KR100791680B1 - Method for exposing in a stepper - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래의 싱글 노광 방법을 설명하기 위한 도면이며,1 is a view for explaining a conventional single exposure method,
도 2는 종래의 듀얼 노광 방법을 설명하기 위한 도면이며,2 is a view for explaining a conventional dual exposure method,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 스테퍼의 노광 과정을 도시한 흐름도이며, 3 is a flowchart illustrating an exposure process of a stepper according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 도3의 마지막 단계인 노광 조건을 토대로 노광 공정을 진행하는 과정을 설명하기 위한 도면이며, FIG. 4 is a diagram for describing a process of performing an exposure process based on an exposure condition which is the last step of FIG. 3.
도 5는 본 발명과 종래 기술간의 스테퍼 노광 공정 상의 차이점을 설명하기 위한 그래프이다.5 is a graph for explaining the difference in the stepper exposure process between the present invention and the prior art.
본 발명은 스테퍼의 노광 방법에 관한 것으로, 특히 포커스 마진을 확보함과 더불어 노광 마진의 감소폭을 줄일 수 있는 스테퍼의 노광 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a stepper exposure method, and more particularly, to a stepper exposure method capable of securing a focus margin and reducing a reduction in exposure margin.
일반적으로, 사진 공정의 노광 방식은 콘택(contact) 방식과 프로젝션(projection) 방식으로 크게 나누어지는데, 상기 콘택 방식은 현재 반도체 소자의 제조에 거의 사용되지 않지만 얼라이먼트 마진(alignment margin)이 큰 경우에 일부 사용되기도 한다. 또한, 프로젝션 방식은 마스크에 형성된 패턴을 광을 이용하여 피 노광 기판, 즉 웨이퍼 상이 전사시키는 방법으로서 스테퍼(stepper) 방식과 얼라이너 방식으로 구분된다.In general, the exposure method of the photolithography process is largely divided into a contact method and a projection method, which are rarely used in the manufacture of semiconductor devices at present, but in some cases when the alignment margin is large. Also used. In addition, a projection method is a method of transferring a pattern formed on a mask onto an exposed substrate, that is, a wafer using light, and is classified into a stepper method and an aligner method.
스테퍼 방식은 한번의 노광 작업을 실시할 때 노광할 수 있는 면적이 투영 렌즈의 유효 내경에 의해 제약 받기 때문에 레티클(reticle)의 패턴을 스테이지를 이동시키면서 반복적으로 노광을 진행하므로 스루풋(through-put)이 저하되는 반면에 얼라인먼트가 향상되는 장점이 있다. 상기 레티클은 주로 석영 판재의 표면에 크롬과 같은 불투광 금속의 패턴이 형성된 것이다. 얼라이너 방식은 기본적으로 마스크와 플레이트의 크기가 1:1의 일정한 광로 상을 동시에 스케닝하여 패턴을 전사함으로 스루풋이 향상되지만 넓은 영역 즉, 광역 얼라인먼트의 측면에서는 스테퍼 방식보다는 얼라인먼트의 정도가 떨어지는 단점이 있다. 그래서, 현재는 고집적 반도체 소자의 제조를 위한 노광 공정에서는 주로 스테퍼가 사용되고 있다.Since the stepper method is limited by the effective inner diameter of the projection lens when performing a single exposure operation, the reticle pattern is repeatedly exposed while moving the stage. Through-put While this is deteriorated, there is an advantage that the alignment is improved. The reticle is a pattern of an opaque metal such as chromium is mainly formed on the surface of the quartz plate. The aligner method basically improves throughput by transferring patterns by simultaneously scanning a uniform optical path with a mask and plate size of 1: 1, but the degree of alignment is lower than that of the stepper method in the wide area, that is, in terms of wide area alignment. have. Therefore, at present, a stepper is mainly used in the exposure process for manufacturing a highly integrated semiconductor element.
한편, 반도체 소자의 고집적화에 따라 사진공정 엔진니어들은 줄어든 사진 공정 마진으로 프로세서를 진행하기 위해 스테퍼(stepper) 장비의 빛의 조사량(dose)와 포커스를 더 자주 모니터링하고 시뮬레이션 툴을 이용해서 프로세스를 튜닝하고 RET(Resolution Enhancement Technology) 기술을 이용하여 줄어든 사진 공정 마진을 확보하기 위해 노력하고 있다.On the other hand, as the integration of semiconductor devices increases, photography process engineers monitor the dose and focus of the light of stepper equipment more frequently and tune processes using simulation tools to advance the processor with reduced photoprocessing margins. We are working to ensure reduced photo process margins using Resolution Enhancement Technology (RET) technology.
종래 사진 공정 마진 확보 방법으로는 싱글 노광을 통한 방법과 듀얼 노광을 통한 방법이 있다.Conventional photo process margin securing methods include a single exposure method and a dual exposure method.
먼저, 싱글 노광을 통한 방법은, 도 1에 도시된 바와 같이, ED-Tree(Energy Defocus) 방식으로 최적의 노광 조건을 찾은 후 노광 조건으로 레티클 이미지(10)를 통해 노광 공정을 실시하여 포토레지스트가 도포된 반도체 기판 상에 소정의 감광막 패턴을 형성한다.First, as shown in FIG. 1, as shown in FIG. 1, an optimum exposure condition is found by an ED-Tree (Energy Defocus) method, and then an exposure process is performed through the
여기서, ED-Tree 방식을 이용하여 최적의 노광 조건을 찾는 과정에 대해 설명하면, 먼저 포토레지스트가 도포된 반도체 기판의 각 지역에 대해 노광 에너지 및 포커스 값을 다르게 분할하여 노광하여 감광막 패턴을 형성한 후 감광막 패턴의 CD를 전자 현미경(SEM)으로 측정함으로서, 최적 조건의 노광 에너지와 포커스를 산출한다. Herein, a process of finding an optimal exposure condition by using the ED-Tree method will be described. First, a photosensitive film pattern is formed by dividing an exposure energy and a focus value differently for each region of a semiconductor substrate coated with a photoresist. After that, the CD of the photosensitive film pattern is measured with an electron microscope (SEM) to calculate the exposure energy and the focus under the optimum conditions.
이와 같이, 산출된 최적 조건을 이용하여 노광 공정에 사용될 레티클 이미지를 결정한다.As such, the calculated optimal conditions are used to determine the reticle image to be used in the exposure process.
도 1에서는 최적 조건이 24mj/cm2의 노광 에너지와 포커스가 0㎛이면, 이러한 최적 조건으로 하나의 레티클 이미지(10)를 사용하여 노광을 진행한다.In FIG. 1, when the optimum condition is an exposure energy of 24mj / cm 2 and the focus is 0 μm, exposure is performed using one
상기와 같이 싱글 노광 방법은 모든 레티클 이미지(10)에 대한 노광 에너지와 포커스도 하나의 동일한 값으로 결정되어 있기 때문에 노광 에너지와 포커스의 관리가 용이하였다. 또한, CD 허용 범위를 ±30nm로 관리하여도 전 막질의 변화를 전혀 문제화하지 않고 스테퍼 자체의 설비 능력만으로 반도체 기판의 가장자리부의 CD 균일도를 유지함으로써, 수율 저하의 영향을 극복해왔다.As described above, since the exposure energy and the focus of all the
그러나, 최근에 들어 초고집적 반도체 소자의 시대로 진입함에 따라 상기와 같은 종래의 싱글 노광 방법은 CD 허용 범위 ±15nm 이내로 관리하여도 스테퍼 자체의 설비 능력만으로 반도체 기판의 가장 자리부의 CD 균일도를 유지하기 어려워 지기 때문에 사진 공정의 마진 확보가 어려운 문제점이 있다.However, with the recent entry into the era of ultra-high density semiconductor devices, the conventional single exposure method as described above maintains the CD uniformity of the edge of the semiconductor substrate only with the capability of the stepper itself, even if managed within the CD tolerance range of ± 15 nm. It is difficult to secure the margin of the photo process because it becomes difficult.
이런 이유로 두 번째 사진 공정 마진 확보 방법으로 듀얼 노광 방법이 있다.For this reason, there is a dual exposure method to secure a second photo process margin.
듀얼 노광 방법은, 도 2에 도시된 바와 같이, 최적 조건 중 포커스를 + 방향으로 일정값만큼 변경시키고 노광 에너지를 1/2로 줄인 노광 조건으로 제 1 레티클 이미지(20)를 사용하여 노광을 진행한 후 최적 조건 중 포커스를 - 방향으로 일정값만큼 변경시키고 노광 에너지를 1/2로 줄인 노광 조건으로 레티클 이미지(22)를 사용하여 노광을 진행하는 방식이다. 여기서, 제 1, 2 레티클 이미지(20, 22)는 동일한 레티클 이미지이다.In the dual exposure method, as shown in FIG. 2, the exposure is performed using the
즉, 도 2에서는 최적 조건에 대한 노광 에너지가 24mj/cm2이고, 포커스 값이 0㎛이일 경우 12mj/cm2의 노광 에너지와 -3㎛의 포커스의 조건으로 제 1 레티클 이미지(20)에 노광 공정을 실시한 후 12mj/cm2의 노광 에너지와 +3㎛의 포커스의 조건으로 제 2 레티클 이미지(20)에 노광 공정을 실시한다. That is, in FIG. 2, when the exposure energy of the optimum condition is 24mj / cm 2 and the focus value is 0 μm, the exposure process is performed on the
이러한 듀얼 노광 기술의 경우 포커스의 마진(DOF)은 상승하는데 반해, 노광 마진(EL : Exposure Latitude)이 감소하는 문제로 인하여 실제 공정에 적용하기 어려운 문제점이 있다.In the case of the dual exposure technology, the focus margin (DOF) is increased, but the exposure margin (EL: Exposure Latitude) is reduced due to a problem that it is difficult to apply to the actual process.
본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 최적 조건의 노광 에너지, 포커스, 최대 포커스 및 최소 포커스를 토대로 설정된 적어도 세가지 이상의 노광 조건을 토대로 노광 공정을 실시함으로서, 노광 마진의 감소폭을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 포커스 마진을 확보할 수 있는 스테퍼의 노광 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve such problems of the prior art, and by reducing the exposure margin by performing an exposure process based on at least three or more exposure conditions set on the basis of optimal exposure energy, focus, maximum focus, and minimum focus. In addition, the present invention provides a stepper exposure method capable of reducing the focus margin and securing a focus margin.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 스테퍼의 노광 방법으로서, 포토레지스트가 도포된 반도체 기판에 대해 최적 조건의 포커스와 노광 에너지를 산출하고, 노광 가능한 최대 포커스와 최소 포커스를 산출하는 제 1 단계와, 상기 최적 조건의 노광 에너지와 포커스를 변경시킨 제 1 노광 조건으로 레티클 이미지를 노광하는 제 2 단계와, 상기 최적 조건의 포커스와 상기 최적 조건의 노광 에너지에서 일정값 변경된 노광 에너지로 상기 레티클 이미지를 노광하는 제 3 단계와, 상기 최적 조건의 노광 에너지와 포커스를 변경시킨 제 2 노광 조건으로 상기 레티클 이미지를 노광하는 제 4 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a stepper exposure method, comprising: a first step of calculating a focus and exposure energy of optimal conditions for a semiconductor substrate coated with a photoresist, and calculating a maximum focus and a minimum focus that can be exposed; And a second step of exposing the reticle image to a first exposure condition with a change in focus and exposure energy of the optimum condition; and a reticle with an exposure energy that is constant changed from the focus energy of the optimum condition and the exposure energy of the optimum condition. A third step of exposing the image, and a fourth step of exposing the reticle image under a second exposure condition in which the exposure energy and focus of the optimal condition are changed.
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여기서, 상기 제 1 노광 조건은, 상기 최적 조건의 노광 에너지의 20%에 해당되는 노광 에너지와 상기 최대 포커스값이며, 상기 제 2 노광 조건은, 상기 최적 조건의 노광 에너지의 20%와 상기 최소 포커스값이다..Here, the first exposure condition is an exposure energy corresponding to 20% of the exposure energy of the optimal condition and the maximum focus value, and the second exposure condition is 20% of the exposure energy of the optimal condition and the minimum focus. Value.
