KR100790723B1 - 반도체 장비용 진공 트랩 - Google Patents

반도체 장비용 진공 트랩 Download PDF

Info

Publication number
KR100790723B1
KR100790723B1 KR1020030090320A KR20030090320A KR100790723B1 KR 100790723 B1 KR100790723 B1 KR 100790723B1 KR 1020030090320 A KR1020030090320 A KR 1020030090320A KR 20030090320 A KR20030090320 A KR 20030090320A KR 100790723 B1 KR100790723 B1 KR 100790723B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
trap
vacuum
vacuum pump
semiconductor equipment
gas passage
Prior art date
Application number
KR1020030090320A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050058073A (ko
Inventor
서승수
김태환
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020030090320A priority Critical patent/KR100790723B1/ko
Publication of KR20050058073A publication Critical patent/KR20050058073A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100790723B1 publication Critical patent/KR100790723B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
  • Applications Or Details Of Rotary Compressors (AREA)

Abstract

본 발명의 반도체 장비용 진공 트랩은, 반도체 제조 공정의 공정 챔버 내에서 공정 진행 후 발생된 파우더를 효과적으로 트랩하여 진공 펌프의 부하를 줄이기 위한 것으로서, 공정 챔버와 진공 펌프를 연결하는 진공 라인에 구비되고 그 외곽으로 공정냉각수가 공급되는 트랩 본체, 및 이 트랩 본체 내에 다층으로 진공 펌프를 향하는 방향에 대하여 수직 방향으로 가스 통로를 형성하는 다수의 디스크 플레이트로 구성되어 있다.
진공펌프, 진공트랩, DCS, TEOS

