또한, 조립 과립을 정수압 프레스법에 의해 제2 지지 부재(50)용 관상으로 성형하였다. 얻어진 판형의 성형체를 핫 프레스법을 이용하여 질소 가스 분위기 속, 1800℃에서 약 2시간 유지함으로써 소성하였다. 또한, 관상의 성형체를 질소 가스 속에서 상압 소성에 의해 1800℃에서 약 2시간 유지함으로써 소성하였다.Next, the auxiliary member 20 was produced as follows. Yttrium oxide as a binder and a sintering aid were added to the aluminum nitride powder as the ceramic raw material powder of the auxiliary member 20, and mixed using a ball mill. The obtained slurry was granulated by the spray granulation method or the like to obtain granulated granules. The obtained granulated granules were molded into a plate by a die molding method. In addition, the granulated granules were molded into a tubular shape for the second support member 50 by a hydrostatic press method. The obtained plate-shaped molded body was baked by holding at about 1800 degreeC in nitrogen gas atmosphere for about 2 hours using the hot press method. Further, the tubular shaped body was fired by holding at about 2 hours at 1800 ° C. by atmospheric pressure firing in nitrogen gas.

얻어진 보조 부재(20)에 리프트-핀용 구멍의 천공 가공 등을 행하였다. 보조 부재(20)의 크기는 직경 228 ㎜, 두께 5 ㎜로 하였다. 제2 지지 부재(50)의 크기는 외경 98 ㎜, 내경 88 ㎜, 길이 161 ㎜로 하였다.The obtained auxiliary member 20 was punched out of a hole for a lift pin. The size of the auxiliary member 20 was 228 mm in diameter and 5 mm in thickness. The size of the 2nd support member 50 was made into the outer diameter of 98 mm, the inner diameter of 88 mm, and the length of 161 mm.

보조 부재(20)와 제2 지지 부재(50)의 접합면에 접합제를 도포하고, 양자를 접합시켜, 질소 분위기 속에서 1700℃, 2시간, 열처리하여 가열 부재(10)와 제1 지지 부재(30)를 접합하였다. 또한, 제2 지지 부재(50)의 단부는 플랜지 형상으로 가공하였다.The bonding agent is apply | coated to the joining surface of the auxiliary member 20 and the 2nd support member 50, and both are bonded together, and it heat-processes at 1700 degreeC for 2 hours in nitrogen atmosphere, and the heating member 10 and the 1st support member (30) was bonded. In addition, the edge part of the 2nd support member 50 was processed into the flange shape.

다음에 제1 지지 부재(30) 및 제2 지지 부재(50)를 알루미늄제의 베이스(40)에 나사를 이용하여 고정하였다. 그 때, O링을 이용하여 제1 지지 부재(30) 및 제2 지지 부재(50)의 플랜지부는 베이스와 시일 구조로 하였다. 베이스(40)에는 제1 지지 부재(30)와 제2 지지 부재(50) 사이의 공간으로의 가스 도입 구멍(15)을 천공 가공에 의해 마련하였다.Next, the first supporting member 30 and the second supporting member 50 were fixed to the base 40 made of aluminum using screws. In that case, the flange part of the 1st support member 30 and the 2nd support member 50 was made into the base and seal structure using O ring. The base 40 was provided with a gas introduction hole 15 into the space between the first support member 30 and the second support member 50 by drilling.

이와 같이 하여, 가스 경로(14)로서 면형 가스 경로(14a)와, 면형 가스 경로(14a)로 연통하는 연통 구멍(14c)을 구비하는 가열 장치(100)를 얻었다. 가스는 가스 도입 구멍(15)으로부터, 제1 지지 부재(30)와 제2 지지 부재(50) 사이의 공간, 면형 가스 경로(14a), 연통 구멍(14c)으로 전달된다.Thus, the heating apparatus 100 provided with the planar gas path 14a and the communication hole 14c which communicates with the planar gas path 14a as the gas path 14 was obtained. The gas is delivered from the gas introduction hole 15 to the space between the first support member 30 and the second support member 50, the planar gas path 14a, and the communication hole 14c.

비교예의 샘플 3으로서, 가열 부재(10)를 소성한 후, 부재 측면으로부터 가열면에 평행한 가스 경로를 형성하기 위해서 천공 가공을 행하였지만, 가공하는 가스 구멍 길이가 길기 때문에, 가공 절삭시에 구멍의 측벽에 이지러짐이 생겨서 구 멍 직경이 일률적이지 않게 되어 가스 경로의 치수에 편차가 생기게 되었다.As the sample 3 of the comparative example, after the heating member 10 was fired, punching was performed in order to form a gas path parallel to the heating surface from the member side surface. Distortions occurred in the sidewalls of the holes resulting in non-uniform hole diameters, resulting in deviations in the dimensions of the gas path.