또한, 상기 제 3 단계는, 상기 최적 조건의 노광 에너지의 60%만을 이용하여 상기 레티클 이미지를 노광한다.In the third step, the reticle image is exposed using only 60% of the exposure energy under the optimum conditions.
본 발명의 세부적인 기술 구성은 이하, 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. Detailed technical configuration of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 스테퍼의 노광 과정을 도시한 흐름도이며, 도 4는 도3의 마지막 단계인 노광 조건을 토대로 노광 공정을 진행하는 과정을 설명하기 위한 도면이며, 도 5는 본 발명과 종래 기술간의 스테퍼 노광 공정 상의 차이점을 설명하기 위한 그래프이다.3 is a flowchart illustrating an exposure process of a stepper according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 4 is a view for explaining a process of performing an exposure process based on an exposure condition which is the last step of FIG. It is a graph for explaining the difference in the stepper exposure process between the present invention and the prior art.
도 3을 참조하면, 단계 S300에서는 스테퍼의 모든 노광 스텝을 어레인지 하기에 앞서서 먼저, 포토레지스트가 도포된 반도체 기판의 모든 지역에 대해 노광 에너지와 포커스 마진을 평가한다. 이를 좀 더 상세히 언급하면, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 단위영역의 크기로 균등 분할하고, 각 단위 지역에 대해 노광 에너지와 포커스를 스플리트(split)하면서 노광을 실시한 후 반도체 기판을 통상의 현상 공정으로 처리한다. 현상 공정의 처리가 완료되고 나면, 전자 현미경(SEM)을 이용하여 반도체 기판의 각 지역에서의 포커스 마진과 노광 에너지 마진을 평가한다. 즉, 단계 S300에서는 최적 조건의 노광 에너지와 포커스를 산출함과 더불어 노광이 가능한 최대 포커스와 최소 포커스를 산출한다.Referring to FIG. 3, in step S300, prior to arranging all the exposure steps of the stepper, the exposure energy and the focus margin are evaluated for all regions of the semiconductor substrate to which the photoresist is applied. In more detail, the photoresist-coated wafer is equally divided into unit regions, and the semiconductor substrate is subjected to a conventional developing process after the exposure is performed while splitting exposure energy and focus to each unit region. To be processed. After the processing of the developing step is completed, the focus margin and exposure energy margin in each region of the semiconductor substrate are evaluated using an electron microscope (SEM). That is, in step S300, the exposure energy and the focus of the optimum condition are calculated, and the maximum and minimum focus that can be exposed are calculated.
그런 다음, 단계 S302에서는 산출된 최적 조건의 노광 에너지와 포커스, 최대 포커스, 최소 포커스를 토대로 3개의 노광 조건을 설정한다. 즉, 최적 조건의 노광 에너지의 20%와 최대 포커스를 제 1 노광조건으로 설정하고, 최적 노광 에너지의 60%와 최적 조건의 포커스를 제 2 노광 조건으로 설정하며, 최적 노광 에너지의 20%와 최소 포커스를 제 3 노광 조건으로 설정한다.Then, in step S302, three exposure conditions are set based on the calculated exposure energy and focus, maximum focus, and minimum focus of the optimum conditions. That is, 20% of the optimal exposure energy and the maximum focus are set to the first exposure condition, 60% of the optimal exposure energy and the focus of the optimal condition are set to the second exposure condition, and 20% and the minimum of the optimal exposure energy are set. The focus is set to the third exposure condition.
