KR100790236B1 - 반도체소자의 칼라필터어레이 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 칼라필터어레이에서 칼라필터 사이의 높이를 균일하게 할 수 있는 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법은 평탄화된 구조물 상부에 포토레지스트 코팅, 1차 노광 및 용해액에 의한 제거를 순차적으로 진행하여 칼라필터를 형성하는 단계; 상기 칼라필터의 에지부분을 추가로 2차 노광하는 단계; 및 상기 2차 노광된 부분에 부풀어오르는 스웰링현상을 유발시키는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명은 듀얼 노광방법을 적용하므로써 칼라필터의 크기를 조절할 수 있으며, 상부 손실 방지와 스웰링 현상을 이용하여 점점 작아지는 반도체집적소자의 제조에 있어서 더욱 작은 프로파일에도 오버코팅레이어 없이도 칼라필터어레의 평탄화가 가능한 효과가 있다.
칼라필터, 듀얼노광, 스웰링현상, 오버코팅레이어
Description
도 1a는 종래기술에 따른 칼라필터어레이의 평면도,
도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 칼라필터어레이의 형성 방법을 도시한 도면,
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법을 도시한 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
21 : 반도체기판 22 : 오버코팅레이어
23a, 23c : 블루칼라필터 24 : 스웰링현상
25 : 그린칼라필터
본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 반도체소자의 칼라필터어 레이(Color filter Array; CFA) 형성 방법에 관한 것이다.
칼라필터는 이미지센서, 특히 씨모스 이미지 센서에서 칼라 이미지를 구현하기 위해서 사용되며, 외부로부터의 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광감지부분에 각각 대응하여 칼라필터가 배열되어 있다. 따라서, 이를 칼라필터어레이(Color Filter Array; CFA)라고 일컫는다.
상기의 칼라필터어레이(CFA)는 레드(Red; R), 그린(Green; G) 및 블루(Blue; B)의 3가지 칼라로 이루어진다.
도 1a는 종래기술에 따른 칼라필터어레이의 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 칼라필터어레이의 형성 방법을 도시한 도면이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 포토다이오드(Photo Diode)를 포함한 픽셀, 금속배선 등의 소정 공정이 완료된 반도체 기판(11) 상부에 오버코팅레이어(Over Coating Layer; OCL)(12)를 형성한 후, 오버코팅레이어(OCL, 12) 상에 포토레지스트(Photoresist, 13)를 스핀코팅(Spin coating) 방법으로 코팅한다.
이어서, 베이킹(Baking) 공정을 진행한 다음, 노광마스크를 통해 빛을 이용하여 포토레지스트(13)의 조성을 변화시켜서 선택적으로 포토레지스트의 조성을 변화시킨다.
이어서, TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)라는 용해액에 의해 포토레지스트의 조성이 변화되지 않은 부분을 용해시켜서 원하는 칼라필터(13a)를 형성한다. 여기서, 조성이 변화되지 않은 부분을 용해시키므로 칼라필터(13a)는 파지티브 포토레지스트(Positive photoresist)를 이용한 것이며, TMAH에 의해 용해되는 부분 은 빛을 받지 않은 부분이다.
위와 같은 포토레지스트 코팅, 베이킹공정, 노광, 용해액의 순서를 순차적으로 진행하여 칼라별 칼라필터(13b, 13c)로 된 칼라필터어레이(CFA)를 형성한다. 예를 들어, 칼라필터(13a, 13b, 13c)는 블루칼라필터(B), 레드칼라필터(R), 그린칼라필터(G)의 순서로 형성한다. 여기서, 그린칼라필터(G)가 마지막으로 형성된 경우라 한다.
그러나, 종래기술은 반도체소자가 고집적화되어 감에 따라 레드칼라필터(R), 그린칼라필터(G), 블루칼라필터(B)의 패턴사이즈가 작아지게 되고, 포토레지스트의 조성을 변화시켜서 코팅두께를 균일하게 한다고 하더라도 마지막에 코팅되는 칼라필터는 반드시 가장 높은 두께를 가져, 칼라필터간에 단차가 발생하는 것을 피할 수 없다.
이러한 단차를 해결하기 위해 포토레지스트의 성분(개시제, 분산제, 레진(Resin) 고형분)을 변화시켜 최적화하거나 공정에서 코팅 회전속도(rpm) 조절 등으로 개선하였으나, 어느 정도 두께까지는 맞출수 있으나 마지막 칼라필터(그린칼라필터)의 코팅에서 단차를 극복하지 못하여 이 방법으로도 완전 평탄화가 되지 않아서 그 위에 포토레지스트 성분인 오버코팅레이어(OCL)를 추가로 사용하여 칼라필터어레이 형성시 발생된 단차를 평탄화하였다.
이처럼, 칼라필터어레이 위에 오버코팅레이어를 추가로 사용하면, 공정이 복잡해지고 빛의 손실이 초래된다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 칼라필터어레이에서 칼라필터 사이의 높이를 균일하게 할 수 있는 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법은 평탄화된 구조물 상부에 포토레지스트 코팅, 1차 노광 및 용해액에 의한 제거를 순차적으로 진행하여 칼라필터를 형성하는 단계; 상기 칼라필터의 에지부분을 추가로 2차 노광하는 단계; 및 상기 2차 노광된 부분에 부풀어오르는 스웰링현상을 유발시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 칼라필터어레이의 형성 방법은 평탄화된 구조물 상부에 포토레지스트 코팅, 1차 노광 및 용해액에 의한 제거를 순차적으로 진행하여 첫번 째 칼라필터를 형성하는 단계; 상기 첫번째 칼라필터의 에지부분을 추가로 2차 노광하는 단계; 상기 2차 노광된 부분에 부풀어오르는 스웰링현상을 유발시키는 단계; 상기 스웰링현상이 유발된 첫번 째 칼라필터 상부에 상기 첫번 째 칼라필터형성시와 동일하게 상기 포토레지스트 코팅, 1차 노광 및 용해액에 의한 제거를 순차적으로 진행하여 N번째 칼라필터를 형성하는 단계; 상기 첫번 째 칼라필터형성시와 동일하게 상기 N번 째 칼라필터의 에지부분을 추가로 2차 노광하는 단계; 및 상기 N번 째 칼라필터의 2차 노광된 부분에 부풀어오르는 스웰링현상을 유발시키는 단계를 포함하고, 상기 N번 째 칼라필터를 형성하기 전에 상기 첫번째 칼라필터 상부에 2, 3, N-1번 째 칼라필터를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 각 칼라필터 형성후에는 각각 에지부분을 추가로 2차 노광하는 단계와 2차 노광된 부분에 부풀어오르는 스웰링현상을 유발시키는 단계를 진행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 칼라필터어레이의 형성 방법은 평탄화된 구조물 상부에 포토레지스트 코팅, 1차 노광 및 용해액에 의한 제거를 순차적으로 진행하여 첫번 째 칼라필터를 형성하는 단계; 상기 첫번째 칼라필터의 에지부분을 추가로 2차 노광하는 단계; 상기 2차 노광된 부분에 부풀어오르는 스웰링현상을 유발시키는 단계; 상기 스웰링현상이 유발된 첫번 째 칼라필터 상부에 상기 첫번 째 칼라필터형성시와 동일하게 상기 포토레지스트 코팅, 1차 노광 및 용해액에 의한 제거를 순차적으로 진행하여 N번째 칼라필터를 형성하는 단계; 상기 첫번 째 칼라필터형성시와 동일하게 상기 N번 째 칼라필터의 에지부분을 추가로 2차 노광하는 단계; 및 상기 N번 째 칼라필터의 2차 노광된 부분에 부풀어오르는 스웰링현상을 유발시키는 단계를 포함하고, 상기 N번 째 칼라필터를 형성하기 전에 상기 첫번째 칼라필터 상부에 2, 3, N-1번 째 칼라필터를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 각 칼라필터 형성후에는 각각 에지부분을 추가로 2차 노광하는 단계와 2차 노광된 부분에 부풀어오르는 스웰링현상을 유발시키는 단계를 진행하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
