KR100798312B1 - Color filter for tft-lcd and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 컬러필터, 이를 구비한 박막 트랜지스터 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터 및 그 제조방법은 색상층의 보호를 위한 오버코팅층을 유기계의 물질을 사용하여 형성함으로써, 후속공정에서 유기성 이물이 발생할 가능성이 높아 공정의 신뢰성이 저하되는 문제점과 아울러 얼룩계 불량, 세로선 등의 자체 불량 발생율이 높아 박막 트랜지스터 표시소자의 품질을 저하시키며, 이로 인해 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 유리기판 상에 위치하여 액정에 전계를 인가하는 전극과; 상기 전극의 상부측에 위치하여, 표시소자의 컬러를 구현하는 색상층과; 상기 구조의 상부전면에 위치하여 상기 색상층을 보호하는 유기계 오버코팅층과; 상기 유기계 오버코팅층의 상부전면에 위치하여 상기 유기계 오버코팅층에서 유기성 이물이 발생하는 것을 방지하는 이물발생 방지층으로 구성되는 칼라필터를 구현하여, 칼라필터의 색상층을 보호하는 유기계의 오버코팅층 상부에 실리콘계 절연막을 더 형성함으로써, 공정중에 유기성 이물이 발생하는 것을 방지하여 공정의 신뢰성을 확보함과 아울러 얼룩계 불량 및 세로선의 발생을 방지함으로써, 박막 트랜지스터 표시소자의 특성이 열화되는 것을 방지하고, 수율을 향상시키는 효과가 있다.The present invention relates to a color filter, a thin film transistor display device having the same, and a method of manufacturing the same. In the related art, a color filter and a method of manufacturing the same include forming an overcoating layer for protecting a color layer using an organic material. As a result, organic foreign matter is more likely to occur in a subsequent process, which lowers the reliability of the process, and also causes a high rate of self defects such as stain defects and vertical lines, thereby degrading the quality of the thin film transistor display device, thereby reducing yield. There was this. In view of the above problems, the present invention includes an electrode disposed on a glass substrate to apply an electric field to the liquid crystal; A color layer disposed on an upper side of the electrode to implement color of a display element; An organic overcoat layer disposed on an upper surface of the structure to protect the color layer; Located on the upper surface of the organic overcoat layer to implement a color filter composed of a foreign material generation prevention layer to prevent the generation of organic foreign matter in the organic overcoat layer, the silicon based on the organic overcoat layer to protect the color layer of the color filter By further forming an insulating film, organic foreign matters can be prevented from being generated during the process to ensure the reliability of the process, and to prevent the defect of the smudge system and the generation of the vertical lines, thereby preventing the deterioration of the characteristics of the thin film transistor display device and improving the yield. It is effective to improve.

Description

컬러필터, 이를 구비한 박막트랜지스터 표시소자 및 그 제조방법{COLOR FILTER FOR TFT-LCD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Color filter, thin film transistor display device having same and manufacturing method thereof {COLOR FILTER FOR TFT-LCD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

도1a 내지 도1e는 종래 박막 트랜지스터 표시소자의 하판을 제조하는 제조공정 수순단면도.1A to 1E are cross-sectional views of a manufacturing process for manufacturing a lower plate of a conventional thin film transistor display device.

도2a 내지 도2d는 종래 박막 트랜지스터 표시소자의 상판인 칼라필터를 제조하는 제조공정 수순단면도.2A to 2D are cross-sectional views of a manufacturing process for manufacturing a color filter that is a top plate of a conventional thin film transistor display element.

도3a 내지 도3d는 종래 상판과 하판을 접합하고 액정을 주입하는 과정의 제조공정 수순단면도.3A to 3D are cross-sectional views of a manufacturing process of a process of bonding a conventional upper plate and a lower plate and injecting a liquid crystal.

도4a 내지 도4e는 본 발명 박막 트랜지스터 표시소자의 하판을 제조하는 제조공정 수순단면도.4A to 4E are cross-sectional views of a manufacturing process for manufacturing the lower plate of the thin film transistor display device of the present invention.

도5a 내지 도5d는 본 발명 박막 트랜지스터 표시소자의 상판인 칼라필터를 제조하는 제조공정 수순단면도.5A to 5D are cross-sectional views of a manufacturing process for manufacturing a color filter that is a top plate of the thin film transistor display device of the present invention.

도6a 내지 도6d는 상기 본 발명의 상판과 하판을 접합하고 액정을 주입하는 과정의 제조공정 수순단면도.Figure 6a to 6d is a cross-sectional view of the manufacturing process of the process of bonding the upper and lower plates of the present invention and injecting liquid crystal.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **** Description of symbols for the main parts of the drawing **

1,21:유리기판 2:게이트전극1,21: glass substrate 2: gate electrode

3:게이트절연막 4:액티브영역 3: gate insulating film 4: active area                 

5:소스 6:드레인5: source 6: drain

7:패시베이션막 8:픽셀전극7: passivation film 8: pixel electrode

22:차광층 23:색상층22: light shielding layer 23: color layer

24:오버코팅층 25:이물발생 방지층24: overcoat layer 25: foreign matter prevention layer

30:상판 33:하판30: top 33: bottom

31, 34:배향막 32:실런트31, 34: alignment film 32: sealant

33:실런트 35:스페이서33: The sealant 35: Spacer

36:액정36: Liquid crystal

본 발명은 박막트랜지스터 표시소자의 칼라필터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 칼라필터의 색상층을 보호하는 오버코팅층의 이물발생을 방지하는데 적당하도록 한 박막트랜지스터 표시소자의 칼라필터 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a color filter of a thin film transistor display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a color filter of a thin film transistor display device and a method of manufacturing the same, which are suitable for preventing foreign substances from occurring in an overcoat layer protecting a color layer of a color filter. It is about.

