KR100789251B1 - 가스분사관 연결장치 - Google Patents
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- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H01L21/205—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
본 발명은 반도체 제조장치의 챔버 내부에서 공정이 이루어지도록 외부로부터 공정가스를 유입 분사하는 가스분사관 연결장치에 관한 것이다. 본 발명은 내부에 가스켓을 형성하여 외부의 충격에 의해 연결장치 내부 가스분사관 접촉면의 손상을 방지함으로써 반도체 공정시 사고를 미연에 방지함은 물론, 가스분사 노즐을 강한 하드라인으로 제조함으로써 비용절감의 효과와 불순물 억제가 가능하도록 한다.
반도체 제조장치, 가스분사관, 연결장치
Description
도 1은 종래 반도체 제조장치의 챔버와 가스분사관의 연결상태도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조장치의 챔버와 가스분사관 연결장치의 연결상태도.
도 3은 본 발명의 가스분사관 연결장치의 내부구조에 대한 종단면도.
도 4는 본 발명의 가스분사관 연결장치에서 노즐이 구성되지 않은 상태에 대한 종단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10 : 챔버 20 : 웨이퍼
30 : 수직플레이트 40 : 가스공급장치
50 : 가스켓 60 : 노즐
70 : 노즐체결관 72 : 오링
73 : 삽입홈 80 : 고정부
본 발명은 가스분사관 연결장치에 관한 것으로써, 특히 챔버내 일부 공정에서 필요로 하는 가스 공급용 노즐의 구조를 개선하여 외부 충격으로 인한 파손 및 가스 누출 방지는 물론, 소모성 부재 사용을 지양하여 비용 절감을 달성할 수 있도록 한 가스분사관 연결장치에 관한 것이다.
흔히 반도체 제조장치는 공정이 이루어지도록 챔버 내부로 공정가스를 유입시켜 가스분사관이 외부로부터 상기 챔버 내부로 연결되는 구조로 되어 있다.
종래 가스분사관의 챔버 내부로의 연결 구조는 도 1에 도시한 바와 같이, 반응 챔버(1)와, 상기 챔버(1) 일측면에 설치되는 플랜지(flange)(2)와, 상기 플랜지(2)에 삽입되는 쇼트 라인(3)과, 상기 쇼트 라인(3)의 일측면이 삽입됨으로서 가스공급이 가능토록 하는 플렉시블(flexible) 노즐(4)로 이루어지고, 상기 플랜지(2)와 쇼트 라인(3)간의 기밀성을 유지하도록 플랜지(2)와 쇼트라인(3) 접촉 부근에 오링(5)이 구성되어 있다.
그러나 상기와 같은 종래 가스분사관은 플렉시블 노즐(4)이 쇼트라인(3)을 통해 챔버(1)에 연결됨으로써 외부로부터의 사소한 충격에도 쉽게 파손되어 불순물발생의 원인이 됨은 물론, 소모성인 플렉시블 노즐(4)을 사용함으로써 주기적으로 교체해야 하는 번거로움이 발생될 뿐만 아니라, 비용절감에도 효과적이지 못하였다.
또한 종래 가스분사관은 플랜지(2)와 쇼트 라인(3)간의 기밀성 유지를 위해오링(5)을 구성하였으나 플렉시블 노즐(4)의 유연성으로 인해 유동이 심해져서 오링(5) 부분을 통한 가스 누출이 야기될 수 있다는 심각한 문제점도 아울러 갖고 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 반도체 제조장치의 가스분사관 연결장치에 내포된 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 챔버내에서의 일부 공정 수행에 필요한 가스 공급용 노즐 구조 개선에 의해 외부 충격으로 인한 파손 및 파티클(불량입자) 발생과 가스누출 등을 모두 방지할 수 있도록 한 가스분사관 연결장치에 관한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 플렉시블 노즐 따위의 소모성 재질 사용을 지양하고견고한 재질을 사용함으로써 비용절감을 달성할 수 있도록 한 가스분사관 연결장치를 제공하는데 있다.