후술하는 실시예에서는 레드칼라필터(R), 그린칼라필터(G), 블루칼라필터(B)중에서 두가지 칼라필터를 타겟사이즈(Target size)보다 작게 먼저 정의하고, 듀얼 노광을 이용한 스웰링(Swelling)으로 상부 손실(top loss)을 줄인다음, 마지막 칼라필터를 위한 포토레지스트의 코팅시 회전속도(rpm)를 증가시켜 또 한번의 스웰링으로 마지막 칼라필터가 기 형성된 2개의 칼라필터의 위로 올라가 단차를 형성시키는 것을 억제한다. 바람직하게, 스웰링을 이용하기 위해서는 칼라필터로 사용되는 포토레지스트를 파지티브 포토레지스트(Positive photoresist)가 아닌 네가티브 포토레지스트(Negative photoresist)를 이용한다. 즉, 노광에 의해 빛을 받지 않는 부분(포토레지스트의 조성변화가 없는 부분)이 용해액에 제거되는 파지티브 포토레지스트(Positive photoresist)를 사용하는 것이 아니라, 노광에 의해 빛을 받은 부분이 용해액에 의해 제거되는 네가티브 포토레지스트(Negative photoresist)를 이용한다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법을 도시한 도면이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 포토다이오드(Photo Diode)를 포함한 픽셀, 금속배선 등의 소정 공정이 완료된 반도체 기판(21) 상부에 오버코팅레이어(Over Coating Layer; OCL)(22)를 형성한다. 이때, 오버코팅레이어(OCL, 22)는 포토레지스트로서 금속배선 등의 공정시 발생된 단차를 평탄화시키기 위한 것이다.
이어서, 오버코팅레이어(OCL, 22) 상에 포토레지스트(Photoresist, 23)를 스핀코팅(Spin coating) 방법으로 웨이퍼 전면에 균일한 두께로 코팅한 후, 적어도 100℃ 이하의 베이킹(Baking) 공정을 진행한다.
이어서, 노광마스크를 통해 노광 광원(빛)을 이용하여 임의의 첫번째 칼라( 마스크의 블루패턴)를 포토레지스트(23) 위에 노광하되, 노광량을 조절하여 약간 작게 패터닝한다. 즉, 기설정된 폭보다 작은 폭으로 노광을 진행한다. 이상의 노광을 첫번째 노광(1st 노광)이라고 한다.
위와 같은 노광에 의해 빛을 받아 조성이 변화된 부분과 빛을 받지 않아 조성이 변화되지 않은 부분이 존재하게 된다.
이어서, TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)라는 용해액에 의해 포토레지스트의 조성이 변화된 부분을 용해시켜서 임의의 첫번째 칼라필터, 예컨대 블루칼라필터(B, 23a)를 형성하며, 블루칼라필터(B, 23a)는 노광량의 조절을 통해 폭이 작게 노광이 되었기 때문에 블루칼라필터로 설정된 폭보다 작은 DICD(Develop Inspection Critical Dimension)를 갖는다. 따라서, 이웃하는 블루칼라필터(23a) 사이의 스페이스(Space)는 설정된 거리 'S2'(후속 스웰링현상에 의해 얻는 거리)보다 소폭 증가된 'S1'이 된다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 위와 같이 패터닝된 블루칼라필터(23a)에 동일한 노광장비를 이용하여 노광하되, 노광장비의 오버레이보정값 중 하나인 웨이퍼확대도(Wafer magnification) 성분을 이용하여 X축 및 Y축 방향으로 오버레이쉬프트(Overlay-shift)를 만들어 확대한 후에 노광공정(2nd 노광)을 한번 더 진행한다. 따라서, 첫번째 노광(1st 노광)후에 두번째 노광(2nd 노광)을 진행하므로 이를 듀얼 노광이라고 한다.
이때, 확대된만큼 다시한번 노광의 광원과 블루칼라필터(23a)의 에지부분이 만나게 되고, 이 확대된 만큼의 노광에 의해 빛을 받은 부분의 포토레지스트 조성은 TMAH에 의해 용해될 정도로 조성의 변화가 일어난다. 따라서, 이웃한 블루칼라 필터(23a) 사이의 일측면들에 두번째 노광된 부분(23b)이 존재한다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 두번째 노광이 진행된 블루칼라필터(23a)를 포함한 전면에 HMDS(Hexa Methyl Di Silazane) 또는 실레인계열 화합물(예, 트리클로로실레인(Trichlorosilane))을 이용한 후처리를 진행한다. 이러한 후처리는 실리콘의 옥소피릭(Oxophilic)한 성질을 이용하여 빛은 받은 포토레지스트와 반응이 일어나서 친수성에서 소수성으로 바꾸어주기 위한 것이다. 예를 들어, HMDS를 이용한 후처리를 진행하면, 빛을 받은 노광된 부분의 포토레지스트 표면에 일종의 실리콘 산화막(Si-O 결합)이 형성된다. 바람직하게, 후처리를 위한 열 공정은 오븐(oven) 또는 핫 플레이트(hot plate) 가열 방식을 이용하고, 오븐 및 핫 플레이트의 온도는 바람직하게 50∼250℃로 조절한다.