종래기술에 따른 박막트랜지스터 표시소자에 대해 도1a 내지 도1e를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도1a 내지 도1e는 종래 박막트랜지스터 표시소자의 하판 제조공정 수순단면도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 유리기판(1)의 상부전면에 금속을 증착하고, 그 금속을 사진식각공정을 통해 패터닝하여 게이트전극(2)을 형성하는 단계(도1a)와; 상기 게이트전극(2)의 상부전면에 게이트절연막(3)을 증착하고, 그 상부전면에 비정질실리콘을 증착하고 패터닝하여 박막트랜지스터를 형성할 위치의 게이트전극(2) 상에 대향하는 위치에 액티브영역(4)을 형성하는 단계(도1b)와; 상기 구조의 상부전면에 금속을 증착하고, 패터닝하여 상기 액티브영역(4)의 중앙부에서 상호 소정간격 이격되며, 그 액티브영역(4)의 측면 게이트전극(2)의 상부일부에 위치하는 소스(5) 및 드레인(6)을 형성하는 단계(도1c)와; 상기 구조의 상부전면에 패시베이션막(7)을 증착하고, 그 패시베이션막(7)에 콘택홀을 형성하여 드레인(6)의 상부일부를 노출시키는 단계(도1d)와; 상기 구조의 상부전면에 ITO를 증착하고 패터닝하여 상기 노출된 드레인(6)에 접속되며, 상기 박막트랜지스터가 위치하지 않는 영역의 상부에 위치하는 픽셀전극(8)을 형성하는 단계(도1e)로 하판을 제작한다.A thin film transistor display device according to the related art will be described with reference to FIGS. 1A to 1E as follows.
1A through 1E are cross-sectional views of a lower plate manufacturing process of a conventional thin film transistor display device.
As shown in the figure, the step of depositing a metal on the upper surface of the glass substrate 1, and patterning the metal through a photolithography process to form a gate electrode 2 (Fig. 1A); The gate insulating film 3 is deposited on the upper surface of the gate electrode 2, and the amorphous silicon is deposited and patterned on the upper surface of the gate electrode 2 to form an active region at a position opposite to the gate electrode 2 at a position to form a thin film transistor. (4) forming (FIG. 1B); The metal is deposited on the upper surface of the structure and patterned to be spaced apart from each other at the center of the active region 4 by a predetermined distance, and the source 5 positioned on the upper portion of the side gate electrode 2 of the active region 4. ) And forming a drain 6 (FIG. 1C); Depositing a passivation film (7) on the upper surface of the structure and forming a contact hole in the passivation film (7) to expose a portion of the upper part of the drain (FIG. 1D); Depositing and patterning ITO on the upper surface of the structure to form a pixel electrode 8 connected to the exposed drain 6 and positioned above the region where the thin film transistor is not located (FIG. 1E). Produce the bottom plate.

이하, 상기와 같은 종래기술에 따른 박막 트랜지스터 하판 제조공정을 좀 더 상세히 설명한다.Hereinafter, the thin film transistor lower plate manufacturing process according to the prior art as described above in more detail.

먼저, 도1a에 도시한 바와 같이, 유리기판(1)의 상부전면에 금속을 증착하고, 그 금속의 상부전면에 포토레지스트를 도포하고 노광 및 현상하여, 상기 금속의 일부를 노출시키는 패턴을 형성한 후, 그 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하는 식각공정으로 노출된 금속을 식각하여 유리기판(1)의 상부일부에 위치하는 게이트전극(2)을 형성한다.First, as shown in FIG. 1A, a metal is deposited on the upper surface of the glass substrate 1, a photoresist is applied to the upper surface of the metal, and exposed and developed to form a pattern for exposing a portion of the metal. After that, the exposed metal is etched by an etching process using the photoresist pattern as an etching mask to form a gate electrode 2 positioned on an upper portion of the glass substrate 1.

그 다음, 도1b에 도시한 바와 같이 상기 구조의 상부전면에 게이트절연막(3)을 증착하고, 그 게이트절연막(3)의 상부에 비정질실리콘을 증착하고, 사진식각공정을 통해 패터닝하여 상기 게이트전극(2)중 박막 트랜지스터가 형성되는 위치의 게이트전극(2) 상에 액티브영역(4)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 1B, a gate insulating film 3 is deposited on the upper surface of the structure, amorphous silicon is deposited on the gate insulating film 3, and patterned through a photolithography process. The active region 4 is formed on the gate electrode 2 at the position where the thin film transistor is formed.

그 다음, 도1c에 도시한 바와 같이 상기 구조의 상부전면에 금속을 증착하고, 그 금속을 사진식각공정으로 패터닝하여 상기 액티브영역(4)의 중앙부인 채널영역의 길이만큼 상호 이격되며, 그 액티브영역(4)의 측면에 형성되는 소스(5)와 드레인(6)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 1C, a metal is deposited on the upper surface of the structure, and the metal is patterned by a photolithography process so as to be spaced apart from each other by the length of the channel region, which is the center portion of the active region 4, and the active The source 5 and the drain 6 formed on the side of the region 4 are formed.

그 다음, 도1d에 도시한 바와 같이 상기 구조의 상부전면에 패시베이션막(7)을 증착하고, 사진식각공정을 통해 패시베이션막(7)에 콘택홀을 형성하여 드레인(6)의 상부일부를 노출시킨다.Next, as illustrated in FIG. 1D, a passivation film 7 is deposited on the upper surface of the structure, and a contact hole is formed in the passivation film 7 through a photolithography process to expose a portion of the upper part of the drain 6. Let's do it.

그 다음, 도1e에 도시한 바와 같이 상기 구조의 상부전면에 ITO를 증착하고, 그 증착된 ITO를 패터닝하여 상기 드레인(6)에 접속되는 픽셀전극(8)을 형성한다.Then, as shown in Fig. 1E, ITO is deposited on the upper surface of the structure, and the deposited ITO is patterned to form a pixel electrode 8 connected to the drain 6.

상기의 공정을 통해 박막트랜지스터 표시소자의 하판을 형성하고, 박막 트랜 지스터 표시소자의 칼라필터인 상판을 제작한다.Through the above process, the lower plate of the thin film transistor display element is formed, and an upper plate which is a color filter of the thin film transistor display element is manufactured.