챔버 내부로 가스를 공급하도록 일측이 챔버에 연결된 노즐; 상기 노즐의 직경만큼의 홀이 형성되어 노즐이 삽입되도록 하고, 노즐삽입 후 노즐 내부로부터의 공정가스 유출을 방지함은 물론, 상기 챔버로부터 노출된 노즐과 가스공급장치와 연결된 가스분사관 노즐의 상호 연결을 위한 역할을 하도록 내부에 일정간격으로 오링 삽입홈이 형성된 노즐체결관; 상기 노즐체결관에 대한 노즐의 삽입 후 노즐 내부의 공정가스유출을 방지함은 물론, 유동 방지를 위해 상기 노즐체결관 내부에 형성된 삽입홈과 부합되는 위치에 구성된 복수 개의 오링; 상기 노즐과 가스분사관 노즐이 노즐체결관에 연결가능하도록 하는 나사형식의 고정부; 및 상기 노즐체결관을 통해 연결되는 상기 노즐과 가스분사관 노즐의 접촉면 사이와, 챔버와 외부로부터 가스가 공급되는 부위에 외부충격으로 인한 접촉면 손상 방지를 위해 구성된 씰(seal) 기능의 가스켓으로 구성된 것을 특징으로 한다.
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이하, 본 발명에 의한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조장치의 챔버와 가스분사관 연결장치의 연결상태도, 도 3은 본 발명의 가스분사관 연결장치의 내부구조에 대한 종단면도, 도 4는 본 발명의 가스분사관 연결장치에서 노즐이 구성되지 않은 상태에 대한 종단면도이다.
도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같이 본 발명의 가스분사관 연결장치는, 가스 가 유입되면 반도체 제조공정을 위한 반응을 일으키는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)에 재치되어 반도체 제조공정에 따라 제조되는 웨이퍼(20)와, 상기 웨이퍼(20)가 로딩되어 정렬되도록 상기 챔버(10) 내부에 형성된 수직플레이트(30)로 구성된 반도체 제조장치와 가스공급장치(40)간에 연결되는 것으로써, 챔버(10)에 대한 가스공급을 위해 일측이 챔버(10)에 연결된 노즐(60)과, 상기 노즐(60)의 직경만큼의 홀(71)이 형성되어 노즐(60)이 삽입되도록 하고, 노즐(60) 삽입 후 노즐(60) 내부로부터의 공정가스 유출을 방지함은 물론, 상기 챔버(10)로부터 노출된 노즐(60)과 가스공급장치(40)와 연결되어 있는 가스분사관 노즐(41)이 서로 연결되도록 연결장치 역할을 하는 상기 복수 개의 오링(72) 삽입홈(73)이 일정간격을 두고 내부에 형성된 노즐체결관(70); 및 상기 노즐(60)과 가스분사관 노즐(41)을 노즐체결관(70)이 연결가능하도록 하는 나사형식의 고정부(80)가 구성된다.
상기 노즐체결관(70) 내부에 위치하여 접촉되는 노즐(60)과 가스분사관 노즐(41) 사이에는 가스켓(50)을 구성하여 외부로부터의 충격으로 인한 접촉면의 손상을 방지하도록 한다.
상기 노즐(60)은 가스분사통로로서의 기밀성을 유지하고 외부로부터의 충격에 대비하도록 경성재질로 제조된다.
이와 같이 구성된 본 발명의 가스분사관 연결장치는 노즐(60)의 외부직경과 동일한 홀(71)이 형성되고, 일정간격으로 복수 개의 오링(72)이 구성된 노즐체결관(70)에 노즐(60)을 강한 압박으로 밀어 넣고 고정부(80)를 통해 가스공급장치(40) 쪽의 노즐체결관(70)을 밀폐시킴으로써 두 개의 오링(72)에 의한 기밀성이 유지됨과 아울러, 가스공급관(40) 및 챔버(10)간에 연결된 가스분사관의 이탈을 방지하고 가스 누출을 미연에 방지할 수 있다.
본 발명은 특정한 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 기술적사상의 범주내에서는 수정 및 변형 실기가 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의한 가스분사관 연결장치는 다음과 같은 여러 가지 뛰어난 효과가 있다.