따라서, 후처리에 의해 블루칼라필터(23a)의 두번째 노광된 부분(23b)과 HMDS 또는 실레인계열 화합물의 실리콘과의 강한 결합(Si-O)이 일어남(이로써 경화가 진행됨)과 동시에 산소(Oxygen)와 실리콘 결합(Si-O)에 의해 스웰링현상(Swelling, 24)이 나타나게 된다. 즉, 스웰링현상(24)으로 두번 째 노광된 부분(23b)이 줄어들지 않고 반대로 늘어나는(부풀어 오른) 것이다. 이는, 스웰링 현상(24)을 통해 네가티브 성질을 파지티브 성질로 변경할 수 있음을 의미한다.
이러한 스웰링 현상(24)은 두번 째 노광의 노광에너지의 양과 HMDS의 양과의 상관관계로 정의할 수 있다. 이로써 CD(Critical Dimension)를 노광에너지의 양과 HMDS의 농도로 규정하여 CD 컨트롤이 가능해진다.
위와 같은 후처리를 통해 스웰링현상(24)을 발생시키면, 블루칼라필터(23a) 사이의 거리는 실제 얻고자 하는 블루칼라필터(23a) 사이의 거리(S2)를 얻을 수 있게 된다.
이어서, 도 2d에 도시된 바와 같이, 베이킹을 진행하여 경화시킨다. 이때, 베이킹 온도는 고온(200℃)의 열처리로 진행하는데, 이렇게 고온에서 열처리하면 부풀어 오른 부분, 즉, HMDS와 두번째 노광된 부분이 반응하여 성분이 결합된 상태에서 베이킹으로 경화가 진행된다. 이로써, 칼라필터의 패터닝에서 일어날 수 있는 상부 손실(Top loss)을 감소시킨다. 즉, 칼라필터 패터닝시 상부에서 슬로프가 과도하게 발생하여 상부 손실이 발생하였으나, 스웰링 현상을 이용하므로써 슬로프 정도를 줄여 상부 손실을 감소시킨다.
한편, 슬로프를 줄이려고 노광장비의 포커스(Focus)를 조절하면 칼라필터의 패턴 리프팅이 우려되고 그렇지 않으면 칼라필터의 상부 손실에 의하여 마지막에 적층이 되는 임의의 칼라필터가 먼저의 두 칼라필터 위의 과도한 슬로프에 의하여 코팅 회전속도(RPM)를 조절한다 하여도 당연히 상부 손실 부분 위로 올라가게 된다. 이로써, 칼라필터의 DICD도 커지게 되고 단차가 발생하게 된다.
따라서, 본 발명은 스웰링 현상을 유도하므로써 칼라필터의 상부 손실을 줄인다.
결국, 베이킹후의 블루칼라필터(23c)는 상부손실이 최소화된 패턴이 된다.
도 2e에 도시된 바와 같이, 상부 손실이 줄어든 블루칼라필터(23c) 위에 레드칼라필터(도시 생략)를 형성하고, 마지막으로 그린칼라필터(25)를 형성한다.
이때, 그린칼라필터(25)도 코팅 회전속도를 증가시키고 노광량을 줄여서 패 터닝을 한 후 마지막에 스웰링현상을 다시 유도하면 하부에 적층된 블루칼라필터(23c) 및 레드칼라필터의 상부손실이 없기 때문에 이들 칼라필터 위로 올라가지 못하고 스웰링된 부분끼리 만나게 된다(도면부호 '26' 참조). 이렇게 하면, 도 2f에 도시된 바와 같이, 이웃한 칼라필터간에 단차를 최소화시켜 평탄화 특성이 우수하다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은 듀얼 노광방법을 적용하므로써 칼라필터의 크기를 조절할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 상부 손실 방지와 스웰링 현상을 이용하여 점점 작아지는 반도체집적소자의 제조에 있어서 더욱 작은 프로파일에도 오버코팅레이어 없이도 칼라필터어레의 평탄화가 가능한 효과가 있다.