한편, 종래기술에 따른 박막 트랜지스터 표시소자의 상판 제조방법은 도2a 내지 도2d를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도2a 내지 도2d는 종래 박막 트랜지스터 표시소자의 상판 제조공정 수순단면도이다.
도면에 도시한 바와 같이, 유리기판(21)의 상부전면에 금속을 증착하고, 그 금속을 패터닝하여 유리기판(21)의 상부일부에 위치하는 차광층(22)을 형성하는 단계(도2a)와; 상기 차광층(22)의 사이에 노출된 유리기판(21)의 상부에 칼라필터인 색상층(23)을 형성하는 단계(도2b)와; 상기 구조의 상부전면에 상기 색상층(23)의 보호를 위한 오버코팅층(24)을 형성하는 단계(도2c)와; 상기 구조의 상부전면에 투명전극인 공통전극(25)을 형성하는 단계(도2d)로 이루어진다.Meanwhile, a top plate manufacturing method of a thin film transistor display device according to the related art will be described with reference to FIGS. 2A through 2D.
2A to 2D are cross-sectional views of a top plate manufacturing process of a conventional thin film transistor display device.
As shown in the figure, the step of depositing a metal on the upper surface of the glass substrate 21, and patterning the metal to form a light shielding layer 22 located on the upper portion of the glass substrate 21 (Fig. 2a) Wow; Forming a color layer 23 as a color filter on the glass substrate 21 exposed between the light blocking layers 22 (FIG. 2B); Forming an overcoating layer 24 for protecting the color layer 23 on the upper surface of the structure (FIG. 2C); Forming a common electrode 25 which is a transparent electrode on the upper surface of the structure (Fig. 2d).

이하, 상기와 같은 종래 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터인 상판 제조방법을 좀 더 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the upper plate, which is a color filter of the conventional thin film transistor display device, will be described in more detail.

먼저, 도2a에 도시한 바와 같이 유리기판(21)의 상부전면에 금속을 증착하고, 그 금속을 패터닝하여 유리기판(21)의 상부일부에 위치하는 차광층(22)을 형성한다. 이때 형성하는 차광층(22)은 보통 블랙매트릭스라고 칭하며, 그 블랙매트릭스의 특성은 밀착성이 우수하고, 광을 흡수하는 흡수율이 우수한 것이어야 한다.First, as shown in FIG. 2A, a metal is deposited on the upper surface of the glass substrate 21, and the metal is patterned to form a light shielding layer 22 positioned on an upper portion of the glass substrate 21. The light shielding layer 22 formed at this time is usually referred to as a black matrix, and the characteristics of the black matrix should be excellent in adhesiveness and excellent in absorbance for absorbing light.

그 다음, 도2b에 도시한 바와 같이 상기 차광층(22)의 사이에 노출된 유리기판(21)의 상부에 칼라필터인 색상층(23)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2B, the color layer 23, which is a color filter, is formed on the glass substrate 21 exposed between the light blocking layers 22.

이때, 상기 색상층(23)은 스크린 인쇄법등을 사용하여 인쇄하여 형성한다.At this time, the color layer 23 is formed by printing using a screen printing method or the like.

그 다음, 도2c에 도시한 바와 같이 상기 구조의 상부전면에 상기 색상층(23)의 보호를 위한 오버코팅층(24)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2C, an overcoat layer 24 for protecting the color layer 23 is formed on the upper surface of the structure.

이때의 오버코팅층(24)은 Acrylic계의 유기막을 증착하여 형성한다. At this time, the overcoating layer 24 is formed by depositing an acrylic organic film.                         

그 다음, 도2d에 도시한 바와 같이 상기 구조의 상부전면에 ITO를 증착하고, 사진식각공정을 통해 패터닝하여 상기 하판에 형성된 픽셀전극(8)에 대향하는 위치에 투명전극(25)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 2D, ITO is deposited on the upper surface of the structure, and patterned through a photolithography process to form a transparent electrode 25 at a position opposite to the pixel electrode 8 formed on the lower plate. .

한편, 도3a 내지 도3d는 상기 제작한 상판과 하판을 합착하는 공정의 수순단면도이다.
도면에 도시한 바와 같이, 칼라필터인 상판(30)의 상부에 배향막(31)을 형성하고, 그 배향막(31)을 러빙포를 사용하여 러빙하여 이후의 공정에서 액정이 배향될 수 있도록 한 후, 그 상판(30)의 표시 유효면적 이외의 부분에 실런트(32)를 도포하는 단계(도3a)와; 상기 하판(33)의 상부측에 배향막(34)을 형성하고, 그 배향막(34)를 러빙포를 사용하여 러빙하여 액정이 배향될 수 있도록 한 후, 상기 배향막 상에 균일한 분포로 스페이서(35)를 형성하는 단계(도3b)와; 상기 두 배향막(34),(31)이 마주하도록 상판(30)과 하판(33)을 대향시키고, 상기 실런트(32)를 소성하여 상기 상판(30)과 하판(33)을 합착하는 단계(도3c)와; 상기 합착된 상판(30)과 하판(33)의 사이영역에 액정을 주입하는 단계(도3d)로 이루어진다.3A to 3D are cross-sectional views of a process of bonding the produced upper and lower plates together.
As shown in the figure, after forming an alignment layer 31 on the upper plate 30, which is a color filter, and rubbing the alignment layer 31 using a rubbing cloth to align the liquid crystal in a subsequent process Applying the sealant 32 to a portion other than the display effective area of the upper plate 30 (FIG. 3A); An alignment layer 34 is formed on the upper side of the lower plate 33, and the alignment layer 34 is rubbed using a rubbing cloth to align the liquid crystal, and then the spacers 35 are uniformly distributed on the alignment layer. Forming a step (Fig. 3b); Opposing the upper plate 30 and the lower plate 33 so that the two alignment layers 34 and 31 face each other, and firing the sealant 32 to bond the upper plate 30 and the lower plate 33 together (FIG. 3c); Injecting the liquid crystal in the region between the bonded upper plate 30 and the lower plate 33 (Fig. 3d).

이하, 종래기술에 따른 박막트랜지스터 표시소자의 상판과 하판의 합착공정을 좀더 상세히 설명한다.Hereinafter, the bonding process of the upper plate and the lower plate of the thin film transistor display device according to the prior art will be described in more detail.

먼저, 도3a에 도시한 바와 같이 칼라필터인 상판(30)의 상부에, 즉 상기 투명전극(25)의 상부에 배향막(31)을 형성한다. 이때 배향막(31)은 로울러에 부착된 고무 수지판에 배향액을 균일하게 묻혀 기판 위에 인쇄하고, 건조시켜 용매를 증발시키면서 배향막이 균일하게 퍼지도록 하고, 소성공정으로 건조시켜 경화시킴으로써 형성한다.First, as shown in FIG. 3A, an alignment layer 31 is formed on the upper plate 30, which is a color filter, that is, on the transparent electrode 25. At this time, the alignment film 31 is formed by uniformly embedding the alignment liquid on the rubber resin plate attached to the roller, printing it on the substrate, and drying it to uniformly spread the alignment film while evaporating the solvent, followed by drying and curing in a sintering process.

그 다음, 러빙포를 사용하여 그 배향막(31)을 러빙한다. 이와 같은 공정으로 상기 배향막(31)에는 일정한 방향으로의 방향성을 형성한다.Then, the alignment film 31 is rubbed using a rubbing cloth. In such a process, the alignment film 31 is provided with a direction in a predetermined direction.

그 다음, 상기 상판(30)의 표시 유효면적 이외의 부분에 실런트(32)를 도포한다. 이때의 도포방법은 스크린 마스크법을 사용하며, 인쇄후 90℃의 온도로 48분간 가열하여 용매를 증발시킨다.Next, the sealant 32 is applied to a portion other than the display effective area of the upper plate 30. At this time, the coating method uses a screen mask method, and is heated to a temperature of 90 ℃ after printing for 48 minutes to evaporate the solvent.

그 다음, 도3b에 도시한 바와 같이 상기 하판(33)의 상부측에 배향막(34)을 형성하고, 그 배향막(34)를 러빙포를 사용하여 러빙하여 액정이 배향될 수 있는 방향성을 제공한다.Then, as shown in FIG. 3B, an alignment film 34 is formed on the upper side of the lower plate 33, and the alignment film 34 is rubbed using a rubbing cloth to provide the orientation in which the liquid crystal can be aligned. .

그 다음, 상기 배향막 상에 균일한 분포로 스페이서(35)를 산포시킨다.Then, the spacers 35 are distributed in a uniform distribution on the alignment layer.

이와같은 스페이서(35)는 상판(30)과 하판(33)의 간격을 일정하게 유지하는 역할을 하며, 그 산포의 방법에는 스페이서(35)를 용매에 혼합시켜 산포한후 용매를 증발시키는 습식산포와 스페이서(35)와 하판(33)을 다른 형으로 대전시켜 뭉침없이 산포시키는 건식산포가 있으며, 주로 건식산포를 이용하여 스페이서(35)를 위치시킨다.The spacer 35 serves to maintain a constant gap between the upper plate 30 and the lower plate 33. In the method of spreading, the wet dispersion for evaporating the solvent after mixing and dispersing the spacer 35 in a solvent. There is a dry scattering to disperse the spacer 35 and the lower plate 33 in a different form and scatter without aggregation. The spacer 35 is mainly positioned by using dry scattering.

그 다음, 상기 두 배향막(34),(31)이 마주하도록 상판(30)과 하판(33)을 대향시키고, 상기 실런트(32)를 소성하여 상기 상판(30)과 하판(33)을 합착시킨다.Next, the upper plate 30 and the lower plate 33 face each other such that the two alignment layers 34 and 31 face each other, and the sealant 32 is fired to bond the upper plate 30 and the lower plate 33 to each other. .

이때의 합착공정은 상기 상판(30)과 하판(33)의 사이를 완전히 밀봉하지않으며, 일부분을 노출시켜둔 액정주입구를 가진다.The bonding process at this time does not completely seal between the upper plate 30 and the lower plate 33, and has a liquid crystal inlet in which a part is exposed.

그 다음, 도3d에 도시한 바와 같이 상기 합착된 상판(30)과 하판(33)의 사이영역에 액정(36)을 주입하고, 그 액정이 주입되는 액정주입구를 봉지하여 액정을 외부와 완전히 분리하게 된다. Next, as shown in FIG. 3D, the liquid crystal 36 is injected into the region between the bonded upper plate 30 and the lower plate 33, and the liquid crystal injection hole into which the liquid crystal is injected is completely separated from the outside. Done.                         

이와 같이 제조되는 박막 트랜지스터 표시소자는 그 칼라필터인 상판(30)을 제작할때 색상층(23)의 상부에 유기물질인 오버코팅층(24)을 사용함으로써, 후속공정에서 유기성 이물의 발생가능성이 많아 신뢰성이 저하되며, 얼룩계불량, 세로선 등의 발생으로 표시소자의 특성이 열화되며, 이에 따라 수율이 저하되는 원인이된다.The thin film transistor display device manufactured as described above uses an overcoat layer 24, which is an organic material, on the top of the color layer 23 when fabricating the upper plate 30, which is a color filter. The reliability is deteriorated, and the characteristics of the display element are deteriorated due to the occurrence of spot defects, vertical lines, and the like, thereby causing a decrease in yield.

상기한 바와 같이 종래 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터 및 그 제조방법은 색상층의 보호를 위한 오버코팅층을 유기계의 물질을 사용하여 형성함으로써, 후속공정에서 유기성 이물이 발생할 가능성이 높아 공정의 신뢰성이 저하되는 문제점과 아울러 얼룩계 불량, 세로선 등의 자체 불량 발생율이 높아 박막 트랜지스터 표시소자의 품질을 저하시키며, 이로 인해 수율이 감소하는 문제점이 있었다.As described above, the color filter and the manufacturing method of the conventional thin film transistor display device by forming an overcoat layer for protecting the color layer using an organic material, there is a high possibility that organic foreign matter occurs in the subsequent process, the process reliability is lowered In addition, the high defect rate of the defects such as stain defects, vertical lines, etc. is high, thereby degrading the quality of the thin film transistor display device, resulting in a decrease in yield.

이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명은 칼라필터 제작후 유기성 이물의 발생을 방지함과 아울러 자체불량 발생율을 감소시킬 수 있는 컬러필터, 이를 구비한 박막 트랜지스터 표시소자 및 그 제조방법을 제공함에 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, the present invention is a color filter that can prevent the occurrence of organic foreign matters after the production of the color filter as well as to reduce the rate of self-defect, thin film transistor having the same An object of the present invention is to provide a display device and a method of manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막트랜지스터 표시소자 제조방법은, 유리기판의 상부에 금속을 증착하고, 이를 패터닝하여 상기 유리기판의 상부측에 위치하는 복수의 차광층을 형성하는 단계와; 상기 차광층의 사이에 노출된 유리기판 상에 색상층을 형성하는 단계와; 상기 구조의 상부전면에 유기물질을 도포하여 오버코팅층을 형성하는 단계와; 상기 오버코팅층의 상부에 절연막을 증착하여 상기 오버코팅층으로 부터 유기성 이물이 발생하는 것을 방지하는 이물발생 방지층을 형성하는 단계와; 상기 이물발생 방지층의 상부에 투명전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막트랜지스터 표시소자는, 유리기판의 상부일부에 위치하는 차광층과; 상기 차광층 사이에 노출된 유리기판 상에 위치하는 색상층과; 상기 구조의 상부전면에 위치하여 상기 색상층을 보호하는 유기계 오버코팅층과; 상기 유기계 오버코팅층의 상부전면에 위치하여 상기 유기계 오버코팅층에서 유기성 이물이 발생하는 것을 방지하는 이물발생 방지층과; 상기 이물발생 방지층의 상부에 위치하는 투명전극으로 구성되는 칼라필터;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.
이하, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 표시소자 및 그 제조방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film transistor display device, comprising: depositing a metal on an upper portion of a glass substrate and patterning the same to form a plurality of light blocking layers positioned on an upper side of the glass substrate; Forming a color layer on the glass substrate exposed between the light blocking layers; Forming an overcoat layer by applying an organic material to the upper surface of the structure; Depositing an insulating film on top of the overcoating layer to form a foreign matter prevention layer for preventing organic foreign matter from being generated from the overcoating layer; Forming a transparent electrode on the upper portion of the foreign matter generation prevention layer.
In addition, a thin film transistor display device according to the present invention for achieving the above object, the light blocking layer is located on the upper portion of the glass substrate; A color layer positioned on the glass substrate exposed between the light blocking layers; An organic overcoat layer disposed on an upper surface of the structure to protect the color layer; A foreign matter generation layer disposed on an upper surface of the organic overcoat layer to prevent organic foreign matter from occurring in the organic overcoat layer; And a color filter composed of a transparent electrode positioned on the foreign material generation prevention layer.
Hereinafter, a thin film transistor display device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도4a 내지 도4e는 본 발명 박막트랜지스터 표시소자의 하판 제조공정 수순단면도이다.
도면에 도시한 바와 같이 유리기판(1)의 상부전면에 금속을 증착하고, 그 금속을 사진식각공정을 통해 패터닝하여 게이트전극(2)을 형성하는 단계(도4a)와; 상기 게이트전극(2)의 상부전면에 게이트절연막(3)을 증착하고, 그 상부전면에 비정질실리콘을 증착하고 패터닝하여 박막트랜지스터를 형성할 위치의 게이트전극(2) 상에 대향하는 위치에 액티브영역(4)을 형성하는 단계(도4b)와; 상기 구조의 상부전면에 금속을 증착하고, 패터닝하여 상기 액티브영역(4)의 중앙부에서 상호 소정간격 이격되며, 그 액티브영역(4)의 측면 게이트전극(2)의 상부일부에 위치하는 소스(5) 및 드레인(6)을 형성하는 단계(도4c)와; 상기 구조의 상부전면에 패시베이션막(7)을 증착하고, 그 패시베이션막(7)에 콘택홀을 형성하여 드레인(6)의 상부일부를 노출시키는 단계(도4d)와; 상기 구조의 상부전면에 ITO를 증착하고 패터닝하여 상기 노출된 드레인(6)에 접속되며, 상기 박막트랜지스터가 위치하지 않는 영역의 상부에 위치하는 픽셀전극(8)을 형성하는 단계(도4e)로 하판을 제작하며, 이와 같은 하판 제조공정은 종래의 하판 제조방법과 동일하다.4A to 4E are cross-sectional views of a lower plate manufacturing process of the thin film transistor display device of the present invention.
Depositing a metal on the upper surface of the glass substrate 1 as shown in the figure, and patterning the metal through a photolithography process to form a gate electrode 2 (FIG. 4A); The gate insulating film 3 is deposited on the upper surface of the gate electrode 2, and the amorphous silicon is deposited and patterned on the upper surface of the gate electrode 2 to form an active region at a position opposite to the gate electrode 2 at a position to form a thin film transistor. (4) forming (FIG. 4B); The metal is deposited on the upper surface of the structure and patterned to be spaced apart from each other at the center of the active region 4 by a predetermined distance, and the source 5 positioned on the upper portion of the side gate electrode 2 of the active region 4. ) And forming a drain 6 (FIG. 4C); Depositing a passivation film (7) on the upper surface of the structure and forming a contact hole in the passivation film (7) to expose a portion of the upper part of the drain (FIG. 4D); Depositing and patterning ITO on the upper surface of the structure to form a pixel electrode 8 connected to the exposed drain 6 and positioned above the region where the thin film transistor is not located (FIG. 4E). The lower plate is manufactured, and the lower plate manufacturing process is the same as the conventional lower plate manufacturing method.

한편, 도5a 내지 도5d는 본 발명 박막 트랜지스터 표시소자의 상판 제조공정 수순단면도이다.
도면에 도시된 바와같이, 유리기판(21)의 상부전면에 금속을 증착하고, 그 금속을 패터닝하여 유리기판(21)의 상부일부에 위치하는 차광층(22)을 형성하는 단계(도5a)와; 상기 차광층(22)의 사이에 노출된 유리기판(21)의 상부에 칼라필터인 색상층(23)을 형성하는 단계(도5b)와; 상기 색상층(23)의 상부에 유기막을 증착하여 그 색상층(23)을 보호하는 오버코팅층(24)을 형성하는 단계(도5c)와; 상기 오버코팅층(24)의 상부에 실리콘 산화막 등의 실리콘계열의 물질을 도포하여 이물발생 방지층(27)을 형성하고, 그 상부에 투명전극(25)을 형성하는 단계(도5d)를 통해 상판을 제작한다.5A to 5D are cross-sectional views of a top plate manufacturing process of the thin film transistor display device of the present invention.
As shown in the figure, depositing a metal on the upper surface of the glass substrate 21, and patterning the metal to form a light shielding layer 22 located on the upper portion of the glass substrate 21 (Fig. 5a) Wow; Forming a color layer 23 as a color filter on the glass substrate 21 exposed between the light blocking layers 22 (FIG. 5B); Depositing an organic film on top of the color layer (23) to form an overcoat layer (24) protecting the color layer (23); The upper plate is formed by applying a silicon-based material such as a silicon oxide film on the overcoating layer 24 to form a foreign matter prevention layer 27 and forming a transparent electrode 25 thereon (FIG. 5D). To make.

이하, 상기와 같은 본 발명 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터인 상판 제조방법을 좀 더 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the upper plate, which is a color filter of the thin film transistor display device according to the present invention, will be described in more detail.

먼저, 도5a에 도시한 바와 같이 유리기판(21)의 상부전면에 금속을 증착하고, 그 금속을 패터닝하여 유리기판(21)의 상부일부에 위치하는 차광층(22)을 형성한다.First, as shown in FIG. 5A, a metal is deposited on the upper surface of the glass substrate 21, and the metal is patterned to form a light shielding layer 22 positioned on an upper portion of the glass substrate 21.

그 다음, 도5b에 도시한 바와 같이 스크린 인쇄법을 사용하여 상기 차광층(22)의 사이에 노출된 유리기판(21)의 상부에 칼라필터인 색상층(23)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5B, a color layer 23 as a color filter is formed on the glass substrate 21 exposed between the light shielding layers 22 using screen printing.

그 다음, 도5c에 도시한 바와 같이, 종래와 동일한 방법으로 상기 색상층(23)의 상부에 유기막을 증착하여 그 색상층(23)을 보호하는 오버코팅층(24) 을 형성한다.Then, as shown in Fig. 5C, an organic film is deposited on the color layer 23 in the same manner as the conventional method to form an overcoat layer 24 protecting the color layer 23.

그 다음, 도5d에 도시한 바와 같이 상기 오버코팅층(24)의 상부에 실리콘 산화막 등의 실리콘계열의 물질을 도포하여 이물발생 방지층(27)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 5D, a silicon-based material such as a silicon oxide film is coated on the overcoat layer 24 to form a foreign matter generation prevention layer 27 .

이때, 이물발생 방지층(27)의 두께는 어떤 것이든 관계가 없으며, 하지막의 안정을 위해 증착온도는 250℃가 넘지 않도록 한다.At this time, the thickness of the foreign matter generation layer 27 does not matter any, and the deposition temperature does not exceed 250 ℃ for the stability of the underlying film.

이물발생 방지층(27)의 역할은 상기 오버코팅층(24)에서 유기성 불순물이 발생하는 것을 방지하는 역할을 하며, 후속공정에서 보다 안정적인 공정이 유지될 수 있도록 하는 것이다.The role of the foreign matter generation prevention layer 27 serves to prevent the generation of organic impurities in the overcoating layer 24 and to maintain a more stable process in a subsequent process.

그 다음, 상기 이물발생 방지층(27)의 상부전면에 ITO를 증착하여 하판에 형성한 픽셀전극에 대향하는 위치에 투명전극(25)을 형성한다.Next, ITO is deposited on the upper surface of the foreign matter generation layer 27 to form a transparent electrode 25 at a position opposite to the pixel electrode formed on the lower plate.

한편, 도6a 내지 도6d는 상기 제작한 상판과 하판을 합착하는 공정의 수순단면도이다.
도면에 도시한 바와 같이, 칼라필터인 상판(30)의 상부, 즉 이물발생 방지층및 투명전극이 형성된 상판의 상부에 배향막(31)을 형성하고, 그 배향막(31)을 러빙포를 사용하여 러빙하여 이후의 공정에서 액정이 배향될 수 있도록 한 후, 그 상판(30)의 표시 유효면적 이외의 부분에 실런트(32)를 도포하는 단계(도6a)와; 상기 하판(33)의 상부측에 배향막(34)을 형성하고, 그 배향막(34)를 러빙포를 사용하여 러빙하여 액정이 배향될 수 있도록 한 후, 상기 배향막 상에 균일한 분포로 스페이서(35)를 형성하는 단계(도6b)와; 상기 두 배향막(34),(31)이 마주하도록 상판(30)과 하판(33)을 대향시키고, 상기 실런트(32)를 소성하여 상기 상판(30)과 하판(33)을 합착하는 단계(도6c)와; 상기 합착된 상판(30)과 하판(33)의 사이영역에 액정(36)을 주입하는 단계(도6d)로 이루어지며, 이는 종래의 상하판 합착공정과 동일하게 진행된다.6A to 6D are cross-sectional views of a process of bonding the produced upper and lower plates together.
As shown in the figure, an alignment film 31 is formed on the upper plate 30 as a color filter, that is, on the upper plate on which the foreign matter prevention layer and the transparent electrode are formed , and the alignment film 31 is rubbed using a rubbing cloth. To allow the liquid crystal to be oriented in a subsequent step, and then applying the sealant 32 to a portion other than the display effective area of the upper plate 30 (FIG. 6A); An alignment layer 34 is formed on the upper side of the lower plate 33, and the alignment layer 34 is rubbed using a rubbing cloth to align the liquid crystal, and then the spacers 35 are uniformly distributed on the alignment layer. Forming a step (Fig. 6B); Opposing the upper plate 30 and the lower plate 33 so that the two alignment layers 34 and 31 face each other, and firing the sealant 32 to bond the upper plate 30 and the lower plate 33 together (FIG. 6c); Injecting the liquid crystal 36 in the region between the bonded upper plate 30 and the lower plate 33 (Fig. 6d), which proceeds in the same manner as the conventional upper and lower plate bonding process.

이하, 상판과 하판의 합착공정을 좀더 상세히 설명하여 본 발명에서 적용된 이물발생 방지층(27)의 기능이 상세히 나타나도록 한다.Hereinafter, the bonding process of the upper plate and the lower plate will be described in more detail so that the function of the foreign matter generation prevention layer 27 applied in the present invention appears in detail.

먼저, 도6a에 도시한 바와 같이 칼라필터인 상판(30)의 하부에 배향막(31)을 형성한다. First, as shown in FIG. 6A, an alignment layer 31 is formed below the upper plate 30, which is a color filter.

그 다음, 러빙포를 사용하여 그 배향막(31)을 러빙한다. 이와 같은 공정으로 상기 배향막(31)에는 일정한 방향으로의 방향성을 가지게 된다.Then, the alignment film 31 is rubbed using a rubbing cloth. In such a process, the alignment layer 31 has directivity in a predetermined direction.

그 다음, 상기 상판(30)의 표시 유효면적 이외의 부분에 접착제인 실런트(32)를 도포한다. 이때의 도포방법은 스크린 마스크법을 사용하며, 인쇄후 90℃의 온도로 48분간 가열하여 용매를 증발시킨다.Next, the sealant 32 as an adhesive is applied to a portion other than the display effective area of the upper plate 30. At this time, the coating method uses a screen mask method, and is heated to a temperature of 90 ℃ after printing for 48 minutes to evaporate the solvent.

이와 같은 과정에서 상기 오버코팅층(24)에서 이물이 발생함을 상기 실리콘 절연막인 이물발생 방지층(27)에 의해 방지할 수 있게 된다. 또한 열적으로 안정된 이물발생 방지층(27)의 사용으로 공정이 안정화되며, 특히 이물의 발생에 의한 얼룩계 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다.In this process, foreign matters may be prevented from occurring in the overcoating layer 24 by the foreign matter prevention layer 27 , which is the silicon insulating layer. In addition, the process is stabilized by the use of the thermally stable foreign matter generation prevention layer 27 , in particular, it is possible to prevent the generation of stain-based defects caused by foreign matters.

그 다음, 도6b에 도시한 바와 같이 상기 하판(33)의 상부측에 배향막(34)을 형성하고, 그 배향막(34)를 러빙포를 사용하여 러빙하여 액정이 배향될 수 있는 방향성을 제공한다.Then, as shown in Fig. 6B, an alignment film 34 is formed on the upper side of the lower plate 33, and the alignment film 34 is rubbed using a rubbing cloth to provide the orientation in which the liquid crystal can be aligned. .

그 다음, 상기 배향막 상에 균일한 분포로 상판(30)과 하판(33)의 간격을 일정하게 유지하는 역할을 하는 스페이서(35)를 산포시킨다.Then, the spacer 35 serving to keep the gap between the upper plate 30 and the lower plate 33 in a uniform distribution on the alignment layer is dispersed.

그 다음, 상기 두 배향막(34),(31)이 마주하도록 상판(30)과 하판(33)을 대 향시키고, 상기 실런트(32)를 소성하여 상기 상판(30)과 하판(33)을 합착시킨다.Next, the upper plate 30 and the lower plate 33 face each other such that the two alignment layers 34 and 31 face each other, and the sealant 32 is fired to bond the upper plate 30 and the lower plate 33 to each other. Let's do it.

이때의 합착공정은 상기 상판(30)과 하판(33)의 사이를 완전히 밀봉하지않으며, 일부분을 노출시켜둔 액정주입구를 가진다.The bonding process at this time does not completely seal between the upper plate 30 and the lower plate 33, and has a liquid crystal inlet in which a part is exposed.

그 다음, 도6d에 도시한 바와 같이 상기 합착된 상판(30)과 하판(33)의 사이영역에 액정(36)을 주입하고, 그 액정이 주입되는 액정주입구를 봉지하여 액정을 외부와 완전히 격리시키게 된다.Next, as shown in FIG. 6D, the liquid crystal 36 is injected into a region between the bonded upper plate 30 and the lower plate 33, and the liquid crystal injection hole into which the liquid crystal is injected is sealed to completely isolate the liquid crystal from the outside. Let's go.

이때, 액정을 주입하는 방법은 상기 접합된 상판(30)과 하판(33)을 액정에 오랜시간 동안 담궈두거나, 상판(30)과 하판(33)의 사이영역의 압력을 낮춰 액정이 빨리 유입될 수 있도록 하는 방법을 사용한다.At this time, the method of injecting the liquid crystal is to immerse the bonded upper plate 30 and the lower plate 33 in the liquid crystal for a long time, or lower the pressure in the region between the upper plate 30 and the lower plate 33 so that the liquid crystal can be introduced quickly Use a method to make it work.

상기와 같이 칼라필터인 상판(30)과 박막 트랜지스터 및 픽셀전극을 포함하는 하판(33)을 접착하는 공정과, 액정의 주입공정 등에서 유기계의 오버코팅층(24)으로 부터 유기물성 불순물이 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다. As described above, organic impurities may be generated from the organic overcoat layer 24 in the process of adhering the upper plate 30, which is a color filter, and the lower plate 33 including the thin film transistor and the pixel electrode, and the liquid crystal injection process. It can be prevented.

상기한 바와같이 본 발명에 따른 박막트랜지스터 표시소자 및 그 제조방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따른 박막트랜지스터 표시소자 및 그 제조방법에 의하면, 칼라필터의 색상층을 보호하는 유기계의 오버코팅층 상부에 실리콘계 절연막을 더 형성함으로써, 공정중에 유기성 이물이 발생하는 것을 방지하여 공정의 신뢰성을 확보함과 아울러 얼룩계 불량 및 세로선의 발생을 방지함으로써, 박막 트랜지스터 표시소자의 특성이 열화되는 것을 방지하고, 수율을 향상시키는 효과가 있다.As described above, the thin film transistor display device and the manufacturing method thereof according to the present invention have the following effects.
According to the thin film transistor display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, by forming a silicon-based insulating film on top of the organic overcoat layer to protect the color layer of the color filter, to prevent the generation of organic foreign matter during the process to improve the reliability of the process In addition, by preventing the occurrence of uneven stain and vertical lines, it is possible to prevent deterioration of the characteristics of the thin film transistor display device and to improve the yield.

Claims (10)

유리기판의 상부에 이격되게 형성된 차광층; A light shielding layer spaced apart from the upper portion of the glass substrate; 상기 차광층사이에 노출된 유리기판상에 형성된 색상층; A color layer formed on the glass substrate exposed between the light blocking layers; 상기 유리기판 전체에 형성된 유기계 오버코팅층; An organic overcoat layer formed on the entire glass substrate; 상기 유기계 오버코팅층의 상부전면에 형성된 이물발생 방지층; 및Foreign material generation prevention layer formed on the upper surface of the organic overcoat layer; And 상기 이물발생 방지층의 상부에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터.And a transparent electrode formed over the foreign material generation preventing layer. 제 1항에 있어서, 상기 이물발생 방지층은 실리콘계의 절연막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터.The color filter of claim 1, wherein the foreign material generation prevention layer is a silicon-based insulating film. 유리기판의 상부에 이격되게 복수의 차광층을 형성하는 단계; Forming a plurality of light blocking layers spaced apart from the upper portion of the glass substrate; 상기 차광층사이에 노출된 유리기판상에 색상층을 형성하는 단계; Forming a color layer on the glass substrate exposed between the light blocking layers; 상기 구조의 상부전면에 오버코팅층을 형성하는 단계; Forming an overcoating layer on an upper surface of the structure; 상기 오버코팅층의 상부에 이물발생 방지층을 형성하는 단계; 및Forming a foreign matter prevention layer on the overcoating layer; And 상기 이물발생 방지층의 상부에 투명전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터 제조방법.And forming a transparent electrode on the foreign material generation prevention layer. 제 3항에 있어서, 상기 이물발생 방지층은 실리콘계 절연막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터 제조방법.4. The method of claim 3, wherein the foreign material generation prevention layer is formed of a silicon-based insulating film. 제 3항에 있어서, 상기 이물발생 방지층은 0보다 크고 250℃ 이하의 온도 분위기하에서 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터 제조방법.The method of claim 3, wherein the foreign material generation prevention layer is formed in a temperature atmosphere of greater than 0 and less than or equal to 250 ° C. 5. 하판상에 형성된 게이트전극;A gate electrode formed on the lower plate; 상기 게이트전극상에 형성된 게이트절연막과 액티브영역;A gate insulating film and an active region formed on the gate electrode; 상기 액티브영역상에 형성된 소스 및 드레인;A source and a drain formed on the active region; 상기 하판상에 형성되고 상기 드레인을 노출시키는 콘택홀이 구비된 패시베이션막;A passivation film formed on the lower plate and provided with a contact hole exposing the drain; 상기 패시베이션막상에 형성되고 상기 드레인과 연결되는 픽셀전극;A pixel electrode formed on the passivation film and connected to the drain; 상판의 상부에 이격되게 형성된 차광층; A light shielding layer spaced apart from the top of the upper plate; 상기 차광층사이에 노출된 상판상에 형성된 색상층; A color layer formed on the top plate exposed between the light blocking layers; 상기 상판 전체에 형성된 유기계 오버코팅층; An organic overcoat layer formed on the entire upper plate; 상기 유기계 오버코팅층의 상부전면에 형성된 이물발생 방지층;Foreign material generation prevention layer formed on the upper surface of the organic overcoat layer; 상기 이물발생 방지층의 상부에 형성된 투명전극; 및A transparent electrode formed on the foreign matter generation layer; And 상기 하판과 상판사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 박막 트랜지스터 표시소자.And a liquid crystal layer formed between the lower plate and the upper plate. 제 6항에 있어서, 상기 이물발생 방지층은 실리콘계의 절연막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자.7. The thin film transistor display device of claim 6, wherein the foreign material generation prevention layer is a silicon-based insulating film. 하판상에 게이트전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode on the lower plate; 상기 게이트전극상에 게이트절연막과 액티브영역을 적층하는 단계;Stacking a gate insulating film and an active region on the gate electrode; 상기 액티브영역상에 소스 및 드레인을 형성하는 단계;Forming a source and a drain on the active region; 상기 하판상에 패시베이션막을 형성하고 상기 패시베이션막에 상기 드레인을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;Forming a passivation film on the lower plate and forming a contact hole exposing the drain in the passivation film; 상기 패시베이션막상에 상기 드레인과 연결되는 픽셀전극을 형성하는 단계;Forming a pixel electrode connected to the drain on the passivation film; 상기 하판에 제1배향막을 형성하는 단계;Forming a first alignment layer on the lower plate; 상판 상부에 이격되게 복수의 차광층을 형성하는 단계; Forming a plurality of light blocking layers spaced apart from the upper plate; 상기 차광층사이에 노출된 상판 상에 색상층을 형성하는 단계; Forming a color layer on the top plate exposed between the light blocking layers; 상기 구조의 상부전면에 오버코팅층을 형성하는 단계; Forming an overcoating layer on an upper surface of the structure; 상기 오버코팅층의 상부에 이물발생 방지층을 형성하는 단계;Forming a foreign matter prevention layer on the overcoating layer; 상기 이물발생 방지층의 상부에 투명전극을 형성하는 단계;Forming a transparent electrode on the foreign material generation prevention layer; 상기 상판에 제2배향막을 형성하는 단계;Forming a second alignment layer on the top plate; 상기 하판과 상판을 합착시키는 단계; 및Bonding the lower plate and the upper plate to each other; And 상기 합착된 하판과 상판사이에 액정을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 제조방법.Forming a liquid crystal between the bonded lower plate and the upper plate; manufacturing method of a thin film transistor display device comprising a. 제 8항에 있어서, 상기 이물발생 방지층은 실리콘계 절연막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 제조방법.10. The method of claim 8, wherein the foreign material generation prevention layer is formed of a silicon-based insulating film. 제 8항에 있어서, 상기 이물발생 방지층은 0보다 크고 250℃ 이하의 온도 분위기하에서 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 제조방법.The method of claim 8, wherein the foreign material generation prevention layer is formed in a temperature atmosphere of greater than 0 and less than or equal to 250 ° C. 10.
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