(평가 방법)(Assessment Methods)

얻어진 가열 장치(100) 대해서 다음 샘플 1, 샘플 2의 평가를 행하였다.The following sample 1 and the sample 2 were evaluated about the obtained heating apparatus 100. FIG.

가열 장치(100)에 실리콘 웨이퍼를 적재하여 420℃로 가열하고, 실리콘 웨이퍼 상면으로부터 고순도 6불화텅스텐 가스를 도입하여 실리콘 웨이퍼 상에 텅스텐막을 CVD 장치에 의해 형성하였다.A silicon wafer was loaded on the heating apparatus 100, heated to 420 ° C, a high-purity tungsten fluoride gas was introduced from the upper surface of the silicon wafer, and a tungsten film was formed on the silicon wafer by a CVD apparatus.

샘플 1은 가스 도입 구멍(15)으로부터 질소 가스를 도입하여 기판 가열면(10a)의 연통 구멍(14c)으로부터 질소 가스를 분출시켜 CVD 장치에 의해 텅스텐막을 형성하였다.Sample 1 introduced nitrogen gas from the gas introduction hole 15 to eject nitrogen gas from the communication hole 14c of the substrate heating surface 10a to form a tungsten film by the CVD apparatus.

샘플 2는 가스를 도입하지 않고서 CVD 장치에 의해 텅스텐막을 형성하였다.Sample 2 formed a tungsten film by a CVD apparatus without introducing gas.

(평가 결과)(Evaluation results)

샘플 1에서는, 실리콘 기판의 외주부에 텅스텐막이 형성되지 않았다. 또한, 기판 가열면(10a)과 실리콘 기판의 경계에도 텅스텐막이 형성되지 않았다.In sample 1, the tungsten film was not formed in the outer peripheral part of the silicon substrate. Further, no tungsten film was formed at the boundary between the substrate heating surface 10a and the silicon substrate.

샘플 2에서는, 실리콘 기판의 외주부에 텅스텐막이 형성되었다. 또한, 기판 가열면(10a)과 실리콘 기판의 경계에도 텅스텐막이 형성되었다.In sample 2, the tungsten film was formed in the outer peripheral part of the silicon substrate. Further, a tungsten film was also formed at the boundary between the substrate heating surface 10a and the silicon substrate.

이것은, 샘플 1에서는, 기판 가열면(10a)의 연통 구멍(14c)으로부터 질소 가스를 분출시킴으로써, 질소 가스가 실리콘 기판의 외주부에 고순도 6불화텅스텐 가스에 의한 텅스텐막이 형성되지 않도록 배리어 가스로서 기능하였기 때문이다.In Sample 1, this functioned as a barrier gas so that nitrogen gas was blown out from the communication hole 14c of the substrate heating surface 10a so that the tungsten film by the high-purity tungsten fluoride gas was not formed in the outer peripheral portion of the silicon substrate. Because.

이에 따라, 샘플 1에서는, 기판 가열면(10a)으로부터 실리콘 기판을 용이하게 분리시킬 수 있었다. 또한, 샘플 2에서는, 기판 가열면(10a)으로부터 실리콘 기 판을 분리시키려고 한 결과, 텅스텐막이 기판 가열면(10a)으로부터 쉽게 박리되지 않고, 텅스텐막과 기판 가열면(10a) 사이에 발생하는 응력에 의해 텅스텐막에 금이 생겼다. 이 금을 기점으로 하여 실리콘 기판 상의 텅스텐막에도 금이 생기게 되었다.Thus, in Sample 1, the silicon substrate could be easily separated from the substrate heating surface 10a. Further, in Sample 2, as a result of separating the silicon substrate from the substrate heating surface 10a, the tungsten film is not easily peeled off from the substrate heating surface 10a, and the stress generated between the tungsten film and the substrate heating surface 10a. As a result, gold was formed in the tungsten film. Starting from this gold, gold was also generated in the tungsten film on the silicon substrate.

본 발명에 따르면, 기판 가열면 상에 분출되는 가스 분출량의 편차를 저감시킬 수 있고, 기판의 성장막의 생성 등에 영향을 주지 않고서 기판 가열면 상에 반응막이 퇴적되는 것을 억제할 수 있는 가열 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, there is provided a heating apparatus which can reduce the variation in the amount of gas ejected onto the substrate heating surface, and can suppress the deposition of the reaction film on the substrate heating surface without affecting the formation of the growth film of the substrate. Can provide.