Claims (9)
- 평탄화된 구조물 상부에 포토레지스트 코팅, 1차 노광 및 용해액에 의한 제거를 순차적으로 진행하여 칼라필터를 형성하는 단계;상기 칼라필터의 에지부분을 추가로 2차 노광하는 단계; 및상기 2차 노광된 부분에 부풀어오르는 스웰링현상을 유발시키는 단계를 포함하는 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법.
- 평탄화된 구조물 상부에 포토레지스트 코팅, 1차 노광 및 용해액에 의한 제거를 순차적으로 진행하여 첫번 째 칼라필터를 형성하는 단계;상기 첫번째 칼라필터의 에지부분을 추가로 2차 노광하는 단계;상기 2차 노광된 부분에 부풀어오르는 스웰링현상을 유발시키는 단계;상기 스웰링현상이 유발된 첫번 째 칼라필터 상부에 상기 첫번 째 칼라필터형성시와 동일하게 상기 포토레지스트 코팅, 1차 노광 및 용해액에 의한 제거를 순차적으로 진행하여 N번째 칼라필터를 형성하는 단계;상기 첫번 째 칼라필터형성시와 동일하게 상기 N번 째 칼라필터의 에지부분을 추가로 2차 노광하는 단계; 및상기 N번 째 칼라필터의 2차 노광된 부분에 부풀어오르는 스웰링현상을 유발시키는 단계를 포함하고,상기 N번 째 칼라필터를 형성하기 전에,상기 첫번째 칼라필터 상부에 2, 3, N-1번 째 칼라필터를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 각 칼라필터 형성후에는 각각 에지부분을 추가로 2차 노광하는 단계와 2차 노광된 부분에 부풀어오르는 스웰링현상을 유발시키는 단계를 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 추가로 2차 노광하는 단계는,상기 1차 노광시 사용된 동일한 노광장비를 이용하되, 상기 노광장비의 웨이퍼확대도성분을 이용하여 X축 및 Y축방향으로 오버레이쉬프트를 만들어 확대한 후에 노광하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 칼라필터로 사용되는 물질은 노광된 부분이 상기 용해액에 의해 제거되는 네가티브 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법.
- 제4항에 있어서,상기 용해액은, TMAH를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 스웰링현상을 유발시키는 단계는,HMDS 또는 실레인계열 화합물을 이용한 후처리로 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 스웰링현상을 유발시키는 단계후에,고온(200℃)의 열처리로 베이킹을 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법.
- 제2항에 있어서,상기 첫번째 칼라필터는 블루칼라필터이고, 상기 N번째 칼라필터는 그린칼라필터이며, 상기 블루칼라필터와 상기 그린칼라필터 사이에 레드칼라필터를 형성하여 3가지 칼라필터를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 2차 노광 전의 칼라필터 패턴간 간격은 상기 스웰링현상에 의한 패턴간 간격보다 더 넓은 것을 특징으로 하는 반도체소자의 칼라필터어레이의 형성 방법.
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| KR19990076155A (ko) * | 1998-03-28 | 1999-10-15 | 윤종용 | 엘씨디 장치의 칼라 필터 기판 제조 방법 및 그 제조용마스크 |
| KR20020052713A (ko) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | 박종섭 | 칼라필터어레이 형성 방법 |
| KR20050112924A (ko) * | 2004-05-28 | 2005-12-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 패턴 및 그 형성 방법과 이를 이용한 액정 표시 장치 및그의 제조 방법 |
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2005
- 2005-12-29 KR KR1020050134045A patent/KR100790236B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990076155A (ko) * | 1998-03-28 | 1999-10-15 | 윤종용 | 엘씨디 장치의 칼라 필터 기판 제조 방법 및 그 제조용마스크 |
| KR20020052713A (ko) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | 박종섭 | 칼라필터어레이 형성 방법 |
| KR20050112924A (ko) * | 2004-05-28 | 2005-12-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 패턴 및 그 형성 방법과 이를 이용한 액정 표시 장치 및그의 제조 방법 |
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