첫째, 각각의 가스분사관이 연결되는 접촉면에 가스켓 씰을 형성하여 가스분사관의 유동 및 외부 충격으로 인해 가스분사관의 접촉면이 손상되는 것을 방지함으로써 반도체 제조 공정시 발생될 수 있는 사고를 미연에 방지할 수 있을 뿐만 아니라 불순물 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
둘째, 종래의 소모성 플렉시블 노즐을 하드 노즐로 대체함으로써 비용절감은 물론 기밀성을 향상시킴으로써 가스 누출을 미연에 방지할 수 있다.
Claims (3)
- 챔버(10) 내부로 가스를 공급하도록 일측이 챔버(10)에 연결된 노즐(60);상기 노즐(60)의 직경만큼의 홀(71)이 형성되어 노즐(60)이 삽입되도록 하고, 노즐(60)삽입 후 노즐(60) 내부로부터의 공정가스 유출을 방지함은 물론, 상기 챔버(10)로부터 노출된 노즐(60)과 가스공급장치(40)와 연결된 가스분사관 노즐(41)의 상호 연결을 위한 역할을 하도록 내부에 일정간격으로 오링 삽입홈(73)이 형성된 노즐체결관(70);상기 노즐체결관(70)에 대한 노즐(60)의 삽입 후 노즐(60) 내부의 공정가스유출을 방지함은 물론, 유동 방지를 위해 상기 노즐체결관(70) 내부에 형성된 삽입홈(73)과 부합되는 위치에 구성된 복수 개의 오링(72);상기 노즐(60)과 가스분사관 노즐(41)이 노즐체결관(70)에 연결가능하도록 하는 나사형식의 고정부(80); 및상기 노즐체결관(70)을 통해 연결되는 상기 노즐(60)과 가스분사관 노즐(41)의 접촉면 사이와, 챔버(10)와 외부로부터 가스가 공급되는 부위에 외부충격으로 인한 접촉면 손상 방지를 위해 구성된 씰(seal) 기능의 가스켓(50)으로 구성된 것을 특징으로 하는 가스분사관 연결장치.
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070013098A KR100789251B1 (ko) | 2007-02-08 | 2007-02-08 | 가스분사관 연결장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070013098A KR100789251B1 (ko) | 2007-02-08 | 2007-02-08 | 가스분사관 연결장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100789251B1 true KR100789251B1 (ko) | 2008-01-02 |
Family
ID=39216000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070013098A KR100789251B1 (ko) | 2007-02-08 | 2007-02-08 | 가스분사관 연결장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100789251B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9159591B2 (en) | 2012-01-03 | 2015-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Batch type apparatus for manufacturing semiconductor devices |
| KR20160149711A (ko) | 2015-06-19 | 2016-12-28 | (주)티티에스 | 쿼츠노즐 아답터, 쿼츠노즐 아답터의 고정 브라켓 및 매니폴더 |
| JP2020194972A (ja) * | 2020-08-12 | 2020-12-03 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07115068A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| KR20050112203A (ko) * | 2004-05-25 | 2005-11-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조장비에서의 가스 플로잉 노즐 세팅구조 |
| KR20060013988A (ko) * | 2004-08-09 | 2006-02-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치의 반응가스 공급부 연결구조 |
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2007
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07115068A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| KR20050112203A (ko) * | 2004-05-25 | 2005-11-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조장비에서의 가스 플로잉 노즐 세팅구조 |
| KR20060013988A (ko) * | 2004-08-09 | 2006-02-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치의 반응가스 공급부 연결구조 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9159591B2 (en) | 2012-01-03 | 2015-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Batch type apparatus for manufacturing semiconductor devices |
| KR20160149711A (ko) | 2015-06-19 | 2016-12-28 | (주)티티에스 | 쿼츠노즐 아답터, 쿼츠노즐 아답터의 고정 브라켓 및 매니폴더 |
| JP2020194972A (ja) * | 2020-08-12 | 2020-12-03 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム |
| JP7038770B2 (ja) | 2020-08-12 | 2022-03-18 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム |
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| FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
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|
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|
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|
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