Claims (14)

기판이 적재되는 기판 가열면 및 상기 기판 가열면의 반대 측에 위치하는 가열 부재 이면을 가지며, 저항 발열체가 매설된 판형의 가열 부재와,A plate-shaped heating member having a substrate heating surface on which a substrate is loaded and a back surface of a heating member positioned on an opposite side of the substrate heating surface, and having a resistance heating element embedded therein; 상기 가열 부재의 상기 가열 부재 이면 측에 배치되고, 상기 가열 부재 이면과 대향하는 대향면을 갖는 보조 부재The auxiliary member which is arrange | positioned at the said heating member back surface side of the said heating member, and has an opposing surface which opposes the said heating member back surface. 를 포함하며, 상기 가열 부재 이면과 상기 대향면 사이에는 상기 기판 가열면 상으로 분출되는 가스의 경로인 면(面)형 가스 경로가 형성되고,A surface-type gas path is formed between the back surface of the heating member and the opposing surface, the surface gas path being a path of gas ejected onto the substrate heating surface, 상기 면형 가스 경로로부터는 상기 기판 가열면 측으로 연통하는 가스 분출 경로가 더 형성되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.And a gas ejection path communicating with the substrate heating surface from the planar gas path. 제1항에 있어서, 상기 대향면은 상기 가열 부재 이면보다도 외측으로 연장되어 있고,The said opposing surface extends outward rather than the said back surface of the said heating member, 상기 대향면에는 상기 가열 부재의 측면을 따라 배치되며 상기 대향면에 대하여 거의 수직 방향으로 돌출하는 연속 대향 벽부가 형성되고,The opposing face is provided with a continuous opposing wall portion disposed along the side of the heating member and protruding in a direction substantially perpendicular to the opposing face, 상기 가스 분출 경로는 상기 가열 부재의 상기 측면과 상기 대향 벽부 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.And the gas blowing path is formed between the side surface of the heating member and the opposing wall portion. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가열 부재를 상기 가열 부재 이면 측에서 지지하는 제1 지지 부재와,The 1st support member of Claim 1 or 2 which supports the said heating member by the said heating member back surface side, 상기 대향면과 반대측에 위치하는 상기 보조 부재의 면인 보조 부재 이면 측에서 상기 보조 부재를 지지하는 제2 지지 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 가열 장치.And a second support member for supporting the auxiliary member on the back side of the auxiliary member, which is a surface of the auxiliary member located on the opposite side to the opposing surface. 제2항에 있어서, 상기 대향 벽부는 상기 기판 가열면보다도 낮은 면을 구비하는 것을 특징으로 하는 가열 장치.The heating apparatus according to claim 2, wherein the opposing wall portion has a surface lower than the substrate heating surface. 제1항에 있어서, 상기 가열 부재는 상기 기판 가열면측으로부터 상기 면형 가스 경로로 연통하는 복수 개의 연통 구멍을 가지며,The heating element according to claim 1, wherein the heating member has a plurality of communication holes communicating from the substrate heating surface side to the planar gas path. 상기 복수 개의 연통 구멍은 상기 기판 가열면의 외주부를 따라 등간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.And the plurality of communication holes are formed at equal intervals along the outer circumference of the substrate heating surface. 제5항에 있어서, 상기 가열 부재를 상기 가열 부재 이면측에서 지지하는 제1 지지 부재와,The method of claim 5, wherein the first support member for supporting the heating member on the heating member rear surface side, 상기 대향면과 반대측에 위치하는 상기 보조 부재의 면인 보조 부재 이면측에서 상기 보조 부재를 지지하는 제2 지지 부재를 포함하고,A second supporting member supporting the auxiliary member on an auxiliary member rear surface side, which is a surface of the auxiliary member located on the opposite side to the opposing surface; 상기 가열 부재 이면과 상기 대향면 사이에는 상기 면형 가스 경로와 상기 연통 구멍이 합류하는 부분으로부터 상기 가열 장치의 외측으로 연통하는 간극이 형성되며,A gap is formed between the back surface of the heating member and the opposing surface so as to communicate with the outside of the heating device from a portion where the planar gas path and the communication hole join, 상기 간극은 상기 가스의 흐름을 규제하는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 가열 장치.The gap has a shape that regulates the flow of the gas. 제5항에 있어서, 상기 가열 부재를 상기 가열 부재 이면측에서 지지하는 제1 지지 부재를 구비하고,The method of claim 5, further comprising a first support member for supporting the heating member on the back side of the heating member, 상기 대향면 상에는 상기 연통 구멍보다도 외측에 배치되는 연속 외주벽과, 상기 연통 구멍보다도 내측에 배치되는 연속 내주벽이 마련되어 있고,On the said opposing surface, the continuous outer peripheral wall arrange | positioned outward from the said communication hole and the continuous inner peripheral wall arrange | positioned inside the said communication hole are provided, 상기 외주벽 및 상기 내주벽은 상기 대향면에 대하여 거의 수직 방향의 길이가 거의 같으며,The outer circumferential wall and the inner circumferential wall have substantially the same length in the vertical direction with respect to the opposing surface, 상기 보조 부재는 상기 가열 부재에 고정되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.And the auxiliary member is fixed to the heating member. 