Description

반도체 장비용 진공 트랩 {VACUUM TRAP FOR SEMICONDUCTOR EQUIPMENT}
도 1은 종래기술에 따른 반도체 장비용 진공 트랩의 평면도이고,
도 2는 도 1의 A-A 선에 따른 단면도이며,
도 3은 본 발명에 따른 반도체 장비용 진공 트랩의 장착 상태 단면도이고,
도 4는 본 발명에 따른 반도체 장비용 진공 트랩의 평면도이며,
도 5는 본 발명에 따른 반도체 장비용 진공 트랩의 작동 상태도이다.
본 발명은 반도체 장비용 진공 트랩에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정 챔버 내에서 공정 진행 후 발생된 파우더를 효과적으로 트랩하여 진공 펌프의 부하를 줄이는 반도체 장비용 진공 트랩에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중, DCS(DiChloSilane), NH3, 및 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 가스를 사용하는 공정은 공정 챔버 내에서 많은 양의 파우더를 발생시키므로 이 파우더를 진공으로 배출시켜야 한다.
이를 위하여 공정 챔버의 아래에는 진공 라인이 형성되어 있으며, 이 진공 라인의 진공 펌프 전방에는 진공 트랩이 구비되어 있다.
이 진공 트랩은 공정 챔버에서 발생된 파우더를 트랩하여 파우더가 진공 펌프에 그대로 유입되어 진공 펌프에 결함을 발생시키는 것을 방지하게 된다.
이 진공 트랩(1)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 그 내부에 100~150장의 스테인레스 디스크(3)를 내장하는 구성으로 이루어져, 진공 펌프에 의하여 공정 챔버에서 진공 라인으로 배출되는 가스에 포함된 파우더를 트랩하게 된다.
즉, 가스가 통과되는 트랩의 외벽에 배출 공정냉각수(PCW)를 흘러 보냄으로서 가스에 포함된 파우더는 스테인레스 디스크(3)에 증착되어 트랩된다. 파우더가 트랩된 가스는 진공 라인의 진공 펌프를 통하여 공정 챔버에서 배출된다.
그러나, 이 진공 트랩은 스테인레스 디스크(3)가 진공 펌프를 향하는 방향으로 배치되어 있기 때문에 스테인레스 디스크(3)에 트랩되는 파우더의 양을 제한적이게 하고, 이로 인하여 진공 펌프에 무리를 가하게 되어, 펌프 결함을 발생시키는 문제점을 가지고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 공정 챔버 내에서 공정 진행 후 발생된 파우더를 효과적으로 트랩하여 진공 펌프의 부하를 줄이는 반도체 장비용 진공 트랩을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 반도체 장비용 진공 트랩은,
공정 챔버와 진공 펌프를 연결하는 진공 라인에 구비되고 그 외곽으로 공정 냉각수가 공급되는 트랩 본체, 및
상기 트랩 본체 내에 다층으로 진공 펌프를 향하는 방향에 대하여 수직 방향으로 가스 통로를 형성하는 다수의 디스크 플레이트를 포함하고 있다.
상기 트랩 본체에서 공정냉각수의 유입 및 배출 방향은 디스크 플레이트에 의하여 형성되는 가스 통로와 같은 방향으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 트랩 본체는 원통으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 디스크 플레이트는 트랩 본체 내에서 가스 통로를 형성하도록 원판 형상의 일측이 절단된 구조로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 디스크 플레이트는 절단된 일측에 의하여 형성되는 가스 통로를 지그재그(jig zag) 상태로 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 이점 및 장점은 이하의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명함으로서 보다 명확하게 될 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 장비용 진공 트랩의 장착 상태 단면도로서, 이 진공 트랩(5)은 공정 챔버(미도시)와 진공 펌프(미도시)를 연결하는 진공 라인(7) 상에서, 공정 챔버에서 발생된 파우더를 진공으로 배출하면서 효과적으로 트랩할 수 있도록 구성되어 있다.
이 진공 트랩(5)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 트랩 본체(9)와 이 트랩 본체(9)에 내장되는 다수의 디스크 플레이트(11)를 포함하는 구성을 이루고 있다.
이 트랩 본체(9)는 그 내부에 설치되는 다수의 디스크 플레이트(11)에 의하 여 그 내부에 가스 통로(13)를 형성하게 된다.
이 가스 통로(13)는 진공 펌프의 작동으로 공정 챔버에서 파우더를 포함하고 있는 가스를 진공 라인으로 배출 가능케 하면서, 이 가스에 포함되어 있는 파우더를 그 표면에 증착 작용으로 트랩할 수 있게 한다.
또한, 이 트랩 본체(9)는 파우더의 증착 작용을 위하여 외측으로 공정냉각수(PCW)를 흘러 공급할 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다.
이 트랩 본체(9)는 원통형으로 형성되어 기존의 디스크를 본 발명의 디스크 플레이트(11)로 변경하여 사용할 수 있게 하는 것이 바람직하다.
상기 트랩 본체(9)에 형성되는 가스 통로(13)는 공정냉각수에 의하여 파우더가 효과적으로 증착되도록 공정냉각수(PCW)가 유입되어 배출되는 방향과 일치하게 형성되는 것이 바람직하다. 따라서 가스 통로(13)의 가스는 고온에서 저온으로 되고, 공정냉각수(PCW)는 저온에서 고온으로 된다.
이와 같이 트랩 본체(9) 내에서 파우더가 증착되는 가스 통로(13)를 형성하는 디스크 플레이트(11)는 트랩 본체(9) 내에 다층으로 배치되어 파우더가 증착되는 면적을 최대로 증가시키는 것이 바람직하다.
또한, 이 디스크 플레이트(11)는 트랩 본체(9) 내에 다층으로 배치됨으로서 진공 펌프를 향하는 방향에 대하여 수직하는 가스 통로(13)를 형성하게 되어 배출되는 가스에 포함된 파우더의 증착 효과를 배가시키게 된다.
이를 위하여 디스크 플레이트(11)는 트랩 본체(9) 내에서 가스 통로(13)를 형성하도록 원판 형상의 일측이 절단(11a)된 구조로 이루어져 있다.
이 디스크 플레이트(11)와 인접한 다른 디스크 플레이트(11)는 절단(11a)된 일측이 서로 180도 방향으로 배치됨으로서, 인접하는 디스크 플레이트(11)와 절단(11a) 된 일측에 의하여 형성되는 가스 통로(13)를 상측에서 하측으로 내려오면서 복잡한 지그재그(jig zag) 상태로 형성하여 파우더의 트랩 효과를 배가시키게 된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이와 같이 본 발명의 반도체 장비용 진공 트랩은 일측이 절단된 구조의 디스크 플레이트를 트랩 본체 내에 적층 구조로 배치하여, 진공 펌프 방향에 대하여 수직하는 지그재그 상태로 가스 통로를 형성함으로서, 공정 진행 후 발생된 파우더를 효과적으로 트랩하면서 진공 펌프의 부하를 줄이어 진공 펌프의 결함을 최대한 줄일 수 있다.
또한, 본 발명은 진공 펌프의 부하를 줄이어, 진공 펌프의 분해 결합 기간을 연장시켜 원가를 절감시키고, 공정 중 펌프 트립(trip)을 최소화할 수 있다.