그리고나서, 단계 S304에서는 상기와 같은 과정을 통해 설정된 제 1, 2, 3 노광 조건을 토대로 노광 공정을 실시한다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 노광 조건을 이용하여 레티클 이미지(400)에 노광 공정을 실시한 후 제 2 노광 조건을 이용하여 레티클 이미지(400)에 노광 공정을 실시하며, 마지막으로 제 3 노광 조건을 이용하여 레티클 이미지(400)에 노광 공정을 실시한 후 현상 공정을 실시함으로서, 원하는 패턴을 반도체 기판 상에 형성시킨다.Then, in step S304, the exposure process is performed based on the first, second, and third exposure conditions set through the above process. That is, as shown in FIG. 4, the exposure process is performed on the
즉, 제 1 노광 조건을 이용한 노광 공정은 최적 조건의 노광 에너지 중 20%의 노광 에너지만 공급되도록 하고, 최대 포커스에 스테퍼 장비를 맞춘 후 레티클 이미지에 노광 공정을 실시하고, 제 2 노광 조건을 이용한 노광 공정은 최적 조건의 노광 에너지 중 60%의 노광 에너지만 공급되도록 하고, 최적 조건의 포커스에 스테퍼 장비를 맞춘 후 레티클 이미지에 노광 공정을 실시하며, 제 3 노광 조건을 이용한 노광 공정은 최적 조건의 노광 에너지 중 20%의 노광 에너지만 공급되도록 하고, 최소 포커스에 스테퍼 장비를 맞춘 후 레티클 이미지에 노광 공정을 실시함으로서, 반도체 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성시킨다.That is, in the exposure process using the first exposure conditions, only 20% of the exposure energy of the optimal exposure energy is supplied, the stepper equipment is adjusted to the maximum focus, the exposure process is performed on the reticle image, and the second exposure condition is used. In the exposure process, only 60% of the exposure energy of the optimal condition is supplied, the stepper equipment is adjusted to the focus of the optimal condition, and the exposure process is performed on the reticle image. The photoresist pattern is formed on the semiconductor substrate by supplying only 20% of the exposure energy, and adjusting the stepper equipment to the minimum focus, and then performing an exposure process on the reticle image.
본 발명에 따르면, 최적 조건의 노광 에너지, 포커스, 최대 포커스 및 최소 포커스를 토대로 설정된 제 1, 2, 3 노광 조건을 토대로 노광 공정을 실시함으로서, 도 5에 도시된 바와 같이, 종래의 듀얼 방식 및 싱글 방식에 비해 노광 마진의 감소폭이 작아지면서 안정적인 포커스 마진을 확보할 수 있다.According to the present invention, by performing the exposure process based on the first, second and third exposure conditions set based on the exposure energy, focus, maximum focus and minimum focus of the optimum conditions, as shown in FIG. Compared to the single method, the reduction in the exposure margin is smaller and stable focus margin can be obtained.
즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 적용 포커스 마진이 커지더라도 노광 마진의 감소폭이 적어지는 데 반해, 종래의 듀얼 방식에는 포커스 마진이 일정 이상 커질 경우 노광 마진의 감소폭이 커지는 것을 알 수 있다.That is, as shown in FIG. 5, even if the applied focus margin of the present invention increases, the decrease in the exposure margin decreases, whereas in the conventional dual method, the decrease in the exposure margin increases when the focus margin increases by a certain amount or more. have.
본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위내에 있게 된다.The present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiments, and various modifications can be made by any person having ordinary skill in the art without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, such changes will fall within the scope of the claims.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 최적 조건의 노광 에너지, 포커스, 최대 포커스 및 최소 포커스를 토대로 설정된 적어도 세 가지 이상의 노광 조건을 토대로 노광 공정을 실시함으로서, 노광 마진의 감소폭을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 포커스 마진을 확보할 수 있어 미세 패턴을 효과적으로 형성할 수 있다.As described above, the present invention performs the exposure process based on at least three or more exposure conditions set based on the optimum exposure energy, focus, maximum focus, and minimum focus, thereby reducing the reduction in the exposure margin and the focus margin. It can be secured to form a fine pattern effectively.
Claims (5)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160034131A (en) * | 2014-09-19 | 2016-03-29 | 삼성전자주식회사 | Metrology method for lithography process and method of monitoring lithography process using the metrology method |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0122514B1 (en) * | 1994-03-11 | 1997-11-26 | 김주용 | Measurement method of depth of focus latitude |
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2006
- 2006-07-12 KR KR1020060065235A patent/KR100791680B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0122514B1 (en) * | 1994-03-11 | 1997-11-26 | 김주용 | Measurement method of depth of focus latitude |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160034131A (en) * | 2014-09-19 | 2016-03-29 | 삼성전자주식회사 | Metrology method for lithography process and method of monitoring lithography process using the metrology method |
KR102180027B1 (en) | 2014-09-19 | 2020-11-17 | 삼성전자 주식회사 | Metrology method for lithography process and method of monitoring lithography process using the metrology method |
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