제7항에 있어서, 상기 보조 부재는 브레이징 또는 나사 고정에 의해 상기 가열 부재에 고정되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.8. A heating apparatus according to claim 7, wherein said auxiliary member is fixed to said heating member by brazing or screwing. 제5항에 있어서, 상기 연통 구멍은 상기 기판 가열면에 대하여 거의 수직 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 장치.6. The heating apparatus according to claim 5, wherein said communication hole extends in a direction substantially perpendicular to said substrate heating surface. 제5항에 있어서, 상기 가열 부재는 상기 기판 가열면보다도 낮은 면을 상기 기판 가열면의 외측에 갖는 것을 특징으로 하는 가열 장치.The heating apparatus according to claim 5, wherein the heating member has a surface lower than the substrate heating surface on the outside of the substrate heating surface. 기판이 적재되는 기판 가열면 및 상기 기판 가열면의 반대 측에 위치하는 가열 부재 이면을 가지며, 저항 발열체가 매설된 판형의 가열 부재와,A plate-shaped heating member having a substrate heating surface on which a substrate is loaded and a back surface of a heating member positioned on an opposite side of the substrate heating surface, and having a resistance heating element embedded therein; 상기 가열 부재의 상기 가열 부재 이면 측에 배치되고, 상기 가열 부재 이면과 대향하는 대향면을 갖는 보조 부재The auxiliary member which is arrange | positioned at the said heating member back surface side of the said heating member, and has an opposing surface which opposes the said heating member back surface. 를 포함하며, 상기 가열 부재 이면과 상기 대향면 사이에는 상기 기판 가열면 상으로 분출되는 가스의 경로인 면(面)형 가스 경로가 형성되고,A surface-type gas path is formed between the back surface of the heating member and the opposing surface, the surface gas path being a path of gas ejected onto the substrate heating surface, 상기 보조 부재는 상기 가열 부재에 직접 고정되고,The auxiliary member is directly fixed to the heating member, 상기 가열 부재는 상기 기판 가열면 측으로부터 상기 면형 가스 경로로 연통하는 복수의 연통 구멍을 가지며,The heating member has a plurality of communication holes communicating from the substrate heating surface side to the planar gas path, 상기 복수의 연통 구멍은 상기 기판 가열면의 외주부를 따라 등간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.And the plurality of communication holes are formed at equal intervals along the outer circumference of the substrate heating surface. 제11항에 있어서, 상기 가열 부재를 상기 가열 부재 이면 측에서 지지하는 지지 부재를 더 포함하고,The method of claim 11, further comprising a support member for supporting the heating member on the back side of the heating member, 상기 가열 부재는 상기 복수의 연통 구멍과 연통하는 상기 면형 가스 경로와 연통하는 가열 부재 내부 가스 경로를 가지며,The heating member has a heating member internal gas path in communication with the planar gas path in communication with the plurality of communication holes, 상기 지지 부재는 상기 가열 부재의 상기 가열 부재 내부 가스 경로와 연통하는 지지 부재 내부 가스 경로를 갖는 것을 특징으로 하는 가열 장치.And the support member has a support member internal gas path in communication with the heating member internal gas path of the heating member. 제11항에 있어서, 상기 보조 부재는 브레이징 또는 나사 고정에 의해 상기 가열 부재에 고정되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.12. A heating apparatus according to claim 11, wherein said auxiliary member is fixed to said heating member by brazing or screwing. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보조 부재는 외주벽과 내부벽을 가지며,The auxiliary member according to any one of claims 11 to 13, wherein the auxiliary member has an outer circumferential wall and an inner wall, 상기 외주벽은 상기 가열 부재에 형성된 상기 복수의 연통 구멍보다도 외측에서 외주부로 수직 방향으로 돌출하고,The outer circumferential wall protrudes in a vertical direction from the outer side to the outer circumferential portion than the plurality of communication holes formed in the heating member, 상기 내주벽은 상기 복수의 연통 구멍보다도 내측에서 수직 방향으로 돌출하며,The inner circumferential wall protrudes in the vertical direction from the inside of the plurality of communication holes, 상기 외주벽과 상기 가열 부재의 이면과의 사이가, 그리고 상기 내주벽과 상기 가열 부재 이면과의 사이가 밀접 또는 접합해 있는 것을 특징으로 하는 가열 장치.A heating device, wherein between the outer circumferential wall and the back surface of the heating member, and between the inner circumferential wall and the back surface of the heating member are closely or bonded to each other.
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