Claims (5)

  1. 공정 챔버와 진공 펌프를 연결하는 진공 라인에 구비되고 그 외곽으로 공정냉각수가 공급되는 트랩 본체, 및
    상기 트랩 본체 내에 다층으로 진공 펌프를 향하는 방향에 대하여 수직 방향으로 가스 통로를 형성하는 다수의 디스크 플레이트를 포함하는 반도체 장비용 진공 트랩.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 트랩 본체에서 공정냉각수의 유입 및 배출 방향은 디스크 플레이트에 의하여 형성되는 가스 통로와 같은 방향으로 형성되는 반도체 장비용 진공 트랩.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 트랩 본체는 원통으로 형성되는 반도체 장비용 진공 트랩.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 디스크 플레이트는 트랩 본체 내에서 가스 통로를 형성하도록 원판 형상의 일측이 절단된 구조로 이루어지는 반도체 장비용 진공 트랩.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 디스크 플레이트는 절단된 일측에 의하여 형성되는 가스 통로를 지그재그(jig zag) 상태로 형성하는 반도체 장비용 진공 트랩.
KR1020030090320A 2003-12-11 2003-12-11 반도체 장비용 진공 트랩 KR100790723B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030090320A KR100790723B1 (ko) 2003-12-11 2003-12-11 반도체 장비용 진공 트랩

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030090320A KR100790723B1 (ko) 2003-12-11 2003-12-11 반도체 장비용 진공 트랩

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050058073A KR20050058073A (ko) 2005-06-16
KR100790723B1 true KR100790723B1 (ko) 2007-12-31

Family

ID=37251754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030090320A KR100790723B1 (ko) 2003-12-11 2003-12-11 반도체 장비용 진공 트랩

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100790723B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000017883U (ko) * 1999-03-06 2000-10-05 김영환 반도체 증착장비용 디스크 플레이트
KR20000072401A (ko) * 2000-09-01 2000-12-05 유재안 반도체 제조 장비

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000017883U (ko) * 1999-03-06 2000-10-05 김영환 반도체 증착장비용 디스크 플레이트
KR20000072401A (ko) * 2000-09-01 2000-12-05 유재안 반도체 제조 장비

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050058073A (ko) 2005-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100631924B1 (ko) 반도체 설비의 잔류부산물 포집장치
US7988755B2 (en) Byproduct collecting apparatus of semiconductor apparatus
US5422081A (en) Trap device for vapor phase reaction apparatus
JP3991375B2 (ja) トラップ装置
US20120270405A1 (en) Systems and methods for exposing semiconductor workpieces to vapors for through-hole cleaning and/or other processes
KR20100105764A (ko) 가열식 샤워헤드 조립체
KR100647725B1 (ko) 반도체 장치의 부산물 포집장치
CN101678497A (zh) 包括多个扩散焊接板的气体分布器以及制造这种气体分布器的方法
US11623175B1 (en) Apparatus for trapping of reaction by-product having self regenerating function for used inner collecting tower
KR100930320B1 (ko) 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치
TWI679698B (zh) 用於排氣冷卻的設備
JP2021034709A (ja) 半導体プロセス用流路方向転換式反応副産物捕集装置
KR100790723B1 (ko) 반도체 장비용 진공 트랩
KR100964320B1 (ko) 입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및부산물 포집장치
US20050000201A1 (en) Apparatus for and method of trapping products in exhaust gas
KR101480237B1 (ko) 입자 포집장치
CN108798813A (zh) 一种钢厂烟气余热发电装置
JP6905557B2 (ja) 多段冷却を有する装置
KR100603434B1 (ko) 플라즈마 세정장치
KR100698379B1 (ko) 반도체 제작 시스템의 반응부산물 포집장치
KR100555385B1 (ko) 반도체장비의 부산물 포집장치
EP1914423A2 (en) Trap apparatus and trap system
KR100847656B1 (ko) 파우더 트랩이 설치된 드라이 가스 스크러버
CN205461439U (zh) 冷却吸附过滤装置
KR200416275Y1 (ko) 소음기

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee